JP2000133459A - 電界発光素子およびその製造方法 - Google Patents
電界発光素子およびその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000012985 polymerization agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 2
- 125000002490 anilino group Chemical class [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical group CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 abstract 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】有機高分子電界発光素子においては、バッファ
層または正孔注入層３には導電性高分子を用い、その粗
い膜質のために発光効率、信頼性ともに低かった。 【解決手段】導電性高分子前駆体を溶液状態で製膜し、
その後重合することにより表面の平滑なバッファ層また
は正孔注入層３を得る。
層または正孔注入層３には導電性高分子を用い、その粗
い膜質のために発光効率、信頼性ともに低かった。 【解決手段】導電性高分子前駆体を溶液状態で製膜し、
その後重合することにより表面の平滑なバッファ層また
は正孔注入層３を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はテレビ、コンピュー
タなど情報機器、電気電子製品のディスプレイ部に使用
する電界発光素子の構造およびその製造方法に関する。
タなど情報機器、電気電子製品のディスプレイ部に使用
する電界発光素子の構造およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年液晶ディスプレイに替わる発光型デ
ィスプレイとして有機物を用いた電界発光素子の開発が
加速している。有機物を用いた電界発光素子としては、
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２），２１
Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８７の９１３ページに示され
ているように低分子を蒸着法で製膜する方法と、 Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１（１），７ Ｊｕｌｙ
１９９７の３４ページから示されているように高分子を
塗布する方法が主に開発されている。特に高分子系では
カラー化する際にインクジェット法を用いる事により、
パターニングが容易に出来る事から注目されている。こ
の高分子を用いる場合には、バッファ層または正孔注入
層を陽極と発光層の間に形成する事が多い。従来、前記
バッファ層や正孔注入層としては導電性高分子、例えば
ポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いる事
が多く、その製膜方法としては、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅ
ｒ．１９９５年７号９６９ページから示されているよう
に、導電性高分子を無理矢理溶液化するか、あるいはＡ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１（１），７ Ｊｕｌ
ｙ１９９７の３４ページから示されているように溶媒に
分散させて塗布する方法が知られていた。
ィスプレイとして有機物を用いた電界発光素子の開発が
加速している。有機物を用いた電界発光素子としては、
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２），２１
Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８７の９１３ページに示され
ているように低分子を蒸着法で製膜する方法と、 Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１（１），７ Ｊｕｌｙ
１９９７の３４ページから示されているように高分子を
塗布する方法が主に開発されている。特に高分子系では
カラー化する際にインクジェット法を用いる事により、
パターニングが容易に出来る事から注目されている。こ
の高分子を用いる場合には、バッファ層または正孔注入
層を陽極と発光層の間に形成する事が多い。従来、前記
バッファ層や正孔注入層としては導電性高分子、例えば
ポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いる事
が多く、その製膜方法としては、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅ
ｒ．１９９５年７号９６９ページから示されているよう
に、導電性高分子を無理矢理溶液化するか、あるいはＡ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１（１），７ Ｊｕｌ
ｙ１９９７の３４ページから示されているように溶媒に
分散させて塗布する方法が知られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の方法で
は、導電性高分子は溶媒に極めて溶けにくいため、製膜
中に析出する、また溶媒に分散させる方法では、膜質が
極めて粗くなる問題を有していた。いずれの場合にも、
得られるバッファ層または正孔注入層の中には導電性高
分子の粒子が存在するため膜質は粗く、その上に発光層
を形成しても、導電性高分子の粒子が発光層を突き破
る、または突き破らずとも導電性高分子の粒子上で発光
層の膜厚が極めて薄くなり、絶縁破壊が生じる、または
生じ易くなる課題を有していた。
は、導電性高分子は溶媒に極めて溶けにくいため、製膜
中に析出する、また溶媒に分散させる方法では、膜質が
極めて粗くなる問題を有していた。いずれの場合にも、
得られるバッファ層または正孔注入層の中には導電性高
分子の粒子が存在するため膜質は粗く、その上に発光層
を形成しても、導電性高分子の粒子が発光層を突き破
る、または突き破らずとも導電性高分子の粒子上で発光
層の膜厚が極めて薄くなり、絶縁破壊が生じる、または
生じ易くなる課題を有していた。
【０００４】そこで本発明の目的とする所は、導電性高
分子からなる、粒子を含まない極めて滑らかな表面を有
するバッファ層または正孔注入層を形成する方法を提供
する事に有り、またこのバッファ層または正孔注入層を
形成した、高効率高信頼性電界発光素子を提供する事に
ある。
分子からなる、粒子を含まない極めて滑らかな表面を有
するバッファ層または正孔注入層を形成する方法を提供
する事に有り、またこのバッファ層または正孔注入層を
形成した、高効率高信頼性電界発光素子を提供する事に
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】課題を解決するための手
段１．本発明の電界発光素子は、少なくとも１方が透明
な２枚の電極間にバッファ層または正孔注入層、および
発光層、さらに必要に応じて電子注入層を配置した構造
の電界発光素子において、前記バッファ層または正孔注
入層として導電性高分子を用い、かつこの膜厚変動が１
ｍｍ□（１ｍｍ2の意味である。以下同じ。）領域内で
５０ｎｍ以下である事を特徴とする。本構成により、発
光層の膜厚の均一性を確保することができ、これにより
発光の均一性、ひいては長寿命化を実現する事が出来
る。
段１．本発明の電界発光素子は、少なくとも１方が透明
な２枚の電極間にバッファ層または正孔注入層、および
発光層、さらに必要に応じて電子注入層を配置した構造
の電界発光素子において、前記バッファ層または正孔注
入層として導電性高分子を用い、かつこの膜厚変動が１
ｍｍ□（１ｍｍ2の意味である。以下同じ。）領域内で
５０ｎｍ以下である事を特徴とする。本構成により、発
光層の膜厚の均一性を確保することができ、これにより
発光の均一性、ひいては長寿命化を実現する事が出来
る。
【０００６】課題を解決するための手段２．課題を解決
するための手段１において、前記導電性高分子がポリチ
オフェン誘導体またはポリアニリン誘導体である事を特
徴とする。本構成により、電界発光素子の発光効率を向
上させ、かつ発光の均一性を確保する事が出来る。
するための手段１において、前記導電性高分子がポリチ
オフェン誘導体またはポリアニリン誘導体である事を特
徴とする。本構成により、電界発光素子の発光効率を向
上させ、かつ発光の均一性を確保する事が出来る。
【０００７】課題を解決するための手段３．少なくとも
１方が透明な２枚の電極間にバッファ層または正孔注入
層、および発光層、さらに必要に応じて電子注入層を配
置した構造の電界発光素子の製造方法において、陽極上
に導電性高分子前駆体と前記導電性高分子前駆体の重合
剤を混合した物またはこれら溶液を塗布し、製膜後に重
合させてバッファ層または正孔注入層とする事を特徴と
する電界発光素子の製造方法。本製法により、均一なバ
ッファ層または正孔注入層を形成する事が出来る。
１方が透明な２枚の電極間にバッファ層または正孔注入
層、および発光層、さらに必要に応じて電子注入層を配
置した構造の電界発光素子の製造方法において、陽極上
に導電性高分子前駆体と前記導電性高分子前駆体の重合
剤を混合した物またはこれら溶液を塗布し、製膜後に重
合させてバッファ層または正孔注入層とする事を特徴と
する電界発光素子の製造方法。本製法により、均一なバ
ッファ層または正孔注入層を形成する事が出来る。
【０００８】課題を解決するための手段４．課題を解決
するための手段３において、前記導電性高分子前駆体が
チオフェン誘導体またはアニリン誘導体である事を特徴
とする。本製法により、より簡便に、より高効率な電界
発光素子を作成する事が出来る。
するための手段３において、前記導電性高分子前駆体が
チオフェン誘導体またはアニリン誘導体である事を特徴
とする。本製法により、より簡便に、より高効率な電界
発光素子を作成する事が出来る。
【０００９】課題を解決するための手段５．少なくとも
１方が透明な２枚の電極間にバッファ層または正孔注入
層、および発光層、さらに必要に応じて電子注入層を配
置した構造の電界発光素子の製造方法において、陽極上
に導電性高分子前駆体またはこの溶液を塗布し、その
後、前記前駆体の膜に重合手段を講じて重合し、バッフ
ァ層または正孔注入層とする事を特徴とする。本製法に
より、均一なバッファ層または正孔注入層を形成する事
が出来る。
１方が透明な２枚の電極間にバッファ層または正孔注入
層、および発光層、さらに必要に応じて電子注入層を配
置した構造の電界発光素子の製造方法において、陽極上
に導電性高分子前駆体またはこの溶液を塗布し、その
後、前記前駆体の膜に重合手段を講じて重合し、バッフ
ァ層または正孔注入層とする事を特徴とする。本製法に
より、均一なバッファ層または正孔注入層を形成する事
が出来る。
【００１０】課題を解決するための手段６．課題を解決
するための手段５において、前記導電性高分子前駆体が
チオフェン誘導体またはアニリン誘導体である事を特徴
とする。本製法により、より簡便に、より高効率な電界
発光素子を作成する事が出来る。
するための手段５において、前記導電性高分子前駆体が
チオフェン誘導体またはアニリン誘導体である事を特徴
とする。本製法により、より簡便に、より高効率な電界
発光素子を作成する事が出来る。
【００１１】課題を解決するための手段７．課題を解決
するための手段５において、前記重合手段が、重合剤塗
布または重合剤溶液への浸漬である事を特徴とする。本
製法により、より簡便に電界発光素子を作成する事が出
来る。
するための手段５において、前記重合手段が、重合剤塗
布または重合剤溶液への浸漬である事を特徴とする。本
製法により、より簡便に電界発光素子を作成する事が出
来る。
【００１２】課題を解決するための手段８．課題を解決
するための手段５において、前記重合手段が、加熱であ
る事を特徴とする請求項５記載の電界発光素子の製造方
法。本製法により、より簡便に電界発光素子を作成する
事が出来る。
するための手段５において、前記重合手段が、加熱であ
る事を特徴とする請求項５記載の電界発光素子の製造方
法。本製法により、より簡便に電界発光素子を作成する
事が出来る。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施例１）本実施例では、少な
くとも１方が透明な２枚の電極間にバッファ層または正
孔注入層、および発光層、さらに必要に応じて電子注入
層を配置した構造の電界発光素子において、前記バッフ
ァ層または正孔注入層として導電性高分子を用い、前記
導電性高分子がポリチオフェン誘導体またはポリアニリ
ン誘導体であり、かつこの膜厚変動が１ｍｍ□（１ｍｍ
2の意味である。以下同じ）領域内で５０ｎｍ以下であ
る例を示す。
くとも１方が透明な２枚の電極間にバッファ層または正
孔注入層、および発光層、さらに必要に応じて電子注入
層を配置した構造の電界発光素子において、前記バッフ
ァ層または正孔注入層として導電性高分子を用い、前記
導電性高分子がポリチオフェン誘導体またはポリアニリ
ン誘導体であり、かつこの膜厚変動が１ｍｍ□（１ｍｍ
2の意味である。以下同じ）領域内で５０ｎｍ以下であ
る例を示す。
【００１４】図１に本実施例の電界発光素子の簡単な断
面図を示す。まず、パターニングしたＩＴＯ付きのガラ
ス基板に、実施例２以降に示す方法によりバッファ層ま
たは正孔注入層を製膜した。こうして作成した膜の膜厚
変動は１ｍｍ□領域内で５０ｎｍ以下であった。次に発
光層としてジヘキシルポリフルオレンのクロロホルム溶
液を塗布して乾燥し、膜厚８０ｎｍとした。さらにその
上に弗化リチウムを１ｎｍの厚みに蒸着し、その上にア
ルミニウムを４００ｎｍの厚みに蒸着した。次にこの陰
極側の面を封止した。こうして作成した電界発光素子の
発光効率は１ｌｍ／Ｗであった。比較例として、バッフ
ァ層または正孔注入層として、従来から用いられている
ポリチオフェン誘導体であるバイエル社製Ｂｙｔｒｏｎ
Ｐを用いると、膜厚変動が１ｍｍ□領域内でおよそ６
０ｎｍ以上あり、発光効率は０．５ｌｍ／Ｗであった。
面図を示す。まず、パターニングしたＩＴＯ付きのガラ
ス基板に、実施例２以降に示す方法によりバッファ層ま
たは正孔注入層を製膜した。こうして作成した膜の膜厚
変動は１ｍｍ□領域内で５０ｎｍ以下であった。次に発
光層としてジヘキシルポリフルオレンのクロロホルム溶
液を塗布して乾燥し、膜厚８０ｎｍとした。さらにその
上に弗化リチウムを１ｎｍの厚みに蒸着し、その上にア
ルミニウムを４００ｎｍの厚みに蒸着した。次にこの陰
極側の面を封止した。こうして作成した電界発光素子の
発光効率は１ｌｍ／Ｗであった。比較例として、バッフ
ァ層または正孔注入層として、従来から用いられている
ポリチオフェン誘導体であるバイエル社製Ｂｙｔｒｏｎ
Ｐを用いると、膜厚変動が１ｍｍ□領域内でおよそ６
０ｎｍ以上あり、発光効率は０．５ｌｍ／Ｗであった。
【００１５】本実施例では、単純マトリックス用基板の
みならずＴＦＴ基板およびこれに類するアクティブ素子
を形成した基板も用いる事が出来る。
みならずＴＦＴ基板およびこれに類するアクティブ素子
を形成した基板も用いる事が出来る。
【００１６】本実施例では、バッファ層および正孔注入
層以外の構成において、従来の有機低分子および高分子
電界発光素子に用いられる構成を用いる事が出来る。
層以外の構成において、従来の有機低分子および高分子
電界発光素子に用いられる構成を用いる事が出来る。
【００１７】（実施例２）本実施例では実施例１におい
てバッファ層または正孔注入層として、導電性高分子前
駆体と前記導電性高分子前駆体の重合剤を混合した物ま
たはこれら溶液を塗布し、製膜後に重合させてバッファ
層または正孔注入層とした例を示す。導電性高分子前駆
体としてチオフェン誘導体であるバイエル社製Ｂｙｔｒ
ｏｎ Ｍを用い、重合剤としてバイエル社製Ｂｙｔｒｏ
ｎ Ｃを用いた。両者をブタノール中に添加希釈し、混
合後すぐに基板上に塗布した。その後２００℃１時間焼
成した。次に流水中に基板を１昼夜浸漬した。その後再
び２００℃１時間焼成した。こうして作成した膜の膜厚
変動は１ｍｍ□領域内でおよそ５０ｎｍ以下であった。
てバッファ層または正孔注入層として、導電性高分子前
駆体と前記導電性高分子前駆体の重合剤を混合した物ま
たはこれら溶液を塗布し、製膜後に重合させてバッファ
層または正孔注入層とした例を示す。導電性高分子前駆
体としてチオフェン誘導体であるバイエル社製Ｂｙｔｒ
ｏｎ Ｍを用い、重合剤としてバイエル社製Ｂｙｔｒｏ
ｎ Ｃを用いた。両者をブタノール中に添加希釈し、混
合後すぐに基板上に塗布した。その後２００℃１時間焼
成した。次に流水中に基板を１昼夜浸漬した。その後再
び２００℃１時間焼成した。こうして作成した膜の膜厚
変動は１ｍｍ□領域内でおよそ５０ｎｍ以下であった。
【００１８】（実施例３）本実施例では導電性高分子前
駆体としてアニリンを用いた例を示す。アニリンと重合
剤としてアンモニウムパーサルフェートを１Ｍ塩酸中に
溶解し、基板上に塗布した。その後２００℃で１時間焼
成し、次に流水中に基板を１昼夜浸漬した。その後２０
０℃で１時間焼成した。こうして作成した膜の膜厚変動
は１ｍｍ□領域内でおよそ５０ｎｍ以下であった。
駆体としてアニリンを用いた例を示す。アニリンと重合
剤としてアンモニウムパーサルフェートを１Ｍ塩酸中に
溶解し、基板上に塗布した。その後２００℃で１時間焼
成し、次に流水中に基板を１昼夜浸漬した。その後２０
０℃で１時間焼成した。こうして作成した膜の膜厚変動
は１ｍｍ□領域内でおよそ５０ｎｍ以下であった。
【００１９】（実施例４）本実施例では陽極上に導電性
高分子前駆体またはこの溶液を塗布し、その後、前記前
駆体の膜に重合剤を塗布または重合剤の溶液に浸漬して
重合し、バッファ層または正孔注入層とする例を示し
た。基板上に導電性高分子前駆体としてバイエル社製Ｂ
ｙｔｒｏｎ Ｍを塗布し、２００℃１時間焼成した。次
にこの基板をバイエル社製Ｂｙｔｒｏｎ Ｃに１００℃
にて１時間浸漬し、次に流水中に１昼夜浸漬した。さら
に２００℃１時間焼成した。こうして作成した膜の膜厚
変動は１ｍｍ□領域内でおよそ５０ｎｍ以下であった。
高分子前駆体またはこの溶液を塗布し、その後、前記前
駆体の膜に重合剤を塗布または重合剤の溶液に浸漬して
重合し、バッファ層または正孔注入層とする例を示し
た。基板上に導電性高分子前駆体としてバイエル社製Ｂ
ｙｔｒｏｎ Ｍを塗布し、２００℃１時間焼成した。次
にこの基板をバイエル社製Ｂｙｔｒｏｎ Ｃに１００℃
にて１時間浸漬し、次に流水中に１昼夜浸漬した。さら
に２００℃１時間焼成した。こうして作成した膜の膜厚
変動は１ｍｍ□領域内でおよそ５０ｎｍ以下であった。
【００２０】（実施例５）本実施例では陽極上に導電性
高分子前駆体またはこの溶液を塗布し、その後、加熱に
より重合し、バッファ層または正孔注入層とする例を示
した。基板上に導電性高分子前駆体としてバイエル社製
Ｂｙｔｒｏｎ Ｍを塗布し、２００℃１２時間焼成し
た。こうして作成した膜の膜厚変動は１ｍｍ□領域内で
およそ５０ｎｍ以下であった。
高分子前駆体またはこの溶液を塗布し、その後、加熱に
より重合し、バッファ層または正孔注入層とする例を示
した。基板上に導電性高分子前駆体としてバイエル社製
Ｂｙｔｒｏｎ Ｍを塗布し、２００℃１２時間焼成し
た。こうして作成した膜の膜厚変動は１ｍｍ□領域内で
およそ５０ｎｍ以下であった。
【００２１】以上実施例を述べたが、導電性高分子材料
としてポリチオフェン誘導体およびポリアニリン誘導体
を主に紹介したが、導電性を有し、かつ製膜しやすい高
分子前駆体であれば同様に用いる事が出来る。本発明は
従来の有機ＥＬ素子の構成に応用できる。
としてポリチオフェン誘導体およびポリアニリン誘導体
を主に紹介したが、導電性を有し、かつ製膜しやすい高
分子前駆体であれば同様に用いる事が出来る。本発明は
従来の有機ＥＬ素子の構成に応用できる。
【００２２】
【発明の効果】以上本発明によれば、バッファ層または
正孔注入層を、導電性高分子前駆体を製膜後重合して形
成する事により、発光効率を飛躍的に向上する事が出来
た。本発明を携帯型情報機器に応用すれば、長時間バッ
テリー動作を実現出来る。
正孔注入層を、導電性高分子前駆体を製膜後重合して形
成する事により、発光効率を飛躍的に向上する事が出来
た。本発明を携帯型情報機器に応用すれば、長時間バッ
テリー動作を実現出来る。
【図１】実施例１における電界発光素子の簡単な断面図
である。
である。
１…透明基板 ２…陽極（群） ３…バッファ層または正孔注入層 ４…発光層 ５…陰極（群） ６…保護膜 ７…駆動ドライバー回路
Claims (8)
- 【請求項１】少なくとも１方が透明な２枚の電極間にバ
ッファ層または正孔注入層、および発光層、さらに必要
に応じて電子注入層を配置した構造の電界発光素子にお
いて、前記バッファ層または正孔注入層として導電性高
分子を用い、かつこの膜厚変動が１ｍｍ□領域内で５０
ｎｍ以下である事を特徴とする電界発光素子。 - 【請求項２】前記導電性高分子がポリチオフェン誘導体
またはポリアニリン誘導体である事を特徴とする請求項
１記載の電界発光素子。 - 【請求項３】少なくとも１方が透明な２枚の電極間にバ
ッファ層または正孔注入層、および発光層、さらに必要
に応じて電子注入層を配置した構造の電界発光素子の製
造方法において、陽極上に導電性高分子前駆体と前記導
電性高分子前駆体の重合剤を混合した物またはこれら溶
液を塗布し、製膜後に重合させてバッファ層または正孔
注入層とする事を特徴とする電界発光素子の製造方法。 - 【請求項４】前記導電性高分子前駆体がチオフェン誘導
体またはアニリン誘導体である事を特徴とする請求項３
記載の電界発光素子の製造方法。 - 【請求項５】少なくとも１方が透明な２枚の電極間にバ
ッファ層または正孔注入層、および発光層、さらに必要
に応じて電子注入層を配置した構造の電界発光素子の製
造方法において、陽極上に導電性高分子前駆体またはこ
の溶液を塗布し、その後、前記前駆体の膜に重合手段を
講じて重合し、バッファ層または正孔注入層とする事を
特徴とする電界発光素子の製造方法。 - 【請求項６】前記導電性高分子前駆体がチオフェン誘導
体またはアニリン誘導体である事を特徴とする請求項５
記載の電界発光素子の製造方法。 - 【請求項７】前記重合手段が、重合剤塗布または重合剤
溶液への浸漬である事を特徴とする請求項５記載の電界
発光素子の製造方法。 - 【請求項８】前記重合手段が、加熱である事を特徴とす
る請求項５記載の電界発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30463598A JP3893774B2 (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 電界発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30463598A JP3893774B2 (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 電界発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133459A true JP2000133459A (ja) | 2000-05-12 |
| JP3893774B2 JP3893774B2 (ja) | 2007-03-14 |
Family
ID=17935422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30463598A Expired - Lifetime JP3893774B2 (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 電界発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3893774B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043444A2 (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Elam-T Limited | Electroluminescent device |
| JP2002212150A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Canon Inc | トリアリールアミン化合物、並びに該トリアリールアミン化合物を用いた重合膜、有機発光素子及びその製造方法 |
| JP2003045665A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| WO2003034512A1 (de) * | 2001-10-16 | 2003-04-24 | Bayer Aktiengesellschaft | Elektrophosphoreszierende anordnung mit leitfähigen polymeren |
| JP2007048732A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-22 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
-
1998
- 1998-10-26 JP JP30463598A patent/JP3893774B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043444A2 (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Elam-T Limited | Electroluminescent device |
| WO2002043444A3 (en) * | 2000-11-21 | 2002-10-17 | Elam T Ltd | Electroluminescent device |
| JP2002212150A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Canon Inc | トリアリールアミン化合物、並びに該トリアリールアミン化合物を用いた重合膜、有機発光素子及びその製造方法 |
| JP2003045665A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| WO2003034512A1 (de) * | 2001-10-16 | 2003-04-24 | Bayer Aktiengesellschaft | Elektrophosphoreszierende anordnung mit leitfähigen polymeren |
| JP2007048732A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-22 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3893774B2 (ja) | 2007-03-14 |
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