JP3065982B2 - Propagation device for synchrotron radiation - Google Patents
Propagation device for synchrotron radiationInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、シンクロトロン放
射光（ＳＲ光）伝搬装置に関し、特にＳＲ光に、その光
軸に垂直な断面内に関して強度分布を付与するＳＲ光伝
搬装置する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a synchrotron radiation (SR) light propagating device, and more particularly to an SR light propagating device for imparting an intensity distribution to SR light in a cross section perpendicular to the optical axis.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１を参照して、従来のＸ線露光装置の
構成を説明する。なお、図１は、本願実施例の説明にお
いても参照される。2. Description of the Related Art The configuration of a conventional X-ray exposure apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 1 is also referred to in the description of the embodiment of the present application.
【０００３】Ｘ線露光装置は、ＳＲ光発生部１、ＳＲ光
伝搬部１０、及びＸ線ステッパ５０を含んで構成され
る。An X-ray exposure apparatus includes an SR light generator 1, an SR light propagator 10, and an X-ray stepper 50.
【０００４】ＳＲ光発生部１は、真空容器２、及びその
中に形成された電子ビーム周回軌道３を含んで構成され
る。周回軌道３に沿って周回する電子からＳＲ光が放射
される。このＳＲ光が、真空容器２に設けられたビーム
取出口４を通って外部に取り出される。[0004] The SR light generator 1 includes a vacuum vessel 2 and an electron beam orbit 3 formed therein. SR light is emitted from the electrons circling along the orbit 3. This SR light is extracted outside through a beam outlet 4 provided in the vacuum container 2.
【０００５】ＳＲ光伝搬部１０は、入射側真空ダクト１
１、ミラー収納筐体１２、出射側真空ダクト３０を含ん
で構成される。ミラー収納筐体１２には、ＳＲ光の入射
孔１３と出射孔１４が設けられている。入射側真空ダク
ト１１は、ＳＲ光発生部１のビーム取出口４とミラー収
納筐体１２の入射孔１３とを気密に連結する。真空ダク
ト１１内には、真空の遮蔽弁、放射光を遮蔽するシャッ
タ等（図示せず）が配置されている。出射側真空ダクト
３０の入射端が出射孔１４に気密に連結されている。[0005] The SR light propagation unit 10 includes an entrance side vacuum duct 1.
1. Mirror housing 12 and emission side vacuum duct 30 are included. The mirror housing 12 is provided with an entrance hole 13 and an exit hole 14 for SR light. The entrance-side vacuum duct 11 hermetically connects the beam outlet 4 of the SR light generation unit 1 and the entrance hole 13 of the mirror housing 12. In the vacuum duct 11, a vacuum shutoff valve, a shutter for shielding emitted light, and the like (not shown) are arranged. The entrance end of the exit side vacuum duct 30 is airtightly connected to the exit hole 14.
【０００６】ミラー収納筐体１２内に、反射ミラー１５
が収納され、ミラー揺動機構１６によって保持されてい
る。入射孔１３から入射したＳＲ光が、ミラー１５によ
り反射され、出射孔１４を通って出射側真空ダクト３０
内に入射する。ミラー１５は、入射ＳＲ光の中心光軸と
反射点における反射面の法線とを含む入射面が鉛直にな
り、入射中心光軸と反射面とのなす角が約１〜２°、す
なわち入射角が約８９〜８８°になるように配置され
る。In the mirror housing 12, a reflection mirror 15 is provided.
Are stored and held by the mirror swing mechanism 16. The SR light incident from the entrance hole 13 is reflected by the mirror 15, passes through the exit hole 14, and exits the vacuum duct 30 on the exit side.
Incident inside. The mirror 15 has a vertical incident surface including the central optical axis of the incident SR light and the normal to the reflecting surface at the reflection point, and the angle between the incident central optical axis and the reflecting surface is about 1-2 °, ie, the incident angle. The corners are arranged to be about 89-88 °.
【０００７】揺動機構１６は、ミラー１５を、ＳＲ光の
反射点を通り入射面に垂直な回動軸、すなわち水平な回
動軸を揺動中心としてミラー１５を揺動させる。ミラー
１５の揺動により、反射したＳＲ光が上下に振られる。
なお、揺動中心をＳＲ光の反射点とは異なる位置に置い
てもよい。The swing mechanism 16 swings the mirror 15 about a rotation axis passing through the SR light reflection point and perpendicular to the incident surface, that is, a horizontal rotation axis. The swing of the mirror 15 causes the reflected SR light to swing up and down.
The swing center may be located at a position different from the SR light reflection point.
【０００８】出射側真空ダクト３０の出射端に、ベリリ
ウム薄膜からなる出射窓が形成された窓フランジ３７が
気密に取り付けられている。出射側真空ダクト３０内に
入射したＳＲ光は、窓フランジ３７に形成された出射窓
を通って外部に放射される。窓フランジ３７に対向する
位置にＸ線ステッパ５０が配置されている。Ｘ線ステッ
パ５０は、窓フランジ３７から放射されたＳＲ光が照射
される位置に半導体基板５１を保持する。半導体基板５
１の前方に露光マスク５２が保持される。A window flange 37 having an emission window formed of a beryllium thin film is hermetically attached to the emission end of the emission side vacuum duct 30. The SR light that has entered the emission-side vacuum duct 30 is emitted outside through an emission window formed in the window flange 37. An X-ray stepper 50 is arranged at a position facing the window flange 37. The X-ray stepper 50 holds the semiconductor substrate 51 at a position where the SR light emitted from the window flange 37 is irradiated. Semiconductor substrate 5
An exposure mask 52 is held in front of 1.
【０００９】ＳＲ光は、水平方向に関しては全方位に放
射されるが、鉛直方向に関しては約±１ｍｒａｄ程度の
広がりしかない。ミラー１５を揺動させてＳＲ光を上下
に振ることにより、半導体基板５１表面の広い領域にＳ
Ｒ光を照射することができる。The SR light is emitted in all directions in the horizontal direction, but only spreads about ± 1 mrad in the vertical direction. By oscillating the mirror 15 and swinging the SR light up and down, the S
R light can be emitted.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ＳＲ光は、水平方向に
発散する。このＳＲ光を水平方向に関して収束し平行光
線束に変えることにより、光源から放射されたＳＲ光の
利用効率を高めることができる。Ｘ線露光を行う場合に
は、Ｘ線の強度を強くすることにより、露光時間を短縮
することができる。The SR light diverges in the horizontal direction. By converging the SR light in the horizontal direction and changing it into a parallel light beam, the utilization efficiency of the SR light emitted from the light source can be increased. When performing X-ray exposure, the exposure time can be shortened by increasing the intensity of X-rays.
【００１１】ＳＲ光を水平方向に関して収束するため
に、図１のミラー１５として円筒ミラーまたはトロイダ
ルミラーが用いられる。円筒ミラーまたはトロイダルミ
ラー等により反射されたＳＲ光は、その光軸に垂直な断
面（ビーム断面）においてほぼ円弧に沿った形状を有す
る。従って、露光面へのＳＲ光照射領域の形状も円弧状
になる。照射領域を、この円弧の中央の点を通る半径方
向に移動させることにより、広い領域にＳＲ光を照射す
ることができる。In order to converge the SR light in the horizontal direction, a cylindrical mirror or a toroidal mirror is used as the mirror 15 in FIG. SR light reflected by a cylindrical mirror, a toroidal mirror, or the like has a shape substantially along an arc in a cross section (beam cross section) perpendicular to the optical axis. Therefore, the shape of the SR light irradiation area on the exposure surface also becomes an arc shape. By moving the irradiation area in the radial direction passing through the center point of this arc, a large area can be irradiated with SR light.
【００１２】円弧状の照射領域を、その移動方向に平行
な直線で切った切り口の長さは、照射領域の中央から水
平方向に離れるに従って長くなる。このような照射領域
を、ミラーを揺動させ露光面内において縦方向に移動さ
せると、露光面での露光量は露光された領域の中央から
水平方向に離れるに従って多くなってしまう。このた
め、円弧状の照射領域を有するＳＲ光により露光面を均
一に露光することは困難であった。[0012] The length of the cut edge obtained by cutting the arc-shaped irradiation region by a straight line parallel to the moving direction becomes longer as the distance from the center of the irradiation region in the horizontal direction increases. When such an irradiation area is moved vertically in the exposure plane by swinging the mirror, the exposure amount on the exposure plane increases as the distance from the center of the exposed area in the horizontal direction increases. For this reason, it has been difficult to uniformly expose the exposed surface with SR light having an arc-shaped irradiation region.
【００１３】本発明の目的は、露光領域内の露光量の分
布を均一に近づけることができるシンクロトロン放射光
伝搬装置を提供することである。An object of the present invention is to provide a synchrotron radiation light propagation device capable of making the distribution of the exposure amount in the exposure region nearly uniform.
【００１４】[0014]
【００１５】[0015]
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、水平方向に長いビーム断面形状を有するシンクロト
ロン放射光の入射孔と出射孔とが形成された筐体と、前
記筐体内に配置され、シンクロトロン放射光を反射する
ミラーと、前記筐体の出射孔に連結され、前記出射孔か
ら出射したシンクロトロン放射光が伝搬する空洞を画定
するダクトと、前記ダクトの出射端に取り付けられ、シ
ンクロトロン放射光を減衰させて透過させる薄膜であっ
て、シンクロトロン放射光の中心光軸の前記ミラーへの
入射面から該入射面に垂直な方向に離れるに従って、該
薄膜内のシンクロトロン放射光の光路長が長くなるよう
に構成され、シンクロトロン放射光の減衰量を面内に関
して変化させている前記薄膜とを有し、前記ミラーによ
り反射されたシンクロトロン放射光のビーム断面形状が
第１の半径を有する円弧に沿って湾曲しており、前記薄
膜が、該薄膜を透過するシンクロトロン放射光の光軸に
垂直な母線を有する円柱面に沿って湾曲し、該円柱面
が、前記第１の半径の０．８倍以上、かつ１．２倍以下
の第２の半径を有するシンクロトロン放射光伝搬装置が
提供される。According to one aspect of the present invention, there is provided a housing in which an input hole and an output hole of synchrotron radiation having a horizontally long beam cross-sectional shape are formed, and the housing is disposed in the housing. A mirror that reflects the synchrotron radiation, a duct that is connected to the exit hole of the housing, and defines a cavity through which the synchrotron radiation emitted from the exit hole propagates, and is attached to an exit end of the duct. A thin film that attenuates and transmits the synchrotron radiation, wherein the synchrotron radiation in the thin film decreases as the central optical axis of the synchrotron radiation moves away from the plane of incidence on the mirror in a direction perpendicular to the plane of incidence. A thin film configured to increase the optical path length of light, and changing an amount of attenuation of synchrotron radiation with respect to an in-plane; and a sink reflected by the mirror. The beam cross-sectional shape of the synchrotron radiation is curved along an arc having a first radius, and the thin film is formed along a cylindrical surface having a generating line perpendicular to an optical axis of synchrotron radiation transmitted through the thin film. A synchrotron radiation light propagation device which is curved and has a second radius whose cylindrical surface is 0.8 times or more and 1.2 times or less the first radius is provided.
【００１７】薄膜の透過光路長が場所によって異なるた
め、シンクロトロン放射光の減衰量も異なる。透過光路
長の分布を制御することにより、薄膜を透過したシンク
ロトロン放射光に所望の強度分布を与えることができ
る。特に、シンクロトロン放射光のビーム断面形状と薄
膜の湾曲具合との関係を上述の関係とすることにより、
シンクロトロン放射光の強度を均一に近づけることがで
きる。Since the transmitted light path length of the thin film varies depending on the location, the attenuation of synchrotron radiation varies. By controlling the distribution of the transmitted light path length, a desired intensity distribution can be given to the synchrotron radiation transmitted through the thin film. In particular, by setting the relationship between the beam cross-sectional shape of the synchrotron radiation and the degree of curvature of the thin film to the above-described relationship,
The intensity of synchrotron radiation can be made uniform.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例によるＳ
Ｒ光伝搬装置を組み込んだＸ線露光装置の概略を示す。
このＸ線露光装置の概略構成は既に説明したので、ここ
では説明を省略する。なお、実施例によるＳＲ光伝搬装
置は、少なくとも窓フランジ３７において従来例と異な
る構成を有する。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention.
1 schematically shows an X-ray exposure apparatus incorporating an R light propagation device.
Since the schematic configuration of the X-ray exposure apparatus has already been described, the description is omitted here. The SR light propagation device according to the embodiment has a configuration different from the conventional example at least in the window flange 37.
【００１９】図２（Ａ）は、図１に示す出射側真空ダク
ト３０の出射端の平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の一
点鎖線Ｂ２−Ｂ２における断面図、図２（Ｃ）は図２
（Ａ）の矢印Ｃ２に沿って見た側面図を示す。FIG. 2A is a plan view of the exit end of the exit-side vacuum duct 30 shown in FIG. 1, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along dashed-dotted line B2-B2 of FIG. C) is FIG.
(A) shows a side view as seen along arrow C2.
【００２０】真空ダクト３０の出射端にフランジ３０ａ
が取り付けられている。正方形の開口を有する窓フラン
ジ３７がフランジ３０ａに結合している。フランジ３０
ａと窓フランジ３７との接合面は、Ｏリングにより封止
されている。窓フランジ３７の出射側の面に、その開口
を取り囲むように窓枠３８が溶接されている。A flange 30a is provided at the exit end of the vacuum duct 30.
Is attached. A window flange 37 having a square opening is connected to the flange 30a. Flange 30
The joint surface between a and the window flange 37 is sealed with an O-ring. A window frame 38 is welded to a surface on the emission side of the window flange 37 so as to surround the opening.
【００２１】窓枠３８の出射側の面は、円筒状に加工さ
れている。この円筒面の中心軸は、真空ダクト３０の中
心軸（ダクト内を伝搬するＳＲ光の中心光軸）に直交
し、かつ鉛直面に平行である。ベリリウム薄膜３１が、
窓枠３８の円筒面に溶接または蝋付けにより貼り付けら
れている。ベリリウム薄膜３１は、円筒面に対応して円
筒状に加工されている。なお、平板状のベリリウム薄膜
を、窓枠３８の円筒面に沿って変形させてもよい。ベリ
リウム薄膜３１により、真空ダクト３０内の真空が保た
れる。The exit side surface of the window frame 38 is processed into a cylindrical shape. The central axis of this cylindrical surface is orthogonal to the central axis of the vacuum duct 30 (the central optical axis of the SR light propagating in the duct) and parallel to the vertical plane. Beryllium thin film 31
It is attached to the cylindrical surface of the window frame 38 by welding or brazing. The beryllium thin film 31 is processed into a cylindrical shape corresponding to the cylindrical surface. The flat beryllium thin film may be deformed along the cylindrical surface of the window frame 38. The vacuum in the vacuum duct 30 is maintained by the beryllium thin film 31.
【００２２】次に、図３を参照してベリリウム薄膜３１
を円筒状としたことの作用について説明する。Next, referring to FIG.
The effect of having a cylindrical shape will be described.
【００２３】図３（Ａ）は、図１の半導体基板５１の露
光面のＳＲ光照射領域の形状を示す。露光面内の水平方
向をｘ軸、ＳＲ光の中心光軸とｘ軸との双方に直交する
軸をｙ軸とするｘｙ座標を考える。FIG. 3A shows the shape of the SR light irradiation area on the exposed surface of the semiconductor substrate 51 of FIG. Consider xy coordinates in which the horizontal direction in the exposure plane is the x-axis, and the axis orthogonal to both the central optical axis of the SR light and the x-axis is the y-axis.
【００２４】ＳＲ光照射領域６０（ＳＲ光のビーム断面
に相当）が半径Ｒの円弧状であるとする。照射領域６０
をｙ軸に平行な直線で切った切り口の長さは、座標ｘの
関数になる。このため、照射領域６０をｙ軸方向に一定
速度で移動させたときの露光面内のある点の照射時間
が、座標ｘの関数になる。座標ｘの点の照射時間は、
（１−（ｘ／Ｒ）2 ）-1/2に比例する。It is assumed that the SR light irradiation region 60 (corresponding to the SR light beam cross section) has an arc shape with a radius R. Irradiation area 60
Is cut by a straight line parallel to the y-axis, and is a function of the coordinate x. Therefore, the irradiation time at a certain point on the exposure plane when the irradiation area 60 is moved at a constant speed in the y-axis direction becomes a function of the coordinates x. The irradiation time of the point at the coordinate x is
(1- (x / R) 2 ) is proportional to -1/2 .
【００２５】ベリリウム薄膜に入射する前のＳＲ光のフ
ォトン密度が一定であるとすると、ベリリウム薄膜が無
いと仮定したときの露光面の露光量Ｐx は、Assuming that the photon density of the SR light before entering the beryllium thin film is constant, the exposure amount P x of the exposed surface when there is no beryllium thin film is as follows:
【００２６】[0026]
【数１】 Px =P0 (1-(x/R)2 ) -1/2 …（１） と表される。ここでＰ0 は、ｘ＝０の直線（ｙ軸）上の
ある点における露光量である。P x = P 0 (1− (x / R) 2 ) −1/2 (1) Here, P 0 is the exposure amount at a certain point on the straight line (x-axis) of x = 0.
【００２７】図３（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すベリリウ
ム薄膜３１の円筒面の母線に垂直な平面におけるベリリ
ウム薄膜３１の断面及びＳＲ光の光軸を示す。ベリリウ
ム薄膜３１の膜厚をＴ、その円筒面の曲率半径をｒとす
ると、座標ｘの位置におけるＳＲ光の透過光路長ｔ
x は、FIG. 3B shows a cross section of the beryllium thin film 31 on a plane perpendicular to the generatrix of the cylindrical surface of the beryllium thin film 31 shown in FIG. 2A and the optical axis of SR light. Assuming that the thickness of the beryllium thin film 31 is T and the radius of curvature of the cylindrical surface is r, the transmitted light path length t of the SR light at the position of the coordinate x is t.
x is
【００２８】[0028]
【数２】 tx =T(1-(x/r)2 ) -1/2 …（２） となる。ベリリウム薄膜のＳＲ光吸収係数をμとする
と、ＳＲ光がベリリウム薄膜を透過した場合の露光面の
露光量Ｑx は、T x = T (1− (x / r) 2 ) −1/2 (2) Assuming that the SR light absorption coefficient of the beryllium thin film is μ, the exposure amount Q x of the exposed surface when the SR light passes through the beryllium thin film is:
【００２９】[0029]
【数３】 Qx =Px exp( -μ tx ) …（３） となる。式（１）〜（３）より、Q x = P x exp (-μ t x ) (3) From equations (1) to (3),
【００３０】[0030]
【数４】 Qx =P0(1-(x/R)2) -1/2 exp(-μT(1-(x/r)2 ) -1/2)…（４） が得られる。また、Q x = P 0 (1− (x / R) 2 ) −1/2 exp (−μT (1− (x / r) 2 ) −1/2 ) (4) Also,
【００３１】[0031]
【数５】 Q0 =P0 exp( -μT) …（５） であるから、式（４）及び（５）から、Since Q 0 = P 0 exp (−μT) (5), from equations (4) and (5),
【００３２】[0032]
【数６】 Qx /Q0=(1-(x/R)2) -1/2exp((- μT)((1-(x/r)2 ) -1/2-1)) =(1-(x/R)2) -1/2exp((- μT)((1-(x/kR)2 ) -1/2-1))…（６） が得られる。ここで、Q x / Q 0 = (1- (x / R) 2 ) -1/2 exp ((-μT) ((1- (x / r) 2 ) -1/2 -1)) = (1− (x / R) 2 ) −1/2 exp ((− μT) ((1− (x / kR) 2 ) −1/2 −1)) (6) here,
【００３３】[0033]
【数７】 r=kR …（７） とおいた。[Mathematical formula-see original document] r = kR (7)
【００３４】図４は、式（６）からＱx ／Ｑ0 をｘ／Ｒ
の関数として示したグラフである。図４（Ａ）〜４
（Ｃ）は、それぞれｋを０．８、１．０、１．２とした
場合である。なお、図中の一点鎖線、点線、破線、実線
は、それぞれＱ0 ／Ｐ0 すなわちｅｘｐ（−μＴ）を
０．２、０．４、０．６、及び０．８とした場合を示
す。FIG. 4 shows that from the equation (6), Q x / Q 0 is calculated as x / R
6 is a graph shown as a function of. 4 (A) to 4
(C) is a case where k is set to 0.8, 1.0, and 1.2, respectively. The dashed line, dotted line, broken line, and solid line in the figure show the cases where Q 0 / P 0, that is, exp (−μT) is 0.2, 0.4, 0.6, and 0.8, respectively.
【００３５】Ｑx ／Ｑ0 ＝１の場合、露光面内における
露光量が均一になる。図４（Ａ）〜（Ｃ）のすべての場
合、ｘ／Ｒが小さい領域では、Ｑx ／Ｑ0 が１に近い
が、ｘ／Ｒが増加するに従って１から遠ざかる。ＳＲ光
は一定の範囲内の波長を含んでおり、ベリリウム薄膜の
透過率は波長に依存するが、平均するとＱ0 ／Ｐ0 は
０．４〜０．６の範囲内に存在すると推測される。When Q x / Q 0 = 1, the exposure amount on the exposure surface becomes uniform. 4A to 4C, Q x / Q 0 is close to 1 in a region where x / R is small, but moves away from 1 as x / R increases. The SR light contains a wavelength within a certain range, and the transmittance of the beryllium thin film depends on the wavelength, but on average, it is estimated that Q 0 / P 0 exists in the range of 0.4 to 0.6. .
【００３６】Ｑ0 ／Ｐ0 が０．４〜０．６の範囲内にあ
るとき、ｋ＝０．８では右下がり、ｋ＝１．０ではほぼ
横ばい、ｋ＝１．２では右上がりのグラフになってい
る。従って、ｋを０．８〜１．２の範囲内の値とするこ
とが好ましく、１近傍とすることがより好ましいと考え
られる。When Q 0 / P 0 is in the range of 0.4 to 0.6, the value decreases to the right at k = 0.8, almost remains at k = 1.0, and increases to the right at k = 1.2. It is a graph. Therefore, it is preferable that k is set to a value in the range of 0.8 to 1.2, and it is more preferable that k is set to around 1.
【００３７】上記考察では、露光面内でＳＲ光照射領域
を移動させる過程で、ＳＲ光照射領域の形状が変化せ
ず、かつその形状が円弧に沿うと仮定した。これらの仮
定が厳密には成り立たない場合でも、ｋ値を調整するこ
とにより、露光面内の露光量のばらつきを少なくするこ
とができる。露光領域の形状が円弧に沿わない任意の湾
曲した形状である場合には、この形状に対応してベリリ
ウム薄膜を湾曲させることにより、露光量のばらつきを
少なくすることができるであろう。In the above discussion, it was assumed that the shape of the SR light irradiation area did not change during the process of moving the SR light irradiation area within the exposure plane, and that the shape followed the arc. Even when these assumptions do not hold strictly, by adjusting the k value, it is possible to reduce the variation in the exposure amount on the exposure surface. If the shape of the exposure area is an arbitrary curved shape that does not follow an arc, the beryllium thin film may be curved in accordance with this shape to reduce the variation in the exposure dose.
【００３８】また、図２（Ａ）では、ベリリウム薄膜３
１を真空ダクト３０の内部に向かって凸になるように湾
曲させている。ベリリウム薄膜３１を真空ダクト３０の
外側に向かって凸になるように湾曲させても同様の効果
が得られるであろう。また、ミラーを揺動させてＳＲ光
を振る場合に限らず、ミラーを固定して半導体基板を移
動させる場合にも適用可能である。FIG. 2A shows the beryllium thin film 3.
1 is curved so as to project toward the inside of the vacuum duct 30. A similar effect would be obtained by bending the beryllium thin film 31 so as to be convex toward the outside of the vacuum duct 30. Further, the present invention is not limited to the case where the SR light is shaken by swinging the mirror, but is also applicable to the case where the semiconductor substrate is moved with the mirror fixed.
【００３９】また、上記実施例の基本的考え方は、Ｘ線
露光装置に限らず、ＳＲ光を、その光軸に垂直な断面内
である分布を持って減衰させたい場合にも適用可能であ
る。一方向に分布を持たせたいときには、薄膜を、ＳＲ
光の光軸に垂直な母線からなる柱面に沿って湾曲させれ
ばよい。湾曲の形状を変化させることにより、種々の強
度分布を与えることができる。The basic concept of the above embodiment is not limited to the X-ray exposure apparatus, but is applicable to a case where SR light is to be attenuated with a certain distribution in a cross section perpendicular to the optical axis. . When it is desired to have a distribution in one direction, the thin film should be SR
What is necessary is just to curve along the pillar surface which consists of the generatrix perpendicular to the optical axis of light. By changing the shape of the curve, various intensity distributions can be given.
【００４０】ＳＲ光の、その光軸に垂直な断面における
ビーム形状は、通常、第１の方向に短く、それに直交す
る第２の方向に長い形状を有する。ＳＲ光を減衰させる
材料からなる薄膜をＳＲ光の光路内に配置し、ＳＲ光の
光軸方向及び第２の方向の双方に平行な平面における断
面形状を湾曲させる。薄膜をこのような形状とすると、
第２の方向に関して、場所によって異なる量だけシンク
ロトロン放射光を減衰させることができる。The beam shape of the cross section of the SR light perpendicular to the optical axis is generally short in the first direction and long in the second direction orthogonal to the first direction. A thin film made of a material that attenuates the SR light is disposed in the optical path of the SR light, and a cross-sectional shape in a plane parallel to both the optical axis direction and the second direction of the SR light is curved. When the thin film has such a shape,
With respect to the second direction, the synchrotron radiation can be attenuated by different amounts depending on the location.
【００４１】図３（Ａ）では、ＳＲ光の断面形状が半径
Ｒの円周に沿う場合を説明したが、実際には、ＳＲ光の
照射領域６０がｙ軸方向に移動すると半径Ｒが変化す
る。また、照射領域６０は、近似的に円周に沿っている
と考えられるが、厳密には変曲点のない曲線に沿うと考
えられる。さらには、照射領域６０内のＳＲ光強度（単
位面積当たりの光子数）は一定ではなく、図３（Ａ）に
示す座標ｘの関数になると考えられる。以下、これらを
考慮して、露光量をより均一に近づけることができる他
の実施例について説明する。In FIG. 3A, the case where the cross-sectional shape of the SR light is along the circumference of the radius R has been described, but actually, the radius R changes when the irradiation region 60 of the SR light moves in the y-axis direction. I do. The irradiation region 60 is considered to be approximately along the circumference, but strictly is considered to be along a curve having no inflection point. Furthermore, it is considered that the SR light intensity (the number of photons per unit area) in the irradiation region 60 is not constant, and becomes a function of the coordinate x shown in FIG. In the following, another embodiment in which the exposure amount can be made more uniform in consideration of the above will be described.
【００４２】図５（Ａ）は、他の実施例によるＸ線露光
装置の概略を示す。図５に示すＸ線露光装置の基本的な
構成は、図１に示すＸ線露光装置と同様であり、各構成
部分には、図１のＸ線露光装置の対応する構成部分の参
照符号と同一の参照符号が付されている。以下、図１の
Ｘ線露光装置と異なる構成について説明する。FIG. 5A schematically shows an X-ray exposure apparatus according to another embodiment. The basic configuration of the X-ray exposure apparatus shown in FIG. 5 is the same as that of the X-ray exposure apparatus shown in FIG. 1, and each component is denoted by the reference numeral of the corresponding component of the X-ray exposure apparatus in FIG. The same reference numerals are given. Hereinafter, a configuration different from the X-ray exposure apparatus of FIG. 1 will be described.
【００４３】出射側真空ダクト３０が、真空ベローズ１
７を介して出射孔１４に結合されるとともに、真空ダク
ト駆動機構１８により基台１９に支持されている。真空
ダクト駆動機構１８は、反射ミラー１５の揺動によりＳ
Ｒ光の中心光軸が上下に振られたとき、出射側真空ダク
ト３０とその中を通過するＳＲ光の中心光軸との相対位
置関係が変化しないように出射側真空ダクト３０を揺動
させる。The emission side vacuum duct 30 is a vacuum bellows 1
7, and is supported on a base 19 by a vacuum duct driving mechanism 18. The vacuum duct driving mechanism 18 is driven by
When the center optical axis of the R light is swung up and down, the emission side vacuum duct 30 is swung so that the relative positional relationship between the emission side vacuum duct 30 and the center optical axis of the SR light passing therethrough does not change. .
【００４４】窓フランジ３７に、ベリリウム薄膜３１が
取り付けられている。窓フランジ３７には、図５（Ｂ）
に示すように、円弧状の窓３７ａが形成されている。窓
３７ａの形状は、出射側真空ダクト３０内を伝搬するＳ
Ｒ光のビーム断面の形状に整合している。窓３７ａは、
ベリリウム薄膜３１で塞がれている。ベリリウム薄膜３
１の詳細な構成については、後述する。The beryllium thin film 31 is attached to the window flange 37. As shown in FIG.
As shown in FIG. 7, an arc-shaped window 37a is formed. The shape of the window 37a is such that S
It matches the shape of the beam cross section of the R light. The window 37a
The beryllium thin film 31 is closed. Beryllium thin film 3
The detailed configuration of 1 will be described later.
【００４５】出射側真空ダクト３０とその中を通過する
ＳＲ光の中心光軸との相対位置関係が変化しないため、
ＳＲ光の中心光軸を上下に振っても、ＳＲ光は常に窓３
７ａを通過して出射側真空ダクト３０から外部に出射す
る。Since the relative positional relationship between the exit side vacuum duct 30 and the central optical axis of the SR light passing therethrough does not change,
Even if the center optical axis of the SR light is moved up and down, the SR light is always
The light exits from the exit side vacuum duct 30 through the outlet 7a.
【００４６】図５（Ｂ）に示すベリリウム薄膜３１の面
積は、図２（Ｃ）に示すそれよりも小さい。このため、
出射側真空ダクト３０の内外の圧力差に容易に耐えるこ
とができる。また、以下に説明するように、ベリリウム
薄膜３１の温度上昇を抑制する点においても、図５
（Ｂ）に示す構成の方が有利である。The area of the beryllium thin film 31 shown in FIG. 5B is smaller than that shown in FIG. For this reason,
It can easily withstand a pressure difference between the inside and outside of the emission side vacuum duct 30. Further, as described below, the point that the temperature rise of the beryllium thin film 31 is suppressed is also shown in FIG.
The configuration shown in (B) is more advantageous.
【００４７】ベリリウム薄膜３１は、ＳＲ光の長波長成
分を吸収するフィルタの役目を果たす。ベリリウム薄膜
３１で吸収されるＳＲ光のエネルギは、ＳＲ光の全エネ
ルギの約５０％である。ＳＲ光の吸収によりベリリウム
薄膜３１内で発熱が生ずる。この熱は、窓フランジ３７
への熱伝導、ベリリウム薄膜３１からの輻射、及びベリ
リウム薄膜３１に接する外気の対流により放散される。The beryllium thin film 31 functions as a filter for absorbing a long wavelength component of the SR light. The energy of the SR light absorbed by the beryllium thin film 31 is about 50% of the total energy of the SR light. Heat is generated in the beryllium thin film 31 due to absorption of the SR light. This heat is applied to the window flange 37
Heat, radiation from the beryllium thin film 31, and convection of the outside air in contact with the beryllium thin film 31.
【００４８】ベリリウム薄膜３１の温度が２５０℃以上
になると、その強度が著しく低下する。出射側真空ダク
ト３０の内外の圧力差に耐えるためには、ベリリウム薄
膜３１の温度を２５０℃以下に保持しておくことが好ま
しい。この温度領域における熱の放散に関しては、窓フ
ランジ３７への熱伝導が支配的となる。図５（Ｂ）に示
すように、窓３７ａの面積を小さくし、しかも細長くす
ることにより、熱伝導効率を高めることができ、ベリリ
ウム薄膜３１の温度上昇を抑制することができる。When the temperature of the beryllium thin film 31 becomes 250 ° C. or higher, its strength is remarkably reduced. In order to withstand the pressure difference between the inside and outside of the emission side vacuum duct 30, it is preferable to keep the temperature of the beryllium thin film 31 at 250 ° C. or less. Regarding heat dissipation in this temperature range, heat conduction to the window flange 37 is dominant. As shown in FIG. 5B, by reducing the area of the window 37a and elongating the window 37a, the heat conduction efficiency can be increased and the temperature rise of the beryllium thin film 31 can be suppressed.
【００４９】次に、半導体基板５１の表面の露光量の面
内に関する均一性について考察する。Next, the in-plane uniformity of the exposure amount on the surface of the semiconductor substrate 51 will be considered.
【００５０】図６（Ａ）は、半導体基板５１の表面に照
射されるＳＲ光の強度分布を示す。長方形ＡＢＣＤは、
露光すべき領域の半分を表し、直線ＡＤがその領域の中
心線を表す。線分ＡＤの中点をＧ、線分ＢＣの中点をＨ
とする。露光面内に、直線ＧＨをｘ軸、直線ＤＡをｙ
軸、露光面の法線方向をｚ軸とするｘｙｚ直交座標系を
考える。ｘ軸方向に長いビーム断面形状を有するＳＲ光
が、露光面を点Ｄから点Ａに向かってｙ軸方向に走査す
ることにより、長方形ＡＢＣＤ内の領域を露光する。FIG. 6A shows the intensity distribution of the SR light applied to the surface of the semiconductor substrate 51. The rectangular ABCD is
It represents half of the area to be exposed and the straight line AD represents the center line of that area. G is the midpoint of line segment AD, and H is the midpoint of line segment BC
And Within the exposure plane, the straight line GH is the x-axis, and the straight line DA is the
Consider an xyz rectangular coordinate system in which the axis and the normal direction of the exposure surface are the z-axis. By scanning the exposure surface in the y-axis direction from point D to point A in the y-axis direction, the SR light having a beam cross-sectional shape long in the x-axis direction exposes an area in the rectangular ABCD.
【００５１】ｚ軸が、露光面を照射するＳＲ光の強度を
表すとすると、走査開始時点、露光領域をほぼ半分走査
した時点、及び走査終了時点におけるＳＲ光の強度分布
が、それぞれ曲面Ｐ1 、Ｐ2 、及びＰ3 で表される。各
曲面Ｐ1 〜Ｐ3 により画定される立体形状は、ｘｚ面に
平行に立てかけた壁をｚ軸に平行な直線の回りにやや湾
曲させたもので表すことができる。この壁の湾曲度及び
高さは、図５（Ａ）に示す反射ミラー１５の形状、ＳＲ
光と反射ミラー１５との幾何学的配置、ベリリウム薄膜
３１の厚さ等によって規定される。なお、反射ミラー１
５の揺動角速度は一定とする。Assuming that the z-axis represents the intensity of the SR light irradiating the exposure surface, the intensity distribution of the SR light at the scan start time, at the time when the exposure area is almost half scanned, and at the scan end time are respectively the curved surface P 1. , P 2 , and P 3 . The three-dimensional shape defined by each of the curved surfaces P 1 to P 3 can be represented by a wall standing upright in parallel to the xz plane and slightly curved around a straight line parallel to the z-axis. The curvature and height of this wall are determined by the shape of the reflection mirror 15 shown in FIG.
It is defined by the geometrical arrangement of the light and the reflection mirror 15, the thickness of the beryllium thin film 31, and the like. In addition, the reflection mirror 1
The swing angular velocity of No. 5 is constant.
【００５２】図６（Ｂ）は、ＳＲ光が露光面を１回走査
したときの長方形ＡＢＣＤ内の露光量の分布を示す。曲
面Ａ’Ｂ’Ｈ’Ｃ’Ｄ’Ｇ’上の各点のｘｙ平面からの
高さが、その位置における露光量を表す。例えば、点Ａ
における露光量は、線分ＡＡ’の長さで表される。FIG. 6B shows the distribution of the exposure amount in the rectangular ABCD when the SR light scans the exposure surface once. The height of each point on the curved surface A'B'H'C'D'G 'from the xy plane represents the exposure at that position. For example, point A
Is represented by the length of the line segment AA ′.
【００５３】図５（Ａ）に示す電子周回軌道３から放射
されたＳＲ光は、水平方向に大きく広がり、垂直方向に
わずかに広がる。反射ミラー１５へ入射するＳＲ光の中
心光軸と電子周回軌道３との接点が、ＳＲ光の光源と考
えられる。この光源を中心とし、ＳＲ光の中心光軸に対
して水平方向になす角をθx 、垂直方向になす角をθ y
とする。反射ミラー１５の基準位置からの揺動角をφと
する。例えば、ＳＲ光の中心光軸が露光面の中央の点Ｇ
を通過する時にφ＝０とする。揺動角φが変化すると、
ＳＲ光の入射角が変化し、図６（Ａ）において、ＳＲ光
の強度を表す湾曲した壁がｙ軸方向に移動する。揺動角
φを固定させたとき、例えばＳＲ光が曲面Ｐ1 に相当す
る領域を照射しているとき、角θx は、曲面Ｐ1 の稜線
をｘｙ平面に垂直投影した曲線の方向に相当し、角θy
は、その曲線に直交する方向に相当する。なお、曲面Ｐ
2 及びＰ3 の位置においても、それぞれθx 方向及びθ
y方向が定義される。揺動角φ、角θx 及びθy が決ま
れば、露光面上の座標（ｘ，ｙ）及びその点のＳＲ光強
度Ｐが一意に決まる。従って、ｘ、ｙ、及びＰは、下記
のように表すことができる。Emitted from the electron orbit 3 shown in FIG.
SR light spreads greatly in the horizontal direction and
Spread slightly. In the SR light incident on the reflection mirror 15
The contact point between the optical axis of the core and the electron orbit 3 is considered as the SR
available. With this light source as the center, the center of the SR
The angle in the horizontal directionx, The angle in the vertical direction is θ y
And The swing angle of the reflection mirror 15 from the reference position is φ.
I do. For example, the center optical axis of the SR light is the point G at the center of the exposure surface.
Is set to φ = 0 when passing through. When the swing angle φ changes,
The incident angle of the SR light changes, and in FIG.
Moves in the y-axis direction. Swing angle
When φ is fixed, for example, the SR light1Equivalent to
The angle θxIs a curved surface P1Ridgeline
Corresponds to the direction of the curve perpendicularly projected on the xy plane, and the angle θy
Corresponds to the direction orthogonal to the curve. Note that the curved surface P
TwoAnd PThreeAt the positionxDirection and θ
yThe direction is defined. Swing angle φ, angle θxAnd θyDecided
Then, the coordinates (x, y) on the exposure surface and the SR light intensity
The degree P is uniquely determined. Thus, x, y, and P are:
Can be expressed as
【００５４】[0054]
【数８】 x= Fx ( θx , θy , φ) y= Fy ( θx , θy , φ) P= FP ( θx , θy , φ) …(8) ある時点の露光面上のＳＲ光の強度分布を示す図６
（Ａ）の曲面Ｐ1 〜Ｐ3 とθx 方向に垂直な平面との交
線は、一般にガウス分布曲線で近似できる。ここで、今
後の解析を容易にするために、曲面Ｐ1 〜Ｐ3 の各々で
画定される湾曲した壁を、θx によらず一様の厚さを有
する長方形断面の壁と仮定し、その長方形断面の面積
を、その断面位置θx におけるガウス分布の積分値と仮
定する。壁の厚さをＷ、高さをＨ（θx ，φ）とする
と、X = F x (θ x , θ y , φ) y = F y (θ x , θ y , φ) P = F P (θ x , θ y , φ)… (8) FIG. 6 showing the intensity distribution of SR light on the exposure surface
Line of intersection of a curved surface P 1 to P 3 and theta x-direction perpendicular to the plane of the (A) can be generally approximated by a Gaussian distribution curve. Here, in order to facilitate future analysis, it is assumed that a curved wall defined by each of the curved surfaces P 1 to P 3 is a wall having a rectangular cross section having a uniform thickness regardless of θ x , the area of the rectangular cross-section, it is assumed that the integrated value of Gaussian distribution at the cross-sectional position theta x. Assuming that the wall thickness is W and the height is H (θ x , φ),
【００５５】[0055]
【数９】 W ×H(θx , φ)=∫ FP ( θx , θy , φ)dθy …(9) と表される。Equation 9] W × H (θ x, φ ) = ∫ F P (θ x, θ y, φ) are represented d [theta] y ... (9).
【００５６】図７は、上述の仮定を置いた場合の、図６
（Ａ）に相当するグラフを表す。図６（Ａ）の曲面Ｐ1
〜Ｐ3 により画定される壁が、図７では、厚さＷが一様
な長方形断面を有する壁Ｐ1 〜Ｐ3 に置き代わってい
る。図７において、ある時点におけるＳＲ光の照射領域
を、その時のＳＲ光の強度分布を表す壁の中心線（θy
＝０に相当する線）で代表させて考える。このとき、あ
る時点のＳＲ光の強度は、ｘとφのみの関数となる。従
って、ＳＲ光の強度Ｐは、FIG. 7 shows the results of FIG.
3 shows a graph corresponding to (A). The curved surface P 1 in FIG.
Wall defined by to P 3 is, in FIG. 7, instead placed in the wall P 1 to P 3 having a thickness W has a uniform rectangular cross-section. In FIG. 7, the irradiation area of the SR light at a certain time is represented by the center line (θ y) of the wall representing the intensity distribution of the SR light at that time.
= 0). At this time, the intensity of the SR light at a certain time point is a function of only x and φ. Therefore, the intensity P of the SR light is
【００５７】[0057]
【数１０】P=F1(x, φ) …(10) と表される。P = F 1 (x, φ) (10)
【００５８】ｙ軸方向に関するＳＲ光の強度の分布は、
揺動角φの関数として表される。図８は、ｙ軸方向に関
するＳＲ光強度の分布の一例を、点Ｇにおける強度で規
格化して表したグラフである。ｙ軸方向に関してＳＲ光
強度が一定でない場合、反射ミラー１５の揺動角速度
を、揺動角φに応じて変化させることにより、ｙ軸方向
に関する強度分布を均一化することができる。この方法
については、後述する。The distribution of the intensity of the SR light in the y-axis direction is
It is expressed as a function of the swing angle φ. FIG. 8 is a graph showing an example of the SR light intensity distribution in the y-axis direction, normalized by the intensity at point G. When the SR light intensity is not constant in the y-axis direction, the intensity distribution in the y-axis direction can be made uniform by changing the swing angular velocity of the reflection mirror 15 according to the swing angle φ. This method will be described later.
【００５９】図９は、露光すべき領域の中心線ＡＧＤ上
のＳＲ光の強度で規格化したときの、ｘ軸方向に関する
ＳＲ光の強度分布の一例を示す。図中の３本の曲線Ｐ1
〜Ｐ 3 は、それぞれＳＲ光が図７のＰ1 〜Ｐ3 の位置を
照射している場合に対応する。図９は、反射ミラーの集
光特性を示している。集光係数Ｋ1 （ｘ，φ）をFIG. 9 is a view showing the center line AGD of the region to be exposed.
X-axis direction when normalized by the SR light intensity of
4 shows an example of an SR light intensity distribution. Three curves P in the figure1
~ P ThreeMeans that the SR light is P1~ PThreeThe position of
This corresponds to irradiation. FIG. 9 shows a collection of reflection mirrors.
The optical characteristics are shown. Light collection coefficient K1(X, φ)
【００６０】[0060]
【数１１】K1(x, φ)= F1(x,φ)/ F1(0,φ) …(11) と定義する。K 1 (x, φ) = F 1 (x, φ) / F 1 (0, φ) (11)
【００６１】図１０に示すように、ＳＲ光が、半径Ｒの
円弧に沿った幅Ｗの領域を照射し、この領域をｙ軸方向
に走査して露光面全域を露光する場合を考える。露光領
域の座標ｘ（中心角α）の位置を露光するビームのｙ軸
方向の幅は、As shown in FIG. 10, it is assumed that the SR light irradiates an area having a width W along an arc having a radius R, and scans this area in the y-axis direction to expose the entire exposure surface. The width of the beam for exposing the position of the coordinate x (center angle α) of the exposure area in the y-axis direction is
【００６２】[0062]
【数１２】W/cos α …(12) になる。幅Ｗを一定と仮定したので、中心角αの位置に
おける露光量は、中心線上の位置における露光量の(12) W / cos α (12) Since the width W is assumed to be constant, the exposure amount at the position of the center angle α is equal to the exposure amount at the position on the center line.
【００６３】[0063]
【数１３】1/cos α …(13) 倍になる。ビーム断面の中心線（図７のθy ＝０に相当
する線）を曲線ｙ＝ｇ（ｘ，φ）とすると、## EQU13 ## 1 / cos α (13) times. Assuming that a center line of the beam cross section (a line corresponding to θ y = 0 in FIG. 7) is a curve y = g (x, φ),
【００６４】[0064]
【数１４】tan α = dy/dx = (∂/ ∂x)g(x,φ) …(1
4) が成立する。露光領域の中心線（ｘ＝０）上における露
光量を基準としたときの、座標ｘの位置における露光量
Ｋ2 （ｘ，φ）（以下、Ｋ2 を傾斜係数と呼ぶ）は、Tan α = dy / dx = (∂ / ∂x) g (x, φ)… (1
4) holds. The exposure amount K 2 (x, φ) at the position of the coordinate x (hereinafter, K 2 is referred to as a slope coefficient) with reference to the exposure amount on the center line (x = 0) of the exposure area is:
【００６５】[0065]
【数１５】 K2(x, φ) =1/cosα=(1+((∂/ ∂x)g(x,φ))2)1/2 …(15) となる。式（１５）の最右辺は、ビーム断面の中心線が
円弧に沿う場合に限らず、より一般的に変曲点を持たな
い滑らかな曲線に沿う場合にも適用され得る。K 2 (x, φ) = 1 / cosα = (1 + ((∂ / ∂x) g (x, φ)) 2 ) 1/2 (15) The rightmost side of Expression (15) is not limited to the case where the center line of the beam cross section is along a circular arc, and may be applied more generally to a case where the center line of the beam cross section follows a smooth curve having no inflection point.
【００６６】図１１は、式（１５）の一例を示すグラフ
である。図中の３本の曲線Ｐ1 〜Ｐ 3 は、それぞれＳＲ
光が図７のＰ1 〜Ｐ3 の位置を通過する場合に対応す
る。FIG. 11 is a graph showing an example of the equation (15).
It is. Three curves P in the figure1~ P ThreeIs SR
The light is P in FIG.1~ PThreeWhen passing through the position
You.
【００６７】図１２は、露光面を照射するＳＲ光のビー
ム断面の一例を示す。ＳＲ光の照射位置がＰ1 からＰ2
へ移動した場合を考える。照射位置がｙ軸方向に移動す
ると、ビーム断面形状の湾曲率が変化する。従って、露
光領域の中心線（ｘ＝０）上における照射位置の移動量
Ｌo と座標ｘの位置における移動量Ｌx とは異なる。こ
れは、露光位置の移動速度が座標ｘに依存してばらつい
ていることを表している。露光面上の露光量を計算する
にあたって、この移動速度のばらつきを考慮しなければ
ならない。揺動角φがｄφだけ微小変化したときの、露
光領域の中心線（ｘ＝０）上における照射位置の移動量
の微小変化ｄｙ0 は、式（８）から、FIG. 12 shows an example of a beam cross section of the SR light irradiating the exposure surface. The irradiation position of SR light is from P 1 to P 2
Consider the case of moving to. When the irradiation position moves in the y-axis direction, the curvature of the beam cross section changes. Therefore, different from the amount of movement L x at the position of the moving distance L o and the coordinate x of the irradiation position on the center line of the exposure area (x = 0). This indicates that the moving speed of the exposure position varies depending on the coordinate x. In calculating the amount of exposure on the exposure surface, this variation in the moving speed must be considered. When the swing angle φ is slightly changed by dφ, the minute change dy 0 of the movement amount of the irradiation position on the center line (x = 0) of the exposure area is given by Expression (8).
【００６８】[0068]
【数１６】 dy0 =(( ∂/ ∂φ) Fy (0,0, φ) × dφ) …(16) となり、座標ｘの位置における微小変化ｄｙx は、Dy 0 = ((∂ / ∂φ) F y (0,0, φ) × dφ) (16), and a small change dy x at the position of the coordinate x is:
【００６９】[0069]
【数１７】 dyx =((d/dφ)Fy ( θx ,0, φ) × dφ) …(17) となる。変形係数Ｋ3 （ｘ，φ）を、Dy x = ((d / dφ) F y (θ x , 0, φ) × dφ) (17) Deformation coefficient K 3 (x, φ)
【００７０】[0070]
【数１８】K3 (x,φ)=dyx /dy0 …(18) と定義すると、式（１６）〜（１８）から、[Expression 18] K 3 (x, φ) = dy x / dy 0 (18) From the equations (16) to (18),
【００７１】[0071]
【数１９】 K3(x, φ)=( ∂/ ∂φ)Fy ( θx ,0, φ)/(d/dφ)Fy (0,0, φ) …(19) が導き出される。K 3 (x, φ) = (∂ / ∂φ) F y (θ x , 0, φ) / (d / dφ) F y (0,0, φ)… (19) is derived. .
【００７２】図１３は、式（１９）で表される変形係数
の一例を示すグラフである。図中の３本の曲線Ｐ1 〜Ｐ
3 は、それぞれＳＲ光が図７のＰ1 〜Ｐ3 の位置を通過
するときに対応する。FIG. 13 is a graph showing an example of the deformation coefficient represented by the equation (19). The three curves P 1 to P in the figure
3, SR light, each corresponding to when passing through the position of P 1 to P 3 in FIG.
【００７３】上記考察から、露光面内のｘ軸方向に関す
る露光量の分布特性は、図９に一例を示す集光係数
Ｋ1 、図１１に一例を示す傾斜係数Ｋ2 、及び図１３に
一例を示す変形係数Ｋ3 の積で表されることがわかる。
これらの積を分布係数Ｋd （ｘ，φ）と定義する。すな
わち、From the above consideration, the distribution characteristics of the exposure amount in the x-axis direction in the exposure plane are shown in FIG. 9 as an example of the light collection coefficient K 1 , in FIG. 11 as an example of the inclination coefficient K 2 , and in FIG. It can be seen that it is represented by the product of the deformation coefficient K 3 .
The product of these is defined as a distribution coefficient K d (x, φ). That is,
【００７４】[0074]
【数２０】 K d (x, φ) = K1 (x,φ) ×K2 (x,φ) ×K3 (x,φ) …(20) である。K d (x, φ) = K 1 (x, φ) × K 2 (x, φ) × K 3 (x, φ) (20)
【００７５】図１４は、分布係数Ｋd （ｘ，φ）の一例
を示すグラフである。図中の３本の曲線Ｐ1 〜Ｐ3 は、
それぞれＳＲ光が図７のＰ1 〜Ｐ3 の位置を通過すると
きに対応する。分布係数Ｋd （ｘ，φ）のφ依存性が小
さい場合、すなわち３本の曲線Ｐ1 〜Ｐ3 が相互に大き
く分離しない場合には、図５（Ａ）に示すベリリウム薄
膜３１によるＳＲ光の減衰量をｘ軸方向に関して調整す
ることにより、露光量を均一に近づけ得ることが期待さ
れる。FIG. 14 is a graph showing an example of the distribution coefficient K d (x, φ). The three curves P 1 to P 3 in the figure are:
SR light, each corresponding to when passing through the position of P 1 to P 3 in FIG. When the φ dependency of the distribution coefficient K d (x, φ) is small, that is, when the three curves P 1 to P 3 are not largely separated from each other, the SR light by the beryllium thin film 31 shown in FIG. By adjusting the amount of attenuation in the x-axis direction, it is expected that the exposure amount can be made uniform.
【００７６】図１４において、揺動角φを変化させたと
きの種々の分布係数Ｋd のうち平均的なものをＦ
d （ｘ）とする。例えば、露光すべき領域の中央線（ｘ
＝０）上の中点（図６（Ａ）の点Ｇ）にＳＲ光の中心光
軸が位置するときのＫd （ｘ，φ）をＦd （ｘ）とす
る。このとき、In FIG. 14, among the various distribution coefficients K d when the swing angle φ is changed, the average one is F.
d (x). For example, the center line (x
= 0, K d (x, φ) when the center optical axis of the SR light is located at the middle point (point G in FIG. 6A) is F d (x). At this time,
【００７７】[0077]
【数２１】F d (x) = K d (x,0) …(21) で表される。ベリリウム薄膜を透過する光子数Ｎは、F d (x) = K d (x, 0) (21) The number N of photons transmitted through the beryllium thin film is
【００７８】[0078]
【数２２】N = N0 exp(-μt) …(22) となる。ここで、Ｎ0 はベリリウム薄膜に入射する前の
光子数、μは線吸収係数であり、光子エネルギ（波長）
に依存する。ｔはベリリウム薄膜中のＳＲ光の光路長で
ある。ＳＲ光のエネルギスペクトルは光学系の配置によ
って変化するため、ベリリウム薄膜を透過した後のＳＲ
光の強度を計算するためには、全エネルギスペクトルの
範囲で式（２２）を積分する必要がある。ここでは、も
っとマクロな視点で、ベリリウム薄膜通過後のＳＲ光の
強度Ｐが、式（２２）と同様の形式で表されると仮定す
る。すなわち、N = N 0 exp (−μt) (22) Here, N 0 is the number of photons before entering the beryllium thin film, μ is the linear absorption coefficient, and the photon energy (wavelength)
Depends on. t is the optical path length of the SR light in the beryllium thin film. Since the energy spectrum of the SR light changes depending on the arrangement of the optical system, the SR spectrum after passing through the beryllium thin film
In order to calculate the light intensity, it is necessary to integrate Equation (22) over the entire energy spectrum. Here, it is assumed that, from a more macroscopic viewpoint, the intensity P of the SR light after passing through the beryllium thin film is expressed in a form similar to the equation (22). That is,
【００７９】[0079]
【数２３】P = P0 exp(-μ0 t) …(23) と仮定する。ここで、Ｐ0 はベリリウム薄膜通過前のＳ
Ｒ光の強度、μ0 は線吸収係数（定数）である。ベリリ
ウム薄膜の厚さをＴ、ＳＲ光のベリリウム薄膜への入射
角をθとする。すなわち、θは、ＳＲ光の光軸とその入
射点におけるベリリウム薄膜の法線とのなす角度であ
る。この場合、入射点におけるＳＲ光の通過厚さｔは、It is assumed that P = P 0 exp (−μ 0 t) (23) Here, P 0 is S before passing through the beryllium thin film.
The R light intensity, μ 0, is the linear absorption coefficient (constant). The thickness of the beryllium thin film is T, and the incident angle of the SR light on the beryllium thin film is θ. That is, θ is the angle between the optical axis of the SR light and the normal of the beryllium thin film at the point of incidence. In this case, the transmission thickness t of the SR light at the incident point is:
【００８０】[0080]
【数２４】t = T/cos θ …(24) となる。分布係数Ｋd がベリリウム薄膜の減衰効果に見
合うためには、T = T / cos θ (24) In order for the distribution coefficient K d to match the damping effect of the beryllium thin film,
【００８１】[0081]
【数２５】 (P0exp(-μ0T))/(P0exp(- μ0T/cosθ)) = Fd (x) …(25) が成立するようにすればよい。敷く（２５）を変形する
と、Equation 25] (P 0 exp (-μ 0 T )) / (P 0 exp (- μ 0 T / cosθ)) = F d (x) ... (25) may be so established. If you transform the laying (25),
【００８２】[0082]
【数２６】1/cos θ= 1+1/( μ0T) ln(Fd (x)) …(26) となる。式（２６）を満たすような形状のベリリウム膜
を配置することにより、露光面のｘ軸方向（水平方向）
に関する露光量の不均一性を緩和することができる。1 / cos θ = 1 + 1 / (μ 0 T) ln (F d (x)) (26) By disposing a beryllium film having a shape satisfying the expression (26), the x-axis direction (horizontal direction) of the exposed surface
The non-uniformity of the exposure amount can be reduced.
【００８３】図１５は、式（２６）を満たす形状のベリ
リウム膜の一例を示す。湾曲したビーム断面を有するＳ
Ｒ光６１が、ベリリウム薄膜３１を透過して半導体基板
５１の露光面を照射する。ＳＲ光６１は、その中心光軸
を含む鉛直面に関して面対称な形状を有する。ＳＲ光６
１の中心光軸とその中心光軸に直交する水平線とに平行
な仮想平面６２を考える。仮想平面６２内に、水平方向
をｕ軸とするｕｖ直交座標系を定義する。ベリリウム薄
膜３１は、仮想平面６２の法線方向を母線とする柱面に
沿って配置されている。ベリリウム薄膜３１の仮想平面
６２上への垂直投影像３１ａの形状を、FIG. 15 shows an example of a beryllium film having a shape satisfying the expression (26). S with curved beam cross section
The R light 61 passes through the beryllium thin film 31 and irradiates the exposed surface of the semiconductor substrate 51. The SR light 61 has a shape that is plane-symmetric with respect to a vertical plane including the central optical axis. SR light 6
Consider an imaginary plane 62 parallel to one central optical axis and a horizontal line perpendicular to the central optical axis. In the virtual plane 62, a uv orthogonal coordinate system having the horizontal direction as the u axis is defined. The beryllium thin film 31 is arranged along a column surface having the generatrix direction as a normal line of the virtual plane 62. The shape of the vertical projection image 31 a of the beryllium thin film 31 on the virtual plane 62 is
【００８４】[0084]
【数２７】v = FBe (u) …(27) とすると、[Equation 27] If v = F Be (u)… (27),
【００８５】[0085]
【数２８】tan θ = dFBe (u)/du …(28) が成立する。仮想平面６２内のｕ軸は露光面内のｘ軸に
対応するため、式（２８）における変数ｕを式（２６）
における変数ｘに置き換えることができる。式（２６）
と（２８）から、Tan θ = dF Be (u) / du (28) Since the u axis in the virtual plane 62 corresponds to the x axis in the exposure plane, the variable u in the equation (28) is changed to the equation (26).
Can be replaced by the variable x in Equation (26)
From (28)
【００８６】[0086]
【数２９】 dFBe (x)/dx = ((1+1/( μ0T) ln(Fd (x)))2-1)1/2 …(29) が得られる。式（２９）を積分することにより、ベリリ
ウム薄膜３１の好ましい形状を求めることができる。DF Be (x) / dx = ((1 + 1 / (μ 0 T) ln (F d (x))) 2 −1) 1/2 (29) By integrating the equation (29), a preferable shape of the beryllium thin film 31 can be obtained.
【００８７】上記計算では、ベリリウム薄膜通過後のＳ
Ｒ光の強度の近似式として、式（２３）を適用したが、
一般に、In the above calculation, S after passing through the beryllium thin film
Equation (23) was applied as an approximate equation for the intensity of the R light,
In general,
【００８８】[0088]
【数３０】P = H(t) …(30) と表すと、ベリリウム薄膜の好ましい形状は、[Expression 30] P = H (t) ... (30) The preferable shape of the beryllium thin film is as follows:
【００８９】[0089]
【数３１】 dFBe (x)/dx = (((1/T×H -1(H(T)/ Fd (x)))2)-1)1/2 …(31) で表される。ここで、Ｈ-1はＨの逆関数である。DF Be (x) / dx = (((1 / T × H −1 (H (T) / F d (x))) 2 ) -1) 1/2 … (31) You. Here, H −1 is an inverse function of H.
【００９０】図１５で説明したようにベリリウム薄膜３
１を、式（２９）を満たす形状とすることにより、露光
面のｘ軸方向に関する露光量の不均一性を緩和すること
ができる。次に、ｙ軸方向に関する露光量の不均一性を
緩和する方法について説明する。露光面内のｙ軸方向に
関しては、図８に示すＳＲ光強度の不均一性が生じ得
る。図８に示す規格化ＳＲ光強度分布を強度係数Ｋ
4 （φ）と定義する。強度係数Ｋ4 は、As described with reference to FIG.
By making 1 a shape that satisfies the expression (29), the non-uniformity of the exposure amount in the x-axis direction of the exposure surface can be reduced. Next, a method for alleviating the non-uniformity of the exposure amount in the y-axis direction will be described. In the y-axis direction in the exposure plane, the SR light intensity non-uniformity shown in FIG. 8 may occur. The normalized SR light intensity distribution shown in FIG.
4 Defined as (φ). The strength coefficient K 4 is
【００９１】[0091]
【数３２】K4（φ） = F1(0,φ)/F1(0,0) …(32) と表される。露光面内のｙ軸方向に関する露光量の不均
一性は、図８に示すＳＲ光強度の不均一性に加え、ＳＲ
光が照射されている領域のｙ軸方向への移動速度の変動
によっても生じうる。ｙ軸方向への移動速度の変動特性
を、ＳＲ光の中心光軸が露光領域の中心点Ｇを通過する
時点の移動速度で規格化し、スキャン係数Ｋ5 （φ）で
表す。スキャン係数Ｋ5 （φ）は、K 4 (φ) = F 1 (0, φ) / F 1 (0,0) (32) The non-uniformity of the exposure amount in the y-axis direction in the exposure plane is not limited to the non-uniformity of the SR light intensity shown in FIG.
It can also be caused by a change in the moving speed of the area irradiated with light in the y-axis direction. The fluctuation characteristic of the moving speed in the y-axis direction is normalized by the moving speed at the time when the center optical axis of the SR light passes through the center point G of the exposure area, and is represented by a scan coefficient K 5 (φ). The scan coefficient K 5 (φ) is
【００９２】[0092]
【数３３】 K5 = (d/dφ)( Fy (0,0,0)) / (d/dφ)( Fy (0,0, φ)) …(33) となる。ｙ軸方向に関する露光量の不均一性は、強度係
数Ｋ4 （φ）とスキャン係数Ｋ5 （φ）との積で評価さ
れる。両者の積を速度係数ＫS （φ）と定義する。すな
わち、K 5 = (d / dφ) (F y (0,0,0)) / (d / dφ) (F y (0,0, φ)) (33) The non-uniformity of the exposure amount in the y-axis direction is evaluated by the product of the intensity coefficient K 4 (φ) and the scan coefficient K 5 (φ). The product of the two is defined as the speed coefficient K S (φ). That is,
【００９３】[0093]
【数３４】KS ( φ) = K4 (φ) ×K5 (φ) …(34) である。速度係数ＫS （φ）を補償するように反射ミラ
ー１５の揺動角速度を揺動角φ、すなわちＳＲ光の入射
角に依存して変化させることにより、露光面内のｙ軸方
向に関する露光量の不均一性を緩和することができる。K S (φ) = K 4 (φ) × K 5 (φ) (34) By changing the oscillating angular velocity of the reflecting mirror 15 depending on the oscillating angle φ, that is, the incident angle of the SR light so as to compensate for the velocity coefficient K S (φ), the exposure amount in the y-axis direction in the exposure plane is obtained. Can be alleviated.
【００９４】これまでの計算過程では、ＳＲ光の照射領
域を図７に示す湾曲した壁Ｐ1 〜Ｐ 3 の中心線で代表さ
せており、壁Ｐ1 〜Ｐ3 の厚さによる影響を考慮してい
ない。また、式（２３）も近似式である。さらに、これ
までの検討過程では、露光領域の中心線（ｘ＝０）上に
おけるＳＲ光の強度を基準にして理論を展開してきた。
このため、式（２９）を満たすベリリウム薄膜を用い、
式（３４）の速度係数ＫS （φ）を補償するように反射
ミラー１５を揺動させたとしても、露光領域の中心線か
ら離れた端部近傍では、露光量の均一化の効果が少ない
と考えられる。露光領域全体として、露光量の均一化の
効果を大きくするために、露光領域の中心線からずれた
位置におけるＳＲ光の強度を基準としてもよい。In the calculation process so far, the irradiation area of the SR light
A curved wall P whose area is shown in FIG.1~ P ThreeRepresented by the centerline of
The wall P1~ PThreeTaking into account the effect of thickness
Absent. Expression (23) is also an approximate expression. Furthermore, this
In the examination process up to, the center line (x = 0) of the exposure area
The theory has been developed based on the intensity of SR light at the time.
Therefore, using a beryllium thin film satisfying the expression (29),
The velocity coefficient K in equation (34)SReflection to compensate for (φ)
Even if the mirror 15 is swung, even if the mirror 15
In the vicinity of the end far from the edge, the effect of uniformizing the exposure amount is small.
it is conceivable that. For uniform exposure dose over the entire exposure area
Offset from the centerline of the exposure area to increase the effect
The intensity of the SR light at the position may be used as a reference.
【００９５】まず、式（２９）を用いてベリリウム薄膜
の形状を決定し、式（３４）を用いて反射ミラー１５の
揺動角速度を決定する。決定されたベリリウム薄膜の形
状及び反射ミラー１５の揺動角速度で露光量分布の評価
実験を行い、この評価結果に基づいてベリリウム薄膜の
形状及び反射ミラー１５の揺動角速度を少しずつかえて
同様の評価実験もしくは計算によるシミュレーションを
繰り返し行う。このようにして、露光量のばらつきをよ
り少なくすることができるであろう。First, the shape of the beryllium thin film is determined using equation (29), and the swing angular velocity of the reflecting mirror 15 is determined using equation (34). An experiment was performed to evaluate the distribution of the exposure dose based on the determined shape of the beryllium thin film and the swing angular velocity of the reflection mirror 15. An evaluation experiment or a simulation by calculation is repeatedly performed. In this way, variations in the exposure dose may be further reduced.
【００９６】上記他の実施例では、図７のｘ軸方向に関
するＳＲ光の強度分布を一様にすることを目的としてベ
リリウム薄膜の形状を検討したが、ｙ軸方向に関するＳ
Ｒ光の強度分布を一様にすることを目的としてベリリウ
ム薄膜の形状を好適化してもよい。In the other embodiments, the shape of the beryllium thin film was examined for the purpose of making the intensity distribution of the SR light in the x-axis direction in FIG. 7 uniform.
The shape of the beryllium thin film may be optimized for the purpose of making the intensity distribution of the R light uniform.
【００９７】図１６を参照して、ｙ軸方向に関するＳＲ
光の強度分布を一様にすることを目的としてベリリウム
薄膜の形状を好適化する方法について説明する。Referring to FIG. 16, SR in the y-axis direction
A method for optimizing the shape of the beryllium thin film for the purpose of making the light intensity distribution uniform will be described.
【００９８】図１６（Ａ）は、図７に相当するグラフで
あり、壁Ｐ1 〜Ｐ3 のｙ軸上の位置が一致するように各
壁Ｐ1 〜Ｐ3 をｙ軸方向に平行移動させたものである。
壁Ｐ 1 〜Ｐ3 の上辺をｘｚ面へ投影したグラフ（座標
ｘ’ｚ’で表すグラフ）が、図１４のグラフに相当す
る。壁Ｐ1 〜Ｐ3 の上辺をｙｚ面へ投影したグラフを座
標ｙ”ｚ”で表す。FIG. 16A is a graph corresponding to FIG.
Yes, wall P1~ PThreeSo that the positions on the y-axis of
Wall P1~ PThreeAre translated in the y-axis direction.
Wall P 1~ PThreeA graph in which the upper side is projected onto the xz plane (coordinates
x'z ') corresponds to the graph of FIG.
You. Wall P1~ PThreeIs a graph that projects the upper side of
It is represented by the mark y "z".
【００９９】座標ｙ”ｚ”で示すグラフにおいても、Ｓ
Ｒ光の強度がｙ”方向に関して不均一になっている。こ
の不均一性を緩和するためには、上述のｘ軸方向に関す
る均一化の考察における変数ｘとｙとを置き換えること
により、ベリリウム薄膜の好ましい形状が得られる。In the graph shown by the coordinates y "z", S
The intensity of the R light is non-uniform in the y ″ direction. To alleviate the non-uniformity, the beryllium thin film is replaced by replacing the variables x and y in the above-mentioned consideration of the homogenization in the x-axis direction. Is obtained.
【０１００】図１６（Ｂ）は、図１５に対応する図であ
る。図１５の場合には、ベリリウム薄膜３１の沿う柱面
の母線が仮想平面６２に垂直であるが、図１６（Ｂ）の
場合には、ベリリウム薄膜３１が、水平な母線を有する
柱面に沿って配置される。ベリリウム薄膜３１を図１６
（Ｂ）に示すような形状とすることによっても、図１５
の場合と同様の効果、すなわち露光面上におけるＳＲ光
の強度分布を一様に近づける効果を得ることができる。FIG. 16B is a diagram corresponding to FIG. In the case of FIG. 15, the generatrix of the column surface along the beryllium thin film 31 is perpendicular to the virtual plane 62, but in FIG. 16B, the beryllium thin film 31 extends along the column surface having the horizontal generatrix. Placed. The beryllium thin film 31 is
The shape shown in FIG.
Can be obtained, that is, an effect of making the intensity distribution of the SR light on the exposure surface uniform.
【０１０１】図１４及び図１５では、図７に示す壁Ｐ1
〜Ｐ3 をｘｚ面に垂直投影した像に基づいてベリリウム
薄膜の好適な形状を求め、図１６では、ｙｚ面に垂直投
影した像に基づいてベリリウム薄膜の好適な形状を求め
た。他の投影方法による像に基づいて、ベリリウム薄膜
の好適な形状を求めてもよい。In FIG. 14 and FIG. 15, the wall P 1 shown in FIG.
The to P 3 obtains a suitable shape of the beryllium thin film on the basis of the vertical projected image on the xz plane, in FIG. 16, to determine the preferred shape of the beryllium thin film based on the image obtained by vertically projected to the yz plane. A suitable shape of the beryllium thin film may be determined based on an image obtained by another projection method.
【０１０２】図１７を参照して、他の投影方法による像
に基づいて、ベリリウム薄膜の好適な形状を求める方法
について説明する。Referring to FIG. 17, a description will be given of a method for obtaining a suitable shape of the beryllium thin film based on an image obtained by another projection method.
【０１０３】図１７（Ａ）は、他の投影方法を説明する
ための図であり、図１６（Ａ）に対応する。ｙ軸上の原
点からＲ0 の位置に回転軸ｚ’を想定し、ｘｙ面内に、
ｚ’軸と交わるＲ’軸を想定する。壁Ｐ1 〜Ｐ3 の上辺
を、回転軸ｚ’を中心としてｚ’Ｒ’面上に回転投影す
る。この回転投影により得られた像Ｐ1 ’〜Ｐ3 ’の
Ｒ’依存性を少なくするようにベリリウム薄膜の形状を
設定すればよい。FIG. 17A is a diagram for explaining another projection method, and corresponds to FIG. 16A. Assuming a rotation axis z ′ at a position R 0 from the origin on the y-axis, in the xy plane,
Assume an R ′ axis that intersects the z ′ axis. The upper side of the wall P 1 to P 3, rotates projected onto the surface 'Z'R around the' rotation axis z. The shape of the beryllium thin film may be set so as to reduce the R ′ dependency of the images P 1 ′ to P 3 ′ obtained by the rotational projection.
【０１０４】Ｒ’軸上の位置Ｒは、ｘｙ面内の座標
（ｘ，ｙ）を用いて、The position R on the R ′ axis is determined by using coordinates (x, y) in the xy plane.
【０１０５】[0105]
【数３５】R = (x2 + (R0-y)2)1/2 …(35) と表される。ＳＲ光強度のばらつきを少なくするには、
Ｒが変化したときのＳＲ光強度の変動が少なくなるよう
に、ベリリウム薄膜の形状を決定すればよい。R = (x 2 + (R 0 -y) 2 ) 1/2 (35) To reduce the variation in SR light intensity,
The shape of the beryllium thin film may be determined so that the fluctuation of the SR light intensity when R changes becomes small.
【０１０６】図１７（Ｂ）は、ベリリウム薄膜３１を透
過するＳＲ光の光路長が、式（３５）のＲに依存して変
化するようにした場合のベリリウム薄膜３１の形状の一
例を示す。ＳＲ光の中心光軸と同一鉛直面内に含まれ、
中心光軸に間隔Ｒ0 を隔てて平行に配置された回転軸６
３を考える。回転軸６３を回転中心とする回転曲面６４
に沿うようにバリリウム薄膜を配置する。回転曲面６４
の形状は、図１７（Ａ）のｚ’Ｒ’面内の曲線Ｐ1 ’〜
Ｐ3 ’のＲ’依存性を緩和するような形状とする。ベリ
リウム薄膜を図１７（Ｂ）に示すような形状とすること
によっても、図１５の場合と同様の効果、すなわち露光
面上におけるＳＲ光の強度分布を一様に近づける効果を
得ることができる。なお、Ｒ0 を無限大にすると、図１
６（Ｂ）に示す場合と同様の形状になる。FIG. 17B shows an example of the shape of the beryllium thin film 31 when the optical path length of the SR light transmitted through the beryllium thin film 31 is changed depending on R in the equation (35). Included in the same vertical plane as the central optical axis of SR light,
A rotating shaft 6 arranged in parallel with the central optical axis at an interval R 0
Consider three. Rotational curved surface 64 with rotation axis 63 as the center of rotation
A barium thin film is arranged along the line. Rotating curved surface 64
Is a curve P 1 ′ in the z′R ′ plane of FIG.
The shape is set so as to alleviate the R ′ dependency of P 3 ′. By forming the beryllium thin film into a shape as shown in FIG. 17B, the same effect as that of FIG. 15, that is, the effect of making the SR light intensity distribution on the exposed surface uniform can be obtained. When R 0 is set to infinity, FIG.
The shape is the same as that shown in FIG.
【０１０７】以上、ベリリウム薄膜の好適な形状の例と
して、図１５、図１６（Ｂ）、及び図１７（Ｂ）の３つ
の場合について説明した。いずれの場合も、反射ミラー
１５を揺動させたときの露光面内における露光量の水平
方向に関する分布が、ベリリウム薄膜によるシンクロト
ロン放射光の減衰を考慮しない場合におけるそれよりも
均一に近づくように、ベリリウム薄膜によるシンクロト
ロン放射光の減衰量がその面内で変化している。The three cases shown in FIGS. 15, 16B and 17B have been described as examples of suitable shapes of the beryllium thin film. In any case, the distribution in the horizontal direction of the exposure amount in the exposure plane when the reflecting mirror 15 is swung is closer to that in the case where the attenuation of the synchrotron radiation by the beryllium thin film is not considered. The attenuation of synchrotron radiation by the beryllium thin film varies in the plane.
【０１０８】図１５の場合は、ベリリウム薄膜が一様の
厚さを有する。さらに、ベリリウム薄膜と、シンクロト
ロン放射光の中心光軸及びその中心光軸に直交する水平
方向の直線の双方を含む平面との交線が湾曲するよう
に、ベリリウム薄膜の形状が規定されている。In the case of FIG. 15, the beryllium thin film has a uniform thickness. Further, the shape of the beryllium thin film is defined such that the intersection line between the beryllium thin film and a plane including both the central optical axis of the synchrotron radiation and a horizontal straight line orthogonal to the central optical axis is curved. .
【０１０９】図１６（Ｂ）の場合は、ベリリウム薄膜
と、シンクロトロン放射光の中心光軸を含む鉛直面との
交線が湾曲するように、ベリリウム薄膜の形状が規定さ
れている。In the case of FIG. 16B, the shape of the beryllium thin film is defined so that the line of intersection between the beryllium thin film and the vertical plane including the central optical axis of the synchrotron radiation is curved.
【０１１０】図１５、図１６（Ｂ）、図１７（Ｂ）のう
ち、いずれがベリリウム薄膜の最適な形状であるかを決
定することは簡単ではない。露光面の全域にわたってＳ
Ｒ光の強度を均一に近づけるためには、分布係数のばら
つきを少なくすればよい。図１５の形状とする場合の分
布係数は図１４に示されている。図１６（Ｂ）の形状と
する場合の分布係数は、図１６（Ａ）のｙ”ｚ”座標上
に示されている。図１７（Ｂ）の形状とする場合の分布
係数は、図１７（Ａ）のＲ’ｚ’座標上に示されてい
る。It is not easy to determine which of FIGS. 15, 16 (B) and 17 (B) has the optimum shape of the beryllium thin film. S over the entire exposed surface
In order to make the intensity of the R light nearly uniform, it is sufficient to reduce the variation of the distribution coefficient. The distribution coefficients in the case of the shape shown in FIG. 15 are shown in FIG. The distribution coefficient in the case of the shape shown in FIG. 16B is shown on the y "z" coordinate in FIG. The distribution coefficient in the case of the shape shown in FIG. 17B is shown on the R′z ′ coordinates in FIG. 17A.
【０１１１】図１８は、最小自乗法を用いて分布係数の
平均を与える曲線を求め、その平均を用いて分布係数の
分散を計算した結果を示す。横軸は図１７（Ａ）のＲ0
を表し、縦軸は分布係数の分散を、Ｒ0 を∞としたとき
を１とした相対値で表す。なお、光源と反射ミラー１５
の入射点との距離を３ｍ、反射ミラー１５と露光面との
距離を２ｍとし、反射ミラー１５を、主半径１１０ｍ
ｍ、副半径２８６ｍ、入射角８８．８°とした。なお、
グラフ中の直線ａは、図１５の場合の分散を示す。FIG. 18 shows the result of obtaining a curve giving the average of the distribution coefficients using the least squares method and calculating the variance of the distribution coefficients using the average. The horizontal axis is R 0 in FIG.
And the vertical axis represents the variance of the distribution coefficient, expressed as a relative value, where 1 is defined when R 0 is ∞. The light source and the reflecting mirror 15
And the distance between the reflection mirror 15 and the exposure surface is set to 2 m, and the reflection mirror 15 is set to have a main radius of 110 m.
m, an auxiliary radius of 286 m, and an incident angle of 88.8 °. In addition,
The straight line a in the graph indicates the variance in the case of FIG.
【０１１２】Ｒ0 を変化させることにより、分布係数の
分散が大きく変化することがわかる。Ｒ0 を∞及び−∞
としたときが、図１６（Ｂ）の場合に相当する。Ｒ0 が
ＳＲ光のビーム断面の曲率半径に近づくと、分散が発散
する。ベリリウム薄膜の形状として、分布係数の分散が
小さくなるような形状を採用することが好ましい。ただ
し、ベリリウム薄膜の湾曲の程度が大きくなると、露光
量の分布が、ＳＲ光のビーム幅（図７の壁Ｐ1 〜Ｐ3 の
各々の厚さＷに相当）の影響を受けやすくなる。It can be seen that the variance of the distribution coefficient changes significantly by changing R 0 . R 0 is ∞ and −∞
Corresponds to the case of FIG. 16 (B). As R 0 approaches the radius of curvature of the beam cross section of the SR light, the dispersion diverges. As the shape of the beryllium thin film, it is preferable to adopt a shape that reduces the dispersion of the distribution coefficient. However, the degree of curvature of the beryllium thin film becomes large, the exposure amount distribution is easily affected by the beam width of the SR light (corresponding to the thickness W of each wall P 1 to P 3 in FIG. 7).
【０１１３】また、図１７（Ｂ）に示すようなおわん型
曲面とする場合には、絞り加工による厚さのばらつき等
が発生しやすくなる。図１５、図１６（Ｂ）、及び図１
７（Ｂ）のいずれの形状を採用するかは、分散、加工の
し易さ等を総合的に判断して決定することが好ましい。Further, in the case of forming a bowl-shaped curved surface as shown in FIG. 17B, variations in thickness due to drawing work and the like are likely to occur. FIG. 15, FIG. 16 (B), and FIG.
It is preferable to determine which shape of FIG. 7 (B) is to be adopted by comprehensively determining dispersion, ease of processing, and the like.
【０１１４】上記実施例では、ベリリウム薄膜の厚さを
一定とし、ベリリウム薄膜を湾曲等させることにより、
ＳＲ光の減衰率に分布を持たせる場合を説明した。ベリ
リウム膜の厚さに分布を持たせて、ＳＲ光の透過光路長
を好適化してもよい。In the above embodiment, the thickness of the beryllium thin film is kept constant, and
The case where the attenuation rate of the SR light has a distribution has been described. The transmission optical path length of the SR light may be optimized by giving a distribution to the thickness of the beryllium film.
【０１１５】図１９は、厚さ分布を持たせたベリリウム
膜の一例を示す一部破断斜視図である。ＳＲ光が透過す
る領域に、ＳＲ光のビーム断面に対応した薄肉部３２が
設けられている。薄肉部３２の厚さは、図１４、図１６
（Ａ）、図１７（Ａ）に示す分布係数の変化を補償する
ような厚さとされる。FIG. 19 is a partially cutaway perspective view showing an example of a beryllium film having a thickness distribution. A thin portion 32 corresponding to the beam cross section of the SR light is provided in a region where the SR light is transmitted. The thickness of the thin portion 32 is shown in FIGS.
17A, the thickness is set so as to compensate for the change in the distribution coefficient shown in FIG.
【０１１６】なお、ベリリウム膜の加工は、通常の精密
切削加工により行うことができる。その他、放電加工、
電解研磨等によっても行うことができる。この場合、窓
フランジ３７への接合面が平面になるため、Ｏリング等
を用いて容易に真空封止を行うことができる。The beryllium film can be processed by ordinary precision cutting. Other, electric discharge machining,
It can also be performed by electrolytic polishing or the like. In this case, since the joining surface to the window flange 37 is flat, vacuum sealing can be easily performed using an O-ring or the like.
【０１１７】図９では、薄肉部３２の形状を把握しやす
くするために、階段状に加工した場合を示したが、薄肉
部の表面をなめらかな３次元曲面に加工することも可能
である。FIG. 9 shows a case where the thin portion 32 is processed in a stepwise manner to make it easy to grasp the shape of the thin portion 32. However, the surface of the thin portion may be processed into a smooth three-dimensional curved surface.
【０１１８】図５（Ａ）〜図１９では、ＳＲ光の中心光
軸とベリリウム薄膜３１との相対位置関係が変動しない
ように、出射側真空ダクト３０を揺動させる場合を説明
した。この場合、ＳＲ光の中心光軸は、常に、ベリリウ
ム薄膜の特定の一点を通過する。FIGS. 5A to 19 illustrate the case where the emission-side vacuum duct 30 is swung so that the relative positional relationship between the central optical axis of the SR light and the beryllium thin film 31 does not change. In this case, the central optical axis of the SR light always passes through a specific point of the beryllium thin film.
【０１１９】図２０（Ａ）は、ＳＲ光の中心光軸とベリ
リウム薄膜３１との相対位置関係が変動しない場合の、
ベリリウム薄膜３１の面内におけるＳＲ光の透過領域を
示す。曲線Ｐ1 〜Ｐ3 は、それぞれ図６（Ａ）の曲面Ｐ
1 〜Ｐ3 に相当する領域をＳＲ光が照射している場合に
対応する。FIG. 20A shows a case where the relative positional relationship between the central optical axis of the SR light and the beryllium thin film 31 does not change.
4 shows a transmission region of the SR light in the plane of the beryllium thin film 31. The curves P 1 to P 3 are respectively the curved surface P in FIG.
A region corresponding to 1 to P 3 corresponds to the case where SR light is irradiated.
【０１２０】ＳＲ光の中心光軸の上下方向の振れの振幅
とベリリウム薄膜の移動の振幅とを異ならせると、ベリ
リウム薄膜面内においてＳＲ光の透過位置が変動する。When the amplitude of the vertical oscillation of the center optical axis of the SR light is made different from the amplitude of the movement of the beryllium thin film, the transmission position of the SR light in the beryllium thin film varies.
【０１２１】図２０（Ｂ）は、ＳＲ光の透過位置が変動
する様子を示す。曲線Ｐ1 〜Ｐ3 は、それぞれ図６
（Ａ）の曲面Ｐ1 〜Ｐ3 に相当する領域をＳＲ光が照射
している場合に対応する。曲線Ｐ1 〜Ｐ3 に対応する位
置のバリリウム薄膜の厚さに分布を持たせることによ
り、式（３４）に示す速度係数ＫS の変化を補償するこ
とができる。FIG. 20B shows how the transmission position of the SR light varies. Curve P 1 to P 3, respectively 6
This corresponds to the case where the SR light irradiates the area corresponding to the curved surfaces P 1 to P 3 in FIG. By giving the distribution of the thickness of the barium thin film at positions corresponding to the curves P 1 to P 3 , it is possible to compensate for the change in the velocity coefficient K S shown in the equation (34).
【０１２２】図２１は、速度係数ＫS の変化を補償する
ことができるベリリウム薄膜の一例を示す部分破断斜視
図である。図１９の場合に比べて、薄肉部３２が、ＳＲ
光の振れる方向に広がっている。ＳＲ光が透過する領域
は、反射ミラー１５の揺動に応じてこの薄肉部３２内を
移動する。薄肉部３２は、反射ミラー１５が揺動したと
きの速度係数ＫS の変化を補償するような厚さ分布とさ
れている。FIG. 21 is a partially broken perspective view showing an example of a beryllium thin film capable of compensating for a change in the speed coefficient K S. As compared with the case of FIG.
It spreads in the direction of light swing. The area through which the SR light is transmitted moves in the thin portion 32 according to the swing of the reflection mirror 15. The thin portion 32 has a thickness distribution that compensates for a change in the speed coefficient K S when the reflection mirror 15 swings.
【０１２３】図５（Ａ）〜図１９の実施例では、反射ミ
ラー１５の揺動角速度を揺動角φに応じて変化させるこ
とにより、速度係数ＫS の変化を補償した。ベリリウム
薄膜を図２１のような構成とすることにより、反射ミラ
ー１５の揺動角速度を一定にしたまま、速度係数ＫS の
変化を補償することができる。この場合、ミラー揺動機
構１６の構成を簡素化することが可能になる。In the embodiments shown in FIGS. 5A to 19, the change in the speed coefficient K S is compensated by changing the swing angular velocity of the reflection mirror 15 according to the swing angle φ. By using the beryllium thin film as shown in FIG. 21, it is possible to compensate for a change in the speed coefficient K S while keeping the swing angular velocity of the reflection mirror 15 constant. In this case, the configuration of the mirror swing mechanism 16 can be simplified.
【０１２４】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。The present invention has been described in connection with the preferred embodiments.
The present invention is not limited to these. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.
【０１２５】[0125]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＳＲ光が透過する薄膜を湾曲させることにより、あるい
は厚さに分布を持たせることにより、透過位置に依存し
て透過光路長を異ならせることができる。透過光路長を
異ならせ、ＳＲ光の減衰率に、その光軸に垂直な断面内
に関して分布を持たせることができる。本発明をＳＲ光
を用いたＸ線露光に適用する場合、ビーム断面内におけ
るＳＲ光の強度のばらつきを補償するようにＳＲ光を減
衰させることにより、均一な露光が可能になる。As described above, according to the present invention,
By bending the thin film through which the SR light passes, or by giving the thickness a distribution, the transmitted light path length can be varied depending on the transmission position. By making the transmitted light path length different, the attenuation rate of the SR light can have a distribution in a cross section perpendicular to the optical axis. When the present invention is applied to X-ray exposure using SR light, uniform exposure can be performed by attenuating the SR light so as to compensate for variations in the intensity of the SR light in the beam cross section.
【図１】本発明の実施例によるＸ線露光装置の概略図で
ある。FIG. 1 is a schematic view of an X-ray exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示すＸ線露光装置のＳＲ光出射端の平面
図、断面図、及び側面図である。2 is a plan view, a sectional view, and a side view of an SR light emitting end of the X-ray exposure apparatus shown in FIG.
【図３】図３（Ａ）は、露光面におけるＳＲ光照射領域
を形状を示す図、図３（Ｂ）は、図２のベリリウム薄膜
とＳＲ光軸との関係を示す図である。3A is a diagram showing a shape of an SR light irradiation region on an exposure surface, and FIG. 3B is a diagram showing a relationship between a beryllium thin film in FIG. 2 and an SR optical axis.
【図４】露光面内の露光量のばらつきを示すグラフであ
る。FIG. 4 is a graph showing a variation of an exposure amount in an exposure surface.
【図５】本発明の他の実施例によるＸ線露光装置の概略
図、及び窓フランジ３７の正面図である。5 is a schematic view of an X-ray exposure apparatus according to another embodiment of the present invention, and a front view of a window flange 37. FIG.
【図６】図６（Ａ）は、露光面上におけるＳＲ光の強度
分布を示すグラフ、図６（Ｂ）は、露光量の分布を示す
グラフである。FIG. 6A is a graph showing an SR light intensity distribution on an exposure surface, and FIG. 6B is a graph showing an exposure amount distribution.
【図７】図６（Ａ）の各強度分布の断面を長方形近似し
たグラフである。FIG. 7 is a graph in which a cross section of each intensity distribution in FIG.
【図８】図７のｙ軸方向の規格化ＳＲ光強度の分布を示
すグラフである。8 is a graph showing the distribution of normalized SR light intensity in the y-axis direction in FIG.
【図９】集光係数の分布を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing a distribution of a light collection coefficient.
【図１０】ＳＲ光の照射領域の形状を示す概略図であ
る。FIG. 10 is a schematic diagram showing a shape of an SR light irradiation region.
【図１１】傾斜係数の分布を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing a distribution of a slope coefficient.
【図１２】ＳＲ光の照射領域の形状の変化を説明するた
めの概略図である。FIG. 12 is a schematic diagram for explaining a change in the shape of an irradiation area of SR light.
【図１３】変形係数の分布を示すグラフである。FIG. 13 is a graph showing a distribution of a deformation coefficient.
【図１４】分布係数の分布を示すグラフである。FIG. 14 is a graph showing distribution of distribution coefficients.
【図１５】ベリリウム薄膜の形状の一例を説明するため
の概略斜視図である。FIG. 15 is a schematic perspective view for explaining an example of the shape of a beryllium thin film.
【図１６】図１６（Ａ）は、ＳＲ光の強度分布を示すグ
ラフ、図１６（Ｂ）は、ベリリウム薄膜の形状の一例を
説明するための概略斜視図である。FIG. 16A is a graph showing an SR light intensity distribution, and FIG. 16B is a schematic perspective view for explaining an example of the shape of a beryllium thin film.
【図１７】図１７（Ａ）は、ＳＲ光の強度分布を示すグ
ラフ、図１７（Ｂ）は、ベリリウム薄膜の形状の一例を
説明するための概略斜視図である。FIG. 17A is a graph showing an SR light intensity distribution, and FIG. 17B is a schematic perspective view for explaining an example of the shape of a beryllium thin film.
【図１８】分布係数の分散を示すグラフである。FIG. 18 is a graph showing variance of distribution coefficients.
【図１９】ベリリウム薄膜の一構成例を示す部分破断斜
視図である。FIG. 19 is a partially broken perspective view showing one configuration example of a beryllium thin film.
【図２０】ベリリウム薄膜の面内におけるＳＲ光透過領
域の移動の様子を説明するための概略図である。FIG. 20 is a schematic diagram for explaining a state of movement of an SR light transmission region in a plane of a beryllium thin film.
【図２１】ベリリウム薄膜の一構成例を示す部分破断斜
視図である。FIG. 21 is a partially broken perspective view showing one configuration example of a beryllium thin film.
１ ＳＲ光発生部 ２ 真空容器 ３ 周回軌道 ４ 取出口 １０ ＳＲ光伝搬部 １１ 入射側真空ダクト １２ ミラー収納筐体 １３ 入射孔 １４ 出射孔 １５ ミラー １６ 揺動機構 １７ 真空ベローズ １８ 真空ダクト駆動機構 １９ 基台 ３０ 出射側真空ダクト ３１ ベリリウム薄膜 ３２ 薄肉部 ３７ 窓フランジ ３７ａ 窓 ３８ 窓枠 ５０ Ｘ線ステッパ ５１ 半導体基板 ５２ 露光マスク ６０ ＳＲ光照射領域 ６１ ＳＲ光 ６２ 仮想平面 ６３ 回転軸 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 SR light generation part 2 Vacuum container 3 Orbit 4 Orifice 10 SR light propagation part 11 Inlet side vacuum duct 12 Mirror storage case 13 Injection hole 14 Emission hole 15 Mirror 16 Swing mechanism 17 Vacuum bellows 18 Vacuum duct drive mechanism 19 Base 30 Emission-side vacuum duct 31 Beryllium thin film 32 Thin portion 37 Window flange 37a Window 38 Window frame 50 X-ray stepper 51 Semiconductor substrate 52 Exposure mask 60 SR light irradiation area 61 SR light 62 Virtual plane 63 Rotation axis
Claims (6)
シンクロトロン放射光の入射孔と出射孔とが形成された
筐体と、 前記筐体内に配置され、シンクロトロン放射光を反射す
るミラーと、 前記筐体の出射孔に連結され、前記出射孔から出射した
シンクロトロン放射光が伝搬する空洞を画定するダクト
と、 前記ダクトの出射端に取り付けられ、シンクロトロン放
射光を減衰させて透過させる薄膜であって、シンクロト
ロン放射光の中心光軸の前記ミラーへの入射面から該入
射面に垂直な方向に離れるに従って、該薄膜内のシンク
ロトロン放射光の光路長が長くなるように構成され、シ
ンクロトロン放射光の減衰量を面内に関して変化させて
いる前記薄膜とを有し、 前記ミラーにより反射されたシンクロトロン放射光のビ
ーム断面形状が第１の半径を有する円弧に沿って湾曲し
ており、 前記薄膜が、該薄膜を透過するシンクロトロン放射光の
光軸に垂直な母線を有する円柱面に沿って湾曲し、該円
柱面が、前記第１の半径の０．８倍以上、かつ１．２倍
以下の第２の半径を有するシンクロトロン放射光伝搬装
置。1. A housing in which an entrance hole and an exit hole of a synchrotron radiation light having a horizontally long beam cross-sectional shape are formed, a mirror disposed in the housing and reflecting the synchrotron radiation light, A duct connected to the exit hole of the housing and defining a cavity through which the synchrotron radiation emitted from the exit hole propagates; and a thin film attached to the exit end of the duct for attenuating and transmitting the synchrotron radiation. The distance from the plane of incidence of the central optical axis of the synchrotron radiation to the mirror in the direction perpendicular to the plane of incidence is configured such that the optical path length of the synchrotron radiation in the thin film becomes longer, The thin film, which changes the attenuation of synchrotron radiation with respect to the in-plane direction, wherein the beam cross-sectional shape of the synchrotron radiation reflected by the mirror is first. The thin film is curved along a circular arc having a radius, and the thin film is curved along a cylindrical surface having a generatrix perpendicular to an optical axis of synchrotron radiation transmitted through the thin film, and the first cylindrical surface is the first surface. A synchrotron radiation light propagation device having a second radius that is 0.8 times or more and 1.2 times or less the radius of the synchrotron radiation.
シンクロトロン放射光の入射孔と出射孔とが形成された
筐体と、 前記筐体内に配置され、シンクロトロン放射光を反射す
るミラーと、 前記筐体の出射孔に連結され、前記出射孔から出射した
シンクロトロン放射光が伝搬する空洞を画定するダクト
と、 前記ダクトの出射端に取り付けられ、シンクロトロン放
射光を減衰させて透過させる薄膜であって、該薄膜を透
過するシンクロトロン放射光の該薄膜内の光路長が、該
薄膜の面内に関して変化するように構成することによ
り、シンクロトロン放射光の減衰量を面内に関して変化
させている前記薄膜と、 前記ミラーにより反射したシンクロトロン放射光の中心
光軸が上下方向に振られるように、前記ミラーを揺動さ
せるミラー揺動機構と、 前記薄膜を透過したシンクロトロン放射光が照射される
位置に、露光対象物を保持する保持手段と、 前記シンクロトロン放射光の中心光軸が、前記ミラーの
揺動により上下に振られたときに、該中心光軸が前記薄
膜を通過する点がその面内で固定されるように、前記ミ
ラーの揺動に同期させて前記ダクトを移動させるダクト
駆動機構とを有するシンクロトロン放射光伝搬装置。2. A housing in which an entrance hole and an exit hole of synchrotron radiation light having a horizontally long beam cross-sectional shape are formed, a mirror disposed in the housing and reflecting the synchrotron radiation light, A duct connected to the exit hole of the housing and defining a cavity through which the synchrotron radiation emitted from the exit hole propagates; and a thin film attached to the exit end of the duct for attenuating and transmitting the synchrotron radiation. Wherein the optical path length of the synchrotron radiation transmitted through the thin film in the thin film is changed in the plane of the thin film, so that the attenuation of the synchrotron radiation is changed in the plane. A mirror swinging mechanism for swinging the mirror such that the central optical axis of the synchrotron radiation reflected by the mirror is swung up and down. A holding unit for holding an object to be exposed at a position where the synchrotron radiation transmitted through the thin film is irradiated, when a center optical axis of the synchrotron radiation is swung up and down by swinging of the mirror; A synchrotron radiation light transmission device having a duct driving mechanism for moving the duct in synchronization with the swing of the mirror so that a point where the center optical axis passes through the thin film is fixed in the plane.
対象物の露光面内における露光量の水平方向に関する分
布が、前記薄膜によるシンクロトロン放射光の減衰を考
慮しない場合におけるそれよりも均一に近づくように、
前記薄膜によるシンクロトロン放射光の減衰量がその面
内で変化している請求項２に記載のシンクロトロン放射
光伝搬装置。3. A horizontal distribution of an exposure amount in the exposure plane of the exposure object when the mirror is swung, which is more uniform than when the attenuation of synchrotron radiation by the thin film is not considered. To get closer to
3. The synchrotron radiation light propagation device according to claim 2, wherein the amount of attenuation of the synchrotron radiation light by the thin film changes in the plane.
膜と、前記シンクロトロン放射光の中心光軸及び該中心
光軸に直交する水平方向の直線の双方を含む平面との交
線が湾曲するように、該薄膜の形状を規定することによ
り、シンクロトロン放射光の減衰量を水平方向に関して
変化させている請求項３に記載のシンクロトロン放射光
伝搬装置。4. The thin film having a uniform thickness and a plane including both a central optical axis of the synchrotron radiation and a horizontal straight line orthogonal to the central optical axis. 4. The synchrotron radiation light propagation device according to claim 3, wherein the attenuation of the synchrotron radiation light is changed in the horizontal direction by defining the shape of the thin film so that the intersection line is curved.
ン放射光のビーム断面が、その中心光軸を含む鉛直面に
関して面対称になるように湾曲しており、 前記薄膜が一様の厚さを有し、かつ該薄膜と、前記シン
クロトロン放射光の中心光軸を含む鉛直面との交線が湾
曲するように、該薄膜の形状を規定することにより、シ
ンクロトロン放射光の減衰量を水平方向に関して変化さ
せている請求項３に記載のシンクロトロン放射光伝搬装
置。5. A beam cross section of the synchrotron radiation reflected by the mirror is curved so as to be plane-symmetric with respect to a vertical plane including a central optical axis thereof, and the thin film has a uniform thickness. By defining the shape of the thin film so that the line of intersection between the thin film and the vertical plane including the central optical axis of the synchrotron radiation is curved, the attenuation of the synchrotron radiation is reduced in the horizontal direction. 4. The synchrotron radiation light propagation device according to claim 3, wherein the synchrotron radiation light propagation device is changed.
対象物の露光面内における露光量の、水平方向と直交す
る方向に関する分布が、前記ミラーの揺動角速度を一定
とした場合のそれよりも均一に近づくように、前記ミラ
ーの揺動角速度を、該ミラーへのシンクロトロン放射光
の入射角に応じて変化させる請求項２に記載のシンクロ
トロン放射光伝搬装置。6. A distribution of an exposure amount on an exposure surface of the exposure object when the mirror is oscillated in a direction orthogonal to a horizontal direction is obtained when the angular velocity of oscillation of the mirror is constant. 3. The synchrotron radiation light propagation device according to claim 2, wherein the swing angular velocity of the mirror is changed according to an incident angle of the synchrotron radiation light to the mirror so as to approach the mirror more uniformly.
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