JP2000141738A - Ion flow recording head - Google Patents

Ion flow recording head

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JP2000141738A
JP2000141738A JP32167198A JP32167198A JP2000141738A JP 2000141738 A JP2000141738 A JP 2000141738A JP 32167198 A JP32167198 A JP 32167198A JP 32167198 A JP32167198 A JP 32167198A JP 2000141738 A JP2000141738 A JP 2000141738A
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JP
Japan
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electrode
ion
recording head
flow recording
ion emission
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JP32167198A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasushi Kinoshita
康 木下
Tasaku Kiyono
太作 清野
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion flow recording head which can obtain good images with a reduced density irregularity for a long time by removing flashes, burning, clogging and abrasion of the ion-flow recording head by an etching process. SOLUTION: An etching process for removing edge parts of a first electrode 31 and a second electrode 33 is provided after ion emission holes are processed. Flashes, burning and clogging incident to the processing to the ion emission holes can be removed by the process. Therefore, an ion dose of the ion emission holes can be controlled uniformly for an entire recording head, so that good images with a density irregularity reduced can be obtained for a long time.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はイオンフロー記録ヘ
ッドおよび製造方法に係り、静電記録方式のプリンタな
どの記録ヘッドとして階調再現性の良好な画像を得るこ
とができるイオンフロー記録ヘッドおよび製造方法に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion flow recording head and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an ion flow recording head capable of obtaining an image with good tone reproducibility as a recording head of an electrostatic recording type printer or the like. It is about the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】大気中でイオンを発生させ、イオンの流
れを選択的に電荷受容体上に照射して静電潜像を形成す
るイオンフロー記録ヘッドとして、次の構成のものがあ
る。
2. Description of the Related Art An ion flow recording head which generates ions in the atmosphere and selectively irradiates a flow of ions onto a charge receptor to form an electrostatic latent image has the following configuration.

【0003】図1はイオン発生源としてコロトロン放電
器を用いたイオンフロー記録ヘッドの構成を示した図で
ある。イオンフロー記録ヘッドは、イオンを発生するイ
オン発生源と、イオン発生源に高電圧を供給する高圧電
源と、発生したイオンの流量を制御する制御電極と、制
御電極を駆動する制御回路と、静電潜像を形成する電荷
受容体とから構成されている。前記イオン発生源は、数
十ミクロン径の金属ワイヤでできたコロナワイヤと、コ
ロナワイヤを取り囲むように配置されるシールドケース
とから構成されている。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an ion flow recording head using a corotron discharger as an ion generating source. The ion flow recording head includes an ion source for generating ions, a high voltage power supply for supplying a high voltage to the ion source, a control electrode for controlling the flow rate of the generated ions, a control circuit for driving the control electrode, and a static circuit. And a charge receptor for forming an electrostatic latent image. The ion source is composed of a corona wire made of a metal wire having a diameter of several tens of microns and a shield case arranged so as to surround the corona wire.

【0004】また、前記制御電極は、絶縁基板と、絶縁
基板の一方の面に第1電極と、絶縁基板の他方の面に第
2電極とから構成され、第1電極および第2電極の重な
る位置にイオン放出孔が形成されている。第1電極およ
び第2電極は前記制御回路に接続されている。
The control electrode includes an insulating substrate, a first electrode on one surface of the insulating substrate, and a second electrode on the other surface of the insulating substrate. The control electrode overlaps the first electrode and the second electrode. An ion emission hole is formed at the position. The first electrode and the second electrode are connected to the control circuit.

【0005】このような構成のイオンフロー記録ヘッド
では、静電潜像の形成は次のように行われる。コロナワ
イヤに高圧電源により高電圧を印加すると、コロナワイ
ヤ近傍に高電界の領域が生じ、大気が絶縁破壊されてイ
オンが定常的に生成される。発生したイオンは、電気力
線に沿ってシールドケースと制御電極に照射される。制
御電極では、第1電極と第2電極との電位差を制御回路
で操作することによってイオン放出孔内の電界を変化さ
せ、イオン放出孔を通過するイオン流量の制御を行う。
イオン放出孔を通過したイオンは制御電極の下方に搬送
される電荷受容体上に照射されて静電潜像を形成する。
[0005] In the ion flow recording head having such a configuration, formation of an electrostatic latent image is performed as follows. When a high voltage is applied to the corona wire by a high-voltage power supply, a region of a high electric field is generated in the vicinity of the corona wire, and the air is broken down to generate ions steadily. The generated ions are applied to the shield case and the control electrode along the lines of electric force. In the control electrode, an electric field in the ion emission hole is changed by operating a potential difference between the first electrode and the second electrode by a control circuit, and the flow rate of ions passing through the ion emission hole is controlled.
The ions that have passed through the ion emission holes are irradiated on a charge receptor carried below the control electrode to form an electrostatic latent image.

【0006】イオンフロー記録方式は、イオン放出孔を
通過するイオンの量を制御することによって静電潜像の
潜像電位に強弱を与えることができ、これによって多階
調の画像を再現することが可能となっている。このた
め、イオン放出孔を通過するイオン量が記録ヘッド全体
において均一でなければならない。したがって、イオン
放出孔の孔径およびピッチ等の加工精度に対する要求が
厳しくなっている。
According to the ion flow recording method, the latent image potential of an electrostatic latent image can be increased or decreased by controlling the amount of ions passing through an ion emission hole, thereby reproducing a multi-tone image. Is possible. For this reason, the amount of ions passing through the ion emission holes must be uniform throughout the recording head. Therefore, requirements for processing accuracy such as the hole diameter and pitch of the ion emission holes have become strict.

【0007】このようなことから、イオンフロー記録ヘ
ッドの製造方法として、イオンフロー記録用ヘッドの製
造方法なる名称で出願された発明(特開昭61−224487号
公報)に記載されているように、イオン放出孔をドリル
によって加工する方法や、イオン流記録ヘッドの製造方
法なる名称で出願された発明(特開平2−102071号公報)
に記載されているように、イオン放出孔をエキシマレー
ザによって加工する方法が知られている。
For this reason, as a method for manufacturing an ion flow recording head, as described in the invention (JP-A-61-224487) filed under the name of a method for manufacturing an ion flow recording head. Invention filed under the name of a method of processing an ion emission hole by a drill or a method of manufacturing an ion flow recording head (Japanese Patent Application Laid-Open No. H2-102071)
As described in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-157, a method of processing an ion emission hole by using an excimer laser is known.

【0008】一方、イオン放出孔内の電界を制御する第
1電極および第2電極は、イオン化した大気に常にさら
されているため、電極表面が酸化・劣化を受けやすい。
電極表面が酸化・劣化するとイオン流量の制御性が低下
するため、画像の階調再現が困難となる。
On the other hand, since the first electrode and the second electrode for controlling the electric field in the ion emission hole are always exposed to the ionized atmosphere, the electrode surface is easily oxidized and deteriorated.
When the electrode surface is oxidized and deteriorated, the controllability of the ion flow rate is reduced, so that it is difficult to reproduce the gradation of the image.

【0009】そこで、一般には酸化・劣化を防止するた
めに電極表面に防食処理を施すことが行われている。こ
のような防食処理の例として、金めっき被覆銅配線なる
名称で出願された発明(特開平10−172344号公報)に記
載されているように銅配線表面を金めっきすることによ
り、イオンが存在する環境においても酸化・劣化を受け
にくくしたものがある。
Therefore, in general, an anticorrosion treatment is performed on the electrode surface in order to prevent oxidation and deterioration. As an example of such an anti-corrosion treatment, ions are present by plating the copper wiring surface with gold as described in the invention (JP-A-10-172344) filed under the name of gold-plated copper wiring. Some are less susceptible to oxidation / deterioration even in a hot environment.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】従来のイオンフロー記
録ヘッドの製造方法においては、イオン放出孔の加工を
ドリルまたはレーザによって行っているために、イオン
放出孔周りにバリを生じたり、加工熱による電極表面の
焼け、イオン放出孔内側壁面に切り粉や炭化物等が残留
して目詰まりが生じることにより、イオン放出孔を通過
するイオンが阻止され、ヘッド全体でイオン放出量が不
均一となって濃度むらを生じる問題があった。
In the conventional method of manufacturing an ion flow recording head, since the processing of the ion emission hole is performed by a drill or a laser, burrs are generated around the ion emission hole, or the processing heat is generated. Burning of the electrode surface, cutting chips or carbides remaining on the inner wall surface of the ion emission hole and clogging cause ions passing through the ion emission hole to be blocked, and the amount of ion emission becomes uneven throughout the head. There was a problem of causing uneven density.

【0011】また、耐久性を向上する目的で電極表面を
防食処理する場合、孔明け工程よりも前に電極表面の防
食処理工程を行っていたため、イオン放出孔内側壁面で
防食処理していない電極が露出し、そこから腐食が進行
して記録ヘッド寿命を著しく低下させていた。
In addition, when the electrode surface is subjected to anticorrosion treatment for the purpose of improving durability, the electrode surface is subjected to anticorrosion treatment before the drilling step. Was exposed, and corrosion proceeded from there, significantly reducing the life of the recording head.

【0012】本発明の目的は、上記した従来技術の課題
を解決するためになされたもので、イオンフロー記録ヘ
ッドのバリ,焼け,目詰まり,腐食を除去することによ
って、長期間において濃度むらの少ない良好な画像を得
ることができるイオンフロー記録ヘッドおよび製造方法
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and removes burrs, burns, clogging, and corrosion of an ion flow recording head, thereby preventing concentration unevenness over a long period of time. An object of the present invention is to provide an ion flow recording head and a manufacturing method capable of obtaining a few good images.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明のイオンフロー記
録ヘッドおよび製造方法は、気中放電によりイオンを発
生するイオン発生源と、絶縁基板の一方の面に第1電極
を、また他方の面に第2電極を形成し、その重なる位置
に貫通するように開けられたイオン放出孔を備え、第1
電極と第2電極の電位差によってイオン放出孔を通過す
るイオンの量を制御するよう構成された制御電極とから
なるイオンフロー記録ヘッドにおいて、イオン放出孔加
工後に第1電極と第2電極のエッジ部を取り除くエッチ
ング工程を設けたことを特徴とする。また、前記エッチ
ング工程の後に防食処理を行うことにより、イオン放出
孔内側壁面からの腐食を防止することを特徴とする。
According to the present invention, there is provided an ion flow recording head and a method of manufacturing the same, comprising an ion source for generating ions by air discharge, a first electrode on one surface of an insulating substrate, and another surface. A second electrode is formed, and an ion emission hole is formed so as to penetrate therethrough at an overlapping position thereof;
In an ion flow recording head including a control electrode configured to control the amount of ions passing through an ion emission hole by a potential difference between the electrode and the second electrode, an edge portion of the first electrode and the second electrode after the ion emission hole processing. Characterized in that an etching step for removing the above is provided. Further, a corrosion prevention treatment is performed after the etching step to prevent corrosion from the inner wall surface of the ion emission hole.

【0014】即ち、本発明は、イオンフロー記録ヘッド
のイオン放出孔加工後に第1電極と第2電極のエッジ部
を取り除くエッチング工程を設けたものであり、これに
よりイオン放出孔の加工によって生じたバリや焼け、目
詰まりを除去することができ、イオン放出孔のイオン照
射量を記録ヘッド全体において均一に制御することが可
能である。また、前記のエッチング工程の後に電極の防
食処理を行うことで、イオン放出孔内側壁面からの酸化
・劣化を防止できるので、長期間において濃度むらの少
ない良好な画像を得ることが可能となる。
That is, according to the present invention, an etching step for removing the edge portions of the first electrode and the second electrode is provided after the processing of the ion emission hole of the ion flow recording head. Burrs, burns, and clogging can be removed, and the amount of ion irradiation of the ion emission holes can be controlled uniformly over the entire recording head. In addition, by performing the anticorrosion treatment of the electrode after the above-described etching step, oxidation and deterioration from the inner wall surface of the ion emission hole can be prevented, so that it is possible to obtain a good image with less density unevenness over a long period of time.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面を
参照して説明する。はじめに、本実施例の構成について
説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the configuration of the present embodiment will be described.

【0016】図1は本実施例によるイオンフロー記録ヘ
ッドの各構成部材の一部を切欠いて内部の構造を示した
図である。図1において、1はイオンフロー記録ヘッ
ド、2はイオン発生源、21はコロナワイヤ、22はシ
ールドケース、3は制御電極、31は第1電極、32は
絶縁基板、33は第2電極、4は電荷受容体、5は対向
電極、6は制御電源、7はバイアス電源、8は高圧電
源、aはイオン放出口である。
FIG. 1 is a view showing the internal structure of the ion flow recording head according to the present embodiment by cutting out some of the constituent members. In FIG. 1, 1 is an ion flow recording head, 2 is an ion source, 21 is a corona wire, 22 is a shield case, 3 is a control electrode, 31 is a first electrode, 32 is an insulating substrate, 33 is a second electrode, 4 Is a charge acceptor, 5 is a counter electrode, 6 is a control power supply, 7 is a bias power supply, 8 is a high voltage power supply, and a is an ion emission port.

【0017】次に、本実施例のイオンフロー記録ヘッド
1の動作を説明する。
Next, the operation of the ion flow recording head 1 of this embodiment will be described.

【0018】本発明のイオンフロー記録ヘッド1は、コ
ロナワイヤ21に高圧電源8により単極性の高電圧を印
加することにより、コロナワイヤ21近傍にコロナ放電
が発生し気体分子のイオン化が行われる。生成されたイ
オンは、コロナワイヤ21を取り巻くように設置されて
いるシールドケース22と第1電極31に電気力線に沿
って照射される。第1電極31側に照射されたイオンは
制御電極3に開けられたイオン放出孔aに到達し、第1
電極31と第2電極33間の電位差によって生じる電界
によってイオン放出孔aを通過する照射量が制御されて
対向電極5側へ照射される。
In the ion flow recording head 1 of the present invention, by applying a unipolar high voltage to the corona wire 21 by the high-voltage power supply 8, a corona discharge occurs near the corona wire 21 to ionize gas molecules. The generated ions are applied along the lines of electric force to the shield case 22 and the first electrode 31 installed so as to surround the corona wire 21. The ions applied to the first electrode 31 reach the ion emission holes a formed in the control electrode 3 and
The amount of irradiation passing through the ion emission hole a is controlled by an electric field generated by a potential difference between the electrode 31 and the second electrode 33, so that the counter electrode 5 is irradiated.

【0019】このとき、第1電極31と第2電極33の
電位差の制御は制御回路6によって行われる。対向電極
5側へ照射されたイオンは、バイアス電源7で作られる
電界によって加速されて電荷受容体4上に静電潜像を形
成する。静電潜像は電荷受容体4上に照射されたイオン
の量によって階調再現が行われる。ここで、イオン発生
源として負極性のイオンを発生する手段を示したが、正
極性でもバイアス電源の極性を変えることによって同様
な効果が得られる。
At this time, the control of the potential difference between the first electrode 31 and the second electrode 33 is performed by the control circuit 6. The ions applied to the counter electrode 5 are accelerated by an electric field generated by the bias power supply 7 to form an electrostatic latent image on the charge receptor 4. The gradation reproduction of the electrostatic latent image is performed by the amount of ions irradiated on the charge receptor 4. Here, means for generating ions of negative polarity has been described as an ion generation source, but a similar effect can be obtained by changing the polarity of the bias power supply even for positive polarity.

【0020】図2は、イオン発生源2として沿面コロナ
放電を利用した固体放電素子を用いた場合のイオンフロ
ー記録ヘッド1の構成を示した図である。図2におい
て、23は誘導電極、24は誘電体基板、25は放電電
極、9は交流高圧電源、10は放電バイアス電源、bは
イオン生成空間である。図1におけるイオン発生源2お
よび高圧電源8が上記固体放電素子に置き換わった構成
である。誘導電極23と放電電極25は誘電体基板24
を挟んで櫛歯状に形成されており、イオンはイオン生成
空間bで発生する。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the ion flow recording head 1 in the case where a solid-state discharge element utilizing creeping corona discharge is used as the ion source 2. In FIG. 2, 23 is an induction electrode, 24 is a dielectric substrate, 25 is a discharge electrode, 9 is an AC high-voltage power supply, 10 is a discharge bias power supply, and b is an ion generation space. This is a configuration in which the ion source 2 and the high-voltage power supply 8 in FIG. 1 are replaced with the solid-state discharge elements. The induction electrode 23 and the discharge electrode 25 are
Are formed in a comb-tooth shape, with the ions being generated in the ion generation space b.

【0021】図2において、交流高圧電源9により誘導
電極23と放電電極25との間に交流の高電圧を印加す
ると、放電電極25の電極の隙間のイオン生成空間bで
沿面コロナ放電が起こり正負のイオンが発生する。この
イオンは放電バイアス電源10の極性により単極性のイ
オンのみが制御電極3方向へ選択的に照射される。この
ように生成したイオンを利用することにより、図1の構
成のイオンフロー記録ヘッド1と同様に静電潜像の形成
が可能である。
In FIG. 2, when an AC high voltage is applied between the induction electrode 23 and the discharge electrode 25 by the AC high-voltage power supply 9, a creeping corona discharge occurs in the ion generation space b in the gap between the electrodes of the discharge electrode 25, and positive and negative are generated. Ions are generated. These ions are selectively irradiated in the direction of the control electrode 3 only with a single polarity depending on the polarity of the discharge bias power supply 10. By utilizing the ions thus generated, an electrostatic latent image can be formed as in the ion flow recording head 1 having the configuration shown in FIG.

【0022】このように使用されるイオンフロー記録ヘ
ッド1の制御電極3は、記録ヘッドに求められる解像度
および階調再現性が満足されなくてはならないため、絶
縁基材32の寸法安定性、第1電極31や第2電極33
の高密度配線パターンの形成,イオン放出孔aの加工精
度およびピッチ精度が必要となる。上記を満たす技術と
してプリント配線板の製造技術を用いることができる。
The control electrode 3 of the ion flow recording head 1 used in this manner must satisfy the resolution and gradation reproducibility required for the recording head. One electrode 31 and second electrode 33
In this case, the formation of a high-density wiring pattern, the processing accuracy of the ion emission holes a, and the pitch accuracy are required. As a technique satisfying the above, a manufacturing technique of a printed wiring board can be used.

【0023】図3は制御電極3の製造工程を示したもの
である。制御電極3に用いられる絶縁基材32は、絶縁
性を持ち寸法安定性に優れた性能を持つポリイミドフィ
ルムやガラスエポキシ等を用いることができる。例えば
宇部興産株式会社の製造しているユーピレックス−Sや
デュポン社製のカプトンがこれに該当する。絶縁基材の
厚みは100μm程度のものを選定し、この絶縁基材3
2の両側に銅やステンレス等の金属箔を18μm程度形
成したものが図3(a)である。
FIG. 3 shows a manufacturing process of the control electrode 3. As the insulating base material 32 used for the control electrode 3, a polyimide film, glass epoxy, or the like having an insulating property and excellent performance in dimensional stability can be used. For example, Upilex-S manufactured by Ube Industries, Ltd. and Kapton manufactured by DuPont fall under this category. The thickness of the insulating base material is selected to be about 100 μm.
FIG. 3 (a) shows a metal foil of about 18 μm formed on both sides of copper 2 such as copper or stainless steel.

【0024】第1電極31,第2電極33の電極パター
ンは、サブトラクティブ法やアディティブ法で形成する
ことができる。サブトラクティブ法では、金属箔上に電
極パターンに対応したレジスト膜34を形成し、ウェッ
トエッチングを行うことで不要な金属箔を除去した後、
レジスト膜34を除去することで電極パターンが形成さ
れる。
The electrode patterns of the first electrode 31 and the second electrode 33 can be formed by a subtractive method or an additive method. In the subtractive method, after forming a resist film 34 corresponding to the electrode pattern on the metal foil and removing unnecessary metal foil by performing wet etching,
By removing the resist film 34, an electrode pattern is formed.

【0025】電極パターンの形成が終了した制御電極2
は、図3(d)に示すように直径φ100μmからφ2
00μmの超硬ドリルによって第1電極21,第2電極
23それぞれの電極パターンが交差する位置に貫通した
イオン放出孔aが穿孔される。
Control electrode 2 for which electrode pattern formation has been completed
Is from φ100 μm to φ2 as shown in FIG.
An ion emission hole a penetrating through a position where the electrode patterns of the first electrode 21 and the second electrode 23 intersect is drilled by a 00 μm carbide drill.

【0026】本実施例ではさらに、軽くエッチングを行
う。これは、図4(a)に示すように超硬ドリルによる
加工の際にイオン放出孔aの周りにバリ36が生じた
り、イオン放出孔a内側壁面に切屑が付着して目詰まり
37を生じているため、これらを除去する目的で行う。
したがって、エッチングの程度は電極パターンの金属箔
材料とエッチング液,濃度およびバリ36の程度によっ
ても管理方法が異なるが、目安としてイオン放出孔a周
囲の金属箔のエッジ部が図3(e)のように丸みを帯び
る程度または数ミクロン程度とする。
In this embodiment, etching is further performed lightly. This is because, as shown in FIG. 4A, burrs 36 are formed around the ion emission holes a during machining with a carbide drill, and chips are attached to the inner wall surface of the ion emission holes a to cause clogging 37. Therefore, it is performed for the purpose of removing these.
Therefore, the degree of etching differs depending on the metal foil material of the electrode pattern, the etching solution, the concentration, and the degree of the burr 36, but as a guide, the edge of the metal foil around the ion emission hole a is shown in FIG. Rounded or several microns.

【0027】本エッチング工程により第1電極31およ
び第2電極33は電極厚が減少するが、必要に応じて銅
やニッケル、その他の金属による電解めっき35を施す
ことにより電極厚をエッチング工程前の厚みに戻すこと
ができる。このように形成した制御電極3では、バリ3
6が除去されることによって電界の集中が回避でき、さ
らに目詰まり37が除去されることでイオン照射量が均
一となる効果が得られる。
Although the electrode thickness of the first electrode 31 and the second electrode 33 is reduced by this etching step, the electrode thickness before the etching step is reduced by applying electrolytic plating 35 of copper, nickel or other metal as necessary. It can be returned to thickness. In the control electrode 3 thus formed, the burr 3
By removing 6, the concentration of the electric field can be avoided, and by removing the clogging 37, the effect of uniform ion irradiation can be obtained.

【0028】前記実施例ではイオン放出孔aの加工を超
硬ドリルによって行った例を示したが、エキシマレーザ
で加工することもできる。レーザ加工する場合には図4
(b)のような加工熱による様々な問題が発生する。レー
ザ入射側では、レーザの加工熱による電極パターン表面
の焼け38や電極パターン材料の金属箔を溶融すること
による団子状のバリ36がイオン放出孔a周囲に見られ
るようになる。
In the above-described embodiment, the example in which the machining of the ion emission holes a is performed by a carbide drill is shown, but the machining can also be performed by an excimer laser. Fig. 4 for laser processing
Various problems occur due to the processing heat as shown in FIG. On the laser incident side, burns 38 on the surface of the electrode pattern due to the processing heat of the laser, and burrs 36 in the form of balls formed by melting the metal foil of the electrode pattern material can be seen around the ion emission holes a.

【0029】レーザ射出側では、絶縁基材32を燃焼さ
せて生じる炭化物が電極表面に付着し、さらにイオン放
出孔aが貫通する際に炭化物が電極パターンをめくり上
げることによりバリ36が発生する。また、イオン放出
孔a内側壁面にも炭化物が付着し目詰まり37が生じ
る。
On the laser emission side, carbide generated by burning the insulating base material 32 adheres to the electrode surface, and when the ion emission hole a penetrates, the carbide turns up the electrode pattern to generate burrs 36. Further, carbide also adheres to the inner wall surface of the ion emission hole a, and clogging 37 occurs.

【0030】上記のようなバリ36,目詰まり37,焼
け38を除去するため、バリ36が除去される程度の軽
いエッチングを行う。これによりバリ36および焼け3
8が除去され、目詰まり37も洗浄により容易に除去す
ることができるようになる。
In order to remove the burrs 36, clogging 37 and burns 38 as described above, light etching is performed to such an extent that the burrs 36 are removed. Thereby, burr 36 and burn 3
8 is removed, and the clogging 37 can be easily removed by washing.

【0031】本実施例では、制御電極3の電極パターン
表面を防食処理し耐久性を増すことが可能である。例え
ば、電極パターン表面を金めっきすることが考えられ
る。金めっきの厚みはイオンの存在する環境下では1μ
m以上の厚みとするのが望ましく、電極パターンがそれ
以上エッチングで失われている場合はできるだけその厚
みとする。
In this embodiment, the durability of the control electrode 3 can be increased by performing an anticorrosion treatment on the surface of the electrode pattern. For example, it is conceivable to perform gold plating on the surface of the electrode pattern. The thickness of the gold plating is 1μ in the environment where ions exist.
It is desirable that the thickness be at least m, and when the electrode pattern is lost by etching any more, the thickness is made as large as possible.

【0032】防食処理は金めっきに限らず、白金,銀等
の貴金属めっきを利用することができる。従来、イオン
放出孔aの加工前に防食処理は行われていたので、イオ
ン放出孔aの加工によって内側壁面では電極パターンを
構成する金属箔が露出していた。
The anticorrosion treatment is not limited to gold plating, but may use noble metal plating such as platinum and silver. Conventionally, the anticorrosion treatment was performed before the processing of the ion emission hole a, so that the metal foil constituting the electrode pattern was exposed on the inner wall surface by the processing of the ion emission hole a.

【0033】このため、イオン放出孔a内側壁面から腐
食が進行し長寿命が実現できなかった。しかしながら、
本実施例のように防食処理を施した制御電極3は、電極
パターン表面およびイオン放出孔a内側壁面が防食処理
されるので、長期間にわたりイオンの制御性能が安定化
される。
For this reason, corrosion progressed from the inner wall surface of the ion emission hole a, and a long life could not be realized. However,
In the control electrode 3 subjected to the anticorrosion treatment as in the present embodiment, the surface of the electrode pattern and the inner wall surface of the ion emission hole a are subjected to the anticorrosion treatment, so that the ion control performance is stabilized for a long period of time.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明によれば、イオンフロー記録ヘッ
ドのイオン放出孔加工後に第1電極と第2電極のエッジ
部を取り除くエッチング工程を設けたことにより、イオ
ン放出孔の加工によって生じたバリや焼け、目詰まりを
除去することができ、イオン放出孔のイオン照射量を記
録ヘッド全体において均一に制御することが可能であ
る。したがって、長期間において濃度むらの少ない良好
な画像を得ることが可能となる。
According to the present invention, by providing an etching step for removing the edge portions of the first and second electrodes after processing the ion emission hole of the ion flow recording head, the burr generated by the processing of the ion emission hole is provided. Burning and clogging can be removed, and the amount of ion irradiation of the ion emission holes can be uniformly controlled in the entire recording head. Therefore, it is possible to obtain a good image with less density unevenness over a long period of time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るイオンフロー記録ヘッドの一実施
例の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of an ion flow recording head according to the present invention.

【図2】本発明に係るイオンフロー記録ヘッドの一実施
例の断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of one embodiment of an ion flow recording head according to the present invention.

【図3】(a)ないし(f)は本発明に係るイオンフロ
ー記録ヘッドの製造方法の工程順を示す側断面図であ
る。
FIGS. 3A to 3F are side sectional views showing a process sequence of a method of manufacturing an ion flow recording head according to the present invention.

【図4】ドリル加工時のイオン放出孔周囲の状態を示す
側断面図である。
FIG. 4 is a side sectional view showing a state around an ion emission hole during drilling.

【図5】レーザ加工時のイオン放出孔周囲の状態を示す
側断面図である。
FIG. 5 is a side sectional view showing a state around an ion emission hole during laser processing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…イオンフロー記録ヘッド、2…イオン発生源、3…
制御電極、4…電荷受容体、5…対向電極、6…制御電
源、7…バイアス電源、8…高圧電源、9…交流高圧電
源、10…放電バイアス電源、21…コロナワイヤ、2
2…シールドケース、23…誘導電極、24…誘電体基
板、25…放電電極、31…第1電極、32…絶縁基
板、33…第2電極、34…レジスト膜、35…金属め
っき膜、36…バリ、37…目詰まり、38…焼け、a
…イオン放出孔、b…イオン生成空間。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ion flow recording head, 2 ... Ion generation source, 3 ...
Control electrode, 4 ... Charge receptor, 5 ... Counter electrode, 6 ... Control power supply, 7 ... Bias power supply, 8 ... High voltage power supply, 9 ... AC high voltage power supply, 10 ... Discharge bias power supply, 21 ... Corona wire, 2
2 Shield case 23 Induction electrode 24 Dielectric substrate 25 Discharge electrode 31 First electrode 32 Insulating substrate 33 Second electrode 34 Resist film 35 Metal plating film 36 ... burr, 37 ... clogging, 38 ... burn, a
... Ion emission holes, b ... Ion generation space.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】放電によりイオンを発生するイオン発生源
と、絶縁基板の一方の面に第1電極を、また他方の面に
第2電極を形成し、その重なる位置に貫通するように開
けられたイオン放出孔を備え、第1電極と第2電極の電
位差によってイオン放出孔を通過するイオンの量を制御
するよう構成された制御電極とからなるイオンフロー記
録ヘッドにおいて、イオン放出孔加工後に第1電極と第
2電極のエッジ部を取り除くエッチング工程を設けたこ
とを特徴とするイオンフロー記録ヘッド。
1. An ion source for generating ions by discharge, a first electrode formed on one surface of an insulating substrate, and a second electrode formed on the other surface. An ion flow recording head comprising: a control electrode configured to control the amount of ions passing through the ion emission hole according to a potential difference between the first electrode and the second electrode. An ion flow recording head, further comprising an etching step for removing an edge of the first electrode and the second electrode.
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