JP2000114212A - シリコンウェハー用研磨助剤 - Google Patents
シリコンウェハー用研磨助剤Info
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- JP2000114212A JP2000114212A JP10282801A JP28280198A JP2000114212A JP 2000114212 A JP2000114212 A JP 2000114212A JP 10282801 A JP10282801 A JP 10282801A JP 28280198 A JP28280198 A JP 28280198A JP 2000114212 A JP2000114212 A JP 2000114212A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨品質のより優れたシリコンウエハーが得
られる研磨助剤を提供すること。 【解決手段】 エステル基を含有し、且つ、ＨＬＢが１
２以下である非イオン界面活性剤からなり、好ましくは
ポリオール又はポリオールアルキレンオキサイド付加物
と脂肪酸のエステル、若しくは該エステルのアルキレン
オキサイド付加物から選ばれる非イオン界面活性剤から
なるシリコンウェハー用研磨助剤。
られる研磨助剤を提供すること。 【解決手段】 エステル基を含有し、且つ、ＨＬＢが１
２以下である非イオン界面活性剤からなり、好ましくは
ポリオール又はポリオールアルキレンオキサイド付加物
と脂肪酸のエステル、若しくは該エステルのアルキレン
オキサイド付加物から選ばれる非イオン界面活性剤から
なるシリコンウェハー用研磨助剤。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体の製造工程で
のシリコンウェハーの鏡面研磨に好適に使用されるシリ
コンウェハー研磨助剤に関する。
のシリコンウェハーの鏡面研磨に好適に使用されるシリ
コンウェハー研磨助剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体用シリコンウェハーの鏡面研磨工
程には、シリコンインゴットから切断によってウェハー
状に切り出した際に生じる切断歪層及び表面うねりを除
去するラッピング工程（粗研磨）と、ラッピング工程を
経たラップドシリコンウェハーを、目的とする表面精度
に仕上げるポリッシング工程（精密研磨工程）がある。
又、後者のポリッシング工程には、大体の精度に仕上げ
る１次ポリッシング工程（１次研磨工程）と、目的とす
る表面精度に仕上げるファイナルポリッシング工程（最
終研磨工程）に分別され、場合によっては１次ポリッシ
ング工程を２つに分け、１次、２次ポリッシング工程と
称する場合もある。
程には、シリコンインゴットから切断によってウェハー
状に切り出した際に生じる切断歪層及び表面うねりを除
去するラッピング工程（粗研磨）と、ラッピング工程を
経たラップドシリコンウェハーを、目的とする表面精度
に仕上げるポリッシング工程（精密研磨工程）がある。
又、後者のポリッシング工程には、大体の精度に仕上げ
る１次ポリッシング工程（１次研磨工程）と、目的とす
る表面精度に仕上げるファイナルポリッシング工程（最
終研磨工程）に分別され、場合によっては１次ポリッシ
ング工程を２つに分け、１次、２次ポリッシング工程と
称する場合もある。
【０００３】従来シリコンウェハーの研磨剤としてはコ
ロイダルシリカが一般的に使用されてきた。しかし、コ
ロイダルシリカ研磨液のみを用いると研磨工程終了時に
シリコンウェハーの表面にヘイズ（曇り）が生じるとい
う問題がある。又、パウダー状シリカを研磨剤として用
いるとヘイズは発生しにくいが、水溶液に均一に分散さ
せる工程が新たに必要となり、更に静置しておくと沈殿
するために常に研磨液を攪拌している必要があった。
ロイダルシリカが一般的に使用されてきた。しかし、コ
ロイダルシリカ研磨液のみを用いると研磨工程終了時に
シリコンウェハーの表面にヘイズ（曇り）が生じるとい
う問題がある。又、パウダー状シリカを研磨剤として用
いるとヘイズは発生しにくいが、水溶液に均一に分散さ
せる工程が新たに必要となり、更に静置しておくと沈殿
するために常に研磨液を攪拌している必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの問題を解決す
べく、従来からシリコン研磨液に添加する助剤が検討さ
れてきた。例えば、特開平４―２９１７２２号公報に
は、コロイダルシリカ及び特定のＨＬＢ値を示す非イオ
ン界面活性剤を含むシリコンウェハー用研磨剤が開示さ
れている。特開平４―２９１７２３号公報には、コロイ
ダルシリカ及び特定のアニオン界面活性剤を含むシリコ
ンウェハー用研磨剤が開示されている。これらの界面活
性剤は、研磨液の表面張力を調整して、研磨時に研磨さ
れるシリコンウェハーの研磨表面に研磨液を十分保持さ
せるために使用されていた。しかし、半導体産業の発展
の結果、より高精度、高品質のシリコンウェハーが求め
られるにつれ上述のような界面活性剤では研磨助剤とし
ての性能が不十分であることが指摘されはじめた。
べく、従来からシリコン研磨液に添加する助剤が検討さ
れてきた。例えば、特開平４―２９１７２２号公報に
は、コロイダルシリカ及び特定のＨＬＢ値を示す非イオ
ン界面活性剤を含むシリコンウェハー用研磨剤が開示さ
れている。特開平４―２９１７２３号公報には、コロイ
ダルシリカ及び特定のアニオン界面活性剤を含むシリコ
ンウェハー用研磨剤が開示されている。これらの界面活
性剤は、研磨液の表面張力を調整して、研磨時に研磨さ
れるシリコンウェハーの研磨表面に研磨液を十分保持さ
せるために使用されていた。しかし、半導体産業の発展
の結果、より高精度、高品質のシリコンウェハーが求め
られるにつれ上述のような界面活性剤では研磨助剤とし
ての性能が不十分であることが指摘されはじめた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは鋭意
検討し、特定の非イオン界面活性剤が従来の研磨助剤よ
り優れた性能を示すことを発見し本発明を完成させた。
即ち本発明は、エステル基を含有し、且つ、ＨＬＢが１
２以下である非イオン界面活性剤からなるシリコンウェ
ハー用研磨助剤である。又本発明は上記のシリコンウェ
ハー用研磨助剤を含む研磨剤組成物を用いるシリコンウ
ェハーの研磨方法である。又本発明は該シリコンウェハ
ーの研磨方法により研磨されたシリコンウェハーであ
る。
検討し、特定の非イオン界面活性剤が従来の研磨助剤よ
り優れた性能を示すことを発見し本発明を完成させた。
即ち本発明は、エステル基を含有し、且つ、ＨＬＢが１
２以下である非イオン界面活性剤からなるシリコンウェ
ハー用研磨助剤である。又本発明は上記のシリコンウェ
ハー用研磨助剤を含む研磨剤組成物を用いるシリコンウ
ェハーの研磨方法である。又本発明は該シリコンウェハ
ーの研磨方法により研磨されたシリコンウェハーであ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のエステル基を含有する非
イオン界面活性剤としては、ポリオール又はポリオール
アルキレンオキサイド付加物の脂肪酸エステルが最も好
ましい。脂肪酸としては例えば、酢酸、プロピオン酸、
酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン
酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、ゾーマリ
ン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ガドレン
酸、エルカ酸、セラコレイン酸、リシノレイン酸、ヒド
ロキシステアリン酸等が挙げられる。又、天然油脂から
得られる混合脂肪酸であってもよい。天然油脂としては
例えば、アマニ油、オリーブ油、カカオ脂、ゴマ油、コ
メヌカ油、サフラワー油、大豆油、ツバキ油、コーン
油、ナタネ油、パーム油、パーム核油、ひまし油、ひま
わり油、綿実油、ヤシ油等の植物性油脂、牛脂、豚脂、
乳脂、魚油、鯨油等の動物性油脂が挙げられる。
イオン界面活性剤としては、ポリオール又はポリオール
アルキレンオキサイド付加物の脂肪酸エステルが最も好
ましい。脂肪酸としては例えば、酢酸、プロピオン酸、
酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン
酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、ゾーマリ
ン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ガドレン
酸、エルカ酸、セラコレイン酸、リシノレイン酸、ヒド
ロキシステアリン酸等が挙げられる。又、天然油脂から
得られる混合脂肪酸であってもよい。天然油脂としては
例えば、アマニ油、オリーブ油、カカオ脂、ゴマ油、コ
メヌカ油、サフラワー油、大豆油、ツバキ油、コーン
油、ナタネ油、パーム油、パーム核油、ひまし油、ひま
わり油、綿実油、ヤシ油等の植物性油脂、牛脂、豚脂、
乳脂、魚油、鯨油等の動物性油脂が挙げられる。
【０００７】ポリオールとしては例えば、エチレングリ
コール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオー
ル、１，２−ブタンジオール、ネオペンチルグリコー
ル、１，６−ヘキサンジオール、１，２−オクタンジオ
ール、１，８−オクタンジオール、イソプレングリコー
ル、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、ソルバイ
ト、カテコール、レゾルシン、ヒドロキノン、ビスフェ
ノールＡ、ビスフェノールＦ、水添ビスフェノールＡ、
水添ビスフェノールＦ、ダイマージオール等のジオー
ル；グリセリン、トリオキシイソブタン、１，２，３−
ブタントリオール、１，２，３−ペンタントリオール、
２−メチル−１，２，３−プロパントリオール、２−メ
チル−２，３，４−ブタントリオール、２−エチル−
１，２，３−ブタントリオール、２，３，４−ペンタン
トリオール、２，３，４−ヘキサントリオール、４−プ
ロピル−３，４，５−ヘプタントリオール、２，４−ジ
メチル−２，３，４−ペンタントリオール、ペンタメチ
ルグリセリン、ペンタグリセリン、１，２，４−ブタン
トリオール、１，２，４−ペンタントリオール、トリメ
チロールエタン、トリメチロールプロパン等の３価アル
コール；ペンタエリスリトール、エリスリトール、１，
２，３，４−ペンタンテトロール、２，３，４，５−ヘ
キサンテトロール、１，２，４，５−ペンタンテトロー
ル、１，３，４，５−ヘキサンテトロール、ジグリセリ
ン、ソルビタン等の４価アルコール；アドニトール、ア
ラビトール、キシリトール、トリグリセリン等の５価ア
ルコール；ジペンタエリスリトール、ソルビトール、マ
ンニトール、イジトール、イノシトール、ダルシトー
ル、タロース、アロース等の６価アルコール；又はこれ
らの脱水縮合物；又はこれらのアルキレンオキサイド付
加物等が挙げられる。
コール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオー
ル、１，２−ブタンジオール、ネオペンチルグリコー
ル、１，６−ヘキサンジオール、１，２−オクタンジオ
ール、１，８−オクタンジオール、イソプレングリコー
ル、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、ソルバイ
ト、カテコール、レゾルシン、ヒドロキノン、ビスフェ
ノールＡ、ビスフェノールＦ、水添ビスフェノールＡ、
水添ビスフェノールＦ、ダイマージオール等のジオー
ル；グリセリン、トリオキシイソブタン、１，２，３−
ブタントリオール、１，２，３−ペンタントリオール、
２−メチル−１，２，３−プロパントリオール、２−メ
チル−２，３，４−ブタントリオール、２−エチル−
１，２，３−ブタントリオール、２，３，４−ペンタン
トリオール、２，３，４−ヘキサントリオール、４−プ
ロピル−３，４，５−ヘプタントリオール、２，４−ジ
メチル−２，３，４−ペンタントリオール、ペンタメチ
ルグリセリン、ペンタグリセリン、１，２，４−ブタン
トリオール、１，２，４−ペンタントリオール、トリメ
チロールエタン、トリメチロールプロパン等の３価アル
コール；ペンタエリスリトール、エリスリトール、１，
２，３，４−ペンタンテトロール、２，３，４，５−ヘ
キサンテトロール、１，２，４，５−ペンタンテトロー
ル、１，３，４，５−ヘキサンテトロール、ジグリセリ
ン、ソルビタン等の４価アルコール；アドニトール、ア
ラビトール、キシリトール、トリグリセリン等の５価ア
ルコール；ジペンタエリスリトール、ソルビトール、マ
ンニトール、イジトール、イノシトール、ダルシトー
ル、タロース、アロース等の６価アルコール；又はこれ
らの脱水縮合物；又はこれらのアルキレンオキサイド付
加物等が挙げられる。
【０００８】好ましく使用することができるポリオール
としては、エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、ネオペンチルグリコール、グリセリン、トリメチロ
ールプロパン、ペンタエリスリトール、ソルビタン、ソ
ルビトール；又はこれらの脱水縮合物；又はこれらのア
ルキレンオキサイド付加物等が挙げられる。
としては、エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、ネオペンチルグリコール、グリセリン、トリメチロ
ールプロパン、ペンタエリスリトール、ソルビタン、ソ
ルビトール；又はこれらの脱水縮合物；又はこれらのア
ルキレンオキサイド付加物等が挙げられる。
【０００９】アルキレンオキサイドとしては例えば、エ
チレンオキサイド、プロピレンオキサイド、ブチレンオ
キサイド、α−オレフィンオキサイド等が挙げられる。
付加の形態としては例えば、１種類のアルキレンオキサ
イドの単独重合、２種以上のアルキレンオキサイドのブ
ロック共重合、ランダム共重合、ブロック／ランダム共
重合等の形態が挙げられる。付加のモル数としては特に
限定は無いが、通常はポリオールの水酸基１モル当たり
１〜３０モル程度である。又、上記のようなエステルに
更にアルキレンオキサイドを付加したものでもよい。
チレンオキサイド、プロピレンオキサイド、ブチレンオ
キサイド、α−オレフィンオキサイド等が挙げられる。
付加の形態としては例えば、１種類のアルキレンオキサ
イドの単独重合、２種以上のアルキレンオキサイドのブ
ロック共重合、ランダム共重合、ブロック／ランダム共
重合等の形態が挙げられる。付加のモル数としては特に
限定は無いが、通常はポリオールの水酸基１モル当たり
１〜３０モル程度である。又、上記のようなエステルに
更にアルキレンオキサイドを付加したものでもよい。
【００１０】上記のエステル基を含有する非イオン界面
活性剤のうち、ＨＬＢが１２以下であるものは、シリコ
ンウェハーを研磨する場合に特に適した表面張力を研磨
液に与えるので、ヘイズが無く、表面が平滑・平坦なシ
リコンウェハーを得ることができ、その結果高性能の半
導体素子が得られる。又、上記非イオン界面活性剤はエ
ステル基を有するため生分解性に優れるので、使用後の
研磨液を廃液処理する際に処理の負担が軽くなる。尚、
ＨＬＢの算出式は以下のとおりである。
活性剤のうち、ＨＬＢが１２以下であるものは、シリコ
ンウェハーを研磨する場合に特に適した表面張力を研磨
液に与えるので、ヘイズが無く、表面が平滑・平坦なシ
リコンウェハーを得ることができ、その結果高性能の半
導体素子が得られる。又、上記非イオン界面活性剤はエ
ステル基を有するため生分解性に優れるので、使用後の
研磨液を廃液処理する際に処理の負担が軽くなる。尚、
ＨＬＢの算出式は以下のとおりである。
【００１１】
【数１】
【００１２】 Ｓ：非イオン界面活性剤のケン化価 Ａ：非イオン界面活性剤の原料脂肪酸の酸価 上記の本発明のシリコンウェハー用研磨助剤は通常、研
磨剤である水分散シリカや酸化セリウムに添加して使用
される。水分散シリカとしては例えば水分散パウダーシ
リカ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、中でもｐＨ
８〜１２に調整されたコロイダルシリカが好ましい。ア
ルカリ性コロイダルシリカの中でも、平均粒子径は７〜
１００μｍが好ましく、シリカ固形分の濃度は２０〜６
０重量％が好ましい。
磨剤である水分散シリカや酸化セリウムに添加して使用
される。水分散シリカとしては例えば水分散パウダーシ
リカ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、中でもｐＨ
８〜１２に調整されたコロイダルシリカが好ましい。ア
ルカリ性コロイダルシリカの中でも、平均粒子径は７〜
１００μｍが好ましく、シリカ固形分の濃度は２０〜６
０重量％が好ましい。
【００１３】本発明のシリコンウェハー用研磨助剤の添
加量は特に限定されないが、水分散シリカや酸化セリウ
ム等の研磨剤中の固形分に対して０．００５重量％〜５
重量％添加することが好ましい。
加量は特に限定されないが、水分散シリカや酸化セリウ
ム等の研磨剤中の固形分に対して０．００５重量％〜５
重量％添加することが好ましい。
【００１４】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。尚、以下の実施例中、部及び％は特に記載が無
い限り重量基準である。試験に用いた本発明の研磨助剤
及び比較品は以下のとおりである。
明する。尚、以下の実施例中、部及び％は特に記載が無
い限り重量基準である。試験に用いた本発明の研磨助剤
及び比較品は以下のとおりである。
【００１５】
【表１】
【００１６】 比較品１：アルミン酸ナトリウム 比較品２：ラウリルスルホン酸ナトリウム 比較品３：ノニルフェノールエチレンオキサイド５０モ
ル付加物（ＨＬＢ＝１８．３）
ル付加物（ＨＬＢ＝１８．３）
【００１７】（実施例１）コロイダルシリカとしてアデ
ライトＡＴ−３０Ｓ（商品名、旭電化工業株製、平均粒
子径７〜１０μｍ、シリカ固形分３０％）、を水（水道
水）でシリカ固形分５．０％に希釈した。これに本発明
の研磨助剤又は比較品をシリカ固形分に対してそれぞれ
０．１％（比較品１は１．０％）添加し、よく攪拌して
均一化して希釈研磨液とした。この希釈研磨液を以下の
条件でポリッシングマシーンに流し込み、１次ポリッシ
ング工程を経たシリコンウェハーを研磨した。
ライトＡＴ−３０Ｓ（商品名、旭電化工業株製、平均粒
子径７〜１０μｍ、シリカ固形分３０％）、を水（水道
水）でシリカ固形分５．０％に希釈した。これに本発明
の研磨助剤又は比較品をシリカ固形分に対してそれぞれ
０．１％（比較品１は１．０％）添加し、よく攪拌して
均一化して希釈研磨液とした。この希釈研磨液を以下の
条件でポリッシングマシーンに流し込み、１次ポリッシ
ング工程を経たシリコンウェハーを研磨した。
【００１８】＜条件＞ ポリッシングマシーン：ＬＰＨ−１５改良機（ラップマ
スター株製） ポリッシング盤直径：１５インチ 加工圧力：１００ｇ／ｃｍ２ 加工温度：３０℃ 加工液供給量：１０リットル／時間 加工時間：１時間 加工枚数：１枚 ポリッシャー：ＳＵＰＲＥＭＥ ＲＮ−Ｈ ローデル・
ニッタ株製 上記条件下でファイナルポリッシングを行い、終了後、
ウェハー表面を乾燥させないように注意して過酸化水素
―アンモニア溶液で８０℃でＲＣＡ洗浄した。洗浄後、
クイックダンプ洗浄を行い、スピンドライヤーで乾燥さ
せた。乾燥後、以下の評価を行った。
スター株製） ポリッシング盤直径：１５インチ 加工圧力：１００ｇ／ｃｍ２ 加工温度：３０℃ 加工液供給量：１０リットル／時間 加工時間：１時間 加工枚数：１枚 ポリッシャー：ＳＵＰＲＥＭＥ ＲＮ−Ｈ ローデル・
ニッタ株製 上記条件下でファイナルポリッシングを行い、終了後、
ウェハー表面を乾燥させないように注意して過酸化水素
―アンモニア溶液で８０℃でＲＣＡ洗浄した。洗浄後、
クイックダンプ洗浄を行い、スピンドライヤーで乾燥さ
せた。乾燥後、以下の評価を行った。
【００１９】＜評価１＞グリーンベンチ内でハロゲン平
行光（超高輝度検査用照明装置Ｕ１Ｈ−１Ｈ、インテッ
ク株製）の反射を目視で測定し、ヘイズの発生を観察し
た。 ＜評価２＞研磨ウェハーの表面粗さを光学干渉式粗さ計
（ＷＹＫＯ社ＷＹＫＯＴＯＰＯ−３Ｄ、２５０μｍ）で
平均２乗粗さを測定した。 ＜評価３＞研磨ウェハーの表面平坦度（最大厚さと最小
厚さの差、ＴＴＶ）をＴＴＶ測定装置（ＡＤＥマイクロ
スキャン８３００、ＡＤＥ社製）により測定した。 ＜評価４＞研磨中の研磨速度を測定した。
行光（超高輝度検査用照明装置Ｕ１Ｈ−１Ｈ、インテッ
ク株製）の反射を目視で測定し、ヘイズの発生を観察し
た。 ＜評価２＞研磨ウェハーの表面粗さを光学干渉式粗さ計
（ＷＹＫＯ社ＷＹＫＯＴＯＰＯ−３Ｄ、２５０μｍ）で
平均２乗粗さを測定した。 ＜評価３＞研磨ウェハーの表面平坦度（最大厚さと最小
厚さの差、ＴＴＶ）をＴＴＶ測定装置（ＡＤＥマイクロ
スキャン８３００、ＡＤＥ社製）により測定した。 ＜評価４＞研磨中の研磨速度を測定した。
【００２０】本発明の研磨助剤、比較品を使用した場合
及び研磨助剤を使用しないブランクの場合について、以
上の４種類の評価の結果を表２に示す。
及び研磨助剤を使用しないブランクの場合について、以
上の４種類の評価の結果を表２に示す。
【００２１】
【表２】
【００２２】（実施例２）コロイダルシリカとしてアデ
ライトＡＴ−５０（商品名、旭電化工業株製、平均粒子
径２０〜３０μｍ、シリカ固形分５０％）を、水でシリ
カ固形分５．０％に希釈した。これに本発明の研磨助剤
又は比較品をシリカ固形分に対してそれぞれ０．０１％
（比較品１は０．５％）添加し、よく攪拌して均一化し
て希釈研磨液とした。以下、この研磨希釈液を用いて、
実施例1と同様の条件及び方法で評価を行った。この結
果を表３に示す。
ライトＡＴ−５０（商品名、旭電化工業株製、平均粒子
径２０〜３０μｍ、シリカ固形分５０％）を、水でシリ
カ固形分５．０％に希釈した。これに本発明の研磨助剤
又は比較品をシリカ固形分に対してそれぞれ０．０１％
（比較品１は０．５％）添加し、よく攪拌して均一化し
て希釈研磨液とした。以下、この研磨希釈液を用いて、
実施例1と同様の条件及び方法で評価を行った。この結
果を表３に示す。
【００２３】
【表３】
【００２４】以上の実施例から、本発明の研磨助剤はア
ニオン界面活性剤（比較品２）、ＨＬＢが１２を越える
非イオン界面活性剤（比較品３）に比べて、表面粗さ、
平坦度、研磨速度等のシリコンウエハーの研磨に求めら
れる特性に優れていることが分かる。
ニオン界面活性剤（比較品２）、ＨＬＢが１２を越える
非イオン界面活性剤（比較品３）に比べて、表面粗さ、
平坦度、研磨速度等のシリコンウエハーの研磨に求めら
れる特性に優れていることが分かる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の効果は新規なシリコンウェハー
研磨助剤を提供することにある。
研磨助剤を提供することにある。
Claims (5)
- 【請求項１】 エステル基を含有し、且つ、ＨＬＢが１
２以下である非イオン界面活性剤からなるシリコンウェ
ハー用研磨助剤。 - 【請求項２】 非イオン界面活性剤が、ポリオール又は
ポリオールアルキレンオキサイド付加物と脂肪酸のエス
テル、若しくは該エステルのアルキレンオキサイド付加
物である請求項１に記載のシリコンウェハー用研磨助
剤。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のシリコンウェハ
ー用研磨助剤及びコロイダルシリカを含むシリコンウェ
ハー用研磨剤組成物。 - 【請求項４】 請求項３に記載のシリコンウェハー用研
磨剤組成物を用いるシリコンウェハーの研磨方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載のシリコンウェハーの研
磨方法により研磨されたシリコンウェハー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10282801A JP2000114212A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | シリコンウェハー用研磨助剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10282801A JP2000114212A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | シリコンウェハー用研磨助剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114212A true JP2000114212A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17657277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10282801A Withdrawn JP2000114212A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | シリコンウェハー用研磨助剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000114212A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444132B1 (en) * | 1998-04-23 | 2002-09-03 | Tokyo Magnetic Printing Co., Ltd. | Free abrasive slurry compositions |
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