JP2000151343A - Piezoelectric oscillator and its manufacture - Google Patents

Piezoelectric oscillator and its manufacture

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JP2000151343A
JP2000151343A JP31890398A JP31890398A JP2000151343A JP 2000151343 A JP2000151343 A JP 2000151343A JP 31890398 A JP31890398 A JP 31890398A JP 31890398 A JP31890398 A JP 31890398A JP 2000151343 A JP2000151343 A JP 2000151343A
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JP
Japan
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piezoelectric
piezoelectric substrate
substrate
thickness
metal support
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JP31890398A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahito Sugimoto
雅人 杉本
Tetsuo Ootsuchi
哲郎 大土
Yoshihiro Tomita
佳宏 冨田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide highly accurately thin a piezoelectric substrate and to provide a piezoelectric device which can practically be used to a higher frequency area by integrally forming an oscillation piezoelectric substrate and a metallic supporting body, without sandwiching an interposed object in-between. SOLUTION: A piezoelectric oscillator 1 is provided with a piezoelectric substrate 2, formed of a rectangular and thin crystal board and a metallic support body 3 for supporting a piezoelectric substrate. The piezoelectric substrate 2 and the metallic support body 3 face directly opposed each other and are formed integrally. A through-hole 3a along the thickness direction is formed almost in the center of the metallic support body 3. A vibration area α in the center of one side of the piezoelectric substrate 2 is exposed, and a vibration space β is secured in the area. The piezoelectric oscillator which is thus constituted is held by the metallic support body 3 to the effect that its whole periphery is solid. Thus, physical damages hardly occur, even if the thickness of the piezoelectric substrate 2 is set to be not more than 30 μm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電体を用いた高
周波振動子や広帯域フィルタ素子に用いられる圧電振動
子及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a piezoelectric vibrator used for a high-frequency vibrator or a broadband filter element using a piezoelectric material, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、移動体通信機器は小型化、デジタ
ル化が促進されており、このような技術傾向に伴い、移
動体通信機器にフィルタ等として用いられる圧電振動子
では、高周波数、広帯域化の要望が高まっている。
2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization and digitization of mobile communication devices have been promoted, and with such technical trends, piezoelectric vibrators used as filters and the like in mobile communication devices have high frequencies and wide bands. The demand for conversion is increasing.

【0003】そこで、従来では、研磨精度を向上させて
薄板化を促進することで、圧電振動子の高周波化、広帯
域化要望に対応してきた。以下に図面を参照しながら従
来の圧電振動子として、水晶振動子の例について説明す
るが、他の圧電振動子においても同様であるのはいうま
でもない。
Therefore, conventionally, by improving the polishing precision and promoting the thinning, it has been possible to meet the demand for a higher frequency and wider band of the piezoelectric vibrator. An example of a quartz oscillator will be described below as a conventional piezoelectric oscillator with reference to the drawings, but it goes without saying that the same applies to other piezoelectric oscillators.

【0004】図7は従来の水晶振動子を示したものであ
る。71は振動用水晶基板であり、ATカットと呼ばれ
る方法により振動用水晶基板71を所定の厚さまで両面
研磨し、その両主面に励振電極72および引き出し電極
73を設けてある。通常、引き出し電極73が振動用水
晶基板71の両端外周部まで引き延ばされ、保持部材
(図示省略)によって保持されている。また、このよう
に構成された水晶振動子は気密な容器に収納されてい
る。
FIG. 7 shows a conventional crystal unit. Numeral 71 denotes a quartz crystal substrate for oscillation. The quartz crystal substrate 71 for oscillation is polished on both sides to a predetermined thickness by a method called AT-cut, and an excitation electrode 72 and a lead electrode 73 are provided on both main surfaces thereof. Normally, the extraction electrodes 73 are extended to the outer peripheral portions of both ends of the vibrating quartz substrate 71 and are held by holding members (not shown). In addition, the thus-configured crystal resonator is housed in an airtight container.

【0005】この水晶振動子は、厚み滑りモードの振動
子であり、厚みt(μm)によって共振周波数f(MH
z)が決定され、これらの間にはほぼf=1670/t
の関係がある。そのため、この水晶振動子では、振動用
水晶基板71を所要厚みに調整することによって共振周
波数を制御しており、高い共振周波数を得る場合には、
振動用水晶基板71の厚みを薄くしており、その厚み調
整方法としては、両面研磨により振動用水晶基板71の
厚さを調整する方法が採られらていた。
[0005] This crystal oscillator is a thickness-slip mode oscillator, and has a resonance frequency f (MH) depending on the thickness t (μm).
z) is determined, during which approximately f = 1670 / t
There is a relationship. Therefore, in this crystal resonator, the resonance frequency is controlled by adjusting the vibration crystal substrate 71 to a required thickness. When a high resonance frequency is obtained,
The thickness of the vibrating quartz substrate 71 is reduced, and as a thickness adjusting method, a method of adjusting the thickness of the vibrating quartz substrate 71 by double-side polishing has been adopted.

【0006】しかしながら、両面研磨法では、研磨が進
行して厚みが薄くなるにつれて振動用水晶基板71の機
械的強度が低下して研磨中に割れ欠け等の欠損が生じや
すくなる。そのため、要望されているような薄さまで振
動用水晶基板71を薄くすることが容易ではなく、これ
によって歩留まりが著しく低下するという不都合があっ
た。
However, in the double-side polishing method, as the polishing proceeds and the thickness becomes thinner, the mechanical strength of the vibrating quartz substrate 71 decreases, and defects such as cracks and the like tend to occur during polishing. For this reason, it is not easy to reduce the thickness of the vibrating quartz substrate 71 to a desired thickness, and there is a disadvantage that the yield is significantly reduced.

【0007】このような不都合を解消した方法として、
従来から、図8に示すように、振動用水晶基板71の一
方の面に補強板74を貼着したうえで、補強板74を貼
着していないもう一方の面だけを片面研磨する方法が考
えられた。以下、この方法を第1の従来例といい、例え
ば、特開平3−116882号公報に記載された技術が
例として挙げられる。
As a method of solving such inconvenience,
Conventionally, as shown in FIG. 8, a method in which a reinforcing plate 74 is attached to one surface of a vibrating quartz substrate 71 and only the other surface on which the reinforcing plate 74 is not attached is polished on one side. it was thought. Hereinafter, this method will be referred to as a first conventional example, for example, a technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-116882.

【0008】第1の従来例の詳細は次の通りである。す
なわち、まず、中央部に振動空間形成用の貫通孔74a
(凹部でもよい)が形成された補強板74を用意してお
く。そして、振動用水晶基板71の一面に予め励振電極
72および引き出し電極73を形成したうえで、当該一
面に補強板74を貼着し、その状態で、補強板74が設
けられていない振動用水晶基板71の他面を所望の厚み
まで研磨する。そして、研磨した他面に残余の電極(励
振電極72および引き出し電極73)を形成する。この
方法では、補強板74を張り付けたまま水晶振動子とし
て組み立てることができ、補強板74を取り外す工程も
省略できる。
The details of the first conventional example are as follows. That is, first, a through hole 74a for forming a vibration space is formed in the center.
A reinforcing plate 74 having a concave portion (may be a concave portion) is prepared. After the excitation electrode 72 and the extraction electrode 73 are formed on one surface of the vibrating quartz substrate 71 in advance, a reinforcing plate 74 is adhered to the one surface. In this state, the vibrating quartz plate without the reinforcing plate 74 is provided. The other surface of the substrate 71 is polished to a desired thickness. Then, the remaining electrodes (the excitation electrode 72 and the extraction electrode 73) are formed on the polished other surface. According to this method, it is possible to assemble the crystal unit while the reinforcing plate 74 is adhered, and the step of removing the reinforcing plate 74 can be omitted.

【0009】さらには、従来から、図9に示す第2の従
来例の方法もある。すなわち、補強板として、貫通孔を
有さない補強用水晶板74’を用意する。そして、補強
用水晶板74’が振動用水晶基板71と同材質であって
接着剤なしで両者を直接接合することができるという特
質を活かして、振動用水晶基板71の一面に補強用水晶
板74’を接着剤を用いることなく直接接合する。そし
て、この状態で振動用水晶基板71の他面を研磨し、研
磨終了後にエッチングにより補強用水晶板74’に貫通
孔74a’を形成する。この方法は、例えば、特開平7
−74569号公報に記載された技術が例として挙げら
れる。
Furthermore, there is a second conventional example shown in FIG. That is, a reinforcing quartz plate 74 'having no through hole is prepared as a reinforcing plate. And, taking advantage of the characteristic that the reinforcing quartz plate 74 ′ is made of the same material as the vibrating quartz substrate 71 and can be directly joined without using an adhesive, the reinforcing quartz plate 71 is provided on one surface of the vibrating quartz substrate 71. 74 'are directly joined without using an adhesive. Then, in this state, the other surface of the vibrating quartz substrate 71 is polished, and after the polishing is completed, a through hole 74a 'is formed in the reinforcing quartz plate 74' by etching. This method is described in, for example,
The technique described in JP-A-745569 is cited as an example.

【0010】これら第1、第2の従来例によれば、振動
用水晶基板71が補強板74や補強用水晶板74’によ
り機械的に補強されているため、振動用水晶基板71に
われや欠けの問題を生じることがなくなり、所望する薄
さの振動用水晶基板71を有する圧電振動子を歩留まり
よく生産することができる、と考えられていた。
According to the first and second conventional examples, the vibrating quartz substrate 71 is mechanically reinforced by the reinforcing plate 74 or the reinforcing quartz plate 74 '. It has been considered that the problem of chipping does not occur, and a piezoelectric vibrator having the vibrating quartz substrate 71 having a desired thickness can be produced with high yield.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成さたれ第1、第2の従来例には、次のような課
題があった。
However, the first and second conventional examples configured as described above have the following problems.

【0012】まず、第1の従来例には、精度の高い厚み
調整を行うことができないという課題があった。補強板
74は、振動用水晶基板71にワックスやエポキシ系樹
脂からなる接着剤75を介して貼着される。具体的に
は、接着剤75を補強板74ないしは振動用水晶基板7
1に塗布したのち、補強板75と振動用水晶基板71と
を張り合わせて圧接させることで両者を接着する。これ
に対して、接着剤75の厚みは、塗布時の接着剤が液体
状であるために、接着剤塗布後に行う補強板74と振動
用水晶基板71との圧着具合により容易に変動し、この
圧着具合は工程上、精度よく管理することは困難であっ
た。そのため、補強板74と振動用水晶基板71との圧
着具合の変動により、接着剤75の厚みにばらつき(±
3μm程度)が生じていた。
First, the first conventional example has a problem that the thickness cannot be adjusted with high accuracy. The reinforcing plate 74 is adhered to the vibration crystal substrate 71 via an adhesive 75 made of wax or an epoxy resin. Specifically, the adhesive 75 is applied to the reinforcing plate 74 or the vibrating quartz substrate 7.
After application to No. 1, the reinforcing plate 75 and the vibrating quartz substrate 71 are adhered to each other by pressing and bonding, so that the two are bonded. On the other hand, the thickness of the adhesive 75 fluctuates easily depending on the degree of pressure bonding between the reinforcing plate 74 and the vibrating quartz substrate 71 performed after the application of the adhesive, since the adhesive at the time of application is liquid. It was difficult to control the degree of crimping with high accuracy in the process. For this reason, the thickness of the adhesive 75 varies (±) due to a change in the degree of pressure bonding between the reinforcing plate 74 and the quartz substrate 71 for vibration.
(Approximately 3 μm).

【0013】これに対して、振動用水晶基板71の研磨
は、補強板74を基準にして研磨量を調整している。そ
のため、補強板74と振動用水晶基板71との間に介装
される接着剤75の厚みにばらつきがあると、接着剤7
5の厚みのばらつきに応じて、研磨後の振動用水晶基板
71に厚みのばらつきが生じるのは避けられなかった。
On the other hand, the polishing amount of the vibration quartz substrate 71 is adjusted with reference to the reinforcing plate 74. Therefore, if the thickness of the adhesive 75 interposed between the reinforcing plate 74 and the vibrating quartz substrate 71 varies, the adhesive 7
In accordance with the thickness variation of No. 5, it is inevitable that the thickness variation of the polished oscillation quartz substrate 71 occurs.

【0014】さらには、接着剤75の厚みばらつきは研
磨する振動用水晶基板71毎に生じるだけでけではな
く、同一の振動用水晶基板71であっても、その接着剤
塗布領域毎にも生じていた。すなわち、均等な圧着を行
うためには、 ・振動用水晶基板71と補強板75とをその接着面を互
いに平行にして配置する、 ・振動用水晶基板71や補強板75の接着面に対して垂
線方向に沿って力をかける、 ・圧着する面上の各点で均等な力をかける、といった条
件等を満たす必要がある。
Further, the thickness variation of the adhesive 75 occurs not only in each of the vibrating quartz substrates 71 to be polished, but also in each of the adhesive applied regions of the same vibrating quartz substrate 71. I was In other words, in order to perform even pressure bonding, the vibration crystal substrate 71 and the reinforcing plate 75 are arranged so that their bonding surfaces are parallel to each other. It is necessary to satisfy conditions such as applying a force along the perpendicular direction and applying an equal force at each point on the surface to be crimped.

【0015】しかしながら、これら圧着条件を精度高く
維持することは容易ではなく、圧着条件にばらつきが生
じるのは避けられなかった。そのため、圧着する各点の
圧着力が不均等になり、これにより、圧着する各点での
接着剤75の厚みが不均等になって振動用水晶基板71
と補強板74とが非平行な状態で接着されてしまい、こ
の状態で研磨を行っても振動用水晶基板71の厚みが不
均一になるのは避けられなかった。
[0015] However, it is not easy to maintain these crimping conditions with high accuracy, and it is inevitable that the crimping conditions vary. Therefore, the crimping force at each point to be crimped becomes uneven, whereby the thickness of the adhesive 75 at each point to be crimped becomes uneven, and the vibrating quartz substrate 71
And the reinforcing plate 74 are adhered in a non-parallel state, and it is inevitable that the thickness of the vibrating quartz substrate 71 becomes non-uniform even if polishing is performed in this state.

【0016】さらには、接着剤75を介装したのち、振
動用水晶基板71と補強板74とを圧着するため、振動
用水晶基板71にある程度大きな力が加わって、傷や歪
みなどが生じる可能性もあった。
Furthermore, since the vibrating quartz substrate 71 and the reinforcing plate 74 are pressure-bonded after the adhesive 75 is interposed, a large amount of force is applied to the vibrating quartz substrate 71, which may cause scratches or distortion. There was also nature.

【0017】さらには、補強板74に貫通孔74a(凹
部)を形成したうえで研磨しているため、貫通孔74a
を形成した補強板74の領域では、研磨時に振動用水晶
基板71は支持されることがなく、そのために振動用水
晶基板71の励振部が変形しやすく、平行度の高い研磨
を行うことが困難であった。
Furthermore, since the reinforcing plate 74 is polished after forming the through-hole 74a (recess), the through-hole 74a is formed.
In the region of the reinforcing plate 74 where the vibrating crystal substrate 71 is formed, the vibrating crystal substrate 71 is not supported during polishing, so that the excitation portion of the vibrating crystal substrate 71 is easily deformed, and it is difficult to perform highly parallel polishing. Met.

【0018】一方、第2の従来例は、接着剤を用いるこ
となく、直接接続により補強用水晶板74’を接着して
いるので、第1の従来例のような課題は生じないが、補
強用水晶板74’に貫通孔74a’を形成する際に行う
エッチングにより、補強用水晶板74’に損傷を与える
ことなく、完全に補強用水晶板74の一部を取り除くこ
とが難しく、量産性に限界があった。すなわち、補強用
水晶板74’を構成する水晶の単結晶を深くエッチング
する際、補強用水晶板74’に結晶欠陥が存在すると、
その部分がいち早くエッチングされていわゆるエッチト
ンネルが生じる。このようなエッチトンネルが生じる
と、貫通孔74a’全体のエッチングが完了する時期よ
りも早い時期にエッチング液がエッチトンネルを通じて
振動用水晶基板71’の接合界面に達して振動用水晶基
板71を浸食して損傷を与えてしまっていた。
On the other hand, in the second conventional example, since the reinforcing quartz plate 74 'is bonded by direct connection without using an adhesive, the problem unlike the first conventional example does not occur. It is difficult to completely remove a part of the reinforcing quartz plate 74 without damaging the reinforcing quartz plate 74 ′ by etching performed when forming the through holes 74 a ′ in the reinforcing quartz plate 74 ′. Had limitations. That is, when a single crystal of quartz constituting the reinforcing quartz plate 74 ′ is deeply etched, if a crystal defect exists in the reinforcing quartz plate 74 ′,
That portion is etched quickly, so that a so-called etch tunnel occurs. When such an etch tunnel occurs, the etchant reaches the bonding interface of the vibrating quartz substrate 71 'through the etch tunnel earlier than the time when the etching of the entire through hole 74a' is completed, and erodes the vibrating quartz substrate 71. Had been damaged.

【0019】本発明は、圧電体基板を高精度に薄層化し
て、より高い周波数領域まで実用可能な圧電デバイスを
得ることを目的としている。
It is an object of the present invention to obtain a piezoelectric device which can be used up to a higher frequency range by thinning a piezoelectric substrate with high precision.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、振動用の圧電体基板と金属支持体とを有
し、前記金属支持体を、前記圧電体基板に対して間に介
在物を挟むことなく一体に成形したことに特徴を有して
いる。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention has a piezoelectric substrate for vibration and a metal support, and the metal support is interposed with respect to the piezoelectric substrate. It is characterized in that it is integrally molded without interposing any inclusions.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載した発明
は、振動用の圧電体基板と金属支持体とを有し、前記金
属支持体を、前記圧電体基板に対して間に介在物を挟む
ことなく一体に成形して圧電振動子を構成したことに特
徴を有しており、これにより次のような作用を有する。
すなわち、金属支持体を、圧電体基板に対して間に介在
物を挟むことなく一体に成形したので、圧電体基板に対
する金属支持体の取り付け位置精度(水平精度を含む)
が高まるうえ、取り付け後の金属支持体の厚み精度も高
まることになる。そのため、この金属支持体を裏打ちに
して圧電体基板を片面研磨した場合における圧電体基板
の研磨精度も高まる結果、圧電体基板を精度高く薄層化
(薄板化)することが可能となる。
The invention according to claim 1 of the present invention has a piezoelectric substrate for vibration and a metal support, and the metal support is interposed between the piezoelectric substrate and the metal substrate. It is characterized in that the piezoelectric vibrator is formed by being integrally molded without sandwiching an object, thereby having the following operation.
That is, since the metal support is formed integrally with the piezoelectric substrate without interposing any intervening body, the mounting accuracy of the metal support with respect to the piezoelectric substrate (including horizontal accuracy)
In addition, the accuracy of the thickness of the metal support after the attachment is increased. Therefore, when the piezoelectric substrate is polished on one side with the metal support as a backing, the polishing accuracy of the piezoelectric substrate is also improved. As a result, the piezoelectric substrate can be thinned (thinned) with high accuracy.

【0022】さらには、金属支持体を支持部として圧電
体基板を固定し、圧電体基板の支持形状が安定して、機
械的にあるいは温度変化等に対して振動子の支持部にず
れが生じず、振動子の共振周波数を安定化でき、従っ
て、振動子の特性の安定化が図れる。また、一体化され
た金属支持体が圧電体基板を補強するので、圧電体基板
の厚みを低減でき、圧電振動子の全厚みも相対的に低減
し、低背、高周波の圧電振動子が得られる。
Further, the piezoelectric substrate is fixed by using the metal support as a supporting portion, and the supporting shape of the piezoelectric substrate is stabilized, and the supporting portion of the vibrator shifts mechanically or due to temperature change. Instead, the resonance frequency of the vibrator can be stabilized, and the characteristics of the vibrator can be stabilized. In addition, since the integrated metal support reinforces the piezoelectric substrate, the thickness of the piezoelectric substrate can be reduced, and the overall thickness of the piezoelectric vibrator is also relatively reduced, resulting in a low-profile, high-frequency piezoelectric vibrator. Can be

【0023】本発明の請求項2に記載した発明は、請求
項1に係る圧電振動子であって、前記金属支持体を、前
記圧電体基板の振動領域を除いた領域に設けたことに特
徴を有しており、これにより次のような作用を有する。
すなわち、振動空間を確実に確保した状態で、上述した
請求項1の作用を享受することができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the piezoelectric vibrator according to the first aspect, wherein the metal support is provided in a region other than a vibration region of the piezoelectric substrate. Which has the following effect.
That is, the above-described operation of claim 1 can be enjoyed in a state where the vibration space is securely secured.

【0024】本発明の請求項3に記載した発明は、請求
項2に係る圧電振動子であって、前記振動領域を除いた
前記圧電体基板の側縁全周に、前記金属支持体を設けた
ことに特徴を有しており、これにより次のような作用を
有する。すなわち、全周保持型の圧電振動子において、
上述した請求項1記載の作用を享受することができるよ
うになる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the piezoelectric vibrator according to the second aspect, wherein the metal support is provided all around a side edge of the piezoelectric substrate excluding the vibration region. This has the following effects. That is, in the piezoelectric vibrator of the all around holding type,
The above-described operation of the first aspect can be enjoyed.

【0025】本発明の請求項4に記載した発明は、請求
項2に係る圧電振動子であって、前記振動領域を除いた
前記圧電体基板の両端に、前記金属支持体を設けたこと
に特徴を有しており、これにより次のような作用を有す
る。すなわち、端部支持型のの圧電振動子において、上
述した請求項1記載の作用を享受することができるよう
になる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the piezoelectric vibrator according to the second aspect, wherein the metal supports are provided at both ends of the piezoelectric substrate excluding the vibration region. It has the following features. That is, the above-described operation of the first aspect can be enjoyed in the end-supporting type piezoelectric vibrator.

【0026】本発明の請求項5に記載の発明は、請求項
1ないし4のいずれか記載の圧電振動子であって、前記
金属支持体の露出面を絶縁膜により被覆したことに特徴
を有しており、これにより次のような作用を有する。す
なわち、圧電体基板に設けられる電極と金属支持体とを
確実に電気的に絶縁することが可能となる。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the piezoelectric vibrator according to any one of the first to fourth aspects, wherein an exposed surface of the metal support is covered with an insulating film. This has the following effects. That is, it is possible to reliably electrically insulate the electrode provided on the piezoelectric substrate from the metal support.

【0027】本発明の請求項6に記載の発明は、所望す
る振動用の圧電体基板の厚みより厚みのある圧電体原板
を用意したうえで、当該圧電体原板の一面にメッキ法に
より金属支持体を形成する工程と、前記圧電体原板の他
面を削除して当該圧電体原板を薄板化することで、所望
の厚みを有する励振用の圧電体基板を作製する工程とを
含んで圧電振動子の製造方法を構成したことに特徴を有
しており、これにより次のような作用を有する。すなわ
ち、圧電体基板に対する金属支持体の取り付け位置精度
(水平精度を含む)が高まるうえ、取り付け後の金属支
持体の厚み精度も高まることになる。そして、このよう
な形成精度の高い金属支持体を裏打ちにして圧電体基板
の他面を削除するので、圧電体基板の研磨精度が高ま
り、圧電体基板を精度高く薄膜化することが可能とな
る。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric original plate having a thickness greater than a desired thickness of a piezoelectric substrate for vibration, and a metal support on one surface of the piezoelectric original plate by plating. A step of forming a body, and a step of manufacturing an excitation piezoelectric substrate having a desired thickness by removing the other surface of the piezoelectric original plate and thinning the piezoelectric original plate. The method is characterized in that the method for manufacturing a child is constituted, and thereby has the following operation. That is, the mounting position accuracy (including the horizontal accuracy) of the metal support with respect to the piezoelectric substrate is improved, and the thickness accuracy of the metal support after the mounting is also improved. Then, since the other surface of the piezoelectric substrate is removed by backing such a metal support having high formation accuracy, the polishing accuracy of the piezoelectric substrate is enhanced, and the piezoelectric substrate can be thinned with high accuracy. .

【0028】本発明の請求項7に記載の発明は、所望す
る振動用の圧電体基板の厚みより厚みのある圧電体原板
を用意したうえで、当該圧電体原板の一面に下地金属層
を形成し、さらにこの下地金属層上に金属メッキを施し
て金属層を形成することで、当該圧電体原板上に金属支
持体を形成する工程と、前記圧電体原板の他面を削除し
て当該圧電体原板を薄板化することで、所望の厚みを有
する振動用の圧電体基板を作製する工程と、前記金属支
持体に、前記圧電体基板の振動領域を外部に開放する開
口をエッチングにより形成する工程とを含むことに特徴
を有しており、これにより次のような作用を有する。す
なわち、上述した請求項6記載の作用と同様の作用を享
受したうえで、全周保持型の圧電振動子を作製すること
ができるようになる。さらには、金属支持体は、結晶欠
陥がほとんど存在しない材料であるうえ、開口を形成す
る際に用いるエッチング液として、圧電体基板(圧電振
動子)をほとんどエッチングしないようなものを選択で
きるので、開口を形成する際に、エッチングで圧電体基
板が損傷を受けることはほとんどない。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric original plate having a thickness larger than a desired thickness of a piezoelectric substrate for vibration, and then forming a base metal layer on one surface of the piezoelectric original plate. Forming a metal layer on the base metal layer by forming a metal layer on the base metal layer, and removing the other surface of the piezoelectric base plate by removing the other surface of the piezoelectric base plate. A step of manufacturing a piezoelectric substrate for vibration having a desired thickness by thinning the body original plate, and forming an opening in the metal support to open a vibration region of the piezoelectric substrate to the outside by etching. And a process, which has the following effects. That is, it is possible to manufacture an all-circumference holding type piezoelectric vibrator while enjoying the same operation as the above-described operation. Further, the metal support is a material having almost no crystal defects, and an etchant used for forming the openings can be selected so as to hardly etch the piezoelectric substrate (piezoelectric vibrator). When the openings are formed, the piezoelectric substrate is hardly damaged by the etching.

【0029】本発明の請求項8に記載の発明は、所望す
る振動用の圧電体基板の厚みより厚みのある圧電体原板
を用意したうえで、当該圧電体原板の一面に電極および
下地金属層を形成する工程と、前記圧電体原板の一面
に、前記電極および下地金属層の少なくとも一部の上方
に選択的に開口を有するレジストパターンを形成する工
程と、前記開口に選択的に金属メッキを施して金属支持
体を形成する工程と、前記圧電体原板の他面を削除して
当該圧電体原板を薄板化することで、所望の厚みを有す
る振動用の圧電体基板を作製する工程と、前記レジスト
パターンを除去する工程と、を含んで圧電振動子の製造
方法を構成することに特徴を有しており、これにより次
のような作用を有する。すなわち、上述した請求項6の
作用と同様の作用を享受したうえで、端部支持型の圧電
振動子を作製することができるようになる。さらには、
金属支持体を金属メッキにより形成するので、その工程
中に、圧電体基板が損傷を受けることはほとんどない。
According to the present invention, a piezoelectric original plate having a thickness larger than a desired thickness of a piezoelectric substrate for vibration is prepared, and an electrode and a base metal layer are formed on one surface of the piezoelectric original plate. Forming a resist pattern having an opening selectively on at least one part of the electrode and the underlying metal layer on one surface of the piezoelectric original plate, and selectively plating metal on the opening. Forming a metal support by applying, and removing the other surface of the piezoelectric original plate to make the piezoelectric original plate thinner, thereby producing a piezoelectric substrate for vibration having a desired thickness, The method is characterized in that the method for manufacturing a piezoelectric vibrator includes the step of removing the resist pattern, and has the following effects. That is, it is possible to manufacture the end-supporting type piezoelectric vibrator while enjoying the same operation as the above-described operation of claim 6. Moreover,
Since the metal support is formed by metal plating, the piezoelectric substrate is hardly damaged during the process.

【0030】本発明の請求項9に記載の発明は、所望す
る振動用の圧電体基板の厚みより厚みのある圧電体原板
を用意したうえで、当該圧電体原板の一面に下地金属層
を形成する工程と、前記圧電体原板の一面に、前記圧電
体基板の振動領域を選択的に被覆するレジストパターン
を形成する工程と、前記レジストパターンを除く前記圧
電体原板の一面に選択的に金属メッキを施して金属層を
形成することで、当該圧電体原板上に金属支持体を形成
する工程と、前記圧電体原板の他面を削除して当該圧電
体原板を薄板化することで、所望の厚みを有する振動用
の圧電体基板を作製する工程と、前記レジストパターン
を除去する工程とを含むことに特徴を有しており、これ
により次のような作用を有する。すなわち、上述した請
求項6と同様の作用を享受したうえで、圧電フィルタと
して用いるのに最適な全周支持型の圧電振動子を作製す
ることができるようになる。さらには、さらには、金属
支持体を金属メッキにより形成するので、その工程中
に、圧電体基板が損傷を受けることはほとんどない。
According to a ninth aspect of the present invention, a base metal layer having a thickness greater than a desired thickness of a piezoelectric substrate for vibration is prepared, and then a base metal layer is formed on one surface of the piezoelectric base plate. And a step of forming a resist pattern on one surface of the piezoelectric original plate to selectively cover the vibration region of the piezoelectric substrate, and selectively plating metal on one surface of the piezoelectric original plate excluding the resist pattern. To form a metal layer, thereby forming a metal support on the piezoelectric original plate, and by thinning the piezoelectric original plate by removing the other surface of the piezoelectric original plate, The method is characterized by including a step of manufacturing a piezoelectric substrate for vibration having a thickness and a step of removing the resist pattern, thereby having the following operation. In other words, it is possible to manufacture an all-periphery-supported piezoelectric vibrator that is most suitable for use as a piezoelectric filter while enjoying the same effect as the above-described claim 6. Further, since the metal support is formed by metal plating, the piezoelectric substrate is hardly damaged during the process.

【0031】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0032】第1の実施の形態 図1(a)は、本実施の形態の圧電振動子の外観斜視
図、図1(b)は、図1(a)のA−A’断面図であ
る。本実施の形態の圧電振動子1は、矩形状で薄板状を
した水晶板からなる圧電体基板2と圧電体基板支持用の
金属支持体3とを備えている。圧電体基板2と金属支持
体3とは直接面接して一体形成されており、金属支持体
3の概ね中央部には厚み方向に沿った貫通孔3aが形成
されている。貫通孔3aにより圧電体基板2の一面側中
央部にある振動領域αは露出しており、そこに振動空間
βが確保されている。
First Embodiment FIG. 1A is an external perspective view of a piezoelectric vibrator according to the present embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1A. . The piezoelectric vibrator 1 of the present embodiment includes a piezoelectric substrate 2 made of a rectangular and thin plate-like quartz plate and a metal support 3 for supporting the piezoelectric substrate. The piezoelectric substrate 2 and the metal support 3 are in direct contact with each other and are integrally formed, and a through hole 3 a is formed at a substantially central portion of the metal support 3 along the thickness direction. The through hole 3a exposes the vibration region α at the center on one surface side of the piezoelectric substrate 2, and a vibration space β is secured there.

【0033】金属支持体3の露出面には、絶縁膜4が設
けられている。金属支持体3の露出面は、この絶縁膜4
により被覆されている。圧電体基板2の表裏面には、励
振電極5A、5Bが形成されている。励振電極5A、5B
は、圧電体基板2の中央部(振動領域α)において、圧電
体基板2を挟んで対向配置されている。圧電振動子1の
上面(図中、圧電体基板2のある面)1aの一端には、
外部電極6Aが形成されている。圧電振動子1の上面1
aに設けられた励振電極5Aと外部電極6Aとは、同じ
く圧電振動子1の上面1aに設けられた引き出し電極7
Aにより電気的に接続されている。
The insulating film 4 is provided on the exposed surface of the metal support 3. The exposed surface of the metal support 3 is
Coated with Excitation electrodes 5A and 5B are formed on the front and back surfaces of the piezoelectric substrate 2, respectively. Excitation electrodes 5A, 5B
Are arranged to face each other with the piezoelectric substrate 2 interposed therebetween in the central portion (vibration region α) of the piezoelectric substrate 2. One end of the upper surface 1a of the piezoelectric vibrator 1 (the surface with the piezoelectric substrate 2 in the figure) 1a
An external electrode 6A is formed. Upper surface 1 of piezoelectric vibrator 1
The excitation electrode 5A and the external electrode 6A provided on the piezoelectric vibrator 1 are connected to the extraction electrode 7A provided on the upper surface 1a of the piezoelectric vibrator 1.
A is electrically connected.

【0034】一方、圧電振動子1の下面(図中、金属支
持体3のある面)1bの他端には、外部電極6Bが形成
されている。圧電振動子1の下面1bに設けられた励振
電極5Bと外部電極6Bとは、圧電振動子1の下面1
a、貫通孔3aの内周面、および圧電体基板2の裏面を
引き回された引き出し電極7Bにより電気的に接続され
ている。
On the other hand, an external electrode 6B is formed on the other end of the lower surface 1b of the piezoelectric vibrator 1 (the surface with the metal support 3 in the figure). The excitation electrode 5B and the external electrode 6B provided on the lower surface 1b of the piezoelectric vibrator 1
a, the inner peripheral surface of the through hole 3a, and the back surface of the piezoelectric substrate 2 are electrically connected by a lead electrode 7B that is routed.

【0035】このように構成された圧電振動子1は、全
周が固い金属支持体3によって保持されているため、圧
電体基板2の厚みを、30μm以下といった従来では製
造中や取り扱い中に物理的損傷が生じて作製することが
困難な厚さに設定しても、われ、欠け等の物理的損傷を
生じさせることがほとんど起きない。
Since the piezoelectric vibrator 1 thus configured is held by the solid metal support 3 on the entire circumference, the thickness of the piezoelectric substrate 2 is conventionally 30 μm or less during manufacturing or handling. Even if the thickness is set to be difficult to produce due to mechanical damage, physical damage such as cracking or chipping hardly occurs.

【0036】さらには、金属支持体3の表面に絶縁膜4
を形成しているので、励振電極5A、5Bが互いに金属
支持体3の厚み分の距離をもって分離され、したがっ
て、図示しない容器に収納した実際の使用形態において
も、励振電極5A、5B間の短絡を防ぐ利点を有する。
Further, the insulating film 4 is formed on the surface of the metal support 3.
Is formed, the excitation electrodes 5A and 5B are separated from each other with a distance corresponding to the thickness of the metal support 3, and therefore, even in an actual use mode in which the excitation electrodes 5A and 5B are housed in a container (not shown), a short circuit between the excitation electrodes 5A and 5B. Has the advantage of preventing.

【0037】次に、この圧電振動子1の製造方法を図2
を参照して説明する。
Next, a method of manufacturing the piezoelectric vibrator 1 will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG.

【0038】ここでは、圧電体基板2として、ATカッ
ト水晶板を使用して、この圧電体基板2の厚みを30μ
m、金属支持体3の厚みを100μmとした例である。
このような例においては、圧電体基板2として水晶とい
う比較的機械強度の低い物質を使用しても、金属支持体
3によってその機械強度が補強されているので、圧電体
基板2の厚みが、30μm程度という、従来では取り扱
い中に物理的欠損を生じる可能性の高い薄さにしても、
一般的な圧電振動子の機械強度に関する仕様を満足する
のは上述した通りである。
Here, an AT-cut quartz plate is used as the piezoelectric substrate 2, and the thickness of the piezoelectric substrate 2 is set to 30 μm.
m, the thickness of the metal support 3 was 100 μm.
In such an example, even if a material having relatively low mechanical strength such as quartz is used as the piezoelectric substrate 2, the mechanical strength is reinforced by the metal support 3. Even with a thickness of about 30 μm, which is conventionally highly likely to cause physical defects during handling,
It is as described above that the specification relating to the mechanical strength of a general piezoelectric vibrator is satisfied.

【0039】この圧電振動子1は、以下の製造工程をも
って実現される。
This piezoelectric vibrator 1 is realized by the following manufacturing steps.

【0040】すなわち、まず、図2(a)に示すよう
に、圧電体基板2の元となり、かつ、所望する圧電体基
板2の厚み(例えば30μm)より十分厚みの厚い圧電
体原板10(この例では、厚み200μmに水平研磨さ
れた水晶板)を用意し、この圧電体原板10の一面に下
地金属層11を形成する。下地金属層11は、圧電体原
板10に接着層などの担持体を介在させずに金属支持体
3を一体化形成するための下地層となる層である。下地
金属層11はNiの無電解メッキ工程により形成するの
が好ましいが、スパッタリング、蒸着などの手法によっ
て形成しても同様の構造が得られる。本実施の形態で
は、下地金属層11の厚みを1μmとした。
That is, first, as shown in FIG. 2 (a), the piezoelectric original plate 10 (this is the base of the piezoelectric substrate 2 and is sufficiently thicker than the desired thickness (for example, 30 μm) of the piezoelectric substrate 2). In the example, a quartz plate that is horizontally polished to a thickness of 200 μm) is prepared, and a base metal layer 11 is formed on one surface of the piezoelectric original plate 10. The base metal layer 11 is a layer serving as a base layer for integrally forming the metal support 3 without interposing a support such as an adhesive layer on the piezoelectric original plate 10. The base metal layer 11 is preferably formed by a Ni electroless plating step, but a similar structure can be obtained by forming the base metal layer 11 by a technique such as sputtering or vapor deposition. In the present embodiment, the thickness of base metal layer 11 is 1 μm.

【0041】ついで、図2(b)に示すように、下地金
属層11上に、さらに金属厚膜からなる金属層12を厚
膜メッキ工程(電解メッキ)により形成する。金属層1
2は、主に下地金属層11と同様、Niを電解メッキ工
程により形成するのが好ましい。金属層12の形成工程
では、形成する金属層12の厚みが一定となるように、
電流制御、温度管理を行い、これにより、所望の厚みの
金属層12を得る。この製造方法では、金属層12と下
地金属層11とから金属支持体3が構成される。また、
金属層12の厚みを99μmとして、下地金属層11
(1μm)の厚みと合わせて、金属支持体3全体の厚み
(金属層12+下地金属層11)を100μmとなるよ
うにした。このようにして作製される金属支持体3は、
金属支持体3と圧電体原板10との間に接着剤等の介在
物(厚み制御が難しい)が存在することなく、メッキ
法、スパッタリング、蒸着等の技法という精度の高い厚
み制御を行える製法により形成するので、金属支持体3
は、形成精度高く作製することができる。
Next, as shown in FIG. 2B, a metal layer 12 made of a metal thick film is further formed on the base metal layer 11 by a thick film plating step (electrolytic plating). Metal layer 1
2 is preferably formed mainly of Ni by an electrolytic plating step, similarly to the base metal layer 11. In the step of forming the metal layer 12, the thickness of the metal layer 12 to be formed is constant.
Current control and temperature control are performed to obtain a metal layer 12 having a desired thickness. In this manufacturing method, the metal support 3 is composed of the metal layer 12 and the base metal layer 11. Also,
When the thickness of the metal layer 12 is 99 μm,
The total thickness of the metal support 3 (metal layer 12 + base metal layer 11) was adjusted to 100 μm in accordance with the thickness of (1 μm). The metal support 3 thus produced is
There is no interposition such as an adhesive (thickness control is difficult) between the metal support 3 and the piezoelectric original plate 10 by a manufacturing method capable of performing high-precision thickness control such as a plating method, a sputtering method, and a vapor deposition method. To form the metal support 3
Can be manufactured with high formation accuracy.

【0042】次に、図2(c)に示すように、圧電体原
板10の露出面(図中の上面)を設定厚みまで水平研磨
する。本実施の形態では、圧電板原板10として200
μmに平行研磨された水晶板を用い、本工程で、30μ
mまで薄板化して、所望する厚みの圧電体基板2とす
る。このとき、金属支持体3を裏打ちにした状態で圧電
体原板10を水平研磨するので、圧電体基板2(厚さ3
0μm)と金属支持体3(厚さ100μm)からなる積
層体が、われ、欠け無く得ることができる。さらには、
裏打ちとなる金属支持体3の形成精度が高いので、圧電
体基板3の研磨精度(厚み精度や水平度精度)も高くな
る。
Next, as shown in FIG. 2C, the exposed surface (upper surface in the figure) of the piezoelectric original plate 10 is horizontally polished to a set thickness. In the present embodiment, a 200
Using a quartz plate polished parallel to μm, in this process, 30μ
m to obtain a piezoelectric substrate 2 having a desired thickness. At this time, the piezoelectric original plate 10 is horizontally polished while the metal support 3 is lined, so that the piezoelectric substrate 2 (thickness 3) is polished.
0 μm) and the metal support 3 (thickness: 100 μm) can be obtained without cracks. Moreover,
Since the precision of forming the metal support 3 as the backing is high, the polishing precision (thickness precision and horizontal precision) of the piezoelectric substrate 3 is also high.

【0043】さらに、図2(d)に示すように、金属支
持体3の振動領域αに対応して、金属支持体3の中央部
に貫通孔3aを形成して、振動空間βを確保する。この
工程は、まず、金属支持体3に対して、貫通孔3a形成
領域以外にフォトリソグラフィ技術によって高精度にマ
スキングを行ったのち、マスキング領域以外を選択的に
エッチングすることで、貫通孔3aを精度高く形成す
る。このとき、貫通孔3aの底部にある下地金属層11
も除去する。
Further, as shown in FIG. 2D, a through hole 3a is formed in the central portion of the metal support 3 corresponding to the vibration area α of the metal support 3 to secure a vibration space β. . In this step, first, the metal support 3 is masked with high accuracy by a photolithography technique in a region other than the region where the through hole 3a is formed, and then the region other than the masking region is selectively etched to form the through hole 3a. Form with high accuracy. At this time, the base metal layer 11 at the bottom of the through hole 3a
Is also removed.

【0044】このようなエッチングを行う際、エッチン
グ液により圧電体基板2が損傷することも考えられる。
しかしながら、エッチングされる金属支持体3には、単
結晶である水晶板のような結晶欠陥がほとんど存在しな
いので、結晶欠陥に起因したエッチングの部分的な促進
(本発明が解決しようとする課題の欄に詳細記載)が生
じず、したがって、エッチング液による圧電体基板2の
損傷はほとんど生じない。さらには、エッチング液とし
て、金属のみをエッチングするようなものを選んでこれ
を行えば、特に注意することにく金属部分のみを除去で
きる。
At the time of performing such etching, it is conceivable that the piezoelectric substrate 2 may be damaged by the etchant.
However, since the metal support 3 to be etched hardly has a crystal defect such as a single crystal quartz plate, partial promotion of etching caused by the crystal defect (the problem to be solved by the present invention) (Detailed description in the column) does not occur, and therefore, the piezoelectric substrate 2 is hardly damaged by the etchant. Furthermore, if an etching solution that etches only metal is selected and performed, it is possible to remove only the metal portion without particular care.

【0045】次に、図2(e)に示すように、基板全体
(圧電体基板2および金属支持体3)を加熱処理装置A
に収納配置して加熱処理することで、金属支持体3の露
出面に酸化膜からなる絶縁膜4を形成する。このとき、
加熱時の雰囲気は、酸化が効果的に進むように酸素や水
蒸気などを添加してもよいが、通常であれば、大気中の
処理で十分である。絶縁膜4が形成されることで圧電体
基板2と金属支持体3(導電性部分)との間は絶縁さ
れ、次の電極形成工程時の電極短絡の危険性がほとんど
なくなる。
Next, as shown in FIG. 2E, the whole substrate (piezoelectric substrate 2 and metal support 3) is heated
Then, the insulating film 4 made of an oxide film is formed on the exposed surface of the metal support 3 by carrying out heat treatment. At this time,
The atmosphere at the time of heating may be added with oxygen, water vapor, or the like so that oxidation proceeds effectively, but usually, treatment in the air is sufficient. By forming the insulating film 4, the piezoelectric substrate 2 and the metal support 3 (conductive portion) are insulated from each other, and there is almost no danger of electrode short-circuit in the next electrode forming step.

【0046】次に、励振電極5A、5B、外部電極6
A、6B、引き出し電極7A、7Bを形成する。すなわ
ち、図2(f)に示すように、圧電体基板2、金属支持
体3の表面のうち、これら電極5A、5B、6A、6
B、7A、7Bを形成しない表面領域を、金属等からな
るマスク13で覆ったうえで、蒸着等の手法により、各
種電極5A、5B、6A、6B、7A、7Bを上下に形
成する。これにより、圧電振動子1が完成する。
Next, the excitation electrodes 5A and 5B and the external electrodes 6
A, 6B and lead electrodes 7A, 7B are formed. That is, as shown in FIG. 2 (f), the electrodes 5A, 5B, 6A, and 6 of the surfaces of the piezoelectric substrate 2 and the metal support 3 are formed.
After covering the surface region where B, 7A, 7B is not formed with a mask 13 made of metal or the like, various electrodes 5A, 5B, 6A, 6B, 7A, 7B are formed vertically by a technique such as vapor deposition. Thus, the piezoelectric vibrator 1 is completed.

【0047】このような工程によって、製造された圧電
振動子1は、振動空間βが正確な位置に形成され、圧電
体基板2を薄くする(膜厚30μm程度)ことで、振動
領域α(金属支持体3の貫通孔3aに対向する圧電体基
板2の領域)も薄膜化することができるので、高精度高
周波の振動子とすることができる。
In the piezoelectric vibrator 1 thus manufactured, the vibration space β is formed at an accurate position, and the piezoelectric substrate 2 is thinned (about 30 μm thick) to form the vibration region α (metal The area of the piezoelectric substrate 2 facing the through hole 3a of the support 3 can also be made thinner, so that a high-precision high-frequency vibrator can be obtained.

【0048】なお、従来の製法でも、30μm程度の板
厚を有する圧電体基板を作製することはできるが、そう
すると、歩留まりが極端に悪化して製造コストを上昇さ
せるという不都合がある。これに対して、本実施の形態
の製造方法では、歩留まりを悪化させることなく、同程
度の薄膜化(30μm)を実現することができる。
It is to be noted that a piezoelectric substrate having a plate thickness of about 30 μm can be manufactured by the conventional manufacturing method. However, in this case, the yield is extremely deteriorated and the manufacturing cost is increased. On the other hand, according to the manufacturing method of the present embodiment, it is possible to realize a similar thinning (30 μm) without deteriorating the yield.

【0049】第2の実施の形態 本発明の第2の実施形態は、ニオブ酸リチウム基板を用
いた端部支持型の長矩形状の圧電振動子20に本発明を
実施したものであり、図3(a)は、本実施の形態の圧
電振動子20の外観斜視図であり、図3(b)は、本実
施の形態の圧電振動子20を容器21内に収納配置した
状態での断面図である。この圧電振動子20では、幅
(200μm)、長さ(1200μm)、厚み(60μ
m)の圧電体基板22を用いており、小型化が図られて
いる。
Second Embodiment In a second embodiment of the present invention, the present invention is applied to an end-supporting long rectangular piezoelectric vibrator 20 using a lithium niobate substrate. FIG. 3A is an external perspective view of the piezoelectric vibrator 20 of the present embodiment, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the piezoelectric vibrator 20 of the present embodiment in a state where the piezoelectric vibrator 20 is housed in a container 21. It is. The piezoelectric vibrator 20 has a width (200 μm), a length (1200 μm), and a thickness (60 μm).
m), the size is reduced.

【0050】この圧電振動子20は、圧電体基板22と
金属支持体23A、23Bとを積層一体化した点は、第
1の実施の形態と同様であるが、次の点で第1の実施の
形態と異なっている。すなわち、圧電体基板22はニオ
ブ酸リチウム基板の短冊状(長矩形状)薄板からなり、
その表裏面の長手方向中央部それぞれには、励振電極2
4A、24Bが設けられている。さらには、励振電極2
4A、24Bは、互いに圧電体基板22を挟んで対向配
置されている。圧電体基板22の一面(図中、上面)2
2aの一端には外部電極25Aが形成されており、圧電
体基板22の上面22aに設けられた励振電極24Aと
外部電極25Aとは、同じく圧電振動子22の一面22
aに設けられた引き出し電極26Aにより電気的に接続
されている。
The piezoelectric vibrator 20 is the same as the first embodiment in that the piezoelectric substrate 22 and the metal supports 23A and 23B are laminated and integrated, but the first embodiment has the following points. Is different from the form. That is, the piezoelectric substrate 22 is formed of a strip (long rectangle) thin plate of a lithium niobate substrate,
An excitation electrode 2 is provided on each of the longitudinal central portions of the front and back surfaces.
4A and 24B are provided. Further, the excitation electrode 2
4A and 24B are opposed to each other with the piezoelectric substrate 22 interposed therebetween. One surface (upper surface in the figure) 2 of the piezoelectric substrate 22
An external electrode 25A is formed at one end of 2a. The excitation electrode 24A and the external electrode 25A provided on the upper surface 22a of the piezoelectric substrate 22
are electrically connected to each other by a lead electrode 26A provided at a.

【0051】同様に、圧電体基板22の他面(図中、下
面)22bの他端(上記した一面22aの一端と対向す
る端)には、外部電極25Bが形成されており、圧電体
基板22の他面22bに設けられた励振電極24Bと外
部電極25Bとは、同じく圧電振動子22の他面22b
に設けられた引き出し電極26Bにより電気的に接続さ
れている。また、圧電体基板22の他面22bにおい
て、外部電極25Aと対向する基板端部には下地金属層
25Cが設けられている。下地金属層25Cは金属支持
体23Aの下地層として、金属支持体23Aと圧電体基
板22との間に介在している。励振電極24A、24B
および外部電極25A、25Bは、圧電体基板22の表
裏面それぞれにおいて、圧電体基板22の幅方向(長手
方向とは直交する方向)端から端まで配設されている。
Similarly, an external electrode 25B is formed at the other end (the end facing the one end of the above-mentioned one surface 22a) of the other surface (the lower surface in the figure) 22b of the piezoelectric substrate 22. The excitation electrode 24B and the external electrode 25B provided on the other surface 22b of the piezoelectric vibrator 22
Are electrically connected to each other by a lead electrode 26B provided at the bottom. On the other surface 22b of the piezoelectric substrate 22, a base metal layer 25C is provided at an end of the substrate facing the external electrode 25A. The base metal layer 25C is interposed between the metal support 23A and the piezoelectric substrate 22 as a base layer of the metal support 23A. Excitation electrodes 24A, 24B
The external electrodes 25 </ b> A and 25 </ b> B are arranged on the front and back surfaces of the piezoelectric substrate 22 from one end to the other in the width direction (direction orthogonal to the longitudinal direction) of the piezoelectric substrate 22.

【0052】金属支持体23A、23Bは、圧電体基板
22の他面22bの長手方向の両端それぞれに設けられ
ている。各金属支持体23A、23Bと圧電体基板22
とは、直接面接して一体形成されている。金属支持体2
3A、23Bそれぞれは、圧電体基板22の幅方向に沿
って圧電体基板22の端から端まで配設されているが、
金属支持体23A、23Bどうしは、圧電体基板22の
長手方向両端それぞれに設けられて互いに離間配置され
ており、両金属支持体23A、23Bの間では圧電体基
板22の振動領域αが露出して振動空間βを確保してい
る。また、圧電体基板22を十分補強するためには、金
属支持体23A、23Bの厚みは200μm程度にする
のが好ましい。
The metal supports 23A and 23B are provided at both ends in the longitudinal direction of the other surface 22b of the piezoelectric substrate 22. Each metal support 23A, 23B and piezoelectric substrate 22
And are integrally formed in direct contact with each other. Metal support 2
Each of 3A and 23B is disposed from end to end of the piezoelectric substrate 22 along the width direction of the piezoelectric substrate 22,
The metal supports 23A and 23B are provided at both ends in the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 22 and are spaced apart from each other. Between the two metal supports 23A and 23B, the vibration region α of the piezoelectric substrate 22 is exposed. To secure the vibration space β. In order to sufficiently reinforce the piezoelectric substrate 22, the thickness of the metal supports 23A and 23B is preferably set to about 200 μm.

【0053】外部電極25Aは、圧電体基板22の上面
に露出しており、この露出部分を介して外部に対して接
続可能となっている。一方、外部電極25Bは圧電体基
板22の下面にあって、金属支持体23Bにより被覆さ
れており露出していない。しかしながら、外部電極25
Bの端面は、圧電体基板22の側縁部に露出しており、
この露出部分を介して外部に対して接続可能となってい
る。さらには、外部電極25Bの上には、直接面接した
状態で金属支持体Bが積層配置されており、これにより
金属支持体23Bは外部電極25Bに電気的に接続され
た状態になっている。金属支持体23Bは外部に露出し
ているので、金属支持体23Bが外部との接続における
仲介電極としての役目を果たす。
The external electrode 25A is exposed on the upper surface of the piezoelectric substrate 22, and can be connected to the outside via this exposed portion. On the other hand, the external electrode 25B is on the lower surface of the piezoelectric substrate 22, is covered with the metal support 23B, and is not exposed. However, the external electrode 25
The end face of B is exposed at the side edge of the piezoelectric substrate 22,
It can be connected to the outside through this exposed part. Further, on the external electrode 25B, the metal support B is stacked and arranged in direct contact with the external electrode 25B, whereby the metal support 23B is electrically connected to the external electrode 25B. Since the metal support 23B is exposed to the outside, the metal support 23B functions as a mediating electrode in connection with the outside.

【0054】このように構成された圧電振動子20は、
通常、容器21に収納されている。容器21は、実装基
板21aと、実装基板21aの上方を密封する蓋21b
とを備えている。実装基板21の下面には、長手方向両
端それぞれに、端子電極27A、27Bが設けられてい
る。端子電極27A、27Bは、ビアホール28A、2
8Bにより実装基板21の上面まで引き出されている。
圧電振動子20は、実装基板21の上面に搭載されてお
り、圧電振動子20の外部電極25A、25Bは、導電
性ペースト29によりビアホール28A、28B、延い
ては端子電極27A、27Bに電気的に接続されてい
る。蓋21bは、圧電振動子実装状態の実装基板21a
の上面を覆って密封している。 このように構成された圧電振動子20は、金属支持体2
3A、23Bそれぞれが長矩形状の圧電体基板22の長
手方向端部において面接されて一体形成されている。ま
た、圧電体基板22のほぼ中央に、互いに対向する励振
電極24A、24Bが配設されて励振する構成となって
いる。
The piezoelectric vibrator 20 thus configured is
Usually, it is stored in the container 21. The container 21 includes a mounting board 21a and a lid 21b for sealing the upper side of the mounting board 21a.
And On the lower surface of the mounting substrate 21, terminal electrodes 27A and 27B are provided at both ends in the longitudinal direction. The terminal electrodes 27A, 27B are connected to the via holes 28A,
8B, it is pulled out to the upper surface of the mounting board 21.
The piezoelectric vibrator 20 is mounted on the upper surface of the mounting substrate 21, and the external electrodes 25 A and 25 B of the piezoelectric vibrator 20 are electrically connected to the via holes 28 A and 28 B and the terminal electrodes 27 A and 27 B by the conductive paste 29. It is connected to the. The lid 21b is mounted on the mounting substrate 21a in a state where the piezoelectric vibrator is mounted.
It covers and seals the upper surface. The piezoelectric vibrator 20 configured as described above is provided on the metal support 2.
3A and 23B are integrally formed by being in contact with each other at the longitudinal end of the piezoelectric substrate 22 having a rectangular shape. Further, the excitation electrodes 24A and 24B facing each other are arranged at substantially the center of the piezoelectric substrate 22 so as to excite.

【0055】金属支持体23A、23Bによって端部支
持された圧電振動子20は、金属支持体23A、23B
を下にして平面に置くだけで容易に振動空間βを確保す
ることができる。そのため、図3(b)に示すように、
容器21に収納されるときに、振動空間βを容器側に設
ける必要がなくなる。容器21は、圧電振動子20を実
装基板21aに実装する(外部電極25A、25Bと端
子電極27A、27Bとの接続を含む)だけで、振動空
間αは確実に形成され、正確な振動による信号を外部に
取り出すことができる。
The piezoelectric vibrator 20 whose ends are supported by the metal supports 23A and 23B is connected to the metal supports 23A and 23B.
The vibration space β can be easily secured simply by placing the device on a flat surface with. Therefore, as shown in FIG.
When housed in the container 21, it is not necessary to provide the vibration space β on the container side. In the container 21, the vibration space α is reliably formed only by mounting the piezoelectric vibrator 20 on the mounting substrate 21a (including the connection between the external electrodes 25A and 25B and the terminal electrodes 27A and 27B). Can be taken out.

【0056】また、このように構成された圧電振動子2
0は、第1の実施の形態と同様、長手方向両端が固い金
属支持体23A、23Bによって保持されているため、
圧電体基板22の厚みを、60μm以下といったニオブ
酸リチウム基板を圧電体基板として用いた圧電振動子に
おいて、従来では製造中や取り扱い中に物理的損傷が生
じて作製することが困難である厚さに設定しても、わ
れ、欠け等の物理的損傷を生じさせることがほとんど起
きない。この場合、金属支持体23A、23Bの厚みは
上述したように、60μm程度としている。
Further, the piezoelectric vibrator 2 configured as described above
0 is held by hard metal supports 23A and 23B at both ends in the longitudinal direction as in the first embodiment.
In the case of a piezoelectric vibrator using a lithium niobate substrate as a piezoelectric substrate, the thickness of the piezoelectric substrate 22 is 60 μm or less, which is conventionally difficult to produce due to physical damage during production and handling. Even if it is set to, hardly any physical damage such as chipping occurs. In this case, the thickness of the metal supports 23A and 23B is about 60 μm as described above.

【0057】本実施の形態の圧電振動子20の製造工程
を以下に図面を参照しながら説明する。
The manufacturing process of the piezoelectric vibrator 20 of the present embodiment will be described below with reference to the drawings.

【0058】ここに示す製造方法は、大型のウエハ状の
圧電体原板30を用いて、これより多数の振動子を形成
することを前提とした量産方法である。
The manufacturing method shown here is a mass production method on the premise that a large number of vibrators are formed using a large-sized wafer-shaped piezoelectric original plate 30.

【0059】まず、図4(a)に示すように、ニオブ酸
リチウムからなり、所望する圧電体基板22が複数枚と
れる大きさを有し、かつ、圧電体基板22の厚み(上述
した例では60μm以下)より十分厚みの厚い圧電体原
板30を用意し、この圧電体原板30の一面30aに電
極パターン31A、31Bを形成する。電極パターン3
1Aは、パターン31A1とパターン31A2とパターン
31A3とを組み合わせて構成されている。パターン3
1A1は、後の工程で圧電体原板30が分割されること
で励振電極24Bとなる部分である。パターン31A2
は、後の工程で圧電体原板30が分割されることで、外
部電極25Bとなる部分である。パターン31A3は、
後の工程で圧電体原板30が分割されることで引き出し
電極26Bとなる部分である。電極パターン31Bは、
後の工程で圧電体原板30が分割されることで、一方の
金属支持体23Aの下地金属層25Cとなる電極パター
ンであって、金属支持体23Aの形成位置に設けられて
いる。
First, as shown in FIG. 4A, the piezoelectric substrate 22 is made of lithium niobate, has a size that allows a plurality of desired piezoelectric substrates 22, and has a thickness of the piezoelectric substrate 22 (in the above example, A piezoelectric original plate 30 having a thickness sufficiently larger than 60 μm) is prepared, and electrode patterns 31A and 31B are formed on one surface 30a of the piezoelectric original plate 30. Electrode pattern 3
1A is configured by combining a pattern 31A 1 and pattern 31A 2 and the pattern 31A 3. Pattern 3
1A 1 is piezoelectric original plate 30 in a later step is part of the excitation electrode 24B by being divided. Pattern 31A 2
Is a portion that becomes the external electrode 25B by dividing the piezoelectric original plate 30 in a later step. Pattern 31A 3 is,
This is a portion that becomes the extraction electrode 26B by dividing the piezoelectric original plate 30 in a later step. The electrode pattern 31B is
An electrode pattern to be the base metal layer 25C of one of the metal supports 23A by dividing the piezoelectric original plate 30 in a later step, and is provided at a position where the metal support 23A is formed.

【0060】なお、上述した第1の実施の形態では、こ
れら電極を、蒸着等の手法により作製した。しかしなが
ら、圧電振動子が小型化されてその電極サイズが小さく
なると、より精密な方法により電極を形成する必要が生
じる。そのため、第1の実施の形態で示した蒸着方法で
は対応が困難となる。そこで、本実施の形態では、フォ
トリソグラフィ技術を用いて、電極パターン31A、3
1Bを形成している。本実施の形態では、電極パターン
31A、31BをNiから構成しており、さらには、電
極の厚みを1μmとしている。
In the first embodiment, these electrodes are manufactured by a technique such as vapor deposition. However, when the size of the piezoelectric vibrator is reduced and its electrode size is reduced, it is necessary to form the electrode by a more precise method. Therefore, it is difficult to cope with the vapor deposition method described in the first embodiment. Therefore, in the present embodiment, the electrode patterns 31A, 3A
1B. In the present embodiment, the electrode patterns 31A and 31B are made of Ni, and the thickness of the electrodes is 1 μm.

【0061】次に、図4(b)に示すように、圧電体原
板30の一面30aにレジストパターン32を形成す
る。レジストパターン32は、パターン電極31Bの上
方、およびパターン31A2の上方に開口32aを形成
することで、電極パターン31Bおよびパターン31A
2を露出させた形状とする。また、レジストパターン3
2Bを構成するレジストとしては、厚みを厚くするため
に高粘度レジストあるいはフィルム状のレジストを用い
る。
Next, as shown in FIG. 4B, a resist pattern 32 is formed on one surface 30a of the piezoelectric original plate 30. Resist pattern 32, by forming an opening 32a upwardly above, and the patterns 31A 2 of the pattern electrode 31B, the electrode pattern 31B and pattern 31A
2 has an exposed shape. Also, resist pattern 3
As the resist constituting 2B, a high-viscosity resist or a film-like resist is used to increase the thickness.

【0062】次に、図4(c)に示すように、圧電体原
板30を金属、例えばNiでメッキする。この工程は、
レジスト(上述した例ではレジストパターン32B)で
規制された領域に厚膜メッキを行うことで厚みを均一に
できる電気メッキ法(以下、このような方法を電鋳法と
呼ぶ)が好ましいが、無電解メッキによっても可能であ
る。このようにして圧電体原板30に電気メッキした場
合には、レジストパターン32Bの開口32aにより金
属部分(電極パターン32B、パターン31A2)が露
出している部分のみ選択的にメッキされる。このとき、
メッキ厚さは、開口32aの深さ(レジストパターン3
2の厚み)に応じたものとなる。したがって、最終的に
金属支持体23A、23Bとなるメッキ層33A、33
Bの厚みはレジストパターン32の厚みを調整すること
で精度高く制御することができる。このようにして形成
されたメッキ層33A、33Bは、金属支持体23A、
23Bを連結した原パターンとなる。
Next, as shown in FIG. 4C, the piezoelectric original plate 30 is plated with a metal, for example, Ni. This step is
An electroplating method (hereinafter, such a method is referred to as an electroforming method) which can make the thickness uniform by performing thick film plating on a region regulated by a resist (the resist pattern 32B in the above-described example) is preferable. It is also possible by electrolytic plating. Thus when electroplating piezoelectric original plate 30 is the resist pattern 32B metal part (electrode pattern 32B, pattern 31A 2) by an opening 32a of are selectively plated only the exposed portion. At this time,
The plating thickness depends on the depth of the opening 32a (resist pattern 3
2 thickness). Therefore, the plating layers 33A, 33 that eventually become the metal supports 23A, 23B are formed.
The thickness of B can be controlled with high accuracy by adjusting the thickness of the resist pattern 32. The plating layers 33A and 33B formed in this manner are provided on the metal support 23A,
23B are connected to the original pattern.

【0063】次に、図4(d)に示すように、圧電体原
板30の他面30bを設定厚みまで水平研磨する。本実
施の形態では、本工程で、60μmまで薄板化して、所
望する厚みを有する圧電体原板30’を形成する。この
とき、メッキ層33A、33B、およびレジストパター
ン32により圧電体原板30を裏打ちにした状態で圧電
体原板30を水平研磨するので、研磨後の圧電体原板3
0(厚さ60μm)が、われ、欠け無く得ることができ
る。さらには、裏打ちとなる金属支持体23A、23B
の形成精度が高いので、圧電体原板30の研磨精度(厚
み精度や水平度精度)も高くなる。
Next, as shown in FIG. 4D, the other surface 30b of the original piezoelectric body plate 30 is horizontally polished to a set thickness. In the present embodiment, in this step, the piezoelectric original plate 30 'having a desired thickness is formed by reducing the thickness to 60 μm. At this time, since the piezoelectric original plate 30 is horizontally polished while the piezoelectric original plate 30 is backed by the plating layers 33A and 33B and the resist pattern 32, the polished piezoelectric original plate 3 is polished.
0 (thickness 60 μm) can be obtained without cracks. Further, the metal supports 23A and 23B as the backing
Since the precision of the formation is high, the polishing precision (thickness precision and horizontal precision) of the piezoelectric body plate 30 also increases.

【0064】その後、図4(e)に示すように、レジス
トパターン32を除去する。この状態では、圧電体原板
30’の一面30aには、電極パターン31A,31B
は形成されているが、圧電体原板30’の他面30bに
は電極パターンは形成されていない。そこで、図4
(f)に示すように、圧電体原板30’の他面30b
に、上述した電極パターン31Aと同様の電極パターン
31Cを形成する。電極パターン31Cは、後の工程で
圧電体原板30が分割されることで励振電極24Aとな
る部分と、外部電極25Aとなる部分と、引き出し電極
26Aとなる部分から構成されている。
Thereafter, as shown in FIG. 4E, the resist pattern 32 is removed. In this state, the electrode patterns 31A and 31B are provided on one surface 30a of the piezoelectric original plate 30 '.
Is formed, but no electrode pattern is formed on the other surface 30b of the piezoelectric body original plate 30 '. Therefore, FIG.
As shown in (f), the other surface 30b of the piezoelectric original plate 30 '
Then, an electrode pattern 31C similar to the above-described electrode pattern 31A is formed. The electrode pattern 31C includes a portion that becomes the excitation electrode 24A by dividing the piezoelectric original plate 30 in a later step, a portion that becomes the external electrode 25A, and a portion that becomes the extraction electrode 26A.

【0065】図4(f)に示す工程を終了することで、
圧電振動子20の集合体34が完成し、最後に図4
(g)に示すように、各圧電振動子20の周囲に沿った
縦横の切断線35にそって、集合体34を切断すること
で、図3に示したような圧電振動子20が完成する。
By completing the step shown in FIG.
The assembly 34 of the piezoelectric vibrator 20 is completed.
As shown in (g), by cutting the assembly 34 along the vertical and horizontal cutting lines 35 along the periphery of each piezoelectric vibrator 20, the piezoelectric vibrator 20 as shown in FIG. 3 is completed. .

【0066】この製造方法では、メッキの下地層となる
電極パターン31Bを、各電極(励振電極24A、24
B、外部電極25A、25B、引き出し電極26A、2
6B)となる電極パターン31Aと一緒に形成すること
ができ、その分、工程数を削減することができる、とい
う特徴がある。
In this manufacturing method, the electrode pattern 31B serving as a base layer for plating is connected to each electrode (the excitation electrodes 24A and 24A).
B, external electrodes 25A, 25B, lead electrodes 26A, 2
6B) can be formed together with the electrode pattern 31A, and the number of steps can be reduced accordingly.

【0067】さらには、第1の実施の形態では、金属支
持体3を形成したのち、金属支持体3に貫通孔3aを形
成することで所望の形状を有する金属支持体3を得てい
るのに対して、本実施の形態では、メッキ層33A、3
3Bをパターン形成することで、所望の形状を有する金
属支持体23A、23Bを得ており、その点で、両実施
の形態は製法が若干異なっている。しかしながら、どち
らの圧電振動子の構造(全周支持構造もしくは端部支持
構造)に対しても、両方の製法が適用可能であり、上述
した各実施の形態における構造と製法の組み合わせに限
るものではない。
Further, in the first embodiment, after the metal support 3 is formed, the metal support 3 having a desired shape is obtained by forming the through hole 3a in the metal support 3. On the other hand, in the present embodiment, the plating layers 33A, 3A
By patterning 3B, metal supports 23A and 23B having desired shapes are obtained, and in that respect, the manufacturing methods of the two embodiments are slightly different. However, both manufacturing methods are applicable to either structure of the piezoelectric vibrator (the entire circumference support structure or the end support structure), and the present invention is not limited to the combination of the structure and the manufacturing method in each of the above-described embodiments. Absent.

【0068】ただし、第2の実施の形態で説明した端部
支持構造においては、金属支持体23A、23Bの表面
に絶縁膜を形成する工程を必ずしも含む必要はない。な
ぜなら、この構造では、金属支持体23A、23Bが互
いに分離して配置されていることにより励振電極24
A、24B(外部電極25A、25B)どうしが近接し
合うことがなくなり、金属支持体23A、23Bの表面
が導電性を持っていたとしても、互いに短絡する恐れが
ほとんどないためである。しかしながら、絶縁を確実に
するためには、絶縁膜を形成してもよいのはいうまでも
ない。
However, the end support structure described in the second embodiment does not necessarily include a step of forming an insulating film on the surfaces of the metal supports 23A and 23B. This is because, in this structure, since the metal supports 23A and 23B are disposed separately from each other, the excitation electrodes 24
This is because A and 24B (external electrodes 25A and 25B) do not come close to each other, and even if the surfaces of the metal supports 23A and 23B have conductivity, there is almost no risk of short-circuiting to each other. However, it goes without saying that an insulating film may be formed to ensure insulation.

【0069】同様に、第1の実施の形態の場合において
も、必ずしも絶縁膜を形成する必要ない。ただ、第1の
実施の形態では、金属支持体3が一体形成されているう
えに、各電極が金属支持体3に非常に近接して配置され
ているので、絶縁膜4があった方が好ましいだけであ
る。
Similarly, in the case of the first embodiment, it is not always necessary to form an insulating film. However, in the first embodiment, since the metal support 3 is formed integrally and the respective electrodes are arranged very close to the metal support 3, it is better to have the insulating film 4. Only preferred.

【0070】第3の実施の形態 図5(a)は、本実施の形態であるMCF(モノリシッ
ク・クリスタル・フィルタ)の外観斜視図、図5(b)
は、図5(a)のB−B’断面図である。本実施の形態
の圧電フィルタ40は、矩形状で薄板状をしたタンタル
酸リチウムからなる圧電体基板41と圧電体基板支持用
の金属支持体42とを備えている。圧電体基板41と金
属支持体42とは一体形成されており、金属支持体42
の概ね中央部には厚み方向に沿った貫通孔42aが形成
されている。貫通孔42aにより圧電体基板41の一面
側中央部にある振動領域αは外部に開放されて振動空間
βが確保されている。金属支持体42の露出面には、絶
縁膜43が設けられており、金属支持体42の露出面
は、この絶縁膜43により被覆されている。
Third Embodiment FIG. 5A is an external perspective view of an MCF (monolithic crystal filter) according to this embodiment, and FIG.
FIG. 6 is a sectional view taken along the line BB ′ of FIG. The piezoelectric filter 40 of the present embodiment includes a rectangular and thin plate-shaped piezoelectric substrate 41 made of lithium tantalate and a metal support 42 for supporting the piezoelectric substrate. The piezoelectric substrate 41 and the metal support 42 are integrally formed, and the metal support 42
A through hole 42a is formed substantially in the center along the thickness direction. The vibration region α at the center on one surface side of the piezoelectric substrate 41 is opened to the outside by the through hole 42a, and the vibration space β is secured. An insulating film 43 is provided on the exposed surface of the metal support 42, and the exposed surface of the metal support 42 is covered with the insulating film 43.

【0071】圧電体基板41の一面(図中、上面)41
aには、励振電極44A、44Bが配設されている。励
振電極44A、44Bは、圧電体基板41の一面41a
の中央部において、圧電体基板41の長手方向に沿って
所定の離間間隔を空けて対向配置されている。圧電体基
板41の一面41aの長手方向両端(励振電極44A、
44Bの対向方向両端)には、外部電極45A、45B
が形成されており、互いに近接する励振電極44Aと外
部電極45A、および励振電極44Bと外部電極45B
は、同じく圧電体基板41の一面41aに設けられた引
き出し電極46A、46Bにより電気的に接続されてい
る。圧電体基板41の他面(図中、下面)41bには、
その全面に金属下地層47が形成されており、さらに
は、金属下地層47を介して金属層48が圧電体基板4
1の他面41bに一体化形成されている。金属層48に
は貫通孔42aが形成されている。上述した金属支持体
42は、金属下地層47と金属層48とから構成されて
いる。
One surface (upper surface in the figure) 41 of the piezoelectric substrate 41
Excitation electrodes 44A and 44B are provided at a. The excitation electrodes 44A and 44B are provided on one surface 41a of the piezoelectric substrate 41.
Are arranged facing each other at predetermined intervals along the longitudinal direction of the piezoelectric substrate 41. Both ends in the longitudinal direction of one surface 41a of the piezoelectric substrate 41 (excitation electrodes 44A,
External electrodes 45A, 45B
Are formed, and the excitation electrode 44A and the external electrode 45A and the excitation electrode 44B and the external electrode 45B which are close to each other are formed.
Are electrically connected by lead electrodes 46A and 46B similarly provided on one surface 41a of the piezoelectric substrate 41. On the other surface (lower surface in the figure) 41b of the piezoelectric substrate 41,
A metal underlayer 47 is formed on the entire surface of the piezoelectric substrate 4.
1 is formed integrally with the other surface 41b. A through hole 42a is formed in the metal layer 48. The metal support 42 described above includes a metal base layer 47 and a metal layer 48.

【0072】本実施の形態の圧電フィルタ40は、圧電
体基板41としてタンタル酸リチウムを使用しており、
この材料は、水晶よりも脆い性質を示すが、本発明の構
造を採用することにより、容易に薄板化が可能である。
以下に図面を参照しながら、本実施の形態の製造方法に
ついて説明する。ここで、厚み40μmの圧電体基板4
1を有する圧電フィルタ40を、厚みが100μmの金
属支持体42を配設して形成している。
The piezoelectric filter 40 of the present embodiment uses lithium tantalate as the piezoelectric substrate 41.
Although this material is more brittle than quartz, it can be easily thinned by employing the structure of the present invention.
Hereinafter, the manufacturing method of the present embodiment will be described with reference to the drawings. Here, the piezoelectric substrate 4 having a thickness of 40 μm
1 is formed by disposing a metal support 42 having a thickness of 100 μm.

【0073】まず、図6(a)に示すように、圧電体基
板41の元となり、かつ、所望する圧電体基板41の厚
み(上記の例では40μm)より十分厚みの厚いタンタ
ル酸リチウムからなる圧電体原板50を用意し、この圧
電体原板50の一面に下地金属層47を形成する。下地
金属層47は、圧電体原板50に接着層などの担持体を
介在させずに金属層48を一体化形成するための下地層
となる層である。下地金属層47はNiの無電解メッキ
工程により形成するのが好ましいが、スパッタリング、
蒸着などの手法によって形成しても同様の構造が得られ
る。なお、下地金属層47は、圧電フィルタ40の接地
電極を兼用している。
First, as shown in FIG. 6A, the piezoelectric substrate 41 is made of lithium tantalate, which is a source and is sufficiently thicker than the desired thickness of the piezoelectric substrate 41 (40 μm in the above example). A piezoelectric original plate 50 is prepared, and a base metal layer 47 is formed on one surface of the piezoelectric original plate 50. The base metal layer 47 is a layer serving as a base layer for integrally forming the metal layer 48 without interposing a carrier such as an adhesive layer on the piezoelectric original plate 50. The base metal layer 47 is preferably formed by a Ni electroless plating step.
A similar structure can be obtained by forming by a method such as vapor deposition. The ground metal layer 47 also serves as a ground electrode of the piezoelectric filter 40.

【0074】次に、図6(b)に示すように、金属下地
層47上の振動空間β(貫通孔42a)となるべき部分に
レジストパターン51を形成する。このレジストパター
ン51は第1の実施の形態に示したように高粘度のもの
を用いて厚塗りし、フォトリソグラフィ技術を用いてパ
ターニングして形成する。
Next, as shown in FIG. 6B, a resist pattern 51 is formed on a portion of the metal base layer 47 which is to be a vibration space β (through hole 42a). As shown in the first embodiment, this resist pattern 51 is formed by applying a thick coating using a high-viscosity one and patterning it using a photolithography technique.

【0075】次に、図6(c)に示すように、電鋳法に
より金属層48を形成する。
Next, as shown in FIG. 6C, a metal layer 48 is formed by electroforming.

【0076】次に、図6(d)に示すように金属支持体
42及びレジストパターン51を裏打ちとして、圧電体
原板50の他面を水平研磨することで薄層化(40μ
m)して圧電体基板41を形成する。このとき、圧電体
原板50は常に金属支持体42によって周囲が補強され
ているため、単体で扱う場合に比べて取り扱いが容易で
あり、物理的損傷を生じさせることなく、圧電体原板5
0を薄層化して圧電体基板41を作製することが可能で
ある。
Next, as shown in FIG. 6D, with the metal support 42 and the resist pattern 51 as the backing, the other surface of the piezoelectric original plate 50 is horizontally polished to make it thinner (40 μm).
m) to form the piezoelectric substrate 41. At this time, since the periphery of the piezoelectric original plate 50 is always reinforced by the metal support 42, it is easier to handle as compared with a case where it is handled alone, and the piezoelectric original plate 5 is not physically damaged.
It is possible to manufacture the piezoelectric substrate 41 by reducing the thickness of 0.

【0077】そして、図6(e)に示すように、レジス
トパターン51を除去することで、金属支持体42に貫
通孔42aを形成した後、圧電体基板41の上面に励振
電極44A、44B、外部電極45A、45B、引き出
し電極46A、46Bを形成する。
Then, as shown in FIG. 6 (e), after removing the resist pattern 51 to form a through hole 42 a in the metal support 42, the excitation electrodes 44 A, 44 B, External electrodes 45A and 45B and lead electrodes 46A and 46B are formed.

【0078】次に、図6(f)に示すように圧電体基板
41の上面41aに励振電極44A、44B、外部電極
45A、45B、引き出し電極46A、46Bを形成す
る。なお、MCFを構成するために、この電極は分割さ
れている。しかも、フィルタでは電極サイズや電極間隔
に精密な寸法制御が必要になるため、第1の実施の形態
に示したような金属マスクによる電極のパターン蒸着で
は対応が困難になる。ここでは、本実施の形態では、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて、各種電極を形成してい
る。なお、MCFでは裏面電極(接地電極)が必要とな
る。上記構成では、圧電体フィルタの裏面は凹み(金属
支持体47)をもっているため、均一なレジスト塗布が
難しく、フォトリソグラフィ技術を適用して裏面電極を
形成することは困難であるが、金属下地層47が接地電
極(裏面電極)を兼ねるため、別途裏面電極を形成する
必要はない。
Next, as shown in FIG. 6F, excitation electrodes 44A and 44B, external electrodes 45A and 45B, and lead electrodes 46A and 46B are formed on the upper surface 41a of the piezoelectric substrate 41. Note that this electrode is divided to form the MCF. In addition, since the filter requires precise dimensional control of the electrode size and the electrode interval, it is difficult to cope with electrode pattern deposition using a metal mask as described in the first embodiment. Here, in this embodiment mode, various electrodes are formed using a photolithography technique. Note that the MCF requires a back electrode (ground electrode). In the above configuration, since the back surface of the piezoelectric filter has a recess (metal support 47), it is difficult to apply a uniform resist, and it is difficult to form a back electrode by applying photolithography technology. Since 47 also serves as a ground electrode (backside electrode), there is no need to separately form a backside electrode.

【0079】上記の第1、第2及び第3の実施形態に共
通して、圧電体基板には、LiNbO3、LiTaO3、もし
くはKNbO3結晶、水晶、またはランガサイト系結晶が
利用できる。振動子を構成する圧電体基板の厚みは、5
〜150μmの範囲が好ましい。これらの圧電体基板の
片面上には、金属支持体が圧形成されるが、金属支持体
は、金属メッキ層が採用でき、好ましくは、Ni、Co、
Cr、Feなどの金属が、弾性率が大きく、かつ、靱性が
高いので有効である。また、金属支持体には、Cu、A
g、Au等も利用可能である。
Common to the first, second and third embodiments, LiNbO 3 , LiTaO 3 , or KNbO 3 crystal, quartz, or langasite-based crystal can be used for the piezoelectric substrate. The thickness of the piezoelectric substrate constituting the vibrator is 5
A range of from 150 to 150 μm is preferred. On one side of these piezoelectric substrates, a metal support is formed by pressure. The metal support can employ a metal plating layer, preferably Ni, Co,
Metals such as Cr and Fe are effective because of their high elastic modulus and high toughness. Also, Cu, A is used on the metal support.
g, Au, etc. can also be used.

【0080】また、本発明の製造方法は、すべて金属支
持体を裏打ちにして設定厚みに薄層化工程を含めること
ができる。
Further, the manufacturing method of the present invention can include a step of thinning to a set thickness with a metal support as a backing.

【0081】[0081]

【発明の効果】以上述べてきたように、接着剤などの手
段を使わずに正確に圧電体基板を支持できるため、高精
度に基板の厚みを薄くできて、高周波化が可能である。
また、薄い圧電基板を単体で取り扱うことがなくなるの
で、基板の破損が防げて、歩留まりも向上する結果、歩
留まりを劣化させることなく高周波化が可能となる。し
かも、金属支持体によって振動空間が正確に確保される
ので、素子が小型になっても実装方法が簡便になる。さ
らには、金属支持体表面に絶縁膜を形成することによっ
て、圧電体基板表裏に設ける電極の短絡を確実に防ぐこ
とができるようになる結果、その分でも製造時の歩留ま
りが向上する。
As described above, since the piezoelectric substrate can be accurately supported without using an adhesive or the like, the thickness of the substrate can be reduced with high precision, and a high frequency can be achieved.
Further, since the thin piezoelectric substrate is no longer handled alone, breakage of the substrate can be prevented, and the yield can be improved. As a result, it is possible to increase the frequency without deteriorating the yield. In addition, since the vibration space is accurately secured by the metal support, the mounting method can be simplified even when the element is downsized. Further, by forming an insulating film on the surface of the metal support, short-circuiting of the electrodes provided on the front and back surfaces of the piezoelectric substrate can be reliably prevented, so that the production yield is improved accordingly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の圧電振動子の構成
を示す斜視図およびその断面図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a piezoelectric vibrator according to a first embodiment of the present invention and a sectional view thereof.

【図2】第1の実施の形態の圧電振動子の製造途中の各
状態を示す断面図である。
FIGS. 2A to 2C are cross-sectional views illustrating respective states of the piezoelectric vibrator according to the first embodiment during manufacture.

【図3】本発明の第2の実施の形態の圧電振動子の構成
を示す斜視図および断面図である。
FIG. 3 is a perspective view and a cross-sectional view illustrating a configuration of a piezoelectric vibrator according to a second embodiment of the present invention.

【図4】第2の実施の形態の圧電振動子の製造途中の各
状態を示す断面図である。
FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views illustrating respective states of the piezoelectric vibrator according to the second embodiment in the course of manufacturing.

【図5】本発明の第3の実施の形態である圧電フィルタ
の構成を示す斜視図および断面図である。
FIG. 5 is a perspective view and a cross-sectional view illustrating a configuration of a piezoelectric filter according to a third embodiment of the present invention.

【図6】第3の実施の形態の製造途中の各状態を示す断
面図である。
FIGS. 6A and 6B are cross-sectional views illustrating respective states during the manufacture of the third embodiment.

【図7】従来からある圧電振動子の構成を示す斜視図で
ある。
FIG. 7 is a perspective view showing a configuration of a conventional piezoelectric vibrator.

【図8】第1の従来例の断面図である。FIG. 8 is a sectional view of a first conventional example.

【図9】第2の従来例の断面図である。FIG. 9 is a sectional view of a second conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 圧電体基板 3 金属支持
体 3a 貫通孔 4 絶縁膜 α 振動領域 β 振動空間 10 圧電体原板 11 下地金
属層 12 金属層 13 マスク 20 圧電振動子 22 圧電体
基板 23A 金属支持体 23B 金属支
持体 30 圧電体原板 40 圧電フ
ィルタ 41 圧電体基板 42 金属支
持体 42a 貫通孔 43 絶縁膜 47 金属下地層 48 金属層
Reference Signs List 2 piezoelectric substrate 3 metal support 3a through hole 4 insulating film α vibrating region β vibrating space 10 piezoelectric original plate 11 base metal layer 12 metal layer 13 mask 20 piezoelectric vibrator 22 piezoelectric substrate 23A metal support 23B metal support 30 Piezoelectric original plate 40 piezoelectric filter 41 piezoelectric substrate 42 metal support 42a through hole 43 insulating film 47 metal base layer 48 metal layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H03H 9/56 H01L 41/22 Z (72)発明者 冨田 佳宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5J108 BB01 BB02 BB04 CC04 DD02 EE03 EE04 EE07 EE14 GG03 KK01 KK03 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H03H 9/56 H01L 41/22 Z (72) Inventor Yoshihiro Tomita 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial F term in the company (reference) 5J108 BB01 BB02 BB04 CC04 DD02 EE03 EE04 EE07 EE14 GG03 KK01 KK03

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 振動用の圧電体基板と金属支持体とを有
し、前記金属支持体を、前記圧電体基板に対して間に介
在物を挟むことなく一体に成形したことを特徴とする圧
電振動子。
1. A piezoelectric substrate for vibration and a metal support, wherein the metal support is formed integrally with the piezoelectric substrate without interposing any intervening body therebetween. Piezoelectric vibrator.
【請求項2】 請求項1記載の圧電振動子であって、 前記金属支持体を、前記圧電体基板の振動領域を除いた
領域に設けたことを特徴とする圧電振動子。
2. The piezoelectric vibrator according to claim 1, wherein the metal support is provided in a region excluding a vibration region of the piezoelectric substrate.
【請求項3】 請求項2記載の圧電振動子であって、 前記振動領域を除いた前記圧電体基板の側縁全周に、前
記金属支持体を設けたことを特徴とする圧電振動子。
3. The piezoelectric vibrator according to claim 2, wherein said metal support is provided on the entire periphery of a side edge of said piezoelectric substrate excluding said vibration region.
【請求項4】 請求項2記載の圧電振動子であって、 前記振動領域を除いた前記圧電体基板の両端に、前記金
属支持体を設けたことを特徴とする圧電振動子。
4. The piezoelectric vibrator according to claim 2, wherein said metal supports are provided at both ends of said piezoelectric substrate excluding said vibration region.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれか記載の圧電
振動子であって、 前記金属支持体の露出面を絶縁膜により被覆したことを
特徴とする圧電振動子。
5. The piezoelectric vibrator according to claim 1, wherein an exposed surface of said metal support is covered with an insulating film.
【請求項6】 所望する振動用の圧電体基板の厚みより
厚みのある圧電体原板を用意したうえで、当該圧電体原
板の一面にメッキ法により金属支持体を形成する工程
と、 前記圧電体原板の他面を削除して当該圧電体原板を薄板
化することで、所望の厚みを有する励振用の圧電体基板
を作製する工程と、 を含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
6. A step of preparing a piezoelectric original plate having a thickness larger than a desired thickness of a piezoelectric substrate for vibration, and forming a metal support on one surface of the piezoelectric original plate by a plating method; Producing a piezoelectric substrate for excitation having a desired thickness by removing the other surface of the original plate to make the piezoelectric original plate thinner, thereby producing a piezoelectric vibrator.
【請求項7】 所望する振動用の圧電体基板の厚みより
厚みのある圧電体原板を用意したうえで、当該圧電体原
板の一面に下地金属層を形成し、さらにこの下地金属層
上に金属メッキを施して金属層を形成することで、当該
圧電体原板上に金属支持体を形成する工程と、 前記圧電体原板の他面を削除して当該圧電体原板を薄板
化することで、所望の厚みを有する振動用の圧電体基板
を作製する工程と、 前記金属支持体に、前記圧電体基板の振動領域を外部に
開放する開口を形成する工程と、 を含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
7. A piezoelectric base plate having a thickness greater than a desired thickness of a piezoelectric substrate for vibration is prepared, a base metal layer is formed on one surface of the piezoelectric base plate, and a metal layer is formed on the base metal layer. Forming a metal layer by plating to form a metal support on the piezoelectric original plate, and removing the other surface of the piezoelectric original plate to reduce the thickness of the piezoelectric original plate. A step of producing a piezoelectric substrate for vibration having a thickness of: and a step of forming an opening in the metal support to open a vibration region of the piezoelectric substrate to the outside. Child manufacturing method.
【請求項8】 所望する振動用の圧電体基板の厚みより
厚みのある圧電体原板を用意したうえで、当該圧電体原
板の一面に電極および下地金属層を形成する工程と、 前記圧電体原板の一面に、前記電極および下地金属層の
少なくとも一部の上方に選択的に開口を有するレジスト
パターンを形成する工程と、 前記開口に選択的に金属メッキを施して金属支持体を形
成する工程と、 前記圧電体原板の他面を削除して当該圧電体原板を薄板
化することで、所望の厚みを有する振動用の圧電体基板
を作製する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、 を含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
8. A step of preparing a piezoelectric original plate having a thickness larger than a desired thickness of a piezoelectric substrate for vibration, and forming an electrode and a base metal layer on one surface of the piezoelectric original plate; Forming a resist pattern having an opening selectively over at least a part of the electrode and the underlying metal layer on one surface; and forming a metal support by selectively applying metal plating to the opening. A step of producing a piezoelectric substrate for vibration having a desired thickness by removing the other surface of the piezoelectric original plate and thinning the piezoelectric original plate, and a step of removing the resist pattern. A method for manufacturing a piezoelectric vibrator, comprising:
【請求項9】 所望する振動用の圧電体基板の厚みより
厚みのある圧電体原板を用意したうえで、当該圧電体原
板の一面に下地金属層を形成する工程と、 前記圧電体原板の一面に、前記圧電体基板の振動領域を
選択的に被覆するレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンを除く前記圧電体原板の一面に選
択的に金属メッキを施して金属層を形成することで、当
該圧電体原板上に金属支持体を形成する工程と、 前記圧電体原板の他面を削除して当該圧電体原板を薄板
化することで、所望の厚みを有する振動用の圧電体基板
を作製する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、 を含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
9. A step of preparing a piezoelectric original plate having a thickness larger than a desired thickness of the piezoelectric substrate for vibration, and forming a base metal layer on one surface of the piezoelectric original plate; Forming a resist pattern that selectively covers the vibration region of the piezoelectric substrate; and selectively applying metal plating to one surface of the piezoelectric original plate excluding the resist pattern to form a metal layer. Forming a metal support on the piezoelectric base plate, and removing the other surface of the piezoelectric base plate to reduce the thickness of the piezoelectric base plate, thereby forming a piezoelectric substrate for vibration having a desired thickness. A method for manufacturing a piezoelectric vibrator, comprising: a step of manufacturing; and a step of removing the resist pattern.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007243521A (en) * 2006-03-08 2007-09-20 Ngk Insulators Ltd Piezoelectric thin-film device
JP2008042878A (en) * 2006-07-07 2008-02-21 Ngk Insulators Ltd Piezoelectric thin film device
JP2008307505A (en) * 2007-06-18 2008-12-25 Japan Advanced Institute Of Science & Technology Hokuriku Agitation element, agitation method, electrochemical device and flow device
JP2020127195A (en) * 2019-01-31 2020-08-20 長浦 善昭 Method of polishing crystal substrate with metal plating layer formed on surface of the crystal substrate from top and bottom

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