JP2000156535A - Injection locked narrow-band pulse laser system - Google Patents

Injection locked narrow-band pulse laser system

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JP2000156535A
JP2000156535A JP10330582A JP33058298A JP2000156535A JP 2000156535 A JP2000156535 A JP 2000156535A JP 10330582 A JP10330582 A JP 10330582A JP 33058298 A JP33058298 A JP 33058298A JP 2000156535 A JP2000156535 A JP 2000156535A
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pulse
laser
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俊太郎 渡部
Osamu Wakabayashi
理 若林
Hirokazu Tanaka
宏和 田中
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make the life of optical elements longer, increase the locking efficiency and the spectrum purity and maintain stable laser output. SOLUTION: When a synchronous oscillation pulse signal TR and an energy instruction value E are inputted from an aligner controller 31 to a laser controller 41, the laser controller 41 sends the synchronous oscillation pulse signal TR to the oscillator stage delay processing part 43 and the amplifying stage delay part 51, and sends a voltage instruction value V0 to the amplifying stage power supply 45. The oscillator stage delay processing part 43 adds a trigger to the oscillator stage power supply 44 with unique delay time, allows the oscillator stage 10 to oscillate and makes harmonic light A incident into the amplifying stage 20. The delay time calculating part 53 calculates real delay time Tre of the amplification stage power supply 45 in the magnetic pulse compression circuit based on the voltage instruction value V0 and the temperature data from the sensor 47, and obtains the delay time τ by subtracting the real delay time Tre from the time sent from the reference delay time setting part 51 Tds. The amplifying stage delay part 51 starts energy transfer in the magnetic pulse compression circuit and synchronize the oscillator stage 10 and the amplification stage 20 after the delay time τ.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、インジェクション
ロック型狭帯域化パルスレーザ装置に関し、特に、オシ
レータ段と増幅段との発光タイミングを出力調整、環境
変化等にかかわらず、適正に同期制御することができる
インジェクションロック型狭帯域化パルスレーザ装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an injection-lock type narrow-band pulse laser device, and more particularly to appropriately adjusting the light emission timings of an oscillator stage and an amplification stage regardless of an output change and environmental changes. The present invention relates to an injection-lock type narrow-band pulse laser device capable of performing the above-described operation.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、狭帯域化KrFエキシマレーザで
は、248nmの紫外レーザ光をパルス発振する際、出
力レーザ光の一部を取り出し、レーザ出力とレーザ波長
とを検出し、波長制御及び出力制御を行っていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a narrow band KrF excimer laser, when 248 nm ultraviolet laser light is pulsed, a part of output laser light is taken out, a laser output and a laser wavelength are detected, and wavelength control and output control are performed. Had gone.

【0003】例えば、図19は、従来の狭帯域化エキシ
マレーザの概要構成を示し、この狭帯域化エキシマレー
ザは、放電電極102のパルス放電によってレーザチャ
ンバ101内に充填されたレーザガスが励起され、フロ
ントミラー105とリアミラー104とで構成される共
振器によってレーザ発振し、フロントミラー105から
レーザ出力光LAが出力される。レーザ出力光LAの一
部はビームスプリッタ106によって取り出され、波長
モニタ107に入力される。波長モニタ107では、ビ
ームスプリッタ107e、エタロン107b、レンズ1
07cを介して入力されたレーザ出力光LAの干渉縞が
ラインセンサ107dに撮像され、その結果が波長コン
トローラ108に入力される。また、波長モニタ107
内には、レーザ出力光LAの波長に近い基準光107a
を発する光源を有し、基準光107aは、ビームスプリ
ッタ107e、エタロン107b、レンズ107cを介
して出力され、基準光107aの干渉縞がラインセンサ
107dに撮像されて波長コントローラ108に入力さ
れる。波長コントローラ108は、入力されたレーザ出
力光の干渉縞と基準光の干渉縞とからレーザ出力光の波
長を算出するとともに、目標波長との波長ずれを算出
し、この算出結果をもとに、ドライバ109を介して、
狭帯域化モジュール103内の波長選択素子110を駆
動して所望の発振波長となるように制御する。このよう
なフィードバック制御によってレーザ出力光LAの波長
は目標波長に制御される。
For example, FIG. 19 shows a schematic configuration of a conventional narrow band excimer laser. In this narrow band excimer laser, a laser gas filled in a laser chamber 101 is excited by pulse discharge of a discharge electrode 102. Laser oscillation is performed by a resonator constituted by the front mirror 105 and the rear mirror 104, and the laser output light LA is output from the front mirror 105. Part of the laser output light LA is extracted by the beam splitter 106 and input to the wavelength monitor 107. In the wavelength monitor 107, the beam splitter 107e, the etalon 107b, the lens 1
The interference fringes of the laser output light LA input via the input line 07c are captured by the line sensor 107d, and the result is input to the wavelength controller 108. The wavelength monitor 107
The reference light 107a near the wavelength of the laser output light LA
The reference light 107a is output through a beam splitter 107e, an etalon 107b, and a lens 107c. An interference fringe of the reference light 107a is captured by a line sensor 107d and input to a wavelength controller 108. The wavelength controller 108 calculates the wavelength of the laser output light from the interference fringe of the input laser output light and the interference fringe of the reference light, calculates the wavelength shift from the target wavelength, and based on the calculation result, Via the driver 109,
The wavelength selection element 110 in the band narrowing module 103 is driven to control the wavelength to a desired oscillation wavelength. The wavelength of the laser output light LA is controlled to the target wavelength by such feedback control.

【0004】一方、狭帯域化されたレーザ光を発生する
オシレータ段とこのレーザ光を増幅する増幅段とを連結
して、増幅段から出力の大きな狭帯域化されたレーザ光
を出力する同期注入(インジェクションロック)型パル
スレーザが知られており、このインジェクションロック
型パルスレーザを用いることによっても狭帯域化された
レーザ光を得ることができる(特開昭63−54786
号参照)。
On the other hand, an oscillator stage for generating a narrow band laser beam is connected to an amplification stage for amplifying the laser beam, and a synchronous injection for outputting a narrow band laser beam having a large output from the amplification stage. An (injection lock) type pulse laser is known, and a laser beam having a narrow band can be obtained by using the injection lock type pulse laser (Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-54786).
No.).

【0005】また、露光装置では、極微細加工をさらに
精密に行うことができる要求から、さらに波長が短く、
安定し、微細加工が可能な出力をもった紫外レーザ光を
発振できるレーザ装置の出現が望まれている。
[0005] Further, in the exposure apparatus, the wavelength can be further shortened due to the requirement that the ultrafine processing can be performed more precisely.
There is a demand for a laser device capable of oscillating an ultraviolet laser beam having a stable output capable of performing fine processing.

【0006】このため、例えば図20に示すように、固
体レーザを用いたインジェクションロック型パルスレー
ザの研究が行われている。このインジェクションロック
型パルスレーザでは、193nmの波長のレーザ光を出
力することができる。すなわち、Nd:YAGレーザ1
21が発振したレーザ光の第2高調波(532nm)を
ポンピング光として、狭帯域化チタンサファイヤレーザ
122を発振させ、発振した773.6nmのレーザ光
を波長変換部123で4倍の高調波(193nm)のレ
ーザ光LB1として出力する。そして、このレーザ光L
B1は、全反射ミラー131,132を介して増幅段1
24に入力され、増幅されたレーザ光LB2として出力
される。この増幅段124における増幅は、オシレータ
段120のレーザ発振に同期して放電電極126が放電
し、レーザ励起ガスが充填されたチャンバ125内に入
力されたレーザ光LB1が凸面ミラー127、凹面ミラ
ー128を介して通過出力されるまでの間に誘導放出に
より光増幅することによって行われる。これによって、
狭帯域化された193nmのレーザ光を得ることができ
る。
[0006] For this reason, as shown in FIG. 20, for example, an injection lock type pulse laser using a solid-state laser has been studied. This injection-lock type pulse laser can output laser light having a wavelength of 193 nm. That is, the Nd: YAG laser 1
The narrow band titanium sapphire laser 122 is oscillated using the second harmonic (532 nm) of the laser light oscillated by the laser 21 as pumping light, and the oscillated 773.6 nm laser light is quadrupled by the wavelength converter 123. 193 nm). Then, this laser light L
B1 is connected to the amplification stage 1 via the total reflection mirrors 131 and 132.
24 and output as amplified laser light LB2. In the amplification in the amplification stage 124, the discharge electrode 126 is discharged in synchronization with the laser oscillation of the oscillator stage 120, and the laser light LB1 input into the chamber 125 filled with the laser excitation gas is converted into the convex mirror 127 and the concave mirror 128. This is performed by amplifying light by stimulated emission until the light is passed through and output. by this,
A 193 nm laser beam with a narrow band can be obtained.

【0007】この図20に示すインジェクションロック
型パルスレーザでは、長波長光を波長選択し、かつ波長
モニタすれば、狭帯域化されたパルスレーザ光を露光装
置等の処理加工装置に出力することができ、図19に示
す従来のシングル型のエキシマレーザにおいて生じる問
題点、すなわち、(1)ArFのエキシマによる発振波
長(193nm)のように波長が短くなると、耐久性の
ある適切な母材およびコーティング材がない。例えば、
蛍石(CaF2)のようなフッ化物結晶材料であっても
耐久性に問題があり、反射防止膜等のARあるいはHR
コートも耐久性に問題がある。
In the injection-lock type pulse laser shown in FIG. 20, if the wavelength of long-wavelength light is selected and the wavelength is monitored, the narrow-band pulsed laser light can be output to a processing apparatus such as an exposure apparatus. The problems that occur in the conventional single-type excimer laser shown in FIG. 19 are as follows: (1) If the wavelength is shortened, such as the oscillation wavelength (193 nm) of the ArF excimer, a durable appropriate base material and coating are obtained. There is no material. For example,
Even with a fluoride crystal material such as fluorite (CaF2), there is a problem in durability, and AR or HR such as an antireflection film is used.
Coats also have durability problems.

【0008】(2)ArFのエキシマによる発振波長
(193nm)のように波長が短くなると、波長および
線幅を高精度に検出することが困難である。具体的に
は、193nmの波長に適合した基準光源が存在しな
い。また、193nmの波長に適合した吸収線がない。
さらに193nm用の高精度のエタロンを製造できな
い。さらには、波長モニタ自体の耐久性もない。といっ
た問題点を解消することができる。
(2) When the wavelength is short, such as the oscillation wavelength (193 nm) of the ArF excimer, it is difficult to detect the wavelength and the line width with high accuracy. Specifically, there is no reference light source suitable for the wavelength of 193 nm. In addition, there is no absorption line suitable for the wavelength of 193 nm.
Furthermore, a high-precision etalon for 193 nm cannot be manufactured. Furthermore, there is no durability of the wavelength monitor itself. Such a problem can be solved.

【0009】ところで、インジェクションロック型パル
スレーザは、半導体露光装置用の光源として用いられる
が、この光源のスペクトル純度は非常に高いことが要求
される。これは、線幅がどんなに細くても、バックグラ
ンド光が高ければ半導体露光装置におけるレンズの解像
力を悪化させることになるからである。
Incidentally, an injection lock type pulse laser is used as a light source for a semiconductor exposure apparatus, and the light source is required to have a very high spectral purity. This is because no matter how thin the line width is, the higher the background light, the worse the resolution of the lens in the semiconductor exposure apparatus.

【0010】ここで、図21は、スペクトル純度を説明
するための図であり、スペクトル純度は、 スペクトル純度(%)=(波長±δλの範囲内の面積)
/(全面積)*100 で表すことができる。
Here, FIG. 21 is a diagram for explaining the spectral purity. The spectral purity is expressed as: spectral purity (%) = (area within the range of wavelength ± δλ)
/ (Total area) * 100.

【0011】一方、ロッキング効率も約95%以上に高
くかつ安定に維持する必要がある。ここで、図22は、
ロッキング効率を説明するための図であり、ロッキング
効率は、 ロッキング効率(%)=N/(A+N)*100 で表すことができる。但し、Nは、狭帯域化光成分であ
り、Aは、自然放出成分である。
On the other hand, it is necessary to maintain the locking efficiency as high as about 95% or more and stably. Here, FIG.
It is a figure for explaining locking efficiency, and locking efficiency can be represented by locking efficiency (%) = N / (A + N) * 100. Here, N is a narrowband light component, and A is a spontaneous emission component.

【0012】インジェクションロック型パルスレーザの
場合、狭帯域化光Nのスペクトルの拡がりを非常に小さ
いと仮定すると、スペクトル純度とロッキング効率とは
ほぼ同じ値になる。
In the case of an injection-lock type pulse laser, assuming that the spectrum of the narrow-band light N is very small, the spectral purity and the locking efficiency are almost the same.

【0013】しかし、従来のインジェクションロック型
パルスレーザでは、上述したスペクトル純度およびロッ
キング効率を満足することができず、半導体露光装置用
の光源としては用いることができなかった。これは、 1)オシレータ段の発振するタイミングと増幅段の発振
するタイミングとが変動する 2)ミスショットが発生する。すなわち、オシレータ段
の光が増幅段に注入されずに増幅段が発光した場合は自
然発光成分Aのみの出力となる 3)オシレータ段120と増幅段124の発光パルス幅
が変動する 4)オシレータ段120と増幅段124の光強度及び発
光パルス幅の最適化がされていない 5)オシレータ段120のレーザ出力が安定していない 等の原因による。
However, the conventional injection-lock pulse laser cannot satisfy the above-described spectral purity and locking efficiency, and cannot be used as a light source for a semiconductor exposure apparatus. This is because 1) the timing at which the oscillator stage oscillates and the timing at which the amplifier stage oscillates 2) a miss shot occurs. That is, when the light from the oscillator stage is not injected into the amplifier stage and the amplifier stage emits light, only the spontaneous emission component A is output. 3) The light emission pulse width of the oscillator stage 120 and the amplification stage 124 fluctuates. 4) The oscillator stage The light intensity and the light emission pulse width of the amplifier stage 120 and the amplification stage 124 have not been optimized. 5) The laser output of the oscillator stage 120 is not stable.

【0014】一般的に、オシレータ段120がArFエ
キシマレーザである場合、オシレータ段120を発光さ
せるためのオシレータ段トリガから増幅段124が発光
するまでのタイミングチャートは図23に示すようにな
る。すなわち、オシレータ段120のトリガが時点T1
で印加されると、その時点T1からオシレータ段120
は放電し、この放電励起によってオシレータ段120は
時点T2から期間TOの間、発光して増幅段124に注
入される。このオシレータ段120の発光の間に、所定
の遅延時間をもった時点T3において増幅段124にト
リガが印加され、増幅段124は放電する。この放電に
よって放電励起されて増幅段124は時点T4から期間
Taの間、発光する。ここで、オシレータ段120のト
リガ印加から増幅段124のトリガ印加までのトリガ遅
延時間は(T3−T1)となり、発光の遅延時間は(T
4−T2)となる。なお、オシレータ段120の発光期
間TOは、増幅段124の発光期間Taよりも小さい。
In general, when the oscillator stage 120 is an ArF excimer laser, a timing chart from the trigger of the oscillator stage for causing the oscillator stage 120 to emit light to the stage of emitting light from the amplification stage 124 is as shown in FIG. That is, the triggering of the oscillator stage 120 occurs at time T1
At the time T1, the oscillator stage 120
Is discharged, and the excitation of the discharge causes the oscillator stage 120 to emit light and be injected into the amplifier stage 124 during the period TO from the time T2. During the emission of the oscillator stage 120, a trigger is applied to the amplification stage 124 at a time T3 having a predetermined delay time, and the amplification stage 124 discharges. The discharge stage is excited by the discharge, and the amplification stage 124 emits light during the period Ta from the time point T4. Here, the trigger delay time from the application of the trigger of the oscillator stage 120 to the application of the trigger of the amplification stage 124 is (T3-T1), and the emission delay time is (T3).
4-T2). Note that the light emission period To of the oscillator stage 120 is shorter than the light emission period Ta of the amplification stage 124.

【0015】このようなタイミングで動作するインジェ
クションロック型パルスレーザのロッキング効率を調べ
てみると、図24に示すような関係が得られる。ここ
で、発光期間TOは10nsであり、発光期間Taは20
nsである。図24では、増幅段124に注入されるオ
シレータ段120のエネルギーをパラメータとして示し
ており、この関係から、増幅段124に注入されるオシ
レータ段120のエネルギーが所定値以上、ここでは5
7μJ以上でないと、ロッキング効率を高く維持するこ
とができないということがわかる。また、遅延時間(T
4−T2)を20ns〜60nsの範囲で動作しないと
ロッキング効率を高く維持することができないことがわ
かる。
When the locking efficiency of the injection-lock type pulse laser operating at such timing is examined, the relationship shown in FIG. 24 is obtained. Here, the light emission period TO is 10 ns, and the light emission period Ta is 20 ns.
ns. FIG. 24 shows the energy of the oscillator stage 120 injected into the amplification stage 124 as a parameter, and from this relationship, the energy of the oscillator stage 120 injected into the amplification stage 124 is equal to or more than a predetermined value, here 5
It can be seen that the locking efficiency cannot be maintained high unless it is 7 μJ or more. In addition, the delay time (T
It can be seen that the locking efficiency cannot be maintained high unless 4-T2) is operated in the range of 20 ns to 60 ns.

【0016】さらに、図25は、オシレータ段120の
注入エネルギーをパラメータとして、遅延時間(T4−
T2)に対する増幅段124の相対出力の関係を示し、
この関係から、遅延時間(T4−T2)の値は22ns
近傍でエネルギー効率がよく、この遅延時間(T4−T
2)の範囲でなければ、増幅段124からのレーザ出力
の安定性を維持することができないことになる。
FIG. 25 is a graph showing the delay time (T4−T4) using the injection energy of the oscillator stage 120 as a parameter.
T2) shows the relationship between the relative output of the amplification stage 124 and
From this relationship, the value of the delay time (T4-T2) is 22 ns.
Energy efficiency is high in the vicinity, and this delay time (T4-T
If it is not in the range of 2), the stability of the laser output from the amplification stage 124 cannot be maintained.

【0017】ところで、放電励起型のエキシマレーザを
オシレータ段として用いる場合、実際にオシレータ段に
放電のためのトリガを印加してもジッタ、すなわち電気
的にトリガが印加されてからオシレータ段が発光するま
での時間のばらつき、が非常に大きいので、この放電励
起型のエキシマレーザをオシレータ段として用いること
は困難である。
In the case where a discharge excitation type excimer laser is used as an oscillator stage, even if a trigger for discharge is actually applied to the oscillator stage, jitter, that is, the oscillator stage emits light after an electrical trigger is applied. Since the variation in the time until this is very large, it is difficult to use this discharge excitation type excimer laser as an oscillator stage.

【0018】また、放電励起型のエキシマレーザの場
合、オシレータ段の発光パルス幅を10ns以上にする
ことが困難である。すなわち、発光パルス幅を長くする
ためには、放電時間を長くする必要があり、放電時間を
長くすると、放電が乱れてレーザ発振しなくなるからで
ある。
In the case of a discharge excitation type excimer laser, it is difficult to make the emission pulse width of the oscillator stage 10 ns or more. That is, in order to increase the emission pulse width, it is necessary to increase the discharge time, and if the discharge time is increased, the discharge is disturbed and laser oscillation stops.

【0019】従って、図20に示すようにオシレータ段
120としてチタンサファイヤレーザ122と波長変換
部123とを用いたインジェクションロック型パルスレ
ーザが提案されているが、このインジェクションロック
型パルスレーザでも、ロッキング効率が90%程度でス
ペクトル純度も低く、半導体露光装置用の光源としては
用いることができない。これは、ポンピングレーザとし
てのNd:YAGレーザ121の発光パルス幅が短く
(10ns以下)、このため、チタンサファイヤレーザ
122および波長変換部123から出力される注入光L
B1のパルス幅も非常に短くなるからである。この結
果、遅延時間(T4−T2)が許容範囲内に維持するこ
とができず、スペクトル純度およびパルスエネルギーの
安定性を高く維持することができなかった。
Therefore, as shown in FIG. 20, an injection-lock type pulse laser using a titanium sapphire laser 122 and a wavelength converter 123 as the oscillator stage 120 has been proposed. Of about 90% and low spectral purity, and cannot be used as a light source for a semiconductor exposure apparatus. This is because the emission pulse width of the Nd: YAG laser 121 as the pumping laser is short (10 ns or less), and therefore, the injection light L output from the titanium sapphire laser 122 and the wavelength conversion unit 123.
This is because the pulse width of B1 also becomes very short. As a result, the delay time (T4-T2) could not be maintained within an allowable range, and the spectral purity and the stability of pulse energy could not be maintained at a high level.

【0020】このため、オシレータ段120で発光パル
ス幅を調整できるオシレータ段レーザが各種提案されて
いる。
For this reason, various oscillator stage lasers whose emission pulse width can be adjusted by the oscillator stage 120 have been proposed.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、オシレ
ータ段として発光パルス幅を所望の値に適切に調整でき
るインジェクションロック型パルスレーザであっても、
増幅段として放電励起型のエキシマレーザを用いている
限り、高いスペクトル純度およびパルスエネルギーの安
定性を維持することができないという問題点があった。
However, even in the case of an injection lock type pulse laser which can appropriately adjust a light emission pulse width to a desired value as an oscillator stage,
As long as a discharge excitation type excimer laser is used as the amplification stage, there is a problem that high spectral purity and stable pulse energy cannot be maintained.

【0022】すなわち、近年の放電励起型のエキシマレ
ーザでは、サイラトロンによるトリガスイッチの寿命が
短いため、GTO等の固体スイッチと複数の磁気スイッ
チとを組み合わせたレーザ源源が用いられるのが主流と
なり、この固体スイッチによるトリガ入力から磁気スイ
ッチを介して実際に放電されるまでのタイミングが、充
電される電圧および温度等によって大きく変化し、この
増幅段の放電タイミングの変化がロッキング効率を著し
く悪化させ、たとえ、適切な遅延時間(T4−T2)を
設定しても連続運転すると高いスペクトル純度およびパ
ルスエネルギーの安定性を維持することができなかっ
た。
That is, since the life of a trigger switch using a thyratron is short in a recent discharge excitation type excimer laser, a laser source combined with a solid-state switch such as a GTO and a plurality of magnetic switches is mainly used. The timing from the trigger input by the solid state switch to the actual discharge through the magnetic switch greatly changes depending on the charged voltage and temperature, and the change in the discharge timing of this amplification stage significantly deteriorates the locking efficiency. Even if an appropriate delay time (T4−T2) was set, high spectral purity and stable pulse energy could not be maintained in continuous operation.

【0023】特に、半導体露光装置の光源として用いて
連続パルス発振(バーストモード発振)を行う場合、そ
の連続パルス発振の初期段階のレーザパルス出力が大き
くなるというスパイキング現象が生じ、このスパイキン
グ現象を解消するために充電電圧等を低く設定制御して
安定した連続レーザパルス発振を常に行わせるが、この
充電電圧等を低く抑える設定制御によって、放電タイミ
ングが遅延することなる。また、一般にバーストモード
発振中においては毎パルス毎にもパルスエネルギー制御
を行っているため、この調整制御によっても放電タイミ
ングが変化し、高いロッキング効率と安定したパルスエ
ネルギーを出力することができない。
In particular, when performing continuous pulse oscillation (burst mode oscillation) by using the light source as a light source of a semiconductor exposure apparatus, a spiking phenomenon occurs in which the laser pulse output in the initial stage of the continuous pulse oscillation increases, and this spiking phenomenon occurs. In order to solve the problem, the charging voltage and the like are set low and stable continuous laser pulse oscillation is always performed. However, the setting control to keep the charging voltage and the like low causes the discharge timing to be delayed. In general, during burst mode oscillation, pulse energy control is also performed for each pulse, so that the discharge timing also changes due to this adjustment control, and high locking efficiency and stable pulse energy cannot be output.

【0024】また、半導体露光装置側では連続パルス発
振であることから、エネルギーを一定に制御する必要か
ら、連続パルス発振のパルス幅時間間隔が同じになるよ
うに指定する場合があり、このパルス幅時間間隔の制御
にも対応しなければならない場合もある。
In addition, since the semiconductor exposure apparatus performs continuous pulse oscillation, it is necessary to control the energy to be constant. In some cases, the pulse width time interval of the continuous pulse oscillation is designated to be the same. In some cases, control of time intervals must also be accommodated.

【0025】ここで、上述したパルス圧縮を行うレーザ
電源において、充電電圧等の変化に伴う放電タイミング
すなわち発光タイミングのずれが生じる現象について詳
細に説明しておく。
Here, in the laser power supply that performs the above-described pulse compression, a phenomenon in which a discharge timing, that is, a light emission timing is shifted due to a change in a charging voltage or the like, will be described in detail.

【0026】図26は、一般的な容量移行型の磁気パル
ス圧縮放電装置の等価回路を示す。また。図27は、図
26の回路各部における電圧および電流の波形例を示
す。
FIG. 26 shows an equivalent circuit of a general capacity transfer type magnetic pulse compression discharge device. Also. FIG. 27 shows an example of voltage and current waveforms in each section of the circuit of FIG.

【0027】この図26の放電回路は、可飽和リアクト
ルからなる3個の磁気スイッチAL0〜AL2の飽和現象
を利用した2段の磁気パルス圧縮回路である。
The discharge circuit shown in FIG. 26 is a two-stage magnetic pulse compression circuit utilizing the saturation phenomenon of three magnetic switches AL0 to AL2 composed of saturable reactors.

【0028】まず、1発目のレーザ発振トリガ信号が受
信されると、図示しない露光装置側からエネルギー指令
値Eまたはレーザ電源の電源電圧値V0が入力され、図
示しないレーザコントローラはこのエネルギーを出すの
に必要な電源電圧値V0を計算し、この計算値に基づき
高電圧電源HVの電圧を調整する。そして、この時点で
コンデンサC0に、磁気スイッチAL0、コイルL1を介
して高電圧電源HVからの電荷をプリチャージしてお
く。
First, when the first laser oscillation trigger signal is received, an energy command value E or a power supply voltage value V0 of a laser power supply is input from an exposure apparatus (not shown), and a laser controller (not shown) outputs this energy. Is calculated, and the voltage of the high-voltage power supply HV is adjusted based on the calculated value. At this time, the capacitor C0 is precharged with the electric charge from the high voltage power supply HV via the magnetic switch AL0 and the coil L1.

【0029】その後、露光装置側からの1発目にパルス
発振同期信号(トリガ信号)TRが受信されると、この
受信時点で主スイッチSWがオンにされる(図27、時
刻t0)。主スイッチSWがオンになると、主スイッチS
Wの電位VSWが0に急激に下がり、この後、磁気スイッ
チAL0の両端電圧であるコンデンサC0と主スイッチS
Wの電位差VCO−VSWの時間積(電圧VCOの時間積分
値)S0が磁気スイッチAL0の設定特性で決まる限界値
に達すると、この時点t1において磁気スイッチAL0は
飽和し、コンデンサC0、磁気スイッチAL0、主スイッ
チSW、コンデンサC1のループに電流パルスi0が流れ
る。
Thereafter, when the pulse oscillation synchronizing signal (trigger signal) TR is received for the first time from the exposure apparatus side, the main switch SW is turned on at the time of this reception (FIG. 27, time t0). When the main switch SW is turned on, the main switch S
The potential VSW of W rapidly drops to 0, and thereafter, the capacitor C0, which is the voltage across the magnetic switch AL0, and the main switch S0.
When the time product (time integral value of the voltage VCO) S0 of the potential difference VCO-VSW of W reaches a limit value determined by the setting characteristics of the magnetic switch AL0, the magnetic switch AL0 saturates at this time t1, and the capacitor C0 and the magnetic switch AL0 The current pulse i0 flows through the loop of the main switch SW and the capacitor C1.

【0030】そして、この電流パルスi0が流れはじめて
から0になる(時刻t2)までの時間δ0、すなわちコン
デンサC0からコンデンサC1に電荷が完全に移行される
までの電荷転送時間δ0は、主スイッチSWなどによる
損失を無視すれば、コンデンサC0、磁気スイッチAL
0、コンデンサC1の各容量、インダクタンスによって決
定される。
The time δ0 from when the current pulse i0 starts flowing to when it becomes 0 (time t2), that is, the charge transfer time δ0 until the charge is completely transferred from the capacitor C0 to the capacitor C1, is the main switch SW. If the loss due to the above is ignored, the capacitor C0 and the magnetic switch AL
0, which is determined by each capacitance and inductance of the capacitor C1.

【0031】一方、コンデンサC1の電圧VC1の時間積
S1が磁気スイッチAL1の設定特性で決まる限界値に達
すると、この時点t3において磁気スイッチAL1は飽和
し、低インピーダンスとなる。これにより、コンデンサ
C1、コンデンサC2、磁気スイッチAL1のループに電
流パルスi1が流れる。この電流パルスi1は、コンデンサ
C1,C2および磁気スイッチAL1の容量、インダクタ
ンスによって決定される所定の転送時間δ1を経由した
後、時刻t4で0になる。
On the other hand, when the time product S1 of the voltage VC1 of the capacitor C1 reaches a limit value determined by the setting characteristics of the magnetic switch AL1, the magnetic switch AL1 saturates at time t3 to have a low impedance. As a result, a current pulse i1 flows through the loop of the capacitor C1, the capacitor C2, and the magnetic switch AL1. The current pulse i1 becomes 0 at time t4 after a predetermined transfer time δ1 determined by the capacitances and inductances of the capacitors C1 and C2 and the magnetic switch AL1.

【0032】また、コンデンサC2の電圧VC2の時間積
S2が磁気スイッチAL2の設定特性で決まる限界値に達
すると、この時点t5において磁気スイッチAL2は飽和
し、これにより、コンデンサC2、ピーキングコンデン
サCP、磁気スイッチAL2のループに電流パルスi2が流
れる。
When the time product S2 of the voltage VC2 of the capacitor C2 reaches a limit value determined by the setting characteristics of the magnetic switch AL2, the magnetic switch AL2 saturates at time t5, whereby the capacitor C2, the peaking capacitor CP, A current pulse i2 flows through the loop of the magnetic switch AL2.

【0033】その後、ピーキングコンデンサCpの電圧
VCpは充電の進展とともに上昇し、この電圧VCpが所定
の主放電開始電圧に達すると、この時点t6において主電
極206間のレーザガスが絶縁破壊されて主放電が開始
される。この主放電によってレーザ媒質が励起され、数
nsec後にレーザ光が発生される。
Thereafter, the voltage VCp of the peaking capacitor Cp rises with the progress of charging, and when this voltage VCp reaches a predetermined main discharge starting voltage, at time t6, the laser gas between the main electrodes 206 is broken down and the main discharge is started. Is started. The laser medium is excited by the main discharge, and a laser beam is generated after several nsec.

【0034】この後、主放電によってピーキングコンデ
ンサCpの電圧は急速に低下し、所定時間経過後に充電
開始前の状態に戻る。
Thereafter, the voltage of the peaking capacitor Cp rapidly decreases due to the main discharge, and returns to a state before the start of charging after a predetermined time has elapsed.

【0035】このような放電動作がトリガ信号TRに同
期した主スイッチSWのスイッチング動作によって繰り
返し行われることにより、所定の繰り返し周波数(パル
ス発振周波数)でのパルスレーザ発振が行われる。
By repeating such a discharging operation by the switching operation of the main switch SW synchronized with the trigger signal TR, pulse laser oscillation at a predetermined repetition frequency (pulse oscillation frequency) is performed.

【0036】図26の磁気圧縮回路によれば、磁気スイ
ッチおよびコンデンサで構成される各段の電荷転送回路
のインダクタンスが後段にいくにつれて小さくなるよう
に設定されているので、電流パルスi0〜i2のピーク値が
順次高くなりかつその通電幅が順次狭くなるようなパル
ス圧縮動作が行われ、この結果主放電電極206間に短
時間での強い放電が得られることになる。また、各磁気
スイッチAL0〜AL2は各パルス毎に可飽和リアクトル
のリセット回路で初期状態にリセットされるようになっ
ているので、各磁気スイッチAL0〜AL2の飽和点(動
作点)は、電圧さえ同じであれば、各パルス毎にわたっ
て一定となる。
According to the magnetic compression circuit of FIG. 26, since the inductance of the charge transfer circuit of each stage composed of the magnetic switch and the capacitor is set so as to become smaller as it goes to the subsequent stage, the current pulses i0 to i2 A pulse compression operation is performed such that the peak value is gradually increased and the conduction width is gradually narrowed. As a result, a strong discharge can be obtained between the main discharge electrodes 206 in a short time. Further, since the magnetic switches AL0 to AL2 are reset to the initial state by the reset circuit of the saturable reactor for each pulse, the saturation point (operating point) of each magnetic switch AL0 to AL2 is set to even the voltage. If they are the same, they will be constant over each pulse.

【0037】しかしながら、上記磁気圧縮回路において
は、初期充電電圧V0が変化すると、これに伴い電圧時
間積によって決定される各磁気スイッチAL0〜AL2の
飽和時間σ0、(σ0+σ1)、(σ1+σ2)が変化する
ことになり、これに応じてトリガ信号TRが入力されて
主スイッチSWが点呼される時点t0から実際にレーザ光
が発生する時点t6までの時間tdも変化することになる。
However, in the above magnetic compression circuit, when the initial charging voltage V0 changes, the saturation times σ0, (σ0 + σ1), and (σ1 + σ2) of the magnetic switches AL0 to AL2 determined by the voltage-time product change accordingly. Accordingly, the time td from the time t0 when the trigger signal TR is input and the main switch SW is rolled to the time t6 when the laser light is actually generated also changes.

【0038】この時間tdの変化によって増幅段の放電
(発光)タイミングが変化し、ロッキング効率が悪化す
る。
The discharge (light emission) timing of the amplification stage changes due to the change of the time td, and the locking efficiency deteriorates.

【0039】そこで、本発明は、かかる問題点を除去
し、光学素子の寿命を長くすることができ、ロッキング
効率およびスペクトル純度が高く、かつ安定したレーザ
出力を得ることができるインジェクションロック型パル
スレーザを提供することを目的とする。
Therefore, the present invention eliminates the above-mentioned problems, prolongs the life of an optical element, has high locking efficiency and high spectral purity, and can obtain a stable laser output with an injection lock type pulse laser. The purpose is to provide.

【0040】[0040]

【課題を解決するための手段および効果】請求項1に係
る発明は、狭帯域化した第1のパルスレーザ光を第1の
タイミングで発振するオシレータ段と、磁気パルス圧縮
回路を用いて第2のタイミングで放電励起し、前記第1
のパルスレーザ光を注入光として誘導放出して増幅され
た第2のパルスレーザ光を出力する増幅段と、前記第1
のタイミングと前記第2のタイミングとを適正に同期調
整する同期制御手段とを有したインジェクションロック
型狭帯域化パルスレーザ装置において、前記同期制御手
段は、前記第2のパルスレーザ光を用いて所定の加工処
理を行う加工処理装置から送出される発振指示から前記
第2のタイミングまでの間の固定遅延時間を前記第1の
タイミングに対応して設定する遅延時間設定手段と、レ
ーザ出力に関連するパラメータに基づいて前記磁気パル
ス圧縮回路のエネルギー転送開始から前記第2のタイミ
ングまでの実遅延時間を予測演算し、前記固定遅延時間
から前記実遅延時間を減算した遅延時間を算出する遅延
時間演算手段と、前記発振指示から前記遅延時間演算手
段が算出した遅延時間経過後に前記磁気パルス圧縮回路
のエネルギー転送を開始させるエネルギー転送開始手段
とを具備したことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an oscillator stage for oscillating a first pulse laser beam having a narrow band at a first timing, and a second pulse using a magnetic pulse compression circuit. Discharge excitation at the timing of
An amplification stage that stimulates and emits the second pulse laser light as injection light and outputs the amplified second pulse laser light;
In the injection-lock type narrow-band pulse laser device having synchronization control means for appropriately adjusting the timing of the second timing and the second timing, the synchronization control means uses the second pulse laser light to perform a predetermined operation. Delay time setting means for setting a fixed delay time from the oscillation instruction sent from the processing device performing the processing to the second timing in accordance with the first timing; Delay time calculating means for predicting and calculating an actual delay time from the start of energy transfer of the magnetic pulse compression circuit to the second timing based on a parameter, and calculating a delay time obtained by subtracting the actual delay time from the fixed delay time; Energy transfer of the magnetic pulse compression circuit after a delay time calculated by the delay time calculation means from the oscillation instruction has elapsed. Characterized by comprising an energy transfer start means for starting.

【0041】請求項1に係る発明では、遅延時間設定手
段が、オシレータ段の第1のタイミングに対応し、露光
装置等の処理加工装置からの発振指示から第2のパルス
レーザ光が出力されるまでの間が常に一定となる固定遅
延時間を設定し、この固定遅延時間経過後に増幅段の放
電が行われるようにエネルギー転送の開始が制御される
ので、温度等の環境変化や、増幅段からの出力を規定す
るエネルギー値の変化によって変化する磁気パルス圧縮
回路のエネルギー転送時間が変化しても、常に第1のタ
イミングと第2のタイミングとの同期が適正に制御さ
れ、ロッキング効率およびスペクトル純度が高く、安定
したパルスエネルギーを維持することができるという作
用効果を奏する。
According to the first aspect of the present invention, the delay time setting means outputs the second pulse laser beam from an oscillation instruction from a processing apparatus such as an exposure apparatus, corresponding to the first timing of the oscillator stage. The fixed delay time is set to be always constant until the start of energy transfer is controlled so that the discharge of the amplification stage is performed after the fixed delay time elapses. Even when the energy transfer time of the magnetic pulse compression circuit that changes due to the change in the energy value that regulates the output of the device, the synchronization between the first timing and the second timing is always properly controlled, and the locking efficiency and the spectral purity And it is possible to maintain a stable pulse energy.

【0042】また、発振指示から常に固定遅延時間後に
第2のパルスレーザ光が得られるので、処理加工装置側
における第2のパルスレーザ光の使用が容易になる。さ
らに、インジェクションロック型狭帯域化パルスレーザ
装置であるので、狭帯域のための光学素子にかかる負荷
を軽減することができ、光学素子等の寿命を飛躍的に延
ばすことができる。
Further, since the second pulse laser beam is always obtained after a fixed delay time from the oscillation instruction, the use of the second pulse laser beam on the processing apparatus side is facilitated. Further, since the injection-lock type narrow-band pulse laser device is used, the load on the optical element for narrow band can be reduced, and the life of the optical element and the like can be significantly extended.

【0043】請求項2に係る発明は、狭帯域化した第1
のパルスレーザ光を第1のタイミングで発振するオシレ
ータ段と、磁気パルス圧縮回路を用いて第2のタイミン
グで放電励起し、前記第1のパルスレーザ光を注入光と
して誘導放出して増幅された第2のパルスレーザ光を出
力する増幅段と、前記第1のタイミングと前記第2のタ
イミングとを適正に同期調整する同期制御手段とを有し
たインジェクションロック型狭帯域パルスレーザ装置に
おいて、前記同期制御手段は、前記磁気パルス圧縮回路
上で用いられる磁気スイッチのオン時を検出する磁気ス
イッチ動作センサと、レーザ出力に関連するパラメータ
に基づいて前記磁気パルス圧縮回路のエネルギー転送開
始から前記第2のタイミングまでの実遅延時間を予測演
算し、該予測演算による第2のタイミングに対応する第
1のタイミングを生成すべく前記オシレータ段の発振を
遅延させる遅延時間を算出する遅延時間演算手段と、前
記遅延時間演算手段が算出した遅延時間を加えた時間後
に前記オシレータ段の発振を行わせるオシレータ段発振
遅延手段とを具備したことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, the first narrowed band is provided.
The pulsed laser light is excited at a second timing by using an oscillator stage that oscillates the pulsed laser light at a first timing and a magnetic pulse compression circuit, and the first pulsed laser light is stimulated emitted as injection light and amplified. The injection-locked narrow-band pulse laser device, comprising: an amplification stage that outputs a second pulse laser beam; and a synchronization control unit that appropriately synchronizes the first timing and the second timing. The control means includes a magnetic switch operation sensor for detecting when a magnetic switch used on the magnetic pulse compression circuit is turned on, and the second pulse from the start of energy transfer of the magnetic pulse compression circuit based on a parameter related to laser output. The actual delay time until the timing is predicted and calculated, and the first timing corresponding to the second timing based on the predicted calculation is calculated. Delay time calculating means for calculating a delay time for delaying the oscillation of the oscillator stage to achieve, and oscillator stage oscillation delay means for performing the oscillation of the oscillator stage after adding the delay time calculated by the delay time calculating means. It is characterized by having.

【0044】請求項2に係る発明では、遅延時間演算手
段が磁気パルス圧縮回路における実遅延時間を演算し、
この演算結果をもとにオシレータ段における第1のタイ
ミングを適正に制御しているので、温度等の環境変化
や、増幅段からの出力を規定するエネルギー値の変化に
よって変化する磁気パルス圧縮回路のエネルギー転送時
間が変化しても、常に第1のタイミングと第2のタイミ
ングとの同期が適正に制御され、ロッキング効率および
スペクトル純度が高く、安定したパルスエネルギーを維
持することができるという作用効果を奏する。
In the invention according to claim 2, the delay time calculating means calculates the actual delay time in the magnetic pulse compression circuit,
Since the first timing in the oscillator stage is appropriately controlled based on the calculation result, the magnetic pulse compression circuit which changes according to an environmental change such as temperature or a change in the energy value defining the output from the amplifier stage. Even if the energy transfer time changes, the synchronization between the first timing and the second timing is always properly controlled, the locking efficiency and the spectral purity are high, and the operation and effect of maintaining stable pulse energy can be achieved. Play.

【0045】特に、磁気スイッチ動作センサによって放
電電極側に近い磁気スイッチの実オン時から第1のタイ
ミングを制御しているので、時間誤差を小さくすること
がき、より精度の高い同期タイミング制御を行うことが
できる。
In particular, since the first timing is controlled by the magnetic switch operation sensor from the time when the magnetic switch close to the discharge electrode is actually turned on, the time error can be reduced, and more accurate synchronization timing control is performed. be able to.

【0046】さらに、インジェクションロック型狭帯域
化パルスレーザ装置であるので、狭帯域のための光学素
子にかかる負荷を軽減することができ、光学素子等の寿
命を飛躍的に延ばすことができる。
Further, since the injection-lock type narrow-band pulse laser device is used, the load on the optical element for narrow band can be reduced, and the life of the optical element and the like can be greatly extended.

【0047】請求項3に係る発明は、狭帯域化した第1
のパルスレーザ光を第1のタイミングで発振するオシレ
ータ段と、磁気パルス圧縮回路を用いて第2のタイミン
グで放電励起し、前記第1のパルスレーザ光を注入光と
して誘導放出して増幅された第2のパルスレーザ光を出
力する増幅段と、前記第1のタイミングと前記第2のタ
イミングとを適正に同期調整する同期制御手段とを有し
たインジェクションロック型狭帯域パルスレーザ装置に
おいて、前記同期制御手段は、前記第2のパルスレーザ
光を用いて所定の加工処理を行う加工処理装置から送出
される発振指示から前記第2のタイミングまでの間の固
定遅延時間を前記第1のタイミングに対応して設定する
遅延時間設定手段と、前記磁気パルス圧縮回路上で用い
られる磁気スイッチのオン時を検出する磁気スイッチ動
作センサと、レーザ出力に関連するパラメータに基づい
て前記磁気パルス圧縮回路のエネルギー転送開始から前
記第2のタイミングまでの実遅延時間を予測演算し、前
記固定遅延時間から前記実遅延時間を減算した第1の遅
延時間を算出する第1の遅延時間演算手段と、前記発振
指示から前記第1の遅延時間演算手段が算出した第1の
遅延時間経過後に前記磁気パルス圧縮回路のエネルギー
転送を開始させるエネルギー転送開始手段と、レーザ出
力に関連するパラメータに基づいて前記磁気パルス圧縮
回路のエネルギー転送開始から前記第2のタイミングま
での実遅延時間を予測演算し、該予測演算による第2の
タイミングに対応する第1のタイミングを生成すべく前
記オシレータ段の発振を遅延させる第2の遅延時間を算
出する第2の遅延時間演算手段と、前記第2の遅延時間
演算手段が算出した第2の遅延時間を加えた時間後に前
記オシレータ段の発振を行わせるオシレータ段発振遅延
手段とを具備したことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, the first band narrowed band is provided.
The pulsed laser light is excited at a second timing by using an oscillator stage that oscillates the pulsed laser light at a first timing and a magnetic pulse compression circuit, and the first pulsed laser light is stimulated emitted as injection light and amplified. The injection-locked narrow-band pulse laser device, comprising: an amplification stage that outputs a second pulse laser beam; and a synchronization control unit that appropriately synchronizes the first timing and the second timing. The control means corresponds to a fixed delay time from an oscillation instruction sent from a processing device that performs a predetermined processing process using the second pulsed laser beam to the second timing, in correspondence with the first timing. Delay time setting means for setting the time, a magnetic switch operation sensor for detecting when a magnetic switch used on the magnetic pulse compression circuit is on, A first delay time obtained by predicting and calculating an actual delay time from the start of energy transfer of the magnetic pulse compression circuit to the second timing based on a parameter related to an output, and subtracting the actual delay time from the fixed delay time A delay time calculating means for calculating energy transfer; and an energy transfer starting means for starting energy transfer of the magnetic pulse compression circuit after a lapse of a first delay time calculated by the first delay time calculating means from the oscillation instruction. Calculating a real delay time from the start of energy transfer of the magnetic pulse compression circuit to the second timing based on a parameter related to a laser output, and a first timing corresponding to a second timing based on the prediction calculation Second delay time calculating means for calculating a second delay time for delaying the oscillation of the oscillator stage to generate Serial second delay time calculating means, characterized by comprising the oscillator stage oscillating delay means for causing the oscillation of the oscillator stage after the second delay plus the time time was calculated.

【0048】請求項3に係る発明では、遅延時間設定手
段が、オシレータ段の第1のタイミングに対応し、露光
装置等の処理加工装置からの発振指示から第2のパルス
レーザ光が出力されるまでの間が常に一定となる固定遅
延時間を設定し、この固定遅延時間経過後に増幅段の放
電が行われるようにエネルギー転送の開始を制御すると
ともに、オシレータ段側でも磁気パルス圧縮回路におけ
る実遅延時間を演算し、この演算結果をもとにオシレー
タ段における第1のタイミングを適正に制御しているの
で、温度等の環境変化や、増幅段からの出力を規定する
エネルギー値の変化によって変化する磁気パルス圧縮回
路のエネルギー転送時間が変化しても、常に第1のタイ
ミングと第2のタイミングとの同期が適正に制御され、
ロッキング効率およびスペクトル純度が高く、安定した
パルスエネルギーを維持することができるという作用効
果を奏する。
According to the third aspect of the present invention, the delay time setting means outputs the second pulse laser beam from an oscillation instruction from a processing apparatus such as an exposure apparatus, corresponding to the first timing of the oscillator stage. The fixed delay time is set to be always constant until the start of the energy transfer is controlled so that the discharge of the amplifier stage is performed after the fixed delay time has elapsed, and the actual delay in the magnetic pulse compression circuit is also controlled on the oscillator stage side. Since the time is calculated and the first timing in the oscillator stage is appropriately controlled based on the calculation result, the first timing changes depending on environmental changes such as temperature and a change in the energy value defining the output from the amplification stage. Even if the energy transfer time of the magnetic pulse compression circuit changes, the synchronization between the first timing and the second timing is always properly controlled,
The effect is that locking efficiency and spectral purity are high and stable pulse energy can be maintained.

【0049】特に、磁気スイッチ動作センサによって放
電電極側に近い磁気スイッチの実オン時から第1のタイ
ミングを制御しているので、時間誤差を小さくすること
ができ、より精度の高い同期タイミング制御を行うこと
ができる。
In particular, since the first timing is controlled by the magnetic switch operation sensor from the time when the magnetic switch close to the discharge electrode is actually turned on, the time error can be reduced, and more accurate synchronization timing control can be performed. It can be carried out.

【0050】また、発振指示から常に固定遅延時間後に
第2のパルスレーザ光が得られるので、処理加工装置側
における第2のパルスレーザ光の使用が容易になる。さ
らに、インジェクションロック型狭帯域化パルスレーザ
装置であるので、狭帯域のための光学素子にかかる負荷
を軽減することができ、光学素子等の寿命を飛躍的に延
ばすことができる。
Further, since the second pulse laser beam is always obtained after a fixed delay time from the oscillation instruction, the use of the second pulse laser beam on the processing apparatus side is facilitated. Further, since the injection-lock type narrow-band pulse laser device is used, the load on the optical element for narrow band can be reduced, and the life of the optical element and the like can be significantly extended.

【0051】請求項4に係る発明は、請求項1〜3に係
る発明において、前記磁気パルス圧縮回路の温度を検出
する温度センサをさらに具備し、前記温度センサが検出
した温度を前記レーザ出力に関連するパラメータとして
用いることを特徴とする。
The invention according to claim 4 is the invention according to claims 1 to 3, further comprising a temperature sensor for detecting a temperature of the magnetic pulse compression circuit, and converting the temperature detected by the temperature sensor into the laser output. It is characterized in that it is used as a related parameter.

【0052】請求項4に係る発明では、レーザ出力に関
連するパラメータとして磁気パルス圧縮回路の温度を検
出するようにしているので、連続発振等による磁気パル
ス圧縮回路の温度変化に伴うエネルギー転送時間を正確
に予測演算することができ、第1のタイミングと第2の
タイミングとの同期を適正に制御することができる。
According to the fourth aspect of the invention, the temperature of the magnetic pulse compression circuit is detected as a parameter related to the laser output. The prediction calculation can be performed accurately, and the synchronization between the first timing and the second timing can be appropriately controlled.

【0053】[0053]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図1は、本発明の第1の実
施の形態であるインジェクションロック型パルスレーザ
の全体構成を示す図であり、図2は、図1に示すインジ
ェクションロック型パルスレーザにおける各部信号のタ
イミングチャートを示す。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an entire configuration of an injection lock type pulse laser according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a timing chart of signals of respective parts in the injection lock type pulse laser shown in FIG. .

【0054】図1において、インジェクションロック型
パルスレーザは、主としてオシレータ段10および増幅
段20とから構成される。
In FIG. 1, the injection lock type pulse laser is mainly composed of an oscillator stage 10 and an amplification stage 20.

【0055】オシレータ段10は、狭帯域化基本波レー
ザ1と波長変換部6とを有し、狭帯域化基本波レーザ1
は、オシレータ段電源44によって励起される増幅媒体
4を有し、この増幅媒体4によって発光された光は、波
長選択素子3によって所定の帯域の光にフィルタリング
し、波長選択素子3とフロントミラー5との間で形成さ
れる光共振器内でレーザ発振し、フロントミラー5から
レーザ光としての基本波光Lを波長変換部6に出力す
る。
The oscillator stage 10 has a narrow-band fundamental wave laser 1 and a wavelength converter 6, and the narrow-band fundamental wave laser 1
Has an amplification medium 4 excited by an oscillator stage power supply 44, and the light emitted by the amplification medium 4 is filtered by a wavelength selection element 3 into light of a predetermined band, and the wavelength selection element 3 and a front mirror 5 The laser oscillates in the optical resonator formed between the two, and outputs the fundamental wave light L as laser light from the front mirror 5 to the wavelength conversion unit 6.

【0056】波長変換部6は、入力された基本波光Lを
最終的に出力される出力光LBの波長と同じ波長に変換
し、高調波光LAとして出力する。例えば、基本波光L
が、773.6nmである場合、波長変換部6は、この
基本波光Lを和周波混合によって4倍の高調波である1
93.4nmのレーザ光に変換する。この波長変換部6
は、非線形光学効果をもつ波長変換素子によって実現さ
れる。例えば、非線形光学素子を3つ用い、最初の非線
形光学素子によって、入力された波長ωと2ωのレーザ
光を生成し、次の非線形光学素子によって波長ωと波長
3ω(ω+2ω)のレーザ光を生成し、さらに次の非線
形光学素子によって波長ωと4ω(ω+3ω)のレーザ
光を生成し、この波長4ωのレーザ光を透過させるダイ
クロイックミラーまたはプリズム等の分光素子を用いて
出力させるようにする。この高調波光LAは、全反射ミ
ラー7,8を介して増幅段20に入力される。
The wavelength converter 6 converts the input fundamental light L into the same wavelength as the output light LB finally output, and outputs the converted light as harmonic light LA. For example, the fundamental light L
Is 773.6 nm, the wavelength conversion unit 6 converts the fundamental light L into a four-fold harmonic by sum frequency mixing.
It is converted into a laser beam of 93.4 nm. This wavelength converter 6
Is realized by a wavelength conversion element having a nonlinear optical effect. For example, using three non-linear optical elements, the first non-linear optical element generates laser light of input wavelengths ω and 2ω, and the second non-linear optical element generates laser light of wavelengths ω and 3ω (ω + 2ω). Then, laser light having the wavelength ω and 4ω (ω + 3ω) is generated by the next nonlinear optical element, and the laser light having the wavelength 4ω is transmitted using a spectroscopic element such as a dichroic mirror or a prism that transmits the laser light. This harmonic light LA is input to the amplification stage 20 via the total reflection mirrors 7 and 8.

【0057】増幅段20のチャンバ21内には、例えば
193nmのレーザ光を発生することができるArFガ
スが充填され、このArFガスをエキシマ状態に励起す
る放電電極24を有する。この放電電極24での放電
は、増幅段電源45によって行われる。入力された高調
波光LAは、凹面ミラー22のカップリングホール2
2’を介してチャンバ21内に入力され、凸面ミラー2
3を介して反射し、さらに凹面ミラー22に反射し、出
力光LBとして出力する。高調波光LAがチャンバ21
内を往復する間に、誘導放出による光増幅を行うことに
より、高調波光LAが増幅された出力光LBとして出力
される。そして、この出力光LBは、露光装置30の照
明光学系33に入力されるとともに、エネルギーモニタ
40によって出力光LBの一部光LB1を取り出して出
力光LBのエネルギーEaをモニタする。
The chamber 21 of the amplification stage 20 is filled with ArF gas capable of generating, for example, 193 nm laser light, and has a discharge electrode 24 for exciting this ArF gas to an excimer state. The discharge at the discharge electrode 24 is performed by the amplification stage power supply 45. The input harmonic light LA is applied to the coupling hole 2 of the concave mirror 22.
2 ′, and is input into the chamber 21 via the convex mirror 2
3 and further reflected by the concave mirror 22 and output as output light LB. The harmonic light LA is applied to the chamber 21
By performing optical amplification by stimulated emission while reciprocating inside, harmonic light LA is output as amplified output light LB. Then, the output light LB is input to the illumination optical system 33 of the exposure apparatus 30, and a part of the output light LB1 is extracted by the energy monitor 40 to monitor the energy Ea of the output light LB.

【0058】露光装置30の露光装置コントローラ31
は、インジェクションロック型パルスレーザ側に発振パ
ルス同期信号TRと、エネルギー指令Eまたはレーザ電
源の電源電圧値VOとをレーザコントローラ41に入力
して、インジェクションロック型パルスレーザからの出
力光LBのパルスレーザ発振時期およびその出力を指示
するとともに、露光装置30を制御する。
The exposure apparatus controller 31 of the exposure apparatus 30
Inputs an oscillation pulse synchronization signal TR, an energy command E or a power supply voltage value VO of a laser power supply to a laser controller 41 on an injection lock type pulse laser side, and outputs a pulse laser of output light LB from the injection lock type pulse laser. The oscillating timing and its output are instructed, and the exposure device 30 is controlled.

【0059】レーザコントローラ41は、露光装置コン
トローラ31から入力された発振パルス同期信号TRを
オシレータ段遅延処理部43および増幅段遅延処理部4
2の増幅段遅延部51に出力するとともに、エネルギー
モニタ40のエネルギー値Eaと露光装置コントローラ
31が要求するエネルギー指令Eをもとに増幅段電源4
5の電圧指令値V0をオシレータ段遅延処理部43およ
び増幅段遅延処理部42の遅延時間演算部53に出力す
る。
The laser controller 41 converts the oscillation pulse synchronizing signal TR input from the exposure apparatus controller 31 into an oscillator stage delay processing section 43 and an amplification stage delay processing section 4.
2 to the amplification stage delay unit 51 and the amplification stage power supply 4 based on the energy value Ea of the energy monitor 40 and the energy command E required by the exposure apparatus controller 31.
5 is output to the oscillator stage delay processor 43 and the delay time calculator 53 of the amplifier stage delay processor 42.

【0060】オシレータ段遅延処理部43は、発振パル
ス同期信号TRの入力後、所定の遅延時間Tdo遅延させ
たオシレータ段トリガ信号TOをオシレータ段電源44
に出力し、オシレータ段10の狭帯域化基本波レーザ1
から基本波光Lを発振させ、波長変換部6を介して高調
波光LAを増幅段20に注入する。この基本波光Lは、
オシレータ段トリガ信号TOのトリガが増幅媒体4に加
えられた後であって、発振パルス同期信号TRからオシ
レータ段遅延時間Tos経過後に発光し、期間Tb間発光
する。トリガ信号TO入力から、オシレータ段10が実
際に発光するまでの遅延時間は、オシレータ段10とし
て使われる固体レーザの特性で決まる固有の値である。
After the input of the oscillation pulse synchronizing signal TR, the oscillator stage delay processing section 43 outputs the oscillator stage trigger signal TO delayed by a predetermined delay time Tdo to the oscillator stage power supply 44.
Output from the oscillator stage 10, and the narrowed fundamental wave laser 1 of the oscillator stage 10.
Oscillates the fundamental light L, and injects the harmonic light LA into the amplification stage 20 via the wavelength converter 6. This fundamental light L is
After the trigger of the oscillator stage trigger signal TO is applied to the amplifying medium 4, the light is emitted after the lapse of the oscillator stage delay time Tos from the oscillation pulse synchronization signal TR, and is emitted during the period Tb. The delay time from the input of the trigger signal TO until the oscillator stage 10 actually emits light is a unique value determined by the characteristics of the solid-state laser used as the oscillator stage 10.

【0061】増幅段電源45に入力された電圧指令値V
0をもとに、増幅段電源45は、この電圧指令値V0に対
応する電圧となるように充電を行う。なお、増幅段電源
45は、例えば図26に示すような磁気パルス圧縮回路
で構成され、この電圧指令値V0に対応する電圧は、コ
ンデンサC0に蓄積充電されることになる。
Voltage command value V input to amplification stage power supply 45
Based on 0, the amplification stage power supply 45 performs charging so as to have a voltage corresponding to the voltage command value V0. The amplification stage power supply 45 is formed of, for example, a magnetic pulse compression circuit as shown in FIG. 26, and a voltage corresponding to the voltage command value V0 is stored and charged in the capacitor C0.

【0062】増幅段遅延処理部42は、増幅段遅延部5
1、基準遅延時間設定部52、および遅延時間演算部5
3を有する。
The amplification stage delay processing section 42 includes an amplification stage delay section 5
1, reference delay time setting section 52, and delay time calculation section 5
3

【0063】基準遅延時間設定部52は、増幅段基準遅
延時間Tdsを設定する。この増幅段基準遅延時間Tds
は、発振パルス同期信号TRから増幅段電源45が放電
するまでの時間であり、オシレータ段遅延時間Tos後の
所定時間後に期間Ta放電するように設定される。出力
光LBはこの増幅段基準遅延時間Tds後に発光出力する
ことになる。なお、オシレータ段発光の期間Tbは、増
幅段の放電期間Taを包含する期間となり、これによ
り、ロッキング効率およびレーザ出力が安定して出力す
ることになる。
The reference delay time setting section 52 sets the amplification stage reference delay time Tds. This amplification stage reference delay time Tds
Is a time from the oscillation pulse synchronizing signal TR to the discharge of the amplification stage power supply 45, and is set to discharge for a period Ta after a predetermined time after the oscillator stage delay time Tos. The output light LB emits light after the amplification stage reference delay time Tds. The period Tb of the oscillator stage light emission is a period including the discharge period Ta of the amplification stage, whereby the locking efficiency and the laser output are output stably.

【0064】従って、オシレータ段遅延時間Tosが固定
時間である場合、増幅段基準遅延時間Tdsがオシレータ
段遅延時間Tosより大きくなり、期間Tbが期間Taよ
り大きくなるように、増幅段基準遅延時間Tdsを常に一
定とする必要がある。そのために、上述した増幅段遅延
設定部52は、この増幅段基準遅延時間Tdsを設定する
ことになる。従って、増幅段基準遅延時間Tdsは、オシ
レータ段遅延時間Tosの長短に応じて変化する設定時間
である。
Therefore, when the oscillator stage delay time Tos is a fixed time, the amplification stage reference delay time Tds becomes longer than the oscillator stage delay time Tos and the period Tb becomes longer than the period Ta. Must always be constant. Therefore, the above-described amplification stage delay setting unit 52 sets the amplification stage reference delay time Tds. Therefore, the amplification stage reference delay time Tds is a set time that changes according to the length of the oscillator stage delay time Tos.

【0065】ところで、増幅段電源45は磁気パルス圧
縮回路を用いているため、電圧指令値V0の変化あるい
は増幅段電源の環境、例えば温度によってエネルギー転
送時間が変化し、増幅段トリガTRLの印加時点を調整
し、増幅段電源45の放電時期を常に、発振パルス同期
信号TRから増幅段基準遅延時間Tds後に放電できるよ
うにする必要がある。
Since the amplification stage power supply 45 uses a magnetic pulse compression circuit, the energy transfer time varies depending on the change in the voltage command value V0 or the environment of the amplification stage power supply, for example, the temperature. Must be adjusted so that the discharge timing of the amplification stage power supply 45 can always be discharged after the amplification stage reference delay time Tds from the oscillation pulse synchronization signal TR.

【0066】このため、遅延時間演算部53は、磁気パ
ルス圧縮回路の温度を検出するセンサ47からの温度デ
ータおよびレーザコントローラ41からの電圧指令値V
0が入力され、この温度データおよび電圧指令値V0をも
とに増幅段トリガTRLが印加された後に実際に放電が
行われるまでの実遅延時間Treを演算し、増幅段基準遅
延時間Tdsからこの実遅延時間Treを減算した時間τを
算出し、この時間τを増幅段遅延部51に出力する。
For this reason, the delay time calculation unit 53 calculates the temperature data from the sensor 47 for detecting the temperature of the magnetic pulse compression circuit and the voltage command value V from the laser controller 41.
0, the actual delay time Tre from the application of the amplification stage trigger TRL until the actual discharge is performed is calculated based on the temperature data and the voltage command value V0, and the actual delay time Tre is calculated from the amplification stage reference delay time Tds. A time τ obtained by subtracting the actual delay time Tre is calculated, and this time τ is output to the amplification stage delay unit 51.

【0067】増幅段遅延部51は、発振パルス同期信号
TRから、遅延時間演算部53から入力された時間τ経
過後に、増幅段トリガTRLを増幅段電源45のスイッ
チ46に印加し、エネルギー転送を開始させ、遅延時間
演算部53が演算した実遅延時間Tre後に放電させる。
なお、このスイッチ46は、例えば図27の磁気パルス
圧縮回路におけるスイッチSWに相当する。
The amplification stage delay unit 51 applies the amplification stage trigger TRL to the switch 46 of the amplification stage power supply 45 after the lapse of the time τ input from the delay time calculation unit 53 from the oscillation pulse synchronizing signal TR, and performs energy transfer. The discharge is started after the actual delay time Tre calculated by the delay time calculator 53.
The switch 46 corresponds to, for example, the switch SW in the magnetic pulse compression circuit of FIG.

【0068】これにより、オシレータ段発光は発振パル
ス同期信号TR後、オシレータ段遅延時間Tos後に期間
Tb間、発光し、増幅段放電は発振パルス同期信号TR
後、増幅段基準遅延時間Tds後に常に期間Ta間、放電
することになり、オシレータ段10の発光と増幅段20
の放電(発光)とのタイミングが高精度に同期すること
になる。そして、この結果、ロッキング効率およびスペ
クトル純度が高く、安定したレーザ出力を得ることがで
きる。
As a result, the oscillator stage emission emits light during the period Tb after the oscillation pulse synchronizing signal TR and after the oscillator stage delay time Tos, and the amplification stage discharge emits the oscillation pulse synchronization signal TR.
Thereafter, the discharge is always performed for the period Ta after the amplification stage reference delay time Tds, and the light emission of the oscillator stage 10 and the amplification stage 20
The timing with the discharge (light emission) is synchronized with high accuracy. As a result, a stable laser output with high locking efficiency and high spectral purity can be obtained.

【0069】次に、図3および図4を参照して、本発明
の第2の実施の形態であるインジェクションロック型パ
ルスレーザについて説明する。図3は、本発明の第2の
実施の形態であるインジェクションロック型パルスレー
ザの全体構成を示す図であり、図4は、図3に示すイン
ジェクションロック型パルスレーザにおける各部信号の
タイミングチャートである。
Next, an injection lock type pulse laser according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a diagram showing the overall configuration of an injection-lock type pulse laser according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a timing chart of signals of various parts in the injection-lock type pulse laser shown in FIG. .

【0070】第1の実施の形態では、オシレータ段遅延
時間Tosを一定として、増幅段電源のエネルギー転送時
間の変化に対応させて増幅段トリガTRLの印加時期を
制御するようにして、オシレータ段10の発光と増幅段
20の発光のタイミングを制御したが、第2の実施の形
態では、増幅段遅延時間Tdsに相当する増幅段遅延時間
Tdを、実遅延時間Treと同じ時間に設定した可変時間
のままとし、この可変時間内にオシレータ段遅延時間T
oを調整して、オシレータ段10の発光時期を増幅段放
電時期に同期させるべき、オシレータ段トリガTOの印
加時期を制御しようとするものである。
In the first embodiment, the oscillator stage delay time Tos is fixed, and the application timing of the amplification stage trigger TRL is controlled in accordance with the change in the energy transfer time of the amplification stage power supply. Although the light emission timing of the amplification stage 20 and the light emission timing of the amplification stage 20 are controlled, in the second embodiment, the amplification stage delay time Td corresponding to the amplification stage delay time Tds is set to the variable time set to the same time as the actual delay time Tre. And the oscillator stage delay time T
By adjusting o, the application timing of the oscillator stage trigger TO, which should synchronize the light emission timing of the oscillator stage 10 with the amplification stage discharge timing, is to be controlled.

【0071】まず、レーザコントローラ41は、エネル
ギーモニタ40のエネルギー値Eaと露光装置コントロ
ーラ31が要求するエネルギー指令Eをもとに増幅段電
源45の電圧指令値V0を出力し、または露光装置30
側からレーザ電源電圧指令VOを受け取り、増幅段電源
45は、この電圧指令値V0に対応する電圧となるよう
に充電を行う。一方、この電圧指令値V0は、オシレー
タ段遅延処理部43の遅延時間演算部61に入力され
る。
First, the laser controller 41 outputs the voltage command value V0 of the amplification stage power supply 45 based on the energy value Ea of the energy monitor 40 and the energy command E requested by the exposure device controller 31, or
Receiving the laser power supply voltage command VO from the side, the amplification stage power supply 45 performs charging so as to have a voltage corresponding to the voltage command value V0. On the other hand, the voltage command value V0 is input to the delay time calculator 61 of the oscillator stage delay processor 43.

【0072】また、レーザコントローラ41は、露光装
置コントローラ31から入力された発振パルス同期信号
TRを増幅段電源45に出力し、増幅段トリガTRLと
して、発信パルス同期信号TR入力直後に磁気パルス圧
縮回路のエネルギー転送を開始させ、充電されたエネル
ギーを放電電極24まで転送させる。この転送時間は、
増幅段遅延時間Tdであり、実遅延時間Treでもある。
Further, the laser controller 41 outputs the oscillation pulse synchronizing signal TR input from the exposure apparatus controller 31 to the amplification stage power supply 45 and, as the amplification stage trigger TRL, immediately after the transmission pulse synchronizing signal TR is input, the magnetic pulse compression circuit. Is started, and the charged energy is transferred to the discharge electrode 24. This transfer time is
It is the amplification stage delay time Td and the actual delay time Tre.

【0073】増幅段電源45は、磁気スイッチ動作セン
サ48を有する。この磁気スイッチ動作センサ48は、
磁気パルス圧縮回路で用いられる可飽和リアクトル、例
えば図27の可飽和リアクトルAL1,AL2のうちの
いずれかの飽和を検出するセンサであり、この構成につ
いては後述する。
The amplification stage power supply 45 has a magnetic switch operation sensor 48. This magnetic switch operation sensor 48
This is a sensor that detects the saturation of the saturable reactor used in the magnetic pulse compression circuit, for example, any one of the saturable reactors AL1 and AL2 in FIG. 27, and its configuration will be described later.

【0074】例えば、磁気スイッチ動作センサ48が可
飽和リアクトルAL1の飽和を検出するものとすると、
この磁気スイッチ動作センサ48は、この検出時点をオ
シレータ段遅延処理部43のオシレータ段遅延部62に
出力する。この検出時点は、発振パルス同期信号TRか
らの時間Tmとなる。この時間Tmは、電圧指令値V0
の変化および温度によって変化する。
For example, if the magnetic switch operation sensor 48 detects the saturation of the saturable reactor AL1,
The magnetic switch operation sensor 48 outputs the detection time to the oscillator stage delay unit 62 of the oscillator stage delay processing unit 43. This detection time is the time Tm from the oscillation pulse synchronization signal TR. This time Tm is equal to the voltage command value V0.
And changes with temperature.

【0075】遅延時間演算部61は、レーザコントロー
ラ41から入力される電圧指令値V0と、磁気パルス圧
縮回路の温度を検出するセンサ47からの温度データと
をもとに、磁気スイッチ動作センサ48が検出した時点
から適切なオシレータ段発振までの時間Tdmを演算し、
この時間Tdmからオシレータ段電源44固有のオシレー
タ段遅延時間Tdoを減算した時間τ2を算出し、この時
間τ2をオシレータ段遅延部62に出力する。すなわ
ち、発振同期を図るためのオシレータ段遅延時間Tdoに
対してさらに増幅段遅延時間Tdsの変動を吸収する時間
τ2を加え合わせて発振同期精度の向上を図っている。
The delay time calculation unit 61 determines whether the magnetic switch operation sensor 48 is based on the voltage command value V 0 input from the laser controller 41 and the temperature data from the sensor 47 for detecting the temperature of the magnetic pulse compression circuit. Calculate the time Tdm from the time of detection to the appropriate oscillator stage oscillation,
A time τ2 is calculated by subtracting the oscillator stage delay time Tdo unique to the oscillator stage power supply 44 from this time Tdm, and this time τ2 is output to the oscillator stage delay unit 62. That is, the oscillation synchronization accuracy is improved by adding a time τ2 for absorbing the fluctuation of the amplification stage delay time Tds to the oscillator stage delay time Tdo for achieving the oscillation synchronization.

【0076】オシレータ段遅延部62は、磁気スイッチ
動作センサ48が検出した時点から、オシレータ段遅延
時間Tdoに時間τ2を加算した時間Tdm後にオシレータ
段トリガ信号TOをオシレータ段電源44に出力する。
The oscillator stage delay section 62 outputs the oscillator stage trigger signal TO to the oscillator stage power supply 44 after a time Tdm obtained by adding the time τ2 to the oscillator stage delay time Tdo from the time point when the magnetic switch operation sensor 48 detects.

【0077】すなわち、第2の実施の形態では、磁気パ
ルス圧縮回路における磁気スイッチ動作時点を確実に検
出して出力光LBの発光時点を一層確実に求め、オシレ
ータ段10の発光を増幅段20の発光に精度よく同期さ
せようとするものである。すなわち、第2の実施の形態
では、放電電極24側に近い磁気スイッチ動作時点を起
点として制御することにより、磁気パルス圧縮回路内で
生じる時間誤差量を小さくしている。
That is, in the second embodiment, the time at which the magnetic switch is operated in the magnetic pulse compression circuit is reliably detected, and the time at which the output light LB is emitted is more reliably determined. This is to precisely synchronize with the light emission. That is, in the second embodiment, the time error generated in the magnetic pulse compression circuit is reduced by controlling the magnetic switch operation near the discharge electrode 24 as a starting point.

【0078】これにより、オシレータ段発光は増幅段発
光に同期することになり、この結果、ロッキング効率お
よびスペクトル純度が高く、安定したレーザ出力を得る
ことができる。
As a result, the light emitted from the oscillator stage is synchronized with the light emitted from the amplification stage. As a result, the locking efficiency and the spectral purity are high, and a stable laser output can be obtained.

【0079】次に、図5および図6を参照して、本発明
の第3の実施の形態であるインジェクションロック型パ
ルスレーザについて説明する。図5は、本発明の第3の
実施の形態であるインジェクションロック型パルスレー
ザの全体構成を示す図であり、図6は、図5に示すイン
ジェクションロック型パルスレーザにおける各部信号の
タイミングチャートである。
Next, an injection lock type pulse laser according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a diagram showing an entire configuration of an injection lock type pulse laser according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a timing chart of signals of respective parts in the injection lock type pulse laser shown in FIG. .

【0080】この第3の実施の形態では、第2の実施の
形態におけるオシレータ段10と増幅段20との発光同
期に加え、発振パルス同期信号TRから最終的な増幅段
20の発光までの時間を第1の実施の形態と同様に、増
幅段遅延時間Tdsという一定時間にしようとするもので
ある。
In the third embodiment, in addition to the light emission synchronization between the oscillator stage 10 and the amplification stage 20 in the second embodiment, the time from the oscillation pulse synchronization signal TR to the final emission of the amplification stage 20 is obtained. In the same manner as in the first embodiment.

【0081】まず、レーザコントローラ41は、エネル
ギーモニタ40のエネルギー値Eaと露光装置コントロ
ーラ31が要求するエネルギー指令Eをもとに算出した
電圧指令値V0、または露光装置コントローラ31から
直接送出される電圧指令値V0を増幅段電源45、増幅
段遅延処理部42の遅延時間演算部53、およびオシレ
ータ段遅延処理部43の遅延時間演算部61に出力する
とともに、発振パルス同期信号TRを増幅段遅延処理部
42の増幅段遅延部51に出力する。
First, the laser controller 41 calculates a voltage command value V0 calculated based on the energy value Ea of the energy monitor 40 and the energy command E required by the exposure apparatus controller 31, or a voltage directly transmitted from the exposure apparatus controller 31. The command value V0 is output to the amplification stage power supply 45, the delay time calculation unit 53 of the amplification stage delay processing unit 42, and the delay time calculation unit 61 of the oscillator stage delay processing unit 43, and the oscillation pulse synchronizing signal TR is processed by the amplification stage delay process. The signal is output to the amplification stage delay unit 51 of the unit 42.

【0082】増幅段電源45は、レーザコントローラ4
1から入力された電圧指令値V0をもとに充電する。
The amplification stage power supply 45 is connected to the laser controller 4.
The battery is charged based on the voltage command value V0 input from Step 1.

【0083】基準遅延時間設定部52は、発振パルス同
期信号TRから増幅段放電が行われるまでの増幅段遅延
時間Tdsを設定し、遅延時間演算部53に出力する。こ
の増幅段遅延時間Tdsは一定であり、これにより、発振
パルス同期信号TRの入力から一定時間後に増幅段20
から出力光LBが出力されることになる。なお、後述す
る発振パルス同期信号TRの入力からオシレータ段10
が発光するまでの時間であるオシレータ段遅延時間To
も一定である。
The reference delay time setting unit 52 sets the amplification stage delay time Tds from the oscillation pulse synchronization signal TR until the amplification stage discharge is performed, and outputs the same to the delay time calculation unit 53. The amplification stage delay time Tds is constant, so that the amplification stage 20 has a constant time after the input of the oscillation pulse synchronization signal TR.
Will output the output light LB. It should be noted that the oscillator stage 10
Oscillator stage delay time To
Is also constant.

【0084】遅延時間演算部53は、レーザコントロー
ラ41から入力された電圧指令値V0と増幅段電源45
のセンサ47からの温度データとをもとに、増幅段トリ
ガTRLが印加されてから増幅段20が放電するまでの
実遅延時間Treを演算し、一定時間である増幅段遅延時
間Tdsからこの実遅延時間Treを減算した時間τ1を算
出し、この時間τ1を増幅段遅延部51に出力する。
The delay time calculating section 53 calculates the voltage command value V 0 inputted from the laser controller 41 and the amplification stage power supply 45.
Based on the temperature data from the sensor 47, the actual delay time Tre from the application of the amplification stage trigger TRL to the discharge of the amplification stage 20 is calculated, and the actual delay time Tre is calculated from the amplification stage delay time Tds which is a fixed time. A time τ1 obtained by subtracting the delay time Tre is calculated, and this time τ1 is output to the amplification stage delay unit 51.

【0085】増幅段遅延部51は、レーザコントローラ
41から入力された発振パルス同期信号TRを時間τ1
だけ、遅延した増幅段トリガTRLを増幅段電源45の
スイッチ46に印加してエネルギー転送を開始させる。
The amplification stage delay unit 51 converts the oscillation pulse synchronizing signal TR input from the laser
However, the delayed amplification stage trigger TRL is applied to the switch 46 of the amplification stage power supply 45 to start energy transfer.

【0086】一方、第2の実施の形態と同様に、増幅段
電源45は、磁気スイッチ動作センサ48を有し、所定
の可飽和リアクトルの飽和時点を検出し、この時点をオ
シレータ段遅延処理部43のオシレータ段遅延部62に
出力する。
On the other hand, as in the second embodiment, the amplification stage power supply 45 has a magnetic switch operation sensor 48, detects the saturation time of a predetermined saturable reactor, and uses this time as the oscillator stage delay processing unit. The signal is output to the oscillator stage delay unit 62 of the reference numeral 43.

【0087】オシレータ段遅延処理部43の遅延時間演
算部61は、レーザコントローラ41から入力された電
圧指令値V0と増幅段電源45のセンサ47から入力さ
れる温度データとをもとに、磁気スイッチ動作センサ4
8が検出した時点からオシレータ段発振までの適切な時
間Tdmを演算し、この時間Tdmからオシレータ段電源4
4固有のオシレータ段遅延時間Tdoを減算した時間τ2
を算出し、この時間τ2をオシレータ段遅延部62に出
力する。ここで、オシレータ段遅延時間Tdoと時間τ2
の技術的意義は、第2の実施の形態と同じである。
The delay time calculation unit 61 of the oscillator stage delay processing unit 43 determines the magnetic switch based on the voltage command value V 0 input from the laser controller 41 and the temperature data input from the sensor 47 of the amplification stage power supply 45. Motion sensor 4
8, an appropriate time Tdm from the point of detection of the oscillation to the oscillation of the oscillator stage is calculated.
Time τ2 obtained by subtracting 4 inherent oscillator stage delay time Tdo
And outputs this time τ2 to the oscillator stage delay unit 62. Here, the oscillator stage delay time Tdo and the time τ2
Has the same technical significance as in the second embodiment.

【0088】オシレータ段遅延部62は、磁気スイッチ
動作センサ48が検出した時点から、オシレータ段遅延
時間Tdoに時間τ2を加算した時間Tdm後にオシレータ
段トリガ信号TOをオシレータ段電源44に出力する。
The oscillator stage delay unit 62 outputs the oscillator stage trigger signal TO to the oscillator stage power supply 44 after a time Tdm obtained by adding the time τ2 to the oscillator stage delay time Tdo from the time when the magnetic switch operation sensor 48 detects.

【0089】これにより、オシレータ段発光は増幅段発
光に同期して、ロッキング効率およびスペクトル純度が
高く、安定したレーザ出力を得ることができるととも
に、発振パルス同期信号TRの印加から出力光LBが出
力されるまでの時間を一定にすることができる。本実施
の形態において、レーザ電源電圧値および磁気パルス圧
縮回路の温度によって実遅延時間Treを計算し、その値
に基づいてオシレータ段トリガ信号TOを出力すること
も可能である。しかしながら、そのような計算で求めた
実遅延時間Treは誤差を含み、オシレータ段10と増幅
段20との厳密な発振同期という点においては、第3の
実施の形態において説明したように磁気スイッチセンサ
を用いて時間Tdmを求める制御の方が望ましい。
As a result, the oscillator stage light emission is synchronized with the amplification stage light emission, so that locking efficiency and spectral purity are high, a stable laser output can be obtained, and output light LB is output from application of the oscillation pulse synchronization signal TR. It is possible to make the time until it is constant. In the present embodiment, it is also possible to calculate the actual delay time Tre based on the laser power supply voltage value and the temperature of the magnetic pulse compression circuit, and output the oscillator stage trigger signal TO based on the calculated value. However, the actual delay time Tre obtained by such calculation includes an error, and in terms of strict oscillation synchronization between the oscillator stage 10 and the amplification stage 20, as described in the third embodiment, the magnetic switch sensor It is more desirable to use the control to obtain the time Tdm.

【0090】ここで、第2および第3の実施の形態にお
ける磁気スイッチ動作センサ48の具体的な構成につい
て説明する。
Here, a specific configuration of the magnetic switch operation sensor 48 according to the second and third embodiments will be described.

【0091】図7は、磁気パルス圧縮回路上における磁
気スイッチ動作センサ48の配置構成を示す図であり、
図7では、磁気スイッチ動作センサ48は可飽和リアク
トルAL1の飽和時点を検出し、検出信号Saをオシレ
ータ段遅延部62に出力する。
FIG. 7 is a diagram showing an arrangement of the magnetic switch operation sensor 48 on the magnetic pulse compression circuit.
7, the magnetic switch operation sensor 48 detects the saturation point of the saturable reactor AL1, and outputs a detection signal Sa to the oscillator stage delay unit 62.

【0092】この磁気スイッチ動作センサ48によっ
て、レーザ出力に関連するパラメータとして磁気パルス
圧縮回路の温度を検出するようにしているので、連続発
振等による磁気パルス圧縮回路の温度変化に伴うエネル
ギー転送時間を正確に予測演算することができ、オシレ
ータ段10と増幅段20との発光タイミングの同期を適
正に制御することができる。
Since the magnetic switch operation sensor 48 detects the temperature of the magnetic pulse compression circuit as a parameter related to the laser output, the energy transfer time accompanying the temperature change of the magnetic pulse compression circuit due to continuous oscillation or the like can be reduced. The prediction calculation can be performed accurately, and the synchronization of the light emission timing of the oscillator stage 10 and the amplification stage 20 can be appropriately controlled.

【0093】図8〜図12は、磁気スイッチ動作センサ
48の具体例を示す図である。図8では、可飽和リアク
トル(磁気スイッチ)AL1に直列にインダクタンス手
段としての磁芯(またはコイル)72を接続するように
している。図8(a)に示すように、電流パルスi1の電
流変化による自己誘導により磁芯72には誘導電圧vsが
発生するので、この誘導電圧vsを検出することで、電流
パルスi1の立ち上がり時点t3(図27の時点t3に相当)
を検出することができる。
FIGS. 8 to 12 are diagrams showing specific examples of the magnetic switch operation sensor 48. FIG. In FIG. 8, a magnetic core (or coil) 72 as an inductance means is connected in series with the saturable reactor (magnetic switch) AL1. As shown in FIG. 8A, an induced voltage vs is generated in the magnetic core 72 by self-induction due to a current change of the current pulse i1, and by detecting this induced voltage vs, the rising point t3 of the current pulse i1 is detected. (Corresponding to time point t3 in FIG. 27)
Can be detected.

【0094】図9では、磁気スイッチAL1の2次巻線
73に誘導される誘導起電圧vs(図9(b)参照)を検
出し、この電圧検出に基づいて電流パルスi1の立ち上が
り時点t3を検出するようにしている。
In FIG. 9, the induced electromotive voltage vs (see FIG. 9B) induced in the secondary winding 73 of the magnetic switch AL1 is detected, and based on this voltage detection, the rising point t3 of the current pulse i1 is determined. I try to detect.

【0095】図10では、磁気スイッチAL1に直列に
1次コイル74を接続し、この1次コイル74を流れる
電流パルスi0の電流変化によって発生する2次コイル7
5の誘導電圧vsを検出し、この電圧検出に基づいて電流
パルスi1の立ち上がり時点t3を検出するようにしてい
る。
In FIG. 10, a primary coil 74 is connected in series to the magnetic switch AL1, and a secondary coil 7 generated by a current change of a current pulse i0 flowing through the primary coil 74.
5, the induced voltage vs. 5 is detected, and the rising point t3 of the current pulse i1 is detected based on the detected voltage.

【0096】図11では、磁気スイッチAL1のリセッ
ト回路76(磁気スイッチのB−H特性を所定の初期状
態にする回路)中の空心コイル77を接続し、この空心
コイル77の誘導電圧vsを検出し、この電圧検出に基づ
いて電流パルスi1の立ち上がり時点t3を検出するように
している。
In FIG. 11, the air-core coil 77 in the reset circuit 76 of the magnetic switch AL1 (circuit for setting the BH characteristic of the magnetic switch to a predetermined initial state) is connected, and the induced voltage vs. of the air-core coil 77 is detected. Then, the rising point t3 of the current pulse i1 is detected based on the voltage detection.

【0097】図12では、コンデンサC1を並列に抵抗
r1,r2を接続し、その分圧vsを検出することに基づいて
電流パルスi1の立ち上がり時点t3を検出するようにして
いる。
In FIG. 12, a capacitor C1 is connected in parallel with a resistor.
r1 and r2 are connected, and the rising point t3 of the current pulse i1 is detected based on the detection of the divided voltage vs.

【0098】ところで、上述した第1〜第3の実施の形
態におけるセンサ47は温度センサであり、熱電対等に
よって磁気スイッチの絶縁油の温度を検知するようにし
ているが、この温度センサでなくても、磁気スイッチ動
作センサを組み合わせることによっても、この温度セン
サの機能を実現することができる。
In the meantime, the sensor 47 in the first to third embodiments is a temperature sensor, and detects the temperature of the insulating oil of the magnetic switch by a thermocouple or the like. Alternatively, the function of this temperature sensor can be realized by combining a magnetic switch operation sensor.

【0099】図13は、センサ47および磁気スイッチ
動作センサ48の機能を2つの磁気スイッチ動作センサ
48a,48bによって実現する構成を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a configuration in which the functions of the sensor 47 and the magnetic switch operation sensor 48 are realized by two magnetic switch operation sensors 48a and 48b.

【0100】すなわち、磁気スイッチ動作センサ48a
は、磁気スイッチ動作センサ48と同様に、磁気スイッ
チAL1の飽和動作を検出し、磁気スイッチ動作センサ
48bは、磁気スイッチAL1の前段の磁気スイッチA
L0の飽和動作を検出し、磁気スイッチ動作センサ48
aの検出信号Saおよび磁気スイッチ動作センサ48b
の検出信号Sbは、遅延時間演算部62に送出される。
遅延時間演算部62は、この検出信号Sa,Sbの時間
差から、温度データに対応する値を演算し、電圧指令値
V0の値とを加味して、時間τ2を演算し、オシレータ
段遅延部62に出力する。従って、この2つの磁気スイ
ッチ動作センサ48a,48bによって温度データに対
応する値を取得することができる。
That is, the magnetic switch operation sensor 48a
Detects the saturation operation of the magnetic switch AL1 in the same manner as the magnetic switch operation sensor 48, and the magnetic switch operation sensor 48b detects the magnetic switch A preceding the magnetic switch AL1.
When the saturation operation of L0 is detected, the magnetic switch operation sensor 48
a and the magnetic switch operation sensor 48b
Is sent to the delay time calculator 62.
The delay time calculation unit 62 calculates a value corresponding to the temperature data from the time difference between the detection signals Sa and Sb, calculates the time τ2 in consideration of the voltage command value V0, and calculates the oscillator stage delay unit 62. Output to Therefore, a value corresponding to the temperature data can be obtained by the two magnetic switch operation sensors 48a and 48b.

【0101】一方、磁気スイッチ動作センサ48aは磁
気スイッチ動作センサ48と同様の機能をも有し、磁気
スイッチ動作センサ48aの検出信号Saは、オシレー
タ段遅延部62に送出され、この検出信号Saの時点を
基準に遅延処理が施されることになる。
On the other hand, the magnetic switch operation sensor 48a has the same function as the magnetic switch operation sensor 48, and the detection signal Sa of the magnetic switch operation sensor 48a is sent to the oscillator stage delay unit 62, and the detection signal Sa Delay processing is performed based on the time point.

【0102】このようにして温度センサとしてのセンサ
47を設けないで実際に温度を検出しなくても、磁気ス
イッチ動作センサを組み合わせることによって温度デー
タに対応する値を取得することもできる。
As described above, even if the temperature is not actually detected without providing the sensor 47 as the temperature sensor, a value corresponding to the temperature data can be obtained by combining the magnetic switch operation sensors.

【0103】なお、上述した遅延時間演算部53,61
は、温度データを用いるようにしているが、この温度デ
ータを用いなくても、ある程度の同期が取れるので、許
容値が大きい場合は温度データを用いなくてもよく、こ
の温度データを取得するための構成を削除することがで
きる。
The above-described delay time calculation units 53 and 61
Uses temperature data, but without using this temperature data, a certain degree of synchronization can be achieved, so if the permissible value is large, it is not necessary to use temperature data. Can be deleted.

【0104】また、上述した遅延時間演算部53,61
は、テーブルを用いて時間τ,τ1,τ2を算出するよ
うにしてもよい。すなわち、電圧指令値V0、温度デー
タに対応して予め算定されたτ,τ1,τ2を直ちに変
換出力するようにしてもよい。この場合には、高速出力
が可能となり、特に第2および第3の実施の形態では、
さらに放電電極24側に近い磁気スイッチの動作を検出
することが可能となり、一層精度の高い同期をとること
が可能となる。
The above-described delay time calculation units 53 and 61
May calculate the time τ, τ1, τ2 using a table. That is, τ, τ1, τ2 calculated in advance corresponding to the voltage command value V0 and the temperature data may be immediately converted and output. In this case, high-speed output is possible. In particular, in the second and third embodiments,
Further, it is possible to detect the operation of the magnetic switch near the discharge electrode 24 side, and it is possible to achieve more accurate synchronization.

【0105】なお、上述したインジェクションロック型
パルスレーザは、オシレータ段10に狭帯域化基本波レ
ーザ1としてチタンサファイヤレーザ(773.6n
m)を用いる場合として説明したが、図14に示すよう
に、このチタンサファイヤレーザは、実際、ポンピング
パルスレーザPLによって光励起される。このポンピン
グパルスレーザPLとしては、具体的にはYAGレーザ
の第2高調波(532nm)やYLFレーザの第2高調
波(527nm)が用いられ、これらのポンピングパル
スレーザPLに対してオシレータ段遅延処理部43から
オシレータ段トリガ信号TOが送出されることになる。
The injection-lock type pulse laser described above has a titanium sapphire laser (773.6n) as the narrow-band fundamental wave laser 1 in the oscillator stage 10.
Although the case where m) is used has been described, as shown in FIG. 14, this titanium sapphire laser is actually optically pumped by a pumping pulse laser PL. As the pumping pulse laser PL, specifically, the second harmonic (532 nm) of a YAG laser or the second harmonic (527 nm) of a YLF laser is used. The oscillator stage trigger signal TO is transmitted from the unit 43.

【0106】さらに、第1〜第3の実施の形態が適用さ
れる具体的なインジェクションロック型パルスレーザの
具体的な構成について図15を参照して説明する。
Further, a specific configuration of an injection lock type pulse laser to which the first to third embodiments are applied will be described with reference to FIG.

【0107】図15では、狭帯域化CWチタンサファイ
ヤレーザまたは狭帯域化CW半導体レーザの出力光をさ
らにパルスのチタンサファイヤレーザ増幅段80で増幅
して、波長変換部6に入力し、この波長変換部6からの
高調波光を増幅段20に入力する構成としてインジェク
ションロック型パルスレーザである。
In FIG. 15, the output light of the narrow band CW titanium sapphire laser or the narrow band CW semiconductor laser is further amplified by a pulsed titanium sapphire laser amplification stage 80 and input to the wavelength conversion section 6, where the wavelength conversion is performed. A configuration in which the harmonic light from the section 6 is input to the amplification stage 20 is an injection lock type pulse laser.

【0108】すなわち、オシレータ段10では、まずC
W(連続発振)レーザ光を発振させておく。これには、
CWチタンサファイヤレーザまたはCW半導体レーザが
用いられ、CWチタンサファイヤレーザの場合にはその
ポンピングCWレーザとして、アルゴンイオンレーザ
(488nm,515nm等のマルチライン)PL1が
用いられる。CW半導体レーザの場合にはポンピングC
WレーザPL1は不用である。このCWレーザ81から
のCWレーザ光は、チタンサファイヤレーザ増幅段80
に入力され、ポンピングパルスレーザPL2によってパ
ルス光とされる。このチタンサファイヤレーザ増幅段8
0は具体的にはリング共振器等によって実現される。そ
して、このチタンサファイヤレーザ増幅段80から出力
されるパルスの基本波光L(773.6nm)が波長変
換部6に入力され、4倍の高調波としての高調波光LA
(193.4nm)が増幅段20に入力される。
That is, in the oscillator stage 10, first, C
A W (continuous oscillation) laser beam is oscillated. This includes
A CW titanium sapphire laser or a CW semiconductor laser is used. In the case of a CW titanium sapphire laser, an argon ion laser (multiline of 488 nm, 515 nm, etc.) PL1 is used as the pumping CW laser. Pumping C for CW semiconductor laser
The W laser PL1 is unnecessary. The CW laser light from the CW laser 81 is applied to a titanium sapphire laser amplification stage 80.
And pulsed by the pumping pulse laser PL2. This titanium sapphire laser amplification stage 8
0 is specifically realized by a ring resonator or the like. Then, the fundamental light L (773.6 nm) of the pulse output from the titanium sapphire laser amplification stage 80 is input to the wavelength conversion unit 6, and the harmonic light LA as the fourth harmonic is output.
(193.4 nm) is input to the amplification stage 20.

【0109】このCWレーザ81を用いる利点は、CW
レーザであるが故に、非常にスペクトル幅の狭いシング
ルモードのレーザ光を得ることができるからである。た
だし、このCWレーザからのレーザ光の光強度は非常に
小さいため、チタンサファイヤレーザ増幅段80によっ
て非常に強いパルスのレーザ光に増幅することになる。
なお、上述したように、ポンピングパルスレーザPL2
としては、実際には、YAGレーザまたはYLFレーザ
の第2高調波を用いることができる。
The advantage of using the CW laser 81 is that
This is because a single mode laser beam having a very narrow spectrum width can be obtained because the laser is used. However, since the light intensity of the laser light from the CW laser is very low, the laser light is amplified by the titanium sapphire laser amplification stage 80 into a very strong pulsed laser light.
As described above, the pumping pulse laser PL2
In practice, the second harmonic of a YAG laser or a YLF laser can be used.

【0110】このような構成により狭帯域化されたパル
スレーザ光を高出力で得ることができる。
With such a configuration, a pulse laser beam having a narrow band can be obtained with a high output.

【0111】ここで、オシレータ段10から注入される
レーザ光の発光パルス幅を変化させた場合について説明
する。
Here, the case where the light emission pulse width of the laser light injected from the oscillator stage 10 is changed will be described.

【0112】図16は、本発明によるインジェクション
ロック型パルスレーザによるレーザ発光の計測関係図を
示す。レーザコントローラ41からオシレータ段遅延処
理部43を介してオシレータ段電源44にオシレータ段
トリガ信号TOが入力されると、オシレータ段電源44
は、ポンピングパルスレーザPLとしてのYLF(また
はYAG)レーザの図示しないロッドを励起し、ポンピ
ングパルスレーザPLは、1054(1064)nmの
レーザ光を所定の発光パルス幅で出力する。このレーザ
光は、波長変換部90によって第2高調波光(536n
m)のレーザ光に変換される。なお、レーザ光の発光パ
ルス幅を調整する方法としては、YLF(YAG)レー
ザの利得、共振器長、Q値、またはQスイッチドライバ
のパルス波形を変化させることにより実現される。
FIG. 16 is a diagram showing a measurement relation of laser emission by the injection lock type pulse laser according to the present invention. When an oscillator stage trigger signal TO is input from the laser controller 41 to the oscillator stage power supply 44 via the oscillator stage delay processing section 43, the oscillator stage power supply 44
Excites a rod (not shown) of a YLF (or YAG) laser as the pumping pulse laser PL, and the pumping pulse laser PL outputs a laser beam of 1054 (1064) nm with a predetermined light emission pulse width. This laser light is converted into second harmonic light (536n
m) is converted into laser light. The method of adjusting the emission pulse width of the laser light is realized by changing the gain, the resonator length, the Q value, or the pulse waveform of the Q switch driver of the YLF (YAG) laser.

【0113】この第2高調波光は、狭帯域化基本波レー
ザ1としての狭帯域化チタンサファイヤレーザ1aの増
幅媒体4であるチタンサファイヤロッドを励起し、所定
の発光パルス幅で発光し、波長773.6nmの狭帯域
化レーザ光が基本波光Lとして出力される。この基本波
光Lは、波長変換部6によって第4高調波光LA(19
3.4nm)に変換され、所定の発光パルス幅を有する
高調波光として出力される。
The second harmonic light excites a titanium sapphire rod, which is the amplification medium 4 of the narrow band titanium sapphire laser 1a as the narrow band fundamental wave laser 1, emits light with a predetermined light emission pulse width, and emits light with a wavelength of 773. The laser light with a narrow band of 0.6 nm is output as the fundamental light L. The fundamental light L is converted by the wavelength converter 6 into the fourth harmonic light LA (19).
3.4 nm) and output as harmonic light having a predetermined light emission pulse width.

【0114】この高調波光LAの一部はビームスプリッ
タ91によって取り出され、光センサ93によって検出
される。一方、ビームスプリッタ91を透過した高調波
光LAは、増幅段20に入力される。ここで、上述した
第1〜第3の実施の形態によって実現される同期制御に
よって増幅段20が放電を行い増幅出力する。ビームス
プリッタ92によって出力光LBの一部が取り出され、
光センサ94によって検出される。
A part of the harmonic light LA is extracted by the beam splitter 91 and detected by the optical sensor 93. On the other hand, the harmonic light LA transmitted through the beam splitter 91 is input to the amplification stage 20. Here, the amplification stage 20 discharges and amplifies and outputs by the synchronous control realized by the above-described first to third embodiments. A part of the output light LB is extracted by the beam splitter 92,
The light is detected by the optical sensor 94.

【0115】この光センサ93によって、注入された高
調波光LAの発光タイミングと発光パルス幅とパルスエ
ネルギーを計測し、光センサ94によって、出力光LB
の発光タイミングと発光パルス幅とパルスエネルギーを
計測し、そのスペクトル純度を測定することができる。
なお、ポンピングパルスレーザPLであるYLFレーザ
の共振器やQ値を変化させることにより、狭帯域化チタ
ンサファイヤレーザ1aの発光パルス幅を制御すること
ができる。さらに、レーザ光を波長変換部90,6によ
って変換することによって、任意のタイミングで注入光
のパルス幅を制御することができる。また、オシレータ
段遅延処理部43および増幅段遅延処理部42の遅延調
整によって、任意のタイミングで注入光の入力と増幅段
20の励起タイミングを制御することができる。
The light sensor 93 measures the light emission timing, light emission pulse width and pulse energy of the injected harmonic light LA, and the light sensor 94 outputs the output light LB.
The light emission timing, the light emission pulse width and the pulse energy can be measured, and the spectral purity can be measured.
The emission pulse width of the narrow band titanium sapphire laser 1a can be controlled by changing the resonator and the Q value of the YLF laser serving as the pumping pulse laser PL. Further, by converting the laser light by the wavelength conversion units 90 and 6, the pulse width of the injection light can be controlled at an arbitrary timing. Further, by adjusting the delay of the oscillator stage delay processing unit 43 and the amplification stage delay processing unit 42, it is possible to control the input of the injection light and the excitation timing of the amplification stage 20 at an arbitrary timing.

【0116】ここで、注入光(高調波光LA)のパルス
幅とスペクトル純度との関係を測定すると、図17に示
すようになる。
Here, the relationship between the pulse width of the injected light (harmonic light LA) and the spectral purity is measured, as shown in FIG.

【0117】図17から、注入光のパルス幅を長くする
ことによって、スペクトル純度を高く維持することがで
きる注入タイミングの遅延時間許容範囲を、注入光のパ
ルス幅の長さがのびた時間と同程度に長くすることがで
きることがわかる。
From FIG. 17, it can be seen from FIG. 17 that, by increasing the pulse width of the injection light, the allowable range of the delay time of the injection timing at which the spectral purity can be maintained high is about the same as the length of the pulse width of the injection light. It can be seen that the length can be increased.

【0118】これは、遅延時間許容範囲がのびることに
よって、注入光と増幅段の励起のタイミングがジッタに
よって多少変化してもスペクトル純度が悪化しないこと
を意味する。
This means that the spectral purity does not deteriorate even if the timing of the injection light and the excitation of the amplification stage slightly changes due to the jitter, because the allowable range of the delay time extends.

【0119】また、図18は、注入光のパルス幅とパル
スエネルギーとの関係を示す。図18から、注入光のパ
ルス幅が長くなると、増幅されたパルスエネルギーが安
定な許容範囲は、注入光のパルス幅の長さがのびた時間
と同程度に長くすることができることがわかる。
FIG. 18 shows the relationship between the pulse width and the pulse energy of the injected light. From FIG. 18, it is understood that when the pulse width of the injection light becomes longer, the allowable range in which the amplified pulse energy is stable can be made as long as the length of the pulse width of the injection light becomes longer.

【0120】これは、遅延時間許容範囲がのびることに
よって、注入光と増幅段の励起タイミングがジッタによ
って変化しても、増幅段のパルスエネルギーが安定に維
持できることを意味する。
This means that the pulse energy of the amplification stage can be stably maintained even if the injection timing of the injection light and the excitation stage of the amplification stage change due to the extended delay time allowable range.

【0121】なお、上述した実施の形態では、オシレー
タ段のレーザとして固体レーザを用いて説明したが、こ
れは、固体レーザの方が安定して注入光を発光すること
ができるからであり、その他の気体レーザ、液体レーザ
を用いても安定出力することができるならば、オシレー
タ段として用いることができる。例えば、電源電圧およ
び温度等を一定に保って安定したレーザ出力を行うこと
ができるエキシマレーザを用いることも可能であり、固
体レーザに限定されないことは言うまでもない。
In the above embodiment, the solid-state laser is used as the laser in the oscillator stage. This is because the solid-state laser can more stably emit the injection light. If a stable output can be obtained even by using a gas laser or a liquid laser, the oscillator can be used as an oscillator stage. For example, it is possible to use an excimer laser capable of performing a stable laser output while maintaining a constant power supply voltage and temperature, and it is needless to say that the present invention is not limited to a solid-state laser.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態であるインジェクシ
ョンロック型パルスレーザの全体構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of an injection lock type pulse laser according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示すインジェクションロック型パルスレ
ーザの各部信号のタイミングチャートである。
FIG. 2 is a timing chart of signals of respective parts of the injection lock type pulse laser shown in FIG.

【図3】本発明の第2の実施の形態であるインジェクシ
ョンロック型パルスレーザの全体構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating an entire configuration of an injection-locked pulse laser according to a second embodiment of the present invention.

【図4】図3に示すインジェクションロック型パルスレ
ーザの各部信号のタイミングチャートである。
4 is a timing chart of signals of respective parts of the injection lock type pulse laser shown in FIG.

【図5】本発明の第3の実施の形態であるインジェクシ
ョンロック型パルスレーザの全体構成を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an overall configuration of an injection-lock type pulse laser according to a third embodiment of the present invention.

【図6】図5に示すインジェクションロック型パルスレ
ーザの各部信号のタイミングチャートである。
6 is a timing chart of signals of respective parts of the injection lock type pulse laser shown in FIG.

【図7】磁気パルス圧縮回路上における磁気スイッチ動
作センサの配置構成を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an arrangement configuration of a magnetic switch operation sensor on a magnetic pulse compression circuit.

【図8】磁気スイッチ動作センサの具体例を示す図であ
る。
FIG. 8 is a diagram showing a specific example of a magnetic switch operation sensor.

【図9】磁気スイッチ動作センサの具体例を示す図であ
る。
FIG. 9 is a diagram showing a specific example of a magnetic switch operation sensor.

【図10】磁気スイッチ動作センサの具体例を示す図で
ある。
FIG. 10 is a diagram showing a specific example of a magnetic switch operation sensor.

【図11】磁気スイッチ動作センサの具体例を示す図で
ある。
FIG. 11 is a diagram showing a specific example of a magnetic switch operation sensor.

【図12】磁気スイッチ動作センサの具体例を示す図で
ある。
FIG. 12 is a diagram showing a specific example of a magnetic switch operation sensor.

【図13】2つの磁気スイッチ動作センサによってセン
サ47および磁気スイッチ動作センサ48の機能を実現
する構成を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a configuration in which the functions of a sensor 47 and a magnetic switch operation sensor 48 are realized by two magnetic switch operation sensors.

【図14】第1〜第3の実施の形態におけるインジェク
ションロック型パルスレーザの具体的構成を示す図であ
る。
FIG. 14 is a diagram showing a specific configuration of an injection lock type pulse laser according to the first to third embodiments.

【図15】第1〜第3の実施の形態におけるインジェク
ションロック型パルスレーザの具体的構成を示す図であ
る。
FIG. 15 is a diagram showing a specific configuration of an injection lock type pulse laser according to the first to third embodiments.

【図16】本発明の実施の形態であるインジェクション
ロック型パルスレーザによる性能を測定するブロック図
である。
FIG. 16 is a block diagram for measuring performance by the injection lock type pulse laser according to the embodiment of the present invention.

【図17】注入光のパルス幅と出力光のスペクトル純度
との関係を示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing the relationship between the pulse width of injection light and the spectral purity of output light.

【図18】注入光のパルス幅とパルスエネルギーとの関
係を示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing a relationship between a pulse width and a pulse energy of injection light.

【図19】従来の狭帯域化エキシマレーザの概要構成を
示す図である。
FIG. 19 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional narrow-band excimer laser.

【図20】インジェクションロック型パルスレーザの一
例を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing an example of an injection lock type pulse laser.

【図21】スペクトル純度を説明する図である。FIG. 21 is a diagram illustrating spectral purity.

【図22】ロッキング効率を説明する図である。FIG. 22 is a diagram illustrating locking efficiency.

【図23】従来のインジェクションロック型パルスレー
ザにおける各部信号のタイミングチャートである。
FIG. 23 is a timing chart of signals of respective parts in a conventional injection lock type pulse laser.

【図24】注入エネルギーとロッキング効率との関係を
示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing a relationship between implantation energy and locking efficiency.

【図25】注入エネルギーと相対レーザ出力との関係を
示す図である。
FIG. 25 is a diagram showing a relationship between injection energy and relative laser output.

【図26】一般的な容量移行型の磁気パルス圧縮放電装
置の等価回路を示す図である。
FIG. 26 is a diagram showing an equivalent circuit of a general capacity transfer type magnetic pulse compression discharge device.

【図27】図26の回路各部における電圧および電流の
波形例を示す図である。
27 is a diagram illustrating an example of waveforms of a voltage and a current in each section of the circuit in FIG. 26;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…狭帯域化基本波レーザ 2…リアーミラー 3…波
長選択素子 4…増幅媒体 5…フロントミラー 6…波長変換部 7,8…全反射ミラー 10…オシレータ段 20…増
幅段 21…チャンバ 22…凹面ミラー 23…凸面ミラー
24…放電電極 30…露光装置 31…露光装置コントローラ 32…
ウェハテーブル 40…エネルギーモニタ 41…レーザコントローラ 42…増幅段遅延処理部 43…オシレータ段遅延処理
部 44…オシレータ段電源 45…増幅段電源 46…ス
イッチ 47…センサ 48,48a,48b…磁気スイッチ動
作センサ 51…増幅段遅延部 52…基準遅延時間設定部 53,61…遅延時間演算部 62…オシレータ段遅延
部 TR…発振パルス同期信号 V0…電圧指令値 TO…オシレータ段トリガ信号 TRL…増幅段トリガ τ,τ1,τ2…遅延時間 Tds…増幅段基準遅延時間 Tos…オシレータ段遅延時間 Tre…実遅延時間
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Narrow band fundamental wave laser 2 ... Rear mirror 3 ... Wavelength selection element 4 ... Amplification medium 5 ... Front mirror 6 ... Wavelength conversion part 7, 8 ... Total reflection mirror 10 ... Oscillator stage 20 ... Amplification stage 21 ... Chamber 22 ... Concave mirror 23 ... Convex mirror 24 ... Discharge electrode 30 ... Exposure device 31 ... Exposure device controller 32 ...
Wafer table 40 ... Energy monitor 41 ... Laser controller 42 ... Amplification stage delay processing unit 43 ... Oscillator stage delay processing unit 44 ... Oscillator stage power supply 45 ... Amplification stage power supply 46 ... Switch 47 ... Sensor 48,48a, 48b ... Magnetic switch operation sensor Reference numeral 51: amplification stage delay unit 52: reference delay time setting unit 53, 61: delay time calculation unit 62: oscillator stage delay unit TR: oscillation pulse synchronization signal V0: voltage command value TO: oscillator stage trigger signal TRL: amplification stage trigger τ , Τ1, τ2: delay time Tds: amplification stage reference delay time Tos: oscillator stage delay time Tre: actual delay time

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01S 3/225 H01S 3/223 E Fターム(参考) 2H097 AA03 BB02 CA13 CA17 LA10 5F046 BA03 CA04 DA01 DB01 DC01 5F071 AA06 GG02 GG03 GG05 GG07 HH05 HH07 JJ03 JJ05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01S 3/225 H01S 3/223 EF term (Reference) 2H097 AA03 BB02 CA13 CA17 LA10 5F046 BA03 CA04 DA01 DB01 DC01 5F071 AA06 GG02 GG03 GG05 GG07 HH05 HH07 JJ03 JJ05

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 狭帯域化した第1のパルスレーザ光を第
1のタイミングで発振するオシレータ段と、 磁気パルス圧縮回路を用いて第2のタイミングで放電励
起し、前記第1のパルスレーザ光を注入光として誘導放
出して増幅された第2のパルスレーザ光を出力する増幅
段と、 前記第1のタイミングと前記第2のタイミングとを適正
に同期調整する同期制御手段とを有したインジェクショ
ンロック型狭帯域化パルスレーザ装置において、前記同
期制御手段は、 前記第2のパルスレーザ光を用いて所定の加工処理を行
う加工処理装置から送出される発振指示から前記第2の
タイミングまでの間の固定遅延時間を前記第1のタイミ
ングに対応して設定する遅延時間設定手段と、 レーザ出力に関連するパラメータに基づいて前記磁気パ
ルス圧縮回路のエネルギー転送開始から前記第2のタイ
ミングまでの実遅延時間を予測演算し、前記固定遅延時
間から前記実遅延時間を減算した遅延時間を算出する遅
延時間演算手段と、 前記発振指示から前記遅延時間演算手段が算出した遅延
時間経過後に前記磁気パルス圧縮回路のエネルギー転送
を開始させるエネルギー転送開始手段とを具備したこと
を特徴とするインジェクションロック型狭帯域化パルス
レーザ装置。
1. An oscillator stage for oscillating a narrowed first pulse laser beam at a first timing, and a discharge excitation at a second timing using a magnetic pulse compression circuit to produce the first pulse laser beam. Having an amplification stage for outputting a second pulse laser beam amplified by stimulated emission of the first pulse as injection light, and synchronization control means for appropriately synchronizing and adjusting the first timing and the second timing. In the lock-type narrow-band pulse laser device, the synchronization control unit may perform a process from an oscillation instruction transmitted from a processing device that performs a predetermined processing process using the second pulse laser light to the second timing. Delay time setting means for setting a fixed delay time corresponding to the first timing; and a magnetic pulse compression circuit based on parameters related to laser output. Delay time calculating means for predicting and calculating an actual delay time from the start of energy transfer to the second timing, and calculating a delay time obtained by subtracting the actual delay time from the fixed delay time; and calculating the delay time from the oscillation instruction. And an energy transfer start means for starting the energy transfer of the magnetic pulse compression circuit after the elapse of the delay time calculated by the means.
【請求項2】 狭帯域化した第1のパルスレーザ光を第
1のタイミングで発振するオシレータ段と、 磁気パルス圧縮回路を用いて第2のタイミングで放電励
起し、前記第1のパルスレーザ光を注入光として誘導放
出して増幅された第2のパルスレーザ光を出力する増幅
段と、 前記第1のタイミングと前記第2のタイミングとを適正
に同期調整する同期制御手段とを有したインジェクショ
ンロック型狭帯域パルスレーザ装置において、 前記同期制御手段は、 前記磁気パルス圧縮回路上で用いられる磁気スイッチの
オン時を検出する磁気スイッチ動作センサと、 レーザ出力に関連するパラメータに基づいて前記磁気パ
ルス圧縮回路のエネルギー転送開始から前記第2のタイ
ミングまでの実遅延時間を予測演算し、該予測演算によ
る第2のタイミングに対応する第1のタイミングを生成
すべく前記オシレータ段の発振を遅延させる遅延時間を
算出する遅延時間演算手段と、 前記遅延時間演算手段が算出した遅延時間を加えた時間
後に前記オシレータ段の発振を行わせるオシレータ段発
振遅延手段とを具備したことを特徴とするインジェクシ
ョンロック型狭帯域化パルスレーザ装置。
2. An oscillator stage for oscillating a narrowed first pulse laser beam at a first timing, and discharge excitation at a second timing by using a magnetic pulse compression circuit to produce the first pulse laser beam. Having an amplification stage for outputting a second pulse laser beam amplified by stimulated emission of the first pulse as injection light, and synchronization control means for appropriately synchronizing and adjusting the first timing and the second timing. In the lock-type narrow band pulse laser device, the synchronization control means includes: a magnetic switch operation sensor that detects an ON time of a magnetic switch used on the magnetic pulse compression circuit; and the magnetic pulse based on a parameter related to a laser output. The actual delay time from the start of energy transfer of the compression circuit to the second timing is predicted and calculated. Delay time calculating means for calculating a delay time for delaying oscillation of the oscillator stage in order to generate a first timing corresponding to the clock, and after a time obtained by adding the delay time calculated by the delay time calculating means, An injection-lock type narrow-band pulse laser device comprising: an oscillator stage oscillation delay means for performing oscillation.
【請求項3】 狭帯域化した第1のパルスレーザ光を第
1のタイミングで発振するオシレータ段と、 磁気パルス圧縮回路を用いて第2のタイミングで放電励
起し、前記第1のパルスレーザ光を注入光として誘導放
出して増幅された第2のパルスレーザ光を出力する増幅
段と、 前記第1のタイミングと前記第2のタイミングとを適正
に同期調整する同期制御手段とを有したインジェクショ
ンロック型狭帯域パルスレーザ装置において、 前記同期制御手段は、 前記第2のパルスレーザ光を用いて所定の加工処理を行
う加工処理装置から送出される発振指示から前記第2の
タイミングまでの間の固定遅延時間を前記第1のタイミ
ングに対応して設定する遅延時間設定手段と、 前記磁気パルス圧縮回路上で用いられる磁気スイッチの
オン時を検出する磁気スイッチ動作センサと、 レーザ出力に関連するパラメータに基づいて前記磁気パ
ルス圧縮回路のエネルギー転送開始から前記第2のタイ
ミングまでの実遅延時間を予測演算し、前記固定遅延時
間から前記実遅延時間を減算した第1の遅延時間を算出
する第1の遅延時間演算手段と、 前記発振指示から前記第1の遅延時間演算手段が算出し
た第1の遅延時間経過後に前記磁気パルス圧縮回路のエ
ネルギー転送を開始させるエネルギー転送開始手段と、 レーザ出力に関連するパラメータに基づいて前記磁気パ
ルス圧縮回路のエネルギー転送開始から前記第2のタイ
ミングまでの実遅延時間を予測演算し、該予測演算によ
る第2のタイミングに対応する第1のタイミングを生成
すべく前記オシレータ段の発振を遅延させる第2の遅延
時間を算出する第2の遅延時間演算手段と、 前記第2の遅延時間演算手段が算出した第2の遅延時間
を加えた時間後に前記オシレータ段の発振を行わせるオ
シレータ段発振遅延手段とを具備したことを特徴とする
インジェクションロック型狭帯域化パルスレーザ装置。
3. An oscillator stage for oscillating the narrowed first pulsed laser light at a first timing, and discharge excitation at a second timing using a magnetic pulse compression circuit to produce the first pulsed laser light. Having an amplification stage for outputting a second pulse laser beam amplified by stimulated emission of the first pulse as injection light, and synchronization control means for appropriately synchronizing and adjusting the first timing and the second timing. In the lock-type narrow-band pulse laser device, the synchronization control unit may perform a process from an oscillation instruction sent from a processing device that performs a predetermined processing process using the second pulse laser light to the second timing. Delay time setting means for setting a fixed delay time in accordance with the first timing; and detecting when a magnetic switch used on the magnetic pulse compression circuit is on. A magnetic switch operation sensor, and a real delay time from the start of energy transfer of the magnetic pulse compression circuit to the second timing is calculated based on parameters related to laser output, and the real delay time is calculated from the fixed delay time. A first delay time calculating means for calculating a subtracted first delay time; and an energy transfer of the magnetic pulse compression circuit after a lapse of the first delay time calculated by the first delay time calculating means from the oscillation instruction. Means for starting energy transfer to be started, and a predictive calculation of an actual delay time from the start of energy transfer of the magnetic pulse compression circuit to the second timing based on a parameter related to laser output, and a second timing based on the predictive calculation. A second delay time for delaying the oscillation of the oscillator stage to generate a first timing corresponding to A second delay time calculating means for outputting the second delay time, and an oscillator stage oscillation delay means for causing the oscillator stage to oscillate after adding the second delay time calculated by the second delay time calculating means. An injection-lock type narrow-band pulse laser device characterized by the following.
【請求項4】 前記磁気パルス圧縮回路の温度を検出す
る温度センサをさらに具備し、 前記温度センサが検出した温度を前記レーザ出力に関連
するパラメータとして用いることを特徴とする請求項1
〜3のうちのいずれか1項に記載のインジェクションロ
ック型狭帯域化パルスレーザ装置。
4. The apparatus according to claim 1, further comprising a temperature sensor for detecting a temperature of the magnetic pulse compression circuit, wherein the temperature detected by the temperature sensor is used as a parameter related to the laser output.
4. The injection-lock type narrow-band pulse laser device according to any one of Items 1 to 3.
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