JP2001328065A - Precision machining device - Google Patents
Precision machining deviceInfo
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- JP2001328065A JP2001328065A JP2000152833A JP2000152833A JP2001328065A JP 2001328065 A JP2001328065 A JP 2001328065A JP 2000152833 A JP2000152833 A JP 2000152833A JP 2000152833 A JP2000152833 A JP 2000152833A JP 2001328065 A JP2001328065 A JP 2001328065A
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
Description
【0001】本発明は、例えばシリコンウェハ、磁気デ
ィスク基板あるいは水晶発振子用基板等の極めて精密な
形状精度と仕上面粗さを必要とする物品の加工を行なう
ための装置に係わるものであり、更に詳しくは、ワーク
(被加工体)を把持し回転を与えるための装置を搭載す
るテーブルと、砥石等加工用の手段を装着し回転を与え
る装置を搭載するテーブルとを具備した精密加工装置に
係わる。The present invention relates to an apparatus for processing an article that requires extremely precise shape accuracy and a finished surface roughness, such as a silicon wafer, a magnetic disk substrate, or a substrate for a crystal oscillator, for example. More specifically, a precision processing apparatus having a table for mounting a device for gripping and rotating a workpiece (workpiece) and a table for mounting a device for rotation by mounting means for processing such as a grindstone is provided. Get involved.
【0002】[0002]
【従来技術】近年、コンピュータを中心とするいわゆる
電子機器類の小型化、高性能化更には高生産性と低価格
化といった必要性から、その重要部分を占めるIC、L
SIあるいは超LSI等に対しては記憶容量や信頼性の
アップ、生産に係るコストの低減の要求が急であり、併
せて工業全体としては省力、省エネルギー化の要求が急
である。かかる状況のなかで、これ等の素子やその周辺
を支える部品の原材料となるシリコンウェハ、磁気ディ
スク基板あるいは水晶発振子用基板等に対してはその加
工段階での寸法精度やあるいは面粗さの向上の要求が著
しい。その反面、加工工程におけるコストの低減と生産
性の格段の向上といった要求にも対応が迫られており、
従って、全く新しい考えに基づいた加工の方法や装置自
体の開発が必要となって来ている。2. Description of the Related Art In recent years, there has been a need for downsizing, high performance, high productivity, and low price of so-called electronic devices such as computers, and ICs, Ls, which occupy important parts thereof,
There is an urgent need to increase storage capacity and reliability and reduce production costs for SI and VLSI, and also to urgently demand labor and energy savings as a whole industry. Under these circumstances, silicon wafers, magnetic disk substrates, substrates for crystal oscillators, etc., which are the raw materials for these elements and the components supporting the periphery thereof, have dimensional accuracy and / or surface roughness at the processing stage. The demand for improvement is remarkable. On the other hand, there is also a need to respond to demands such as cost reduction in the processing process and remarkable improvement in productivity.
Therefore, it is necessary to develop a processing method and apparatus based on a completely new idea.
【0003】特に、IC、LSIあるいは超LSIの原
材料であるシリコンウェハに対しては加工段階での厚さ
の均一化、寸法安定性あるいは面粗さの向上の要求が著
しく、就中、鏡面を得るためのポリッシング加工におけ
る加工の条件や装置自体の精度と安定性に対する要求も
格段に厳しさを増して来ている。即ち、具体的には、n
m(ナノメーター)のレベルでの精度が求められて来て
いる。更に、ウェハから製品までの間の歩留まり向上、
生産性の向上を目的としてウェハの直径(口径)の改善
も盛んであり、口径30cm(12インチ)ウェハの生
産も試験的に行なわれ始めている。In particular, silicon wafers, which are the raw materials of ICs, LSIs, or VLSIs, are required to have uniform thickness, improved dimensional stability, and improved surface roughness at the processing stage. The requirements for the polishing conditions and the accuracy and stability of the apparatus itself in the polishing process to obtain it have also become much more severe. That is, specifically, n
Accuracy at the level of m (nanometer) is required. Furthermore, yield improvement from wafer to product,
Improvements in the diameter (diameter) of wafers are also actively pursued for the purpose of improving productivity, and production of wafers having a diameter of 30 cm (12 inches) has begun to be conducted on a trial basis.
【0004】IC、LSIあるいは超LSI等の電子部
品は、シリコンあるいはその他の化合物半導体の単結晶
のインゴットをスライスしたウェハに鏡面仕上げを施し
た上で、多数の微細な電気回路を書き込み分割した小片
状の半導体素子チップを基に製造されるものであるが、
その鏡面仕上げを施したシリコンウェハは以下の一連の
製造プロセスを経て製造されるのが一般的であった。す
なわち、単結晶引き上げ法によって製造されたシリコン
の単結晶インゴットの外周研削を行なった後、結晶方向
の位置決めの為の例えばオリエンテーションフラット加
工を施し、内周刃ソーあるいはワイヤソーにてスライシ
ングを行いアズカットウェハを得る。このアズカットウ
ェハを、ベベリングによる外周部の面取りを行なった
後、両面ラッピング加工により均一な厚みと平行度、平
面度、真直度及びある程度の面粗さを持つまでに仕上げ
る。得られたラップドウェハを酸またはアルカリにてエ
ッチング加工を行ないラッピングにより生じた加工ダメ
ージ層を除去、然る後プレポリッシング、ポリッシング
による鏡面仕上げを行う。ここで得られる鏡面ウェハ
は、優れた面粗さと形状精度を持ったものでなくてはな
らない。30cm(12インチ)ウェハの最終鏡面仕上
げ面の面粗さRaは望ましくは1nm以下、平面度は
0.2μm/300mm以下であり、アズカットウェハ
から最終鏡面ウェハまでの加工量は両面で60μm程度
である。Electronic parts such as ICs, LSIs and VLSIs are manufactured by mirror-finishing a wafer obtained by slicing a single crystal ingot of silicon or another compound semiconductor, and then writing and dividing a large number of fine electric circuits into small parts. It is manufactured based on flake-shaped semiconductor element chips,
The mirror-finished silicon wafer was generally manufactured through the following series of manufacturing processes. That is, after performing the outer peripheral grinding of the silicon single crystal ingot manufactured by the single crystal pulling method, for example, performing orientation flat processing for positioning in the crystal direction, slicing with an inner peripheral blade saw or a wire saw, and as-cutting. Obtain a wafer. After the as-cut wafer is chamfered at the outer peripheral portion by beveling, the wafer is finished to have uniform thickness, parallelism, flatness, straightness, and a certain surface roughness by double-sided lapping. The obtained wrapped wafer is subjected to an etching process with an acid or an alkali to remove a processing damage layer generated by the lapping, and then a mirror finish by pre-polishing and polishing. The mirror wafer obtained here must have excellent surface roughness and shape accuracy. The surface roughness Ra of the final mirror-finished surface of a 30 cm (12 inch) wafer is desirably 1 nm or less, the flatness is 0.2 μm / 300 mm or less, and the processing amount from the as-cut wafer to the final mirror-finished wafer is about 60 μm on both sides. It is.
【0005】上述の工程において、ラッピング、プレポ
リッシングあるいはポリッシング等に用いられる加工機
は、例えば上下両面にあるいは上下いずれか一方に定盤
を配した両面加工機あるいは片面加工機のことをいい、
砥粒を含む加工液を供給しつつ、定盤の回転および負荷
荷重(加工圧)の作用により加工を行なうものである。
ワーク表面にかかる負荷荷重によりワークは擦過、摺擦
されて加工が進展する。この場合被加工体への負荷荷重
は例えば上定盤の荷重、片面機の場合は被加工体を把持
するプレッシャープレートの自重のみで行う方式、これ
をエアシリンダーの逆圧で吊り上げ荷重を加減する方
式、あるいはエアシリンダーの作用のみで負荷荷重をコ
ントロールする方式(例えば特公平2−29470号公
報)等があるが、その制御の良否は被加工体の加工面の
形状精度と加工効率および面粗さを左右する重要なファ
クターである。しかしながら、これらの加工は基本的に
は一定の負荷荷重による力制御方式の加工であるので、
例えば、ダイヤモンド砥石を用いた強制切込み方式の加
工とは異なり、送り量(切込み量)の極めてシビアな制
御を必要とするものではない反面、このような方式で
は、前述のnmレベルでの極めて高精密な寸法精度、形
状精度を得る目的に対しては追随が非常に困難な状況に
なって来ている。In the above-mentioned process, a processing machine used for lapping, pre-polishing, polishing, or the like means, for example, a double-side processing machine or a single-side processing machine in which a surface plate is disposed on both upper and lower surfaces or one of upper and lower surfaces.
Processing is performed by rotating the surface plate and applying a load (processing pressure) while supplying a processing liquid containing abrasive grains.
The work is rubbed and rubbed by the load applied to the surface of the work, and the processing proceeds. In this case, the load applied to the workpiece is, for example, the load of the upper platen, or in the case of a single-sided machine, a method of performing only by the weight of the pressure plate holding the workpiece, and the lifting load is adjusted by the reverse pressure of the air cylinder. There is a method of controlling the applied load only by the action of the air cylinder (for example, Japanese Patent Publication No. 29470/1990). The quality of the control depends on the shape accuracy, processing efficiency and surface roughness of the processed surface of the workpiece. It is an important factor that affects the quality. However, since these processes are basically processes of a force control method with a constant load,
For example, unlike the processing of the forced cutting method using a diamond grindstone, it is not necessary to control the feed amount (cutting amount) extremely severely, but in such a method, the extremely high level at the nm level described above is required. It has become very difficult to follow the purpose of obtaining precise dimensional accuracy and shape accuracy.
【0006】また、ラッピング、プレポリッシングある
いはポリッシングという前述の各主要な操作は、従来は
複数枚のワークを大型の加工機で同時加工を施すという
方式が通常であった。しかしながら、ウェハのサイズの
大口径化の傾向が進み、それに伴ない装置の大型化も進
められて来たが、装置の大型化もそのハンドリング性か
ら見て限度があり、また装置の大型化と同時に高精密化
を進めることの困難さもあり、最近はむしろダイヤモン
ド砥石を用いた強制切込み方式を基礎として、一枚ずつ
加工を行なういわゆる枚葉方式の検討も多く行われてい
る。[0006] The above-mentioned respective major operations such as lapping, pre-polishing and polishing are conventionally performed in such a manner that a plurality of works are simultaneously processed by a large-sized processing machine. However, the tendency for the wafer size to increase in diameter has been promoted, and as a result, the size of the equipment has been increased.However, the increase in the size of the equipment is limited in view of its handleability. At the same time, it is difficult to achieve high precision. Recently, many studies have been made on a so-called single-wafer method for processing one sheet at a time, based on a forced cutting method using a diamond grindstone.
【0007】シリコンウェハ等の加工に砥石による研削
方式を用いる方法は、例えば弾性砥石を用いる方式(特
公平6−71708号公報)、あるいはダイヤモンド砥
石を用いた方式(例えば特開昭62−99072号公
報)が提案されているが、これらはいずれも従来のラッ
ピング加工方式の延長であり、砥粒傷による不規則でか
つ局部的に深い亀裂部分を有する加工変質層の発生が顕
著であり、この層をエッチングによる処理で除去して
も、その潜在的歪や亀裂の完全除去までは至らず、実用
化には未だ問題を有するものであった。しかしながら、
ダイヤモンド砥石を使用する方式は、ダイヤモンド砥粒
の持つ高い研削能力とそれによる作業の高能率化の可能
性は捨て難いものがあり、高番手のダイヤモンドカップ
型砥石を用いて、その加工条件を変えながら、粗加工か
ら最終の鏡面仕上げ加工まで一貫して行なう方法が試み
られている。更に、ダイヤモンド砥石の加工性能の維持
と加工効率向上を目的として、電解インプロセスドレッ
シング法を併用した加工方式の研究開発(例えば、特開
平9−237771号公報)も盛んである。これらはい
ずれも高番手ダイヤモンド砥石を用い、枚葉式によりシ
リコンウェハの一貫加工を目的としたものである。For example, a method using a grinding wheel with a grindstone for processing a silicon wafer or the like can be a method using an elastic grindstone (Japanese Patent Publication No. 6-71708) or a method using a diamond grindstone (eg, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-99072). However, these are all extensions of the conventional lapping method, and the generation of a deformed layer having irregular and locally deep cracks due to abrasive flaws is remarkable. Even if the layer was removed by etching, the potential distortion and crack were not completely removed, and there was still a problem in practical use. However,
In the method using diamond whetstones, the high grinding ability of diamond abrasive grains and the possibility of improving the work efficiency due to them are difficult to dispose of, so use a high-count diamond cup type whetstone and change the processing conditions. However, there has been attempted a method of performing the entire process from rough processing to final mirror finishing. Further, for the purpose of maintaining the processing performance of the diamond grindstone and improving the processing efficiency, research and development of a processing method using an electrolytic in-process dressing method in combination (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-237771) are also active. All of these are intended for integrated processing of silicon wafers by a single wafer method using a high-count diamond wheel.
【0008】これらダイヤモンド砥石を応用した研削加
工は、砥石の回転と、砥石を支持する主軸の送りと、ワ
ークの位置決めの三つの動きを主要な動きとするもので
ある。これらを精度よくコントロールすることにより精
密加工を可能ならしめるのであるが、特に粗加工から超
精密領域の加工までを一つの装置、機械で一貫して行な
うためには、前述の主要な動きのうち、主軸の送りの制
御を幅広い範囲で極めて精度よく行なうことが必要であ
る。従来、一般的な切削あるいは研削加工におけるこの
主軸の送り制御は例えば、精密ネジ、サーボモーターあ
るいは圧電アクチュエータよる送りを応用した方式等が
多用されているが、幅広い範囲を精度よくカバーすると
いう目的からは十分でなく、特に大荷重下で微細送りを
極めて精密に行なう超精密加工領域での加工に対しては
十分なものとは言い難かった。[0008] Grinding using these diamond grindstones has three main movements: rotation of the grindstone, feed of a spindle supporting the grindstone, and positioning of the work. It is possible to perform precision machining by controlling these with high precision.However, in order to perform consistently from rough machining to machining in the ultra-precision area with one device and machine, one of the major movements described above In addition, it is necessary to control the feed of the spindle in a wide range with extremely high accuracy. Conventionally, for the feed control of this spindle in general cutting or grinding, for example, a method that applies feed by a precision screw, servo motor or piezoelectric actuator is often used, but from the purpose of covering a wide range with high accuracy. Is not sufficient, and it is hard to say that it is sufficient for processing in an ultra-precision processing area in which fine feeding is performed extremely precisely under a large load.
【0009】更に、φ300mmあるいはそれ以上の大
口径ウェハの加工の場合、それに求められる平面度は
0.2μm/φ300mm以下という極めて高いレベル
であるため、機械本体や各部分を支持するベースが起こ
す熱変位が、ワーク軸と砥石軸の軸芯の微妙なズレに繋
がり、ウェハの平坦度精度に悪影響を与えることが指摘
されている。かかる問題点は小口径のウェハに対しては
殆ど無視されるようなレベルである。即ち、この温度変
化に伴なう装置全体の微妙な寸法変形の影響は、従来ま
では左程大きな問題ではなかったが、近年の大型化、高
集積化の流れのなかで、nmレベルでの精度を論ずる場
合には問題となり、温度変化に伴う極めて微細なズレや
傾きの補正、即ち、姿勢制御が必要となって来ている。Further, in the case of processing a large-diameter wafer of φ300 mm or more, the required flatness is an extremely high level of 0.2 μm / φ300 mm or less, so that the heat generated by the machine body and the base supporting each part is generated. It has been pointed out that the displacement leads to a delicate misalignment between the axis of the work axis and the axis of the grindstone axis, and adversely affects the flatness accuracy of the wafer. Such a problem is at a level that is almost ignored for a small-diameter wafer. In other words, the influence of the delicate dimensional deformation of the entire device due to the temperature change was not as large a problem as in the past, but in the recent trend of large size and high integration, the influence on the nanometer level has been reduced. A problem arises when discussing accuracy, and it is becoming necessary to correct extremely small deviations and inclinations due to temperature changes, that is, to perform attitude control.
【0010】また、特願平10−315259において
は、サーボモータ装置と超磁歪アクチュエータの組み合
わせによって砥石軸の送りを行なう精密平面加工機械が
開示されている。この加工機械の場合、超磁歪アクチュ
エータの使用により大荷重の物品を極めて精密かつ正確
に行なう微細送りの点においては良好であるが、前述の
温度変化に伴う熱変位や運動中の加工力による変形の問
題点に対応し、X、Y、Z軸及びθ軸、ψ軸の微妙なズ
レを補正するための姿勢制御の点については解決されて
いない。Further, Japanese Patent Application No. 10-315259 discloses a precision plane machining machine for feeding a grinding wheel shaft by a combination of a servomotor device and a giant magnetostrictive actuator. In the case of this processing machine, the use of a giant magnetostrictive actuator is excellent in the point of fine feeding in which a large load article is extremely precisely and accurately, but the deformation due to the thermal displacement due to the temperature change and the processing force during the movement described above However, there is no solution to the problem of attitude control for correcting subtle deviations in the X, Y, and Z axes, the θ axis, and the ψ axis.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、上述の
従来の技術の持つ問題点に鑑み、鋭意検討を行ない、
0.2μm/φ300mm以下という超精密の平面度を
持つ加工が可能な装置について検討した結果、加工方式
を砥石を用いてインフィード(送り込み)切込みを行な
う形態とし、砥石とワークとを各々独立したテーブル上
に載置し、砥石軸とワーク軸が水平方向に対抗するよう
に配置せしめ、位置決めを超精密ラップネジと超磁歪ア
クチュエータを併用して行ない、かつ常時超磁歪アクチ
ュエータを用いて砥石軸とワーク軸との姿勢制御を行な
うことで上述の超精密の平面度が達成しうることを見出
し、本発明を完成したものであって、その目的となすと
ころは粗加工から超精密鏡面仕上げ加工までを一貫して
行なうことのできる精密加工装置を提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems of the prior art, the present inventors have made intensive studies,
As a result of studying an apparatus capable of processing with an ultra-precision flatness of 0.2 μm / φ300 mm or less, the processing method was changed to a form in which infeed (feeding) cutting was performed using a grindstone, and the grindstone and the work were independent of each other. Place it on the table, arrange the grindstone axis and the work axis so as to oppose each other in the horizontal direction, perform positioning using both a superprecision lap screw and a giant magnetostrictive actuator, and always use the giant magnetostrictive actuator to It has been found that the above-described ultra-precision flatness can be achieved by controlling the attitude with respect to the axis, and the present invention has been completed, and the object thereof is to perform from roughing to ultra-precision mirror finishing. An object of the present invention is to provide a precision processing device that can be performed consistently.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上述の目的は、微細送り
プレートおよび姿勢制御プレートよりなる変位テーブル
と、精密移動テーブルとを有し、前記変位テーブルある
いは前記精密移動テーブルのいずれか一方の上には砥石
とその回転装置が載置され、他の一方にはワークとその
回転装置が載置され、砥石軸とワーク軸とは水平方向に
対抗するように配置されてなり、砥石とワークとの位置
決めおよび微細送りを前記精密移動テーブルの移動と前
記変位テーブルの変位とで行ない、砥石軸とワーク軸と
のズレの補正を前記変位テーブルに具備された姿勢制御
機構を作動させて行なうことを特徴とする精密加工装置
によって達成される。上述の精密加工装置においては微
細送りプレートあるいは姿勢制御プレートのいずれか一
方が、精密移動テーブル上に載置されていてもよい。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a displacement table comprising a fine feed plate and an attitude control plate, and a precision moving table, wherein one of the displacement table and the precision moving table is provided. The whetstone and its rotating device are mounted on the other, and the work and its rotating device are mounted on the other one, and the whetstone axis and the work axis are arranged so as to oppose each other in the horizontal direction. The positioning and the fine feed are performed by the movement of the precision moving table and the displacement of the displacement table, and the deviation between the grindstone axis and the work axis is corrected by operating an attitude control mechanism provided in the displacement table. Is achieved by a precision processing device. In the above-described precision processing apparatus, one of the fine feed plate and the attitude control plate may be placed on the precision moving table.
【0013】上述の精密加工装置においては、姿勢制御
プレートは、一つの辺の最外側中央部にある接合点を介
して2枚の板材が上下に連結した構造をなし、上方に位
置する板材の前記接合点のある辺に直交する一つの辺に
超磁歪アクチュエータの先端ロッドが当接するように超
磁歪アクチュエータが配置され、更に前記接合点の反対
側の辺の開口部に、超磁歪アクチュエータの先端ロッド
が前記上方に位置する板材の下部に当接するように超磁
歪アクチュエータが配置された構造のものである。前記
接合点は、超磁歪アクチュエータの作用を効果的にする
ために、弾性変形をする材料にて構成されることが好ま
しい。また、精密移動テーブルは静圧空気案内と精密ラ
ップネジを具備した構造のものである。In the precision machining apparatus described above, the attitude control plate has a structure in which two plate members are vertically connected via a joint located at the outermost central portion of one side, and the plate of the plate member located above is formed. The giant magnetostrictive actuator is arranged so that the tip rod of the giant magnetostrictive actuator abuts on one side perpendicular to the side where the junction is located, and further, in the opening on the side opposite to the junction, In this structure, the giant magnetostrictive actuator is arranged such that the rod abuts on the lower portion of the plate located above. It is preferable that the junction is made of an elastically deformable material in order to make the action of the giant magnetostrictive actuator effective. The precision moving table has a structure provided with a static pressure air guide and a precision lap screw.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】本発明の精密加工装置は、前述の
通り砥石を用いたインフィード(送り込み)切込みを行
なう形態であるため、加工に当たっては、位置決めと切
込み量の設定をnm(ナノメーター)のレベルで極めて
精密かつ正確に行なわなくてはならない。本発明におい
ては、静圧空気案内と精密ラップネジを具備した精密移
動テーブルによる10nmを設定単位とする高精度送り
機構と、超磁歪アクチュエータを具備した変位テーブル
による1nmを設定単位とする微細送り機構を併用する
ものである。例えば、砥石軸側にNC制御の精密ラップ
ネジによる高精度送り機構を設け、ワーク軸側には超磁
歪アクチュエータによる微細送り機構を設けるが、これ
は逆であってもよいし、両機構が同じ側に設けられてい
てもよい。加工に際しては、所定の切込み量をいずれか
の機構を用いて設定し、砥石主軸とワーク主軸を反対方
向に高速回転させて接触させて行なう。従って、機能
上、砥石主軸、ワーク主軸に要求されることは、高回転
精度と剛性および熱変位特性である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As described above, the precision processing apparatus of the present invention performs infeed (feeding) cutting using a grindstone. Therefore, in processing, positioning and setting of a cutting amount are performed in nm (nanometer). ) Must be performed very precisely and accurately. In the present invention, a high-precision feed mechanism using a precision moving table equipped with a static pressure air guide and a precision lap screw to set a unit of 10 nm, and a fine feed mechanism using a displacement table equipped with a giant magnetostrictive actuator to set a unit of 1 nm are used. They are used together. For example, a high-precision feed mechanism using an NC-controlled precision lap screw is provided on the grindstone shaft side, and a fine feed mechanism using a giant magnetostrictive actuator is provided on the work shaft side, but this may be reversed or both mechanisms are on the same side. May be provided. At the time of machining, a predetermined cutting amount is set using any mechanism, and the grinding wheel spindle and the workpiece spindle are rotated at high speed in opposite directions to make contact with each other. Therefore, in terms of functions, what is required of the grindstone spindle and the work spindle is high rotational accuracy, rigidity and thermal displacement characteristics.
【0015】本発明の精密加工装置の具体例を図面を用
いて説明する。図1は本発明の精密加工装置本体の外観
を示す側面図である。ベッドA上に精密移動テーブルB
及び変位テーブルCが載置されており、精密移動テーブ
ルB上には研削砥石およびその回転装置が置かれ、変位
テーブルC上にはワークおよびその回転装置が置かれて
いる。砥石主軸Dとワーク主軸Eはその面が対抗するよ
うにZ軸上に整列されている。精密移動テーブルBは精
密ラップネジ1の作用で静圧空気案内2に沿ってZ軸方
向に高精度送りが可能である。送りはNC制御にて行な
われ、最小設定単位10nmの送りを行なうことができ
る。変位テーブルCは微細送り機構を有する微細送りプ
レート3と姿勢制御機構を有する姿勢制御プレート4と
から構成され、精密ラップネジ1’の作用で静圧空気案
内2’に沿ってX軸方向への最小設定単位10nmの移
動および位置決めが可能である。図面においては微細送
りプレート3上に姿勢制御プレート4が乗った形になっ
ているが、特に限定されるものでなく、逆であってもよ
い。図面に示される例においては、微細送りプレート3
と姿勢制御プレート4があたかも一体構造の如くして変
位テーブルCを形成し、微細送りプレート3の作用でZ
軸方向への最小設定単位1nmの送りを行なうことがで
きるとともに、温度変化によるワーク軸の砥石軸に対す
るZ軸方向の微細なズレを常時補正することができるも
のである。また、本発明においては微細送りプレートと
姿勢制御プレートが必ずしも同じ変位テーブル上に載置
されている必要はなく、いずれか一方が精密移動テーブ
ル上に載置されていてもよい。A specific example of the precision processing apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a side view showing the appearance of the precision processing device body of the present invention. Precision moving table B on bed A
And a displacement table C, a grinding wheel and its rotating device are placed on the precision moving table B, and a work and its rotating device are placed on the displacement table C. The grindstone spindle D and the workpiece spindle E are aligned on the Z-axis such that their surfaces oppose each other. The precision moving table B can perform high precision feeding in the Z-axis direction along the static pressure air guide 2 by the action of the precision lap screw 1. Feeding is performed by NC control, and feeding at a minimum setting unit of 10 nm can be performed. The displacement table C is composed of a fine feed plate 3 having a fine feed mechanism and an attitude control plate 4 having an attitude control mechanism. It can be moved and positioned in a setting unit of 10 nm. In the drawing, the attitude control plate 4 is mounted on the fine feed plate 3, but the present invention is not limited to this, and may be reversed. In the example shown in the drawing, the fine feed plate 3
And the attitude control plate 4 form the displacement table C as if it were an integral structure.
In addition to the ability to feed the minimum setting unit of 1 nm in the axial direction, it is also possible to constantly correct a minute shift in the Z-axis direction of the work axis with respect to the grinding wheel axis due to a temperature change. Further, in the present invention, the fine feed plate and the attitude control plate do not necessarily have to be mounted on the same displacement table, and one of them may be mounted on the precision moving table.
【0016】変位テーブルCの構造および作用を、図2
および図3を用いて具体的に説明する。図2は微細送り
プレートの一実施例を示す説明図、図3は姿勢制御プレ
ートの一実施例を示す説明図である。本発明においては
微細送りプレート3を構成する材料は弾性変形が可能な
素材であることが求められる。図2に示す微細送りプレ
ート3は、平行四辺形の厚板を加工したものであり、そ
の四辺に貫通溝5を刻し四隅にブリッジ状の支点6を残
し、その支点6を介して中央の架台7がそれを囲む枠体
8の内面に支持懸垂されている。架台7の一端に切欠部
9を設け、その位置に超磁歪アクチュエータ10を配置
する。超磁歪アクチュエータ10は枠体8の内面に固定
されており、そのロッド11の先端が架台7の切欠部の
端面に当接するように配置されている。架台7は超磁歪
アクチュエータ10のロッド11のZ軸方向への直進運
動作用によりZ軸方向に微小変位が可能となっており、
変位と同時にブリッジ状の支点6の作用により、バネ弾
性を発現するようになっている。即ち、超磁歪アクチュ
エータで予荷重を与えれば変位し、予荷重を外せばもと
の位置に戻るものであって、実使用においてはある一定
の予荷重を与えて変位させた位置を固定位置としておけ
ば、予荷重を加減することによって架台7をZ軸方向の
正負いずれの方向にも自在に変位可能である。このよう
なバネ弾性を発現するためには、材料が弾性変形が可能
な素材であることが求められる。また、この微細送りプ
レートの上にはワーク及びその回転装置あるいは砥石及
びその回転装置等、重量的には数百kgfに及ぶものを
搭載するのであり、それを前述の支点6にて支えるので
あるから、その材質は同時に剛性に富むものであること
が求められる。このような性能を持った素材としては、
具体的には、ある程度の厚みを持った鋼板等を用いるこ
とが好ましく、具体的には一体ものの鋼板を放電加工等
の手段を用いて図2のような形状に加工する方法を例示
することができる。FIG. 2 shows the structure and operation of the displacement table C.
This will be specifically described with reference to FIG. FIG. 2 is an explanatory view showing one embodiment of the fine feed plate, and FIG. 3 is an explanatory view showing one embodiment of the attitude control plate. In the present invention, the material forming the fine feed plate 3 is required to be a material that can be elastically deformed. The fine feed plate 3 shown in FIG. 2 is obtained by processing a parallelogram thick plate, engraving a through groove 5 on each of the four sides, leaving a bridge-like fulcrum 6 at each of the four corners, and passing through the center through the fulcrum 6. A gantry 7 is suspended from the inner surface of a frame 8 surrounding the gantry. A notch 9 is provided at one end of the gantry 7, and a giant magnetostrictive actuator 10 is arranged at that position. The giant magnetostrictive actuator 10 is fixed to the inner surface of the frame 8, and is arranged such that the tip of the rod 11 abuts on the end face of the notch of the gantry 7. The gantry 7 can be minutely displaced in the Z-axis direction by the linear motion of the rod 11 of the giant magnetostrictive actuator 10 in the Z-axis direction.
At the same time as the displacement, the action of the bridge-like fulcrum 6 exerts spring elasticity. That is, it is displaced by applying a preload with a giant magnetostrictive actuator, and returns to the original position if the preload is removed, and in actual use, the position displaced by applying a certain preload is regarded as a fixed position. In other words, the gantry 7 can be freely displaced in either the positive or negative Z-axis direction by adjusting the preload. In order to exhibit such spring elasticity, it is required that the material is a material that can be elastically deformed. A work and its rotating device or a grindstone and its rotating device such as a grindstone and its rotating device, which are several hundred kgf in weight, are mounted on the fine feed plate, and are supported by the fulcrum 6 described above. Therefore, the material is required to have high rigidity at the same time. As a material with such performance,
Specifically, it is preferable to use a steel sheet or the like having a certain thickness, and specifically, a method of processing an integrated steel sheet into a shape as shown in FIG. 2 using a means such as electric discharge machining is exemplified. it can.
【0017】次に、図3の姿勢制御プレートの一実施例
について説明する。図面において、姿勢制御プレート4
を構成する平行四辺形の一辺の外側中央部には接合点1
2があり、該接合点12を介して上下2枚の板材13、
14が配され中央部にはスリット17(開口部)がある
ような形態をなしている。その上方の板材13の、接合
点12のある辺に直交する一辺に、先端ロッド11aが
当接するように超磁歪アクチュエータ10aが配されて
いる。更に前記接合部の反対側の開口部に切欠き部1
5、16を設け、その中に超磁歪アクチュエータ10
b、10cを配置する。各々の超磁歪アクチュエータの
先端ロッド11b、11cは上方の板材13の下部に当
接されるようになっている。また、接合点12は弾性変
形が可能な素材から構成されることが求められる。Next, an embodiment of the attitude control plate of FIG. 3 will be described. In the drawing, the attitude control plate 4
The junction 1 is located at the outer center of one side of the parallelogram
2, two upper and lower plate members 13 through the joint 12;
14 is arranged, and a slit 17 (opening) is provided at the center. The giant magnetostrictive actuator 10a is arranged on one side of the plate 13 above the side perpendicular to the side where the joining point 12 is located, such that the tip rod 11a abuts. Further, a notch 1 is formed in the opening opposite to the joint.
5 and 16 in which the giant magnetostrictive actuator 10
b and 10c are arranged. The tip rods 11b and 11c of each giant magnetostrictive actuator are configured to abut on the lower portion of the upper plate 13. In addition, the joining point 12 is required to be made of a material that can be elastically deformed.
【0018】超磁歪アクチュエータ10aの先端ロッド
11aのX軸方向への直進運動作用により上方板材13
は接合点12を中心としたY軸回りの秒単位の微小角度
(Δθ)での微小回転変位が可能となる。接合点12を
構成する素材は前述の通り弾性変形を行なう材料である
から、超磁歪アクチュエータで予荷重を与えれば変位
し、予荷重を外せばもとの位置に戻ることを特徴とする
ものである。更に、超磁歪アクチュエータ10b、10
cの先端ロッド11b、11cのY軸方向への直進作用
により上方板材13は接合点12を中心としたX軸回
り、Y軸方向への秒単位の微小角度(Δψ)での微小傾
斜変位が可能となる。即ち、超磁歪アクチュエータ10
b、10cの作用により、上方の板材13は接合点12
のある辺を軸(X軸)としてスリット17を上下に開閉
するように変位することができる。すなわち、この両方
向への微小角度での変位を制御することにより、Z軸に
沿って整列された砥石軸とワーク軸との間の微小なズレ
(狂い)を補正することができる。具体的な補正の手段
としては、温度変化に伴う各構成材料の微小寸法変位を
予め予測計算しコンピュータに記憶せしめ、実測した実
際の温度変化に伴なう微小変位を自動補正するようにし
たものであって、コンピュータにて必要なΔθ、Δψの
変位数値を各超磁歪アクチュエータに指令し、各超磁歪
アクチュエータを作動せしめて装置の姿勢制御を行なう
ものである。このような性能を持った姿勢制御プレート
を構成する素材としては、具体的には、ある程度の厚み
を持った鋼板等を用いることが好ましく、具体的には、
例えば一体ものの鋼板を放電加工等の手段を用いて中央
部にスリット17を入れ一部を接合部12として残す方
法を例示することができる。The upper plate 13 is moved by the linear motion of the tip rod 11a of the giant magnetostrictive actuator 10a in the X-axis direction.
Enables a minute rotational displacement at a minute angle (Δθ) in seconds around the Y axis centered on the junction point 12. As described above, since the material forming the joint point 12 is a material that undergoes elastic deformation, it is displaced when a preload is applied by a giant magnetostrictive actuator, and returns to its original position when the preload is removed. is there. Further, the giant magnetostrictive actuators 10b, 10
Due to the linear movement of the tip rods 11b and 11c in the Y-axis direction, the upper plate 13 rotates around the X-axis centering on the joining point 12 and the minute inclination displacement at the minute angle (Δψ) in the Y-axis direction in the unit of second. It becomes possible. That is, the giant magnetostrictive actuator 10
Due to the action of b, 10c, the upper plate 13 is
Can be displaced so that the slit 17 can be opened and closed up and down with the side having the axis as the axis (X axis). That is, by controlling the displacement at the minute angle in both directions, it is possible to correct a slight deviation (deviation) between the grinding wheel axis and the work axis aligned along the Z axis. As a specific means of correction, a small dimensional displacement of each constituent material due to temperature change is predicted and calculated in advance and stored in a computer, and the small displacement due to the actually measured actual temperature change is automatically corrected. A computer instructs the giant magnetostrictive actuators with necessary displacement values of Δθ and Δψ, and operates the giant magnetostrictive actuators to control the attitude of the apparatus. As a material constituting the attitude control plate having such performance, specifically, it is preferable to use a steel plate or the like having a certain thickness, and specifically,
For example, there can be exemplified a method in which a slit 17 is formed in a central portion of an integrated steel plate by using a means such as electric discharge machining and a part thereof is left as the joint portion 12.
【0019】本発明の変位テーブル、精密移動テーブル
を構成する材料の材質については特に限定を行なうもの
ではないが、上述の通り構造的に強靱であり剛性が高
く、好ましい弾性変形を有し、バネ弾性を発現すること
が求められるほかに熱による変形の少ないことが求めら
れるのであるから、具体的には鋼材、より現実的な具体
的な好ましい例としては、熱による変形をできるだけ少
なくしたもの、例えばオーステナイト鋼等を挙げること
ができる。The material of the displacement table and the precision movement table of the present invention is not particularly limited, but as described above, it is structurally tough, has high rigidity, has preferable elastic deformation, In addition to being required to exhibit elasticity, it is required that the deformation due to heat is small, so specifically, a steel material, as a more realistic specific preferable example, a material that minimizes deformation due to heat, For example, austenitic steel and the like can be mentioned.
【0020】本発明でいう超磁歪アクチュエータとは、
特定の希土類元素と、ニッケル、コバルト、鉄からなる
鉄族元素との特定割合での合金の多結晶あるいは単結晶
であって、磁界を与えると強い寸法変化を起こす超磁歪
材料をアクチュエータとして応用したものである。通常
は超磁歪材料よりなるロッドを中央におき、その周囲を
駆動用のコイルで囲んだものであるが、上下に永久磁石
を配したものは、オフセット電流により磁気バイアスを
かける必要がなくその分だけジュール発熱を抑えること
ができる。本発明の超磁歪アクチュエータは、変位テー
ブルと精密移動テーブルを大荷重の物品を載置した状態
で±数μmの距離をナノメーターの精度で変位させるも
のであるから、ジュール発熱による変位量の狂いをでき
る限り少なくすることが求められ、従って、前述の永久
磁石を内蔵するものを用いることが好ましい。The giant magnetostrictive actuator referred to in the present invention is:
A giant magnetostrictive material, which is a polycrystalline or single crystal alloy with a specific rare earth element and an iron group element consisting of nickel, cobalt, and iron, and undergoes a strong dimensional change when a magnetic field is applied, has been applied as an actuator. Things. Usually, a rod made of a giant magnetostrictive material is placed at the center and its periphery is surrounded by a driving coil.However, those with permanent magnets arranged above and below do not need to apply a magnetic bias by offset current, so that Only Joule heat can be suppressed. The giant magnetostrictive actuator of the present invention displaces the distance of ± several μm with the accuracy of nanometer when the displacement table and the precision moving table are placed with a large load, so that the displacement amount due to Joule heat is irregular. Is required to be as small as possible, and therefore, it is preferable to use one having the aforementioned permanent magnet built-in.
【0021】本発明の精密加工装置に使用される砥石に
ついては特に限定を受けるものではないが、前述の通り
インフィード(送り込み)切込みを行なう形態であるの
で、剛性と研削力に勝れたダイヤモンド砥石を用いるこ
とが好ましい。また、その形状はカップ型とすることが
好ましい。ここでいうダイヤモンドカップ型砥石とは、
ダイヤモンド微粉を砥粒としてそれをフェノール等の硬
質レジン、特殊合金、セラミックス等を結合材としたも
の、あるいは電着等の手段を用いて固定化したものを指
し、それをリング状としエッジ状の側面を使用面とした
ものである。用いるダイヤモンド砥粒のサイズ(番手)
についても特に限定を受けないが、精密加工を目的とす
るためには少なくともJIS−R6001(研磨剤の粒
度)の規格において3000番より細かい、つまりdv
−50値が4.0±0.5μm以下のものを用いること
が好ましい。The grinding wheel used in the precision machining apparatus of the present invention is not particularly limited. However, as described above, the diamond is excellent in rigidity and grinding power because of the in-feed cutting. It is preferable to use a grindstone. The shape is preferably a cup shape. The diamond cup type grindstone here is
It refers to diamond fine powder as abrasive grains, which are made of a hard resin such as phenol, special alloy, ceramics, etc. as a binder, or fixed using electrodeposition or other means. The side surface is used. Size of diamond abrasive used (count)
Is not particularly limited, but for the purpose of precision machining, it is at least smaller than 3000 in the standard of JIS-R6001 (grain size of abrasive), that is, dv
It is preferable to use one having a −50 value of 4.0 ± 0.5 μm or less.
【0022】本発明の精密加工装置は多目的に使用され
るが、特に超精密加工分野においてその特徴が生かされ
るものである。すなわち、シリコンウェハの鏡面仕上げ
加工、結晶化ガラスの鏡面仕上げ加工、その他硬質難削
材の精密加工等に用いられ、この目的に応用すれば、例
えば、ラッピング、エッチング、プレポリッシング、ポ
リッシング等数段に亘る工程を短縮し、効率のよい加工
を行なうことができるようになる。Although the precision machining apparatus of the present invention is used for many purposes, its features are utilized particularly in the field of ultra-precision machining. That is, it is used for mirror finishing of silicon wafers, mirror finishing of crystallized glass, and other precision machining of hard-to-cut materials. For this purpose, for example, lapping, etching, pre-polishing, polishing, etc. , And efficient processing can be performed.
【0023】以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、特にこれにより限定を行なうものではない。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.
【0024】[0024]
【実施例】図1に示す装置を用い、300mmサイズの
シリコンウェハの加工を行なった。インゴッドからスラ
イスしたアズカットウェハを粗ラッピングである程度平
行を出し、仕上がり寸法に近いもので、かつ平行度の得
られたものをワークとして用いた。砥石としては、ダイ
ヤモンド微粉を用いたカップ型のメタルボンド砥石を用
いた。加工液として水を用い、約10分間の加工を行な
った。その結果、0.8nmRaの面粗さを有する面を
得ることができた。その間の取り代は約2μmであり、
平面度はφ300mmの径に対して0.20μm以下を
達成することができた。すなわち、通常の方法で行なえ
ば、ラッピング、エッチング、プレポリッシング、ポリ
ッシングという数段階の加工を要し、トータルすれば約
30分に及ぶ工程をわずか1工程、しかもわずか10分
間程度で行なうことができた。EXAMPLE A silicon wafer having a size of 300 mm was processed using the apparatus shown in FIG. The as-cut wafer sliced from the ingot was set to a certain degree of parallel by rough lapping, and a workpiece close to the finished dimensions and having a degree of parallelism was used as a workpiece. As a grindstone, a cup-shaped metal bond grindstone using diamond fine powder was used. Using water as a processing liquid, processing was performed for about 10 minutes. As a result, a surface having a surface roughness of 0.8 nmRa could be obtained. The allowance during that time is about 2 μm,
The flatness could achieve 0.20 μm or less for a diameter of φ300 mm. That is, if it is carried out by a usual method, several steps of lapping, etching, pre-polishing, and polishing are required, and a total of about 30 minutes can be performed in only one step, and in about 10 minutes. Was.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上述べた通り、本発明になる精密加工
装置を用いることにより、従来数段階に及んでいたシリ
コンウェハの仕上げ加工を、一段階で行なうことを可能
にし、しかもφ300mmという大口径のシリコンウェ
ハに対して0.20μm以下の平面度を達成することが
できた。これは従来の大きな問題点であった大口径ウェ
ハへの対応を一気に可能にしたのみならず、工程自体の
大幅な短縮と格段の精度向上を可能にしたものであり、
また加工対象はシリコンウェハに限定されることなく、
例えばセラミックス等の難削材あるいは複合素材等の加
工をも可能としたものであり、その業界に資する影響は
極めて大である。As described above, by using the precision processing apparatus according to the present invention, it is possible to carry out finishing processing of a silicon wafer, which has conventionally been performed in several steps, in one step, and to achieve a large diameter of φ300 mm. And a flatness of 0.20 μm or less with respect to the silicon wafer. This not only made it possible to deal with large-diameter wafers, which was a major problem in the past, but also made it possible to drastically shorten the process itself and significantly improve accuracy.
The processing object is not limited to silicon wafers,
For example, it is possible to process difficult-to-cut materials such as ceramics or composite materials, and the effect on the industry is extremely large.
【図1】本発明の精密加工装置一実施例の本体外観を示
す側面図。FIG. 1 is a side view showing an external appearance of a main body of an embodiment of a precision processing apparatus according to the present invention.
【図2】微細送りプレートの一実施例を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory view showing one embodiment of a fine feed plate.
【図3】姿勢制御プレートの一実施例を示す説明図。FIG. 3 is an explanatory view showing an embodiment of a posture control plate.
1、1’:超精密ラップねじ、2、2’:静圧空気案
内、3:微細送りプレート、4:姿勢制御プレート、
5:貫通溝、6:支点、7:架台、8:枠体、9:切欠
部、10、10a、10b、10c:超磁歪アクチュエ
ータ、11、11a、11b、11c:ロッド、12:
接合点、13:上方板材、14:下方板材、15:切欠
部、16:切欠部、17:スリット、18:砥石、1
9:ワーク A:ベッド B:精密移動テーブル C:変位
テーブル D:砥石主軸 E:ワーク主軸1, 1 ': super-precision lap screw, 2, 2': static pressure air guide, 3: fine feed plate, 4: attitude control plate,
5: through groove, 6: fulcrum, 7: gantry, 8: frame, 9: notch, 10, 10a, 10b, 10c: giant magnetostrictive actuator, 11, 11a, 11b, 11c: rod, 12:
Joining point, 13: upper plate, 14: lower plate, 15: notch, 16: notch, 17: slit, 18: whetstone, 1
9: Work A: Bed B: Precision moving table C: Displacement table D: Whetstone spindle E: Work spindle
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 博民 茨城県日立市鮎川町6丁目9番 B−403 (72)発明者 田島 琢二 神奈川県海老名市上今泉2100番地 日立ビ アメカニクス株式会社内 (72)発明者 渡部 和 神奈川県海老名市上今泉2100番地 日立ビ アメカニクス株式会社内 Fターム(参考) 3C034 BB32 BB37 BB42 CB01 CB08 DD09 DD10 3C043 BA02 BA08 BA09 BA12 BA16 CC04 DD05 DD06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Hirominori Nakano 6-9-9 Ayukawacho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture B-403 (72) Inventor Takuji Tajima 2100 Kamimaizumi, Ebina City, Kanagawa Prefecture Inside Hitachi Via Mechanics (72) Inventor Kazu Watanabe 2100 Kamimaizumi, Ebina-shi, Kanagawa F-term in Hitachi Via Mechanics Co., Ltd.
Claims (4)
よりなる変位テーブルと、精密移動テーブルとを有し、
前記変位テーブルあるいは前記精密移動テーブルのいず
れか一方の上には砥石とその回転装置が載置され、他の
一方にはワークとその回転装置が載置され、砥石軸とワ
ーク軸とは水平方向に対抗するように配置されてなり、
砥石とワークとの位置決めおよび微細送りを前記精密移
動テーブルの移動と前記変位テーブルの変位とで行な
い、砥石軸とワーク軸とのズレの補正を前記変位テーブ
ルに具備された姿勢制御機構を作動させて行なうことを
特徴とする精密加工装置。A displacement table comprising a fine feed plate and an attitude control plate; and a precision movement table.
A grindstone and its rotating device are mounted on one of the displacement table and the precision moving table, and a work and its rotating device are mounted on the other one. Is arranged to oppose
The positioning and fine feed between the grindstone and the work are performed by the movement of the precision moving table and the displacement of the displacement table, and the deviation between the grindstone axis and the work axis is corrected by operating the attitude control mechanism provided in the displacement table. Precision processing equipment characterized by performing
トのいずれか一方が、精密移動テーブル上に載置されて
いることを特徴とする請求項第1項に記載の精密加工装
置。2. The precision processing apparatus according to claim 1, wherein one of the fine feed plate and the attitude control plate is mounted on a precision moving table.
央部にある接合点を介して2枚の板材が上下に連結した
構造をなし、該接合点を構成する材料が弾性変形をする
材料であり、上方に位置する板材の前記接合点のある辺
に直交する一つの辺に超磁歪アクチュエータの先端ロッ
ドが当接するように超磁歪アクチュエータが配置され、
更に前記接合点の反対側の辺の開口部に、超磁歪アクチ
ュエータの先端ロッドが前記上方に位置する板材の下部
に当接するように超磁歪アクチュエータが配置されたも
のであることを特徴とする請求項第1項あるいは請求項
第2項いずれかに記載の精密加工装置。3. The attitude control plate has a structure in which two plate members are vertically connected via a joint located at the outermost central portion of one side, and the material forming the joint undergoes elastic deformation. A giant magnetostrictive actuator is arranged such that the tip rod of the giant magnetostrictive actuator abuts on one side orthogonal to the side where the joining point of the plate material located above is located,
Further, the giant magnetostrictive actuator is arranged in the opening on the side opposite to the joining point such that the tip rod of the giant magnetostrictive actuator contacts the lower part of the plate material located above the above. The precision processing device according to claim 1 or 2.
ルを移動させることにより10nm単位の送りを行な
い、超磁歪アクチュエータを駆動して変位テーブルある
いは精密移動テーブルのいずれかを変位させることによ
り1nm単位の送りを行なうことを特徴とする請求項第
1項ないし第3項のいずれかに記載の精密加工装置。4. A precision lap screw is actuated to move a precision movement table to perform a feed in units of 10 nm, and a giant magnetostrictive actuator is driven to displace either a displacement table or a precision movement table, thereby causing a feed in units of 1 nm. 4. The precision processing apparatus according to claim 1, wherein the feeding is performed.
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