JP2000141207A - Precision surface working machine - Google Patents

Precision surface working machine

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JP2000141207A
JP2000141207A JP10315259A JP31525998A JP2000141207A JP 2000141207 A JP2000141207 A JP 2000141207A JP 10315259 A JP10315259 A JP 10315259A JP 31525998 A JP31525998 A JP 31525998A JP 2000141207 A JP2000141207 A JP 2000141207A
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grinding wheel
grindstone
workpiece
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弘 江田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To dispense with the lapping and polishing processes and serially execute the silicon wafer coarsening work to the super precision mirror finish work only by the polishing work by controlling the pressure for the operation of the precision surface working machine by combining a servomotor device and a super magnetostrictive actuator. SOLUTION: A servomotor device 8 executes the positioning of a work piece 3 to a diamond grinding wheel 5 by driving an X-Y table 1 in the X axial direction. In some zone, the pressure control is executed to perform the control necessary for the rough working by the diamond grinding wheel 5. The super magnetostrictive actuator in a hybrid actuator 9 controls a fine cutting quantity necessary for the precision working of the work piece by the diamond grinding wheel 5. By using both devices, a silicon wafer as the work piece 3 is correctly positioned to the diamond grinding wheel 5, and the X-Y table 1 is finely and correctly fed in the X-axial direction for the cutting necessary for the grinding work, to control the fine cutting quantity and the working pressure.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、例えばシリコンウ
ェファ、磁気ディスク基板あるいは水晶発振子用基板等
極めて精密な表面を必要とする物品の表面の精密平面加
工装置に関するものであり、更に詳しくは粗加工から最
終の延性モード加工を含む超精密鏡面加工までを一貫し
て効率よく行なう精密平面加工装置、いわゆる超加工機
械に係る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for precisely processing a surface of an article requiring an extremely precise surface, such as a silicon wafer, a magnetic disk substrate, or a substrate for a crystal oscillator. The present invention relates to a so-called super-machining machine, which is a precision plane machining apparatus that performs processing from machining to ultra-precision mirror finishing including final ductile mode machining consistently and efficiently.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、コンピュータを中心とするいわゆ
る電子機器類の小型化、高性能化更には高生産性と低価
格化といった必要性から、その重要部分を占めるIC、
LSIあるいは超LSI等に対しては記憶容量や信頼性
のアップ、生産に係るコストの低減の要求が急であり、
併せて工業全体としては省力、省エネルギー化の要求が
急である。かかる状況のなかで、これ等の素子やその周
辺を支える部品の原材料となるシリコンウェファ、磁気
ディスク基板あるいは水晶発振子用基板等に対してはそ
の加工段階での寸法精度やあるいは面粗さの向上の要求
が著しい。その反面、加工工程におけるコストの低減と
生産性の格段の向上といった要求にも対応が迫られてお
り、従って、全く新しい考えに基づいた加工の方法や装
置自体の開発が必要となって来ている。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been a need for downsizing, high performance, high productivity, and low cost of so-called electronic devices such as computers, and ICs occupying important parts thereof have been required.
There is an urgent need to increase storage capacity and reliability and reduce production costs for LSIs and super LSIs.
At the same time, there is an urgent need for energy saving and energy saving in the entire industry. Under these circumstances, silicon wafers, magnetic disk substrates, substrates for crystal oscillators, etc., which are the raw materials for these elements and the parts supporting the periphery thereof, have dimensional accuracy and / or surface roughness at the processing stage. The demand for improvement is remarkable. On the other hand, there is also a need to respond to demands for lowering the cost of the processing process and dramatically improving productivity, and therefore, it is necessary to develop processing methods and equipment based on completely new ideas. I have.

【0003】シリコン単結晶等半導体素材を原材料とし
たIC、LSIあるいは超LSI等の電子部品は、シリ
コンあるいはその他の化合物半導体の単結晶のインゴッ
トをスライスしたウェファに鏡面仕上げを施した上で、
多数の微細な電気回路を書き込み分割した小片状の半導
体素子チップを基に製造されるものであるが、その鏡面
仕上げを施したシリコンウェファは以下の一連の製造プ
ロセスを経て製造されるのが一般的であった。すなわ
ち、単結晶引き上げ法によって製造されたシリコンの単
結晶インゴットの外周研削を行なった後、結晶方向の位
置決めの為の例えばオリエンテーションフラット加工を
施し、内周刃ソーあるいはワイヤソーにてスライシング
を行いアズカットウェファを得る。このアズカットウェ
ファを、ベベリングによる外周部の面取りを行なった
後、両面ラッピング加工により均一な厚みと平行度、平
面度、真直度及びある程度の面粗さを持つまでに仕上げ
る。得られたラップドウェファを酸またはアルカリにて
エッチング加工を行ないラッピングにより生じた加工ダ
メージ層を除去、然る後プレポリッシング、ポリッシン
グによる鏡面仕上げを行う。ここで得られる鏡面ウェフ
ァは優れた面粗さと形状精度を持ったものでなくてはな
らない。30cm(12インチ)ウェファの最終鏡面仕
上げ面の面粗さRaは望ましくは1nm以下、平面度は
0.3μm/30cm以下であり、アズカットウェファ
から最終鏡面ウェファまでの加工量は両面で60μm程
度である。
Electronic components such as ICs, LSIs, and super LSIs, which are made of semiconductor materials such as silicon single crystals, are mirror-finished on wafers obtained by slicing single-crystal ingots of silicon or other compound semiconductors.
It is manufactured based on small chip-shaped semiconductor element chips into which a large number of minute electric circuits are written and divided, and the silicon wafer with mirror finish is manufactured through the following series of manufacturing processes. Was common. That is, after performing the outer peripheral grinding of the silicon single crystal ingot manufactured by the single crystal pulling method, for example, performing orientation flat processing for positioning in the crystal direction, slicing with an inner peripheral blade saw or a wire saw, and as-cutting. Get a wafer. This as-cut wafer is chamfered on the outer peripheral portion by beveling, and then is finished to have uniform thickness, parallelism, flatness, straightness and a certain surface roughness by double-sided lapping. The obtained wrapped wafer is subjected to an etching process with an acid or an alkali to remove a processing damage layer caused by the lapping, and then a mirror finish by pre-polishing and polishing. The mirror surface wafer obtained here must have excellent surface roughness and shape accuracy. The surface roughness Ra of the final mirror finished surface of the 30 cm (12 inch) wafer is desirably 1 nm or less, the flatness is 0.3 μm / 30 cm or less, and the processing amount from the as-cut wafer to the final mirror surface wafer is about 60 μm on both sides. It is.

【0004】前述の各加工工程における主要な単位操
作、具体的には、ラッピング、エッチング、プレポリッ
シング、ポリッシングといった操作は全てそれぞれが独
立したバッチ式の別個の機械装置によって行なわれるも
のである。その間、被加工体(ワーク)であるシリコン
ウェファの移動は人手により移送、搬送されるかあるい
は自動搬送ロボットにて行われる。特に近年、生産性の
向上の要求からウェファ自体のサイズの大型化の傾向が
顕著であり、8インチあるいは12インチといった大口
径のものも生産されるようになってきている。ラッピン
グ、プレポリッシングあるいはポリッシングという前述
の各主要な単位操作は、従来は複数枚の被加工体を同時
に大型の加工機で加工を施すという方式が通常であっ
た。しかしながら、ウェファのサイズが大口径化の傾向
が進み、それに伴ない装置の大型化も進められて来た
が、装置の大型化もそのハンドリング性から見て限度が
あり、また大型化と同時に高精密化を進めることの困難
さもあり、最近はむしろ一枚ずつ加工を行なういわゆる
枚様方式の検討も多く行われている。
[0004] The main unit operations in each of the above-mentioned processing steps, specifically, operations such as lapping, etching, pre-polishing and polishing are all performed by separate batch-type mechanical devices. During that time, the silicon wafer, which is the workpiece, is moved and conveyed manually or is performed by an automatic conveyance robot. In particular, in recent years, there has been a remarkable tendency to increase the size of the wafer itself due to a demand for improvement in productivity, and a wafer having a large diameter such as 8 inches or 12 inches has been produced. The above-described main unit operations such as lapping, pre-polishing, and polishing have conventionally been generally performed by simultaneously processing a plurality of workpieces with a large-sized processing machine. However, although the size of wafers has been increasing and the size of the equipment has been increasing, the size of the equipment has been limited due to its handling characteristics. There is also difficulty in making the process more precise, and recently, many studies have been made on what is called a sheet-like method, in which processing is performed one by one.

【0005】従来、ラッピング、プレポリッシング、ポ
リッシングといった工程は、上下両面あるいはその一方
の面に定盤を配し、その間あるいはその上に被加工体を
セットして、研磨材たる砥粒を含有した加工液を定量的
に供給しつつ定盤及び被加工体を押圧回転運動させてそ
の作用で面粗さのの向上を行なうという方法で行なわれ
ており、加工量は運動制御にて行われる。実際の加工に
おいては、砥粒を含む加工液、定盤の回転および負荷荷
重(加工圧)の作用により、被加工体表面は擦過、摺擦
されて加工が進展するものであり被加工体にかかる負荷
荷重が、所期の目標数値の加工を円滑に、均質に精度よ
くかつ効率的に進めるための重要なファクターとなる。
この場合被加工体への負荷荷重は例えば上定盤の荷重あ
るいは片面機の場合は被加工体を把持するプレッシャー
プレートの自重のみで行う方式、これをエアシリンダー
の逆圧で吊り上げ荷重を加減する方式、あるいはエアシ
リンダーの作用のみで負荷荷重をコントロールする方式
(例えば特公平2−29470号公報)等があるが、そ
の制御の良否は被加工体の加工面の形状精度と加工効率
および面粗さを左右する重要なファクターである。しか
しながら、これらの加工は基本的には一定の負荷荷重に
よる運動制御方式の加工であるので、例えば、ダイヤモ
ンド砥石による強制切込み方式の加工とは異なり、送り
量(切込み量)の極めてシビアな制御を必要とするもの
ではない。
Conventionally, processes such as lapping, pre-polishing, and polishing involve arranging a platen on both upper and lower surfaces or one of the surfaces, and setting a workpiece between or on the surfaces, and containing abrasive grains as abrasives. It is performed by a method in which the surface plate and the workpiece are pressed and rotated while supplying the processing liquid quantitatively to improve the surface roughness by the action, and the processing amount is controlled by movement control. In actual processing, the surface of the workpiece is rubbed or rubbed by the action of a working fluid containing abrasive grains, rotation of the platen, and a load (working pressure), and the processing progresses. Such a load is an important factor for smoothly, uniformly, accurately and efficiently processing the desired target numerical value.
In this case, the load applied to the workpiece is, for example, a load on the upper platen or, in the case of a single-sided machine, a method of performing only by its own weight of the pressure plate for gripping the workpiece, and the lifting load is adjusted by the reverse pressure of the air cylinder. There is a method of controlling the applied load only by the action of the air cylinder (for example, Japanese Patent Publication No. 29470/1990). The quality of the control depends on the shape accuracy, processing efficiency and surface roughness of the processed surface of the workpiece. It is an important factor that affects the quality. However, since these processes are basically processes of a motion control system using a constant load, unlike the process of a forced cutting system using a diamond grindstone, for example, extremely strict control of the feed amount (cutting amount) is required. Not required.

【0006】ラッピング加工の場合、直接加工を行なう
面は、通常ある程度の厚みを持った鋳鉄製の定盤の上に
例えば格子状の溝を刻したものを上下に配し、その間に
シリコンウェファ等の被加工体を挟持し、必要な負荷荷
重(加工圧)を懸けた上で定盤および被加工体を回転
し、砥粒を含む加工液の作用と回転による擦過、摺擦作
用により、加工が進むのである。通常ラッピング加工に
おける加工圧は100〜300gf/cm2程度、使用
される砥粒は大略800〜2000番のアルミナ系のも
のである。また、プレポリッシング、あるいはポリッシ
ング加工においては、不織布、布帛、合成樹脂発泡体、
合成皮革あるいはそれらの複合体からなる均質なシート
状薄層、即ちポリッシングパッドを貼付した定盤を用い
て同様の加工を行なう。通常、ポリッシング加工におけ
る加工圧は100〜300gf/cm2程度、使用され
る砥粒はサブミクロンから数ミクロンサイズのコロイダ
ルシリカである。ここにおいて、プレポリッシングまで
は両面方式の加工機、ポリッシングは片面方式の加工機
が使用される。
[0006] In the case of lapping, the surface to be directly machined is usually a cast iron platen having a certain thickness, in which, for example, a lattice-shaped groove is cut on a plate, and a silicon wafer or the like is interposed therebetween. After the required work load (working pressure) is applied, the platen and the work are rotated, and the work is performed by the action of the working fluid containing abrasive grains and the abrasion and rubbing action of the rotation. Progresses. Usually, the processing pressure in the lapping process is about 100 to 300 gf / cm 2 , and the abrasive grains used are alumina series of about 800 to 2000. In the pre-polishing or polishing process, non-woven fabric, fabric, synthetic resin foam,
The same processing is performed using a homogeneous sheet-like thin layer made of synthetic leather or a composite thereof, that is, a surface plate to which a polishing pad is attached. Usually, the processing pressure in the polishing processing is about 100 to 300 gf / cm 2 , and the abrasive used is colloidal silica having a size of submicron to several microns. Here, a double-sided processing machine is used until pre-polishing, and a single-sided processing machine is used for polishing.

【0007】加工の方式としては、従来は上述の如くラ
ッピングにおいては定盤と遊離砥粒とを用いたいわゆる
脆性モードによる研磨加工が行なわれるのが普通であ
り、ポリッシングにおいては軟質のポリッシングパッド
と遊離砥粒であるコロイダルシリカを含んだ加工液によ
るメカノケミカルポリッシングによって加工が進む。近
年はこれを例えば特公平6−71708号公報に示され
るように弾性砥石を用いた方式、あるいはダイヤモンド
砥石を用いた方式(例えば特開昭62−99072号公
報)による研削方式による延性モードでの加工すなわち
研削による加工が提案されているが、これらはいずれも
砥粒傷による不規則でかつ局部的に深い部分を有する加
工変質層の発生が顕著であり、この層をエッチングによ
る処理で除去しても、その潜在的歪の完全除去までは至
らず、実用化には未だ問題を有するものであった。更に
上述の提案の研削による延性モードでの加工も、ラッピ
ング加工領域をカバーするものであって、ポリッシング
領域におよぶものは提案されていない。
Conventionally, as described above, in the conventional lapping, polishing is usually performed in a so-called brittle mode using a surface plate and free abrasive grains. In polishing, a soft polishing pad and a soft polishing pad are used. The processing proceeds by mechanochemical polishing using a processing liquid containing colloidal silica as free abrasive grains. In recent years, this method has been used in a ductile mode by a grinding method using a method using an elastic grindstone or a method using a diamond grindstone (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-99072) as shown in Japanese Patent Publication No. 6-71708. Processing, i.e., processing by grinding, has been proposed, but in any of these cases, the occurrence of a work-affected layer having irregular and locally deep portions due to abrasive scratches is remarkable, and this layer is removed by etching. However, the potential distortion was not completely removed, and there was still a problem in practical use. Further, the processing in the ductile mode by the above-described grinding, which covers the lapping processing area, does not cover the polishing area.

【0008】しかしながら、ダイヤモンド砥石を使用す
る方式は、ダイヤモンド砥粒の持つ高い研削力とそれに
よる作業の高能率化の可能性は捨て難いものがあり、高
番手のダイヤモンドカップ型砥石を用いて、その加工条
件を変えながら、粗加工から最終の鏡面仕上げ加工まで
一貫して行なう方法が試みられている。更に、ダイヤモ
ンド砥石の加工性能の維持と加工効率向上を目的とし
て、電解インプロセスドレッシング法を併用した加工方
式の研究開発(例えば、昭和63年度精密工学会春季講
演論文集、1988、10、203)も盛んである。こ
れらはいずれも高番手ダイヤモンド砥石を用い、枚様式
によりシリコンウェファの一貫加工を目的としたもので
ある。
[0008] However, in the method using a diamond grindstone, the high grinding power of the diamond abrasive grains and the possibility of increasing the efficiency of the work due to the high grinding power are difficult to dispose of. While changing the processing conditions, a method has been attempted in which the processing is performed consistently from rough processing to final mirror finish processing. Furthermore, research and development of a processing method that uses electrolytic in-process dressing in combination with the aim of maintaining the processing performance and improving the processing efficiency of diamond whetstones (eg, 1988, 10, 203, 1988). Is also thriving. These are all intended to use a high-count diamond wheel, and to perform an integrated processing of a silicon wafer in a single wafer mode.

【0009】これらダイヤモンド砥石を応用した研削加
工は、砥石の回転と、砥石を支持する主軸の送りと、被
加工体の位置決めの三つの動きを主要な動きとするもの
である。これらを精度よくコントロールすることにより
精密加工を可能ならしめるのであるが、特に粗加工から
超精密領域の加工までを一つの装置、機械で一貫して行
なうためには、前述の主要な動きのうち、主軸の送りの
制御を幅広い範囲で極めて精度よく行なうことが必要で
ある。従来、一般的な切削あるいは研削加工におけるこ
の主軸の制御は例えばサーボモーター応用した方式等が
多用されているが、幅広い範囲、即ち低圧領域から高圧
領域までを精度よくカバーするという目的からは十分で
なく、特に超精密加工を行なう低圧領域での加工に対し
ては十分なものとは言い難かった。
[0009] Grinding using these diamond grindstones involves three main movements: rotation of the grindstone, feed of the spindle supporting the grindstone, and positioning of the workpiece. It is possible to perform precision machining by controlling these with high precision.However, in order to perform consistently from rough machining to machining in the ultra-precision area with one device and machine, one of the major movements described above In addition, it is necessary to control the feed of the spindle in a wide range with extremely high accuracy. Conventionally, for the control of this spindle in general cutting or grinding, for example, a method using a servomotor is often used, but it is not sufficient for the purpose of accurately covering a wide range, that is, from a low pressure region to a high pressure region. However, it was hard to say that it was sufficient especially for processing in a low-pressure region where ultra-precision processing was performed.

【0010】従来、工作機械や産業用ロボットの位置や
速度を精密に制御する手段として前述のサーボモータを
使用する方法がありこれを応用する考え方もあるが、こ
れは位置決めや高圧領域での加工については特に問題な
いが、超精密加工を目的とした低圧領域の制御について
はカバーし切れず、十分ではない。また、精密旋盤、ボ
ール盤、ホーニング盤等の精密加工装置の微小変位、位
置決め等の手段としてPZTアクチュエータあるいは超
磁歪アクチュエータを使用する方法がすでに開示されて
いる(特開昭64−34631号公報)。ここでいう超
磁歪アクチュエータとは、特定の希土類/鉄系合金、例
えばテルビウム、ジスプロシウム及び鉄からなる合金の
単結晶あるいは多結晶からなる超磁歪材料(USP3、
949、351)の持つジュール効果(磁界による寸法
変化)をアクチュエータとして応用したものであって、
極めて高い分解能と正確な微小変位を行なうことを特徴
としており条件により振動素子としても使用可能であ
る。この超磁歪アクチュエータの、他の微小アクチュエ
ータに対する特徴は、弾性変形が10〜100倍、弾性
エネルギーが20〜50倍と大きく、応答時間はμs〜
nsと速くしかも消費電力が少ないことにある。
Conventionally, as a means for precisely controlling the position and speed of a machine tool or an industrial robot, there has been a method of using the above-mentioned servomotor, and there is an idea of applying this method. Although there is no particular problem with respect to, control of a low-pressure region for the purpose of ultra-precision processing cannot be covered and is not sufficient. Further, a method of using a PZT actuator or a giant magnetostrictive actuator as a means for minute displacement and positioning of a precision machining device such as a precision lathe, drilling machine, and honing machine has already been disclosed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-34631). The giant magnetostrictive actuator referred to herein is a giant magnetostrictive material (USP3, USP3) made of a single rare-earth / iron-based alloy, for example, an alloy of terbium, dysprosium, and iron.
949, 351) applied to the actuator as a Joule effect (dimensional change due to a magnetic field).
It is characterized by extremely high resolution and accurate minute displacement, and can be used as a vibrating element depending on conditions. The characteristics of this giant magnetostrictive actuator with respect to other micro actuators are as follows: elastic deformation is as large as 10 to 100 times, elastic energy is as large as 20 to 50 times, and response time is μs to
ns and low power consumption.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は上述の従
来の問題点に鑑み、鋭意研究を行ない、極めて高番手の
ダイヤモンド砥石を使用し、該砥石を支持する砥石軸は
砥石の回転即ちX軸回りの回転のみを行ない、被加工体
が把持されている作業台を支持するワーク軸の送りの制
御手段としてサーボ圧電装置と超磁歪アクチュエータと
を併用することで、ワーク軸の高圧領域1kgf/cm
2から低圧領域0.01gf/cm2まで、100μm/
ステップ〜2nm/ステップの精度で広範囲の精度の高
い制御を可能とし、それにより被加工体であるシリコン
ウェファの粗加工から超精密鏡面仕上げ加工までを一つ
の装置・機械にて一貫して行なうことが可能であること
を見出して本発明を完成するに至ったものである。しか
して本発明の目的は、ラッピング、ポリッシング工程を
省略して研削加工のみで、被加工体であるシリコンウェ
ファの粗加工から超精密鏡面仕上げ加工までを一貫して
行なうことのできる精密平面加工機械を提供することを
目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems, the present inventors have made intensive studies and have used a very high-count diamond wheel. By performing only rotation about the X axis and using a servo piezoelectric device and a giant magnetostrictive actuator together as a feed control means for a work axis that supports a work table on which a workpiece is gripped, the high pressure area of the work axis is 1 kgf. / Cm
2 to low pressure region 0.01 gf / cm 2 , 100 μm /
Enables high-precision control over a wide range with a precision of step to 2 nm / step, and thereby enables a single device / machine to perform from rough processing of the silicon wafer to be processed to ultra-precision mirror finishing. The inventors have found that the present invention is possible, and have completed the present invention. Accordingly, an object of the present invention is to provide a precision plane processing machine capable of performing all steps from rough processing to ultra-precision mirror finishing of a silicon wafer to be processed by only grinding processing without lapping and polishing steps. The purpose is to provide.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上述の目的は、研削用砥
石と、該砥石を取付け回転を与える砥石取付け装置と、
該取付け装置を支持する砥石軸と、被加工体を把持する
作業台とそれを支持するX−Yテーブルからなる精密平
面加工機械であって、該精密平面加工機械の稼働に当た
り圧力制御がサーボモータ装置と超磁歪アクチュエータ
の組み合わせによって行われることを特徴とする精密平
面加工機械により達成される。前述の圧力制御は、10
gf/cm2以上の範囲においてはサーボモータ装置に
より行われ、10gf/cm2以下0.01gf/cm2
までの範囲においては超磁歪アクチュエータによって行
われる。また、前述の精密平面加工機械においては、研
削砥石は砥粒粒度が3000番よりも細かいダイヤモン
ドカップ型砥石を使用するものとする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a grinding wheel, a grinding wheel mounting device for mounting and rotating the grinding wheel,
What is claimed is: 1. A precision plane processing machine comprising a grinding wheel shaft for supporting the mounting device, a work table for gripping a workpiece, and an XY table for supporting the work table. This is achieved by a precision plane processing machine characterized by being performed by a combination of a device and a giant magnetostrictive actuator. The aforementioned pressure control is 10
In the range of gf / cm 2 or more, the operation is performed by a servo motor device, and the gage is controlled to 10 gf / cm 2 or less and 0.01 gf / cm 2
In the range up to, this is performed by a giant magnetostrictive actuator. Further, in the above-mentioned precision plane processing machine, it is assumed that the grinding wheel uses a diamond cup type grinding wheel having an abrasive grain size smaller than # 3000.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明になる精密平面加工機械の
凡その外観は、図1の断面図および図2の平面図に示さ
れる通りである。図1、図2において、1はX−Yテー
ブルである。2はX−Yテーブル上に取り付けられた作
業台でありX軸回りに正逆方向に回転可能である。作業
台2の上に被加工体3であるシリコンウェファが載置固
定されている。円板状の砥石取付け装置4の面にはカッ
プ型のダイヤモンド砥石5が取り付けられている。ダイ
ヤモンド砥石5は取付け装置4の動きに従って正逆任意
の方向に低速から高速まで任意の速度でX軸回りの回転
が可能である。取付け装置4は砥石軸6によって支持さ
れ、その砥石軸6はスピンドルヘッド7に取り付けられ
ており、スピンドルヘッド7中には砥石5の回転を行な
う駆動モータが設置されている。X−Yテーブル1はY
軸方向の任意な移動が可能な構造となっているととも
に、コンピュータにより精密に制御されるサーボモータ
装置8が設置されている。該サーボモータ装置8はX−
Yテーブル1のX軸方向への駆動を行ないダイヤモンド
砥石5に対する被加工体3の位置決めを行なうととも
に、10gf/cm2以上1kgf/cm2までの領域で
の圧力制御を行ないダイヤモンド砥石による粗加工に必
要な制御を行なう。ハイブリッドアクチュエータ9中に
納められている超磁歪アクチュエータは、ダイヤモンド
砥石による被加工体の精密加工に必要な微小切込み量の
制御を行なうものであり、その対応する範囲は0.01
〜10gf/cm2であり、これによりほぼ1nm〜1
0μmの範囲で微小切込みが可能である。この両装置を
併用することにより、ダイヤモンド砥石5に対する被加
工体3であるシリコンウェファの正確な位置決め、およ
びそれによる研削加工に必要な切込みを行なうためのX
−Yテーブル1のX軸方向への微小送りを1nm程度か
ら100μm程度までの範囲で正確に行ない微小切込み
量および加工圧力の制御を行なう。砥石の回転と、被加
工体の位置決めと圧力制御の装置を駆動させることで本
発明の精密平面加工機械の稼働が行なわれる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The external appearance of a precision flattening machine according to the present invention is as shown in the sectional view of FIG. 1 and the plan view of FIG. 1 and 2, reference numeral 1 denotes an XY table. Reference numeral 2 denotes a work table mounted on an XY table, which is rotatable in forward and reverse directions around an X axis. A silicon wafer as a workpiece 3 is mounted and fixed on a work table 2. A cup-shaped diamond wheel 5 is mounted on the surface of the disk-shaped wheel mounting device 4. The diamond grindstone 5 can rotate around the X-axis at any speed from low speed to high speed in any direction in the normal or reverse direction according to the movement of the mounting device 4. The mounting device 4 is supported by a grindstone shaft 6. The grindstone shaft 6 is attached to a spindle head 7, and a drive motor for rotating the grindstone 5 is installed in the spindle head 7. XY table 1 is Y
A servo motor device 8 which has a structure capable of arbitrarily moving in the axial direction and is precisely controlled by a computer is provided. The servo motor device 8 is X-
The Y table 1 is driven in the X-axis direction to position the workpiece 3 with respect to the diamond grindstone 5, and the pressure is controlled in a range from 10 gf / cm 2 to 1 kgf / cm 2 for rough machining by the diamond grindstone. Perform necessary control. The giant magnetostrictive actuator housed in the hybrid actuator 9 controls a minute cut amount necessary for precision machining of a workpiece by a diamond grindstone, and the corresponding range is 0.01.
G10 gf / cm 2 , whereby about 1 nm〜1
A minute cut can be made in the range of 0 μm. By using both of these devices together, X for performing accurate positioning of the silicon wafer as the workpiece 3 with respect to the diamond grindstone 5 and performing cutting required for the grinding by the silicon wafer can be obtained.
-The minute feed in the X-axis direction of the Y table 1 is accurately performed in the range of about 1 nm to about 100 μm, and the minute cut amount and the processing pressure are controlled. The precision planar processing machine of the present invention is operated by rotating the grindstone and driving the device for positioning and pressure control of the workpiece.

【0014】本発明において使用されるダイヤモンドカ
ップ型砥石とは、大略以下の如きものを指す。すなわ
ち、砥粒の粒度がJIS−R6001(研磨材の粒度)
の規格において3000番より細かい、つまりdv−5
0値が4.0±0.5μm以下のものである。砥粒の粒
度がこれより粗いと、得られる面は鏡面ではなく、もは
や超精密加工の領域とは言い難い。ダイヤモンド砥粒を
固定する方法は特に限定されるものではないが、フェノ
ール樹脂で結合されたレジノイド系のレジンボンド砥
石、あるいは特殊な合金で結合されたメタルボンド砥石
であることが好ましい。砥粒の結合性を増すために砥石
表面にニッケル・燐無電解メッキ層を施すことも有効で
ある。また、上述の結合材中に平均粒径0.1μmある
いはそれよりも細かいクラスタダイヤモンド超微粉が混
入されていることにより砥粒となるダイヤモンド粒子の
脱落を抑え、砥石としてのライフアップを図ることがで
きる。砥石の形状は円環状のカップ型であり、外周縁上
に砥石使用面がある。つまり、比較的狭い幅の砥石面が
回転して被加工体の面に当接する形状であることを特徴
とする。
The diamond cup type grindstone used in the present invention generally indicates the following. That is, the grain size of the abrasive grains is JIS-R6001 (the grain size of the abrasive)
Is finer than 3000 in the standard, that is, dv-5
0 value is 4.0 ± 0.5 μm or less. If the grain size of the abrasive grains is coarser than this, the surface obtained is not a mirror surface and can no longer be said to be a region for ultra-precision processing. The method for fixing the diamond abrasive grains is not particularly limited, but it is preferable to use a resinoid resin bond grindstone bonded with a phenol resin or a metal bond grindstone bonded with a special alloy. It is also effective to apply a nickel / phosphorous electroless plating layer on the surface of the grindstone in order to increase the bonding property of the abrasive grains. In addition, since the above-described binder is mixed with ultra-fine cluster diamond particles having an average particle diameter of 0.1 μm or finer, it is possible to prevent the diamond particles serving as abrasive grains from falling off and to increase the life as a grinding stone. it can. The shape of the grindstone is an annular cup type, and there is a grindstone use surface on the outer peripheral edge. In other words, it is characterized in that the grindstone surface having a relatively narrow width rotates and comes into contact with the surface of the workpiece.

【0015】本発明の肝要は、上述のカップ型砥石を被
加工体であるシリコンウェファに当接し加工するにあた
り、圧力制御と軸の送りを砥石軸の方で行なうのではな
く、被加工体の動きすなわちX−Yテーブルの動きで行
なうことを要旨とするものである。つまり、X軸まわり
の高速回転とX軸方向の精密な送りと圧力制御を同一の
軸で行なうことは、超精密加工の精度の点から問題があ
ることを見出し、その2つを分離し、砥石の回転とは別
に、X−YテーブルのX軸方向の圧力を精度高く制御
し、その送りと砥石の切込み量を、目的とする加工の内
容に合わせて行なう点に本発明の特徴があるのである。
すなわち、X−Yテーブルに連結するスピンドルヘッド
中にはコンピュータコントロールのサーボモータ装置が
設置されており、また作業台には超磁歪アクチュエータ
が設置されており、この両装置により、ダイヤモンド砥
石による研削加工に必要な切込みを行なうための被加工
体のX軸方向への微小送りを行なう。ここでいうサーボ
モータ装置とは直流あるいは交流モータを駆動源とし、
ワーク軸の位置検知を行ないつつそれをフィードバック
してワーク軸の送り制御をコンピュータを駆使して行な
うもので、本発明においては300gf/cm2から1
0gf/cm2までの圧力の範囲での制御を行なう。圧
力の変更は、段階的なものであっても良いし、また、連
続的な無段変速方法であってもよい。これ以下の圧力範
囲の制御は不正確であり、適していない。このサーボモ
ータ装置によるX−YテーブルのX軸方向の制御は、比
較的高圧での微小変位の送りを精度よく必要とする領
域、具体的には従来のラッピング工程に相当する加工領
域である。
The essential point of the present invention is that when the above-mentioned cup-shaped grindstone is brought into contact with a silicon wafer as a workpiece and processed, the pressure control and the feed of the shaft are not performed by the grindstone shaft but by the grinding of the workpiece. The gist is that the movement is performed by the movement of the XY table. In other words, it has been found that performing high-speed rotation around the X-axis, precise feeding in the X-axis direction, and pressure control on the same axis has a problem in terms of the precision of ultra-precision machining. The feature of the present invention lies in that the pressure in the X-axis direction of the XY table is controlled with high precision separately from the rotation of the grinding wheel, and the feed and the cutting amount of the grinding wheel are performed in accordance with the content of the intended processing. It is.
That is, a computer-controlled servomotor device is installed in the spindle head connected to the XY table, and a giant magnetostrictive actuator is installed on the work table. The workpiece is finely fed in the X-axis direction to perform the necessary cutting. The servo motor device here is a DC or AC motor as a drive source,
While the position of the work axis is detected and fed back to the work axis, feed control of the work axis is performed using a computer, and in the present invention, it is 300 gf / cm 2 to 1 g / cm 2.
Control is performed in a pressure range up to 0 gf / cm 2 . The change of the pressure may be stepwise or may be a continuous stepless speed change method. Control of pressure ranges below this is inaccurate and not suitable. The control of the XY table in the X-axis direction by the servo motor device is a region where a minute displacement at a relatively high pressure is required to be fed with high precision, specifically, a processing region corresponding to a conventional lapping process.

【0016】本発明でいう超磁歪アクチュエータとは、
特定の希土類族元素とニッケル、コバルト、鉄からなる
鉄族元素との特定割合での合金の多結晶あるいは単結晶
であって、磁界を与えると強い寸法変化を起こす超磁歪
材料をアクチュエータとして応用したものである。図3
は本発明で用いる超磁歪アクチュエータの断面説明図で
ある。超磁歪材料からなるロッド10を中央におき、そ
の周囲を駆動用コイル11で囲んでいる。ロッド10の
一方の端は固定され、もう一方の端はフリーとなり出力
端子12に当接している。該出力端子12はスプリング
13により付勢されておりロッド10の変位に自在に追
随することができる。14は永久磁石である。コイル1
1の回りには冷却水用ジャケット15が配置されてい
る。駆動用コイルに電流を通じることにより磁界が発生
し、超磁歪材料ロッド10がジュール効果により変形
し、それが出力端子12に伝達されアクチュエータとし
て作用する。冷却水用ジャケット15は温度による寸法
変化の狂いを極力抑えるために配置されている。この超
磁歪アクチュエータによる主軸6の制御範囲は10gf
/cm2を上限とし、0.01gf/cm2までの圧力の
範囲、切込み量としては1〜100nmの範囲、すなわ
ち低圧でかつ極めて微小変位の送りを高精度で必要とす
る領域、具体的には従来のポリッシング工程に相当する
加工領域である。
The giant magnetostrictive actuator referred to in the present invention is:
A giant magnetostrictive material, which is a polycrystalline or single crystal alloy with a specific ratio of a specific rare earth element and an iron group element consisting of nickel, cobalt, and iron, and undergoes a strong dimensional change when a magnetic field is applied, is used as an actuator. Things. FIG.
FIG. 3 is an explanatory sectional view of a giant magnetostrictive actuator used in the present invention. A rod 10 made of a giant magnetostrictive material is placed at the center, and its periphery is surrounded by a driving coil 11. One end of the rod 10 is fixed, and the other end is free and abuts on the output terminal 12. The output terminal 12 is urged by a spring 13 and can freely follow the displacement of the rod 10. 14 is a permanent magnet. Coil 1
A cooling water jacket 15 is disposed around the circumference 1. A magnetic field is generated by passing an electric current through the driving coil, and the giant magnetostrictive material rod 10 is deformed by the Joule effect, which is transmitted to the output terminal 12 and acts as an actuator. The cooling water jacket 15 is arranged to minimize the dimensional change due to temperature. The control range of the main shaft 6 by this giant magnetostrictive actuator is 10 gf
/ Cm 2 as an upper limit, a pressure range up to 0.01 gf / cm 2 , and a cut amount in a range of 1 to 100 nm, that is, a region where low pressure and extremely small displacement feed are required with high precision, specifically Is a processing area corresponding to a conventional polishing step.

【0017】サーボモータ装置で、作業台に把持固定さ
れた被加工体であるシリコンウェファを制御し、ダイヤ
モンド砥石による加工を行なう領域では、まずシリコン
ウェファに対する強制切込み量を比較的高めに設定し、
高圧での加工による十分なる形状精度を得た上で、やや
切込み量を下げ、加工変質層を除去し、面粗さを向上さ
せるのであるが、加工変質層の発生を抑えその層の厚み
を極力少なくするには、加工圧力を連続的に徐々に軽減
させてやることが好ましい。超磁歪アクチュエータによ
り切込み量制御を行なう領域では、シリコンウェファに
対する強制切込み量を極めて少ない量に設定し、低圧で
の加工により数μmレベルの除去量で最高1nm以下の
面粗さRaを得る。実際の加工はカップ型ダイヤモンド
砥石の研削力によるものであり、それは砥石の回転数に
大きく作用されるものであり、高速である程その研削力
は低くなる。
A servo motor device controls a silicon wafer, which is a workpiece to be gripped and fixed on a worktable, and in a region where processing is performed by a diamond grindstone, first, a forced cutting amount with respect to the silicon wafer is set relatively high.
After obtaining sufficient shape accuracy by processing at high pressure, the cutting depth is slightly reduced, the affected layer is removed, and the surface roughness is improved, but the generation of the affected layer is suppressed and the thickness of the layer is reduced. In order to minimize this, it is preferable to reduce the working pressure continuously and gradually. In the region where the cutting depth is controlled by the giant magnetostrictive actuator, the forced cutting depth for the silicon wafer is set to an extremely small amount, and the surface roughness Ra of 1 nm or less can be obtained with a removal amount of several μm by processing at a low pressure. The actual processing is based on the grinding force of the cup-shaped diamond grindstone, which is greatly affected by the number of revolutions of the grindstone. The higher the speed, the lower the grinding force.

【0018】実際の加工にあたっては、シリコン単結晶
のインゴットの外周の研削を行ない、オリエンテーショ
ンフラット加工を施した後、例えばワイヤソーを用いて
所定厚みに仕上げたアズカットウェファを、その外周エ
ッジ部の面取り加工(べべリング)を行ったものを出発
原料、すなわち被加工体3とする。別に置かれた供給テ
ーブル(図示せず)まで搬送されてきた被加工体は一枚
ずつ、例えば真空チャック等の手段を具備したアーム
(図示せず)で把持され持ち上げられ、本発明になるX
−Yテーブル1の作業台2上に移送され載置される。載
置の時点ではX−Yテーブル1はY軸方向へ移動されて
おり、砥石の主軸からずれた位置におかれている。載置
された被加工体は作業台2の面に固定把持される。被加
工体の固定把持は、例えばワックスによる接着、テンプ
レート方式による吸着、真空による吸着等様々な手段が
考えられ特に限定を受けるものではないが、加工中の安
定した固定把持と加工後の着脱の容易さ、更にはロボッ
トによる自動脱着方式の適用等を考慮すると、真空によ
る吸着が好ましい。X−Yテーブル1は、前述の通り、
被加工体の取り付け、取り外し、交換等の作業を行うた
めY軸方向への任意な動きが可能となっている。移動を
可能とする方式については特に限定を受けるものではな
いが、例えば金属製のテーブル上にV字案内溝を設け、
その上を移動させるような方式であれば位置の狂い等が
なく、無振動で移動可能である。またその移動を行なう
ための動力は、例えば一般的な駆動モータを用いた方式
でもよいしまた手動であっても構わない。更に、微妙な
位置決めを行なうためにPZTピエゾ素子等を駆動源と
した微小変位を行うものを併用してもよく、特に限定を
受けるものではない。
In actual processing, the outer periphery of a silicon single crystal ingot is ground and subjected to orientation flat processing, and then, for example, an ascut wafer finished to a predetermined thickness using a wire saw is chamfered at the outer peripheral edge portion. The processed material (beveling) is used as a starting material, that is, the workpiece 3. The workpieces conveyed to a separately placed supply table (not shown) are gripped and lifted one by one by an arm (not shown) provided with a means such as a vacuum chuck, for example.
-Transferred and placed on the work table 2 of the Y table 1. At the time of mounting, the XY table 1 has been moved in the Y-axis direction, and is at a position shifted from the main axis of the grindstone. The mounted workpiece is fixedly held on the surface of the worktable 2. There are no particular limitations on the fixed gripping of the workpiece, for example, various means such as adhesion with wax, suction by a template method, suction by vacuum, and the like, but there is no particular limitation. In consideration of easiness, furthermore, application of an automatic desorption method by a robot, suction by vacuum is preferable. The XY table 1 is as described above.
Arbitrary movement in the Y-axis direction is possible to perform operations such as attaching, detaching, and replacing the workpiece. Although there is no particular limitation on the method of enabling movement, for example, a V-shaped guide groove is provided on a metal table,
If it is a system that moves on it, it can be moved without vibration without any misalignment. Power for performing the movement may be, for example, a method using a general drive motor or may be manual. Further, in order to perform fine positioning, a device that performs a minute displacement using a PZT piezo element or the like as a driving source may be used in combination, and there is no particular limitation.

【0019】実際の加工においては、前述の通り、プレ
ポリッシングまでは両面同時加工が行われ、それ以降の
ポリッシングは必要な面のみの加工、すなわち片面加工
が行われる。本発明になる装置による加工は、ポリッシ
ングに相当する加工まで一環して行われるものではある
が、加工は片面ずつ行われるものであるから、一方の面
に加工を施した後、未加工の方の面の加工を行なわなけ
ればならない。具体的には、一方の面に加工を施した被
加工体を表裏反転させ、未加工の面を表にした上で再度
その面に対する加工を行う。反転の手段については手
動、自動等の方法が考えられ特に限定を行うものではな
いが、被加工体の移動、搬送を兼ねた作業ロボットで行
うことが好ましい。被加工体であるアズカットウェファ
は、その状態では平行度が十分出ていないので、まず最
初の加工において、プレポリッシングに相当する部分ま
での加工を行ない、次いで表裏反転させる。この状態で
被加工体の加工の基準面となる面がすでに平面度、真直
度、面粗さをある程度得た面となるので、その反対側の
面の加工は形状精度において、より優れた面が得られ
る。この面に対して最終の段階までの加工を施せば、形
状精度にも、面粗さにも極めて優れた鏡面ウェファを得
ることができる。
In actual processing, as described above, simultaneous processing is performed on both sides up to pre-polishing, and subsequent polishing is performed on only necessary surfaces, that is, single-sided processing is performed. The processing by the apparatus according to the present invention is performed as a whole up to the processing corresponding to polishing. However, since processing is performed on one side at a time, after processing on one side, the unprocessed Surface must be machined. More specifically, the workpiece on which one surface has been processed is turned upside down, and the unprocessed surface is turned upside down, and the surface is processed again. The method of inversion may be a manual or automatic method, and is not particularly limited. However, it is preferable that the inversion is performed by a work robot that also serves to move and transport the workpiece. Since the as-cut wafer, which is the workpiece, does not have a sufficient degree of parallelism in that state, first, in the first processing, processing is performed up to a portion corresponding to pre-polishing, and then the surface is turned upside down. In this state, the surface that becomes the reference surface for processing the workpiece is a surface that has already obtained a certain degree of flatness, straightness, and surface roughness. Is obtained. If this surface is processed to the final stage, it is possible to obtain a mirror surface wafer which is extremely excellent in shape accuracy and surface roughness.

【0020】本発明になる装置による加工手段は、前述
の通りカップ型のダイヤモンド砥石5に対する切り込み
量を所定の値に設定した上で、砥石の回転数を1〜50
00RPMの間の任意の回転数に設定してX軸回りに回
転しつつ、被加工体3を切り込んで行くのである。カッ
プ型のダイヤモンド砥石のサイズについては加工中に砥
石軸および被加工体の位置をずらすことなく行なうので
あるから、被加工体の全面を斑なく加工するためには、
被加工体のサイズよりも大きくしておくことが好まし
い。被加工体3の送りはX−Yテーブル1上に設置され
た作業台2を一定速度で回転させながら行われる。加工
中の加工面には水あるいは界面活性剤等を含んだ加工液
が専用のノズル(図示せず)から散布される。加工液を
散布する理由は、ダイヤモンド砥粒の先端エッジの研削
作用を円滑にすることと、研削による加工熱の上昇を防
止することにあり、さらに加工による目詰りの防止にも
多少の効果を有する。砥石5の回転数と被加工体3の送
り速度は、砥石による切り込み量と、その研削力を考慮
しながら最適条件に設定しなければならない。
The processing means of the apparatus according to the present invention sets the cutting amount for the cup-shaped diamond grindstone 5 to a predetermined value as described above, and then sets the number of revolutions of the grindstone to 1 to 50.
The workpiece 3 is cut while rotating around the X-axis at an arbitrary rotation speed between 00 RPM. The size of the cup-shaped diamond grindstone is performed without shifting the position of the grindstone axis and the workpiece during machining, so in order to machine the entire surface of the workpiece without unevenness,
It is preferable that the size be larger than the size of the workpiece. The workpiece 3 is fed while rotating the work table 2 installed on the XY table 1 at a constant speed. A processing liquid containing water or a surfactant is sprayed from a dedicated nozzle (not shown) on the processing surface during processing. The reason for spraying the machining fluid is to smooth the grinding action of the leading edge of the diamond abrasive grains, to prevent the machining heat from rising due to grinding, and to have some effect in preventing clogging due to machining. Have. The number of revolutions of the grindstone 5 and the feed speed of the workpiece 3 must be set to optimal conditions in consideration of the cutting amount by the grindstone and the grinding force.

【0021】[0021]

【実施例】以下実施例に従い、本発明の例を具体的に説
明するが、これにより特に限定を受けるものではない。
本実施例は図1に示す装置を使用して被加工体の加工を
行なうのであり、加工用砥石の番手を変えておこなっ
た。また、被加工体としては、シリコンウェファの他に
光学ガラスおよびハイセラミックスの平板を選定した。
EXAMPLES Examples of the present invention will now be described specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.
In this embodiment, the workpiece is machined by using the apparatus shown in FIG. 1, and the number of grinding wheels for machining is changed. In addition to the silicon wafer, a flat plate made of optical glass and high ceramics was selected as the workpiece.

【0022】実施例1 被加工体としてハイセラミックスの平板を選定し、本発
明の装置を用いて加工を行なった。使用した砥石はレジ
ンボンドのカップ型砥石で4000番の砥粒サイズのも
のを用いた。加工液としては水を使用した。まず、加工
圧力をサーボモータでの制御で100gf/cm2に設
定し砥石回転数を800RPMとして粗加工を行なっ
た。然る後、加工の制御を超磁歪アクチュエータに切り
替え、切込み量を100nmとして仕上げ加工を行なっ
た。この時の加工圧力は略々10gf/cm2であっ
た。得られた加工面の面粗さはRa=8nm、Ry=5
0nmであり、線状痕、ピット等の欠陥は見られなかっ
た。
Example 1 A flat plate of high ceramics was selected as a workpiece, and processing was performed using the apparatus of the present invention. The grindstone used was a resin-bonded cup-shaped grindstone having an abrasive grain size of # 4000. Water was used as the working fluid. First, roughing was performed by setting the processing pressure to 100 gf / cm 2 by controlling with a servomotor and setting the rotation speed of the grindstone to 800 RPM. After that, the control of the processing was switched to the giant magnetostrictive actuator, and the finishing was performed with the cut depth being 100 nm. The processing pressure at this time was approximately 10 gf / cm 2 . The surface roughness of the obtained processed surface is Ra = 8 nm, Ry = 5
0 nm, and no defects such as linear marks and pits were observed.

【0023】実施例2 被加工体としてシリコンウェファを選定して、本発明の
装置を用いて加工を行なった。使用した砥石はメタルボ
ンドのカップ型砥石で6000番の砥粒サイズのものを
用いた。加工液としては水を使用した。まず、加工圧力
ををサーボモータでの制御で200gf/cm2設定
し、砥石回転数を2600RPMに固定して、そこから
10gf/cm2まで無段で連続的に圧力を減じながら
加工を行なった。然る後、砥石加工の制御を超磁歪アク
チュエータに切り替え、切込み量を100nmとして仕
上げ加工を行なった。この時の加工圧力は略々10gf
/cm2であった。得られた加工面の面粗さはRa=
5.4nm、Ry=23nmであり良好な鏡面が得ら
れ、かつ加工表面には線状痕、ピット等の欠陥は見られ
なかった。また、加工変質層をチェックしたが殆ど認め
られず、また固定砥粒の影響による部分的に深い加工変
質層の存在も認められなかった。
Example 2 A silicon wafer was selected as a workpiece, and processing was performed using the apparatus of the present invention. The grindstone used was a metal-bonded cup-shaped grindstone having an abrasive size of # 6000. Water was used as the working fluid. First, the processing pressure was set to 200 gf / cm 2 by control with a servomotor, the rotation speed of the grindstone was fixed to 2600 RPM, and the processing was performed while continuously reducing the pressure continuously from 10 gf / cm 2 to 10 gf / cm 2 . . After that, the control of the grinding stone processing was switched to the giant magnetostrictive actuator, and the finishing processing was performed with the cutting depth set to 100 nm. The processing pressure at this time is approximately 10 gf
/ Cm 2 . The surface roughness of the obtained processed surface is Ra =
5.4 nm, Ry = 23 nm, a good mirror surface was obtained, and no defects such as linear marks and pits were found on the processed surface. Further, although the work-affected layer was checked, almost no work-affected layer was observed, and the presence of a partially deep work-affected layer due to the influence of the fixed abrasive was not observed.

【0024】実施例3 被加工体として光学ガラスの平板を選定し、本発明の装
置を用いて加工を行なった。使用した砥石はレジンボン
ドのカップ型砥石で12000番の砥粒サイズのものを
用いた。加工液としては水を使用した。まず、砥石主軸
の圧力ををサーボモータでの制御で100gf/cm2
に設定し砥石回転数を1500RPMとして粗加工を行
なった。然る後、砥石主軸の制御を超磁歪アクチュエー
タに切り替え、切込み量を100nmとして仕上げ加工
を行なった。この時の加工圧力は略々10gf/cm2
であった。得られた加工面の面粗さはRa=0.15n
m、Ry=2.51nmであり、線状痕、ピット等の欠
陥は見られなかった。
Example 3 A flat plate of optical glass was selected as a workpiece, and processing was performed using the apparatus of the present invention. The grindstone used was a resin-bonded cup-shaped grindstone having a grain size of 12000. Water was used as the working fluid. First, the pressure of the grindstone spindle was adjusted to 100 gf / cm 2 by servo motor control.
And the roughing was performed with the grindstone rotation speed set to 1500 RPM. After that, the control of the grindstone spindle was switched to the giant magnetostrictive actuator, and the finishing was performed with the depth of cut set to 100 nm. The processing pressure at this time is approximately 10 gf / cm 2
Met. The surface roughness of the obtained processed surface is Ra = 0.15 n
m, Ry = 2.51 nm, and no defects such as linear marks and pits were observed.

【0025】[0025]

【発明の効果】上述の実施例において明らかなように、
本発明になる精密平面加工装置を使用することにより、
従来いくつかの複数の工程により段階的に加工されて超
精密加工面を得ていたものが、一つの装置で粗加工から
最終の超精密鏡面加工までを一貫して効率よく行なえる
ことが確認できた。これにより、工程の省略のみならず
省エネルギーも可能であり、しかもシリコンウェファの
場合は環境汚染の要因でもある薬液によるエッチング工
程の省略もでき、その効果は局めて大なるものがある。
更に将来的には従来法では到達し得なかった超精密面を
得ることも可能となった。
As is clear from the above embodiment,
By using the precision plane processing device according to the present invention,
Conventionally, an ultra-precision machined surface was obtained by stepwise machining in several processes, but it was confirmed that a single machine can consistently and efficiently perform from rough machining to the final ultra-precision mirror surface machining did it. As a result, not only the process can be omitted, but also energy can be saved. In the case of a silicon wafer, the etching process using a chemical solution, which is also a factor of environmental pollution, can be omitted, and the effect is greatly increased.
In the future, it has become possible to obtain an ultra-precision surface that could not be reached by the conventional method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明になる精密平面加工装置の断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a precision planar processing device according to the present invention.

【図2】本発明になる精密平面加工装置の平面図であ
る。
FIG. 2 is a plan view of the precision planar processing device according to the present invention.

【図3】本発明に使用する超磁歪アクチュエータの断面
図である。
FIG. 3 is a sectional view of a giant magnetostrictive actuator used in the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1.X−Yテーブル 2.作業台 3.シリコンウ
ェファ 4.砥石取付台 5.砥石 6.砥石軸 7.ス
ピンドルヘッド 8.サーボモータ装置 9.ハイブリッドアクチュエ
ータ 10.ロッド 11.コイル 12.出力端子
13.スプリング 14.永久磁石 15.冷却用ジャケット 16.
出力軸 17.電源入力端子 20.温度制御装置 21.
プルーブ 22.コントロールパネル 23.デバイス専用コン
ピュータ 24.エアコンプレッサー 25.ドライヤー 26.加工液循環装置 27.能動型超磁歪アクチュ
エータ 28.空気静圧案内溝
1. 1. XY table Work table 3. Silicon wafer 4. Wheel mounting base 5. Whetstone 6. Wheel axis 7. 7. Spindle head Servo motor device 9. Hybrid actuator 10. Rod 11. Coil 12. Output terminal
13. Spring 14. Permanent magnet 15. Cooling jacket 16.
Output shaft 17. Power input terminal 20. Temperature control device 21.
Probe 22. Control panel 23. Device dedicated computer 24. Air compressor 25. Dryer 26. Processing fluid circulation device 27. Active giant magnetostrictive actuator 28. Air static pressure guide groove

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年10月18日(1999.10.
18)
[Submission date] October 18, 1999 (1999.10.
18)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

請求項2】超磁歪アクチュエータに用いる超磁歪材料
がテルビウムとジスプロシウム、および鉄、コバルト、
ニッケルからなる鉄族元素のうち少なくとも一つからな
る合金の単結晶あるいは多結晶であることを特徴とする
請求項第1項記載の精密平面加工機械。
2. The giant magnetostrictive material used for the giant magnetostrictive actuator is terbium and dysprosium, iron, cobalt,
At least one consists of Claim first Kouki placement of precision surface working machine which is a single crystal or polycrystalline alloys of the iron group element made of nickel.

請求項3】研削用砥石が、3000番あるいはそれよ
り細かいダイヤモンド微粉を砥粒としたカップ型砥石で
あることを特徴とする請求項第1項ないし第項に記載
の精密平面加工機械。
3. A grinding stone is precision surface working machine according to No. 3000 or the first claims to paragraph 2, wherein the finer diamond fine it is cup-shaped grindstone and abrasives.

請求項4】ダイヤモンド微粉を砥粒としたカップ型砥
石の結合材が、樹脂あるいは金属であることを特徴とす
る請求項第1項ないし第項に記載の精密平面加工機
械。
4. A binder of the cup-shaped grindstone in which diamond fine powder was abrasive grain, precision surface working machine according to paragraph 1 to 3 claims, characterized in that a resin or a metal.

請求項5】ダイヤモンド微粉を砥粒としたカップ型砥
石の結合材中に平均粒径0.1μmあるいはそれよりも
細かいダイヤモンド超微粉が混入されていることを特徴
とする請求項第1項ないし第項に記載の精密平面加工
機械。
5. The method according to claim 1 , wherein an ultrafine diamond powder having an average particle diameter of 0.1 μm or finer is mixed in a binder of a cup-shaped grindstone using diamond fine powder as abrasive grains. Item 5. A precision plane processing machine according to Item 4 .

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0012[Correction target item name] 0012

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上述の目的は、研削用砥
石と、該砥石を取付け回転を与える砥石取付け装置と、
該取付け装置を支持する砥石軸と、プルーブ(検出器)
と、被加工体を把持する作業台とそれを支持するX−Y
テーブルからなる精密平面加工機械であって、該精密平
面加工機械の稼働に当たり圧力制御が、10gf/cm
2以上の範囲においてはサーボモータと圧電アクチュエ
ータ装置により行われ、10gf/cm2 以下0.01
gf/cm2までの範囲においては、温度調節機能を具
備した超磁歪アクチュエータによって行われることを特
徴とする精密平面加工機械により達成される。また、前
述の精密平面加工機械においては、研削砥石は砥粒粒度
が3000番よりも細かいダイヤモンドカップ型砥石を
使用するものとする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a grinding wheel, a grinding wheel mounting device for mounting and rotating the grinding wheel,
A grindstone shaft that supports the mounting device and a probe (detector)
And a work table for gripping the workpiece and XY supporting the work table
A precision plane processing machine comprising a table, wherein pressure control is 10 gf / cm for operation of the precision plane processing machine.
Servo motor and a piezoelectric actuator in two or more ranges
10 gf / cm 2 or less and 0.01
In the range up to gf / cm 2 ,
This is achieved by a precision plane processing machine characterized by being performed by a giant magnetostrictive actuator provided. Further, in the above-mentioned precision plane processing machine, it is assumed that the grinding wheel uses a diamond cup type grinding wheel having an abrasive grain size smaller than # 3000.

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0013[Correction target item name] 0013

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明になる精密平面加工機械の
凡その外観は、図1の断面図および図2の平面図に示さ
れる通りである。図1、図2において、1はX−Yテー
ブルである。2はX−Yテーブル上に取り付けられた作
業台でありX軸回りに正逆方向に回転可能である。作業
台2の上に被加工体3であるシリコンウェファが載置固
定されている。円板状の砥石取付け装置4の面にはカッ
プ型のダイヤモンド砥石5が取り付けられている。ダイ
ヤモンド砥石5は取付け装置4の動きに従って正逆任意
の方向に低速から高速まで任意の速度でX軸回りの回転
が可能である。取付け装置4は砥石軸6によって支持さ
れ、その砥石軸6はスピンドルヘッド7に取り付けられ
ており、スピンドルヘッド7中には砥石5の回転を行な
う駆動モータが設置されている。X−Yテーブル1はY
軸方向の任意な移動が可能な構造となっているととも
に、コンピュータにより精密に制御されるサーボモータ
装置8および圧電アクチュエータが設置されている。前
記圧電アクチュエータはハイブリットアクチュエータ9
中に設置されている。前記サーボモータ装置8および圧
電アクチュエータはX−Yテーブル1のX軸方向への駆
動を行ないダイヤモンド砥石5に対する被加工体3の位
置決めを行なうとともに、10gf/cm2以上1kg
f/cm2までの圧力制御を行ないダイヤモンド砥石に
よる粗加工に必要な制御を行なう。一方、ハイブリット
アクチュエータ9中に納められている超磁歪アクチュエ
ータは、ダイヤモンド砥石による被加工体の精密加工に
必要な微小切込み量の制御を行なうものであり、その対
応する範囲は0.01〜10gf/cm2であり、これ
によりほぼ1nm〜10μm範囲で微小切込みが可能で
ある。この両装置を併用することにより、ダイヤモンド
砥石5に対する被加工体3であるシリコンウェファの正
確な位置決め、およびそれによる研削加工に必要な切込
みを行なうためのX−Yテーブル1のX軸方向への微小
送りを1nm程度から100μm程度までの範囲で正確
に行ない微小切込み量および加工圧力の制御を行なう。
砥石の回転と、被加工体の位置決めと圧力制御の装置を
駆動させることで本発明の精密平面加工機械の稼働が行
なわれる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The external appearance of a precision flattening machine according to the present invention is as shown in the sectional view of FIG. 1 and the plan view of FIG. 1 and 2, reference numeral 1 denotes an XY table. Reference numeral 2 denotes a work table mounted on an XY table, which is rotatable in forward and reverse directions around an X axis. A silicon wafer as a workpiece 3 is mounted and fixed on a work table 2. A cup-shaped diamond wheel 5 is mounted on the surface of the disk-shaped wheel mounting device 4. The diamond grindstone 5 can rotate around the X-axis at any speed from low speed to high speed in any direction in the normal or reverse direction according to the movement of the mounting device 4. The mounting device 4 is supported by a grindstone shaft 6. The grindstone shaft 6 is attached to a spindle head 7, and a drive motor for rotating the grindstone 5 is installed in the spindle head 7. XY table 1 is Y
It has a structure capable of arbitrary movement in the axial direction, and is provided with a servomotor device 8 and a piezoelectric actuator that are precisely controlled by a computer . Previous
The piezoelectric actuator is a hybrid actuator 9
It is installed inside. The servo motor device 8 and the pressure
The electric actuator drives the XY table 1 in the X-axis direction to position the workpiece 3 with respect to the diamond grindstone 5 and at least 10 gf / cm 2 and 1 kg.
Pressure control up to f / cm 2 is performed, and control necessary for roughing with a diamond grindstone is performed. On the other hand, the giant magnetostrictive actuator contained in the hybrid actuator 9 controls the minute cut amount required for precision machining of the workpiece by the diamond grindstone, and the corresponding range is 0.01 to 10 gf /. cm 2 , which allows micro-cuts in the range of approximately 1 nm to 10 μm. By using both of these devices together, the XY table 1 can be accurately positioned with respect to the diamond grindstone 5 with respect to the diamond grindstone 5, and the XY table 1 can be cut in the X-axis direction for performing the cutting required for grinding. The fine feed is accurately performed in the range of about 1 nm to about 100 μm to control the fine cutting amount and the processing pressure.
The precision planar processing machine of the present invention is operated by rotating the grindstone and driving the device for positioning and pressure control of the workpiece.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0016[Correction target item name] 0016

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0016】本発明でいう超磁歪アクチュエータとは、
特定の希土類族元素とニッケル、コバルト、鉄からなる
鉄族元素との特定割合での合金の多結晶あるいは単結晶
であって、磁界を与えると強い寸法変化を起こす超磁歪
材料をアクチュエータとして応用したものである。図3
は本発明で用いる超磁歪アクチュエータの断面説明図で
ある。超磁歪材料からなるロッド10を中央におき、そ
の周囲を駆動用コイル11で囲んでいる。ロッド10の
一方の端は固定され、もう一方の端はフリーとなり出力
端子12に当接している。該出力端子12はスプリング
13により付勢されておりロッド10の変位に自在に追
随することができる。14は永久磁石である。コイル1
1の回りには冷却水用ジャケット15が配置されてい
る。駆動用コイルに電流を通じることにより磁界が発生
し、超磁歪材料ロッド10がジュール効果により変形
し、それが出力端子12に伝達されアクチュエータとし
て作用する。冷却水用ジャケット15は温度による寸法
変化の狂いを極力抑えるために配置されている。この超
磁歪アクチュエータによる主軸6の制御範囲は10gf
/cm2を上限とし、0.01gf/cm2までの圧力の
範囲、切込み量としては1〜100nmの範囲、すなわ
ち低圧でかつ極めて微小変位の送りを高精度で必要とす
る領域、具体的には従来のポリッシング工程に相当する
加工領域である。ハイブリッドアクチュエータ9の先端
部にはプルーブ21が設置されておりここで変位量を検
出しコンピュータ23に送られフィードバックされ切込
み量を制御する。 ─────────────────────────────────────────────────────
The giant magnetostrictive actuator referred to in the present invention is:
A giant magnetostrictive material, which is a polycrystalline or single crystal alloy with a specific ratio of a specific rare earth element and an iron group element consisting of nickel, cobalt, and iron, and undergoes a strong dimensional change when a magnetic field is applied, is used as an actuator. Things. FIG.
FIG. 3 is an explanatory sectional view of a giant magnetostrictive actuator used in the present invention. A rod 10 made of a giant magnetostrictive material is placed at the center, and its periphery is surrounded by a driving coil 11. One end of the rod 10 is fixed, and the other end is free and abuts on the output terminal 12. The output terminal 12 is urged by a spring 13 and can freely follow the displacement of the rod 10. 14 is a permanent magnet. Coil 1
A cooling water jacket 15 is disposed around the circumference 1. A magnetic field is generated by passing an electric current through the driving coil, and the giant magnetostrictive material rod 10 is deformed by the Joule effect, which is transmitted to the output terminal 12 and acts as an actuator. The cooling water jacket 15 is arranged to minimize the dimensional change due to temperature. The control range of the main shaft 6 by this giant magnetostrictive actuator is 10 gf
/ Cm 2 as an upper limit, a pressure range up to 0.01 gf / cm 2 , and a cut amount in a range of 1 to 100 nm, that is, a region where low pressure and extremely small displacement feed are required with high precision, specifically Is a processing area corresponding to a conventional polishing step. Tip of hybrid actuator 9
A probe 21 is installed in the section, and the displacement is detected here.
Sent to computer 23 and fed back and cut
Control the volume. ────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成12年1月14日(2000.1.1
4)
[Submission Date] January 14, 2000 (2000.1.1)
4)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0012[Correction target item name] 0012

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上述の目的は、研削用砥
石と、該砥石を取付け回転を与える砥石取付け装置と、
該取付け装置を支持する砥石軸と、プルーブ(検出器)
と、被加工体を把持する作業台とそれを支持するX−Y
テーブルからなる精密平面加工機械であって、該精密平
面加工機械の稼働に当たり圧力制御が、10gf/cm
2以上の範囲においてはサーボモータと圧電アクチュエ
ータ装置により行われ、10gf/cm 2以下0.01
gf/cm2までの範囲においては、冷却水用ジャケッ
を具備した超磁歪アクチュエータによって行われるこ
とを特徴とする精密平面加工機械により達成される。ま
た、前述の精密平面加工機械においては、研削砥石は砥
粒粒度が3000番よりも細かいダイヤモンドカップ型
砥石を使用するものとする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a grinding wheel.
A stone, a whetstone mounting device for attaching and rotating the whetstone,
A grindstone shaft that supports the mounting device and a probe (detector)
And a work table for gripping the workpiece and XY supporting the work table
A precision plane processing machine comprising a table,
Pressure control is 10 gf / cm for the operation of surface processing machine
TwoIn the above range, the servo motor and piezoelectric actuator
10gf / cm TwoLess than 0.01
gf / cmTwoIn the range up toJacket for cooling water
GThis is performed by a giant magnetostrictive actuator equipped with
This is achieved by a precision plane processing machine characterized by the following. Ma
In the above-mentioned precision surface processing machine, the grinding wheel is
Diamond cup type with finer grain size than # 3000
A grindstone shall be used.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】研削用砥石と、該砥石を取付け回転を与え
る砥石取付け装置と、該取付け装置を支持する砥石軸
と、被加工体を把持する作業台とそれを支持するX−Y
テーブルからなる精密平面加工機械であって、該精密平
面加工機械の稼働に当たり圧力制御がサーボモータ装置
と超磁歪アクチュエータの組み合わせによって行われる
ことを特徴とする精密平面加工機械。
A grinding wheel, a grinding wheel mounting device for mounting and rotating the grinding wheel, a grinding wheel shaft for supporting the mounting device, a work table for gripping a workpiece, and an XY supporting the workpiece.
A precision plane processing machine comprising a table, wherein pressure control is performed by a combination of a servomotor device and a giant magnetostrictive actuator when the precision plane processing machine is operated.
【請求項2】圧力制御が、10gf/cm2以上の範囲
においてはサーボモータと圧電アクチュエータ装置によ
り行われ、10gf/cm2以下0.1gf/cm2まで
の範囲においては超磁歪アクチュエータによって行われ
ることを特徴とする請求項1記載の精密平面加工機械。
2. The pressure control is performed by a servomotor and a piezoelectric actuator device in a range of 10 gf / cm 2 or more, and by a giant magnetostrictive actuator in a range of 10 gf / cm 2 to 0.1 gf / cm 2. The precision planar processing machine according to claim 1, wherein:
【請求項3】超磁歪アクチュエータに用いる超磁歪材料
がテルビウムとジスプロシウム、および鉄、コバルト、
ニッケルからなる鉄族元素のうち少なくとも一つからな
る合金の単結晶あるいは多結晶であることを特徴とする
請求項第1項および第2項記載の精密平面加工機械。
3. The giant magnetostrictive material used for the giant magnetostrictive actuator is terbium and dysprosium, iron, cobalt,
3. The precision plane processing machine according to claim 1, wherein the machine is a single crystal or a polycrystal of an alloy made of at least one of iron group elements made of nickel.
【請求項4】研削用砥石が、3000番あるいはそれよ
り細かいダイヤモンド微粉を砥粒としたカップ型砥石で
あることを特徴とする請求項第1項ないし第3項に記載
の精密平面加工機械。
4. The precision surface processing machine according to claim 1, wherein the grinding wheel is a cup-shaped wheel using diamond fine powder of # 3000 or finer as abrasive grains.
【請求項5】ダイヤモンド微粉を砥粒としたカップ型砥
石の結合材が、樹脂あるいは金属であることを特徴とす
る請求項第1項ないし第4項に記載の精密平面加工機
械。
5. The precision plane processing machine according to claim 1, wherein the binder of the cup-shaped grindstone using diamond fine powder as abrasive grains is resin or metal.
【請求項6】ダイヤモンド微粉を砥粒としたカップ型砥
石の結合材中に平均粒径0.1μmあるいはそれよりも
細かいダイヤモンド超微粉が混入されていることを特徴
とする請求項第1項ないし第5項に記載の精密平面加工
機械。
6. An ultrafine diamond powder having an average particle diameter of 0.1 μm or finer is mixed in a binder of a cup-shaped grindstone using diamond fine powder as abrasive grains. Item 6. The precision plane processing machine according to Item 5.
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