JP2000149554A - Dynamic random access memory device, data-transferring system and data write method - Google Patents

Dynamic random access memory device, data-transferring system and data write method

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JP2000149554A JP11170216A JP17021699A JP2000149554A JP 2000149554 A JP2000149554 A JP 2000149554A JP 11170216 A JP11170216 A JP 11170216A JP 17021699 A JP17021699 A JP 17021699A JP 2000149554 A JP2000149554 A JP 2000149554A
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ハシモト マサシ
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ビクター モラベック ジョン
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− ピエール ドレイ ジャン
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain special effects of various kinds in a wide range by setting a plurality of array data signals and a plurality of parallel array address leads, addressing at random according to an address signal and providing an address sequencer between a register for latching an address bit and the array address lead. SOLUTION: A write address generator 28a and a read address generator 28b are constructed and operate in the same way. A random access address sequentially applies addresses to a control data terminal 34a, drives a control strobe signal applied to a terminal 38a when effective data appears to the terminal 34a, and loads the signal in series to an address buffer register 36a. After the signal is input to the address buffer register 36a, a write transfer signal is applied to a terminal 44a and transferred to a data sequencer 40a. External pins for constituting a memory circuit 14 are accordingly saved in number.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は全般的にディジタ
ル・メモリ回路に関し、特に、ビデオ用に使う時に特に
有利なディジタル・メモリ回路に関する。
The present invention relates generally to digital memory circuits, and more particularly to digital memory circuits that are particularly advantageous when used for video.

【0002】[0002]

【従来の技術】ディジタルTV,VCR及び関連したビ
デオ用途には、それらを合せたものがビデオ・フレーム
全体を表わす様な画素を記憶するフレーム・メモリ又は
フィールド・メモリを利用する場合が多い。このフレー
ム・メモリは、フレームの固定、ズーム、パン、分割ス
クリーン・モニタ動作等の様な種々の特殊効果を発生す
る時に使われる。フレーム・メモリは普通の個別の集積
回路を使って構成することができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION Digital TV, VCR and related video applications often utilize a frame or field memory that stores pixels such that the entirety represents the entire video frame. The frame memory is used to generate various special effects such as frame fixation, zoom, pan, split screen monitor operation, and the like. The frame memory can be constructed using ordinary individual integrated circuits.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】こう云うフレーム・メ
モリは比較的高価で、望ましくない程大量の電力を消費
し、望ましくない程大きな場所を占める。この様なフレ
ーム・メモリの目的が商品に使うことである場合、これ
が大きな問題になる。従って、単独であっても、或いは
できるだけ少ない数の他の集積回路と組合せる1個の集
積回路があれば、普通の個別の集積回路を用いて構成さ
れたフレーム・メモリに比べて改良になる。
These frame memories are relatively expensive, consume an undesirably large amount of power, and occupy an undesirably large amount of space. This is a major problem if the purpose of such a frame memory is to use it in commercial products. Thus, a single integrated circuit, alone or in combination with as few other integrated circuits as possible, would be an improvement over a frame memory constructed with ordinary discrete integrated circuits. .

【0004】従来の集積回路装置はこのフレーム・メモ
リの問題を取上げようとした。然し、こう云う装置は、
ビデオ用の要求に適切に応える様なアーキテクチュアを
作ることができなかった。例えば、広い範囲に及ぶ種々
の特殊効果をつくる際、典型的に必要とされる少数個の
フレーム・メモリ機能だけを含む装置を使うことができ
る。然し、それを大量の従来の個別の集積回路と組合せ
なければならないので、従来の個別の集積回路だけで構
成されたフレーム・メモリに比べて殆ど改良されなくな
る。
Conventional integrated circuit devices have attempted to address this frame memory problem. However, these devices are
It was not possible to create an architecture that would adequately meet the demands for video. For example, in creating a wide variety of special effects, devices that include only the few frame memory functions typically required can be used. However, since it has to be combined with a large number of conventional individual integrated circuits, there is little improvement over a frame memory consisting only of conventional individual integrated circuits.

【0005】他方、従来のフレーム・メモリ集積回路
は、完全なオンチップのアドレス計算を有するランダム
アクセス・メモリを含むことがある。この様なフレーム
・メモリを利用するビデオの用途では、フレーム・メモ
リ全体を直列にアクセスする。こうして、フレーム固定
及び分割スクリーン・モニタ動作の特殊効果が支援され
る。然し、ズーム及びパン機能は、この様な装置を用い
ては不可能であるか或いは実用的でない。
[0005] On the other hand, conventional frame memory integrated circuits may include random access memory with complete on-chip address calculations. In video applications utilizing such a frame memory, the entire frame memory is accessed serially. In this way, the special effects of frame fixed and split screen monitor operation are supported. However, zoom and pan functions are not possible or practical with such devices.

【0006】従って、業界には大量の周囲の集積回路を
必要とせずに、広い範囲の種々の特殊効果を出せる様に
回路のアーキテクチュアを最適にするフレーム・メモリ
集積回路に対する要望がある。
[0006] Accordingly, there is a need in the industry for a frame memory integrated circuit that optimizes the circuit architecture to provide a wide variety of special effects without requiring a large amount of surrounding integrated circuits.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】従って、この発明の利点
は、限られたランダムアクセスができる様にしたフレー
ム・メモリ回路を提供したことである。この為、この発
明に従って構成された装置は、広い範囲の種々の特殊効
果のビデオ用途に効率良く使うことができる。
Accordingly, it is an advantage of the present invention to provide a frame memory circuit which allows limited random access. Thus, a device constructed in accordance with the present invention can be efficiently used for a wide variety of special effects video applications.

【0008】この発明の別の利点は、種々のアドレス計
算モードを含むメモリ回路を提供したことである。即
ち、或る特殊効果の機能に対する一部分のアドレス計算
をメモリ回路に移すことができ、このメモリ回路を利用
するビデオの用途では、計算に処理能力を割当てる必要
がない。
Another advantage of the present invention is that it provides a memory circuit that includes various address calculation modes. That is, a portion of the address calculation for a particular effect function can be transferred to a memory circuit, and in video applications utilizing this memory circuit, there is no need to allocate processing power to the calculation.

【0009】上に述べたこの発明の利点が、一形式で
は、データ・ストリームを記憶して供給するメモリ回路
によって実行される。このメモリ回路が直列アクセス及
びランダムアクセスの両方ができる様にしている。ラン
ダムアクセス・メモリ・アレイのデータ入力がデータ・
バッファに結合され、このデータ・バッファがメモリ・
アレイの動作をデータ・ストリームと同期させることが
できるようにする。ランダムアクセス・メモリ・アレイ
のアドレス入力がアドレス・シーケンサに結合され、こ
のシーケンサが、メモリ・アレイに相次いで印加される
一続きのメモリ・アドレスを発生する。アドレス・バッ
ファ・レジスタがアドレス・シーケンサにやはり結合さ
れている。アドレス・バッファ・レジスタがアドレス・
シーケンサにランダムアクセス・アドレスを供給して、
アドレス・シーケンサから供給される一続きのメモリ・
アドレスを初期設定する。
The advantages of the invention described above are, in one form, implemented by a memory circuit for storing and providing a data stream. This memory circuit enables both serial access and random access. The data input of the random access memory array is
Buffer, and this data buffer is
Enables the operation of the array to be synchronized with the data stream. The address input of the random access memory array is coupled to an address sequencer, which generates a series of memory addresses that are applied sequentially to the memory array. An address buffer register is also coupled to the address sequencer. When the address buffer register
Supply a random access address to the sequencer,
A series of memories supplied from the address sequencer
Initialize the address.

【0010】この発明は、以下図面について詳しく説明
するところから更によく理解されよう。図面全体に亘
り、同様な部分には同じ参照数字を用いている。
The invention will be better understood from the following detailed description of the drawings. Throughout the drawings, the same reference numerals are used for similar parts.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は受像管又はその他のビデオ
表示端末装置に現われる様なビデオ・フレーム10を示
す。フレーム10が聴視者には連続的なビデオ映像とし
て見えるが、フレーム10は多数のディジタル化画素1
2として電気的に表わすことができる。各々の画素12
が、フレーム10の映像内の多数の極く小さい区域のう
ちの1つに対する色及び相対強度の様なパラメータを定
める。従って、フレーム10は比較的多数の画素12を
含むことがある。例えば、画素12の488列及び画素
12の488行を持つフレームは、1フレーム当り、合
計238,144個の画素を持っている。
FIG. 1 shows a video frame 10 as it appears on a picture tube or other video display terminal. Although frame 10 appears to the viewer as a continuous video image, frame 10 has a large number of digitized pixels 1
2 can be represented electrically. Each pixel 12
Defines parameters such as color and relative intensity for one of a number of very small areas in the image of frame 10. Accordingly, frame 10 may include a relatively large number of pixels 12. For example, a frame having 488 columns of pixels 12 and 488 rows of pixels 12 has a total of 238,144 pixels per frame.

【0012】典型的には画素12は、画素12の間の空
間関係を保つ為に、予定の順序で伝送され又はその他の
形で処理される。例えば普通のラスタ走査の用途では、
画素12は、フレーム10の第1行の第1列にある画素
12を表わす画素12aから始まって、順々にメモリ装
置又はビデオ表示装置に伝送することができ、これがフ
レーム10の第1行の最後の列にある画素12を表わす
画素12bまで、順番に続けられる。画素12b及び同
期情報(図面に示していない)を伝送した直後、第2行
の第1列にある画素12を表わす画素12cを伝送し、
それに続いて、フレーム10の第2行にある残りの画素
12を順番に伝送することができる。フレーム10の最
後の行の最後の列にある画素12を表わす画素12dが
伝送されるまで、この様に画素12の伝送が続けられ
る。従って、画素12と初めの画素12aの間のタイミ
ング関係が分っている任意の処理装置は、フレーム10
内の画素12の空間的な位置を知っているか、或いはそ
れを容易に計算することができる。
Typically, pixels 12 are transmitted or otherwise processed in a predetermined order to preserve the spatial relationship between pixels 12. For example, in a typical raster scanning application,
Pixels 12 can be transmitted sequentially to a memory device or video display, starting with pixel 12a representing pixel 12 in the first column of the first row of frame 10, which is It continues in order up to pixel 12b representing pixel 12 in the last column. Immediately after transmitting the pixel 12b and the synchronization information (not shown), the pixel 12c representing the pixel 12 in the second row and the first column is transmitted,
Subsequently, the remaining pixels 12 in the second row of the frame 10 can be transmitted in sequence. The transmission of the pixels 12 continues in this manner until a pixel 12d representing the pixel 12 in the last column of the last row of the frame 10 has been transmitted. Therefore, any processing device that knows the timing relationship between pixel 12 and the first pixel 12a will be
Knowing the spatial position of the pixel 12 within the or can be easily calculated.

【0013】ディジタルTV,VCR等は、フレーム1
0内の全部の画素12を記憶することができる大きなフ
レーム・メモリ又はフィールド・メモリを持つことがあ
る。画素12を併せたものが、フレーム・メモリに対す
る直列データ・ストリームとなる。特殊効果を別とする
と、この直列データ・ストリーム内の画素12の相対的
な順序は、画素12の空間関係を保つ為に、フレーム・
メモリから読取る時に一般的に守らなければならない。
然し、種々の特殊効果はこの様に守られる順序を必要と
せず、フレーム・メモリから画素12が読取られる時、
画素12の順序を正しく守ることによって、貴重な計算
時間が浪費されることがある。
Digital TV, VCR, etc.
You may have a large frame or field memory that can store all the pixels 12 in zero. The combination of the pixels 12 is a serial data stream to the frame memory. Apart from the special effects, the relative order of the pixels 12 in this serial data stream is framed in order to preserve the spatial relationship of the pixels 12.
Generally must be observed when reading from memory.
However, the various special effects do not require the order to be preserved in this way, and when the pixel 12 is read from the frame memory,
Preserving the order of the pixels 12 can waste valuable computing time.

【0014】この様な1つの特殊効果が、フレームの小
さな一部分をビデオ表示全体を埋める様に拡大するズー
ム効果である。例えば、図1のフレーム10がビデオ表
示全体を表わすとすると、フレーム10のうち、行i及
びjと列m及びnによって区切られた区域をズーム特殊
効果で拡大して、フレーム10全体を埋めことができ
る。この為、ズーム特殊効果では、フレーム10の中に
あって、行i及びj及びm及びnによって区切られた区
域の外側にある全ての画素12は、作用せず、捨てるこ
とができる。云い換えれば、この様に作用しない画素1
2はフレーム・メモリに記憶したり或いはそれから読取
る必要がない。従って、列m及び行iにある画素12
が、ズーム特殊効果の最初の画素12aとして利用され
る。有効な画素12を重複してフレーム10の1行全体
を完成することができ、行を重複して、ズーム効果の垂
直成分を完成することができる。
One such special effect is the zoom effect, which enlarges a small portion of a frame to fill the entire video display. For example, if the frame 10 of FIG. 1 represents the entire video display, the area of the frame 10 delimited by the rows i and j and the columns m and n is enlarged by the zoom special effect to fill the entire frame 10. Can be. Thus, in the zoom special effect, all pixels 12 in the frame 10 that are outside the area delimited by rows i and j and m and n have no effect and can be discarded. In other words, pixel 1 which does not work in this way
2 need not be stored in or read from the frame memory. Therefore, pixel 12 in column m and row i
Is used as the first pixel 12a of the zoom special effect. Valid pixels 12 can be overlapped to complete an entire row of frame 10, and rows can be overlapped to complete the vertical component of the zoom effect.

【0015】分割スクリーン特殊効果では、フレーム1
0全体を、フレーム10の行j及び最後の行と、フレー
ム10の列n及び最後の列とによって区切られた様なス
クリーンの小さい区域に縮小することができる。この特
殊効果を達成するには、画素12のフレーム10全体の
内の予定数の画素12毎に、1つの画素12だけを利用
し、中間の作用しない画素12を無視する(即ち、画素
を飛越す)。図1に示す例では、フレーム10の3つの
列毎に1つ、そして3つの行毎に1つからの画素12だ
けを使って、縮小フレームが形成されている。
In the split screen special effect, frame 1
The whole 0 can be reduced to a small area of the screen, such as delimited by row j and last row of frame 10 and column n and last column of frame 10. To achieve this special effect, for each predetermined number of pixels 12 in the entire frame 10 of pixels 12, only one pixel 12 is used, and intermediate inactive pixels 12 are ignored (ie, skip pixels). ). In the example shown in FIG. 1, a reduced frame is formed using only pixels 12 from one for every three columns of the frame 10 and one for every three rows.

【0016】この発明は、フレーム・メモリとして作用
すると共に、上記の並びにその他の特殊効果を効率良く
実施することができる様なメモリ回路を提供する。図2
はこの発明に従って構成されたメモリ回路14のブロッ
ク図である。一般的に、好ましい実施例のメモリ回路1
4は、262,144個の4ビット幅のワードとして構
成された220、即ち、1,048,576ビットの記憶
内容を持つシングル・チップ集積回路を表わす。従っ
て、画素12の488×488フレーム(図1参照)全
体のバッファ動作又は記憶に十分な量のワードが供給さ
れる。各々の画素を正確に記述するのに4ビットより多
くの精度が要求される場合、追加のメモリ回路14を使
って、この様な余分なビットを記憶することができる。
The present invention provides a memory circuit which functions as a frame memory and can efficiently implement the above and other special effects. FIG.
Is a block diagram of a memory circuit 14 configured according to the present invention. Generally, the memory circuit 1 of the preferred embodiment
4 represents a single-chip integrated circuit having 2 20 , or 1,048,576 bits of stored content, organized as 262,144 4-bit wide words. Thus, a sufficient amount of words is provided for buffering or storing the entire 488 × 488 frame of pixels 12 (see FIG. 1). If more than four bits of precision are required to accurately describe each pixel, additional memory circuitry 14 can be used to store such extra bits.

【0017】メモリ回路14は一般的に直列アクセス・
モードで動作するが、限られた規模で、メモリ回路14
のランダムアクセスができる様にする特別の特徴を持っ
ている。当業者であれば、直列アクセスとは、データを
メモリに記憶したのと同じ順序で、データをメモリから
読出さなければならない様なデータの記憶及び読取モー
ドを指すことが理解されよう。更に、ランダムアクセス
とは、そのメモリ位置に対応する一意的なアドレスを供
給することにより、メモリ・アレイ内の任意の位置に書
込み、読取り又はその他の形でアクセスすることができ
ることを云う。
The memory circuit 14 generally has a serial access mode.
Mode, but on a limited scale, the memory circuit 14
It has a special feature that allows for random access. Those skilled in the art will appreciate that serial access refers to a data storage and read mode in which data must be read from memory in the same order as the data was stored in memory. Further, random access refers to the ability to write, read, or otherwise access any location in the memory array by providing a unique address corresponding to that memory location.

【0018】具体的に云うと、メモリ回路14が直列画
素データ入力16aを持ち、好ましい実施例では、これ
が4ビットのデータを供給する。直列画素データ入力1
6aが書込み直列ラッチ18aの入力ポートに結合さ
れ、書込み直列ラッチ18aの出力ポートが書込みレジ
スタ20aの入力ポートに結合される。書込みレジスタ
20aの出力ポートがメモリ・アレイ24のデータ入力
ポート22aに結合される。好ましい実施例では、メモ
リ・アレイ24は218、即ち、262,144個の4ビ
ット・メモリ位置を持つダイナミック・ランダムアクセ
ス・メモリ(DRAM)アレイである。メモリ・アレイ
24のデータ出力ポート22bが読取レジスタ20bの
データ入力ポートに結合され、読取レジスタ20bのデ
ータ出力ポートが読取直列ラッチ18bのデータ入力ポ
ートに結合される。読取直列ラッチ18bのデータ出力
ポートが直列画素データ出力16bに結合され、好まし
い実施例では、これが4ビットのデータを供給する。
Specifically, memory circuit 14 has a serial pixel data input 16a, which in the preferred embodiment, provides four bits of data. Serial pixel data input 1
6a is coupled to the input port of write serial latch 18a, and the output port of write serial latch 18a is coupled to the input port of write register 20a. The output port of write register 20a is coupled to data input port 22a of memory array 24. In the preferred embodiment, memory array 24 is a dynamic random access memory (DRAM) array having 2 18 or 262,144 4-bit memory locations. Data output port 22b of memory array 24 is coupled to the data input port of read register 20b, and the data output port of read register 20b is coupled to the data input port of read serial latch 18b. The data output port of read serial latch 18b is coupled to serial pixel data output 16b, which, in the preferred embodiment, provides four bits of data.

【0019】直列書込みクロック端子26aが書込みア
ドレス発生器28a、調停及び制御回路30、及び書込
み直列ラッチ18aのクロック入力に結合される。同様
に、直列読取クロック端子26bが読取アドレス発生器
28b、調停及び制御回路30、及び読取直列ラッチ1
8bのクロック入力に結合される。リフレッシュ・アド
レス及びタイミング回路32の出力が調停及び制御回路
30の入力に結合され、調停及び制御回路30の出力
が、書込みレジスタ20aのクロック入力、読取レジス
タ20bのクロック入力、メモリ・アレイ24の制御入
力及びメモリ・アレイ24のアドレス入力に結合され
る。
A serial write clock terminal 26a is coupled to the write address generator 28a, the arbitration and control circuit 30, and the clock input of the write serial latch 18a. Similarly, the serial read clock terminal 26b is connected to the read address generator 28b, the arbitration and control circuit 30, and the read serial latch 1
8b is coupled to the clock input. The output of the refresh address and timing circuit 32 is coupled to the input of the arbitration and control circuit 30, and the output of the arbitration and control circuit 30 is the clock input of the write register 20a, the clock input of the read register 20b, and the control of the memory array 24. Input and to the address input of the memory array 24.

【0020】図2に示す様に、アドレス発生器28a及
び28bは、好ましい実施例では、構造的に互に同様で
ある。即ち、書込み制御データ端子34aが書込みアド
レス発生器28a内のアドレス・バッファ・レジスタ3
6aの直列データ入力に結合される。読取制御データ端
子34bが読取アドレス発生器28b内のアドレス・バ
ッファ・レジスタ36bの直列データ入力に結合され
る。同様に、書込み制御ストローブ端子38aがアドレ
ス・バッファ・レジスタ36aのクロック入力に結合さ
れ、読取制御ストローブ端子38bがアドレス・バッフ
ァ・レジスタ36bのクロック入力に結合される。アド
レス・バッファ・レジスタ36aのデータ出力がアドレ
ス・シーケンサ40aのデータ入力に結合され、アドレ
ス・バッファ・レジスタ36bのデータ出力がアドレス
・シーケンサ40bのデータ入力に結合される。
As shown in FIG. 2, address generators 28a and 28b are structurally similar to each other in the preferred embodiment. That is, the write control data terminal 34a is connected to the address buffer register 3 in the write address generator 28a.
6a is coupled to the serial data input. Read control data terminal 34b is coupled to the serial data input of address buffer register 36b in read address generator 28b. Similarly, write control strobe terminal 38a is coupled to the clock input of address buffer register 36a, and read control strobe terminal 38b is coupled to the clock input of address buffer register 36b. The data output of address buffer register 36a is coupled to the data input of address sequencer 40a, and the data output of address buffer register 36b is coupled to the data input of address sequencer 40b.

【0021】書込みリセット端子42aがアドレス・シ
ーケンサ40aのクリア入力に結合され、書込み転送端
子44aがアドレス・シーケンサ40aのプリセット入
力に結合される。読取リセット端子42bがアドレス・
シーケンサ40bのクリア入力に結合され、読取転送端
子44bがアドレス・シーケンサ40bのプリセット入
力に結合される。端子26aがアドレス発生器28a内
のアドレス・シーケンサ40aのクロック入力に結合さ
れ、端子26bがアドレス発生器28b内のアドレス・
シーケンサ40bのクロック入力に結合される。アドレ
ス・シーケンサ40aの出力(46a)がアドレス発生
器28aからの出力信号を出し、調停及び制御回路30
の入力に結合される。同様に、アドレス・シーケンサ4
0bの出力(46b)がアドレス発生器20bからの出
力信号を出し、調停及び制御回路30に結合される。メ
モリ回路14は20ピン集積回路パッケージ内に設ける
ことができる。
A write reset terminal 42a is coupled to a clear input of address sequencer 40a, and a write transfer terminal 44a is coupled to a preset input of address sequencer 40a. The read reset terminal 42b is
The read transfer terminal 44b is coupled to the clear input of the sequencer 40b and the preset transfer input of the address sequencer 40b. Terminal 26a is coupled to the clock input of address sequencer 40a in address generator 28a, and terminal 26b is connected to the address input in address generator 28b.
It is coupled to the clock input of sequencer 40b. The output (46a) of the address sequencer 40a produces an output signal from the address generator 28a, and the arbitration and control circuit 30
To the input of Similarly, address sequencer 4
The output of Ob (46b) provides an output signal from address generator 20b and is coupled to arbitration and control circuit 30. The memory circuit 14 can be provided in a 20-pin integrated circuit package.

【0022】前の述べた様に、メモリ回路14は直列ア
クセス・モード又は限られたランダムアクセス・モード
の何れかで動作させることができる。更に、メモリ回路
14に対するデータの記憶又は書込みは、メモリ回路1
4からのデータの読取又は供給と非同期的に行なうこと
ができる。端子42aの書込みリセット信号を作動し
て、アドレス・シーケンサ40aをクリアすることよ
り、メモリ回路14に直列に書込みをすることができ
る。
As previously mentioned, the memory circuit 14 can operate in either a serial access mode or a limited random access mode. Further, storage or writing of data to the memory circuit 14 is performed by the memory circuit 1
4 can be performed asynchronously with the reading or supply of data. By activating the write reset signal at the terminal 42a to clear the address sequencer 40a, it is possible to write data in the memory circuit 14 in series.

【0023】その後、端子26aに直列書込みクロック
信号を出しながら、データ入力16aに4ビットのデー
タ・ニブルを印加することにより、4ビット幅の直列デ
ータ・ストリームをメモリ回路14に記憶することがで
きる。直列書込みクロック信号が1回出されると、書込
み直列ラッチ18aが1つの4ビット・データ・ニブル
を一時的に記憶し又はバッファ作用をする。書込み直列
ラッチ18aが4ビット幅のシフトレジスタとして作用
する。従って、データ入力16aに印加された直列画素
データ・ストリームの後続の4ビット・ニブルが、この
後で直列書込みクロック信号が出る時に、直列ラッチ2
8aにシフトして入る。
Thereafter, a 4-bit wide serial data stream can be stored in the memory circuit 14 by applying a 4-bit data nibble to the data input 16a while issuing a serial write clock signal at the terminal 26a. . Once the serial write clock signal is issued, write serial latch 18a temporarily stores or buffers one 4-bit data nibble. Write serial latch 18a acts as a 4-bit wide shift register. Thus, the subsequent 4-bit nibble of the serial pixel data stream applied to the data input 16a will cause the serial latch 2
Shift to 8a.

【0024】更に、直列書込みクロック信号が出る度
に、書込みアドレス発生器28aのアドレス・シーケン
サ40aが、新しいランダムアクセス・アドレスを調停
及び制御回路30に供給する。いい換えれば、アドレス
・シーケンサ40aは、書込み直列ラッチ18aに記憶
されているデータ・ストリームに対応する様なアドレス
のストリームを調停及び制御回路30に供給する。
Further, each time a serial write clock signal is issued, the address sequencer 40a of the write address generator 28a supplies a new random access address to the arbitration and control circuit 30. In other words, address sequencer 40a provides a stream of addresses corresponding to the data stream stored in write serial latch 18a to arbitration and control circuit 30.

【0025】調停及び制御回路30がアドレス発生器2
8a〜28bとリレッシュ・アドレス及びタイミング回
路32から、アドレスを受取る。回路30がこれらの入
力及び種々のタイミング信号を監視して、これらの入力
に供給されたどのアドレスをメモリ・アレイ24に転送
すべきであるかを決定する。調停及び制御回路30が、
メモリ・アレイ24を構成するダイナミック・メモリの
タイミング動作を制御する普通の論理回路を含んでい
る。即ち、調停及び制御回路30がアドレス発生器28
aによって発生されたアドレスをメモリ・アレイ24に
送り、メモリ・アレイ24にデータを書込むことができ
る様にするが、メモリ・アレイ24のリフレッシュ動作
又は読取アクセスの為に、遅延が起ることがある。
The arbitration and control circuit 30 uses the address generator 2
8a to 28b and the address is received from the refresh address and timing circuit 32. Circuit 30 monitors these inputs and various timing signals to determine which addresses provided to these inputs should be transferred to memory array 24. The arbitration and control circuit 30
It includes ordinary logic circuits that control the timing operation of the dynamic memories that make up memory array 24. That is, the arbitration and control circuit 30 uses the address generator 28
a to the memory array 24 so that data can be written to the memory array 24, but a delay occurs due to a refresh operation or read access of the memory array 24. There is.

【0026】従って、調停及び制御回路30は更に記憶
装置を持っていて、メモリ・アレイ24に直ちにアクセ
スすることが阻止された時、アドレス発生器28a〜2
8bによって発生されたアドレスが失われない様にす
る。調停及び制御回路30が、直列画素データをメモリ
・アレイ24に書込むことができる時を確認した時、こ
のデータが書込み直列ラッチ18aから書込みレジスタ
20aに転送され、その後メモリ・アレイ24に書込ま
れる。従って、書込み直列ラッチ18a及び書込みレジ
スタ20aを併せたものが二重バッファ方式となり、メ
モリ回路14に対する直列画素データの記憶に対してメ
モリ・アレイ24の非同期的な動作ができる様にする。
Accordingly, the arbitration and control circuit 30 also has storage, so that when immediate access to the memory array 24 is prevented, the address generators 28a-2
8b so that the address generated by it is not lost. When the arbitration and control circuit 30 determines when serial pixel data can be written to the memory array 24, the data is transferred from the write serial latch 18a to the write register 20a and then written to the memory array 24. It is. Therefore, the combination of the write serial latch 18a and the write register 20a is of a double buffer system, so that the memory array 24 can operate asynchronously with respect to the storage of serial pixel data in the memory circuit 14.

【0027】メモリ・アレイ24からのデータの読取
は、メモリ・アレイ24へのデータの記憶について上に
述べたのと同様に行なわれる。即ち、アドレス発生器2
8bによって発生されたアドレスが、適当な時刻に調停
及び制御回路30を介して転送され、メモリ・アレイ2
4からのデータを読取レジスタ20bに読込む。その
後、このデータが読取直列ラッチ18bに転送され、こ
のデータを、端子26bに直列読取クロック信号を印加
することによって、データ出力端子16bに発生するこ
とができる様にする。直列データが出力端子16bに発
生されるのは、メモリ・アレイ24の動作に対して非同
期的であると共に、直列画素データをメモリ回路14に
端子16aから記憶するのに対しても非同期的である。
Reading data from memory array 24 is performed in a manner similar to that described above for storing data in memory array 24. That is, the address generator 2
8b is transferred at an appropriate time through the arbitration and control circuit 30 to the memory array 2
4 is read into the read register 20b. This data is then transferred to read serial latch 18b so that it can be generated at data output terminal 16b by applying a serial read clock signal to terminal 26b. The generation of serial data at output terminal 16b is asynchronous with respect to the operation of memory array 24, and is also asynchronous with respect to storing serial pixel data in memory circuit 14 from terminal 16a. .

【0028】メモリ回路14の限られたランダムアクセ
スの特徴が、アドレス発生器28a〜28bによって得
られる。図2に示す実施例のメモリ回路14では、書込
みアドレス発生器28a及び読取アドレス発生器28b
は、書込みアドレス発生器28aが書込みアドレスを発
生するのに対して、読取アドレス発生器28bが読取ア
ドレスを発生することを別とすれば、構造も動作も同一
である。従って、両方のアドレス発生器28a〜28b
の説明として、書込みアドレス発生器28aだけを説明
する。当業者であれば、好ましい実施例は読取アドレス
発生器28bが同じ様に動作することが理解されよう。
The limited random access features of the memory circuit 14 are obtained by the address generators 28a-28b. In the memory circuit 14 of the embodiment shown in FIG. 2, the write address generator 28a and the read address generator 28b
Has the same structure and operation except that the write address generator 28a generates a write address while the read address generator 28b generates a read address. Therefore, both address generators 28a-28b
In the following, only the write address generator 28a will be described. Those skilled in the art will recognize that the preferred embodiment operates the read address generator 28b in a similar manner.

【0029】ランダムアクセス・アドレスは、このアド
レスを制御データ端子34aに遂次的に印加し、端子3
4aに有効データが現われる時に、端子38aに印加さ
れる制御ストローブ信号を作動することにより、アドレ
ス・バッファ・レジスタ36aに直列にロードすること
ができる。この為、図2に示す実施例では、アドレス・
バッファ・レジスタ36aが直列シフトレジスタを表わ
す。直列シフトレジスタを使うと、並列ロード形レジス
タに比べて、集積回路でメモリ回路14を構成するのに
必要な外部ピンの数が節約される。ランダムアクセス・
アドレスがアドレス・バッファ・レジスタ36aに入力
された後、端子44aに書込み転送信号を印加すること
により、それをデータ・シーケンサ40aに転送するこ
とができる。
As for the random access address, this address is successively applied to the control data terminal 34a, and the terminal 3
When valid data appears on 4a, the address buffer register 36a can be serially loaded by activating the control strobe signal applied to terminal 38a. For this reason, in the embodiment shown in FIG.
Buffer register 36a represents a serial shift register. The use of a serial shift register saves the number of external pins required to configure the memory circuit 14 on an integrated circuit, as compared to a parallel load register. Random access
After the address is input to the address buffer register 36a, it can be transferred to the data sequencer 40a by applying a write transfer signal to terminal 44a.

【0030】この発明の好ましい実施例では、アドレス
・シーケンサ40aはプリセット可能な2進カウンタ又
はその他のプリッセト可能なシーケンス回路を表わすも
のであって良い。即ち、転送されたアドレスが、アドレ
ス発生器28aによってこの後で発生される一続きのア
ドレスを開始する。アドレス・シーセンサ40aが2進
カウンタである場合、後続のアドレスが、このプリセッ
トされた値から開始して、インクレメント又はデクレメ
ントする。
In the preferred embodiment of the present invention, address sequencer 40a may represent a presettable binary counter or other presettable sequence circuit. That is, the transferred address begins a series of addresses subsequently generated by the address generator 28a. If address sea sensor 40a is a binary counter, subsequent addresses increment or decrement, starting from this preset value.

【0031】メモリ・アレイ24が218個の4ビット・
ワードを記憶している場合、アドレス・バッファ・レジ
スタ36aは18ビット・レジスタであるのが有利であ
り、アドレス・シーケンサ40aは18ビット・カウン
タ又はその他のシーケンス回路であって良い。他方、ア
ドレス・バッファ・レジスタ36a及びアドレス・シー
ケンサ40aは、例えば9ビットの様に、これより少な
いビット数を持っていて良い。9ビットの場合、アドレ
ス・バッファ・レジスタ36aから供給されるランダム
アクセス・アドレスが、各々のページ又は行が29、即
ち512ワードを記憶している場合、メモリ・ページ又
は行の初めをアクセスすることができる。
The memory array 24 2 18 pieces of 4-bit
When storing words, address buffer register 36a is advantageously an 18-bit register, and address sequencer 40a may be an 18-bit counter or other sequence circuit. On the other hand, the address buffer register 36a and the address sequencer 40a may have a smaller number of bits, for example, 9 bits. In the case of 9 bits, the random access address supplied from address buffer register 36a accesses the beginning of a memory page or row if each page or row stores 2 9 , or 512 words. be able to.

【0032】アドレス・バッファ・レジスタ36aを含
めて、限られたランダムアクセスの特徴を持たせたこと
により、ズーム特殊効果でメモリ回路14を効率良く利
用することができる。例えば、直列アクセス・モードを
使ってメモリ・フレーム全体をメモリ・アレイ24に書
込むことにより、ズーム効果を達成することができる。
図1の行i列mにある画素アドレスの様な開始の画素ア
ドレスを読取アドレス・バッファ・レジスタ36bにロ
ードし、アドレス・シーケンサ40bに転送することが
できる。フレーム10の内、フレーム全体に拡大しよう
とする部分の最初の行、例えば行iを、例えば行i、列
nに対応する画素が出力端子16bに現われるまで、直
列モード又は遂次モードでメモリ・アレイ24から読取
ることができる。アドレス・バッファ・レジスタ36b
からのランダムアクセス・アドレスをアドレス・シーケ
ンサ40bに転送することにより、垂直ズーム作用を行
なうのに必要な回数だけ何回でもある行を繰返すことが
できる。
By providing limited random access characteristics including the address buffer register 36a, the memory circuit 14 can be efficiently used with a special zoom effect. For example, a zoom effect can be achieved by writing an entire memory frame to the memory array 24 using a serial access mode.
A starting pixel address, such as the pixel address in row i column m of FIG. 1, can be loaded into read address buffer register 36b and transferred to address sequencer 40b. The first row, e.g., row i, of the portion of the frame 10 that is to be expanded to the entire frame is stored in serial or sequential mode until the pixel corresponding to, e.g., row i, column n appears at output terminal 16b. It can be read from the array 24. Address buffer register 36b
Is transferred to the address sequencer 40b, so that a certain number of rows can be repeated as many times as necessary to perform the vertical zoom operation.

【0033】その後、行(i+1)及び列mにある画素
に対応するアドレスをアドレス・バッファ・レジスタ3
6bにロードし、アドレス・シーケンサ40bに転送す
ることができる。拡大しようとするフレームの最後の画
素がメモリ・アレイ24から出力されるまで、この過程
を続ける。この特徴により、ビデオ装置は、画素12a
(図1に示す)の様な最初のアドレスから、メモリ回路
14のアクセスを開始して、メモリ・アレイ24内に記
載されている使わない画素をアクセスする必要がない。
この結果、動作が早くなる。
Thereafter, the address corresponding to the pixel at row (i + 1) and column m is stored in the address buffer register 3.
6b and transferred to the address sequencer 40b. This process is continued until the last pixel of the frame to be enlarged is output from the memory array 24. Due to this feature, the video device may have a pixel 12a
It is not necessary to start accessing the memory circuit 14 from the first address (as shown in FIG. 1) to access the unused pixels described in the memory array 24.
As a result, the operation becomes faster.

【0034】この発明では、別の実施例のアドレス発生
器28a〜28bも考えられる。第1の別の実施例はア
ドレス発生器28a〜28bが図3に示されている。図
3は1つのアドレス発生器28だけを示している。図3
に示すアドレス発生器28は書込みアドレス発生器28
a又は読取発生器28b(図2参照)の何れとしても作
用し得る。
In the present invention, another embodiment of the address generators 28a to 28b is also conceivable. In a first alternative embodiment, address generators 28a-28b are shown in FIG. FIG. 3 shows only one address generator 28. FIG.
The address generator 28 shown in FIG.
a or read generator 28b (see FIG. 2).

【0035】第1の別の実施例のアドレス発生器28で
は、アドレス・バッファ・レジスタ36が直列でも並列
でもロードすることができる。即ち、前に図2について
説明した様な書込み制御データ端子34a又は読取制御
データ端子34bの何れを表わすものであってもよい
が、制御データ端子34が、アドレス・バッファ・レジ
スタ36の直列データ入力に結合される。制御ストロー
ブ端子38がアドレス・バッファ・レジスタ36の直列
クロック入力及びアドレス・オフセット・レジスタ48
の直列クロック入力に結合される。アドレス・バッファ
・レジスタ36の並列データ出力が加算器50の第1の
入力及びアドレス・シーケンサ40のデータ入力に結合
される。
In the address generator 28 of the first alternative embodiment, the address buffer register 36 can be loaded either serially or in parallel. That is, the control data terminal 34 may represent either the write control data terminal 34a or the read control data terminal 34b as described above with reference to FIG. Is combined with The control strobe terminal 38 is connected to the serial clock input of the address buffer register 36 and the address offset register 48.
To the serial clock input. The parallel data output of address buffer register 36 is coupled to a first input of adder 50 and a data input of address sequencer 40.

【0036】アドレス・オフセット・レジスタ46の並
列データ出力が加算器50の第2の入力に結合される。
加算器50の出力がアドレス・バッファ・レジスタ36
の並列データ入力に結合され、転送端子44がアドレス
・バッファ36の並列クロック入力とアドレス・シーケ
ンサ40のプリセット入力とに結合される。アドレス・
バッファ・レジスタ36の並列データ出力又は直列出力
ビットの内の最上位ビットがアドレス・オフセット・レ
ジスタ48の直列データ入力に結合される。直列クロッ
ク端子26がアドレス・シーケンサ40のクロック入力
に結合され、リセット端子42がアドレス・シーケンサ
40のクリア入力に結合される。アドレス・シーケンサ
40のデータ出力がアドレス発生器の出力46に結合さ
れる。
The parallel data output of address offset register 46 is coupled to a second input of adder 50.
The output of the adder 50 is the address buffer register 36.
Transfer terminal 44 is coupled to a parallel clock input of address buffer 36 and to a preset input of address sequencer 40. address·
The most significant bit of the parallel data output or serial output bit of buffer register 36 is coupled to the serial data input of address offset register 48. Serial clock terminal 26 is coupled to the clock input of address sequencer 40, and reset terminal 42 is coupled to the clear input of address sequencer 40. The data output of address sequencer 40 is coupled to output 46 of the address generator.

【0037】この別の第1の実施例では、アドレス・バ
ッファ・レジスタ36及びアドレス・シーケンサ40
は、図2のアドレス発生器28a〜28bについて上に
述べた動作と同様に動作する。然し、この第1の別の実
施例では、端子34に供給された制御データを使って、
アドレス・バッファ・レジスタ36及びアドレス・オフ
セット・レジスタ48の両方にロードする。従って、制
御データの余分なビットが、余分の集積回路のピンを必
要とせずにメモリ回路14にロードされる。更に、アド
レス・オフセット・レジスタ48からの最上位ビット又
は直列出力ビット51を、読取及び書込みアドレス発生
器28a及び28b(図1参照)の内の他方に対する制
御データ入力に送ることができるのが有利である。更
に、端子38に印加された制御ストローブ信号を図2の
制御ストローブ端子38a及び38bの内の他方に送る
ことができる。アドレス発生器28a及び28bの間の
この2つの接続により、図2に示した構造から2つの集
積回路ピンが除かれる。
In this alternative first embodiment, the address buffer register 36 and the address sequencer 40
Operates in a manner similar to that described above for address generators 28a-28b in FIG. However, in this first alternative embodiment, using the control data supplied to terminal 34,
Load both address buffer register 36 and address offset register 48. Thus, extra bits of control data are loaded into memory circuit 14 without the need for extra integrated circuit pins. Further, the most significant bit or serial output bit 51 from the address offset register 48 can advantageously be sent to the control data input for the other of the read and write address generators 28a and 28b (see FIG. 1). It is. Further, the control strobe signal applied to terminal 38 can be sent to the other of control strobe terminals 38a and 38b in FIG. This two connection between address generators 28a and 28b eliminates two integrated circuit pins from the structure shown in FIG.

【0038】この発明の今述べた第1の別の実施例で
は、アドレス・オフセット・レジスタ48に入っている
制御データが、アドレス・バッファ・レジスタ36に入
っている現在の初期アドレスの値に加算され、新しい初
期設定用のランダムアクセス・アドレスの値となる。こ
の新しい初期設定用の値が、アドレス・シーケンサ40
に現在のアドレスの値が転送された時に、アドレス・バ
ッファ・レジスタ36にロードされる。
In the first alternative embodiment just described of the present invention, the control data contained in the address offset register 48 is added to the value of the current initial address contained in the address buffer register 36. The new random access address value for initialization. The value for this new initial setting is the address sequencer 40
Is loaded into the address buffer register 36 when the value of the current address is transferred to the address buffer register 36.

【0039】更に図1について説明すると、この発明の
この第1の別の実施例は、例えばズーム特殊効果を実施
する時に有利であることがある。即ち、アドレス・オフ
セット・レジスタ48にロードされたアドレス・オフセ
ット値は、1つの行の列nと次の行の列mの間に発生す
る使わない画素の分量を表わすものであってよい。フレ
ームの各行の終りに、端子44に転送信号を出し、次の
行の列nに対応する、次に使う画素のランダムアクセス
・アドレスが自動的に計算され、アドレス・バッファ・
レジスタ36に記憶されて、メモリ回路14の別の一続
きの遂次的なアクセスを開始する。メモリ回路14を用
いるビデオ装置は、メモリ回路14の外部の部品がこの
アドレスを計算する必要がないので、それ程複雑でなく
なる。
Still referring to FIG. 1, this first alternative embodiment of the present invention may be advantageous, for example, when implementing zoom special effects. That is, the address offset value loaded into the address offset register 48 may represent the amount of unused pixels that occur between column n of one row and column m of the next row. At the end of each row of the frame, a transfer signal is output at terminal 44, and the random access address of the next pixel to be used, corresponding to column n of the next row, is automatically calculated and the address buffer
Stored in register 36 to initiate another series of sequential accesses of memory circuit 14. Video devices that use memory circuit 14 are less complicated because components external to memory circuit 14 do not need to calculate this address.

【0040】図2に示したアドレス発生器28a〜28
bの別の第2の実施例が図4に示されている。図4の実
施例は、ランダムアクセス・アドレスを並列の形でアド
レス・バッファ・レジスタ36にロードすることができ
ることを示しており、これは普通のマイクロプロセッサ
集積回路との両立性が一層良いことがある。然し、この
実施例を構成するのに必要な集積回路ピンの数が、図2
及び図3について説明した実施例よりも増加する。
The address generators 28a to 28 shown in FIG.
Another second embodiment of b is shown in FIG. The embodiment of FIG. 4 shows that the random access address can be loaded into the address buffer register 36 in a parallel manner, which is more compatible with ordinary microprocessor integrated circuits. is there. However, the number of integrated circuit pins required to implement this embodiment is different from that of FIG.
3 and the embodiment described with reference to FIG.

【0041】更に、図4は、アドレス・バッファ・レジ
スタ36の他に、交代的なアドレス・バッファ・レジス
タ52を含むことを示している。具体的に云うと、制御
データ端子34は8ビットのマイクロプロセッサ・デー
タ・バスに供給するのが有利であり、このバスがアドレ
ス・バッファ・レジスタ36の個別の8ビット部分54
a、54b、54cのデータ入力に結合される。更に、
制御データ端子34が交代的なアドレス・バッファ・レ
ジスタ52の個別の8ビット部分56a、56b、56
cのデータ入力に結合される。個別の部分54a乃至5
4cのデータ出力を併せたものが24ビット・バスを構
成し、それがマルチプレクサ58の第1のデータ入力に
結合される。
FIG. 4 also shows that in addition to the address buffer register 36, an alternate address buffer register 52 is included. In particular, control data terminal 34 advantageously provides an 8-bit microprocessor data bus which provides a separate 8-bit portion 54 of address buffer register 36.
a, 54b, 54c. Furthermore,
Control data terminal 34 is a separate 8-bit portion 56a, 56b, 56 of alternate address buffer register 52.
c to the data input. Individual parts 54a-5
4c together form a 24-bit bus, which is coupled to the first data input of multiplexer 58.

【0042】同様に、個別の部分56a乃至56cのデ
ータ出力が24ビット・バスを構成し、それがマルチプ
レクサ58の第2のデータ入力に結合される。マルチプ
レクサ58のデータ出力が、この第2の別の実施例でア
ドレス・シーケンサ40として作用する2進カウンタの
データ入力に結合される。勿論、当業者であれば、アド
レス・バッファ・レジスタ36及び交代的なアドレス・
バッファ・レジスタ52に含まれるサブレジスタの数、
及び上に述べたバス内のビット数が、特定の用途の条件
に従って大幅に変えられることは明らかであろう。
Similarly, the data outputs of the individual portions 56a-56c form a 24-bit bus, which is coupled to the second data input of multiplexer 58. The data output of multiplexer 58 is coupled to the data input of a binary counter that acts as address sequencer 40 in this second alternative embodiment. Of course, those skilled in the art will recognize that the address buffer register 36 and the alternate address
The number of subregisters included in buffer register 52,
It will be apparent that the number of bits in the bus described above can vary significantly depending on the requirements of the particular application.

【0043】更にマイクロプロセッサ・アドレス入力端
子60a、60b、60cがデコーダ62のアドレス入
力に結合され、アドレス入力端子60dがデコーダ62
の不能入力に結合される。前に述べた制御ストローブ端
子38がデコーダ62の不能入力に結合される。デコー
ダ62の出力01〜06がアドレス・バッファ・レジス
タの個別の部分54a−54cのクロック入力と、交代
的なアドレス・バッファ・レジスタの個別の部分56a
−56cのクロック入力とに夫々結合される。デコーダ
62の出力07がフリップフロップ64のクロック入力
に結合される。
Further, microprocessor address input terminals 60a, 60b, 60c are coupled to the address input of decoder 62 and address input terminal 60d is connected to decoder 62.
To the impossible input. The previously described control strobe terminal 38 is coupled to the disable input of decoder 62. The outputs 01-06 of the decoder 62 are the clock inputs of the separate portions 54a-54c of the address buffer registers and the separate portions 56a of the alternate address buffer registers.
-56c, respectively. Output 07 of decoder 62 is coupled to the clock input of flip-flop 64.

【0044】このフリップフロップは、クロック入力が
作動された時、トグルする様に構成されている。フリッ
プフロップ64の出力がマルチプレクサ58の選択入力
に結合される。デコーダ62の出力08が2進カウンタ
40のプリセット入力に結合される。直列クロック26
が2進カウンタ40のクロック入力に結合され、リセッ
ト端子42がフリップフロップ64のクリア入力及び2
進カウンタ40のクリア入力に結合される。2進カウン
タ40の出力がアドレス発生器28の出力46に結合さ
れる。
The flip-flop is configured to toggle when the clock input is activated. The output of flip-flop 64 is coupled to a select input of multiplexer 58. Output 08 of decoder 62 is coupled to a preset input of binary counter 40. Serial clock 26
Is coupled to the clock input of the binary counter 40 and the reset terminal 42 is connected to the clear input of the flip-flop 64 and 2
Tied to the clear input of hex counter 40. The output of the binary counter 40 is coupled to the output 46 of the address generator 28.

【0045】この別の2番目の実施例のアドレス発生器
28では、1つの初期設定用のランダムアクセス・アド
レスをアドレス・レジスタ36に記憶することができ、
交代的な初期設定用のランダムアクセス・アドレスが交
代的なアドレス・バッファ・レジスタ52に記憶され
る。マイクロプロセッサ(図面に示していない)が、端
子60a−60cに印加された信号によって特定された
アドレスに、普通のメモリ動作又はI/O書込み動作を
通じて、これらのアドレスをメモリ回路14に記憶する
ことができる。端子60dに印加されたアドレス入力ビ
ットが書込みアドレス発生器28aと読取アドレス発生
器28b(図1参照)の区別をすることができるのは有
利である。
In the address generator 28 of the second embodiment, one random access address for initial setting can be stored in the address register 36.
The alternate random access address for initialization is stored in the alternate address buffer register 52. A microprocessor (not shown) storing these addresses in memory circuit 14 through normal memory operations or I / O write operations to the addresses specified by the signals applied to terminals 60a-60c. Can be. Advantageously, the address input bits applied to terminal 60d can distinguish between write address generator 28a and read address generator 28b (see FIG. 1).

【0046】リセット端子42に作動信号を印加するこ
とにより、フリップフロップ64及び2進カウンタ40
はクリア状態に初期設定することができる。この点で、
アドレス発生器28は前に図2について説明したのと大
体同じ様に動作する。然し、交代的なアドレス・バッフ
ァ52に記憶された交代的なランダムアクセス・アドレ
スが選択的に2進カウンタ40をプリセットすることが
できる。フリップフロップ54のトグル動作を行なわせ
るマイクロプロッサ書込み動作と、その後に続く、2進
カウンタ40にデータを転送するマイクロプロッサ書込
み動作とにより、2進カウンタ40に交代的なランダム
アクセス・アドレスがプリセットされる。フリップフロ
ップ64は、デコーダ62の出力07を作動するアドレ
スへの書込み動作を行なうことによってトグル動作を行
なわせることができる。デコーダ62の出力08を作動
するアドレスに対する書込みにより、アドレス・バッフ
ァ・レジスタ36、52の選ばれた一方からの転送動作
が行なわれる。
By applying an operation signal to the reset terminal 42, the flip-flop 64 and the binary counter 40
Can be initialized to a clear state. In this regard,
Address generator 28 operates in much the same manner as described above with respect to FIG. However, the alternate random access address stored in the alternate address buffer 52 can selectively preset the binary counter 40. An alternate random access address is preset in the binary counter 40 by a microprocessor write operation for causing the flip-flop 54 to perform a toggle operation and a subsequent microprocessor write operation for transferring data to the binary counter 40. You. Flip-flop 64 can perform a toggle operation by performing a write operation to an address that activates output 07 of decoder 62. By writing to the address that activates the output 08 of the decoder 62, a transfer operation from the selected one of the address buffer registers 36, 52 is performed.

【0047】交代的なアドレス・バッファ・レジスタ5
2は、データ・フレーム内の或る線のバッファ動作を効
率良く行なう為に、ビデオ装置によって有利に使うこと
ができる。好ましい実施例のメモリ回路14が、218
即ち、262,144個の画素を収容するのに十分な規
模のメモリを持っているから、メモリ回路14は、例え
ば480個の画素の列と480の画素の行とを持つ1つ
のデータ・フレームを記憶するのに使った時、使われて
いないメモリ位置を持っている。従って、メモリのこの
使われていない部分にあるランダムアクセス・アドレス
を交代的なアドレス・バッファ・レジスタ52にロード
することができる。この交代的なアドレスの値を2進カ
ウンタ40に転送し、その後この線の画素を逐次的にメ
モリ回路14の他には使われていない部分に記憶するこ
とにより、あるフレームの1本の線を効率良くメモリ回
路14に記憶することができる。
Alternate Address Buffer Register 5
2 can be advantageously used by video equipment to efficiently buffer certain lines in a data frame. The memory circuit 14 of the preferred embodiment comprises 2 18 ,
That is, because the memory circuit 14 has a memory large enough to accommodate 262,144 pixels, the memory circuit 14 may include, for example, one data frame having a column of 480 pixels and a row of 480 pixels. Has unused memory locations when used to store. Thus, a random access address in this unused portion of memory can be loaded into the alternate address buffer register 52. This alternate address value is transferred to a binary counter 40, and then the pixels on this line are sequentially stored in unused portions of the memory circuit 14 to provide one line for a frame. Can be efficiently stored in the memory circuit 14.

【0048】更に、この発明ではアドレス・シーケンサ
40のこの他の実施例も考えられる。図4に示す様に、
アドレス・シーケンサ40は普通のプリセット可能な、
クリア可能な2進カウンタを表わすものであって良い。
こう云う回路は周知であって、ここで詳しく説明する必
要がない。然し、この代わりに、アドレス・シーケンサ
40が、1の値とは異なっていて良い様な可変のステッ
プの値だけインクレメント又はデクレメントする回路を
表わすものであって良い。こう云う回路が図5に示され
ている。
Further, the present invention contemplates other embodiments of the address sequencer 40. As shown in FIG.
The address sequencer 40 is a normal presettable,
It may represent a clear binary counter.
These circuits are well known and need not be described at length here. However, alternatively, the address sequencer 40 may represent a circuit that increments or decrements by a variable step value that may be different from a value of one. Such a circuit is shown in FIG.

【0049】即ち、図5では、アドレス・シーケンサの
データ入力がマルチプレクサ66の第1の入力に結合さ
れ、アドレス・シーケンサのプリセット端子がマルチプ
レクサ66の選択入力に結合される。マルチプレクサ6
6の出力がレジスタ68のデータ入力に結合され、アド
レス・シーケンサ40のクロック入力がレジスタ68の
クロック入力に結合される。同様に、リセット端子42
がレジスタ68のクリア入力に結合される。レジスタ6
8のデータ出力がアドレス・シーケンサ40のデータ出
力になり、更に加算器70の第1の入力に結合される。
加算器70の出力がマルチプレクサ66の第2の入力に
結合される。前に図2乃至図4について説明した制御デ
ータ端子34が、レジスタ72のデータ入力に結合され
る。更に、前に図2乃至図4について説明した制御スト
ローブ端子38が、レジスタ72のクロック入力に結合
される。レジスタ72のデータ出力が加算器70の第2
の入力に結合される。
That is, in FIG. 5, the data input of the address sequencer is coupled to a first input of a multiplexer 66, and the preset terminal of the address sequencer is coupled to a select input of the multiplexer 66. Multiplexer 6
6 is coupled to the data input of register 68, and the clock input of address sequencer 40 is coupled to the clock input of register 68. Similarly, the reset terminal 42
Is coupled to the clear input of register 68. Register 6
The data output of 8 becomes the data output of address sequencer 40 and is further coupled to a first input of adder 70.
The output of adder 70 is coupled to a second input of multiplexer 66. Control data terminal 34, previously described with respect to FIGS. 2-4, is coupled to the data input of register 72. In addition, the control strobe terminal 38 previously described with respect to FIGS. 2-4 is coupled to the clock input of the register 72. The data output of the register 72 is
To the input of

【0050】図5に示した実施例のアドレス・シーケン
サ40では、レジスタ72は、図2乃至図4について前
に述べた様に並列又は直列ロード形レジスタの何れであ
っても良い。更に、レジスタ72が直列ロード形レジス
タである場合、レジスタ72は、前に図3について説明
した様に、直列ロード形レジスタの長いチェーンの中に
沢山結合されたものの内の1つのレジスタであって良
い。レジスタ72にロードされるデータは、アドレス・
シーケンサ40がアドレス発生器28の出力46に相次
ぐアドレスを発生する時のインクレメント・ステップを
表わすものである。
In the address sequencer 40 of the embodiment shown in FIG. 5, the register 72 may be either a parallel or a serially loaded register as previously described with respect to FIGS. Further, if register 72 is a serially loaded register, then register 72 is one of a number of registers coupled in a long chain of serially loaded registers, as previously described with respect to FIG. good. The data loaded into the register 72 includes an address
This represents an increment step when the sequencer 40 generates successive addresses on the output 46 of the address generator 28.

【0051】アドレス・シーケンサ40の現在の出力
が、加算器70で、このステップのインクレメントの値
に加算され、マルチプレクサ66を介してレジスタ68
に戻される。従って、アドレス・シーケンサ40によっ
て発生されるこの後のアドレスは、前のアドレスに、レ
ジスタ72に入っているアドレス・ステップ・インクレ
メントを加えたものに等しい。このアドレス・ステップ
・インクレメントは1の値に等しくする必要がなく、任
意の正又は負の値に等しくして良い。更に、レジスタ7
2、加算器70、マルチプレクサ66及びレジスタ68
を互いに結合するバスに入るビット数が、アドレス・シ
ーケンサ40の出力に出るビット数より大きい場合、こ
の後のアドレスは、ステップの端数だけインクレメント
することができる。
The current output of the address sequencer 40 is added to the increment value of this step by an adder 70,
Is returned to. Thus, the subsequent address generated by address sequencer 40 is equal to the previous address plus the address step increment contained in register 72. This address step increment need not be equal to a value of one, but may be equal to any positive or negative value. In addition, register 7
2, adder 70, multiplexer 66 and register 68
Are greater than the number of bits at the output of the address sequencer 40, subsequent addresses can be incremented by a fraction of a step.

【0052】プリセット端子に作動信号を印加し、デー
タ入力端子にデータを供給し、アドレス・シーケンサ4
0のクロック信号を出すことにより、アドレス・シーケ
ンサ40はランダムアクセス・アドレスをプリセット
し、又はそれで初期設定することができる。即ち、この
初期設定用のランダムアクセスの値が、レジスタ68に
直接的にロードされる。更に、クリア入力端子にリセッ
ト信号を印加することにより、アドレス・シーケンサ4
0をクリア又はリセットすることができる。
An operation signal is applied to the preset terminal, data is supplied to the data input terminal, and the address sequencer 4
By issuing a zero clock signal, the address sequencer 40 can preset or initialize a random access address. That is, the random access value for the initial setting is directly loaded into the register 68. Further, by applying a reset signal to the clear input terminal, the address sequencer 4
0 can be cleared or reset.

【0053】更に、図1について云うと、図5に示すア
ドレス・シーケンサ40は、図1の右下部分に示す様
に、フレーム全体をビデオ・スクリーンの小さな一部分
にだけ表示する様な分割スクリーン特殊効果を実施する
時に役立つ。この特殊効果では、メモリ回路14にフレ
ーム10の悉くの画素12が記憶されている場合、縮小
スクリーンを構成する時は、予定数の記憶画素の群毎
に、1つの画素だけが作用する。図5に示すアドレス・
シーケンサ40は、使わない画素アドレスを省略する様
な一続きのアドレスを供給することにより、メモリ回路
14が有効な画素だけを供給することができる様にす
る。
Still referring to FIG. 1, the address sequencer 40 shown in FIG. 5 has a split screen specialty such that the entire frame is displayed on only a small portion of the video screen, as shown in the lower right portion of FIG. Useful when implementing effects. In this special effect, when all the pixels 12 of the frame 10 are stored in the memory circuit 14, only one pixel acts on each group of a predetermined number of storage pixels when forming a reduced screen. The address shown in FIG.
The sequencer 40 supplies a series of addresses that omit unused pixel addresses so that the memory circuit 14 can supply only valid pixels.

【0054】要約すれば、この発明はビデオ装置が特殊
効果を効率良く実施することができる様なメモリ回路を
提供した。具体的に云うと、種々の限られたランダムア
クセスの特徴を取入れたことにより、メモリ回路14
が、所定の特殊効果に対する有効な画素だけを記憶並び
に/又は供給し、使わない画素を記憶又は供給しない様
にすることができる。従って、有効な画素は、従来のフ
レーム・メモリ回路を使った場合よりも、一層速くメモ
リ回路14から再生することができる。
In summary, the present invention has provided a memory circuit that allows a video device to efficiently implement special effects. In particular, by incorporating various limited random access features, the memory circuit 14
Can store and / or supply only valid pixels for certain special effects, and not store or supply unused pixels. Thus, valid pixels can be recovered from memory circuit 14 faster than if a conventional frame memory circuit were used.

【0055】以上述べたことはこの発明を例示する為
に、好ましい実施例を用いている。然し、当業者であれ
ば、この発明の範囲内でこれらの実施例に種々の変更を
加えることができることが理解されよう。例えば、読取
アドレス発生器28bは書込みアドレス発生器28aと
全く同じである必要はない。更に、図3乃至図5に示し
た実施例は別の実施例であると上に述べたが、これは当
業者が、これらの実施例の2つ以上の考えを1つのフレ
ーム・メモリ回路14に組合わせることを妨げるもので
はない。
What has been described above uses preferred embodiments to illustrate the invention. However, those skilled in the art will recognize that various modifications can be made to these embodiments without departing from the scope of the present invention. For example, read address generator 28b need not be exactly the same as write address generator 28a. Further, while the embodiments shown in FIGS. 3-5 have been described above as alternative embodiments, those skilled in the art will recognize that two or more of these embodiments may be implemented in one frame memory circuit 14. It does not preclude combining with.

【0056】更に、当業者であれば、フレーム・メモリ
回路14に追加のアドレス処理能力を組込むことができ
ることを理解されよう。この様な追加のアドレス処理能
力としては、フレームの線の終りを示す信号、フレーム
の終りを示す信号、線の終り及びフレームの終り信号が
発生した時、アドレス・シーケンサにランダムアクセス
・アドレスを自動的に転送することを含めることができ
る。更に、この発明を理解する助けとして、具体的なフ
レーム及びメモリ・アレイの寸法を前に述べたが、この
発明が任意の特定の寸法に制限されないことを承知され
たい。当業者に明らかなこの様な全ての変更が、この発
明の範囲内に含まれることを承知されたい。
Further, those skilled in the art will recognize that additional address processing capabilities can be incorporated into the frame memory circuit 14. Such additional address processing capabilities include a signal indicating the end of a line in a frame, a signal indicating the end of a frame, and automatic generation of a random access address to an address sequencer when an end of line and end of frame signal occurs. Forwarding can be included. Additionally, while specific frame and memory array dimensions have been described above to aid in understanding the invention, it should be understood that the invention is not limited to any particular dimensions. It is to be understood that all such modifications apparent to those skilled in the art are included within the scope of the present invention.

【0057】以上の説明に関連して、更に下記の項を開
示する。 (1) 直列アクセス及びランダム・アクセスの両方が
できる様にした、データ・ストリームを記憶して供給す
るメモリ回路に於いて、アドレス入力及びデータ・ポー
トを持つランダムアクセス・メモリ・アレイと、該メモ
リ・アレイのデータ・ポートに結合されたデータ・ポー
トを持っていて、該メモリ・アレイの動作をデータ・ス
トリームと同期させるデータ・バッファと、データ入力
を持つと共に、前記メモリ・アレイのアドレス入力に結
合された出力を持っていて、前記メモリ・アレイに相次
いで印加すべき一続きのメモリ・アドレスを発生するア
ドレス・シーケンサと、該アドレス・シーケンサのデー
タ入力に結合された出力を持っていて、前記アドレス・
シーケンサによって発生される前記一続きのメモリ・ア
ドレスを初期設定するランダムアクセス・アドレスを供
給するアドレス・バッファ・レジスタとを有するメモリ
回路。
In connection with the above description, the following items are further disclosed. (1) A memory circuit for storing and supplying a data stream capable of performing both serial access and random access, comprising: a random access memory array having an address input and a data port; A data buffer coupled to a data port of the array, the data buffer synchronizing the operation of the memory array with a data stream, and a data input; and an address input to the memory array. An address sequencer having a coupled output for generating a sequence of memory addresses to be sequentially applied to the memory array, and an output coupled to a data input of the address sequencer; The address
An address buffer register that supplies a random access address that initializes the series of memory addresses generated by the sequencer.

【0058】(2) (1)項に記載したメモリ回路に
於いて、アドレス・バッファ・レジスタが直列ロード形
シフトレジスタであるメモリ回路。
(2) The memory circuit according to item (1), wherein the address buffer register is a serial load shift register.

【0059】(3) (1)項に記載したメモリ回路に
於いて、更にアドレス・シーケンサに結合されていて、
アドレス・バッファ・レジスタに入っているデータをア
ドレス・シーケンサに転送させる信号を受取る様になっ
ている端子を有するメモリ回路。
(3) In the memory circuit described in (1), the memory circuit is further connected to an address sequencer.
A memory circuit having a terminal adapted to receive a signal for causing an address sequencer to transfer data contained in an address buffer register.

【0060】(4) (1)項に記載したメモリ回路に
於いて、メモリ・アレイ、データ・バッファ、アドレス
・シーケンサ及びアドレス・バッファ・レジスタが1つ
の集積回路に入っているメモリ回路。
(4) The memory circuit according to (1), wherein the memory array, the data buffer, the address sequencer and the address buffer register are contained in one integrated circuit.

【0061】(5) (1)項に記載したメモリ回路に
於いて、アドレス・シーケンサが2進カウンタであっ
て、データ入力がアドレス・バッファ・レジスタの出力
に結合され、出力がメモリ・アレイのアドレス入力に結
合されているメモリ回路。
(5) In the memory circuit described in (1), the address sequencer is a binary counter, the data input is coupled to the output of the address buffer register, and the output is stored in the memory array. Memory circuit coupled to the address input.

【0062】(6) (1)項に記載したメモリ回路に
於いて、アドレス・シーケンサが、アドレス・シーケン
サのデータ入力として作用する節に結合されたデータ入
力、及びアドレス・シーケンサの出力として作用する出
力を持つ第1のレジスタと、出力を持っていて、インク
レメント・ステップの値を記憶する第2のレジスタと、
第1の入力が前記第1のレジスタの出力に結合され、第
2の入力が前記第2のレジスタ出力に結合され、出力が
前記第1のレジスタのデータ入力に結合されている加算
器とで構成されているメモリ回路。
(6) In the memory circuit described in (1), the address sequencer acts as a data input coupled to a node acting as a data input of the address sequencer and as an output of the address sequencer. A first register having an output, a second register having an output, and storing a value of an increment step;
An adder having a first input coupled to the output of the first register, a second input coupled to the output of the second register, and an output coupled to a data input of the first register. The configured memory circuit.

【0063】(7) (1)項に記載したメモリ回路に
於いて、データ・バッファがメモリ・アレイの動作を、
該メモリ・アレイに記憶されるデータ・ストリームと同
期させ、アドレス・シーケンサが、記憶されるデータ・
ストリームをメモリ・アレイに書込むメモリ・アドレス
を発生し、更にメモリ回路が、前記メモリ・アレイのデ
ータ・ポートに結合されたデータ・ポートを持ってい
て、メモリ・アレイの動作をメモリ回路から供給される
データ・ストリームに同期させる第2のデータ・バッフ
ァと、メモリ・アレイのアドレス入力に結合された出力
及びデータ入力を持っていて、メモリ・アレイから供給
されるデータ・ストリームを読取る為に、メモリ・アレ
イに印加すべき一続きのメモリ・アドレスを発生する第
2のアドレス・シーケンサと、第2のアドレス発生器の
データ入力に結合された出力を持っていて、第2のアド
レス・シーケンサによって発生される一続きのメモリ・
アドレスの初期設定をするランダムアクセス・アドレス
を供給する第2のアドレス・バッファ・レジスタとを有
するメモリ回路。
(7) In the memory circuit described in (1), the data buffer controls the operation of the memory array.
The address sequencer synchronizes with the data stream stored in the memory array,
Generating a memory address for writing a stream to a memory array; and further comprising a memory circuit having a data port coupled to the data port of the memory array for providing operation of the memory array from the memory circuit. A second data buffer for synchronizing with the data stream to be read, and an output and a data input coupled to the address input of the memory array, for reading the data stream provided by the memory array; A second address sequencer for generating a series of memory addresses to be applied to the memory array; and an output coupled to the data input of the second address generator, the second address sequencer having a second address sequencer. A series of memory generated
A second address buffer register for supplying a random access address for initializing the address.

【0064】(8) (1)項に記載したメモリ回路に
於いて、更に、出力を持っていて、アドレス・オフセッ
ト・データを記憶するアドレス・オフセット・レジスタ
と、アドレス・バッファ・レジスタの出力に結合された
第1の入力、アドレス・オフセット・レジスタの出力に
結合された第2の入力、及びアドレス・バッファ・レジ
スタのデータ入力に結合された出力を持っていて、それ
までのランダムアクセス・アドレスと、前記アドレス・
オフセット・データとの和を表わすランダムアクセス・
アドレスを発生する加算器とを有するメモリ回路。
(8) In the memory circuit described in the item (1), the output further includes an address offset register for storing address offset data and an output of the address buffer register. A random access address having a first input associated therewith, a second input coupled to an output of the address offset register, and an output coupled to a data input of the address buffer register And the address
Random access representing the sum with offset data
A memory circuit having an adder for generating an address.

【0065】(9) (1)項に記載したメモリ回路に
於いて、アドレス・シーケンサのデータ入力に結合され
た出力を持つ交代的なアドレス・バッファ・レジスタを
有し、アドレス・シーケンサによって発生される交代的
な一続きのメモリ・アドレスの初期設定をする交代的な
ランダムアクセス・アドレスを発生するメモリ回路。
(9) In the memory circuit described in (1), the memory circuit has an alternate address buffer register having an output coupled to the data input of the address sequencer, and is generated by the address sequencer. A memory circuit for generating an alternate random access address for initializing an alternate series of memory addresses.

【0066】(10) 直列アクセス及び限られたラン
ダムアクセスができる様になっていて、データ・ストリ
ームを記憶並びに供給する集積メモリ回路に於いて、ア
ドレス入力、データ入力ポート及びデータ出力ポートを
持つランダムアクセス・メモリ・アレイと、該メモリ・
アレイのデータ入力ポートに結合されたデータ・ポート
を持っていて、メモリ・アレイの動作を記憶されるデー
タ・ストリームと同期させる第1のデータ・バッファ
と、メモリ・アレイのデータ出力ポートに結合されたデ
ータ・ポートを持っていて、メモリ・アレイの動作を供
給されるデータ・ストリームと同期させる第2のデータ
・バッファと、第1のアドレス発生器が、メモリ・アレ
イに記憶されるデータ・ストリームを書込む為に使われ
るアドレスを発生し、第2のアドレス発生器がメモリ・
アレイから供給されるデータ・ストリームを読取る為に
使われるアドレスを発生する様な第1及び第2のアドレ
ス発生器とを有し、該第1及び第2のアドレス発生器の
各々は、メモリ・アレイのアドレス入力に結合された出
力及びデータ入力を持っていて、メモリ・アレイに印加
されるメモリ・アドレスを計数する2進カウンタ、及び
該2進カウンタのデータ入力に結合された出力を持って
いて、2進カウンタのカウントを開始させる初期ランダ
ムアクセス・メモリ・アドレスを供給する直列ロード形
アドレス・バッファ・レジスタで構成されている集積メ
モリ回路。
(10) In an integrated memory circuit capable of serial access and limited random access and storing and supplying a data stream, a random memory having an address input, a data input port and a data output port. An access memory array;
A first data buffer having a data port coupled to the data input port of the array for synchronizing operation of the memory array with the stored data stream; and a first data buffer coupled to the data output port of the memory array. A second data buffer having a data port for synchronizing operation of the memory array with the supplied data stream, and a first address generator for storing the data stream stored in the memory array. A second address generator generates an address used to write the
First and second address generators for generating addresses used to read the data stream provided by the array, each of the first and second address generators having a memory A binary counter for counting memory addresses applied to the memory array having an output coupled to an address input of the array and having an output coupled to a data input of the binary counter. An integrated memory circuit comprising a serially loaded address buffer register for providing an initial random access memory address that causes the binary counter to start counting.

【0067】(11) (10)項に記載した集積メモ
リ回路に於いて、前記第1及び第2のアドレス発生器の
各々が、更に、出力を持っていて、アドレス・オフセッ
ト・データを記憶するアドレス・オフセット・レジスタ
と、第1の入力がアドレス・バッファ・レジスタの出力
に結合され、第2の入力がアドレス・オフセット・レジ
スタの出力に結合され、出力がアドレス・バッファ・レ
ジスタのデータ入力に結合されていて、それまでのラン
ダムアクセス・アドレスとアドレス・オフセット・デー
タの和をアドレス・バッファ・レジスタに供給する加算
器とを有する集積メモリ回路。
(11) In the integrated memory circuit as described in the item (10), each of the first and second address generators further has an output and stores the address offset data. An address offset register, a first input coupled to the output of the address buffer register, a second input coupled to the output of the address offset register, and an output coupled to the data input of the address buffer register An integrated memory circuit having an adder coupled and providing a sum of a previous random access address and address offset data to an address buffer register.

【0068】(12) (10)項に記載した集積メモ
リ回路に於いて、第1及び第2のアドレス発生器の各々
が、2進カウンタのデータ入力に結合された出力を持っ
ていて、2進カウンタが計数する交代的な初期ランダム
アクセス・メモリ・アドレスを供給する交代的なアドレ
ス・バッファ・レジスタを有する集積メモリ回路。
(12) In the integrated memory circuit as described in (10), each of the first and second address generators has an output coupled to a data input of a binary counter, and An integrated memory circuit having an alternate address buffer register for providing an alternate initial random access memory address counted by a hexadecimal counter.

【0069】(13) ランダムアクセス・メモリ・ア
レイを用いてデータ・メモリを記憶及び供給する方法に
於いて、前記メモリ・アレイの動作に対して非同期的に
記憶され且つ供給されるデータ・ストリームが発生する
様に、データ・ストリームをメモリ・アレイに、並びに
データ・ストリームをメモリ・アレイからバッファ作用
によって出し入れし、ランダムアクセス・アドレスを発
生し、該ランダムアクセス・アドレスによって初期設定
された一続きのアドレスを発生し、該アドレスがランダ
ムアクセス・メモリ・アレイに相次いで印加される工程
を含む方法。
(13) In a method of storing and supplying data memory using a random access memory array, the data stream stored and supplied asynchronously with respect to the operation of the memory array is provided. Buffering a data stream into and out of the memory array as it occurs, generating a random access address, and a series of bits initialized by the random access address. Generating an address, said address being sequentially applied to a random access memory array.

【0070】(14) (13)項に記載した方法に於
いて、ランダムアクセス・アドレスを発生する工程が、
レジスタにランダムアクセス・アドレスを直列ロードす
る工程を含む方法。
(14) In the method described in the above mode (13), the step of generating a random access address includes:
A method comprising serial loading a random access address into a register.

【0071】(15) (13)項に記載した方法に於
いて、一続きを発生する工程が、ランダムアクセス・メ
モリ・アレイに相次いで印加されるアドレスを発生する
為に、データ・ストリーム内の相次ぐデータ項目を計数
する工程を含む方法。
(15) In the method described in (13), the step of generating a sequence includes generating an address to be successively applied to the random access memory array, thereby generating an address to be sequentially applied to the random access memory array. A method comprising counting successive data items.

【0072】(16) (13)項に記載した方法に於
いて、一続きを発生する工程が、アレイに記憶されるデ
ータ・ストリームを書込む為のアドレスを発生し、更
に、メモリ・アレイから供給するデータ・ストリームを
読取る為にランダムアクセス・メモリ・アレイに相次い
で印加される2番目の一続きのアドレスを発生し、該2
番目の一続きを発生する工程に、相次いで印加される一
続きのアドレスの初期設定をするランダムアクセス・ア
ドレスを供給する工程を含む方法。
(16) In the method described in (13), the step of generating a sequence includes generating an address for writing a data stream stored in the array, and further generating the address from the memory array. Generating a second series of addresses that are applied sequentially to the random access memory array to read the data stream to be supplied;
The method of generating a series of steps further comprising: providing a random access address for initializing a series of sequentially applied addresses.

【0073】(17) (13)項に記載した方法に於
いて、アドレス・オフセット値を供給し、該アドレス・
オフセット値をランダムアクセス・アドレスに加算して
第2のランダムアクセス・アドレスを発生する工程を含
む方法。
(17) In the method described in (13), the address offset value is supplied, and the address
Adding an offset value to the random access address to generate a second random access address.

【0074】(18) (13)項に記載した方法に於
いて、前記一続きを発生する工程に対し、相次いで印加
される2番面の一続きのアドレスの初期設定をする第2
のランダムアクセス・アドレスを供給する工程を含む方
法。
(18) In the method described in the item (13), a second address for initializing a series of addresses of the second face to be successively applied to the step of generating the series.
Providing a random access address for the device.

【0075】(19) (13)項に記載した方法に於
いて、一続きを発生する工程が、インクレメント・ステ
ップ値を供給し、該インクレメント・ステップ値を、前
記一続きのアドレスからの現在のアドレスと加算して、
前記一続きのアドレス中の次のアドレスを発生する工程
を含む方法。
(19) In the method described in (13), the step of generating a sequence includes providing an increment step value, and incrementing the increment step value from the address sequence. Add to the current address,
Generating a next address in said series of addresses.

【0076】(20) メモリ回路14がビデオ・フレ
ーム・メモリとして作用することができる様に特に構成
された特徴を持つメモリ回路14を説明した。メモリ回
路14は、ダイナミック・ランダムアクセス・メモリ・
アレイ24を持ち、その入力及び出力データ・ポート2
2にバッファ18,20があって、メモリ・アレイ24
に対する非同期的な読取、書込み及びリフレッシュのア
クセスができる様にする。メモリ回路14は直列にも、
ランダムにもアクセスされる。アドレス発生器28がア
ドレス・バッファ・レジスタ36を持っていて、これが
ランダムアクセス・アドレスに記憶すると共に、アドレ
ス・シーケンサ40を持ち、これがメモリ・アレイ24
に対するアドレスのストリームを供給する。アドレスの
ストリームに対する初期アドレスは、アドレス・バッフ
ァ・レジスタ36に記憶されているランダムアクセス・
アドレスである。
(20) A description has been given of a memory circuit 14 having features specially configured so that the memory circuit 14 can act as a video frame memory. The memory circuit 14 includes a dynamic random access memory
Having an array 24 and its input and output data ports 2
2 have buffers 18 and 20 and a memory array 24
Allows asynchronous read, write and refresh access to The memory circuit 14 can also be connected in series,
Also accessed randomly. The address generator 28 has an address buffer register 36, which stores the random access address, and has an address sequencer 40, which stores the memory array 24.
To provide a stream of addresses for The initial address for the stream of addresses is the random access address stored in the address buffer register 36.
Address.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明を使うことができるビデオ表示スクリ
ーンのフレームを示す略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a frame of a video display screen in which the present invention can be used.

【図2】この発明に従って構成されたメモリ回路のブロ
ック図である。
FIG. 2 is a block diagram of a memory circuit configured according to the present invention.

【図3】この発明による第1の別の実施例のメモリ回路
のアドレス発生器の部分のブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram of a part of an address generator of a memory circuit according to a first different embodiment of the present invention;

【図4】この発明の第2の別の実施例のメモリ回路のア
ドレス発生器の部分のブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram of a part of an address generator of a memory circuit according to a second different embodiment of the present invention;

【図5】この発明によるメモリ回路のアドレス発生器の
部分で利用するアドレス・シーケンサのブロック図であ
る。
FIG. 5 is a block diagram of an address sequencer used in an address generator of a memory circuit according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

16a データ入力 18a 直列ラッチ 20a レジスタ 24 メモリ・アレイ 36a アドレス・バッファ・レジスタ 40a アドレス・シーケンサ 16a Data input 18a Serial latch 20a Register 24 Memory array 36a Address buffer register 40a Address sequencer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 5/00 550 H04N 5/907 B H04N 5/907 G06F 15/64 450C (72)発明者 ジョン ビクター モラベック アメリカ合衆国イリノイ州ウィロウ スプ リングス,ヒンリッカー ドライブ 212 (72)発明者 ジャン − ピエール ドレイ フランス国ビレヌーブ − ロウベ,ドメ イン デ サン アンドリュー,18──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09G 5/00 550 H04N 5/907 B H04N 5/907 G06F 15/64 450C (72) Inventor John Victor Moravec Hinlicker Drive, Willow Springs, Illinois, USA 212 (72) Inventor Jean-Pierre Dray Villeneuve-Loubet, France, Domaine de Saint Andrew, 18

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ダイナミックランダムアクセスメモリデ
バイスであって、 A.シングルチップ集積回路と、 B.該チップ上に形成されたダイナミックランダムアク
セスメモリアレイであって、該アレイは、並列データ信
号を前記アレイに運ぶ複数のアレイ・データリードと、
並列アドレス信号を前記アレイに運ぶ複数の並列アレイ
・アドレスリードと、を含み、1つのデータ信号は1つ
のデータビットを表し、1つのアドレス信号は1つのア
ドレスビットを表し、前記アレイは、複数のアドレス可
能な位置に構成されていて、各位置が複数のデータビッ
トからなる1つのデータ語を含み、かつ各位置が、前記
アレイ・データリードからのデータビットの1つの語を
各アドレスされた位置に書き込むため前記アドレス信号
によりランダムにアドレス可能である、前記ダイナミッ
クランダムアクセスメモリアレイと、 C.前記チップ上に形成されており、クロック信号を受
けるクロック信号端子と、 D.前記チップ上に形成されたアドレス発生器であっ
て、該アドレス発生器は、前記チップの外部からの並列
アドレス信号を受け取る所定数のアドレス端子を含み、
前記並列アドレス信号は時間的に分離した複数のグルー
プで発生し、かつ前記クロック信号端子がクロック信号
を受け取るときに受け取られ、前記並列アドレス信号は
前記アレイ内のランダムな位置のアドレスを示し、前記
アドレス発生器は、前記所定数のアドレス端子の数に等
しいアドレスビットを各々ラッチするレジスタを含む、
前記アドレス発生器と、 E.前記レジスタと前記アレイ・アドレスリードとの間
に結合され、かつ前記クロック信号端子に結合されたア
ドレスシーケンサであって、該アドレスシーケンサは、
前記レジスタからのアドレス信号を受け、前記アレイ内
のアドレス可能な位置をアクセスするために前記アレイ
・アドレスリードにアドレス信号を供給し、前記レジス
タから受けた前記アレイ内のランダムな位置のアドレス
から開始するアドレスを通して連続したアドレスを発生
する、前記アドレスシーケンサと、 F.前記チップ上に形成されており、かつ前記アレイ・
データリードおよび前記クロック信号端子と接続するデ
ータポートであって、.並列データ信号を前記クロック
信号と同期して受ける複数のデータ端子であって、各組
の並列データ信号は1つのデータ語を表す、前記複数の
データ端子と、.前記データ端子と前記アレイ・データ
リードとの間に直列に接続された書き込み直列ラッチで
あって、該書き込み直列ラッチは、前記クロック信号と
同期して前記データ端子で受けた前記データ語信号を直
列にラッチし、該受け取られたデータ信号を前記アレイ
・データリードに搬送し、前記受け取られたアドレス信
号によって示されるランダムな位置にデータ信号を書き
込む、前記書き込み直列ラッチと、を含む、前記のデー
タポートと、 G.前記複数のアドレス端子と前記アドレスシーケンサ
とに接続された制御データバッファであって、前記アド
レスシーケンサから発生される前記アドレスを制御する
ため前記アドレス端子からアドレス制御データ信号を受
ける、前記制御データバッファと、から成るダイナミッ
クランダムアクセスメモリデバイス。
1. A dynamic random access memory device, comprising: B. a single-chip integrated circuit; A dynamic random access memory array formed on the chip, the array comprising a plurality of array data leads carrying parallel data signals to the array;
A plurality of parallel array address reads carrying a parallel address signal to the array, wherein one data signal represents one data bit, one address signal represents one address bit, and the array comprises a plurality of Each address location comprising a data word comprising a plurality of data bits, each location comprising one word of data bits from the array data read; B. said dynamic random access memory array being randomly addressable by said address signal to write to said memory array; D. a clock signal terminal formed on said chip for receiving a clock signal; An address generator formed on the chip, the address generator including a predetermined number of address terminals for receiving a parallel address signal from outside the chip,
The parallel address signal occurs in a plurality of groups separated in time and is received when the clock signal terminal receives a clock signal, the parallel address signal indicating an address of a random location in the array; The address generator includes registers that each latch address bits equal to the number of the predetermined number of address terminals,
E. said address generator; An address sequencer coupled between the register and the array address read and coupled to the clock signal terminal, the address sequencer comprising:
Receiving an address signal from the register and supplying an address signal to the array address read to access an addressable location in the array, starting from an address at a random location in the array received from the register B. said address sequencer for generating a continuous address through the address to be addressed; The array, formed on the chip;
A data port connected to a data lead and the clock signal terminal; A plurality of data terminals for receiving a parallel data signal in synchronization with the clock signal, wherein each set of parallel data signals represents one data word; A write serial latch connected in series between the data terminal and the array data read, the write serial latch serially receives the data word signal received at the data terminal in synchronization with the clock signal; Latching the received data signal to the array data read and writing a data signal to a random location indicated by the received address signal; and a write serial latch. A port; A control data buffer connected to the plurality of address terminals and the address sequencer, the control data buffer receiving an address control data signal from the address terminal to control the address generated from the address sequencer; , Consisting of a dynamic random access memory device.
【請求項2】 前記制御データバッファは、アドレス発
生器で受け取られたアドレスに加えられるべきアドレス
オフセット値を受け取るアドレスオフセットバッファを
含む、請求項1記載のメモリデバイス。
2. The memory device of claim 1, wherein said control data buffer includes an address offset buffer for receiving an address offset value to be added to an address received at an address generator.
【請求項3】 前記制御データバッファは、アドレスシ
ーケンサから次のアドレスを得るためアドレスシーケン
サによって生成された前のアドレスに加えられるべき増
加ステップ値を受け取るレジスタを含む請求項1記載の
メモリデバイス。
3. The memory device of claim 1, wherein the control data buffer includes a register for receiving an increment step value to be added to a previous address generated by the address sequencer to obtain a next address from the address sequencer.
【請求項4】 ダイナミックランダムアクセスメモリデ
バイスであって、 A.シングルチップ集積回路と、 B.該チップ上に形成されたダイナミックランダムアク
セスメモリアレイであって、該アレイは、並列データ信
号を前記アレイとの間で運ぶ複数のアレイ・データリー
ドと、並列アドレス信号を前記アレイに運ぶ複数の並列
アレイ・アドレスリードとを含み、1つのデータ信号は
1つのデータビットを表し、1つのアドレス信号は1つ
のアドレスビットを表し、前記アレイは、複数のアドレ
ス可能な位置に構成されていて、各位置が複数のデータ
ビットからなる1つのデータ語を含み、かつ各位置が、
前記アレイ・データリードからのデータビットの1つの
語を各アドレスされた位置に読み書きするため前記アド
レス信号によりランダムにアドレス可能である、前記ダ
イナミックランダムアクセスメモリアレイと、 C.前記チップ上に形成されており、第1のクロック信
号を受ける第1のクロック信号端子と、 D.前記チップ上に形成されており、第2のクロック信
号を受ける第2のクロック信号端子と、 E.前記チップ上に形成されたアドレス発生器であっ
て、該アドレス発生器は、前記チップの外部からの並列
アドレス信号を受け取る所定数のアドレス端子を含み、
前記並列アドレス信号は時間的に分離した複数のグルー
プで発生し、かつ前記第1および第2のクロック信号端
子が第1および第2のクロック信号を受け取る間に受け
取られ、前記アドレス端子は前記アレイ・アドレスリー
ドに結合されており、前記並列アドレス信号は前記アレ
イ内のランダムな位置のアドレスを示す、前記アドレス
発生器と、 F.前記チップ上に形成されており並列データ信号を送
受する複数のデータ端子であって、各組の並列データ信
号は1つのデータ語を表す、前記複数のデータ端子と、 G.前記チップ上に形成されており、かつ前記複数のデ
ータ端子を前記アレイ・データリードに結合する入力デ
ータポートであって、前記アドレス信号が示すランダム
な位置で前記アレイに前記データ信号を書き込むため、
前記第1のクロック信号と同期して前記並列データ信号
を受け取る、前記入力データポートと、 H.前記チップ上に形成されており、かつ前記アレイ・
データリードを前記複数のデータ端子に結合する出力デ
ータポートであって、前記アドレス信号が示すランダム
な位置で前記アレイから前記データ信号を読み出すた
め、前記第2のクロック信号と同期して前記並列データ
信号を送る、前記出力データポート。
4. A dynamic random access memory device, comprising: B. a single-chip integrated circuit; A dynamic random access memory array formed on the chip, the array comprising a plurality of array data leads carrying parallel data signals to and from the array, and a plurality of parallel data leads carrying parallel address signals to the array. An array address read, wherein one data signal represents one data bit, one address signal represents one address bit, and the array is configured at a plurality of addressable locations, each location comprising: Contains one data word consisting of a plurality of data bits, and each location has
B. said dynamic random access memory array being randomly addressable by said address signal to read and write one word of data bits from said array data read to each addressed location; D. a first clock signal terminal formed on said chip and receiving a first clock signal; B. a second clock signal terminal formed on said chip for receiving a second clock signal; An address generator formed on the chip, the address generator including a predetermined number of address terminals for receiving a parallel address signal from outside the chip,
The parallel address signals occur in a plurality of temporally separated groups, and are received while the first and second clock signal terminals receive first and second clock signals, wherein the address terminals comprise the array. B. said address generator coupled to an address read, said parallel address signal indicating an address of a random location in said array; G. a plurality of data terminals formed on said chip for transmitting and receiving parallel data signals, wherein each set of parallel data signals represents one data word; An input data port formed on the chip, and coupling the plurality of data terminals to the array data lead, for writing the data signal to the array at random locations indicated by the address signal;
H. said input data port receiving said parallel data signal in synchronization with said first clock signal; The array, formed on the chip;
An output data port for coupling a data read to the plurality of data terminals, wherein the data signal is read from the array at a random position indicated by the address signal, so that the parallel data is synchronized with the second clock signal. The output data port for sending a signal.
【請求項5】 データ転送システムであって、 A.アドレス発生器を含むプロセッサであって、前記ア
ドレス発生器は、並列アドレス信号を該プロセッサの外
部に送る所定数のアドレス端子を含み、前記並列アドレ
ス信号は、時間的に分離した複数のグループにおいて発
生し、前記並列アドレス信号は、メモリ内のランダムな
位置のアドレスを示す、前記プロセッサと、 B.ダイナミックランダムアクセスメモリデバイスと、
を備え、前記ダイナミックランダムアクセスメモリデバ
イスは、 .シングルチップ集積回路と、 .該チップ上に形成されたダイナミックランダムアクセ
スメモリアレイであって、該アレイは、並列データ信号
を前記アレイに運ぶ複数のアレイ・データリードと、並
列アドレス信号を前記アレイに運ぶ複数のアレイ・アド
レスリードとを含み、1つのデータ信号は1つのデータ
ビットを表し、1つのアドレス信号は1つのアドレスビ
ットを表し、前記アレイは、複数のアドレス可能な位置
に構成されていて、各位置が複数のデータビットからな
る1つのデータ語を含み、かつ各位置が、前記アレイ・
データリードからのデータビットの1つの語を各アドレ
スされた位置に書き込むため前記アドレス信号によりラ
ンダムにアドレス可能である、前記ダイナミックランダ
ムアクセスメモリアレイと、 .前記チップ上に形成されており、クロック信号を受け
るクロック信号端子と、 .前記チップ上に形成されたアドレス発生器であって、
該アドレス発生器は、前記プロセッサの前記所定数のア
ドレス端子に結合されており、かつ前記プロセッサから
並列アドレス信号を受け取る所定数のアドレス端子を含
み、前記並列アドレス信号は時間的に分離した複数のグ
ループで発生し、かつ前記クロック信号端子がクロック
信号を受け取るときに受け取られ、前記並列アドレス信
号は前記アレイ内のランダムな位置のアドレスを示し、
前記アドレス発生器は、前記所定数のアドレス端子の数
に等しいアドレスビットを各々ラッチするレジスタを含
む、前記アドレス発生器と、 .前記レジスタと前記アレイ・アドレスリードとの間に
結合され、かつ前記クロック信号端子に結合されたアド
レスシーケンサであって、該アドレスシーケンサは、前
記レジスタからのアドレス信号を受け、前記アレイ内の
アドレス可能な位置をアクセスするために前記アレイ・
アドレスリードにアドレス信号を供給し、前記レジスタ
から受けた前記アレイ内のランダムな位置のアドレスか
ら開始するアドレスを通して連続したアドレスを発生す
る、前記アドレスシーケンサと、 .前記チップ上に形成されており、かつ前記アレイ・デ
ータリードおよび前記クロック信号端子と接続するデー
タポートであって、 a.並列データ信号を前記クロック信号と同期して受け
る複数のデータ端子であって、各組の並列データ信号は
1つのデータ語を表す、前記複数のデータ端子と、 b.前記データ端子と前記アレイ・データリードとの間
に直列に接続された書き込み直列ラッチであって、該書
き込み直列ラッチは、前記クロック信号と同期して前記
データ端子で受けた前記データ語信号を直列にラッチ
し、該受け取られたデータ信号を前記アレイ・データリ
ードに搬送し、前記受け取られたアドレス信号によって
示されるランダムな位置にデータ信号を書き込む、前記
書き込み直列ラッチと、を含む、前記のデータポート
と、から成るデータ転送システム。
5. A data transfer system, comprising: A processor including an address generator, the address generator including a predetermined number of address terminals for sending a parallel address signal outside the processor, wherein the parallel address signal is generated in a plurality of temporally separated groups. B. said processor, wherein said parallel address signal indicates an address of a random location in memory; A dynamic random access memory device;
Wherein the dynamic random access memory device comprises: A single-chip integrated circuit; A dynamic random access memory array formed on the chip, the array comprising a plurality of array data leads carrying parallel data signals to the array and a plurality of array address leads carrying parallel address signals to the array. Wherein one data signal represents one data bit, one address signal represents one address bit, and the array is configured at a plurality of addressable locations, each location comprising a plurality of data bits. A data word consisting of bits and each location is
Said dynamic random access memory array being randomly addressable by said address signal to write one word of data bits from a data read to each addressed location; A clock signal terminal formed on the chip for receiving a clock signal; An address generator formed on the chip,
The address generator is coupled to the predetermined number of address terminals of the processor and includes a predetermined number of address terminals for receiving a parallel address signal from the processor, wherein the parallel address signal is a plurality of temporally separated signals. Occurring in a group and received when the clock signal terminal receives a clock signal, wherein the parallel address signal indicates an address of a random location in the array;
The address generator including registers that each latch address bits equal to the number of the predetermined number of address terminals; An address sequencer coupled between the register and the array address read and coupled to the clock signal terminal, the address sequencer receiving an address signal from the register and addressable in the array. Array to access different locations
Said address sequencer providing an address signal to an address read and generating a continuous address through addresses starting from an address at a random position in said array received from said register; A data port formed on the chip and connected to the array data lead and the clock signal terminal, a. A plurality of data terminals for receiving a parallel data signal in synchronization with the clock signal, wherein each set of parallel data signals represents one data word; b. A write serial latch connected in series between the data terminal and the array data read, the write serial latch serially receives the data word signal received at the data terminal in synchronization with the clock signal; Latching the received data signal to the array data read and writing a data signal to a random location indicated by the received address signal; and a write serial latch. A data transfer system comprising: a port;
【請求項6】 データシステムであって、 A.ダイナミックランダムアクセスメモリデバイスであ
って、 .シングルチップ集積回路と、 .該チップ上に形成されたダイナミックランダムアクセ
スメモリアレイであって、該アレイは、並列データ信号
を前記アレイに運ぶ複数のアレイ・データリードと、並
列アドレス信号を前記アレイに運ぶ複数の並列アレイ・
アドレスリードとを含み、1つのデータ信号は1つのデ
ータビットを表し、1つのアドレス信号は1つのアドレ
スビットを表し、前記アレイは、複数のアドレス可能な
位置に構成されていて、各位置が複数のデータビットか
らなる1つのデータ語を含み、かつ各位置が、前記アレ
イ・データリードからのデータビットの1つの語を各ア
ドレスされた位置に書き込むため前記アドレス信号によ
りランダムにアドレス可能である、前記ダイナミックラ
ンダムアクセスメモリアレイと、 .前記チップ上に形成されており、クロック信号を受け
るクロック信号端子と、 .前記チップ上に形成されたアドレス発生器であって、
該アドレス発生器は、前記チップの外部からの並列アド
レス信号を受け取る所定数のアドレス端子を含み、前記
並列アドレス信号は、前記クロック信号端子がクロック
信号を受け取るときに受け取られ、前記並列アドレス信
号は前記アレイ内のランダムな位置のアドレスを示す、
前記アドレス発生器と、 .前記アドレス発生器と前記アレイ・アドレスリードと
の間に結合され、かつ前記クロック信号端子に結合され
たアドレスシーケンサであって、該アドレスシーケンサ
は、前記レジスタからのアドレス信号を受け、前記アレ
イ内のアドレス可能な位置をアクセスするために前記ア
レイ・アドレスリードにアドレス信号を供給し、前記ア
ドレス発生器から受けた前記アレイ内のランダムな位置
のアドレスから開始するアドレスを通して連続してアド
レスを発生する、前記アドレスシーケンサと、 .前記チップ上に形成されており、かつ前記アレイ・デ
ータリードおよび前記クロック信号端子と接続するデー
タポートであって、 a.並列データ信号を前記クロック信号と同期して受け
る複数のデータ端子であって、各組の並列データ信号は
1つのデータ語を表す、前記複数のデータ端子と、 b.前記データ端子と前記アレイ・データリードとの間
に直列に接続された書き込み直列ラッチであって、該書
き込み直列ラッチは、前記クロック信号と同期して前記
データ端子で受けた前記データ語信号を直列にラッチ
し、該受け取られたデータ信号を前記アレイ・データリ
ードに搬送し、前記受け取られたアドレス信号によって
示されるランダムな位置にデータ信号を書き込む、前記
書き込み直列ラッチとを含む、前記のデータポートと、 .前記所定数のアドレス端子と前記アドレスシーケンサ
とに接続された制御データバッファであって、前記アド
レスシーケンサから発生される前記アドレスを制御する
ため前記アドレス端子からアドレス制御データ信号を受
け取る、前記制御データバッファと、を含む、前記ダイ
ナミックランダムアクセスメモリデバイスと、 B.アドレス発生器を含むプロセッサであって、前記ア
ドレス発生器は、並列アドレス信号を該プロセッサの外
部に送る所定数のアドレス端子を含み、前記並列アドレ
ス信号は、時間的に分離した複数のグループにおいて発
生し、前記並列アドレス信号は、メモリ内のランダムな
位置のアドレスを示す、前記プロセッサは、前記アドレ
スシーケンサから発生される前記アドレスを制御するた
めのアドレス制御データ信号を前記メモリデバイスのア
ドレス端子に送る、前記プロセッサと、から成るデータ
システム。
6. A data system, comprising: A dynamic random access memory device, comprising: A single-chip integrated circuit; A dynamic random access memory array formed on the chip, the array comprising a plurality of array data leads carrying parallel data signals to the array, and a plurality of parallel arrays carrying parallel address signals to the array.
An address read, one data signal represents one data bit, one address signal represents one address bit, and the array is configured at a plurality of addressable locations, each location comprising a plurality of addressable locations. And each location is randomly addressable by said address signal to write one word of data bits from said array data read to each addressed location. Said dynamic random access memory array; A clock signal terminal formed on the chip for receiving a clock signal; An address generator formed on the chip,
The address generator includes a predetermined number of address terminals for receiving a parallel address signal from outside the chip, wherein the parallel address signal is received when the clock signal terminal receives a clock signal, and wherein the parallel address signal is Indicating the address of a random location in the array,
Said address generator; An address sequencer coupled between the address generator and the array address read and coupled to the clock signal terminal, the address sequencer receiving an address signal from the register and Supplying an address signal to the array address read to access an addressable location, and generating addresses sequentially through addresses starting from random addresses in the array received from the address generator; Said address sequencer; A data port formed on the chip and connected to the array data lead and the clock signal terminal, a. A plurality of data terminals receiving a parallel data signal in synchronization with the clock signal, wherein each set of parallel data signals represents one data word; b. A write serial latch connected in series between the data terminal and the array data read, wherein the write serial latch serially receives the data word signal received at the data terminal in synchronization with the clock signal; Latching the received data signal to the array data read and writing the data signal to a random location indicated by the received address signal; and a write serial latch. When, . A control data buffer connected to the predetermined number of address terminals and the address sequencer, the control data buffer receiving an address control data signal from the address terminals to control the address generated from the address sequencer; B. said dynamic random access memory device, comprising: B. A processor including an address generator, the address generator including a predetermined number of address terminals for sending a parallel address signal outside the processor, wherein the parallel address signal is generated in a plurality of temporally separated groups. The parallel address signal indicates an address of a random position in a memory, and the processor sends an address control data signal for controlling the address generated from the address sequencer to an address terminal of the memory device. , A data system comprising: the processor;
【請求項7】 データストリームを転送する転送システ
ムであって、 A.メモリデバイスであって、 .複数のアドレス可能な位置の各々に1つのデータ語を
記憶するランダムアクセスメモリアレイと、 .前記データストリームを導く多数のデータ端子を有す
るデータポートであって、前記データ端子は、データバ
ッファに結合して、前記データストリームが前記メモリ
アレイの動作とは非同期に発生するようにし、前記デー
タバッファは前記データを前記メモリアレイに結合す
る、前記データポートと、 .前記多数のデータ端子よりも少ない数の多数のアドレ
ス端子を有するアドレス発生器であって、前記多数のア
ドレス端子は、最初のランダムアクセスアドレスを含む
アドレス制御データを受け取るアドレスシーケンサに結
合し、前記アドレスシーケンサは、前記メモリアレイと
の間でデータを転送するため、前記最初のランダムアク
セスアドレスで始まる一連のアドレスを前記メモリアレ
イに結合する、前記アドレス発生器と、を含む前記メモ
リデバイスと、 B.前記アドレス制御データを前記メモリデバイスに供
給するプロセッサと、 C.前記多数のアドレス端子と等しい数の多数の導体で
あって、前記プロセッサからの前記アドレス制御データ
を前記メモリデバイスに結合し、かつ前記アドレス端子
に接続した、前記多数の導体と、から成る転送システ
ム。
7. A transfer system for transferring a data stream, comprising: A memory device, comprising: A random access memory array storing one data word in each of a plurality of addressable locations; A data port having a plurality of data terminals for directing the data stream, wherein the data terminal is coupled to a data buffer such that the data stream occurs asynchronously with the operation of the memory array; Coupling said data to said memory array; said data port; An address generator having a number of address terminals less than the number of data terminals, the number of address terminals coupled to an address sequencer for receiving address control data including a first random access address; A. A sequencer for coupling data to the memory array for transferring data to and from the memory array, the sequence of addresses beginning with the first random access address to the memory array; and b. B. a processor for supplying said address control data to said memory device; A number of conductors equal to the number of address terminals, the plurality of conductors coupling the address control data from the processor to the memory device and connected to the address terminals. .
【請求項8】 アドレス発生器は、アドレスシーケンサ
が一連のアドレスをメモリアレイに結合する間に、新し
い開始ランダムアクセスアドレスの形態でアドレス制御
データを受け取る別のアドレスバッファレジスタを有す
る、請求項7記載のシステム。
8. The address generator according to claim 7, wherein the address generator has another address buffer register for receiving address control data in the form of a new starting random access address while the address sequencer combines the series of addresses into the memory array. System.
【請求項9】 アドレス発生器は、アドレスシーケンサ
が一連のアドレスをメモリアレイに結合する間に、一連
のアドレス生成するアドレスオフセットステップの形態
でアドレス制御データを受け取るアドレスオフセットレ
ジスタを有する、請求項7記載のシステム。
9. The address generator according to claim 7, wherein the address generator has an address offset register for receiving address control data in the form of a series of address generating address offset steps while the address sequencer couples the series of addresses to the memory array. The described system.
【請求項10】 チップ上に形成されたダイナミックラ
ンダムアクセスメモリアレイにデータを同期して書き込
みを行う方法であって、該アレイは、並列データ信号を
前記アレイに運ぶ複数のアレイ・データリードと、並列
アドレス信号を前記アレイに運ぶ複数の並列アレイ・ア
ドレスリードとを含み、1つのデータ信号は1つのデー
タビットを表し、1つのアドレス信号は1つのアドレス
ビットを表し、前記アレイは、複数のアドレス可能な位
置に構成されていて、各位置が複数のデータビットから
なる1つのデータ語を含み、かつ各位置が、前記アレイ
・データリードからのデータビットの1つの語を各アド
レスされた位置に書き込むため前記アドレス信号により
ランダムにアドレス可能である、前記書き込み方法にお
いて、 A.クロック信号を前記チップに与えるステップと、 B.前記チップ上のアドレス端子に対し、並列アドレス
信号を時間的に分離した複数のグループでかつ前記クロ
ック信号をチップに与えるときに与えて、前記アレイ内
のランダムな1つの位置をアドレスするステップと、 C.各グループの並列アドレス信号を、これらが前記チ
ップに与えられたときにラッチするステップと、 D.前記並列データ信号を前記クロック信号と同期して
前記データ端子に与えるステップであって、各組の並列
データ信号は1つのデータ語を表す、前記ステップと、 E.前記並列データ信号を前記アレイデータリードの運
ぶステップと、 F.前記アレイ内のランダムな位置をアドレスする前記
ラッチされたアドレス信号から始まるアドレス信号のシ
ーケンスを発生するステップと、 G.前記アドレス信号シーケンスを前記アレイアドレス
リードに与えて、前記データ信号が書き込まれるべき前
記アレイ内の位置をアドレスするステップと、を有する
書き込み方法。
10. A method for synchronously writing data to a dynamic random access memory array formed on a chip, the array comprising: a plurality of array data reads carrying parallel data signals to the array; A plurality of parallel array address reads carrying a parallel address signal to the array, one data signal representing one data bit, one address signal representing one address bit, and the array comprising a plurality of addresses. Configured at possible locations, each location including one data word of a plurality of data bits, and each location including one word of data bits from the array data read at each addressed location. The method of writing, wherein the address is randomly addressable by the address signal for writing. Applying a clock signal to said chip; Providing a plurality of groups of time-separated parallel address signals to the address terminals on the chip and applying the clock signal to the chip to address one random position in the array; C. L. latching the parallel address signals of each group when they are applied to said chip; Applying said parallel data signal to said data terminal in synchronization with said clock signal, wherein each set of parallel data signals represents one data word; Carrying said parallel data signal on said array data read; F. B. generating a sequence of address signals starting from said latched address signal addressing a random location in said array; Applying the address signal sequence to the array address read to address a location in the array where the data signal is to be written.
【請求項11】 ダイナミックランダムアクセスメモリ
アレイに対する書き込みを制御する書き込み制御方法で
あって、該アレイは、チップ上に形成されており、並列
データ信号を前記アレイに運ぶ複数のアレイ・データリ
ードと、並列アドレス信号を前記アレイに運ぶ複数の並
列アレイ・アドレスリードとを含み、1つのデータ信号
は1つのデータビットを表し、1つのアドレス信号は1
つのアドレスビットを表し、前記アレイは、複数のアド
レス可能な位置に構成されていて、各位置が複数のデー
タビットからなる1つのデータ語を含み、かつ各位置
が、前記アレイ・データリードからのデータビットの1
つの語を各アドレスされた位置に書き込むため前記アド
レス信号によりランダムにアドレス可能である、前記書
き込み制御方法において、 A.クロック信号を前記チップに与えるステップと、 B.前記チップ上のアドレス端子に対し、並列アドレス
信号を時間的に分離した複数のグループでかつ前記クロ
ック信号をチップに与えるときに与えて、前記アレイ内
のランダムな1つの位置をアドレスするステップと、 C.各グループの並列アドレス信号を、これらが前記チ
ップに与えられたときにラッチするステップと、 D.前記アレイ内のランダムな位置をアドレスする前記
ラッチされたアドレス信号から始まるアドレス信号シー
ケンスを発生するステップと、 E.前記チップ上の前記アドレス端子に対しアドレス制
御データ信号を与えるステップであって、前記アドレス
制御データは、前記アレイ内のランダムな位置をアドレ
スする前記ラッチされたアドレス信号から始まるアドレ
スを制御する、ステップと、 F.前記アドレス信号シーケンスを前記アレイアドレス
リードに与えて、前記データ信号が書き込まれるべき前
記アレイ内の位置をアドレスするステップと、 G.前記チップ上のデータ端子からのデータを前記アレ
イデータリードに書き込むステップと、を有する書き込
み制御方法。
11. A write control method for controlling writing to a dynamic random access memory array, wherein the array is formed on a chip and includes a plurality of array data reads for carrying parallel data signals to the array. A plurality of parallel array address reads carrying parallel address signals to the array, wherein one data signal represents one data bit and one address signal is one.
Represents one address bit, wherein the array is arranged in a plurality of addressable locations, each location comprising a data word of a plurality of data bits, and each location comprising a data word from the array data read. Data bit 1
The write control method, wherein one word is randomly addressable by the address signal to write to each addressed location; Applying a clock signal to said chip; Providing a plurality of groups of time-separated parallel address signals to the address terminals on the chip and applying the clock signal to the chip to address one random position in the array; C. L. latching the parallel address signals of each group when they are applied to said chip; Generating an address signal sequence starting from said latched address signal addressing a random location in said array; Applying an address control data signal to the address terminals on the chip, the address control data controlling an address starting from the latched address signal addressing a random location in the array. And F. G. applying said address signal sequence to said array address read to address a location in said array where said data signal is to be written; Writing data from a data terminal on the chip to the array data read.
【請求項12】 ダイナミックランダムアクセスメモリ
デバイスを使用する使用方法であって、 A.複数のアレイデータリード上で、集積回路チップ上
に形成されたダイナミックランダムアクセスメモリのア
レイとの間で、複数の並列アレイデータ信号を運ぶステ
ップであって、1つのデータビットを1つのデータ信号
で飽和することを含む、前記ステップと、 B.並列アレイアドレスリード上で、並列アレイアドレ
ス信号を前記アレイに運ぶステップであって、1つのア
ドレスビットを1つのアドレス信号で表すことを含む、
前記ステップと、 C.複数のデータビットの1つのデータ語をアドレスす
る前記アレイアドレス信号で、前記アレイ内のランダム
な位置をランダムにアドレスするステップと、 D.データビットから成る1つの語を、前記アレイデー
タリードから各アドレスされたランダムな位置に書き込
むステップと、 E.データビットから成る1つの語を、各アドレスされ
たランダムな位置から前記アレイデータリードに読み出
すステップと、 F.第1のクロック信号を第1のクロック信号端子で受
け取るステップと、 G.第2のクロック信号を第2のクロック信号端子で受
け取るステップと、 H.前記第1および第2のクロック信号端子が第1およ
び第2のクロック信号を受けている間に、並列アドレス
信号を複数のアドレス端子で受け取るステップであっ
て、並列アドレス信号は、時間的に分離した複数のグル
ープで発生する、前記ステップと、 I.前記受け取られたアドレス信号を前記アレイアドレ
スリードに結合するステップであって、前記アレイ内の
ランダムな1つの位置のアドレスを前記受け取られたア
ドレス信号で示すことを含む、前記ステップと、 J.並列データ信号を複数のデータ端子で送受するステ
ップであって、各組の並列データ信号で1つのデータ語
を表すことを含む、前記ステップと、 K.前記複数のデータ端子を前記アレイデータリードと
結合するステップであって、 .前記並列データ信号を前記アレイに前記受け取られた
アドレス信号が示すランダムな位置で書き込むため、前
記第1のクロック信号と同期して前記並列データ信号を
受け取るステップと、 、前記並列データ信号を前記アレイから前記受け取られ
たアドレス信号が示すランダムな位置で読み出すため、
前記第2のクロック信号と同期して前記並列データ信号
を送るステップとを含む、前記ステップと、を有する使
用方法。
12. A method of using a dynamic random access memory device, comprising: Carrying a plurality of parallel array data signals between a plurality of array data leads and an array of dynamic random access memory formed on an integrated circuit chip, wherein one data bit is converted to one data signal. Said steps, including saturating; B. Conveying a parallel array address signal to said array on a parallel array address read, comprising representing one address bit with one address signal;
Said steps; C. D. randomly addressing a random location in the array with the array address signal addressing one data word of a plurality of data bits; Writing a word of data bits to each addressed random location from said array data read; Reading a word of data bits from each addressed random location into said array data read; F. G. receiving a first clock signal at a first clock signal terminal; B. receiving a second clock signal at a second clock signal terminal; Receiving a parallel address signal at a plurality of address terminals while the first and second clock signal terminals are receiving the first and second clock signals, wherein the parallel address signals are temporally separated. Said steps occurring in a plurality of said groups. Coupling said received address signal to said array address read, comprising indicating an address of a random location in said array with said received address signal; J. Transmitting and receiving parallel data signals at a plurality of data terminals, including representing one data word in each set of parallel data signals; K. Coupling said plurality of data terminals to said array data leads; Receiving the parallel data signal in synchronism with the first clock signal to write the parallel data signal to the array at a random location indicated by the received address signal; and To read at a random position indicated by the received address signal from
Sending the parallel data signal in synchronization with the second clock signal.
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