JP2000163321A - データ処理方法および装置および記憶媒体 - Google Patents
データ処理方法および装置および記憶媒体Info
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- JP2000163321A JP2000163321A JP10335884A JP33588498A JP2000163321A JP 2000163321 A JP2000163321 A JP 2000163321A JP 10335884 A JP10335884 A JP 10335884A JP 33588498 A JP33588498 A JP 33588498A JP 2000163321 A JP2000163321 A JP 2000163321A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】必要な記憶容量を増加させることなく、プログ
ラム更新に伴って不揮発性メモリの記憶内容を自動的に
更新することを可能とする。 【解決手段】データの格納時には、格納すべきデータに
チェックサム演算を施し、得られたチェックサム値とバ
ージョン値の排他論理和演算を行って得られる拡張チェ
ックサム値を上記データとともにＥＥＰＲＯＭ24に格納
する。データ読出時には、格納されたデータを読出し、
チェックサム演算部１５が当該データにチェックサム演
算を施し、排他的論理和演算部１６が得られたチェック
サム値とバージョン値１４との排他的論理和を演算す
る。そして、排他的論理和演算部１６によって得られた
演算結果と、ＥＥＰＲＯＭに格納された拡張チェックサ
ム値とを比較し、両者が異なっていた場合にはデータの
破壊もしくは更新があったものとしてＥＥＰＲＯＭ２４
の格納データ１１を初期化する。
ラム更新に伴って不揮発性メモリの記憶内容を自動的に
更新することを可能とする。 【解決手段】データの格納時には、格納すべきデータに
チェックサム演算を施し、得られたチェックサム値とバ
ージョン値の排他論理和演算を行って得られる拡張チェ
ックサム値を上記データとともにＥＥＰＲＯＭ24に格納
する。データ読出時には、格納されたデータを読出し、
チェックサム演算部１５が当該データにチェックサム演
算を施し、排他的論理和演算部１６が得られたチェック
サム値とバージョン値１４との排他的論理和を演算す
る。そして、排他的論理和演算部１６によって得られた
演算結果と、ＥＥＰＲＯＭに格納された拡張チェックサ
ム値とを比較し、両者が異なっていた場合にはデータの
破壊もしくは更新があったものとしてＥＥＰＲＯＭ２４
の格納データ１１を初期化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器の電源が
遮断された後もデータを保持しておくための、不揮発性
メモリデータ更新、管理に好適なデータ処理方法および
装置に関するものである。
遮断された後もデータを保持しておくための、不揮発性
メモリデータ更新、管理に好適なデータ処理方法および
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＥＥＰＲＯＭ（電気的に消去書込み可能
な読み出し専用メモリ）は、電源が遮断されても記憶内
容が保持でき、内容の書き換えも可能で、安価であるの
で電子機器の不揮発性記憶の用途に多く利用されてい
る。
な読み出し専用メモリ）は、電源が遮断されても記憶内
容が保持でき、内容の書き換えも可能で、安価であるの
で電子機器の不揮発性記憶の用途に多く利用されてい
る。
【０００３】一般に、マイクロコンピュータを使用した
電子機器等においては、ＲＯＭに格納されたプログラム
を更新することによって機器の不具合点の解消や性能改
善を図ることが可能である。その際、プログラムの変更
内容によってはＥＥＰＲＯＭの記憶内容の初期化を必要
とする場合がある。
電子機器等においては、ＲＯＭに格納されたプログラム
を更新することによって機器の不具合点の解消や性能改
善を図ることが可能である。その際、プログラムの変更
内容によってはＥＥＰＲＯＭの記憶内容の初期化を必要
とする場合がある。
【０００４】しかしながら、そのような初期化を毎回手
動で行うことは煩雑であるばかりでなく、初期化し忘れ
ると動作が異常になる可能性がある。また、反対に初期
化の必要がないのに誤って初期化動作を行うと、機器の
動作に伴って更新される履歴情報などが消去されてしま
う不具合が発生する。そこで、従来からＥＥＰＲＯＭに
バージョン情報そのものを記録しておいて記録内容の自
動更新を行う構成が知られている。
動で行うことは煩雑であるばかりでなく、初期化し忘れ
ると動作が異常になる可能性がある。また、反対に初期
化の必要がないのに誤って初期化動作を行うと、機器の
動作に伴って更新される履歴情報などが消去されてしま
う不具合が発生する。そこで、従来からＥＥＰＲＯＭに
バージョン情報そのものを記録しておいて記録内容の自
動更新を行う構成が知られている。
【０００５】図４および図５を用いて、プログラムの更
新に伴ってＥＥＰＲＯＭの記憶内容を初期化するための
従来の技術を解説する。図４および図５において、３１
は不揮発性記憶用のＥＥＰＲＯＭ、３２はＲＡＭ上に設
けられたバッファ、３３はＲＯＭ上に格納された初期設
定値、３４はＲＯＭ上に格納されたバージョン値、３５
はチェックサム演算装置、３６はチェックサム比較装
置、３７はバージョン比較装置である。
新に伴ってＥＥＰＲＯＭの記憶内容を初期化するための
従来の技術を解説する。図４および図５において、３１
は不揮発性記憶用のＥＥＰＲＯＭ、３２はＲＡＭ上に設
けられたバッファ、３３はＲＯＭ上に格納された初期設
定値、３４はＲＯＭ上に格納されたバージョン値、３５
はチェックサム演算装置、３６はチェックサム比較装
置、３７はバージョン比較装置である。
【０００６】ＥＥＰＲＯＭはデータ書き込み中に電源が
切られると記憶内容が破壊される可能性があるため、上
記従来例のごとくエラー検出コードを付加することが一
般的に行われる。ここでは、エラー検出コードとして、
バッファの内容をすべて加算した値の下位ワードを使用
する。
切られると記憶内容が破壊される可能性があるため、上
記従来例のごとくエラー検出コードを付加することが一
般的に行われる。ここでは、エラー検出コードとして、
バッファの内容をすべて加算した値の下位ワードを使用
する。
【０００７】図４は、バッファメモリ３２内のデータを
ＥＥＰＲＯＭにフラッシュする様子を示した図である。
ＥＥＰＲＯＭ３１のフラッシュを行う場合、バッファメ
モリ３２上のデータ本体すべてとバージョン値をＥＥＰ
ＲＯＭ３１に書き込むとともに、該データ本体とバージ
ョン値に対してチェックサムを計算したものをＥＥＰＲ
ＯＭ３１に書き込む。ここで、初期設定値（初期値３
３）とバージョン値をＲＯＭからバッファメモリ３２に
コピーした後に上記の手順でバッファをフラッシュすれ
ばＥＥＰＲＯＭ３１の内容をリセットすることができ
る。
ＥＥＰＲＯＭにフラッシュする様子を示した図である。
ＥＥＰＲＯＭ３１のフラッシュを行う場合、バッファメ
モリ３２上のデータ本体すべてとバージョン値をＥＥＰ
ＲＯＭ３１に書き込むとともに、該データ本体とバージ
ョン値に対してチェックサムを計算したものをＥＥＰＲ
ＯＭ３１に書き込む。ここで、初期設定値（初期値３
３）とバージョン値をＲＯＭからバッファメモリ３２に
コピーした後に上記の手順でバッファをフラッシュすれ
ばＥＥＰＲＯＭ３１の内容をリセットすることができ
る。
【０００８】図５は、ＥＥＰＲＯＭからバッファメモリ
へのリバートの様子を示した図である。まず、ＥＥＰＲ
ＯＭ３１上のデータ本体全てとバージョン値をバッファ
メモリ３２に読み出す。次に、チェックサム演算装置３
５が該データ本体とバージョン値に対してチェックサム
を計算し、もしこれがＥＥＰＲＯＭ３１上のチェックサ
ム値と異なっていれば、データ破壊とみなして上記のＥ
ＥＰＲＯＭ３１のリセットを実行する。
へのリバートの様子を示した図である。まず、ＥＥＰＲ
ＯＭ３１上のデータ本体全てとバージョン値をバッファ
メモリ３２に読み出す。次に、チェックサム演算装置３
５が該データ本体とバージョン値に対してチェックサム
を計算し、もしこれがＥＥＰＲＯＭ３１上のチェックサ
ム値と異なっていれば、データ破壊とみなして上記のＥ
ＥＰＲＯＭ３１のリセットを実行する。
【０００９】データ破壊でなければ、すなわちチェック
サムの計算結果がＥＥＰＲＯＭ３１に記憶されたチェッ
クサムと一致した場合は、次に比較装置３７によりバッ
ファメモリ３２上に読み出されたバージョン値とＲＯＭ
上のバージョン値３４を比較する。この比較の結果、両
者が不一致である場合は、プログラム更新とみなして、
やはり上記のＥＥＰＲＯＭリセットを実行する。
サムの計算結果がＥＥＰＲＯＭ３１に記憶されたチェッ
クサムと一致した場合は、次に比較装置３７によりバッ
ファメモリ３２上に読み出されたバージョン値とＲＯＭ
上のバージョン値３４を比較する。この比較の結果、両
者が不一致である場合は、プログラム更新とみなして、
やはり上記のＥＥＰＲＯＭリセットを実行する。
【００１０】ここで少なくとも、上記リバート動作は電
子機器の電源投入時に実行され、上記フラッシュ動作は
電子機器の電源断の前に実行される。また、リセット動
作は工場出荷時に実行される。
子機器の電源投入時に実行され、上記フラッシュ動作は
電子機器の電源断の前に実行される。また、リセット動
作は工場出荷時に実行される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述したデータ処理に
よれば、エラー検出が可能で、かつプログラム更新に伴
ってＥＥＰＲＯＭの記憶内容を自動的に更新する不揮発
性メモリデータ更新装置を実現することが可能である。
しかしながら、バージョン値を記憶するための専用記憶
領域がＥＥＰＲＯＭ内に必要となるため、ＥＥＰＲＯＭ
の使用効率が低くなってしまうという問題がある。
よれば、エラー検出が可能で、かつプログラム更新に伴
ってＥＥＰＲＯＭの記憶内容を自動的に更新する不揮発
性メモリデータ更新装置を実現することが可能である。
しかしながら、バージョン値を記憶するための専用記憶
領域がＥＥＰＲＯＭ内に必要となるため、ＥＥＰＲＯＭ
の使用効率が低くなってしまうという問題がある。
【００１２】特に、データを相関の高いもの同士でグル
ープ化し、各グループ毎にバージョン値を設定可能とす
るような場合には、バージョン値格納用領域がグループ
数だけ必要になる。安価な電子機器で多く使用されてい
るシリアル接続タイプのＥＥＰＲＯＭデバイスの記憶容
量は最大でも数ｋｂｉｔ程度にすぎず、記憶項目の多い
電子機器においては特にＥＥＰＲＯＭの使用効率の低下
がコストアップの要因となるので、上記のような事態は
許容しがたい。
ープ化し、各グループ毎にバージョン値を設定可能とす
るような場合には、バージョン値格納用領域がグループ
数だけ必要になる。安価な電子機器で多く使用されてい
るシリアル接続タイプのＥＥＰＲＯＭデバイスの記憶容
量は最大でも数ｋｂｉｔ程度にすぎず、記憶項目の多い
電子機器においては特にＥＥＰＲＯＭの使用効率の低下
がコストアップの要因となるので、上記のような事態は
許容しがたい。
【００１３】本発明は上記課題に鑑み、必要な記憶容量
を増加させることなく、プログラム更新に伴って不揮発
性メモリの記憶内容を自動的に更新することが可能なデ
ータ処理方法および装置を提供することを目的とする。
を増加させることなく、プログラム更新に伴って不揮発
性メモリの記憶内容を自動的に更新することが可能なデ
ータ処理方法および装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のデータ処理装置はたとえば以下の構成を備
える。すなわち、書き換え可能な不揮発性メモリと、前
記不揮発性メモリに格納すべき第１のデータに第１の演
算を施して第１の演算データを得る第１演算手段と、前
記第１のデータに係わる第２のデータと、前記第１演算
手段によって得られた前記第１の演算データとを用いて
第２の演算を施し、第２の演算データを得る第２演算手
段と、前記第１のデータと前記第２の演算データとを前
記不揮発性メモリに格納する格納手段と、前記不揮発性
メモリより前記第１のデータを読み出してこれに前記第
１の演算を施し、得られた演算結果と前記第１のデータ
に係わる第３のデータとを用いて前記第２の演算を施す
読出演算手段と、前記読出演算手段で得られた演算結果
と前記不揮発性メモリに格納された前記第２の演算デー
タとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較の
結果に基づいて前記不揮発性メモリの記憶内容を管理す
る管理手段とを備える。
めの本発明のデータ処理装置はたとえば以下の構成を備
える。すなわち、書き換え可能な不揮発性メモリと、前
記不揮発性メモリに格納すべき第１のデータに第１の演
算を施して第１の演算データを得る第１演算手段と、前
記第１のデータに係わる第２のデータと、前記第１演算
手段によって得られた前記第１の演算データとを用いて
第２の演算を施し、第２の演算データを得る第２演算手
段と、前記第１のデータと前記第２の演算データとを前
記不揮発性メモリに格納する格納手段と、前記不揮発性
メモリより前記第１のデータを読み出してこれに前記第
１の演算を施し、得られた演算結果と前記第１のデータ
に係わる第３のデータとを用いて前記第２の演算を施す
読出演算手段と、前記読出演算手段で得られた演算結果
と前記不揮発性メモリに格納された前記第２の演算デー
タとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較の
結果に基づいて前記不揮発性メモリの記憶内容を管理す
る管理手段とを備える。
【００１５】また、本発明によれば、上記データ処理装
置によって実現されるデータ処理方法が提供される。
置によって実現されるデータ処理方法が提供される。
【００１６】また、本発明によれば、上記データ処理方
法をコンピュータに実現させるための制御プログラムを
格納した記憶媒体が提供される。
法をコンピュータに実現させるための制御プログラムを
格納した記憶媒体が提供される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を詳細に説明する。
施形態を詳細に説明する。
【００１８】図３はＥＥＰＲＯＭを使用した電子機器の
構成を説明する図である。図３において、２１はＣＰ
Ｕ、２２はＲＯＭ、２３はＲＡＭ、２４はシリアル接続
ＥＥＰＲＯＭである。ＣＰＵ２１とＲＯＭ２２およびＲ
ＡＭ２３はバス接続されており、ＥＥＰＲＯＭ２４はＣ
ＰＵのシリアルポートに接続されている。また、ＲＯＭ
２２には当該電子機器およびＥＥＰＲＯＭ２４のデータ
管理に関する制御プログラムが格納されており、ＲＡＭ
２３はＣＰＵ２１が各種プログラムを実行する際のワー
クエリアおよびバッファメモリとして用いられる。
構成を説明する図である。図３において、２１はＣＰ
Ｕ、２２はＲＯＭ、２３はＲＡＭ、２４はシリアル接続
ＥＥＰＲＯＭである。ＣＰＵ２１とＲＯＭ２２およびＲ
ＡＭ２３はバス接続されており、ＥＥＰＲＯＭ２４はＣ
ＰＵのシリアルポートに接続されている。また、ＲＯＭ
２２には当該電子機器およびＥＥＰＲＯＭ２４のデータ
管理に関する制御プログラムが格納されており、ＲＡＭ
２３はＣＰＵ２１が各種プログラムを実行する際のワー
クエリアおよびバッファメモリとして用いられる。
【００１９】図３に示されるような本実施形態の電子機
器においては、ＲＯＭ２２に格納されたプログラムを更
新することによって機器の不具合点の解消や性能改善を
図ることが可能である。そして、その際、プログラムの
変更内容によってはＥＥＰＲＯＭ２４の記憶内容の初期
化を必要とする場合がある。このようなＥＥＰＲＯＭ２
４の内容の初期化を自動的に遂行するためにＥＥＰＲＯ
Ｍ２４にバージョン情報そのものを記録しておいて記録
内容の自動更新を行うための一般的な構成については、
図４および図５を参照して説明した通りである。
器においては、ＲＯＭ２２に格納されたプログラムを更
新することによって機器の不具合点の解消や性能改善を
図ることが可能である。そして、その際、プログラムの
変更内容によってはＥＥＰＲＯＭ２４の記憶内容の初期
化を必要とする場合がある。このようなＥＥＰＲＯＭ２
４の内容の初期化を自動的に遂行するためにＥＥＰＲＯ
Ｍ２４にバージョン情報そのものを記録しておいて記録
内容の自動更新を行うための一般的な構成については、
図４および図５を参照して説明した通りである。
【００２０】さて、図４および図５を参照して上述した
データ処理方法においては、チェックサム記録領域とバ
ージョン記録領域を別々にＥＥＰＲＯＭ２４に確保する
ことになる。しかしながら、その動作に着目すると、チ
ェックサムの値とバージョンの値のどちらが不正であっ
ても結果的にはリセット動作を行うことになる。したが
って、チェックサム値とバージョン値の少なくともどち
らかが不正であることが検出できる構成であればよいこ
とがわかる。
データ処理方法においては、チェックサム記録領域とバ
ージョン記録領域を別々にＥＥＰＲＯＭ２４に確保する
ことになる。しかしながら、その動作に着目すると、チ
ェックサムの値とバージョンの値のどちらが不正であっ
ても結果的にはリセット動作を行うことになる。したが
って、チェックサム値とバージョン値の少なくともどち
らかが不正であることが検出できる構成であればよいこ
とがわかる。
【００２１】次に、図１および図２を参照して本実施形
態によるデータ処理を説明する。図１および図２におい
て、１１は不揮発性記憶メモリとしてのＥＥＰＲＯＭ２
４の格納データ（データ本体と拡張チェックサム値）を
表わす。１２はＲＡＭ２３上に設けられたバッファ、１
３はＲＯＭ２２上に格納された初期設定値、１４はＲＯ
Ｍ２２上に格納されたバージョン値を表わす。また、１
５はチェックサム演算部、１６は排他的論理和演算部、
１７は拡張チェックサム比較部である。
態によるデータ処理を説明する。図１および図２におい
て、１１は不揮発性記憶メモリとしてのＥＥＰＲＯＭ２
４の格納データ（データ本体と拡張チェックサム値）を
表わす。１２はＲＡＭ２３上に設けられたバッファ、１
３はＲＯＭ２２上に格納された初期設定値、１４はＲＯ
Ｍ２２上に格納されたバージョン値を表わす。また、１
５はチェックサム演算部、１６は排他的論理和演算部、
１７は拡張チェックサム比較部である。
【００２２】なお、チェックサム演算部１５、排他的論
理和演算部１６、拡張チェックサム比較部１７はそれぞ
れＣＰＵ２１がＲＯＭ２２に格納されたプログラムを実
行することで実現される構成である。
理和演算部１６、拡張チェックサム比較部１７はそれぞ
れＣＰＵ２１がＲＯＭ２２に格納されたプログラムを実
行することで実現される構成である。
【００２３】図１は、本実施形態において、バッファメ
モリのデータをＥＥＰＲＯＭ２４にフラッシュする様子
を示した図である。バッファメモリ１２上のデータ本体
全てをＥＥＰＲＯＭ２４に書き込むとともに、該データ
に対してチェックサム演算部１５でチェックサム値を計
算する。次に、排他的論理和演算部１６にて、計算され
たチェックサム値の計算結果とＲＯＭ２２上のバージョ
ン値１４との間で排他的論理和演算を行い、拡張チェッ
クサム値を計算する。そして、以上のようにして得られ
た拡張チェックサム値をＥＥＰＲＯＭ２４に書き込む。
モリのデータをＥＥＰＲＯＭ２４にフラッシュする様子
を示した図である。バッファメモリ１２上のデータ本体
全てをＥＥＰＲＯＭ２４に書き込むとともに、該データ
に対してチェックサム演算部１５でチェックサム値を計
算する。次に、排他的論理和演算部１６にて、計算され
たチェックサム値の計算結果とＲＯＭ２２上のバージョ
ン値１４との間で排他的論理和演算を行い、拡張チェッ
クサム値を計算する。そして、以上のようにして得られ
た拡張チェックサム値をＥＥＰＲＯＭ２４に書き込む。
【００２４】ここで、ＲＯＭ２２上の初期設定値１３を
バッファメモリ１２にコピーした後に上記の手順でＥＥ
ＰＲＯＭ２４をフラッシュすれば、ＥＥＰＲＯＭ２４の
格納データ１１をリセットすることができる。
バッファメモリ１２にコピーした後に上記の手順でＥＥ
ＰＲＯＭ２４をフラッシュすれば、ＥＥＰＲＯＭ２４の
格納データ１１をリセットすることができる。
【００２５】図２は、本実施形態において、ＥＥＰＲＯ
Ｍからバッファメモリにリバートする様子を示した図で
ある。まず、ＥＥＰＲＯＭ２４の格納データ１１のうち
の「データ本体」をバッファメモリ１２に読み出す。次
に、該データ本体に対してチェックサム演算部１５でチ
ェックサム値を計算する。次に、排他的論理和演算装置
１６において、チェックサム演算部１５で計算されたチ
ェックサム値とＲＯＭ２２上のバージョン値１４との排
他的論理和演算を行い、拡張チェックサム値を計算す
る。次に、拡張チェックサム比較装置１７において、排
他的論理和演算部１６で計算された拡張チェックサム値
とＥＥＰＲＯＭ１１上の拡張チェックサム値とが比較さ
れる。比較の結果、両者が異なっていれば、データ破壊
もしくはプログラム更新の何れかであるとみなしてＥＥ
ＰＲＯＭ１１のリセットを実行する。なお、少なくと
も、リバート動作は電子機器の電源投入時に実行され、
フラッシュ動作は電子機器の電源断の前に実行される。
また、リセット動作は工場出荷時に実行される。
Ｍからバッファメモリにリバートする様子を示した図で
ある。まず、ＥＥＰＲＯＭ２４の格納データ１１のうち
の「データ本体」をバッファメモリ１２に読み出す。次
に、該データ本体に対してチェックサム演算部１５でチ
ェックサム値を計算する。次に、排他的論理和演算装置
１６において、チェックサム演算部１５で計算されたチ
ェックサム値とＲＯＭ２２上のバージョン値１４との排
他的論理和演算を行い、拡張チェックサム値を計算す
る。次に、拡張チェックサム比較装置１７において、排
他的論理和演算部１６で計算された拡張チェックサム値
とＥＥＰＲＯＭ１１上の拡張チェックサム値とが比較さ
れる。比較の結果、両者が異なっていれば、データ破壊
もしくはプログラム更新の何れかであるとみなしてＥＥ
ＰＲＯＭ１１のリセットを実行する。なお、少なくと
も、リバート動作は電子機器の電源投入時に実行され、
フラッシュ動作は電子機器の電源断の前に実行される。
また、リセット動作は工場出荷時に実行される。
【００２６】以上説明した動作を図６および図７のフロ
ーチャートを用いて説明すると以下のとおりである。
ーチャートを用いて説明すると以下のとおりである。
【００２７】図６は、本実施形態によるＥＥＰＲＯＭの
フラッシュ処理を説明するフローチャートである。まず
ステップＳ１１において、チェックサム演算部１５が、
ＥＥＰＲＯＭ２４に格納すべきデータ本体に対してチェ
ックサムを演算する。次に、ステップＳ１２において、
排他的論理和演算部１６がチェックサム演算部１５の演
算結果とバージョン値１４との排他的論理和を計算し、
拡張チェックサムを得る。そして、ステップＳ１３にお
いて、上記格納すべきデータ本体と拡張チェックサムを
ＥＥＰＲＯＭ２４に格納する。
フラッシュ処理を説明するフローチャートである。まず
ステップＳ１１において、チェックサム演算部１５が、
ＥＥＰＲＯＭ２４に格納すべきデータ本体に対してチェ
ックサムを演算する。次に、ステップＳ１２において、
排他的論理和演算部１６がチェックサム演算部１５の演
算結果とバージョン値１４との排他的論理和を計算し、
拡張チェックサムを得る。そして、ステップＳ１３にお
いて、上記格納すべきデータ本体と拡張チェックサムを
ＥＥＰＲＯＭ２４に格納する。
【００２８】図７は、本実施形態によるＥＥＰＲＯＭの
リバート処理を説明するフローチャートである。まず、
ステップＳ２１において、ＥＥＰＲＯＭ２４よりデータ
本体（本実施形態では、図２における、格納データ１１
のうちの拡張チェックサムを除く部分）を読み出す。次
に、ステップＳ２２において、チェックサム演算部１５
が、ステップＳ２１で読み出したデータ本体のチェック
サムを演算する。そして、ステップＳ２３において、排
他的論理和演算部１６がバージョン値１４とステップＳ
２２で得られたチェックサム値との排他論理和を演算す
る。
リバート処理を説明するフローチャートである。まず、
ステップＳ２１において、ＥＥＰＲＯＭ２４よりデータ
本体（本実施形態では、図２における、格納データ１１
のうちの拡張チェックサムを除く部分）を読み出す。次
に、ステップＳ２２において、チェックサム演算部１５
が、ステップＳ２１で読み出したデータ本体のチェック
サムを演算する。そして、ステップＳ２３において、排
他的論理和演算部１６がバージョン値１４とステップＳ
２２で得られたチェックサム値との排他論理和を演算す
る。
【００２９】ステップＳ２４では、比較部１７がステッ
プＳ２３で得られた演算結果とＥＥＰＲＯＭ２４に格納
されている拡張チェックサム値とを比較する。そして、
両者が一致しておれば、当該データ内容は正常であると
して、本処理を終了する。一方、ステップＳ２４の比較
の結果、両者が不一致であった場合には、ステップＳ２
６へ進み、ＥＥＰＲＯＭ２４をリセットする。すなわ
ち、バッファメモリ１２に初期値１３をセットした後
に、上述の図６で説明したフラッシュ処理を実行する。
プＳ２３で得られた演算結果とＥＥＰＲＯＭ２４に格納
されている拡張チェックサム値とを比較する。そして、
両者が一致しておれば、当該データ内容は正常であると
して、本処理を終了する。一方、ステップＳ２４の比較
の結果、両者が不一致であった場合には、ステップＳ２
６へ進み、ＥＥＰＲＯＭ２４をリセットする。すなわ
ち、バッファメモリ１２に初期値１３をセットした後
に、上述の図６で説明したフラッシュ処理を実行する。
【００３０】以上のように、上記実施形態においては、
バッファメモリのデータを不揮発性メモリに書き込むと
同時に、データに対して計算したチェックサム値とバー
ジョン値との排他的論理和が拡張チェックサム値として
不揮発性メモリに書き込まれる。そして、読み出し時に
は、ＥＥＰＲＯＭ２４から読み出したデータに対して計
算したチェックサム値とバージョン値との排他的論理和
が、不揮発性メモリから読み出した拡張チェックサム値
と一致しない場合に、ＥＥＰＲＯＭ２４のデータを初期
値に更新する。
バッファメモリのデータを不揮発性メモリに書き込むと
同時に、データに対して計算したチェックサム値とバー
ジョン値との排他的論理和が拡張チェックサム値として
不揮発性メモリに書き込まれる。そして、読み出し時に
は、ＥＥＰＲＯＭ２４から読み出したデータに対して計
算したチェックサム値とバージョン値との排他的論理和
が、不揮発性メモリから読み出した拡張チェックサム値
と一致しない場合に、ＥＥＰＲＯＭ２４のデータを初期
値に更新する。
【００３１】以上のような処理を実現する上記実施形態
によれば、チェックサム値とバージョン値から合成され
る拡張チェックサム値をＥＥＰＲＯＭに記憶するだけで
ＥＥＰＲＯＭ２４のリセットの要否を判断できるように
なるため、バージョン情報をＥＥＰＲＯＭ２４に格納す
る必要がなくなり、ＥＥＰＲＯＭ２４の使用効率が向上
する。
によれば、チェックサム値とバージョン値から合成され
る拡張チェックサム値をＥＥＰＲＯＭに記憶するだけで
ＥＥＰＲＯＭ２４のリセットの要否を判断できるように
なるため、バージョン情報をＥＥＰＲＯＭ２４に格納す
る必要がなくなり、ＥＥＰＲＯＭ２４の使用効率が向上
する。
【００３２】なお、上記実施形態では、データ全体を一
つのブロックとして捉えた例を説明したが、データが複
数のブロックに別れたものであってもよい。この場合、
例えば、データの性質上相関の高いもの同士をグループ
化して、各グループデータに対してバージョン値および
初期値を設定し、拡張チェックサム格納領域を割り当て
る。すなわち、図１および図２で上述した実施形態の構
成において、ＥＥＰＲＯＭ内に格納データ１１（データ
と拡張チェックサム）を複数個並列にした構成とする。
そして、バージョン値１４を各拡張チェックサム毎に設
けるとともに、上述したチェックサム演算や排他的論理
和演算および比較演算を各バージョン値と拡張チェック
サムの組毎に行うようにする。これによって、プログラ
ムの更新に伴って全データを更新することなく、更新が
必要なグループについてのみデータを更新することがで
きるので、より利便性が高く不揮発性メモリの使用効率
の高い不揮発性メモリデータ更新方法および装置を構成
することができる。また、上記実施形態では、拡張チェ
ックサム演算に排他的論理和を用いたが、算術加算演算
を用いることも可能である。
つのブロックとして捉えた例を説明したが、データが複
数のブロックに別れたものであってもよい。この場合、
例えば、データの性質上相関の高いもの同士をグループ
化して、各グループデータに対してバージョン値および
初期値を設定し、拡張チェックサム格納領域を割り当て
る。すなわち、図１および図２で上述した実施形態の構
成において、ＥＥＰＲＯＭ内に格納データ１１（データ
と拡張チェックサム）を複数個並列にした構成とする。
そして、バージョン値１４を各拡張チェックサム毎に設
けるとともに、上述したチェックサム演算や排他的論理
和演算および比較演算を各バージョン値と拡張チェック
サムの組毎に行うようにする。これによって、プログラ
ムの更新に伴って全データを更新することなく、更新が
必要なグループについてのみデータを更新することがで
きるので、より利便性が高く不揮発性メモリの使用効率
の高い不揮発性メモリデータ更新方法および装置を構成
することができる。また、上記実施形態では、拡張チェ
ックサム演算に排他的論理和を用いたが、算術加算演算
を用いることも可能である。
【００３３】なお、本発明の目的は、前述した実施形態
の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記
録した記憶媒体を、システムあるいは装置に供給し、そ
のシステムあるいは装置のコンピュータ（またはＣＰＵ
やＭＰＵ）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを
読出し実行することによっても、達成されることは言う
までもない。
の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記
録した記憶媒体を、システムあるいは装置に供給し、そ
のシステムあるいは装置のコンピュータ（またはＣＰＵ
やＭＰＵ）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを
読出し実行することによっても、達成されることは言う
までもない。
【００３４】この場合、記憶媒体から読出されたプログ
ラムコード自体が前述した実施形態の機能を実現するこ
とになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は
本発明を構成することになる。
ラムコード自体が前述した実施形態の機能を実現するこ
とになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は
本発明を構成することになる。
【００３５】プログラムコードを供給するための記憶媒
体としては、例えば、フロッピディスク，ハードディス
ク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ
−Ｒ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭな
どを用いることができる。
体としては、例えば、フロッピディスク，ハードディス
ク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ
−Ｒ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭな
どを用いることができる。
【００３６】また、コンピュータが読出したプログラム
コードを実行することにより、前述した実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示
に基づき、コンピュータ上で稼働しているＯＳ（オペレ
ーティングシステム）などが実際の処理の一部または全
部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が
実現される場合も含まれることは言うまでもない。
コードを実行することにより、前述した実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示
に基づき、コンピュータ上で稼働しているＯＳ（オペレ
ーティングシステム）などが実際の処理の一部または全
部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が
実現される場合も含まれることは言うまでもない。
【００３７】さらに、記憶媒体から読出されたプログラ
ムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボード
やコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わる
メモリに書込まれた後、そのプログラムコードの指示に
基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わ
るＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い、そ
の処理によって前述した実施形態の機能が実現される場
合も含まれることは言うまでもない。
ムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボード
やコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わる
メモリに書込まれた後、そのプログラムコードの指示に
基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わ
るＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い、そ
の処理によって前述した実施形態の機能が実現される場
合も含まれることは言うまでもない。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
必要な記憶容量を増加させることなく、プログラム更新
に伴って不揮発性メモリの記憶内容を自動的に更新する
ことが可能となる。
必要な記憶容量を増加させることなく、プログラム更新
に伴って不揮発性メモリの記憶内容を自動的に更新する
ことが可能となる。
【図１】本実施形態において、バッファメモリのデータ
をＥＥＰＲＯＭにフラッシュする様子を示した図であ
る。
をＥＥＰＲＯＭにフラッシュする様子を示した図であ
る。
【図２】本実施形態において、ＥＥＰＲＯＭからバッフ
ァメモリにリバートする様子を示した図である。
ァメモリにリバートする様子を示した図である。
【図３】ＥＥＰＲＯＭを使用した電子機器の構成を説明
する図である。
する図である。
【図４】バッファメモリ内のデータをＥＥＰＲＯＭにフ
ラッシュする一般的な処理を示した図である。
ラッシュする一般的な処理を示した図である。
【図５】ＥＥＰＲＯＭからバッファメモリへのリバート
の一般的な様子を示した図である。
の一般的な様子を示した図である。
【図６】本実施形態によるＥＥＰＲＯＭのフラッシュ処
理を説明するフローチャートである。
理を説明するフローチャートである。
【図７】本実施形態によるＥＥＰＲＯＭのリバート処理
を説明するフローチャートである。
を説明するフローチャートである。
１１，３１ ＥＥＰＲＯＭ １２，３２ バッファメモリ １３，３３ 初期設定値 １４，３４ バージョン値 １５，３５ チェックサム演算部 １６ 排他的論理和演算部 １７ 拡張チェックサム比較部 １８ チェックサム比較部 １９ バージョン比較部 ２１ ＣＰＵ ２２ ＲＯＭ ２３ ＲＡＭ ２４ ＥＥＰＲＯＭ
Claims (11)
- 【請求項１】 書き換え可能な不揮発性メモリと、 前記不揮発性メモリに格納すべき第１のデータに第１の
演算を施して第１の演算データを得る第１演算手段と、 前記第１のデータに係わる第２のデータと、前記第１演
算手段によって得られた前記第１の演算データとを用い
て第２の演算を施し、第２の演算データを得る第２演算
手段と、 前記第１のデータと前記第２の演算データとを前記不揮
発性メモリに格納する格納手段と、 前記不揮発性メモリより前記第１のデータを読み出して
これに前記第１の演算を施し、得られた演算結果と前記
第１のデータに係わる第３のデータとを用いて前記第２
の演算を施す読出演算手段と、 前記読出演算手段で得られた演算結果と前記不揮発性メ
モリに格納された前記第２の演算データとを比較する比
較手段と、 前記比較手段による比較の結果に基づいて前記不揮発性
メモリの記憶内容を管理する管理手段とを備えることを
特徴とするデータ処理装置。 - 【請求項２】 前記第１の演算は、前記第１のデータの
チェックサム演算であることを特徴とする請求項１に記
載のデータ処理装置。 - 【請求項３】 前記第２の演算は、排他的論理和演算も
しくは算術加算演算であることを特徴とする請求項１に
記載のデータ処理装置。 - 【請求項４】前記第２のデータと前記第３のデータは、
前記不揮発性メモリに格納されるべきデータのバージョ
ン値であることを特徴とする請求項１に記載のデータ処
理装置。 - 【請求項５】 前記管理手段は、前記比較手段により比
較されたデータが不一致であると判定した場合に、前記
第１のデータの初期値および前記第２のデータを前記不
揮発性メモリに格納することを特徴とする請求項１に記
載のデータ処理装置。 - 【請求項６】 書き換え可能な不揮発性メモリと、 前記不揮発性メモリに格納すべき第１のデータに第１の
演算を施して第１の演算データを得る第１演算工程と、 前記第１のデータに係わる第２のデータと、前記第１演
算工程によって得られた前記第１の演算データとを用い
て第２の演算を施し、第２の演算データを得る第２演算
工程と、 前記第１のデータと前記第２の演算データとを前記不揮
発性メモリに格納する格納工程と、 前記不揮発性メモリより前記第１のデータを読み出して
これに前記第１の演算を施し、得られた演算結果と前記
第１のデータに係わる第３のデータとを用いて前記第２
の演算を施す読出演算工程と、 前記読出演算工程で得られた演算結果と前記不揮発性メ
モリに格納された前記第２の演算データとを比較する比
較工程と、 前記比較工程による比較の結果に基づいて前記不揮発性
メモリの記憶内容を管理する管理工程とを備えることを
特徴とするデータ処理方法。 - 【請求項７】 前記第１の演算は、前記第１のデータの
チェックサム演算であることを特徴とする請求項６に記
載のデータ処理方法。 - 【請求項８】 前記第２の演算は、排他的論理和演算も
しくは算術加算演算であることを特徴とする請求項６に
記載のデータ処理方法。 - 【請求項９】前記第２のデータと前記第３のデータは、
前記不揮発性メモリに格納されるべきデータのバージョ
ン値であることを特徴とする請求項６に記載のデータ処
理方法。 - 【請求項１０】 前記管理工程は、前記比較工程により
比較されたデータが不一致であると判定した場合に、前
記第１のデータの初期値および前記第２のデータを前記
不揮発性メモリに格納することを特徴とする請求項６に
記載のデータ処理方法。 - 【請求項１１】 コンピュータに、書き換え可能な不揮
発性メモリにおけるデータの格納を管理させるための制
御プログラムを記憶した記憶媒体であって、該制御プロ
グラムが、 前記不揮発性メモリに格納すべき第１のデータに第１の
演算を施して第１の演算データを得る第１演算工程のコ
ードと、 前記第１のデータに係わる第２のデータと、前記第１演
算工程によって得られた前記第１の演算データとを用い
て第２の演算を施し、第２の演算データを得る第２演算
工程のコードと、 前記第１のデータと前記第２の演算データとを前記不揮
発性メモリに格納する格納工程のコードと、 前記不揮発性メモリより前記第１のデータを読み出して
これに前記第１の演算を施し、得られた演算結果と前記
第１のデータに係わる第３のデータとを用いて前記第２
の演算を施す読出演算工程のコードと、 前記読出演算工程で得られた演算結果と前記不揮発性メ
モリに格納された前記第２の演算データとを比較する比
較工程のコードと、 前記比較工程による比較の結果に基づいて前記不揮発性
メモリの記憶内容を管理する管理工程のコードとを備え
ることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335884A JP2000163321A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | データ処理方法および装置および記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335884A JP2000163321A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | データ処理方法および装置および記憶媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000163321A true JP2000163321A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18293463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10335884A Withdrawn JP2000163321A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | データ処理方法および装置および記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000163321A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060186A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Kyosan Electric Mfg Co Ltd | プログラム書込み装置 |
| JP2013050839A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Nec Computertechno Ltd | 情報処理装置、情報処理方法、及び情報処理プログラム |
| CN109669628A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-04-23 | 广州市中海达测绘仪器有限公司 | 基于flash设备的数据存储管理方法及装置 |
-
1998
- 1998-11-26 JP JP10335884A patent/JP2000163321A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060186A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Kyosan Electric Mfg Co Ltd | プログラム書込み装置 |
| JP2013050839A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Nec Computertechno Ltd | 情報処理装置、情報処理方法、及び情報処理プログラム |
| CN109669628A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-04-23 | 广州市中海达测绘仪器有限公司 | 基于flash设备的数据存储管理方法及装置 |
| CN109669628B (zh) * | 2018-11-14 | 2024-04-19 | 广州市中海达测绘仪器有限公司 | 基于flash设备的数据存储管理方法及装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060207 |