JP2000150548A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

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JP2000150548A
JP2000150548A JP31869098A JP31869098A JP2000150548A JP 2000150548 A JP2000150548 A JP 2000150548A JP 31869098 A JP31869098 A JP 31869098A JP 31869098 A JP31869098 A JP 31869098A JP 2000150548 A JP2000150548 A JP 2000150548A
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substrate sheet
base
sealing
substrate
semiconductor device
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JP31869098A
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Takashi Oba
高志 大馬
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Akita Electronics Systems Co Ltd
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Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
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    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device manufacturing technique by which a sealing section having an accurate external size can be formed by preventing the burring or chipping of the sealing section. SOLUTION: A substrate sheet 9 composed of a plurality of bases 2 each carrying a plurality of connection terminals formed on one surface and a plurality of substrate dividing grooves 11 respectively formed on the other surfaces of the boundary sections of the bases 2 is constituted so that individual sealing sections 7 formed at every base 2 may be separated from each other by bending the sheet 9 from the grooves 11, in such a way that, after semiconductor chips 4 are respectively mounted on the bases 2 and electrically connected to the connection terminals and a sealing resin 13 is supplied to the sheet 9, the resin 13 is divided into parts by mounting a partitioning jig 15 on the sheet 9, and, when the resin is half cured, removing the jig 15 and forming the sealing sections 7 at every base 2. Therefore, the burring and chipping of a semiconductor device can be prevented and sealing sections having accurate outside dimensions can be formed easily, because the sealing sections 7 are not divided at the time of dividing the sheet 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に複数のベースを有し、それぞれのベースに半
導体チップが搭載された基板シートを一体的に封止した
後、前記基板シートをそれぞれのベース毎に分割する半
導体装置の製造技術に適用して有効なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technique, and more particularly, to a semiconductor device having a plurality of bases, on each of which a semiconductor chip is mounted. The present invention is effective when applied to a technique for manufacturing a semiconductor device that is divided for each base.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、セラミックタイプでワイヤボンデ
ィング方式の半導体装置は、所定の回路が形成された半
導体チップと、前記半導体チップを一面に搭載し、前記
半導体チップの複数の電極パッドとそれぞれワイヤ等に
より電気的に接続される複数の接続端子を有するベース
と、前記ベースの一面に対向する面(以下、他面とい
う)に設けられ、前記ベースに設けられた配線等により
前記複数の接続端子とそれぞれ電気的に接続される外部
端子と、前記ベースの一面、つまりは前記ベース上に搭
載された半導体チップ及び該半導体チップの電極パッド
と前記ベースの接続端子との接続部一帯を封止する封止
部とから構成されていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, a ceramic type wire bonding type semiconductor device has a semiconductor chip on which a predetermined circuit is formed, the semiconductor chip mounted on one surface, and a plurality of electrode pads of the semiconductor chip and respective wires. A base having a plurality of connection terminals electrically connected to each other, and a surface provided on a surface facing one surface of the base (hereinafter, referred to as another surface). The plurality of connection terminals are connected to each other by wiring or the like provided on the base. External terminals that are electrically connected to each other, and a seal that seals one surface of the base, that is, a semiconductor chip mounted on the base and a whole connection portion between an electrode pad of the semiconductor chip and a connection terminal of the base. And a stop.

【0003】このような半導体装置は、例えば特開平1
0−150119号公報に示すような技術により作製さ
れていた。その概要としては、前記半導体装置を製造す
るための基板シートはその他面に前記ベース毎の基板分
割溝が形成され、一面には前記ベースに搭載される半導
体チップの電極パッドと電気的に接続される複数の接続
端子が形成され、前記ベースの他面には前記複数の接続
端子と電気的に接続され、外部端子を搭載する外部端子
搭載部が形成されている。そして前述した基板シートに
は、その一面の前記基板分割溝により区分された領域、
つまりはそれぞれの前記ベース毎にそれぞれ半導体チッ
プが搭載され、前記搭載された半導体チップと前記ベー
スの接続端子とがワイヤ等により電気的に接続される。
この半導体チップの電極パッドと前記ベースの接続端子
とが電気的に接続された基板シートは、その一面全体に
液状の封止樹脂を供給し、前記封止樹脂を硬化すること
により各ベースの前記半導体チップ及び前記半導体チッ
プの電極パッドと前記ベースの接続端子との接続部一帯
を封止する封止部が形成される。その後、前記基板シー
トを基板分割溝の方向から折り曲げるように切断するこ
とによりそれぞれのベース毎に分割する。そして前記ベ
ースの外部端子搭載部に金属からなるボールを搭載し、
前記ベースに外部端子形成することにより半導体装置を
製造するものである。
Such a semiconductor device is disclosed in, for example,
It was manufactured by a technique as shown in Japanese Patent Application No. 0-150119. As an outline, a substrate sheet for manufacturing the semiconductor device has a substrate dividing groove for each base on the other surface, and is electrically connected to an electrode pad of a semiconductor chip mounted on the base on one surface. A plurality of connection terminals are formed, and an external terminal mounting portion is formed on the other surface of the base to be electrically connected to the plurality of connection terminals and mount an external terminal. And the above-mentioned substrate sheet has an area divided by the substrate dividing groove on one surface thereof,
That is, a semiconductor chip is mounted on each of the bases, and the mounted semiconductor chip and the connection terminals of the base are electrically connected by wires or the like.
The substrate sheet in which the electrode pads of the semiconductor chip and the connection terminals of the base are electrically connected, supplies a liquid sealing resin to the entire surface thereof, and cures the sealing resin to form the base sheet. A sealing portion is formed to seal a whole area of a connection portion between the semiconductor chip and an electrode pad of the semiconductor chip and the connection terminal of the base. After that, the substrate sheet is cut so as to be bent from the direction of the substrate dividing groove to be divided into respective bases. Then, a ball made of metal is mounted on the external terminal mounting portion of the base,
A semiconductor device is manufactured by forming external terminals on the base.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように前記基板シートの一面全体に液状樹脂を供給
し、前記液状樹脂を硬化することにより封止部を形成
し、その後、前記基板シートを基板分割溝の方向から折
り曲げるように切断し、前記基板シートをそれぞれのベ
ース毎に分割する半導体装置の製造技術においては、前
記基板シートへ基板分割溝を設けて前記基板シートを切
断し易くなるように構成しているが、前記基板シートを
基板分割溝の方向から折り曲げるように切断する際に、
応力のかけ方或いは封止部へ発生したボイド等によって
前記封止部が垂直に切断されずに、完成した半導体装置
の封止部に図13に示すようなバリ27が発生してしま
うという問題があった。この半導体装置の製造技術では
前記半導体装置1の4方向を全て切断するように構成さ
れており、最大4方向にバリ27が発生してしまう恐れ
があった。
However, as described above, a liquid resin is supplied to the entire surface of the substrate sheet, and a sealing portion is formed by curing the liquid resin. In a semiconductor device manufacturing technique in which the substrate sheet is cut so as to be bent from the direction of the division groove and the substrate sheet is divided into respective bases, a substrate division groove is provided in the substrate sheet so that the substrate sheet is easily cut. Although configured, when cutting the substrate sheet to be bent from the direction of the substrate dividing groove,
A problem that the sealing portion is not cut vertically due to a method of applying stress or a void generated in the sealing portion, and burrs 27 as shown in FIG. 13 are generated in the sealing portion of the completed semiconductor device. was there. In this semiconductor device manufacturing technique, the semiconductor device 1 is configured to cut all four directions, and burrs 27 may be generated in a maximum of four directions.

【0005】このような半導体装置の封止部へ発生した
バリ27によっては、その半導体装置1の外形寸法がば
らついてしまい、半導体装置の外形寸法の規格が満足で
きなくなってしまう。
Due to the burrs 27 generated on the sealing portion of the semiconductor device, the external dimensions of the semiconductor device 1 vary, and the standard of the external dimensions of the semiconductor device cannot be satisfied.

【0006】また前記半導体装置の外形を基に位置決め
することにより、該半導体装置を実装する場合には、前
記半導体装置に発生したバリ27によって正確な位置決
めができず、半導体装置の実装位置がずれてしまう恐れ
もあった。
When the semiconductor device is mounted by positioning the semiconductor device on the basis of its outer shape, accurate positioning cannot be performed due to burrs 27 generated on the semiconductor device, and the mounting position of the semiconductor device is shifted. There was also a fear that it would.

【0007】さらに半導体装置の封止部へ発生するバリ
27の大きさによっては、バーンイン試験等のために半
導体装置をソケットに挿入する際に、前記ソケットの電
極へ外部端子が接触できなくなる、又は前記バリ27が
邪魔となり半導体装置を前記ソケットに挿入できなくな
り、バーンイン試験等ができなくなる恐れもあった。
Further, depending on the size of the burr 27 generated in the sealing portion of the semiconductor device, when the semiconductor device is inserted into the socket for a burn-in test or the like, the external terminals cannot contact the electrodes of the socket, or The burrs 27 hinder the insertion of the semiconductor device into the socket, making it impossible to perform a burn-in test or the like.

【0008】また前記基板シートは多数個のベースが隣
接して配置されているため、前記バリ27の発生した半
導体装置に隣接した半導体装置の封止部7には欠け28
が発生してしまう。この半導体装置の封止部7に大きな
欠け28が発生した場合には、前記半導体チップの電極
パッドとベースの接続端子とを電気的に接続するワイヤ
等が封止部7から露出してしまう恐れもあった。近年は
半導体装置の小型化及び薄型化が進んできており、この
ような封止部7の欠け28による前記ワイヤの露出の可
能性は大きくなる傾向にある。
Further, since a large number of bases are arranged adjacent to each other on the substrate sheet, the sealing portion 7 of the semiconductor device adjacent to the semiconductor device on which the burrs 27 have occurred is chipped.
Will occur. When a large chip 28 occurs in the sealing portion 7 of the semiconductor device, a wire or the like that electrically connects the electrode pad of the semiconductor chip and the connection terminal of the base may be exposed from the sealing portion 7. There was also. In recent years, the size and thickness of the semiconductor device have been reduced, and the possibility of exposing the wire due to such a chip 28 of the sealing portion 7 tends to increase.

【0009】そこで本発明の目的は、封止部へのバリ或
いは欠けの発生を防止し、精度の良い外形寸法の封止部
を形成できる半導体装置の製造技術を提供することであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor device manufacturing technique capable of preventing formation of burrs or chips in a sealing portion and forming a sealing portion having an accurate external dimension.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application.

【0012】すなわち、半導体装置の製造技術におい
て、一面に複数の接続端子が形成された複数のベース
と、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成された複数
の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の回路が形
成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ搭載し、
前記ベースに搭載された半導体チップを前記接続端子と
電気的に接続する工程と、前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成する工程
と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に接続さ
れた複数の外部端子を形成する工程と、前記封止部の形
成された基板シートを前記基板分割溝の方向から折り曲
げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するものであ
る。
That is, in a semiconductor device manufacturing technique, a substrate sheet including a plurality of bases having a plurality of connection terminals formed on one surface and a plurality of substrate division grooves formed on the other surface of the boundary portion of the base. A semiconductor chip on which a predetermined circuit is formed is mounted on each of the bases,
Electrically connecting the semiconductor chip mounted on the base to the connection terminal, excluding at least the boundary portion of the substrate sheet, forming a sealing portion on the one surface, and forming the sealing portion on the other surface of the base. Forming a plurality of external terminals electrically connected to the connection terminals, bending the substrate sheet on which the sealing portion is formed from the direction of the substrate division groove, and dividing the substrate sheet for each base. Have

【0013】また前記半導体装置の製造技術において、
前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前記基
板シートの一面の略全面に封止樹脂を供給した後、前記
供給された封止樹脂を前記ベース毎に区切る仕切り治具
を前記基板シートに装着し、前記封止樹脂が半硬化され
た時点で前記仕切り治具を取り外し、前記基板シートの
少なくとも前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成
するものである。
In the above-mentioned semiconductor device manufacturing technique,
The step of forming the sealing portion on the substrate sheet includes supplying a sealing resin to substantially the entire surface of the substrate sheet, and then separating the supplied sealing resin for each of the bases with the substrate jig. The sealing jig is attached to a sheet, and when the sealing resin is semi-cured, the partition jig is removed to form a sealing portion on the one surface except at least the boundary portion of the substrate sheet.

【0014】さらに前記半導体装置の製造技術におい
て、前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前
記基板シートの一面に仕切り治具を装着し、前記仕切り
治具により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂を供
給することにより、前記基板シートの少なくとも前記境
界部を除く、前記一面に封止部を形成するものである。
Further, in the semiconductor device manufacturing technique, the step of forming the sealing portion on the substrate sheet includes mounting a partition jig on one surface of the substrate sheet, and forming the base on the base sheet separated by the partition jig. By supplying a sealing resin to one surface, a sealing portion is formed on the one surface except for at least the boundary portion of the substrate sheet.

【0015】また前記仕切り治具は、前記基板シートへ
の接触部から他方に向かって幅広になるように構成され
ているものである。
[0015] The partitioning jig is configured so as to increase in width from a portion in contact with the substrate sheet toward the other side.

【0016】さらに前記仕切り治具には、予め封止樹脂
との接触部分に離型剤が付着されているものである。
Further, the partitioning jig has a releasing agent previously attached to a portion in contact with the sealing resin.

【0017】上述した手段によれば、半導体装置の製造
技術において、一面に複数の接続端子が形成された複数
のベースと、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成さ
れた複数の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の
回路が形成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ
搭載し、前記ベースに搭載された半導体チップを前記接
続端子と電気的に接続する工程と、前記基板シートの少
なくとも前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成す
る工程と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に
接続された複数の外部端子を形成する工程と、前記封止
部の形成された基板シートを前記基板分割溝の方向から
折り曲げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するよ
うに構成したことにより、前記基板シートの少なくとも
前記ベース毎の境界部に封止部が形成されなくなり、前
記基板シートを基板分割溝の方向から折り曲げ、各々の
ベース毎に分割する際に、前記基板シートの分割のみで
良く、前記基板シート上に形成された封止部を分割する
必要がなくなる。従って、前記基板シート上に形成され
た封止部を分割することがなくなることにより、前記基
板シートの分割する際の半導体装置へのバリ及び欠けの
発生を防止することができ、精度の良い外形寸法の封止
部を形成することができる。
According to the above-described means, in a semiconductor device manufacturing technique, a plurality of bases each having a plurality of connection terminals formed on one surface, and a plurality of substrate dividing grooves formed respectively on the other surface of the boundary portion of the base. Mounting a semiconductor chip on which a predetermined circuit is formed on the base, and electrically connecting the semiconductor chip mounted on the base to the connection terminal; and Excluding the boundary, forming a sealing portion on the one surface, forming a plurality of external terminals electrically connected to the connection terminals on the other surface of the base, forming the sealing portion; Bending the divided substrate sheet from the direction of the substrate dividing groove, and dividing the substrate sheet into each base. When the substrate sheet is bent from the direction of the substrate division groove and divided into each base, only the division of the substrate sheet is sufficient, and the sealing formed on the substrate sheet is not performed. There is no need to divide the stop. Accordingly, since the sealing portion formed on the substrate sheet is not divided, it is possible to prevent burrs and chips from being generated in the semiconductor device when dividing the substrate sheet, and to obtain a highly accurate external shape. A sized seal can be formed.

【0018】また前記半導体装置の製造技術において、
前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前記基
板シートの一面の略全面に封止樹脂を供給した後、前記
供給された封止樹脂を前記ベース毎に区切る仕切り治具
を前記基板シートに装着し、前記封止樹脂が半硬化され
た時点で前記仕切り治具を取り外すことにより封止部を
形成したことにより、容易に前記基板シートの少なくと
も前記境界部を除く、前記一面に封止部を容易に形成す
ることができる。
In the above-mentioned semiconductor device manufacturing technique,
The step of forming the sealing portion on the substrate sheet includes supplying a sealing resin to substantially the entire surface of the substrate sheet, and then separating the supplied sealing resin for each of the bases with the substrate jig. Attached to the sheet, the sealing portion was formed by removing the partition jig when the sealing resin was semi-cured, so that at least the boundary portion of the substrate sheet was easily removed and sealed on the one surface. The stop can be easily formed.

【0019】さらに前記半導体装置の製造技術におい
て、前記基板シートへ前記封止部を形成する工程が、前
記基板シートの一面に仕切り治具を装着し、前記仕切り
治具により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂を供
給することにより、容易に前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成することが
でき、かつ、前記仕切り治具により区切られたベースに
封止樹脂を供給しているため、形成される封止部の厚さ
の制御が容易にでき、不要部分への封止樹脂の供給も無
くすことができる。
Further, in the semiconductor device manufacturing technique, the step of forming the sealing portion on the substrate sheet includes a step of mounting a partition jig on one surface of the substrate sheet and forming the sealing jig on the base divided by the partition jig. By supplying the sealing resin to one surface, it is possible to easily form a sealing portion on the one surface except for at least the boundary portion of the substrate sheet, and to seal the base sheet separated by the partition jig. Since the sealing resin is supplied, the thickness of the sealing portion to be formed can be easily controlled, and the supply of the sealing resin to unnecessary portions can be eliminated.

【0020】また前記仕切り治具は、前記基板シートへ
の接触部から他方に向かって幅広になるように構成され
ていることにより、前記仕切り治具を前記基板シートか
ら取り外す際に抜き易くなり、かつ、前記基板シートへ
形成される封止部を台形状に形成することができ、前記
基板シートを折り曲げて分割する際に、隣接する封止部
との接触がなくなり、前記封止部の接触による欠け等の
発生を低減することができる。
Further, the partition jig is configured so as to become wider from the contact portion to the substrate sheet toward the other side, so that the partition jig can be easily removed when the partition jig is removed from the substrate sheet. In addition, the sealing portion formed on the substrate sheet can be formed in a trapezoidal shape. When the substrate sheet is bent and divided, there is no contact with an adjacent sealing portion, and the contact of the sealing portion is eliminated. Can be reduced.

【0021】さらに前記仕切り治具には、予め封止樹脂
との接触部分に離型剤が付着されることにより、前記仕
切り治具を前記基板シートから取り外す際に、前記仕切
り治具が封止樹脂からより剥離し易くすることができ
る。
Further, a release agent is attached to a portion of the partition jig in contact with the sealing resin in advance, so that when the partition jig is removed from the substrate sheet, the partition jig is sealed. It can be more easily peeled off from the resin.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0023】尚、本発明の実施形態を説明するための全
図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、
その繰り返しの説明は省略する。
In all the drawings for describing the embodiments of the present invention, components having the same function are denoted by the same reference numerals, and
The description of the repetition is omitted.

【0024】(実施形態1)本実施形態では本発明をセ
ラミックベースでワイヤボンディング方式の半導体装
置、例えばCSP(Chip Size Package)に適用した場
合について説明する。
(Embodiment 1) In the present embodiment, a case where the present invention is applied to a ceramic-based wire bonding type semiconductor device, for example, a CSP (Chip Size Package) will be described.

【0025】本発明の適用されるセラミックベースでワ
イヤボンディング方式の半導体装置1は例えば図1に示
すように構成されている。前記半導体装置1は例えばセ
ラミック等からなるベース2を有しており、前記ベース
2は略四角形の板状に構成されている。そして前記ベー
ス2の一面、つまりは半導体チップを搭載する面には、
複数の接続端子3が前記ベース2の端部近傍に沿って設
けられている。この複数の接続端子3は導電性材料によ
り形成されている。そして前記ベース2の一面には、所
定の回路が形成された半導体チップ4が搭載されてい
る。前記半導体チップ4はその回路形成面に複数の電極
パッド5を有しており、前記半導体チップ4の電極パッ
ド5と前記ベース2の接続端子3とはそれぞれワイヤ6
により電気的に接続されている。さらに前記ベース2の
一面には封止部7が設けられており、前記封止部7によ
り前記ベース2に搭載された半導体チップ4と、前記ベ
ース2の接続端子3と半導体チップの電極パッド5との
接続部分一帯が覆われている。また前記ベース2の一面
と対向する面(以下、他面という)には、前記複数の接
続端子3のそれぞれに対応して複数の外部端子搭載部
(図示しない)が形成されている。前記接続端子3とそ
れに対応する外部端子搭載部は前記ベース2に設けられ
た配線等を通じてそれぞれ電気的に接続されている。そ
して前記ベース2の他面に設けられた外部端子搭載部に
は、例えば半田等からなる外部端子8がそれぞれ設けら
れている。
A ceramic-based wire bonding type semiconductor device 1 to which the present invention is applied is configured, for example, as shown in FIG. The semiconductor device 1 has a base 2 made of, for example, ceramic or the like, and the base 2 is formed in a substantially rectangular plate shape. And one surface of the base 2, that is, the surface on which the semiconductor chip is mounted,
A plurality of connection terminals 3 are provided along the vicinity of the end of the base 2. The plurality of connection terminals 3 are formed of a conductive material. On one surface of the base 2, a semiconductor chip 4 on which a predetermined circuit is formed is mounted. The semiconductor chip 4 has a plurality of electrode pads 5 on its circuit forming surface, and the electrode pads 5 of the semiconductor chip 4 and the connection terminals 3 of the base 2 are connected to wires 6 respectively.
Are electrically connected to each other. Further, a sealing portion 7 is provided on one surface of the base 2, the semiconductor chip 4 mounted on the base 2 by the sealing portion 7, the connection terminals 3 of the base 2, and the electrode pads 5 of the semiconductor chip. The whole area of the connection with is covered. A plurality of external terminal mounting portions (not shown) are formed on a surface (hereinafter, referred to as another surface) opposite to one surface of the base 2 so as to correspond to each of the plurality of connection terminals 3. The connection terminals 3 and the corresponding external terminal mounting portions are electrically connected to each other through wires provided on the base 2. The external terminal mounting portions provided on the other surface of the base 2 are provided with external terminals 8 made of, for example, solder or the like.

【0026】次に、前述したように構成されたセラミッ
クベースでワイヤボンディング方式の半導体装置の製造
方法について説明する。
Next, a description will be given of a method of manufacturing a semiconductor device of the above-structured ceramic-based wire bonding system.

【0027】前記半導体装置1の製造に用いられる基板
シート9は例えば図2及び図3に示すように構成されて
いる。前記基板シート9は略四角形の板状に構成されて
おり、1つの基板シート9から複数、例えば9個の半導
体装置1を作製できるように構成されている。そのため
前記基板シート9には複数のベース2が隣接するように
配置されており、前記隣接配置された複数のベース2の
外側には外枠部10が配置されている。そして前記基板
シート9に配置されたそれぞれのベース2の境界部、さ
らには前記ベース2と外枠部10との境界部には、それ
ぞれ前記基板シート9の他面に基板分割溝11が形成さ
れている。この前記基板シート9の境界部に設けられた
基板分割溝11は、例えば基板シートの厚さが約0.4
mmの場合には約100μmの深さで形成し、前記基板
シート9を分割し易くするように構成している。この基
板シート9に設けられた基板分割溝11は例えばハーフ
エッチング等により形成されている。
The substrate sheet 9 used for manufacturing the semiconductor device 1 is configured as shown in FIGS. 2 and 3, for example. The substrate sheet 9 is formed in a substantially square plate shape, and is configured so that a plurality of, for example, nine semiconductor devices 1 can be manufactured from one substrate sheet 9. Therefore, a plurality of bases 2 are arranged adjacent to the substrate sheet 9, and an outer frame portion 10 is arranged outside the plurality of bases 2 arranged adjacent to each other. A board dividing groove 11 is formed on the other surface of the substrate sheet 9 at the boundary between the respective bases 2 arranged on the substrate sheet 9 and at the boundary between the base 2 and the outer frame 10. ing. The substrate dividing groove 11 provided at the boundary of the substrate sheet 9 has a thickness of, for example, about 0.4
In the case of mm, it is formed with a depth of about 100 μm so that the substrate sheet 9 can be easily divided. The substrate dividing groove 11 provided in the substrate sheet 9 is formed by, for example, half etching or the like.

【0028】また前記基板シート9に配置された複数の
ベース2の一面には、ダイボンディング工程において半
導体チップが搭載されるチップ搭載部位12を示してい
る。この前記チップ搭載部位12の周囲には複数の接続
端子3が設けられており、前記ベース2に搭載される半
導体チップ4と電気的に接続可能なように配置されてい
る。さらに前記基板シート9の他面には複数の外部端子
搭載部が設けられており、前記複数の外部端子搭載部
は、前記ベース2に設けられた配線等を介して、前記ベ
ース2の一面に設けられた対応する接続端子3とそれぞ
れ電気的に接続されている。このように構成された基板
シート9が予め準備される。
Further, one surface of the plurality of bases 2 arranged on the substrate sheet 9 shows a chip mounting portion 12 on which a semiconductor chip is mounted in a die bonding step. A plurality of connection terminals 3 are provided around the chip mounting portion 12 and are arranged so as to be electrically connectable to the semiconductor chip 4 mounted on the base 2. Further, a plurality of external terminal mounting portions are provided on the other surface of the substrate sheet 9, and the plurality of external terminal mounting portions are provided on one surface of the base 2 via wires provided on the base 2. Each of them is electrically connected to the corresponding connection terminal 3 provided. The substrate sheet 9 configured as described above is prepared in advance.

【0029】次に準備された前記基板シート9は図4に
示すようにダイボンディング、さらにはワイヤボンディ
ングが行われる。前記ダイボンディング工程では、前記
基板シート9が保持固定された状態で、該基板シート9
のベース2のチップ搭載部位12に接着剤、例えば絶縁
性ペーストが供給される。前記接着剤が供給されたチッ
プ搭載部位12に、所定の回路が形成された半導体チッ
プ4が供給され、前記半導体チップ4が前記接着剤によ
り前記ベースのチップ搭載部位12に接着される。この
ように前記基板シート9の全てのベース2に半導体チッ
プ4を接着する。そして全てのベース2への半導体チッ
プ4の接着が完了した前記基板シート9は、所定温度、
例えば180℃程度でキュアすることにより、前記ベー
ス2と前記半導体チップ4を接着する接着剤が硬化さ
れ、前記半導体チップ4が前記基板シート9のベース2
に固定される。そして半導体チップ4の搭載された基板
シート9はワイヤボンディング工程に移行される。
Next, the prepared substrate sheet 9 is subjected to die bonding and further wire bonding as shown in FIG. In the die bonding step, the substrate sheet 9 is held and fixed.
An adhesive, for example, an insulating paste is supplied to the chip mounting portion 12 of the base 2. The semiconductor chip 4 on which a predetermined circuit is formed is supplied to the chip mounting portion 12 to which the adhesive is supplied, and the semiconductor chip 4 is bonded to the chip mounting portion 12 of the base by the adhesive. Thus, the semiconductor chips 4 are bonded to all the bases 2 of the substrate sheet 9. Then, the substrate sheet 9 in which the bonding of the semiconductor chips 4 to all the bases 2 is completed is heated at a predetermined temperature
For example, by curing at about 180 ° C., the adhesive for bonding the base 2 and the semiconductor chip 4 is cured, and the semiconductor chip 4 is attached to the base 2 of the substrate sheet 9.
Fixed to Then, the substrate sheet 9 on which the semiconductor chips 4 are mounted is shifted to a wire bonding step.

【0030】前記ワイヤボンディング工程では、前記半
導体チップ4に設けられた電極パッド5と前記ベース2
の接続端子3とが、Au(金)或いはCu(銅)等から
なるワイヤ6によって結線されることにより電気的に接
続される。このワイヤボンディング工程は、前記ワイヤ
6の先端を溶融させてボール状に形成した後、該ボール
を前記電極パッド5に押圧しながら超音波振動を引加
し、接合する。そして、所定のループ形状を描くように
してワイヤ6の後端を前記ベース2の接続端子3に超音
波接合される。このように前記基板シート9上の全ての
前記電極パッド5とそれに対応した前記接続端子3とが
前記ワイヤ6により電気的に接続される。そしてワイヤ
ボンディング工程の完了した基板シート9は封止工程に
移行される。
In the wire bonding step, the electrode pad 5 provided on the semiconductor chip 4 and the base 2
Are electrically connected to each other by connecting with a wire 6 made of Au (gold) or Cu (copper) or the like. In this wire bonding step, the tip of the wire 6 is melted to form a ball, and then the ball is pressed against the electrode pad 5 while applying ultrasonic vibration to join the wire. Then, the rear end of the wire 6 is ultrasonically bonded to the connection terminal 3 of the base 2 so as to draw a predetermined loop shape. Thus, all the electrode pads 5 on the substrate sheet 9 and the corresponding connection terminals 3 are electrically connected by the wires 6. Then, the substrate sheet 9 after the completion of the wire bonding step is transferred to a sealing step.

【0031】前記ワイヤボンディングの完了した基板シ
ート9は、その一面の略全面に、エポキシ系の熱硬化性
樹脂等からなる封止樹脂13を一体的に供給することに
より、少なくとも前記基板シート9の一面に搭載された
半導体チップ4及び前記半導体チップの電極パッド5と
前記基板シート9の接続端子3との接続部分が覆われる
ように封止される。
The substrate sheet 9 on which the wire bonding has been completed is provided with an encapsulating resin 13 made of an epoxy-based thermosetting resin or the like integrally over substantially the entire surface thereof, so that at least the substrate sheet 9 is formed. The semiconductor chip 4 mounted on one surface and the connection portions between the electrode pads 5 of the semiconductor chip and the connection terminals 3 of the substrate sheet 9 are sealed so as to be covered.

【0032】この封止工程では前記基板シート9が保持
固定された状態で、図5に示すように該基板シート9へ
の封止樹脂13の供給が行われる。前記基板シート9へ
の封止樹脂13の供給は、該基板シート9の一面の略全
面、つまりは前記基板シート9の外枠部10の端部近傍
を除いた一面に、例えばディスペンサ14等により描画
方式で封止樹脂13が塗布により供給される。前記塗布
された封止樹脂13は前記基板シート9上に広がり、図
6に示すように前記基板シート9に設けられた全てのベ
ース2の一面が略均一で、一体的に封止樹脂13で覆わ
れる。
In this sealing step, while the substrate sheet 9 is held and fixed, the sealing resin 13 is supplied to the substrate sheet 9 as shown in FIG. The supply of the sealing resin 13 to the substrate sheet 9 is performed on substantially the entire surface of one surface of the substrate sheet 9, that is, on one surface of the substrate sheet 9 excluding the vicinity of the end of the outer frame portion 10 by, for example, a dispenser 14. The sealing resin 13 is supplied by coating in a drawing method. The applied sealing resin 13 spreads on the substrate sheet 9, and one surface of all the bases 2 provided on the substrate sheet 9 is substantially uniform as shown in FIG. Covered.

【0033】次に前記封止樹脂13の塗布された基板シ
ート9は、封止樹脂13の分割処理が行われる。この封
止樹脂13の分割処理では、前記基板シート9は図7
(a)に示すように所定位置に位置決め保持される。そ
して前記基板シート9に対応して形成された仕切り治具
15が、図7(b)に示すように前記基板シート9の一
面に装着される。
Next, the substrate sheet 9 coated with the sealing resin 13 is subjected to a dividing process of the sealing resin 13. In the dividing process of the sealing resin 13, the substrate sheet 9
It is positioned and held at a predetermined position as shown in FIG. Then, a partition jig 15 formed corresponding to the substrate sheet 9 is mounted on one surface of the substrate sheet 9 as shown in FIG.

【0034】前記仕切り治具15は前記基板シート9に
対応して構成されており、例えば前記基板シート9に設
けられたそれぞれの前記ベース2の境界部、つまりはブ
レイクラインに対応した位置に仕切り部16が配置され
ている。この仕切り部16は前記基板シート9との接触
部から外方に向かって幅広になるように、その先端部位
が小さく構成されており、これにより前記基板シート9
から仕切り治具15を抜き出す際に、前記仕切り部16
が半硬化した封止樹脂13から抜け易くなるように構成
している。尚、本実施形態では前記仕切り部16は前記
基板シート9から仕切り治具15を抜き出す際に抜け易
くなるよう、その先端部を小さくなるように形成した
が、前記基板シート9上に塗布された封止樹脂13をそ
れぞれのベース2毎に仕切ることができる構成であれば
どのようなものでもよい。また前記仕切り部16に予め
離型剤を供給しておくことにより、さらに封止樹脂13
から抜け易くすることができる。また前記仕切り治具1
5はそれぞれの前記ベース2の上方に対応する部位に開
口部17が形成されており、前記基板シート9から仕切
り治具15が抜き難い場合には、前記開口部17から封
止樹脂13を押し出すこともできる。さらに前記基板シ
ート9の外枠部10に対応した位置には樹脂用逃げ部1
8が形成されている。また前記仕切り治具15には前記
基板シート9のベース2の境界部に仕切り部16が配置
されるように位置決めする位置決め部19を有してい
る。このように構成された仕切り治具15を前記基板シ
ート9に装着することにより、前記仕切り治具の仕切り
部16が前記ベース2毎の境界部に密着し、前記境界部
上の封止樹脂13が除去され、前記基板シート9の一面
に一体的に塗布された封止樹脂13がそれぞれのベース
2毎に分割される。そして前記基板シート9に装着され
た前記仕切り治具15は、例えば封止樹脂13が半硬化
された時点で、前記基板シート9から前記仕切り治具1
5が取り外される。そして前記仕切り治具15を取り外
された基板シート9の封止樹脂13は半硬化されている
ため、前記仕切り治具15により型取られた外形が維持
され、前記封止部には前記ベース2の境界部上に溝部2
0が形成される。そして前記基板シート9のベース2上
にそれぞれ、半導体チップ4及び前記半導体チップの電
極パッド5と基板シート上の接続端子3とを電気的に接
続するワイヤ6等を覆うような封止部7が分割形成され
る。前記基板シート9に形成された半硬化状態の封止部
7はさらに加熱されることによって完全に硬化され、図
7(c)に示すように前記基板シート9上のそれぞれの
ベース2毎に封止部7が形成される。
The partitioning jig 15 is configured to correspond to the substrate sheet 9. For example, the partitioning jig 15 is partitioned at a boundary between the bases 2 provided on the substrate sheet 9, that is, at a position corresponding to a break line. The part 16 is arranged. The leading end portion of the partition portion 16 is configured to be small so as to become wider outward from a portion in contact with the substrate sheet 9, and thereby, the
When extracting the partitioning jig 15 from the
Are configured to be easily removed from the semi-cured sealing resin 13. In the present embodiment, the partitioning portion 16 is formed so that the leading end thereof is small so that the partitioning jig 15 can be easily removed when the partitioning jig 15 is extracted from the substrate sheet 9. However, the partitioning portion 16 is applied on the substrate sheet 9. Any structure may be used as long as the sealing resin 13 can be partitioned for each base 2. In addition, by supplying the release agent to the partition 16 in advance, the sealing resin 13
Out of the vehicle. The partition jig 1
Reference numeral 5 denotes an opening 17 formed at a position corresponding to the upper side of each of the bases 2. When it is difficult to remove the partitioning jig 15 from the substrate sheet 9, the sealing resin 13 is extruded from the opening 17. You can also. Further, at a position corresponding to the outer frame portion 10 of the substrate sheet 9, a resin escape portion 1 is provided.
8 are formed. The partition jig 15 has a positioning portion 19 for positioning the partition 16 so that the partition 16 is arranged at the boundary of the base 2 of the substrate sheet 9. By mounting the partition jig 15 configured as described above on the substrate sheet 9, the partition 16 of the partition jig comes into close contact with the boundary of each base 2, and the sealing resin 13 on the boundary is formed. Is removed, and the sealing resin 13 integrally applied to one surface of the substrate sheet 9 is divided for each base 2. The partition jig 15 attached to the substrate sheet 9 is moved from the substrate sheet 9 to the partition jig 1 when the sealing resin 13 is semi-cured, for example.
5 is removed. Since the sealing resin 13 of the substrate sheet 9 from which the partitioning jig 15 has been removed is semi-cured, the external shape molded by the partitioning jig 15 is maintained, and the base 2 is attached to the sealing portion. Groove 2 on the boundary of
0 is formed. Then, on the base 2 of the substrate sheet 9, a sealing portion 7 covering the semiconductor chip 4 and the wires 6 for electrically connecting the electrode pads 5 of the semiconductor chip and the connection terminals 3 on the substrate sheet is provided. It is divided and formed. The semi-cured sealing portion 7 formed on the substrate sheet 9 is completely cured by further heating, and is sealed for each base 2 on the substrate sheet 9 as shown in FIG. A stop 7 is formed.

【0035】このように複数のベース2が連結された基
板シート9の一面に封止樹脂13を一体的に塗布し、前
記基板シート9に塗布された封止樹脂13を仕切り治具
15等により、前記基板シート9のベース境界部のブレ
イクラインに塗布された封止樹脂13を除去し、前記基
板シート9の封止樹脂13が半硬化された時点で、前記
仕切り治具15を取り外すことにより、前記基板シート
9上の前記境界部を除き、前記基板シートのそれぞれの
ベース2毎に分割形成された封止部7を容易にかつ精度
良く形成することができる。また前記基板シート9に形
成される封止部7が分割形成されることにより、前記基
板シート9に加わる応力が緩和され、基板シート9の反
りを低減することもできる。
The sealing resin 13 is integrally applied to one surface of the substrate sheet 9 to which the plurality of bases 2 are connected as described above, and the sealing resin 13 applied to the substrate sheet 9 is separated by a partition jig 15 or the like. By removing the sealing resin 13 applied to the break line at the base boundary of the substrate sheet 9 and removing the partition jig 15 when the sealing resin 13 of the substrate sheet 9 is semi-cured. Except for the boundary portion on the substrate sheet 9, the sealing portion 7 divided and formed for each base 2 of the substrate sheet can be formed easily and accurately. Further, since the sealing portion 7 formed on the substrate sheet 9 is divided and formed, the stress applied to the substrate sheet 9 is reduced, and the warpage of the substrate sheet 9 can be reduced.

【0036】そして、前記基板シート9の一面に供給さ
れた封止樹脂13が、それぞれのベース2毎に分割形成
されると、前記基板シート9は外部端子搭載工程に移行
される。前記外部端子搭載工程では、前記所定の封止部
7が形成された基板シート9が、図8(a)に示すよう
に前記基板シート9の他面が上側になるように保持固定
される。そして前記基板シート9の他面に形成された複
数の外部端子搭載部へ例えば半田等からなるボール21
が供給される。前記外部端子搭載部へのボール21の供
給は例えば吸着機構22により、前記基板シート9の複
数の外部端子搭載部に対応した配置で複数のボール21
を吸着し、前記吸着された複数のボール21を前記基板
シート9へ一括的に供給する。そして前記基板シート9
の前記外部端子搭載部へ供給されたボール21はリフロ
ーされることにより、前記外部端子搭載部へ固着され、
図8(b)に示すように前記基板シート9の他面に複数
の外部端子8が形成される。そして前記外部端子8の形
成が完了した基板シート9は基板分割工程に移行され
る。
When the sealing resin 13 supplied to one surface of the substrate sheet 9 is divided and formed for each base 2, the substrate sheet 9 is transferred to an external terminal mounting step. In the external terminal mounting step, the substrate sheet 9 on which the predetermined sealing portion 7 is formed is held and fixed such that the other surface of the substrate sheet 9 faces upward as shown in FIG. Then, balls 21 made of, for example, solder or the like are attached to a plurality of external terminal mounting portions formed on the other surface of the substrate sheet 9.
Is supplied. The supply of the balls 21 to the external terminal mounting portion is performed by, for example, a suction mechanism 22 so that the plurality of balls 21 are disposed in an arrangement corresponding to the plurality of external terminal mounting portions of the substrate sheet 9.
And the plurality of balls 21 thus sucked are collectively supplied to the substrate sheet 9. And the substrate sheet 9
The ball 21 supplied to the external terminal mounting portion is fixed to the external terminal mounting portion by reflow,
As shown in FIG. 8B, a plurality of external terminals 8 are formed on the other surface of the substrate sheet 9. Then, the substrate sheet 9 on which the formation of the external terminals 8 is completed is transferred to a substrate dividing step.

【0037】前記基板分割工程では、前記外部端子8の
形成された基板シート9が図9(a)に示すように受け
台23に載せられ、押さえ機構24により保持固定さ
れ、前記基板シートの基板分割溝11が前記受け台23
の端部にくるように配置される。前記押さえ機構24の
外部端子8との接触面には例えば硬質ゴムからなる保護
層26が設けられており、前記外部端子の変形を防止
し、前記基板シート9を押さえつけることができるよう
に構成されている。そして前記受け台23に保持固定さ
れた基板シート9は、図9(b)に示すようにパンチ2
5を駆動し基板分割溝11の方向から折り曲げるように
切断され、前記基板シート9は前記ベース2の境界部か
ら分割される。この前記基板シート9の分割では、該基
板シート9の他面に基板分割溝11に設けているため、
前記基板シートのベース2の境界部から容易に分割され
る。また前記パンチ25の外部端子8との接触面も、前
記押さえ機構24と同様に前記当接する外部端子8の変
位を防止するために、例えば硬質ゴムからなる保護層2
6が設けられている。このように前記基板シート9が、
前述したように前記ベース2の境界部に塗布された封止
樹脂13を除去し、それぞれのベース2毎に封止部7を
分割形成しているため、前記基板分割工程は封止部7の
分割はなくなり、基板シート9のみが分割されるように
なる。そのため、前記基板シート9の分割に伴う封止部
7の分割がなくなることにより、前記封止部7へのバリ
27及び欠けの発生が無く、前記基板シートをそれぞれ
のベース毎に分割することができる。
In the substrate dividing step, the substrate sheet 9 on which the external terminals 8 are formed is placed on a receiving stand 23 as shown in FIG. The dividing grooves 11 are
It is arranged so that it may come to the end. A protective layer 26 made of, for example, hard rubber is provided on a contact surface of the holding mechanism 24 with the external terminal 8 so as to prevent deformation of the external terminal and to hold down the substrate sheet 9. ing. Then, the substrate sheet 9 held and fixed to the receiving stand 23 is, as shown in FIG.
5 is driven to be bent from the direction of the substrate dividing groove 11, and the substrate sheet 9 is divided from the boundary of the base 2. In the division of the substrate sheet 9, the substrate sheet 9 is provided in the substrate division groove 11 on the other surface.
The substrate sheet is easily divided from the boundary of the base 2. The contact surface of the punch 25 with the external terminal 8 is also provided with a protective layer 2 made of, for example, hard rubber, in order to prevent the displacement of the contacting external terminal 8 similarly to the pressing mechanism 24.
6 are provided. Thus, the substrate sheet 9
As described above, the sealing resin 13 applied to the boundary portion of the base 2 is removed, and the sealing portion 7 is formed separately for each base 2. There is no division, and only the substrate sheet 9 is divided. Therefore, since the division of the sealing portion 7 accompanying the division of the substrate sheet 9 is eliminated, the burr 27 and chipping of the sealing portion 7 do not occur, and the substrate sheet can be divided for each base. it can.

【0038】そして前記基板シート9の全ての基板分割
溝を同様に切断し、前記基板シート9をそれぞれのベー
ス2毎に分割することにより、図10に示すようなバリ
の発生も無く、精度の良い封止部7を有するセラミック
タイプでワイヤボンディング方式の半導体装置1を形成
することができる。
Then, all the substrate dividing grooves of the substrate sheet 9 are cut in the same manner, and the substrate sheet 9 is divided into the respective bases 2 so that burrs as shown in FIG. The semiconductor device 1 of the ceramic type having the good sealing portion 7 and of the wire bonding method can be formed.

【0039】(実施形態2)次に本発明の他の実施形態
である半導体装置の製造方法について、以下図面を用い
て簡単に説明する。
(Embodiment 2) Next, a method of manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention will be briefly described with reference to the drawings.

【0040】本実施形態においても実施形態1と同様に
図2及び図3に示すように構成された基板シート9が予
め準備される。そして準備された基板シート9は図11
(a)に示すようにダイボンディング工程において、前
記基板シート9のそれぞれのベース2に接着剤を介して
半導体チップ4が接着固定される。そして全てのベース
2への前記半導体チップ4の搭載が完了した基板シート
9はワイヤボンディング工程に移行される。前記ワイヤ
ボンディング工程では前記半導体チップ4に設けられた
電極パッド5と前記ベース2の接続端子3とが、ワイヤ
6によって結線されることにより電気的に接続される。
そして全ての電極パッド5と接続端子との結線が完了し
た基板シート9は封止工程に移行される。
In the present embodiment, similarly to the first embodiment, a substrate sheet 9 configured as shown in FIGS. 2 and 3 is prepared in advance. The prepared substrate sheet 9 is shown in FIG.
As shown in (a), in the die bonding step, the semiconductor chips 4 are bonded and fixed to the respective bases 2 of the substrate sheet 9 via an adhesive. Then, the substrate sheet 9 on which the mounting of the semiconductor chips 4 on all the bases 2 is completed is transferred to a wire bonding step. In the wire bonding step, the electrode pads 5 provided on the semiconductor chip 4 and the connection terminals 3 of the base 2 are electrically connected by wires 6.
Then, the substrate sheet 9 in which the connection between all the electrode pads 5 and the connection terminals is completed is transferred to a sealing step.

【0041】本実施形態における封止工程では、まず前
記ワイヤボンディングの完了した基板シート9に、例え
ば図11(b)に示すように実施形態1と同様に構成さ
れた仕切り治具15が装着される。前記基板シート9に
装着された仕切り治具15は、仕切り部16の先端が前
記基板シート9のベースの境界部にそれぞれ密着され、
それぞれの前記ベース2毎に区切られている。そして前
記仕切り部16により区切られた前記ベース2の上方に
は開口部17が形成されている。
In the sealing step according to the present embodiment, first, a partition jig 15 configured in the same manner as in the first embodiment as shown in FIG. You. The partitioning jig 15 mounted on the substrate sheet 9 has a leading end of the partitioning portion 16 in close contact with a boundary portion of the base of the substrate sheet 9,
Each of the bases 2 is partitioned. An opening 17 is formed above the base 2 separated by the partition 16.

【0042】そして前記仕切り治具15の装着された基
板シート9は保持固定された状態で、図11(c)に示
すように前記ベース2の一面に例えばエポキシ系の熱硬
化性樹脂等からなる封止樹脂13が供給される。この封
止樹脂13の供給は、前記仕切り治具15により区切ら
れたベース2に、前記ベース2の上方に設けられた仕切
り治具15の開口部17から例えばディスペンサ14等
により封止樹脂13が塗布により供給される。そして塗
布された封止樹脂13は、前記仕切り治具15で区切ら
れたベース2上で広がり、前記ベース2上が均一に封止
樹脂13で覆われ、封止部7の外形が型取られる。この
ように本実施形態では仕切り治具により四方を区切られ
た空間に封止樹脂13を供給しているため、封止樹脂1
3の塗布量により形成される封止部7の厚さの制御が容
易となり、さらに前記基板シート9への不要な部分への
封止樹脂13の塗布を無くすことができる。そして全て
のベース2への封止樹脂13の塗布が完了した基板シー
ト9は、前記基板シート9に塗布された封止樹脂13が
半硬化状態となった時点で、前記基板シート9に装着さ
れた仕切り治具15は取り外される。前記仕切り治具1
5の取り外された基板シート9は半硬化状態であるた
め、前記封止樹脂13は前記仕切り治具15により型取
られた外形を維持されている。この半硬化状態の封止樹
脂13は前記基板シート9をキュアすることで完全に硬
化され、図11(d)に示すように、前記ベース2の境
界部への封止樹脂13が無く、それぞれのベース2毎に
所定の外形寸法の封止部7が形成できる。前記ベース上
に形成された封止部7は、前記装着された仕切り治具1
5の仕切り部16が封止樹脂13から抜け易くなるよう
に、前記仕切り治具15の先端が小さく形成されている
ため、前記封止部7は前記ベース2上に略台形状で形成
されている。また前記仕切り部16に予め離型剤を供給
しておくことにより、さらに封止樹脂13から抜け易く
できる。
The substrate sheet 9 to which the partition jig 15 is attached is held and fixed, and one surface of the base 2 is made of, for example, an epoxy-based thermosetting resin or the like, as shown in FIG. 11C. The sealing resin 13 is supplied. The sealing resin 13 is supplied to the base 2 separated by the partition jig 15 from the opening 17 of the partition jig 15 provided above the base 2 by the dispenser 14 or the like. Supplied by coating. Then, the applied sealing resin 13 spreads on the base 2 partitioned by the partitioning jig 15, the base 2 is uniformly covered with the sealing resin 13, and the outer shape of the sealing portion 7 is molded. . As described above, in the present embodiment, the sealing resin 13 is supplied to the space divided on all sides by the partition jig.
The control of the thickness of the sealing portion 7 formed by the application amount of 3 becomes easy, and the application of the sealing resin 13 to unnecessary portions of the substrate sheet 9 can be eliminated. The substrate sheet 9 in which the application of the sealing resin 13 to all the bases 2 is completed is mounted on the substrate sheet 9 when the sealing resin 13 applied to the substrate sheet 9 is in a semi-cured state. The partitioning jig 15 is removed. The partition jig 1
Since the substrate sheet 9 from which 5 has been removed is in a semi-cured state, the sealing resin 13 maintains the outer shape that has been molded by the partition jig 15. The sealing resin 13 in the semi-cured state is completely cured by curing the substrate sheet 9, and as shown in FIG. 11D, there is no sealing resin 13 at the boundary of the base 2. A sealing portion 7 having a predetermined external dimension can be formed for each base 2. The sealing portion 7 formed on the base is provided with the mounted partition jig 1.
Since the leading end of the partitioning jig 15 is formed small so that the partitioning portion 16 of 5 can easily come off from the sealing resin 13, the sealing portion 7 is formed in a substantially trapezoidal shape on the base 2. I have. In addition, by supplying the release agent to the partition portion 16 in advance, the release agent can be more easily removed from the sealing resin 13.

【0043】このように複数のベース2が連結された基
板シート9に仕切り治具15を装着し、前記仕切り治具
15により区切られた前記ベースの一面に封止樹脂13
を供給し、前記基板シート9の封止樹脂13が半硬化さ
れた時点で、前記仕切り治具15を取り外すことによ
り、前記基板シート9上のベース2の境界部上を除き、
前記それぞれのベース2毎に封止部7を容易にかつ精度
良く形成することができ、かつ前記仕切り治具15によ
り区切られたベース2に封止樹脂13を供給しているた
め、封止部7の厚さの制御が容易にできる。
A partition jig 15 is mounted on the substrate sheet 9 to which the plurality of bases 2 are connected in this way, and a sealing resin 13 is provided on one surface of the base separated by the partition jig 15.
When the sealing resin 13 of the substrate sheet 9 is semi-cured, the partition jig 15 is removed to remove the boundary portion of the base 2 on the substrate sheet 9,
Since the sealing portion 7 can be easily and accurately formed for each of the bases 2 and the sealing resin 13 is supplied to the bases 2 separated by the partition jig 15, the sealing portion 7 is provided. 7 can be easily controlled.

【0044】そして、それぞれのベース2に封止部7が
形成された前記基板シート9は外部端子搭載工程に移行
され、前記基板シート9の他面に例えば半田等からなる
ボール21が供給され、図12(a)に示すように前記
外部端子搭載部に複数の外部端子8が形成される。
The substrate sheet 9 having the sealing portions 7 formed on the respective bases 2 is transferred to an external terminal mounting step, and a ball 21 made of, for example, solder is supplied to the other surface of the substrate sheet 9. As shown in FIG. 12A, a plurality of external terminals 8 are formed on the external terminal mounting portion.

【0045】前記複数の外部端子が形成された基板シー
ト9は基板分割工程においてそれぞれのベース2毎に分
割される。前記基板分割工程では、実施形態1と同様に
前記外部端子8の形成された基板シート9が受け台23
に載せられ、前記基板シート9の基板分割溝11が前記
受け台23の端部に配置されるように保持固定される。
そして前記受け台に保持固定された基板シート9はパン
チ25を駆動し、前記基板に設けられた基板分割溝11
の方向から折り曲げるように切断することにより、前記
基板シート9は容易に基板分割溝から分割される。そし
て前記基板シート9の全ての基板分割溝を同様に分割す
ることにより、図12(b)に示すように形成される。
そして図10に示すようなセラミックタイプでワイヤボ
ンディング方式の半導体装置1が得られる。このように
前記基板シート9のベース2の境界部を除き、それぞれ
のベース2毎に封止部7を分割形成しているため、前記
基板分割工程では封止部7の分割はなくなり、前記封止
部へのバリの発生を無くすることができる。
The substrate sheet 9 on which the plurality of external terminals are formed is divided for each base 2 in a substrate dividing step. In the substrate dividing step, as in the first embodiment, the substrate sheet 9 on which the external terminals 8 are formed
And the substrate dividing groove 11 of the substrate sheet 9 is held and fixed so as to be arranged at the end of the receiving base 23.
Then, the substrate sheet 9 held and fixed to the receiving table drives the punch 25, and the substrate dividing groove 11 provided in the substrate is provided.
The substrate sheet 9 is easily divided from the substrate dividing groove by cutting so as to bend from the direction of FIG. Then, by dividing all the substrate dividing grooves of the substrate sheet 9 in the same manner, a substrate is formed as shown in FIG.
Then, a semiconductor device 1 of a ceramic type and a wire bonding method as shown in FIG. 10 is obtained. Since the sealing portion 7 is divided and formed for each base 2 except for the boundary portion of the base 2 of the substrate sheet 9 in this manner, the sealing portion 7 is not divided in the substrate dividing step, and the sealing is performed. It is possible to eliminate the generation of burrs at the stop.

【0046】以上、本発明者によってなされた発明を実
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば本実施形態では基板シート9に仕切り治具15を装着
し、前記仕切り治具15の仕切り部16を前記基板シー
ト9に密着することにより、前記基板シート9のベース
2の境界部を除き、それぞれのベース2に封止部7を分
割形成するように構成したが、前記封止部7を形成する
封止樹脂13を仕切ることができる構成であれば、どの
ような構成のものでもよい。
As described above, the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and can be variously modified without departing from the gist of the invention. Needless to say. For example, in the present embodiment, the partition jig 15 is attached to the substrate sheet 9, and the partition 16 of the partition jig 15 is brought into close contact with the substrate sheet 9, except for the boundary portion of the base 2 of the substrate sheet 9, Although the sealing portions 7 are formed separately on the respective bases 2, any configuration may be used as long as the sealing resin 13 forming the sealing portions 7 can be partitioned.

【0047】また本実施形態では、前記基板シート9を
そのベースの境界部に対応した一体的な仕切り部16に
より区切り、前記基板シート9のベースの境界部を除
き、それぞれのベースに封止部7を分割形成するように
構成したが、前記ベースの境界部に断続的な仕切り部1
6により区切ることにより、前記基板シート9のベース
の境界部を断続的に除き、封止部を形成することも可能
である。これによっては前記基板シート9の一面に形成
される封止部が、前記ベースの境界部に沿って断続的に
溝部20が形成されるため、前記基板シート9の分割時
に封止部7も前記溝部20に沿って分割され易く構成す
ることができる。
In the present embodiment, the substrate sheet 9 is divided by an integral partition 16 corresponding to the boundary of the base, and a sealing portion is attached to each base except for the boundary of the base of the substrate sheet 9. 7 is formed so as to be divided, but the intermittent partition 1 is formed at the boundary of the base.
By dividing by 6, it is also possible to form a sealing portion by intermittently removing the boundary portion of the base of the substrate sheet 9. Thereby, the sealing portion formed on one surface of the substrate sheet 9 has the groove portion 20 formed intermittently along the boundary portion of the base. It can be configured to be easily divided along the groove 20.

【0048】さらに本実施形態ではセラミックタイプで
ワイヤボンディング方式の半導体装置に適用した場合に
ついて説明したが、複数のベースを有する基板シート9
を一体的に封止したのち、それぞれのベース毎に分割す
るように製造されるものであれば、どのような製品に適
用しても良い。
Further, in the present embodiment, the case where the present invention is applied to a ceramic type wire bonding type semiconductor device has been described, but the substrate sheet 9 having a plurality of bases is described.
Can be applied to any product as long as it is manufactured so that the base is integrally sealed and then divided into each base.

【0049】[0049]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0050】すなわち、半導体装置の製造技術におい
て、一面に複数の接続端子が形成された複数のベース
と、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成された複数
の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の回路が形
成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ搭載し、
前記ベースに搭載された半導体チップを前記接続端子と
電気的に接続する工程と、前記基板シートの少なくとも
前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成する工程
と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に接続さ
れた複数の外部端子を形成する工程と、前記封止部の形
成された基板シートを前記基板分割溝の方向から折り曲
げ、各々のベース毎に分割する工程とを有するように構
成したことにより、前記基板シートの前記境界部に封止
部が形成されないため、前記基板シートの分割の際に封
止部を分割すること無くなり、半導体装置への封止部へ
のバリ及び欠けの発生を防止することができる。そのた
め、精度の良い外形寸法の封止部を容易に形成すること
ができ、半導体装置の品質或いは歩留を向上することが
できる。
That is, in a semiconductor device manufacturing technique, a substrate sheet comprising a plurality of bases having a plurality of connection terminals formed on one surface and a plurality of substrate division grooves formed on the other surface of the boundary portion of the base. A semiconductor chip on which a predetermined circuit is formed is mounted on each of the bases,
Electrically connecting the semiconductor chip mounted on the base to the connection terminal, excluding at least the boundary portion of the substrate sheet, forming a sealing portion on the one surface, and forming the sealing portion on the other surface of the base. Forming a plurality of external terminals electrically connected to the connection terminals, bending the substrate sheet on which the sealing portion is formed from the direction of the substrate division groove, and dividing the substrate sheet for each base. With this configuration, the sealing portion is not formed at the boundary portion of the substrate sheet, so that the sealing portion does not need to be divided when the substrate sheet is divided, and Burrs and chips can be prevented from occurring. Therefore, a sealing portion having an accurate external dimension can be easily formed, and the quality or yield of the semiconductor device can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の適用されるセラミックタイプでワイヤ
ボンディング方式の半導体装置の概略構成を示す斜視図
である。
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a ceramic type wire bonding type semiconductor device to which the present invention is applied.

【図2】本発明の適用される半導体装置に用いられる基
板シートの概略構成を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate sheet used in a semiconductor device to which the present invention is applied.

【図3】本発明の適用される半導体装置に用いられる基
板シートの概略構成を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a substrate sheet used in a semiconductor device to which the present invention is applied.

【図4】ダイボンディング及びワイヤボンディング後の
基板シートの概略構成を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a schematic configuration of a substrate sheet after die bonding and wire bonding.

【図5】本発明の一実施形態である基板シートへの封止
樹脂の塗布処理を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a process of applying a sealing resin to a substrate sheet according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施形態である封止樹脂の塗布処理
後の基板シートの概略構成を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view illustrating a schematic configuration of a substrate sheet after a sealing resin coating process according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施形態である封止樹脂の塗布処理
後の基板シートへの基板分割処理を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a substrate dividing process into substrate sheets after a sealing resin coating process according to an embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施形態である基板シートへの外部
端子形成処理を示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a process of forming external terminals on a substrate sheet according to an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施形態である基板シートを個々の
半導体装置毎に分割する基板分割処理を示す断面図であ
る。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a substrate dividing process according to an embodiment of the present invention, which divides a substrate sheet into individual semiconductor devices.

【図10】本発明の一実施形態である製造方法により形
成された半導体装置を示す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view showing a semiconductor device formed by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

【図11】本発明の他の一実施形態である基板シートへ
の封止部形成フローを示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a flow of forming a sealing portion on a substrate sheet according to another embodiment of the present invention.

【図12】本発明の他の一実施形態の外部端子搭載後及
び基板分割後の基板シートの概略構成を示す断面図であ
る。
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a substrate sheet after mounting external terminals and dividing the substrate according to another embodiment of the present invention.

【図13】従来の問題点である半導体装置の封止部に形
成されるバリ及び欠けを示す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a burr and a chip formed in a sealing portion of a semiconductor device, which is a conventional problem.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体装置、2…ベース、3…接続端子、4…半導
体チップ、5…電極パッド、6…ワイヤ、7…封止部、
8…外部端子、9…基板シート、10…外枠部、11…
基板分割溝、12…チップ搭載部位、13…封止樹脂、
14…ディスペンサ、15…仕切り治具、16…仕切り
部、17…開口部、18…逃げ部、19…位置決め部、
20…溝部、21…ボール、22…吸着機構、23…受
け台、24…押さえ機構、25…保護層、26…パン
チ、27…バリ、28…欠け。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device, 2 ... Base, 3 ... Connection terminal, 4 ... Semiconductor chip, 5 ... Electrode pad, 6 ... Wire, 7 ... Sealing part,
8 external terminal, 9 substrate board, 10 outer frame part, 11 ...
Substrate dividing groove, 12: chip mounting portion, 13: sealing resin,
14 dispenser, 15 partition jig, 16 partition part, 17 opening, 18 relief part, 19 positioning part,
Reference numeral 20: groove, 21: ball, 22: suction mechanism, 23: receiving mechanism, 24: pressing mechanism, 25: protective layer, 26: punch, 27: burr, 28: chipping.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一面に複数の接続端子が形成された複数の
ベースと、該ベースの境界部の他面にそれぞれ形成され
た複数の基板分割溝とからなる基板シートに、所定の回
路が形成された半導体チップを前記ベースにそれぞれ搭
載し、前記ベースに搭載された半導体チップを前記接続
端子と電気的に接続する工程と、前記基板シートの少な
くとも前記境界部を除く、前記一面に封止部を形成する
工程と、前記ベースの他面に前記接続端子と電気的に接
続された複数の外部端子を形成する工程と、前記封止部
の形成された基板シートを前記基板分割溝の方向から折
り曲げ、各々のベース毎に分割する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
A predetermined circuit is formed on a substrate sheet including a plurality of bases each having a plurality of connection terminals formed on one surface and a plurality of substrate division grooves formed respectively on the other surface of the boundary portion of the base. Mounting the semiconductor chips mounted on the base respectively, and electrically connecting the semiconductor chips mounted on the base to the connection terminals, and excluding at least the boundary portion of the substrate sheet, a sealing portion on the one surface. Forming a plurality of external terminals electrically connected to the connection terminals on the other surface of the base, and forming the substrate sheet on which the sealing portion is formed from the direction of the substrate division groove. Bending and dividing each of the bases.
【請求項2】前記基板シートへ前記封止部を形成する工
程が、前記基板シートの一面の略全面に封止樹脂を供給
した後、前記供給された封止樹脂を前記ベース毎に区切
る仕切り治具を前記基板シートに装着し、前記封止樹脂
が半硬化された時点で前記仕切り治具を取り外し、前記
基板シートの少なくとも前記境界部を除く、前記一面に
封止部を形成することを特徴とする請求項1記載の半導
体装置の製造方法。
2. A step of forming the sealing portion on the substrate sheet, comprising: supplying a sealing resin to substantially the entire surface of the substrate sheet; and dividing the supplied sealing resin for each of the bases. Attach the jig to the substrate sheet, remove the partition jig when the sealing resin is semi-cured, remove at least the boundary portion of the substrate sheet, forming a sealing portion on the one surface. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein:
【請求項3】前記基板シートへ前記封止部を形成する工
程が、前記基板シートの一面に仕切り治具を装着し、前
記仕切り治具により区切られた前記ベースの一面に封止
樹脂を供給し、前記基板シートの少なくとも前記境界部
を除く、前記一面に封止部を形成することを特徴とする
請求項1記載の半導体装置。
3. The step of forming the sealing portion on the substrate sheet includes mounting a partitioning jig on one surface of the substrate sheet and supplying a sealing resin to one surface of the base separated by the partitioning jig. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a sealing portion is formed on the one surface except at least the boundary portion of the substrate sheet.
【請求項4】前記仕切り治具は、前記基板シートへの接
触部から他方に向かって幅広になるように構成されてい
ることを特徴とする請求項2又は請求項3の半導体装置
の製造方法。
4. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein said partitioning jig is configured so as to become wider from a portion in contact with said substrate sheet toward the other side. .
【請求項5】前記仕切り治具には、予め封止樹脂との接
触部分に離型剤が付着されていることを特徴とする請求
項2又は請求項3の半導体装置の製造方法。
5. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein said partitioning jig is preliminarily provided with a release agent at a portion in contact with a sealing resin.
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