JP2000150917A - 半導体力学量センサの製造方法および半導体力学量センサ製造用の半導体ウェハ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 犠牲層エッチングを行って梁構造体を有する
半導体力学量センサを製造する方法において、梁構造体
の下に犠牲層の残りが生じないようにする。 【解決手段】 シリコン基板４０に形成された梁構造体
におけるシリコン酸化膜（犠牲層）４１との境界部分
に、溝５５と直交する方向に切り欠き（ノッチ）５６を
形成し、この後、シリコン酸化膜４１のウェットエッチ
ングを行って、梁構造体を可動構造とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、梁構造の可動部を
有し、例えば加速度、ヨーレート、振動等の力学量を検
出する半導体力学量センサの製造方法および半導体力学
量センサ製造用の半導体ウェハに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の半導体力学量センサとし
ては、梁構造の可動部と固定部を有して、可動部が力学
量の作用によって変位することにより力学量を検出する
ようにしたものが種々提案されている。この半導体力学
量センサの製造方法においては、半導体基板の上に犠牲
層としての酸化膜を介して半導体層が形成されたものを
用意し、その半導体層に梁構造の可動部と固定部を画定
するための溝を形成し、この後、可動部の下の酸化膜を
ウェットエッチングにより除去して、可動部を力学量の
作用によって可動できるようにしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記した酸化膜をウェ
ットエッチングする際、エッチング時間が不十分である
と、可動部の下に酸化膜が残ってしまう場合がある。こ
のように可動部の下に酸化膜が残ると、その膜応力によ
って可動部が変形したり、あるいは雰囲気温度が変化し
たときに酸化膜と可動部の間の熱膨張係数差によって可
動部が変形する。このように可動部が変形すると、セン
サ特性に悪影響を与えることになる。

【０００４】本発明は上記問題に鑑みたもので、可動部
の下に犠牲層（酸化膜）の残りが生じないようにするこ
とを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、半導体基板の上
に犠牲層を介して半導体層が形成されたものを用意し、
前記半導体層に梁構造の可動部と固定部を画定するため
の溝を形成し、前記可動部の下の前記犠牲層をウェット
エッチングにより除去して、前記可動部を力学量の作用
によって可動できるようにした半導体力学量センサの製
造方法において、前記可動部における犠牲層との境界部
分に、前記溝と直交する方向に切り欠きを形成し、この
後、前記犠牲層のウェットエッチングを行うことを特徴
としている。

【０００６】このように可動部における犠牲層との境界
部分に切り欠きを形成しておくことにより、可動部の下
の前記犠牲層をウェットエッチングする際に、エッチン
グ液が切り欠き部分に比較的早い時期に回り込むため、
可動部の下に犠牲層の残りが生じないようにすることが
できる。また、そのウェットエッチングの時間を短縮す
ることができる。従って、可動部及び固定部に電極部が
形成されている場合、その電極材料がエッチング時に侵
食されてダメージを受けるのを少なくすることができ
る。

【０００７】この場合、具体的には、後述する第１実施
形態に対応する請求項２に記載の発明、あるいは後述す
る第２実施形態に対応する請求項３に記載の発明のよう
にして半導体力学量センサを製造することができる。な
お、上記した切り欠きは、請求項４に記載の発明のよう
に、前記溝を形成するためのエッチングにより形成する
ことができ、この場合切り欠きを形成するための特別の
工程を不要にすることができる。

【０００８】請求項５に記載の発明においては、第１半
導体層上に、第１絶縁膜層と第２絶縁膜層を介して第２
半導体層を積層した状態の半導体基板を用意する工程
と、前記第２半導体層に梁構造の可動部と固定部を画定
するための溝を形成する工程と、前記可動部の下の前記
第１、第２絶縁膜層をウェットエッチングにより除去し
て、前記可動部と前記固定部を形成する工程とを有し
て、半導体力学量センサを製造することを特徴としてい
る。

【０００９】この発明においては、犠牲層として第１、
第２絶縁膜層を形成している。この場合、ウェットエッ
チング時にエッチング液が第１、第２絶縁膜層の界面に
達したときエッチング液がその界面に非常に早く侵入す
るため、可動部の下に犠牲層の残りが生じないようにす
ることができる。また、そのウェットエッチングの時間
を短縮することができる。従って、可動部及び固定部に
電極部が形成されている場合、その電極材料がエッチン
グ時に侵食されてダメージを受けるのを少なくすること
ができる。

【００１０】この場合、具体的には、後述する第３実施
形態に対応する請求項６に記載の発明のようにして半導
体力学量センサを製造することができる。なお、第１、
第２絶縁膜層としては、請求項７に記載の発明のように
熱酸化膜で形成するができ、また請求項８に記載の発明
のように成膜方法の異なる酸化膜で形成することができ
る。

【００１１】また、請求項９に記載の発明のように、第
２絶縁膜層の膜厚を第１酸化膜層の膜厚より小さくする
ようにすれば、第１絶縁膜層からエッチング液が先に接
合界面に達し、そこから非常に早く界面に沿ってエッチ
ングが進むため、エッチング時間をかなり短くすること
ができる。請求項１０に記載の発明においては、請求項
１乃至４に記載したような半導体力学量センサの製造方
法に用いる半導体ウェハを提供することができる。

【００１２】また、請求項１１乃至１３に記載の発明に
おいては、請求項５乃至９に記載したような半導体力学
量センサの製造方法に用いる半導体ウェハを提供するこ
とができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。 （第１実施形態）図１に、本発明の第１実施形態に係る
加速度センサの平面図を示す。また、図２乃至図５に、
図１におけるＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、Ｃ−Ｃ断面
図、Ｄ−Ｄ断面図をそれぞれ示す。

【００１４】図１、図２において、基板１の上面には、
単結晶シリコン（単結晶半導体材料）よりなる梁構造体
２が配置されている。梁構造体２は、基板１側から突出
する４つのアンカー部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄにより架
設されており、基板１の上面において所定間隔を隔てた
位置に配置されている。アンカー部３ａ〜３ｄは、ポリ
シリコン薄膜よりなる。アンカー部３ａとアンカー部３
ｂとの間には、梁部４が架設されており、アンカー部３
ｃとアンカー部３ｄとの間には、梁部５が架設されてい
る。

【００１５】また、梁部４と梁部５との間には、長方形
状をなす質量部（マス部）６が架設されており、この質
量部６には、上下に貫通する透孔６ａが設けられてい
る。さらに、質量部６における一方の側面（図１におい
ては左側面）からは４つの可動電極７ａ、７ｂ、７ｃ、
７ｄが突出している。また、質量部６における他方の側
面（図１においては右側面）からは４つの可動電極８
ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄが突出している。可動電極７ａ〜
７ｄ、８ａ〜８ｄは、等間隔で平行に延びる櫛歯状の形
状になっている。

【００１６】基板１の上面には第１の固定電極９ａ、９
ｂ、９ｃ、９ｄおよび第２の固定電極１１ａ、１１ｂ、
１１ｃ、１１ｄが固定されている。第１の固定電極９ａ
〜９ｄは、基板１側から突出するアンカー部１０ａ、１
０ｂ、１０ｃ、１０ｄにより支持されており、基板１の
上面に所定間隔を隔てた位置に配置されて梁構造体２の
各可動電極７ａ〜７ｄの一方の側面と対向している。ま
た、第２の固定電極１１ａ〜１１ｄは、基板１側から突
出するアンカー部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄによ
り支持されており、基板１の上面に所定間隔を隔てた位
置に配置されて梁構造体２の各可動電極７ａ〜７ｄの他
方の側面に対向している。

【００１７】同様に、基板１の上面には第１の固定電極
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄおよび第２の固定電極
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄが固定されている。第
１の固定電極１３ａ〜１３ｄは、基板１側から突出する
アンカー部１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄにより支持
されており、基板１の上面に所定間隔を隔てた位置に配
置されて梁構造体２の各可動電極８ａ〜８ｄの一方の側
面と対向している。また、第２の固定電極１５ａ〜１５
ｄは、基板１側から突出するアンカー部１６ａ、１６
ｂ、１６ｃ、１６ｄにより支持されており、基板１の上
面に所定間隔を隔てた位置に配置されて梁構造体２の各
可動電極８ａ〜８ｄの一方の側面と対向している。

【００１８】基板１は、図２に示すように、シリコン基
板１７の上に、ポリシリコン薄膜１８、下層側絶縁体薄
膜１９と導電性薄膜２０と上層側絶縁体薄膜２１とを積
層した構造となっている。下層側絶縁体薄膜１９は、シ
リコン酸化膜よりなり、上層側絶縁体薄膜２１は、シリ
コン窒化膜よりなる。また、導電性薄膜２０はリン等の
不純物をドーピングしたポリシリコン薄膜よりなる。

【００１９】また、図１、図２に示すように、導電性薄
膜２０により、４つの配線パターン２２、２３、２４、
２５、および下部電極２６が形成されている。配線パタ
ーン２２〜２５は、それぞれ、固定電極９ａ〜９ｄ、１
１ａ〜１１ｄ、１３ａ〜１３ｄおよび１５ａ〜１５ｄの
配線であり、帯状をなし、かつ、Ｌ字状に延設されてい
る。

【００２０】さらに、基板１の上面には、電極取出部２
７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄが形成されている。これ
ら電極取出部２７〜２７ｄは、基板１から突出するアン
カー部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄにより支持され
ている。そして、電極取出部２７ａは、図３、図４に示
すように、アンカー部２８ａを介して配線パターン２２
と電気的に接続されている。同様に、電極取出部２７
ｂ、２７ｃ、２７ｄは、それぞれアンカー部２８ｂ、２
８ｃ、２８ｄを介して配線パターン２３、２４、２５と
電気的に接続されている。なお、図１乃至図４には図示
してないが、アンカー部３ａの上方、電極取出部２７
ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄの上面には、電極部として
のアルミ薄膜よりなる金属電極（ボンディングパッド）
がそれぞれ設けられている。

【００２１】上記した構成において、梁構造体２の可動
電極７ａ〜７ｄと第１の固定電極９ａ〜９ｄとの間には
第１のコンデンサが、また、梁構造体２の可動電極７ａ
〜７ｄと第２の固定電極１１ａ〜１１ｄとの間には第２
のコンデンサが形成されている。同様に、梁構造体２の
可動電極８ａ〜８ｄと第１の固定電極１３ａ〜１３ｄと
の間に第１のコンデンサが、また、梁構造体２の可動電
極８ａ〜８ｄと第２の固定電極１５ａ〜１５ｄとの間に
第２のコンデンサが形成されている。

【００２２】ここで、可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８
ｄ）は、両側の固定電極９ａ〜９ｄ（１３ａ〜１３ｄ）
と１１ａ〜１１ｄ（１５ａ〜１５ｄ）の中心に位置し、
可動電極と固定電極間の静電容量Ｃ１、Ｃ２は等しい。
また、可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）と固定電極９
ａ〜９ｄ（１３ａ〜１３ｄ）間には電圧Ｖ１が、可動電
極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）と固定電極１１ａ〜１１ｄ
（１５ａ〜１５ｄ）間には電圧Ｖ２が印加されている。

【００２３】加速度が生じていないときには、Ｖ１＝Ｖ
２であり、可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）は、固定
電極９ａ〜９ｄ（１３ａ〜１３ｄ）と１１ａ〜１１ｄ
（１５ａ〜１５ｄ）から等しい静電気力で引かれてい
る。そして、加速度が基板表面に平行な方向に作用し、
可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）が変位すると、可動
電極と固定電極との間の距離が変わり静電容量Ｃ１、Ｃ
２が等しくなくなる。このとき、静電気力が等しくなる
ように、例えば可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）が固
定電極９ａ〜９ｄ（１３ａ〜１３ｄ）側に変位したとす
ると、電圧Ｖ１が下がり、電圧Ｖ２が上がる。これによ
り静電気力で固定電極１１ａ〜１１ｄ（１５ａ〜１５
ｄ）側に可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）は引かれ
る。可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）が中心位置に戻
り静電容量Ｃ１、Ｃ２が等しくなれば、加速度と静電気
力が等しく釣り合っており、このときの電圧Ｖ１、Ｖ２
から加速度の大きさを求めることができる。

【００２４】このように、第１のコンデンサと第２のコ
ンデンサにおいて、力学量の作用による変位に対して、
可動電極が変位しないように第１と第２のコンデンサを
形成している固定電極の電圧を制御し、その電圧の変化
で加速度を検出する。次に、上記した加速度センサの製
造方法について、図１中のＥ−Ｅ断面を用いた工程図に
従って説明する。

【００２５】まず、図６に示すように、単結晶シリコン
基板（第１の半導体基板）４０を用意し、このシリコン
基板４０に対し静電容量検出を行うための電極とするた
めにリン拡散等により不純物を導入する。この後、シリ
コン基板４０にアライメント用の溝４０ａをトレンチエ
ッチングにて形成する。そして、シリコン基板４０の上
に犠牲層用薄膜としてのシリコン酸化膜４１を成膜し、
溝４０ａを埋め込む。

【００２６】次に、図７に示すように、シリコン酸化膜
４１の一部をエッチングして凹部４２を形成した後、犠
牲層エッチング時のエッチングストッパとなるシリコン
窒化膜（第１の絶縁体薄膜）４３を成膜する。そして、
シリコン窒化膜４３とシリコン酸化膜４１との積層体に
対し、アンカー部を形成する領域に、開口部４４ａ、４
４ｂ、４４ｃを形成する。

【００２７】引き続き、図８に示すように、開口部４４
ａ〜４４ｃおよびシリコン窒化膜４３の上に、アンカー
部を構成する膜としてポリシリコン薄膜４５を成膜し、
その後、リン拡散等により不純物を導入して導電性薄膜
とし、さらに、フォトリソグラフィを経て配線パターン
４５ａと下部電極４５ｂとアンカー部４５ｃを形成す
る。

【００２８】そして、図９に示すように、ポリシリコン
薄膜４５（４５ａ〜４５ｃ）およびシリコン窒化膜４３
の上にシリコン酸化膜（第２の絶縁体薄膜）４６を成膜
する。さらに、図１０に示すように、シリコン酸化膜４
６の上に貼り合わせ用薄膜としてのポリシリコン薄膜４
７を成膜し、貼り合わせのためにポリシリコン薄膜４７
の表面を機械的研磨等により平坦化する。

【００２９】次に、図１１に示すように、シリコン基板
４０とは別の単結晶シリコン基板（第２の半導体基板）
４８を用意し、ポリシリコン薄膜４７の表面と第２の半
導体基板としてのシリコン基板４８とを貼り合わせる。
さらに、図１２に示すように、シリコン基板４０、４８
を表裏逆にして、シリコン基板４０側を機械的研磨等に
より研磨を行い薄膜化する。つまり、シリコン基板４０
を所望の厚さまで研磨する。この際、図６に示したよう
に、トレンチエッチングにより形成した溝４０ａの深さ
まで、すなわち溝４０ａが露出するまで研磨を行うと、
シリコン酸化膜４１の層が出現するため、研磨における
硬度が変化し、研磨の終点を容易に検出することができ
る。また、アライメント用の溝４０ａ内に形成されたシ
リコン酸化膜４１をアライメントマークとして、以下に
示す工程の成膜およびトレンチエッチングが行われる。

【００３０】そして、図１３に示すように、層間絶縁膜
５１を成膜し、フォトリソグラフィを経てドライエッチ
ング等によりコンタクトホールを形成する。さらに、層
間絶縁膜５１の上の所定領域にシリコン窒化膜５２を形
成し、電極部としてのアルミ電極５３を成膜・フォトリ
ソグラフィを経て形成する。この後、図１４に示すよう
に、マスク材５４を用い、梁構造体のパターンのホトリ
ソグラフィ経て、梁構造体を形成する。つまり、シリコ
ン基板４０に梁構造体および固定電極を画定するための
溝５５をトレンチエッチングにより形成する。このと
き、エッチングは、フォトレジストのようなソフトマス
ク、あるいは酸化膜のようなハードマスクを用いて行
う。

【００３１】また、このエッチングの際、図１５（図１
４中の点線部分の拡大図）に示すように、シリコン基板
４０に形成された構造体におけるシリコン酸化膜４１と
の境界部分に、溝５５と直交する方向に切り欠き（ノッ
チ）５６を形成する。このようなノッチ５６は、通常、
構造体を形成するためのドライエッチング時間を、エッ
チングレートと構造体の膜厚から換算したエッチング時
間より若干多めに行うことによって形成することができ
る。

【００３２】最後に、図１６に示すように、ＨＦ系のエ
ッチング液によりシリコン酸化膜４１をエッチング除去
して、シリコン基板４０を可動構造とし、シリコン基板
４０に梁構造体および固定電極を形成する。この際、エ
ッチング後の乾燥工程で可動部が基板に固着するのを防
止するため、バラジクロルベンゼン等の昇華剤を用い
る。

【００３３】この犠牲層エッチングにおいて、構造体に
おけるシリコン酸化膜４１との境界部分にノッチ５６を
入れておくことにより、エッチング液がノッチ５６に毛
細管現象によって比較的早い時期に回り込み、構造体の
下に酸化膜残りが生じないようにすることができ、また
そのウェットエッチングの時間を短縮することができ
る。従って、そのエッチング工程において、アルミの電
極材料が侵食されてダメージを受けるのを少なくするこ
とができる。

【００３４】そして、上記した工程によって得られた半
導体ウェハを、所定のセンサチップ形状にダイシングカ
ットして、半導体加速度センサを完成させる。上記した
実施形態によれば、電極部としてアルミ電極５３を形成
した後、シリコン基板４０に梁構造体および固定電極を
画定するための溝５５を形成し、この溝５５を介して犠
牲層用薄膜としてのシリコン酸化膜４１をエッチング除
去するようにしているから、溝５５の幅を設定する場合
の自由度を大きくすることができ、加速度センサを構造
設計する場合の制約を少なくすることができる。 （第２実施形態）次に、本発明の第２実施形態を示す加
速度センサの製造方法を、図１７乃至図１９を参照して
説明する。

【００３５】図１７に、半導体力学量センサとしての半
導体加速度センサ１０１の平面構成を示し（但し、図１
７中の斜線帯は断面を示すものではなく、各構造要素の
区別を容易に識別可能にするためのものである）、図１
８に図１７中のＡ−Ａ線に沿った模式的な断面構造を示
す。図１７及び図１８において、単結晶シリコンにより
構成された支持基板１０２は、開口部１０２ａを備えた
矩形枠状に形成されており、その上面には、単結晶シリ
コンよりなる梁構造体（可動部）１０３並びに一対の固
定電極構造体（固定部）１０４、１０５がシリコン酸化
膜よりなる絶縁膜１０６を介して配置されている。な
お、梁構造体１０３および固定電極構造体１０４、１０
５を構成する単結晶シリコンには、その抵抗率を下げる
ために不純物が予め拡散されている。

【００３６】梁構造体１０３は、矩形状のマス部１０７
の両端を、矩形枠状の梁部１０８ａ及び１０８ｂを介し
てアンカー部１０９ａ及び１０９ｂに一体に連結した構
成となっており、これらアンカー部１０９ａ及び１０９
ｂが支持基板１０２における対向辺部上に絶縁膜１０６
を介して支持されている。これにより、マス部１０７及
び梁部１０８ａ、１０８ｂは、支持基板１０２の開口部
１０２ａに臨んだ状態となっている。

【００３７】なお、梁部１０８ａ及び１０８ｂは、図１
７中矢印Ｘ方向の成分を含む加速度を受けたときにマス
部１０７を矢印Ｘ方向へ変位させるとともに、加速度の
消失に応じて元の状態に復元させるというバネ機能を備
えたものである。さらに、梁構造体１０３は、マス部１
０７の両側面からマス部１０７と直交した方向へ一体的
に突出され例えば３個ずつの可動電極１１０ａ及び１１
０ｂを備えており、これら可動電極１１０ａ及び１１０
ｂも支持基板１０２の開口部１０２ａに臨んだ状態とな
っている。なお、これら可動電極１１０ａ及び１１０ｂ
は、断面矩形の棒状に形成されている。

【００３８】支持基板１０２上には、梁構造体１０３に
おける一方のアンカー部１０９ｂと一体に連結された状
態の可動電極用配線部１１１が絶縁膜１０６を介して形
成されており、この配線部１１１上の所定位置には、ワ
イヤボンディング用の電極パッド１１１ａが例えばアル
ミニウムにより形成されている。固定電極構造体１０４
は、支持基板１０２上に絶縁膜１０６を介して形成され
た固定電極用配線部１０４ａと、可動電極１１０ａの一
方の側面と所定の検出空隙を存して平行した状態で配置
された例えば３個の固定電極１０４ｂとを一体に有した
構成となっており、各固定電極１０４ｂは、固定電極用
配線部１０４ａに片持ち状に支持された状態となってい
る。これにより、固定電極１０４ｂは、支持基板１０２
の開口部１０２ａに臨んだ状態となっている。

【００３９】また、固定電極構造体１０５は、支持基板
１０２上に絶縁膜１０６を介して形成された固定電極用
配線部１０５ａと、可動電極１１０ｂの一方の側面（可
動電極１１０ａにおける検出空隙側と反対側の面）と所
定の検出空隙を存して平行した状態で配置された例えば
３個の固定電極１０５ｂとを一体に有した構成となって
おり、各固定電極１０５ｂは、配線部１０５ａに片持ち
状に支持された状態となっている。これにより、固定電
極１０５ｂは、支持基板１０２の開口部１０２ａに臨ん
だ状態となっている。

【００４０】なお、固定電極１０４ｂ及び１０５ｂは、
断面矩形の棒状に形成されている。また、固定電極用配
線部１０４ａ及び１０５ａ上の所定位置には、ワイヤボ
ンディング用の電極パッド１０４ｃ及び１０５ｃがアル
ミニウムにより形成されている。さらに、支持基板１０
２の周縁部には、梁構造体１０３及び固定電極構造体１
０４、１０５の基材となる単結晶シリコンよりなるシー
ルド用薄膜１１２が、絶縁分離溝１１３により分離され
た状態で配置されている。

【００４１】上記のように構成された半導体加速度セン
サ１０１にあっては、可動電極１１０ａと固定電極１０
４ｂとの間に第１のコンデンサが形成され、また可動電
極１１０ｂと固定電極１０５ｂとの間に第２のコンデン
サが形成されることになる。これら第１及び第２のコン
デンサの各静電容量は、マス部１０７に図１７中矢印Ｘ
方向の成分を含む加速度が作用したときの可動電極１１
０ａ及び１１０ｂの変位に応じて差動的に変化するもの
であり、このような静電容量の変化を、電極パッド１０
４ｃ、１０５ｃ、１１１ａを通じて取り出すことにより
加速度を検出することができることになる。

【００４２】図１９に、上記のような半導体加速度セン
サ１０１の製造工程を模式的な断面図として示す。な
お、図１９において、（ｈ）は半導体加速度センサ１０
１の部分的な断面構成モデル（説明の便宜上、図１７中
に二点鎖線Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３で示す各部分での断面構造
を合成した状態で表現したモデル）を模式的に示したも
のであり、（ａ）〜（ｇ）は、そのような断面構造モデ
ルに対応した部分の製造途中での模式的断面図である。

【００４３】まず、図１９（ａ）に示すように半導体基
板としてＳＯＩ基板１１４を用意する。このＳＯＩ基板
１１４にあっては、ベースとなる第１半導体層としての
単結晶シリコンウェハ１１４ａが最終的に支持基板１０
２となるものであり、この単結晶シリコンウェハ１１４
ａ上に第２半導体層としての単結晶シリコン薄膜１１４
ｂを犠牲層としてのシリコン酸化膜１１４ｃ（最終的に
絶縁膜１０６となる）を介して設けた構造となってい
る。なお、単結晶シリコンウェハ１１４ａは、表面の面
方位が（１００）に設定されたもので、少なくとも３０
０μｍ程度以上の厚さ寸法を備えた低不純物濃度のもの
が使用される。また、単結晶シリコン薄膜１１４ｂも、
表面の面方位が（１００）のもので、例えば１μｍ前後
の膜厚に設定されている。

【００４４】次に、図１９（ｂ）に示す電極パッド形成
工程を実行する。この工程では、単結晶シリコン薄膜１
１４ｂ上の全面にアルミニウムを例えば１μｍ程度の膜
厚となるように蒸着した後に、そのアルミニウム膜をフ
ォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用してパ
ターニングすることにより、電極パッド１０４ｃ、１０
５ｃ、１１１ａ（１１１ａについては図１９中に示され
ていない）を形成する。なお、この電極パッド形成工程
では、電極パッド１０４ｃ、１０５ｃ、１１１ａのオー
ミックコンタクトを得るための周知の熱処理（シンタ）
を必要に応じて行う。

【００４５】この状態から、図１９（ｃ）に示す寸法調
整工程を実行する。この工程では、単結晶シリコンウェ
ハ１１４ａの表面（絶縁膜１０６と反対側の面）側に切
削・研磨加工を施すことによって、当該ウェハ１１４ａ
の厚さ寸法が例えば３００μｍとなるように調整し、そ
の加工面に鏡面仕上げを施す。このように、単結晶シリ
コンウェハ１１４ａの厚さ寸法を３００μｍまで減らす
のは、後で述べるように、異方性エッチングにより開口
部１０２ａを形成する際にそのエッチング深さを低減
し、以って異方性エッチングに起因するチップ設計寸法
の拡大を防止するためである。

【００４６】次に、図１９（ｄ）に示すマスク形成工程
を実行する。この工程では、単結晶シリコンウェハ１１
４ａの表面（鏡面加工面）の全面に、シリコン窒化膜を
例えばプラズマＣＶＤ法によって０．５μｍ程度の膜厚
となるように堆積した後、そのシリコン窒化膜をフォト
リソグラフィ技術及びエッチング技術を利用してパター
ニングすることにより、開口部１０２ａをエッチングに
よって形成する際のマスク１１５を形成する。

【００４７】この後、図１９（ｅ）に示す溝形成工程を
実行する。この工程では、単結晶シリコン薄膜１１４ｂ
及び電極パッド１０４ｃ、１０５ｃ、１１１ａ上にドラ
イエッチ耐性があるレジスト（図示せず）を所定パター
ン（梁構造体１０３、固定電極構造体１０４、１０５、
シールド用薄膜１１２に対応した形状）で形成した状態
で、ドライエッチング装置により異方性ドライエッチン
グを実行することにより、単結晶シリコン薄膜１１４ｂ
中に、シリコン酸化膜１１４ｃに達する溝１１６を形成
する。

【００４８】また、このエッチングの際、単結晶シリコ
ン薄膜１１４ｂに形成された構造体におけるシリコン酸
化膜１１４ｃとの境界部分に、溝１１６と直交する方向
に切り欠き（ノッチ）を形成する。このノッチの形成に
よって、図１９（ｅ）中の点線部分は、図１５に示す拡
大図と同様の形状になる。なお、このようなノッチは、
第１実施形態と同様、構造体を形成するためのドライエ
ッチング時間を、エッチングレートと構造体の膜厚から
換算したエッチング時間より若干多めに行うことによっ
て形成される。

【００４９】この状態から、図１９（ｆ）に示す第１の
エッチング工程を実行する。この第１のエッチング工程
では、単結晶シリコンウェハ１１４ａを、マスク１１５
を使用し且つ例えばＫＯＨ水溶液を利用して表面（シリ
コン酸化膜１１４ｃと反対側の面）側から選択エッチン
グする。この場合、このようなエッチングをシリコン酸
化膜１１４ｃまで進行させると、エッチング液の圧力に
より当該シリコン酸化膜１１４ｃが破れて単結晶シリコ
ン薄膜１１４ｂが破壊される可能性が非常に高くなるた
め、エッチングがシリコン酸化膜１１４ｃまで進行しな
いようにエッチング時間を管理する。なお、このような
エッチング時間の管理は、例えば、単結晶シリコンウェ
ハ１１４ａの厚さ寸法並びにエッチング液のエッチング
レートに基づいた計算により行うものであるが、本実施
形態では、単結晶シリコンウェハ１１４ａの膜厚が１０
μｍ程度残存することを目標にした時間管理を行う。ま
た、具体的には図示しなかったが、この第１のエッチン
グ工程の実行前には、ＳＯＩ基板１１４の表面側をレジ
ストにより覆っておくものであり、このレジストは、例
えば第１のエッチング工程終了後に除去するようにして
いる。

【００５０】次に、図１９（ｇ）に示す第２のエッチン
グ工程を実行する。この第２のエッチング工程では、単
結晶シリコンウェハ１１４ａの表面側から、例えばプラ
ズマエッチング装置を利用したドライエッチングを施す
ことにより、第１のエッチング工程においてシリコン酸
化膜１１４ｃとの間に残した膜厚１０μｍ程度の単結晶
シリコンウェハ１１４ａを除去し、以ってシリコン酸化
膜１１４ｃの裏面（下面）を露出させる。なお、このよ
うなドライエッチングに伴い、マスク１５も同時に除去
されることになる。

【００５１】そして、図１９（ｈ）に示す第３のエッチ
ング工程を実行する。この第３のエッチング工程では、
ＨＦ系のエッチング液によりエッチングを施すことによ
り、シリコン酸化膜１１４ｃを除去する。このような第
３のエッチング工程の実行に応じて、開口部１０２ａが
形成されるとともに、梁構造体１０３のマス部１０７、
梁部１０８ａ、１０８ｂ、可動電極１１０ａ、１１０ｂ
（マス部１０７、梁部１０８ａ、１０８ｂ、可動電極１
１０ｂについては図１９中に示されていない）がリリー
スされることになる。また、このときには、固定電極構
造体１０４、１０５の固定電極１０４ｂ及び１０５ｂ
（固定電極１０５ｂについては図１９中に示されていな
い）もリリースされて、固定電極配線部１０４ａ及び１
０５ａに片持ちされた状態となる。このようにして、第
３のエッチング工程の実行に応じて梁構造体１０３及び
固定電極構造体１０４、１０５が形成される。

【００５２】そして、このような第３のエッチング工程
の実行後に、ＳＯＩ基板１１４を所定のセンサチップ形
状に切断するというダイシング工程を行うことにより、
半導体加速度センサを完成させる。上記のような製造方
法によれば、エッチング液としてＫＯＨ水溶液を使用し
た第１のエッチング工程では、シリコン酸化膜１１４ｃ
との間に所定膜厚の単結晶シリコンウェハ１１４ａが残
存されるように構成し、その後に第２のエッチング工程
でのドライエッチングにより上記残存された状態の単結
晶シリコンウェハ１１４ａを除去する構成としたから、
第１のエッチング工程において、そのエッチング液の圧
力がシリコン酸化膜１１４ｃ及び単結晶シリコンウェハ
１１４ａの双方により受け止められるようになって、シ
リコン酸化膜１１４ｃひいては単結晶シリコン薄膜１１
４ｂが破壊される可能性が低くなる。しかも、シリコン
酸化膜１１４ｃを露出させる第２のエッチング工程もド
ライエッチングにより行われる構成であるから、その工
程の実行時において、シリコン酸化膜１１４ｃひいては
単結晶シリコン薄膜１１４ｂが破壊される可能性が低く
なるものであり、総じて、製造時における歩留まりの悪
化を防止できるようになる。

【００５３】また、第３のエッチング工程において、構
造体におけるシリコン酸化膜１１４ｃとの境界部にノッ
チを入れておくことにより、ＨＦ系エッチング液がノッ
チ部分に毛細管現象によって比較的早い時期に回り込
み、このような毛細管現象によるサイドエッチングとシ
リコン酸化膜１１４ｃの裏面側からの両面エッチングに
よって、構造体の下に酸化膜残りが生じないようにする
ことができ、またそのウェットエッチングの時間を短縮
することができる。従って、そのエッチング工程におい
て、アルミの電極材料が侵食されてダメージを受けるの
を少なくすることができる。

【００５４】なお、上記した第１、第２実施形態におい
て、ノッチを形成する工程は、構造体をエッチングする
プロセスと同じプロセスで行っているが、その際、横方
向エッチングが早くなるようなエッチング条件を選択し
てもよく、また、別プロセス、例えば、異なるガス系、
エッチング装置を用いて行ってもよい。 （第３実施形態）この第３実施形態は、第２実施形態で
示した加速度センサの他の製造方法を示すものである。

【００５５】図２０に、この第３実施形態における半導
体加速度センサ１０１の製造工程を示す。なお、図中の
（ａ）〜（ｉ）は、図１９に示すものと同様の断面状態
における模式的な断面図である。まず、図２０（ａ）に
示すように、単結晶シリコンのベースウェハ１１４ａを
熱酸化して、表層に酸化膜層１１４ｃを形成し、また単
結晶シリコンのボンドウェハ１１４ｂも同様に熱酸化し
て、表層に酸化膜層１１４ｄ、１１４ｅを形成する。次
に、ウェハ直接接合を行い、図２０（ｂ）に示すよう
に、ベースウェハ１１４ａとボンドウェハ１１４ｂの間
に酸化膜層（第１絶縁膜層）１１４ｃ、酸化膜層（第２
絶縁膜層）１１４ｄを介在させたＳＯＩウェハ１１４を
形成する。なお、このＳＯＩウェハ１１４において、ベ
ースウェハ１１４ａの部分が第２実施形態における単結
晶シリコンウェハ１１４ａ（すなわち、表面の面方位が
（１００）で、少なくとも３００μｍ程度以上の厚さ寸
法を備えた低不純物濃度のもの）になり、ボンドウェハ
１１４ｂの部分が第２実施形態における単結晶シリコン
薄膜１１４ｂ（すなわち、表面の面方位が（１００）
で、例えば１μｍ前後の膜厚のもの）になる。

【００５６】次に、図２０（ｃ）に示す電極パッド形成
工程を実行し、電極パッド１０４ｃ、１０５ｃ、１１１
ａ（１１１ａについては図２０中に示されていない）を
形成する。この状態から、図２０（ｄ）に示す寸法調整
工程を実行する。この後、図２０（ｅ）に示すマスク形
成工程を実行し、マスク１１５を形成する。これら図２
０（ｃ）〜（ｅ）の工程は、第２実施形態における図１
９（ｂ）〜（ｄ）の工程と同じである。

【００５７】この後、図２０（ｆ）に示す溝形成工程を
実行する。この工程では、単結晶シリコン薄膜１１４ｂ
及び電極パッド１０４ｃ、１０５ｃ、１１１ａ上にドラ
イエッチ耐性があるレジスト（図示せず）を所定パター
ン（梁構造体１０３、固定電極構造体１０４、１０５、
シールド用薄膜１１２に対応した形状）で形成した状態
で、ドライエッチング装置により異方性ドライエッチン
グを実行することにより、単結晶シリコン薄膜１１４ｂ
中に、シリコン酸化膜１１４ｄに達する溝１１６を形成
する。

【００５８】この状態から、図２０（ｇ）に示す第１の
エッチング工程を実行する。この第１のエッチング工程
では、単結晶シリコンウェハ１１４ａを、マスク１１５
を使用し且つ例えばＫＯＨ水溶液を利用して表面（シリ
コン酸化膜１１４ｃと反対側の面）側から選択エッチン
グする。この場合、第２実施形態と同じく、エッチング
がシリコン酸化膜１１４ｃまで進行しないようにエッチ
ング時間を管理する。

【００５９】次に、図２０（ｈ）に示す第２のエッチン
グ工程を実行する。この第２のエッチング工程では、単
結晶シリコンウェハ１１４ａの表面側から、例えばプラ
ズマエッチング装置を利用したドライエッチングを施す
ことにより、第１のエッチング工程においてシリコン酸
化膜１１４ｃとの間に残した膜厚１０μｍ程度の単結晶
シリコンウェハ１１４ａを除去し、以ってシリコン酸化
膜１１４ｃの裏面（下面）を露出させる。なお、このよ
うなドライエッチングに伴い、マスク１５も同時に除去
されることになる。

【００６０】そして、図２０（ｉ）に示す第３のエッチ
ング工程を実行する。この第３のエッチング工程では、
ＨＦ系のエッチング液によりエッチングを施すことによ
り、シリコン酸化膜１１４ｃ、１１４ｄを除去する。こ
のような第３のエッチング工程の実行に応じて、開口部
１０２ａが形成されるとともに、梁構造体１０３のマス
部１０７、梁部１０８ａ、１０８ｂ、可動電極１１０
ａ、１１０ｂ（マス部１０７、梁部１０８ａ、１０８
ｂ、可動電極１１０ｂについては図２０中に示されてい
ない）がリリースされることになる。また、このときに
は、固定電極構造体１０４、１０５の固定電極１０４ｂ
及び１０５ｂ（固定電極１０５ｂについては図２０中に
示されていない）もリリースされて、固定電極配線部１
０４ａ及び１０５ａに片持ちされた状態となる。このよ
うにして、第３のエッチング工程の実行に応じて梁構造
体１０３及び固定電極構造体１０４、１０５が形成され
る。

【００６１】この実施形態によれば、第３のエッチング
工程において、ＨＦ系エッチング液が酸化膜層１１４
ｃ、酸化膜層１１４ｄの界面に達した場合、非常に早く
その界面にエッチング液が侵入し、構造体下の酸化膜除
去時間が短くなる。また、エッチング時間が短くなるこ
とにより、表面側の電極１０４ｃ、１０５ｃにＨＦ系エ
ッチング液が与えるダメージも少なくなり、後の実装時
のボンディング性を損なわない。また、酸化膜層１１４
ｃ、酸化膜層１１４ｄの膜厚は、１〜２μｍ程度である
が、酸化膜層１１４ｄの膜厚は酸化膜層１１４ｃの膜厚
と比べて小さい方が望ましく、具体的には数千Å程度が
好ましい。これは、界面に沿ってエッチングが進むた
め、溝１１６面側からのエッチング液が先に接合界面に
達し、そこから非常に早く界面に沿ってエッチングが進
み、結果的には酸化膜除去のエッチング時間が半分程度
に短縮され、また構造体１０４ｂ、１１０ａ下側に酸化
膜残りが出にくくなるからである。

【００６２】なお、酸化膜層１１４ｃ、酸化膜層１１４
ｄとしては、熱酸化膜以外に、シリコン酸化膜であれば
どのようなものでもよく、またその成膜方法も熱酸化、
ＣＶＤ等を用いることができる。この場合、酸化膜層１
１４ｃ、酸化膜層１１４ｄを異なる成膜方法で形成する
ようにしてもよい。また、酸化膜も通常のＳｉＯ₂ （酸
化膜）以外に、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、ＢＳＧなど酸化膜に
Ｐ、Ｂ等の不純物が入ったものでもよい。さらに、酸化
膜層は２層に限らず３層以上の多層であってもよい。

【００６３】また、上記第３実施形態に示すように、第
１、第２酸化膜層を介在させてエッチングを行い、これ
によって半導体加速度センサセンサを製造する方法は、
第１実施形態のような製造方法においても同様に適用す
ることができる。具体的には、半導体基板（第１半導体
層）４８の上に第１、第２酸化膜層を介して半導体層
（第２半導体層）４０を積層した半導体ウェハを構成
し、半導体層４０に梁構造体および固定電極を画定する
ための溝５５を形成した後、ウェットエッチングを行っ
て、半導体加速度センサを製造する。

【００６４】なお、第２、第３の実施形態において、図
２０（ｇ）のエッチング工程で、アルカリエッチングを
用いたウェットエッチングでなくドライエッチング工程
を用いた場合には、チップサイズがそれほど拡大しない
ので、図２０（ｄ）の寸法調整工程は必要なく、またド
ライエッチング工程１回で図２０（ｈ）のように酸化膜
をむき出しにすることができる。この場合、エッチング
マスク１５は、エッチング条件により、適当な材質、膜
厚を選択する必要がある。

【００６５】また、本発明は上記したような半導体加速
度センサに限らず、力学量によって梁構造の可動部が変
位する構造の半導体力学量センサであれば、ヨーレート
センサ、振動センサなどにも適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る加速度センサの平
面構成図である。

【図２】図１中のＡ−Ａ断面図である。

【図３】図１中のＢ−Ｂ断面図である。

【図４】図１中のＣ−Ｃ断面図である。

【図５】図１中のＤ−Ｄ断面図である。

【図６】本発明の第１実施形態に係る加速度センサの製
造方法を示す工程図である。

【図７】図６に続く工程を示す工程図である。

【図８】図７に続く工程を示す工程図である。

【図９】図８に続く工程を示す工程図である。

【図１０】図９に続く工程を示す工程図である。

【図１１】図１０に続く工程を示す工程図である。

【図１２】図１１に続く工程を示す工程図である。

【図１３】図１２に続く工程を示す工程図である。

【図１４】図１３に続く工程を示す工程図である。

【図１５】図１４中の点線部分の拡大図である。

【図１６】図１４に続く工程を示す工程図である。

【図１７】本発明の第２実施形態に係る半導体加速度セ
ンサの平面構成図である。

【図１８】図１７中のＡ−Ａ線に沿った模式的な断面構
造を示す図である。

【図１９】本発明の第２実施形態に係る加速度センサの
製造方法を示す工程図である。

【図２０】本発明の第３実施形態に係る加速度センサの
製造方法を示す工程図である。

【符号の説明】

２…可動部としての梁構造体、１３ａ〜１３ｄ、１５ａ
〜１５ｄ…固定部としての固定電極、４８…半導体基板
としてのシリコン基板、４１…犠牲層としてのシリコン
酸化膜、４０…半導体層としてのシリコン基板、５５…
梁構造の可動部と固定部を画定するための溝、５６…切
り欠き（ノッチ）、１０３…可動部としての梁構造体、
１０４、１０５…固定部としての固定電極構造体、１１
４ａ…半導体基板としてのシリコンウェハ、１１４ｃ…
犠牲層としてのシリコン酸化膜、１１４ｂ…半導体層と
してのシリコン薄膜、１１６…梁構造の可動部と固定部
を画定するための溝。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB19 CC12 DD05 EE25 FF43 GG01 4M112 AA02 BA07 CA24 CA26 DA04 DA05 DA06 DA12 DA18 EA03 EA04 EA06 EA07

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の上に犠牲層を介して半導体
   層が形成されたものを用意し、前記半導体層に梁構造の
   可動部と固定部を画定するための溝を形成し、前記可動
   部の下の前記犠牲層をウェットエッチングにより除去し
   て、前記可動部を力学量の作用によって可動できるよう
   にした半導体力学量センサの製造方法において、 前記可動部における前記犠牲層との境界部分に、前記溝
   と直交する方向に切り欠きを形成し、この後、前記犠牲
   層のウェットエッチングを行うことを特徴とする半導体
   力学量センサの製造方法。
2. 【請求項２】 基板と、 前記基板の上面において所定間隔を隔てた位置に第１の
   アンカー部によって支持され、可動電極を有し、力学量
   により変位する梁構造体と、 前記基板の上面に第２のアンカー部によって固定され、
   前記梁構造体の前記可動電極に対向して配置された固定
   電極とを備えた半導体力学量センサの製造方法におい
   て、 第１の半導体基板上に犠牲層用薄膜および絶縁体薄膜を
   積層した後、前記第１、第２のアンカー部を形成する領
   域に開口部を形成する工程と、 前記開口部および前記絶縁体薄膜の上に前記第１、第２
   のアンカー部を構成する膜および貼り合わせ用薄膜を形
   成するとともに、前記貼り合わせ用薄膜の表面を平坦化
   する工程と、 前記平坦化された貼り合わせ用薄膜の表面と第２の半導
   体基板を貼り合わせる工程と、 この貼り合わせ後、前記第１の半導体基板に前記梁構造
   体および前記固定電極を画定するための溝を形成する工
   程と、 前記溝を介して前記犠牲層用薄膜をウェットエッチング
   により除去し、前記第１の半導体基板に前記梁構造体お
   よび前記固定電極を形成する工程と、を有し、 前記溝を形成する工程おいて、前記梁構造体における前
   記犠牲層用薄膜との境界部分に、前記溝と直交する方向
   に切り欠きを形成することを特徴とする半導体力学量セ
   ンサの製造方法。
3. 【請求項３】 支持基板上に電気的に絶縁された状態で
   支持され、力学量の作用に応じて変位する可動電極と、 前記支持基板上に電気的に絶縁された状態で支持され、
   前記可動電極と所定空隙を存して対向配置された半導体
   材料製の固定電極とを備えた半導体力学量センサの製造
   方法において、 最終的に前記支持基板となる第１半導体層上に絶縁層を
   介して第２半導体層を積層した状態の半導体基板を用意
   し、 前記第２半導体層に前記可動電極および前記固定電極を
   画定するための溝を前記絶縁層に達するように形成する
   工程と、 前記第１半導体層における前記可動電極および前記固定
   電極の形成領域に対応した部分を前記絶縁層と反対側の
   面からエッチングする工程と、 前記絶縁層をウェットエッチングにより除去し、前記溝
   と連続した状態の開口部を形成して前記可動電極および
   固定電極を形成する工程とを有し、 前記溝を形成する工程おいて、少なくとも前記可動電極
   における前記絶縁層との境界部分に、前記溝と直交する
   方向に切り欠きを形成することを特徴とする半導体力学
   量センサの製造方法。
4. 【請求項４】 前記溝をエッチングにより形成し、その
   エッチングによって前記切り欠きを形成することを特徴
   とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体力
   学量センサの製造方法。
5. 【請求項５】 第１半導体層上に、第１絶縁膜層と第２
   絶縁膜層を介して第２半導体層を積層した状態の半導体
   基板を用意する工程と、 前記第２半導体層に梁構造の可動部と固定部を画定する
   ための溝を形成する工程と、 前記可動部の下の前記第１、第２絶縁膜層をウェットエ
   ッチングにより除去して、前記可動部と前記固定部を形
   成する工程とを有することを特徴とする半導体力学量セ
   ンサの製造方法。
6. 【請求項６】 支持基板上に電気的に絶縁された状態で
   支持され、力学量の作用に応じて変位する可動電極と、 前記支持基板上に電気的に絶縁された状態で支持され、
   前記可動電極と所定空隙を存して対向配置された半導体
   材料製の固定電極とを備えた半導体力学量センサの製造
   方法において、 最終的に前記支持基板となる第１半導体層上に、第１絶
   縁膜層と第２絶縁膜層を介して第２半導体層を積層した
   状態の半導体基板を用意し、 前記第２半導体層に前記可動電極および前記固定電極を
   画定するための溝を前記第２絶縁層に達するように形成
   する工程と、 前記第１半導体層における前記可動電極および前記固定
   電極の形成領域に対応した部分を前記第１絶縁膜層と反
   対側の面からエッチングする工程と、 前記第１絶縁膜層と第２絶縁膜層をウェットエッチング
   により除去し、前記溝と連続した状態の開口部を形成し
   て前記可動電極および前記固定電極を形成する工程とを
   有することを特徴とする半導体力学量センサの製造方
   法。
7. 【請求項７】 前記第１、第２絶縁膜層を、熱酸化膜で
   形成することを特徴とする請求項５又は６に記載の半導
   体力学量センサの製造方法。
8. 【請求項８】 前記第１、第２絶縁膜層を、成膜方法の
   異なる酸化膜で形成することを特徴とする請求項５又は
   ６に記載の半導体力学量センサの製造方法。
9. 【請求項９】 前記第２絶縁膜層の膜厚が前記第１の酸
   化膜層の膜厚より小さくなるように前記第１、第２の絶
   縁膜層を形成することを特徴とする請求項５乃至７のい
   ずれか１つに記載の半導体力学量センサの製造方法。
10. 【請求項１０】 半導体基板の一面側に犠牲層を介して
    半導体層が形成され、前記半導体層に梁構造の可動部と
    固定部を画定するための溝が形成されてなる半導体力学
    量センサ製造用の半導体ウェハであって、 前記可動部における前記犠牲層との境界部分に、前記溝
    と直交する方向に切り欠きが形成されていることを特徴
    とする半導体力学量センサ製造用の半導体ウェハ。
11. 【請求項１１】 半導体基板の一面側に第１絶縁膜層と
    第２絶縁膜層を介して半導体層が積層され、前記半導体
    層に梁構造の可動部と固定部を画定するための溝が形成
    されてなる半導体力学量センサ製造用の半導体ウェハ。
12. 【請求項１２】 前記第２絶縁膜層の膜厚が前記第１酸
    化膜層の膜厚より小さくなっていることを特徴とする請
    求項１１に記載の半導体力学量センサ製造用の半導体ウ
    ェハ。
13. 【請求項１３】 前記半導体基板の他面側に、前記可動
    部と前記固定部の形成領域に対応した部分を前記半導体
    基板の他面側からエッチングするためのマスクが形成さ
    れていることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれ
    か１つに記載の半導体力学量センサ製造用の半導体ウェ
    ハ。