JP2000106355A - 半導体基板のエッチング方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 均一なエッチングを行うことができる基板の
エッチング方法及び装置を提供する。 【解決手段】 エッチャント２を収容するエッチング槽
１、基板３のエッチング面３ａを下向きにしてかつエッ
チング面が鉛直面と４５度以上の角度θを成すようにし
てエッチング槽中に固定保持する基板保持装置（図示し
ない）を設けた。４５度以上傾けるので、基板下部のエ
ッチングを妨げる反応生成物が基板表面から脱離下降し
やすくなり、エッチング量の上下方向の不均一やばらつ
きが抑制される。従って、品質及び生産性の向上を図る
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば光通信用
半導体レーザの製造に用いられる半導体基板のエッチン
グ方法及び装置の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】光通信用半導体レーザはその発光の原理
から、光導波路の加工寸法、形状、表面モフォロジー制
御が極めて重要である。例えば、エッチングにより活性
層が含まれる帯状のメサ構造を形成する際、発光特性を
大きく左右する活性層の側面は、鏡面でなければならな
い。

【０００３】また、メサ構造の形状により、ｎ−つなが
りと呼ばれるリーク不良を引き起こし、さらにエッチン
グ後のメサ幅は発振波長に大きく影響する。従って、光
通信用半導体レーザ、特に幹線用ＤＦＢ（Ｄｉｓｔｒｉ
ｂｕｔｅｄ ＦｅｅｄＢａｃｋ）レーザは、非常に厳し
い光導波路の加工精度が要求されている。

【０００４】一般に、インジュウム・リン（ＩｎＰ）を
主成分とする化合物半導体基板（以下、単に基板という
場合もある）の加工は、例えば特開平２−１３４７０号
公報に開示されているように、臭化水素酸（以下ＨＢｒ
と表記する）と過酸化水素（以下Ｈ２Ｏ２と表記する）
との混合液（以下単にＨＢｒ／Ｈ２Ｏ２と表記する）系
のエッチング液を用いて行われる。

【０００５】エッチングは、図８（ａ）のように基板３
のエッチング面３ａが上向き、または図８（ｂ）のよう
に鉛直になるようにして、行っている。なお、図８にお
いて、１はＨＢｒ系のエッチャント２が収容されたエッ
チング槽である。

【０００６】また、例えば特開平１−３００５２６号公
報には、静電誘導型トランジスタの製造において、支持
治具によりシリコン基板をエッチング溶液中に傾斜した
状態で保持し、基板を溶液中で回転させ且つ、撹拌して
エッチングを行うものが示されている。

【０００７】図９、図１０は、このようなエッチング装
置を示すもので、図９は側面図、図１０は平面図であ
る。図中、１は弗化水素（ＨＦ）系のエッチャント４が
収容されたエッチング槽である。５はエッチング処理を
施すシリコン基板６を保持する支持治具である。

【０００８】この支持治具５は、図９に示すようにエッ
チング槽１中に鉛直面に対して５０度（鉛直面に対して
４０度）傾斜した状態で配置されており、この支持治具
５の中央部に取着された回転軸７がモータ８により回転
駆動されることにより、０．２５回転／分で回転する。
さらに、この支持治具５はモータ９により図における左
右方向に往復運動させて撹拌を行う。これにより、エッ
チャント４の流れを円滑にし、均一にエッチングを行お
うとするものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来のエッチング装置
は、以上のように構成されているので、例えば図８
（ａ）に示されたものはエッチングの反応速度が遅く長
時間を要し生産性が低く、図８（ｂ）に示された基板３
の下部のエッチング深さが上部の深さに比して非常に浅
くなり上部と下部とで不均一になるという問題点があっ
た。

【００１０】また、図９及び図１０に示されたものにお
いても、エッチング量のばらつきが大きく、また、エッ
チング後のメサ構造の形状も安定しないという問題があ
り、再現性よくメサ構造を形成することは非常に困難で
あった。

【００１１】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、均一なエッチングを行うことが
できる基板のエッチング方法及び装置を提供することを
目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体基板のエッチング方法においては、
基板のエッチング面を下向きにしてエッチング面が鉛直
面と４５度以上の角度を成すようにしてかつ静止させた
状態でエッチング液に浸漬してエッチングするようにし
た。

【００１３】そして、エッチング中に基板を少なくとも
１回変位させた後エッチングすることを特徴とする。

【００１４】さらに、複数の基板をそれぞれの基板が鉛
直方向から見て重ならないようにしてエッチング液に浸
漬することを特徴とする。

【００１５】また、エッチング液を基板の下方から供給
し冷却しながら上部へ移動させるようにしてエッチング
するようにした。

【００１６】そして、基板の下方から過酸化水素を含む
エッチング液を供給することにより、エッチング液に濃
度勾配をつけながらエッチングするようにした。

【００１７】さらに、本発明の半導体基板のエッチング
装置においては、エッチング液を収容するエッチング
槽、基板のエッチング面を下向きにしてかつエッチング
面が鉛直面と４５度以上の角度を成すようにしてエッチ
ング槽中に固定保持する基板保持装置を設けた。

【００１８】また、基板保持装置に、基板を変位させる
基板変位装置を設けたことを特徴とする。

【００１９】そして、基板保持装置は、複数の基板をそ
れぞれの基板が鉛直方向から見て重ならないようにして
保持するものであることを特徴とする。

【００２０】さらに、下部からエッチング液を供給しう
るようにされた液供給口を有しエッチング液を収容する
エッチング槽、このエッチング槽に設けられエッチング
液を冷却する冷却手段を設けた。

【００２１】

【発明の実施の形態】発明者らは、種々の実験結果に基
づいてエッチングの均一性に影響を与える要因について
検討を行った。主な要因として、次のようなものが考え
られる。１つ目は、基板を鉛直にして浸漬しエッチング
した場合、生成した反応生成物は重いため周囲との比重
の差により基板の下部に沈み、その結果基板下部のエッ
チングを妨げると考えられる。

【００２２】２つ目は、エッチング時の反応熱によりエ
ッチャントの上方が下方よりも高くなり温度勾配が生じ
ることにより、基板の上部のエッチング速度が下部より
も早くなることである。３つ目は、エッチャントとなる
エッチング液の濃度により、エッチング速度が異なるこ
とである。４つ目は、エッチングされる基板のエッチン
グ面近傍のエッチャントが乱流であることはエッチング
深さが不均一になるのを助長するので、エッチャントが
静止に近い状態が望ましいことである。

【００２３】１つ目の要因に対処する方法として、基板
のエッチング面を下向きにしてかつエッチング面が鉛直
面に対して４５以上の角度を成すようにして静止させた
状態でエッチャントに浸漬してエッチングすると、基板
下部のエッチングを妨げる反応生成物が基板表面から脱
離下降しやすくなり、エッチング量の上下方向の不均一
やばらつきが抑制される。また、エッチングを妨げる反
応生成物が基板表面から速やかに離脱することにより、
エッチングレートが早くなり、エッチング時間も短縮で
きる。これは、もちろん４つ目の要因にも対応するもの
である。

【００２４】そして、エッチング中に基板を少なくとも
１回変位させた後エッチングするようにすれば、エッチ
ング面の各部のエッチング速度の差を相殺することがで
き、エッチング深さの不均一を一層抑制できる。

【００２５】さらに、複数枚の基板を同時に処理する場
合において、複数の基板をそれぞれの基板が鉛直方向か
ら見て重ならないようにしてエッチング液に浸漬するよ
うにすれば、エッチング面におけるエッチング液や反応
生成物の流れがより円滑になり、反応生成物の脱離が速
やかにおこなわれる。離脱して沈降する反応生成物が、
他の基板の反応を妨げるおそれもない。

【００２６】また、２つ目の要因に対処する方法とし
て、エッチング液を基板の下方から供給し冷却されなが
ら上部へ移動するようにしてエッチングすれば、エッチ
ング液の上部と下部との温度差を小さくでき、エッチン
グ深さの不均一を軽減できる。

【００２７】そして、３つ目の要因に着目して、基板の
下方から少なくとも過酸化水素を含むエッチング液を供
給することにより、エッチャントに濃度勾配をつけなが
らエッチングする。すなわち、下方での過酸化水素の濃
度を高くして反応速度を速くし、上部と下部におけるエ
ッチャントの温度差によるエッチング速度の差を補っ
て、エッチングの深さが不均一になるのを軽減すること
ができる。

【００２８】実施の形態１.図１、図２は、この発明の
実施の一形態を示すもので、図１はエッチング装置の側
断面図、図２はエッチングの実験結果を示すグラフであ
る。図１において、１はＨＢｒ系エッチャント２が収容
された図の上方から見て矩形のエッチング槽、３は矩形
板状の化合物半導体の基板である。基板３は、図示しな
い基板保持装置にそのエッチング面３ａを鉛直面Ｖに対
してθ度傾けた状態で固定保持され、エッチャント２に
浸漬されている。θは４５度以上であることが好まし
い。その理由は後述する。

【００２９】エッチャント２として、例えば、特開平２
−１３４７０号公報に記載のものと同様の組成のエッチ
ング液（ＨＢｒ（４７ｗｔ％）３００ｃｃ、Ｈ２Ｏ２
（３１ｗｔ％）１５０ｃｃ、水（以下Ｈ２Ｏと表記）１
５００ｃｃの混合液、以下単にＨＢｒ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２
Ｏと表す）を用いた場合、基板３の傾け角度θを変えて
同じ時間エッチングを行うと、図２のようになる。この
とき、エッチャント２はほぼ静止状態である。

【００３０】ここで、図２の縦軸はエッチング深さＤｅ
ｐｔｈ（μｍ）を、横軸は傾け角度θ（度）を示してお
り、傾け角度θをエッチング面３ａが下向きと上向きの
場合で０度から９０度までの範囲で変化させ、基板３上
の５箇所の点について測定したものである。

【００３１】この図から、エッチング深さのばらつき
は、エッチング面３ａが下向きで、傾け角度θ＝４５〜
９０度の範囲では約０．１５（μｍ）であり、基板３を
鉛直に立てて行った場合のθ＝０度（水平）では約０．
６（μｍ）であるので、従来のものに比し１／４程度に
低減されることがわかる。また、エッチング面３ａが下
向きで傾け角度θが４５度未満では、エッチングの深さ
のばらつき（不均一）が大きくなることがわかる。もち
ろん、エッチング面が上向きの場合、エッチング深さの
不均一が大きくなるので、望ましくない。

【００３２】また、一定時間内におけるエッチング量、
すなわちエッチング速度は、傾け角度θが大きいほど大
きくなり、θ＝９０度（水平）付近でエッチングを行え
ば、ばらつき量も少なく、より速くエッチングが行なえ
る。

【００３３】エッチング速度が、このように傾け角度θ
に依存するのは次のような理由によると考えられる。ま
ず、エッチング時の反応生成物はあくまでも比重の差か
ら下に落ちていこうとする。基板３の傾きを０度（つま
り鉛直）にした場合、その反応生成物は基板３のエッチ
ング面３ａを伝って下方へ移動し、そのため、基板３の
下方におけるエッチングが阻害される。

【００３４】そして、徐々にエッチング面が下向きにな
るようにして、傾け角度θを０度から大きくしていった
とき、すなわち水平方向に倒していったとき、ある角度
で、下向きに落ちていこうとする反応生成物はエッチン
グ面を伝わなくなり、エッチング面から直ちに離脱しよ
うとする。その角度が４５度であると考えられる。別の
エッチング液を用いた場合、その液の粘性や拡散係数
等、変わるのが、およそ上記のように４５度と考えられ
る。

【００３５】そして、エッチング深さの不均一には、エ
ッチャント２の上下部における温度差も影響を与える。
エッチング深さは高温ほど大きく、エッチング深さの基
板３のエッチング面３ａ内の上下差も高温ほど大きくな
る。例えば、ある温度から１０℃温度上昇すればその差
は６５〜７０％大きくなる。従って、この点からも傾け
角度θをある程度大きくするのが望ましい。

【００３６】なお、θ＝０度（水平）近傍でエッチング
を行った場合、Ｈ２Ｏ２を用いることによる弊害が生じ
る場合がある。すなわち、ＨＢｒと反応しないで残った
Ｈ２Ｏ２が気泡となり、基板表面に付着し、その気泡痕
が残るおそれがある。この気泡の付着を回避するため
に、液温や液の組成等に応じて決定されるエッチング面
下向きでかつ９０度よりも小さい傾け角度θを与えるよ
うにするのが望ましい。

【００３７】以上のように、エッチング面を下向きにし
て鉛直面とθ度をなすようにし、エッチャントが静止し
た状態でエッチングを行えば、基板下側のエッチングを
妨げる反応生成物が基板表面から脱離下降しやすくな
り、したがって、エッチング面におけるエッチング量の
上下方向のばらつきを抑制できる。また、エッチングを
妨げる反応生成物が基板表面から除去されることで、エ
ッチングレートが早くなり、エッチング時間も短縮でき
る。

【００３８】実施の形態２．図３は、この発明の他の実
施の形態を示すエッチング装置の側断面図である。図３
において、複数枚の基板３を、それぞれの基板３が上方
から見て重ならないようにして、すなわち図の鉛直面Ｖ
上において重ならないようにして、図示しない基板保持
装置により固定支持している。このようにすることによ
り、一の基板３からの反応生成物の影響が隣の基板３の
反応速度を低下させるのを防止する。

【００３９】例えば、上記エッチング液（ＨＢｒ／Ｈ２
Ｏ２／Ｈ２Ｏ）を用いた場合、基板３の面内のエッチン
グ深さのばらつきは、２枚の基板３の平行間隔を狭く約
５（ｍｍ）にして２枚の基板３の大部分は図３の上方か
ら見て重なっている場合に対して１／５以下であった。

【００４０】このように、複数枚の基板を処理する場合
に、基板間隔を広くとることで、特に上下方向から見て
重ならないように配設することにより、エッチャントや
反応生成物の流れがより円滑になり、反応生成物の脱離
が速やかにおこなわれ、互いの反応生成物により反応が
阻害され反応速度が低下するおそれがなくなる。

【００４１】実施の形態３．図４は、さらにこの発明の
他の実施の形態を示すエッチング装置の側断面図であ
る。図４において、基板３は図示しない基板保持装置に
よりその中心軸Ｃを中心に矢印Ｄのごとく回転可能にか
つ鉛直面に対して傾け角度θをなす状態でエッチング槽
１中に保持されている。

【００４２】エッチングの深さのばらつきを抑えるた
め、エッチング中に少なくとも一回基板３を１８０度回
転させ、基板の上下の関係を反転させ、エッチング速度
の差を相殺する。もちろん、基板を反転させるとき以外
はエッチング２はほぼ静止した状態にある。

【００４３】エッチング液（ＨＢｒ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２
Ｏ）を用いて、基板３の上下反転を１回行った結果、エ
ッチング深さのばらつきは反転を行わない時の半分以下
であった。

【００４４】なお、傾け角度θが９０度の場合は、基板
３に触れるエッチャント２の温度差は生じないことにな
るが、実際はエッチング槽１内における温度や濃度のむ
らによるエッチング深さのばらつきを少なくするため
に、エッチング中に少なくも一回、基板を９０度あるい
は１８０度回転させ、エッチング面３ａの各部を変位さ
せるのがよい。

【００４５】実施の形態４.図５は、さらにこの発明の
他の実施の形態を示すエッチング装置の側断面図であ
る。図５において、基板３は図示しない基板保持装置に
よりその中央部を中心にして鉛直面Ｖに対して図の左右
に各θ度、揺動可能なようにされエッチング槽１中に保
持されている。

【００４６】エッチング中に少なくとも一回、例えば左
へθ度傾けた状態（図の実線で表した基板３）から右へ
θ度傾けた状態（図の点線で表した基板３）に姿勢を変
更し、基板３の上下の関係を反転させ、基板の上下のエ
ッチング速度の差を相殺する。

【００４７】実施の形態５.図６は、さらにこの発明の
他の実施の形態を示すエッチング装置の側断面図であ
る。図６において、エッチング槽１の底部は２重底に形
成されており、下部底１ａの中央部には液供給口１ｂが
設けられ、上部底１ｃには液供給口１ｂから矢印Ｆのよ
うに供給されるエッチング液が分散しながらエッチング
槽内を上昇するように多数の小孔１ｄが穿設されてい
る。

【００４８】また、矩形形状のエッチング槽１の外周部
の全周に亘って、すなわち矩形を形成する４面全てにエ
ッチャント２の反応熱を吸収し一定温度となるように制
御する冷却器１０が設けられている。冷却器１０は、ジ
ャケット状に形成され内部に冷却水を供給してエッチャ
ント２の冷却を行うものである。この場合、化合物半導
体３はそのエッチング面３ａを鉛直にして所定間隔を設
けて複数枚（図では２枚）、エッチャント２に浸漬され
ている。

【００４９】下部底１ａに設けられた液供給口１ｂから
所定の温度のエッチング液を供給し、図示をしていない
がエッチング槽１の上部に設けたオーバフローパイプか
ら流出させる。下方から供給されたエッチング液は、上
部底１ｃに設けられた小孔１ｄにより分散しながらエッ
チング槽１内を上昇する。このとき、エッチング液は、
冷却器１０により冷却され、上方に行くほど温度が低く
なる。冷却器１０は、エッチングにより発生する反応熱
も含めて冷却する。

【００５０】このようにすることにより、エッチング槽
１の上方は一定温度に保たれ、下方から高温のエッチン
グ液を供給しながらエッチングが行なわれる。これによ
り、下方がよりエッチングされやすい環境をつくる。

【００５１】上記のようにエッチング槽１内のエッチャ
ント２に温度勾配をつける代わりに、エッチャント２中
のＢｒ２の濃度に勾配をつけるようにしてもよい。すな
わち、液供給口１ｂからＨＢｒと反応しエッチャントと
なるＢｒ２を生成させるＨ２Ｏ２を供給しながらエッチ
ングを行う。これにより、下方がよりエッチングされや
すい環境になり、エッチング槽内の上下の温度差による
エッチング速度の差が補償され、エッチング深さの不均
一を抑制する。なお、Ｂｒ２濃度に勾配をつけることが
できるものであれば、下方から供給する薬液は前述のＨ
２Ｏ２のみでなくてもよく、ＨＢｒとＨ２Ｏ２の混合液
であってもよい。

【００５２】なお、冷却器１０はエッチャント２中に浸
漬するものであってもよいし、水冷式でなく、例えば冷
却フィンを有する自然放熱式等のものであってもよい。
また、液供給口１ｂは、エッチング槽１の下方から上方
へエッチング液が移動するようにエッチング液を供給で
きるものであれば、下部側方から供給するなど他の構造
のものであってもよい。

【００５３】実施の形態６.図７は、さらにこの発明の
他の実施の形態を示すエッチング装置の側断面図であ
る。図７において、基板３を図示のごとく傾けた状態で
固定する基板保持装置（図示せず）を設け、下方から高
温のエッチング液を供給しながらエッチングすることも
できる。

【００５４】この場合、冷却器１０はエッチング槽１の
図７における左右両面にのみ取り付け、冷却器１０の近
傍のエッチャント２がエッチング槽１の中央部よりも冷
却される度合いを大きくし、基板３の上下の温度差を小
さくするようにしている。なお、この実施の形態では、
傾斜角度φは鉛直面Ｖに対して３０度としている。

【００５５】基板３を傾けたほうがばらつきが抑制され
るが、傾斜角度φを大きくすると、エッチング槽１の床
面積が大きくなるので、望ましくない。また、傾斜角度
φを３０度以上にしてもエッチング深さの均一性は確保
できる。

【００５６】なお、上記各実施の形態で示したもの以外
の材料で形成された基板やエッチング液を用いる場合で
あっても、同様の効果を奏する。

【００５７】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載するような効果を奏する。

【００５８】基板のエッチング面を下向きにしてエッチ
ング面が鉛直面と４５度以上の角度を成すようにしてか
つ静止させた状態でエッチング液に浸漬してエッチング
するようにしたので、基板下部のエッチングを妨げる反
応生成物が基板表面から脱離下降しやすくなり、エッチ
ング量の上下方向の不均一やばらつきが抑制される。ま
た、エッチングを妨げる反応生成物が基板表面から速や
かに離脱することにより、エッチングレートが早くな
り、エッチング時間も短縮できる。従って、品質及び生
産性を向上させることができる。

【００５９】そして、エッチング中に基板を少なくとも
１回変位させた後エッチングすることを特徴とするの
で、エッチング面の各部のエッチング速度の差を相殺す
ることができ、エッチング深さの不均一を一層抑制でき
る。

【００６０】さらに、複数の基板をそれぞれの基板が鉛
直方向から見て重ならないようにしてエッチング液に浸
漬することを特徴とするので、エッチング面におけるエ
ッチング液や反応生成物の流れがより円滑になり、反応
生成物の脱離が速やかにおこなわれるので、安定してエ
ッチングを行うことができ、エッチング深さの均一性が
一層改善される。

【００６１】また、エッチング液を基板の下方から供給
し冷却しながら上部へ移動させるようにしてエッチング
するようにしたので、エッチング液の上部と下部との温
度差を小さくでき、エッチング深さの不均一を軽減でき
る。

【００６２】そして、基板の下方から過酸化水素を含む
エッチング液を供給することにより、エッチング液に濃
度勾配をつけながらエッチングするようにしたので、下
方での過酸化水素の濃度を高くして反応速度を速くし、
上部と下部におけるエッチャントの温度差によるエッチ
ング速度の差を補って、エッチングの深さが不均一にな
るのを軽減することができる。

【００６３】さらに、本発明の半導体基板のエッチング
装置においては、エッチング液を収容するエッチング
槽、基板のエッチング面を下向きにしてかつエッチング
面が鉛直面と４５度以上の角度を成すようにしてエッチ
ング槽中に固定保持する基板保持装置を設けたので、基
板下部のエッチングを妨げる反応生成物が基板表面から
脱離下降しやすくなり、エッチング量の上下方向の不均
一やばらつきが抑制される。また、エッチングを妨げる
反応生成物が基板表面から速やかに離脱することによ
り、エッチングレートが早くなり、エッチング時間も短
縮できる。従って、品質及び生産性を向上させることが
できる。

【００６４】また、基板保持装置に、基板を変位させる
基板変位装置を設けたことを特徴とするので、エッチン
グ面の上下部のエッチング速度の差を相殺することがで
き、エッチング深さの不均一を一層抑制できる。

【００６５】そして、基板保持装置は、複数の基板をそ
れぞれの基板が鉛直方向から見て重ならないようにして
保持するものであることを特徴とするので、エッチング
面におけるエッチング液や反応生成物の流れがより円滑
になり、反応生成物の脱離が速やかにおこなわれるの
で、安定してエッチングを行うことができ、エッチング
深さの均一性が一層改善される。

【００６６】さらに、下部からエッチング液を供給しう
るようにされた液供給口を有しエッチング液を収容する
エッチング槽、このエッチング槽に設けられエッチング
液を冷却する冷却手段を設けたので、下方での過酸化水
素の濃度を高くして反応速度を速くし、上部と下部にお
けるエッチャントの温度差によるエッチング速度の差を
補って、エッチングの深さが不均一になるのを軽減する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の一形態であるエッチング装
置の側断面図である。

【図２】 エッチングの実験結果を示すグラフである。

【図３】 この発明の他の実施の形態であるエッチング
装置の側断面図である。

【図４】 さらに、この発明の他の実施の形態であるエ
ッチング装置の側断面図である。

【図５】 さらに、この発明の他の実施の形態であるエ
ッチング装置の側断面図である。

【図６】 さらに、この発明の他の実施の形態であるエ
ッチング装置の側断面図である。

【図７】 さらに、この発明の他の実施の形態であるエ
ッチング装置の側断面図である。

【図８】 従来のエッチング装置の側断面図である。

【図９】 従来の別のエッチング装置の側断面図であ
る。

【図１０】 図９の平面図である。

【符号の説明】

１ エッチング槽、１ｂ 液供給口、１ｄ 上部底、２
ＨＢｒ系のエッチャント、３ 基板、４ ＨＦ系のエ
ッチャント、５ 支持治具、６ 基板、１０ 冷却器。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板のエッチング面を下向きにして上記
   エッチング面が鉛直面と４５度以上の角度を成すように
   してかつ静止させた状態でエッチング液に浸漬してエッ
   チングする半導体基板のエッチング方法。
2. 【請求項２】 エッチング中に基板を少なくとも１回変
   位させた後エッチングすることを特徴とする請求項１に
   記載の半導体基板のエッチング方法。
3. 【請求項３】 複数の基板をそれぞれの基板が鉛直方向
   から見て重ならないようにしてエッチング液に浸漬する
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板のエッチ
   ング方法。
4. 【請求項４】 エッチング液を基板の下方から供給し冷
   却しながら上部へ移動させるようにしてエッチングする
   半導体基板のエッチング方法。
5. 【請求項５】 基板の下方から過酸化水素を含むエッチ
   ング液を供給することにより、エッチング液に濃度勾配
   をつけながらエッチングする半導体基板のエッチング方
   法。
6. 【請求項６】 エッチング液を収容するエッチング槽、
   基板のエッチング面を下向きにしてかつ上記エッチング
   面が鉛直面と４５度以上の角度を成すようにして上記エ
   ッチング槽中に固定保持する基板保持装置を備えた半導
   体基板のエッチング装置。
7. 【請求項７】 基板保持装置に、基板を変位させる基板
   変位装置を設けたことを特徴とする請求項６に記載の半
   導体基板のエッチング装置。
8. 【請求項８】 基板保持装置は、複数の基板をそれぞれ
   の基板が鉛直方向から見て重ならないようにして保持す
   るものであることを特徴とする請求項６に記載の半導体
   基板のエッチング装置。
9. 【請求項９】 下部からエッチング液を供給しうるよう
   にされた液供給口を有しエッチング液を収容するエッチ
   ング槽、このエッチング槽に設けられ上記エッチング液
   を冷却する冷却手段を備えた半導体基板のエッチング装
   置。