JP2000111597A - Inspection method and repair method for liquid crystal display unit and inspection device of liquid crystal display unit - Google Patents

Inspection method and repair method for liquid crystal display unit and inspection device of liquid crystal display unit

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JP2000111597A
JP2000111597A JP10285207A JP28520798A JP2000111597A JP 2000111597 A JP2000111597 A JP 2000111597A JP 10285207 A JP10285207 A JP 10285207A JP 28520798 A JP28520798 A JP 28520798A JP 2000111597 A JP2000111597 A JP 2000111597A
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Japan
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liquid crystal
crystal display
laser
laser light
signal lines
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JP10285207A
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Kazuki Inoue
一樹 井上
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Advanced Display Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection method and repair method making laser repairment possible by specifying the location of a short in signal line with a relatively inexpensive method. SOLUTION: An inspection method for a liquid crystal display unit specifying the location of an electric short generated in signal lines 2 formed in parallel to each other on the liquid crystal display measures a resistance value between signal lines short-circuited to each other, scans the gap between signal lines with a laser light, reads the change in resistance value when the laser light passes on the short-circuited location and specifies the location of the short circuit from the position of laser light scan at the moment the resistance value changes.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置の欠
陥検査方法または欠陥修復方法に関する。
The present invention relates to a defect inspection method and a defect repair method for a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置では、平行に走る複数の信
号ラインがガラス基板上に形成される。この信号ライン
は、成膜→写真製版→エッチングという工程の流れの中
で形成されるが、いずれかの工程に問題があると、信号
ラインと信号ラインとを橋渡しする「パターン残」が発
生してしまうことがある。このような「パターン残」が
あると、隣接する信号ラインは電気的に短絡し液晶表示
の線欠陥となってしまう。よって、液晶表示装置の製造
においては、このような欠陥を検出し、これを修復する
ことが必要となってくる。
2. Description of the Related Art In a liquid crystal display device, a plurality of signal lines running in parallel are formed on a glass substrate. This signal line is formed in the process flow of film formation → photoengraving → etching, but if there is a problem in any of the processes, a “pattern remaining” that bridges the signal line and the signal line occurs. Sometimes. When there is such a "pattern remaining", adjacent signal lines are electrically short-circuited, resulting in a line defect of a liquid crystal display. Therefore, in manufacturing a liquid crystal display device, it is necessary to detect such a defect and repair it.

【0003】液晶表示装置の従来の検査方法では、各信
号ラインの信号入力端子をプローブ針でプロービング
し、隣接する信号ライン間の抵抗値を順次測定していく
ということが行われてきた。この方法では、短絡してい
る2本の信号ラインを特定することが可能である。しか
し、短絡箇所がそれらの信号ライン上のどの位置にあっ
ても(つまり、信号入力端子に近い側にあっても信号入
力端子から遠い側にあっても)、信号ライン間の抵抗値
は同じであるので、信号ライン上の短絡欠陥の存在位置
を特定することは非常に困難であった。
In a conventional inspection method of a liquid crystal display device, it has been practiced to probe a signal input terminal of each signal line with a probe needle and sequentially measure a resistance value between adjacent signal lines. With this method, it is possible to identify two short-circuited signal lines. However, regardless of where on the signal lines the short-circuit point is located (ie, on the side closer to the signal input terminal or on the side farther from the signal input terminal), the resistance value between the signal lines is the same. Therefore, it is very difficult to specify the location of the short-circuit defect on the signal line.

【0004】現在一般的に、液晶表示装置の修復方法と
して、レーザーを用いた「パターン残」のカットの方法
が確立されている。しかし、レーザーで「パターン残」
をカットするためには、その位置を少なくとも数100
μm程度の精度で特定する必要がある。よって、上記の
信号ライン間の抵抗値を測定する方法では、レーザーに
よる修復が行えず、液晶表示装置の生産歩留の向上が望
めない。
At present, as a method of repairing a liquid crystal display device, a method of cutting "remaining patterns" using a laser has been established. However, "pattern remains" with laser
In order to cut the
It is necessary to specify with an accuracy of about μm. Therefore, in the method of measuring the resistance value between the signal lines described above, repair by laser cannot be performed, and improvement in the production yield of the liquid crystal display device cannot be expected.

【0005】液晶表示装置の検査としては、完成したア
レイ基板における各画素の各種特性(チャージできる電
荷量や画素の周囲に発生する電場の強さなど)を測定す
る方法も従来から用いられてきた。これらの方法による
と、測定を画素単位で行うため、時には信号ライン上の
短絡箇所の位置を特定することも可能である。しかし、
概して、これらは非常に高価な検査方法であり、そのコ
ストは、液晶表示装置の生産コストを大きく圧迫してい
た。
As a test of a liquid crystal display device, a method of measuring various characteristics of each pixel on a completed array substrate (eg, the amount of charge that can be charged and the intensity of an electric field generated around the pixel) has been used. . According to these methods, since the measurement is performed in pixel units, it is sometimes possible to specify the position of the short-circuit point on the signal line. But,
In general, these are very expensive inspection methods, the cost of which has greatly reduced the production costs of liquid crystal displays.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の安
価な方法ではレーザー修復するための充分な情報が得ら
れず、また、充分な情報を得るためには高価な検査方法
に頼らざるを得ないという状況を回避するため、従来か
ら存在する比較的安価な方法の組み合わせで、信号ライ
ン間の短絡の場所を特定し、レーザー修復可能とする検
査方法および修復方法を提供することが本発明の目的で
ある。
As described above, conventional inexpensive methods cannot obtain sufficient information for laser repair, and must rely on expensive inspection methods to obtain sufficient information. SUMMARY OF THE INVENTION In order to avoid such a situation, it is an object of the present invention to provide an inspection method and a repair method in which the location of a short circuit between signal lines is specified by a combination of conventionally existing relatively inexpensive methods and laser repair is possible. Is the purpose.

【0007】さらに、従来の高価な検査方法では、アレ
イ基板上の画素が完成されていなければならないため、
完成された(またはほとんど完成に近い)アレイ基板に
対してのみ検査可能である。よって、これらの方法で短
絡箇所が特性されレーザー修復が可能となっても、短絡
箇所の場所によってはレーザー修復不可能となる場合も
起こり得る。(パターン残が別のレイヤの信号ラインと
重なった位置に存在するため、カット不可能な場合な
ど)。これに比較して、本発明による方法では、リペア
対象の信号ラインを形成した直後に検査可能であるた
め、レーザー修復も他のレイヤとの干渉に影響されるこ
となくスムーズに行うことができる。
Further, in the conventional expensive inspection method, pixels on the array substrate must be completed.
Inspection is possible only on completed (or almost complete) array substrates. Therefore, even if the short-circuited portion is characterized by these methods and the laser can be repaired, laser repair may not be possible depending on the location of the short-circuited portion. (For example, when the pattern cannot be cut because the pattern residue exists at a position overlapping the signal line of another layer). In contrast, in the method according to the present invention, since the inspection can be performed immediately after forming the signal line to be repaired, laser repair can be performed smoothly without being affected by interference with other layers.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】そこで、本発明の一態様
においては、信号ライン間の抵抗値を測定する従来の測
定方法と、従来から存在するレーザー技術とを組み合わ
せて、信号ライン上の短絡箇所の場所を特定する方法を
提案する。すなわち、互いに短絡している2本の信号ラ
イン間の抵抗値を監視(または観測)しながら、これら
の信号ライン間の隙間をレーザーでスキャンする。短絡
を引き起こしているパターン残は信号ライン間の隙間の
どこかに存在するはずであるので、スキャンされたレー
ザーはいつか必ずパターン残の上を通過する。このと
き、パターン残がレーザーによってカットされること
で、またはパターン残への光照射でその部分の特性に変
化が起こることで、レーザーがパターン残を通過した瞬
間に、信号ライン間の抵抗値が変化する。このときの、
レーザーのスキャン位置を参照して欠陥の場所を特定す
る。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, in one aspect of the present invention, a conventional measuring method for measuring the resistance value between signal lines and a conventional laser technique are combined to form a short circuit on a signal line. Suggest a way to locate the location. That is, while monitoring (or observing) the resistance value between two signal lines that are short-circuited with each other, the gap between these signal lines is scanned by a laser. Since the pattern residue causing the short circuit must be somewhere in the gap between the signal lines, the scanned laser will always pass over the pattern residue. At this time, the resistance between the signal lines is instantaneously changed when the laser passes through the pattern residue, because the pattern residue is cut by the laser or the characteristics of that part change due to light irradiation on the pattern residue. Change. At this time,
Locate the defect by referring to the laser scan position.

【0009】また、本発明の他の態様においては、複数
の信号ラインが設けられたガラス基板を含む液晶表示装
置の検査装置であって、該複数の信号ライン間の抵抗を
測定するための抵抗測定手段、該複数の信号ライン間の
抵抗値の変化を監視するための抵抗値監視手段、レーザ
ー光発生手段、該レーザー光を走査するためのレーザー
光走査位置から特定するための欠陥位置特定手段からな
る検査装置を提案する。
According to another aspect of the present invention, there is provided an inspection apparatus for a liquid crystal display device including a glass substrate provided with a plurality of signal lines, wherein a resistance for measuring a resistance between the plurality of signal lines is provided. Measuring means, resistance monitoring means for monitoring a change in resistance between the plurality of signal lines, laser light generating means, and defect position specifying means for specifying a laser light scanning position for scanning the laser light Is proposed.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】実施の形態1 図1は、本発明の一実施の形態にかかわる測定方法の説
明図である。1はガラス基板、2はガラス基板1上に形
成された信号ライン、3は信号ライン2の端部に設けら
れた信号入力端子、4は信号ライン間で発生したパター
ン残である。信号ラインA1と信号ラインA2は、この
部分で電気的に短絡している。5は信号ライン間の短絡
欠陥の存在を検出するプローブユニットである。プロー
ブ針B1とB2はそれぞれ信号ラインA1とA2とに対
応している。6と7は信号ライン間の抵抗値を監視する
ための定電圧源と電流計であるが、これはプローブ針B
1とB2間のみに独立して存在する訳ではなく、他のプ
ローブ針に対しても同様に存在するものを説明のため特
に抜き出して書いたものである。8はレーザー、9はレ
ーザー光をスキャンするための鏡でありその動きはレー
ザー光が信号ライン間の隙間を正しく移動するように正
確に制御される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 is an explanatory diagram of a measuring method according to an embodiment of the present invention. 1 is a glass substrate, 2 is a signal line formed on the glass substrate 1, 3 is a signal input terminal provided at the end of the signal line 2, and 4 is a pattern residue generated between the signal lines. The signal line A1 and the signal line A2 are electrically short-circuited at this portion. A probe unit 5 detects the presence of a short-circuit defect between signal lines. The probe needles B1 and B2 correspond to the signal lines A1 and A2, respectively. 6 and 7 are a constant voltage source and an ammeter for monitoring the resistance value between the signal lines.
For the sake of explanation, those that do not exist independently only between 1 and B2 but also exist for the other probe needles are drawn especially for explanation. Reference numeral 8 denotes a laser, and 9 denotes a mirror for scanning the laser light. The movement of the mirror is precisely controlled so that the laser light correctly moves in the gap between the signal lines.

【0011】本実施の形態では、すべての信号入力端子
を一括プローブするプローブユニットを測定手段として
用いているが、プローブユニットの代わりに、数本のプ
ローブ針のみを備えた可動式のプローブブロックを使用
することも可能である。つまり、たとえば2本のプロー
ブ針をもつプローブブロックを信号ラインA1、A2に
対応する信号入力端子位置に移動させプロービングさせ
るのである。
In this embodiment, a probe unit that collectively probes all signal input terminals is used as a measuring means. Instead of the probe unit, a movable probe block having only a few probe needles is used. It is also possible to use. That is, for example, a probe block having two probe needles is moved to a signal input terminal position corresponding to the signal lines A1 and A2, and probing is performed.

【0012】ただし、この場合は、パターン残がA1と
A2間にあるという情報をどこかからもらう必要があ
る。本発明のリペア工程の前に別の検査工程が存在し、
そこでA1、A2間にパターン残があることがわかるの
であれば、可動式プローブブロックの方法は採用可能で
ある。この場合は、プローブユニットを使用する場合に
比較して、安価に本発明のリペア装置を作ることができ
る。
In this case, however, it is necessary to obtain information from somewhere that a pattern remains between A1 and A2. There is another inspection step before the repair step of the present invention,
Therefore, if it is known that a pattern remains between A1 and A2, the method of the movable probe block can be adopted. In this case, the repair device of the present invention can be manufactured at a lower cost than when a probe unit is used.

【0013】つぎにこれの動作を説明する。まず、信号
ライン間の短絡の有無を検査するために、プローブユニ
ット5を信号入力端子3に接触させる。この状態で各端
子間の抵抗値を測定する。これにより、信号ライン間の
短絡の存在の有無が判明するが、ここまでは従来から行
われている検査である。ここでは、信号ラインA1とA
2との間で短絡欠陥の存在が判明したとする。
Next, the operation will be described. First, the probe unit 5 is brought into contact with the signal input terminal 3 to check for a short circuit between the signal lines. In this state, the resistance between the terminals is measured. As a result, it is determined whether or not there is a short circuit between the signal lines. However, this is a conventional inspection. Here, signal lines A1 and A1
Suppose that the existence of a short-circuit defect has been found between them.

【0014】つぎに、信号ラインA1とA2との間に定
電圧を印加し流れる電流値を監視する。この状態で鏡9
の動きを制御し、レーザー光を信号ラインA1とA2と
の間をスキャンさせる。この時、レーザー光の強度は、
信号ラインA1とA2にダメージを与えないという条件
のもとで、パターン残をカットできる程度に強く設定さ
れているものとする。短絡欠陥を引き起こしているパタ
ーン残4は、信号ラインA1とA2との間に存在するは
ずなので、スキャンされたレーザー光はいつか必ずパタ
ーン残4の上を通過する。レーザーはパターンをカット
できる強さに設定されているので、レーザー光がパター
ン残4の上を通過する瞬間にはパターン残4はカットさ
れ、その瞬間に電流計7の値が0になる。また、完全に
はカットされない場合でも部分的なカットにより電流値
が小さくなる。この瞬間の鏡9の角度から、パターン残
4の位置を特定できる。
Next, a constant voltage is applied between the signal lines A1 and A2, and the value of the flowing current is monitored. Mirror 9 in this state
And scans the laser beam between the signal lines A1 and A2. At this time, the intensity of the laser light is
Under the condition that the signal lines A1 and A2 are not damaged, it is assumed that the signal lines A1 and A2 are set strong enough to cut the remaining pattern. Since the pattern residue 4 causing the short-circuit defect must exist between the signal lines A1 and A2, the scanned laser beam always passes over the pattern residue 4 sometime. Since the laser is set to an intensity capable of cutting the pattern, the pattern remaining 4 is cut at the moment when the laser beam passes over the pattern remaining 4, and the value of the ammeter 7 becomes 0 at that moment. Further, even when the current is not completely cut, the current value becomes small due to the partial cut. The position of the remaining pattern 4 can be specified from the angle of the mirror 9 at this moment.

【0015】なお、鏡9の回転制御手段としては、半導
体のリペア装置でよく用いられている、ガルバノメータ
ーという手法(基本的には電流計と同じ原理)を用い
て、磁石とコイルを組み合わせて、コイルに流れる電流
によって磁石の角度を制御する方式が採用される。すな
わち、この磁石に鏡9をとりつけることで、鏡の角度を
電流制御する。
As a means for controlling the rotation of the mirror 9, a method called a galvanometer (basically the same principle as an ammeter), which is often used in a semiconductor repair device, is used to combine a magnet and a coil. A method of controlling the angle of the magnet by a current flowing through the coil is employed. That is, by attaching the mirror 9 to this magnet, the current of the angle of the mirror is controlled.

【0016】パターン残4はこのレーザースキャンでカ
ットされたものの、レーザースキャン速度が速いため、
そのカットの形状は恐らく乱れたものとなっている。よ
って、位置が特定できたパターン残4に再度アクセスし
オペレータがきれいにカットし直すことでリペアは完了
する。ここでの信号ラインとしては、TFTにおけるゲ
ートラインやSTNにおけるITO信号ラインなどを主
に想定している。これらのレイヤの形成はLCD製造工
程の中の比較的早い段階で行われるため、検出された欠
陥のレーザー修復は比較的容易である。
Although the remaining pattern 4 is cut by the laser scan, the laser scan speed is high.
The shape of the cut is probably distorted. Thus, the repair is completed by accessing again the pattern remaining 4 whose position has been specified and by the operator cutting again cleanly. Here, as the signal line, a gate line in the TFT, an ITO signal line in the STN, and the like are mainly assumed. Since the formation of these layers occurs relatively early in the LCD manufacturing process, laser repair of detected defects is relatively easy.

【0017】リペア対象のレイヤの材料がアモルファス
シリコン(a−Si)の場合は、レーザー光の強度を必
ずしもパターン残がカットされるほど強くする必要がな
い。a−Siは、光照射で導電率が変化するため、これ
による電流値変化を読みとればよい。よって、レーザー
スキャン時にはパターンをカットすることなく欠陥位置
の特定のみを行うことが可能である。
When the material of the layer to be repaired is amorphous silicon (a-Si), it is not always necessary to increase the intensity of the laser beam so that the remaining pattern is cut. Since the conductivity of a-Si changes when irradiated with light, the change in current value due to this change may be read. Therefore, only the defect position can be specified without cutting the pattern during laser scanning.

【0018】スキャンに用いるレーザー8は、連続発振
のものが望ましい。パルス発振レーザーの場合は、スキ
ャン速さに対応して単位位置あたりのパルス数を選択す
る必要がある。
The laser 8 used for scanning is preferably a continuous wave laser. In the case of a pulsed laser, it is necessary to select the number of pulses per unit position according to the scanning speed.

【0019】実施の形態1では、欠陥位置特定をレーザ
ースキャンによって行っているため、非常に高速なスキ
ャンが可能である。しかしその一方で、液晶表示装置の
サイズ(典型的には数10cmのオーダー)の範囲で信
号ライン間の隙間に対して正確にレーザースキャンを行
うことは困難であるという問題点もある。
In the first embodiment, since the defect position is specified by laser scanning, very high-speed scanning is possible. However, on the other hand, there is a problem that it is difficult to accurately perform laser scanning on the gap between the signal lines in the range of the size of the liquid crystal display device (typically on the order of several tens of cm).

【0020】実施の形態2 この問題点を回避する例として実施の形態2を図2に示
す。10はガラス基板1を載せる移動可能なステージで
ある。実施の形態2では、レーザー光源は固定してお
き、ステージを移動させて相対的にレーザースキャンを
行う。この点以外の動作に関しては実施の形態1と全く
同様である。実施の形態2では、レーザースキャンほど
の高速性は望めないものの、実施の形態1に比較して、
その実現は容易であると思われる。理由は、現状でも、
常にレーザーを信号ラインA1、A2間に位置させるレ
ベルのステージ移動精度が実現されているからである。
Embodiment 2 FIG. 2 shows Embodiment 2 as an example for avoiding this problem. Reference numeral 10 denotes a movable stage on which the glass substrate 1 is mounted. In the second embodiment, the laser light source is fixed, and the laser scan is performed relatively by moving the stage. Operations other than this point are exactly the same as those in the first embodiment. In the second embodiment, although not as fast as a laser scan, it can be expected.
Its realization seems to be easy. The reason is,
This is because a stage movement accuracy at a level where the laser is always positioned between the signal lines A1 and A2 is realized.

【0021】ステージ移動手段として本実施の形態で
は、ボールネジを使用した手段と、リニアモーターを使
用した手段の2種類が採用される。
In the present embodiment, two types of means for moving the stage are used, a means using a ball screw and a means using a linear motor.

【0022】実施の形態3 さらに、図3に示すように、実施の形態1と実施の形態
2との混合も考えられる。つまりレーザースキャンはあ
まり長い距離に対して正確に行うことが困難なため、そ
の範囲を実現可能な距離に絞り、その範囲でのスキャン
が終わったら、その距離分ステージを移動させ、さらに
次の範囲のレーザースキャンを行う。以下この動作を繰
り返す。このような方法では、スキャン速度の速さと実
現可能性との両立が図れる。
Third Embodiment Further, as shown in FIG. 3, a mixture of the first embodiment and the second embodiment can be considered. In other words, it is difficult to accurately perform laser scanning over a long distance, so narrow the range to a feasible distance, and after scanning within that range, move the stage by that distance and then move to the next range Perform a laser scan of. Hereinafter, this operation is repeated. With such a method, both high scan speed and feasibility can be achieved.

【0023】実施の形態2ではステージ移動によりレー
ザースキャンを行うが、スキャン時に電流値をウォッチ
し続けるには、プローブユニットも同時に移動させなけ
ればならないという問題点がある。プローブユニットは
精密構成のユニットなので、これを基板にプローブさせ
ながら移動させることには問題がある。
In the second embodiment, the laser scan is performed by moving the stage. However, there is a problem that the probe unit must be moved at the same time to keep watching the current value during the scan. Since the probe unit is a unit having a precise configuration, there is a problem in moving the probe unit while probing the substrate.

【0024】実施の形態4 実施の形態4(図4)は、ステージを移動させるのでは
なく、レーザーヘッドそのものを矢印X方向に移動させ
てスキャンを行う。これによると実施の形態1にある鏡
制御の困難さや実施の形態2にあるプローブユニット移
動の問題点も回避される。
Fourth Embodiment In a fourth embodiment (FIG. 4), scanning is performed by moving the laser head itself in the direction of the arrow X instead of moving the stage. According to this, the difficulty of mirror control in the first embodiment and the problem of probe unit movement in the second embodiment can be avoided.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明によれば、比較的安価なコストで
短絡欠陥の検査/修復が可能となるため、製造コストの
低減につながるとともに、歩留向上が期待できる。
According to the present invention, short-circuit defects can be inspected / repaired at relatively low cost, which leads to a reduction in manufacturing cost and an improvement in yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1にかかわる測定方法を示
す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a measuring method according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態2にかかわる測定方法を示
す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a measuring method according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態3にかかわる測定方法を示
す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a measuring method according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態4にかかわる測定方法を示
す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a measuring method according to a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 信号ライン 3 信号入力端子 4 信号ライン間で発生したパターン残 5 プローブユニット 6 定電圧源 7 電流計 8 レーザー 9 鏡 10 ステージ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Signal line 3 Signal input terminal 4 Remaining pattern generated between signal lines 5 Probe unit 6 Constant voltage source 7 Ammeter 8 Laser 9 Mirror 10 Stage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1345 H01L 21/66 S 2H092 H01L 21/66 G01R 31/28 L 4M106 29/786 H01L 29/78 612A 5F110 Fターム(参考) 2G014 AA03 AB21 AC09 AC10 AC12 2G028 AA02 BC01 CG02 DH03 DH12 DH17 FK02 HM08 HN08 HN12 JP01 2G032 AC10 AD03 AD08 AE02 AF02 AF04 AF07 AH07 AK04 AK16 AL14 2G036 AA03 AA22 BA33 CA03 CA06 CA07 2H088 FA13 FA14 HA01 HA05 HA08 HA21 JA13 MA20 2H092 HA04 JA24 KA05 MA47 MA57 NA29 NA30 QA10 4M106 AA20 BA05 BA14 CA10 CA16 CA50 DH01 DH32 DH39 DJ38 5F110 AA24 AA27 DD02 QQ30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G02F 1/1345 H01L 21/66 S 2H092 H01L 21/66 G01R 31/28 L 4M106 29/786 H01L 29/78 612A 5F110 F term (reference) 2G014 AA03 AB21 AC09 AC10 AC12 2G028 AA02 BC01 CG02 DH03 DH12 DH17 FK02 HM08 HN08 HN12 JP01 2G032 AC10 AD03 AD08 AE02 AF02 AF04 HA07 AH07 AK04 CA07 A032 HA21 JA13 MA20 2H092 HA04 JA24 KA05 MA47 MA57 NA29 NA30 QA10 4M106 AA20 BA05 BA14 CA10 CA16 CA50 DH01 DH32 DH39 DJ38 5F110 AA24 AA27 DD02 QQ30

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶表示装置上の互いに平行に形成され
ている信号ライン間で発生した電気的短絡の場所を特定
する液晶表示装置の検査方法であって、互いに短絡して
いる信号ライン間の抵抗値を測定しながら信号ライン間
の隙間をレーザー光でスキャンし、レーザー光が短絡箇
所の上を通過した時の抵抗値の変化を読みとり、抵抗値
が変化したときのレーザー光スキャン位置から短絡箇所
の場所を特定する検査方法。
1. A method for inspecting a liquid crystal display device for identifying the location of an electrical short circuit occurring between signal lines formed in parallel with each other on a liquid crystal display device, comprising: Scan the gap between the signal lines with laser light while measuring the resistance value, read the change in resistance value when the laser light passes over the short-circuit point, and short-circuit from the laser light scan position when the resistance value changes An inspection method that identifies the location of a location.
【請求項2】 請求項1記載の検査方法により短絡箇所
の場所を特定したのち、再度その場所にアクセスし、レ
ーザー光を用いて短絡欠陥を修復する液晶表示装置の修
復方法。
2. A method for repairing a liquid crystal display device, wherein the location of a short circuit is specified by the inspection method according to claim 1, and the location is accessed again to repair a short circuit defect using a laser beam.
【請求項3】 レーザー光を鏡で反射させ、当該鏡の角
度を制御してレーザー光スキャンする請求項1記載の検
査方法。
3. The inspection method according to claim 1, wherein the laser beam is reflected by a mirror, and the laser beam is scanned by controlling the angle of the mirror.
【請求項4】 レーザー光源は固定しておき被検査基板
をのせたステージを動かし相対的にレーザースキャンを
行なう請求項1記載の検査方法。
4. The inspection method according to claim 1, wherein the laser light source is fixed, and the stage on which the substrate to be inspected is mounted is moved to perform laser scanning relatively.
【請求項5】 請求項3記載の検査方法および請求項4
記載の検査方法を併用した液晶表示装置の検査方法。
5. The inspection method according to claim 3, and claim 4.
An inspection method of a liquid crystal display device using the inspection method described above together.
【請求項6】 レーザー光源を移動させてレーザースキ
ャンを行なう請求項1記載の方法。
6. The method according to claim 1, wherein the laser scanning is performed by moving the laser light source.
【請求項7】 複数の信号ラインが設けられたガラス基
板を含む液晶表示装置の検査装置であって、該複数の信
号ライン間の抵抗を測定するための抵抗測定手段、該複
数の信号ライン間の抵抗値の変化を監視するための抵抗
値監視手段、レーザー光発生手段、該レーザー光を走査
するためのレーザー光走査位置から特定するための欠陥
位置特定手段からなる液晶表示装置の検査装置。
7. An inspection apparatus for a liquid crystal display device including a glass substrate provided with a plurality of signal lines, comprising: a resistance measuring means for measuring a resistance between the plurality of signal lines; An inspection apparatus for a liquid crystal display device, comprising: a resistance value monitoring means for monitoring a change in the resistance value of the liquid crystal, a laser light generation means, and a defect position specifying means for specifying a laser light scanning position for scanning the laser light.
【請求項8】 前記抵抗測定手段がプローブユニットで
ある請求項7記載の検査装置。
8. An inspection apparatus according to claim 7, wherein said resistance measuring means is a probe unit.
【請求項9】 前記レーザー光走査手段が、鏡と、鏡を
回転制御するための回転制御手段とからなる請求項7ま
たは8記載の検査装置。
9. An inspection apparatus according to claim 7, wherein said laser beam scanning means comprises a mirror and rotation control means for controlling the rotation of the mirror.
【請求項10】 前記レーザー光走査手段が、前記ガラ
ス基板を支持し、かつ水平移動制御するステージである
請求項7または8記載の検査装置。
10. The inspection apparatus according to claim 7, wherein the laser beam scanning means is a stage that supports the glass substrate and controls horizontal movement.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101324430B1 (en) 2012-02-20 2013-10-31 충북대학교 산학협력단 Noncontact Resistance Measurement Apparatus and Method using Straight Light Source
CN104597365A (en) * 2014-12-15 2015-05-06 黄山市中显微电子有限公司 Power pen for detecting performance of liquid crystal display product
CN105738704A (en) * 2016-05-12 2016-07-06 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 Measuring method and measuring device of contact resistance

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