JP2000158580A - Metal body having insulating layer, heater using it, and hot roller for fixing - Google Patents

Metal body having insulating layer, heater using it, and hot roller for fixing

Info

Publication number
JP2000158580A
JP2000158580A JP10337229A JP33722998A JP2000158580A JP 2000158580 A JP2000158580 A JP 2000158580A JP 10337229 A JP10337229 A JP 10337229A JP 33722998 A JP33722998 A JP 33722998A JP 2000158580 A JP2000158580 A JP 2000158580A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating layer
metal body
metal
atomic
magnesium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10337229A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kyoji Uchiyama
京治 内山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP10337229A priority Critical patent/JP2000158580A/en
Publication of JP2000158580A publication Critical patent/JP2000158580A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a metal body having good moisture resistance by setting up the quantities of magnesium and oxygen elements in a metal surface in contact with an insulating layer of an organic material in an atomic ratio of a specified value or below. SOLUTION: In a metal body 1 of an aluminum pipe, the surface in which the quantity of elemental magnesium is set up at 25 atom % or below, and the quantity of elemental oxygen is set up at 55 atom % or below is cleaned and dried, and an insulating layer 2 is formed on the surface. Moreover, a heating element 3 comprising a print-formed electrode 5 containing Ag as a main component, Ni foil, and others is formed on the layer 2. After the electrode member 5 is fixed to the heating element 3 through a conductive adhesive 4, a releasing layer 6 is formed on the outer surface of the metal body 1 of aluminum. In this way, the adhesion between the insulating layer 2 and the metal body 1 is improved, and the peeling of the layer 2 can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、表面に主として有
機材料からなる絶縁層を形成した金属体とこれを用いた
ヒーターに関するものであり、具体的には半導体素子搭
載用のパッケージや、複写機、プリンター等電子写真装
置のトナー定着用加熱ヒーターに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal body having an insulating layer mainly made of an organic material on a surface thereof and a heater using the same. More specifically, the present invention relates to a package for mounting a semiconductor element and a copying machine. And a heater for fixing toner of an electrophotographic apparatus such as a printer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体素子搭載用パッケージは、
主としてセラミックスが使用されていた。ところが、最
近の半導体素子は、高密度化が進み、それにつれて半導
体素子の発熱量が増加するようになった。半導体素子の
温度が上昇すると、素子の誤動作の確率が高くなるの
で、素子の冷却が課題となってきてる。
2. Description of the Related Art Conventionally, packages for mounting semiconductor elements are:
Ceramics were mainly used. However, in recent years, the density of a semiconductor device has been increased, and accordingly, the calorific value of the semiconductor device has been increased. When the temperature of a semiconductor element rises, the probability of malfunction of the element increases, so that cooling of the element has become an issue.

【0003】その対策として、パッケージ自体の熱伝導
率を向上させるため、基材のセラミックスを従来の酸化
アルミニウムから高熱伝導性の窒化アルミニウムに変更
しようという動きがある。
As a countermeasure, there is a movement to change the ceramics of the base material from conventional aluminum oxide to aluminum nitride having high thermal conductivity in order to improve the thermal conductivity of the package itself.

【0004】しかし、窒化アルミニウムについては、酸
化アルミニウムに較べると、内部配線や外部メタライズ
の技術が確立されておらず、実用化には至っていない。
However, compared to aluminum oxide, aluminum nitride has not yet been put into practical use because the technology for internal wiring and external metallization has not been established.

【0005】そこで、セラミックスよりさらに熱伝導率
が良好な金属材料を基材にし、ポリイミド等の絶縁性有
機材料を介してAgやCuを内部配線した半導体素子用
のパッケージが提案されている。このタイプのパッケー
ジは、ポリイミド等の絶縁性有機材料を絶縁層として使
用することにより、絶縁層の比誘電率を4程度に低減で
きるので、信号伝搬遅延時間の短縮にも効果が期待でき
る。
Therefore, a package for a semiconductor element has been proposed in which a metal material having better thermal conductivity than ceramics is used as a base material and Ag or Cu is internally wired through an insulating organic material such as polyimide. In this type of package, the relative dielectric constant of the insulating layer can be reduced to about 4 by using an insulating organic material such as polyimide as the insulating layer, so that the effect of shortening the signal propagation delay time can be expected.

【0006】また、プリンタ等の電子写真装置における
トナー定着装置は、発熱手段を備えたヒートローラー
と、加圧ローラーを対向して配置し、これらのローラ間
に印字後の用紙を通過させることによって、トナーを定
着するようになっている。
In a toner fixing device in an electrophotographic apparatus such as a printer, a heat roller having a heat generating means and a pressure roller are arranged to face each other, and the printed paper is passed between these rollers. The toner is fixed.

【0007】そして、上記ヒートローラとしてはアルミ
ニウムやステンレス等の金属パイプ中にハロゲンランプ
等の加熱素子を設けたものが用いられてきたが、発熱効
率が悪いため1分以上のウォームアップ時間が必要であ
り、また消費電力も大きいという問題があった。
[0007] As the above-mentioned heat roller, a roller in which a heating element such as a halogen lamp is provided in a metal pipe such as aluminum or stainless steel has been used. However, since the heat generation efficiency is poor, a warm-up time of one minute or more is required. However, there is a problem that power consumption is large.

【0008】そこで、最近、複写機等に装備されるトナ
ー定着用ヒートローラーとして、急速昇温、高熱効率、
低消費電力の特徴を持つ、図1に示す構造の直接加熱式
のヒートローラーが最近考案され主流になろうとしてい
る。図1に示すごとく、上記ヒートローラーは金属パイ
プ1外部に離形層6を、内部にポリイミド等の高耐熱性
の絶縁層2、該絶縁層上に発熱抵抗体3を有し、該発熱
抵抗体に給電するための電極部5が導電性接着剤4によ
って接着されている。該電極部5に給電部7より通電す
ることにより発熱抵抗体3が発熱し絶縁層2を介して、
金属パイプ1を加熱する構造となっている。
Therefore, recently, a heat roller for fixing a toner, which is equipped in a copying machine or the like, has a rapid temperature rise, high heat efficiency,
A heat roller of a direct heating type having a structure shown in FIG. 1 having a feature of low power consumption has recently been devised and is about to become mainstream. As shown in FIG. 1, the heat roller has a release layer 6 outside a metal pipe 1, an insulating layer 2 of high heat resistance such as polyimide inside, and a heating resistor 3 on the insulating layer. An electrode portion 5 for supplying power to the body is adhered by a conductive adhesive 4. When power is supplied to the electrode unit 5 from the power supply unit 7, the heating resistor 3 generates heat, and the heating resistor 3 passes through the insulating layer 2.
The structure is such that the metal pipe 1 is heated.

【0009】上記のように、金属体に、有機材料からな
る絶縁層を形成し、その上もしくは内部に発熱抵抗体
や、AgやCuを主成分とする配線材料を配した金属体
が注目されている。
As described above, a metal body in which an insulating layer made of an organic material is formed on a metal body and a heating resistor or a wiring material containing Ag or Cu as a main component is disposed on or in the inside thereof has attracted attention. ing.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ば、半導体素子搭載用のパッケージやプリンターの定着
用ヒートローラー等に使用される絶縁層を備えた金属体
の使用環境を考えると、真冬の低温で乾燥した雰囲気中
に晒される場合と、梅雨時の高温多湿の雰囲気中に晒さ
れる場合と、さまざまな環境下で使用されることにな
る。たとえば、前述の急速昇温タイプのヒートローラー
は、金属パイプ内の絶縁層がポリイミドに代表されるよ
うな有機材料により構成される場合が多いので、特に高
温多湿環境下での安定した作動性が重要となる。ところ
が、前述の急速昇温タイプのヒートローラーは、高温多
湿状態に放置された後、急速昇温させると、絶縁層に吸
収された水分が瞬間的に蒸発し、このとき発生する応力
により、絶縁層が金属パイプから剥離するおそれがあっ
た。その絶縁層の剥離は、絶縁層上の発熱抵抗体に亀裂
を生じさせ、最終的には発熱抵抗体が異常発熱し、焼損
に至ってしまうという課題があった。
However, considering the use environment of a metal body having an insulating layer used for a package for mounting a semiconductor element, a heat roller for fixing a printer, and the like, for example, drying at a low temperature in the middle of winter. It is used in various environments, such as when exposed to a humid atmosphere and when exposed to a hot and humid atmosphere during the rainy season. For example, the above-mentioned rapid temperature rising type heat roller often has an insulating layer in a metal pipe made of an organic material typified by polyimide, and thus has a stable operability particularly in a high-temperature and high-humidity environment. It becomes important. However, when the heat roller of the above-mentioned rapid temperature rise type is left in a high-temperature and high-humidity state and then rapidly rises in temperature, the moisture absorbed in the insulating layer evaporates instantaneously, and the stress generated at this time causes insulation. There was a risk that the layer would peel off from the metal pipe. The exfoliation of the insulating layer causes a problem in that the heating resistor on the insulating layer is cracked, and the heating resistor eventually generates abnormal heat, resulting in burning.

【0011】[0011]

【目的】本発明は、上記のような絶縁層を備えた金属体
における有機材料からなる絶縁層の剥離を防止するため
に成したもので、高温多湿状態に放置されても、長期に
亘り正常に作動することが可能な、半導体素子搭載用パ
ッケージやプリンターの定着用ヒートローラに代表され
る表面に有機材料からなる絶縁層を備えた金属体を供給
することにある。
An object of the present invention is to prevent the peeling of an insulating layer made of an organic material in a metal body having an insulating layer as described above. Another object of the present invention is to provide a metal body having an insulating layer made of an organic material on a surface typified by a package for mounting a semiconductor element or a heat roller for fixing of a printer, which can be operated.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、表面に主とし
て有機材料からなる絶縁層を備えた金属体であって、絶
縁層と接する金属表面におけるマグネシウム元素量を2
5原子%以下にすることにより、耐湿性の良好な金属体
を作製するようにした。また、金属体表面の酸素元素量
を55原子%以下にすることにより、耐湿性良好な金属
体を作製するようにした。これらの操作は、各々独立し
て金属体からの絶縁層の剥離防止に効果がある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a metal body having an insulating layer mainly composed of an organic material on the surface, wherein the amount of magnesium element on the metal surface in contact with the insulating layer is 2%.
By adjusting the content to 5 atomic% or less, a metal body having good moisture resistance was produced. Further, by setting the amount of oxygen element on the surface of the metal body to 55 atomic% or less, a metal body having good moisture resistance was produced. These operations are each independently effective in preventing the insulating layer from peeling off from the metal body.

【0013】本発明は、上記の絶縁層を備えた金属体を
用いてヒーターや定着用ヒートローラや半導体素子搭載
用基板を構成したことを特徴とする。
The present invention is characterized in that a heater, a heat roller for fixing, and a substrate for mounting a semiconductor element are formed using the metal body having the above-mentioned insulating layer.

【0014】[0014]

【作用】本発明者等が、鋭意検討した結果、絶縁層を備
えた金属体において、高温多湿条件下に長時間放置した
後作動させた場合に発生する絶縁層の剥離と、金属表面
のマグネシウム元素量の間に相関があることを見出し
た。
As a result of extensive studies by the present inventors, in a metal body having an insulating layer, peeling of the insulating layer which occurs when the metal body is operated after being left for a long time under a high temperature and high humidity condition, and magnesium on the metal surface. It has been found that there is a correlation between the amounts of elements.

【0015】即ち、表面のマグネシウム元素は、酸化物
もしくは水酸化物となっており、この酸化マグネシウム
もしくは水酸化マグネシウムの吸湿もしくは急加熱時の
水分蒸発による体積膨張により、金属体表面から絶縁層
が剥離してしまうものと推定する。
That is, the magnesium element on the surface is an oxide or a hydroxide, and the insulating layer is formed from the surface of the metal body by volume expansion due to moisture absorption or rapid evaporation of the magnesium oxide or magnesium hydroxide. It is presumed that it will peel.

【0016】また、酸素元素による影響については、金
属表面に脆い酸化層が形成されると、加熱冷却のサイク
ルにより、酸化層が剥離し、絶縁層が剥離し易くなるか
らである。
[0016] Further, regarding the influence of the oxygen element, if a brittle oxide layer is formed on the metal surface, the oxide layer is peeled off by the cycle of heating and cooling, and the insulating layer is easily peeled off.

【0017】そのため、本発明の金属体は、製造工程に
おける熱処理工程の管理と、水分、湿度の管理行うこに
よりこの酸素量とマグネシウム量を制御することによ
り、金属体と有機材料の密着力が強く、信頼性の高い絶
縁層を備えた金属体を提供することが可能となるものと
考えられる。
Therefore, the metal body of the present invention can control the amount of oxygen and the amount of magnesium by controlling the heat treatment step in the manufacturing process and controlling the moisture and humidity, so that the adhesion between the metal body and the organic material can be improved. It is considered that a metal body provided with a strong and highly reliable insulating layer can be provided.

【0018】また、有機材料として、ポリイミドを用い
た場合、ポリイミドがこのマグネシウム相と反応して、
ポリイミドの柔軟性が失われてしまう。特に金属体とし
てアルミニウムを使用する場合、耐食性を高めるため
に、マグネシウムを含有させたものが多いので、この傾
向が顕著であるが、これに対し、本発明の範囲とすれば
上記不都合をなくすことができる。
When polyimide is used as the organic material, the polyimide reacts with the magnesium phase,
The flexibility of the polyimide is lost. In particular, when aluminum is used as the metal body, in order to enhance corrosion resistance, magnesium is often contained, so that this tendency is remarkable. On the other hand, if the range of the present invention is used, the above disadvantages are eliminated. Can be.

【0019】また、純粋なアルミニウムとポリイミドの
密着性の良さは、一般的によく知られているが、アルミ
ニウムの酸化物である酸化アルミニウムになるとその密
着性は著しく低下することが判っている。このように、
本発明によると、高温多湿条件下で安定な、表面に有機
材料からなる絶縁層を有する金属体を提供できるように
なる。
The good adhesion between pure aluminum and polyimide is generally well known, but it has been found that the adhesion of aluminum oxide, aluminum oxide, is significantly reduced. in this way,
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the metal body which has an insulating layer which consists of an organic material on the surface and which is stable under high temperature and high humidity conditions can be provided.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、図1に基づいて本発明の実
施例を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0021】図1において、ヒートローラーは支持用の
アルミニウムパイプからなる金属体1、アルミニウムパ
イプからなる金属体1と発熱抵抗体3の間の絶縁層2、
発熱抵抗体3、発熱抵抗体3の両端部に接続される電極
部材5、発熱抵抗体3に電極部材5を固定するための導
電性接着剤4、アルミニウムからなる金属体1の外表面
に形成される離型層6とからなる。通常、絶縁層2とし
てはポリイミドが使用され、発熱抵抗体3としては、A
gを主成分とする金属と、ガラスや耐熱性有機材料から
なるマトリックスとからなるものが使用されている。
In FIG. 1, a heat roller includes a metal body 1 made of an aluminum pipe for support, an insulating layer 2 between a metal body 1 made of an aluminum pipe and a heating resistor 3,
Heating resistor 3, electrode members 5 connected to both ends of heating resistor 3, conductive adhesive 4 for fixing electrode member 5 to heating resistor 3, formed on outer surface of metal body 1 made of aluminum And a release layer 6 to be formed. Usually, polyimide is used as the insulating layer 2 and A
A material composed of a metal containing g as a main component and a matrix made of glass or a heat-resistant organic material is used.

【0022】また、アルミニウムパイプからなる金属体
1は、表面のマグネシウム元素量を25原子%以下、酸
素元素量を55原子%以下としてある。これらの量は、
金属パイプのアニールや絶縁層、発熱抵抗体、離形層の
それぞれの焼き付け等の熱処理工程を通すことによる金
属パイプ表面の酸化マグネシウムの析出や、金属パイプ
の洗浄時の水や、梅雨等の環境に起因する結露等による
水の付着を原因とする金属パイプ表面の水和酸化により
変化するが、これらの条件を制御して上記範囲とするこ
とにより、絶縁層と金属パイプの密着力を向上させ、長
期に亘り正常に作動することが可能なトーナー定着用ヒ
ートローラーを提供することが可能となる。
The metal body 1 made of an aluminum pipe has a surface magnesium element content of 25 atomic% or less and an oxygen element content of 55 atomic% or less. These amounts
Precipitation of magnesium oxide on the metal pipe surface by passing through heat treatment processes such as annealing of the metal pipe and baking of the insulating layer, heating resistor, and release layer, water during washing of the metal pipe, and environment such as rainy season It changes due to hydration and oxidation of the surface of the metal pipe due to the adhesion of water due to dew condensation and the like, but by controlling these conditions to the above range, the adhesion between the insulating layer and the metal pipe is improved. Thus, it is possible to provide a heat roller for fixing a toner that can operate normally for a long period of time.

【0023】例えば、アルミニウムパイプからなる金属
体1は、表面を洗浄し乾燥後、速やかに表面に絶縁層2
を形成する。絶縁層は、欠陥がなく厚みが均一になるよ
うにするため、通常複数回成膜する。このとき、乾燥温
度を300℃以上にすると、金属体中に含有されていた
マグネシウム元素が表面に析出し酸化物層を形成するの
で、高温高湿条件下で長時間放置された場合、この酸化
物層が吸湿し、使用時に急加熱されると水分が急激に蒸
発して、金属体表面に形成された絶縁層を金属層から剥
離させ、ブクが発生する。200℃程度とすれば、金属
体表面のマグネシウム元素量を25原子%以下にするこ
とができる。また、金属体表面が吸湿しないように相対
湿度40%以下の低湿度条件下で保管すると、表面の酸
素元素量を55原子%以下にすることができるので、高
温高湿条件下に放置しても耐湿性良好な金属体を得るこ
とが可能となる。
For example, after cleaning and drying the surface of a metal body 1 made of an aluminum pipe, the insulating layer 2 is quickly formed on the surface.
To form The insulating layer is usually formed a plurality of times in order to make the thickness uniform without defects. At this time, if the drying temperature is set to 300 ° C. or more, the magnesium element contained in the metal body precipitates on the surface to form an oxide layer. When the material layer absorbs moisture and is rapidly heated at the time of use, the water evaporates rapidly, and the insulating layer formed on the surface of the metal body is peeled off from the metal layer, resulting in generation of black spots. When the temperature is about 200 ° C., the amount of magnesium element on the surface of the metal body can be reduced to 25 atomic% or less. When the metal body is stored under low humidity conditions of 40% or less relative humidity so as not to absorb moisture, the amount of oxygen on the surface can be reduced to 55 atom% or less. It is also possible to obtain a metal body having good moisture resistance.

【0024】また、本発明の金属体をセラミックヒータ
ーに応用した例を図2に示した。基材となる金属体1の
表面には絶縁層2が形成されている。さらに、この絶縁
層2上にプリント形成されたAgを主成分とする電極5
やNi箔等からなる発熱体3が形成されている。金属体
1の表面は、マグネシウム元素量が55原子%以下、酸
素元素量が25原子%以下に調整されている。絶縁層2
としては、ポリイミド、ポリイミドアミド、エポキシ等
の有機材料を使用する。また、発熱体3は、絶縁層上に
形成されても構わないし、絶縁層に挟まれるように絶縁
層中に形成されても構わない。発熱体材料として、Ag
やNiを挙げたが、用途に応じてPtに代表される貴金
属類、ニクロムの耐酸化性良好な金属を用いることが可
能である。
FIG. 2 shows an example in which the metal body of the present invention is applied to a ceramic heater. An insulating layer 2 is formed on a surface of a metal body 1 serving as a base material. Further, an electrode 5 mainly composed of Ag printed on the insulating layer 2 is formed.
A heating element 3 made of, for example, Ni foil or the like is formed. The surface of the metal body 1 has a magnesium element content of 55 atomic% or less and an oxygen element content of 25 atomic% or less. Insulating layer 2
For example, an organic material such as polyimide, polyimide amide, or epoxy is used. Further, the heating element 3 may be formed on the insulating layer, or may be formed in the insulating layer so as to be sandwiched between the insulating layers. Ag as a heating element material
And Ni, but noble metals typified by Pt and metals having good oxidation resistance of nichrome can be used depending on the application.

【0025】以上の発明の実施形態において、金属体を
基材に用いるメリットは、金属体が他材質に較べて形状
加工性の自由度に優れているからである。本発明の金属
体をヒーターとして用いることにより、高温多湿条件下
でも作動が安定であるため、上記以外に冷蔵庫の霜取り
用ヒーターとして利用することが可能となる。
In the above embodiments of the present invention, the advantage of using the metal body as the base material is that the metal body has a higher degree of freedom in shape workability than other materials. By using the metal body of the present invention as a heater, the operation is stable even under a high-temperature and high-humidity condition. Therefore, the metal body can be used as a heater for defrosting a refrigerator in addition to the above.

【0026】本発明の金属体を半導体素子搭載用基板に
使用した例を図3に示した。
FIG. 3 shows an example in which the metal body of the present invention is used for a substrate for mounting a semiconductor element.

【0027】半導体素子搭載用のパッケージの場合、金
属体1の上に絶縁層2が形成され、さらにその表面に半
導体素子搭載用パッド9と配線導体10が形成されてい
る。絶縁層形成前の金属体表面は、マグネシウム元素量
が25原子%以下、酸素元素量が55原子%以下に調整
されている。絶縁層としては、ポリイミド、ポリイミド
アミド、エポキシ等の有機材料を使用する。高密度配線
された半導体素子は通電時の発熱量が大きくなるので、
冷却が必要となるが、基材が金属体で熱伝導率が高いの
で素子の冷却が非常に有利になる。
In the case of a package for mounting a semiconductor element, an insulating layer 2 is formed on a metal body 1, and further, a semiconductor element mounting pad 9 and a wiring conductor 10 are formed on the surface thereof. The surface of the metal body before the formation of the insulating layer is adjusted to have a magnesium element content of 25 atomic% or less and an oxygen element content of 55 atomic% or less. An organic material such as polyimide, polyimide amide, or epoxy is used for the insulating layer. Since semiconductor elements with high-density wiring generate a large amount of heat when energized,
Cooling is required, but since the base material is a metal body and has a high thermal conductivity, cooling of the element is very advantageous.

【0028】本発明の金属体を半導体素子搭載用基板に
使用することにより、高温多湿条件下で使用しても金属
体表面に形成された絶縁層が剥離し、配線パターンが断
線する等の問題が発生しない良好な半導体素子搭載用基
板を供給することが可能となる。
When the metal body of the present invention is used for a substrate for mounting a semiconductor element, the insulating layer formed on the surface of the metal body is peeled off even when used under high-temperature and high-humidity conditions, and the wiring pattern is broken. It is possible to supply a good semiconductor element mounting substrate free from the occurrence of the problem.

【0029】本発明の金属体の材料としては、上記以外
にNi、Cu、真鍮、ステンレス等を使用することも可
能である。また、絶縁層の材料としては、用途に応じて
耐熱性良好なイミド系樹脂、固着強度が良好なエポキシ
系樹脂、弾性に富んだシリコン系樹脂等を選択すること
ができる。
As the material of the metal body of the present invention, Ni, Cu, brass, stainless steel or the like can be used in addition to the above. Further, as a material of the insulating layer, an imide resin having good heat resistance, an epoxy resin having good fixing strength, a silicon resin having high elasticity, or the like can be selected according to the application.

【0030】[0030]

【実施例】実施例1 本実施例ではアルミニウムパイプからなる金属体1の材
質をアルミニウム合金5052とし、外径φ20mm、
厚み1.0mm、長さ280mmのものを用い、そのア
ルミニウムパイプからなる金属体1を熱処理炉で20
0、350、400、450、500℃の温度でそれぞ
れ熱処理を行い、アルミニウムパイプからなる金属体1
表面に異なる量の酸化マグネシウムの層を析出させた。
また酸素量に対しては90℃の水に12Hr、1日、2
日、3日浸漬させることによりアルミニウムパイプから
なる金属体1表面の酸素量を変量させた。前述の処理を
実施したアルミニウムパイプ、及び未処理のアルミニウ
ムパイプの内周面に絶縁層として、ポリイミドを公知の
スプレーコーティング等で50μm形成し、350℃以
上の温度で焼き付けることにより内部に絶縁層を形成し
たアルミニウムパイプからなる金属体1を作製した。
Embodiment 1 In this embodiment, a metal body 1 made of an aluminum pipe is made of an aluminum alloy 5052 and has an outer diameter of 20 mm.
A metal body 1 made of aluminum pipe having a thickness of 1.0 mm and a length of 280 mm was subjected to heat treatment in a heat treatment furnace.
Heat treatment is performed at temperatures of 0, 350, 400, 450, and 500 ° C., respectively, to form a metal body 1 made of aluminum pipe.
Different amounts of magnesium oxide layers were deposited on the surface.
The amount of oxygen was 12 hours in water at 90 ° C.,
The amount of oxygen on the surface of the metal body 1 made of an aluminum pipe was varied by immersion for three days. As an insulating layer on the inner peripheral surface of the aluminum pipe subjected to the above-described processing and the untreated aluminum pipe, polyimide is formed to a thickness of 50 μm by a known spray coating or the like, and the insulating layer is formed by baking at a temperature of 350 ° C. or more. A metal body 1 made of the formed aluminum pipe was produced.

【0031】発熱抵抗体3は、導電材質として銀、パラ
ジウムと、結合層としてPbO系結晶化ガラスを混合
し、それを公知のスクリーン印刷を利用した転写等によ
り形成し、350℃以上の温度で焼き付けることにより
形成した。
The heat generating resistor 3 is formed by mixing silver and palladium as conductive materials and a PbO-based crystallized glass as a bonding layer, and transferring the mixed glass using a known screen printing method. It was formed by baking.

【0032】アルミニウムパイプ上の離形層はテフロン
を、公知のスプレーコーティング法(390℃焼成)に
より形成した。発熱抵抗体3に給電する電極部5は発熱
抵抗体3に導電性接着剤4により直接接着した。その形
状は図1に示すようにキャップ状になっており、端部よ
り摺動ブラシ等により給電される。
The release layer on the aluminum pipe was formed of Teflon by a known spray coating method (baking at 390 ° C.). The electrode portion 5 for supplying power to the heating resistor 3 was directly bonded to the heating resistor 3 with the conductive adhesive 4. Its shape is a cap as shown in FIG. 1, and power is supplied from the end by a sliding brush or the like.

【0033】このようにして、準備したサンプルについ
て、耐湿試験を実施した結果を表1、2に示す。
Tables 1 and 2 show the results of a humidity resistance test performed on the thus prepared samples.

【0034】本実験での、絶縁層と金属体の密着力評価
は、最初に評価しようとするヒーターを200℃2Hr
の条件で乾燥させ、水分を除去する。その後80℃×9
8%RHの環境下に放置し、水分を絶縁層であるポリイ
ミドに30mg吸収させる。本実験では4Hrおきに重
量を電子天秤で測定し30mg重量増するまで放置し
た。ちなみに本評価時は、20Hrで所定の水分を吸水
した。吸水直後、ヒーターに電力を加え、20℃/秒の
速度で、常温から200℃まで昇温させ、200℃到達
直後に通電をやめ、自然冷却させる。その後、電極部を
取り外し、絶縁層が金属面より剥離しフクレが発生して
いないか確認した。フクレの発生しているものを×、未
発生のものを○として判定した。
In the evaluation of the adhesion between the insulating layer and the metal body in this experiment, the heater to be evaluated first was set to 200 ° C. for 2 hours.
To remove water. Then 80 ℃ × 9
It is left in an environment of 8% RH, and 30 mg of water is absorbed by polyimide as an insulating layer. In this experiment, the weight was measured every 4 hours with an electronic balance, and the weight was left to increase by 30 mg. Incidentally, at the time of this evaluation, a predetermined amount of water was absorbed at 20 hours. Immediately after water absorption, power is applied to the heater, the temperature is raised from room temperature to 200 ° C. at a rate of 20 ° C./sec, and immediately after reaching 200 ° C., the current is stopped and the product is cooled naturally. Thereafter, the electrode portion was removed, and it was confirmed whether the insulating layer was peeled off from the metal surface and blisters did not occur. Those with blisters were evaluated as x, and those without blisters were evaluated as o.

【0035】また、金属表面のマグネシウム元素量及び
酸素元素量の測定は、前述の評価後のサンプルより絶縁
層を剥離し、金属面を露出させ、その後、絶縁層が構成
されていた面をESCA(アルバックファイ製:Qua
ntum−2000型)を用い、表層部を定性分析す
る。その後、測定範囲100μm径、出力20W、0.
25nm/秒の速度で5nm毎に深さ250nmまでエ
ッチングしながら前述の定性分析で検出された元素、全
てを深さ方向に原子%として測定した(測定深さはSi
2 膜換算)。測定結果の一例を図4に示した。また、
原子%への換算は下記のようにして行った。各元素の深
さ方向の強度分布を、各元素の高純度(99.99%)
品を同条件で測定した時の強度で除すことにより、各々
の元素の各深さ毎の量を求め、各深さ毎に求めた各元素
の量を下記の式により原子%として算出した。
The amounts of magnesium and oxygen on the metal surface were measured by peeling off the insulating layer from the sample after the above-mentioned evaluation, exposing the metal surface, and then measuring the surface on which the insulating layer was formed by ESCA. (Made by ULVAC PHI: Qua
ntum-2000 type) and qualitatively analyze the surface layer. Thereafter, the measurement range was 100 μm diameter, the output was 20 W, and the output was 0.2 mm.
All the elements detected by the qualitative analysis described above were measured as atomic% in the depth direction while etching at a rate of 25 nm / sec every 5 nm to a depth of 250 nm (measurement depth was Si
O 2 film equivalent). One example of the measurement results is shown in FIG. Also,
Conversion to atomic% was performed as follows. The intensity distribution of each element in the depth direction is determined by the high purity of each element (99.99%).
By dividing the product by the strength when measured under the same conditions, the amount of each element at each depth was determined, and the amount of each element determined at each depth was calculated as atomic% by the following formula. .

【0036】元素Aの原子%=A元素の量/全測定元素
の量の和*100(%) その後、測定範囲内でそれぞれの元素の最大時の原子%
を読み取り、その数値を各々の元素量として計算した。
Atomic% of element A = Amount of element A / sum of amounts of all measured elements * 100 (%) Thereafter, atomic% at the maximum of each element within the measurement range.
Was read and the numerical value was calculated as the amount of each element.

【0037】結果を表1の1〜6および表2の13〜1
7に示した。表1に示したサンプルの酸素元素量は55
原子%以下である。また、表2に示したサンプルのマグ
ネシウム元素量は25原子%以下である。1、2のよう
にマグネシウム元素量が25原子%を越えると、絶縁層
8にフクレが発生する。また、13、14、のように酸
素元素量が55原子%を越えると絶縁層8にフクレが発
生するので好ましくない。表1の3〜6のようにマグネ
シウム元素量を25原子%以下に制御すると、フクレは
発生しない。また、表2の15〜17のように酸素元素
量を55原子%以下に制御すると、フクレは発生しなか
った。
The results are shown in Tables 1 to 6 and Tables 2 to 13.
7 is shown. The oxygen content of the sample shown in Table 1 was 55
Atomic% or less. The magnesium element content of the samples shown in Table 2 is 25 atomic% or less. When the amount of magnesium element exceeds 25 atomic% as in 1 and 2, blisters occur in the insulating layer 8. On the other hand, when the amount of the oxygen element exceeds 55 atomic% as in 13 and 14, blisters are generated in the insulating layer 8, which is not preferable. When the amount of magnesium element is controlled to 25 atomic% or less as in Tables 3 to 6, no blistering occurs. Further, when the amount of oxygen element was controlled to 55 atomic% or less as shown in Tables 17 to 17, blisters did not occur.

【0038】[0038]

【表1】 [Table 1]

【0039】[0039]

【表2】 [Table 2]

【0040】実施例2 以下、図2に基づいて本発明の実施例を説明する。Embodiment 2 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0041】図2において、ヒートローラーは支持用の
鉄パイプからなる金属体1、鉄パイプからなる金属体1
と発熱抵抗体3の間の絶縁層2、発熱抵抗体3、発熱抵
抗体3の両端に導電性接着剤4により接合される電極部
5からなる。
In FIG. 2, the heat roller includes a metal body 1 made of a supporting iron pipe and a metal body 1 made of an iron pipe.
An insulating layer 2, a heating resistor 3, and an electrode portion 5 joined to both ends of the heating resistor 3 by a conductive adhesive 4.

【0042】本実施例では鉄パイプからなる金属体1の
材質をSTKM11Aとし、外径φ20mm、厚み1.
0mm、長さ280mmのものを用い、その鉄パイプか
らなる金属体10を条件30℃、90%RHの恒温恒湿
機に10分、30分、1時間、2時間放置することによ
り鉄パイプからなる金属体1表面の酸素量を変量させ
た。前述の処理を実施した鉄パイプ、及び未処理の鉄パ
イプの内周面に絶縁層として、ポリイミドを公知のスプ
レーコーティング等で50μm形成し、350℃以上の
温度で焼き付けることにより、内部に絶縁層2を形成し
た鉄パイプからなる金属体1を作製した。
In this embodiment, the material of the metal body 1 made of an iron pipe is STKM11A, the outer diameter is 20 mm, and the thickness is 1.
By using a metal body 10 made of an iron pipe having a length of 0 mm and a length of 280 mm, the metal body 10 was left in a thermo-hygrostat at 30 ° C. and 90% RH for 10 minutes, 30 minutes, 1 hour, and 2 hours. The amount of oxygen on the surface of the metal body 1 was varied. As an insulating layer on the inner peripheral surface of the iron pipe that has been subjected to the above-described processing and the untreated iron pipe, polyimide is formed to a thickness of 50 μm by a known spray coating or the like, and baked at a temperature of 350 ° C. or more, so that the insulating layer A metal body 1 made of an iron pipe formed with No. 2 was produced.

【0043】発熱抵抗体3は、導電材質として銀、パラ
ジウムと、結合層としてPbO系結晶化ガラスを混合
し、それを公知のスクリーン印刷を利用した転写等によ
り形成し、350℃以上の温度で焼き付けることにより
形成した。
The heat generating resistor 3 is formed by mixing silver and palladium as conductive materials and a PbO-based crystallized glass as a bonding layer, and transferring the mixed glass using a known screen printing method. It was formed by baking.

【0044】鉄パイプからなる金属体1上の離形層6は
テフロンを、公知のスプレーコーティング法(390℃
焼成)により形成した。発熱抵抗体3に給電する電極部
5は発熱抵抗体3に導電性接着剤4により直接接着し
た。その形状は図1に示すようにキャップ状になってお
り、端部より摺動ブラシ等により給電される。
The release layer 6 on the metal body 1 made of iron pipe is coated with Teflon by a known spray coating method (390 ° C.).
(Firing). The electrode portion 5 for supplying power to the heating resistor 3 was directly bonded to the heating resistor 3 with the conductive adhesive 4. Its shape is a cap as shown in FIG. 1, and power is supplied from the end by a sliding brush or the like.

【0045】評価結果は、表2の18〜22に示した。
18、19のように酸素元素量が55原子%を越える
と、絶縁層8にフクレが発生する。これに対し、20〜
22のように酸素元素量を55原子%以下に制御する
と、フクレが発生しなかった。 実施例3 パイプ以外の形状の例として、板状のヒーターの製造方
法を図3を用いて説明する。
The evaluation results are shown in Tables 18 to 22.
If the amount of oxygen element exceeds 55 atomic% as in 18 and 19, blisters occur in the insulating layer 8. In contrast, 20
When the amount of oxygen element was controlled to 55 atomic% or less as in 22, no blistering occurred. Embodiment 3 As an example of a shape other than a pipe, a method of manufacturing a plate-like heater will be described with reference to FIG.

【0046】金属体1として、幅50mm、長さ280
mm、厚み1mmのアルミニウム合金5052を用意
し、これを熱処理炉で200、350、400、45
0、500℃の温度でそれぞれ熱処理を行い、アルミニ
ウム板からなる金属体1表面に異なる量の酸化マグネシ
ウムの層を析出させた。また酸素量に対しては90℃の
水に12Hr、1日、2日、3日浸漬させることにより
アルミニウム板からなる金属体1表面の酸素量を変量さ
せた。このようにして準備したアルミニウム板からなる
金属体1にアルミニウム合金5052、幅50mm、長
さ280mm、厚み1.0mmのものを用い、そのアル
ミニウム板からなる金属体1を熱処理炉で200℃で2
時間の乾燥熱処理を行い、その後、アルミニウム板から
なる金属体1表面に、絶縁層としてポリイミドを公知の
スプレーコーティング等で50μm形成し、350℃以
上の温度で焼き付けた。
The metal body 1 has a width of 50 mm and a length of 280
An aluminum alloy 5052 having a thickness of 1 mm and a thickness of 1 mm was prepared, and this was treated with a heat treatment furnace at 200, 350, 400, and 45.
Heat treatment was performed at temperatures of 0 and 500 ° C., respectively, to deposit different amounts of magnesium oxide layers on the surface of the metal body 1 made of an aluminum plate. With respect to the amount of oxygen, the amount of oxygen on the surface of the metal body 1 made of an aluminum plate was varied by immersing it in water at 90 ° C. for 12 hours for 1 day, 2 days, and 3 days. An aluminum alloy 5052, a width of 50 mm, a length of 280 mm, and a thickness of 1.0 mm was used as the metal body 1 made of the aluminum plate prepared in this way, and the metal body 1 made of the aluminum plate was heated in a heat treatment furnace at 200 ° C. for 2 hours.
After performing a dry heat treatment for a long time, a 50 μm-thick polyimide film was formed as an insulating layer on the surface of the metal body 1 made of an aluminum plate by a known spray coating or the like and baked at a temperature of 350 ° C. or more.

【0047】発熱抵抗体3は、導電材質として銀、パラ
ジウムと、結合層としてPbO系結晶化ガラスを混合
し、それを公知のスクリーン印刷を利用した転写等によ
り形成し、350℃以上の温度で焼き付けることにより
形成した。
The heat generating resistor 3 is formed by mixing silver and palladium as conductive materials and a PbO-based crystallized glass as a bonding layer and transferring the mixed glass by a known screen printing method. It was formed by baking.

【0048】このようにして作製した板状ヒーターは、
表面へのマグネシウム元素の析出量が少なく、且つ表面
の酸素量を低減できるので、高温高湿条件下での使用に
おいても絶縁層の剥離することのない良好なものとな
る。
The plate heater thus manufactured is
Since the amount of magnesium element deposited on the surface is small and the amount of oxygen on the surface can be reduced, the insulating layer does not peel off even when used under high temperature and high humidity conditions.

【0049】評価結果を表1の7〜12と表2の23〜
27に示した。7、8のように金属体1の表面のマグネ
シウム元素量が25原子%を越えたものと、23、24
のように酸素元素量が55原子%を越えたものは、絶縁
層8にフクレが発生した。これに対し、マグネシウム元
素量が25原子%以下の9〜12と酸素元素量を55原
子%以下に制御した25〜27は、フクレが発生しなか
った。
The evaluation results were obtained by comparing 7 to 12 in Table 1 and 23 to 23 in Table 2.
27. In the case where the amount of magnesium element on the surface of the metal body 1 exceeds 25 atomic% as shown in FIGS.
In the case where the oxygen element amount exceeded 55 atomic%, blistering occurred in the insulating layer 8. On the other hand, blisters did not occur in 9 to 12 in which the amount of magnesium element was 25 atomic% or less and in 25 to 27 in which the amount of oxygen element was controlled to 55 atomic% or less.

【0050】実施例4 本発明の金属体を半導体素子搭載用基板に使用した例を
図3を用いて詳細に説明する。まず、金属体1を塩化メ
チレン蒸気中にて洗浄し、その後、金属体1の上に絶縁
層2を成膜した。絶縁層としては、ポリイミドを用い
た。基材の金属体1との密着性を向上させるため、15
μmずつ4回積層して60μmの絶縁膜を成膜した。さ
らにその表面に半導体素子搭載用パッド9と配線導体1
0をプリント法にて形成した。
Embodiment 4 An example in which the metal body of the present invention is used for a substrate for mounting a semiconductor element will be described in detail with reference to FIG. First, the metal body 1 was washed in methylene chloride vapor, and then the insulating layer 2 was formed on the metal body 1. Polyimide was used as the insulating layer. To improve the adhesion of the base material to the metal body 1, 15
An insulating film having a thickness of 60 μm was formed by laminating four times each of μm. Further, the semiconductor element mounting pad 9 and the wiring conductor 1 are provided on the surface thereof.
0 was formed by a printing method.

【0051】絶縁層形成前の金属体1表面は、マグネシ
ウム元素量が55原子%以下、酸素元素量が25原子%
以下に調整されている。絶縁層としては、ポリイミド、
ポリイミドアミド、エポキシ等の有機材料を使用する。
高密度配線された半導体素子は通電時の発熱量が大きく
なるので、冷却が必要となるが、基材が金属体で熱伝導
率が高いので素子の冷却が非常に有利になる。
The surface of the metal body 1 before the formation of the insulating layer has a magnesium element content of 55 atomic% or less and an oxygen element content of 25 atomic%.
It has been adjusted below. As the insulating layer, polyimide,
An organic material such as polyimide amide or epoxy is used.
A semiconductor element with high-density wiring requires a large amount of heat when energized, and therefore requires cooling. However, since the base material is a metal body and has a high thermal conductivity, cooling of the element is very advantageous.

【0052】本発明の金属体を半導体素子搭載用基板に
使用することにより、高温高湿条件下で使用しても金属
体表面に形成された絶縁層が剥離し配線パターンが断線
する等の問題が、発生しなくなった。
When the metal body of the present invention is used for a substrate for mounting a semiconductor element, the insulating layer formed on the surface of the metal body may be peeled off and the wiring pattern may be broken even when used under high temperature and high humidity conditions. But no longer occurs.

【0053】上記のようにして作製した半導体素子搭載
用基板は、特に湿度が大きく変化するような環境下でも
安定した使用が可能となる。
The substrate for mounting a semiconductor element manufactured as described above can be used stably even in an environment where the humidity greatly changes.

【0054】[0054]

【発明の効果】本発明によれば、絶縁層と密着する金属
表面のマグネシウム元素の量を25原子%以下、酸素量
を55原子%以下に制御することにより、絶縁層と金属
体との密着力を向上させ、実使用時の昇温冷却の繰り返
しによる絶縁層の剥離を防止することができる。
According to the present invention, the adhesion between the insulating layer and the metal body is controlled by controlling the amount of magnesium element on the metal surface in close contact with the insulating layer to 25 atomic% or less and the amount of oxygen to 55 atomic% or less. It is possible to improve the force and prevent peeling of the insulating layer due to repetition of heating and cooling during actual use.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)本発明の定着用ヒートローラーを示す側
面図、(b)は(a)中のX−X断面図である。
FIG. 1A is a side view showing a fixing heat roller of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along line XX in FIG.

【図2】(a)は本発明のヒーターを示す斜視図、
(b)は(a)中のY−Y断面図である。
FIG. 2 (a) is a perspective view showing a heater of the present invention,
(B) is a YY sectional view in (a).

【図3】本発明の絶縁層を備えた金属体を用いた半導体
素子搭載用基板を示した斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a semiconductor element mounting substrate using a metal body having an insulating layer according to the present invention.

【図4】ESCA測定チャートの一例を示した図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing an example of an ESCA measurement chart.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:金属体 2:絶縁層 3:発熱抵抗体 4:導電性接着剤 5:電極部 6:離型層 7:給電部 8:絶縁層 9:半導体素子搭載用パッド 10:配線導体 1: Metal body 2: Insulating layer 3: Heating resistor 4: Conductive adhesive 5: Electrode section 6: Release layer 7: Power supply section 8: Insulating layer 9: Semiconductor element mounting pad 10: Wiring conductor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // H05K 1/05 H01L 23/36 C ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // H05K 1/05 H01L 23/36 C

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】マグネシウム元素量が25原子%以下およ
び/または酸素元素量が55原子%以下である金属表面
に、有機材料からなる絶縁層を設けたことを特徴とする
絶縁層を備えた金属体。
1. A metal having an insulating layer, wherein an insulating layer made of an organic material is provided on a metal surface having a magnesium element content of 25 atomic% or less and / or an oxygen element content of 55 atomic% or less. body.
【請求項2】請求項1記載の絶縁層を備えた金属体にお
ける、絶縁層上もしくは絶縁層内に発熱体を設けてなる
ヒーター。
2. A heater according to claim 1, wherein a heating element is provided on or in the insulating layer of the metal body provided with the insulating layer.
【請求項3】請求項1記載の絶縁層を備えた金属体を筒
状とし、その表面に発熱体を備えてなる定着用ヒートロ
ーラー。
3. A fixing heat roller comprising: a metal body provided with the insulating layer according to claim 1 having a cylindrical shape; and a heating element provided on a surface of the metal body.
JP10337229A 1998-11-27 1998-11-27 Metal body having insulating layer, heater using it, and hot roller for fixing Pending JP2000158580A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10337229A JP2000158580A (en) 1998-11-27 1998-11-27 Metal body having insulating layer, heater using it, and hot roller for fixing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10337229A JP2000158580A (en) 1998-11-27 1998-11-27 Metal body having insulating layer, heater using it, and hot roller for fixing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000158580A true JP2000158580A (en) 2000-06-13

Family

ID=18306667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10337229A Pending JP2000158580A (en) 1998-11-27 1998-11-27 Metal body having insulating layer, heater using it, and hot roller for fixing

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000158580A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100477678B1 (en) * 2002-11-11 2005-03-21 삼성전자주식회사 Fusing roller apparatus of electrophotographic image forming apparatus
JP2006123425A (en) * 2004-10-29 2006-05-18 Dowa Mining Co Ltd Metal-clad substrate and its manufacturing process

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100477678B1 (en) * 2002-11-11 2005-03-21 삼성전자주식회사 Fusing roller apparatus of electrophotographic image forming apparatus
US6990310B2 (en) 2002-11-11 2006-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Fusing roller device for electrophotographic image forming apparatus
US7248827B2 (en) 2002-11-11 2007-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Fusing roller device for electrophotographic image forming apparatus
JP2006123425A (en) * 2004-10-29 2006-05-18 Dowa Mining Co Ltd Metal-clad substrate and its manufacturing process
JP4548828B2 (en) * 2004-10-29 2010-09-22 Dowaホールディングス株式会社 Method for manufacturing metal-coated substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0155994B1 (en) Heat treatment method and apparatus of samples
JPH11354260A (en) Multiple-layered ceramic heater
KR20040105231A (en) Contact temperature probe and process
JP3921060B2 (en) Wafer heating device
JP2000158580A (en) Metal body having insulating layer, heater using it, and hot roller for fixing
JP2002198297A (en) Wafer heating equipment
JP3805318B2 (en) Wafer heating device
JP3872256B2 (en) Wafer heating device
JP4480354B2 (en) Wafer heating device
JP3921143B2 (en) Wafer heating device
JP4025497B2 (en) Wafer heating device
JP3847045B2 (en) Ceramic heater, method for manufacturing the same, and wafer heating apparatus using the same
JP2001189276A (en) Wafer heating apparatus
JP4596622B2 (en) Ceramic heater and wafer heating device using the same
JP3865973B2 (en) Wafer heating device
JP4009138B2 (en) Wafer support member
JP3559548B2 (en) Wafer heating device
JP2010278461A (en) Wafer heating device
JP2002184683A (en) Wafer-heating device
Stein et al. Thick film heaters made from dielectric tape bonded stainless steel substrates
JP2001237166A (en) Wafer heating device
JP2001210450A (en) Wafer heating equipment
JP2000048939A (en) Current-carrying device and its manufacture
JP2003318097A (en) Wafer supporting member
JP2004095689A (en) Wafer heater

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040325

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050419

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050617

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050726

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051129