JP2000160391A - 半導体基板のメッキ方法およびメッキ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハの配線溝内の気体を完全に排出してメ
ッキ処理を行い得る半導体基板のメッキ方法ならびにメ
ッキ装置を簡易な構成にて提供する。 【解決手段】 ウエハ２に形成された配線溝３８にメッ
キ処理により金属膜を形成するウエハ２のメッキ装置で
あって、ウエハ２が配線溝３８の開口部を上側に向けた
状態で配置される円筒形のメッキ処理槽３１と、メッキ
処理槽３１の内壁に形成され、その内壁面に沿った方向
にメッキ液を噴出させてメッキ処理槽３１内のウエハ２
上方にメッキ液の回転流を形成するメッキ液供給口３４
とを有する。メッキ処理槽３１のウエハ２の上方にはア
ノードバスケット３２が配設され、ウエハ２は、配線溝
を上に向けた状態でメッキ処理が施される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術に関し、特に、ウエハのメッキ処理に適用して有効
な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造用のウエハは、その前工程に
おいて、前処理、メッキ、洗浄、乾燥等のウエハ処理工
程を経た後、後工程の処理が行われる。従来、これらの
処理のうちメッキ処理工程においては、メッキ槽上部に
ウエハのプロセス処理面を下に向けて配置し、ウエハの
エッジ部にマイナス電極を接触させると共に、メッキ槽
下部にプラス電極を配設し、メッキ槽下部からメッキ液
をウエハに向けて供給して銅電解メッキを行っていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のメッキ装置では、プロセス処理面を下に向け
たいわゆるフェイスダウン型の装置であるため、電解メ
ッキに際して発生するガスがプロセス処理面に形成され
た配線溝に滞留し易い。また、条件によってはカソード
側からもガスが発生することがあり、かかるガスはメッ
キ槽の上側、すなわちウエハの下面に溜まり易い。これ
に対しメッキ液を下側から噴出させることにより、発生
ガスをメッキ液もろとも槽外に押し流すものもあるが、
メッキ液の噴流では配線溝内に滞留したガスを完全に除
去できないおそれもあり、また、メッキ液流に吹き溜ま
りが生じそこにガスが対流するおそれもある。特に、ア
スペクト比の高いウエハではガス残留の可能性が高く、
その改善が望まれていた。

【０００４】さらに、配線溝内にはメッキ処理以前には
気体が入り込んでいるため、フェイスダウン型の場合、
溝内の気体が保持されたまま装置に固定され、かつ、そ
れは自然には抜け出ない状態にある。従って、メッキ液
を下側から噴出させても溝内から気体を十分に排出でき
ないおそれがあり、先の発生ガスの滞留も含め、溝内に
メッキ液が完全に浸入せず成膜が不完全になるという問
題もあった。特に、アスペクト比の高いものの場合に
は、溝内に入り込んだ発生ガスや既存の気体が排出され
にくくその改善が望まれていた。

【０００５】一方、溶解性のアノードを用いた場合に
は、微細なパーティクル状のものが発生する場合があ
り、それがウエハの溝に入り込むとこれも成膜不良の原
因となる。ところが、前述のような装置では、メッキ液
をオーバーフローさせて循環させるようにしても、その
一部がメッキ槽内を対流するため、一旦メッキ液中にパ
ーティクル状のものが発生するとそれがなかなか排出さ
れず、ウエハの成膜処理の妨げとなるという問題もあっ
た。

【０００６】本発明の目的は、ウエハ表面、特にその配
線溝内の気体を完全に排出してメッキ処理を行い得る半
導体基板のメッキ方法ならびにメッキ装置を簡易な構成
にて提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板のメ
ッキ方法は、メッキ処理槽内に配置された半導体基板に
メッキ処理により金属膜を形成する半導体基板のメッキ
方法であって、前記メッキ処理槽の内壁から内壁面に沿
った方向にメッキ液を噴出させることにより前記半導体
基板上方に前記メッキ液の回転流を形成してメッキ処理
を行うことを特徴としている。

【０００８】この場合、前記半導体基板を前記半導体基
板に形成された配線溝を上側に向けた状態で前記メッキ
処理槽内に配置し、前記半導体基板の上方にアノード電
極を配設してメッキ処理を行うようにしても良く、ま
た、前記メッキ処理槽の内壁を回転流が形成され易いよ
うに円筒形に形成しても良い。

【０００９】一方、本発明の半導体基板のメッキ装置
は、メッキ処理槽内に配置された半導体基板にメッキ処
理により金属膜を形成する半導体基板のメッキ装置であ
って、前記メッキ処理槽の内壁に形成され、前記内壁面
に沿った方向にメッキ液を噴出させ、前記メッキ処理槽
内の前記半導体基板上方に前記メッキ液の回転流を形成
するメッキ液供給口を有することを特徴としている。

【００１０】この場合、前記半導体基板を前記半導体基
板に形成された配線溝を上側に向けた状態で前記メッキ
処理槽内に配置し、前記メッキ処理槽の前記半導体基板
の上方にアノード電極が配設するようにしても良く、ま
た、前記メッキ処理槽の内壁を回転流が形成され易いよ
うに円筒形に形成しても良い。

【００１１】これにより、半導体基板を回転させること
なく、メッキ液が半導体基板上にまんべんなく行き渡る
と共に、半導体基板上においてメッキ液が回転液流をな
すためメッキ液が常に撹拌された状態となる。従って、
半導体基板近傍のイオン濃度低下を減少させ良好な電解
メッキを施すことが可能となる。さらに、半導体基板表
面上にて気泡が発生しても、回転液流により気泡が半導
体基板表面から払いのけられるため気泡が半導体基板上
には残存せず、気泡によるメッキ不良を防止することが
できる。

【００１２】一方、半導体基板がそのプロセス処理面を
上に向けて載置されているため、配線溝内の気体がメッ
キ液内に放出され易いようになっており、メッキ液の噴
流とともに配線溝内から気体を完全に排出できる。ま
た、半導体基板上にて発生した気泡も配線溝内に入り込
むことがなく、従来のフェイスダウン型の装置のように
配線溝内に気体が残存したり気泡が入り込んだりするこ
ともない。さらに、例えば不溶性アノードとしてアノー
ドバスケットを用いた場合などアノード側からガスが発
生する状況であっても、アノードが半導体基板の上方に
位置する構成となっているため、発生したガスは半導体
基板には向かうことなくメッキ処理槽外に排出される。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図１は本発明によるメッキ
方法を適用した半導体製造装置の概要を示す説明図、図
２〜図４は図１の半導体製造装置の要部構成を示す説明
図であり、図２は平面図、図３は正面図、図４は右側面
図である。

【００１４】本発明による半導体製造装置は、いわゆる
ダマシンプロセスにおいて、例えば８インチのウエハに
銅を成膜するメッキ処理するための装置である。当該装
置では、円盤状の回転テーブル（以下、テーブルと略記
する）１上にウエハ（半導体基板）２を載置し、テーブ
ル１を回転させて各処理工程にウエハ２を移送するよう
になっている。

【００１５】当該装置は、図１に示したように、モータ
等の収容される駆動ユニット３上にテーブル１を配設
し、それをカバー４にて覆った構成となっている。な
お、図２〜図４はカバー４を省略した図となっている。
この場合、ウエハ２はマガジン等によってウエハ供給部
５に搬送され、バキュームによりウエハ２を吸着搬送す
るハンドリング装置（基板移送装置）６によってテーブ
ル１に移送される。このテーブル１上に置かれたウエハ
２は、テーブル１の回転に伴い、そのままハンドリング
されることなく前処理、メッキ、洗浄、乾燥の各処理工
程に順に移送される。そして、乾燥処理が終了した後、
再びハンドリング装置６によってテーブル１から取り出
され、ウエハ収納部７に移送される。

【００１６】ここで、テーブル１は、図２〜４に示した
ように駆動ユニット３内に配設されたモータ８によって
回転軸９を中心に回転するようになっている。この際、
テーブル１は、割り出しユニットにより所定角度にて回
転・停止できるようになっている。

【００１７】また、テーブル１の外周側には、外周壁１
０、内周壁１１および放射状に設けられた隔壁１２によ
って各々隔離形成されたウエハ収容室（基板収容部）１
８が円周方向に沿って複数設けられている。そして、回
転軸９の回転に伴い、これらのウエハ収容室１８が回転
軸９を中心として円周方向に回転する。なお、当該装置
ではこのウエハ収容室１８が処理工程数に対応して８個
設けられているが、その数は適宜変更可能である。

【００１８】このウエハ収容室１８内にはそれぞれ、円
板状のチャックテーブル１９が設けられており、この上
にウエハ２が載せられる。チャックテーブル１９の下部
には回転軸１３が設けられており、この回転軸１３は磁
気カップリング１４を介してモータ１５により非接触状
態で駆動される。これにより、テーブル１が回転して
も、機械的な接点を断続することなくチャックテーブル
１９の回転駆動を行うことが可能になっている。そし
て、この磁気カップリング１４の作用により、回転軸１
３がモータ１５により駆動され、チャックテーブル１９
上に載置されたウエハ２が回転するようになっている。
なお、モータ１５はウエハ２を回転させる必要がある処
理を行う位置にのみ設けられている。

【００１９】さらに、ウエハ収容室１８の内周側下部に
は、メッキ液や洗浄液等をウエハ収容室１８内から流出
させるための排液口１６が設けられている。またこれに
対応してテーブル１の下側には、排液流路１７が各処理
工程毎にそれぞれ設けられている。すなわち、排液口１
６は、例えばウエハ収容室１８がメッキ処理位置にある
ときにはメッキ液用の排液流路１７と、また、洗浄処理
位置にあるときには洗浄液用の排液流路１７と連通す
る。従って、それぞれの排液が別個に回収処理され、異
なる種類の排液が混じりあうことがないようになってい
る。

【００２０】一方、テーブル１の周囲には、基板処理部
として各処理工程を行うための各種装置が、ウエハ収容
室１８の形成間隔に対応して４５゜ピッチで配設されて
いる。この場合、図２においての位置には前処理装置
２１、〜にはメッキ装置２２ａ〜２２ｄ、には洗
浄装置２３、には乾燥装置２４が設けられている。す
なわち、テーブル１に載せられたウエハ２は、テーブル
１の回転に伴い前処理、メッキ処理、洗浄処理、乾燥処
理が順に実行され、の供給／収納位置に戻るようにな
っている。

【００２１】ここで当該半導体製造装置では、メッキ装
置２２ａ〜２２ｄとして、ウエハ２のプロセス処理面に
形成された配線溝の開口部を上側に向けた状態でメッキ
処理が実施できるメッキ装置が採用されている。図５は
メッキ装置２２ａ〜２２ｄの構成を示す説明図、図６は
テーブル１とメッキ装置２２ａとの関係を示した説明
図、図７はメッキ装置２２ａを上方から見た説明図、図
８は側方から見た説明図、図９はメッキ処理槽の底面側
の構成を示す説明図、図１０はメッキ液の供給・排出口
の構成を示す説明図である。なお、メッキ装置２２ａ〜
２２ｄは同一の構成であるため、ここではメッキ装置２
２ａを例にとって説明する。

【００２２】本発明によるメッキ装置２２ａでは、ウエ
ハ２がそのプロセス処理面を上にして配置される。すな
わち、図８に示したように、ウエハ２上に形成された配
線溝３８がその開口部を上に向けて配置される。なお、
図８においては、微細な配線溝３８を理解が容易なよう
に誇張して示している。

【００２３】また、当該メッキ装置２２ａでは、円筒状
のメッキ処理槽３１が昇降装置３６によってウエハ収容
室１８内に下降してメッキ処理が行われる。メッキ処理
槽３１は、アノード電極としてチタン製のアノードバス
ケット３２を備えており、メッキ処理に際しメッキ処理
槽３１がウエハ収容室１８内に下降するとウエハ２の上
方にアノード電極が来るようになっている。なお、本装
置ではアノードバスケット３２内に溶解アノードとして
銅材３７が収容されており、ウエハ２に銅メッキが施さ
れるようになっている。

【００２４】また、メッキ処理槽３１の底部には、円周
方向に沿ってチタンバネ鋼製のカソード電極３３が２個
配設されている。これらのカソード電極３３は、メッキ
処理に際しメッキ処理槽３１が下降するとウエハ２の上
面に接触するようになっている。

【００２５】一方、当該メッキ装置２２ａでは、チャッ
クテーブル１９は回転せず、メッキ液の噴出流によって
メッキ処理が行われる。図７，１０に示したように、こ
こではメッキ処理槽３１の下部には槽内壁面に開口した
メッキ液供給口３４が設けられている。また、メッキ処
理槽３１の中程でメッキ液供給口３４より上方には、槽
内壁面に開口したメッキ液排出口３５が設けられてい
る。そして、メッキ処理槽３１内には、メッキ液供給口
３４より槽内壁に沿ってメッキ液が噴出され、メッキ液
排出口３５から槽外へと排出される。

【００２６】この場合、メッキ液供給口３４からのメッ
キ液の噴出に伴い、メッキ処理槽３１内には図７にて矢
印にて示したような渦状の回転液流が生じる。このた
め、メッキ液は、ウエハ２を回転させなくともウエハ２
上にまんべんなく行き渡り、所望の電解メッキをムラな
く施すことが可能となる。また、ウエハ２を回転させる
ための構成を省くことができ装置構成の簡略化を図るこ
とが可能となる。

【００２７】このように、本装置ではかかるメッキ方法
の採用により、ウエハ２のプロセス処理面を上に向けた
状態でメッキ処理を行うことができ、さらに、ウエハ２
を回転させる構成を要することなくウエハ２上に均質な
メッキ処理を施すことが可能となる。また、従来のメッ
キ装置と異なり、ウエハ２のプロセス処理面を上に向け
てテーブル１上に載置できるため、本装置ではウエハ２
をテーブル１に載せたまま他の処理を順に行うことが可
能となっている。

【００２８】そこで、次に当該装置によるウエハの処理
について説明する。ここでは、まずウエハ供給部５から
ウエハ２がテーブル１上に移送される。すなわち、ウエ
ハ供給部５からハンドリング装置６によってウエハ２が
取り出され、それが図２においての位置のチャックテ
ーブル１９上に搬送される。

【００２９】チャックテーブル１９上にウエハ２が載置
されると、テーブル１が所定角度回転し（当該装置では
４５゜）の位置にて停止する。そして、ウエハ２に
は、この位置にて前処理装置２１により前処理工程が実
行される。一方、この際の位置には次のウエハ２がチ
ャックテーブル１９上に載せられる。そして、以後テー
ブル１が回転するたびに、の位置ではウエハ２がチャ
ックテーブル１９上に移送される。

【００３０】次に、例えば１分間等の所定時間が経過
し、の位置にて前処理が終了するとテーブル１が回転
してウエハ２はの位置に移送される。そして、この
の位置からの位置までの間にメッキ装置２２ａ〜２２
ｄにより、ウエハ２に銅メッキ処理が施される。この
際、当該装置では、前述のようにウエハ２の配線溝３８
の開口部を上側に向けた状態でメッキ処理が実施できる
ようになっている。

【００３１】すなわち、ウエハ２がの位置に来ると昇
降装置３６によりメッキ処理槽３１が下げられ、その下
端部がウエハ収容室１８内に入りカソード電極３３がウ
エハ２の上面に接触する。次に、メッキ液供給口３４よ
り槽内壁に沿ってメッキ液が噴出され、これによりメッ
キ処理槽３１内には回転液流が生じる。これにより、メ
ッキ液がウエハ２上にまんべんなく行き渡る。また、ウ
エハ２上においてメッキ液が回転液流をなすため、メッ
キ液が常に撹拌された状態となり、ウエハ２近傍のイオ
ン濃度低下を減少させ良好な電解メッキを施すことが可
能となる。さらに、ウエハ２表面上にて気泡が発生して
も、回転液流により気泡がウエハ２表面から払いのけら
れるためウエハ２上には残存せず、気泡によるメッキ不
良を防止することができる。

【００３２】メッキ液が供給され、その液面がアノード
バスケット３２内の銅材３７の位置まで上がると、アノ
ードバスケット３２に図示しない電源から電流が供給さ
れ電解メッキ処理が開始される。すなわち、アノード側
の銅材３７から銅が溶出し、カソード側のウエハ２に銅
が析出する。なお、余分なメッキ液はメッキ液排出口３
５から排出され、ウエハ収容室１８の排液口１６から排
液流路１７を介して系外に導かれる。

【００３３】この際当該メッキ装置では、ウエハ２がそ
のプロセス処理面を上に向けて載置されているため、プ
ロセス処理面上に形成された微細な配線溝３８は、上側
に開口した状態でチャックテーブル１９上に載せられて
いることになる。従って、ここでは配線溝３８内の気体
がメッキ液内に放出され易いようになっており、メッキ
液の噴流とともに配線溝３８内から気体を完全に排出で
きる。また、ウエハ２上にて発生した気泡も配線溝３８
内に入り込むことがなく、従来のフェイスダウン型の装
置のように配線溝３８内に気体が残存したり気泡が入り
込んだりすることもない。さらに、例えば不溶性アノー
ドとしてアノードバスケット３２を用いた場合などアノ
ード側からガスが発生する状況であっても、アノードが
ウエハ２の上方に位置する構成となっているため、発生
したガスはウエハ２には向かうことなくメッキ処理槽３
１外に排出される。

【００３４】〜の位置では、テーブル１を所定時間
毎に回転させて前述同様の処理によりウエハ２に対し順
にメッキ処理を行う。このようにテーブル１を所定イン
ターバルにて回転させ、〜の位置で順にメッキ処理
を行った後、ウエハ２はの位置に送られ洗浄装置２３
により洗浄処理が行われる。そして、さらに所定時間経
過後、の位置に送られて乾燥装置２４により乾燥処理
が行われる。この際、当該装置では、メッキ処理もいわ
ゆるフェイスアップ状態で行われるため、他の処理に移
行する際にウエハ２を反転させる必要がなく、従って、
一連の処理をテーブル１の回転によって行うことが可能
となっている。

【００３５】このような〜の一連の処理が終了する
と、ウエハ２は再びの位置に戻り、再びハンドリング
装置６によってテーブル１から取り出されてウエハ収納
部７に移送される。そして、処理済みのウエハ２が取り
出された後には、未処理のウエハ２がハンドリング装置
６によってウエハ供給部５から運び込まれ、以後これら
の処理がテーブル１を回転しつつ連続的に実施される。

【００３６】このように当該装置では、ウエハ２は、ハ
ンドリング装置６によって１回だけテーブル１上に搬送
されるだけですべての処理が実行され、また、最後の１
回の収容動作のみでウエハ収納部７に収容される。従っ
て、従来の装置のように、各処理毎にハンドリングを繰
り返す必要がなく、ウエハ処理工程時におけるトラブル
の機会を最小限に抑えることが可能となる。また、ハン
ドリング装置６の動作も単純化されるため、装置構成も
簡略化される。

【００３７】さらに、ハンドリング装置６は、ドライな
状態の未処理ウエハと、乾燥処理の終わったドライな状
態のウエハのみを取り扱い、メッキ等の処理中のウエッ
トな状態のウエハをハンドリングする必要がない構成と
なっている。従って、ハンドリング装置６に簡略な構成
のバキューム装置を採用することができ、さらに、耐薬
性、耐液性のある素材や構成を採る必要もない。従っ
て、装置の構成の簡略化と共に、装置コストの削減も図
られる。

【００３８】本発明は前記実施の形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能で
あることはいうまでもない。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、メッキ処理槽の内壁か
ら内壁面に沿った方向にメッキ液を噴出させ、メッキ処
理槽内のウエハ上方にメッキ液の回転流を形成してメッ
キ処理を行うようにしたことにより、ウエハを回転させ
ることなく、メッキ液をウエハ上にまんべんなく行き渡
らせることが可能となる。また、ウエハ上においてメッ
キ液が回転液流をなすためメッキ液が常に撹拌された状
態となり、ウエハ近傍のイオン濃度低下を減少させ良好
な電解メッキを施すことが可能となる。さらに、ウエハ
表面上にて気泡が発生しても、回転液流により気泡がウ
エハ表面から払いのけられるため気泡がウエハ上には残
存せず、気泡によるメッキ不良を防止することができ
る。

【００４０】加えて、ウエハがプロセス処理面を上に向
けた状態でメッキ処理することにより、配線溝内の気体
がメッキ液内に放出され易く、メッキ液の噴流とともに
配線溝内から気体を完全に排出できる。また、ウエハ上
にて発生した気泡も配線溝内に入り込むことがなく、従
来のフェイスダウン型の装置のように配線溝内に気体が
残存したり気泡が入り込んだりすることがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体製造装置の
概要を示す説明図である。

【図２】図１の半導体製造装置の要部構成を示す説明図
であり、当該半導体製造装置を上方から見た場合の概要
を示す図である。

【図３】図１の半導体製造装置の要部構成を示す説明図
であり、当該半導体製造装置を正面方向から見た場合の
概要を示す図である。

【図４】図１の半導体製造装置の要部構成を示す説明図
であり、当該半導体製造装置を右側面方向から見た場合
の概要を示す図である。

【図５】メッキ装置の構成を示す説明図である

【図６】回転テーブルとメッキ装置との関係を示した説
明図である。

【図７】メッキ装置を上方から見た説明図である。

【図８】メッキ装置を側方から見た説明図である。

【図９】メッキ処理槽の底面側の構成を示す説明図であ
る。

【図１０】メッキ装置のメッキ液供給口およびメッキ液
排出口の構成を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 回転テーブル ２ ウエハ（半導体基板） ３ 駆動ユニット ４ カバー ５ ウエハ供給部 ６ ハンドリング装置（基板移送装置） ７ ウエハ収納部 ８ モータ ９ 回転軸 １０ 外周壁 １１ 内周壁 １２ 隔壁 １３ 回転軸 １４ 磁気カップリング １５ モータ １６ 排液口 １７ 排液流路 １８ ウエハ収容室（基板収容部） １９ チャックテーブル ２１ 前処理装置（前処理部） ２２ａ〜２２ｄ メッキ装置（メッキ処理部） ２３ 洗浄装置（洗浄部） ２４ 乾燥装置（乾燥部） ３１ メッキ処理槽 ３２ アノードバスケット ３３ カソード電極 ３４ メッキ液供給口 ３５ メッキ液排出口 ３６ 昇降装置 ３７ 銅材 ３８ 配線溝

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 メッキ処理槽内に配置された半導体基板
   にメッキ処理により金属膜を形成する半導体基板のメッ
   キ方法であって、 前記メッキ処理槽の内壁から内壁面に沿った方向にメッ
   キ液を噴出させることにより前記半導体基板上方に前記
   メッキ液の回転流を形成してメッキ処理を行うことを特
   徴とする半導体基板のメッキ方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体基板のメッキ方法
   において、前記半導体基板を前記半導体基板に形成され
   た配線溝を上側に向けた状態で前記メッキ処理槽内に配
   置し、前記半導体基板の上方にアノード電極を配設して
   メッキ処理を行うことを特徴とする半導体基板のメッキ
   方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体基板のメ
   ッキ方法において、前記メッキ処理槽の内壁が円筒形で
   あることを特徴とする半導体基板のメッキ方法。
4. 【請求項４】 メッキ処理槽内に配置された半導体基板
   にメッキ処理により金属膜を形成する半導体基板のメッ
   キ装置であって、 前記メッキ処理槽の内壁に形成され、前記内壁面に沿っ
   た方向にメッキ液を噴出させ、前記メッキ処理槽内の前
   記半導体基板上方に前記メッキ液の回転流を形成するメ
   ッキ液供給口を有することを特徴とする半導体基板のメ
   ッキ装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体基板のメッキ装置
   において、前記半導体基板が前記半導体基板に形成され
   た配線溝を上側に向けた状態で前記メッキ処理槽内に配
   置され、前記メッキ処理槽の前記半導体基板の上方にア
   ノード電極が配設されることを特徴とする半導体基板の
   メッキ装置。
6. 【請求項６】 請求項４または５記載の半導体基板のメ
   ッキ装置であって、前記メッキ処理槽の内壁が円筒形で
   あることを特徴とする半導体基板のメッキ装置。