JP2000143682A - 第三級ホスフィン誘導体の製造方法 - Google Patents
第三級ホスフィン誘導体の製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 第三級ホスフィン誘導体を、簡便かつ安全に
製造する。 【解決手段】 マグネシウム、アルミニウム、錫及びマ
ンガンから選択されるすくなくとも１種の金属及び遷移
金属触媒の存在下で、ハロゲン化アリール又はスルホン
酸アリールとハロゲン化ホスフィンを反応させて、第三
級ホスフィン誘導体を製造する。
製造する。 【解決手段】 マグネシウム、アルミニウム、錫及びマ
ンガンから選択されるすくなくとも１種の金属及び遷移
金属触媒の存在下で、ハロゲン化アリール又はスルホン
酸アリールとハロゲン化ホスフィンを反応させて、第三
級ホスフィン誘導体を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬品、農薬、香
料及び液晶等の製造を目的とした各種金属触媒を用いた
カップリング反応、酸化反応、及び還元反応等において
金属の配位子として用いられる第三級ホスフィン誘導体
の製造法に関する。
料及び液晶等の製造を目的とした各種金属触媒を用いた
カップリング反応、酸化反応、及び還元反応等において
金属の配位子として用いられる第三級ホスフィン誘導体
の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】第三級ホスフィン誘導体を製造する従来
の方法として、パラジウム触媒存在下でトリメチルシリ
ルジフェニルホスフィンとハライドを反応させる方法
（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉ
ｓｔｒｙ，５２，７４８（１９８７））、パラジウム触
媒存在下でジフェニルホスフィンとトリフレートを反応
させる方法（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６１，２９２２（１９９６））、
ニッケル触媒存在下でジフェニルホスフィンとトリフレ
ートを反応させる方法（ＵＳ５，３９９，７７１）、ニ
ッケル触媒存在下でクロロジフェニルホスフィン、亜
鉛、及びトリフレートあるいはハライドを反応させる方
法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ，
２３５９（１９９７））、パラジウム触媒存在下でトリ
フレートとジフェニルホスフィンオキシドを反応させた
後、トリクロロシランで還元する方法（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＯｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，５８，１
９４５（１９９３））、ニッケル触媒存在下でトリフレ
ートとジフェニルホスフィンオキシドを反応させた後、
トリクロロシランで還元する方法（ＥＰ０７７１８１２
Ａ１）、トシレートとリチウムジフェニルホスファイド
を反応させる方法（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，４５，５１８７（１９８
０））、メシレートとリチウムジフェニルホスファイド
を反応させる方法（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，９５１（１９
９２））等が知られている。
の方法として、パラジウム触媒存在下でトリメチルシリ
ルジフェニルホスフィンとハライドを反応させる方法
（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉ
ｓｔｒｙ，５２，７４８（１９８７））、パラジウム触
媒存在下でジフェニルホスフィンとトリフレートを反応
させる方法（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６１，２９２２（１９９６））、
ニッケル触媒存在下でジフェニルホスフィンとトリフレ
ートを反応させる方法（ＵＳ５，３９９，７７１）、ニ
ッケル触媒存在下でクロロジフェニルホスフィン、亜
鉛、及びトリフレートあるいはハライドを反応させる方
法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ，
２３５９（１９９７））、パラジウム触媒存在下でトリ
フレートとジフェニルホスフィンオキシドを反応させた
後、トリクロロシランで還元する方法（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＯｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，５８，１
９４５（１９９３））、ニッケル触媒存在下でトリフレ
ートとジフェニルホスフィンオキシドを反応させた後、
トリクロロシランで還元する方法（ＥＰ０７７１８１２
Ａ１）、トシレートとリチウムジフェニルホスファイド
を反応させる方法（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，４５，５１８７（１９８
０））、メシレートとリチウムジフェニルホスファイド
を反応させる方法（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，９５１（１９
９２））等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来法のほと
んどが高価かつ発火性物質であるジフェニルホスフィン
あるいはジフェニルホスフィンから調製する試薬を化学
量論量使用しており、ジフェニルホスフィンを使用しな
い場合でもやはり発火や爆発のおそれのある亜鉛末ある
いはアルカリ金属を化学量論量使用しており、工業的規
模で製造するには適当な方法とは言えない。
んどが高価かつ発火性物質であるジフェニルホスフィン
あるいはジフェニルホスフィンから調製する試薬を化学
量論量使用しており、ジフェニルホスフィンを使用しな
い場合でもやはり発火や爆発のおそれのある亜鉛末ある
いはアルカリ金属を化学量論量使用しており、工業的規
模で製造するには適当な方法とは言えない。
【０００４】本発明の目的は、危険性の少ない原料を使
用した簡便な第三級ホスフィン誘導体の製造法を提供す
ることである。
用した簡便な第三級ホスフィン誘導体の製造法を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく鋭意検討した結果、マグネシウム、アルミニ
ウム、錫又はマンガンの金属と、遷移金属触媒との存在
下、ハロゲン化アリール又はスルホン酸アリールとハロ
ゲン化ホスフィンを反応させることにより、第三級ホス
フィン誘導体を、簡便かつ安全に製造できることを見出
し、本発明を完成するに至った。
解決すべく鋭意検討した結果、マグネシウム、アルミニ
ウム、錫又はマンガンの金属と、遷移金属触媒との存在
下、ハロゲン化アリール又はスルホン酸アリールとハロ
ゲン化ホスフィンを反応させることにより、第三級ホス
フィン誘導体を、簡便かつ安全に製造できることを見出
し、本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明の構成を下記に示す。 （１） マグネシウム、アルミニウム、錫及びマンガン
から選択される少なくとも１種の金属及び遷移金属触媒
の存在下、下記一般式（１）
から選択される少なくとも１種の金属及び遷移金属触媒
の存在下、下記一般式（１）
【０００７】
【化４】
【０００８】〔式（１）中、Ｒ1はアリール基を表し、
Ｘはハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、パー
フルオロアルキルスルホニルオキシ基又はアリールスル
ホニルオキシ基を表す。〕で示されるハロゲン化アリー
ル又はスルホン酸アリールと下記一般式（２）
Ｘはハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、パー
フルオロアルキルスルホニルオキシ基又はアリールスル
ホニルオキシ基を表す。〕で示されるハロゲン化アリー
ル又はスルホン酸アリールと下記一般式（２）
【０００９】
【化５】
【００１０】〔式（２）中、Ｒ2及びＲ3は同じでも異な
ってもよく、それぞれアリール基、アルキル基又はシク
ロアルキル基を表し、Ｙはハロゲン原子を表し、ｍ及び
ｎは、それぞれ０又は１を表す。〕で示されるハロゲン
化ホスフィンを反応させることを特徴とする下記一般式
（３）
ってもよく、それぞれアリール基、アルキル基又はシク
ロアルキル基を表し、Ｙはハロゲン原子を表し、ｍ及び
ｎは、それぞれ０又は１を表す。〕で示されるハロゲン
化ホスフィンを反応させることを特徴とする下記一般式
（３）
【００１１】
【化６】
【００１２】〔式（３）中、Ｒ1はアリール基を表し、
Ｒ2及びＲ3は同じでも異なってもよく、それぞれアリー
ル基、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、ｍ及び
ｎは、それぞれ０又は１を表す。〕で示される第三級ホ
スフィン誘導体の製造方法。
Ｒ2及びＲ3は同じでも異なってもよく、それぞれアリー
ル基、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、ｍ及び
ｎは、それぞれ０又は１を表す。〕で示される第三級ホ
スフィン誘導体の製造方法。
【００１３】（２）遷移金属触媒が、ニッケル触媒ある
いはパラジウム触媒であることを特徴とする前項（１）
に記載の第三級ホスフィン誘導体の製造方法。
いはパラジウム触媒であることを特徴とする前項（１）
に記載の第三級ホスフィン誘導体の製造方法。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる一般式（１）
で表されるハロゲン化アリール又はスルホン酸アリール
において、Ｒ1は好ましくはフェニル基、ナフチル基、
アンスリル基、フェナンスリル基、ビフェニル基、ビナ
フチル基、ビアンスリル基、ビフェナンスリル基、ピリ
ジル基、キノリル基、イソキノリル基、ビピリジル基、
ビキノリル基、ビイソキノリル基、アクリジニル基、ピ
ラジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピロリル基、
イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、チア
ゾリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、インドリル基、及びチエニル基等を表す。
で表されるハロゲン化アリール又はスルホン酸アリール
において、Ｒ1は好ましくはフェニル基、ナフチル基、
アンスリル基、フェナンスリル基、ビフェニル基、ビナ
フチル基、ビアンスリル基、ビフェナンスリル基、ピリ
ジル基、キノリル基、イソキノリル基、ビピリジル基、
ビキノリル基、ビイソキノリル基、アクリジニル基、ピ
ラジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピロリル基、
イミダゾリル基、ピラゾリル基、オキサゾリル基、チア
ゾリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、インドリル基、及びチエニル基等を表す。
【００１５】これらの基は、更に置換基を有していても
よく、置換基の具体例としては、アルキル基（例えば、
メチル、エチル、プロピル、ブチル等）、アリール基
（例えば、フェニル、ナフチル等）、アルコキシ基（例
えば、メトキシ、エトキシ等）、アリールオキシ基（例
えば、フェノキシ等）、ヒドロキシ基、シアノ基、アシ
ル基（例えば、アセチル、ベンゾイル等）、アミノ基
（ジメチルアミノ等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル等）、アミド基（例えば、
アセトアミド、ベンズアミド等）、カルバモイル基（例
えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジフェ
ニルカルバモイル等）、ホスフィノ基（例えば、ジフェ
ニルホスフィノ基、ジシクロヘキシルホスフィノ基、ジ
−ｔ−ブチルホスフィノ基等）、ホスフィニル基（例え
ば、ジフェニルホスフィニル基、ジシクロヘキシルホス
フィニル基、ジ−ｔ−ブチルホスフィニル基等）、及び
パーフルオロアルカンスルホニルオキシ基（例えば、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブ
タンスルホニルオキシ基等）等を挙げることができる。
よく、置換基の具体例としては、アルキル基（例えば、
メチル、エチル、プロピル、ブチル等）、アリール基
（例えば、フェニル、ナフチル等）、アルコキシ基（例
えば、メトキシ、エトキシ等）、アリールオキシ基（例
えば、フェノキシ等）、ヒドロキシ基、シアノ基、アシ
ル基（例えば、アセチル、ベンゾイル等）、アミノ基
（ジメチルアミノ等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル等）、アミド基（例えば、
アセトアミド、ベンズアミド等）、カルバモイル基（例
えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジフェ
ニルカルバモイル等）、ホスフィノ基（例えば、ジフェ
ニルホスフィノ基、ジシクロヘキシルホスフィノ基、ジ
−ｔ−ブチルホスフィノ基等）、ホスフィニル基（例え
ば、ジフェニルホスフィニル基、ジシクロヘキシルホス
フィニル基、ジ−ｔ−ブチルホスフィニル基等）、及び
パーフルオロアルカンスルホニルオキシ基（例えば、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブ
タンスルホニルオキシ基等）等を挙げることができる。
【００１６】また、一般式（１）において、Ｘはハロゲ
ン原子、アルキルスルホニルオキシ基、パーフルオロア
ルキルスルホニルオキシ基又はアリールスルホニルオキ
シ基を表し、好ましくはヨウ素原子、臭素原子、メタン
スルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオ
キシ基、ノナフルオルブタンスルホニルオキシ基、ベン
ゼンスルホニルオキシ基及びｐ−トルエンスルホニルオ
キシ基である。
ン原子、アルキルスルホニルオキシ基、パーフルオロア
ルキルスルホニルオキシ基又はアリールスルホニルオキ
シ基を表し、好ましくはヨウ素原子、臭素原子、メタン
スルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオ
キシ基、ノナフルオルブタンスルホニルオキシ基、ベン
ゼンスルホニルオキシ基及びｐ−トルエンスルホニルオ
キシ基である。
【００１７】更に、Ｒ1が示すアリール基は、Ｘ（ハロ
ゲン原子又はスルホニル基）を二個以上有していてもよ
い。二個以上のＸは同じでも異なっていてもよい。二個
以上のＸは、すべて本発明の反応が進行し得るが、Ｘの
反応性の差を利用して、本発明の第三級ホスフィン誘導
体への反応を選択的に行うこともできる。Ｘの反応性の
順は、ヨウ素＞トリフルオロメタンスルホニルオキシ基
＞臭素＞塩素、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、メタ
ンスルホニルオキシ基である。また、Ｒ1が示すアリー
ル基とそのＸの置換位置によっては、その立体障害を利
用してＸの反応性の順を見かけ上逆転させることもでき
る。
ゲン原子又はスルホニル基）を二個以上有していてもよ
い。二個以上のＸは同じでも異なっていてもよい。二個
以上のＸは、すべて本発明の反応が進行し得るが、Ｘの
反応性の差を利用して、本発明の第三級ホスフィン誘導
体への反応を選択的に行うこともできる。Ｘの反応性の
順は、ヨウ素＞トリフルオロメタンスルホニルオキシ基
＞臭素＞塩素、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、メタ
ンスルホニルオキシ基である。また、Ｒ1が示すアリー
ル基とそのＸの置換位置によっては、その立体障害を利
用してＸの反応性の順を見かけ上逆転させることもでき
る。
【００１８】本発明に用いられる一般式（２）で表され
るハロゲン化ホスフィンにおいて、Ｒ2及びＲ3は、同じ
でも異なってもよく、それぞれアリール基、炭素数１〜
１２のアルキル基、又は炭素数３〜１２のシクロアルキ
ル基を表すことが好ましい。更に好ましくは、フェニル
基、ナフチル基、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素
数３〜６のシクロアルキル基である。
るハロゲン化ホスフィンにおいて、Ｒ2及びＲ3は、同じ
でも異なってもよく、それぞれアリール基、炭素数１〜
１２のアルキル基、又は炭素数３〜１２のシクロアルキ
ル基を表すことが好ましい。更に好ましくは、フェニル
基、ナフチル基、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素
数３〜６のシクロアルキル基である。
【００１９】これらの基は、更に置換基を有していても
よく、置換基の具体例としては、好ましくはアリール基
（例えば、フェニル、ナフチル等）、アルキル基（例え
ばメチル、エチル、プロピル、ブチル等）、アルコキシ
基（例えばメトキシ、エトキシ等）、アリールオキシ
（例えば、フェノキシ等）、ハロゲン原子（例えばフッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）、パーフ
ルオロアルキル基（例えばトリフルオロメチル、ノナフ
ルオロブチル等）、アミノ基（例えばジメチルアミノ、
ジフェニルアミノ等）、シアノ基、アシル基（例えば、
アセチル、ベンゾイル等）、アルコキシカルボニル基
（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル
等）、アミド基（例えば、アセトアミド、ベンズアミド
等）、カルバモイル基（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカル
バモイル、Ｎ，Ｎ−ジフェニルカルバモイル等）、ホス
フィノ基（例えばｔ−ブチルクロロホスフィノ基、シク
ロヘキシルクロロホスフィノ基、フェニルクロロホスフ
ィノ基、ジ−ｔ−ブチルホスフィノ基、ジシクロヘキシ
ルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基等）、及びホ
スフィニル基（例えば、ジフェニルホスフィニル基、ジ
シクロヘキシルホスフィニル基、ジ−ｔ−ブチルホスフ
ィニル基等）等を挙げることができる。
よく、置換基の具体例としては、好ましくはアリール基
（例えば、フェニル、ナフチル等）、アルキル基（例え
ばメチル、エチル、プロピル、ブチル等）、アルコキシ
基（例えばメトキシ、エトキシ等）、アリールオキシ
（例えば、フェノキシ等）、ハロゲン原子（例えばフッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）、パーフ
ルオロアルキル基（例えばトリフルオロメチル、ノナフ
ルオロブチル等）、アミノ基（例えばジメチルアミノ、
ジフェニルアミノ等）、シアノ基、アシル基（例えば、
アセチル、ベンゾイル等）、アルコキシカルボニル基
（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル
等）、アミド基（例えば、アセトアミド、ベンズアミド
等）、カルバモイル基（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカル
バモイル、Ｎ，Ｎ−ジフェニルカルバモイル等）、ホス
フィノ基（例えばｔ−ブチルクロロホスフィノ基、シク
ロヘキシルクロロホスフィノ基、フェニルクロロホスフ
ィノ基、ジ−ｔ−ブチルホスフィノ基、ジシクロヘキシ
ルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基等）、及びホ
スフィニル基（例えば、ジフェニルホスフィニル基、ジ
シクロヘキシルホスフィニル基、ジ−ｔ−ブチルホスフ
ィニル基等）等を挙げることができる。
【００２０】また、一般式（２）において、Ｙは塩素原
子を表すことが好ましい。
子を表すことが好ましい。
【００２１】一般式（２）で表されるハロゲン化ホスフ
ィンとして、具体的には、クロロジフェニルホスフィ
ン、クロロジ（３−メチルフェニル）ホスフィン、クロ
ロジ（４−メチルフェニル）ホスフィン、クロロビス
（２，４−ジメチルフェニル）ホスフィン、クロロビス
（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン、クロロビス
（２，６−ジメチルフェニル）ホスフィン、クロロビス
（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン、クロ
ロビス（３，４，５−トリメチルフェニル）ホスフィ
ン、クロロジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ホスフィン、
クロロビス（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスフ
ィン、クロロジ（３−メトキシフェニル）ホスフィン、
クロロジ（４−メトキシフェニル）ホスフィン、クロロ
ビス（２，４−ジメトキシフェニル）ホスフィン、クロ
ロビス（３，５−ジメトキシフェニル）ホスフィン、ク
ロロビス（２，６−ジメトキシフェニル）ホスフィン、
ィンとして、具体的には、クロロジフェニルホスフィ
ン、クロロジ（３−メチルフェニル）ホスフィン、クロ
ロジ（４−メチルフェニル）ホスフィン、クロロビス
（２，４−ジメチルフェニル）ホスフィン、クロロビス
（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン、クロロビス
（２，６−ジメチルフェニル）ホスフィン、クロロビス
（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン、クロ
ロビス（３，４，５−トリメチルフェニル）ホスフィ
ン、クロロジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ホスフィン、
クロロビス（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスフ
ィン、クロロジ（３−メトキシフェニル）ホスフィン、
クロロジ（４−メトキシフェニル）ホスフィン、クロロ
ビス（２，４−ジメトキシフェニル）ホスフィン、クロ
ロビス（３，５−ジメトキシフェニル）ホスフィン、ク
ロロビス（２，６−ジメトキシフェニル）ホスフィン、
【００２２】クロロビス（２，４，６−トリメトキシフ
ェニル）ホスフィン、クロロビス（３，４，５−トリメ
トキシフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，５−ジ
メチル−４−メトキシフェニル）ホスフィン、クロロジ
（３−クロロフェニル）ホスフィン、クロロジ（４−ク
ロロフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４−ジク
ロロフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，５−ジク
ロロフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，６−ジク
ロロフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４，６−
トリクロロフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，
４，５−トリクロロフェニル）ホスフィン、クロロジ
（３−フルオロフェニル）ホスフィン、クロロジ（４−
フルオロフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４−
ジフルオロフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，５
−ジフルオロフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，
６−ジフルオロフェニル）ホスフィン、
ェニル）ホスフィン、クロロビス（３，４，５−トリメ
トキシフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，５−ジ
メチル−４−メトキシフェニル）ホスフィン、クロロジ
（３−クロロフェニル）ホスフィン、クロロジ（４−ク
ロロフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４−ジク
ロロフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，５−ジク
ロロフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，６−ジク
ロロフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４，６−
トリクロロフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，
４，５−トリクロロフェニル）ホスフィン、クロロジ
（３−フルオロフェニル）ホスフィン、クロロジ（４−
フルオロフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４−
ジフルオロフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，５
−ジフルオロフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，
６−ジフルオロフェニル）ホスフィン、
【００２３】クロロビス（２，４，６−トリフルオロフ
ェニル）ホスフィン、クロロビス（３，４，５−トリフ
ルオロフェニル）ホスフィン、クロロジ（３−トリフル
オロメチルフェニル）ホスフィン、クロロジ（４−トリ
フルオロメチルフェニル）ホスフィン、クロロビス
（２，４−ビストリフルオロメチルフェニル）ホスフィ
ン、クロロビス（３，５−ビストリフルオロメチルフェ
ニル）ホスフィン、クロロビス（２，６−ビストリフル
オロメチルフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，
４，６−トリストリフルオロメチルフェニル）ホスフィ
ン、クロロビス（３，４，５−トリストリフルオロメチ
ルフェニル）ホスフィン、クロロジ（３−ジメチルアミ
ノフェニル）ホスフィン、クロロジ（４−ジメチルアミ
ノフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４−ビスジ
メチルアミノフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，
５−ビスジメチルアミノフェニル）ホスフィン、クロロ
ビス（２，６−ビスジメチルアミノフェニル）ホスフィ
ン、
ェニル）ホスフィン、クロロビス（３，４，５−トリフ
ルオロフェニル）ホスフィン、クロロジ（３−トリフル
オロメチルフェニル）ホスフィン、クロロジ（４−トリ
フルオロメチルフェニル）ホスフィン、クロロビス
（２，４−ビストリフルオロメチルフェニル）ホスフィ
ン、クロロビス（３，５−ビストリフルオロメチルフェ
ニル）ホスフィン、クロロビス（２，６−ビストリフル
オロメチルフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，
４，６−トリストリフルオロメチルフェニル）ホスフィ
ン、クロロビス（３，４，５−トリストリフルオロメチ
ルフェニル）ホスフィン、クロロジ（３−ジメチルアミ
ノフェニル）ホスフィン、クロロジ（４−ジメチルアミ
ノフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４−ビスジ
メチルアミノフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，
５−ビスジメチルアミノフェニル）ホスフィン、クロロ
ビス（２，６−ビスジメチルアミノフェニル）ホスフィ
ン、
【００２４】クロロビス（２，４，６−トリスジメチル
アミノフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，４，５
−トリスジメチルアミノフェニル）ホスフィン、クロロ
ジ（３−ビフェニル）ホスフィン、クロロジ（４−ビフ
ェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４−ジフェニル
フェニル）ホスフィン、クロロビス（３，５−ジフェニ
ルフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，６−ジフェ
ニルフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４，６−
トリフェニルフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，
４，５−トリフェニルフェニル）ホスフィン、クロロジ
（α−ナフチル）ホスフィン、クロロジ（β−ナフチ
ル）ホスフィン、クロロジ（６−メトキシ−α−ナフチ
ル）ホスフィン、クロロジ（６−メトキシ−β−ナフチ
ル）ホスフィン、クロロジ（３，４−メチレンジオキシ
フェニル）ホスフィン、
アミノフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，４，５
−トリスジメチルアミノフェニル）ホスフィン、クロロ
ジ（３−ビフェニル）ホスフィン、クロロジ（４−ビフ
ェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４−ジフェニル
フェニル）ホスフィン、クロロビス（３，５−ジフェニ
ルフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，６−ジフェ
ニルフェニル）ホスフィン、クロロビス（２，４，６−
トリフェニルフェニル）ホスフィン、クロロビス（３，
４，５−トリフェニルフェニル）ホスフィン、クロロジ
（α−ナフチル）ホスフィン、クロロジ（β−ナフチ
ル）ホスフィン、クロロジ（６−メトキシ−α−ナフチ
ル）ホスフィン、クロロジ（６−メトキシ−β−ナフチ
ル）ホスフィン、クロロジ（３，４−メチレンジオキシ
フェニル）ホスフィン、
【００２５】クロロジメチルホスフィン、クロロジエチ
ルホスフィン、クロロジイソプロピルホスフィン、クロ
ロジ−ｔ−ブチルホスフィン、クロロジシクロプロピル
ホスフィン、クロロジシクロペンチルホスフィン、クロ
ロジシクロヘキシルホスフィン、クロロジシクロオクチ
ルホスフィン、クロロジシクロデシルホスフィン、クロ
ロジシクロドデシルホスフィン、クロロシクロヘキシル
フェニルホスフィン、ジクロロメチルホスフィン、ジク
ロロエチルホスフィン、ジクロロイソプロピルホスフィ
ン、ジクロロ−ｔ−ブチルホスフィン、ジクロロシクロ
ペンチルホスフィン、ジクロロシクロプロピルホスフィ
ン、ジクロロシクロヘキシルホスフィン、ジクロロフェ
ニルホスフィン、ジクロロ４−メチルフェニルホスフィ
ン、ジクロロ２，６−ジメチルフェニルホスフィン、ジ
クロロ２−メトキシフェニルホスフィン、ジクロロ３−
クロロフェニルホスフィン、ジクロロ１−ナフチルホス
フィン、ジクロロ２−ナフチルホスフィン、２，２′−
ビス（ジクロロホスフィノ）−１，１′−ビナフチル、
２，２′−ビス（ジクロロホスフィノ）−６，６′−ジ
メチル−１，１′−ビフェニル、及び三塩化リン等が挙
げられる。
ルホスフィン、クロロジイソプロピルホスフィン、クロ
ロジ−ｔ−ブチルホスフィン、クロロジシクロプロピル
ホスフィン、クロロジシクロペンチルホスフィン、クロ
ロジシクロヘキシルホスフィン、クロロジシクロオクチ
ルホスフィン、クロロジシクロデシルホスフィン、クロ
ロジシクロドデシルホスフィン、クロロシクロヘキシル
フェニルホスフィン、ジクロロメチルホスフィン、ジク
ロロエチルホスフィン、ジクロロイソプロピルホスフィ
ン、ジクロロ−ｔ−ブチルホスフィン、ジクロロシクロ
ペンチルホスフィン、ジクロロシクロプロピルホスフィ
ン、ジクロロシクロヘキシルホスフィン、ジクロロフェ
ニルホスフィン、ジクロロ４−メチルフェニルホスフィ
ン、ジクロロ２，６−ジメチルフェニルホスフィン、ジ
クロロ２−メトキシフェニルホスフィン、ジクロロ３−
クロロフェニルホスフィン、ジクロロ１−ナフチルホス
フィン、ジクロロ２−ナフチルホスフィン、２，２′−
ビス（ジクロロホスフィノ）−１，１′−ビナフチル、
２，２′−ビス（ジクロロホスフィノ）−６，６′−ジ
メチル−１，１′−ビフェニル、及び三塩化リン等が挙
げられる。
【００２６】式（２）のハロゲン化ホスフィンに対する
式（１）のハロゲン化アリール又はスルホン酸アリール
の使用量は、ハロゲン化ホスフィン及びハロゲン化アリ
ール又はスルホン酸アリールの種類等に応じて変えるこ
とができるが、好ましくは０．１当量ないし３０当量で
あり、更に好ましくは０．３当量ないし１０当量であ
る。
式（１）のハロゲン化アリール又はスルホン酸アリール
の使用量は、ハロゲン化ホスフィン及びハロゲン化アリ
ール又はスルホン酸アリールの種類等に応じて変えるこ
とができるが、好ましくは０．１当量ないし３０当量で
あり、更に好ましくは０．３当量ないし１０当量であ
る。
【００２７】本発明に用いられる反応溶媒として、非プ
ロトン性溶媒が挙げられる。好ましくはＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラエチル尿素、テトラヒドロフラ
ン等が挙げられる。更に好ましくはＮ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドである。
ロトン性溶媒が挙げられる。好ましくはＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラエチル尿素、テトラヒドロフラ
ン等が挙げられる。更に好ましくはＮ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドである。
【００２８】本発明に用いられるマグネシウム、アルミ
ニウム、錫またはマンガンの金属の形状は、特に限定さ
れず、板状、箔状、粉末状、切削片状、及び粒状等の何
れでもよい。
ニウム、錫またはマンガンの金属の形状は、特に限定さ
れず、板状、箔状、粉末状、切削片状、及び粒状等の何
れでもよい。
【００２９】また、マグネシウム、アルミニウム、錫及
びマンガンから選択される少なくとも１種の金属のハロ
ゲン化ホスフィンに対する使用量は好ましくは０．３当
量ないし１０当量、更に好ましくは０．５当量ないし２
当量である。
びマンガンから選択される少なくとも１種の金属のハロ
ゲン化ホスフィンに対する使用量は好ましくは０．３当
量ないし１０当量、更に好ましくは０．５当量ないし２
当量である。
【００３０】本発明に用いられる遷移金属触媒として
は、好ましくは、ニッケル触媒、パラジウム触媒、コバ
ルト触媒、鉄触媒、銅触媒、ルテニウム触媒、ロジウム
触媒、イリジウム触媒、白金触媒が挙げられる。更に好
ましくは、ニッケル触媒及びパラジウム触媒である。
は、好ましくは、ニッケル触媒、パラジウム触媒、コバ
ルト触媒、鉄触媒、銅触媒、ルテニウム触媒、ロジウム
触媒、イリジウム触媒、白金触媒が挙げられる。更に好
ましくは、ニッケル触媒及びパラジウム触媒である。
【００３１】ニッケル触媒としては、０価及び２価のニ
ッケル触媒が挙げられる。好ましくは、塩化ニッケル、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、ジ
クロロ〔ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン〕ニッケ
ル、ジクロロ〔１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）
エタン〕ニッケル、ジクロロ〔１，３−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）プロパン〕ニッケル、ジクロロ〔１，４
−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン〕ニッケル、ジ
クロロ〔１，１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェ
ロセン〕ニッケル、ジクロロ（１，５−シクロオクタジ
エン）ニッケル、ジクロロ（ビピリジル）ニッケル、テ
トラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、ビス
（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル、及びビス
（トリフェニルホスフィン）ジカルボニルニッケル等が
挙げられる。
ッケル触媒が挙げられる。好ましくは、塩化ニッケル、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、ジ
クロロ〔ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン〕ニッケ
ル、ジクロロ〔１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）
エタン〕ニッケル、ジクロロ〔１，３−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）プロパン〕ニッケル、ジクロロ〔１，４
−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン〕ニッケル、ジ
クロロ〔１，１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェ
ロセン〕ニッケル、ジクロロ（１，５−シクロオクタジ
エン）ニッケル、ジクロロ（ビピリジル）ニッケル、テ
トラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、ビス
（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル、及びビス
（トリフェニルホスフィン）ジカルボニルニッケル等が
挙げられる。
【００３２】更に好ましくは、ジクロロ〔ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）メタン〕ニッケル、ジクロロ〔１，２
−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン〕ニッケル、ジ
クロロ〔１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパ
ン〕ニッケル、及びジクロロ〔１，４−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）ブタン〕ニッケルである。
ニルホスフィノ）メタン〕ニッケル、ジクロロ〔１，２
−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン〕ニッケル、ジ
クロロ〔１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパ
ン〕ニッケル、及びジクロロ〔１，４−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）ブタン〕ニッケルである。
【００３３】パラジウム触媒としては、０価及び２価の
パラジウム触媒が挙げられる。好ましくは塩化パラジウ
ム、酢酸パラジウム、パラジウムアセチルアセトナー
ト、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、テト
ラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロ
ロ〔ビス（トリフェニルホスフィン）〕パラジウム、ジ
クロロ〔ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン〕パラジ
ウム、ジクロロ〔１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン〕パラジウム、ジクロロ〔１，３−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）プロパン〕パラジウム、ジクロロ
〔１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン〕パラ
ジウム、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラ
ジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム、
ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム、および酢
酸〔ビス（トリフェニルホスフィン）〕パラジウム等の
パラジウム触媒である。
パラジウム触媒が挙げられる。好ましくは塩化パラジウ
ム、酢酸パラジウム、パラジウムアセチルアセトナー
ト、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、テト
ラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロ
ロ〔ビス（トリフェニルホスフィン）〕パラジウム、ジ
クロロ〔ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン〕パラジ
ウム、ジクロロ〔１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン〕パラジウム、ジクロロ〔１，３−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）プロパン〕パラジウム、ジクロロ
〔１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン〕パラ
ジウム、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラ
ジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム、
ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム、および酢
酸〔ビス（トリフェニルホスフィン）〕パラジウム等の
パラジウム触媒である。
【００３４】更に好ましくは、テトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム、ジクロロ〔ビス（トリフェ
ニルホスフィン）〕パラジウム、ジクロロ〔ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）メタン〕パラジウム、ジクロロ
〔１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン〕パラ
ジウム、ジクロロ〔１，３−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）プロパン〕パラジウム、ジクロロ〔１，４−ビス
（ジフェニルホスフィノ）ブタン〕パラジウムが挙げら
れる。
ルホスフィン）パラジウム、ジクロロ〔ビス（トリフェ
ニルホスフィン）〕パラジウム、ジクロロ〔ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）メタン〕パラジウム、ジクロロ
〔１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン〕パラ
ジウム、ジクロロ〔１，３−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）プロパン〕パラジウム、ジクロロ〔１，４−ビス
（ジフェニルホスフィノ）ブタン〕パラジウムが挙げら
れる。
【００３５】式（１）のハロゲン化アリール又はスルホ
ン酸アリールに対する遷移金属触媒の使用量は、好まし
くは０．００１当量ないし１当量であり、更に好ましく
は０．０１当量ないし０．５当量である。
ン酸アリールに対する遷移金属触媒の使用量は、好まし
くは０．００１当量ないし１当量であり、更に好ましく
は０．０１当量ないし０．５当量である。
【００３６】本発明に好ましく用いられるホスフィン配
位子を有する遷移金属触媒は、ホスフィン配位子を持た
ない他の遷移金属触媒とホスフィン配位子から反応系内
で調製し用いることもできる。好ましいホスフィン配位
子としては、トリフェニルホスフィン、ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホス
フィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）
ブタン等が挙げられる。更に好ましくは１，２−ビス
（ジフェニルホスフィノ）エタンである。
位子を有する遷移金属触媒は、ホスフィン配位子を持た
ない他の遷移金属触媒とホスフィン配位子から反応系内
で調製し用いることもできる。好ましいホスフィン配位
子としては、トリフェニルホスフィン、ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホス
フィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）
ブタン等が挙げられる。更に好ましくは１，２−ビス
（ジフェニルホスフィノ）エタンである。
【００３７】本発明の反応温度は、好ましくは８０℃な
いし１６０℃であり、更に好ましくは１００℃ないし１
４０℃である。反応時間は、用いたハロゲン化アリール
又はスルホン酸アリールの種類や量、遷移金属触媒の種
類や量、ハロゲン化ホスフィンの種類や量、マグネシウ
ム、アルミニウム、錫またはマンガンの金属の形状や
量、反応温度、反応溶媒等によっても変わるが、通常は
１日ないし１０日である。
いし１６０℃であり、更に好ましくは１００℃ないし１
４０℃である。反応時間は、用いたハロゲン化アリール
又はスルホン酸アリールの種類や量、遷移金属触媒の種
類や量、ハロゲン化ホスフィンの種類や量、マグネシウ
ム、アルミニウム、錫またはマンガンの金属の形状や
量、反応温度、反応溶媒等によっても変わるが、通常は
１日ないし１０日である。
【００３８】また、一般式（１）で表される化合物が、
軸不斉を有する場合やアリール基上の置換基に不斉の要
素がある場合には、本発明の反応において立体配置は保
持される。
軸不斉を有する場合やアリール基上の置換基に不斉の要
素がある場合には、本発明の反応において立体配置は保
持される。
【００３９】本発明における反応操作手順は任意であ
り、溶媒、マグネシウム、アルミニウム、錫またはマン
ガンの金属、遷移金属触媒、ハロゲン化アリール又はス
ルホン酸アリール、及びハロゲン化ホスフィンをいかな
る順序で添加してもよい。
り、溶媒、マグネシウム、アルミニウム、錫またはマン
ガンの金属、遷移金属触媒、ハロゲン化アリール又はス
ルホン酸アリール、及びハロゲン化ホスフィンをいかな
る順序で添加してもよい。
【００４０】本発明の方法の一例を具体的に説明する
と、不活性ガス雰囲気下、非プロトン性溶媒に、アルミ
ニウム、ニッケル触媒、ハロゲン化アリール及びハロゲ
ン化ホスフィンを加え、加熱攪拌する。反応終了後、ト
ルエン等の有機溶媒及び水を加え、トルエン層と水層を
分離する。このトルエン層を水洗、乾燥後、減圧濃縮し
て、第三級ホスフィン誘導体を得ることができる。更に
必要に応じて再結晶、再沈殿あるいはクロマトグラフィ
ー等により精製することができる。
と、不活性ガス雰囲気下、非プロトン性溶媒に、アルミ
ニウム、ニッケル触媒、ハロゲン化アリール及びハロゲ
ン化ホスフィンを加え、加熱攪拌する。反応終了後、ト
ルエン等の有機溶媒及び水を加え、トルエン層と水層を
分離する。このトルエン層を水洗、乾燥後、減圧濃縮し
て、第三級ホスフィン誘導体を得ることができる。更に
必要に応じて再結晶、再沈殿あるいはクロマトグラフィ
ー等により精製することができる。
【００４１】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。
明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。
【００４２】実施例１ 窒素ガス雰囲気下、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０
ｃｍ3に、ジクロロ〔１，２−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）エタン〕ニッケル２４８ｍｇ（０．４７０ｍｍｏ
ｌ）、アルミニウム箔１３９ｍｇ（５．１７ｍｇ−ａｔ
ｏｍ）、及びヨードベンゼン０．５２ｃｍ3（４．６６
ｍｍｏｌ）を加え、クロロジフェニルホスフィン０．８
４ｃｍ3（４．６８ｍｍｏｌ）を滴下し、１００℃に加
熱し、２４時間攪拌した。トルエン１０ｃｍ3及び１ｍ
ｏｌ・ｄｍ-3塩酸１０ｃｍ3を加えた。トルエン層をガ
スクロマトグラフィーにより分析した結果、トリフェニ
ルホスフィンの収率は８１％であった。
ｃｍ3に、ジクロロ〔１，２−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）エタン〕ニッケル２４８ｍｇ（０．４７０ｍｍｏ
ｌ）、アルミニウム箔１３９ｍｇ（５．１７ｍｇ−ａｔ
ｏｍ）、及びヨードベンゼン０．５２ｃｍ3（４．６６
ｍｍｏｌ）を加え、クロロジフェニルホスフィン０．８
４ｃｍ3（４．６８ｍｍｏｌ）を滴下し、１００℃に加
熱し、２４時間攪拌した。トルエン１０ｃｍ3及び１ｍ
ｏｌ・ｄｍ-3塩酸１０ｃｍ3を加えた。トルエン層をガ
スクロマトグラフィーにより分析した結果、トリフェニ
ルホスフィンの収率は８１％であった。
【００４３】実施例２〜３３ 実施例１において、ハロゲン化ホスフィン、ハロゲン化
アリール又はスルホン酸アリール、金属、遷移金属触
媒、モル比、あるいは反応時間を表−Ａに示す通りに変
えた以外は、実施例１と同様にして反応を行った。その
結果を表−Ａに併記する。
アリール又はスルホン酸アリール、金属、遷移金属触
媒、モル比、あるいは反応時間を表−Ａに示す通りに変
えた以外は、実施例１と同様にして反応を行った。その
結果を表−Ａに併記する。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【表２】
【００４６】
【発明の効果】本発明においては、マグネシウム、アル
ミニウム、錫又はマンガンの金属及び遷移金属触媒の存
在下で、ハロゲン化アリール又はスルホン酸アリールと
ハロゲン化ホスフィンを反応させることにより、第三級
ホスフィン誘導体を、簡便かつ安全に製造することがで
きる。
ミニウム、錫又はマンガンの金属及び遷移金属触媒の存
在下で、ハロゲン化アリール又はスルホン酸アリールと
ハロゲン化ホスフィンを反応させることにより、第三級
ホスフィン誘導体を、簡便かつ安全に製造することがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G069 AA06 BA27A BA27B BC29A BC65A BC68A BC68B BC69A BC72A BC72B BC75A BE03A BE03B BE27A BE27B BE33A BE33B CB01 CB25 DA02 4H039 CA90 CD20 CD40 4H050 AA02 BA06 BA09 BA11 BA16 BA17 WA15 WA26
Claims (2)
- 【請求項１】 マグネシウム、アルミニウム、錫及びマ
ンガンから選択される少なくとも１種の金属及び遷移金
属触媒の存在下、下記一般式（１） 【化１】 〔式（１）中、Ｒ1はアリール基を表し、Ｘはハロゲン
原子、アルキルスルホニルオキシ基、パーフルオロアル
キルスルホニルオキシ基又はアリールスルホニルオキシ
基を表す。〕で示されるハロゲン化アリール又はスルホ
ン酸アリールと下記一般式（２） 【化２】 〔式（２）中、Ｒ2及びＲ3は同じでも異なってもよく、
それぞれアリール基、アルキル基又はシクロアルキル基
を表し、Ｙはハロゲン原子を表し、ｍ及びｎは、それぞ
れ０又は１を表す。〕で示されるハロゲン化ホスフィン
を反応させることを特徴とする下記一般式（３） 【化３】 〔式（３）中、Ｒ1はアリール基を表し、Ｒ2及びＲ3は
同じでも異なってもよく、それぞれアリール基、アルキ
ル基又はシクロアルキル基を表し、ｍ及びｎは、それぞ
れ０又は１を表す。〕で示される第三級ホスフィン誘導
体の製造方法。 - 【請求項２】 遷移金属触媒が、ニッケル触媒あるいは
パラジウム触媒であることを特徴とする請求項１に記載
の第三級ホスフィン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10313380A JP2000143682A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 第三級ホスフィン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10313380A JP2000143682A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 第三級ホスフィン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000143682A true JP2000143682A (ja) | 2000-05-26 |
Family
ID=18040580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10313380A Pending JP2000143682A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 第三級ホスフィン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000143682A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004501877A (ja) * | 2000-06-26 | 2004-01-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ホスフィンオキシド化合物およびスルホキシド化合物を用いる触媒作用 |
| CN111440213A (zh) * | 2020-04-07 | 2020-07-24 | 西安近代化学研究所 | 一种过渡金属催化芳香硝基c-no2转化为c-p键方法 |
-
1998
- 1998-11-04 JP JP10313380A patent/JP2000143682A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN111440213A (zh) * | 2020-04-07 | 2020-07-24 | 西安近代化学研究所 | 一种过渡金属催化芳香硝基c-no2转化为c-p键方法 |
| CN111440213B (zh) * | 2020-04-07 | 2022-10-25 | 西安近代化学研究所 | 一种过渡金属催化芳香硝基c-no2转化为c-p键方法 |
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