JP2000155115A - アンモニア分析装置 - Google Patents
アンモニア分析装置Info
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- JP2000155115A JP2000155115A JP10330074A JP33007498A JP2000155115A JP 2000155115 A JP2000155115 A JP 2000155115A JP 10330074 A JP10330074 A JP 10330074A JP 33007498 A JP33007498 A JP 33007498A JP 2000155115 A JP2000155115 A JP 2000155115A
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- sample gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 サンプリングプローブの接ガス表面に対する
簡単な処理技術によって、応答速度の改善と分析精度の
アップが達成されるアンモニア分析装置を提供する。 【解決手段】 直接法ならびに間接法を基にしたアンモ
ニア分析装置において、これに用いるサンプリングプロ
ーブ９の接ガス表面９ａをアルカリ状態に表面処理し
て、接ガス表面９ａに対するＮＨ3 の反応ならびに吸着
を生じさせないようにしている。
簡単な処理技術によって、応答速度の改善と分析精度の
アップが達成されるアンモニア分析装置を提供する。 【解決手段】 直接法ならびに間接法を基にしたアンモ
ニア分析装置において、これに用いるサンプリングプロ
ーブ９の接ガス表面９ａをアルカリ状態に表面処理し
て、接ガス表面９ａに対するＮＨ3 の反応ならびに吸着
を生じさせないようにしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サンプルガス中の
ＮＨ3 濃度を測定するためのアンモニア分析装置に関す
るものである。
ＮＨ3 濃度を測定するためのアンモニア分析装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、火力発電に伴って排出される排
ガスには、環境を汚染するＮＯX が含まれていることか
ら、煙道排ガス中にＮＨ3 を導入して、触媒とによって
ＮＯXをＮ2 とＨ2 Ｏに変換するようにしている。
ガスには、環境を汚染するＮＯX が含まれていることか
ら、煙道排ガス中にＮＨ3 を導入して、触媒とによって
ＮＯXをＮ2 とＨ2 Ｏに変換するようにしている。
【０００３】ここで、排ガスと共にリークするＮＨ3 の
濃度を正確に測定することは、環境汚染の防止ならびに
ＮＨ3 のコスト低減を図る上で極めて重要であって、そ
のためのＮＨ3 濃度の測定手法として、サンプリングプ
ローブを介してサンプルガスを直接的にＮＨ3 分析計に
導入して、サンプルガスに含まれるＮＨ3 濃度を求める
直接法と、いわゆる差量法に基づく間接法とがある。
濃度を正確に測定することは、環境汚染の防止ならびに
ＮＨ3 のコスト低減を図る上で極めて重要であって、そ
のためのＮＨ3 濃度の測定手法として、サンプリングプ
ローブを介してサンプルガスを直接的にＮＨ3 分析計に
導入して、サンプルガスに含まれるＮＨ3 濃度を求める
直接法と、いわゆる差量法に基づく間接法とがある。
【０００４】この内の差量法に基づくアンモニア分析装
置として、サンプルガスをそのまま導入する第１流路
と、脱硝触媒を設置した第２流路とを、サンプリングプ
ローブ内に配置し、この第１及び第２流路を通してＮＯ
分析計にサンプルガスを導入して、第１流路を流れるサ
ンプルガスからＮＯ濃度をそのまま測定し、第２流路を
流れるサンプルガスからは、４ＮＯ＋４ＮＨ3 ＋Ｏ2 →
４Ｎ2 ＋６Ｈ2 Ｏの反応式で示されるように、ＮＯとＮ
Ｈ3 とを１：１で当量反応させた後のＮＯ濃度を測定し
て、両流路を流れるサンプルガス中のＮＯ濃度の差に基
づいて、サンプルガスに含まれるＮＨ3 濃度を求める構
成のものがある。
置として、サンプルガスをそのまま導入する第１流路
と、脱硝触媒を設置した第２流路とを、サンプリングプ
ローブ内に配置し、この第１及び第２流路を通してＮＯ
分析計にサンプルガスを導入して、第１流路を流れるサ
ンプルガスからＮＯ濃度をそのまま測定し、第２流路を
流れるサンプルガスからは、４ＮＯ＋４ＮＨ3 ＋Ｏ2 →
４Ｎ2 ＋６Ｈ2 Ｏの反応式で示されるように、ＮＯとＮ
Ｈ3 とを１：１で当量反応させた後のＮＯ濃度を測定し
て、両流路を流れるサンプルガス中のＮＯ濃度の差に基
づいて、サンプルガスに含まれるＮＨ3 濃度を求める構
成のものがある。
【０００５】この他の差量法に基づくアンモニア分析装
置の別の形態として、ＮＨ3 をＮＯ X に変換する酸化触
媒とＮＯ2 をＮＯに変換する還元触媒とを備えた第１流
路と、ＮＯ2 をＮＯに変換する還元触媒を備えた第２流
路とを、サンプリングプローブ内に配置し、この第１及
び第２流路を通してＮＯ分析計にサンプルガスを導入し
て、両流路を流れるサンプルガス中のＮＯ濃度の差に基
づいて、サンプルガスに含まれるＮＨ3 濃度を求める構
成（詳細については、本発明の実施の形態での説明によ
って明らかである。）のものもある。
置の別の形態として、ＮＨ3 をＮＯ X に変換する酸化触
媒とＮＯ2 をＮＯに変換する還元触媒とを備えた第１流
路と、ＮＯ2 をＮＯに変換する還元触媒を備えた第２流
路とを、サンプリングプローブ内に配置し、この第１及
び第２流路を通してＮＯ分析計にサンプルガスを導入し
て、両流路を流れるサンプルガス中のＮＯ濃度の差に基
づいて、サンプルガスに含まれるＮＨ3 濃度を求める構
成（詳細については、本発明の実施の形態での説明によ
って明らかである。）のものもある。
【０００６】更に別の形態によるアンモニア分析装置と
して、サンプルガスをそのまま導入する第１流路と、酸
化触媒を設置した第２流路とを、サンプリングプローブ
内に配置し、この第１及び第２流路を通してＮＯ分析計
にサンプルガスを導入して、触媒を通過しない第１流路
でのＮＯX ラインのＮＯX 濃度と、触媒を通過する第２
流路でのＮＯX ＋Ｈ2 ＯラインのＮＯX 濃度との差に基
づいて、ＮＨ3 濃度を求める構成のものもある。
して、サンプルガスをそのまま導入する第１流路と、酸
化触媒を設置した第２流路とを、サンプリングプローブ
内に配置し、この第１及び第２流路を通してＮＯ分析計
にサンプルガスを導入して、触媒を通過しない第１流路
でのＮＯX ラインのＮＯX 濃度と、触媒を通過する第２
流路でのＮＯX ＋Ｈ2 ＯラインのＮＯX 濃度との差に基
づいて、ＮＨ3 濃度を求める構成のものもある。
【０００７】ところで、上記の直接法ならびに間接法の
何れの装置にも用いられるサンプリングプローブは、３
５０〜４００℃の煙道排ガス中に挿入されることから、
これをステンレス製やチタン製、その他セラミック製と
しており、かつ、製造段階で付着した油脂分などを除去
するために、サンプリングプローブを酸で脱脂洗浄し
て、これを煙道にセットするようにしている。
何れの装置にも用いられるサンプリングプローブは、３
５０〜４００℃の煙道排ガス中に挿入されることから、
これをステンレス製やチタン製、その他セラミック製と
しており、かつ、製造段階で付着した油脂分などを除去
するために、サンプリングプローブを酸で脱脂洗浄し
て、これを煙道にセットするようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】而して、直接法による
アンモニア分析装置では、サンプルガス導入の全ライン
において、サンプルガスが酸性状態のプローブ内表面に
接する一方、間接法によるアンモニア分析装置では、サ
ンプルガスが第１及び第２流路に流入するまでの間にお
いて、サンプルガスが酸性状態のプローブ内表面に接す
るものであって、サンプルガス中のＮＯについては、こ
れの吸着性ならびに反応性が小さいことから、サンプリ
ングプローブの接ガス表面が酸性状態であっても、吸着
による損失および応答の遅れはないが、サンプルガス中
のＮＨ3 については、これがアルカリ性のガスであるこ
とから、これが酸に反応して応答の遅れを生じたり、吸
着による損失で分析精度が低下するなど、測定面で不都
合を伴う問題があった。
アンモニア分析装置では、サンプルガス導入の全ライン
において、サンプルガスが酸性状態のプローブ内表面に
接する一方、間接法によるアンモニア分析装置では、サ
ンプルガスが第１及び第２流路に流入するまでの間にお
いて、サンプルガスが酸性状態のプローブ内表面に接す
るものであって、サンプルガス中のＮＯについては、こ
れの吸着性ならびに反応性が小さいことから、サンプリ
ングプローブの接ガス表面が酸性状態であっても、吸着
による損失および応答の遅れはないが、サンプルガス中
のＮＨ3 については、これがアルカリ性のガスであるこ
とから、これが酸に反応して応答の遅れを生じたり、吸
着による損失で分析精度が低下するなど、測定面で不都
合を伴う問題があった。
【０００９】本発明は、かゝる実情に鑑みて成されたも
のであって、その目的は、サンプリングプローブの接ガ
ス表面に対する簡単な処理技術によって、応答速度の改
善と分析精度のアップが達成されるアンモニア分析装置
を提供する点にある。
のであって、その目的は、サンプリングプローブの接ガ
ス表面に対する簡単な処理技術によって、応答速度の改
善と分析精度のアップが達成されるアンモニア分析装置
を提供する点にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、直接法ならびに間接法を基にしたアンモ
ニア分析装置において、これに用いるサンプリングプロ
ーブの接ガス表面をアルカリ状態に表面処理して成る点
に特徴がある（請求項１）。
めに本発明は、直接法ならびに間接法を基にしたアンモ
ニア分析装置において、これに用いるサンプリングプロ
ーブの接ガス表面をアルカリ状態に表面処理して成る点
に特徴がある（請求項１）。
【００１１】上記の接ガス表面に対するアルカリ処理
は、例えばサンプリングプローブをＮａＯＨの０．１Ｎ
水溶液に浸漬することで達成されるが（請求項２）、こ
の際、サンプリングプローブを、例えば酸による脱脂洗
浄後に、ＮａＯＨの０．１Ｎ水溶液に１０分間ほど浸漬
して洗浄し、接ガス表面の酸性を中和させて、更にアル
カリリッチに処理することが好適である。
は、例えばサンプリングプローブをＮａＯＨの０．１Ｎ
水溶液に浸漬することで達成されるが（請求項２）、こ
の際、サンプリングプローブを、例えば酸による脱脂洗
浄後に、ＮａＯＨの０．１Ｎ水溶液に１０分間ほど浸漬
して洗浄し、接ガス表面の酸性を中和させて、更にアル
カリリッチに処理することが好適である。
【００１２】而して、サンプリングプローブの接ガス表
面をアルカリ状態に表面処理したことで、この接ガス表
面には、ＮＨ3 が反応しなくなり、かつ、吸着も生じな
いことから、応答速度の改善に加えて分析精度のアップ
が達成される。
面をアルカリ状態に表面処理したことで、この接ガス表
面には、ＮＨ3 が反応しなくなり、かつ、吸着も生じな
いことから、応答速度の改善に加えて分析精度のアップ
が達成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は差量法に基づいてＮＨ3 濃
度を測定するための一実施の形態による間接法のアンモ
ニア分析装置１の概略を示し、このアンモニア分析装置
１は前処理装置２とＮＯ分析計３から成る。
に基づいて説明する。図１は差量法に基づいてＮＨ3 濃
度を測定するための一実施の形態による間接法のアンモ
ニア分析装置１の概略を示し、このアンモニア分析装置
１は前処理装置２とＮＯ分析計３から成る。
【００１４】前処理装置２は、ＮＨ3 をＮＯX に変換す
る酸化触媒４とＮＯ2 をＮＯに変換する還元触媒５を充
填した触媒管６と、ＮＯ2 をＮＯに変換する還元触媒７
を充填した比較管８とを、先端を斜めにカットしたサン
プリングプローブ９に内蔵すると共に、触媒反応を促進
させるためのヒーター１０を備えて成り、ＮＨ3 濃度の
測定に際しては、サンプリングプローブ９の先端部が煙
道Ｅに挿入される。
る酸化触媒４とＮＯ2 をＮＯに変換する還元触媒５を充
填した触媒管６と、ＮＯ2 をＮＯに変換する還元触媒７
を充填した比較管８とを、先端を斜めにカットしたサン
プリングプローブ９に内蔵すると共に、触媒反応を促進
させるためのヒーター１０を備えて成り、ＮＨ3 濃度の
測定に際しては、サンプリングプローブ９の先端部が煙
道Ｅに挿入される。
【００１５】ＮＯ分析計３には、例えばＮＯにＯ3 を反
応させて発生する光を測定する化学発光式のものを用い
ており、図示しているように、両管６，８から供給され
るサンプルガスＳを、切換弁１１を介して選択的にＮＯ
分析計３に供給して、触媒管６を通過したサンプルガス
中のＮＯ濃度と、比較管８を通過したサンプルガス中の
ＮＯ濃度との差に基づいて、サンプルガス中のＮＨ3 濃
度を測定するように構成している。
応させて発生する光を測定する化学発光式のものを用い
ており、図示しているように、両管６，８から供給され
るサンプルガスＳを、切換弁１１を介して選択的にＮＯ
分析計３に供給して、触媒管６を通過したサンプルガス
中のＮＯ濃度と、比較管８を通過したサンプルガス中の
ＮＯ濃度との差に基づいて、サンプルガス中のＮＨ3 濃
度を測定するように構成している。
【００１６】即ち、触媒管６による第１流路Ｆ１を通過
するサンプルガスＳは、先ず、これに含まれるＮＨ
3 が、上流側の酸化触媒４によって酸化されてＮＯX に
変換され、次いで、この変換されたＮＯX 内のＮＯ
2 と、サンプルガスＳに元々含まれているＮＯ2 とが、
下流側の還元触媒５によって還元されてＮＯに変換さ
れ、そのＮＯの濃度がＮＯ分析計３によって測定され
る。
するサンプルガスＳは、先ず、これに含まれるＮＨ
3 が、上流側の酸化触媒４によって酸化されてＮＯX に
変換され、次いで、この変換されたＮＯX 内のＮＯ
2 と、サンプルガスＳに元々含まれているＮＯ2 とが、
下流側の還元触媒５によって還元されてＮＯに変換さ
れ、そのＮＯの濃度がＮＯ分析計３によって測定され
る。
【００１７】一方、比較管８による第２流路Ｆ２を通過
するサンプルガスＳは、これに元々含まれているＮＯ2
だけが、還元触媒７によって還元されてＮＯに変換され
るのであり、このＮＯの濃度がＮＯ分析計３によって測
定される。
するサンプルガスＳは、これに元々含まれているＮＯ2
だけが、還元触媒７によって還元されてＮＯに変換され
るのであり、このＮＯの濃度がＮＯ分析計３によって測
定される。
【００１８】而して、第１流路Ｆ１を通過したサンプル
ガスＳのＮＯ濃度は、ＮＨ3 の酸化反応によって増加し
た分だけ、第２流路Ｆ２を通過したサンプルガスＳのＮ
Ｏ濃度よりも多くなり、従って、このＮＯ濃度の差を求
めることによって、サンプルガス中のＮＨ3 濃度を測定
することができるのである。
ガスＳのＮＯ濃度は、ＮＨ3 の酸化反応によって増加し
た分だけ、第２流路Ｆ２を通過したサンプルガスＳのＮ
Ｏ濃度よりも多くなり、従って、このＮＯ濃度の差を求
めることによって、サンプルガス中のＮＨ3 濃度を測定
することができるのである。
【００１９】図示はしないが、第１及び第２流路Ｆ１，
Ｆ２から供給されるサンプルガスを２台の分析計に供給
して、両流路Ｆ１，Ｆ２を通過したサンプルガスのＮＯ
濃度の測定差に基づいて、サンプルガス中のＮＨ3 濃度
を測定することもできる。
Ｆ２から供給されるサンプルガスを２台の分析計に供給
して、両流路Ｆ１，Ｆ２を通過したサンプルガスのＮＯ
濃度の測定差に基づいて、サンプルガス中のＮＨ3 濃度
を測定することもできる。
【００２０】上記構成のアンモニア分析装置１におい
て、この実施の形態では、触媒管６と比較管８およびサ
ンプリングプローブ９をステンレス製としているが、鉄
管や銅管、チタン管などの耐熱性が高い金属製や、その
他セラミック製にして実施可能であり、特に本発明で
は、サンプリングプローブ９内面の接ガス表面９ａを、
アルカリ状態に表面処理した点に特徴がある。
て、この実施の形態では、触媒管６と比較管８およびサ
ンプリングプローブ９をステンレス製としているが、鉄
管や銅管、チタン管などの耐熱性が高い金属製や、その
他セラミック製にして実施可能であり、特に本発明で
は、サンプリングプローブ９内面の接ガス表面９ａを、
アルカリ状態に表面処理した点に特徴がある。
【００２１】具体的には、サンプリングプローブ９が製
造された段階で、これに付着している油脂分などを除去
するために、サンプリングプローブ９を酸で脱脂洗浄
し、この後、サンプリングプローブ９をＮａＯＨの０．
１Ｎ水溶液に１０分間ほど浸漬して、ウエスなどでプロ
ーブ表面を擦るように洗浄し、接ガス表面の酸性を中和
させて、更にアルカリリッチにまで表面処理したのであ
る。
造された段階で、これに付着している油脂分などを除去
するために、サンプリングプローブ９を酸で脱脂洗浄
し、この後、サンプリングプローブ９をＮａＯＨの０．
１Ｎ水溶液に１０分間ほど浸漬して、ウエスなどでプロ
ーブ表面を擦るように洗浄し、接ガス表面の酸性を中和
させて、更にアルカリリッチにまで表面処理したのであ
る。
【００２２】上記の通り、サンプリングプローブ９の接
ガス表面９ａをアルカリ状態に表面処理すると、この接
ガス表面にＮＨ3 が反応しなくなることから、応答速度
が大幅に改善されるようになり、表面処理以外は同一仕
様の前処理装置２を用いた実験結果では、例えば指示値
が９０％に達するまでの応答速度が、従来では３０〜６
０分程度かかってのに対して、接ガス表面９ａをアルカ
リ状態に表面処理した本発明では、約１０分以内にまで
応答速度を早めることができたのであり、加えて、５ヶ
月を経過した現在でも、その速度状況が良好に維持され
ている。
ガス表面９ａをアルカリ状態に表面処理すると、この接
ガス表面にＮＨ3 が反応しなくなることから、応答速度
が大幅に改善されるようになり、表面処理以外は同一仕
様の前処理装置２を用いた実験結果では、例えば指示値
が９０％に達するまでの応答速度が、従来では３０〜６
０分程度かかってのに対して、接ガス表面９ａをアルカ
リ状態に表面処理した本発明では、約１０分以内にまで
応答速度を早めることができたのであり、加えて、５ヶ
月を経過した現在でも、その速度状況が良好に維持され
ている。
【００２３】また、サンプリングプローブ９の接ガス表
面９ａがアルカリ状態であることから、接ガス表面９ａ
にＮＨ3 が吸着することもなく、これによって分析精度
のアップが達成されるのである。
面９ａがアルカリ状態であることから、接ガス表面９ａ
にＮＨ3 が吸着することもなく、これによって分析精度
のアップが達成されるのである。
【００２４】尚、上記したアルカリ状態の表面処理技術
では、サンプリングプローブ９をＮａＯＨの０．１Ｎ水
溶液に浸漬させることから、サンプリングプローブ９の
内外面の全てがアルカリ状態に表面処理されるが、少な
くとも第１及び第２流路Ｆ１，Ｆ２に至までの間のプロ
ーブ内面９ｂをアルカリ状態に表面処理することで、本
発明が達成されることは言うまでもない。
では、サンプリングプローブ９をＮａＯＨの０．１Ｎ水
溶液に浸漬させることから、サンプリングプローブ９の
内外面の全てがアルカリ状態に表面処理されるが、少な
くとも第１及び第２流路Ｆ１，Ｆ２に至までの間のプロ
ーブ内面９ｂをアルカリ状態に表面処理することで、本
発明が達成されることは言うまでもない。
【００２５】また、触媒管６と比較管８とについては、
酸化触媒４および還元触媒７の充填位置を管口近くに設
定して、これらの管６，８に対するＮＨ3 の接ガス表面
を極めて小さくしているので、これらの管６，８を酸洗
浄して、そのまま用いても、ＮＨ3 の反応や吸着が測定
上で殆ど問題になることはないが、必要に応じて、これ
らの管６，８の接ガス表面を、上記したようにアルカリ
状態に表面処理してもよいのである。
酸化触媒４および還元触媒７の充填位置を管口近くに設
定して、これらの管６，８に対するＮＨ3 の接ガス表面
を極めて小さくしているので、これらの管６，８を酸洗
浄して、そのまま用いても、ＮＨ3 の反応や吸着が測定
上で殆ど問題になることはないが、必要に応じて、これ
らの管６，８の接ガス表面を、上記したようにアルカリ
状態に表面処理してもよいのである。
【００２６】更に、上記の実施の形態による以外の直接
法あるいは間接法に基づく手法のアンモニア分析装置を
対象にして、それのサンプリングプローブの接ガス表面
にアルカリ状態の表面処理を施すことで、本発明を実施
することが可能である。
法あるいは間接法に基づく手法のアンモニア分析装置を
対象にして、それのサンプリングプローブの接ガス表面
にアルカリ状態の表面処理を施すことで、本発明を実施
することが可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、直接法な
らびに間接法に基づくアンモニア分析装置において、こ
れに用いるサンプリングプローブの接ガス表面をアルカ
リ状態にする簡単な処理技術によって、接ガス表面に対
するＮＨ3 の反応ならびに吸着が効果的に防止されるよ
うになり、これによって応答速度の改善と分析精度のア
ップとが達成されるようになった。
らびに間接法に基づくアンモニア分析装置において、こ
れに用いるサンプリングプローブの接ガス表面をアルカ
リ状態にする簡単な処理技術によって、接ガス表面に対
するＮＨ3 の反応ならびに吸着が効果的に防止されるよ
うになり、これによって応答速度の改善と分析精度のア
ップとが達成されるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】差量法に基づいてＮＨ3 濃度を測定するように
構成したアンモニア分析装置の一部を拡大図示した概略
構成図である。
構成したアンモニア分析装置の一部を拡大図示した概略
構成図である。
３…ＮＯ分析計、９…サンプリングプローブ、９ａ…接
ガス表面、Ｓ…サンプルガス。
ガス表面、Ｓ…サンプルガス。
Claims (2)
- 【請求項１】 サンプリングプローブを介して分析計に
導入されるサンプルガス中のＮＨ3 濃度を求めるアンモ
ニア分析装置において、前記サンプリングプローブの接
ガス表面をアルカリ状態に表面処理して成ることを特徴
とするアンモニア分析装置。 - 【請求項２】 前記サンプリングプローブを、ＮａＯＨ
の０．１Ｎ水溶液に浸漬して、サンプリングプローブの
接ガス表面をアルカリ状態に表面処理して成る請求項１
記載のアンモニア分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33007498A JP3464396B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | アンモニア分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33007498A JP3464396B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | アンモニア分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000155115A true JP2000155115A (ja) | 2000-06-06 |
| JP3464396B2 JP3464396B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=18228501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33007498A Expired - Fee Related JP3464396B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | アンモニア分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3464396B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005147950A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | ガス分析システム及びガス分析方法 |
| US6983188B2 (en) | 2004-04-16 | 2006-01-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Scheduling system |
| JP2008522176A (ja) * | 2004-12-04 | 2008-06-26 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 反応触媒を有する通路を備えた示差ガス成分プローブ |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP33007498A patent/JP3464396B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005147950A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | ガス分析システム及びガス分析方法 |
| US6983188B2 (en) | 2004-04-16 | 2006-01-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Scheduling system |
| JP2008522176A (ja) * | 2004-12-04 | 2008-06-26 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 反応触媒を有する通路を備えた示差ガス成分プローブ |
| JP4660556B2 (ja) * | 2004-12-04 | 2011-03-30 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | ガスタービンエンジンの排気ガス中におけるｎｏ２量測定用プローブ |
| US8857281B2 (en) | 2004-12-04 | 2014-10-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Differential gas component probe having a passage containing a reaction catalyst |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3464396B2 (ja) | 2003-11-10 |
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