JP2000124149A - イオン注入用加速器のための共振回路 - Google Patents
イオン注入用加速器のための共振回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】同調及びマッチング用の改良された機構を有す
る共振回路を提供すること。 【解決手段】共振回路は、キャパシタ88,82 と固定イン
ダクタ62が並列接続されて共振器60を形成する。インダ
クタとキャパシタの第１，第２端部が、それぞれ共振器
の高電圧端子64と低電圧端子66に接続され、ＲＦ入力カ
ップリングが低電圧端子でインダクタに連結され、高電
圧電極が高電圧端子に連結される。インダクタのコイル
内で移動可能なプランジャー90を有する第１共振器同調
機構がインダクタのインダクタンスを変え、第２共振器
同調機構がキャパシタのキャパシタンスを変えるように
設けられる。第１同調機構は、インダクタのインダクタ
ンスを変えることによって共振回路の微調整を行い、第
２同調機構は、キャパシタのキャパシタンスを変えるこ
とによって共振回路の粗調整を行う。
る共振回路を提供すること。 【解決手段】共振回路は、キャパシタ88,82 と固定イン
ダクタ62が並列接続されて共振器60を形成する。インダ
クタとキャパシタの第１，第２端部が、それぞれ共振器
の高電圧端子64と低電圧端子66に接続され、ＲＦ入力カ
ップリングが低電圧端子でインダクタに連結され、高電
圧電極が高電圧端子に連結される。インダクタのコイル
内で移動可能なプランジャー90を有する第１共振器同調
機構がインダクタのインダクタンスを変え、第２共振器
同調機構がキャパシタのキャパシタンスを変えるように
設けられる。第１同調機構は、インダクタのインダクタ
ンスを変えることによって共振回路の微調整を行い、第
２同調機構は、キャパシタのキャパシタンスを変えるこ
とによって共振回路の粗調整を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に高エネル
ギーイオン注入装置に関し、特に、このような装置に用
いるための共振器コイル組立体を同調及びマッチングさ
せるための方法及び装置に関する。
ギーイオン注入装置に関し、特に、このような装置に用
いるための共振器コイル組立体を同調及びマッチングさ
せるための方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入は、集積回路を大規模生産す
る際に、半導体を不純物を用いてドーピングするために
産業界によって標準的に受け入れられた技術になってき
た。高エネルギーイオン注入装置は、ウエハ基板内に深
く注入を行うために使用される。このような深い注入
は、例えば、レトログレイド・ウエル(retrograde wel
l)を作り出すために必要とされる。イートンのＧＳＤ／
ＨＥ型やＧＳＤ／ＶＨＥ型のイオン注入機は、このよう
な高エネルギー注入装置の具体例である。これらの注入
機は、５ＭｅＶ(500万エレクトロンボルト）にまでエネ
ルギーレベルのイオンビームを供給する。
る際に、半導体を不純物を用いてドーピングするために
産業界によって標準的に受け入れられた技術になってき
た。高エネルギーイオン注入装置は、ウエハ基板内に深
く注入を行うために使用される。このような深い注入
は、例えば、レトログレイド・ウエル(retrograde wel
l)を作り出すために必要とされる。イートンのＧＳＤ／
ＨＥ型やＧＳＤ／ＶＨＥ型のイオン注入機は、このよう
な高エネルギー注入装置の具体例である。これらの注入
機は、５ＭｅＶ(500万エレクトロンボルト）にまでエネ
ルギーレベルのイオンビームを供給する。
【０００３】本発明の譲受人であるイートンに譲渡され
た米国特許明細書第４，６６７，１１１号には、このよ
うな高エネルギーイオン注入機が記載されており、ここ
に、十分に説明するように、この明細書は本発明の参考
文献として包含されている。
た米国特許明細書第４，６６７，１１１号には、このよ
うな高エネルギーイオン注入機が記載されており、ここ
に、十分に説明するように、この明細書は本発明の参考
文献として包含されている。
【０００４】一般的な高エネルギーイオン注入装置１０
のブロック図は、図１に示されている。この注入装置１
０は、３つの部分、即ち、各サブシステム、(a) 所望の
電流及びエネルギーのイオンビーム１７を生じるため
に、高電圧源１６によって電力が供給されるイオン源を
含むターミナル１２と、(b) イオンビームによって注入
されるウエハＷを支持する回転ディスク２０を含む端部
ステーションと、(c) ターミナル１２と端部ステーショ
ン１８の間に配置され、質量分析磁石２４と無線周波
（ＲＦ）リニア加速器(linac) ２６を含んでいるビーム
ラインアセンブリ２２とを有する。
のブロック図は、図１に示されている。この注入装置１
０は、３つの部分、即ち、各サブシステム、(a) 所望の
電流及びエネルギーのイオンビーム１７を生じるため
に、高電圧源１６によって電力が供給されるイオン源を
含むターミナル１２と、(b) イオンビームによって注入
されるウエハＷを支持する回転ディスク２０を含む端部
ステーションと、(c) ターミナル１２と端部ステーショ
ン１８の間に配置され、質量分析磁石２４と無線周波
（ＲＦ）リニア加速器(linac) ２６を含んでいるビーム
ラインアセンブリ２２とを有する。
【０００５】ビームラインアセンブリ２２は、ターミナ
ル１２によってイオンビーム出力を調整し、ターゲット
ウエハＷに向けて調整されたビームを指向させる。最終
エネルギー磁石（図１では図示略）は、リニア加速器２
６と回転ディスクの間に配置することができる。
ル１２によってイオンビーム出力を調整し、ターゲット
ウエハＷに向けて調整されたビームを指向させる。最終
エネルギー磁石（図１では図示略）は、リニア加速器２
６と回転ディスクの間に配置することができる。
【０００６】質量分析磁石２４は、リニア加速器に適当
な電荷対質量比のイオンだけを通過させる機能を有す
る。この質量分析磁石は、イオン源１４のために必要と
されており、適切な電荷対質量比のイオンを発生するこ
とに加えて、所望の比よりも大きいイオンまたはより小
さいイオンを生じさせる。不適当な電荷対質量比を有す
るイオンは、ウエハＷにイオンを注入するのに好ましく
ない。
な電荷対質量比のイオンだけを通過させる機能を有す
る。この質量分析磁石は、イオン源１４のために必要と
されており、適切な電荷対質量比のイオンを発生するこ
とに加えて、所望の比よりも大きいイオンまたはより小
さいイオンを生じさせる。不適当な電荷対質量比を有す
るイオンは、ウエハＷにイオンを注入するのに好ましく
ない。
【０００７】質量分析磁石２４を通過するイオンビーム
１７は、通過するイオンビームに付加的なエネルギーを
分け与えるＲＦリニア加速器に入る。ＲＦリニア加速器
は、時間と共に周期的に変化する粒子加速電界を生じ、
段階的に、異なる速度を有する粒子及び異なる原子量の
粒子を収容するように調整する。ＲＦリニア加速器２６
は、一連の共振器モジュール３０ａ〜３０ｎを含み、こ
れらは、前のモジュールから達成するエネルギーを越え
るイオンをさらに加速するために機能する。
１７は、通過するイオンビームに付加的なエネルギーを
分け与えるＲＦリニア加速器に入る。ＲＦリニア加速器
は、時間と共に周期的に変化する粒子加速電界を生じ、
段階的に、異なる速度を有する粒子及び異なる原子量の
粒子を収容するように調整する。ＲＦリニア加速器２６
は、一連の共振器モジュール３０ａ〜３０ｎを含み、こ
れらは、前のモジュールから達成するエネルギーを越え
るイオンをさらに加速するために機能する。
【０００８】図２は、共振器モジュール３０の公知の形
式を示し、共振器のキャビティハウジング３１（例えば
タンク回路）内に含まれる大きな誘導コイルＬを有す
る。無線周波（ＲＦ）信号は、インダクタＬの高電圧端
子にキャパシタＣｃを介して容量的に連結された回路に
供給される。加速電極３２は、インダクタＬの高電圧端
子に直接連結される。各加速電極３２は、２つのアース
された電極３４，３６の間に取付けられ、ギャップ３
８，４０によってそれぞれ分離した。Ｃｓは、アースに
対する高電圧加速電極３２のストレー容量を表す。ＲL
は、直列ループ（図３参照）におけるＬとＣｓを含む共
振回路に関連した損失を表す。
式を示し、共振器のキャビティハウジング３１（例えば
タンク回路）内に含まれる大きな誘導コイルＬを有す
る。無線周波（ＲＦ）信号は、インダクタＬの高電圧端
子にキャパシタＣｃを介して容量的に連結された回路に
供給される。加速電極３２は、インダクタＬの高電圧端
子に直接連結される。各加速電極３２は、２つのアース
された電極３４，３６の間に取付けられ、ギャップ３
８，４０によってそれぞれ分離した。Ｃｓは、アースに
対する高電圧加速電極３２のストレー容量を表す。ＲL
は、直列ループ（図３参照）におけるＬとＣｓを含む共
振回路に関連した損失を表す。
【０００９】ＣｓとＬに対する値は、共振状態を達成す
るための回路に対して選択され、非常に大きな正弦電圧
が加速電極３２の位置に形成することができる。この加
速電極３２とアース電極３４，３６は、公知のプッシュ
プル構成で、通過するイオンビームを加速するように作
動し、束ねられてパケットになる。ＲＦ正弦電極電圧の
負の半サイクルの間、正に荷電したイオンパケットは、
（加速電極３２によって引っ張られて）第１接地電極３
４からギャップ３８を横切って加速される。正弦サイク
ルにおける転移点において、電極３２はニュートラルで
あり、パケットは電極３２（ドリフトチューブともい
う。）を介してドリフトし、加速されない。
るための回路に対して選択され、非常に大きな正弦電圧
が加速電極３２の位置に形成することができる。この加
速電極３２とアース電極３４，３６は、公知のプッシュ
プル構成で、通過するイオンビームを加速するように作
動し、束ねられてパケットになる。ＲＦ正弦電極電圧の
負の半サイクルの間、正に荷電したイオンパケットは、
（加速電極３２によって引っ張られて）第１接地電極３
４からギャップ３８を横切って加速される。正弦サイク
ルにおける転移点において、電極３２はニュートラルで
あり、パケットは電極３２（ドリフトチューブともい
う。）を介してドリフトし、加速されない。
【００１０】ＲＦ正弦電極電圧の正の半サイクル中、正
に荷電したイオンパケットは、更にギャップ４０を通過
して第２の接地電極３６に向かって加速される（加速電
極３２によってプッシュされる）。加速電極を有して高
電圧の無線周波数（ＲＦ）で発振する後続の共振器モジ
ュールにおいて、このプッシュ−プル加速作用が繰り返
される。これによって、エネルギーを付加することによ
ってイオンビームパケットをさらに加速する。
に荷電したイオンパケットは、更にギャップ４０を通過
して第２の接地電極３６に向かって加速される（加速電
極３２によってプッシュされる）。加速電極を有して高
電圧の無線周波数（ＲＦ）で発振する後続の共振器モジ
ュールにおいて、このプッシュ−プル加速作用が繰り返
される。これによって、エネルギーを付加することによ
ってイオンビームパケットをさらに加速する。
【００１１】このモジュール内の連続する加速電極のＲ
Ｆの位相は、独立に調整され、イオンの各パケットが最
大加速を達成するＲＦサイクル内において適当な時間間
隔で到達することを確実にする。
Ｆの位相は、独立に調整され、イオンの各パケットが最
大加速を達成するＲＦサイクル内において適当な時間間
隔で到達することを確実にする。
【００１２】図３は、図２の共振器モジュール３０と等
価な回路を示す。時間に関連する入力／出力の変数は、
電圧ｖ(t) と電流ｉ(t) である。時間と周波数の領域表
示の双対関係（フーリエ変換）を利用すると、時間は、
変数としてω（ラジアン）に変えて消去することができ
る。共振器のハーモニック定常状態において、周波数ｆ
における電圧ｖ(t) と電流ｉ(t) は、複素インピーダン
スＺ（ω）によって線形的に関連する。即ち、 Ｖ＝Ｚ（ω）Ｉ ここで、ｖ(t) ＝Ｖsin ωｔ，ω
＝２πｆ 図３の回路において、キャパシタＣｓの複素インピーダ
ンスＺは、１／ｆに比例し、電流Ｉが電圧Ｖに対し９０
°位相が進んでいる。また、インダクタＬの複素インピ
ーダンスＺは、ｆに比例し、電流Ｉが電圧Ｖに対し９０
°位相が遅れている。また、抵抗損失ＲL は、周波数に
ほぼ無関係で、電流Ｉと電圧Ｖは同位相である。
価な回路を示す。時間に関連する入力／出力の変数は、
電圧ｖ(t) と電流ｉ(t) である。時間と周波数の領域表
示の双対関係（フーリエ変換）を利用すると、時間は、
変数としてω（ラジアン）に変えて消去することができ
る。共振器のハーモニック定常状態において、周波数ｆ
における電圧ｖ(t) と電流ｉ(t) は、複素インピーダン
スＺ（ω）によって線形的に関連する。即ち、 Ｖ＝Ｚ（ω）Ｉ ここで、ｖ(t) ＝Ｖsin ωｔ，ω
＝２πｆ 図３の回路において、キャパシタＣｓの複素インピーダ
ンスＺは、１／ｆに比例し、電流Ｉが電圧Ｖに対し９０
°位相が進んでいる。また、インダクタＬの複素インピ
ーダンスＺは、ｆに比例し、電流Ｉが電圧Ｖに対し９０
°位相が遅れている。また、抵抗損失ＲL は、周波数に
ほぼ無関係で、電流Ｉと電圧Ｖは同位相である。
【００１３】共振時の最大電圧は、一定のＲＦ入力信号
に対して加速電極３２において達成され、ＣｓとＬにお
ける電流は、それらが位相１８０°ずれているのでキャ
ンセルされる。回路におけるすべての電力は、抵抗ＲL
を介して消費される。共振状態を達成するために、ω＝
２πｆ＝（ＬＣ）-1/2であり、例えば、イートン社のＧ
ＳＤシリーズでは、ω＝１３．５６メガヘルツ（ＭＨ
ｚ）である。
に対して加速電極３２において達成され、ＣｓとＬにお
ける電流は、それらが位相１８０°ずれているのでキャ
ンセルされる。回路におけるすべての電力は、抵抗ＲL
を介して消費される。共振状態を達成するために、ω＝
２πｆ＝（ＬＣ）-1/2であり、例えば、イートン社のＧ
ＳＤシリーズでは、ω＝１３．５６メガヘルツ（ＭＨ
ｚ）である。
【００１４】共振状態を維持するために、インダクタと
キャパシタの積Ｌ×Ｃｓは、一定に維持されなければな
らない。共振回路のＱは、ＲL ／Ｘの比によって決ま
り、ここで、Ｘ＝ωＬである。即ち、（１サイクル当た
りの蓄積されたエネルギー）を（１サイクルあたりの消
費されたエネルギー）で割ったものに相当する。
キャパシタの積Ｌ×Ｃｓは、一定に維持されなければな
らない。共振回路のＱは、ＲL ／Ｘの比によって決ま
り、ここで、Ｘ＝ωＬである。即ち、（１サイクル当た
りの蓄積されたエネルギー）を（１サイクルあたりの消
費されたエネルギー）で割ったものに相当する。
【００１５】従って、動作中のキャパシタＣｓのドリフ
トとインダクタＬの変化は、これらのファクタの１つの
みを変えることによって、この場合Ｌを変えて、共振回
路を同調できるようにする。
トとインダクタＬの変化は、これらのファクタの１つの
みを変えることによって、この場合Ｌを変えて、共振回
路を同調できるようにする。
【００１６】また、共振器モジュール３０から出力され
る最大電力を得るために、共振回路のインピーダンスを
ＲＦ入力源のインピーダンスとマッチングさせて、共振
回路からＲＦ入力源に戻るＲＦ入力信号の反射を最小に
しなければならない。
る最大電力を得るために、共振回路のインピーダンスを
ＲＦ入力源のインピーダンスとマッチングさせて、共振
回路からＲＦ入力源に戻るＲＦ入力信号の反射を最小に
しなければならない。
【００１７】図４は、従来の共振器モジュールを示し、
この装置は、共振回路のマッチングと同調（チューニン
グ）のために設けられる。この同調機構は、インダクタ
Ｌのステム４４を共振器キャビティハウジング３１から
矢印で示した方向に出し入れするサーボモータ（図示
略）を含んでいる。
この装置は、共振回路のマッチングと同調（チューニン
グ）のために設けられる。この同調機構は、インダクタ
Ｌのステム４４を共振器キャビティハウジング３１から
矢印で示した方向に出し入れするサーボモータ（図示
略）を含んでいる。
【００１８】誘導コイルＬを長手軸線４７に沿って移動
（伸縮させる）することによって、インダクタのインダ
クタンス値が変えられる。高電流（２００アンペアま
で）が供給されるインダクタの低電圧端子側に、カラー
（円筒絶縁物）４８が設けられ、このカラーを介してイ
ンダクタのステムが出し入れされる。しかし、図４に示
されたこの同調機構は、(a) 比較的硬いインダクタを伸
縮させるためにかなりの電力を必要とし、(b) コイルの
長さに沿って非均一なインダクタンスであるインダクタ
の作動が鈍く、(c) 摩耗、および破壊電圧を受ける低イ
ンピーダンスで高電流用のカラーを必要としている。
（伸縮させる）することによって、インダクタのインダ
クタンス値が変えられる。高電流（２００アンペアま
で）が供給されるインダクタの低電圧端子側に、カラー
（円筒絶縁物）４８が設けられ、このカラーを介してイ
ンダクタのステムが出し入れされる。しかし、図４に示
されたこの同調機構は、(a) 比較的硬いインダクタを伸
縮させるためにかなりの電力を必要とし、(b) コイルの
長さに沿って非均一なインダクタンスであるインダクタ
の作動が鈍く、(c) 摩耗、および破壊電圧を受ける低イ
ンピーダンスで高電流用のカラーを必要としている。
【００１９】図４に示した従来のマッチング機構には、
キャパシタＣｃが設けられ、これにより、コネクタ５０
からインダクタＬにＲＦ入力信号の容量結合が与えられ
る。図５により詳細となるように、キャパシタＣｃは、
ねじ５６で取付けられた調整可能な延長部５４を有する
Ｃ形状要素５２を含んでいる。このキャパシタＣｃは、
ＲＦ入力源（一般的に５０Ω）のインピーダンスを回路
ＲL のインピーダンス（一般的に１ＭΩ）とマッチング
させるためのトランスとして機能する。調整可能な延長
部５４は、キャパシタＣｃのキャパシタタンスを調整す
るために、伸縮することができる。しかし、図４及び図
５に設けられるこのマッチング機構は、インダクタＬに
対するＲＦカップリングがインダクタの高電圧端子に作
られ、これにより、電気的にアースされたキャパシタＣ
ｃと高電圧インダクタのステム４４との間のアークが発
生する危険が増加する。
キャパシタＣｃが設けられ、これにより、コネクタ５０
からインダクタＬにＲＦ入力信号の容量結合が与えられ
る。図５により詳細となるように、キャパシタＣｃは、
ねじ５６で取付けられた調整可能な延長部５４を有する
Ｃ形状要素５２を含んでいる。このキャパシタＣｃは、
ＲＦ入力源（一般的に５０Ω）のインピーダンスを回路
ＲL のインピーダンス（一般的に１ＭΩ）とマッチング
させるためのトランスとして機能する。調整可能な延長
部５４は、キャパシタＣｃのキャパシタタンスを調整す
るために、伸縮することができる。しかし、図４及び図
５に設けられるこのマッチング機構は、インダクタＬに
対するＲＦカップリングがインダクタの高電圧端子に作
られ、これにより、電気的にアースされたキャパシタＣ
ｃと高電圧インダクタのステム４４との間のアークが発
生する危険が増加する。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、従来技術の欠点を解消する同調及びマッチング用の
改良された機構を有する共振器コイル、即ち、共振回路
を提供することである。また、更なる本発明の目的は、
イオン注入装置に用いるために使用するコイルアセンブ
リを設けることである。更に、別の目的は、このような
コイル組立体を調整及びマッチングさせるための方法及
び装置を提供することである。
は、従来技術の欠点を解消する同調及びマッチング用の
改良された機構を有する共振器コイル、即ち、共振回路
を提供することである。また、更なる本発明の目的は、
イオン注入装置に用いるために使用するコイルアセンブ
リを設けることである。更に、別の目的は、このような
コイル組立体を調整及びマッチングさせるための方法及
び装置を提供することである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は各請求項に記載の構成を有する。本発明
は、所定の周波数で共振することができる共振回路を提
供する。この共振回路は、長手軸線を有する固定位置の
インダクタとキャパシタを含み、これらが互いに並列に
電気接続されて共振器を形成する。このインダクタとキ
ャパシタの各第１，第２端部が、それぞれ前記共振器の
高電圧端子と低電圧端子に共に電気接続されている。無
線周波(RF)入力カップリングは、共振器の低電圧端子に
おいてインダクタに直接連結される。高電圧電極は、共
振器の高電圧端子に連結される。
に、本発明は各請求項に記載の構成を有する。本発明
は、所定の周波数で共振することができる共振回路を提
供する。この共振回路は、長手軸線を有する固定位置の
インダクタとキャパシタを含み、これらが互いに並列に
電気接続されて共振器を形成する。このインダクタとキ
ャパシタの各第１，第２端部が、それぞれ前記共振器の
高電圧端子と低電圧端子に共に電気接続されている。無
線周波(RF)入力カップリングは、共振器の低電圧端子に
おいてインダクタに直接連結される。高電圧電極は、共
振器の高電圧端子に連結される。
【００２２】第１同調機構は、インダクタのインダクタ
ンスを変えるために設けられ、インダクタのコイル内で
長手軸線に沿って移動可能なプランジャーを有してい
る。第２同調機構は、キャパシタのキャパシタンスを変
えるために設けられている。
ンスを変えるために設けられ、インダクタのコイル内で
長手軸線に沿って移動可能なプランジャーを有してい
る。第２同調機構は、キャパシタのキャパシタンスを変
えるために設けられている。
【００２３】第１同調機構は、インダクタのインダクタ
ンスを変えることによって共振回路の微調整を行い、第
２同調機構は、キャパシタのキャパシタンスを変えるこ
とによって共振回路の粗調整を行う。
ンスを変えることによって共振回路の微調整を行い、第
２同調機構は、キャパシタのキャパシタンスを変えるこ
とによって共振回路の粗調整を行う。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。図６において、改良された共振器コイル
組立体、即ち、共振器６０が与えられている。この共振
器６０は、リニア加速器の他の形式における利用が考慮
されているが、図１のイオン注入装置１０内の共振器モ
ジュール（３０ａ〜３０ｎ）の置き換えとして使用する
ものである。
いて説明する。図６において、改良された共振器コイル
組立体、即ち、共振器６０が与えられている。この共振
器６０は、リニア加速器の他の形式における利用が考慮
されているが、図１のイオン注入装置１０内の共振器モ
ジュール（３０ａ〜３０ｎ）の置き換えとして使用する
ものである。
【００２５】図６に示すように、共振器は、中空の銅製
チューブをコイル状に巻いて形成したインダクタ６２を
有する。以下で説明するように、このコイルは、電流が
流れることによって生じた熱を消散させるために、コイ
ル内部に水を通して冷却することができる。コイルの高
電圧端子は、第１コイルステム６４に終端し、コイルの
低電圧端子は、第２コイルステム６６に終端する。スペ
ーサ６７が、コイルループ間の距離（ここではコイルの
インダクタンス）を維持するために、インダクタ６２の
個々のコイルループの上からパチンとはめられている。
コイルは円筒ハウジング６８内にあり、この場合、ハウ
ジングは、アルミニウム製で、動作中電気的にアースさ
れている。ハンドル６９が共振器６０を注入装置１０か
ら取り除く及び注入装置内に設置するために設けられて
いる。
チューブをコイル状に巻いて形成したインダクタ６２を
有する。以下で説明するように、このコイルは、電流が
流れることによって生じた熱を消散させるために、コイ
ル内部に水を通して冷却することができる。コイルの高
電圧端子は、第１コイルステム６４に終端し、コイルの
低電圧端子は、第２コイルステム６６に終端する。スペ
ーサ６７が、コイルループ間の距離（ここではコイルの
インダクタンス）を維持するために、インダクタ６２の
個々のコイルループの上からパチンとはめられている。
コイルは円筒ハウジング６８内にあり、この場合、ハウ
ジングは、アルミニウム製で、動作中電気的にアースさ
れている。ハンドル６９が共振器６０を注入装置１０か
ら取り除く及び注入装置内に設置するために設けられて
いる。
【００２６】ＲＦ入力カップリング７０（図７及び図８
参照）は、インダクタ６２の低電圧端子にＲＦ信号を入
力するために設けられている。円筒形状の高電圧電極ま
たはドリフトチューブ７２は、第１コイルステムの端部
においてインダクタの高電圧端子に取り付けられてい
る。この高電圧電極７２は、アルミニウムで作られ、加
速されるべきイオンビームが通過できる通路７４を形成
する。
参照）は、インダクタ６２の低電圧端子にＲＦ信号を入
力するために設けられている。円筒形状の高電圧電極ま
たはドリフトチューブ７２は、第１コイルステムの端部
においてインダクタの高電圧端子に取り付けられてい
る。この高電圧電極７２は、アルミニウムで作られ、加
速されるべきイオンビームが通過できる通路７４を形成
する。
【００２７】図８に示すように、ＲＦカップリング７０
は、リード線７６及び接続パッド７８によってインダク
タコイルに連結されている。リード線７６のパッド上の
位置は、ＲＦ入力源のインピーダンスと共振器回路のイ
ンピーダンスをマッチングさせるように決定され、共振
回路からＲＦ入力源に戻される入力信号の反射を最小限
にする。
は、リード線７６及び接続パッド７８によってインダク
タコイルに連結されている。リード線７６のパッド上の
位置は、ＲＦ入力源のインピーダンスと共振器回路のイ
ンピーダンスをマッチングさせるように決定され、共振
回路からＲＦ入力源に戻される入力信号の反射を最小限
にする。
【００２８】この位置は、コイルにおける製造許容範囲
に適合するように可変できるようになっている。正しい
位置が決定されると、リード線７６は、パッド７８上の
固定位置にはんだ付けされる。コイルの低電圧端子でＲ
Ｆ信号をインダクタコイルに直接連結することによって
図２ないし図５の従来の共振器において示された容量性
カップリングの必要がなくなる。このように、インダク
タコイルの高電圧端子近くに容量性カップリングが形成
されて発生する電流アークの危険が減少する。共振器６
０は、１３．５６メガヘルツ（ＭＨｚ）の周波数で共振
するように設計されている。共振時、80,000ボルト（８
０ＫＶ）の電圧が加速電極７２に共振器によって発生す
る。こうして、アースされた共振器ハウジングから電極
に向けてセラミックの絶縁コーン８０が伸びており、共
振器ハウジングと電極７２または高電圧のコイルステム
６４の間のアークを防止する。環状の金属フランジ８２
が、固定具８４によって電気的にアースされたハウジン
グに取付けられ、絶縁コーン８０の位置が固定される。
に適合するように可変できるようになっている。正しい
位置が決定されると、リード線７６は、パッド７８上の
固定位置にはんだ付けされる。コイルの低電圧端子でＲ
Ｆ信号をインダクタコイルに直接連結することによって
図２ないし図５の従来の共振器において示された容量性
カップリングの必要がなくなる。このように、インダク
タコイルの高電圧端子近くに容量性カップリングが形成
されて発生する電流アークの危険が減少する。共振器６
０は、１３．５６メガヘルツ（ＭＨｚ）の周波数で共振
するように設計されている。共振時、80,000ボルト（８
０ＫＶ）の電圧が加速電極７２に共振器によって発生す
る。こうして、アースされた共振器ハウジングから電極
に向けてセラミックの絶縁コーン８０が伸びており、共
振器ハウジングと電極７２または高電圧のコイルステム
６４の間のアークを防止する。環状の金属フランジ８２
が、固定具８４によって電気的にアースされたハウジン
グに取付けられ、絶縁コーン８０の位置が固定される。
【００２９】共振器６０の同調をとるための機構は、共
振器コイルの高電圧ステム６４に配置された金属製のス
プリットリングクランプと、コイルの中心長手軸線９２
に沿ってコイル内に出入りできるようなプランジャ９０
を備えている。更に、以下で説明するように、リングク
ランプ８８は、共振器６０に対して初期的な粗調整の機
構（キャパシタのキャパシタンスを変える第１同調機
構）として機能し、また、プランジャ９０は、共振器に
対して微調整の機構（インダクタのインダクタンスを変
える第２同調機構）として機能する。クランプとプラン
ジャは、共に、コイル６２が固定位置に留まりかつ共振
状態を維持できるような、共振器のための効果的な同調
機構を与える。
振器コイルの高電圧ステム６４に配置された金属製のス
プリットリングクランプと、コイルの中心長手軸線９２
に沿ってコイル内に出入りできるようなプランジャ９０
を備えている。更に、以下で説明するように、リングク
ランプ８８は、共振器６０に対して初期的な粗調整の機
構（キャパシタのキャパシタンスを変える第１同調機
構）として機能し、また、プランジャ９０は、共振器に
対して微調整の機構（インダクタのインダクタンスを変
える第２同調機構）として機能する。クランプとプラン
ジャは、共に、コイル６２が固定位置に留まりかつ共振
状態を維持できるような、共振器のための効果的な同調
機構を与える。
【００３０】スプリットリングクランプ（金属要素）８
８は、ステム６４上に配置される。このステム上のリン
グクランプの位置は、コイル６２の軸線９２に平行な方
向にステムの長さに沿って調整可能である。リングクラ
ンプ８８と環状の金属フランジ８２は、その間の空間に
ある空気が誘電体として作用するキャパシタを形成す
る。リングが電極７２の方に移動すると、共振器（図２
参照）の全体のストレー容量Ｃs が減少し、これによっ
て共振器６０の共振周波数が増加する。逆に、リングが
電極７２から離れると、共振器のキャパシタンスが増加
し、これにより共振回路６０の共振周波数が減少する。
８は、ステム６４上に配置される。このステム上のリン
グクランプの位置は、コイル６２の軸線９２に平行な方
向にステムの長さに沿って調整可能である。リングクラ
ンプ８８と環状の金属フランジ８２は、その間の空間に
ある空気が誘電体として作用するキャパシタを形成す
る。リングが電極７２の方に移動すると、共振器（図２
参照）の全体のストレー容量Ｃs が減少し、これによっ
て共振器６０の共振周波数が増加する。逆に、リングが
電極７２から離れると、共振器のキャパシタンスが増加
し、これにより共振回路６０の共振周波数が減少する。
【００３１】共振器の粗調整、即ち、初期調整中、スプ
リットリングは、先端側の微調整位置との間のプランジ
ャーの中間位置で共振周波数が所望の値に近付づくよう
に初期位置に配置されている。スプリットリング８８の
位置は、コイルのステム６４に固定され、作動時、固定
位置に維持される。この粗調整の機構は、プランジャー
を操作時に移動させなければならない範囲を最小限にし
ている。この範囲を小さくすることは、ロスを少なくす
ることにおいて重要であり、プランジャーをコイル内に
過渡に挿入することを生じないようにしている。
リットリングは、先端側の微調整位置との間のプランジ
ャーの中間位置で共振周波数が所望の値に近付づくよう
に初期位置に配置されている。スプリットリング８８の
位置は、コイルのステム６４に固定され、作動時、固定
位置に維持される。この粗調整の機構は、プランジャー
を操作時に移動させなければならない範囲を最小限にし
ている。この範囲を小さくすることは、ロスを少なくす
ることにおいて重要であり、プランジャーをコイル内に
過渡に挿入することを生じないようにしている。
【００３２】プランジャー９０は、一端部が閉じたアル
ミニウムまたは銅製のシリンダ（即ち、銅製またはアル
ミ製のキャップ）で構成されている。図６に示すプラン
ジャー９０は、軸線９２に沿ってコイル６２の内側に形
成された円筒状の空間内に出入りできるようになってい
る。この軸線に沿うプランジャーを移動することによ
り、コイル６２を横切る磁力線の強さを変えてインダク
タのインダクタンスを変える。図６には、実線で示す最
も挿入された位置と想像線で示す最も引き出された位置
によって、２つの両端の微調整位置が示されている。
ミニウムまたは銅製のシリンダ（即ち、銅製またはアル
ミ製のキャップ）で構成されている。図６に示すプラン
ジャー９０は、軸線９２に沿ってコイル６２の内側に形
成された円筒状の空間内に出入りできるようになってい
る。この軸線に沿うプランジャーを移動することによ
り、コイル６２を横切る磁力線の強さを変えてインダク
タのインダクタンスを変える。図６には、実線で示す最
も挿入された位置と想像線で示す最も引き出された位置
によって、２つの両端の微調整位置が示されている。
【００３３】サーボモータ９４は、軸線９２に沿ってプ
ランジャーを双方向に移動するように機能する。サーボ
モータ軸上のプーリ９６は、ベルト１０２を介してプラ
ンジャー軸１００上のプーリ９８に連結されている。プ
ランジャー軸のプーリ９８内に配置された雌ねじは、プ
ランジャー軸１００の外側の雄ねじに螺合して、プーリ
９８の回転動作を軸線９２に沿うプランジャー軸１００
の前後移動に変換する。調整用サーボモータ９４は、共
振器の位相制御回路からの誤差信号を受け入れる調整制
御ループ（図示略）の一部分を構成し、従来技術でサー
ボモータにより機能化したコイルの伸縮動作と同様の方
法で、共振器の共振周波数におけるドリフトを調整す
る。
ランジャーを双方向に移動するように機能する。サーボ
モータ軸上のプーリ９６は、ベルト１０２を介してプラ
ンジャー軸１００上のプーリ９８に連結されている。プ
ランジャー軸のプーリ９８内に配置された雌ねじは、プ
ランジャー軸１００の外側の雄ねじに螺合して、プーリ
９８の回転動作を軸線９２に沿うプランジャー軸１００
の前後移動に変換する。調整用サーボモータ９４は、共
振器の位相制御回路からの誤差信号を受け入れる調整制
御ループ（図示略）の一部分を構成し、従来技術でサー
ボモータにより機能化したコイルの伸縮動作と同様の方
法で、共振器の共振周波数におけるドリフトを調整す
る。
【００３４】リニア位置エンコーダ１０１（図７参照）
は、コイル６２内でのプランジャー９０の位置に対する
フィードバックを与えるように設けられている。リニア
位置エンコーダ１０１の軸は、レバー１０３によってプ
ランジャー軸１００に取付けられている。リニア位置エ
ンコーダ１０１は、調整制御ループ内への入力信号とし
て使用される出力信号を発生する。
は、コイル６２内でのプランジャー９０の位置に対する
フィードバックを与えるように設けられている。リニア
位置エンコーダ１０１の軸は、レバー１０３によってプ
ランジャー軸１００に取付けられている。リニア位置エ
ンコーダ１０１は、調整制御ループ内への入力信号とし
て使用される出力信号を発生する。
【００３５】低電圧、高電流のコイルステム６６とプラ
ンジャー軸１００は、アルミ製の円筒ハウジング６８の
一端部を閉鎖するほぼ円形状のアルミ製の端部プレート
１０４を貫通する。この一端部でコイルを通過する高電
流によって、共振器の動作中熱が発生する。それゆえ、
共振器を冷却するために、本発明では水で冷却する手段
を設けている。特に、水冷通路は、以下で説明するよう
に、端部プレート１０４、プランジャー９０、及びコイ
ル６２に設けられている。
ンジャー軸１００は、アルミ製の円筒ハウジング６８の
一端部を閉鎖するほぼ円形状のアルミ製の端部プレート
１０４を貫通する。この一端部でコイルを通過する高電
流によって、共振器の動作中熱が発生する。それゆえ、
共振器を冷却するために、本発明では水で冷却する手段
を設けている。特に、水冷通路は、以下で説明するよう
に、端部プレート１０４、プランジャー９０、及びコイ
ル６２に設けられている。
【００３６】ほぼ円形状のチューブ通路１０６が端部プ
レートの周回りをめぐるように設けられている（図６参
照）。また、図８におけるコイル６２の切欠き部分に示
すように、水流入チューブ１０８と水流出チューブ１１
０が、コイル６２内に設けられている。同様な水流入チ
ューブ及び水流出チューブが、プランジャー軸１００と
プランジャー９０内にも設けることができる。
レートの周回りをめぐるように設けられている（図６参
照）。また、図８におけるコイル６２の切欠き部分に示
すように、水流入チューブ１０８と水流出チューブ１１
０が、コイル６２内に設けられている。同様な水流入チ
ューブ及び水流出チューブが、プランジャー軸１００と
プランジャー９０内にも設けることができる。
【００３７】図７に示すように、水流入口１１２は、コ
イルの流入チューブ１０８内に水を導いて、コイル全長
を通り、水流出チューブ１１０を通って水を戻すために
設けられている。さらにそこから、水は、端部プレート
のチューブ通路１０６に導かれ、端部プレートの周囲を
めぐって、水流出口から排出される。プランジャー軸と
プランジャーの水流入チューブ及び水流出チューブも、
端部プレート及びコイルと直列に配置されて冷却ループ
を形成することができ、その結果、それぞれ１つの水流
入口１１２と水流出口１１４を設ければ良いことにな
る。
イルの流入チューブ１０８内に水を導いて、コイル全長
を通り、水流出チューブ１１０を通って水を戻すために
設けられている。さらにそこから、水は、端部プレート
のチューブ通路１０６に導かれ、端部プレートの周囲を
めぐって、水流出口から排出される。プランジャー軸と
プランジャーの水流入チューブ及び水流出チューブも、
端部プレート及びコイルと直列に配置されて冷却ループ
を形成することができ、その結果、それぞれ１つの水流
入口１１２と水流出口１１４を設ければ良いことにな
る。
【００３８】以上、イオン注入装置の加速器用の改良さ
れた同調可能でかつマッチング可能な共振器の好ましい
実施形態を説明してきた。しかし、上述した記載を考慮
して、この記載は例示としてのみ作られており、本発明
は、個々に記載された特定の実施形態に制限されるもの
ではなく、また、本発明の範囲から逸脱しないで、特許
請求の範囲及びその等価物によって形成される上記記載
に関する、種々の変更、修正、及び置換が含まれること
は理解できるであろう。
れた同調可能でかつマッチング可能な共振器の好ましい
実施形態を説明してきた。しかし、上述した記載を考慮
して、この記載は例示としてのみ作られており、本発明
は、個々に記載された特定の実施形態に制限されるもの
ではなく、また、本発明の範囲から逸脱しないで、特許
請求の範囲及びその等価物によって形成される上記記載
に関する、種々の変更、修正、及び置換が含まれること
は理解できるであろう。
【図１】本発明に係る共振器コイル組立体を包含させる
ことのできるリニア加速器を有するイオン注入装置の概
略ブロック図である。
ことのできるリニア加速器を有するイオン注入装置の概
略ブロック図である。
【図２】図１に示すようなイオン注入装置に使用された
従来の共振器コイル組立体を示す図である。
従来の共振器コイル組立体を示す図である。
【図３】図２の従来の共振器コイル組立体における概略
図である。
図である。
【図４】図２に示した形式において、さらに公知の共振
器の同調及びインピーダンスマッチング機構を含む従来
の共振器コイル組立体の断面図である。
器の同調及びインピーダンスマッチング機構を含む従来
の共振器コイル組立体の断面図である。
【図５】図４の線５−５に沿って見た図４の共振器コイ
ル組立体の平面図である。
ル組立体の平面図である。
【図６】本発明の原理に従って構成され、改良された共
振器の同調及びインピーダンスマッチング機構を含む本
発明の共振器コイル組立体の断面図である。
振器の同調及びインピーダンスマッチング機構を含む本
発明の共振器コイル組立体の断面図である。
【図７】線７−７に沿って見た図６の共振器コイル組立
体の端部側の側面図である。
体の端部側の側面図である。
【図８】図６の共振器コイル組立体のインピーダンスマ
ッチング機構の断片的な一部断面図である。
ッチング機構の断片的な一部断面図である。
１０ イオン注入装置 ６０ 共振器（共振回路） ６２ インダクタ ６４，６６ ステム ６８ コイルハウジング ７０ ＲＦ入力カップリング ７２ 高電圧電極 ８２，８８ キャパシタ ９０ プランジャー ９２ 長手軸線 ９４ サーボモータ １０１ リニア位置エンコーダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 390033020 Ｅａｔｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ，Ｃｌｅｖｅｌ ａｎｄ，Ｏｈｉｏ 44114，Ｕ．Ｓ．Ａ.
Claims (28)
- 【請求項１】(a) 共振器(60)を形成するために互いに並
列に電気接続されて、前記共振器(60)の高電圧端子(64)
と低電圧端子(66)にそれぞれインダクタとキャパシタの
第１，第２端部が電気接続される前記インダクタ(62)と
キャパシタ(88,82) と、(b) 前記共振器(60)の低電圧端
子(66)において前記インダクタ(62)に直接連結された無
線周波(RF)入力カップリング(70)と、(c) 前記共振器(6
0)の高電圧端子(64)に連結された高電圧電極(72)とを備
えていることを特徴とする、所定の周波数において共振
可能な共振回路。 - 【請求項２】前記共振器(60)の低電圧端子(66)に配置さ
れた前記インダクタ(62)のコネクタパッド(78)を更に含
み、このコネクタパッドに接続する前記入力カップリン
グ(70)の位置が、この入力カップリングにＲＦ信号を供
給するＲＦ入力源の位置に関連して前記共振器(60)のイ
ンピーダンスがマッチングするように選択されているこ
とを特徴とする請求項１記載の共振回路。 - 【請求項３】前記コネクタパッド(78)に接続する前記入
力カップリング(70)の位置が、前記インダクタの製造許
容範囲内に適合するために、変化できるように構成され
ていることを特徴とする請求項２記載の共振回路。 - 【請求項４】前記インダクタは、中空の円筒コイルであ
ることを特徴とする請求項３記載の共振回路。 - 【請求項５】中空の円筒コイルは、水で冷却されている
ことを特徴とする請求項４記載の共振回路。 - 【請求項６】中空の円筒コイルは、コイルループ間に所
定の距離を維持するためにスペーサ要素(67)を備えてい
ることを特徴とする請求項５記載の共振回路。 - 【請求項７】前記高電圧電極(72)は、加速されるべきイ
オンビームが通過できる通路(74)を有することを特徴と
する請求項１記載の共振回路。 - 【請求項８】(a) 長手軸線(92)を有する固定位置のイン
ダクタ(62)と、キャパシタ(88,82) が互いに並列に電気
接続され、前記インダクタとキャパシタの各第１，第２
端部が、共振器(60)の高電圧端子(64)と低電圧端子(66)
にそれぞれ電気接続されている、インダクタ(62)とキャ
パシタ(88,82) と、(b) 前記インダクタ(62)に連結され
た無線周波(RF)入力カップリング(70)と、(c) 前記共振
器(60)の高電圧端子(64)に連結された高電圧電極(72)
と、(d) 前記インダクタ(62)のコイル内で前記長手軸線
(92)に沿って移動可能なプランジャー(90)を有して、前
記インダクタ(62)のインダクタンスを変えるための第１
同調機構とを備えていることを特徴とする、所定の周波
数において共振可能な共振回路。 - 【請求項９】前記固定位置のコイルインダクタ(62)が、
コイルループ間に所定の距離を維持するためにスペーサ
要素(67)を備えていることを特徴とする請求項８記載の
共振回路。 - 【請求項１０】前記高電圧電極(72)は、加速されるべき
イオンビームが通過できる通路(74)を有することを特徴
とする請求項８記載の共振回路。 - 【請求項１１】前記長手軸線(92)に沿ってプランジャー
(90)を双方向に移動するための調整用サーボモータをさ
らに含むことを特徴とする請求項８記載の共振回路。 - 【請求項１２】前記長手軸線(92)に沿うプランジャー(9
0)の位置に対するフィードバックを与えるための線形位
置エンコーダ(101) をさらに含むことを特徴とする請求
項１１記載の共振回路。 - 【請求項１３】前記プランジャー(90)は、水で冷却され
ていることを特徴とする請求項８記載の共振回路。 - 【請求項１４】前記キャパシタ(88,82) のキャパシタン
スを変えるための第２同調機構をさらに含み、前記第１
同調機構は、前記インダクタ(62)のインダクタンスを変
えることによって共振回路の微調整を行い、前記第２同
調機構は、前記キャパシタ(88,82) のキャパシタンスを
変えることによって共振回路の粗調整を行うことを特徴
とする請求項８記載の共振回路。 - 【請求項１５】前記キャパシタ(88,82) により与えられ
る共振器の第２同調機構は、(a) 前記コイルインダクタ
(68)の一端部に連結された金属要素(88)と、(b) コイル
ハウジング(68)の一部分(82)とを含み、前記金属要素(8
8)の位置は、前記キャパシタ(88,82) のキャパシタンス
を変えるために、前記ハウジングの一部分(82)に対して
移動可能であることを特徴とする請求項１４記載の共振
回路。 - 【請求項１６】前記金属要素は、前記共振器の高電圧端
子(64)に接続され、前記ハウジングの一部分(82)は、電
気的にアースされ、前記金属要素(88)は、前記長手軸線
(92)に沿って移動可能であることを特徴とする請求項１
５記載の共振回路。 - 【請求項１７】(a) 長手軸線(92)を有する固定位置のイ
ンダクタ(62)と、キャパシタ(88,82) が互いに並列に電
気接続され、前記インダクタとキャパシタの各第１，第
２端部が、共振器(60)の高電圧端子(64)と低電圧端子(6
6)にそれぞれ電気接続されている、インダクタ(62)とキ
ャパシタ(88,82) と、(b) 前記共振器(60)の低電圧端子
(66)において前記インダクタ(62)に直接連結された無線
周波(RF)入力カップリング(70)と、(c) 前記共振器(60)
の高電圧端子(64)に連結された高電圧電極(72)と、(d)
前記インダクタ(62)のコイル内で前記長手軸線(92)に沿
って移動可能なプランジャー(90)を有して、前記インダ
クタ(62)のインダクタンスを変えるための第１同調機構
とを備えていることを特徴とする、所定の周波数におい
て共振可能な共振回路。 - 【請求項１８】前記共振器(60)の低電圧端子(66)に配置
された前記インダクタ(62)のコネクタパッド(78)を更に
含み、このコネクタパッドに接続する前記入力カップリ
ング(70)の位置が、この入力カップリングにＲＦ信号を
供給するＲＦ入力源の位置に関連して前記共振器(60)の
インピーダンスがマッチングするように選択されている
ことを特徴とする請求項１７記載の共振回路。 - 【請求項１９】前記コネクタパッド(78)に接続する前記
入力カップリング(70)の位置が、前記インダクタの製造
許容範囲内に適合するために、変化できるように構成さ
れていることを特徴とする請求項１８記載の共振回路。 - 【請求項２０】前記キャパシタ(88,82) のキャパシタン
スを変えるための第２同調機構をさらに含み、前記第１
同調機構は、前記インダクタ(62)のインダクタンスを変
えることによって共振回路の微調整を行い、前記第２同
調機構は、前記キャパシタ(88,82) のキャパシタンスを
変えることによって共振回路の粗調整を行うことを特徴
とする請求項１７記載の共振回路。 - 【請求項２１】前記キャパシタ(88,82) により与えられ
る第２同調機構は、(a) 前記コイルインダクタ(68)の一
端部に連結された金属要素(88)と、(b) コイルハウジン
グ(68)の一部分(82)とを含み、前記金属要素(88)の位置
は、前記キャパシタ(88,82) のキャパシタンスを変える
ために、前記ハウジングの一部分(82)に対して移動可能
であることを特徴とする請求項２０記載の共振回路。 - 【請求項２２】前記金属要素は、前記共振器の高電圧端
子(64)に接続され、前記ハウジングの一部分(82)は、電
気的にアースされ、前記金属要素(88)は、前記長手軸線
(92)に沿って移動可能であることを特徴とする請求項２
１記載の共振回路。 - 【請求項２３】前記高電圧電極(72)は、加速されるべき
イオンビームが通過できる通路(74)を有することを特徴
とする請求項１７記載の共振回路。 - 【請求項２４】前記インダクタは、中空の円筒コイルで
あることを特徴とする請求項１７記載の共振回路。 - 【請求項２５】中空の円筒コイルは、水で冷却されてい
ることを特徴とする請求項２４記載の共振回路。 - 【請求項２６】前記固定位置のコイルインダクタ(62)
が、コイルループ間に所定の距離を維持するためにスペ
ーサ要素(67)を備えていることを特徴とする請求項１７
記載の共振回路。 - 【請求項２７】前記長手軸線(92)に沿ってプランジャー
(90)を双方向に移動するための調整用サーボモータをさ
らに含むことを特徴とする請求項１７記載の共振回路。 - 【請求項２８】前記長手軸線(92)に沿うプランジャー(9
0)の位置に対するフィードバックを与えるための線形位
置エンコーダ(101) をさらに含むことを特徴とする請求
項２７記載の共振回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US162181 | 1998-09-28 | ||
| US09/162,181 US6262638B1 (en) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | Tunable and matchable resonator coil assembly for ion implanter linear accelerator |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124149A true JP2000124149A (ja) | 2000-04-28 |
| JP2000124149A5 JP2000124149A5 (ja) | 2006-08-10 |
| JP4650705B2 JP4650705B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=22584511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27251899A Expired - Lifetime JP4650705B2 (ja) | 1998-09-28 | 1999-09-27 | イオン注入用加速器のための共振回路 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6262638B1 (ja) |
| EP (1) | EP0996316B1 (ja) |
| JP (1) | JP4650705B2 (ja) |
| KR (1) | KR100459534B1 (ja) |
| DE (1) | DE69914435T2 (ja) |
| SG (1) | SG80644A1 (ja) |
| TW (1) | TW427103B (ja) |
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| JP7199423B2 (ja) | 2017-09-15 | 2023-01-05 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオンビーム加速のためのｒｆ共振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000028709A (ko) | 2000-05-25 |
| US6262638B1 (en) | 2001-07-17 |
| DE69914435D1 (de) | 2004-03-04 |
| KR100459534B1 (ko) | 2004-12-03 |
| EP0996316B1 (en) | 2004-01-28 |
| TW427103B (en) | 2001-03-21 |
| JP4650705B2 (ja) | 2011-03-16 |
| DE69914435T2 (de) | 2004-11-25 |
| EP0996316A1 (en) | 2000-04-26 |
| SG80644A1 (en) | 2001-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060627 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060627 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100623 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100922 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100928 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101015 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101104 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101202 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |