JPH0320696A - 低温核融合反応を行わせる方法およびその装置 - Google Patents
低温核融合反応を行わせる方法およびその装置Info
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- JPH0320696A JPH0320696A JP1154625A JP15462589A JPH0320696A JP H0320696 A JPH0320696 A JP H0320696A JP 1154625 A JP1154625 A JP 1154625A JP 15462589 A JP15462589 A JP 15462589A JP H0320696 A JPH0320696 A JP H0320696A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は１０００℃以下の低温にて固体中で高効率に重
水素の低温核融合反応を行わせる方法およびその装置に
関するものである。
水素の低温核融合反応を行わせる方法およびその装置に
関するものである。
［従来の技術］
従来、１０００℃以下の低温にて固体中で重水素の核融
合反応を行わせる方法としては、重水（Ｄ２０）の′は
気分解に基くものか提案されている。
合反応を行わせる方法としては、重水（Ｄ２０）の′は
気分解に基くものか提案されている。
すなわち、室温においてＤ，Ｏを主体として構成される
電解液中にパラジウムもしくはチタンからなる陰電極と
、金からなる陽電極とを挿入し、３ないし２５Ｖの電圧
を印加して陰電極に重水素を蓄積させて核融合反応に至
らしめる方法である。
電解液中にパラジウムもしくはチタンからなる陰電極と
、金からなる陽電極とを挿入し、３ないし２５Ｖの電圧
を印加して陰電極に重水素を蓄積させて核融合反応に至
らしめる方法である。
もとより２つの重水素原子Ｄの原子核ｄが核融合を起こ
すためには、電子のクーロン反発力から生ずるポテンシ
ャル障壁をトンネル過程で通り抜けて、同じ位置に止ま
る必要がある。従来の方法では、中性子の検出結果から
１秒間にｄ１対あたり１０−２３回の確率で反応が起こ
っ”Ｃいると見積もられている。この値は、平衡系Ｃあ
る固体中ないし気体中の２つのＤ原子が核融合反応を起
こす確率（】ｏ−７０）よりはるかに大きいものの、エ
ネルギー源として実用化するには極めて小さい値であり
、その実現の可能性はごくとぼしいものであった。
すためには、電子のクーロン反発力から生ずるポテンシ
ャル障壁をトンネル過程で通り抜けて、同じ位置に止ま
る必要がある。従来の方法では、中性子の検出結果から
１秒間にｄ１対あたり１０−２３回の確率で反応が起こ
っ”Ｃいると見積もられている。この値は、平衡系Ｃあ
る固体中ないし気体中の２つのＤ原子が核融合反応を起
こす確率（】ｏ−７０）よりはるかに大きいものの、エ
ネルギー源として実用化するには極めて小さい値であり
、その実現の可能性はごくとぼしいものであった。
【発明が解決しようとする課題］
そこで、本発明の目的は、重水素を陽イオン、すなわち
はだかの原子核ｄとしてＩｋＶ以上の高エネルギーで基
板に高密度に照射させることにより互いの重水素が同じ
位置に存在する確率を高め、これにより核融合反応を起
こす確率を飛躍的に増大させる低温核融合反応を行わせ
る方法およびその装置を提供することにある。
はだかの原子核ｄとしてＩｋＶ以上の高エネルギーで基
板に高密度に照射させることにより互いの重水素が同じ
位置に存在する確率を高め、これにより核融合反応を起
こす確率を飛躍的に増大させる低温核融合反応を行わせ
る方法およびその装置を提供することにある。
［課題を解決するための千段］
このような目的を達成するために、本発明方法は、圧力
１０−４Ｔｏｒｒ以下の真空状態のもとで、重水素イオ
ンを生成させ、生成ざれた這水素イオンをｌｋＶ以上の
電圧で加速し、パラジウム．ニッケル．チタン．グラフ
ァイトおよび窒化ボロンの少なくとも１種を含む固定基
板に照射することにより、温度１０００℃以下の状態で
固定基板の表面層において重水素の核融合反応を起こさ
せることを特徴とする。
１０−４Ｔｏｒｒ以下の真空状態のもとで、重水素イオ
ンを生成させ、生成ざれた這水素イオンをｌｋＶ以上の
電圧で加速し、パラジウム．ニッケル．チタン．グラフ
ァイトおよび窒化ボロンの少なくとも１種を含む固定基
板に照射することにより、温度１０００℃以下の状態で
固定基板の表面層において重水素の核融合反応を起こさ
せることを特徴とする。
さらに本発明装置は、高真空中で重水素イオンを生成す
る手段と、生成された重水素イオンをｌｋＶ以上の電圧
で加速する手段と、加速された重水素イオンを照射して
その表面で核融合反応を起こさせるためのパラジウム．
ニッケル１チタン．グラフ？イトおよび窒化ボロンのう
ちの少なくとも１種を含む固体基板とを具えたことを特
徴とする。
る手段と、生成された重水素イオンをｌｋＶ以上の電圧
で加速する手段と、加速された重水素イオンを照射して
その表面で核融合反応を起こさせるためのパラジウム．
ニッケル１チタン．グラフ？イトおよび窒化ボロンのう
ちの少なくとも１種を含む固体基板とを具えたことを特
徴とする。
［作 用］
本発明によれば、１０−４Ｔｏｒｒ以下の真空中で、張
水素７オンＤ＋を制御よく生威させ、そこで生成された
４水素イオンＤ０を１ｋＶ以上の電圧により加速せしめ
てターゲットとして設けた固定基板に高密度に照射させ
るようにする。これにより、固定基板の表面層において
照射された重水素が同じ位置に存在する確率を高め、重
水素の核融合反応を起こす確率を飛躍的に増大させるこ
とができる。
水素７オンＤ＋を制御よく生威させ、そこで生成された
４水素イオンＤ０を１ｋＶ以上の電圧により加速せしめ
てターゲットとして設けた固定基板に高密度に照射させ
るようにする。これにより、固定基板の表面層において
照射された重水素が同じ位置に存在する確率を高め、重
水素の核融合反応を起こす確率を飛躍的に増大させるこ
とができる。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明装置の実施例の概略を示す図である。こ
こで、１は重水素ガス供給部、２は重水素を重水素イオ
ン０８と電子とに分離させるプラズマ生成室、３は１ｋ
ｅＶ以上のＳＩＸ／Ｂ”を発生させる高電圧発生部、４
は絶縁されたイオン加速管、５はアース．５６はーイオ
ン走行管、７は高真空発生用ボンブ、８はパラジウム基
板、９｝ま水を冷却媒体とするヒートシンク、ｉｏは電
流計である。
こで、１は重水素ガス供給部、２は重水素を重水素イオ
ン０８と電子とに分離させるプラズマ生成室、３は１ｋ
ｅＶ以上のＳＩＸ／Ｂ”を発生させる高電圧発生部、４
は絶縁されたイオン加速管、５はアース．５６はーイオ
ン走行管、７は高真空発生用ボンブ、８はパラジウム基
板、９｝ま水を冷却媒体とするヒートシンク、ｉｏは電
流計である。
以上・Ｄ構成において、高真空発生用ボンプ７に，ｌ：
り木発明装置内部をＩ． ｌ］ − ″Ｔ Ｏ ｉ’
ｌ一以下に減圧せしめたのら、逗水素ガス供給部ｉＪ．
り噴水素ガスを気圧１０””Ｔｏｒｒまでブシズマ生成
室２に導入４る。プラズマ生威室２におい゜（、マイク
ロ波を印力［｝シ・゛ｒ本水素ガスをプラズマ化さゼる
。その後，高電汗発生部３により１００ｋＶ （ハ電圧
まで重木才イ埼ンを・昇圧し、イオン加速ｑ４＋．＝引
き込んで加連させる。加速された重水索イオン，すムわ
ちけフ１′かの重水素原子核ｄは、イオン走行管６内２
・ヒ・一ｌ・、私に走行して、パラジウムｉ＆ｉ８に１
・〜５ｍ１１程瓜σ）直径を有する円スポット状に照射
される。ｄの照射個数は電流計１０によって８１測され
る。
り木発明装置内部をＩ． ｌ］ − ″Ｔ Ｏ ｉ’
ｌ一以下に減圧せしめたのら、逗水素ガス供給部ｉＪ．
り噴水素ガスを気圧１０””Ｔｏｒｒまでブシズマ生成
室２に導入４る。プラズマ生威室２におい゜（、マイク
ロ波を印力［｝シ・゛ｒ本水素ガスをプラズマ化さゼる
。その後，高電汗発生部３により１００ｋＶ （ハ電圧
まで重木才イ埼ンを・昇圧し、イオン加速ｑ４＋．＝引
き込んで加連させる。加速された重水索イオン，すムわ
ちけフ１′かの重水素原子核ｄは、イオン走行管６内２
・ヒ・一ｌ・、私に走行して、パラジウムｉ＆ｉ８に１
・〜５ｍ１１程瓜σ）直径を有する円スポット状に照射
される。ｄの照射個数は電流計１０によって８１測され
る。
以上によりはだかの重水素原子核ｄは、パラジウム基板
の照射部位（表面から１μ隊以下の深さの範囲に最大１
０２３ｃ＋ａ−’程度の密度で蓄積さむる。
の照射部位（表面から１μ隊以下の深さの範囲に最大１
０２３ｃ＋ａ−’程度の密度で蓄積さむる。
したがってｄが電子を得てクー・ロンＩＩ壁も・つまで
の非平衡過程Ｋ′おい（、．ｄ同士が核融．合反応４・
起こしうるほビ充分近くに接近する確率は従，来の技術
に比べて飛躍的に高く、１秒間にｄ１対あたり１Ｇ−２
０回以上の確率で反応が起こる。しかも、ここでイオン
注入の過・程で生じた基板表面の欠陥は、ｄの蓄積効果
をざらに増大させる効果を有する。
の非平衡過程Ｋ′おい（、．ｄ同士が核融．合反応４・
起こしうるほビ充分近くに接近する確率は従，来の技術
に比べて飛躍的に高く、１秒間にｄ１対あたり１Ｇ−２
０回以上の確率で反応が起こる。しかも、ここでイオン
注入の過・程で生じた基板表面の欠陥は、ｄの蓄積効果
をざらに増大させる効果を有する。
なお、以上の実施例において、重水素イオンＤ４を明射
させる固定基板はパラジウム基板として説明したが、こ
の固定基板としてはチタン基板を用いても上記と同様の
結果が得られた。
させる固定基板はパラジウム基板として説明したが、こ
の固定基板としてはチタン基板を用いても上記と同様の
結果が得られた。
さらに、同定基板の組成としては、パラジウム，チタン
，ニッケル，グラファイトおよび窒化ボロンのうちの少
ｉ＜ （とも！種を含むようにしてもよい。
，ニッケル，グラファイトおよび窒化ボロンのうちの少
ｉ＜ （とも！種を含むようにしてもよい。
［発明の効果］
以上から明らかなように、本発明によれば、１（１−４
Ｔｏｒｒ以下の真空中で、重水素イオンＤ１を制御よく
生成させ、そこで生威された重水素イ才ン『を１ｋＶ以
上の電圧により加速せしめてターゲット七して設けた固
定基板に高密度に照射さ１ウ゛る。これにより固定基板
の表面層において重水素のｉｏｏｏ℃以下での低温核融
合反応を起こす確率を飛躍的に高めることができ、加う
るに重水素の注入量を制御することも可能であることか
ら、高効率で安定性の高いエネルギー源として用いるこ
とを可能とする。
Ｔｏｒｒ以下の真空中で、重水素イオンＤ１を制御よく
生成させ、そこで生威された重水素イ才ン『を１ｋＶ以
上の電圧により加速せしめてターゲット七して設けた固
定基板に高密度に照射さ１ウ゛る。これにより固定基板
の表面層において重水素のｉｏｏｏ℃以下での低温核融
合反応を起こす確率を飛躍的に高めることができ、加う
るに重水素の注入量を制御することも可能であることか
ら、高効率で安定性の高いエネルギー源として用いるこ
とを可能とする。
第１図は木発明装置の実施例を示す概略図である。
１・・・重水素ガス供給部、
２・・・プラズマ生成室、
３・・・高電圧発生部、
４・・・イオン加速管、
５・・・アース、
６・・・イオン走行管、
７・・・高真空発生用ボンブ
８・・・パラジウム基板、
９・・・ヒートシンク、
１０・・・電流計。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）圧力１０＾−＾４Ｔｏｒｒ以下の真空状態のもとで
、重水素イオンを生成させ、生成された前記重水素イオ
ンを１ｋＶ以上の電圧で加速し、パラジウム、ニッケル
、チタン、グラファイトおよび窒化ボロンの少なくとも
１種を含む固定基板に照射することにより、温度１００
０℃以下の状態で前記固定基板の表面層において重水素
の核融合反応を起こさせることを特徴とする低温核融合
反応を行わせる方法。 ２）高真空中で重水素イオンを生成する手段と、 生成された前記重水素イオンを１ｋＶ以上の電圧で加速
する手段と、 加速された重水素イオンを照射してその表面で核融合反
応を起こさせるためのパラジウム、ニッケル、チタン、
グラファイトおよび窒化ボロンのうちの少なくとも１種
を含む固体基板と を具えたことを特徴とする低温核融合反応を行わせる装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1154625A JPH0320696A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 低温核融合反応を行わせる方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1154625A JPH0320696A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 低温核融合反応を行わせる方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320696A true JPH0320696A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15588276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1154625A Pending JPH0320696A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 低温核融合反応を行わせる方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320696A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004061318A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 拡散材料の表面反応過程分析装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02293692A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 低温核融合法 |
| JPH02298891A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Seiko Epson Corp | 核融合炉 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1154625A patent/JPH0320696A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02293692A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 低温核融合法 |
| JPH02298891A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Seiko Epson Corp | 核融合炉 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004061318A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 拡散材料の表面反応過程分析装置 |
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