JP2000135578A - Laser radiating device - Google Patents

Laser radiating device

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JP2000135578A
JP2000135578A JP10305999A JP30599998A JP2000135578A JP 2000135578 A JP2000135578 A JP 2000135578A JP 10305999 A JP10305999 A JP 10305999A JP 30599998 A JP30599998 A JP 30599998A JP 2000135578 A JP2000135578 A JP 2000135578A
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JP
Japan
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laser beam
laser
processing substrate
partial shielding
irradiation apparatus
Prior art date
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Application number
JP10305999A
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Japanese (ja)
Inventor
Shiro Hamada
史郎 浜田
Katsumi Nomura
克己 野村
Hirohisa Tanaka
広久 田中
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Sharp Corp
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sharp Corp
Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Sharp Corp, Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sharp Corp
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  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser radiating device for evening variation of the radiated laser light energy volume on a substrate. SOLUTION: A processing substrate 2 is held by a holding plate 14. A laser optical system radiates a laser beam 10 having a linear beam cross section of a given width on the surface of the processing substrate 2 held by the holding plate 14. A partial shielding means is arranged on the surface of the processing substrate 2 held by the holding plate 14, spaced from the surface by a given clearance. The partial shielding means shields the laser light transmitted near the both side edges along a line longitudinal direction of the beam cross section out of the laser beams 10 radiated on the surface of the processing substrate 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ照射装置に
関し、特に、レーザアニーリングに適したレーザ照射装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser irradiation apparatus, and more particularly to a laser irradiation apparatus suitable for laser annealing.

【0002】[0002]

【従来の技術】ガラス基板上にアモルファスシリコン膜
を堆積し、エキシマレーザ光をパルス的に照射してアモ
ルファスシリコン膜を多結晶化する技術が注目されてい
る。このガラス基板は、例えばアクティブマトリクス型
液晶表示装置に用いられる。
2. Description of the Related Art A technique of depositing an amorphous silicon film on a glass substrate and irradiating an excimer laser beam in a pulsed manner to polycrystallize the amorphous silicon film has attracted attention. This glass substrate is used, for example, in an active matrix type liquid crystal display device.

【0003】アモルファスシリコンを多結晶化するのに
十分なエネルギを得るために、レーザ光をアモルファス
シリコン膜上に集光する。レーザ光を照射しながらガラ
ス基板を移動させ、アモルファスシリコン膜の広い領域
にレーザ光を照射することにより、大面積の多結晶シリ
コン膜を形成することができる。
In order to obtain sufficient energy for polycrystallizing amorphous silicon, a laser beam is focused on an amorphous silicon film. By moving the glass substrate while irradiating the laser light and irradiating the laser light to a wide region of the amorphous silicon film, a large-area polycrystalline silicon film can be formed.

【0004】ガラス基板の1回の並進移動で、広い領域
にレーザ光を照射するために、通常、レーザ光のビーム
断面を1方向に長い形状とする。ガラス基板を、ビーム
断面の長尺方向に直交する方向に移動することにより、
広い領域にレーザ光を照射することができる。
In order to irradiate a large area with laser light by one translational movement of the glass substrate, the beam cross section of the laser light is usually long in one direction. By moving the glass substrate in the direction perpendicular to the long direction of the beam cross section,
A large area can be irradiated with laser light.

【0005】ガラス基板の移動速度は、エキシマレーザ
光のある1ショットにより照射される領域と、次の1シ
ョットにより照射される領域とが、一部分において重な
る程度とする。
[0005] The moving speed of the glass substrate is such that a region irradiated by one shot of the excimer laser beam and a region irradiated by the next one shot partially overlap.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】アモルファスシリコン
膜表面上のレーザ光照射位置は、エキシマレーザ光のビ
ーム中心軸のゆらぎのためにある幅で変動する。1ショ
ットごとの照射位置が変動するため、ガラス基板を一定
速度で並進移動させていても、相互に隣り合う照射領域
の重なり率が変動してしまう。このため、アモルファス
シリコン膜に照射されたレーザ光のエネルギ量が、基板
面内で不均一になる。
The irradiation position of the laser beam on the surface of the amorphous silicon film fluctuates by a certain width due to the fluctuation of the central axis of the beam of the excimer laser beam. Since the irradiation position changes for each shot, even if the glass substrate is translated at a constant speed, the overlap ratio of the irradiation regions adjacent to each other changes. Therefore, the energy amount of the laser beam applied to the amorphous silicon film becomes non-uniform in the substrate surface.

【0007】本発明の目的は、照射されたレーザ光のエ
ネルギ量の基板面内に関するばらつきを、より均一にす
ることができるレーザ照射装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a laser irradiation apparatus which can make the variation of the energy amount of the irradiated laser light in the substrate plane more uniform.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、処理基板を保持する保持台と、前記保持台に保持さ
れた処理基板の表面に、ある幅を持った線状のビーム断
面を有するレーザビームを照射するレーザ光学系と、前
記保持台に保持された処理基板の表面上に、該表面から
ある間隔を隔てて配置され、処理基板の表面を照射する
レーザビームのうち、そのビーム断面の線長方向に沿っ
た両側の縁の近傍の領域を伝搬するレーザ光を遮蔽する
部分遮蔽手段とを有するレーザ照射装置が提供される。
According to one aspect of the present invention, a holder for holding a processing substrate and a linear beam cross section having a certain width are formed on a surface of the processing substrate held by the holder. A laser optical system that irradiates a laser beam having the same, and a laser beam that is disposed on the surface of the processing substrate held by the holding table at a certain distance from the surface and that irradiates the surface of the processing substrate. A laser irradiation apparatus having a partial shielding unit that shields a laser beam propagating in a region near both edges along a line length direction of a cross section is provided.

【0009】レーザビームのうち、そのビーム断面の線
長方向に沿った両側の縁の近傍を伝搬するレーザビーム
を部分遮蔽手段で遮蔽すると、処理基板の表面上のレー
ザビーム照射領域の位置が、部分遮蔽手段の透過領域の
位置により規定される。部分遮蔽手段の位置安定性を高
めることにより、レーザビームの中心軸がゆらぎを持っ
ている場合にも、レーザビーム照射領域の位置安定性を
高めることができる。
When the laser beam propagating near both edges along the line length direction of the beam cross section of the laser beam is shielded by the partial shielding means, the position of the laser beam irradiation area on the surface of the processing substrate becomes It is defined by the position of the transmission area of the partial shielding means. By improving the positional stability of the partial shielding means, it is possible to improve the positional stability of the laser beam irradiation area even when the center axis of the laser beam has fluctuation.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施例によるレ
ーザ照射装置の概略断面図を示す。処理容器1の内部
に、処理基板を保持するための保持台14が配置されて
おり、保持台14の上に処理基板2が保持されている。
処理容器1の上蓋に開口7が設けられ、開口7がOリン
グ9を介して石英窓8により気密に塞がれている。後述
するビームホモジナイザを通過したレーザビーム10
が、石英窓8を通して処理基板2の表面を照射する。レ
ーザビーム10は、例えば図1の紙面に垂直な方向に長
いビーム断面を有する。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a laser irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention. A holding table 14 for holding a processing substrate is disposed inside the processing container 1, and the processing substrate 2 is held on the holding table 14.
An opening 7 is provided in the upper lid of the processing container 1, and the opening 7 is airtightly closed by a quartz window 8 via an O-ring 9. Laser beam 10 that has passed through a beam homogenizer described later
Irradiates the surface of the processing substrate 2 through the quartz window 8. The laser beam 10 has, for example, a long beam cross section in a direction perpendicular to the paper surface of FIG.

【0011】処理基板2の表面上に、その表面からある
間隔(例えば約1mm)を隔てて部分遮蔽板3が配置さ
れている。部分遮蔽板3は、例えばステンレスにより形
成される。処理容器1の上蓋上にエアシリンダ等の垂直
駆動機構5が取り付けられている。部分遮蔽板3は、処
理容器1の上蓋を貫通する連結部材4により、垂直駆動
機構5に連結されている。連結部材6が貫通する貫通孔
は、ベローズ6で気密に保たれている。垂直駆動機構5
を駆動して、部分遮蔽板3を上下に移動させることがで
きる。
On the surface of the processing substrate 2, a partial shielding plate 3 is arranged at a certain distance (for example, about 1 mm) from the surface. The partial shielding plate 3 is formed of, for example, stainless steel. A vertical drive mechanism 5 such as an air cylinder is mounted on the upper lid of the processing container 1. The partial shielding plate 3 is connected to a vertical drive mechanism 5 by a connecting member 4 penetrating the upper lid of the processing container 1. The through hole through which the connecting member 6 penetrates is kept airtight by the bellows 6. Vertical drive mechanism 5
To move the partial shielding plate 3 up and down.

【0012】部分遮蔽板3は、レーザビーム10のビー
ム断面に対応したスリット3Aを有し、レーザビーム1
0のうちビーム断面の中心部を伝搬するレーザ光を透過
させ、周辺部を伝搬するレーザ光を遮蔽する。スリット
3Aの縁は、テーパ状に加工されている。例えば、処理
基板2の表面に対して約30°傾いたテーパ面とする。
レーザビーム10のうちスリット3Aの縁に入射する部
分は、入射光軸とは異なる方向に反射する。このため、
反射レーザビームがレーザ光学系に再入射することによ
る弊害を回避することができる。
The partial shielding plate 3 has a slit 3A corresponding to the beam cross section of the laser beam 10,
Of 0, laser light propagating in the center of the beam cross section is transmitted, and laser light propagating in the periphery is shielded. The edge of the slit 3A is tapered. For example, the tapered surface is inclined by about 30 ° with respect to the surface of the processing substrate 2.
The portion of the laser beam 10 that enters the edge of the slit 3A is reflected in a direction different from the incident optical axis. For this reason,
The adverse effect caused by the reflected laser beam re-entering the laser optical system can be avoided.

【0013】処理容器1内のレーザビーム10の光路を
取り囲むように、光吸収部材11が配置されている。ス
リット3Aの縁で反射した反射レーザビーム10Aが光
吸収部材11に入射し、吸収される。光吸収部材11に
入射したレーザビームのうち一部は反射するが、この一
部の反射レーザビームは、再度光吸収部材11に入射
し、ほとんどの反射光が光吸収部材11に吸収される。
A light absorbing member 11 is arranged so as to surround the optical path of the laser beam 10 in the processing chamber 1. The reflected laser beam 10A reflected at the edge of the slit 3A enters the light absorbing member 11 and is absorbed. Although a part of the laser beam incident on the light absorbing member 11 is reflected, the reflected laser beam partially enters the light absorbing member 11 again, and most of the reflected light is absorbed by the light absorbing member 11.

【0014】光吸収部材11に、冷媒流路12が熱的に
結合している。冷媒流路12に冷媒を流すことにより、
反射レーザビーム10Aの吸収による光吸収部材11の
温度上昇を抑制することができる。
A coolant passage 12 is thermally connected to the light absorbing member 11. By flowing the refrigerant through the refrigerant channel 12,
The temperature rise of the light absorbing member 11 due to the absorption of the reflected laser beam 10A can be suppressed.

【0015】レーザビーム10の中心軸は、時間的なゆ
らぎを持っている。部分遮蔽板3が配置されていない場
合には、このゆらぎのために、処理基板2の表面内にお
けるレーザビーム10の照射位置が、ある幅で変動す
る。部分遮蔽板3を配置すると、処理基板2の表面上の
照射位置は、ほぼスリット3Aの位置によって規定され
る。処理基板2の表面に平行な仮想平面内の位置に関
し、部分遮蔽板3の位置安定性を、レーザビーム10の
中心軸の位置安定性よりも高くすることにより、レーザ
ビーム10の照射位置の安定性(ポインティングスタビ
リティ)を高めることができる。例えば、部分遮蔽板3
を配置しないときの処理基板2の表面におけるレーザビ
ーム10の幅(図の横方向の幅)が約0.6mmである
場合、スリット3Aの幅を約0.4mmとする。
The center axis of the laser beam 10 has a temporal fluctuation. When the partial shielding plate 3 is not provided, the irradiation position of the laser beam 10 in the surface of the processing substrate 2 fluctuates by a certain width due to the fluctuation. When the partial shielding plate 3 is arranged, the irradiation position on the surface of the processing substrate 2 is substantially defined by the position of the slit 3A. By making the position stability of the partial shielding plate 3 higher than the position stability of the center axis of the laser beam 10 with respect to the position in the virtual plane parallel to the surface of the processing substrate 2, the irradiation position of the laser beam 10 is stabilized. (Pointing stability) can be improved. For example, the partial shielding plate 3
When the width (width in the horizontal direction in the drawing) of the laser beam 10 on the surface of the processing substrate 2 is not about 0.6 mm, the width of the slit 3A is about 0.4 mm.

【0016】通常、レーザビーム10は、そのビーム断
面内に関して光強度分布を持っている。スリット3Aの
幅を大きくし過ぎると、レーザビーム10の中心軸がゆ
らいだときに、光強度分布の裾の部分がスリット3Aを
通過するようになる。この場合、処理基板2の表面に到
達するレーザビームの強度が低下してしまう。
Normally, the laser beam 10 has a light intensity distribution within the beam cross section. If the width of the slit 3A is too large, when the central axis of the laser beam 10 fluctuates, the foot of the light intensity distribution passes through the slit 3A. In this case, the intensity of the laser beam reaching the surface of the processing substrate 2 decreases.

【0017】レーザビーム10の中心軸がゆらいだとき
の、処理基板2の表面を照射する光強度の低下を抑制す
るためには、スリット3Aの幅を狭くしておくことが好
ましい。具体的には、レーザビーム10の中心軸の位置
がゆらいだとき、レーザビーム10のうち部分遮蔽板3
を透過するレーザビームのビーム断面の最外周部の光強
度(エネルギ密度、単位mJ/cm2 )が、レーザビー
ム10の最大光強度の90%以上となるような幅とする
ことが好ましい。
In order to suppress a decrease in the intensity of light irradiating the surface of the processing substrate 2 when the center axis of the laser beam 10 fluctuates, it is preferable to narrow the width of the slit 3A. Specifically, when the position of the central axis of the laser beam 10 fluctuates, the partial shielding plate 3
It is preferable that the light intensity (energy density, unit: mJ / cm 2 ) at the outermost periphery of the beam cross section of the laser beam passing through the laser beam is 90% or more of the maximum light intensity of the laser beam 10.

【0018】干渉性の強いレーザ光の一部をスリットで
遮蔽すると干渉現象が現れるが、エキシマレーザ光の干
渉性は低いため、干渉現象による影響は問題にならない
であろう。
When a part of the laser light having high coherence is shielded by the slit, an interference phenomenon appears. However, since the coherence of the excimer laser light is low, the influence of the interference phenomenon will not be a problem.

【0019】レーザビーム10をパルス的に照射しなが
ら、処理基板2を、ビーム断面の長尺方向に交差する方
向(図1の横方向)に移動させることにより、処理基板
2の広い領域にレーザビームを照射することができる。
1ショットごとのレーザビームの照射位置の変動を少な
くできるため、処理基板2の表面内の照射量のばらつき
を抑制することができる。
By moving the processing substrate 2 in a direction (horizontal direction in FIG. 1) intersecting the long direction of the beam cross section while irradiating the laser beam 10 in a pulsed manner, the laser A beam can be irradiated.
Since the variation in the irradiation position of the laser beam for each shot can be reduced, the variation in the irradiation amount on the surface of the processing substrate 2 can be suppressed.

【0020】次に、図2を参照して、図1のレーザビー
ム10を形成するビームホモジナイザの構成及び作用に
ついて説明する。ビームホモジナイザに入射する光線束
の光軸に平行なz軸を有するxyz直交座標系を考え
る。図2(A)は、yz面に平行な断面図、図2(B)
は、xz面に平行な断面図を示す。
Next, the configuration and operation of the beam homogenizer that forms the laser beam 10 of FIG. 1 will be described with reference to FIG. Consider an xyz rectangular coordinate system having a z-axis parallel to the optical axis of a light beam incident on a beam homogenizer. FIG. 2A is a cross-sectional view parallel to the yz plane, and FIG.
Shows a sectional view parallel to the xz plane.

【0021】図2(A)に示すように、等価な7本のシ
リンドリカルレンズの母線方向が各々x軸方向を向き、
かつy軸方向に配列し、xy面に平行な仮想平面に沿っ
たシリンダアレイ15Aと15Bが構成されている。シ
リンダアレイ15A及び15Bの各シリンドリカルレン
ズの光軸面はxz面に平行であり、円柱面の母線はx軸
に平行である。ここで、光軸面とは、シリンドリカルレ
ンズの面対称な結像系の対称面のことを意味する。シリ
ンダアレイ15Aは光の入射側(図の左方)に配置さ
れ、シリンダアレイ15Bは出射側(図の右方)に配置
されている。
As shown in FIG. 2A, the generatrix directions of seven equivalent cylindrical lenses are respectively oriented in the x-axis direction.
The cylinder arrays 15A and 15B are arranged in the y-axis direction and along a virtual plane parallel to the xy plane. The optical axis plane of each cylindrical lens of the cylinder arrays 15A and 15B is parallel to the xz plane, and the generatrix of the cylindrical surface is parallel to the x axis. Here, the optical axis plane means a plane of symmetry of a plane-symmetric imaging system of a cylindrical lens. The cylinder array 15A is arranged on the light incident side (left side in the figure), and the cylinder array 15B is arranged on the light outgoing side (right side in the figure).

【0022】図2(B)に示すように、等価な7本のシ
リンドリカルレンズの母線方向が各々y軸方向を向き、
かつx軸方向に配列し、xy面に平行な仮想平面に沿っ
たシリンダアレイ16Aと16Bが構成されている。シ
リンダアレイ16A及び16Bの各シリンドリカルレン
ズの光軸面はyz面に平行であり、円柱面の母線はy軸
に平行である。シリンダアレイ16Aはシリンダアレイ
15Aの前方(図の左方)に配置され、シリンダアレイ
16Bはシリンダアレイ15Aと15Bとの間に配置さ
れている。シリンダアレイ15Aと15Bの対応するシ
リンドリカルレンズの光軸面は一致し、シリンダアレイ
16Aと16Bの対応するシリンドリカルレンズの光軸
面も一致する。
As shown in FIG. 2B, the generatrix directions of the equivalent seven cylindrical lenses are respectively oriented in the y-axis direction.
Cylinder arrays 16A and 16B are arranged in the x-axis direction and along an imaginary plane parallel to the xy plane. The optical axis plane of each cylindrical lens of the cylinder arrays 16A and 16B is parallel to the yz plane, and the generatrix of the cylindrical surface is parallel to the y axis. The cylinder array 16A is arranged in front of the cylinder array 15A (left side in the figure), and the cylinder array 16B is arranged between the cylinder arrays 15A and 15B. The optical axis planes of the corresponding cylindrical lenses of the cylinder arrays 15A and 15B match, and the optical axis planes of the corresponding cylindrical lenses of the cylinder arrays 16A and 16B also match.

【0023】シリンダアレイ15Bの後方に、収束レン
ズ19が配置されている。収束レンズ19の光軸は、z
軸に平行である。
A converging lens 19 is arranged behind the cylinder array 15B. The optical axis of the converging lens 19 is z
Parallel to the axis.

【0024】図2(A)を参照して、yz面内に関する
光線束の伝搬の様子を説明する。yz面内においては、
シリンダアレイ16A及び16Bは単なる平板であるた
め、光線束の収束、発散に影響を与えない。シリンダア
レイ16Aの左方からz軸に平行な光軸を有する平行光
線束17がシリンダアレイ16Aに入射する。平行光線
束17は、例えば曲線21yで示すように、中央部分で
強く周辺部分で弱い光強度分布を有する。
Referring to FIG. 2A, the state of propagation of a light beam in the yz plane will be described. In the yz plane,
Since the cylinder arrays 16A and 16B are simply flat plates, they do not affect the convergence and divergence of the light beam. A parallel light beam 17 having an optical axis parallel to the z-axis is incident on the cylinder array 16A from the left side of the cylinder array 16A. The parallel light beam 17 has a light intensity distribution that is strong at the central portion and weak at the peripheral portion, as shown by a curve 21y, for example.

【0025】平行光線束17がシリンダアレイ16Aを
透過し、シリンダアレイ15Aに入射する。入射光線束
は、シリンダアレイ15Aにより各シリンドリカルレン
ズに対応した7つの収束光線束に分割される。図2
(A)では、中央と両端の光線束のみを代表して示して
いる。7つの収束光線束は、それぞれ曲線21ya〜2
1ygで示す光強度分布を有する。シリンダアレイ15
Aによって収束された光線束は、シリンダアレイ15B
により再度収束される。
The parallel light beam 17 passes through the cylinder array 16A and enters the cylinder array 15A. The incident light beam is divided into seven convergent light beams corresponding to each cylindrical lens by the cylinder array 15A. FIG.
(A) shows only the light beams at the center and both ends as representatives. The seven convergent ray bundles are respectively represented by curves 21ya-2
It has a light intensity distribution indicated by 1yg. Cylinder array 15
The light beam converged by A is transmitted to the cylinder array 15B.
Converges again.

【0026】シリンダアレイ15Bにより収束した7つ
の収束光線束18は、それぞれ収束レンズ19の前方で
結像する。この結像位置は、収束レンズ19の入射側焦
点よりもレンズに近い。このため、収束レンズ19を透
過した7つの光線束はそれぞれ発散光線束となり、ホモ
ジナイズ面20上において重なる。ホモジナイズ面20
を照射する7つの光線束のy軸方向の光強度分布は、そ
れぞれ光強度分布21ya〜21ygをy軸方向に引き
伸ばした分布に等しい。光強度分布21yaと21y
g、21ybと21yd、21ycと21yeは、それ
ぞれy軸方向に関して反転させた関係を有するため、こ
れらの光線束を重ね合わせた光強度分布は、実線22y
で示すように均一な分布に近づく。
The seven converging light beams 18 converged by the cylinder array 15B form an image in front of the converging lens 19 respectively. This image forming position is closer to the lens than the focal point on the incident side of the converging lens 19. Therefore, the seven light beams transmitted through the converging lens 19 become divergent light beams, respectively, and overlap on the homogenizing surface 20. Homogenized surface 20
The light intensity distributions in the y-axis direction of the seven light beams that irradiate are equal to the distributions obtained by extending the light intensity distributions 21ya to 21yg in the y-axis direction. Light intensity distributions 21ya and 21y
Since g, 21yb and 21yd, and 21yc and 21ye have respective inverted relations with respect to the y-axis direction, the light intensity distribution obtained by superimposing these light beams is represented by a solid line 22y.
Approach a uniform distribution as indicated by.

【0027】図2(B)を参照して、xz面内に関する
光線束の伝搬の様子を説明する。xz面内においては、
シリンダアレイ15A及び15Bは単なる平板であるた
め、光線束の収束、発散に影響を与えない。平行光線束
17がシリンダアレイ16Aに入射する。平行光線束1
7は、例えば曲線21xで示すように、中央部分で強く
周辺部分で弱い光強度分布を有する。
Referring to FIG. 2B, the state of propagation of a light beam in the xz plane will be described. In the xz plane,
Since the cylinder arrays 15A and 15B are simply flat plates, they do not affect the convergence and divergence of the light beam. The parallel light beam 17 is incident on the cylinder array 16A. Parallel ray bundle 1
7 has a light intensity distribution which is strong at the center and weak at the periphery as shown by a curve 21x, for example.

【0028】平行光線束17がシリンダアレイ16Aに
より各シリンドリカルレンズに対応した7つの収束光線
束に分割される。図1(B)では、中央と両端の光線束
のみを代表して示している。7つの収束光線束は、それ
ぞれ曲線21xa〜21xgで示す光強度分布を有す
る。
The parallel light beam 17 is divided by the cylinder array 16A into seven convergent light beams corresponding to each cylindrical lens. FIG. 1B shows only the light beams at the center and both ends as representatives. Each of the seven convergent light beams has a light intensity distribution indicated by curves 21xa to 21xg.

【0029】各光線束は、シリンダアレイ16Bの前方
で結像し、発散光線束となってシリンダアレイ16Bに
入射する。シリンダアレイ16Bに入射した各光線束
は、それぞれある出射角を持って出射し、収束レンズ1
9に入射する。
Each ray bundle forms an image in front of the cylinder array 16B, and enters the cylinder array 16B as a divergent ray bundle. Each ray bundle incident on the cylinder array 16B exits at a certain exit angle, and the convergent lens 1
9 is incident.

【0030】収束レンズ19を透過した7つの光線束は
それぞれ収束光線束となり、ホモジナイズ面20上にお
いて重なる。ホモジナイズ面20を照射する7つの光線
束のx軸方向の光強度分布は、図1(A)の場合と同様
に実線22xで示すように均一な分布に近づく。
Each of the seven light beams transmitted through the converging lens 19 becomes a convergent light beam and overlaps on the homogenizing surface 20. The light intensity distribution in the x-axis direction of the seven light beams irradiating the homogenized surface 20 approaches a uniform distribution as shown by a solid line 22x as in the case of FIG.

【0031】ホモジナイズ面20上の光照射領域は、y
軸方向に長く、x軸方向に短い線状の形状を有する。ホ
モジナイズ面20の位置に、図1に示す処理基板2の表
面を配置することにより、その表面内のy軸方向に長い
軸状の領域を、ほぼ均一に照射することができる。
The light irradiation area on the homogenized surface 20 is y
It has a linear shape that is long in the axial direction and short in the x-axis direction. By arranging the surface of the processing substrate 2 shown in FIG. 1 at the position of the homogenized surface 20, it is possible to irradiate a substantially uniform axial region on the surface in the y-axis direction.

【0032】ホモジナイズ面20の前方の位置23に、
図1に示す部分遮蔽板3を配置することにより、ホモジ
ナイズ面20上の光照射領域の位置安定性を高めること
ができる。
At a position 23 in front of the homogenizing surface 20,
By disposing the partial shielding plate 3 shown in FIG. 1, the positional stability of the light irradiation area on the homogenized surface 20 can be improved.

【0033】図2に示すように、光照射領域がy軸方向
に長い線状である場合には、特にx軸方向に関して高い
位置安定性が要求される。この場合、図2(B)に示す
xz面に平行な断面内において、レーザビームの側面近
傍を伝搬するレーザ光を遮蔽することにより、x軸方向
に関する位置安定性を高めることができる。y軸方向に
関して高い位置安定性が求められない場合には、図2
(A)に示すyz面に平行な断面内において、レーザビ
ームの一部を遮蔽しなくてもよい。
As shown in FIG. 2, when the light irradiation area has a long linear shape in the y-axis direction, high position stability is required particularly in the x-axis direction. In this case, in a cross section parallel to the xz plane shown in FIG. 2B, by blocking laser light propagating near the side surface of the laser beam, positional stability in the x-axis direction can be improved. When high positional stability is not required in the y-axis direction, FIG.
In the cross section parallel to the yz plane shown in FIG. 2A, it is not necessary to block a part of the laser beam.

【0034】図2(B)に示すように、収束レンズ19
を透過した各光線束は、xz面内で異なる光路を通り、
ホモジナイズ面20上において重なる。各光線束に対し
て、その側面近傍を伝搬するレーザ光をほぼ均等に遮蔽
するために、各光線束の光路がほぼ重なった位置に、図
1に示す部分遮蔽板3を配置することが好ましい。ま
た、部分遮蔽板3を配置する位置23を、ホモジナイズ
面20に近づけることにより、光照射領域の位置安定性
をより高めることができる。図1において、部分遮蔽板
3と処置基板2との間隔を、スリット3Aの幅の2倍以
下とすることが好ましい。
As shown in FIG. 2B, the converging lens 19
Are transmitted through different optical paths in the xz plane,
Overlap on the homogenized surface 20. In order to almost uniformly shield the laser beam propagating near the side face of each light beam, it is preferable to dispose the partial shielding plate 3 shown in FIG. 1 at a position where the optical paths of each light beam substantially overlap. . In addition, by bringing the position 23 where the partial shielding plate 3 is disposed closer to the homogenized surface 20, the positional stability of the light irradiation area can be further improved. In FIG. 1, it is preferable that the interval between the partial shielding plate 3 and the treatment substrate 2 is not more than twice the width of the slit 3A.

【0035】図3は、図1に示すレーザ照射装置を用い
たレーザアニーリング装置の概略図を示す。レーザアニ
ール装置は、処理チャンバ1、搬送チャンバ52、搬出
入チャンバ53、54、ホモジナイザ42、CCDカメ
ラ58、及びビデオモニタ59を含んで構成される。ホ
モジナイザ42は、図2に示すものと同様の構成を有す
る。
FIG. 3 is a schematic view of a laser annealing apparatus using the laser irradiation apparatus shown in FIG. The laser annealing apparatus includes a processing chamber 1, a transfer chamber 52, loading / unloading chambers 53 and 54, a homogenizer 42, a CCD camera 58, and a video monitor 59. The homogenizer 42 has a configuration similar to that shown in FIG.

【0036】処理チャンバ1には、ベローズ37、結合
部材33、35、リニアガイド機構34及びリニアモー
タ36等を含む直動機構が取り付けられている。以下、
図4を参照して、処理チャンバ1及び直動機構の構成に
ついて説明する。
A linear motion mechanism including a bellows 37, coupling members 33 and 35, a linear guide mechanism 34, a linear motor 36, and the like is attached to the processing chamber 1. Less than,
The configuration of the processing chamber 1 and the linear motion mechanism will be described with reference to FIG.

【0037】図4(A)は、処理チャンバ1及び直動機
構の概略平断面図を示し、図4(B)は、図4(A)の
一点鎖線B1−B1における概略断面図を示す。なお、
図4(A)は、図4(B)の一点鎖線A1−A1におけ
る断面に相当する。
FIG. 4A is a schematic plan sectional view of the processing chamber 1 and the linear motion mechanism, and FIG. 4B is a schematic sectional view taken along a dashed line B1-B1 of FIG. 4A. In addition,
FIG. 4A corresponds to a cross section taken along dashed-dotted line A1-A1 in FIG.

【0038】内部を真空排気可能な処理容器1の内部空
洞内に、駆動用支軸32A及び32Bが相互に平行に配
置されている。駆動用支軸32A及び32Bの各々の両
端は、処理容器1の側壁を貫通して外部まで導出されて
いる。
Driving support shafts 32A and 32B are arranged in parallel with each other in an internal cavity of the processing container 1 capable of evacuating the inside. Both ends of each of the driving support shafts 32 </ b> A and 32 </ b> B extend to the outside through the side wall of the processing container 1.

【0039】駆動用支軸32A及び32Bの対応する一
方の端部は、結合部材33により相互に結合されてい
る。結合部材33は、リニアガイド機構34により駆動
用支軸32A及び32Bの軸方向に移動可能に支持され
ている。
The corresponding one ends of the driving support shafts 32A and 32B are connected to each other by a connecting member 33. The coupling member 33 is supported by a linear guide mechanism 34 so as to be movable in the axial direction of the driving support shafts 32A and 32B.

【0040】駆動用支軸32A及び32Bの他方の端部
は、結合部材35により相互に結合されている。結合部
材35は、リニアモータ36により駆動用支軸32A及
び32Bの軸方向に駆動される。リニアモータ36を駆
動することにより、駆動用支軸32A及び32Bを、そ
の軸方向に並進移動させることができる。
The other ends of the driving support shafts 32A and 32B are connected to each other by a connecting member 35. The coupling member 35 is driven by a linear motor 36 in the axial direction of the driving support shafts 32A and 32B. By driving the linear motor 36, the driving support shafts 32A and 32B can be translated in the axial direction.

【0041】駆動用支軸32A及び32Bの各々の処理
容器1の外に導出された部分には、真空ベローズ37が
被せられている。真空ベローズ37の一端は処理容器1
の側壁に取り付けられ、他端は結合部材33または35
に取り付けられている。真空ベローズ37により、処理
容器1の気密性が保たれている。
A portion of each of the driving support shafts 32A and 32B led out of the processing vessel 1 is covered with a vacuum bellows 37. One end of the vacuum bellows 37 is the processing vessel 1
The other end is attached to the side of the connecting member 33 or 35
Attached to. The airtightness of the processing container 1 is maintained by the vacuum bellows 37.

【0042】処理容器1内に保持台14が配置されてい
る。保持台14は、駆動用支軸32A及び32Bに固定
されている。保持台14の上面に複数本のピン38が突
出しており、アニール処理される基板2がピン38の上
に載置される。保持台14の内部にヒータ39が埋め込
まれており、保持台14を加熱することができる。保持
台14からの熱輻射等により基板2が加熱される。処理
容器1の上面に石英窓8が設けられており、石英窓8を
通して処理容器1内にレーザ光が導入される。リニアモ
ータ36を駆動して駆動用支軸32A及び32Bをその
軸方向に移動させることにより、処理容器1内で基板2
を並進移動させることができる。
A holding table 14 is arranged in the processing container 1. The holding table 14 is fixed to the driving support shafts 32A and 32B. A plurality of pins 38 project from the upper surface of the holding table 14, and the substrate 2 to be annealed is placed on the pins 38. A heater 39 is embedded in the holding table 14 so that the holding table 14 can be heated. The substrate 2 is heated by heat radiation from the holding table 14 or the like. A quartz window 8 is provided on the upper surface of the processing chamber 1, and laser light is introduced into the processing chamber 1 through the quartz window 8. By driving the linear motor 36 to move the driving support shafts 32A and 32B in the axial direction, the substrate 2
Can be translated.

【0043】図3に戻って、レーザアニーリング装置に
ついて説明する。処理チャンバ1と搬送チャンバ52が
ゲートバルブ55を介して結合され、搬送チャンバ52
と搬出入チャンバ53、及び搬送チャンバ52と搬出入
チャンバ54が、それぞれゲートバルブ56及び57を
介して結合されている。処理チャンバ1、搬出入チャン
バ53及び54には、それぞれ真空ポンプ61、62及
び63が取り付けられ、各チャンバの内部を真空排気す
ることができる。
Returning to FIG. 3, the laser annealing apparatus will be described. The processing chamber 1 and the transfer chamber 52 are connected via a gate valve 55, and the transfer chamber 52
And the transfer chamber 53, and the transfer chamber 52 and the transfer chamber 54 are connected via gate valves 56 and 57, respectively. The processing chamber 1 and the loading / unloading chambers 53 and 54 are provided with vacuum pumps 61, 62 and 63, respectively, so that the inside of each chamber can be evacuated.

【0044】搬送チャンバ52内には、搬送用ロボット
64が収容されている。搬送用ロボット64は、処理チ
ャンバ1、搬出入チャンバ53及び54の各チャンバ相
互間で処理基板を移送する。
A transfer robot 64 is housed in the transfer chamber 52. The transfer robot 64 transfers the processing substrate between the processing chamber 1 and the loading / unloading chambers 53 and 54.

【0045】処理チャンバ1の上面に、レーザ光透過用
の石英窓8が設けられている。パルス発振したエキシマ
レーザ装置41から出力されたレーザビームがアッテネ
ータ46を通ってホモジナイザ42に入力する。ホモジ
ナイザ42は、レーザビームの断面形状を細長い形状に
する。ホモジナイザ42を通過したレーザビームは、レ
ーザ光の断面形状に対応した細長い石英窓8を透過し、
図1に示す部分遮蔽板3に入射する。部分遮蔽板3を透
過した一部のレーザビームが、処理チャンバ1内の基板
を照射する。基板の表面がホモジナイズ面に一致するよ
うに、ホモジナイザ42と基板との相対位置が調節され
ている。
A quartz window 8 for transmitting a laser beam is provided on the upper surface of the processing chamber 1. The laser beam output from the excimer laser device 41 having pulsed oscillation enters the homogenizer 42 through the attenuator 46. The homogenizer 42 makes the cross section of the laser beam into an elongated shape. The laser beam that has passed through the homogenizer 42 passes through an elongated quartz window 8 corresponding to the cross-sectional shape of the laser light,
The light enters the partial shielding plate 3 shown in FIG. A part of the laser beam transmitted through the partial shielding plate 3 irradiates the substrate in the processing chamber 1. The relative position between the homogenizer 42 and the substrate is adjusted so that the surface of the substrate coincides with the homogenized surface.

【0046】基板は、図4で説明した直動機構により石
英窓8の長軸方向に直交する向きに並進移動する。1シ
ョット分の照射領域の一部が前回のショットにおける照
射領域の一部と重なるような速さで基板を移動すること
により、基板表面の広い領域を照射することができる。
基板表面はCCDカメラ58により撮影され、処理中の
基板表面をビデオモニタ59で観察することができる。
The substrate is translated by the linear motion mechanism described with reference to FIG. By moving the substrate at such a speed that part of the irradiation area for one shot overlaps part of the irradiation area in the previous shot, a large area on the substrate surface can be irradiated.
The substrate surface is photographed by the CCD camera 58, and the substrate surface being processed can be observed on the video monitor 59.

【0047】エキシマレーザ装置41、ホモジナイザ4
2、搬送用ロボット64、ゲートバルブ55〜57、及
びリニアモータ36の動作は、制御装置65によって制
御される。
Excimer laser device 41, homogenizer 4
2. The operations of the transfer robot 64, the gate valves 55 to 57, and the linear motor 36 are controlled by the control device 65.

【0048】このレーザアニール装置を用いて、ガラス
基板表面に形成されたアモルファスシリコン膜の多結晶
化を行うことができる。図1に示す部分遮蔽板3を配置
することにより、レーザビームの照射位置の安定性を高
めることができるため、基板に照射されたレーザビーム
のエネルギ密度の、面内におけるばらつきを低減させる
ことができる。このため、高品質の多結晶シリコン膜を
得ることが可能になる。
Using this laser annealing apparatus, the amorphous silicon film formed on the surface of the glass substrate can be polycrystallized. By arranging the partial shielding plate 3 shown in FIG. 1, the stability of the irradiation position of the laser beam can be improved, so that the in-plane variation of the energy density of the laser beam irradiated on the substrate can be reduced. it can. Therefore, a high-quality polycrystalline silicon film can be obtained.

【0049】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
The present invention has been described in connection with the preferred embodiments.
The present invention is not limited to these. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理基板表面を照射するレーザビームの位置安定性を高
めることができる。レーザビームを照射しながら、レー
ザビームと処理基板とを相対的に移動させることによ
り、基板表面の広い領域に、ほぼ均一にレーザビームを
照射することが可能になる。
As described above, according to the present invention,
The position stability of the laser beam that irradiates the processing substrate surface can be improved. By relatively moving the laser beam and the processing substrate while irradiating the laser beam, it becomes possible to irradiate the laser beam almost uniformly over a wide area of the substrate surface.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例によるレーザ照射装置の概略断
面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a laser irradiation apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】ホモジナイザの断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a homogenizer.

【図3】図1に示すレーザ照射装置を使用したレーザア
ニーリング装置の概略図である。
FIG. 3 is a schematic view of a laser annealing apparatus using the laser irradiation apparatus shown in FIG.

【図4】図3に示すレーザアニーリング装置に使用して
いる直動機構の断面図である。
4 is a sectional view of a linear motion mechanism used in the laser annealing device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 処理容器 2 処理基板 3 部分遮蔽板 4 連結部材 5 垂直駆動機構 6 ベローズ 7 開口 8 石英窓 9 Oリング 10 レーザビーム 11 光吸収部材 12 冷媒流路 14 保持台 15A、15B、16A、16B シリンダアレイ 17、18 光線束 19 収束レンズ 20 ホモジナイズ面 21、22 光強度分布 32A、32B 駆動用支軸 33、35 結合部材 34 リニアガイド機構 36 リニアモータ 37 真空ベローズ 38 ピン 39 ヒータ 41 エキシマレーザ装置 42 ホモジナイザ 46 アッテネータ 52 搬送チャンバ 53、54 搬出入チャンバ 55〜57 ゲートバルブ 58 CCDカメラ 59 ビデオモニタ 61、62、63 真空ポンプ 64 搬送ロボット 65 制御装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing container 2 Processing board 3 Partial shielding plate 4 Connecting member 5 Vertical drive mechanism 6 Bellows 7 Opening 8 Quartz window 9 O-ring 10 Laser beam 11 Light absorption member 12 Refrigerant flow path 14 Holder 15A, 15B, 16A, 16B Cylinder array 17, 18 Ray bundle 19 Converging lens 20 Homogenizing surface 21, 22 Light intensity distribution 32A, 32B Driving spindle 33, 35 Coupling member 34 Linear guide mechanism 36 Linear motor 37 Vacuum bellows 38 Pin 39 Heater 41 Excimer laser device 42 Homogenizer 46 Attenuator 52 Transfer chamber 53, 54 Loading / unloading chamber 55-57 Gate valve 58 CCD camera 59 Video monitor 61, 62, 63 Vacuum pump 64 Transfer robot 65 Control device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 克己 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 田中 広久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 4E068 AH01 CE09 CF02 CF04  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Katsumi Nomura 22-22, Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Sharp Corporation (72) Inventor Hirohisa Tanaka 22-22, Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka F term in the company (reference) 4E068 AH01 CE09 CF02 CF04

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理基板を保持する保持台と、 前記保持台に保持された処理基板の表面に、ある幅を持
った線状のビーム断面を有するレーザビームを照射する
レーザ光学系と、 前記保持台に保持された処理基板の表面上に、該表面か
らある間隔を隔てて配置され、処理基板の表面を照射す
るレーザビームのうち、そのビーム断面の線長方向に沿
った両側の縁の近傍の領域を伝搬するレーザ光を遮蔽す
る部分遮蔽手段とを有するレーザ照射装置。
1. A holding table for holding a processing substrate, a laser optical system for irradiating a surface of the processing substrate held on the holding table with a laser beam having a linear beam cross section having a certain width; On the surface of the processing substrate held by the holding table, disposed at a certain distance from the surface, of the laser beam irradiating the surface of the processing substrate, of the edges on both sides along the line length direction of the beam cross section A partial shielding unit for shielding a laser beam propagating in a nearby region.
【請求項2】 前記保持台に保持された処理基板の表面
に平行な仮想平面内に関し、前記部分遮蔽手段の位置安
定性が、前記レーザビームの中心軸の位置安定性よりも
高い請求項1に記載のレーザ照射装置。
2. The position stability of the partial shielding means in a virtual plane parallel to the surface of the processing substrate held by the holding table is higher than the position stability of the center axis of the laser beam. A laser irradiation apparatus according to claim 1.
【請求項3】 前記レーザビームの中心軸の位置が、前
記部分遮蔽手段に対してある幅のゆらぎを持っており、
前記レーザビームの中心軸の位置が前記ある幅でゆらい
だとき、前記レーザビームのうち前記部分遮蔽手段を透
過する部分のビーム断面の最外周部の光強度が、該レー
ザビームの最大光強度の90%以上となるように前記部
分遮蔽手段が構成されている請求項1または2に記載の
レーザ照射装置。
3. The position of the center axis of the laser beam has a fluctuation of a certain width with respect to the partial shielding means,
When the position of the central axis of the laser beam fluctuates by the certain width, the light intensity of the outermost part of the beam cross section of the portion of the laser beam that passes through the partial shielding means is the maximum light intensity of the laser beam. The laser irradiation apparatus according to claim 1, wherein the partial shielding unit is configured to be 90% or more.
【請求項4】 前記部分遮蔽手段が、前記ビーム断面に
対応したスリットを含む請求項1〜3のいずれかに記載
のレーザ照射装置。
4. The laser irradiation apparatus according to claim 1, wherein the partial shielding unit includes a slit corresponding to the beam cross section.
【請求項5】 さらに、前記レーザビームによって照射
される領域が、前記保持台に保持された処理基板の表面
上で、前記ビーム断面の長尺方向に交差する方向に移動
するように、前記レーザビームの中心軸と前記保持台と
を相対的に移動させる移動機構を有する請求項1〜4の
いずれかに記載のレーザ照射装置。
5. The laser beam irradiation apparatus according to claim 1, wherein a region irradiated by the laser beam moves on a surface of the processing substrate held by the holding table in a direction intersecting a longitudinal direction of the beam cross section. The laser irradiation apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising a moving mechanism that relatively moves a center axis of a beam and the holding table.
【請求項6】 前記部分遮蔽手段の前記スリットの縁が
テーパ状に加工されており、前記レーザビームのうち該
スリットの縁に入射するレーザビームが、入射光軸とは
異なる方向に反射する請求項4または5に記載のレーザ
照射装置。
6. An edge of the slit of the partial shielding means is tapered, and a laser beam of the laser beam incident on the edge of the slit is reflected in a direction different from an incident optical axis. Item 6. The laser irradiation device according to item 4 or 5.
【請求項7】 さらに、前記スリットの縁で反射した反
射レーザビームの光路を遮るように配置され、該反射レ
ーザビームを吸収する光吸収部材を有する請求項6に記
載のレーザ照射装置。
7. The laser irradiation apparatus according to claim 6, further comprising a light absorbing member arranged to block an optical path of the reflected laser beam reflected by the edge of the slit, and to absorb the reflected laser beam.
【請求項8】 さらに、前記光吸収部材を冷却するため
の冷却手段を有する請求項7に記載のレーザ照射装置。
8. The laser irradiation apparatus according to claim 7, further comprising cooling means for cooling said light absorbing member.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1322563C (en) * 2004-01-18 2007-06-20 统宝光电股份有限公司 Laser annealing device for preparing polycrystal system membrance layer and method for forming polycrystal system membrance layer
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