JP2000164797A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JP2000164797A
JP2000164797A JP33769398A JP33769398A JP2000164797A JP 2000164797 A JP2000164797 A JP 2000164797A JP 33769398 A JP33769398 A JP 33769398A JP 33769398 A JP33769398 A JP 33769398A JP 2000164797 A JP2000164797 A JP 2000164797A
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Japan
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semiconductor device
insulating substrate
metal circuit
insulating board
outer case
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Tatsuya Shigemura
達也 茂村
Kotaro Masuda
浩太郎 増田
Koji Yamamoto
浩司 山本
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Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an insulating board from floating so as to restrain a semiconductor device from increasing in heat resistance, where an insulating board is mounted on a fin via grease in the semiconductor device. SOLUTION: A semiconductor device is composed of a thin-walled insulating board 21 equipped with a metal circuit 21a formed on its surface layer and mounted with a semiconductor chip 1 on the metal circuit 21a, a terminal block 7 provided with an outer connection terminal for connecting the metal circuit 21a to the outside, and an outer case 11 formed covering the periphery of the insulating board 21 and surrounding the terminal block 7, where the insulating board 21 is attached directly to a heat-radiating body to dissipate heat. The outer case 11 is equipped with a press member 20a, which presses down nearly the center of the insulating board 21.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置にかか
り、特に冷却性能を改善したモジュール型の半導体装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a modular semiconductor device having improved cooling performance.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体装置の構造を図7ないし図
11に示す。
2. Description of the Related Art The structure of a conventional semiconductor device is shown in FIGS.

【0003】図7(a)は従来の半導体装置の平面図、図
7(b)はその正面図、図8は一部断面図である。
FIG. 7A is a plan view of a conventional semiconductor device, FIG. 7B is a front view thereof, and FIG. 8 is a partial sectional view.

【0004】これらの図において、1はスイッチングト
ランジスタ等からなる半導体回路を形成した半導体チッ
プ、2は半導体チップ1を搭載した絶縁基板であり、下
面には後述する金属基板と半田付けするための金属層を
被着している。2aは絶縁基板2上に形成した金属回
路、3は金属基板であり、金属基板3は前記絶縁基板2
と半田などにより接合する。4は外包ケース、5は端子
ブロック、6は主電流用電極、7は制御用電極である。
主電流用電極6および制御電流用電極7は端子ブロック
5に配置される。8は半導体チップ1と金属回路2aを
電気的に接続する金属製ワイヤである。
In these figures, reference numeral 1 denotes a semiconductor chip on which a semiconductor circuit including switching transistors and the like is formed, 2 denotes an insulating substrate on which the semiconductor chip 1 is mounted, and a lower surface has a metal for soldering to a metal substrate described later. Layers are applied. 2a is a metal circuit formed on the insulating substrate 2, 3 is a metal substrate, and the metal substrate 3 is the insulating substrate 2
And soldering. 4 is an outer case, 5 is a terminal block, 6 is a main current electrode, and 7 is a control electrode.
The main current electrode 6 and the control current electrode 7 are arranged on the terminal block 5. Reference numeral 8 denotes a metal wire for electrically connecting the semiconductor chip 1 and the metal circuit 2a.

【0005】また、図9(a)は前記外包ケースの平面
図、図9(b)はその断面図である。
FIG. 9A is a plan view of the outer casing, and FIG. 9B is a sectional view thereof.

【0006】図10(a)は前記絶縁基板2に半導体チッ
プ1を搭載し、金属製ワイヤ8で接続した状態を示す
図、図10(b)は図10(a)に示す絶縁基板を金属基板3
に接着した状態を示す図である。
FIG. 10A is a view showing a state in which the semiconductor chip 1 is mounted on the insulating substrate 2 and connected by metal wires 8. FIG. 10B is a view showing a state in which the insulating substrate shown in FIG. Substrate 3
FIG. 6 is a view showing a state where the sheet is adhered to a sheet.

【0007】これらの図において、前記主電流用電極6
および制御用電極7は前記金属回路2a、金属製ワイヤ
8を介して半導体チップ1に接続される。
In these figures, the main current electrode 6
The control electrode 7 is connected to the semiconductor chip 1 via the metal circuit 2a and the metal wire 8.

【0008】9は外包ケース4を金属基板3に取り付け
る接着剤、10は絶縁基板2上に形成した半導体チップ
1、金属回路2a、ワイヤ8等を充填固化するゲル状充
填物、11はゲル状充填物10上にさらに充填したエポ
キシ樹脂である。エポキシ樹脂11はゲル状充填物10
の上面に液状エポキシ樹脂11を充填し、加熱硬化して
形成する。
9 is an adhesive for attaching the outer casing 4 to the metal substrate 3, 10 is a gel-like filler for filling and solidifying the semiconductor chip 1, the metal circuit 2 a, the wires 8, etc. formed on the insulating substrate 2, 11 is a gel-like filler An epoxy resin further filled on the filler 10. The epoxy resin 11 is a gel-like filler 10
Is filled with a liquid epoxy resin 11 and is cured by heating.

【0009】図11は前記従来の半導体装置を放熱体で
あるフィンに取り付けた状態を示す図である。
FIG. 11 is a view showing a state in which the conventional semiconductor device is mounted on a fin serving as a heat radiator.

【0010】図において12は熱伝導性の良好なグリ
ス、13は放熱フィンである。前記半導体装置の金属基
板3と放熱フィン13の間には熱伝導性の良好なグリス
を塗布して良好な放熱性を確保する。
In FIG. 1, reference numeral 12 denotes grease having good thermal conductivity, and reference numeral 13 denotes a radiation fin. Grease having good thermal conductivity is applied between the metal substrate 3 and the heat radiation fins 13 of the semiconductor device to secure good heat radiation.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】前記従来の半導体装置
においては、金属基板3と絶縁基板2とを半田等によっ
て接合している。このため半田接合等により接着する工
程が必要であり、組立に工数がかかる。また、前記半田
接合の上下の材質は金属基板と絶縁基板であり、その線
膨張係数は相互に相違し、線膨張係数の相違に基づく熱
疲労の問題が生じる。
In the above-mentioned conventional semiconductor device, the metal substrate 3 and the insulating substrate 2 are joined by solder or the like. For this reason, a step of bonding by soldering or the like is necessary, and the assembling requires a lot of man-hours. Further, the upper and lower materials of the solder joint are a metal substrate and an insulating substrate, and their linear expansion coefficients are different from each other, which causes a problem of thermal fatigue based on the difference in the linear expansion coefficient.

【0012】熱疲労の問題を避ける手法として、金属基
板3を使用することなく絶縁基板を直接グリスを介して
フィン13に取り付けることも考えられる。
As a method of avoiding the problem of thermal fatigue, it is conceivable to attach an insulating substrate to the fins 13 directly via grease without using the metal substrate 3.

【0013】しかし、従来構造のままで金属基板を取り
除くと、絶縁基板2は薄肉であり、その剛性が低いた
め、グリス12を介して絶縁基板2をフィン13に取り
付けたとき、絶縁基板2の中央部のグリスを十分に排出
することができず、絶縁基板2の中央部が浮き上がって
いしまう。このため、絶縁基板の中央部における絶縁基
板とフィン間の熱抵抗が増大することになる。
However, if the metal substrate is removed with the conventional structure, the insulating substrate 2 is thin and has low rigidity. Therefore, when the insulating substrate 2 is attached to the fins 13 via the grease 12, The grease at the center cannot be sufficiently discharged, and the center of the insulating substrate 2 rises. Therefore, the thermal resistance between the fin and the insulating substrate at the center of the insulating substrate increases.

【0014】本発明は、前記種々の問題点に鑑みてなさ
れたもので、金属基板3取り除いた構造の半導体装置に
おいて、絶縁基板をグリスを介してフィンに取り付けた
とき、絶縁基板の浮き上がりを防止して、熱抵抗の増大
するのを防止することのできる半導体装置を提供する。
The present invention has been made in view of the above-mentioned various problems, and in a semiconductor device having a structure in which a metal substrate 3 is removed, when an insulating substrate is attached to fins via grease, floating of the insulating substrate is prevented. Thus, a semiconductor device capable of preventing an increase in thermal resistance is provided.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために次のような手段を採用した。
The present invention employs the following means in order to solve the above-mentioned problems.

【0016】表面層に金属回路を形成し、該金属回路上
に半導体チップを搭載した薄肉の絶縁基板と、前記金属
回路を外部に接続する外部接続端子を形成した端子ブロ
ックと、前記絶縁基板の外周に被着し、かつ前記端子ブ
ロックを包囲するように形成した外包ケースとからな
り、前記絶縁基板を直接放熱体に被着して放熱する半導
体装置であって、前記外包ケースは前記絶縁基板の略中
央部を押圧する押圧部材を備えたことを特徴とする。
A thin insulating substrate having a metal circuit formed on a surface layer and a semiconductor chip mounted on the metal circuit; a terminal block having external connection terminals for connecting the metal circuit to the outside; A semiconductor device, comprising: an outer case attached to the outer periphery and formed so as to surround the terminal block, wherein the semiconductor device radiates heat by directly attaching the insulating substrate to a radiator, wherein the outer case is the insulating substrate. And a pressing member that presses a substantially central portion of the light emitting device.

【0017】また、前記半導体装置において、前記押圧
部材は前記外包ケースを跨って前記絶縁基板側に凸に形
成したリブであることを特徴とする。
Further, in the semiconductor device, the pressing member is a rib formed so as to protrude toward the insulating substrate over the outer casing.

【0018】また、前記半導体装置において、前記押圧
部材はその押圧力を調整する押圧力調整手段を備えたこ
とを特徴とする。
Further, in the semiconductor device, the pressing member includes a pressing force adjusting means for adjusting the pressing force.

【0019】また、前記半導体装置において、前記押圧
力調整手段は半導体装置の組立後に外部から調整可能に
形成したネジ部材であることを特徴とする。
Further, in the semiconductor device, the pressing force adjusting means is a screw member formed so as to be adjustable from the outside after assembling the semiconductor device.

【0020】また、前記半導体装置において、前記押圧
力調整手段は前記リブと前記ネジ部材間に挿入した弾性
部材を備えたことを特徴とする。
Further, in the semiconductor device, the pressing force adjusting means includes an elastic member inserted between the rib and the screw member.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の第1の実施形態
を図1ないし図3を用いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0022】図1は本実施形態に係る半導体装置の一部
断面図、図2は外包ケースを示す図であり、図2aはそ
の平面図、図2bはその断面図である。図3は絶縁基板
に半導体チップを搭載し、金属ワイヤで接続した状態を
示す図である。
FIG. 1 is a partial sectional view of the semiconductor device according to the present embodiment, FIG. 2 is a view showing an outer case, FIG. 2A is a plan view thereof, and FIG. 2B is a sectional view thereof. FIG. 3 is a diagram showing a state in which a semiconductor chip is mounted on an insulating substrate and connected by metal wires.

【0023】これらの図において、20は外包ケース、
20aは外包ケース20に一体的に形成したリブ、20
bは接着剤、21は絶縁基板、21aは絶縁基板21上
に形成した金属回路である。なお、図において図7ない
し図11に従来例として説明した部分と同一部分につい
ては同一符号を付してその説明を省略する。
In these figures, 20 is an outer case,
20a is a rib formed integrally with the outer case 20,
b denotes an adhesive, 21 denotes an insulating substrate, and 21a denotes a metal circuit formed on the insulating substrate 21. In the drawings, the same reference numerals are given to the same portions as those described as the conventional example in FIGS.

【0024】本実施形態においては、図3に示すよう
に、金属回路21aを形成した絶縁基板21上に半導体
チップ1を搭載し、金属回路21aと半導体チップ1と
を金属製ワイヤ8で接続する。
In this embodiment, as shown in FIG. 3, the semiconductor chip 1 is mounted on the insulating substrate 21 on which the metal circuit 21a is formed, and the metal circuit 21a and the semiconductor chip 1 are connected by the metal wires 8. .

【0025】次いで、図3に示す状態の絶縁基板21の
組立品に図2に示す外包ケース20を組み立てる。
Next, the outer casing 20 shown in FIG. 2 is assembled to the assembly of the insulating substrate 21 shown in FIG.

【0026】組立に際しては図1に示すように絶縁基板
21の外周に外包ケースを接着剤20bで被着する。
At the time of assembling, an outer case is attached to the outer periphery of the insulating substrate 21 with an adhesive 20b as shown in FIG.

【0027】また、主電流用電極6および制御用電極7
を有する接続ブロック5を組み立て、金属製ワイヤ8を
主電流用電極6あるいは制御電流用電極7と接続する。
なお、前記電極6および7は金属製ワイヤを介して直接
半導体チップ1に接続してもよい。さらに接続ブロック
5は外包ケース20と一体に形成してもよい。
The main current electrode 6 and the control electrode 7
Is assembled, and the metal wire 8 is connected to the main current electrode 6 or the control current electrode 7.
The electrodes 6 and 7 may be directly connected to the semiconductor chip 1 via a metal wire. Further, the connection block 5 may be formed integrally with the outer case 20.

【0028】次いで、ゲル状充填物10を注入固化し、
さらに液状エポキシ樹脂11を注入し、加熱硬化して、
半導体装置の組立を完了する。
Next, the gel filler 10 is injected and solidified.
Further, liquid epoxy resin 11 is injected, and cured by heating.
The assembly of the semiconductor device is completed.

【0029】本実施形態においては、外包ケース20に
一体に形成したリブ20aが絶縁基板21を押圧するの
で、絶縁基板21をグリスを介して図示しないフィンに
取り付けたとき、絶縁基板21の浮き上がりを防止し
て、熱抵抗の増大するのを防止することができる。
In the present embodiment, the ribs 20a formed integrally with the outer casing 20 press the insulating substrate 21, so that when the insulating substrate 21 is attached to fins (not shown) via grease, the rising of the insulating substrate 21 is prevented. This can prevent the thermal resistance from increasing.

【0030】次に、本発明の第2の実施形態を図4ない
し図5を用いて説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0031】図4は本実施形態に係る半導体装置の平面
図、図5は本実施形態に係る外包ケースを示す図であ
り、図5(a)はその平面図、図5(b)はその断面図であ
る。
FIG. 4 is a plan view of the semiconductor device according to the present embodiment, FIG. 5 is a view showing an outer case according to the present embodiment, FIG. 5 (a) is a plan view thereof, and FIG. It is sectional drawing.

【0032】図において、22は外包ケース、22aは
外包ケースに形成したネジ座、23はネジ座22aに嵌
合するネジ、24は押圧部材を形成する凸状リブであ
り、凸状リブ24は外包ケース22に沿って摺動可能に
保持されている。なお、図において図7ないし図11に
従来例として説明した部分と同一部分については同一符
号を付してその説明を省略する。
In the figure, 22 is an outer case, 22a is a screw seat formed in the outer case, 23 is a screw fitted to the screw seat 22a, 24 is a convex rib forming a pressing member, and the convex rib 24 is It is slidably held along the outer casing case 22. In the drawings, the same reference numerals are given to the same portions as those described as the conventional example in FIGS. 7 to 11, and the description thereof will be omitted.

【0033】本実施形態においては、押圧部材を構成す
る凸状リブを外包ケース22とは別体に形成してある。
また外包ケース22はネジ座22aを有し、ネジ座には
下孔を穿孔している。前記下孔に嵌合するネジ23はセ
ルフタッピングネジであり、ネジ23をネジ座22aに
嵌合して、ネジ23を回転し、ネジ23の先端で前記凸
状リブを押圧することにより、前記リブにより絶縁基板
の略中央部に印加する押圧力を調整することが可能であ
る。
In this embodiment, the convex rib constituting the pressing member is formed separately from the outer casing 22.
The outer case 22 has a screw seat 22a, and a pilot hole is formed in the screw seat. The screw 23 that fits into the pilot hole is a self-tapping screw. The screw 23 is fitted into the screw seat 22a, the screw 23 is rotated, and the convex rib is pressed by the tip of the screw 23. The pressing force applied to the substantially central portion of the insulating substrate can be adjusted by the rib.

【0034】次に、本発明の第3の実施形態を図6を用
いて説明する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0035】図6は本実施形態に係る外包ケースを示す
図であり、前記実施形態における凸状リブとネジ間にコ
イルバネ等の弾性部材を間挿してものである。
FIG. 6 is a view showing an outer casing according to the present embodiment, in which an elastic member such as a coil spring is inserted between the convex rib and the screw in the above embodiment.

【0036】図において、25は外包ケース、25aは
ネジ座、26はネジ座25aに嵌合するネジ、27は押
圧部材を形成する凸状リブであり、凸状リブ27は外包
ケース22に沿って摺動可能に保持されている。28は
コイルバネ等の弾性部材であり、凸状リブ27を弾性的
に押圧する。
In the figure, 25 is an outer case, 25a is a screw seat, 26 is a screw fitted to the screw seat 25a, 27 is a convex rib forming a pressing member, and the convex rib 27 extends along the outer case 22. Slidably held. Reference numeral 28 denotes an elastic member such as a coil spring, which elastically presses the convex rib 27.

【0037】本実施形態の場合も、ネジ26をネジ座2
5aに嵌合して、ネジ26を回転し、ネジ26の先端で
弾性部材28を介して前記凸状リブ27を押圧すること
により、前記リブによる押圧力を調整することが可能で
ある。
Also in the case of the present embodiment, the screw 26 is
5a, the screw 26 is rotated, and the convex rib 27 is pressed by the tip of the screw 26 via the elastic member 28, whereby the pressing force by the rib can be adjusted.

【0038】第2および第3の実施形態においては、半
導体装置の組立後、あるいはグリスを塗布してフィンへ
の取り付け後においても、ネジ23あるいは26を回転
することにより、絶縁基板への押圧力を調整することが
できるので、過重な負荷を絶縁基板に与えることがな
く、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
In the second and third embodiments, even after assembling the semiconductor device, or after applying grease and attaching to the fin, the screw 23 or 26 is rotated to press the insulating substrate. Can be adjusted, so that a heavy load is not applied to the insulating substrate, and a highly reliable semiconductor device can be obtained.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、金属基
板3取り除いた構造の半導体装置において、絶縁基板を
グリスを介してフィンに取り付けたとき、絶縁基板の浮
き上がりを防止して、熱抵抗の増大するのを防止するこ
とができる。
As described above, according to the present invention, in a semiconductor device having a structure in which the metal substrate 3 is removed, when the insulating substrate is attached to the fins via grease, the insulating substrate is prevented from floating and the thermal resistance is reduced. Can be prevented from increasing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の一
部断面図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の外
包ケースを示す図である。
FIG. 2 is a view showing an outer case of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.

【図3】絶縁基板に半導体チップを搭載し、金属ワイヤ
で接続した状態を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a state in which a semiconductor chip is mounted on an insulating substrate and connected by metal wires.

【図4】本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の平
面図である。
FIG. 4 is a plan view of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施形態に係る外包ケースを示
す図である。
FIG. 5 is a view showing an outer case according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施形態に係る外包ケースを示
す図である。
FIG. 6 is a view showing an outer case according to a third embodiment of the present invention.

【図7】従来の半導体装置を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a conventional semiconductor device.

【図8】従来の半導体装置の一部断面図である。FIG. 8 is a partial cross-sectional view of a conventional semiconductor device.

【図9】従来の半導体装置に係る外包ケースを示す図で
ある。
FIG. 9 is a view showing an outer case according to a conventional semiconductor device.

【図10】絶縁基板に半導体チップを搭載した状態を示
す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a state where a semiconductor chip is mounted on an insulating substrate.

【図11】従来の半導体装置を放熱フィンに取り付けた
状態を示す図である。
FIG. 11 is a view showing a state in which a conventional semiconductor device is attached to a radiation fin.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体チップ 5 端子ブロック 6 主電流用電極 7 制御電流用電極 8 金属製ワイヤ 10 ゲル状充填物 11 エポキシ樹脂 20,22,25 外包ケース 20a リブ 20b 接着剤 21 絶縁基板 21a 金属回路 22a,25a ネジ座 23,26 セルフタッピングネジ 24,27 凸状リブ 28 弾性部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 5 Terminal block 6 Main current electrode 7 Control current electrode 8 Metal wire 10 Gel filling 11 Epoxy resin 20, 22, 25 Outer case 20a Rib 20b Adhesive 21 Insulating substrate 21a Metal circuit 22a, 25a Screw Seat 23, 26 Self-tapping screw 24, 27 Convex rib 28 Elastic member

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面層に金属回路を形成し、該金属回路
上に半導体チップを搭載した薄肉の絶縁基板と、 前記金属回路を外部に接続する外部接続端子を形成した
端子ブロックと、 前記絶縁基板の外周に被着し、かつ前記端子ブロックを
包囲するように形成した外包ケースとからなり、前記絶
縁基板を直接放熱体に被着して放熱する半導体装置であ
って、 前記外包ケースは前記絶縁基板の略中央部を押圧する押
圧部材を備えたことを特徴とする半導体装置。
1. A thin insulating substrate having a metal circuit formed on a surface layer and a semiconductor chip mounted on the metal circuit; a terminal block having external connection terminals for connecting the metal circuit to the outside; A semiconductor device that is attached to the outer periphery of the substrate and formed so as to surround the terminal block, wherein the semiconductor device radiates heat by directly attaching the insulating substrate to a radiator; A semiconductor device comprising a pressing member for pressing a substantially central portion of an insulating substrate.
【請求項2】 請求項1の記載において、 前記押圧部材は前記外包ケースを跨って前記絶縁基板側
に凸に形成したリブであることを特徴とする半導体装
置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the pressing member is a rib formed so as to protrude toward the insulating substrate across the outer casing.
【請求項3】 請求項1ないし請求項2の何れか1の記
載において、 前記押圧部材はその押圧力を調整する押圧力調整手段を
備えたことを特徴とする半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the pressing member includes a pressing force adjusting unit that adjusts a pressing force of the pressing member.
【請求項4】 請求項3の記載において、 前記押圧力調整手段は半導体装置の組立後に外部から調
整可能に形成したネジ部材であることを特徴とする半導
体装置。
4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the pressing force adjusting means is a screw member formed so as to be adjustable from the outside after assembling the semiconductor device.
【請求項5】 請求項4の記載において、 前記押圧力調整手段は前記リブと前記ネジ部材間に挿入
した弾性部材を備えたことを特徴とする半導体装置。
5. The semiconductor device according to claim 4, wherein said pressing force adjusting means includes an elastic member inserted between said rib and said screw member.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008294362A (en) * 2007-05-28 2008-12-04 Nippon Inter Electronics Corp Power semiconductor module

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