JP2000106306A - Ceramic substrate for electronic component - Google Patents

Ceramic substrate for electronic component

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JP2000106306A
JP2000106306A JP10274795A JP27479598A JP2000106306A JP 2000106306 A JP2000106306 A JP 2000106306A JP 10274795 A JP10274795 A JP 10274795A JP 27479598 A JP27479598 A JP 27479598A JP 2000106306 A JP2000106306 A JP 2000106306A
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Japan
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substrate
slit
dividing
strip
ceramic substrate
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JP10274795A
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Shoichi Miwa
正一 三輪
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Kyocera Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a ceramic substrate for electronic components which can be cut into small substrates having very stable flat cut faces, even wen the substrate is cut along first cutting slits in a first stage. SOLUTION: First and second cutting slits 2 and 3 are formed into a ceramic substrate for electronic components in the longitudinal and transversal directions from the surface of the substrate, and the substrate is cut into strip-type divided substrates along the first slits 2. Then each strip-type divided substrate is cut into small substrate along the second slits 3. Each first slit 2 is formed, and its both end sections 21 are made deeper than its central part 22.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、チップ抵抗部品等
のチップ状電子部品素子を抽出する電子部品用セラミッ
ク基板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic substrate for an electronic component for extracting a chip-like electronic component such as a chip resistance component.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、チップ状電子部品素子を複数抽出
する電子部品用セラミック基板(以下、大型基板とい
う)は、縦横に分割用のスリットが形成されており、チ
ップ状電子部品の製造工程で第1の分割用スリット、第
2の分割用スリットを用いてチップ状電子部品を製造し
ていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, a ceramic substrate for an electronic component (hereinafter, referred to as a large substrate) for extracting a plurality of chip-shaped electronic component elements has slits for dividing vertically and horizontally. A chip-shaped electronic component has been manufactured using the first splitting slit and the second splitting slit.

【0003】例えば、チップ状電子部品を製造するにあ
たり、複数の第1の分割用スリットと複数の第2の分割
用スリットを縦横に形成した大型セラミック基板を用意
する。
For example, when manufacturing a chip-shaped electronic component, a large-sized ceramic substrate having a plurality of first dividing slits and a plurality of second dividing slits formed vertically and horizontally is prepared.

【0004】次に、第1の分割用スリットと第2の分割
用スリットとに囲まれた領域が1つの電子部品素子とな
り、まず、各素子領域の第1の分割電極側の両端部に表
面側の端子電極を形成する。同時に、表面側の端子電極
に対応する裏面に裏面側端子電極を形成する。具体的に
は、AgまたはAg合金の導電性ペーストを用いて焼き
付け処理で形成する。
Next, a region surrounded by the first divisional slit and the second divisional slit constitutes one electronic component element. First, surface regions are formed on both ends of each element region on the first divisional electrode side. Side terminal electrode is formed. At the same time, a back side terminal electrode is formed on the back side corresponding to the front side terminal electrode. Specifically, it is formed by baking using a conductive paste of Ag or an Ag alloy.

【0005】次に、各素子領域で、1対の表面側の端子
電極に跨がるように抵抗体膜を形成する。具体的には、
酸化ルテニウムなどの抵抗体ペーストを用いて焼き付け
処理により形成する。
Next, in each element region, a resistor film is formed so as to straddle a pair of terminal electrodes on the front side. In particular,
It is formed by baking using a resistor paste such as ruthenium oxide.

【0006】次に、少なくとも抵抗体膜上にガラス保護
を形成する。具体的には、低融点ガラスペーストの印刷
焼き付けにより形成する。尚、必要に応じて、ガラス保
護膜を介して抵抗体膜をレーザートリミングし、抵抗値
を調整し、その後、トリミング跡をガラスペーストの印
刷焼き付けにより被覆する。
Next, a glass protection is formed on at least the resistor film. Specifically, it is formed by printing and baking a low melting point glass paste. If necessary, the resistor film is laser-trimmed via a glass protective film to adjust the resistance value, and then the trimming mark is covered by printing and baking a glass paste.

【0007】次に、各素子領域の端子電極側の第1の分
割用スリットを用いて、1次分割を行う。これにより、
大型セラミック基板は、第1の分割用スリット部分を分
割面とする短冊状基板となる。
Next, primary division is performed using the first division slit on the terminal electrode side of each element region. This allows
The large-sized ceramic substrate is a strip-shaped substrate having the first division slit portion as a division surface.

【0008】次に、複数の短冊状基板の分割面が上下面
となるように整列させて、整列した分割面上にAg系ペ
ーストの印刷焼き付けにより、端面部分の端子電極を形
成する。これにより、1素子領域において、表面側端子
電極と裏面側端子電極とが端面側の端子電極によって接
続されることになる。
Next, the plurality of strip-shaped substrates are aligned so that the divided surfaces are the upper and lower surfaces, and the terminal electrodes are formed on the aligned divided surfaces by printing and printing an Ag-based paste. As a result, in one element region, the front surface side terminal electrode and the back surface side terminal electrode are connected by the end surface side terminal electrode.

【0009】次に、短冊上基板に残存する第2の分割用
スリットを用いて、短冊状基板から各チップ状電子部品
に対応した端子電極、抵抗体膜及びガラス保護膜を形成
されている小基板に分割処理する。
Next, a terminal electrode, a resistor film and a glass protective film corresponding to each chip-like electronic component are formed from the strip-shaped substrate using the second dividing slit remaining on the strip-shaped substrate. Divide the substrate.

【0010】最後に、各小基板の端面電極の表面を、バ
レルメッキ等により、Niメッキ、半田メッキなどを施
し、チップ抵抗器が完成する。
[0010] Finally, the surface of the end surface electrode of each small substrate is subjected to Ni plating, solder plating or the like by barrel plating or the like, thereby completing a chip resistor.

【0011】上述の第1の分割用スリットと第2の分割
用スリットを有する大型セラミック基板において、例え
ば第2分割用スリットの両端側の少なくとも2本の分割
スリットの溝深さを深くすることが提案されている(特
開平2−58884号)。
In the above-described large-sized ceramic substrate having the first dividing slit and the second dividing slit, for example, it is preferable that the groove depth of at least two dividing slits at both ends of the second dividing slit is increased. It has been proposed (JP-A-2-58884).

【0012】また、縦横に形成された第1の分割用スリ
ットと第2の分割用スリットの基板端部より外周部寄り
の第1の分割用スリットと第2の分割用スリットのみを
他のスリットよりも深くすることが提案されている(特
開昭59−191220号)。
Also, only the first and second dividing slits, which are closer to the outer periphery than the substrate ends of the first and second dividing slits and the second dividing slit, are formed into other slits. It has been proposed to make it even deeper (JP-A-59-191220).

【0013】さらに、縦横に形成された第1の分割用ス
リットと第2の分割用スリットの基板端部より外周部寄
りの第1の分割用スリットと第2の分割用スリットのみ
を中央部側の他のスリットよりも深くするとともに、中
央部側の他のスリットを基板の端部に延出しないように
した大型セラミック基板が提案されている(実開昭55
−116042号)。
Further, only the first dividing slit and the second dividing slit, which are closer to the outer peripheral portion than the substrate ends of the first dividing slit and the second dividing slit formed in the vertical and horizontal directions, are connected to the center side. A large ceramic substrate has been proposed in which the slit is made deeper than the other slits and the other slit on the center side is not extended to the edge of the substrate.
-11,042).

【0014】これらのセラミック基板の分割用スリット
は、隣接しあうまた直交しあう分割用スリットの深さ関
係を示すものであり、基板の反りや2次分割時を容易に
行うための分割用スリットが開示されているに過ぎな
い。
The dividing slits of the ceramic substrate indicate the depth relationship of the dividing slits which are adjacent to each other and are orthogonal to each other, and are used to easily warp the substrate or perform the secondary dividing. Is merely disclosed.

【0015】また、分割用スリットの両端部付近で浅
く、それ以外の部分では深くした分割用スリットを有す
るセラミック基板も提案されている(特開昭61−13
7390号)。
A ceramic substrate having a splitting slit which is shallow near both ends of the splitting slit and deeper in other portions has also been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 61-13 / 1986).
No. 7390).

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】しかし、セラミック基
板に形成された互いに直交する第1の分割用スリット、
第2の分割用スリットの両方が同一深さであるセラミッ
ク基板や、分割用スリットの両端部付近で浅く、それ以
外の部分では深くしたセラミック基板を用いて、上述の
チップ状電子部品を製造すると、特に、第1次の分割に
際して大きな障害が発生してしまう。 即ち、第1の分
割用スリットに沿って1次分割が行われるが、1次分割
によって得られる短冊状基板において、短冊状基板の分
割面の両端部付近で安定的に分割されず、その表面にバ
リなどが発生してしまう。
However, the first dividing slits formed on the ceramic substrate and orthogonal to each other,
When the above-mentioned chip-shaped electronic component is manufactured using a ceramic substrate in which both of the second dividing slits have the same depth, and a ceramic substrate which is shallow near both ends of the dividing slit and deep in other portions. In particular, a large obstacle occurs in the first division. That is, the primary division is performed along the first division slit. However, in the strip-shaped substrate obtained by the primary division, the division is not stably performed near both ends of the division surface of the strip-shaped substrate, and the surface is not divided. Burrs and the like are generated.

【0017】これにより、例えば、端面側の端子電極を
形成すべく、短冊状基板の両端部を整列治具を用いて整
列して、一方の分割端面を基準にして、他方の分割端面
上に印刷等を行う際、分割端面の端部に発生したバリな
どによって、複数の短冊状基板の他方の分割端面の表面
を均一な面にすることができない。
Thus, for example, in order to form a terminal electrode on the end surface side, both end portions of the strip-shaped substrate are aligned using the alignment jig, and one of the divided end surfaces is used as a reference and the other divided end surface is formed on the other divided end surface. When performing printing or the like, the surface of the other divided end face of the plurality of strip-shaped substrates cannot be made uniform due to burrs generated at the end of the divided end face.

【0018】これより、短冊状の基板の分割端面上に塗
布される導電性ペースト量が変動してしまい、安定した
端子電極が得られない。
As a result, the amount of the conductive paste applied on the divided end face of the strip-shaped substrate varies, and a stable terminal electrode cannot be obtained.

【0019】最悪の場合には、表面側端子電極と裏面側
端子電極との導通が達成できず、端子電極の開放が発生
してしまう。
In the worst case, conduction between the front terminal electrode and the rear terminal electrode cannot be achieved, and the terminal electrode is opened.

【0020】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
されたものであり、第1の分割用スリットに沿って1次
分割処理を行っても、分割面が非常に安定した平坦度が
得られる電子部品用セラミック基板を提供することにあ
る。
The present invention has been devised in view of the above-described problems, and has a very stable flatness even when the primary division processing is performed along the first division slit. To provide a ceramic substrate for an electronic component that can obtain the above.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、一方方
向に延びる第1の分割用スリットと該第1の分割溝と直
交する第2の分割用スリットとをそれぞれ複数本形成し
て成り、前記第1の分割用スリットに沿って分割して短
冊状基板に、さらに前記第2の分割用スリットに沿って
分割して基板を抽出する電子部品用セラミック基板にお
いて、前記複数の第1の分割用スリットは、その両端部
が中央付近に比較してスリット深さが深く形成されてい
ることを特徴とする電子部品用セラミック基板である。
According to the present invention, a plurality of first dividing slits extending in one direction and a plurality of second dividing slits orthogonal to the first dividing groove are formed. A ceramic substrate for an electronic component which is divided along the first dividing slit into strip-shaped substrates and further divided along the second dividing slit to extract a substrate; The dividing slit is a ceramic substrate for electronic components, characterized in that both ends are formed deeper than the center.

【0022】[0022]

【作用】本発明によれば、1次分割を行う一方方向に延
びる第1の分割用スリットは、その両端部分の溝の深さ
が中央部付近の溝の深さに比較して深く設定されてい
る。
According to the present invention, the first dividing slit extending in one direction for performing the primary division has a groove depth at both end portions set deeper than a groove depth near the center. ing.

【0023】従って、大型セラミック基板を短冊状基板
に分割しても、特に、分割面の状態が非常に安定化す
る。即ち、バリの発生を抑制できる。
Therefore, even if the large ceramic substrate is divided into strip-shaped substrates, the state of the division surface is particularly stabilized. That is, generation of burrs can be suppressed.

【0024】従って、複数の短冊状基板の両端部分を整
列治具で挟持したりして整列しても、短冊状基板の端面
等に導体膜の被着などを一括的に行う場合でも、均一な
条件で導体膜を形成することができる。
Therefore, even if both end portions of a plurality of strip-shaped substrates are sandwiched or aligned by an alignment jig, even when the conductor film is applied to the end surfaces of the strip-shaped substrates or the like collectively, the uniformity can be obtained. Under such conditions, the conductor film can be formed.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品用セラミ
ック基板を図面に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a ceramic substrate for an electronic component according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0026】図1は、本発明の電子部品用セラミック基
板の外観斜視図であり、図2は、第1分割用スリットに
沿った断面図であり、図3は、図1に示す電子部品用セ
ラミック基板から1次分割を行った短冊状基板の外観斜
視図であり、図4はこの電子部品用セラミック基板から
形成されたチップ状電子部品、例えばチップ抵抗器の外
観斜視図である。
FIG. 1 is an external perspective view of a ceramic substrate for an electronic component according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a first dividing slit, and FIG. FIG. 4 is an external perspective view of a strip-shaped substrate obtained by performing primary division from a ceramic substrate. FIG. 4 is an external perspective view of a chip-shaped electronic component, for example, a chip resistor, formed from the ceramic substrate for electronic components.

【0027】図1〜3において、1は電子部品用セラミ
ック基板(大型セラミック基板)であり、2・・・は図
中X方向に延びる第1の分割用スリットであり、3・・
・は図中Y方向に延びる第2の分割用スリットである。
また、4は、大型セラミック基板1を第1の分割用スリ
ット2・・・に沿って分割した短冊状基板を示す。
In FIGS. 1 to 3, reference numeral 1 denotes a ceramic substrate (large ceramic substrate) for electronic components, 2... A first dividing slit extending in the X direction in the drawing, and 3.
Is a second dividing slit extending in the Y direction in the figure.
Reference numeral 4 denotes a strip-shaped substrate obtained by dividing the large ceramic substrate 1 along the first dividing slits 2.

【0028】また、図4において、5は基板であり、4
1、42は端子電極であり、特に41a、42aは表面
側端子電極、41b、42bは端面側端子電極、41
c、42cは裏面側端子電極(図4で基板裏面側の点線
で示す)であり、43は抵抗体膜、44はガラス保護膜
(図4で基板表面側の点線で示す)である。
In FIG. 4, reference numeral 5 denotes a substrate;
Reference numerals 1 and 42 denote terminal electrodes, in particular, 41a and 42a are front side terminal electrodes, 41b and 42b are end surface side terminal electrodes, 41
Reference numerals c and 42c denote back side terminal electrodes (shown by dotted lines on the back side of the substrate in FIG. 4), 43 denotes a resistor film, and 44 denotes a glass protective film (shown by dotted lines on the front side of the substrate in FIG. 4).

【0029】大型セラミック基板1は、アルミナなどの
絶縁性セラミックからなり、横方向の第1の分割用スリ
ット2・・・・と、縦方向の第2の分割用スリット3・
・・が互いに直交しあっている。そして、第1の分割用
スリット2・・・・と、縦方向の第2の分割用スリット
3・・・とに囲まれた領域が、素子領域Aとなる。
The large ceramic substrate 1 is made of an insulating ceramic such as alumina, and has a first horizontal dividing slit 2 and a second vertical dividing slit 3.
Are orthogonal to each other. An area surrounded by the first dividing slits 2... And the second dividing slits 3.

【0030】本発明においては、図2に示すように、第
1の分割用スリット2・・・が、部分的に溝の深さが異
なっている。具体的には、第1の分割用スリット2・・
・の両端部の溝21、21の深さをD、その中央部の溝
22の深さをdとすると、d<Dの関係となっている。
In the present invention, as shown in FIG. 2, the first dividing slits 2 have partially different groove depths. Specifically, the first dividing slit 2...
If the depth of the grooves 21 at both ends is D and the depth of the groove 22 at the center is d, the relation d <D is satisfied.

【0031】また、第1の分割用スリット2の両端部と
は実質的に捨て耳部分Bとなる領域をいう。図2では第
1の分割用スリット2と交差する第2の分割用スリット
溝3・・・のうち、両端部分から2本目までの第2の分
割用スリット32までの領域が捨て耳部分Bとなり、そ
の部分の第1の分割用スリットの深さDが深くなってい
る。
Further, both ends of the first splitting slit 2 refer to a region which substantially becomes the discarded ear portion B. In FIG. 2, of the second dividing slit grooves 3 intersecting with the first dividing slit 2, the region from both end portions to the second second dividing slit 32 is a discarded ear portion B. The depth D of the first splitting slit in that portion is deep.

【0032】この捨て耳部分Bとは、従来技術で説明し
た短冊状基板4・・・を整列する時、整列治具などで保
持・固定される部位となる。従って、図2では、両端部
分から2本目までの第2の分割用スリット溝32までの
領域を捨て耳部分Bとしているが、整列治具の形状次第
では両端から1つ目の第2の分割用スリット31まで領
域であっても、また、両端から3つ目以上の第2の分割
用スリットまで領域であってもよい。
The discarded ear portion B is a portion which is held and fixed by an alignment jig when aligning the strip-shaped substrates 4 described in the prior art. Therefore, in FIG. 2, the region from both end portions to the second second slit groove 32 up to the second portion is discarded as the ear portion B. However, depending on the shape of the alignment jig, the first second split portion from both ends is used. It may be a region up to the slit 31 for the first division or a region up to the third or more second division slits from both ends.

【0033】また、第2の分割用スリット3において
は、一本あたりの第2の分割用スリット3の溝の深さを
均一にするとともに、全ての第2の分割用スリット3の
溝の深さを均一することが基本である。
Further, in the second dividing slits 3, the depth of the groove of each second dividing slit 3 is made uniform, and the depth of the grooves of all the second dividing slits 3 is made equal. It is fundamental to make the uniformity.

【0034】しかし、この第2の分割用スリット3は、
1次分割を行って得られる短冊状基板4上に残存するこ
とになる。この短冊状基板4から素子領域Aに対応する
基板5を2次分割する上で、容易に2次分割しえるよう
に、第2の分割用スリットの形成位置、深さを考慮する
必要がある。
However, this second dividing slit 3 is
It remains on the strip-shaped substrate 4 obtained by performing the primary division. When the substrate 5 corresponding to the element region A is secondarily divided from the strip substrate 4, it is necessary to consider the formation position and the depth of the second division slit so that the substrate 5 can be easily divided into two. .

【0035】例えば、短冊状基板4から基板5に分割す
るにあたり、例えば一対の押圧ローラー間に短冊状基板
4を搬送し、短冊状基板4の上下面から変位した押圧力
で分割することが一般に行われている。
For example, when dividing the strip-shaped substrate 4 into the substrates 5, for example, the strip-shaped substrate 4 is generally conveyed between a pair of pressing rollers and divided by the pressing force displaced from the upper and lower surfaces of the strip-shaped substrate 4. Is being done.

【0036】即ち、短冊状基板4の分割最終側の端部に
おいては、モーメントが充分得られなくなる可能性があ
る。
That is, there is a possibility that a sufficient moment cannot be obtained at the end of the strip-shaped substrate 4 on the last side of the division.

【0037】従って、2次の分割最終側端部側において
充分な間隔で捨て耳部分Bを形成し、この捨て耳部分B
と素子領域Aとの境界に位置する第2の分割用スリット
3、例えば第2の分割用スリット32の深さだけを、素
子領域Aどうしを区画する第2の分割用スリット3・・
・の深さより深くしたり、また、捨て耳部分Bの合計幅
Wを素子領域Aの幅wに比較して広くすることが望まし
い。
Therefore, the discarded ear portions B are formed at a sufficient interval on the end of the secondary divided final side, and the discarded ear portions B are formed.
The second dividing slits 3 that partition the element regions A only by the depth of the second dividing slit 3 located at the boundary between the element regions A, for example, the second dividing slit 32.
And the total width W of the discarded ear portions B is desirably wider than the width w of the element region A.

【0038】上述の第1の分割用スリット2における両
端部分における深さDは、基板1の厚みTに対して、5
0%〜100%となっている。即ち、第1の分割用スリ
ット2における両端部分における深さDは、基板1の厚
み全体を貫通しても構わない。
The depth D at both ends of the first dividing slit 2 is 5 times larger than the thickness T of the substrate 1.
It is 0% to 100%. That is, the depth D at both ends of the first division slit 2 may penetrate the entire thickness of the substrate 1.

【0039】具体的には、基板1の厚みtは、0.4m
mであり、第1分割用スリット2の両端部の深さDは、
例えば0.28mmであり、中央部付近の深さdは0.
15mmである。
Specifically, the thickness t of the substrate 1 is 0.4 m
m, and the depth D of both ends of the first dividing slit 2 is:
For example, it is 0.28 mm, and the depth d in the vicinity of the center is 0.3 mm.
15 mm.

【0040】尚、第2分割用スリット3の深さは、例え
ば 0.06mmであり、全ての第2の分割溝用スリッ
ト3が全て同一深さになっている。
The depth of the second dividing slit 3 is, for example, 0.06 mm, and all the second dividing groove slits 3 have the same depth.

【0041】上述の基板1の第1の分割溝用スリット2
の両端部付近の深さDが、基板tに対して50%未満で
は、1次分割を行った場合の両端部付近の分割面にバリ
(分割面から0.1mm以上の突起するバリの発生率
0.2%)などが発生しやすく、その結果、短冊状基板
4の両端部を用いて複数の短冊状基板4を整列するにあ
たり、安定した整列が困難となってしまう。
The first slit 2 for the dividing groove of the substrate 1
If the depth D near both ends of the substrate is less than 50% with respect to the substrate t, burrs are formed on the divided surfaces near both ends when primary division is performed (burrs projecting 0.1 mm or more from the divided surface are generated) (A ratio of 0.2%) is likely to occur, and as a result, it is difficult to align a plurality of strip-shaped substrates 4 using both ends of the strip-shaped substrates 4 in a stable manner.

【0042】好ましくは、基板1の第1の分割溝用スリ
ット2の両端部付近の深さDが、基板tに対して70%
以上とする。このようにすれば、1次分割を行った場合
の両端部付近の分割面にバリなどの発生を0.1%がさ
らに低減できる。
Preferably, the depth D near both ends of the first split groove slit 2 of the substrate 1 is 70% of the substrate t.
Above. By doing so, it is possible to further reduce the occurrence of burrs and the like by 0.1% on the divided surfaces near both ends when the primary division is performed.

【0043】上述のセラミック基板1は、アルミナセラ
ミックからなるセラミックグリーンシートを形成し、こ
のシートに縦横のプレス成型によって、第1及び第2の
分割用スリット溝2、3となる溝を形成し、その後、焼
成処理することにより形成される。
The above-mentioned ceramic substrate 1 is formed by forming a ceramic green sheet made of alumina ceramic, and forming vertical and horizontal press molding on this sheet to form first and second dividing slit grooves 2 and 3. Then, it is formed by performing a firing treatment.

【0044】上述の大型セラミック基板1から、図4に
示すチップ状電子部品の製造方法を説明する。
A method for manufacturing the chip-shaped electronic component shown in FIG. 4 from the above-described large ceramic substrate 1 will be described.

【0045】まず、上述のように第1の分割用スリット
2と複数の第2の分割用スリット3を縦横に形成した大
型セラミック基板1を用意する。
First, a large-sized ceramic substrate 1 having the first and second dividing slits 2 and a plurality of second dividing slits 3 formed as described above is prepared.

【0046】次に、第1の分割用スリット2と第2の分
割用スリット3とに囲まれた領域の表面に、第1の分割
溝用スリット2に側の両端部に表面側端子電極41a、
42aをAg系導電性ペーストの焼き付けにより形成す
る。同時に、表面側端子電極に対応する裏面側に裏面側
端子電極41c、42cをAg系導電性ペーストの焼き
付けにより形成する。
Next, on the surface of the region surrounded by the first splitting slit 2 and the second splitting slit 3, the front side terminal electrodes 41a are provided at both ends on the side of the first splitting groove slit 2. ,
42a is formed by baking an Ag-based conductive paste. At the same time, back side terminal electrodes 41c and 42c are formed on the back side corresponding to the front side terminal electrodes by baking an Ag-based conductive paste.

【0047】次に、各素子領域で、1対の表面側端子電
極41a、42aに跨がるように抵抗体膜43を抵抗体
ペーストの焼き付けにより形成する。
Next, in each element region, a resistor film 43 is formed by baking a resistor paste so as to straddle the pair of front side terminal electrodes 41a and 42a.

【0048】次に、少なくとも抵抗体膜43上にガラス
保護膜44を形成する。具体的には、低融点ガラスペー
ストの印刷焼き付けにより形成する。尚、必要に応じ
て、ガラス保護膜44を介して抵抗体膜43をレーザー
トリミングし、抵抗値を調整し、その後、トリミング跡
をガラスペーストの印刷焼き付けにより被覆する。 こ
の状態の大型セラミック基板の平面状態を図5の平面図
に示す。尚、図において、第1の分割溝用スリット2が
延びる方向の両端部の領域Bは、捨て耳部分となり、こ
の領域に原則、表面側端子電極や裏面側端子電極や抵抗
体膜などを形成しない。
Next, a glass protective film 44 is formed on at least the resistor film 43. Specifically, it is formed by printing and baking a low melting point glass paste. If necessary, the resistor film 43 is laser-trimmed via the glass protective film 44 to adjust the resistance value, and then the trimming marks are covered by printing and printing glass paste. A plan view of the large ceramic substrate in this state is shown in a plan view of FIG. In the drawing, regions B at both ends in the direction in which the first dividing groove slit 2 extends are discarded ear portions, and a front-side terminal electrode, a rear-side terminal electrode, a resistor film and the like are formed in this region in principle. do not do.

【0049】次に、大型セラミック基板1の第1の分割
用スリット2を用いて、1次分割を行う。これにより、
大型セラミック基板1は、第1の分割用スリット2を分
割面とする表面側端子電極41a、42a、裏面側端子
電極41c、42c、抵抗体膜43を有する短冊状基板
4となる。
Next, primary division is performed using the first division slit 2 of the large ceramic substrate 1. This allows
The large-sized ceramic substrate 1 becomes a strip-shaped substrate 4 having front-side terminal electrodes 41a and 42a, rear-side terminal electrodes 41c and 42c, and a resistive film 43 with the first dividing slit 2 as a dividing surface.

【0050】次に、複数の短冊状基板4の分割面が上下
面となるように、複数の短冊状基板4・・・をその両端
で整列治具61、62でもって挟持して整列する。
Next, the plurality of strip-shaped substrates 4 are sandwiched and aligned by the alignment jigs 61 and 62 at both ends thereof so that the divided surfaces of the plurality of strip-shaped substrates 4 become upper and lower surfaces.

【0051】この時、短冊状基板4の両端部の分割面部
分にはバリが発生することがないため、安定した保持が
可能である。即ち、複数の短冊状基板を整列させた時、
その表面が複数の短冊状基板4・・で均一な面とするこ
とができる。
At this time, burrs do not occur on the divided surfaces at both ends of the strip-shaped substrate 4, so that stable holding is possible. That is, when a plurality of strip-shaped substrates are aligned,
The surface can be a uniform surface with a plurality of strip-shaped substrates 4.

【0052】次に、複数整列させた複数の短冊状基板4
の表面(第1の分割溝用スリット2による分割面)に、
各素子領域に対応させて端面側端子電極41b、42c
をAg系ペーストの塗布及びその焼き付けにより形成す
る。
Next, a plurality of aligned strip-shaped substrates 4
On the surface (divided surface by the first division groove slit 2),
The end face side terminal electrodes 41b and 42c correspond to each element region.
Is formed by applying and baking an Ag-based paste.

【0053】これにより、各素子領域の両端部で、表面
側端子電極41a、端面側端子電極41b、裏面側端子
電極41c及び表面側端子電極42a、端面側端子電極
42b、裏面側端子電極42cが一体的に接続されて、
端子電極の下地導体膜を形成する。
As a result, the front-side terminal electrode 41a, the end-side terminal electrode 41b, the back-side terminal electrode 41c and the front-side terminal electrode 42a, the end-side terminal electrode 42b, and the back-side terminal electrode 42c are formed at both ends of each element region. Connected together,
A base conductor film for the terminal electrode is formed.

【0054】次に、短冊上基板4に残存する第2の分割
用スリット3を用いて、短冊状基板4から各チップ状電
子部品に対応した端子電極41、42の下地導体膜、抵
抗体膜43及びガラス保護膜44を形成された小基板4
に分割処理する。
Next, by using the second dividing slit 3 remaining on the strip-like substrate 4, the base conductor film and the resistor film of the terminal electrodes 41, 42 corresponding to each chip-like electronic component from the strip-like substrate 4. Small substrate 4 formed with 43 and glass protective film 44
Is divided.

【0055】最後に、各小基板4の端子電極下地導体膜
の表面を、バレルメッキ等により、Niメッキ、半田メ
ッキなどを施す。これより、端子電極41、42は、端
子電極下地導体膜と、Niメッキ、半田メッキ等のメッ
キ層とから構成されることになる。そして、図4に示す
チップ抵抗器が完成する。
Finally, the surface of the terminal electrode base conductor film of each small substrate 4 is subjected to Ni plating, solder plating, or the like by barrel plating or the like. Thus, the terminal electrodes 41 and 42 are composed of the terminal electrode base conductor film and a plating layer such as Ni plating and solder plating. Then, the chip resistor shown in FIG. 4 is completed.

【0056】上述の大型セラミック基板の第1の分割用
スリット2の両端部の溝21の深さDが、そのスリット
2の中央部付近の溝22の深さdに比較して、深く設定
されており、第1の分割溝用スリット2を用いて1次分
割を行う際に、両端部分付近が安定的に分割できるよう
になっている。
The depth D of the groove 21 at both ends of the first dividing slit 2 of the large-sized ceramic substrate is set to be deeper than the depth d of the groove 22 near the center of the slit 2. When the primary division is performed using the first division groove slit 2, the vicinity of both ends can be divided stably.

【0057】これにより、上述の複数の短冊状基板4の
整列工程において、短冊状基板4の両端部を用いて整列
治具を用いて整列させるにあたり、非常に簡単に且つ安
定的(複数の短冊状基板の表面を揃えた状態)に整列さ
せることができる。
Thus, in the above-described step of arranging the plurality of strip-shaped substrates 4, it is very easy and stable to align the plurality of strip-shaped substrates 4 using the alignment jig using both ends of the strip-shaped substrates 4. (In a state where the surfaces of the substrate are aligned).

【0058】よって、例えばチップ抵抗器における端面
側端子電極41b、42bの形成が安定且つ確実に行
え、表面側端子電極41a、42aと裏面側端子電極4
1c、42cとの間の接続不良を防止することができ
る。
Therefore, for example, the end surface side terminal electrodes 41b and 42b in the chip resistor can be formed stably and reliably, and the front side terminal electrodes 41a and 42a and the back side terminal electrode 4
Poor connection between the first and second circuits 1c and 42c can be prevented.

【0059】尚、第1の分割溝用スリット2を用いて安
定的に分割するためには、第1の分割溝用スリット2の
溝深さを全体に厚くすることも考えられる。しかし、こ
のような場合、例えば、各素子領域に表面側端子電極4
1a、42aや裏面側端子電極41c、42cや抵抗体
膜43、ガラス保護膜44を形成する際に、処理時に発
生する機械的応力(例えば、スキージの押圧力など)に
よって、基板が分割してしまい、製造工程が煩雑となっ
てしまう。
In order to stably divide using the first dividing groove slit 2, it is conceivable to increase the groove depth of the first dividing groove slit 2 as a whole. However, in such a case, for example, the surface side terminal electrode 4
When forming 1a, 42a, back side terminal electrodes 41c, 42c, resistor film 43, and glass protective film 44, the substrate is divided by mechanical stress (for example, pressing force of a squeegee) generated during processing. As a result, the manufacturing process becomes complicated.

【0060】尚、上述の実施例では、第1の分割溝用ス
リット2の両端部分の溝22を深く設定することが重要
である。従って、第1の分割溝用スリット2の両端部分
においては、平面形状が捨て耳部分Bの全幅に貫通する
1/2長円形状の貫通溝を形成してもよい。
In the above-described embodiment, it is important to set the grooves 22 at both ends of the first split groove slit 2 deep. Therefore, in both end portions of the first split groove slit 2, a half-oval through groove may be formed whose planar shape passes through the entire width of the discarded ear portion B.

【0061】さらに、第1の分割溝用スリット2の両端
部分の溝22を深く設定する部位が、捨て耳部分Bに相
当するとの説明を行っているが、例えば、第2の分割用
スリット3のうち、1本目までの分割溝が形成される基
板端部からの領域を深く設定してもよい。これは、整列
保持治具のハンドリングが基板端部からどの領域に設定
されるかによって決定される。
Further, it has been described that the portions where the grooves 22 at both end portions of the first split groove slit 2 are set deep correspond to the discarded ear portions B. For example, the second split slit 3 Of these, the region from the end of the substrate where the first divided groove is formed may be set deep. This is determined by the area where the handling of the alignment holding jig is set from the end of the substrate.

【0062】また、大型セラミック基板1として、チッ
プ抵抗器の製造を例にして説明したが、多連チップ抵抗
器、CRチップ部品など種々のチップ部品に利用でき
る。
Although the manufacture of a chip resistor has been described as an example of the large ceramic substrate 1, it can be used for various chip components such as a multiple chip resistor and a CR chip component.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上のように、本発明の電子部品用セラ
ミック基板は、セラミック基板の1次分割を行う第1の
分割用スリットにおいて、両端部側の溝の深さが深くな
っているので、1次の分割時、短冊状基板の両端の分割
面が非常に安定した平坦度で分割できる。
As described above, in the ceramic substrate for an electronic component according to the present invention, the depth of the grooves at both ends is deep in the first division slit for performing the primary division of the ceramic substrate. (1) During the first division, the divided surfaces at both ends of the strip-shaped substrate can be divided with very stable flatness.

【0064】従って、この短冊状基板を整列させるにあ
たり、安定的に整列させることができ、各種電子部品の
製造工程が非常に簡単、且つ安定する。
Therefore, when the strip substrates are aligned, they can be stably aligned, and the manufacturing process of various electronic components is very simple and stable.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電子部品用セラミック基板を示す斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a ceramic substrate for electronic components of the present invention.

【図2】図1のセラミック基板の第1の分割用スリット
に沿った断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the ceramic substrate of FIG. 1 along a first dividing slit.

【図3】セラミック基板から得られる短冊状基板の斜視
図である。
FIG. 3 is a perspective view of a strip-shaped substrate obtained from a ceramic substrate.

【図4】セラミック基板から得られるチップ抵抗器の斜
視図である。
FIG. 4 is a perspective view of a chip resistor obtained from a ceramic substrate.

【図5】チップ抵抗器の製造工程における大型セラミッ
ク基板の部分平面図である。
FIG. 5 is a partial plan view of a large ceramic substrate in a manufacturing process of the chip resistor.

【図6】チップ抵抗器の製造工程における短冊状基板の
整列状態を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing an alignment state of strip-shaped substrates in a manufacturing process of the chip resistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・大型セラミック基板 2・・・第1の分割溝用スリット 3・・・第2の分割溝用スリット 4・・・短冊状基板 5・・・基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Large ceramic substrate 2 ... Slit for 1st division groove 3 ... Slit for 2nd division groove 4 ... Strip-shaped substrate 5 ... Substrate

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一方方向に延びる第1の分割用スリット
と該第1の分割溝と直交する第2の分割用スリットとを
それぞれ複数本形成して成り、前記第1の分割用スリッ
トに沿って分割して短冊状基板に、さらに前記第2の分
割用スリットに沿って分割して基板を抽出する電子部品
用セラミック基板において、 前記複数の第1の分割用スリットは、その両端部が中央
付近に比較してスリット深さが深く形成されていること
を特徴とする電子部品用セラミック基板。
1. A plurality of first dividing slits extending in one direction and a plurality of second dividing slits orthogonal to the first dividing grooves are formed, and are formed along the first dividing slit. In the ceramic substrate for electronic components, which is divided into strip-shaped substrates and further divided along the second dividing slit to extract the substrate, the plurality of first dividing slits have both ends in the center. A ceramic substrate for electronic components, characterized in that the slit depth is formed deeper than in the vicinity.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013207065A (en) * 2012-03-28 2013-10-07 Denso Corp Ceramic substrate manufacturing method

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