JP2000143232A - ホウ炭化スカンジウム及びその製造方法 - Google Patents
ホウ炭化スカンジウム及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 分光素子材料や熱電素子材料等として有用な
新規なホウ炭化スカンジウム化合物の提供。 【解決手段】 一般式ＳｃＢ(15+X)Ｃ(1.60+Y)、（−２
＜ｘ＜２）、（−０．８＜ｙ＜１．０）で示されるホウ
炭化スカンジウム化合物を、Ｓｃ2 Ｏ3 に下記の反応式
（１）に基づく割合のホウ素を混合して得た混合物を真
空中または不活性ガス雰囲気中で１５００〜１８５０℃
の温度範囲で反応させてホウ化スカンジウム化合物を
得、さらに該ホウ化スカンジウム化合物に下記の反応式
（２）に基づく割合の炭素を混合して得た混合物を上記
と同じ反応条件で反応させるて製造する。 Ｓｃ2 Ｏ3 ＋ （２ｎ＋３）Ｂ → ２ＳｃＢn ＋ ３ＢＯ↑ （１） ＳｃＢn ＋ ｍＢ ＋ １．６０Ｃ → ＳｃＢ15Ｃ1.60 ただし、ｎ＋ｍ＝１５ （２）
新規なホウ炭化スカンジウム化合物の提供。 【解決手段】 一般式ＳｃＢ(15+X)Ｃ(1.60+Y)、（−２
＜ｘ＜２）、（−０．８＜ｙ＜１．０）で示されるホウ
炭化スカンジウム化合物を、Ｓｃ2 Ｏ3 に下記の反応式
（１）に基づく割合のホウ素を混合して得た混合物を真
空中または不活性ガス雰囲気中で１５００〜１８５０℃
の温度範囲で反応させてホウ化スカンジウム化合物を
得、さらに該ホウ化スカンジウム化合物に下記の反応式
（２）に基づく割合の炭素を混合して得た混合物を上記
と同じ反応条件で反応させるて製造する。 Ｓｃ2 Ｏ3 ＋ （２ｎ＋３）Ｂ → ２ＳｃＢn ＋ ３ＢＯ↑ （１） ＳｃＢn ＋ ｍＢ ＋ １．６０Ｃ → ＳｃＢ15Ｃ1.60 ただし、ｎ＋ｍ＝１５ （２）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ホウ炭化スカンジ
ウム化合物及びその製造方法に関する。より詳細には分
光素子材料や熱電素子材料等として有用な新規なホウ炭
化スカンジウム化合物及びその製造方法に関する。
ウム化合物及びその製造方法に関する。より詳細には分
光素子材料や熱電素子材料等として有用な新規なホウ炭
化スカンジウム化合物及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来から、高機能材料のひとつとして、希
土類多ホウ化物が関心を持たれており、例えば、希土類
多ホウ化物として、ＹＢ66が軟Ｘ線分光素子材料として
近年開発されている。また、新規な多ホウ化物として、
ＹＢ25およびＹＢ50とその希土類置換体、ホウケイ化イ
ットリウムとその希土類置換体が見いだされ、それらの
持つ機能が検討され有用材料として開発されることが期
待されている。さらに多彩な多ホウ化物類縁化合物が発
見、供給されることで、新しい機能が発現することへの
期待も大きい。
土類多ホウ化物が関心を持たれており、例えば、希土類
多ホウ化物として、ＹＢ66が軟Ｘ線分光素子材料として
近年開発されている。また、新規な多ホウ化物として、
ＹＢ25およびＹＢ50とその希土類置換体、ホウケイ化イ
ットリウムとその希土類置換体が見いだされ、それらの
持つ機能が検討され有用材料として開発されることが期
待されている。さらに多彩な多ホウ化物類縁化合物が発
見、供給されることで、新しい機能が発現することへの
期待も大きい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＹＢ66軟Ｘ線分光素子
材料の熱伝導度は低く、輝度の高い放射光ビームライン
での使用に難点があり、利用できる範囲が限られてお
り、これを代替できる機能を持つ高熱伝導度材料の開発
が待たれている。軟Ｘ線分光材料としての必要条件は、
長いｄ一値を持つ回折面がある、電気伝導性がある、軽
い元素で構成されている、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉなど測定対
象となる元素を含まない、耐熱性に優れる、などであ
る。これらを溝足できる材料として多ホウ化物は他には
ない優れた材料と言える。しかし、従来知られているＡ
ｌＢ12などの多ホウ化物はＡｌを含むということの他
に、分解化合物で、大型結晶の育成が望めない。また、
ホウケイ化物はＳｉを含むので、適当とは言えない。本
発明の課題は、機能性材料として実用的にも利用可能
で、特にＹＢ66軟Ｘ線分光素子材料を代替できる新規な
希土類多ホウ化物を提供することである。
材料の熱伝導度は低く、輝度の高い放射光ビームライン
での使用に難点があり、利用できる範囲が限られてお
り、これを代替できる機能を持つ高熱伝導度材料の開発
が待たれている。軟Ｘ線分光材料としての必要条件は、
長いｄ一値を持つ回折面がある、電気伝導性がある、軽
い元素で構成されている、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉなど測定対
象となる元素を含まない、耐熱性に優れる、などであ
る。これらを溝足できる材料として多ホウ化物は他には
ない優れた材料と言える。しかし、従来知られているＡ
ｌＢ12などの多ホウ化物はＡｌを含むということの他
に、分解化合物で、大型結晶の育成が望めない。また、
ホウケイ化物はＳｉを含むので、適当とは言えない。本
発明の課題は、機能性材料として実用的にも利用可能
で、特にＹＢ66軟Ｘ線分光素子材料を代替できる新規な
希土類多ホウ化物を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、希土類多ホ
ウ化物について、少量の炭素を加えた新規なホウ炭化物
について種々検討した結果、新規なホウ炭化スカンジウ
ムを見出し、本発明を完成した。本発明は、一般式Ｓｃ
Ｂ(15+X)Ｃ(1.60+Y)、（−２＜ｘ＜２）、（−０．８＜
ｙ＜１．０）で示される斜方晶系のホウ炭化スカジウム
化合物である。
ウ化物について、少量の炭素を加えた新規なホウ炭化物
について種々検討した結果、新規なホウ炭化スカンジウ
ムを見出し、本発明を完成した。本発明は、一般式Ｓｃ
Ｂ(15+X)Ｃ(1.60+Y)、（−２＜ｘ＜２）、（−０．８＜
ｙ＜１．０）で示される斜方晶系のホウ炭化スカジウム
化合物である。
【０００５】また、本発明は、Ｓｃ2 Ｏ3 に下記の反応
式(1）に基づく割合のホウ素を混合して得た混合物を真
空中または不活性ガス雰囲気中で１５００〜１８５０℃
の温度範囲で反応させてホウ化スカンジウム化合物を
得、さらに該ホウ化スカンジウム化合物に下記の反応式
（２）に基づく割合の炭素を混合して得た混合物を上記
と同じ反応条件で反応させることを特徴とする上記の新
規なホウ炭化スカンジウム化合物の製造方法である。 Ｓｃ2 Ｏ3 ＋ （２ｎ＋３）Ｂ → ２ＳｃＢn ＋ ３ＢＯ↑ （１） ＳｃＢn ＋ ｍＢ ＋ １．６０Ｃ → ＳｃＢ15Ｃ1.60 ただし、ｎ＋ｍ＝１５ （２）
式(1）に基づく割合のホウ素を混合して得た混合物を真
空中または不活性ガス雰囲気中で１５００〜１８５０℃
の温度範囲で反応させてホウ化スカンジウム化合物を
得、さらに該ホウ化スカンジウム化合物に下記の反応式
（２）に基づく割合の炭素を混合して得た混合物を上記
と同じ反応条件で反応させることを特徴とする上記の新
規なホウ炭化スカンジウム化合物の製造方法である。 Ｓｃ2 Ｏ3 ＋ （２ｎ＋３）Ｂ → ２ＳｃＢn ＋ ３ＢＯ↑ （１） ＳｃＢn ＋ ｍＢ ＋ １．６０Ｃ → ＳｃＢ15Ｃ1.60 ただし、ｎ＋ｍ＝１５ （２）
【０００６】即ち、本発明の新規なホウ炭化スカンジウ
ムは、その中心組成が、既に知られているＳｃ−Ｂ−Ｃ
系化合物であるＳｃＢ17Ｃ0.25より少しホウ素量が少な
く、炭素量の多い組成であり、Ｂ12クラスターを構造の
基本とする希土類のホウ炭化物である。Ｂ12クラスター
を構造の基本とするホウ炭化物の構造の空隙は小さく、
イオン半径の大きい希土類元素を含むのは容易でない
が、本発明者は、Ｓｃ−Ｂ−Ｃ系を探索することによ
り、既に知られているＳｃＢ17Ｃ0.25に加えて、新た
に、一般式ＳｃＢ(15+X)Ｃ(1.60+Y)、（−２＜ｘ＜
２）、（−０．８＜ｙ＜１．０）で示されるホウ炭化ス
カンジウム化合物を単一相として合成することに成功し
た。
ムは、その中心組成が、既に知られているＳｃ−Ｂ−Ｃ
系化合物であるＳｃＢ17Ｃ0.25より少しホウ素量が少な
く、炭素量の多い組成であり、Ｂ12クラスターを構造の
基本とする希土類のホウ炭化物である。Ｂ12クラスター
を構造の基本とするホウ炭化物の構造の空隙は小さく、
イオン半径の大きい希土類元素を含むのは容易でない
が、本発明者は、Ｓｃ−Ｂ−Ｃ系を探索することによ
り、既に知られているＳｃＢ17Ｃ0.25に加えて、新た
に、一般式ＳｃＢ(15+X)Ｃ(1.60+Y)、（−２＜ｘ＜
２）、（−０．８＜ｙ＜１．０）で示されるホウ炭化ス
カンジウム化合物を単一相として合成することに成功し
た。
【０００７】このホウ炭化スカンジウム化合物の存在領
域は、一般式で示すと、ＳｃＢ(15+ X )Ｃ(1.60+Y)、（−
２＜ｘ＜２）、（−０．８＜ｙ＜１．０）であり、その
結晶構造は斜方晶で、格子定数ａ＝１．００２７（１）
ｎｍ、ｂ＝０．８０１３８（９）ｎｍ、ｃ＝０．５６６
６８（６）ｎｍである。なお、係数ｘ、ｙが上記の範囲
を超えると、所定のホウ炭化スカンジウム化合物は得ら
れず、それぞれの領域で、種々の組成のホウ化スカンジ
ウムおよび異なる結晶系に属する別のホウ炭化スカンジ
ウム化合物等との混合物となる。ｘは、より好ましく
は、−０．５＜ｘ＜０．５であり、ｙは、より好ましく
は、−０．３＜ｙ＜０．４である。
域は、一般式で示すと、ＳｃＢ(15+ X )Ｃ(1.60+Y)、（−
２＜ｘ＜２）、（−０．８＜ｙ＜１．０）であり、その
結晶構造は斜方晶で、格子定数ａ＝１．００２７（１）
ｎｍ、ｂ＝０．８０１３８（９）ｎｍ、ｃ＝０．５６６
６８（６）ｎｍである。なお、係数ｘ、ｙが上記の範囲
を超えると、所定のホウ炭化スカンジウム化合物は得ら
れず、それぞれの領域で、種々の組成のホウ化スカンジ
ウムおよび異なる結晶系に属する別のホウ炭化スカンジ
ウム化合物等との混合物となる。ｘは、より好ましく
は、−０．５＜ｘ＜０．５であり、ｙは、より好ましく
は、−０．３＜ｙ＜０．４である。
【０００８】ＹＢ66の熱伝導度は、室温において約２×
１０-2Ｗ／ｃｍＫであるのに比し、ＳｃＢ15Ｃ1.60で
は、１．２×１０-1Ｗ／ｃｍＫであり、およそ６倍高い
値を示す。このホウ炭化スカンジウム化合物は、およそ
１９００℃まで安定に存在するが、それを越えるとホウ
化スカンジウム、別のホウ炭化スカンジウム、タン化ホ
ウ素などの混合物に固相のまま分解する。
１０-2Ｗ／ｃｍＫであるのに比し、ＳｃＢ15Ｃ1.60で
は、１．２×１０-1Ｗ／ｃｍＫであり、およそ６倍高い
値を示す。このホウ炭化スカンジウム化合物は、およそ
１９００℃まで安定に存在するが、それを越えるとホウ
化スカンジウム、別のホウ炭化スカンジウム、タン化ホ
ウ素などの混合物に固相のまま分解する。
【０００９】この発明の化合物の製造方法としては、Ｓ
ｃ2 Ｏ3 にホウ素を混合して得た混合物をペレット状に
成形し、これを真空中（１×１０-2Ｐａ）または不活性
ガス雰囲気中で１５００〜１８５０℃、より好ましく
は、１６５０〜１７５０℃の温度範囲で、真空中での反
応は０．５〜５時間、より好ましくは、２〜３時間、不
活性ガス雰囲気中の反応では、３〜８時問、より好まし
くは５〜６時間保持して十分反応させてホウ化スカンジ
ウム化合物を得る。粉末混合物のままでは反応が十分に
進行しない恐れがあるので、反応を容易に起こさせ、全
量が反応できるように加圧成形してペレット状にするこ
とが望ましいさらにこのホウ化スカンジウム化合物に炭
素を混合して得た混合物をペレット状に成形し、同様の
条件で反応させて得る。Ｓｃ2 Ｏ3 とホウ素、得られた
炭化スカンジウムと炭素との割合は、それぞれ次の式を
満足させるような量比である。 Ｓｃ2 Ｏ3 ＋ （２ｎ＋３）Ｂ → ２ＳｃＢn ＋ ３ＢＯ↑ （１） ＳｃＢn ＋ ｍＢ ＋ １．６０Ｃ → ＳｃＢ15Ｃ1.60 ただし、ｎ＋ｍ＝１５ （２）
ｃ2 Ｏ3 にホウ素を混合して得た混合物をペレット状に
成形し、これを真空中（１×１０-2Ｐａ）または不活性
ガス雰囲気中で１５００〜１８５０℃、より好ましく
は、１６５０〜１７５０℃の温度範囲で、真空中での反
応は０．５〜５時間、より好ましくは、２〜３時間、不
活性ガス雰囲気中の反応では、３〜８時問、より好まし
くは５〜６時間保持して十分反応させてホウ化スカンジ
ウム化合物を得る。粉末混合物のままでは反応が十分に
進行しない恐れがあるので、反応を容易に起こさせ、全
量が反応できるように加圧成形してペレット状にするこ
とが望ましいさらにこのホウ化スカンジウム化合物に炭
素を混合して得た混合物をペレット状に成形し、同様の
条件で反応させて得る。Ｓｃ2 Ｏ3 とホウ素、得られた
炭化スカンジウムと炭素との割合は、それぞれ次の式を
満足させるような量比である。 Ｓｃ2 Ｏ3 ＋ （２ｎ＋３）Ｂ → ２ＳｃＢn ＋ ３ＢＯ↑ （１） ＳｃＢn ＋ ｍＢ ＋ １．６０Ｃ → ＳｃＢ15Ｃ1.60 ただし、ｎ＋ｍ＝１５ （２）
【００１０】
【実施例】実施例１ 反応後の形式的な組成がＳｃＢ15となるように、原料と
してＳｃ2 Ｏ3 およびＢを、Ｓｃ2 Ｏ3 ＋ ３３Ｂ
→ ２ＳｃＢ15 ＋ ３ＢＯ↑ に基づき混合した。混
合物を静水圧加圧（２５０ＭＰａ）により、ぺレット状
に成形した後、真空中（１×１０-2Ｐａ）１７００℃で
２時間反応させた。ＢＯはガス物質であるから反応中の
蒸発により系外に排出される。反応生成したぺレットを
乳鉢で粉砕した後、この化合物の組成をＳｃＢ15と仮定
し、形式的な組成がＳｃＢ15Ｃ1.60となるよう炭素を加
え、十分混合した後、再度、静水圧加圧によりペレット
とし、前記と同一条件で二回目の反応をさせた。
してＳｃ2 Ｏ3 およびＢを、Ｓｃ2 Ｏ3 ＋ ３３Ｂ
→ ２ＳｃＢ15 ＋ ３ＢＯ↑ に基づき混合した。混
合物を静水圧加圧（２５０ＭＰａ）により、ぺレット状
に成形した後、真空中（１×１０-2Ｐａ）１７００℃で
２時間反応させた。ＢＯはガス物質であるから反応中の
蒸発により系外に排出される。反応生成したぺレットを
乳鉢で粉砕した後、この化合物の組成をＳｃＢ15と仮定
し、形式的な組成がＳｃＢ15Ｃ1.60となるよう炭素を加
え、十分混合した後、再度、静水圧加圧によりペレット
とし、前記と同一条件で二回目の反応をさせた。
【００１１】生成物を粉末Ｘ線回折法により分析し、図
１のスペクトラムが得られた。これから、生成物は、格
子定数ａ＝１．００２７（１）ｎｍ、ｂ＝０．８０１３
８（９）ｎｍ、ｃ＝０．５６６６８（６）ｎｍの斜方晶
の結晶形をとる単一相からなる新規化合物であることが
確認された。また、生成物の化学分析の結果、生成物の
組成はＳｃＢ15.0Ｃ1.60であった。
１のスペクトラムが得られた。これから、生成物は、格
子定数ａ＝１．００２７（１）ｎｍ、ｂ＝０．８０１３
８（９）ｎｍ、ｃ＝０．５６６６８（６）ｎｍの斜方晶
の結晶形をとる単一相からなる新規化合物であることが
確認された。また、生成物の化学分析の結果、生成物の
組成はＳｃＢ15.0Ｃ1.60であった。
【００１２】なお、生成物の化学組成を知るための化学
分析は以下の方法で行った。まず、生成物をタングステ
ンカーバイドの乳鉢で粉砕し、平均粒径８０μｍ程度の
粉末とした。得られた粉末を硝酸、塩酸とともに、１５
０℃、１６時間加圧分解した。得られた溶液を用い、Ｓ
ｃはＥＤＴＡを指示薬とした滴定法により、またＢはＩ
ＣＰ発光分光分析装置で定量分析した。炭素は、粉末を
酸素気流中で燃焼させ、生成するＣＯ2 濃度を測定する
手法のＬＥＣＯ社製炭素分析装置を用い分析した。
分析は以下の方法で行った。まず、生成物をタングステ
ンカーバイドの乳鉢で粉砕し、平均粒径８０μｍ程度の
粉末とした。得られた粉末を硝酸、塩酸とともに、１５
０℃、１６時間加圧分解した。得られた溶液を用い、Ｓ
ｃはＥＤＴＡを指示薬とした滴定法により、またＢはＩ
ＣＰ発光分光分析装置で定量分析した。炭素は、粉末を
酸素気流中で燃焼させ、生成するＣＯ2 濃度を測定する
手法のＬＥＣＯ社製炭素分析装置を用い分析した。
【００１３】実施例２ 実施例１と同様にし、反応後の組成がＳｃＢ12になるよ
うに原料としてＳｃ2Ｏ3 およびＢを混合し、同一条件
で反応を行った。さらに、最終組成がＳｃＢ15Ｃ1.60と
なるよう、反応生成物にホウ素と炭素を混合し、同一条
件で反応を行った。生成物を粉末Ｘ線回折法により分析
したところ、実施例１と同様の結晶形の単一化合物であ
ることが確認された。また、生成物の化学組成はＳｃＢ
15.1Ｃ1.59であった。
うに原料としてＳｃ2Ｏ3 およびＢを混合し、同一条件
で反応を行った。さらに、最終組成がＳｃＢ15Ｃ1.60と
なるよう、反応生成物にホウ素と炭素を混合し、同一条
件で反応を行った。生成物を粉末Ｘ線回折法により分析
したところ、実施例１と同様の結晶形の単一化合物であ
ることが確認された。また、生成物の化学組成はＳｃＢ
15.1Ｃ1.59であった。
【００１４】実施例３ 実施例１と同様にし、反応後の組成がＳｃＢ2 になるよ
うに原料としてＳｃ2Ｏ3 およびＢを混合し、同一条件
で反応を行った。さらに、最終組成がＳｃＢ15Ｃ1.60と
なるよう、反応生成物にホウ素と炭素を混合し、同一条
件で反応を行った。生成物を粉末Ｘ線回折法により分析
したところ、実施例１と同様の結晶形の単一化合物であ
ることが確認された。また、生成物の化学組成はＳｃＢ
14.9Ｃ1.60であった。
うに原料としてＳｃ2Ｏ3 およびＢを混合し、同一条件
で反応を行った。さらに、最終組成がＳｃＢ15Ｃ1.60と
なるよう、反応生成物にホウ素と炭素を混合し、同一条
件で反応を行った。生成物を粉末Ｘ線回折法により分析
したところ、実施例１と同様の結晶形の単一化合物であ
ることが確認された。また、生成物の化学組成はＳｃＢ
14.9Ｃ1.60であった。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、新規なホ
ウ炭化スカンジウムを創出し、その製造方法を提供する
ものであり、分光素子材料や熱電素子材料として従来公
知のＹＢ66軟Ｘ線分光素子材料に代替できる優れた新規
材料を提供することができた。
ウ炭化スカンジウムを創出し、その製造方法を提供する
ものであり、分光素子材料や熱電素子材料として従来公
知のＹＢ66軟Ｘ線分光素子材料に代替できる優れた新規
材料を提供することができた。
【図１】実施例１におけるＳｃＢ15.0Ｃ1.60の粉末Ｘ線
回折パターンである。
回折パターンである。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式ＳｃＢ(15+X)Ｃ(1.60+Y)、（−２
＜ｘ＜２）、（−０．８＜ｙ＜１．０）で示されるホウ
炭化スカンジウム化合物。 - 【請求項２】 Ｓｃ2 Ｏ3 に下記の反応式（１）に基づ
く割合のホウ素を混合して得た混合物を真空中または不
活性ガス雰囲気中で１５００〜１８５０℃の温度範囲で
反応させてホウ化スカンジウム化合物を得、さらに該ホ
ウ化スカンジウム化合物に下記の反応式（２）に基づく
割合の炭素を混合して得た混合物を上記と同じ反応条件
で反応させることを特徴とする一般式ＳｃＢ(15+x)Ｃ
(1.60+Y)、（−２＜ｘ＜２）、（−０．８＜ｙ＜１．
０）で示されるホウ炭化スカンジウム化合物の製造方
法。 Ｓｃ2 Ｏ3 ＋ （２ｎ＋３）Ｂ → ２ＳｃＢn ＋ ３ＢＯ↑ （１） ＳｃＢn ＋ ｍＢ ＋ １．６０Ｃ → ＳｃＢ15Ｃ1.60 ただし、ｎ＋ｍ＝１５ （２）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10333424A JP3094097B2 (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | ホウ炭化スカンジウム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10333424A JP3094097B2 (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | ホウ炭化スカンジウム及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000143232A true JP2000143232A (ja) | 2000-05-23 |
| JP3094097B2 JP3094097B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=18265965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10333424A Expired - Lifetime JP3094097B2 (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | ホウ炭化スカンジウム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3094097B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053259A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | National Institute For Materials Science | 炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物系高温耐酸性ｎ型熱電材料とその製造方法 |
| JP2007134541A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | National Institute For Materials Science | 金属低ホウ化物がドープされた希土類多ホウ化物系熱電変換材料とその製造方法 |
-
1998
- 1998-11-09 JP JP10333424A patent/JP3094097B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053259A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | National Institute For Materials Science | 炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物系高温耐酸性ｎ型熱電材料とその製造方法 |
| JP2007134541A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | National Institute For Materials Science | 金属低ホウ化物がドープされた希土類多ホウ化物系熱電変換材料とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3094097B2 (ja) | 2000-10-03 |
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