【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅、亜鉛、ニッケル、鉄、ニオブ、モリブデン、チタン、ニッケル／クロム合金、鉄／ニッケル／クロム合金及びアルミニウムからなる群から選択される金属で形成されたフレキシブル金属ホイルと、該ホイル表面上に堆積された所望の単相誘電体であって約０．０３〜約２ミクロンの厚さを有する層である誘電体とを含む、薄層コンデンサを形成するための層構造物。
【請求項２】
第２の金属層をさらに含む請求項１記載の層構造物であって、誘電体が第１の金属層を形成する金属とは異なるカチオン物質を含み、第１の金属ホイル層が約１２〜約１１０ミクロンの厚さを有する、層構造物。
【請求項３】
フレキシブルポリマー支持シートをさらに含む請求項１記載の層構造物であって、前記フレキシブル金属ホイルが、該フレキシブルポリマー支持シート上に放出可能でパターン化されていない層として形成される層構造物。
【請求項４】
前記誘電体がシリカである請求項１記載の層構造物。
【請求項５】
前記フレキシブル金属ホイルと前記誘電体との間にバリア層をさらに含む請求項１記載の層構造物。
【請求項６】
少なくとも１つのコンデンサを形成する方法であって、第１の金属ホイル層を提供すること、該金属コイル層上に、約０．０３〜約２ミクロン厚の誘電体層を堆積すること、及び該誘電体上に第２の金属層を堆積することを含む方法。
【請求項７】
ポリマー支持シートを提供すること、及び該支持シート上に約０．０５〜約３ミクロン厚の金属層を堆積することにより前記第１の金属ホイル層を提供することをさらに含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
第１の導電層、０．０３〜約２ミクロンの厚さを有する第１の誘電体層、および第２の導電層をこの順で含む３層構造物（ａ）を請求項６記載の方法によって提供すること、
該第１の誘電体層の第１の面上にディスクリート導電パッチを有する構造物（ｂ）を形成するように該第１の導電層をパターン化すること、
該導電パッチを有する該構造物（ｂ）の面を第２の誘電体に埋め込み、それに続くプロセスの間、該構造物（ｂ）を支持して構造物（ｃ）を形成すること、及び
該第１の誘電体層の第２の面上にディスクリート導電パッチを有する構造物（ｄ）を形成するように該構造物（ｃ）の該第２の導電層をパターン化すること
を含む、マルチコンデンサ構造物を提供する方法。
【請求項９】
前記誘電体層の暴露された部分をパターン化して構造物（ｅ）を形成することをさらに含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記層の少なくとも１つが、燃焼化学蒸着または制御された雰囲気燃焼化学蒸着によって形成される、請求項７記載の方法。
[Claims]
[Claim 1]
Flexible metal foil formed of a metal selected from the group consisting of copper, zinc, nickel, iron, niobium, molybdenum, titanium, nickel / chromium alloys, iron / nickel / chromium alloys and aluminum and deposited on the foil surface. A layered structure for forming a thin-layer capacitor, including the desired single-phase dielectric obtained, which is a layer having a thickness of about 0.03 to about 2 microns.
2.
The layer structure according to claim 1, further comprising a second metal layer, wherein the dielectric contains a cationic substance different from the metal forming the first metal layer, and the first metal foil layer is about 12 to. A layered structure having a thickness of about 110 microns.
3.
The layer structure according to claim 1, further comprising a flexible polymer support sheet, wherein the flexible metal foil is formed as a releaseable, unpatterned layer on the flexible polymer support sheet.
4.
The layered structure according to claim 1, wherein the dielectric is silica.
5.
The layer structure according to claim 1, further comprising a barrier layer between the flexible metal foil and the dielectric.
6.
A method of forming at least one capacitor to provide a first metal foil layer, depositing a dielectric layer about 0.03 to about 2 microns thick on the metal coil layer, and the like. A method comprising depositing a second metal layer on a dielectric.
7.
6. The sixth aspect of claim 6, further comprising providing a polymer support sheet and providing the first metal foil layer by depositing a metal layer having a thickness of about 0.05 to about 3 microns on the support sheet. Method.
8.
The method according to claim 6, wherein the three-layer structure (a) including the first conductive layer, the first dielectric layer having a thickness of 0.03 to about 2 microns, and the second conductive layer in this order is provided. To provide by
Patterning the first conductive layer so as to form a structure (b) having a discrete conductive patch on the first surface of the first dielectric layer.
Embedding the surface of the structure (b) with the conductive patch in a second dielectric and supporting the structure (b) to form the structure (c) during the subsequent process, and
Patterning the second conductive layer of the structure (c) so as to form a structure (d) having a discrete conductive patch on the second surface of the first dielectric layer.
How to provide a multi-capacitor structure, including.
9.
8. The method of claim 8, further comprising patterning the exposed portion of the dielectric layer to form the structure (e).
10.
7. The method of claim 7, wherein at least one of the layers is formed by combustion chemical vapor deposition or controlled atmospheric combustion chemical vapor deposition.
上述のように、シリカまたはシリカベースの誘電層をエッチングするのに望ましい例が挙げられることができる。シリカおよびシリカベースの組成物のための好適なエッチング剤はアンモニウムヒドロゲンジフルオライド、フルオロホウ酸およびこれらの混合物を含む。シリカおよびシリカベースの組成物のための特に好適なエッチング剤はアンモニウムヒドロゲンジフルオライドの１．７重量％水性溶液および１．０５重量％のフルオロホウ酸の水性溶液である。他の物質をこれら２つの成分の混合物に添加されることもできる。
本発明は、以下の物及び方法を提供する。
（１） 金属ホイルおよびその上の約０．０３〜約２ミクロンの厚さを有する誘電体を含む薄層コンデンサのための層構造物。
（２） 誘電体が約１重量％〜約１００重量％のシリカを含む（１）記載の層構造物。
（３） 金属ホイルが銅ホイル、ニッケルホイルおよびアルミニウムホイルからなる群から選択される（１）記載の層構造物。
（４） 第１の金属層、約０．０３〜約２ミクロンの厚さを有する誘電体層、および第２の金属層を含む少なくとも１つの薄層コンデンサとして働くかまたは形成するための層構造物。
（５） 第１の金属層が金属ホイルであり、第２の金属層が誘電体層上に堆積された金属層である（４）記載の層構造物。
（６） ホイルが約１２〜約１１０ミクロンの厚さであり、第２の金属層が約０．５〜約３ミクロンの厚さである（５）記載の層構造物。
（７） 第１の金属層が銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群から選択され、第２の金属層が銅、ニッケルおよび亜鉛からなる群から選択される（４）記載の層構造物。
（８） 第１の金属層がポリマー支持シート上の約０．５〜約３ミクロンの厚さの被覆である（４）記載の層構造物。
（９） ポリマー支持シートがポリイミドである（８）記載の層構造物。
（１０） 第１の金属層と誘電体層の間に約０．０１〜約０．０８ミクロンの厚さのバリア層をさらに含む（４）記載の層構造物。
（１１） バリア層が酸化タングステン、酸化ストロンチウムおよび混合されたタングステン／ストロンチウムの酸化物からなる群から選択される物質で形成される（１０）記載の層構造物。
（１２） バリア層がＢａＷＯ ４ 、ＳｉＯ ２ 、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、ＮｉおよびＰｔからなる群から選択される物質で形成される（１０）記載の層構造物。
（１３） バリア層がＣｅＯ ２ およびＳｒ １−ｘ Ｂａ ｘ ＷＯ ４ からなる群から選択される物質で形成される（１０）記載の層構造物。
（１４） 誘電体層と第２の金属層の間に約０．０００１〜約０．０５ミクロンの厚さの接着層をさらに含む（４）記載の層構造物。
（１５） 接着層が酸化亜鉛である（１４）記載の層構造物。
（１６） 接着層が白金／シリカである（１４）記載の層構造物。
（１７） 接着層が機能的グラジェント物質である（１４）記載の層構造物。
（１８） 誘電体層が約１重量％〜１００重量％のシリカを含む（４）記載の層構造物。
（１９） 誘電体層がＢＳＴ、ＳｒＴｉＯ ３ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、ＴｉＯ ２ 、ＭｎＯ ２ 、Ｙ ２ Ｏ ３ 、ＳｎＯ ２ およびＰＬＺＴからなる群から選択される（４）記載の層構造物。
（２０） 誘電体層がバリウムチタン酸化物、ジルコニウムドープトバリウムチタン酸化物、および錫ドープトバリウムチタン酸化物からなる群から選択される（４）記載の層構造物。
（２１） 誘電体層がＷＯ ３ 、ＳｒＯ、混合されたタングステンストロンチウムの酸化物、ＢａＷＯ ４ 、ＣｅＯ ２ およびＳｒ １−ｘ Ｂａ ｘ ＷＯ ４ からなる群から選択される（４）記載の層構造物。
（２２） 第１の金属層がニッケル、タングステン、モリブデン、鉄、ニオブ、チタン、ニッケル／クロム合金、および鉄／ニッケル／クロム合金からなる群から選択される（４）記載の層構造物。
（２３） 第１の金属層の誘電体層の面側の表面粗さが少なくとも約１．１ｃｍ ２ ／ｃｍ ２ である（４）記載の層構造物。
（２４） 誘電体層が約１０ −１ 〜約１０ −５ アンペア／ｃｍ ２ の導電率を有する損失のあるものである（４）記載の層構造物。
（２５） 損失が誘電体層の薄さによって達成される（２４）記載の層構造物。
（２６） 損失が誘電体層の化学的ドーピングによって達成される（２４）記載の層構造物。
（２７） 第１および第２の金属層の少なくとも１つにパターンが設けられ、ディスクリートコンデンサプレートを提供する（４）記載の層構造物。
（２８） 第１および第２の金属層にそれぞれパターンが設けられ、誘電体層の反対側にディスクリートコンデンサプレートを提供する（４）記載の層構造物。
（２９） 第１の金属ホイル層を提供し、
該金属ホイル層上に誘電体層を約０．０３〜約２ミクロンの厚さで堆積し、さらに
該誘電体上に第２の金属層を堆積することを含む少なくとも１つのコンデンサを形成する方法。
（３０） 誘電体層が燃焼化学蒸着によって堆積される（２９）記載の方法。
（３１） 第２の金属層が燃焼化学蒸着または制御された雰囲気燃焼化学蒸着によって堆積される（２９）記載の方法。
（３２） 第２の金属層が燃焼化学蒸着または制御された雰囲気燃焼化学蒸着により電気的導電シード層を堆積することによって形成され、該第２の金属層への追加の金属が電気メッキによって堆積される（２９）記載の方法。
（３３） 金属ホイル層上の誘電層を堆積する前に、約０．０１〜約０．０８ミクロンの厚さのバリア層が該ホイル層上に堆積され、該誘電体層の堆積の間の過剰な温度から該金属ホイル層を保護し、および／または該金属ホイル層の酸化を防げ、および／または該金属ホイル層と該誘電体層の間の化学的相互作用を妨げる（２９）記載の方法。
（３４） 第２の金属層を堆積する前に、物質の層が約０．００１〜約０．０５ミクロンの厚さで堆積され、その物質の層が該誘電体層と第２の金属層の間の接着を促進させる（２９）記載の方法。
（３５） 第２の金属層にパターンが設けられ、多数のディスクリートコンデンサプレートを提供する（２９）記載の方法。
（３６） パターンが設けられた第２の物質層が誘電体に積層され、さらに金属ホイル層にパターンが設けられ、多数のディスクリートコンデンサプレートを形成する（３５）記載の方法。
（３７） パターンが設けられた金属ホイル層が誘電体に積層される（３６）記載の方法。
（３８） ポリマー支持シートを提供し、
該支持シート上に約０．０５〜約３ミクロンの厚さの第１の金属層を堆積し、該第１の金属層上に約０．０３〜約２ミクロンの厚さの誘電体層を堆積し、さらに
該誘電体層上に約０．０５〜約３ミクロンの厚さの第２の金属層を堆積することを含む少なくとも１つの薄層コンデンサを提供する方法。
（３９） 第２の金属層に実質的にパターンが設けられ、ディスクリートコンデンサプレートを形成する（３８）記載の方法。
（４０） 第１の電気的導電層、誘電体層、および第２の導電層をこの順で含む３層構造物（ａ）を提供し、
該第１の電気的導電層にパターンが設けられ、該誘電体層の第１の面上にディスクリート電気的導電パッチを有する構造物（ｂ）を形成し、
該電気的導電パッチを有する該構造物（ｂ）の面を誘電体に埋め込み、それに続くプロセスの間、該構造物（ｂ）を支持して構造物（ｃ）を形成し、さらに
該構造物（ｃ）の該第２の電気的導電層にパターンが設けられ、該誘電体層の第２の面上にディスクリート電気的導電パッチを有する構造物（ｄ）を形成することを含む、マルチコンデンサ構造物を提供する方法。
（４１） 構造物（ｄ）が形成された後に、該誘電体層の暴露された部分にパターンが設けられ、構造物（ｅ）を形成する（４０）記載の方法。
（４２） 構造物（ｅ）が形成された後に、第２の電気的導電体層から形成された電気的導電パッチを有する該構造物の側が誘電体に埋め込まれ、構造物（ｆ）を形成する（４１）記載の方法。
（４３） 誘電体層が約０．０３〜約２ミクロンの厚さを有する（４０）記載の方法。
（４４） 誘電体が約１重量％〜約１００重量％のシリカを含む（４０）記載の方法。
（４５） 第１の電気的導電層が銅ホイル、ニッケルホイルおよびアルミニウムホイルからなる群から選択される金属ホイルである（４０）記載の方法。
（４６） 第１の電気的導電層が金属ホイルであり、第２の電気的導電層が誘電体層上に堆積された金属層である（４０）記載の方法。
（４７） 金属ホイルが約１２〜約１１０ミクロンの厚さであり、堆積された金属層が約０．５〜約３ミクロンの厚さである（４６）記載の方法。
（４８） 第１の電気的導電層が銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群から選択され、第２の電気的導電層が銅、ニッケルおよび亜鉛からなる群から選択される（４６）記載の方法。
（４９） 第１の電気的導電層と誘電体層の間に約０．０１〜約０．０８ミクロンの厚さのバリア層をさらに含む（４０）記載の方法。
（５０） バリア層が酸化タングステン、酸化ストロンチウム、および混合されたタングステン／ストロンチウムの酸化物からなる群から選択される物質から形成される（４９）記載の方法。
（５１） バリア層がＢａＷＯ ４ 、ＳｉＯ ２ 、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、ＮｉおよびＰｔからなる群から選択される物質で形成される（４９）記載の方法。
（５２） バリア層がＣｅＯ ２ およびＳｒ １−ｘ Ｂａ ｘ ＷＯ ４ からなる群から選択される物質で形成される（４９）記載の方法。
（５３） 誘電体層と第２の電気的導電層の間に約０．０００１〜約０．０５ミクロンの厚さの接着層をさらに含む（４０）記載の方法。
（５４） 接着層が酸化亜鉛である（５３）記載の方法。
（５５） 接着層が白金／シリカである（５３）記載の方法。
（５６） 接着層が機能的グラジェント物質である（５３）記載の方法。
（５７） 誘電体層がＢＳＴ、ＳｒＴｉＯ ３ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、ＴｉＯ ２ 、ＭｎＯ ２ 、Ｙ ２ Ｏ ３ 、ＳｎＯ ２ およびＰＬＺＴからなる群から選択される（４０）記載の方法。
（５８） 誘電体層がバリウムチタン酸化物、ジルコニウムドープトバリウムチタン酸化物、および錫ドープトバリウムチタン酸化物からなる群から選択される（４０）記載の方法。
（５９） 誘電体層がＷＯ ３ 、ＳｒＯ、混合されたタングステンストロンチウムの酸化物、ＢａＷＯ ４ 、ＣｅＯ ２ およびＳｒ １−ｘ Ｂａ ｘ ＷＯ ４ からなる群から選択される（４０）記載の方法。
（６０） 第１の電気的導電層がニッケル、タングステン、モリブデン、鉄、ニオブ、チタン、ニッケル／クロム合金、および鉄／ニッケル／クロム合金からなる群から選択される（４０）記載の方法。
（６１） 有機化合物含有媒体中で分散される先駆物質を含む混合物であって、該先駆物質が約１３５℃以下の沸点を有し、該先駆物質が約０．４モル以下の量で該媒体中に存在する、被覆を堆積するために有用な先駆物質混合物。
（６２） 先駆物質が約０．０６６モル以下の量で存在する（６１）記載の先駆物質混合物。
（６３） 有機化合物含有媒体が約１５０℃以下の沸点を有する溶媒である（６１）記載の先駆物質混合物。
（６４） 有機化合物含有媒体が２０℃で液体である（６１）記載の先駆物質混合物。
（６５） 混合物が液体であり、先駆物質がテトラメチルシランである（６１）記載の先駆物質混合物。
（６６） テトラメチルシランが約０．４モル以下の量で存在する（６５）記載の先駆物質混合物。
（６７） テトラメチルシランが約０．０６６モル以下の量で存在する（６５）記載の先駆物質混合物。
（６８） 有機化合物含有媒体が２０℃でガスであるが、大気圧以上の特定の圧力下で保たれる場合、２０℃で液体溶液である（６１）記載の先駆物質混合物。
（６９） 特定の圧力が約１００ｐｓｉ以上である（６８）記載の先駆物質混合物。
（７０） 有機化合物含有媒体が主としてキャリアとして働く第１の成分と主として燃料として働く第２の成分を含む（６１）記載の先駆物質混合物。
（７１） 第１の成分がプロパンを含み、第２の成分がメタンを含む（７０）記載の先駆物質混合物。
（７２） 有機化合物含有媒体がプロパンを含む（６１）記載の先駆物質混合物。
（７３） 有機化合物含有媒体がブタンを含む（７２）記載の先駆物質混合物。
（７４） シリカを生じる先駆物質を含む（６１）記載の先駆物質混合物。
（７５） 混合物がさらにシリカドーパントのための先駆物質を含む（７４）記載の先駆物質混合物。
（７６） 先駆物質の分解温度未満の温度で、先駆物質が非飽和蒸気であるのに充分低い濃度で存在する（６１）記載の先駆物質混合物。
（７７） 先駆物質の分解温度が約５００℃以上である（７６）記載の先駆物質混合物。
（７８） ５０℃未満の温度で非飽和蒸気であるのに充分低い濃度でテトラメチルシランを含むガス性媒体を含む（６１）記載の先駆物質混合物。
（７９） ２０℃未満の温度で非飽和蒸気であるのに充分低い濃度でテトラメチルシランを含むガス性媒体を含む（６１）記載の先駆物質混合物。
（８０） ＳＴＰ有機ガスをさらに含み、有機ＳＴＰ液体溶媒の濃度が０℃以上の温度で混合物が非飽和蒸気である（７９）記載の先駆物質混合物。
（８１） ＳＴＰ有機ガスをさらに含み、有機ＳＴＰ液体溶媒の濃度が２０℃以上の温度で混合物が非飽和蒸気である（７９）記載の先駆物質混合物。
（８２） 混合物が最初に液体であり、次いでフレームに導入される前に気化される（６１）記載の先駆物質混合物。
（８３） 熱分解プロセスによってシリカ被覆を堆積するための先駆物質溶液であって、該先駆物質溶液が有機溶媒および該有機溶媒に溶解されたシリカ先駆物質を含み、該シリカ先駆物質が１５０℃以下の沸点を有し、該先駆物質が該媒体中に約０．４モル以下の量で存在する先駆物質溶液。
（８４） 有機溶媒が１５０℃以下の沸点を有する（８３）記載の先駆物質溶液。
（８５） シリカ先駆物質がテトラメチルシランである（８３）記載の先駆物質溶液。
（８６） 有機溶媒がプロパンおよびブタンからなる群から選択される（８５）記載の先駆物質溶液。
（８７） 溶液がさらにシリカドーパントのための先駆物質を含む（８５）記載の先駆物質溶液。
（８８） 被覆を堆積するために有用な先駆物質混合物であって、該混合物が有機化合物含有媒体中に分散されたテトラメチルシランを含む、先駆物質混合物。
本発明は特定の実施例によってより詳細に記載される。
As mentioned above, there may be desirable examples for etching silica or silica-based dielectric layers. Suitable etching agents for silica and silica-based compositions include ammonium hydrogen difluoride, fluoroboric acid and mixtures thereof. Particularly suitable etching agents for silica and silica-based compositions are a 1.7% by weight aqueous solution of ammonium hydrogendifluoride and a 1.05% by weight aqueous solution of fluoroboric acid. Other substances can also be added to the mixture of these two components.
The present invention provides the following objects and methods.
(1) A layered structure for a thin layer capacitor containing a metal foil and a dielectric having a thickness of about 0.03 to about 2 microns on it.
(2) The layered structure according to (1), wherein the dielectric contains about 1% by weight to about 100% by weight of silica.
(3) The layered structure according to (1), wherein the metal foil is selected from the group consisting of copper foil, nickel foil and aluminum foil.
(4) A layer structure for acting or forming as at least one thin capacitor including a first metal layer, a dielectric layer having a thickness of about 0.03 to about 2 microns, and a second metal layer. Stuff.
(5) The layer structure according to (4), wherein the first metal layer is a metal foil and the second metal layer is a metal layer deposited on a dielectric layer.
(6) The layer structure according to (5), wherein the foil has a thickness of about 12 to about 110 microns and the second metal layer has a thickness of about 0.5 to about 3 microns.
(7) The layer structure according to (4), wherein the first metal layer is selected from the group consisting of copper, aluminum and nickel, and the second metal layer is selected from the group consisting of copper, nickel and zinc.
(8) The layer structure according to (4), wherein the first metal layer is a coating having a thickness of about 0.5 to about 3 microns on a polymer support sheet.
(9) The layered structure according to (8), wherein the polymer support sheet is polyimide.
(10) The layer structure according to (4), further comprising a barrier layer having a thickness of about 0.01 to about 0.08 micron between the first metal layer and the dielectric layer.
(11) The layered structure according to (10), wherein the barrier layer is formed of a substance selected from the group consisting of tungsten oxide, strontium oxide and mixed tungsten / strontium oxides.
(12) The layer structure according to (10), wherein the barrier layer is formed of a substance selected from the group consisting of BaWO 4 , SiO 2 , Al 2 O 3, Ni and Pt.
(13) The layered structure according to (10), wherein the barrier layer is formed of a substance selected from the group consisting of CeO 2 and Sr 1-x Ba x WO 4.
(14) The layer structure according to (4), further comprising an adhesive layer having a thickness of about 0.0001 to about 0.05 micron between the dielectric layer and the second metal layer.
(15) The layer structure according to (14), wherein the adhesive layer is zinc oxide.
(16) The layered structure according to (14), wherein the adhesive layer is platinum / silica.
(17) The layered structure according to (14), wherein the adhesive layer is a functional gradient substance.
(18) The layer structure according to (4), wherein the dielectric layer contains about 1% by weight to 100% by weight of silica.
(19) The layer structure according to (4), wherein the dielectric layer is selected from the group consisting of BST, SrTIO 3 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , MnO 2 , Y 2 O 3 , SnO 2 and PLZT.
(20) The layer structure according to (4), wherein the dielectric layer is selected from the group consisting of barium titanium oxide, zirconium-doped barium titanium oxide, and tin-doped barium titanium oxide.
(21) dielectric layer is WO 3, SrO, oxides of mixed tungsten strontium, BaWO 4, CeO 2 and Sr 1-x Ba x WO 4 is selected from the group consisting of (4) a layer structure according ..
(22) The layer structure according to (4), wherein the first metal layer is selected from the group consisting of nickel, tungsten, molybdenum, iron, niobium, titanium, nickel / chromium alloys, and iron / nickel / chromium alloys.
(23) The layer structure according to (4), wherein the surface roughness of the surface side of the dielectric layer of the first metal layer is at least about 1.1 cm 2 / cm 2.
(24) The layered structure according to (4 ), wherein the dielectric layer has a conductivity of about 10 -1 to about 10-5 amperes / cm 2 and has a loss.
(25) The layered structure according to (24), wherein the loss is achieved by the thinness of the dielectric layer.
(26) The layered structure according to (24), wherein the loss is achieved by chemical doping of the dielectric layer.
(27) The layer structure according to (4), wherein a pattern is provided on at least one of the first and second metal layers to provide a discrete capacitor plate.
(28) The layer structure according to (4), wherein a pattern is provided on each of the first and second metal layers, and a discrete capacitor plate is provided on the opposite side of the dielectric layer.
(29) To provide a first metal foil layer,
A dielectric layer is deposited on the metal foil layer to a thickness of about 0.03 to about 2 microns, and further.
A method of forming at least one capacitor comprising depositing a second metal layer on the dielectric.
(30) The method according to (29), wherein the dielectric layer is deposited by combustion chemical vapor deposition.
(31) The method of (29), wherein the second metal layer is deposited by combustion chemical vapor deposition or controlled atmospheric combustion chemical vapor deposition.
(32) A second metal layer is formed by depositing an electrically conductive seed layer by combustion chemical vapor deposition or controlled atmospheric combustion chemical vapor deposition, and additional metal on the second metal layer is deposited by electroplating. (29) The method according to the above.
(33) Prior to depositing the dielectric layer on the metal foil layer, a barrier layer with a thickness of about 0.01 to about 0.08 micron is deposited on the foil layer and during the deposition of the dielectric layer. (29). Protecting the metal foil layer from excessive temperature and / or preventing oxidation of the metal foil layer and / or interfering with the chemical interaction between the metal foil layer and the dielectric layer (29). Method.
(34) Before depositing the second metal layer, a layer of material is deposited to a thickness of about 0.001 to about 0.05 micron, and the layer of material is the dielectric layer and the second metal layer. The method of (29), which promotes adhesion between.
(35) The method according to (29), wherein a pattern is provided on the second metal layer to provide a large number of discrete capacitor plates.
(36) The method according to (35), wherein a second material layer provided with a pattern is laminated on a dielectric, and a pattern is further provided on a metal foil layer to form a large number of discrete capacitor plates.
(37) The method according to (36), wherein the metal foil layer provided with the pattern is laminated on the dielectric.
(38) Provided a polymer support sheet,
A first metal layer having a thickness of about 0.05 to about 3 microns is deposited on the support sheet, and a dielectric layer having a thickness of about 0.03 to about 2 microns is formed on the first metal layer. Accumulate and further
A method of providing at least one thin-layer capacitor comprising depositing a second metal layer having a thickness of about 0.05 to about 3 microns on the dielectric layer.
(39) The method according to (38), wherein a pattern is substantially provided on the second metal layer to form a discrete capacitor plate.
(40) A three-layer structure (a) including a first electrically conductive layer, a dielectric layer, and a second conductive layer in this order is provided.
A pattern is provided on the first electrically conductive layer, and a structure (b) having a discrete electrically conductive patch is formed on the first surface of the dielectric layer.
The surface of the structure (b) having the electrically conductive patch is embedded in a dielectric, and during the subsequent process, the structure (b) is supported to form the structure (c), and further.
This includes forming a structure (d) having a discrete electrically conductive patch on the second surface of the dielectric layer by providing a pattern on the second electrically conductive layer of the structure (c). , How to provide a multi-capacitor structure.
(41) The method according to (40), wherein after the structure (d) is formed, a pattern is provided on the exposed portion of the dielectric layer to form the structure (e).
(42) After the structure (e) is formed, the side of the structure having the electrically conductive patch formed from the second electrically conductive layer is embedded in the dielectric to form the structure (f). (41) The method according to the above.
(43) The method of (40), wherein the dielectric layer has a thickness of about 0.03 to about 2 microns.
(44) The method according to (40), wherein the dielectric contains about 1% by weight to about 100% by weight of silica.
(45) The method of (40), wherein the first electrically conductive layer is a metal foil selected from the group consisting of copper foil, nickel foil and aluminum foil.
(46) The method according to (40), wherein the first electrically conductive layer is a metal foil and the second electrically conductive layer is a metal layer deposited on the dielectric layer.
(47) The method of (46), wherein the metal foil is about 12 to about 110 microns thick and the deposited metal layer is about 0.5 to about 3 microns thick.
(48) The method according to (46), wherein the first electrically conductive layer is selected from the group consisting of copper, aluminum and nickel, and the second electrically conductive layer is selected from the group consisting of copper, nickel and zinc.
(49) The method according to (40), further comprising a barrier layer having a thickness of about 0.01 to about 0.08 micron between the first electrically conductive layer and the dielectric layer.
(50) The method of (49), wherein the barrier layer is formed from a material selected from the group consisting of tungsten oxide, strontium oxide, and mixed tungsten / strontium oxides.
(51) The method according to (49), wherein the barrier layer is formed of a substance selected from the group consisting of BaWO 4 , SiO 2 , Al 2 O 3, Ni and Pt.
(52) The method according to (49), wherein the barrier layer is formed of a substance selected from the group consisting of CeO 2 and Sr 1-x Ba x WO 4.
(53) The method according to (40), further comprising an adhesive layer having a thickness of about 0.0001 to about 0.05 microns between the dielectric layer and the second electrically conductive layer.
(54) The method according to (53), wherein the adhesive layer is zinc oxide.
(55) The method according to (53), wherein the adhesive layer is platinum / silica.
(56) The method of (53), wherein the adhesive layer is a functional gradient material.
(57) The method according to (40), wherein the dielectric layer is selected from the group consisting of BST, SrTIO 3 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , MnO 2 , Y 2 O 3 , SnO 2 and PLZT.
(58) The method according to (40), wherein the dielectric layer is selected from the group consisting of barium titanium oxide, zirconium-doped barium titanium oxide, and tin-doped barium titanium oxide.
(59) The method according to (40), wherein the dielectric layer is selected from the group consisting of WO 3 , SrO, mixed tungsten strontium oxide, BaWO 4 , CeO 2 and Sr 1-x Ba x WO 4.
(60) The method according to (40), wherein the first electrically conductive layer is selected from the group consisting of nickel, tungsten, molybdenum, iron, niobium, titanium, nickel / chromium alloys, and iron / nickel / chromium alloys.
(61) A mixture containing a precursor that is dispersed in an organic compound-containing medium, wherein the precursor has a boiling point of about 135 ° C. or lower and the precursor is in an amount of about 0.4 mol or less. A mixture of precursors present in which is useful for depositing coatings.
(62) The precursor mixture according to (61), wherein the precursor is present in an amount of about 0.066 mol or less.
(63) The precursor mixture according to (61), wherein the organic compound-containing medium is a solvent having a boiling point of about 150 ° C. or lower.
(64) The precursor mixture according to (61), wherein the organic compound-containing medium is a liquid at 20 ° C.
(65) The precursor mixture according to (61), wherein the mixture is a liquid and the precursor is tetramethylsilane.
(66) The precursor mixture according to (65), wherein tetramethylsilane is present in an amount of about 0.4 mol or less.
(67) The precursor mixture according to (65), wherein tetramethylsilane is present in an amount of about 0.066 mol or less.
(68) The precursor mixture according to (61), wherein the organic compound-containing medium is a gas at 20 ° C., but is a liquid solution at 20 ° C. when maintained under a specific pressure of atmospheric pressure or higher.
(69) The precursor mixture according to (68), wherein the specific pressure is about 100 psi or higher.
(70) The precursor mixture according to (61), wherein the organic compound-containing medium contains a first component that mainly acts as a carrier and a second component that mainly acts as a fuel.
(71) The precursor mixture according to (70), wherein the first component contains propane and the second component contains methane.
(72) The precursor mixture according to (61), wherein the organic compound-containing medium contains propane.
(73) The precursor mixture according to (72), wherein the organic compound-containing medium contains butane.
(74) The precursor mixture according to (61), which comprises a precursor that produces silica.
(75) The precursor mixture according to (74), wherein the mixture further comprises a precursor for a silica dopant.
(76) The precursor mixture according to (61), wherein the precursor is present at a temperature below the decomposition temperature of the precursor and at a concentration sufficiently low for the precursor to be an unsaturated vapor.
(77) The precursor mixture according to (76), wherein the decomposition temperature of the precursor is about 500 ° C. or higher.
(78) The precursor mixture according to (61), which comprises a gaseous medium containing tetramethylsilane at a concentration sufficiently low to be unsaturated vapor at a temperature of less than 50 ° C.
(79) The precursor mixture according to (61), which comprises a gaseous medium containing tetramethylsilane at a concentration sufficiently low to be unsaturated vapor at a temperature of less than 20 ° C.
(80) The precursor mixture according to (79), which further contains an STP organic gas and the mixture is an unsaturated vapor at a temperature at which the concentration of the organic STP liquid solvent is 0 ° C. or higher.
(81) The precursor mixture according to (79), which further contains an STP organic gas and the mixture is an unsaturated vapor at a temperature at which the concentration of the organic STP liquid solvent is 20 ° C. or higher.
(82) The precursor mixture according to (61), wherein the mixture is first liquid and then vaporized before being introduced into the frame.
(83) A precursor solution for depositing a silica coating by a thermal decomposition process, wherein the precursor solution contains an organic solvent and a silica precursor dissolved in the organic solvent, and the silica precursor is 150 ° C. or lower. A precursor solution in which the precursor is present in the medium in an amount of about 0.4 mol or less.
(84) The precursor solution according to (83), wherein the organic solvent has a boiling point of 150 ° C. or lower.
(85) The precursor solution according to (83), wherein the silica precursor is tetramethylsilane.
(86) The precursor solution according to (85), wherein the organic solvent is selected from the group consisting of propane and butane.
(87) The precursor solution according to (85), wherein the solution further comprises a precursor for a silica dopant.
(88) A precursor mixture useful for depositing a coating, wherein the mixture comprises tetramethylsilane dispersed in an organic compound-containing medium.
The present invention is described in more detail by specific examples.