JP2000105644A - バス制御装置 - Google Patents

バス制御装置

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JP2000105644A
JP2000105644A JP10274897A JP27489798A JP2000105644A JP 2000105644 A JP2000105644 A JP 2000105644A JP 10274897 A JP10274897 A JP 10274897A JP 27489798 A JP27489798 A JP 27489798A JP 2000105644 A JP2000105644 A JP 2000105644A
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JP
Japan
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bus
control signal
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control
devices
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JP10274897A
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Makoto Saito
藤 誠 斉
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 異なる動作電圧のデバイスを容易に接続可能
なバス制御装置の提供。 【解決手段】 第1動作電圧のデバイス5,4aを接続
するための第1バス3a;第1動作電圧と同一又は異な
る第2動作電圧のデバイス4b,6を接続するための第
2バス3b;与えられる制御信号BFENがバス間接続
を指定すると、与えられるデ−タ伝達方向BFDIRに
対応するデ−タの送給方向に第1バス3aと第2バス3
bとを接続する双方向バッファ7;および、前記デバイ
ス5,4a,4b,6のそれぞれに宛てた、第1/第2
バス間接続/非接続を指定する制御信号BFENを格納
したレジスタD0〜D3を有し、デバイス指定およびデ
−タ入出力指定に対応して、指定デバイス宛ての制御信
号BFENをレジスタD0〜D3から読出してデ−タ入
出力指定に対応するデ−タ伝達方向BFDIRと共に双
方向バッファ7に与える接続制御手段2;を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、デ−タ転送用のバ
スシステムに関し、特に、これに限定する意図ではない
が、CPUと、それにデ−タを与えたりそれよりデ−タ
を受ける電気装置(デバイス)の複数との間を接続する
バスシステムに関する。例えば、レーザービームプリン
タの、記録用デ−タの入出力部の、バスシステムに用い
られる。
【0002】
【従来の技術】特開平6−28304号公報には、多く
の電気回路基板を並列接続するためのバスシステムが開
示されている。接続しうる電気回路基板数を増やすため
に、複数の電気回路基板を並列接続しうる単位区間長の
複数のバスが、双方向バッファを順次に介して直列接続
されて長距離バスに形成される。該バスを介しての電気
回路基板間のデ−タ転送のデ−タ転送方向に対応して、
制御回路が、各双方向バッファの信号伝送方向を定め
る。
【0003】図7に比較的に小規模のバスシステムを示
す。このバスシステムはメモリ等に対してデ−タの読み
書きを行なうものであり、メモリ4a,4b,5を主体
とするデバイス群(4a〜6)の読み書きを行なうため
のバス(メモリバス)3と、システムCPU1とのイン
ターフェース機能を備えた、バス制御用の制御LSI2
とを含む。メモリバス3には、CPU1のプログラムR
OM 5,ROM A4a,RAM B 4b等、主にメモ
リデバイスが接続される。しかし、メモリに限らず、C
PU1あるいはメモリからデ−タを受けたりそれらにデ
−タを与える電気回路も接続されることがある。外部ロ
ジック6は、該電気回路に対応又は相当するデバイスで
ある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】現在、半導体プロセス
の微細化に伴い、各種メモリの動作電源電圧は3.3V
化(低電圧化)が図られてきているが、5V単一電源で
動作するメモリも存在し、システム設計者(制御ボ−ド
設計者)は、各種メモリの単価,供給見通しおよび信頼
性などを考慮し、必要なメモリを選定する。従って、メ
モリバス3上に、3.3V電源動作のメモリと5V電源
動作のメモリがメモリバス3上に容易に接続可能なバス
システムの提供が望まれる。これはメモリに限らず、他
のデバイスに関しても同様である。以下においては、説
明を簡単にするため、メモリを例にして説明する。
【0005】一方、同一バスに、異なった電源動作のメ
モリを単純に接続すると、各メモリの入力絶体最大定格
値や入力レベルの問題があり単純に接続できない。ま
た、バス上に接続する各種メモリの容量を大きく取ろう
とすると、バスに接続されるメモリの個数が増加し、そ
の結果、バスの負荷容量が増大しバスに接続されている
メモリやLSIが、バスを適切なタイミングで使用(ア
クセス)できないという問題が発生する。
【0006】本発明は、異なる動作電圧のデバイスを容
易に接続可能なバス制御装置を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための技術手段】(1)第1動作電圧
のデバイス(5,4a)を接続するための第1バス(3a);第1
動作電圧と同一又は異なる第2動作電圧のデバイス(4b,
6)を接続するための第2バス(3b);与えられる制御信号
(BFEN)がバス間接続を指定すると、与えられるデ−タ伝
達方向(BFDIR)に対応するデ−タの送給方向に第1バス
(3a)と第2バス(3b)とを接続する双方向バッファ(7);
および、前記デバイス(5,4a,4b,6)のそれぞれに宛て
た、第1/第2バス間接続/非接続を指定する制御信号
(BFEN)を格納したレジスタ(D0〜D3)を有し、デバイス指
定およびデ−タ入出力指定に対応して、指定デバイス宛
ての制御信号(BFEN)をレジスタ(D0〜D3)から読出してデ
−タ入出力指定に対応するデ−タ伝達方向(BFDIR)と共
に前記双方向バッファ(7)に与える接続制御手段(2);を
備えるバス制御装置(図1)。
【0008】なお、理解を容易にするためにカッコ内に
は、図面に示し後述する実施例の対応要素又は対応事項
の符号を、参考までに付記した。
【0009】これによれば、異なる動作電圧のデバイス
は第1バス(3a)と第2バス(3b)に分けて、同一バスには
実質上同一の動作電圧のデバイスを接続して、各デバイ
スの機能を損なうことなく、異なる動作電圧のデバイス
の組込みが可能となる。異なる動作電圧のデバイスも混
合装備しうるので、コスト,納期,供給面などの状況を
考慮して最適なデバイスを選定できる。
【0010】接続制御手段(2)をLSIに組込むことに
より、周辺に余分な制御回路を必要としない。また最近
はLSIの使用可能な搭載ゲ−ト数は半導体製造プロセ
スの微細化に伴い飛躍的に増加しており、さらにLSI
パッケージの多ピン化が進んでおり、LSIの外部に制
御回路を設ける場合と比べて圧倒的に安価に実現でき、
ボ−ド面積の効率的な使用が可能となる。 (2)前記接続制御手段(2)は、前記制御信号(BFEN)を
前記レジスタ(D0〜D3)にプログラマブル(Programmable)
設定可能な機能を備える。
【0011】これによれば、制御信号(BFEN)をプログラ
ムで制御できるので、たとえば初期は5V電圧動作のデ
バイスを選定していたが、ある時期3.3V電圧のデバ
イスに変更する場合でも、該デバイスのバス接続を第1
バスから第2バスに又はその逆に変更し、かつ、レジス
タの制御信号をプログラマブル機能にて変更することに
より、迅速,柔軟に対応できる。 (3)前記接続制御手段(2)はCPU(1)に接続されて該
CPU(1)より、デバイス指定およびデ−タ入出力指定
を受け;前記第1又は第2動作電圧のデバイスには、ブ
−ト(Boot)時のCPU駆動用プログラムデ−タを格納し
たメモリデバイス(5)を含み;前記接続制御手段(2)は、
ブ−ト時に該メモリデバイスのデ−タを読出すために第
1/第2バス間接続/非接続を指定する制御信号が設定
される入力端(BOOT PIN,SELECT PIN)を有する。
【0012】これによれば、ブ−ト時に選択されるメモ
リデバイス(5)が変更されて動作電圧が変わっても、そ
れを第1バスから第2バスに又はその逆に接続替えする
ことにより、迅速,柔軟に対応できる。またブ−ト時に
アクセスされる可能性があるデバイスがバス上に複数接
続されていても、システム構成に応じてSELECT PINの入
力設定で容易にブ−ト時のアクセスデバイスを指定でき
る。
【0013】本発明の他の目的および特徴は、図面を参
照した以下の実施例の説明より明らかになろう。
【0014】
【実施例】図1に本発明の一実施例を示す。メモリバス
は、動作電圧が3.3Vのデバイス5,4aを接続する
第1バス3aと、5Vで動作するデバイス4b,6を接
続する第2バスと、第1バス3aと第2バス3bとの間
を分離又は接続する双方向バッファ7(双方向バッファ
アンプ)と、双方向バッファ7を制御する回路を備えた
LSI2と、で構成される。双方向バッファ7を制御す
る制御信号として、本例ではBFDIR(双方向バッフ
ァ7の信号伝達方向を決める信号)及びBFEN(双方
向バッファのデータ出力許可信号)を用いている。
【0015】なお、上記説明では、第1バス3a側を
3.3V系、3b側を5V系と定義しているが、その逆
でも良い。更に、バス3a,3bを共に3.3V系にし
ても良いし、5V系にしても良い。但し双方向バッファ
7と制御LSI2は、3.3Vは勿論、5Vにも適用可
のものである必要がある。
【0016】このような構造のバスシステムを構成して
おくと、バスに接続する各種メモリ(又はメモリ以外の
デバイス)の動作電圧が3.3V系から5V系に、また
は5V系から3.3V系に変更になっても、容易に装備
可能である。
【0017】また、バスタイミング(制御LSI2とバ
ス3a,3b上の各メモリのインターフェースタイミン
グ)が許す範囲であり、アドレスやチップイネ−ブル(C
hipEnable)などのその他の制御信号が準備できる状態で
あれば、図2に示すように、双方向バッファ7a,7b
を、順次バスに挿入可能であり、メモリ容量の増加や接
続デバイスの種類を増やすことは可能である。
【0018】双方向バッファ7は、バスホ−ルド(BUS H
OLD)機能を備えることが望ましい。そうすれば、バス電
位が浮動(Floating)状態に為ることを防ぐので、バスに
プルアップ(Pull-up)抵抗を負荷する必要が無くなり、
CMOS貫通電流が防止される。
【0019】次に、双方向バッファ7の制御信号BFE
N(双方向バッファ7のデータ出力許可信号)およびB
FDIR(双方向バッファ7の信号伝達方向を決める信
号)を説明する。
【0020】バス3a(3.3V系)又は3b(5V
系)に接続する各種メモリを、動作電圧が異なるものに
変更するためには、例えば、バス3b(5V系)から注
目メモリを外し、それに対応する3.3V系のメモリを
バス3a(3.3V系)に接続するためには、該メモリ
に宛てる制御信号BFENを、接続バスの変更(3bか
ら3a)に対応して、ON(該メモリアクセス時に双方
向バッファ7にて3a/3b間接続)からOFF(3a
/3b間分離)に変更する必要がある。
【0021】即ち、各種メモリの、動作電圧が異なるも
のへの変更(交換)に伴い、該当メモリは、制御LSI
2から見て、双方向バッファ7の内側のバス3aか、外
側のバス3bに接続されるが、それに対応して制御LS
I2から該メモリにアクセスが発生したおりに、双方向
バッファ7に与えるバス間接続/分離を指定する制御信
号BFENを、イネ−ブル(Enable:ON)にするかデイ
スエ−ブル(Disable:OFF)にするかを制御する手段
が必要であるので、この手段としてレジスタを用い、制
御LSI2を、該レジスタに対してデ−タの書き替えを
行なうプログラマブル(Programmable)機能を備えるもの
とした。すなわち制御信号BFENは、プログラマブル
設定である。
【0022】図4の(a)に、制御信号BFEN生成用
のレジスタの構成を示す。この例では、図1に示すよう
にバスに接続するデバイス数を4にしているので、レジ
スタはD0〜D3ビットでなるものとした。
【0023】D0ビットを、プログラムROM5に宛て
ており、それをバス3aに接続するときには1(OF
F)を、バス3bに接続するときには0(ON)を書込
む。同様に、D1〜D3を、それぞれROM A 4a,
RAM B 4bおよび外部ロジック6に宛てており、そ
れらをバス3aに接続するときには1(OFF)を、バ
ス3bに接続するときには0(ON)を書込む。
【0024】このように、双方向バッファ7のデ−タ出
力のイネ−ブル/ディスエ−ブルを、各デバイス宛てに
決定するレジスタ(D0〜D3)を持つ事が、本発明の
特徴の一つである。このレジスタの、各デバイスに宛て
られたデ−タ(D0〜D3)をプログラム設定可能な構
成にする事により、図3の第1バス3aまたは第2バス
3bにデバイスを接続可能にした。即ち、例えばプログ
ラムROM5を図3の第2バス3bに接続する場合は、
上記レジスタのD0ビットのデ−タに0(”L”=O
N)を設定しておく。すると、制御LSI2がプログラ
ムROM5の領域をアクセスすると、制御LSI2から
はアドレス信号,プログラムROM チップセレクト(C
hip Select)信号CS等が出力されると共に、制御信号
BFENは”L”出力され双方向バッファ7を介して制
御LSI2とプログラムROM5のデ−タ線が電気的に
接続される(図4の(b))。
【0025】プログラムROM5を、図3の第1バス3
aに接続する場合は、上記レジスタのD0ビットのデ−
タに1(”H”=OFF)を設定しておく。すると、制
御LSI2がプログラムROM5の領域をアクセスする
と制御LSI2からは、アドレス信号,プログラムRO
M チップセレクト信号CS等が出力されると共に、制
御信号BFENは”H”出力され、双方向バッファ7を
介して第2バス3bの状態が第1バス3aに影響しない
ように、第2バス3bが分離される(図4の(c))。
【0026】このように、レジスタにデバイス対応で1
または0を設定する事により、制御信号BFENが、デ
バイス指定に対応して制御される。
【0027】図5に、双方向バッファ7の信号送出方向
を指定する制御信号BFDIRを示す。本発明では、制
御LSI2の読み/書き(Read/Write)制御に連動して、
制御信号BFDIRのレベル制御を行う。これは、制御
LSI2が第2バス3bに接続されているデバイスに読
み/書きを行う場合に意味を持つ。プログラムROM5
が第2バス3bに接続されている場合で、制御LSI2
の、プログラムROM5の読み/書きアクセスに連動し
た、制御信号BFDIRのレベル変化を図5に示す。
【0028】次に、ブ−ト(Boot)時にCPU1が必要と
するプログラムデ−タを格納しているメモリが、第1バ
ス3a又は第2バス3bに接続されている場合、制御信
号BFENの、ブ−ト時の制御が必要である。ブ−ト時
に選択されるメモリは双方向バッファの内側(3a)に
も外側(3b)にも接続可能であるので、制御信号BF
ENのレベル制御もこれに対応する必要がある。
【0029】図6に、ブ−ト時の制御信号BFENを生
成する態様を示す。システムの電源投入時(ブ−ト
時)、前述の、制御信号BFEN生成用のレジスタ(D
0〜D3)の値はソフト制御されておらず、確定できな
いので、ブ−ト時に最初にアクセスされるデバイス(例
えばCPU1の動作用のプログラムを格納したプログラ
ムROM5など)に対しては、制御LSI2に付したブ
−ト時指定用のピン(BOOTPIN;入力端)に与える信号
(1/0)で制御信号BFENのレベル(1/0)を指
定する。例えばブ−ト時に最初にアクセスされるデバイ
スが第1バス3aに接続されたプログラムROM5であ
る場合は、BOOT PIN を”H”(1)に設定する。仮
に、プログラムROM5を第2バス3bに接続する場合
は、BOOT PINを”L”(0)に設定する。
【0030】又、ブ−ト時にアクセスされる対象候補
(候補デバイス)が複数ある場合は、制御LSI2に付
したデバイス指定用のピン(SELECT PIN)で、ブ−ト時に
アクセスするデバイスを指定する。SELECT PINが2本の
場合は4種類のデバイスの1つを選択でき、例えば0
0:プログラムROM5,01:ROM A 4a,1
0:RAM B 4b,11:外部ロジック6、という具
合に割り当てる。最終的にはSELECT PINで指定されたデ
バイスを第1バス3a側か第2バス3b側かに接続する
事に為るので、例えばブ−ト時にアクセスされるデバイ
スを第1バス3a側に接続する場合は、BOOT PINを”
H”に設定する。又、ブ−ト時にアクセスされるデバイ
スを第2バス3b側に接続する場合はBOOT PINを”L”
に設定する。
【0031】ブ−ト時にアクセスされるデバイスに指定
されると、図4の(a)に示したレジスタの対応ビット
(D0〜D3)の情報は無視され、SELECT PINとBOOT P
INで設定された情報が優先する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例のシステム構成を示すブロ
ック図である。
【図2】 図1に示す実施例の変形態様を示すブロック
図である。
【図3】 図1に示す実施例の一部分を抜粋して示すブ
ロック図である。
【図4】 (a)は、図1に示す制御LSIが保持し格
納デ−タのプログラマブル設定が可能なレジスタのデ−
タの内容を示す平面図である。(b)は、図1に示すプ
ログラムROM5が第2バス3bに接続されていると仮
定した場合の、制御LSI2の制御信号BFENを示す
タイムチャ−トであり、(c)は、プログラムROM5
が第1バス3aに接続されている場合の、制御LSI2
の出力信号を示すタイムチャ−トである。
【図5】 図1に示すプログラムROM5が第2バス3
bに接続されていると仮定した場合の、制御LSI2の
制御信号BFDIRを示すタイムチャ−トである。
【図6】 本発明の他の実施例の主要部を示すブロック
図である。
【図7】 従来のバス制御装置のシステム構成を示すブ
ロック図である。
【符号の説明】
1:CPU 2:制御LSI 3a:第1バス 3b:第2バス 4a:ROM A 4b:RAM B 5:プログラムROM 6:外部ロジック 7:双方向バッファ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1動作電圧のデバイスを接続するための
    第1バス;第1動作電圧と同一又は異なる第2動作電圧
    のデバイスを接続するための第2バス;与えられる制御
    信号がバス間接続を指定すると、与えられるデ−タ伝達
    方向に対応するデ−タの送給方向に第1バスと第2バス
    とを接続する双方向バッファ;および、 前記デバイスのそれぞれに宛てた、第1/第2バス間接
    続/非接続を指定する制御信号を格納したレジスタを有
    し、デバイス指定およびデ−タ入出力指定に対応して、
    指定デバイス宛ての制御信号をレジスタから読出してデ
    −タ入出力指定に対応するデ−タ伝達方向と共に前記双
    方向バッファに与える接続制御手段;を備えるバス制御
    装置。
  2. 【請求項2】前記接続制御手段は、前記制御信号を前記
    レジスタにプログラマブル設定可能な機能を備える請求
    項1のバス制御装置。
  3. 【請求項3】前記接続制御手段はCPUに接続されて該
    CPUより、デバイス指定およびデ−タ入出力指定を受
    け;前記第1又は第2動作電圧のデバイスには、ブ−ト
    時のCPU駆動用プログラムデ−タを格納したメモリデ
    バイスを含み;前記接続制御手段は、ブ−ト時に該メモ
    リデバイスのデ−タを読出すために第1/第2バス間接
    続/非接続を指定する制御信号が設定される入力端を有
    する;請求項1記載のバス制御装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6721212B2 (en) 2002-01-09 2004-04-13 Mega Chips Corporation Memory control circuit and control system for a plurality of memories interconnected via plural logic interfaces

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