JP2000165116A - 方向性結合器 - Google Patents
方向性結合器Info
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- JP2000165116A JP2000165116A JP10336361A JP33636198A JP2000165116A JP 2000165116 A JP2000165116 A JP 2000165116A JP 10336361 A JP10336361 A JP 10336361A JP 33636198 A JP33636198 A JP 33636198A JP 2000165116 A JP2000165116 A JP 2000165116A
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- line conductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ブロードサイド型の方向性結合器において
は、線路導体の位置ずれに対する特性変化が大きい。 【解決手段】 裏面に接地導体22を有する誘電体基板21
上に形成された第１の線路導体23と、第１の線路導体23
上に誘電体層を介して電磁的に結合するように形成され
た、第１の線路導体23より線路幅の広い第２の線路導体
24とから成る方向性結合器である。線路導体23・24の位
置ずれに対する特性変化を小さく抑えることができる。
は、線路導体の位置ずれに対する特性変化が大きい。 【解決手段】 裏面に接地導体22を有する誘電体基板21
上に形成された第１の線路導体23と、第１の線路導体23
上に誘電体層を介して電磁的に結合するように形成され
た、第１の線路導体23より線路幅の広い第２の線路導体
24とから成る方向性結合器である。線路導体23・24の位
置ずれに対する特性変化を小さく抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯およ
びミリ波帯で用いられる混合器や検出器・電力増幅器等
に利用される線路導体を用いた方向性結合器に関するも
のである。
びミリ波帯で用いられる混合器や検出器・電力増幅器等
に利用される線路導体を用いた方向性結合器に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波帯およびミリ波帯で用いられ
る混合器や検出器・電力増幅器等に利用されるストリッ
プ導体等の線路導体を用いた方向性結合器として、従来
より、図５に示す様な構成のものが知られている。
る混合器や検出器・電力増幅器等に利用されるストリッ
プ導体等の線路導体を用いた方向性結合器として、従来
より、図５に示す様な構成のものが知られている。
【０００３】図５は従来の方向性結合器の構成の例を示
す斜視図である。この方向性結合器によれば、接地導体
２が形成された誘電体基板１上に、それぞれコの字形状
で折り曲げられて近接配置された２本のストリップ導体
３・４が、結合部において互いに所定間隔だけ離れて電
磁的に結合するように形成されている。
す斜視図である。この方向性結合器によれば、接地導体
２が形成された誘電体基板１上に、それぞれコの字形状
で折り曲げられて近接配置された２本のストリップ導体
３・４が、結合部において互いに所定間隔だけ離れて電
磁的に結合するように形成されている。
【０００４】このような方向性結合器において大きな結
合量を得ようとする場合には、その２本のストリップ導
体３・４による結合部の間隔を小さくする必要がある。
合量を得ようとする場合には、その２本のストリップ導
体３・４による結合部の間隔を小さくする必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示すような構成の方向性結合器において、２本のストリ
ップ導体３・４による結合部について同一の間隔を保ち
かつその間隔を小さくすることは、実際の製造上非常に
難しく、良好な特性のものを安定して作製することが困
難であるという問題点があった。
示すような構成の方向性結合器において、２本のストリ
ップ導体３・４による結合部について同一の間隔を保ち
かつその間隔を小さくすることは、実際の製造上非常に
難しく、良好な特性のものを安定して作製することが困
難であるという問題点があった。
【０００６】そこで、この問題点を解決するために、大
きな結合量を得ることができ、しかも製作が容易である
方向性結合器として、例えば特開昭60−4306号公報なら
びに特開平４−26201 号公報において、図６に斜視図で
示すような構成の方向性結合器が提案されている。
きな結合量を得ることができ、しかも製作が容易である
方向性結合器として、例えば特開昭60−4306号公報なら
びに特開平４−26201 号公報において、図６に斜視図で
示すような構成の方向性結合器が提案されている。
【０００７】図６に示す方向性結合器において、11は誘
電体基板、12は誘電体基板11の下面に形成された接地導
体、13は誘電体基板11上に形成された第１のストリップ
導体、14は第１のストリップ導体13上に配置された、所
定の広がりを有する絶縁体でなる薄膜、15は絶縁体でな
る薄膜14上に第１のストリップ導体13と隣接させて配置
した第２のストリップ導体である。
電体基板、12は誘電体基板11の下面に形成された接地導
体、13は誘電体基板11上に形成された第１のストリップ
導体、14は第１のストリップ導体13上に配置された、所
定の広がりを有する絶縁体でなる薄膜、15は絶縁体でな
る薄膜14上に第１のストリップ導体13と隣接させて配置
した第２のストリップ導体である。
【０００８】このようなブロードサイド型と言われる方
向性結合器によれば、第１のストリップ導体13と第２の
ストリップ導体15とが絶縁体からなる薄膜14を介して互
いに重なりあって配置されていることから、２本のスト
リップ導体13・15の間隔を小さくすることが可能とな
り、これによって大きな結合量を得ることができる利点
があるというものである。
向性結合器によれば、第１のストリップ導体13と第２の
ストリップ導体15とが絶縁体からなる薄膜14を介して互
いに重なりあって配置されていることから、２本のスト
リップ導体13・15の間隔を小さくすることが可能とな
り、これによって大きな結合量を得ることができる利点
があるというものである。
【０００９】また、結合部における第１のストリップ導
体13と第２のストリップ導体15の線路長を互いに異なる
ように設定することにより、所定の位相差を有する方向
性結合器を構成することができるというものである。
体13と第２のストリップ導体15の線路長を互いに異なる
ように設定することにより、所定の位相差を有する方向
性結合器を構成することができるというものである。
【００１０】しかしながら、この図６に示すような方向
性結合器では、２本のストリップ導体13・15が接地導体
12に対して異なった位置にあり異なった接地状態にある
ので、各ストリップ導体13・15の実効インピーダンスが
異なることとなり、その結果、良好なアイソレーション
特性を得ることが困難であるという問題があった。
性結合器では、２本のストリップ導体13・15が接地導体
12に対して異なった位置にあり異なった接地状態にある
ので、各ストリップ導体13・15の実効インピーダンスが
異なることとなり、その結果、良好なアイソレーション
特性を得ることが困難であるという問題があった。
【００１１】さらに、２本のストリップ導体13・15の重
なり量によっても結合量を変化させるため、製作の際に
２本のストリップ導体13・15の重なり量がわずかでもず
れることにより所望の結合量よりずれてしまうこととな
り、所望の特性を有する方向性結合器を安定して作製す
ることが困難であるという問題点があった。
なり量によっても結合量を変化させるため、製作の際に
２本のストリップ導体13・15の重なり量がわずかでもず
れることにより所望の結合量よりずれてしまうこととな
り、所望の特性を有する方向性結合器を安定して作製す
ることが困難であるという問題点があった。
【００１２】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて
案出されたものであり、その目的は、線路導体を用いた
方向性結合器について、アイソレーション特性が良く、
かつ製造の際の線路導体の位置ずれによる特性変化の少
ない方向性結合器を提供することにある。
案出されたものであり、その目的は、線路導体を用いた
方向性結合器について、アイソレーション特性が良く、
かつ製造の際の線路導体の位置ずれによる特性変化の少
ない方向性結合器を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の方向性結合器
は、裏面に接地導体を有する誘電体基板上に形成された
第１の線路導体と、この第１の線路導体上に誘電体層を
介して電磁的に結合するように形成された、前記第１の
線路導体より線路幅の広い第２の線路導体とから成るこ
とを特徴とするものである。
は、裏面に接地導体を有する誘電体基板上に形成された
第１の線路導体と、この第１の線路導体上に誘電体層を
介して電磁的に結合するように形成された、前記第１の
線路導体より線路幅の広い第２の線路導体とから成るこ
とを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明によれば、第１の線路導体
と第２の線路導体とを誘電体層を介して電磁的に結合す
るように配置したことから、２つの線路導体の間隔を小
さくして大きな結合量を得ることができるとともに、２
つの線路導体の重なり量で結合量が決まるのに対して接
地導体と第２の線路導体との間に位置する第１の線路導
体の線路幅より第２の線路導体の線路幅を広くしたこと
から、その線路幅の差の範囲内で作製の際に２つの線路
導体の積層位置ずれが生じても第１の線路導体は第２の
線路導体と接地導体との間に所定の重なり量で位置させ
ることができ、位置ずれによる特性変化を抑制すること
ができる。
と第２の線路導体とを誘電体層を介して電磁的に結合す
るように配置したことから、２つの線路導体の間隔を小
さくして大きな結合量を得ることができるとともに、２
つの線路導体の重なり量で結合量が決まるのに対して接
地導体と第２の線路導体との間に位置する第１の線路導
体の線路幅より第２の線路導体の線路幅を広くしたこと
から、その線路幅の差の範囲内で作製の際に２つの線路
導体の積層位置ずれが生じても第１の線路導体は第２の
線路導体と接地導体との間に所定の重なり量で位置させ
ることができ、位置ずれによる特性変化を抑制すること
ができる。
【００１５】以下、本発明の方向性結合器について図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１６】図１は本発明の方向性結合器の実施の形態
の一例を示す斜視図であり、図２はそのＡ−Ａ線断面図
である。これらの図において、21は誘電体基板、22は誘
電体基板21の裏面に形成された接地導体、23は誘電体基
板上に形成された第１の線路導体、24は第１の線路導体
23上に誘電体層を介して電磁的に結合するように形成さ
れた第２の線路導体である。また、Ｗ１は第１の線路導
体23の線路幅を、Ｗ２は第２の線路導体24の線路幅を示
しており、ｈ１は接地導体22から第１の線路導体23まで
の距離を、ｈ２は接地導体22から第２の線路導体24まで
の距離を示している。そして、本発明においては、結合
部における線路導体の線路幅を、第１の線路導体23の線
路幅Ｗ１より第２の線路導体24の線路幅Ｗ２を広く、す
なわちＷ１＜Ｗ２としたことが特徴である。
の一例を示す斜視図であり、図２はそのＡ−Ａ線断面図
である。これらの図において、21は誘電体基板、22は誘
電体基板21の裏面に形成された接地導体、23は誘電体基
板上に形成された第１の線路導体、24は第１の線路導体
23上に誘電体層を介して電磁的に結合するように形成さ
れた第２の線路導体である。また、Ｗ１は第１の線路導
体23の線路幅を、Ｗ２は第２の線路導体24の線路幅を示
しており、ｈ１は接地導体22から第１の線路導体23まで
の距離を、ｈ２は接地導体22から第２の線路導体24まで
の距離を示している。そして、本発明においては、結合
部における線路導体の線路幅を、第１の線路導体23の線
路幅Ｗ１より第２の線路導体24の線路幅Ｗ２を広く、す
なわちＷ１＜Ｗ２としたことが特徴である。
【００１７】なお、ここでは、第１の線路導体23を形成
した誘電体基板と第１の線路導体23と第２の線路導体24
との間の誘電体層を一体として誘電体基板21とした例、
すなわち第１の線路導体23を誘電体基板21の内部に内層
線路導体として形成した例を示している。これに限ら
ず、第１の線路導体23を誘電体基板上に形成し、その上
に少なくとも結合部を覆うように誘電体層を形成し、さ
らにその上に第２の線路導体24を重ねるようにして形成
してもよい。
した誘電体基板と第１の線路導体23と第２の線路導体24
との間の誘電体層を一体として誘電体基板21とした例、
すなわち第１の線路導体23を誘電体基板21の内部に内層
線路導体として形成した例を示している。これに限ら
ず、第１の線路導体23を誘電体基板上に形成し、その上
に少なくとも結合部を覆うように誘電体層を形成し、さ
らにその上に第２の線路導体24を重ねるようにして形成
してもよい。
【００１８】一般的に、高周波部品は、所定の入力イン
ピーダンスおよび出力インピーダンス（例えば50Ω）に
合った特性インピーダンスに設計する必要がある。この
特性インピーダンスをＺ0 、信号線のもつインダクタン
ス成分をＬ、信号線と接地導体間の容量成分をＣとした
場合、Ｚ0 ＝√Ｌ／√Ｃの関係がある。
ピーダンスおよび出力インピーダンス（例えば50Ω）に
合った特性インピーダンスに設計する必要がある。この
特性インピーダンスをＺ0 、信号線のもつインダクタン
ス成分をＬ、信号線と接地導体間の容量成分をＣとした
場合、Ｚ0 ＝√Ｌ／√Ｃの関係がある。
【００１９】本発明の方向性結合器における特性インピ
ーダンスは実効インピーダンスＺeff と言われる。第１
および第２の線路導体23・24の持つインダクタンス成分
を各々Ｌ１・Ｌ２とし、第１および第２の線路導体23・
24と接地導体22と間の容量成分を各々Ｃ１・Ｃ２とした
場合、各々の線路導体23・24の実効インピーダンスＺef
f1およびＺeff2は、簡易的に次のように経験式で、 Ｚeff1≒√Ｌ１／√Ｃ１、 Ｚeff2≒√Ｌ２／√Ｃ２ と表わされる。
ーダンスは実効インピーダンスＺeff と言われる。第１
および第２の線路導体23・24の持つインダクタンス成分
を各々Ｌ１・Ｌ２とし、第１および第２の線路導体23・
24と接地導体22と間の容量成分を各々Ｃ１・Ｃ２とした
場合、各々の線路導体23・24の実効インピーダンスＺef
f1およびＺeff2は、簡易的に次のように経験式で、 Ｚeff1≒√Ｌ１／√Ｃ１、 Ｚeff2≒√Ｌ２／√Ｃ２ と表わされる。
【００２０】ここで、図２に示すように第１の線路導体
23の線路幅および接地導体22からの距離をそれぞれＷ１
・ｈ１とし、第２の線路導体24の線路幅および接地導体
22からの距離をそれぞれＷ２・ｈ２としたとき、Ｗ１≧
Ｗ２であるとすると、各線路導体23・24の接地導体22か
らの距離はｈ１＜ｈ２であるため、Ｌ１＜Ｌ２、Ｃ１＞
Ｃ２である。その結果、Ｚeff1＜Ｚeff2となり、Ｚeff1
とＺeff2とは必ず異なるため、方向性結合器のアイソレ
ーション特性が劣化してしまう。
23の線路幅および接地導体22からの距離をそれぞれＷ１
・ｈ１とし、第２の線路導体24の線路幅および接地導体
22からの距離をそれぞれＷ２・ｈ２としたとき、Ｗ１≧
Ｗ２であるとすると、各線路導体23・24の接地導体22か
らの距離はｈ１＜ｈ２であるため、Ｌ１＜Ｌ２、Ｃ１＞
Ｃ２である。その結果、Ｚeff1＜Ｚeff2となり、Ｚeff1
とＺeff2とは必ず異なるため、方向性結合器のアイソレ
ーション特性が劣化してしまう。
【００２１】これに対し、本発明の方向性結合器によれ
ば、Ｗ１＜Ｗ２としたことからＬ１＞Ｌ２であるが、Ｃ
１・Ｃ２の関係は線路幅によって大きく調整することが
できるため、Ｚeff1とＺeff2との差はＷ１≧Ｗ２の場合
より小さくなるか、またはＺeff1とＺeff2とがほぼ等し
くなる。その結果、入出力部のインピーダンス不整合に
よる高周波信号の反射等が抑制されるため、アイソレー
ション特性の優れた方向性結合器が得られる。
ば、Ｗ１＜Ｗ２としたことからＬ１＞Ｌ２であるが、Ｃ
１・Ｃ２の関係は線路幅によって大きく調整することが
できるため、Ｚeff1とＺeff2との差はＷ１≧Ｗ２の場合
より小さくなるか、またはＺeff1とＺeff2とがほぼ等し
くなる。その結果、入出力部のインピーダンス不整合に
よる高周波信号の反射等が抑制されるため、アイソレー
ション特性の優れた方向性結合器が得られる。
【００２２】また、ブロードサイド型方向性結合器にお
ける２つの線路導体の結合量は第１および第２の線路導
体23・24の重なり量で決まるため、Ｗ１＜Ｗ２とした場
合、その差Ｗ２−Ｗ１の範囲内のパターンずれでは重な
り量は変化しないこととなるため、パターンずれによる
結合量の変化はＷ１＝Ｗ２あるいはＷ１＞Ｗ２の場合よ
りも軽減されることとなり、位置ずれによる特性変化を
小さく抑えることができる。
ける２つの線路導体の結合量は第１および第２の線路導
体23・24の重なり量で決まるため、Ｗ１＜Ｗ２とした場
合、その差Ｗ２−Ｗ１の範囲内のパターンずれでは重な
り量は変化しないこととなるため、パターンずれによる
結合量の変化はＷ１＝Ｗ２あるいはＷ１＞Ｗ２の場合よ
りも軽減されることとなり、位置ずれによる特性変化を
小さく抑えることができる。
【００２３】このような線路幅Ｗ１・Ｗ２としては、方
向性結合器の小型化の観点から、Ｗ１≦0.2 ｍｍに設定
することが好ましく、さらに、線路導体の位置ずれによ
る特性の変化を抑えるという観点から、Ｗ２≧Ｗ１＋0.
1 ｍｍ（ずれ量）に設定することが好ましい。
向性結合器の小型化の観点から、Ｗ１≦0.2 ｍｍに設定
することが好ましく、さらに、線路導体の位置ずれによ
る特性の変化を抑えるという観点から、Ｗ２≧Ｗ１＋0.
1 ｍｍ（ずれ量）に設定することが好ましい。
【００２４】また、線路幅Ｗ１・Ｗ２と各線路導体23・
24の接地導体22からの距離との関係については、小型化
・高結合の観点より、ｈ２−ｈ１≦0.2 ｍｍに設定する
ことが好ましい。
24の接地導体22からの距離との関係については、小型化
・高結合の観点より、ｈ２−ｈ１≦0.2 ｍｍに設定する
ことが好ましい。
【００２５】なお、第１の線路導体23と第２の線路導体
24との結合部における線路長や各導体の厚み・各導体を
形成する材料については、線路長は小型化の観点より10
ｍｍ以下とすることが好ましく（ただし、長くても問題
はない）、導体の厚みは一般的な厚みとして約20μｍ程
度であればよく、導体材料は銅のような低抵抗導体等、
このような高周波用電子部品に通常使用されるものであ
ればよい。
24との結合部における線路長や各導体の厚み・各導体を
形成する材料については、線路長は小型化の観点より10
ｍｍ以下とすることが好ましく（ただし、長くても問題
はない）、導体の厚みは一般的な厚みとして約20μｍ程
度であればよく、導体材料は銅のような低抵抗導体等、
このような高周波用電子部品に通常使用されるものであ
ればよい。
【００２６】
【実施例】本発明の方向性結合器として、図１および図
２に示した構成で、誘電体基板21に比誘電率εr ＝5.6
のガラスセラミックスを用いてＷ１＝0.13ｍｍ・Ｗ２＝
0.28ｍｍ・ｈ１＝0.2 ｍｍ・ｈ２＝0.3 ｍｍとし、これ
により本発明の方向性結合器の試料Ａを得た。
２に示した構成で、誘電体基板21に比誘電率εr ＝5.6
のガラスセラミックスを用いてＷ１＝0.13ｍｍ・Ｗ２＝
0.28ｍｍ・ｈ１＝0.2 ｍｍ・ｈ２＝0.3 ｍｍとし、これ
により本発明の方向性結合器の試料Ａを得た。
【００２７】また、同様に、比誘電率εr ＝5.6 のガラ
スセラミックス誘電体基板を用いてＷ１＝Ｗ２＝0.13ｍ
ｍ・ｈ１＝0.2 ｍｍ・ｈ２＝0.3 ｍｍとし、これにより
比較例としての従来の方向性結合器の試料Ｂを得た。
スセラミックス誘電体基板を用いてＷ１＝Ｗ２＝0.13ｍ
ｍ・ｈ１＝0.2 ｍｍ・ｈ２＝0.3 ｍｍとし、これにより
比較例としての従来の方向性結合器の試料Ｂを得た。
【００２８】これらの試料Ａ・Ｂについて、高周波2.5
次元電磁界シミュレータ「モーメンタム（ヒューレット
パッカード社製）」により、アイソレーション特性を求
めた。その結果を図３に線図で示す。図３において横軸
は500 ＭＨｚ〜1.5 ＧＨｚの周波数を、縦軸はアイソレ
ーション（単位：ｄＢ）を表わし、実線および破線はそ
れぞれ試料Ａおよび試料Ｂのアイソレーションの周波数
特性を示している。
次元電磁界シミュレータ「モーメンタム（ヒューレット
パッカード社製）」により、アイソレーション特性を求
めた。その結果を図３に線図で示す。図３において横軸
は500 ＭＨｚ〜1.5 ＧＨｚの周波数を、縦軸はアイソレ
ーション（単位：ｄＢ）を表わし、実線および破線はそ
れぞれ試料Ａおよび試料Ｂのアイソレーションの周波数
特性を示している。
【００２９】図３の結果により、試料Ｂより試料Ａの方
が低い値を示しており、試料Ａの方がアイソレーション
（絶縁）特性が優れていることが分かる。これにより、
本発明の方向性結合器によれば、第１の線路導体の線路
幅Ｗ１よりも第２の線路導体の線路幅Ｗ２を広くしたこ
とから、良好なアイソレーション特性が得られることが
確認できた。
が低い値を示しており、試料Ａの方がアイソレーション
（絶縁）特性が優れていることが分かる。これにより、
本発明の方向性結合器によれば、第１の線路導体の線路
幅Ｗ１よりも第２の線路導体の線路幅Ｗ２を広くしたこ
とから、良好なアイソレーション特性が得られることが
確認できた。
【００３０】次に、線路導体の位置ずれに対する特性変
化を調べるため、前記試料Ａに対して同じ誘電体基板21
を用いてＷ１＝0.13ｍｍ・Ｗ２＝0.28ｍｍ・ｈ１＝0.2
ｍｍ・ｈ２＝0.3 ｍｍ・線路導体23と線路導体24のずれ
量を0.1 ｍｍとし、これにより本発明の方向性結合器の
試料Ａ’を得た。
化を調べるため、前記試料Ａに対して同じ誘電体基板21
を用いてＷ１＝0.13ｍｍ・Ｗ２＝0.28ｍｍ・ｈ１＝0.2
ｍｍ・ｈ２＝0.3 ｍｍ・線路導体23と線路導体24のずれ
量を0.1 ｍｍとし、これにより本発明の方向性結合器の
試料Ａ’を得た。
【００３１】また、同様に従来の方向性結合器の試料Ｂ
に対して同じ誘電体基板を用いてＷ１＝Ｗ２＝0.13ｍｍ
・ｈ１＝0.2 ｍｍ・ｈ２＝0.3 ｍｍ・線路導体のずれ量
を0.1 ｍｍとし、これにより比較例としての従来の方向
性結合器の試料Ｂ’を得た。
に対して同じ誘電体基板を用いてＷ１＝Ｗ２＝0.13ｍｍ
・ｈ１＝0.2 ｍｍ・ｈ２＝0.3 ｍｍ・線路導体のずれ量
を0.1 ｍｍとし、これにより比較例としての従来の方向
性結合器の試料Ｂ’を得た。
【００３２】そして、これら試料Ａ・Ａ’・Ｂ・Ｂ’に
ついて、高周波2.5 次元電磁界シミュレータ「モーメン
タム（ヒューレットパッカード社製）」により、それぞ
れの結合特性を評価した。その結果を図４に線図で示
す。図４において横軸は500 ＭＨｚ〜1.5 ＧＨｚの周波
数を、縦軸は結合量（単位：ｄＢ）を表わし、実線およ
び破線はそれぞれ試料Ａ・Ａ’および試料Ｂ・Ｂ’のア
イソレーションの周波数特性を示している。
ついて、高周波2.5 次元電磁界シミュレータ「モーメン
タム（ヒューレットパッカード社製）」により、それぞ
れの結合特性を評価した。その結果を図４に線図で示
す。図４において横軸は500 ＭＨｚ〜1.5 ＧＨｚの周波
数を、縦軸は結合量（単位：ｄＢ）を表わし、実線およ
び破線はそれぞれ試料Ａ・Ａ’および試料Ｂ・Ｂ’のア
イソレーションの周波数特性を示している。
【００３３】図４の結果より、試料Ｂ−Ｂ’間の差と試
料Ａ−Ａ’間の差とを見ると試料Ａ−Ａ’間の差の方が
小さく、すなわち本発明の方向性結合器の試料の方が線
路導体のパターン位置ずれに対する特性変化が小さいこ
とが分かる。また、アイソレーション特性についても同
様に、本発明の方向性結合器によれば、線路導体の位置
ずれに対する特性変化が従来の方向性結合器に比べて小
さなものであった。
料Ａ−Ａ’間の差とを見ると試料Ａ−Ａ’間の差の方が
小さく、すなわち本発明の方向性結合器の試料の方が線
路導体のパターン位置ずれに対する特性変化が小さいこ
とが分かる。また、アイソレーション特性についても同
様に、本発明の方向性結合器によれば、線路導体の位置
ずれに対する特性変化が従来の方向性結合器に比べて小
さなものであった。
【００３４】これにより、本発明の方向性結合器によれ
ば、第１の線路導体の線路幅Ｗ１よりも第２の線路導体
の線路幅Ｗ２を広くしたことから、線路導体の位置ずれ
に対する特性変化を小さく抑えることができ、所望の特
性の方向性結合器を安定して作製できることが分かる。
ば、第１の線路導体の線路幅Ｗ１よりも第２の線路導体
の線路幅Ｗ２を広くしたことから、線路導体の位置ずれ
に対する特性変化を小さく抑えることができ、所望の特
性の方向性結合器を安定して作製できることが分かる。
【００３５】なお、本発明は以上の実施の形態の例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の変更・改良を加えることは何ら差し支えない。
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の変更・改良を加えることは何ら差し支えない。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明の方向性結合器に
よれば、裏面に接地導体を有する誘電体基板上に形成さ
れた第１の線路導体と、この第１の線路導体上に誘電体
層を介して電磁的に結合するように形成された方向性結
合器において、第１の線路導体と第２の線路導体とを誘
電体層を介して電磁的に結合するように配置したことか
ら２つの線路導体の間隔を小さくして大きな結合量を得
ることができるとともに、第１の線路導体の線路幅より
第２の線路導体の線路幅を広くしたことから、２つの線
路導体の積層位置ずれが生じても第１の線路導体は第２
の線路導体と接地導体との間に所定の重なり量を確保さ
せることができ、アイソレーション特性が良好で、位置
ずれによる特性変化を抑制することができるものとな
る。
よれば、裏面に接地導体を有する誘電体基板上に形成さ
れた第１の線路導体と、この第１の線路導体上に誘電体
層を介して電磁的に結合するように形成された方向性結
合器において、第１の線路導体と第２の線路導体とを誘
電体層を介して電磁的に結合するように配置したことか
ら２つの線路導体の間隔を小さくして大きな結合量を得
ることができるとともに、第１の線路導体の線路幅より
第２の線路導体の線路幅を広くしたことから、２つの線
路導体の積層位置ずれが生じても第１の線路導体は第２
の線路導体と接地導体との間に所定の重なり量を確保さ
せることができ、アイソレーション特性が良好で、位置
ずれによる特性変化を抑制することができるものとな
る。
【００３７】以上により、本発明によれば、線路導体を
用いたブロードサイド型の方向性結合器について、アイ
ソレーション特性が良く、かつ製造の際の線路導体の位
置ずれによる特性変化の少ない方向性結合器を提供する
ことができた。
用いたブロードサイド型の方向性結合器について、アイ
ソレーション特性が良く、かつ製造の際の線路導体の位
置ずれによる特性変化の少ない方向性結合器を提供する
ことができた。
【図１】本発明の方向性結合器の実施の形態の例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】方向性結合器のアイソレーション特性を示す線
図である。
図である。
【図４】方向性結合器の結合特性を示す線図である。
【図５】従来の方向性結合器の例を示す斜視図である。
【図６】従来の方向性結合器の他の例を示す斜視図であ
る。
る。
21・・・・・誘電体基板 22・・・・・接地導体 23・・・・・第１の線路導体 24・・・・・第２の線路導体 Ｗ１・・・・第１の線路導体の線路幅 Ｗ２・・・・第２の線路導体の線路幅
Claims (1)
- 【請求項１】 裏面に接地導体を有する誘電体基板上に
形成された第１の線路導体と、該第１の線路導体上に誘
電体層を介して電磁的に結合するように形成された、前
記第１の線路導体より線路幅の広い第２の線路導体とか
ら成ることを特徴とする方向性結合器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33636198A JP3766554B2 (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 方向性結合器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33636198A JP3766554B2 (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 方向性結合器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000165116A true JP2000165116A (ja) | 2000-06-16 |
| JP3766554B2 JP3766554B2 (ja) | 2006-04-12 |
Family
ID=18298350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33636198A Expired - Fee Related JP3766554B2 (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 方向性結合器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3766554B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003047024A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A directional coupler |
| KR20040042102A (ko) * | 2002-11-13 | 2004-05-20 | 전자부품연구원 | 표면실장장치 형태의 방향성 결합기 내부 구조 |
| KR100495607B1 (ko) * | 2001-03-16 | 2005-06-16 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 방향성 결합기 |
| US7582233B2 (en) | 2001-11-21 | 2009-09-01 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing directional coupler |
| WO2016006676A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| KR101737161B1 (ko) * | 2010-07-29 | 2017-05-17 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 각진 접속 트레이스들을 사용함에 의한 결합 계수 변동 저감 |
| CN109687084A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-04-26 | 贵州航天计量测试技术研究所 | 一种大功率3dB功率合成分配器 |
| CN110011020A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-07-12 | 上海剑桥科技股份有限公司 | Pcb耦合器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012221913A1 (de) | 2012-11-29 | 2014-06-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Richtkoppler, insbesondere mit hoher Koppeldämpfung |
-
1998
- 1998-11-26 JP JP33636198A patent/JP3766554B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR101858772B1 (ko) * | 2010-07-29 | 2018-05-16 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 의도된 폭 미스매치를 사용한 결합 계수 변동 저감 |
| KR101737161B1 (ko) * | 2010-07-29 | 2017-05-17 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 각진 접속 트레이스들을 사용함에 의한 결합 계수 변동 저감 |
| US9806395B2 (en) | 2010-07-29 | 2017-10-31 | Skyworks Solutions, Inc. | Reducing coupling coefficient variation using intended width mismatch |
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| JPWO2016006676A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| WO2016006676A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
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| CN109687084A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-04-26 | 贵州航天计量测试技术研究所 | 一种大功率3dB功率合成分配器 |
| CN110011020A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-07-12 | 上海剑桥科技股份有限公司 | Pcb耦合器 |
| CN110011020B (zh) * | 2019-04-11 | 2021-12-03 | 上海剑桥科技股份有限公司 | Pcb耦合器 |
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|---|---|
| JP3766554B2 (ja) | 2006-04-12 |
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