JP2000138213A - Coating film formation device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造工程等において、基板上に塗布液を塗布して絶縁膜
等を形成する塗布膜形成装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating film forming apparatus for forming an insulating film or the like by applying a coating liquid on a substrate in a semiconductor device manufacturing process or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
例えば、ゾル−ゲル法、シルク法、スピードフィルム
法、およびフォックス法等により、ウエハ上に塗布膜を
スピンコートし、化学的処理または加熱処理等を施して
層間絶縁膜を形成している。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process,
For example, a coating film is spin-coated on a wafer by a sol-gel method, a silk method, a speed film method, a Fox method, or the like, and a chemical treatment or a heat treatment is performed to form an interlayer insulating film.
【０００３】上記ゾル−ゲル法により層間絶縁膜を形成
する場合には、ＴＥＯＳのコロイドを有機溶媒に分散さ
せた塗布液をウエハの表面に塗布し、その塗布膜をゲル
化させた後、塗布膜中の溶媒を他の溶媒に置き換え、そ
の後、乾燥させて層間絶縁膜を得ている。When an interlayer insulating film is formed by the sol-gel method, a coating solution in which a colloid of TEOS is dispersed in an organic solvent is applied to the surface of a wafer, and the coating film is gelled. The solvent in the film is replaced with another solvent and then dried to obtain an interlayer insulating film.
【０００４】また、上記シルク法、スピードフィルム
法、およびフォックス法により層間絶縁膜を形成する場
合には、冷却したウエハに塗布液を塗布し、加熱処理し
て冷却処理し、さらに、低酸素濃度雰囲気において加熱
処理および冷却処理を施す硬化処理によって塗布膜を硬
化（キュア）させ、層間絶縁膜を得ている。When an interlayer insulating film is formed by the silk method, the speed film method, and the fox method, a coating liquid is applied to a cooled wafer, heated, cooled, and further cooled to a low oxygen concentration. The coating film is cured (cured) by a curing treatment of performing a heating treatment and a cooling treatment in an atmosphere to obtain an interlayer insulating film.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記絶縁膜
の形成方法は、層間絶縁膜の種類に応じて、適宜選択し
て採用されるものであり、多種類の層間絶縁膜をそれぞ
れ上記別々の方法に基づいて形成する際、一つの塗布膜
形成システムにより行うことが求められている。また、
各方法において塗布膜を高スループットで形成すること
が求められている。By the way, the above-mentioned method of forming an insulating film is appropriately selected and adopted in accordance with the type of the interlayer insulating film, and various kinds of interlayer insulating films are respectively formed by the above-mentioned separate methods. When forming based on the method, it is required to perform by one coating film forming system. Also,
In each method, it is required to form a coating film with high throughput.
【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、一つの装置で、種々の塗布方法に対応した塗布
膜を形成することができ、しかも、塗布膜形成のスルー
プットが高い塗布膜形成装置を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of such circumstances, and a single apparatus can form a coating film corresponding to various coating methods, and has a high coating film forming throughput. It is intended to provide a device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１の観点によれば、基板に塗布液を塗布
して塗布膜を形成するための塗布膜形成装置であって、
基板に対して塗布膜を形成するための一連の処理を施す
処理部と、処理部内で基板を搬送する基板搬送機構とを
具備し、前記処理部は、基板を冷却する冷却処理ユニッ
トと、基板に塗布液を塗布する塗布処理ユニットと、基
板上の塗布膜をゲル化処理するエージングユニットと、
基板に溶媒を塗布して塗布膜の溶媒を置換するソルベン
トイクスチェンジユニットと、低酸素濃度雰囲気におい
て、基板に加熱および冷却処理を施して塗布膜を硬化さ
せる硬化処理ユニットと、塗布膜が形成された基板を加
熱処理する加熱処理ユニットとを具備することを特徴と
する塗布膜形成装置が提供される。According to a first aspect of the present invention, there is provided a coating film forming apparatus for coating a substrate with a coating liquid to form a coating film.
A processing unit for performing a series of processes for forming a coating film on the substrate, and a substrate transport mechanism for transporting the substrate in the processing unit, the processing unit, a cooling processing unit for cooling the substrate, a substrate A coating processing unit for applying a coating liquid to the aging unit for gelling a coating film on a substrate,
A solvent exchange unit for applying a solvent to the substrate to replace the solvent of the coating film, a curing processing unit for heating and cooling the substrate in a low oxygen concentration atmosphere to cure the coating film, and a coating film is formed. And a heat treatment unit for heat-treating the substrate.
【０００８】また、本発明の第２の観点によれば、基板
に塗布液を塗布して塗布膜を形成するための塗布膜形成
装置であって、基板に対して塗布膜を形成するための一
連の処理を施す処理部と、処理部内で基板を搬送する基
板搬送機構とを具備し、前記処理部は、基板に塗布液を
塗布する塗布処理ユニットおよび基板に溶媒を塗布して
塗布膜の溶媒を置換するソルベントイクスチェンジユニ
ットを含む複数の液体処理系ユニットが多段配置されて
なる第１の処理ユニット群と、基板を冷却する冷却ユニ
ット、基板を加熱する加熱処理ユニット、基板上の塗布
膜をエージングしてゲル化処理するエージング処理ユニ
ット、および低酸素濃度雰囲気において、基板に加熱お
よび冷却処理を施して塗布膜を硬化させる硬化処理ユニ
ットを含む熱処理系ユニットが多段配置されてなる第２
の処理ユニット群とを有し、前記搬送機構は、これら第
１および第２の処理ユニット群に隣接して設けられ、各
ユニットに対する基板の搬入出を行うことを特徴とする
塗布膜形成装置が提供される。According to a second aspect of the present invention, there is provided a coating film forming apparatus for forming a coating film by applying a coating liquid to a substrate, wherein the coating film forming apparatus forms the coating film on the substrate. A processing unit that performs a series of processing, and a substrate transport mechanism that transports the substrate in the processing unit, the processing unit is a coating processing unit that applies a coating solution to the substrate and a solvent is applied to the substrate to form a coating film. A first processing unit group in which a plurality of liquid processing system units including a solvent exchange unit for replacing a solvent are arranged in multiple stages, a cooling unit for cooling the substrate, a heat processing unit for heating the substrate, and a coating film on the substrate Heat treatment including an aging treatment unit for aging and gelling treatment, and a curing treatment unit for subjecting the substrate to heating and cooling treatment in a low oxygen concentration atmosphere to cure the coating film. Second the unit formed by multi-tiered
Wherein the transport mechanism is provided adjacent to the first and second processing unit groups, and carries in and out a substrate to and from each unit. Provided.
【０００９】本発明の塗布膜形成装置においては、種々
の塗布方法に対応した処理ユニットを備えているので、
一つの装置で、種々の塗布方法に対応した塗布膜を形成
することができる。The coating film forming apparatus of the present invention has processing units corresponding to various coating methods.
One apparatus can form coating films corresponding to various coating methods.
【００１０】具体的には、層間絶縁膜の形成にゾル−ゲ
ル法を採用する場合には、冷却処理ユニット→塗布処理
ユニット→エージングユニット→ソルベントイクスチェ
ンジユニット→加熱処理ユニットの順序で基板をフロー
させることにより、塗布膜を形成することができる。Specifically, when the sol-gel method is used for forming the interlayer insulating film, the substrate is flowed in the order of a cooling unit, a coating unit, an aging unit, a solvent exchange unit, and a heating unit. By doing so, a coating film can be formed.
【００１１】また、シルク法およびスピードフィルム法
を採用する場合には、冷却処理ユニット→塗布処理ユニ
ット（アドヒージョンプロモータ塗布）→冷却処理ユニ
ット→塗布処理ユニット（本薬液塗布）→加熱処理ユニ
ット→冷却処理ユニット→硬化処理ユニットの順序で基
板をフローさせることにより、塗布膜を形成することが
できる。When the silk method and the speed film method are employed, a cooling processing unit → a coating processing unit (adhesion promoter coating) → a cooling processing unit → a coating processing unit (application of the present chemical solution) → a heating processing unit → The coating film can be formed by flowing the substrate in the order of the cooling unit and the curing unit.
【００１２】さらに、フォックス法を採用する場合に
は、冷却処理ユニット→塗布処理ユニット→加熱処理ユ
ニット→冷却処理ユニット→硬化処理ユニットの順序で
基板をフローさせることにより、塗布膜を形成すること
ができる。Further, when the Fox method is adopted, a coating film can be formed by flowing a substrate in the order of a cooling processing unit → a coating processing unit → a heating processing unit → a cooling processing unit → a curing processing unit. it can.
【００１３】また、このように各処理ユニットを集約し
ているので、塗布膜形成のスループットが高い。特に、
上記本発明の第２の観点のように、複数の液体処理系ユ
ニットが多段配置されてなる第１の処理ユニット群と、
複数の熱処理系ユニットが多段配置されてなる第２の処
理ユニット群とを設け、これら処理ユニット群に隣接し
て基板の搬入出を行う搬送機構を設けた構成の場合に
は、装置自体をコンパクトにすることができ、搬送時間
も短くなるので、塗布膜形成のスループットを著しく向
上させることができる。Further, since the processing units are integrated as described above, the throughput of forming a coating film is high. In particular,
As in the second aspect of the present invention, a first processing unit group in which a plurality of liquid processing units are arranged in multiple stages;
In the case where a second processing unit group in which a plurality of heat treatment system units are arranged in multiple stages is provided, and a transport mechanism for carrying in and out the substrate is provided adjacent to the processing unit group, the apparatus itself is compact. The transfer time can be shortened, so that the throughput of forming a coating film can be significantly improved.
【００１４】この場合に、前記処理部に隣接して設けら
れ、処理前の基板および処理後の基板を待機させるとと
もに、前記処理部に対する基板の搬入出を行う搬入出部
と、この搬入出部と前記処理部との間で基板を受け渡す
受け渡し部を有するように構成することができる。In this case, a loading / unloading unit provided adjacent to the processing unit for waiting a substrate before processing and a substrate after processing and loading / unloading the substrate from / to the processing unit; And a transfer unit for transferring the substrate between the processing unit and the processing unit.
【００１５】また、前記処理部は、少なくとも２つの塗
布処理ユニットを有することにより、スループットを一
層向上させることができる。特に、上記シルク法および
スピードフィルム法の場合には、アドヒージョンプロモ
ータを塗布した後に本薬液を塗布するが、この場合に少
なくとも２つの塗布処理ユニットがあれば、高いスルー
プットを維持することができる。Further, the processing section has at least two coating processing units, so that the throughput can be further improved. In particular, in the case of the silk method and the speed film method, the medicinal solution is applied after applying the adhesion promoter. In this case, if at least two application processing units are provided, high throughput can be maintained. .
【００１６】さらに、前記処理部が、少なくとも２つの
エージング処理ユニットおよび少なくとも２つの硬化処
理ユニットを有するように構成することにより、これら
の処理におけるスループット低下を回避することができ
る。Further, by configuring the processing section to have at least two aging processing units and at least two curing processing units, it is possible to avoid a decrease in throughput in these processings.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ、本
発明の実施の形態に係る塗布膜形成装置（ＳＯＤシステ
ム）について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A coating film forming apparatus (SOD system) according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００１８】図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係る
ＳＯＤシステムの上段の平面図であり、図１（ｂ）は、
そのＳＯＤシステムの下段の平面図であり、図２は、図
１に示したＳＯＤシステムの側面図であり、図３は、図
１に示したＳＯＤシステム内に装着された２個のユニッ
ト積層体の側面図である。FIG. 1A is a plan view of an upper stage of the SOD system according to the embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a plan view of the lower part of the SOD system, FIG. 2 is a side view of the SOD system shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram showing two unit laminates mounted in the SOD system shown in FIG. FIG.
【００１９】このＳＯＤシステムは、大略的に、処理部
１と、サイドキャビネット２と、キャリアステーション
（ＣＳＢ）３とを有している。The SOD system generally includes a processing section 1, a side cabinet 2, and a carrier station (CSB) 3.
【００２０】処理部１は、図１（ａ）および図２に示す
ように、その手前側の上段に設けられた、ソルベントイ
クスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１と、高粘度用の塗
布処理ユニット（ＳＣＴ）１２とを有し、さらに、図１
（ｂ）および図２に示すように、その手前側の下段に設
けられた、低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１３
と、薬品等を内蔵したケミカル室１４とを有している。As shown in FIGS. 1A and 2, the processing section 1 includes a solvent exchange unit (DSE) 11 provided at an upper stage on the front side thereof and a coating unit (SCT) for high viscosity. 1) and FIG.
(B) and as shown in FIG. 2, a low-viscosity coating processing unit (SCT) 13 provided in the lower stage on the front side thereof
And a chemical chamber 14 containing a chemical or the like.
【００２１】処理部１の中央部には、図１の（ａ）およ
び（ｂ）に示すように、複数の処理ユニットを多段に積
層してなる処理ユニット群１６，１７が設けられ、これ
らの間に、昇降してウエハＷを搬送するための搬送機構
１８が設けられている。左側の処理ユニット群１６は、
図３に示すように、その上側から順に、低温用のホット
プレート（ＬＨＰ）１９と、硬化（キュア）処理ユニッ
トである２個のＤＣＣ処理ユニット（Dielectric Oxyge
n Density Controlled Cure and Cooling-off）２０
と、２個のエージングユニット（ＤＡＣ）２１とが積層
されて構成されている。また、右側の処理ユニット群１
７は、その上側から順に、２個の高温用のホットプレー
ト（ＯＨＰ）２２と、低温用のホットプレート（ＬＨ
Ｐ）２３と、２個のクーリングプレート（ＣＰＬ）２４
と、受け渡し部（ＴＲＳ）２５と、クーリングプレート
（ＣＰＬ）２６とが積層されて構成されている。なお、
受け渡し部（ＴＲＳ）２５はクーリングプレートの機能
を兼ね備えることも可能である。As shown in FIGS. 1A and 1B, processing unit groups 16 and 17 each having a plurality of processing units stacked in multiple stages are provided in the center of the processing unit 1. In between, a transfer mechanism 18 for transferring the wafer W up and down is provided. The processing unit group 16 on the left side
As shown in FIG. 3, in order from the upper side, a hot plate (LHP) 19 for low temperature and two DCC processing units (Dielectric Oxyge) as curing (curing) processing units.
n Density Controlled Cure and Cooling-off) 20
And two aging units (DACs) 21 are stacked. The right processing unit group 1
7 are two hot plates (OHP) 22 for high temperature and a hot plate (LH) for low temperature
P) 23 and two cooling plates (CPL) 24
, A transfer section (TRS) 25 and a cooling plate (CPL) 26 are stacked. In addition,
The transfer section (TRS) 25 can also have the function of a cooling plate.
【００２２】また、サイドキャビネット２は、その上段
に、薬液を供給するためのバブラー２７と、排気ガスの
洗浄のためのトラップ（ＴＲＡＰ）２８とを有し、その
下段に、電力供給源２９と、ＨＭＤＳやアンモニア等の
薬液を貯留するための薬液室３０と、廃液を排出するた
めのドレイン３１とを有している。The side cabinet 2 has a bubbler 27 for supplying a chemical solution and a trap (TRAP) 28 for cleaning exhaust gas at the upper stage, and a power supply source 29 at the lower stage. , A chemical solution chamber 30 for storing a chemical solution such as HMDS or ammonia, and a drain 31 for discharging waste liquid.
【００２３】次に、上記のように構成されたＳＯＤシス
テムにおいて、ゾル−ゲル方法により層間絶縁膜を形成
する場合について詳細に説明する。Next, a case where an interlayer insulating film is formed by a sol-gel method in the SOD system configured as described above will be described in detail.
【００２４】ゾルーゲル法では、クーリングプレート
（ＣＰＬ）２４，２６→低粘度用の塗布処理ユニット
（ＳＣＴ）１３→エージングユニット（ＤＡＣ）２１→
ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１→低
温用のホットプレート（ＬＨＰ）１９，２３→高温用の
ホットプレート（ＯＨＰ）２２の順序により、塗布膜が
形成される。したがって、ゾル−ゲル法にて層間絶縁膜
を形成する場合には、処理部１において、低粘度用の塗
布処理ユニット（ＳＣＴ）１３、エージングユニット
（ＤＡＣ）２１、ソルベントイクスチェンジユニット
（ＤＳＥ）１１が主要のユニットとなる。In the sol-gel method, a cooling plate (CPL) 24, 26 → a coating processing unit (SCT) 13 for low viscosity → an aging unit (DAC) 21 →
A solvent exchange unit (DSE) 11 → a low-temperature hot plate (LHP) 19, 23 → a high-temperature hot plate (OHP) 22 forms an application film. Therefore, when the interlayer insulating film is formed by the sol-gel method, in the processing section 1, a low-viscosity coating processing unit (SCT) 13, an aging unit (DAC) 21, and a solvent exchange unit (DSE) 11. Is the main unit.
【００２５】低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１
３は、図４に示すように、上面が蓋４１によって開閉さ
れる固定カップ４２と、この固定カップ４２の底面から
挿入され、駆動部４３によって昇降および回転できる回
転軸４４と、この回転軸４４の上端に設けられたウエハ
保持部であるバキュームチャック４５と、蓋４１に組み
合わせて設けられて、ウエハＷの中心部に塗布液を供給
するための塗布液ノズル４６とを具備している。固定カ
ップ４２には、塗布液で用いられている溶媒、例えばエ
チレングリコールの蒸気を供給するための溶媒蒸気供給
管４８が接続されているとともに、ドレイン管４９、排
気管５０が接続されている。なお、このユニットにおい
て用いられる塗布液および溶媒は、ケミカル室１４から
供給される。このケミカル室１４は、アンモニアやＨＭ
ＤＳのような処理に悪影響を及ぼす薬液以外の薬液が収
容されている。なお、高粘度用の塗布処理ユニット（Ｓ
ＣＴ）１２も低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１
３とほぼ同様に構成されている。Coating unit (SCT) for low viscosity 1
As shown in FIG. 4, a fixed cup 42 whose upper surface is opened and closed by a lid 41, a rotating shaft 44 inserted from the bottom surface of the fixed cup 42 and capable of moving up and down and rotating by a driving unit 43, and a rotating shaft 44 And a coating liquid nozzle 46 provided in combination with the lid 41 for supplying a coating liquid to the center of the wafer W. The fixed cup 42 is connected to a solvent vapor supply pipe 48 for supplying a solvent used in the application liquid, for example, a vapor of ethylene glycol, to which a drain pipe 49 and an exhaust pipe 50 are connected. Note that the coating liquid and the solvent used in this unit are supplied from the chemical chamber 14. This chemical chamber 14 contains ammonia or HM
A chemical solution other than a chemical solution that adversely affects the treatment, such as DS, is stored. In addition, the coating unit (S
CT) 12 is also a coating unit (SCT) 1 for low viscosity.
The configuration is almost the same as that of No. 3.
【００２６】エージングユニット（ＤＡＣ）２１は、図
５に示すように、ヒータ５１ａを内蔵した例えばセラミ
ックスからなる加熱プレート５１と、この加熱プレート
５１の上方に処理室をなす空間Ｓを形成するように、こ
の加熱プレート５１の周縁部にシール部材５２を介して
密接するとともに、加熱プレート５１に対して接離する
蓋５３と、加熱プレート５１に置かれたウエハを囲むよ
うに、この加熱プレート５１の表面に供給口が形成され
たガス供給路５４と、蓋５３の中央部に吸い込み口が形
成された排気路５５と、加熱プレート５１とのその上方
位置との間でウエハＷを昇降する３本の昇降ピン５６と
を具備している。As shown in FIG. 5, the aging unit (DAC) 21 has a heating plate 51 made of, for example, ceramics and having a built-in heater 51a, and a space S forming a processing chamber above the heating plate 51. The lid 53 is in close contact with the peripheral portion of the heating plate 51 via a sealing member 52, and is provided with a lid 53 which comes into contact with and separates from the heating plate 51, and surrounds the wafer placed on the heating plate 51. A gas supply path 54 having a supply port formed on the surface thereof, an exhaust path 55 having a suction port formed at the center of the lid 53, and three members for moving the wafer W up and down between the heating plate 51 and a position above the gas supply path. And the elevating pins 56.
【００２７】このエージングユニット（ＤＡＣ）２１で
は、後述するように、アンモニアがサイドキャビネット
２内のバブラー２７およびマスフローコントローラ（図
示せず）により蒸気化されて、上述したガス供給路５４
を介して処理室Ｓ内に供給され、排気路５５からの排気
は、サイドキャビネット２内のドレンタンク３１により
トラップされる。In the aging unit (DAC) 21, as described later, ammonia is vaporized by the bubbler 27 in the side cabinet 2 and a mass flow controller (not shown), and the gas is supplied to the gas supply path 54.
The exhaust gas is supplied to the processing chamber S through the exhaust passage 55 and trapped by the drain tank 31 in the side cabinet 2.
【００２８】ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳ
Ｅ）１１は、図６に示すように、ウエハＷを水平に保持
して回転させるバキュームチャック６１と、このチャッ
ク６１上のウエハＷを囲むように設けられ、排液孔６３
を有する回転カップ６２と、この回転カップ６２の外側
に設けられ、排液路６５および排気路６６が接続された
固定カップ６４と、ウエハＷに溶媒を供給するためのノ
ズル６７とを具備している。また、図中、符号６８は、
チャック６１の回転軸６１ａを回転および昇降させるた
めの駆動部であり、符号６９は、回転カップ６２を回転
させるための駆動部である。Solvent exchange unit (DS)
E) 11, as shown in FIG. 6, a vacuum chuck 61 for horizontally holding and rotating the wafer W, and a liquid discharge hole 63 provided to surround the wafer W on the chuck 61.
, A fixed cup 64 provided outside the rotating cup 62 and connected to a drain passage 65 and an exhaust passage 66, and a nozzle 67 for supplying a solvent to the wafer W. I have. In the figure, reference numeral 68 is
A drive unit for rotating and raising / lowering the rotation shaft 61a of the chuck 61, and a reference numeral 69 is a drive unit for rotating the rotary cup 62.
【００２９】上述した固定カップ６４の上面の開口部
は、昇降可能な蓋７０により開閉されるようになってい
る。また、ノズル６７は、エタノール、ＨＭＤＳ、およ
びヘプタンをそれぞれ吐出する３個の交換ノズル６７
ａ，６７ｂ，６７ｃを有しており、これら交換ノズル６
７ａ，６７ｂ，６７ｃは、この順にそれぞれノズル受け
部７１ａ，７１ｂ，７１ｃから把持して取り出され、ウ
エハＷの中心部の上方側に搬送されるようになってい
る。また、ノズル６７の交換ノズル６７ｂにＨＭＤＳが
供給される際には、サイドキャビネット２のＨＭＤＳタ
ンク３０ａからＨＭＤＳが直接供給されるようになって
おり、また、排気路６６からの液体が混合した排気は、
キャビネット２内のミストトラップ２８により気液分離
され、排液路６５からの排液は、ドレンタンク３１に排
出されるようになっている。The opening on the upper surface of the fixed cup 64 is opened and closed by a lid 70 that can be moved up and down. The nozzle 67 has three replacement nozzles 67 for discharging ethanol, HMDS, and heptane, respectively.
a, 67b, and 67c.
The nozzles 7a, 67b, and 67c are gripped and taken out from the nozzle receiving portions 71a, 71b, and 71c, respectively, and are transported above the center of the wafer W. Further, when the HMDS is supplied to the replacement nozzle 67b of the nozzle 67, the HMDS is directly supplied from the HMDS tank 30a of the side cabinet 2, and the exhaust mixed with the liquid from the exhaust passage 66 is provided. Is
Gas-liquid separation is performed by the mist trap 28 in the cabinet 2, and the drainage from the drainage path 65 is discharged to the drain tank 31.
【００３０】サイドキャビネット２は、処理部１に隣接
した位置に処理部１とは隔離されて設けられ、その上段
に、薬液を供給するためのバブラー２７と、気液混合流
を気液分離して排気ガスを排出するためのミストトラッ
プ（ＴＲＡＰ）２８とを有し、その下段に、電力供給源
２９と、ＨＭＤＳやアンモニア等の薬液を貯留するため
の薬液室３０と、排液を排出するためのドレイン３１と
を有している。The side cabinet 2 is provided at a position adjacent to the processing section 1 so as to be separated from the processing section 1, and a bubbler 27 for supplying a chemical solution and a gas-liquid mixed flow are provided above the side cabinet 2. And a mist trap (TRAP) 28 for discharging exhaust gas, and a power supply source 29, a chemical solution chamber 30 for storing a chemical solution such as HMDS, ammonia, etc., and a drainage for discharging the drainage liquid. And a drain 31 for it.
【００３１】サイドキャビネット２がこのように構成さ
れているため、エージングユニット（ＤＡＣ）２１にア
ンモニアが供給される際には、アンモニアのタンク３０
ｂからバブラー２７にアンモニアが充填されており、ア
ンモニアがバブラー２７によりバブリングされ、蒸気化
されてエージングユニット（ＤＡＣ）２１に供給され
る。また、ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳ
Ｅ）１１にＨＭＤＳが供給される際には、ＨＭＤＳのタ
ンク３０ａからＨＭＤＳが直接供給される。Since the side cabinet 2 is configured as described above, when the aging unit (DAC) 21 is supplied with ammonia, the ammonia tank 30
The bubbler 27 is filled with ammonia from b, and the ammonia is bubbled by the bubbler 27, vaporized, and supplied to the aging unit (DAC) 21. In addition, the solvent exchange unit (DS
E) When the HMDS is supplied to 11, the HMDS is directly supplied from the HMDS tank 30a.
【００３２】また、エージングユニット（ＤＡＣ）２１
からの排気は、サイドキャビネット２内のドレンタンク
３１によりトラップされる。さらに、ソルベントイクス
チェンジユニット（ＤＳＥ）１１からの液体が混合した
排気は、キャビネット２内のミストトラップ２８により
気液分離され、排液はドレンタンク３１へ排出される。An aging unit (DAC) 21
Is trapped by the drain tank 31 in the side cabinet 2. Further, the exhaust mixed with the liquid from the solvent exchange unit (DSE) 11 is separated into gas and liquid by the mist trap 28 in the cabinet 2, and the discharged liquid is discharged to the drain tank 31.
【００３３】このように、サイドキャビネット２から供
給されるアンモニアおよびＨＭＤＳをそれぞれ必要とす
るエージングユニット（ＤＡＣ）２１およびソルベント
イクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１が、サイドキャ
ビネット２に隣接して設けられているため、薬液供給系
の短縮化を図ることができる。As described above, the aging unit (DAC) 21 and the solvent exchange unit (DSE) 11 that require ammonia and HMDS, respectively, supplied from the side cabinet 2 are provided adjacent to the side cabinet 2. Therefore, the chemical supply system can be shortened.
【００３４】また、塗布液をウエハＷに塗布した後に
は、即座に（例えば１０秒以内に）ゲル化処理を施すこ
とが好ましいため、図１〜図３に示すように、低粘度用
の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１３とエージングユニッ
ト（ＤＡＣ）２１とが比較的近接して配置されており、
また、ゲル化処理の後には、溶媒の置換を即座に行うこ
とが好ましいため、エージングユニット（ＤＡＣ）２１
とソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１と
が比較的近接して配置されている。It is preferable to apply a gelling process immediately (for example, within 10 seconds) after the application of the application liquid onto the wafer W. Therefore, as shown in FIGS. The processing unit (SCT) 13 and the aging unit (DAC) 21 are disposed relatively close to each other,
In addition, it is preferable to immediately replace the solvent after the gelation treatment, so that the aging unit (DAC) 21
And a solvent exchange unit (DSE) 11 are disposed relatively close to each other.
【００３５】次に、上記ＳＯＤシステムを用いてゾル−
ゲル法により層間絶縁膜を形成する場合のメカニズムに
ついて、図７を参照しながら説明する。図７（ａ）に示
すように、塗布液をウエハに塗布したときには、ＴＥＯ
Ｓの粒子あるいはコロイド１００が溶媒１０１中に分散
された状態になっており、次いで、この塗布液をアルカ
リ性雰囲気に晒すことにより、図７（ｂ）に示すよう
に、ＴＥＯＳを縮重合するとともに加水分解して塗布膜
がゲル化され、ＴＥＯＳの網状構造１０２が形成され
る。次いで、図７（ｃ）に示すように、塗布液中の水分
を除去するため、塗布膜中の溶媒を他の溶媒１０３に置
き換え、その後、乾燥させて層間絶縁膜を得る。Next, a sol is prepared using the above-mentioned SOD system.
The mechanism when the interlayer insulating film is formed by the gel method will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 7A, when the coating liquid is applied to the wafer, TEO is applied.
The S particles or colloid 100 are dispersed in the solvent 101, and then this coating solution is exposed to an alkaline atmosphere to condense TEOS as shown in FIG. Decomposition causes the coating film to gel, forming a TEOS network structure 102. Next, as shown in FIG. 7C, in order to remove moisture in the coating solution, the solvent in the coating film is replaced with another solvent 103, and then dried to obtain an interlayer insulating film.
【００３６】次に、上記ＳＯＤシステムにおいて、ゾル
−ゲル法により層間絶縁膜を形成する場合の処理動作に
ついて説明する。まず、キャリアステーション（ＣＳ
Ｂ）３から受け渡し部（ＴＲＳ）２５に搬送されたウエ
ハＷは、搬送機構１８によりクーリングプレート（ＣＰ
Ｌ）２４，２６に搬送されて冷却される。これにより塗
布前のウエハ温度を一致にすることができ、膜厚および
膜質の均一化を図ることができる。Next, the processing operation in the case of forming an interlayer insulating film by the sol-gel method in the above SOD system will be described. First, the carrier station (CS
B) The wafer W transferred from the transfer unit 3 to the transfer unit (TRS) 25 is cooled by the cooling plate (CP) by the transfer mechanism 18.
L) Conveyed to 24, 26 and cooled. As a result, the wafer temperature before coating can be made equal, and the film thickness and film quality can be made uniform.
【００３７】次いで、ウエハＷは、低粘度用の塗布処理
ユニット（ＳＣＴ）１３に搬送されて、図４に示すよう
に、チャック４５に受け渡され、蓋４１により回転カッ
プ４２が密閉される。ここで用いられる塗布液は、ＴＥ
ＯＳのコロイドまたは粒子を有機溶媒に分散させて、水
および微量の塩酸を含ませたものである。排気管５０か
ら排気しながら、溶媒蒸気供給管４８から有機溶媒の蒸
気が回転カップ４２内に供給され、回転カップ４２内が
有機溶媒の蒸気で充満された後に、排気が停止されて、
ノズル４６から塗布液がウエハＷの中心部に滴下され
る。次いで、ウエハＷがチャック４５により回転され
て、塗布液がウエハＷ表面に伸展されて、塗布膜が形成
される。このように、回転カップ４２内を有機溶剤の蒸
気で充満させた状態で塗布処理を行うのは、塗布液中の
溶媒の蒸発を抑制するためである。Next, the wafer W is transported to the low-viscosity coating processing unit (SCT) 13 and transferred to the chuck 45 as shown in FIG. The coating solution used here is TE
OS colloids or particles are dispersed in an organic solvent and contain water and a trace amount of hydrochloric acid. While exhausting from the exhaust pipe 50, the vapor of the organic solvent is supplied from the solvent vapor supply pipe 48 into the rotating cup 42, and after the rotating cup 42 is filled with the vapor of the organic solvent, the exhaust is stopped,
The coating liquid is dropped from the nozzle 46 to the center of the wafer W. Next, the wafer W is rotated by the chuck 45, and the coating liquid is spread on the surface of the wafer W to form a coating film. The reason why the coating process is performed in a state where the inside of the rotating cup 42 is filled with the vapor of the organic solvent is to suppress the evaporation of the solvent in the coating liquid.
【００３８】このようにして塗布膜が形成されたウエハ
Ｗは、エージングユニット（ＤＡＣ）２１に搬送され
る。この場合に、塗布液をウエハＷに塗布した後には、
即座にゲル化処理を施すことが好ましいため、低粘度用
の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１３とエージングユニッ
ト（ＤＡＣ）２１とが近接して配置されている。The wafer W on which the coating film is formed as described above is transferred to the aging unit (DAC) 21. In this case, after the application liquid is applied to the wafer W,
Since it is preferable to perform the gelling process immediately, the coating unit (SCT) 13 for low viscosity and the aging unit (DAC) 21 are arranged close to each other.
【００３９】エージングユニット（ＤＡＣ）２１におい
ては、図５に示すように、蓋５３が上昇されて、ウエハ
Ｗが昇降ピン５６に受け渡されて、加熱プレート５１に
近接される。蓋５３が閉鎖された後、排気路５５から排
気されながら、キャビネット２内のバブラー２７からガ
ス供給路５４を介してアンモニアが処理室Ｓ内に供給さ
れる。この時、ウエハＷは例えば１００℃で加熱されて
いる。これにより、ウエハＷの塗布膜に含まれるコロイ
ドがゲル化されて、網目状に連鎖される。In the aging unit (DAC) 21, as shown in FIG. 5, the lid 53 is raised, and the wafer W is delivered to the elevating pins 56 and is brought close to the heating plate 51. After the lid 53 is closed, the ammonia is supplied into the processing chamber S from the bubbler 27 in the cabinet 2 via the gas supply path 54 while being exhausted from the exhaust path 55. At this time, the wafer W is heated at, for example, 100 ° C. As a result, the colloid contained in the coating film of the wafer W is gelled and linked in a network.
【００４０】次いで、ウエハＷは、ソルベントイクスチ
ェンジユニット（ＤＳＥ）１１に搬送される。なお、こ
の際、ゲル化処理の後には、溶媒の置換を即座に行うこ
とが好ましいため、エージングユニット（ＤＡＣ）２１
とソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ）１１と
が近接して配置されている。Next, the wafer W is transferred to the solvent exchange unit (DSE) 11. In this case, since it is preferable to immediately replace the solvent after the gelling treatment, the aging unit (DAC) 21
And a solvent exchange unit (DSE) 11 are arranged close to each other.
【００４１】ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳ
Ｅ）１１においては、図６に示すように、ウエハＷがバ
キュームチャック６１に受け渡され、ノズル６７の交換
ノズル６７ａから水分が可溶な薬品例えばエタノールが
ウエハＷの中心部に滴下され、ウエハＷと回転カップ６
２が回転されて、エタノールがウエハＷ全面に拡散され
る。これにより、塗布膜中の水分にエタノールが溶け込
み、結果として水分がエタノールで置換される。Solvent exchange unit (DS)
In E) 11, as shown in FIG. 6, the wafer W is delivered to the vacuum chuck 61, and a water-soluble chemical, for example, ethanol is dropped from the exchange nozzle 67a of the nozzle 67 to the center of the wafer W. W and rotating cup 6
2 is rotated, and ethanol is diffused over the entire surface of the wafer W. As a result, ethanol dissolves in the water in the coating film, and as a result, the water is replaced by the ethanol.
【００４２】続いて、蓋７０が開けられ、同様にしてＨ
ＭＤＳがウエハＷの中心部に滴下され、塗布膜中の水酸
塩が除去される。さらに、ヘプタンがウエハＷに滴下さ
れ、塗布膜中の溶媒がヘプタンによって置換される。ヘ
プタンを用いる理由は、表面張力が小さい溶媒を用いる
ことによりポーラスな構造体すなわちＴＥＯＳの網状構
造体に加わる力を小さくして崩れないようにするためで
ある。Subsequently, the lid 70 is opened, and H
MDS is dropped on the center of the wafer W, and the hydroxide in the coating film is removed. Further, heptane is dropped on the wafer W, and the solvent in the coating film is replaced by heptane. The reason for using heptane is to reduce the force applied to the porous structure, that is, the network structure of TEOS by using a solvent having a small surface tension so as not to collapse.
【００４３】その後、ウエハＷは、低温用のホットプレ
ート（ＬＨＰ）１９，２３、高温用のホットプレート
（ＯＨＰ）２２により適宜加熱処理され、層間絶縁膜が
完成する。このようにして層間絶縁膜が形成されたウエ
ハＷは、受け渡し部（ＴＣＰ）２５を介してキャリアス
テーション（ＣＳＢ）３に戻される。Thereafter, the wafer W is appropriately heated by low-temperature hot plates (LHP) 19 and 23 and high-temperature hot plate (OHP) 22 to complete an interlayer insulating film. The wafer W on which the interlayer insulating film is thus formed is returned to the carrier station (CSB) 3 via the transfer unit (TCP) 25.
【００４４】なお、上記エージングユニット（ＤＡＣ）
２１ではアンモニアを使用し、ソルベントイクスチェン
ジユニット（ＤＳＥ）１１ではＨＭＤＳおよびヘプタン
を使用したが、これらに限定されない。The above aging unit (DAC)
Although ammonia was used in 21 and HMDS and heptane were used in the solvent exchange unit (DSE) 11, it is not limited to these.
【００４５】次に、上記ＳＯＤシステムにおいて、シル
ク方法およびスピードフィルム方法方法により層間絶縁
膜を形成する場合について詳細に説明する。Next, a case where an interlayer insulating film is formed by the silk method and the speed film method in the SOD system will be described in detail.
【００４６】シルク方法およびスピードフィルム方法で
は、クーリングプレート（ＣＰＬ）２４，２６→第１の
塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１３（アドヒージョンプロ
モータの塗布）→低温用のホットプレート（ＬＨＰ）１
９，２３→クーリングプレート（ＣＰＬ）２４，２６→
第２の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１２（本薬液塗布）
→低温用のホットプレート（ＬＨＰ）１９，２３→高温
用のホットプレート（ＯＨＰ）２２→ＤＣＣ処理ユニッ
ト（ＤＣＣ）２０の順序により、塗布膜が形成される。In the silk method and the speed film method, cooling plates (CPL) 24, 26 → first coating processing unit (SCT) 13 (application of adhesion promoter) → hot plate (LHP) 1 for low temperature
9,23 → Cooling plate (CPL) 24,26 →
Second coating processing unit (SCT) 12 (this chemical liquid coating)
A coating film is formed in the order of the low-temperature hot plates (LHP) 19 and 23 → the high-temperature hot plate (OHP) 22 → DCC processing unit (DCC) 20.
【００４７】これらの中で、ＤＣＣ処理ユニット２０
は、上記ゾル−ゲル法では用いる必要がなかったが、シ
ルク方法およびスピードフィルム法では必要なユニット
である。このＤＣＣ処理ユニット２０について、図８お
よび図９を参照して説明する。Among them, the DCC processing unit 20
Is a unit necessary for the silk method and the speed film method, although it is not necessary to use the sol-gel method. The DCC processing unit 20 will be described with reference to FIGS.
【００４８】図８および図９に示すように、ＤＣＣ処理
ユニット２０は、加熱処理室８１と、これに隣接して設
けられた冷却処理室８２とを有しており、この加熱処理
室８１には、設定温度が２００〜４７０℃とすることが
可能なホットプレート８３を有している。また、このＤ
ＣＣ処理ユニット２０は、さらに、メインの搬送機構１
８（図１および図３）との間でウエハＷを受け渡しする
際に開閉される第１のゲートシャッター８４と、加熱処
理室８１と冷却処理室８２との間を開閉するための第２
のゲートシャッター８５と、ホットプレート８３の周囲
でウエハＷを包囲しながら第２のゲートシャッター８５
と共に昇降されるリングシャッター８６とを有してい
る。さらに、ホットプレート８３には、ウエハＷを載置
して昇降するための３個のリフトピン８７が昇降自在に
設けられている。なお、ホットプレート８３とリングシ
ャッター８６との間に遮蔽板スクリーンを設けてもよ
い。As shown in FIGS. 8 and 9, the DCC processing unit 20 has a heating processing chamber 81 and a cooling processing chamber 82 provided adjacent thereto. Has a hot plate 83 whose set temperature can be set to 200 to 470 ° C. Also, this D
The CC processing unit 20 further includes a main transport mechanism 1
8 (FIGS. 1 and 3), a first gate shutter 84 that is opened and closed when the wafer W is transferred, and a second gate shutter 84 that opens and closes between the heating processing chamber 81 and the cooling processing chamber 82.
And the second gate shutter 85 while surrounding the wafer W around the hot plate 83.
And a ring shutter 86 that moves up and down. Further, the hot plate 83 is provided with three lift pins 87 for placing and moving the wafer W up and down. Note that a shielding plate screen may be provided between the hot plate 83 and the ring shutter 86.
【００４９】加熱処理室８１の下方には、上記３個のリ
フトピン８７を昇降するための昇降機構８８と、リング
シャッター８６を第２のゲートシャッター８５と共に昇
降するための昇降機構８９と、第１のゲートシャッター
８４を昇降して開閉するための昇降機構９０とが設けら
れている。Below the heat treatment chamber 81, an elevating mechanism 88 for elevating the three lift pins 87, an elevating mechanism 89 for elevating the ring shutter 86 together with the second gate shutter 85, and a first elevating mechanism 89 And a lifting mechanism 90 for lifting and lowering the gate shutter 84 to open and close.
【００５０】また、加熱処理室８１内には、図示しない
供給源から、Ｎ２等の不活性ガスが供給されるように構
成され、さらに、その中が排気管９１を介して排気され
るように構成されている。そして、このように不活性ガ
スを供給しながら排気することにより、加熱処理室８１
内は、低酸素濃度（例えば５０ｐｐｍ以下）雰囲気に維
持されるようになっている。Further, an inert gas such as N 2 is supplied from a supply source (not shown) into the heat treatment chamber 81, and the inside thereof is exhausted through an exhaust pipe 91. Is configured. By evacuating while supplying the inert gas, the heat treatment chamber 81
The inside is maintained in a low oxygen concentration (for example, 50 ppm or less) atmosphere.
【００５１】この加熱処理室８１と冷却処理室８２と
は、連通口９２を介して連通されており、ウエハＷを載
置して冷却するためのクーリングプレート９３がガイド
プレート９４に沿って移動機構９５により水平方向に移
動自在に構成されている。これにより、クーリングプレ
ート９２は、連通口９２を介して加熱処理室８１内に進
入することができ、加熱処理室８１内のホットプレート
８３により加熱された後のウエハＷをリフトピン８７か
ら受け取って冷却処理室８２内に搬入し、ウエハＷの冷
却後、ウエハＷをリフトピン８７に戻すようになってい
る。The heating chamber 81 and the cooling chamber 82 are communicated through a communication port 92, and a cooling plate 93 for mounting and cooling the wafer W is moved along a guide plate 94 by a moving mechanism. 95 is configured to be movable in the horizontal direction. Thus, the cooling plate 92 can enter the heating processing chamber 81 through the communication port 92, and receives the wafer W heated by the hot plate 83 in the heating processing chamber 81 from the lift pins 87 and cools it. After the wafer W is carried into the processing chamber 82 and the wafer W is cooled, the wafer W is returned to the lift pins 87.
【００５２】なお、クーリングプレート９３の設定温度
は、例えば１５〜２５℃であり、冷却されるウエハＷの
適用温度範囲は、例えば２００〜４７０℃である。The set temperature of the cooling plate 93 is, for example, 15 to 25 ° C., and the applicable temperature range of the wafer W to be cooled is, for example, 200 to 470 ° C.
【００５３】冷却処理室８２は、供給管９５を介してそ
の中にＮ２等の不活性ガスが充填されるように構成さ
れ、さらに、冷却処理室８２内は、排気管９７を介して
外部に排気されるように構成されている。これにより、
加熱処理室８１と同様に、冷却処理室８２内は、低酸素
濃度（例えば５０ｐｐｍ以下）雰囲気に維持されるよう
になっている。The cooling chamber 82 is configured to be filled with an inert gas such as N 2 through a supply pipe 95, and the inside of the cooling chamber 82 is externally connected through an exhaust pipe 97. It is configured to be exhausted. This allows
Similarly to the heat treatment chamber 81, the inside of the cooling treatment chamber 82 is maintained at a low oxygen concentration (for example, 50 ppm or less) atmosphere.
【００５４】次に、シルク方法およびスピードフィルム
方法により層間絶縁膜を形成する処理動作について説明
する。キャリアステーション（ＣＳＢ）３から受け渡し
部（ＴＲＳ）２５に搬送されたウエハＷは、搬送機構１
８によりクーリングプレート（ＣＰＬ）２４，２６に搬
送されて冷却される。この場合にも、上述のゾル−ゲル
法の場合と同様、塗布前に冷却することによりウエハＷ
の温度を一定にすることができ、膜厚および膜質の均一
化を図ることができる。Next, a processing operation for forming an interlayer insulating film by the silk method and the speed film method will be described. The wafer W transferred from the carrier station (CSB) 3 to the transfer unit (TRS) 25 is transferred by the transfer mechanism 1
By 8, it is conveyed to cooling plates (CPL) 24 and 26 and cooled. Also in this case, similarly to the case of the above-described sol-gel method, the wafer W is cooled by cooling before coating.
Can be made constant, and the film thickness and film quality can be made uniform.
【００５５】次いで、ウエハＷは、低粘度用の塗布処理
ユニット（ＳＣＴ）１３に搬送されて、第１の塗布液と
してアドヒージョンプロモータが上述したスピンコート
により塗布される。このアドヒージョンプロモータを本
塗布液に先立って塗布することにより、膜の密着性を促
進する。その後、クーリングプレート（ＣＰＬ）２４，
２６に搬送されて温調される。Next, the wafer W is transported to the low-viscosity coating processing unit (SCT) 13, where an adhesion promoter is applied as a first coating liquid by the above-described spin coating. The adhesion of the film is promoted by applying this adhesion promoter prior to the main coating solution. Then, the cooling plate (CPL) 24,
It is conveyed to and temperature-controlled.
【００５６】次いで、ウエハＷは、高粘度用の塗布処理
ユニット（ＳＣＴ）１２に搬送されて、第２の塗布液と
して層間絶縁膜用の本塗布液が上述したスピンコートに
より塗布される。その後、低温用のホットプレート（Ｌ
ＨＰ）１９，２３により適宜加熱処理され、クーリング
プレート（ＣＰＬ）２４，２６に搬送されて冷却され
る。Next, the wafer W is transferred to the high-viscosity coating processing unit (SCT) 12, and the main coating liquid for an interlayer insulating film is applied as a second coating liquid by the above-described spin coating. Then, a low-temperature hot plate (L
HP) 19 and 23, and are appropriately conveyed to cooling plates (CPL) 24 and 26 to be cooled.
【００５７】この塗布の際、特に、シルク法を採用した
場合に、回転カップ４２内の温度・湿度、モータフラン
ジの温度、および塗布前のクーリング温度を一括して制
御しつつ処理することにより、ムラの発生を抑制するこ
とができ、膜厚および膜質の均一化の向上を図ることが
できる。このような制御を上述のゾル−ゲル法および以
下に示すフォックス法、およびスピードフィルム法に採
用してもよいが、シルク法に適用することによりその効
果が大きい。At the time of this coating, particularly when the silk method is adopted, the temperature and humidity in the rotating cup 42, the temperature of the motor flange, and the cooling temperature before the coating are controlled while being collectively processed. The occurrence of unevenness can be suppressed, and the uniformity of film thickness and film quality can be improved. Such control may be applied to the above-described sol-gel method, the Fox method described below, and the speed film method, but the effect is great when applied to the silk method.
【００５８】なお、この第２の塗布液である本塗布液の
塗布の直前に、第１の塗布液であるアドヒージョンプロ
モータを塗布するレシピを作成することにより、つまり
同一の処理ユニットで２液を吐出するレシピを作成する
ことにより、膜の密着性を一層向上させることができる
とともに、最初の塗布処理工程を省くことができるの
で、工程スループットの向上およびユニット数の減少が
可能となる。It is to be noted that a recipe for applying the adhesion promoter, which is the first coating liquid, is prepared immediately before the application of the main coating liquid, which is the second coating liquid, that is, by using the same processing unit, a recipe is prepared. By creating a recipe for discharging the liquid, the adhesion of the film can be further improved, and the first coating process can be omitted, so that the process throughput can be improved and the number of units can be reduced.
【００５９】次いで、ウエハＷは、ＤＣＣ処理ユニット
２０により硬化（キュア）処理が施される。具体的に
は、まず、第１のゲートシャッター８４が開かれ、メイ
ンの搬送機構１８（図１および図３）からウエハＷが加
熱処理室８１内の３個のリフトピン８７上に搬入され
る。第１のゲートシャッター８４が閉じられ、リングシ
ャッター８６および第２のゲートシャッター８５が上昇
され、ウエハＷがリングシャッター８６により包囲され
る。この時、加熱処理室８１内へのＮ２等の不活性ガス
の充填が開始され、加熱処理室８１内は、低酸素濃度
（例えば５０ｐｐｍ以下）雰囲気に維持される。Next, the wafer W is subjected to a curing process by the DCC processing unit 20. Specifically, first, the first gate shutter 84 is opened, and the wafer W is loaded from the main transfer mechanism 18 (FIGS. 1 and 3) onto the three lift pins 87 in the heat treatment chamber 81. The first gate shutter 84 is closed, the ring shutter 86 and the second gate shutter 85 are raised, and the wafer W is surrounded by the ring shutter 86. At this time, filling of the heat treatment chamber 81 with an inert gas such as N 2 is started, and the inside of the heat treatment chamber 81 is maintained at a low oxygen concentration (for example, 50 ppm or less) atmosphere.
【００６０】その後、リフトピン８７が降下されて、ウ
エハＷがホットプレート８３に近接され、低酸素濃度
（例えば５０ｐｐｍ以下）雰囲気において加熱処理され
る。この加熱温度は、例えば、２００〜４７０℃であ
る。また、加熱炉による加熱ではなく、ホットプレート
８３による加熱であるため、面内均一性が良好である。Thereafter, the lift pins 87 are lowered, the wafer W is brought close to the hot plate 83, and is heated in a low oxygen concentration (for example, 50 ppm or less) atmosphere. The heating temperature is, for example, 200 to 470 ° C. In addition, since the heating is not performed by the heating furnace but by the hot plate 83, the in-plane uniformity is good.
【００６１】加熱処理の終了後、リングシャッター８６
および第２のゲートシャッター８５が降下され、リフト
ピン８７が上昇される。この時、加熱処理室８１内への
Ｎ２等の不活性ガスの供給が停止され、また、冷却処理
室８２内へのＮ２等の不活性ガスの供給が開始され、冷
却処理室８２内は、低酸素濃度（例えば５０ｐｐｍ以
下）雰囲気に維持される。その後、クーリングプレート
９３が加熱処理室８１内に進入して、リフトピン８７か
らウエハＷを受け取り、リフトピン８７が降下される。After the completion of the heat treatment, the ring shutter 86
Then, the second gate shutter 85 is lowered, and the lift pins 87 are raised. At this time, the supply of inert gas such as N 2 into the heating chamber 81 is stopped, also the supply of inert gas such as N 2 into the cooling processing chamber 82 is started, the cooling processing chamber 82 Is maintained in a low oxygen concentration (for example, 50 ppm or less) atmosphere. Thereafter, the cooling plate 93 enters the inside of the heat treatment chamber 81, receives the wafer W from the lift pins 87, and lowers the lift pins 87.
【００６２】そして、クーリングプレート９３が冷却処
理室８２内に戻され、第２のゲートシャッター８５が上
昇され、ウエハＷが低酸素濃度（例えば５０ｐｐｍ以
下）雰囲気において冷却される。この時の冷却温度は、
例えば、２００〜４００℃であり、また、例酸素濃度雰
囲気で冷却されているため、膜の酸化が効果的に防止さ
れる。冷却処理の終了後、冷却処理室８２内へのＮ２等
の不活性ガスの供給が停止される。Then, the cooling plate 93 is returned into the cooling processing chamber 82, the second gate shutter 85 is raised, and the wafer W is cooled in a low oxygen concentration (for example, 50 ppm or less) atmosphere. The cooling temperature at this time is
For example, the temperature is 200 to 400 ° C., and the film is cooled in an oxygen concentration atmosphere, for example, so that oxidation of the film is effectively prevented. After the completion of the cooling process, the supply of the inert gas such as N 2 into the cooling process chamber 82 is stopped.
【００６３】その後、第２のゲートシャッター８５が降
下され、クーリングプレート９３が加熱処理室８１に進
入する。次いで、リフトピン８７が上昇され、ウエハＷ
がクーリングプレート９３からリフトピン８７に戻され
る。ウエハＷを搬出した後のクーリングプレート９３が
冷却処理室８２内に戻され、第１のゲートシャッター８
４が開かれる。そして、ウエハＷがメインの搬送機構１
８（図１および図３）に戻される。以上により、塗布膜
硬化（キュア）のための加熱処理および冷却処理が終了
する。その後、層間絶縁膜が完成したウエハＷは、受け
渡し部（ＴＲＳ）２５を介して搬送機構１８によりキャ
リアステーション（ＣＳＢ）３に戻される。Thereafter, the second gate shutter 85 is lowered, and the cooling plate 93 enters the heat treatment chamber 81. Next, the lift pins 87 are raised and the wafer W
Is returned from the cooling plate 93 to the lift pins 87. The cooling plate 93 after unloading the wafer W is returned into the cooling processing chamber 82, and the first gate shutter 8
4 is opened. Then, the wafer W is transferred to the main transfer mechanism 1.
8 (FIGS. 1 and 3). Thus, the heating process and the cooling process for curing (curing) the coating film are completed. Thereafter, the wafer W on which the interlayer insulating film is completed is returned to the carrier station (CSB) 3 by the transfer mechanism 18 via the transfer unit (TRS) 25.
【００６４】次に、上記ＳＯＤシステムにおいて、フォ
ックス方法により層間絶縁膜を形成する場合について詳
細に説明する。Next, the case where an interlayer insulating film is formed by the Fox method in the SOD system will be described in detail.
【００６５】フォックス方法では、クーリングプレート
（ＣＰＬ）２４，２６→塗布処理ユニット（ＳＣＴ）１
２→低温用のホットプレート（ＬＨＰ）１９，２３→高
温用のホットプレート（ＯＨＰ）２２→ＤＣＣ処理ユニ
ット（ＤＣＣ）２０の順序により、塗布膜が形成され
る。In the Fox method, cooling plates (CPL) 24, 26 → coating processing unit (SCT) 1
A coating film is formed in the order of 2 → low temperature hot plates (LHP) 19, 23 → high temperature hot plate (OHP) 22 → DCC processing unit (DCC) 20.
【００６６】この際の層間絶縁膜を形成する動作につい
て具体的に説明する。キャリアステーション（ＣＳＢ）
３から受け渡し部（ＴＲＳ）２５を介して、ウエハＷが
クーリングプレート（ＣＰＬ）２４，２６に搬送されて
冷却される。上述したように、この冷却処理により、ウ
エハＷの温度を一定にすることができ、膜厚および膜質
の均一化を図ることができる。The operation of forming the interlayer insulating film at this time will be specifically described. Carrier station (CSB)
The wafer W is transferred to the cooling plates (CPL) 24 and 26 from the transfer unit (TRS) 25 via the transfer unit (TRS) 25 and cooled. As described above, by this cooling process, the temperature of the wafer W can be made constant, and the film thickness and film quality can be made uniform.
【００６７】次いで、ウエハＷは、塗布処理ユニット
（ＳＣＴ）１２または１３に搬送されて、塗布液が塗布
される。その後、低温用のホットプレート（ＬＨＰ）１
９，２３により適宜加熱処理され、クーリングプレート
（ＣＰＬ）２４，２６に搬送されて冷却される。Next, the wafer W is transferred to the coating processing unit (SCT) 12 or 13, where the coating liquid is applied. Then, a low-temperature hot plate (LHP) 1
Heat treatment is appropriately performed by the cooling plates 9 and 23, and the cooling plates are conveyed to cooling plates (CPL) 24 and 26 and cooled.
【００６８】次いで、ウエハＷは、ＤＣＣ処理ユニット
２０により硬化処理が施される。具体的には、上述した
のと同様の手順に従って、ウエハＷが低酸素濃度（例え
ば５０ｐｐｍ以下）雰囲気において加熱処理され、加熱
処理の終了後、低酸素濃度（例えば５０ｐｐｍ以下）雰
囲気において冷却され、塗布膜が硬化（キュア）され
る。冷却後、ウエハＷは、加熱処理室４１を介してメイ
ンの搬送機構１８（図１および図３）に戻される。その
後、層間絶縁膜が完成したウエハＷは、受け渡し部（Ｔ
ＲＳ）２５を介して搬送機構１８によりキャリアステー
ション（ＣＳＢ）３に戻される。Next, the wafer W is subjected to a hardening process by the DCC processing unit 20. Specifically, the wafer W is subjected to a heat treatment in a low oxygen concentration (for example, 50 ppm or less) atmosphere according to the same procedure as described above, and after the heat treatment, cooled in a low oxygen concentration (for example, 50 ppm or less) atmosphere. The coating film is cured (cured). After cooling, the wafer W is returned to the main transfer mechanism 18 (FIGS. 1 and 3) via the heat treatment chamber 41. Thereafter, the wafer W having the completed interlayer insulating film is transferred to the transfer section (T
(RS) 25, and is returned to the carrier station (CSB) 3 by the transport mechanism 18.
【００６９】以上のように、上記ＳＯＤシステムにおい
ては、ゾル−ゲル法、シルク法、スピードフィルム法、
フォックス法の種々の塗布方法に対応した処理ユニット
を備えているので、一つのシステムで、上述のように種
々の塗布方法に対応した塗布膜を形成することができ
る。As described above, in the above SOD system, the sol-gel method, the silk method, the speed film method,
Since a processing unit corresponding to various coating methods of the Fox method is provided, a coating film corresponding to various coating methods can be formed by one system as described above.
【００７０】また、上記ＳＯＤシステムでは、各処理ユ
ニットを集約しているので、塗布膜形成のスループット
が高い。特に、搬送装置１８の周囲に、塗布処理ユニッ
ト（ＳＣＴ）１２，１３およびソルベントイクスチェン
ジユニット（ＤＳＥ）１１といった液体処理系ユニット
を多段配置してなるユニット群、および熱処理系ユニッ
トを多段に積層してなる処理ユニット群１６，１７を設
けたので、システム自体がコンパクトであり、各ユニッ
ト間の搬送時間も短くなるので、塗布膜形成のスループ
ットを著しく向上させることができる。Further, in the above-mentioned SOD system, since each processing unit is integrated, the throughput of forming a coating film is high. In particular, a unit group in which liquid processing units such as coating processing units (SCT) 12 and 13 and a solvent exchange unit (DSE) 11 are arranged in multiple stages, and a heat treatment system unit are stacked in multiple stages around the transport device 18. Since the processing unit groups 16 and 17 are provided, the system itself is compact and the transfer time between the units is shortened, so that the throughput of forming a coating film can be significantly improved.
【００７１】さらに、キャリアステーション３との間の
受け渡しをユニット群１７に設けた受け渡し部２５を介
して行うようにしたので、ウエハＷの搬入出をスムース
に行うことができる。Further, since the transfer to and from the carrier station 3 is performed via the transfer section 25 provided in the unit group 17, the transfer of the wafer W can be performed smoothly.
【００７２】さらにまた、処理部１に、２つの塗布処理
ユニット（ＳＣＴ）１２，１３を設けたので、特に上記
シルク法およびスピードフィルム法のように２回の塗布
処理を行う場合に、スループットを高める上で効果的で
ある。Further, since the processing section 1 is provided with two coating processing units (SCT) 12 and 13, the throughput can be reduced particularly when the coating processing is performed twice as in the silk method and the speed film method. It is effective in raising.
【００７３】さらに、２つのエージングユニット（ＤＡ
Ｃ）２１および２つのＤＣＣ処理ユニット２０を設けた
ので、これらの処理におけるスループット低下を回避す
ることができる。Further, two aging units (DA
Since C) 21 and two DCC processing units 20 are provided, it is possible to avoid a decrease in throughput in these processes.
【００７４】なお、本発明は、上述した実施の形態に限
定されず、種々変形可能である。例えば、処理する基板
は半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板等の他のものであ
ってもよい。また、膜の種類は層間絶縁膜に限らない。The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified. For example, the substrate to be processed is not limited to a semiconductor wafer, but may be another substrate such as an LCD substrate. Further, the type of the film is not limited to the interlayer insulating film.
【００７５】[0075]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
種々の塗布方法に対応した処理ユニットを備えているの
で、一つの装置で、種々の塗布方法に対応した塗布膜を
形成することができる。具体的には、層間絶縁膜を形成
する際に、ゾル−ゲル法、シルク法、スピードフィルム
法、フォックス法に対応したフローで基板に対して塗布
膜を形成することが可能となる。As described above, according to the present invention,
Since a processing unit corresponding to various coating methods is provided, a single apparatus can form a coating film corresponding to various coating methods. Specifically, when forming an interlayer insulating film, it becomes possible to form a coating film on a substrate by a flow corresponding to a sol-gel method, a silk method, a speed film method, and a fox method.
【００７６】また、本発明では各処理ユニットを集約し
ているので、塗布膜形成のスループットが高い。特に、
複数の液体処理系ユニットが多段配置されてなる第１の
処理ユニット群と、複数の熱処理系ユニットが多段配置
されてなる第２の処理ユニット群とを設け、これら処理
ユニット群に隣接して基板の搬入出を行う搬送機構を設
けた構成の場合には、装置自体をコンパクトにすること
ができ、搬送時間も短くなるので、塗布膜形成のスルー
プットを著しく向上させることができる。In the present invention, since each processing unit is integrated, the throughput of forming a coating film is high. In particular,
A first processing unit group in which a plurality of liquid processing system units are arranged in multiple stages and a second processing unit group in which a plurality of heat treatment system units are arranged in multiple stages are provided, and a substrate is disposed adjacent to these processing unit groups. In the case of a configuration provided with a transport mechanism for loading and unloading, the apparatus itself can be made compact and the transport time can be shortened, so that the throughput of coating film formation can be significantly improved.
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布膜形成装置（Ｓ
ＯＤシステム）の上段の平面図および下段の平面図。FIG. 1 shows a coating film forming apparatus (S) according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of an upper stage and a lower stage of an OD system).
【図２】図１に示した塗布膜形成装置（ＳＯＤシステ
ム）の側面図。FIG. 2 is a side view of the coating film forming apparatus (SOD system) shown in FIG.
【図３】図１に示した塗布膜形成装置（ＳＯＤシステ
ム）内に装着された、複数の処理ユニットを多段に積層
してなる２つの処理ユニット群を示す側面図。FIG. 3 is a side view showing two processing unit groups mounted in the coating film forming apparatus (SOD system) shown in FIG. 1 and formed by stacking a plurality of processing units in multiple stages.
【図４】低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）を模式
的に示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a coating unit (SCT) for low viscosity.
【図５】エージングユニット（ＤＡＣ）を模式的に示す
断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an aging unit (DAC).
【図８】ＤＣＣ処理ユニットを模式的に示す平面図。FIG. 8 is a plan view schematically showing a DCC processing unit.
【図９】図８に示したＤＣＣ処理ユニットを模式的に示
す断面図。FIG. 9 is a sectional view schematically showing the DCC processing unit shown in FIG. 8;
１；処理部 ２；サイドキャビネット ３；キャリアステーション（ＣＳＢ） １１；ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ） １２：高粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ） １３；低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ） １９，２３；低温用のホットプレート（ＬＨＰ） ２０；ＤＣＣ処理ユニット（ＤＣＣ） ２１；エージングユニット（ＤＡＣ） ２２；高温用のホットプレート（ＯＨＰ） ２３，２６；クーリングプレート（ＣＰＬ） 1: processing unit 2: side cabinet 3: carrier station (CSB) 11: solvent exchange unit (DSE) 12: coating processing unit (SCT) for high viscosity 13: coating processing unit (SCT) for low viscosity 19, 23; low-temperature hot plate (LHP) 20; DCC processing unit (DCC) 21; aging unit (DAC) 22; high-temperature hot plate (OHP) 23, 26; cooling plate (CPL)
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１１年２月１日（１９９９．２．１）[Submission Date] February 1, 1999 (1999.2.1)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Correction target item name] Brief description of drawings
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布膜形成装置（Ｓ
ＯＤシステム）の上段の平面図および下段の平面図。FIG. 1 shows a coating film forming apparatus (S) according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of an upper stage and a lower stage of an OD system).
【図２】図１に示した塗布膜形成装置（ＳＯＤシステ
ム）の側面図。FIG. 2 is a side view of the coating film forming apparatus (SOD system) shown in FIG.
【図３】図１に示した塗布膜形成装置（ＳＯＤシステ
ム）内に装着された、複数の処理ユニットを多段に積層
してなる２つの処理ユニット群を示す側面図。FIG. 3 is a side view showing two processing unit groups mounted in the coating film forming apparatus (SOD system) shown in FIG. 1 and formed by stacking a plurality of processing units in multiple stages.
【図４】低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ）を模式
的に示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a coating unit (SCT) for low viscosity.
【図５】エージングユニット（ＤＡＣ）を模式的に示す
断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an aging unit (DAC).
【図６】ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ）
を模式的に示す断面図。FIG. 6: Solvent exchange unit (DSE)
Sectional drawing which shows typically.
【図７】ゾルーゲル法における塗布膜の変性の様子を示
す説明図。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a state of denaturation of a coating film in a sol-gel method.
【図８】ＤＣＣ処理ユニットを模式的に示す平面図。FIG. 8 is a plan view schematically showing a DCC processing unit.
【図９】図８に示したＤＣＣ処理ユニットを模式的に示
す断面図。FIG. 9 is a sectional view schematically showing the DCC processing unit shown in FIG. 8;
【符号の説明】 １；処理部 ２；サイドキャビネット ３；キャリアステーション（ＣＳＢ） １１；ソルベントイクスチェンジユニット（ＤＳＥ） １２：高粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ） １３；低粘度用の塗布処理ユニット（ＳＣＴ） １９，２３；低温用のホットプレート（ＬＨＰ） ２０；ＤＣＣ処理ユニット（ＤＣＣ） ２１；エージングユニット（ＤＡＣ） ２２；高温用のホットプレート（ＯＨＰ） ２３，２６；クーリングプレート（ＣＰＬ）[Description of Signs] 1; processing unit 2; side cabinet 3; carrier station (CSB) 11; solvent exchange unit (DSE) 12: coating treatment unit for high viscosity (SCT) 13; coating treatment unit for low viscosity (SCT) 19, 23; Hot plate for low temperature (LHP) 20; DCC processing unit (DCC) 21; Aging unit (DAC) 22; Hot plate for high temperature (OHP) 23, 26; Cooling plate (CPL)
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｑ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB16 EA05 4D075 AC64 AC71 AC86 AC88 AC99 BB18X BB26Z BB78Z CA47 DA06 DB14 DC22 EA45 5F033 QQ74 QQ88 RR04 SS22 5F046 JA04 JA22 5F058 AC03 AF04 AG01 AH02 BC02 BF25 BF46 BG01 BG02 BG03 BG04 BH01 BJ02 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat II (reference) H01L 21/768 H01L 21/90 Q F term (reference) 2H025 AA00 AB16 EA05 4D075 AC64 AC71 AC86 AC88 AC99 BB18X BB26Z BB78Z CA47 DA06 DB14 DC22 EA45 5F033 QQ74 QQ88 RR04 SS22 5F046 JA04 JA22 5F058 AC03 AF04 AG01 AH02 BC02 BF25 BF46 BG01 BG02 BG03 BG04 BH01 BJ02
Claims (5)
るための塗布膜形成装置であって、 基板に対して塗布膜を形成するための一連の処理を施す
処理部と、 処理部内で基板を搬送する基板搬送機構とを具備し、 前記処理部は、 基板を冷却する冷却処理ユニットと、 基板に塗布液を塗布する塗布処理ユニットと、 基板上の塗布膜をゲル化処理するエージングユニット
と、 基板に溶媒を塗布して塗布膜の溶媒を置換するソルベン
トイクスチェンジユニットと、 低酸素濃度雰囲気において、基板に加熱および冷却処理
を施して塗布膜を硬化させる硬化処理ユニットと、 塗布膜が形成された基板を加熱処理する加熱処理ユニッ
トとを具備することを特徴とする塗布膜形成装置。1. A coating film forming apparatus for forming a coating film by applying a coating liquid to a substrate, comprising: a processing unit for performing a series of processing for forming a coating film on the substrate; A processing unit comprising: a cooling processing unit for cooling the substrate; a coating processing unit for coating the substrate with a coating liquid; and aging for gelling a coating film on the substrate. A unit, a solvent exchange unit for applying a solvent to the substrate to replace the solvent of the coating film, a curing unit for heating and cooling the substrate in a low oxygen concentration atmosphere to cure the coating film, and a coating film. And a heat treatment unit for heat-treating the substrate on which the substrate is formed.
るための塗布膜形成装置であって、 基板に対して塗布膜を形成するための一連の処理を施す
処理部と、 処理部内で基板を搬送する基板搬送機構とを具備し、 前記処理部は、 基板に塗布液を塗布する塗布処理ユニットおよび基板に
溶媒を塗布して塗布膜の溶媒を置換するソルベントイク
スチェンジユニットを含む複数の液体処理系ユニットが
多段配置されてなる第１の処理ユニット群と、 基板を冷却する冷却ユニット、基板を加熱する加熱処理
ユニット、基板上の塗布膜をエージングしてゲル化処理
するエージング処理ユニット、および低酸素濃度雰囲気
において、基板に加熱および冷却処理を施して塗布膜を
硬化させる硬化処理ユニットを含む熱処理系ユニットが
多段配置されてなる第２の処理ユニット群とを有し、 前記搬送機構は、これら第１および第２の処理ユニット
群に隣接して設けられ、各ユニットに対する基板の搬入
出を行うことを特徴とする塗布膜形成装置。2. A coating film forming apparatus for coating a substrate with a coating liquid to form a coating film, comprising: a processing unit for performing a series of processing for forming a coating film on the substrate; And a substrate transport mechanism that transports the substrate by using a plurality of processing units, including: a coating processing unit that applies a coating liquid to the substrate; and a solvent exchange unit that applies a solvent to the substrate to replace the solvent of the coating film. A first processing unit group including a plurality of liquid processing system units arranged in multiple stages, a cooling unit for cooling a substrate, a heating processing unit for heating a substrate, and an aging processing unit for aging a coating film on the substrate to perform a gelling process. And a multi-stage heat treatment system unit including a curing unit for heating and cooling the substrate to cure the coating film in a low oxygen concentration atmosphere. Wherein the transport mechanism is provided adjacent to the first and second processing unit groups, and carries in and out a substrate with respect to each unit. .
れ、処理前の基板および処理後の基板を待機させるとと
もに、前記処理部に対する基板の搬入出を行う搬入出部
と、この搬入出部と前記処理部との間で基板を受け渡す
受け渡し部を有することを特徴とする請求項１または請
求項２に記載の塗布膜形成装置。3. A loading / unloading unit which is provided adjacent to the processing unit, waits for a substrate before processing and a substrate after processing, and loads and unloads a substrate from and into the processing unit. 3. The coating film forming apparatus according to claim 1, further comprising a transfer unit that transfers a substrate between the processing unit and the processing unit. 4.
理ユニットを有することを特徴とする請求項１ないし請
求項３のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。4. The coating film forming apparatus according to claim 1, wherein the processing unit has at least two coating processing units.
ング処理ユニットおよび少なくとも２つの硬化処理ユニ
ットを有することを特徴とする請求項１ないし請求項４
のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。5. The processing unit according to claim 1, wherein the processing unit has at least two aging processing units and at least two curing processing units.
The coating film forming apparatus according to any one of the above items.
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP31297198A JP3657134B2 (en) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | Coating film forming device |
| US09/425,298 US6350316B1 (en) | 1998-11-04 | 1999-10-25 | Apparatus for forming coating film |
| TW088118698A TW436925B (en) | 1998-11-04 | 1999-10-28 | Apparatus for forming coating film |
| DE19952604A DE19952604B4 (en) | 1998-11-04 | 1999-11-02 | Apparatus for forming a coating film |
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=18035694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31297198A Expired - Fee Related JP3657134B2 (en) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | Coating film forming device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6773158B2 (en) | 2000-02-29 | 2004-08-10 | Tokyo Electron Limited | Resonant circuit for measuring temperature profile of a semiconductor substrate |
| US6786974B2 (en) | 1999-09-22 | 2004-09-07 | Tokyo Electron Limited | Insulating film forming method and insulating film forming apparatus |
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-
1998
- 1998-11-04 JP JP31297198A patent/JP3657134B2/en not_active Expired - Fee Related
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| TWI625788B (en) * | 2014-12-26 | 2018-06-01 | 東京威力科創股份有限公司 | Substrate processing method, storage medium and heating apparatus |
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