JP2000147195A - 陽電子線源及びその製造方法並びに陽電子線源自動供給装置 - Google Patents
陽電子線源及びその製造方法並びに陽電子線源自動供給装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高強度の陽電子ビームを発生することのでき
る陽電子線源及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｈ2 18Ｏと微量の天然フッ素イオンを含
む液体に荷電粒子線を照射して18Ｆを生成させ、炭素部
材４０を陽極としてその液体３５に通電することで、炭
素部材４０の表面に18Ｆを結合させて、陽電子線源を製
造する。
る陽電子線源及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｈ2 18Ｏと微量の天然フッ素イオンを含
む液体に荷電粒子線を照射して18Ｆを生成させ、炭素部
材４０を陽極としてその液体３５に通電することで、炭
素部材４０の表面に18Ｆを結合させて、陽電子線源を製
造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、陽電子ビームを高
強度で発生することのできる陽電子線源及びその製造方
法並びに陽電子線源自動供給装置に関する。
強度で発生することのできる陽電子線源及びその製造方
法並びに陽電子線源自動供給装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】低速陽電子ビームは、陽電子顕微鏡や物
性研究、半導体や金属材料の表面、界面の結晶欠陥評価
等に利用され、近年その利用は益々盛んになってきてい
る。現在、低速陽電子ビームは、陽電子放出体（ラジオ
アイソトープ）から放出されたり、制動放射からの対生
成で作られた陽電子をモデレータに入射させて減速する
ことで得ている。陽電子放出体を得るには、アルミニウ
ムや窒化ホウ素等の固体ターゲットをサイクロトロン等
で加速した陽子等の荷電粒子で照射し、固体ターゲット
中に生成させた陽電子放出体を使う方法が多くとられて
いる。また、制動放射を得るには、線形加速器等で加速
した電子線を重金属ターゲットに照射する。
性研究、半導体や金属材料の表面、界面の結晶欠陥評価
等に利用され、近年その利用は益々盛んになってきてい
る。現在、低速陽電子ビームは、陽電子放出体（ラジオ
アイソトープ）から放出されたり、制動放射からの対生
成で作られた陽電子をモデレータに入射させて減速する
ことで得ている。陽電子放出体を得るには、アルミニウ
ムや窒化ホウ素等の固体ターゲットをサイクロトロン等
で加速した陽子等の荷電粒子で照射し、固体ターゲット
中に生成させた陽電子放出体を使う方法が多くとられて
いる。また、制動放射を得るには、線形加速器等で加速
した電子線を重金属ターゲットに照射する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】陽電子ビームの利用に
あたっては、強度の大きな陽電子放出体の点線源が必要
である。陽電子ビームの強度を増大させる方法にはモデ
レータ効率の改善、強力な陽電子源の使用等の方法が考
えられる。現在のところ、モデレータとしてはタングス
テン箔を２０００℃でアニールしたものが用いられてい
るが、１０-4以上の効率は得られていない。モデレータ
の改善には多くの努力が払われているが飛躍的な実用上
の改善は望み薄なのが現状である。また、強力な陽電子
源のためには大規模で高価な装置を必要とする。
あたっては、強度の大きな陽電子放出体の点線源が必要
である。陽電子ビームの強度を増大させる方法にはモデ
レータ効率の改善、強力な陽電子源の使用等の方法が考
えられる。現在のところ、モデレータとしてはタングス
テン箔を２０００℃でアニールしたものが用いられてい
るが、１０-4以上の効率は得られていない。モデレータ
の改善には多くの努力が払われているが飛躍的な実用上
の改善は望み薄なのが現状である。また、強力な陽電子
源のためには大規模で高価な装置を必要とする。
【０００４】高強度陽電子源のための固体ターゲットを
用いる方法では、大電流照射における熱除去の問題が大
きい。また、固体ターゲットは、ターゲット内に生成さ
れた陽電子放出体から放出されたり、制動放射から対生
成される陽電子のモデレータへの入射効率を上げるため
にモデレータに近接して配置される。このようにモデレ
ータに近接した固体ターゲットに電子ビームやイオンビ
ームを照射すると、発生する陽電子以外の２次放射線に
よってモデレータが損傷を受けたり、放射化されるとい
う問題がある。モデレータから離れた照射位置で固体タ
ーゲットに放射線を照射し、そののちターゲットをモデ
レータの位置まで運んで固体ターゲット内に生成された
陽電子放出体から放出される陽電子をモデレータに入射
させることにより、ターゲット照射時の２次放射線の影
響を回避する方法も考えられるが、固体ターゲットには
照射による発熱を除去するための冷却装置などが付随し
ており、固体ターゲットを移送しようとすると装置が大
がかりなものになってしまい実際的ではない。電子ビー
ムによる制動放射を用いる方法では、重金属ターゲット
とモデレータの分離は原理的に不可能である。更に、オ
ペレータの放射線被曝を回避するためには、陽電子ビー
ム発生装置への陽電子線源の供給を自動化する必要があ
る。
用いる方法では、大電流照射における熱除去の問題が大
きい。また、固体ターゲットは、ターゲット内に生成さ
れた陽電子放出体から放出されたり、制動放射から対生
成される陽電子のモデレータへの入射効率を上げるため
にモデレータに近接して配置される。このようにモデレ
ータに近接した固体ターゲットに電子ビームやイオンビ
ームを照射すると、発生する陽電子以外の２次放射線に
よってモデレータが損傷を受けたり、放射化されるとい
う問題がある。モデレータから離れた照射位置で固体タ
ーゲットに放射線を照射し、そののちターゲットをモデ
レータの位置まで運んで固体ターゲット内に生成された
陽電子放出体から放出される陽電子をモデレータに入射
させることにより、ターゲット照射時の２次放射線の影
響を回避する方法も考えられるが、固体ターゲットには
照射による発熱を除去するための冷却装置などが付随し
ており、固体ターゲットを移送しようとすると装置が大
がかりなものになってしまい実際的ではない。電子ビー
ムによる制動放射を用いる方法では、重金属ターゲット
とモデレータの分離は原理的に不可能である。更に、オ
ペレータの放射線被曝を回避するためには、陽電子ビー
ム発生装置への陽電子線源の供給を自動化する必要があ
る。
【０００５】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、モデレータに損傷を与えること
なく高強度の陽電子ビームを発生することのできる陽電
子線源及びその製造方法並びに陽電子線源自動供給装置
を提供することを目的とする。
鑑みてなされたもので、モデレータに損傷を与えること
なく高強度の陽電子ビームを発生することのできる陽電
子線源及びその製造方法並びに陽電子線源自動供給装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、陽電子放
出体を生成するためのターゲットとしてＨ2 18Ｏ（18Ｏ
水）を含む液体ターゲットを用い、液体ターゲットを陽
子照射することにより18Ｏ（ｐ，ｎ）18Ｆ反応によって
生成させた陽電子放出体18Ｆを炭素部材上に結合させて
捕集することを検討し、本発明に至った。すなわち、本
発明による陽電子線源は、炭素部材の表面に18Ｆが結合
していることを特徴とする。炭素部材はグラファイト又
はガラス状カーボンからなることが好ましい。また、炭
素部材は柱状の形状を有し、その端面に18Ｆが結合して
いることが好ましい。
出体を生成するためのターゲットとしてＨ2 18Ｏ（18Ｏ
水）を含む液体ターゲットを用い、液体ターゲットを陽
子照射することにより18Ｏ（ｐ，ｎ）18Ｆ反応によって
生成させた陽電子放出体18Ｆを炭素部材上に結合させて
捕集することを検討し、本発明に至った。すなわち、本
発明による陽電子線源は、炭素部材の表面に18Ｆが結合
していることを特徴とする。炭素部材はグラファイト又
はガラス状カーボンからなることが好ましい。また、炭
素部材は柱状の形状を有し、その端面に18Ｆが結合して
いることが好ましい。
【０００７】本発明による陽電子線源の製造方法は、Ｈ
2 18Ｏを含む液体ターゲットに荷電粒子線を照射して18
Ｆを生成させるステップと、炭素部材を陽極として液体
ターゲットに通電し炭素部材の表面に18Ｆを結合させる
ステップとを含むことを特徴とする。このとき、液体タ
ーゲットには天然フッ素イオンを微量含ませておく。天
然フッ素イオンは、液体ターゲットに可溶性で強電解質
であるアルカリ金属のフッ化物、例えばＮａＦ，ＮａＨ
Ｆ2，ＫＦなどを添加することによって含ませることが
できる。
2 18Ｏを含む液体ターゲットに荷電粒子線を照射して18
Ｆを生成させるステップと、炭素部材を陽極として液体
ターゲットに通電し炭素部材の表面に18Ｆを結合させる
ステップとを含むことを特徴とする。このとき、液体タ
ーゲットには天然フッ素イオンを微量含ませておく。天
然フッ素イオンは、液体ターゲットに可溶性で強電解質
であるアルカリ金属のフッ化物、例えばＮａＦ，ＮａＨ
Ｆ2，ＫＦなどを添加することによって含ませることが
できる。
【０００８】天然のフッ素イオンを液体ターゲット（18
Ｏ水）に予め極微量含有させておくのは、次のような理
由からである。核反応で生成する18Ｆの原子数は高々
３．５×１０15個であり、これはフッ素としては１．１
×１０-8ｇにすぎない。このような極微量の原子では、
電着の電流が充分に得られないおそれがある。これを防
ぐために、この１００倍程度になるように天然のフッ素
イオンを２μｇ／ｍｌの濃度で加える。これによって、
生成した18Ｆは水溶液中でのＦ-としての化学挙動を保
証されることになる。しかし、加えるフッ素の量は極め
て微量であるので、これを照射前に予め加えておくもの
である。
Ｏ水）に予め極微量含有させておくのは、次のような理
由からである。核反応で生成する18Ｆの原子数は高々
３．５×１０15個であり、これはフッ素としては１．１
×１０-8ｇにすぎない。このような極微量の原子では、
電着の電流が充分に得られないおそれがある。これを防
ぐために、この１００倍程度になるように天然のフッ素
イオンを２μｇ／ｍｌの濃度で加える。これによって、
生成した18Ｆは水溶液中でのＦ-としての化学挙動を保
証されることになる。しかし、加えるフッ素の量は極め
て微量であるので、これを照射前に予め加えておくもの
である。
【０００９】陽極とする炭素部材は棒状又は板状とし、
その端面を液体ターゲットに接触させた状態で通電する
ことで18Ｆを炭素部材の端面に集中的に結合させるのが
望ましい。炭素部材の表面への18Ｆの結合はＣ−Ｆのよ
うな炭素との直接の結合か、黒鉛構造の結晶の層間化合
物であるのかは未だ明らかではない。本発明による陽電
子線源自動供給装置は、18Ｆを含有する溶液が入った容
器を通電位置に移動させる手段と、通電位置において炭
素部材を陽極として前記溶液に通電する手段と、通電後
の炭素部材を陽電子ビーム発生装置に移送する手段とを
備えることを特徴とする。18Ｆを含有する溶液は、別室
に置かれた通電容器に移送される。また、通電後の溶液
を回収する手段を併設してもよい。
その端面を液体ターゲットに接触させた状態で通電する
ことで18Ｆを炭素部材の端面に集中的に結合させるのが
望ましい。炭素部材の表面への18Ｆの結合はＣ−Ｆのよ
うな炭素との直接の結合か、黒鉛構造の結晶の層間化合
物であるのかは未だ明らかではない。本発明による陽電
子線源自動供給装置は、18Ｆを含有する溶液が入った容
器を通電位置に移動させる手段と、通電位置において炭
素部材を陽極として前記溶液に通電する手段と、通電後
の炭素部材を陽電子ビーム発生装置に移送する手段とを
備えることを特徴とする。18Ｆを含有する溶液は、別室
に置かれた通電容器に移送される。また、通電後の溶液
を回収する手段を併設してもよい。
【００１０】本発明による陽電子線源自動供給装置は、
また、容器を載置して回転する回転台と、前記容器に18
Ｆを含有する溶液を供給する手段と、回転台を回転駆動
して容器を溶液供給位置と通電位置との間に移動させる
第１の駆動手段と、炭素部材が取り付けられた回転体
と、回転体を回転駆動して炭素部材を通電位置にある容
器内の溶液に対向する位置と陽電子ビーム発生装置の陽
電子線源受け入れ部に対向する位置との間に移動させる
第２の駆動手段と、回転体を上下動させる昇降手段と、
炭素部材を陽極として前記容器内の溶液に通電する電源
とを備え、通電位置に置かれた容器内の溶液に前記炭素
部材を陽極として通電することで表面に18Ｆを結合させ
た炭素部材を陽電子ビーム発生装置の陽電子線源受け入
れ部に結合させることを特徴とする。
また、容器を載置して回転する回転台と、前記容器に18
Ｆを含有する溶液を供給する手段と、回転台を回転駆動
して容器を溶液供給位置と通電位置との間に移動させる
第１の駆動手段と、炭素部材が取り付けられた回転体
と、回転体を回転駆動して炭素部材を通電位置にある容
器内の溶液に対向する位置と陽電子ビーム発生装置の陽
電子線源受け入れ部に対向する位置との間に移動させる
第２の駆動手段と、回転体を上下動させる昇降手段と、
炭素部材を陽極として前記容器内の溶液に通電する電源
とを備え、通電位置に置かれた容器内の溶液に前記炭素
部材を陽極として通電することで表面に18Ｆを結合させ
た炭素部材を陽電子ビーム発生装置の陽電子線源受け入
れ部に結合させることを特徴とする。
【００１１】炭素部材と容器内の溶液との接触を検知す
る接触感知手段を備えると、溶液への炭素部材の浸漬深
さを正確に管理することができる。この接触感知手段
は、炭素部材が溶液の液面に接触した瞬間に流れる微小
電流を検出する手段とすることができる。また、回転台
に複数個の容器を載置し、回転体には容器の個数と同数
の炭素部材を取り付けることにより、長時間の連続運転
が可能となる。
る接触感知手段を備えると、溶液への炭素部材の浸漬深
さを正確に管理することができる。この接触感知手段
は、炭素部材が溶液の液面に接触した瞬間に流れる微小
電流を検出する手段とすることができる。また、回転台
に複数個の容器を載置し、回転体には容器の個数と同数
の炭素部材を取り付けることにより、長時間の連続運転
が可能となる。
【００１２】Ｈ2 18Ｏを含む液体ターゲットは配管を通
して任意の場所に移送することが容易なため、Ｈ2 18Ｏ
を含む液体ターゲットを照射してその中に陽電子放出体
18Ｆを生成させ、その陽電子放出体を含む液体を遠隔操
作によって移動し、陽電子を使用する場所で18Ｆを炭素
部材の微小な表面に結合させて捕集することができれ
ば、18Ｆを結合させた炭素部材（陽電子線源）だけをモ
デレータの設置位置まで運ぶことにより、ターゲット照
射時の２次放射線によるモデレータの損傷や測定ノイズ
の発生を防ぐことができる。また、陽電子放出体18Ｆを
結合させる炭素部材の表面積を小さく限定することによ
り、陽電子放出体の密度を高めて高強度の陽電子ビーム
を発生させることができる。また、本発明では、ターゲ
ット照射をモデレータから離れた場所で行うため、ター
ゲット照射により発生する２次放射線の影響を受けるこ
とがない。
して任意の場所に移送することが容易なため、Ｈ2 18Ｏ
を含む液体ターゲットを照射してその中に陽電子放出体
18Ｆを生成させ、その陽電子放出体を含む液体を遠隔操
作によって移動し、陽電子を使用する場所で18Ｆを炭素
部材の微小な表面に結合させて捕集することができれ
ば、18Ｆを結合させた炭素部材（陽電子線源）だけをモ
デレータの設置位置まで運ぶことにより、ターゲット照
射時の２次放射線によるモデレータの損傷や測定ノイズ
の発生を防ぐことができる。また、陽電子放出体18Ｆを
結合させる炭素部材の表面積を小さく限定することによ
り、陽電子放出体の密度を高めて高強度の陽電子ビーム
を発生させることができる。また、本発明では、ターゲ
ット照射をモデレータから離れた場所で行うため、ター
ゲット照射により発生する２次放射線の影響を受けるこ
とがない。
【００１３】また、Ｈ2 18Ｏ水は非常に高価であるが、
１回の照射で18Ｆに変換する18Ｏはごく微量である。そ
こで線源作成後、速やかにこれを回収する。速やかに回
収せずに放置すると、Ｈ2 18Ｏが水蒸気として蒸発する
のみならず、通常水の蒸気が溶け込んでＨ2 18Ｏの濃度
を低下させる。
１回の照射で18Ｆに変換する18Ｏはごく微量である。そ
こで線源作成後、速やかにこれを回収する。速やかに回
収せずに放置すると、Ｈ2 18Ｏが水蒸気として蒸発する
のみならず、通常水の蒸気が溶け込んでＨ2 18Ｏの濃度
を低下させる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は、液体ターゲットに荷電粒
子ビームを照射して液体ターゲット中に陽電子放出体
（ラジオアイソトープ）を生成させる陽電子放出体生成
部の略断面図である。陽電子放出体生成部１０は、各々
貫通穴を有する上部ブロック１２と中間ブロック１３、
及び凹部を有する下部ブロック１４の３個のブロックを
貫通穴及び凹部の位置を合わせてねじ結合して構成され
ている。中間ブロック１３には、貫通穴の上方をチタン
等の金属フォイル１５で閉じ、下方も銀等の金属フォイ
ル１６で閉じることにより液体ターゲットが収容される
空間（液体ターゲット容器）１７が形成されている。各
ブロック１２，１３，１４の間はＯリング１３ａ，１３
ｂ，１４ａによってシールされている。
施の形態を説明する。図１は、液体ターゲットに荷電粒
子ビームを照射して液体ターゲット中に陽電子放出体
（ラジオアイソトープ）を生成させる陽電子放出体生成
部の略断面図である。陽電子放出体生成部１０は、各々
貫通穴を有する上部ブロック１２と中間ブロック１３、
及び凹部を有する下部ブロック１４の３個のブロックを
貫通穴及び凹部の位置を合わせてねじ結合して構成され
ている。中間ブロック１３には、貫通穴の上方をチタン
等の金属フォイル１５で閉じ、下方も銀等の金属フォイ
ル１６で閉じることにより液体ターゲットが収容される
空間（液体ターゲット容器）１７が形成されている。各
ブロック１２，１３，１４の間はＯリング１３ａ，１３
ｂ，１４ａによってシールされている。
【００１５】荷電粒子ビーム１１は、上部ブロック１２
の開口１２ａ、チタン等の金属フォイル１５を通過し
て、容器１７内に収容されている液体ターゲットに照射
される。下部ブロック１４に設けられた凹部１８には冷
却水配管１９ａ，１９ｂが接続され、冷却水配管１９
ａ，１９ｂから凹部１８に冷却水を流すことにより、荷
電粒子ビーム１１の照射を受けて発熱したターゲット液
体を冷却する。また、容器１７には図示した液体ターゲ
ット配管２３と、図１の紙面前後方向から容器１７に通
じている図示しない液体ターゲット配管、及びＮ2ガス
を導入するための図示しないガス配管が接続されてい
る。
の開口１２ａ、チタン等の金属フォイル１５を通過し
て、容器１７内に収容されている液体ターゲットに照射
される。下部ブロック１４に設けられた凹部１８には冷
却水配管１９ａ，１９ｂが接続され、冷却水配管１９
ａ，１９ｂから凹部１８に冷却水を流すことにより、荷
電粒子ビーム１１の照射を受けて発熱したターゲット液
体を冷却する。また、容器１７には図示した液体ターゲ
ット配管２３と、図１の紙面前後方向から容器１７に通
じている図示しない液体ターゲット配管、及びＮ2ガス
を導入するための図示しないガス配管が接続されてい
る。
【００１６】陽電子放出体生成部１０では、弁２３ａを
閉じ、容器１７内に液体ターゲットを貯留した状態で荷
電粒子ビーム１１を照射し、容器１７内の液体ターゲッ
ト中に陽電子放出体を生成させる。ここでは、液体ター
ゲットとしてＨ2 18Ｏ及び２ｐｐｍのＮａＦを含有する
水を用い、容器内のＨ2 18Ｏに加速器で１６ＭｅＶに加
速した陽子ビーム１１を照射することにより、18Ｏ
（ｐ，ｎ）18Ｆの反応によって18Ｆを生成させる。陽子
ビーム１１の照射は、例えば３０分間行われる。その
後、弁２３ａを開き、ガス配管から容器１７内にＮ2ガ
スを導入することにより、18Ｆを含む容器１７内のＨ2
18Ｏを配管２３を通じて別の部屋に置かれた容器３０に
移す。容器３０は、銅製のブロックに半球状の凹部３１
を形成したもので、凹部３１の内面にロジウム鍍金３２
を施してある。
閉じ、容器１７内に液体ターゲットを貯留した状態で荷
電粒子ビーム１１を照射し、容器１７内の液体ターゲッ
ト中に陽電子放出体を生成させる。ここでは、液体ター
ゲットとしてＨ2 18Ｏ及び２ｐｐｍのＮａＦを含有する
水を用い、容器内のＨ2 18Ｏに加速器で１６ＭｅＶに加
速した陽子ビーム１１を照射することにより、18Ｏ
（ｐ，ｎ）18Ｆの反応によって18Ｆを生成させる。陽子
ビーム１１の照射は、例えば３０分間行われる。その
後、弁２３ａを開き、ガス配管から容器１７内にＮ2ガ
スを導入することにより、18Ｆを含む容器１７内のＨ2
18Ｏを配管２３を通じて別の部屋に置かれた容器３０に
移す。容器３０は、銅製のブロックに半球状の凹部３１
を形成したもので、凹部３１の内面にロジウム鍍金３２
を施してある。
【００１７】図２は、容器３０に移されたターゲット液
体３５中の陽電子放出体18Ｆを炭素部材の端面に結合さ
せて陽電子線源を作製する工程を説明する部分断面図で
ある。容器３０には、陽子ビーム照射を受けた、18Ｆ及
び２ｐｐｍのＮａＦを含有する液体３５が入っている。
炭素部材４０は、上端をプラスチック製の絶縁ホルダー
４５で把持されてスタンド４６に固定されている。炭素
部材４０と容器３０は、炭素部材４０が陽極側となり容
器３０が陰極側となるようにして定電圧電源４７に接続
されている。炭素部材４０は、18Ｆが主に下端面に結合
し、側面への18Ｆの結合が最小限になるように、液体３
５中への浸漬量をできるだけ少なくして下端面を液体３
５に接触させた状態で通電するのが好ましい。
体３５中の陽電子放出体18Ｆを炭素部材の端面に結合さ
せて陽電子線源を作製する工程を説明する部分断面図で
ある。容器３０には、陽子ビーム照射を受けた、18Ｆ及
び２ｐｐｍのＮａＦを含有する液体３５が入っている。
炭素部材４０は、上端をプラスチック製の絶縁ホルダー
４５で把持されてスタンド４６に固定されている。炭素
部材４０と容器３０は、炭素部材４０が陽極側となり容
器３０が陰極側となるようにして定電圧電源４７に接続
されている。炭素部材４０は、18Ｆが主に下端面に結合
し、側面への18Ｆの結合が最小限になるように、液体３
５中への浸漬量をできるだけ少なくして下端面を液体３
５に接触させた状態で通電するのが好ましい。
【００１８】そのためには、例えば炭素部材４０を一旦
容器３０中に入った液体３５の液面の上方に位置させ、
その後、炭素部材４０を液体３５の液面に向けて徐々に
降下させる。定電圧電源４７を流れる電流により炭素部
材４０の下端面が液面に接触したのを確認した後、更に
例えば０．１ｍｍだけ降下させた位置でスタンド４６に
固定することにより、側面への液体３５の接触を最小限
に抑えて炭素部材４０の下端面を確実に液体３５に接触
させることができる。炭素部材４０が液体３５に接触し
た状態で定電圧電源４７から通電すると、液体３５中の
Ｆは炭素部材（陽極）４０側に集まり、炭素部材４０と
結合する。こうして端面に陽電子放出体である18Ｆが高
濃度に結合した陽電子線源が得られる。
容器３０中に入った液体３５の液面の上方に位置させ、
その後、炭素部材４０を液体３５の液面に向けて徐々に
降下させる。定電圧電源４７を流れる電流により炭素部
材４０の下端面が液面に接触したのを確認した後、更に
例えば０．１ｍｍだけ降下させた位置でスタンド４６に
固定することにより、側面への液体３５の接触を最小限
に抑えて炭素部材４０の下端面を確実に液体３５に接触
させることができる。炭素部材４０が液体３５に接触し
た状態で定電圧電源４７から通電すると、液体３５中の
Ｆは炭素部材（陽極）４０側に集まり、炭素部材４０と
結合する。こうして端面に陽電子放出体である18Ｆが高
濃度に結合した陽電子線源が得られる。
【００１９】図３は、本発明によって得られた陽電子線
源の一例を示す模式図である。図３（ａ）は、図２に示
した工程で得られた陽電子線源を示し、細い柱状の炭素
部材４０の端面４１に陽電子放出体である18Ｆが高濃度
に結合している。図３（ｂ）は、本発明による陽電子線
源の他の例を示す模式図である。この陽電子線源４０ａ
は、細い柱状の炭素部材４０ａの先端部の側面に電気絶
縁被覆４２が施されている。絶縁被覆４２の存在によ
り、図２に示す工程で通電する際に炭素部材４０ａを液
体３５中へ比較的深く浸漬したとしても、炭素部材４０
ａの側面への18Ｆの結合が阻止され、陽電子放出体18Ｆ
は端面４１ａのみに選択的に結合する。
源の一例を示す模式図である。図３（ａ）は、図２に示
した工程で得られた陽電子線源を示し、細い柱状の炭素
部材４０の端面４１に陽電子放出体である18Ｆが高濃度
に結合している。図３（ｂ）は、本発明による陽電子線
源の他の例を示す模式図である。この陽電子線源４０ａ
は、細い柱状の炭素部材４０ａの先端部の側面に電気絶
縁被覆４２が施されている。絶縁被覆４２の存在によ
り、図２に示す工程で通電する際に炭素部材４０ａを液
体３５中へ比較的深く浸漬したとしても、炭素部材４０
ａの側面への18Ｆの結合が阻止され、陽電子放出体18Ｆ
は端面４１ａのみに選択的に結合する。
【００２０】本発明による陽電子線源においては、陽電
子放出体18Ｆが炭素部材４０，４０ａの端面４１，４１
ａに厚みを無視できる無担体の状態で均一に結合してい
るため、陽電子放出体18Ｆから放出された陽電子は点線
源に近い微小面積から散乱や吸収を受けることなく効率
よく放出される。
子放出体18Ｆが炭素部材４０，４０ａの端面４１，４１
ａに厚みを無視できる無担体の状態で均一に結合してい
るため、陽電子放出体18Ｆから放出された陽電子は点線
源に近い微小面積から散乱や吸収を受けることなく効率
よく放出される。
【００２１】ここで、炭素部材への陽電子放出体18Ｆの
結合効率について調べた。純度９０％のＨ2 18Ｏに２μ
ｇのＮａＦを加えた水１ｍｌを液体ターゲットとし、そ
れに１６ＭｅＶに加速した陽子ビームを３０分間照射し
た。照射後の液体ターゲットを、図２に示す半径８ｍｍ
の半球型の容器（容積１ｍｌ）３０に入れ、炭素部材４
０を図２に示すようにセットした。炭素部材４０として
は、分光分析用高純度黒鉛を直径５ｍｍ及び直径３ｍ
ｍ、長さ３ｃｍの円柱状に加工した黒鉛棒を用いた。黒
鉛棒の一端には銅製の端子を取り付け、他端は断面を平
滑に加工して研磨した。この黒鉛棒をプラスチック製の
ホルダー４５に取り付け、断面の中心が容器３０の中心
に一致するように調節した後、定電圧電源４７に接続し
て通電した。印加電圧は７０Ｖから１８０Ｖまで１０Ｖ
間隔で変化させ、通電時間は５分間、１０分間、２０分
間と変化させた。黒鉛棒の端面から放出される０．５１
１ＭｅＶのガンマ線を半導体検出器で測定し、陽子ビー
ム照射後の液体ターゲット１ｍｌをアルミ箔上で乾燥さ
せた時、乾燥物から放出される０．５１１ＭｅＶのガン
マ線を半導体検出器で測定した標準と比較して結合効率
を求めた。
結合効率について調べた。純度９０％のＨ2 18Ｏに２μ
ｇのＮａＦを加えた水１ｍｌを液体ターゲットとし、そ
れに１６ＭｅＶに加速した陽子ビームを３０分間照射し
た。照射後の液体ターゲットを、図２に示す半径８ｍｍ
の半球型の容器（容積１ｍｌ）３０に入れ、炭素部材４
０を図２に示すようにセットした。炭素部材４０として
は、分光分析用高純度黒鉛を直径５ｍｍ及び直径３ｍ
ｍ、長さ３ｃｍの円柱状に加工した黒鉛棒を用いた。黒
鉛棒の一端には銅製の端子を取り付け、他端は断面を平
滑に加工して研磨した。この黒鉛棒をプラスチック製の
ホルダー４５に取り付け、断面の中心が容器３０の中心
に一致するように調節した後、定電圧電源４７に接続し
て通電した。印加電圧は７０Ｖから１８０Ｖまで１０Ｖ
間隔で変化させ、通電時間は５分間、１０分間、２０分
間と変化させた。黒鉛棒の端面から放出される０．５１
１ＭｅＶのガンマ線を半導体検出器で測定し、陽子ビー
ム照射後の液体ターゲット１ｍｌをアルミ箔上で乾燥さ
せた時、乾燥物から放出される０．５１１ＭｅＶのガン
マ線を半導体検出器で測定した標準と比較して結合効率
を求めた。
【００２２】図４は、電着電圧を１２０Ｖとしたときの
３ｍｍφ黒鉛棒への18Ｆの結合効率を示す図であり、横
軸は通電時間、縦軸は結合効率である。図から、２０分
間あるいは３０分間通電することで５０％以上の結合効
率が得られることが分かる。ここでは、炭素部材として
直径３ｍｍと直径５ｍｍの黒鉛棒を用いたが、ガラス状
カーボンなど導電性に優れていて十分な材料強度を有す
る他の炭素部材を用いても同様の結果が得られる。炭素
部材の太さは、ここでは直径３ｍｍと５ｍｍとしたが、
直径３ｍｍ未満、例えば直径１ｍｍとすることも可能で
ある。炭素部材の断面形状も四角形、六角形など、円形
に限られないのは勿論である。
３ｍｍφ黒鉛棒への18Ｆの結合効率を示す図であり、横
軸は通電時間、縦軸は結合効率である。図から、２０分
間あるいは３０分間通電することで５０％以上の結合効
率が得られることが分かる。ここでは、炭素部材として
直径３ｍｍと直径５ｍｍの黒鉛棒を用いたが、ガラス状
カーボンなど導電性に優れていて十分な材料強度を有す
る他の炭素部材を用いても同様の結果が得られる。炭素
部材の太さは、ここでは直径３ｍｍと５ｍｍとしたが、
直径３ｍｍ未満、例えば直径１ｍｍとすることも可能で
ある。炭素部材の断面形状も四角形、六角形など、円形
に限られないのは勿論である。
【００２３】図５は、本発明の陽電子線源を用いた低速
陽電子ビーム発生装置の一例を示す断面図である。段部
７３を有する真空容器７２の端部は強度補強用のチタン
フォイル７５及びモデレータ７６によって閉じられてお
り、その前方にはグリッド７７が配置されている。グリ
ッド７７には、電源７８により−３０Ｖ程度の電圧が印
可されている。モデレータ７６は厚さ約１０μｍのタン
グステンフォイルからなる。端面に陽電子放出体18Ｆが
結合した陽電子線源５０は、真空容器７２の段部７３に
係合することでモデレータ７６に対して位置決めして配
置される。
陽電子ビーム発生装置の一例を示す断面図である。段部
７３を有する真空容器７２の端部は強度補強用のチタン
フォイル７５及びモデレータ７６によって閉じられてお
り、その前方にはグリッド７７が配置されている。グリ
ッド７７には、電源７８により−３０Ｖ程度の電圧が印
可されている。モデレータ７６は厚さ約１０μｍのタン
グステンフォイルからなる。端面に陽電子放出体18Ｆが
結合した陽電子線源５０は、真空容器７２の段部７３に
係合することでモデレータ７６に対して位置決めして配
置される。
【００２４】この状態で陽電子線源５０の端面に存在す
る陽電子放出体から放出された陽電子は、チタンフォイ
ル７５を透過して真空容器７２内に入る。その後、陽電
子はモデレータ７６に入射して減速され、グリッド７７
によって発生される電界によって加速され、コイル７９
の発生する磁界に沿って低速陽電子ビーム７１となって
利用位置に輸送される。
る陽電子放出体から放出された陽電子は、チタンフォイ
ル７５を透過して真空容器７２内に入る。その後、陽電
子はモデレータ７６に入射して減速され、グリッド７７
によって発生される電界によって加速され、コイル７９
の発生する磁界に沿って低速陽電子ビーム７１となって
利用位置に輸送される。
【００２５】図６は本発明による陽電子線源自動供給装
置の概略図、図７は装置の駆動系統図である。この陽電
子線源自動供給装置は、複数個の容器３０ａ〜３０ｆが
載置された回転台８０、及び容器の個数と同じ数の炭素
部材４０ａ〜４０ｆが着脱可能に固定された回転体９０
を備える。容器３０ａ〜３０ｆは、銅製のブロックに半
球状の凹部を形成し、凹部内面をロジウムでめっきした
ものである。回転台８０はパルスモータ８１によって３
６０゜回転することができ、回転体９０はパルスモータ
９１によって３６０゜回転することができる。また、回
転体９０は、パルスモータ９２の駆動によって上下動す
ることができる。
置の概略図、図７は装置の駆動系統図である。この陽電
子線源自動供給装置は、複数個の容器３０ａ〜３０ｆが
載置された回転台８０、及び容器の個数と同じ数の炭素
部材４０ａ〜４０ｆが着脱可能に固定された回転体９０
を備える。容器３０ａ〜３０ｆは、銅製のブロックに半
球状の凹部を形成し、凹部内面をロジウムでめっきした
ものである。回転台８０はパルスモータ８１によって３
６０゜回転することができ、回転体９０はパルスモータ
９１によって３６０゜回転することができる。また、回
転体９０は、パルスモータ９２の駆動によって上下動す
ることができる。
【００２６】パルスモータ８１，９１，９２は、インタ
ーフェース１０５を介してコンピュータ１０６で制御さ
れるモータドライバ９５，９６，９７によって駆動され
る。また、定電圧電源１００の出力は、リン青銅製のブ
ラシ８３，８４を介してマイナス側が回転台８０に、プ
ラス側が回転体９０に接続されている。電源１００と回
転体９０の間には液面感知回路１０１が接続されてお
り、液面感知回路１０１の出力はインターフェース１０
５を介してコンピュータ１０６に入力される。
ーフェース１０５を介してコンピュータ１０６で制御さ
れるモータドライバ９５，９６，９７によって駆動され
る。また、定電圧電源１００の出力は、リン青銅製のブ
ラシ８３，８４を介してマイナス側が回転台８０に、プ
ラス側が回転体９０に接続されている。電源１００と回
転体９０の間には液面感知回路１０１が接続されてお
り、液面感知回路１０１の出力はインターフェース１０
５を介してコンピュータ１０６に入力される。
【００２７】装置内には溶液供給位置Ａと通電位置Ｂが
設定されている。溶液供給位置Ａでは、液体ターゲット
配管２３を介して、図１に示した陽電子放出体生成部か
ら陽電子放出体18Ｆを含有する溶液が一つの容器３０ａ
に注入される。容器３０ａへの18Ｆ含有溶液の注入が終
わると、パルスモータ８１を駆動して回転台８０を回転
し、容器３０ａを回転体９０に取り付けられた炭素部材
４０ａの下方位置である通電位置Ｂに移動する。
設定されている。溶液供給位置Ａでは、液体ターゲット
配管２３を介して、図１に示した陽電子放出体生成部か
ら陽電子放出体18Ｆを含有する溶液が一つの容器３０ａ
に注入される。容器３０ａへの18Ｆ含有溶液の注入が終
わると、パルスモータ８１を駆動して回転台８０を回転
し、容器３０ａを回転体９０に取り付けられた炭素部材
４０ａの下方位置である通電位置Ｂに移動する。
【００２８】次に、パルスモータ９２を駆動して回転体
９０をゆっくりと下降させる。回転体９０に取り付けら
れた炭素部材４０ａが容器３０ａ内に蓄えられた溶液に
向かって徐々に下降し、プラス電位を持つ炭素部材４０
ａが容器３０ａ内のマイナス電位を持つ溶液の液面に接
触すると、その瞬間に数ｍＡの電流が流れる。液面感知
回路１０１は、このとき生じた微小電流をフォトカプラ
で検出し、超小型のリレーを介してコンピュータ１０６
に液面感知信号として送信する。液面感知信号を受信し
たコンピュータ１０６は、ドライバ９７を制御して、そ
の位置から更に０．１ｍｍ程度降下させる。その後、定
電圧電源１００から９０Ｖで２０分間通電し、炭素部材
４０ａの端面に陽電子放出体18Ｆを結合させて、陽電子
線源とする。
９０をゆっくりと下降させる。回転体９０に取り付けら
れた炭素部材４０ａが容器３０ａ内に蓄えられた溶液に
向かって徐々に下降し、プラス電位を持つ炭素部材４０
ａが容器３０ａ内のマイナス電位を持つ溶液の液面に接
触すると、その瞬間に数ｍＡの電流が流れる。液面感知
回路１０１は、このとき生じた微小電流をフォトカプラ
で検出し、超小型のリレーを介してコンピュータ１０６
に液面感知信号として送信する。液面感知信号を受信し
たコンピュータ１０６は、ドライバ９７を制御して、そ
の位置から更に０．１ｍｍ程度降下させる。その後、定
電圧電源１００から９０Ｖで２０分間通電し、炭素部材
４０ａの端面に陽電子放出体18Ｆを結合させて、陽電子
線源とする。
【００２９】こうして陽電子線源が製造されると、パル
スモータ９２を駆動して回転体９０を上昇させて、陽電
子線源（炭素部材４０ａ）を容器３０ａの上方に引き上
げ、更にパルスモータ９１を駆動して炭素部材４０ａを
陽電子ビーム発生装置１１０の陽電子線源受け入れ部
（段部）７３に対向する位置に移動する。その後、パル
スモータ９２を駆動して回転体９０を所定距離上方に移
動し、炭素部材４０ａを陽電子ビーム発生装置１１０の
陽電子線源受け入れ部（段部）７３に結合させる。こう
した一連の動作によって、陽電子ビーム発生装置１１０
から低速陽電子ビーム７１が発生される。この一連の動
作は、コンピュータ１０６の制御によって自動的に行わ
れる。
スモータ９２を駆動して回転体９０を上昇させて、陽電
子線源（炭素部材４０ａ）を容器３０ａの上方に引き上
げ、更にパルスモータ９１を駆動して炭素部材４０ａを
陽電子ビーム発生装置１１０の陽電子線源受け入れ部
（段部）７３に対向する位置に移動する。その後、パル
スモータ９２を駆動して回転体９０を所定距離上方に移
動し、炭素部材４０ａを陽電子ビーム発生装置１１０の
陽電子線源受け入れ部（段部）７３に結合させる。こう
した一連の動作によって、陽電子ビーム発生装置１１０
から低速陽電子ビーム７１が発生される。この一連の動
作は、コンピュータ１０６の制御によって自動的に行わ
れる。
【００３０】陽電子放出体18Ｆの半減期は約１１０分で
あるため、この陽電子線源（炭素部材４０ａ）を用いて
約２時間の間陽電子ビームを発生することができる。陽
電子ビーム７１の強度が低下してきたら、予め図１に示
した陽電子放出体生成部で生成していた陽電子放出体18
Ｆを含有する溶液を液体ターゲット配管２３を介して回
転台８０上の次の容器３０ｂに注入する。そして、容器
３０ｂ内の陽電子放出体18Ｆを回転体９０の炭素部材４
０ｂに結合させて陽電子ビーム発生装置１１０に供給す
る。このような運転を行うことで、例えば通電位置Ｂで
の２０分間の通電とそれに続く２時間の陽電子ビーム発
生を繰り返すことができ、装置に例えば６個の容器３０
ａ〜３０ｆと６個の炭素部材４０ａ〜４０ｆを装着して
おけば１２時間の連続運転が可能となり、１２個の容器
３０と１２個の炭素部材４０を装着しておけば２４時間
の連続運転が可能となる。なお、通電の終わった溶液は
回収配管１０９から回収される。
あるため、この陽電子線源（炭素部材４０ａ）を用いて
約２時間の間陽電子ビームを発生することができる。陽
電子ビーム７１の強度が低下してきたら、予め図１に示
した陽電子放出体生成部で生成していた陽電子放出体18
Ｆを含有する溶液を液体ターゲット配管２３を介して回
転台８０上の次の容器３０ｂに注入する。そして、容器
３０ｂ内の陽電子放出体18Ｆを回転体９０の炭素部材４
０ｂに結合させて陽電子ビーム発生装置１１０に供給す
る。このような運転を行うことで、例えば通電位置Ｂで
の２０分間の通電とそれに続く２時間の陽電子ビーム発
生を繰り返すことができ、装置に例えば６個の容器３０
ａ〜３０ｆと６個の炭素部材４０ａ〜４０ｆを装着して
おけば１２時間の連続運転が可能となり、１２個の容器
３０と１２個の炭素部材４０を装着しておけば２４時間
の連続運転が可能となる。なお、通電の終わった溶液は
回収配管１０９から回収される。
【００３１】
【発明の効果】本発明によると、点線源に近い微小面積
から高強度の陽電子を効率よく発生することのできる陽
電子線源を得ることができる。また、陽電子線源を陽電
子ビーム発生装置に自動運転で供給することができる。
から高強度の陽電子を効率よく発生することのできる陽
電子線源を得ることができる。また、陽電子線源を陽電
子ビーム発生装置に自動運転で供給することができる。
【図１】陽電子放出体生成部の略断面図。
【図２】陽電子線源を作製する工程を示す図。
【図３】本発明によって得られた陽電子線源の一例を示
す模式図。
す模式図。
【図４】18Ｆの結合効率を示す図。
【図５】本発明の陽電子線源を用いた低速陽電子ビーム
発生装置の一例を示す断面図。
発生装置の一例を示す断面図。
【図６】本発明による陽電子線源自動供給装置の概略
図。
図。
【図７】陽電子線源自動供給装置の駆動系統図。
１０…陽電子放出体生成部、１１…荷電粒子ビーム、１
２…上部ブロック、１２ａ…開口、１３…中間ブロッ
ク、１３ａ，１３ｂ…Ｏリング、１４…下部ブロック、
１４ａ…Ｏリング、１５…チタンフォイル、１６…チタ
ンフォイル、１７…液体ターゲット容器、１８…凹部、
１９ａ，１９ｂ…冷却水配管、２３…液体ターゲット配
管、２３ａ…弁、３０，３０ａ〜３０ｆ…容器、３１…
凹部、３２…ロジウム鍍金、３５…液体、４０，４０ａ
〜４０ｆ…炭素部材、４１，４１ａ…端面、４２…絶縁
被覆、４５…絶縁ホルダー、４６…スタンド、４７…定
電圧電源、５０…陽電子線源、７１…低速陽電子ビー
ム、７２…真空容器、７３…段部、７５…チタンフォイ
ル、７６…モデレータ、７７…グリッド、７８…電源、
７９…コイル、８０…回転台、８１…パルスモータ、８
３，８４…ブラシ、９０…回転体、９１，９２…パルス
モータ、９５，９６，９７…パルスモータ用ドライバ、
１００…電源、１０１…液面感知回路、１０５…インタ
ーフェース、１０６…コンピュータ、１０９…回収配
管、１１０…陽電子ビーム発生装置、Ａ…溶液供給位
置、Ｂ…通電位置
２…上部ブロック、１２ａ…開口、１３…中間ブロッ
ク、１３ａ，１３ｂ…Ｏリング、１４…下部ブロック、
１４ａ…Ｏリング、１５…チタンフォイル、１６…チタ
ンフォイル、１７…液体ターゲット容器、１８…凹部、
１９ａ，１９ｂ…冷却水配管、２３…液体ターゲット配
管、２３ａ…弁、３０，３０ａ〜３０ｆ…容器、３１…
凹部、３２…ロジウム鍍金、３５…液体、４０，４０ａ
〜４０ｆ…炭素部材、４１，４１ａ…端面、４２…絶縁
被覆、４５…絶縁ホルダー、４６…スタンド、４７…定
電圧電源、５０…陽電子線源、７１…低速陽電子ビー
ム、７２…真空容器、７３…段部、７５…チタンフォイ
ル、７６…モデレータ、７７…グリッド、７８…電源、
７９…コイル、８０…回転台、８１…パルスモータ、８
３，８４…ブラシ、９０…回転体、９１，９２…パルス
モータ、９５，９６，９７…パルスモータ用ドライバ、
１００…電源、１０１…液面感知回路、１０５…インタ
ーフェース、１０６…コンピュータ、１０９…回収配
管、１１０…陽電子ビーム発生装置、Ａ…溶液供給位
置、Ｂ…通電位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢野 安重 埼玉県和光市広沢２番１号 理化学研究所 内 (72)発明者 後藤 彰 埼玉県和光市広沢２番１号 理化学研究所 内 (72)発明者 池上 祐司 埼玉県和光市広沢２番１号 理化学研究所 内 (72)発明者 野宮 芳雄 埼玉県和光市広沢２番１号 理化学研究所 内
Claims (9)
- 【請求項１】 炭素部材の表面に18Ｆが結合しているこ
とを特徴とする陽電子線源。 - 【請求項２】 前記炭素部材はグラファイト又はガラス
状カーボンからなることを特徴とする請求項１記載の陽
電子線源。 - 【請求項３】 前記炭素部材は棒状又は板状の形状を有
し、その端面に18Ｆが結合していることを特徴とする請
求項１又は２記載の陽電子線源。 - 【請求項４】 Ｈ2 18Ｏを含む液体ターゲットに荷電粒
子線を照射して18Ｆを生成させるステップと、炭素部材
を陽極として前記液体ターゲットに通電し前記炭素部材
の表面に18Ｆを結合させるステップとを含むことを特徴
とする陽電子線源の製造方法。 - 【請求項５】 前記液体ターゲットは微量の天然フッ素
イオンを含むことを特徴とする請求項４記載の陽電子線
源の製造方法。 - 【請求項６】 18Ｆを含有する溶液が入った通電容器を
通電位置に移動させる手段と、前記通電位置において炭
素部材を陽極として前記溶液に通電する手段と、前記通
電後の炭素部材を陽電子ビーム発生装置に移送する手段
とを備えることを特徴とする陽電子線源自動供給装置。 - 【請求項７】 容器を載置して回転する回転台と、前記
容器に18Ｆを含有する溶液を供給する手段と、前記回転
台を回転駆動して前記容器を溶液供給位置と通電位置と
の間に移動させる第１の駆動手段と、炭素部材が取り付
けられた回転体と、前記回転体を回転駆動して前記炭素
部材を前記通電位置にある容器内の溶液に対向する位置
と陽電子ビーム発生装置の陽電子線源受け入れ部に対向
する位置との間に移動させる第２の駆動手段と、前記回
転体を上下動させる昇降手段と、前記炭素部材を陽極と
して前記容器内の溶液に通電する電源とを備え、 前記通電位置に置かれた容器内の溶液に前記炭素部材を
陽極として通電することで表面に18Ｆを結合させた炭素
部材を前記陽電子ビーム発生装置の陽電子線源受け入れ
部に結合させることを特徴とする陽電子線源自動供給装
置。 - 【請求項８】 前記炭素部材と前記容器内の溶液との接
触を検知する接触感知手段を備えることを特徴とする請
求項７記載の陽電子線源自動供給装置。 - 【請求項９】 前記回転台には複数個の容器が載置さ
れ、前記回転体には前記容器の個数と同数の炭素部材が
取り付けられていることを特徴とする請求項７又は８記
載の陽電子線源自動供給装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30853398A JP3564599B2 (ja) | 1998-09-02 | 1998-10-29 | 陽電子線源及びその製造方法並びに陽電子線源自動供給装置 |
| US09/388,060 US6289071B1 (en) | 1998-09-02 | 1999-09-01 | Positron source, method of preparing the same and automated system for supplying the same |
| US09/908,158 US6483118B2 (en) | 1998-09-02 | 2001-07-19 | Positron source, method of preparing the same, and automated system for supplying the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-248611 | 1998-09-02 | ||
| JP24861198 | 1998-09-02 | ||
| JP30853398A JP3564599B2 (ja) | 1998-09-02 | 1998-10-29 | 陽電子線源及びその製造方法並びに陽電子線源自動供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000147195A true JP2000147195A (ja) | 2000-05-26 |
| JP3564599B2 JP3564599B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=26538862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30853398A Expired - Fee Related JP3564599B2 (ja) | 1998-09-02 | 1998-10-29 | 陽電子線源及びその製造方法並びに陽電子線源自動供給装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6289071B1 (ja) |
| JP (1) | JP3564599B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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