JP2000101379A - High-frequency multilayer laminated parts - Google Patents

High-frequency multilayer laminated parts

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JP2000101379A
JP2000101379A JP10281993A JP28199398A JP2000101379A JP 2000101379 A JP2000101379 A JP 2000101379A JP 10281993 A JP10281993 A JP 10281993A JP 28199398 A JP28199398 A JP 28199398A JP 2000101379 A JP2000101379 A JP 2000101379A
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JP
Japan
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dielectric
group
monomer
fumarate
polymer
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JP10281993A
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Japanese (ja)
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Kenji Endo
謙二 遠藤
Toshiaki Yamada
俊昭 山田
Toshiyuki Abe
敏之 阿部
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Original Assignee
TDK Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency multilayer laminated parts, which will not generate deviation between layers at the time of laminating, can reduce the number of printing times, will not generates shrinkage at baking, etc., prevents the generation of the distortion of shape, thickness and interval of a pattern inside of a substrate and the position, etc., of the internal pattern of an individual product after dividing, will not generates burrs, etc., is satisfactory in dividing efficiency at manufacturing, is superior in yield and cost of products, and is equivalent with ceramics in performance. SOLUTION: In the high-frequency multilayer laminated parts of a multilayered structure, obtained by making a chip from a laminate layer of a large area and provided with a dielectric layer and a conductor layer, the dielectric layer is a resin composition constituted of one kind or at least two kinds of resin of a weight-average absolute molecular weight of 1,000 or larger, the sum of the number of the carbon atoms and the hydrogen atoms of the composition is not smaller than 99%, and a part or all between resin molecules are formed of a composite dielectric material composition, including heat- resistant low dielectric high-molecule material chemically connected with each other and a ceramic dielectric material.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話の他、移
動体通信櫻器等のマイクロ波、ミリ波帯域において使用
される電子部品の1つである高周波多層積層部品に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency multilayer component, which is one of electronic components used in a microwave or millimeter-wave band, such as a mobile communication device, in addition to a portable telephone.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、マイクロ波、ミリ波帯域での無線
通信機器の高周波部等において使用されるフィルタ、カ
プラ等の電子部品として、図2に示すような多層構造を
有するSMDタイプの高周波多層積層部品が知られてい
る。これらの部品は、セラミック中に複数個(数個〜数
百個)分の導電パターンを形成し、焼成され1枚の基板
としてから各個品に分割される多数個取りの工程で製造
される。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an electronic component such as a filter and a coupler used in a high frequency part of a radio communication device in a microwave or millimeter wave band, an SMD type high frequency multilayer having a multilayer structure as shown in FIG. Laminated components are known. These components are manufactured in a multi-cavity process in which a plurality (several to hundreds) of conductive patterns are formed in a ceramic, fired to form one substrate, and then divided into individual products.

【0003】このようなセラミックを使用した従来の電
子部品には、次のような問題があった。セラミックのグ
リーンシートに導電ペーストを印刷し積層する方式で
は、積層時に層間のずれが発生しやすい。また、セラミ
ックをもペースト状にして印刷する、いわゆる印刷多層
方式では印刷回数が多大になる。さらに、いずれの方式
にしても焼成の際に通常10%以上の縮みが見られ、パ
ターンの形状、厚み、間隔、分割後の個品の内部パター
ンの位置等に歪みを生じやすく、各個品の均一性を保つ
ことが大変困難であり、製品の歩留まり、コスト、性能
に多大な悪影響を与えている。また、基板を分割して個
品を形成する工程についても、分割を基板の焼成前に行
う方式では個品の形状が歪むおそれがある。焼成前に予
めスナップを形成して焼成後に分割する方式では、バリ
が発生するおそれがある。さらに、焼成後にダイシング
により分割する方式では、焼成後の堅いセラミックを切
断するため、分割の効率が悪い。
Conventional electronic components using such ceramics have the following problems. In the method of printing and laminating a conductive paste on a ceramic green sheet, interlayer misalignment tends to occur during lamination. Further, in a so-called printing multi-layer system in which ceramic is printed in paste form, the number of times of printing becomes large. Further, in any of the methods, shrinkage of 10% or more is usually observed during firing, and the shape, thickness, interval, and position of the internal pattern of the individual product after division are likely to be distorted. Maintaining uniformity is very difficult and has a significant adverse effect on product yield, cost, and performance. Also, in the step of dividing the substrate to form an individual product, if the division is performed before firing the substrate, the shape of the individual product may be distorted. In a method in which a snap is formed before firing and then divided after firing, burrs may be generated. Furthermore, in the method of dividing by firing after dicing, the rigid ceramic after firing is cut, so that the dividing efficiency is low.

【0004】上記セラミック基板に代わるものとして、
ガラスエポキシ系をはじめとして樹脂基板や、近年は高
周波用としてBTレジン、PPO等の樹脂基板も普及し
てきているが、その高周波における損失特性(tan
δ)は0.03〜0.05以上あり、セラミックの0.
001以下には及ばなかった。
As an alternative to the above ceramic substrate,
A resin substrate such as a glass epoxy resin and a resin substrate such as BT resin and PPO for high frequency use have recently become widespread.
δ) is from 0.03 to 0.05 or more, and the value of.
001 or less.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、積層
時に層間のズレを生じることなく、印刷回数も少なくて
済み、焼成時等の縮みを生じることなく、基板内部のパ
ターンの形状、厚み、間隔、分割後の個品の内部パター
ンの位置等に歪みを生じるのを防止でき、バリ等を生じ
ることもなく、製造時の分割効率がよく、製品の歩留ま
り、コストに優れ、性能がセラミックスなみの高周波多
層積層部品を実現することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to reduce the number of times of printing without causing interlayer displacement during lamination, to reduce the number of printings, and to reduce the shape and thickness of the pattern inside the substrate without causing shrinkage during firing or the like. , Spacing, the position of the internal pattern of the individual product after division, etc. can be prevented from occurring, without burr, etc., the division efficiency at the time of manufacture is good, the product yield, cost is excellent, and the performance is ceramic. It is to realize a normal high-frequency multilayer component.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的は以
下の本発明の構成により達成される。 (1) 大面積の積層体からチップ化されて得られ、誘
電体層と、導電体層とを有する多層構造の高周波多層積
層部品であって、前記誘電体層は、重量平均絶対分子量
1000以上の樹脂の1種または2種以上で構成される
樹脂組成物であって、その組成物の炭素原子と水素原子
の原子数の和が99%以上であり、かつ樹脂分子間の一
部またはすべてが相互に化学的結合を有する耐熱性低誘
電性高分子材料と、セラミックス誘電体材料とを含有す
る複合誘電体材料組成物により形成されている高周波多
層積層部品。 (2) 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、その化学的
結合が架橋、ブロック重合およびグラフト重合から選ば
れる1種以上である上記(1)の高周波多層積層部品。 (3) 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、非極性α−
オレフィン系重合体セグメントおよび/または非極性共
役ジエン系重合体セグメントとビニル芳香族系重合体セ
グメントとが化学的結合をした共重合体であって、一方
のセグメントにより形成された分散相が他方のセグメン
トより形成された連続相中に微細に分散している多相構
造を示す熱可塑性樹脂である上記(1)または(2)の
高周波多層積層部品。 (4) 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、非極性α−
オレフィン系重合体セグメントとビニル芳香族系重合体
セグメントとが化学的結合をした共重合体である上記
(3)の高周波多層積層部品。 (5) 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、ビニル芳香
族系重合体セグメントがジビニルベンゼンの単量体を含
むビニル芳香族系共重合体セグメントである上記(3)
または(4)の高周波多層積層部品。 (6) 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、非極性α−
オレフィン系重合体セグメントおよび/または非極性共
役ジエン系重合体セグメントとビニル芳香族系重合体セ
グメントとが化学的結合をした共重合体が、グラフト重
合により化学的に結合した共重合体である上記(4)ま
たは(5)の高周波多層積層部品。 (7) 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、さらに4−
メチルペンテン−1の単量体を含む非極性α−オレフィ
ン系重合体を含有する上記(1)〜(6)のいずれかの
高周波多層積層部品。 (8) 大面積の積層体からチップ化されて得られ、誘
電体層と、導電体層とを有する多層構造の高周波多層積
層部品であって、前記誘電体層は、単量体として少なく
ともフマル酸ジエステルを含む単量体組成物を重合して
得られた誘電性高分子材料と、セラミックス誘電体材料
とを含有する複合誘電体材料組成物により形成されてい
る高周波多層積層部品。 (9) 前記フマル酸ジエステルは、下記式(I)で表
される上記(1)〜(8)のいずれかの高周波多層積層
部品。
That is, the above object is achieved by the following constitution of the present invention. (1) A high-frequency multilayer laminated component having a multilayer structure, which is obtained by forming a chip from a large-area laminate and has a dielectric layer and a conductive layer, wherein the dielectric layer has a weight average absolute molecular weight of 1,000 or more. Wherein the sum of the number of carbon atoms and hydrogen atoms in the composition is 99% or more, and some or all of the resin molecules Is a high-frequency multilayer component formed of a composite dielectric material composition containing a heat-resistant low-dielectric polymer material having a chemical bond with each other and a ceramic dielectric material. (2) The high-frequency multilayer component according to (1), wherein the heat-resistant low-dielectric polymer material has at least one chemical bond selected from cross-linking, block polymerization and graft polymerization. (3) The heat-resistant low-dielectric polymer material is a non-polar α-
An olefin polymer segment and / or a non-polar conjugated diene polymer segment and a vinyl aromatic polymer segment are chemically bonded copolymers, and the dispersed phase formed by one segment is the other. The high frequency multilayer component according to the above (1) or (2), which is a thermoplastic resin exhibiting a multiphase structure finely dispersed in a continuous phase formed from segments. (4) The heat-resistant low dielectric polymer material is a non-polar α-
The high-frequency multilayer component according to the above (3), wherein the olefin-based polymer segment and the vinyl aromatic-based polymer segment are copolymers chemically bonded to each other. (5) In the heat-resistant low-dielectric polymer material, the vinyl aromatic polymer segment is a vinyl aromatic copolymer segment containing a divinylbenzene monomer (3).
Or the high frequency multilayer component of (4). (6) The heat-resistant low dielectric polymer material is a non-polar α-
The copolymer in which the olefin polymer segment and / or the non-polar conjugated diene polymer segment and the vinyl aromatic polymer segment are chemically bonded to each other is a copolymer chemically bonded by graft polymerization. (4) or the high frequency multilayer laminated component according to (5). (7) The heat-resistant low dielectric polymer material further comprises 4-
The high-frequency multilayer component according to any one of the above (1) to (6), comprising a nonpolar α-olefin polymer containing a methylpentene-1 monomer. (8) A high-frequency multilayer laminate component having a multilayer structure, which is obtained by being chipped from a large-area laminate and has a dielectric layer and a conductor layer, wherein the dielectric layer is formed of at least fumar as a monomer. A high-frequency multilayer component formed of a composite dielectric material composition containing a dielectric polymer material obtained by polymerizing a monomer composition containing an acid diester and a ceramic dielectric material. (9) The high frequency multilayer laminated component according to any one of the above (1) to (8), wherein the fumaric acid diester is represented by the following formula (I).

【0007】[0007]

【化3】 Embedded image

【0008】[式(I)において、R1 はアルキル基ま
たはシクロアルキル基を表し、R2 はアルキル基、シク
ロアルキル基またはアリール基を表し、R1 およびR2
は同一でも異なるものであってもよい。] (10)前記単量体組成物は、さらに下記式(II)で表
されるビニル系単量体を含む上記(1)〜(9)のいず
れかの高周波多層積層部品。
[In the formula (I), R 1 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and R 1 and R 2
May be the same or different. (10) The high-frequency multilayer component according to any one of the above (1) to (9), wherein the monomer composition further contains a vinyl monomer represented by the following formula (II).

【0009】[0009]

【化4】 Embedded image

【0010】[式(II)において、Xは水素原子または
メチル基を表し、Yはフッ素原子、塩素原子、アルキル
基、アルケニル基、アリール基、エーテル基、アシル基
またはエステル基を表す。]
[In the formula (II), X represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y represents a fluorine atom, a chlorine atom, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an ether group, an acyl group or an ester group. ]

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の高周波多層積層部品は、
大面積の積層体からチップ化されて得られ、誘電体層
と、導電体層とを有する多層構造の高周波多層積層部品
であって、前記誘電体層は、重量平均絶対分子量100
0以上の樹脂の1種または2種以上で構成される樹脂組
成物であって、その組成物の炭素原子と水素原子の原子
数の和が99%以上であり、かつ樹脂分子間の一部また
はすべてが相互に化学的結合を有する耐熱性低誘電性高
分子材料と、セラミックス誘電体材料とを含有する複合
誘電体材料組成物により形成されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
A high-frequency multilayer laminated component having a multilayer structure obtained by forming a chip from a large-area laminate and having a dielectric layer and a conductive layer, wherein the dielectric layer has a weight average absolute molecular weight of 100
A resin composition comprising one or more resins of 0 or more resins, wherein the sum of the number of carbon atoms and hydrogen atoms of the composition is 99% or more, and a part between resin molecules. Alternatively, they are all formed of a composite dielectric material composition containing a heat-resistant low-dielectric polymer material having a chemical bond with each other and a ceramic dielectric material.

【0012】大面積の積層体からチップ化されて得られ
る高周波多層積層部品を、複合誘電体材料組成物を用い
て形成することにより、チップ化の際の切断が容易とな
り、積層時に層間のズレを生じることもなく、印刷回数
も少なくて済む。また、焼成時等の縮みを生じることも
なく、基板内部のパターンの形状、厚み、間隔、分割後
の個品の内部パターンの位置等に歪みを生じるのを防止
できる。さらに、バリ等を生じることもなく、製造時の
分割効率がよく、製品の歩留まりや、コストに優れた高
周波多層積層部品とすることができる。
By forming a high-frequency multilayer laminated component obtained by forming a chip from a large-area laminate by using a composite dielectric material composition, cutting at the time of forming a chip becomes easy, and the displacement between layers during lamination is facilitated. Does not occur, and the number of printings can be reduced. In addition, it is possible to prevent distortion in the shape, thickness, interval, the position of the internal pattern of the individual product after division, and the like without causing shrinkage during firing or the like. Further, it is possible to obtain a high-frequency multilayer component having good dividing efficiency at the time of manufacturing without producing burrs and the like, and having excellent product yield and cost.

【0013】ここで、大面積の積層体(積層前駆体)と
は、チップ体を切断して形成する前の前駆体をいう。そ
の大きさとしては、通常、縦:4〜25cm、横:4〜2
5cm、厚さ:0.02〜0.5cm、特に縦:4〜12c
m、横:4〜12cm、厚さ:0.05〜0.2cmの範囲
が好ましい。
Here, the large-area laminate (laminate precursor) refers to a precursor before cutting and forming the chip body. The size is usually 4 to 25 cm in length and 4 to 2 in width.
5cm, thickness: 0.02-0.5cm, especially vertical: 4-12c
m, the width: 4 to 12 cm, and the thickness: 0.05 to 0.2 cm are preferable.

【0014】積層前駆体を形成するには、誘電体層と、
この誘電体層上、または誘電体層間の必要な箇所に導電
体層を積層し、上下方向より加圧すればよい。また、加
圧時に加熱してもよい。加圧時の圧力としては、好まし
くは3〜10kg/cm2 、特に5〜7kg/cm2 の範囲が好ま
しい。加熱する場合の温度としては、通常、100〜2
60℃、特に180〜220℃程度である。
[0014] To form the laminated precursor, a dielectric layer,
A conductor layer may be laminated on the dielectric layer or at a necessary place between the dielectric layers, and pressure may be applied in the vertical direction. Moreover, you may heat at the time of pressurization. The pressure of the pressurization, preferably 3~10kg / cm 2, in particular in the range of 5~7kg / cm 2 is preferred. The heating temperature is usually 100 to 2
The temperature is about 60 ° C, especially about 180 to 220 ° C.

【0015】この積層前駆体から切断されて得られるチ
ップ体の数は、チップ体の形状によるが、通常、10〜
5000個、特に20〜500個である。
The number of chips obtained by cutting the laminated precursor depends on the shape of the chips, but is usually 10 to
5000, especially 20-500.

【0016】積層前駆体からチップ体を得る方法として
は、通常、シャー、丸ノコ、帯ノコ、砥石切断、超音波
加工機等で切断したり、打ち抜いたりすればよい。
As a method of obtaining a chip body from the laminated precursor, it is usually sufficient to cut or punch out with a shear, a circular saw, a band saw, a grindstone, an ultrasonic machine or the like.

【0017】このようにして得られる本発明の高周波多
層積層部品の歩留まりは、好ましくは90%以上、特に
97〜100%程度である。
The yield of the high-frequency multilayer component of the present invention thus obtained is preferably at least 90%, particularly about 97 to 100%.

【0018】誘電体層は、重量平均絶対分子量が100
0以上の1種または2種以上の樹脂で構成される樹脂組
成物であって、炭素原子と水素原子の原子数の和が99
%以上からなり、かつ樹脂分子間の一部またはすべてが
相互に化学的結合している耐熱性低誘電性高分子材料
と、高周波セラミックス誘電体材料を含有するものであ
る。このような構成とすることによって、高周波数帯域
において、高誘電率で、かつ低誘電正接の良好な特性が
得られる。これに対し、高周波セラミックス誘電体材料
を含有させることなく、耐熱性低誘電性高分子材料のみ
を含有させると、比誘電率が低くなり、実用に耐えな
い。また、上記のような重量平均絶対分子量の樹脂組成
物の耐熱性低誘電性高分子材料を用いるのは、十分な強
度、金属との密着性、および耐熱性を得るためであり、
一方炭素と水素の原子数の和を99%以上とするのは、
存在する化学的結合を非極性結合とするためであり、こ
れにより低誘電正接が得られやすくなる。従って、重量
平均絶対分子量が1000より小さいと、機械的物性、
耐熱性が不足になり不適である。また、炭素と水素の原
子数の和が99%より少ない場合、特に酸素原子や、窒
素原子などの有極性分子を形成する原子数が1%より多
く含まれる場合、特に誘電正接が高くなるため不適であ
る。
The dielectric layer has a weight average absolute molecular weight of 100
A resin composition comprising one or more resins of 0 or more, wherein the sum of the number of carbon atoms and the number of hydrogen atoms is 99 or more.
%, And contains a heat-resistant low-dielectric polymer material in which some or all of the resin molecules are chemically bonded to each other, and a high-frequency ceramic dielectric material. With such a configuration, in a high frequency band, good characteristics of a high dielectric constant and a low dielectric loss tangent can be obtained. On the other hand, when only the heat-resistant low-dielectric polymer material is contained without containing the high-frequency ceramic dielectric material, the relative dielectric constant becomes low, which is not practical. Further, the use of the heat-resistant low-dielectric polymer material of the resin composition having the weight average absolute molecular weight as described above is to obtain sufficient strength, adhesion to metal, and heat resistance,
On the other hand, the reason why the sum of the number of atoms of carbon and hydrogen is 99% or more is that
This is for making the existing chemical bond a non-polar bond, which makes it easy to obtain a low dielectric loss tangent. Therefore, if the weight average absolute molecular weight is less than 1000, mechanical properties,
Heat resistance is insufficient and is not suitable. In addition, when the sum of the numbers of carbon and hydrogen atoms is less than 99%, particularly when the number of atoms forming polar molecules such as oxygen atoms and nitrogen atoms is more than 1%, the dielectric loss tangent becomes particularly high. Not suitable.

【0019】特に好ましい重量平均絶対分子量は300
0以上、最も好ましくは5000以上である。このとき
の重量平均絶対分子量の上限に特に制限はないが、通常
1000万程度(ただし、熱可塑性樹脂の場合、これよ
り遙かに大きくなることもある)である。
A particularly preferred weight average absolute molecular weight is 300
0 or more, most preferably 5000 or more. The upper limit of the weight average absolute molecular weight at this time is not particularly limited, but is usually about 10 million (however, in the case of a thermoplastic resin, it may be much larger than this).

【0020】さらに、耐熱性低誘電性高分子材料につい
て説明する。
Further, a heat-resistant low-dielectric polymer material will be described.

【0021】上記高分子材料を構成する樹脂の具体例と
しては、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、
超超低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、低分子
量ポリエチレン、超高分子量ポリエチレン、エチレン−
プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリブテン、ポ
リ4−メチルペンテン等の非極性α−オレフィンの単独
ないし共重合体[以下、(共)重合体ともいう]、ブタ
ジエン、イソプレン、ペンタジエン、ヘキサジエン、ヘ
プタジエン、オクタジエン、フェニルブタジエン、ジフ
ェニルブタジエン等の共役ジエンの各単量体の(共)重
合体、スチレン、核置換スチレン、例えばメチルスチレ
ン、ジメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピル
スチレン、クロルスチレン、α−置換スチレン、例えば
α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、ジビニルベ
ンゼン、ビニルシクロヘキサン等の炭素環含有ビニルの
各単量体の(共)重合体等が挙げられる。
Specific examples of the resin constituting the polymer material include low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene,
Ultra low density polyethylene, high density polyethylene, low molecular weight polyethylene, ultra high molecular weight polyethylene, ethylene
Non-polar α-olefin homo- or copolymers (hereinafter also referred to as (co) polymers) such as propylene copolymer, polypropylene, polybutene, and poly-4-methylpentene, butadiene, isoprene, pentadiene, hexadiene, heptadiene, octadiene Phenylbutadiene, (co) polymers of each monomer of conjugated diene such as diphenylbutadiene, styrene, nucleus-substituted styrene, for example, methylstyrene, dimethylstyrene, ethylstyrene, isopropylstyrene, chlorostyrene, α-substituted styrene, for example (co) polymers of each monomer of carbon ring-containing vinyl such as α-methylstyrene, α-ethylstyrene, divinylbenzene, vinylcyclohexane and the like.

【0022】上記では、非極性α−オレフィンの単量体
同志、共役ジエンの単量体同志、炭素環含有ビニルの単
量体同志の重合体を主に例示したが、例えば非極性α−
オレフィンの単量体と共役ジエンの単量体、非極性α−
オレフィンの単量体と炭素環含有ビニルの単量体のよう
に、異なる化合物種の単量体から得られた共重合体であ
ってもよい。
In the above description, polymers of non-polar α-olefin monomers, conjugated diene monomers, and carbon ring-containing vinyl monomers are mainly exemplified.
Olefin monomer and conjugated diene monomer, non-polar α-
Copolymers obtained from monomers of different compound types, such as an olefin monomer and a carbon ring-containing vinyl monomer, may be used.

【0023】このように、これらの重合体、すなわち樹
脂の1種または2種以上により樹脂組成物が構成される
が、これらの樹脂分子間の一部またはすべてが相互に化
学的結合をしていなければならない。したがって、一部
は混合状態であってもよい。このように少なくとも一部
に化学的結合を有することによって耐熱性低誘電性高分
子材料として用いるときの強度、金属との密着性、耐熱
性が十分になる。これに対し、単なる混合で、化学的結
合を有しないときは、耐熱性、機械的物性の観点から不
十分である。
As described above, a resin composition is composed of one or more of these polymers, that is, resins, and some or all of these resin molecules are chemically bonded to each other. There must be. Therefore, some may be in a mixed state. By having a chemical bond at least in part as described above, the strength, adhesion to metal, and heat resistance when used as a heat-resistant low-dielectric polymer material are sufficient. On the other hand, when it is a mere mixture and has no chemical bond, it is insufficient from the viewpoint of heat resistance and mechanical properties.

【0024】本発明における化学的結合の形態は特に限
定はないが、架橋構造、ブロック構造、グラフト構造な
どが挙げられる。このような化学的結合を生じさせるに
は公知の方法によればよく、グラフト構造、ブロック構
造の好ましい態様については後述する。架橋構造を生じ
させる具体的方法としては、熱による架橋が好ましく、
このときの温度は50〜300℃程度が好ましい。この
ほか電子線照射による架橋等も挙げられる。
The form of the chemical bond in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a crosslinked structure, a block structure, and a graft structure. A known method may be used to generate such a chemical bond. Preferred embodiments of the graft structure and the block structure will be described later. As a specific method for generating a crosslinked structure, thermal crosslinking is preferable,
The temperature at this time is preferably about 50 to 300 ° C. Other examples include cross-linking by electron beam irradiation.

【0025】本発明による化学的結合の有無は架橋度、
グラフト構造においてはグラフト効率等を求めることに
よって確認することができる。また、透過型電子顕微鏡
(TEM)写真や走査型電子顕微鏡(SEM)写真によ
っても確認することができる。通常、一方の重合体セグ
メント中に他方の重合体セグメントがほぼ10μm 以
下、より具体的には、0.01〜10μm の微細粒子と
して分散している。これに対し、単なる混合物(ブレン
ドポリマー)では、グラフト共重合体のような両ポリマ
ー同志の相溶性はみられず、分散粒子の粒径は大きいも
のとなる。
The presence or absence of a chemical bond according to the present invention depends on the degree of crosslinking,
In the case of the graft structure, it can be confirmed by obtaining the graft efficiency and the like. It can also be confirmed by a transmission electron microscope (TEM) photograph or a scanning electron microscope (SEM) photograph. Usually, one polymer segment has the other polymer segment dispersed as fine particles of about 10 μm or less, more specifically 0.01 to 10 μm. On the other hand, in a mere mixture (blend polymer), compatibility between the two polymers such as a graft copolymer is not observed, and the particle size of the dispersed particles becomes large.

【0026】本発明における樹脂組成物としては、ま
ず、非極性α−オレフィン系重合体セグメントとビニル
芳香族系共重合体セグメントとが化学的に結合した共重
合体であって、一方のセグメントにより形成された分散
相が他方のセグメントより形成された連続相中に微細に
分散している多相構造を示す熱可塑性樹脂が好ましいも
のとして挙げられる。
The resin composition of the present invention is a copolymer in which a non-polar α-olefin polymer segment and a vinyl aromatic copolymer segment are chemically bonded. A preferred example is a thermoplastic resin having a multiphase structure in which the formed dispersed phase is finely dispersed in the continuous phase formed from the other segment.

【0027】上記のような特定の多相構造を示す熱可塑
性樹脂中のセグメントの一つである非極性α−オレフィ
ン系重合体とは、高圧ラジカル重合、中低圧イオン重合
等で得られる非極性α−オレフィン単量体の単独重合体
または2種類以上の非極性α−オレフィン単量体の共重
合体でなければならない。極性ビニル単量体との共重合
体は誘電正接が高くなるため不適である。上記重合体の
非極性α−オレフィン単量体としてはエチレン、プロピ
レン、ブテン−1、ヘキセン−1、オクテン−1、4−
メチルペンテン−1類が挙げられ、なかでもエチレン、
プロピレン、ブテン−1、4−メチルペンテン−1が、
得られる非極性α−オレフィン系重合体の比誘電率が低
いため好ましい。
The non-polar α-olefin-based polymer which is one of the segments in the thermoplastic resin having the specific multiphase structure as described above is a non-polar α-olefin polymer obtained by high-pressure radical polymerization, medium-low pressure ionic polymerization or the like. It must be a homopolymer of an α-olefin monomer or a copolymer of two or more non-polar α-olefin monomers. Copolymers with polar vinyl monomers are unsuitable because of their high dielectric loss tangent. As the non-polar α-olefin monomer of the polymer, ethylene, propylene, butene-1, hexene-1, octene-1, 4-
Methylpentene-1s, among which ethylene,
Propylene, butene-1, 4-methylpentene-1
The non-polar α-olefin polymer obtained is preferable because of its low dielectric constant.

【0028】上記非極性α−オレフィン(共)重合体の
具体例としては、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエ
チレン、超超低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレ
ン、低分子量ポリエチレン、超高分子量ポリエチレン、
エチレン−プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリ
ブテン、ポリ4−メチルペンテン等が挙げられる。ま
た、これらの非極性α−オレフィン(共)重合体は、単
独で使用することも、2種以上併用することもできる。
Specific examples of the nonpolar α-olefin (co) polymer include low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, high-density polyethylene, low-molecular-weight polyethylene, ultra-high-molecular-weight polyethylene,
Ethylene-propylene copolymer, polypropylene, polybutene, poly-4-methylpentene and the like can be mentioned. These non-polar α-olefin (co) polymers can be used alone or in combination of two or more.

【0029】このような非極性α−オレフィン(共)重
合体の好ましい分子量は重量平均絶対分子量で1000
以上である。この上限には特に制限はないが、1000
万程度である。
The preferred molecular weight of such a nonpolar α-olefin (co) polymer is 1000 in terms of weight average absolute molecular weight.
That is all. There is no particular upper limit, but 1000
It is about ten thousand.

【0030】一方、特定の多相構造を示す熱可塑性樹脂
中のセグメントの一つであるであるビニル芳香族系重合
体とは、非極性のものであり、具体的には、スチレン、
核置換スチレン、例えばメチルスチレン、ジメチルスチ
レン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、クロル
スチレン、α−置換スチレン、例えばα−メチルスチレ
ン、α−エチルスチレン、o−,m−,p−ジビニルベ
ンゼン(好ましくはm−,p−ジビニルベンゼン、特に
好ましくはp−ジビニルベンゼン)等の各単量体の
(共)重合体である。このように非極性のものとするの
は、極性官能基を持った単量体を共重合で導入すると、
誘電正接が高くなるため不適であるからである。ビニル
芳香族系重合体は単独で使用することも、2種以上併用
することもできる。
On the other hand, the vinyl aromatic polymer which is one of the segments in the thermoplastic resin having a specific multiphase structure is a non-polar polymer, and specifically, styrene,
Nuclear-substituted styrene such as methylstyrene, dimethylstyrene, ethylstyrene, isopropylstyrene, chlorostyrene, α-substituted styrene such as α-methylstyrene, α-ethylstyrene, o-, m-, p-divinylbenzene (preferably m-styrene) -, P-divinylbenzene, particularly preferably p-divinylbenzene). Such non-polarity is achieved by introducing a monomer having a polar functional group by copolymerization.
This is because the dielectric loss tangent becomes high and is not suitable. The vinyl aromatic polymers can be used alone or in combination of two or more.

【0031】なかでもビニル芳香族系共重合体は、ジビ
ニルベンゼンの単量体を含むビニル芳香族共重合体が耐
熱性を向上させる上で好ましい。ジビニルベンゼンを含
むビニル芳香族共重合体とは、具体的には、スチレン、
核置換スチレン、例えばメチルスチレン、ジメチルスチ
レン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、クロル
スチレン、α−置換スチレン、例えばα−メチルスチレ
ン、α−エチルスチレン等の各単量体とジビニルベンゼ
ンの単量体の共重合体である。
Among the vinyl aromatic copolymers, a vinyl aromatic copolymer containing a divinylbenzene monomer is preferred in terms of improving heat resistance. The vinyl aromatic copolymer containing divinylbenzene is, specifically, styrene,
Copolymers of each monomer such as a nuclear-substituted styrene such as methylstyrene, dimethylstyrene, ethylstyrene, isopropylstyrene, chlorostyrene and α-substituted styrene such as α-methylstyrene and α-ethylstyrene, and a monomer of divinylbenzene It is a polymer.

【0032】ジビニルベンゼンの単量体と、これ以外の
上記のようなビニル芳香族の単量体との割合は特に限定
はないが、半田耐熱性を満足するために、ジビニルベン
ゼンの単量体の割合が1重量%以上含まれていることが
好ましい。ジビニルベンゼンの単量体は100重量%で
もかまわないが、合成上の問題から上限は90重量%が
好ましい。
The ratio between the divinylbenzene monomer and the other vinyl aromatic monomer as described above is not particularly limited. However, in order to satisfy the solder heat resistance, the divinylbenzene monomer is used. Is preferably 1% by weight or more. The divinylbenzene monomer may be 100% by weight, but the upper limit is preferably 90% by weight in view of synthesis.

【0033】このような一方のセグメントであるビニル
芳香族系重合体の分子量は、重量平均絶対分子量で10
00以上であることが好ましい。この上限には特に制限
はないが、1000万程度である。
The molecular weight of the vinyl aromatic polymer as one of the segments is 10% by weight average absolute molecular weight.
It is preferably at least 00. The upper limit is not particularly limited, but is about 10 million.

【0034】本発明の特定の多相構造を示す熱可塑性樹
脂は、オレフィン系重合体セグメントが5〜95重量
%、好ましくは40〜90重量%、最も好ましくは50
〜80重量%からなるものである。したがって、ビニル
系重合体セグメントは95〜5重量%、好ましくは60
〜10重量%、最も好ましくは50〜20重量%であ
る。
The thermoplastic resin having a specific multiphase structure according to the present invention contains 5-95% by weight, preferably 40-90% by weight, and most preferably 50% by weight of the olefin-based polymer segment.
~ 80% by weight. Accordingly, the content of the vinyl polymer segment is 95 to 5% by weight, preferably 60 to 50% by weight.
10 to 10% by weight, most preferably 50 to 20% by weight.

【0035】オレフィン系重合体セグメントが少なくな
ると、成形物が脆くなるため好ましくない。また、オレ
フィン系重合体セグメントが多くなると、金属との密着
性が低く好ましくない。
If the number of the olefin polymer segments is small, the molded product becomes brittle, which is not preferable. Further, when the number of the olefin-based polymer segments increases, the adhesion to the metal is low, which is not preferable.

【0036】このような熱可塑性樹脂の重量平均絶対分
子量は1000以上である。この上限には特に制限はな
いが、成形性の点から1000万程度である。
The weight average absolute molecular weight of such a thermoplastic resin is 1,000 or more. The upper limit is not particularly limited, but is about 10,000,000 from the viewpoint of moldability.

【0037】オレフィン系重合体セグメントとビニル系
重合体セグメントとが化学的に結合した構造の共重合体
としては具体的にはブロック共重合体やグラフト共重合
体を例示することができる。なかでも製造の容易さから
グラフト共重合体が特に好ましい。なお、これらの共重
合体にはブロック共重合体、グラフト共重合体等の特徴
を逸脱しない範囲で、オレフィン系重合体やビニル系重
合体が含まれていてもかまわない。
Specific examples of the copolymer having a structure in which an olefin polymer segment and a vinyl polymer segment are chemically bonded include a block copolymer and a graft copolymer. Above all, a graft copolymer is particularly preferred because of ease of production. These copolymers may include an olefin-based polymer or a vinyl-based polymer without departing from the characteristics of the block copolymer, the graft copolymer, and the like.

【0038】本発明の特定の多相構造を示す熱可塑性樹
脂を製造する方法は、グラフト化法として一般によく知
られている連鎖移動法、電離性放射線照射法等いずれの
方法によってもよいが、最も好ましいのは、下記に示す
方法によるものである。なぜならグラフト効率が高く熱
による二次的凝集が起こらないため、性能の発現がより
効果的であり、また製造方法が簡便であるためである。
The method for producing the thermoplastic resin having a specific multiphase structure of the present invention may be any of the generally known grafting methods such as chain transfer method and ionizing radiation irradiation method. Most preferred is the method described below. This is because the grafting efficiency is high and secondary aggregation due to heat does not occur, so that the expression of performance is more effective and the production method is simple.

【0039】以下、本発明の特定の多相構造を示す熱可
塑性樹脂であるグラフト共重合体の製造方法を具体的に
詳述する。すなわち、オレフィン系重合体100重量部
を水に懸濁させて、別にビニル芳香族系単量体5〜40
0重量部に、下記一般式(1)または(2)で表される
ラジカル重合性有機過酸化物の1種または2種以上の混
合物を上記ビニル単量体100重量部に対して0.1〜
10重量部と、10時間の半減期を得るための分解温度
が40〜90℃であるラジカル重合開始剤をビニル単量
体とラジカル重合性有機過酸化物との合計100重量部
に対して0.01〜5重量部とを溶解させた溶液を加
え、ラジカル重合開始剤の分解が実質的に起こらない条
件で加熱し、ビニル単量体、ラジカル重合性有機過酸化
物およびラジカル重合開始剤をオレフィン系重合体に含
浸させて、この水性懸濁液の温度を上昇させ、ビニル単
量体とラジカル重合性有機過酸化物とをオレフィン共重
合体中で共重合させて、グラフト化前駆体を得る。
Hereinafter, the method for producing a graft copolymer which is a thermoplastic resin having a specific multiphase structure of the present invention will be described in detail. That is, 100 parts by weight of an olefin-based polymer are suspended in water, and the vinyl aromatic-based monomer 5 to 40 is separately added.
One part or a mixture of two or more kinds of radically polymerizable organic peroxides represented by the following general formula (1) or (2) is added to 0.1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the vinyl monomer. ~
10 parts by weight and a radical polymerization initiator having a decomposition temperature of 40 to 90 ° C. for obtaining a half-life of 10 hours are added in an amount of 0 to a total of 100 parts by weight of the vinyl monomer and the radically polymerizable organic peroxide. And a solution prepared by dissolving the vinyl monomer, the radically polymerizable organic peroxide and the radical polymerization initiator under conditions that do not substantially decompose the radical polymerization initiator. The olefin polymer is impregnated, the temperature of the aqueous suspension is increased, and the vinyl monomer and the radical polymerizable organic peroxide are copolymerized in the olefin copolymer to form the graft precursor. obtain.

【0040】ついで、グラフト化前駆体を100〜30
0℃の溶融下、混練することにより、本発明のグラフト
共重合体を得ることができる。このとき、グラフト化前
駆体に、別にオレフィン系重合体またはビニル系重合体
を混合し、溶融下に混練してもグラフト共重合体を得る
ことができる。最も好ましいのはグラフト化前駆体を混
練して得られたグラフト共重合体である。
Next, the grafting precursor was added in an amount of 100 to 30.
The graft copolymer of the present invention can be obtained by kneading while melting at 0 ° C. At this time, the graft copolymer can be obtained by separately mixing an olefin polymer or a vinyl polymer with the grafting precursor and kneading the mixture under melting. Most preferred is a graft copolymer obtained by kneading a grafting precursor.

【0041】[0041]

【化5】 Embedded image

【0042】一般式(1)中、R1は水素原子または炭
素数1〜2のアルキル基を示し、R2は水素原子または
メチル基を示し、R3およびR4はそれぞれ炭素数1〜4
のアルキル基を示し、R5は炭素数1〜12のアルキル
基、フェニル基、アルキル置換フェニル基または炭素数
3〜12のシクロアルキル基を示す。m1は1または2
である。
In the general formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 3 and R 4 each represent 1 to 4 carbon atoms.
R 5 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a phenyl group, an alkyl-substituted phenyl group, or a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms. m 1 is 1 or 2
It is.

【0043】[0043]

【化6】 Embedded image

【0044】一般式(2)中、R6は水素原子または炭
素数1〜4のアルキル基を示し、R7は水素原子または
メチル基を示し、R8およびR9はそれぞれ炭素数1〜4
のアルキル基を示し、R10は炭素数1〜12のアルキル
基、フェニル基、アルキル置換フェニル基または炭素数
3〜12のシクロアルキル基を示す。m2は0、1また
は2である。
In the general formula (2), R 6 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 7 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 8 and R 9 each represent 1 to 4 carbon atoms.
R 10 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a phenyl group, an alkyl-substituted phenyl group, or a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms. m 2 is 0, 1 or 2.

【0045】一般式(1)で表されるラジカル重合性有
機過酸化物として、具体的には、t−ブチルペルオキシ
アクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;t−アミルペル
オキシアクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;t−ヘキ
シルペルオキシアクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;
1,1,3,3−テトラメチルブチルペルオキシアクリ
ロイロキシエチルカ−ボネ−ト;クミルペルオキシアク
リロイロキシエチルカ−ボネ−ト;p−イソプロピルク
ミルペルオキシアクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;
t−ブチルペルオキシメタクリロイロキシエチルカ−ボ
ネ−ト;t−アミルペルオキシメタクリロイロキシエチ
ルカ−ボネ−ト;t−ヘキシルペルオキシメタクリロイ
ロキシエチルカ−ボネ−ト;1,1,3,3−テトラメ
チルブチルペルオキシメタクリロイロキシエチルカ−ボ
ネ−ト;クミルペルオキシメタクリロイロキシエチルカ
−ボネ−ト;p−イソプロピルクミルペルオキシメタク
リロイロキシエチルカ−ボネ−ト;t−ブチルペルオキ
シメタクリロイロキシエチルカ−ボネ−ボネ−ト;t−
アミルペルオキシアクリロイロキシエトキシエチルカ−
ボネ−ト;t−ヘキシルペルオキシアクリロイロキシエ
トキシエチルカ−ボネ−ト;1,1,3,3−テトラメ
チルブチルペルオキシアクリロイロキシエトキシエチル
カ−ボネ−ト;クミルペルオキシアクリロイロキシエト
キシエチルカ−ボネ−ト;p−イソプロピルクミルペル
オキシアクリロイロキシエトキシエチルカ−ボネ−ト;
t−ブチルペルオキシメタクリロイロキシエトキシエチ
ルカ−ボネ−ト;t−アミルペルオキシメタクリロイロ
キシエトキシエチルカ−ボネ−ト;t−ヘキシルペルオ
キシメタクリロイロキシエトキシエチルカ−ボネ−ト;
1,1,3,3−テトラメチルブチルペルオキシメタク
リロイロキシエトキシエチルカ−ボネ−ト;クミルペル
オキシメタクリロイロキシエトキシエチルカ−ボネ−
ト;p−イソプロピルクミルペルオキシメタクリロイロ
キシエトキシエチルカ−ボネ−ト;t−ブチルペルオキ
シアクリロイロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;t−ア
ミルペルオキシアクリロイロキシイソプロピルカ−ボネ
−ト;t−ヘキシルペルオキシアクリロイロキシイソプ
ロピルカ−ボネ−ト;1,1,3,3−テトラメチルブ
チルペルオキシアクリロイロキシイソプロピルカ−ボネ
−ト;クミルペルオキシアクリロイロキシイソプロピル
カ−ボネ−ト;p−イソプロピルクミルペルオキシアク
リロイロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;t−ブチルペ
ルオキシメタクリロイロキシイソプロピルカ−ボネ−
ト;t−アミルペルオキシメタクリロイロキシイソプロ
ピルカ−ボネ−ト;t−ヘキシルペルオキシメタクリロ
イロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;1,1,3,3−
テトラメチルブチルペルオキシメタクリロイロキシイソ
プロピルカ−ボネ−ト;クミルペルオキシメタクリロイ
ロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;p−イソプロピルク
ミルペルオキシメタクリロイロキシイソプロピルカ−ボ
ネ−ト等を例示することができる。
Examples of the radical polymerizable organic peroxide represented by the general formula (1) include t-butylperoxyacryloyloxyethyl carbonate; t-amylperoxyacryloyloxyethyl carbonate T-hexylperoxyacryloyloxyethyl carbonate;
1,1,3,3-tetramethylbutyl peroxyacryloyloxyethyl carbonate; cumyl peroxyacryloyloxyethyl carbonate; p-isopropylcumylperoxyacryloyloxyethyl carbonate ;
t-butylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate; t-amylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate; t-hexylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate; 1,1,3,3-carbonate Tetramethylbutyl peroxymethacryloyloxyethyl carbonate; cumyl peroxymethacryloyloxyethyl carbonate; p-isopropylcumylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate; t-butylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate Ethyl carbonate-bonate; t-
Amyl peroxyacryloyloxyethoxyethyl car
Carbonate; t-hexylperoxyacryloyloxyethoxyethyl carbonate; 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyacryloyloxyethoxyethyl carbonate; cumylperoxyacryloyloxyethoxyethyl Carbonate; p-isopropylcumylperoxyacryloyloxyethoxyethyl carbonate;
t-butyl peroxymethacryloyloxyethoxyethyl carbonate; t-amylperoxymethacryloyloxyethoxyethyl carbonate; t-hexylperoxymethacryloyloxyethoxyethyl carbonate;
1,1,3,3-tetramethylbutyl peroxymethacryloyloxyethoxyethyl carbonate; cumyl peroxymethacryloyloxyethoxyethyl carbonate
P-isopropylcumylperoxymethacryloyloxyethoxyethyl carbonate; t-butylperoxyacryloyloxyisopropylcarbonate; t-amylperoxyacryloyloxyisopropylcarbonate; t-hexyl Peroxyacryloyloxyisopropyl carbonate; 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyacryloyloxyisopropyl carbonate; cumylperoxyacryloyloxyisopropyl carbonate; p-isopropyl alcohol Milperoxyacryloyloxyisopropyl carbonate; t-butylperoxymethacryloyloxyisopropyl carbonate
T; t-amyl peroxymethacryloyloxyisopropyl carbonate; t-hexylperoxymethacryloyloxyisopropyl carbonate; 1,1,3,3-
Examples thereof include tetramethylbutyl peroxymethacryloyloxyisopropyl carbonate; cumyl peroxymethacryloyloxyisopropyl carbonate; p-isopropylcumylperoxymethacryloyloxyisopropyl carbonate.

【0046】さらに、一般式(2)で表される化合物と
しては、t−ブチルペルオキシアリルカ−ボネ−ト;t
−アミルペルオキシアリルカ−ボネ−ト;t−ヘキシル
ペルオキシアリルカ−ボネ−ト;1,1,3,3−テト
ラメチルブチルペルオキシアリルカ−ボネ−ト;p−メ
ンタンペルオキシアリルカ−ボネ−ト;クミルペルオキ
シアリルカ−ボネ−ト;t−ブチルペルオキシメタリル
カ−ボネ−ト;t−アミルペルオキシメタリルカ−ボネ
−ト;t−ヘキシルペルオキシメタリルカ−ボネ−ト;
1,1,3,3−テトラメチルブチルペルオキシメタリ
ルカ−ボネ−ト;p−メンタンペルオキシメタリルカ−
ボネ−ト;クミルペルオキシメタリルカ−ボネ−ト;t
−ブチルペルオキシアリロキシエチルカ−ボネ−ト;t
−アミルペルオキシアリロキシエチルカ−ボネ−ト;t
−ヘキシルペルオキシアリロキシエチルカ−ボネ−ト;
t−ブチルペルオキシメタリロキシエチルカ−ボネ−
ト;t−アミルペルキシメタリロキシエチルカ−ボネ−
ト;t−ヘキシルペルオキシメタリロキシエチルカ−ボ
ネ−ト;t−ブチルペルオキシアリロキシイソプロピル
カ−ボネ−ト;t−アミルペルオキシアリロキシイソプ
ロピルカ−ボネ−ト;t−ヘキシルペルオキシアリロキ
シイソプロピルカ−ボネ−ト;t−ブチルペルオキシメ
タリロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;t−アミルペル
オキシメタリロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;t−ヘ
キシルペルオキシメタリロキシイソプロピルカ−ボネ−
ト等を例示することができる。
Further, as the compound represented by the general formula (2), t-butylperoxyallylcarbonate;
Amyl peroxy allyl carbonate; t-hexyl peroxy allyl carbonate; 1,1,3,3-tetramethylbutyl peroxy allyl carbonate; p-menthane peroxy allyl carbonate Cumyl peroxy allyl carbonate; t-butyl peroxy methallyl carbonate; t-amyl peroxy methallyl carbonate; t-hexyl peroxy methallyl carbonate;
1,1,3,3-tetramethylbutyl peroxymethallyl carbonate; p-menthaneperoxymethallyl carbonate
Carbonate; cumyl peroxymethallyl carbonate; t
-Butyl peroxyallyloxyethyl carbonate; t
-Amyl peroxy allyloxyethyl carbonate; t
Hexyl peroxyallyloxyethyl carbonate;
t-butylperoxymetalaryloxyethylcarbonate
G; t-amyl peroxymetalaryloxyethyl carbonate
T-hexyl peroxymetalloxyethyl carbonate; t-butylperoxyallyloxyisopropyl carbonate; t-amylperoxyallyloxyisopropyl carbonate; t-hexylperoxyaryloxyisopropyl carbonate Bonnet; t-butyl peroxy metalaryloxy isopropyl carbonate; t-amyl peroxy metalaryloxy isopropyl carbonate; t-hexyl peroxy metalaryloxy isopropyl carbonate
And the like.

【0047】中でも好ましくは、t−ブチルペルオキシ
アクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;t−ブチルペル
オキシメタクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;t−ブ
チルペルオキシアリルカ−ボネ−ト;t−ブチルペルオ
キシメタリルカ−ボネ−トである。
Among them, t-butylperoxyacryloyloxyethyl carbonate; t-butylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate; t-butylperoxyallylcarbonate; t-butylperoxy Methallyl carbonate.

【0048】このようにして得られるグラフト共重合体
のグラフト効率は20〜100重量%である。グラフト
効率はグラフト化していない重合体の溶媒抽出を行い、
その割合から求めることができる。
The graft efficiency of the thus obtained graft copolymer is 20 to 100% by weight. Grafting efficiency is performed by solvent extraction of ungrafted polymer,
It can be obtained from the ratio.

【0049】本発明の特定の多相構造を示す熱可塑性樹
脂としては、上記の非極性α−オレフィン系重合体セグ
メントとビニル芳香族系重合体セグメントとのグラフト
共重合体が好ましいが、このようなグラフト共重合体に
おいて、非極性α−オレフィン系重合体セグメントのか
わりに、あるいはこれに加えて非極性共役ジエン系重合
体セグメントを用いたものであってもよい。非極性共役
ジエン系重合体としては、前述のものを用いることがで
き、単独で使用しても2種以上を併用してもよい。
The thermoplastic resin having a specific multiphase structure of the present invention is preferably a graft copolymer of the above nonpolar α-olefin polymer segment and a vinyl aromatic polymer segment. In such a graft copolymer, a non-polar conjugated diene-based polymer segment may be used instead of or in addition to the non-polar α-olefin-based polymer segment. As the nonpolar conjugated diene-based polymer, those described above can be used, and they may be used alone or in combination of two or more.

【0050】なお、以上のグラフト共重合体における非
極性α−オレフィン系重合体には共役ジエン単量体が含
まれていてもよく、非極性共役ジエン系重合体にはα−
オレフィンの単量体が含まれていてもよい。
The non-polar α-olefin-based polymer in the above graft copolymer may contain a conjugated diene monomer, and the non-polar conjugated diene-based polymer may include α-olefin.
An olefin monomer may be contained.

【0051】また、本発明では、得られたグラフト共重
合体にさらにジビニルベンゼン等を用いて架橋すること
もできる。特に、ジビニルベンゼンの単量体を含まない
グラフト共重合体において、耐熱性向上の観点から好ま
しい。
In the present invention, the obtained graft copolymer can be further crosslinked using divinylbenzene or the like. Particularly, a graft copolymer containing no divinylbenzene monomer is preferable from the viewpoint of improving heat resistance.

【0052】一方、本発明の特定の多相構造を示す熱可
塑性樹脂としては、ブロック共重合体であってもよく、
ブロック共重合体としては、少なくとも1つのビニル芳
香族単量体の重合体と、少なくとも1つの共役ジエンの
重合体とを含むブロック共重合体を挙げることができ、
直鎖型であっても、ラジアル型、すなわちハードセグメ
ントとソフトセグメントが放射線状に結合したものであ
ってもよい。また、共役ジエンを含む重合体が少量のビ
ニル芳香族の単量体とのランダム共重合体であってもよ
く、いわゆるテーパー型ブロック共重合体、すなわち1
つのブロック内でビニル芳香族の単量体が漸増するもの
であってもよい。
On the other hand, the thermoplastic resin having a specific multiphase structure of the present invention may be a block copolymer,
Examples of the block copolymer include a block copolymer containing at least one polymer of a vinyl aromatic monomer and at least one polymer of a conjugated diene.
It may be a linear type or a radial type, that is, a type in which a hard segment and a soft segment are radially bonded. Further, the polymer containing a conjugated diene may be a random copolymer with a small amount of a vinyl aromatic monomer, and a so-called tapered block copolymer, that is, 1
The vinyl aromatic monomer may be gradually increased in one block.

【0053】ブロック共重合体の構造については特に制
限はなく、(A−B)n 型、(A−B)n −A型または
(A、B)n −C型のいずれであってもよい。式中、A
はビニル芳香族の単量体の重合体、Bは共役ジエンの重
合体、Cはカップリング剤残基、nは1以上の整数を示
す。なお、このブロック共重合体において、共役ジエン
部分が水素添加されたブロック共重合体を使用すること
も可能である。
The structure of the block copolymer is not particularly limited, and may be any of (AB) n type, (AB) n -A type or (A, B) n -C type. . Where A
Represents a polymer of a vinyl aromatic monomer, B represents a polymer of a conjugated diene, C represents a residue of a coupling agent, and n represents an integer of 1 or more. In addition, in this block copolymer, it is also possible to use a block copolymer in which a conjugated diene portion is hydrogenated.

【0054】このようなブロック共重合体において、上
記の非極性共役ジエン系共重体のかわりに、あるいはこ
れに加えて、前述の非極性α−オレフィン系重合体を用
いてもよく、非極性共役ジエン系重合体はα−オレフィ
ン単量体を含んでいるものであってもよく、非極性α−
オレフィン系重合体は、共役ジエンの単量体を含んでい
るものであってもよい。ブロック共重合体における各セ
グメントの量比や好ましい態様についてはグラフト共重
合体に準じる。
In such a block copolymer, the above-mentioned non-polar α-olefin-based polymer may be used in place of or in addition to the above-mentioned non-polar conjugated diene-based copolymer. The diene-based polymer may contain an α-olefin monomer, and may be a non-polar α-olefin monomer.
The olefin-based polymer may contain a conjugated diene monomer. The ratio of each segment in the block copolymer and the preferred embodiment are the same as those of the graft copolymer.

【0055】本発明の樹脂組成物、好ましくは特定の多
相構造を示す熱可塑性樹脂(特に好ましくはグラフト共
重合体)には、耐熱性を向上させるために、4−メチル
ペンテン−1の単量体を含む非極性α−オレフィン系重
合体を加えることが好ましい。なお、本発明では、4−
メチルペンテン−1の単量体を含む非極性α−オレフィ
ン系重合体が化学的結合をすることなく樹脂組成物に含
有されている場合もありうるが、このような場合には必
ずしもその添加は必要とはされない。ただし、所定の特
性を得るためにさらに添加してもよい。
The resin composition of the present invention, preferably a thermoplastic resin having a specific multiphase structure (particularly preferably a graft copolymer), is added with 4-methylpentene-1 to improve heat resistance. It is preferable to add a nonpolar α-olefin-based polymer containing a monomer. In the present invention, 4-
The non-polar α-olefin-based polymer containing the monomer of methylpentene-1 may be contained in the resin composition without forming a chemical bond, but in such a case, the addition is not necessarily required. Not required. However, it may be further added to obtain predetermined characteristics.

【0056】このような4−メチルペンテン−1の単量
体を含む非極性α−オレフィン系共重合体における4−
メチルペンテン−1の単量体の割合は50重量%以上で
あることが好ましい。なお、このような非極性α−オレ
フィン系共重合体は、共役ジエンの単量体を含むもので
あってもよい。
In such a nonpolar α-olefin-based copolymer containing a monomer of 4-methylpentene-1, 4-
The proportion of the monomer of methylpentene-1 is preferably at least 50% by weight. In addition, such a nonpolar α-olefin-based copolymer may include a conjugated diene monomer.

【0057】特に、4−メチルペンテン−1の単量体を
含む非極性α−オレフィン系共重合体としては、4−メ
チルペンテン−1の単量体の単独重合体であるポリ4−
メチルペンテン−1であることが好ましい。
In particular, as the non-polar α-olefin copolymer containing a 4-methylpentene-1 monomer, poly-4- (4-methylpentene-1) monomer homopolymer is used.
Methylpentene-1 is preferred.

【0058】ポリ4−メチルペンテン−1は、結晶性の
ポリ4−メチルペンテン−1であって、プロピレンの2
量体である4−メチルペンテン−1をチーグラー・ナッ
タ系触媒等を用いて重合されるアイソタクチック・ポリ
4−メチルペンテン−1が好ましい。
Poly 4-methyl pentene-1 is crystalline poly 4-methyl pentene-1,
Isotactic poly-4-methylpentene-1 obtained by polymerizing 4-methylpentene-1 as a monomer using a Ziegler-Natta catalyst or the like is preferred.

【0059】ポリ4−メチルペンテン−1と特定の多相
構造を示す熱可塑性樹脂の割合は、特に限定はないが、
耐熱性および金属との接着性を満足するために、ポリ4
−メチルペンテン−1の割合が10〜90重量%である
ことが好ましい。ポリ4−メチルペンテン−1の割合が
少ないと半田耐熱性が不足する傾向がある。またポリ4
−メチルペンテン−1の割合が多くなると金属との密着
性が不足する傾向がある。ポリ4−メチルペンテン−1
にかえて、共重合体を使用するときの添加量は、これに
準じるものとすればよい。
The ratio of poly-4-methylpentene-1 to a thermoplastic resin having a specific multiphase structure is not particularly limited.
In order to satisfy heat resistance and adhesion to metal, poly 4
The proportion of -methylpentene-1 is preferably from 10 to 90% by weight. When the proportion of poly-4-methylpentene-1 is small, the solder heat resistance tends to be insufficient. Also poly 4
When the ratio of -methylpentene-1 increases, the adhesion to metal tends to be insufficient. Poly 4-methylpentene-1
Instead, the amount of addition when the copolymer is used may be in accordance with this.

【0060】本発明の樹脂組成物(4−メチルペンテン
−1の単量体を含む非極性α−オレフィン系重合体を加
えたものを含む)の軟化点は200〜260℃であり、
適宜選択して用いることにより、十分な半田耐熱性を得
ることができる。
The softening point of the resin composition of the present invention (including those to which a non-polar α-olefin polymer containing a monomer of 4-methylpentene-1 is added) is 200 to 260 ° C.
Sufficient solder heat resistance can be obtained by appropriately selecting and using.

【0061】本発明の耐熱性低誘電性高分子材料の電気
的性能は、好ましくは周波数帯域が500MHz〜3GH
z、特に800MHz 〜2GHz のマイクロ波、ミリ波帯
域において、比誘電率(εr )が5以上、特に10〜2
0を示し、かつ誘電損失正接(tanδ)が、0.01
以下、通常0.005〜0.001である。
The electric performance of the heat-resistant low-dielectric polymer material of the present invention is preferably in a frequency band of 500 MHz to 3 GHz.
z, especially in the microwave and millimeter wave bands of 800 MHz to 2 GHz, the relative dielectric constant (εr) is 5 or more, especially 10 to 2
0, and the dielectric loss tangent (tan δ) is 0.01
Hereinafter, it is usually 0.005 to 0.001.

【0062】なお、本発明の高分子材料の絶縁抵抗率は
常態における体積抵抗率で2〜5×1014Ωcm以上であ
る。また、絶縁破壊強度も強く、15KV/mm 以上、特に
18〜30KV/mm とすぐれた特性を示す。さらには耐熱
性にも優れる。
Incidentally, the insulation resistivity of the polymer material of the present invention is 2 to 5 × 10 14 Ωcm or more in normal volume resistivity. Further, it has a high dielectric breakdown strength and exhibits excellent characteristics of 15 KV / mm or more, particularly 18 to 30 KV / mm. Furthermore, it has excellent heat resistance.

【0063】これらの高分子材料は1種だけ用いてもよ
く、2種以上併用してもよい。また、これらの高分子材
料は、造粒物として用いられる。
One of these polymer materials may be used alone, or two or more thereof may be used in combination. These polymer materials are used as granules.

【0064】本発明で用いるセラミックス誘電体材料は
特に限定されないが、比誘電率(εr)が好ましくは1
0以上、より好ましくは30以上、さらに好ましくは8
5〜100、誘電正接(tanδ)が好ましくは0.00
2以下、Qが好ましくは2500〜20000/1GHz
であるものが望ましい。
The ceramic dielectric material used in the present invention is not particularly limited, but preferably has a relative dielectric constant (εr) of 1
0 or more, more preferably 30 or more, still more preferably 8
5 to 100, preferably a dielectric loss tangent (tan δ) of 0.00
2 or less, Q is preferably 2500 to 20000/1 GHz
Is desirable.

【0065】本発明において好ましく用いられるセラミ
ックス誘電体材料としては、例えば、チタン−バリウム
−ネオジウム系複合酸化物、鉛−カルシウム系複合酸化
物、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系
セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ス
トロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セ
ラミックス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン
酸マグネシウム系セラミックス、ジルコン酸鉛系セラミ
ックスなどが挙げられる。さらに、CaWO4系セラミ
ックス、Ba(Mg,Nb)O3系セラミックス、Ba
(Mg,Ta)O3系セラミックス、Ba(Co,M
g,Nb)O3系セラミックス、Ba(Co,Mg,T
a)O3系セラミックスなども挙げられる。これらは、
単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよ
い。
The ceramic dielectric material preferably used in the present invention includes, for example, titanium-barium-neodymium composite oxide, lead-calcium composite oxide, titanium dioxide ceramic, barium titanate ceramic, lead titanate. Ceramics, strontium titanate ceramics, calcium titanate ceramics, bismuth titanate ceramics, magnesium titanate ceramics, lead zirconate ceramics, and the like. Furthermore, CaWO 4 ceramics, Ba (Mg, Nb) O 3 ceramics, Ba
(Mg, Ta) O 3 ceramics, Ba (Co, M)
g, Nb) O 3 ceramics, Ba (Co, Mg, T)
a) O 3 -based ceramics; They are,
They may be used alone or as a mixture of two or more.

【0066】なお、前記二酸化チタン系セラミックスと
は、組成的には二酸化チタンのみを含む系、または二酸
化チタンに他の少量の添加物を含む系であって、主成分
である二酸化チタンの結晶構造が保持されているもので
ある。他の系のセラミックスもこれと同様である。二酸
化チタンはTiO2で示される物質で、種々の結晶構造
をとりうるものであるが、誘電体セラミックスとして使
用されるのは、その中のルチル構造のものである。
The above-mentioned titanium dioxide-based ceramics refers to a system containing only titanium dioxide or a system containing a small amount of other additives in titanium dioxide. Is held. The same applies to other ceramics. Titanium dioxide is a substance represented by TiO 2 and can have various crystal structures. Among them, the one used as a dielectric ceramic has a rutile structure.

【0067】セラミックス誘電体材料の粒子径は、1μ
m 径から200μm 径までの範囲に分布しているのが特
性上好ましく、その平均粒子径は90〜150μm であ
ることが好ましい。セラミックス誘電体材料の粒子径が
大きすぎると、高分子誘電体材料内への均一な分散・混
合が困難となる。一方、粒子径が小さすぎると、セラミ
ックス誘電体材料と高分子材料との混合ができなくなっ
たり、セラミックス誘電体材料の粒子が凝集して不均一
な混合体となるなど、取り扱いが困難となる。
The particle diameter of the ceramic dielectric material is 1 μm.
It is preferable in terms of characteristics that the particles are distributed in the range from m diameter to 200 μm diameter, and the average particle diameter is preferably 90 to 150 μm. If the particle diameter of the ceramic dielectric material is too large, it is difficult to uniformly disperse and mix it in the polymer dielectric material. On the other hand, if the particle size is too small, handling becomes difficult, for example, mixing of the ceramic dielectric material and the polymer material becomes impossible, or particles of the ceramic dielectric material aggregate to form a non-uniform mixture.

【0068】セラミックス誘電体材料としては、高周波
数帯域での高誘電率と低誘電正接を得る上で、特に、チ
タン−バリウム−ネオジウム系や、鉛−カルシウム系の
材料が好ましい。これらの好ましく用いられるセラミッ
クス誘電体材料の複合誘電体材料組成物中の含有量は5
0〜95wt% が好ましく、より好ましくは50〜90wt
% であり、特には60〜90wt% であることが好まし
い。このような含有量とすることで、高誘電率と低誘電
正接が得られやすくなる。これに対し、セラミックス誘
電体材料の含有量が少なくなると比誘電率が低くなり、
誘電正接が高くなりやすくなる。また、セラミックス誘
電体材料の含有量が多くなりすぎると、機械物性が低下
し、成形性が悪くなる。
As the ceramic dielectric material, in order to obtain a high dielectric constant and a low dielectric loss tangent in a high frequency band, a titanium-barium-neodymium-based material or a lead-calcium-based material is particularly preferable. The content of these preferably used ceramic dielectric materials in the composite dielectric material composition is 5%.
The content is preferably 0 to 95 wt%, more preferably 50 to 90 wt%.
%, And particularly preferably 60 to 90% by weight. With such a content, a high dielectric constant and a low dielectric loss tangent can be easily obtained. On the other hand, when the content of the ceramic dielectric material decreases, the relative dielectric constant decreases,
The dielectric loss tangent tends to increase. On the other hand, when the content of the ceramic dielectric material is too large, the mechanical properties are reduced, and the moldability is deteriorated.

【0069】このようなセラミックス誘電体材料は公知
の方法により焼成して得られたものであり、その焼成条
件にも特に制限はないが、焼成温度としては850〜1
400℃であることが好ましい。
Such a ceramic dielectric material is obtained by firing by a known method, and the firing conditions are not particularly limited.
Preferably it is 400 ° C.

【0070】本発明の複合誘電体材料組成物は、所定量
の耐熱性低誘電性高分子材料とセラミックス誘電体材料
とを溶融混練することによって得られる。具体的にはバ
ンバリーミキサー、加圧ニーダー、混練押出機、二軸押
出機、ロール等の通常用いられる混練機により溶融混練
することができる。
The composite dielectric material composition of the present invention can be obtained by melt-kneading a predetermined amount of a heat-resistant low-dielectric polymer material and a ceramic dielectric material. Specifically, melt kneading can be performed using a commonly used kneader such as a Banbury mixer, a pressure kneader, a kneading extruder, a twin-screw extruder, or a roll.

【0071】本発明の複合誘電体材料組成物から使用形
態の複合誘電体材料を得るには、熱プレス等により例え
ば薄膜(フィルム)等の所望形状に成形する方法等によ
り得ることができるほか、せん断力のある、例えばロ−
ルミキサ−、バンバリ−ミキサ−、ニ−ダ−、単軸ある
いは二軸の押出成型機等で、他の熱可塑性樹脂と溶融混
合し、所望形状に成形する方法等によっても得ることが
できる。
The composite dielectric material in the form of use can be obtained from the composite dielectric material composition of the present invention by a method such as molding into a desired shape such as a thin film (film) by hot pressing or the like. With a shearing force, for example,
It can also be obtained by a method of melt-mixing with another thermoplastic resin and molding into a desired shape with a lumixer, Banbury mixer, kneader, single-screw or twin-screw extruder or the like.

【0072】あるいは、本発明の高周波積層電子部品の
誘電体層は、以下に示す誘電性高分子材料を用いてもよ
いが、好ましくは上記グラフト重合体である。
Alternatively, the dielectric layer of the high-frequency laminated electronic component of the present invention may use the following dielectric polymer material, but is preferably the above graft polymer.

【0073】誘電性高分子材料は、好ましくは単量体と
してフマル酸ジエステルを含む単量体組成物を重合して
得られたものであり、フマル酸ジエステルから誘導され
る繰り返し単位を有するフマレート系重合体である。
The dielectric polymer material is preferably obtained by polymerizing a monomer composition containing a fumaric acid diester as a monomer, and is a fumarate-based material having a repeating unit derived from the fumaric acid diester. It is a polymer.

【0074】本発明におけるフマル酸ジエステル単量体
としては高分子材料としたとき、高分子材料に低誘電性
や耐熱性を付与するものであれば特に限定されるもので
はないが、式(I)[上記化3に掲載]で表される化合
物が好ましい。
The polymer of the fumaric acid diester in the present invention is not particularly limited as long as it imparts low dielectric property and heat resistance to the polymer material. ) A compound represented by the above formula 3 is preferred.

【0075】式(I)について記すと、式(I)中、R
1 はアルキル基またはシクロアルキル基を表し、R2
アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表
し、R1 およびR2 は同一でも異なるものであってもよ
い。
As for the formula (I), in the formula (I), R
1 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and R 1 and R 2 may be the same or different.

【0076】R1 、R2 で表されるアルキル基として
は、総炭素数2〜12のものが好ましく、直鎖状であっ
ても分岐を有するものであってもよく、さらには置換基
を有していてもよい。置換基を有する場合の置換基とし
ては、ハロゲン原子(F、Cl)、アルコキシ基(メト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、
アリール基(フェニル基等)などが挙げられる。
The alkyl group represented by R 1 and R 2 preferably has 2 to 12 carbon atoms, may be linear or branched, and further has a substituent. You may have. When the compound has a substituent, examples of the substituent include a halogen atom (F, Cl), an alkoxy group (such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group);
And an aryl group (eg, a phenyl group).

【0077】R1 、R2 で表されるアルキル基の具体例
としては、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチ
ル基、n−ペンチル基(n−アミル基)、sec−アミ
ル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペ
ンチル基、n−ヘキシル基、4−メチル−2−ペンチル
基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウ
ンデシル基、ドデシル基、トリフルオロエチル基、ヘキ
サフルオロイソプロピル基、パーフルオロイソプロピル
基、パーフルオロブチルエチル基、パーフルオロオクチ
ルエチル基、2−クロロエチル基、1−ブトキシ−2−
プロピル基、メトキシエチル基、ベンジル基などが挙げ
られる。
Specific examples of the alkyl group represented by R 1 and R 2 include an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group and an n-pentyl group. (N-amyl group), sec-amyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, n-hexyl group, 4-methyl-2-pentyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl Group, dodecyl group, trifluoroethyl group, hexafluoroisopropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutylethyl group, perfluorooctylethyl group, 2-chloroethyl group, 1-butoxy-2-
Examples include a propyl group, a methoxyethyl group, and a benzyl group.

【0078】R1 、R2 で表されるシクロアルキル基と
しては、総炭素数3〜14のものが好ましく、単環であ
っても橋かけ環を有するものであってもよく、さらには
置換基を有していてもよい。この場合の置換基としては
上記のアルキル基のところで例示したものと同様のもの
であってよく、このほかアルキル基(メチル基等の炭素
数1〜14の直鎖あるいは分岐のもの)などを挙げるこ
とができる。
The cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 is preferably a cycloalkyl group having a total of 3 to 14 carbon atoms, and may be a monocyclic or bridged ring. It may have a group. In this case, the substituent may be the same as those exemplified above for the alkyl group, and examples thereof include an alkyl group (a linear or branched one having 1 to 14 carbon atoms such as a methyl group). be able to.

【0079】R1 、R2 で表されるシクロアルキル基の
具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、アダマンチル基、ジメチルアダマンチル基などが挙
げられる。
Specific examples of the cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group and a dimethyladamantyl group.

【0080】R2 で表されるアリール基としては、総炭
素数6〜18のものが好ましく、単環が好ましいが多環
(縮合環ないし環集合)であってもよく、置換基を有し
ていてもよい。この場合の置換基は、アルキル基、シク
ロアルキル基のところで例示したものと同様のものが挙
げられる。
The aryl group represented by R 2 is preferably an aryl group having a total of 6 to 18 carbon atoms, and is preferably a monocyclic ring, but may be a polycyclic ring (condensed ring or ring assembly). May be. In this case, the substituents are the same as those exemplified for the alkyl group and the cycloalkyl group.

【0081】R2 で表されるアリール基の具体例として
は、フェニル基等が挙げられる。
Specific examples of the aryl group represented by R 2 include a phenyl group.

【0082】R1 、R2 としては、アルキル基、シクロ
アルキル基が好ましい。アルキル基としては、分岐を有
するアルキル基が好ましく、イソプロピル基、sec−
ブチル基、tert−ブチル基などが好ましい。また、
シクロアルキル基としてはシクロヘキシル基などが好ま
しい。
As R 1 and R 2 , an alkyl group and a cycloalkyl group are preferable. As the alkyl group, an alkyl group having a branch is preferable, and an isopropyl group, sec-
A butyl group and a tert-butyl group are preferred. Also,
As the cycloalkyl group, a cyclohexyl group or the like is preferable.

【0083】式(I)で表されるフマル酸ジエステル単
量体の好適例として、具体的にはジエチルフマレート、
ジ−n−プロピルフマレート、ジ−n−ヘキシルフマレ
ート、イソプロピル−n−ヘキシルフマレート、ジイソ
プロピルフマレート、ジ−n−ブチルフマレート、ジ−
sec−ブチルフマレート、ジ−tert−ブチルフマ
レート、ジ−sec−アミルフマレート、n−ブチル−
イソプロピルフマレート、イソプロピル−sec−ブチ
ルフマレート、tert−ブチル−4−メチル−2−ペ
ンチルフマレート、イソプロピル−tert−ブチルフ
マレート、イソプロピル−sec−アミルフマレート、
ジ−4−メチル−2−ペンチルフマレート、ジ−イソア
ミルフマレート、ジ−4−メチル−2−ヘキシルフマレ
ート、tert−ブチル−イソアミルフマレート等のジ
アルキルフマレート類;ジシクロペンチルフマレート、
ジシクロヘキシルフマレート、ジシクロヘプチルフマレ
ート、シクロペンチル−シクロヘキシルフマレート、ビ
ス(ジメチルアダマンチル)フマレート、ビス(アダマ
ンチル)フマレート等のジシクロアルキルフマレート
類;イソプロピル−シクロヘキシルフマレート、イソプ
ロピル−ジメチルアダマンチルフマレート、イソプロピ
ル−アダマンチルフマレート、tert−ブチル−シク
ロヘキシルフマレート等のアルキルシクロアルキルフマ
レート類;イソプロピル−フェニルフマレート等のアル
キルアリールフマレート類;tert−ブチルベンジル
フマレート、イソプロピル−ベンジルフマレート等のア
ルキルアラルキルフマレート類;ジトリフルオロエチル
フマレート、ジヘキサフルオロイソプロピルフマレー
ト、ジパーフルオロイソプロピルフマレート、ジビス
(パーフルオロブチルエチル)フマレート等のジ−フル
オロアルキルフマレート類; イソプロピル−パーフル
オロオクチルエチルフマレート、イソプロピル−ヘキサ
フルオロイソプロピルフマレート等のアルキルフルオロ
アルキルフマレート類;1−ブトキシ−2−プロピル−
tert−ブチルフマレート、メトキシエチル−イソプ
ロピルフマレート、2−クロロエチル−イソプロピルフ
マレート等のその他の置換アルキルアルキルフマレート
類などが挙げられる。
Preferable examples of the fumaric acid diester monomer represented by the formula (I) include diethyl fumarate,
Di-n-propyl fumarate, di-n-hexyl fumarate, isopropyl-n-hexyl fumarate, diisopropyl fumarate, di-n-butyl fumarate, di-
sec-butyl fumarate, di-tert-butyl fumarate, di-sec-amyl fumarate, n-butyl-
Isopropyl fumarate, isopropyl-sec-butyl fumarate, tert-butyl-4-methyl-2-pentyl fumarate, isopropyl-tert-butyl fumarate, isopropyl-sec-amyl fumarate,
Dialkyl fumarate such as di-4-methyl-2-pentyl fumarate, di-isoamyl fumarate, di-4-methyl-2-hexyl fumarate, tert-butyl-isoamyl fumarate; dicyclopentyl fumarate;
Dicycloalkyl fumarate such as dicyclohexyl fumarate, dicycloheptyl fumarate, cyclopentyl-cyclohexyl fumarate, bis (dimethyladamantyl) fumarate, bis (adamantyl) fumarate; isopropyl-cyclohexyl fumarate, isopropyl-dimethyl adamantyl fumarate; Alkylcycloalkyl fumarate such as isopropyl-adamantyl fumarate and tert-butyl-cyclohexyl fumarate; alkylaryl fumarate such as isopropyl-phenyl fumarate; alkyl such as tert-butylbenzyl fumarate and isopropyl-benzyl fumarate Aralkyl fumarate; ditrifluoroethyl fumarate, dihexafluoroisopropyl fumarate, diperfluoroi Di-fluoroalkyl fumarate such as propyl fumarate and dibis (perfluorobutylethyl) fumarate; alkyl fluoroalkyl fumarate such as isopropyl-perfluorooctylethyl fumarate and isopropyl-hexafluoroisopropyl fumarate; 1-butoxy -2-propyl-
Other substituted alkylalkyl fumarate such as tert-butyl fumarate, methoxyethyl-isopropyl fumarate, 2-chloroethyl-isopropyl fumarate and the like can be mentioned.

【0084】なかでも、ジイソプロピルフマレート、ジ
シクロヘキシルフマレート、ジ−sec−ブチルフマレ
ート、ジ−tert−ブチルフマレート、イソプロピル
−tert−ブチルフマレート、n−ブチル−イソプロ
ピルフマレート、n−ヘキシル−イソプロピルフマレー
トなどが特に好ましい。
Among them, diisopropyl fumarate, dicyclohexyl fumarate, di-sec-butyl fumarate, di-tert-butyl fumarate, isopropyl-tert-butyl fumarate, n-butyl-isopropyl fumarate, n-hexyl-fumarate Isopropyl fumarate and the like are particularly preferred.

【0085】これらのジエステル類は通常のエステル化
技術および異性化技術を組み合わせることにより、合成
することができる。
These diesters can be synthesized by combining ordinary esterification techniques and isomerization techniques.

【0086】誘電性高分子材料であるフマレート系重合
体を得るに際し、上記のフマル酸ジエステル(フマレー
ト系化合物)は1種のみを用いてもよく、2種以上を併
用してもよい。したがって本発明のフマレート系重合体
は上記のフマル酸ジエステルを1種のみ重合した単独重
合体であってもよく、2種以上を重合した共重合体であ
ってもよい。共重合体はランダム共重合体、交互共重合
体、ブロック共重合体等のいずれであってもよい。
In obtaining a fumarate-based polymer which is a dielectric polymer material, the fumaric acid diester (fumarate-based compound) may be used alone or in combination of two or more. Therefore, the fumarate-based polymer of the present invention may be a homopolymer obtained by polymerizing only one type of the above fumaric acid diester, or a copolymer obtained by polymerizing two or more types. The copolymer may be any of a random copolymer, an alternating copolymer, a block copolymer and the like.

【0087】本発明のフマレート系重合体は、このよう
に、フマル酸ジエステルのみを単量体成分に用いたもの
であってもよいが、フマル酸ジエステルのほかに他の単
量体を用いることができ、他の単量体成分との共重合体
とすることができる。このような他の単量体成分として
はビニル系単量体(モノマー)を用いればよく、コモノ
マーとされるビニル系単量体としては、成形加工性、フ
ィルム成膜性、機械的強度を付与することができ、前記
フマレート系化合物と共重合しうるものであれば特に限
定されるものではないが、好ましくは式(II)[前記化
4]で表される化合物を挙げることができる。
As described above, the fumarate-based polymer of the present invention may use only the fumaric acid diester as a monomer component. However, it is possible to use other monomers in addition to the fumaric acid diester. And a copolymer with another monomer component. As such another monomer component, a vinyl monomer (monomer) may be used, and the vinyl monomer which is a comonomer imparts moldability, film forming property, and mechanical strength. The compound is not particularly limited as long as it can be copolymerized with the fumarate-based compound, but preferably includes a compound represented by the formula (II) [Formula 4].

【0088】式(II)について説明すると、Xは水素原
子またはメチル基を表し、Yはフッ素原子、塩素原子、
アルキル基、アルケニル基、アリール基、エーテル基、
アシル基またはエステル基を表す。
Referring to the formula (II), X represents a hydrogen atom or a methyl group, Y represents a fluorine atom, a chlorine atom,
Alkyl group, alkenyl group, aryl group, ether group,
Represents an acyl group or an ester group.

【0089】Yで表されるアルキル基としては、総炭素
数1〜14のものが好ましく、直鎖状であっても分岐を
有するものであってもよい。
The alkyl group represented by Y is preferably one having a total carbon number of 1 to 14, and may be linear or branched.

【0090】Yで表されるアルケニル基としては、総炭
素数2〜14のものが好ましく、直鎖状であっても分岐
を有するものであってもよく、さらには置換基を有して
いてもよく、例えばビニル基、アリル基、プロペニル
基、ブテニル基等が挙げられる。
The alkenyl group represented by Y is preferably one having a total of 2 to 14 carbon atoms, which may be linear or branched, and further having a substituent. Examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a propenyl group, and a butenyl group.

【0091】Yで表されるアリール基としては、総炭素
数6〜18のものが好ましく、単環であっても縮合環等
の多環であってもよく、さらにはハロゲン原子(F、C
l)、アルキル基(メチル基等)の置換基を有していて
もよい。具体的には、フェニル基、α−ナフチル基、β
−ナフチル基、(o−、m−、p−)トリル基、(o
−、m−、p−)クロロフェニル基等が挙げられる。
The aryl group represented by Y is preferably one having a total of 6 to 18 carbon atoms, and may be a single ring or a polycyclic ring such as a condensed ring.
l) may have a substituent of an alkyl group (eg, a methyl group). Specifically, phenyl group, α-naphthyl group, β
-Naphthyl group, (o-, m-, p-) tolyl group, (o
-, M-, p-) chlorophenyl group and the like.

【0092】Yで表されるエーテル基は、−OR3 で示
され、この場合のR3 としてはアルキル基、アリール基
等が挙げられる。R3 で表されるアルキル基としては総
炭素数が1〜8であるものが好ましく、直鎖状であって
も分岐を有するものであってもよく、さらには置換基
(ハロゲン原子等)を有していてもよい。R3 で表され
るアリール基としては総炭素数6〜18のものが好まし
く、単環が好ましいが縮合環等の多環であってもよい。
The ether group represented by Y is represented by —OR 3 , and R 3 in this case includes an alkyl group, an aryl group and the like. The alkyl group represented by R 3 preferably has 1 to 8 carbon atoms in total, and may be linear or branched, and further has a substituent (eg, a halogen atom). You may have. The aryl group represented by R 3 preferably has 6 to 18 carbon atoms in total, and is preferably a single ring, but may be a polycyclic ring such as a condensed ring.

【0093】Yで表されるエーテル基としては、メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソブ
トキシ基、フェノキシ基等が挙げられる。
Examples of the ether group represented by Y include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, an isobutoxy group and a phenoxy group.

【0094】Yで表されるアシル基は−COR4 で示さ
れ、この場合のR4 としてはアルキル基、アリール基等
が挙げられる。R4 で表されるアルキル基としては総炭
素数1〜8であるものが好ましく、直鎖状であっても分
岐を有するものであってもよく、さらには置換基(ハロ
ゲン原子等)を有していてもよい。R4 で表されるアリ
ール基としては総炭素数6〜18のものが好ましく、単
環が好ましいが縮合環等の多環であってもよい。
The acyl group represented by Y is represented by —COR 4. In this case, R 4 includes an alkyl group, an aryl group and the like. The alkyl group represented by R 4 preferably has 1 to 8 carbon atoms in total, and may be linear or branched, and further has a substituent (eg, a halogen atom). It may be. The aryl group represented by R 4 preferably has 6 to 18 carbon atoms, and is preferably a single ring, but may be a polycyclic ring such as a condensed ring.

【0095】Yで表されるアシル基としては、アセチル
基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ベ
ンゾイル基等が挙げられる。
The acyl group represented by Y includes an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group, a benzoyl group and the like.

【0096】Yで表されるエステル基は、−OCOR5
または−COOR5 で示され、この場合のR5 としては
アルキル基、アリール基等が挙げられる。R5 で表され
るアルキル基としては総炭素数が1〜20であるものが
好ましく、直鎖状であっても分岐を有するものであって
もよく、さらには置換基(ハロゲン原子等)を有してい
てもよい。R5 で表されるアリール基としては総炭素数
6〜18のものが好ましく、単環が好ましいが縮合環等
の多環であってもよい。
The ester group represented by Y is —OCOR 5
Or represented by -COOR 5, the alkyl group as R 5 in this case, and an aryl group. The alkyl group represented by R 5 preferably has 1 to 20 carbon atoms in total, and may be linear or branched, and further has a substituent (eg, a halogen atom). You may have. The aryl group represented by R 5 preferably has 6 to 18 carbon atoms in total, and is preferably a single ring, but may be a polycyclic ring such as a condensed ring.

【0097】Yで表されるエステル基としては、アセト
キシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イ
ソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、イソバレリル
オキシ基、−OCOC49 (−sec)、−OCOC
49 (−tert)、−OCOC(CH32 CH2
CH3 、−OCOC(CH32 CH2 CH2 CH3
ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、tert
−ブチルベンゾイルオキシ基、メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、2−エ
チルヘキシルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニ
ル基等が挙げられる。
Examples of the ester group represented by Y include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, an isobutyryloxy group, a valeryloxy group, an isovaleryloxy group, —OCOC 4 H 9 (−sec), and —OCOC.
4 H 9 (-tert), - OCOC (CH 3) 2 CH 2
CH 3 , —OCOC (CH 3 ) 2 CH 2 CH 2 CH 3 ,
Stearoyloxy group, benzoyloxy group, tert
-Butylbenzoyloxy group, methoxycarbonyl group,
Examples include an ethoxycarbonyl group, a butoxycarbonyl group, a 2-ethylhexyloxycarbonyl group, and a phenoxycarbonyl group.

【0098】誘電性高分子材料に用いる共重合成分とは
オレフィン系炭化水素を主体とするビニル系コモノマー
であり、式(II)で表されるビニル系モノマーとして
は、例えば酢酸ビニル、ピバリン酸ビニル、2,2−ジ
メチルブタン酸ビニル、2,2−ジメチルペンタン酸ビ
ニル、2−メチル−2−ブタン酸ビニル、プロピオン酸
ビニル、ステアリン酸ビニル、2−エチル−2−メチル
ブタン酸ビニル等のカルボン酸ビニル類;p−tert
−ブチル安息香酸ビニル、N,N−ジメチルアミノ安息
香酸ビニル、安息香酸ビニル等の芳香族ビニル系単量体
類;スチレン、o−,m−,p−クロロメチルスチレ
ン、α−メチルスチレンおよびその核置換体などのα−
置換スチレン誘導体類;o−、m−、p−メチルスチレ
ン等のアルキル核置換スチレン類;塩化ビニル、フッ化
ビニル等のα−オレフィン類;p−クロロスチレン等の
o−、m−、p−ハロゲン化スチレン等のハロゲン核置
換スチレン;エチルビニルエーテル、ビニルブチルエー
テル、イソブチルビニルエーテル等のビニルエーテル
類;α−、β−ビニルナフタレン等のナフタレン誘導
体;メチルビニルケトン、イソブチルビニルケトン等の
アルキルビニルケトン類;ブタジエン、イソプレン等の
ジエン類;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メ
タ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−
エチルヘキシル(メタ)アクリレート、フェニル(メ
タ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸エステル類等
の公知のラジカル重合成モノマー等を好ましく挙げるこ
とができる。
The copolymer component used for the dielectric polymer material is a vinyl comonomer mainly composed of an olefinic hydrocarbon. Examples of the vinyl monomer represented by the formula (II) include vinyl acetate and vinyl pivalate. Carboxylic acids such as vinyl 2,2-dimethylbutanoate, vinyl 2,2-dimethylpentanoate, vinyl 2-methyl-2-butanoate, vinyl propionate, vinyl stearate, and vinyl 2-ethyl-2-methylbutanoate Vinyls; p-tert
Aromatic vinyl monomers such as -butyl vinyl benzoate, N, N-dimethylamino vinyl benzoate and vinyl benzoate; styrene, o-, m-, p-chloromethylstyrene, α-methylstyrene and the like. Α-
Substituted styrene derivatives; alkyl nucleus-substituted styrenes such as o-, m- and p-methylstyrene; α-olefins such as vinyl chloride and vinyl fluoride; o-, m- and p- such as p-chlorostyrene. Halogen nucleus substituted styrene such as halogenated styrene; vinyl ethers such as ethyl vinyl ether, vinyl butyl ether and isobutyl vinyl ether; naphthalene derivatives such as α- and β-vinyl naphthalene; alkyl vinyl ketones such as methyl vinyl ketone and isobutyl vinyl ketone; butadiene And diene such as isoprene; methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-
Known radical polysynthetic monomers such as (meth) acrylates such as ethylhexyl (meth) acrylate and phenyl (meth) acrylate can be preferably exemplified.

【0099】このようなビニル系モノマーを製造するに
は、例えば酢酸ビニルと相当する有機酸とのエステル交
換反応を酢酸水銀または硫酸等の存在下で行うか、他の
触媒、例えば白金、ロジウム等の金属錯体、触媒の存在
下反応を行うことにより容易に合成することができる。
In order to produce such a vinyl monomer, for example, a transesterification reaction between vinyl acetate and a corresponding organic acid is carried out in the presence of mercury acetate or sulfuric acid, or another catalyst such as platinum or rhodium. Can be easily synthesized by performing the reaction in the presence of a metal complex and a catalyst.

【0100】このようなビニル系モノマーはコモノマー
として1種のみを用いても2種以上を併用してもよい。
As such a vinyl monomer, only one kind may be used as a comonomer, or two or more kinds may be used in combination.

【0101】また、このようなビニル系モノマーから誘
導される繰り返し単位を有する本発明のフマレート系重
合体は共重合体であるが、ランダム共重合体、交互共重
合体、ブロック共重合体等のいずれであってもよい。
The fumarate-based polymer of the present invention having a repeating unit derived from such a vinyl-based monomer is a copolymer, such as a random copolymer, an alternating copolymer, or a block copolymer. Any of them may be used.

【0102】上記フマル酸ジエステルから誘導される繰
り返し単位を有する高分子材料は低誘電性であり、成膜
性、膜密着性、さらには機械的物性等の点で優れる。こ
のような高分子材料は、前述のように、同一のフマル酸
ジエステルのみを用いた単独重合体、フマル酸ジエステ
ル同志の共重合体、フマル酸ジエステルとこれと共重合
可能な他のビニル系単量体との共重合体のいずれであっ
てもよい。
The polymer material having a repeating unit derived from the fumaric acid diester has a low dielectric property, and is excellent in film formability, film adhesion, mechanical properties and the like. As described above, such a polymer material includes a homopolymer using only the same fumaric acid diester, a copolymer of fumaric acid diesters, and another vinyl-based monomer copolymerizable with the fumaric acid diester. Any of a copolymer with a monomer may be used.

【0103】またフマレート系重合体の分子量は特に限
定はされないが、例えば電気絶縁フィルムおよびそれを
積層して得られる電気絶縁基板を形成するには、電子部
品の製造中に生ずるかなりの応力に、電気絶縁基板が耐
えられるだけの機械的強度が必要とされるため、その用
途等を考慮すると、高分子量体のものが望ましく、数平
均分子量で、10000〜1500000であることが
好ましい。分子量が小さくなると機械的強度および化学
安定性に劣りやすくなり、耐熱性も悪くなる。特に成膜
性、基板に対する膜密着性、膜欠陥をなくすために、な
るべく分子量が高い方が望ましい。しかし、分子量が大
きくなりすぎると均一でかつ平滑な膜の成膜が困難にな
るなど作業性に劣り、また加工性も悪くなる。
Although the molecular weight of the fumarate-based polymer is not particularly limited, for example, to form an electric insulating film and an electric insulating substrate obtained by laminating the same, considerable stress generated during the production of electronic parts is required. Since mechanical strength enough to withstand the electrically insulating substrate is required, a high molecular weight material is desirable in view of its use and the like, and the number average molecular weight is preferably 10,000 to 1500,000. When the molecular weight is small, mechanical strength and chemical stability are likely to be inferior, and heat resistance is also poor. In particular, it is desirable that the molecular weight be as high as possible in order to eliminate film defects, film adhesion to a substrate, and film defects. However, if the molecular weight is too large, workability is poor, such as difficulty in forming a uniform and smooth film, and workability is also poor.

【0104】誘電性高分子材料は、単量体成分として前
記のようなフマル酸ジエステルのみを実質的に含有する
単量体組成物を重合するか、あるいはさらに単量体成分
として前記のようなビニル系単量体を含有させた単量体
組成物を重合するかして得られたものである。
The dielectric polymer material is prepared by polymerizing a monomer composition substantially containing only the above-mentioned fumaric acid diester as a monomer component, or further as a monomer component as described above. It is obtained by polymerizing a monomer composition containing a vinyl monomer.

【0105】この場合、前記のフマル酸ジエステルは原
料となる単量体(原料モノマー)全体の50重量%以
上、さらには60重量%以上、特に80重量%以上であ
ることが好ましい。フマル酸ジエステル量が少なくなる
と、電気特性(誘電率および低誘電損失正接)、ならび
に耐熱性等が不十分となり好ましくない。
In this case, the content of the fumaric acid diester is preferably at least 50% by weight, more preferably at least 60% by weight, particularly preferably at least 80% by weight, based on the total amount of the monomer (raw material monomer) as a raw material. When the amount of fumaric acid diester is small, electric characteristics (dielectric constant and low dielectric loss tangent), heat resistance and the like become insufficient, which is not preferable.

【0106】一方、前記のビニル系単量体の原料モノマ
ー全体に対する割合は、低誘電性(低誘電率、低誘電正
接)、成形加工性、溶液粘度、膜密着性、さらには機械
的物性等の点から0〜50重量%が好ましく、さらに好
ましくは0〜40重量%、特に好ましくは0〜20重量
%である。
On the other hand, the ratio of the above-mentioned vinyl monomer to the total amount of the raw material monomers is as follows: low dielectric properties (low dielectric constant, low dielectric loss tangent), moldability, solution viscosity, film adhesion, mechanical properties, etc. In view of the above, it is preferably 0 to 50% by weight, more preferably 0 to 40% by weight, and particularly preferably 0 to 20% by weight.

【0107】このようなフマレート系重合体中のフマル
酸ジエステルに由来する構成成分は好ましくは50重量
%以上、さらに好ましくは60重量%以上、特に好まし
くは80重量%以上である。
The component derived from the fumaric acid diester in such a fumarate-based polymer is preferably at least 50% by weight, more preferably at least 60% by weight, particularly preferably at least 80% by weight.

【0108】また、本発明で用いられるフマレート系重
合体の軟化温度は200℃以上であり、通常230〜3
50℃の範囲にある。このように軟化温度が高いのでデ
バイス化工程に必須の半田付工程での耐熱性は十分であ
る。このように高軟化温度を有するのは、主鎖構造とな
る部分にメチレン基を有さず主鎖の炭素上に置換基が結
合し、主鎖の分子鎖熱運動性が抑制されるためと考えら
れる。
The softening temperature of the fumarate-based polymer used in the present invention is 200 ° C. or higher, and is usually from 230 to 3
It is in the range of 50 ° C. Since the softening temperature is high as described above, the heat resistance in the soldering step essential for the device forming step is sufficient. The reason for having such a high softening temperature is that the main chain structure does not have a methylene group and the substituent is bonded on the carbon of the main chain, thereby suppressing the thermal kinetic of the main chain. Conceivable.

【0109】このように本発明で用いられるフマレート
系重合体はロッド状の構造を有し、剛直なポリマーであ
る。したがって側鎖の結合に対する攻撃も受けにくく、
耐熱性、耐酸・耐アルカリ性(耐エッチング性)に優れ
た重合体を得ることができる。
Thus, the fumarate-based polymer used in the present invention has a rod-like structure and is a rigid polymer. Therefore, they are not easily attacked by the side chain bond,
A polymer having excellent heat resistance, acid resistance and alkali resistance (etching resistance) can be obtained.

【0110】以下に、本発明で好ましく用いられるフマ
レート系重合体を例示する。重合体は原料モノマーで示
すものとする。
The fumarate-based polymers preferably used in the present invention are illustrated below. The polymer is represented by a raw material monomer.

【0111】I)ジ−アルキルフマレート系 I−1 ジ−イソプロピルフマレート I−2 ジ−シクロヘキシルフマレート I−3 ジ−sec−ブチルフマレート I−4 ジ−tert−ブチルフマレート I−5 tert−ブチル−イソプロピルフマレート I−6 ジ−イソプロピルフマレート/ジ−sec−ブ
チルフマレート I−7 tert−ブチル−イソプロピルフマレート/
ジ−イソプロピルフマレート I−8 ジ−イソプロピルフマレート/ジ−シクロヘキ
シルフマレート I−9 ジ−イソプロピルフマレート/n−ブチル−イ
ソプロピルフマレート I−10 ジ−イソプロピルフマレート/n−ヘキシル−
イソプロピルフマレート I−11 ジ−シクロヘキシルフマレート/n−ブチル−
イソプロピルフマレート I−12 ジ−シクロヘキシルフマレート/ジ−sec−
ブチルフマレート
I) Di-alkyl fumarate type I-1 di-isopropyl fumarate I-2 di-cyclohexyl fumarate I-3 di-sec-butyl fumarate I-4 di-tert-butyl fumarate I-5 tert-butyl-isopropyl fumarate I-6 di-isopropyl fumarate / di-sec-butyl fumarate I-7 tert-butyl-isopropyl fumarate /
Di-isopropyl fumarate I-8 Di-isopropyl fumarate / di-cyclohexyl fumarate I-9 Di-isopropyl fumarate / n-butyl-isopropyl fumarate I-10 Di-isopropyl fumarate / n-hexyl-
Isopropyl fumarate I-11 di-cyclohexyl fumarate / n-butyl-
Isopropyl fumarate I-12 di-cyclohexyl fumarate / di-sec-
Butyl fumarate

【0112】II)ジ−アルキルフマレート/ビニル系 II−1 ジ−イソプロピルフマレート/スチレン II−2 ジ−sec−ブチルフマレート/tert−ブ
チル安息香酸ビニル II−3 ジ−シクロヘキシルフマレート/2−エチル−
2−メチルブタン酸ビニル II−4 ジ−イソプロピルフマレート/tert−ブチ
ル安息香酸ビニル II−5 ジ−イソプロピルフマレート/p−N,N−ジ
メチルアミノ安息香酸ビニル II−6 ジ−シクロヘキシルフマレート/tert−ブ
チル安息香酸ビニル II−7 シクロヘキシル−イソプロピルフマレート/酢
酸ビニル II−8 ジ−tert−ブチルフマレート/ジ−シクロ
ヘキシルフマレート−tert−ブチル安息香酸ビニル II−9 ジ−イソプロピルフマレート/ジ−シクロヘキ
シルフマレート/2−エチル−2−メチルブタン酸ビニ
ル II−10 ジ−イソプロピルフマレート/ジ−sec−ブ
チルフマレート/N,N−ジメチルアミノ安息香酸ビニ
ル II−11 ジ−sec−ブチルフマレート/ジ−シクロヘ
キシルフマレート/tert−ブチル安息香酸ビニル II−12 ジ−シクロヘキシルフマレート/ジ−イソプロ
ピルフマレート/スチレン
II) Di-alkyl fumarate / vinyl type II-1 di-isopropyl fumarate / styrene II-2 di-sec-butyl fumarate / vinyl tert-butyl benzoate II-3 di-cyclohexyl fumarate / 2 -Ethyl-
Vinyl 2-methylbutanoate II-4 Di-isopropyl fumarate / vinyl tert-butyl benzoate II-5 Di-isopropyl fumarate / vinyl p-N, N-dimethylaminobenzoate II-6 Di-cyclohexyl fumarate / tert -Butyl vinyl benzoate II-7 cyclohexyl-isopropyl fumarate / vinyl acetate II-8 di-tert-butyl fumarate / di-cyclohexyl fumarate-tert-vinyl vinyl benzoate II-9 di-isopropyl fumarate / di- Cyclohexyl fumarate / vinyl 2-ethyl-2-methylbutanoate II-10 di-isopropyl fumarate / di-sec-butyl fumarate / vinyl N, N-dimethylaminobenzoate II-11 di-sec-butyl fumarate / Di-cyclohexyl fumarate / tert-butyl Vinyl benzoate II-12 di - cyclohexyl fumarate / di - isopropyl fumarate / styrene

【0113】本発明において、前記のフマレート系重合
体を製造するには、通常のラジカル重合法を好ましく用
いることができる。重合に際し用いられる重合開始剤と
しては、分子量を上げるため10時間半減期温度が80
℃以下の有機過酸化物およびアゾ化合物の1種または2
種以上を好ましく用いることができる。このような重合
開始剤として、例えば過酸化ベンゾイル、ジイソプロピ
ルペルオキシジカーボネート、tert−ブチルペルオ
キシジ−2−エチルヘキサノエート、tert−ブチル
ペルオキシジイソブチレート、クメンパーオキサイド、
tert−ブチルヒドルパーオキシド、tert−ブチ
ルペルオキシピバレート、過酸化ラウロイルジアシルパ
ーオキシド等の有機過酸化物、2,2’−アゾビスブチ
ロニトリル、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニ
トリル)、アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリ
ル)、1,1’−アゾビス(シクロヘキサン−1−カル
ボニトリル)、2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチ
ル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニト
リル)、tert−ブチルペルオキシイソプロピルカー
ボネート等のアゾ系化合物が挙げられる。重合開始剤の
使用量としては原料モノマー100重量部に対して10
重量部以下が好ましく、さらに好ましくは5重量部以下
である。
In the present invention, in order to produce the fumarate-based polymer, a usual radical polymerization method can be preferably used. The polymerization initiator used for the polymerization has a 10-hour half-life temperature of 80 to increase the molecular weight.
One or more of an organic peroxide and an azo compound having a temperature of not higher than
More than one species can be preferably used. Examples of such a polymerization initiator include benzoyl peroxide, diisopropyl peroxydicarbonate, tert-butyl peroxydi-2-ethylhexanoate, tert-butyl peroxydiisobutyrate, cumene peroxide,
Organic peroxides such as tert-butyl hydroperoxide, tert-butyl peroxypivalate, lauroyldiacyl peroxide, 2,2′-azobisbutyronitrile, 2,2′-azobis (2-methylbutyro Nitrile), azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 1,1′-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile), 2,2′-azobis (isobutyric acid) dimethyl, 2,2′-azobis (2 Azo compounds such as 4-dimethylvaleronitrile) and tert-butylperoxyisopropyl carbonate. The amount of the polymerization initiator to be used is 10 to 100 parts by weight of the raw material monomer.
It is preferably at most 5 parts by weight, more preferably at most 5 parts by weight.

【0114】またこのような調製法において各モノマー
を重合ないし共重合させる際の条件としては、適時重合
系を不活性ガス、例えば窒素、二酸化炭素、ヘリウム、
アルゴン等で置換ないしは雰囲気下、あるいは脱気条件
下で重合させることが好ましい。重合ないし共重合させ
る際の温度としては使用する重合開始剤の種類により異
なるが、30℃〜120℃の範囲が好ましい。また重合
に要する全時間は、10時間〜72時間程度であること
が望ましい。また原料モノマーに色素等の着色あるいは
紫外線吸収剤等の添加物を加えて重合させることも可能
である。
The conditions for polymerizing or copolymerizing each monomer in such a preparation method are as follows: the polymerization system is appropriately set to an inert gas such as nitrogen, carbon dioxide, helium, or the like.
It is preferable to carry out the polymerization under a substitution or atmosphere with argon or the like, or under degassing conditions. The temperature at the time of polymerization or copolymerization varies depending on the type of polymerization initiator used, but is preferably in the range of 30 ° C to 120 ° C. The total time required for the polymerization is desirably about 10 to 72 hours. It is also possible to polymerize the starting monomer by adding a coloring agent such as a dye or an additive such as an ultraviolet absorber.

【0115】また前記ラジカル重合法としては、溶液重
合、塊状重合、乳化重合、懸濁重合、放射線重合等の汎
用のビニル系モノマーのラジカル重合に用いられる数多
くの重合法により行うことができる。本発明では高周波
帯域用の用途において、低誘電性電気絶縁基板の電気特
性として、低誘電損失正接を極めて低くすることが重要
なポイントとなる。高分子材料中の低分子量体の存在が
外部可塑化を引き起こし誘電損失正接を大きくし、高周
波帯域における誘電特性を悪化する要因となるため、フ
マレート系重合体および共重合体の分子量が極めて高く
なるような重合方法をとることが重要であり、仕込みモ
ノマーの濃度を高くすることができる、例えば共重合さ
せる際の仕込みモノマーであるフマル酸ジエステルと、
ビニル系モノマーとの両モノマーの濃度を十分高くする
ことができる塊状重合法あるいは懸濁重合法が最も望ま
しい。また重合温度は高くなるにつれて重合体ないし共
重合体の分子量が小さくなるので、例えば0℃から60
℃の低温にてラジカル重合ないし共重合させるのが好ま
しい。
The radical polymerization can be carried out by any of a number of polymerization methods used for radical polymerization of general-purpose vinyl monomers such as solution polymerization, bulk polymerization, emulsion polymerization, suspension polymerization, and radiation polymerization. In the present invention, in the application for a high frequency band, it is important to make the low dielectric loss tangent extremely low as an electrical characteristic of the low dielectric electric insulating substrate. The presence of low-molecular-weight polymers in the polymer material causes external plasticization, which increases the dielectric loss tangent, and deteriorates the dielectric properties in the high-frequency band, so that the molecular weight of the fumarate-based polymer and copolymer becomes extremely high. It is important to take such a polymerization method, it is possible to increase the concentration of the charged monomer, for example, fumaric acid diester which is a charged monomer at the time of copolymerization,
A bulk polymerization method or a suspension polymerization method that can sufficiently increase the concentration of both monomers with a vinyl monomer is most desirable. Further, as the polymerization temperature becomes higher, the molecular weight of the polymer or copolymer becomes smaller.
It is preferable to carry out radical polymerization or copolymerization at a low temperature of ° C.

【0116】本発明のフマレート系重合体は、核磁気共
鳴スペクトル(NMR)、赤外吸収スペクトル(IR)
等によって同定することができる。
The fumarate-based polymer of the present invention has a nuclear magnetic resonance spectrum (NMR) and an infrared absorption spectrum (IR).
And the like.

【0117】また、末端基として目的に応じ種々のもの
を導入することができる。
Various terminal groups can be introduced according to the purpose.

【0118】誘電性高分子材料も、上記耐熱性誘電性高
分子材料同様に、セラミックス誘電体材料と共に使用さ
れる。
The dielectric polymer material is used together with the ceramic dielectric material, like the above-mentioned heat-resistant dielectric polymer material.

【0119】セラミックス誘電体材料としては、上記と
同様である。これらの好ましく用いられるセラミックス
誘電体材料の複合誘電体材料組成物中の含有量は50〜
95wt% が好ましく、より好ましくは50〜90wt% で
あり、特には60〜85wt%であることが好ましい。こ
のような含有量とすることで、高誘電率と低誘電正接が
得られやすくなる。これに対し、セラミックス誘電体材
料の含有量が少なくなると比誘電率が低くなり、誘電正
接が高くなりやすくなる。また、セラミックス誘電体材
料の含有量が多くなりすぎると、機械物性が低下し、成
形性が悪くなる。
The ceramic dielectric material is the same as described above. The content of these preferably used ceramic dielectric materials in the composite dielectric material composition is 50 to 50%.
It is preferably 95% by weight, more preferably 50 to 90% by weight, and particularly preferably 60 to 85% by weight. With such a content, a high dielectric constant and a low dielectric loss tangent can be easily obtained. On the other hand, when the content of the ceramic dielectric material decreases, the relative dielectric constant decreases, and the dielectric loss tangent tends to increase. On the other hand, when the content of the ceramic dielectric material is too large, the mechanical properties are reduced, and the moldability is deteriorated.

【0120】誘電体層上、あるいはそれらの間、または
誘電体層中に形成される導電体層は、金、銀、銅、ニッ
ケル、クロム、チタン、アルミニウム等の金属単体、あ
るいはこれらを用いた合金等を用いることができる。こ
れらは、通常、エッチング、プレス等により成形した導
電体層(導電板)を鋳込んでインジェクション成形をし
たり、印刷法により形成した誘電体層上に導電体層パタ
ーンを置き、更にその上に誘電体層を重ねて形成する。
また、金属導体フィルムとして誘電体層上に接着、融着
することも可能であり、この他に蒸着、スパッタ法など
の気相堆積法、湿式メッキ法等により形成することもで
きる。形成された導電体層を所望のパターンにエッチン
グ(湿式または乾式)して素子パターンを得ることがで
きる。この場合、上記誘電体層を用いることで、金属導
体フィルムとの密着性が良好なものが得られる。この場
合の誘電体層は成形等によって50〜1000μm 、特
に100〜800μm 、さらには200〜500μm の
厚さとすることが好ましい。また、金属導体フィルム
は、好ましくは10〜70μm 、特に18〜35μmで
ある。また、必要により貫通孔を形成し、メッキ等によ
りスルーホールを形成してもよい。
The conductor layer formed on or between the dielectric layers or in the dielectric layer may be made of a single metal such as gold, silver, copper, nickel, chromium, titanium, or aluminum, or may be made of any of these. An alloy or the like can be used. These are usually formed by injection molding by casting a conductive layer (conductive plate) formed by etching, pressing, or the like, or by laying a conductive layer pattern on a dielectric layer formed by a printing method, and further thereon. The dielectric layers are formed one upon another.
In addition, it is also possible to bond and fuse a metal conductor film on the dielectric layer, and in addition, it can be formed by vapor deposition such as vapor deposition or sputtering, or wet plating. The element pattern can be obtained by etching (wet or dry) the formed conductor layer into a desired pattern. In this case, by using the above-mentioned dielectric layer, a material having good adhesion to the metal conductor film can be obtained. In this case, the thickness of the dielectric layer is preferably 50 to 1000 μm, particularly 100 to 800 μm, and more preferably 200 to 500 μm by molding or the like. The thickness of the metal conductor film is preferably 10 to 70 μm, particularly 18 to 35 μm. Further, if necessary, a through hole may be formed, and a through hole may be formed by plating or the like.

【0121】なお、導電体層をパターン状に形成すると
きは、金属導体フィルムを所定の形状にパターン化して
から密着してもよい。ただし、積層によって金属導体フ
ィルムと誘電体層とを密着する場合、最外層となる金属
導体層はパターン化してから密着しても、密着してから
エッチングによる除去を行ってパターン化してもよい。
When the conductor layer is formed in a pattern, the metal conductor film may be patterned into a predetermined shape and then adhered. However, when the metal conductor film and the dielectric layer are brought into close contact with each other by lamination, the outermost metal conductor layer may be patterned and then adhered, or may be removed by etching and then patterned.

【0122】本発明の高周波多層積層部品の使用周波数
帯域としては、好ましくは500MHz〜3GHz、特に8
00MHz〜2GHzである。
The frequency band used by the high-frequency multilayer component of the present invention is preferably 500 MHz to 3 GHz, particularly 8 MHz.
00 MHz to 2 GHz.

【0123】以下、本発明の高周波多層積層部品につい
て、具体例を図示して詳細に説明する。
Hereinafter, the high-frequency multilayer component of the present invention will be described in detail with reference to specific examples.

【0124】図1は、本発明の高周波多層積層部品の具
体例を示すフィルタの分解斜視図、図2はこれを組み立
てた状態の一部透過外観斜視図である。図示例のフィル
タは、各誘電体層101〜118を有する。そして、こ
の誘電体層101〜118には、必要に応じてキャパシ
タ、インダクタ等の回路素子を構成するような導電体層
が形成されている。これらの回路素子のパラメータは、
誘電体層の誘電率や厚さ、導電体層の形状等により決め
られる。すなわち、この例では、誘電体層101の上に
は導電体層201が形成され、誘電体層102の上には
導電体層202a、202bが形成されている。そし
て、導電体層201と導電体層202aとでキャパシタ
CE11を構成し、導電体層201と導電体層202bと
でキャパシタCE21を構成している。同様に、誘電体層
103上には導電体層203a,203c,203dが
形成されていて、前記導電体層202aと導電体層20
3aとでキャパシタCE12を構成し、導電体層202b
と導電体層203aとでキャパシタCE22を構成してい
る。導電体層203c,203dはいわゆるスルーホー
ルを構成し、前記導電体層202a,202bの同様な
位置に形成されているスルーホールや、下層となる誘電
体層104上に形成されている導電体層204a,20
4bとを電気的に接続している。また、導電体層204
aと導電体層203aとはキャパシタCE13を構成し、
導電体層204bと導電体層203aとはキャパシタC
E23を構成している。
FIG. 1 is an exploded perspective view of a filter showing a specific example of the high-frequency multilayer component of the present invention, and FIG. 2 is a partially transparent appearance perspective view of an assembled state of the filter. The illustrated filter has the dielectric layers 101 to 118. The dielectric layers 101 to 118 are formed with conductor layers that constitute circuit elements such as capacitors and inductors as necessary. The parameters of these circuit elements are
It is determined by the dielectric constant and thickness of the dielectric layer, the shape of the conductive layer, and the like. That is, in this example, the conductor layer 201 is formed on the dielectric layer 101, and the conductor layers 202a and 202b are formed on the dielectric layer 102. The conductor layer 201 and the conductor layer 202a constitute a capacitor CE11, and the conductor layer 201 and the conductor layer 202b constitute a capacitor CE21. Similarly, conductor layers 203a, 203c and 203d are formed on the dielectric layer 103, and the conductor layers 202a and
3a and the capacitor CE12, and the conductor layer 202b
And the conductor layer 203a constitute a capacitor CE22. The conductor layers 203c and 203d constitute so-called through holes, and are formed in the same positions of the conductor layers 202a and 202b and the conductor layers formed on the lower dielectric layer 104. 204a, 20
4b is electrically connected. Further, the conductor layer 204
a and the conductor layer 203a constitute a capacitor CE13,
The conductor layer 204b and the conductor layer 203a are
Constructs E23.

【0125】誘電体層105上には導電体層205a,
205b,205c,205dが形成されていて、導電
体層205aと導電体層204aとでキャパシタCi1を
構成し、導電体層205bと導電体層204bとでキャ
パシタCi2を構成している。また、導電体層205c、
205dのチップ端面側の部分は、それぞれ入力端I
N、出力端OUTとして機能するようになっている。導
電体層205c,205dは、スルーホールを構成し、
前記導電体層204a,204bの同位置に形成されて
いるスルーホールと接続される。誘電体層106上に
は、導電体層206a,206c,206dが形成され
ている。導電体層206aは、導電体層205aとキャ
パシタCp1を構成し、導電体層205aとキャパシタC
p2を構成している。また、導電体層206c,206d
はスルーホールを構成し、前記スルーホール205c、
205dと接続されている。
On the dielectric layer 105, a conductor layer 205a,
205b, 205c, and 205d are formed, and the conductor layer 205a and the conductor layer 204a constitute a capacitor Ci1, and the conductor layer 205b and the conductor layer 204b constitute a capacitor Ci2. In addition, the conductor layer 205c,
The portion of the chip end face side of 205d is the input end I
N, and functions as an output terminal OUT. The conductor layers 205c and 205d form through holes,
It is connected to a through hole formed at the same position on the conductor layers 204a and 204b. Conductive layers 206a, 206c and 206d are formed on dielectric layer 106. The conductor layer 206a and the conductor layer 205a constitute a capacitor Cp1, and the conductor layer 205a and the capacitor Cp1.
Makes up p2. Further, the conductor layers 206c and 206d
Constitutes a through hole, the through hole 205c,
205d.

【0126】さらに、誘電体層107〜111には、導
電体層としてのスルーホール207c,207d,20
8c,208d,209c,209d,210c,21
0d,211c,211dが形成されていて、それぞれ
接続されると共に、前記スルーホール206c,206
dと接続され、さらに、下記の導電体層212a,21
2bとも接続されている。誘電体層112には、導電体
層212a,212bが形成されていて、それぞれがイ
ンダクタL1 ,L2 を構成している。さらに、その下層
には複数の誘電体層113〜117が配置される。そし
て、その下層の誘電体層118には、導電体層218が
形成されていて、アースパターン(E)として機能する
ようになっている。
Further, the dielectric layers 107 to 111 have through holes 207c, 207d, 20 as conductor layers.
8c, 208d, 209c, 209d, 210c, 21
0d, 211c and 211d are formed and connected to each other, and the through holes 206c and 206d are formed.
d, and the following conductive layers 212a, 212
2b is also connected. Conductive layers 212a and 212b are formed on the dielectric layer 112, and constitute the inductors L1 and L2, respectively. Further, a plurality of dielectric layers 113 to 117 are arranged below the lower layer. A conductor layer 218 is formed on the dielectric layer 118 below the layer, and functions as a ground pattern (E).

【0127】そして、これらを積層して図2に示すよう
なフィルタとなる。図2は、積層された複数取りの素子
構造体を切断し、1つの部品チップとしたものである。
図において、フィルタ1は、短辺側の断面に導電層20
5aの入力端INと接続された端子11が形成され、そ
の反対側には導電体205bの出力端OUTと接続され
た端子が形成されている(図示せず)。また、長辺側に
は導電体201,203aおよび導電体218と接続さ
れたアース端子12が形成されていて、それぞれ外部の
回路と接続されるようになっている。対向する長辺側に
は、導電体210,203a,212a,212b,2
18と接続されたアース端子(図示せず)が形成されて
いる。
Then, these are laminated to form a filter as shown in FIG. FIG. 2 is a diagram in which a stacked multi-element structure is cut into one component chip.
In the figure, a filter 1 has a conductive layer 20
A terminal 11 connected to the input terminal IN of 5a is formed, and a terminal connected to the output terminal OUT of the conductor 205b is formed on the opposite side (not shown). In addition, the ground terminals 12 connected to the conductors 201 and 203a and the conductor 218 are formed on the long sides, and are connected to external circuits, respectively. The conductors 210, 203a, 212a, 212b, 2
A ground terminal (not shown) connected to the terminal 18 is formed.

【0128】フィルタ1の等価回路を図3に示す。図に
おいて、Cp =Cp1+Cp2であり、CE1=CE11+CE12
+CE13であり、CE2=CE21+CE22+CE23である。ま
た、L1 とL2 とは相互インダクタンスMで相互に結合
している。
FIG. 3 shows an equivalent circuit of the filter 1. In the figure, Cp = Cp1 + Cp2, and CE1 = CE11 + CE12.
+ CE13, and CE2 = CE21 + CE22 + CE23. Further, L1 and L2 are mutually coupled by a mutual inductance M.

【0129】このような構成の本発明のフィルタは、従
来のフィルタがセラミックのグリーンシート法或いは印
刷多層法により基板1枚あたりに数個から数百個(場合
により数千個)分の必要な導電パターンを形成し、焼
成、分割(または分割、焼成)する多数個取りの工程に
より製造されてるのに対して、エッチング、プレス等に
より成形した導電板を鋳込んでインジェクション成形を
したり、印刷法により形成した樹脂基板上に導電板パタ
ーンを置き、更にその上に樹脂基板を重ねて形成するこ
とができる。また、フマレート系樹脂をガラスクロスに
含浸し、さらに鋼箔を貼り基板材料に形成してからエッ
チング等によりパターンを形成し、必要箇所には貫通孔
を設置してメッキによりスルーホールを設けた拳板を積
層し、分割して製造することができる。
In the filter of the present invention having such a structure, the conventional filter requires several to several hundreds (in some cases, thousands) per substrate by the ceramic green sheet method or the printed multilayer method. It is manufactured by a multi-cavity process in which a conductive pattern is formed, fired, and divided (or divided and fired), while injection molding is performed by casting a conductive plate formed by etching, pressing, etc., or printing. A conductive plate pattern can be placed on a resin substrate formed by the method, and the resin substrate can be further stacked thereon. In addition, a glass cloth is impregnated with a fumarate-based resin, a steel foil is applied to the substrate material, and a pattern is formed by etching or the like. The boards can be laminated and divided to produce.

【0130】また、誘電体層は、フマレート系またはグ
ラフトポリマ系樹脂でセラミックパウダーと混合して比
誘電率を10〜20に調整した状態で約0.002〜
0.0001となり、セラミックと同等の電気特性が得
られ、更に重量も軽くなる。
The dielectric layer is formed of a fumarate-based or graft polymer-based resin mixed with a ceramic powder to adjust the relative dielectric constant to 10 to 20.
0.0001, which means that the same electrical characteristics as those of the ceramic can be obtained, and the weight is further reduced.

【0131】本発明の高周波多層積層部品は、セラミッ
クを積層体として使用していないため焼成前の粘性によ
り層ずれを生じたり、焼成により縮み、内部構造に歪み
を生じたりすることがなく、また分割も用意に切断可能
である。
Since the high-frequency multilayer component of the present invention does not use ceramics as a laminate, it does not cause a layer shift due to viscosity before firing, shrinkage due to firing, and does not cause distortion in the internal structure. The division can be easily cut.

【0132】本発明の多層積層部品は、上記のフィルタ
に限定されるものではなく、広く高周波回路に使用され
る多層積層部品、例えば、カプラ、ミキサ、分配器、V
CO等に応用可能である。
The multilayer laminated parts of the present invention are not limited to the above-mentioned filters, but are widely used in high-frequency circuits, for example, couplers, mixers, distributors, V
Applicable to CO and the like.

【0133】[0133]

【実施例】まず、実施例に用いた高分子材料の合成例を
示す。
EXAMPLES First, an example of synthesizing the polymer material used in the examples will be described.

【0134】(合成例)容積5リットルのステンレス製
オ−トクレ−ブに、純水2500gを入れ、さらに懸濁
剤としてポリビニルアルコ−ル2.5gを溶解させた。
この中にオレフィン系重合体としてポリプロピレン「J
アロイ150G」(商品名、日本ポリオレフィン(株)
製)700gを入れ、撹はん・分散した。別にラジカル
重合開始剤としてのベンゾイルペルオキシド1.5g、
ラジカル重合性有機過酸化物としてt−ブチルペルオキ
シメタクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト9gを、ビニ
ル芳香族単量体としてスチレン300g中に溶解させ、
この溶液を前記オ−トクレ−ブ中に投入・撹はんした。
次いでオ−トクレ−ブを60〜65℃に昇温し、2時間
撹はんすることによりラジカル重合開始剤およびラジカ
ル重合性有機過酸化物を含むビニル単量体をポリプロピ
レン中に含浸させた。次いで、温度を80〜85℃に上
げ、その温度で7時間維持して重合を完結させ、濾過
後、水洗および乾燥してグラフト化前駆体(a)を得
た。
(Synthesis Example) In a stainless steel autoclave having a volume of 5 liters, 2500 g of pure water was added, and 2.5 g of polyvinyl alcohol was dissolved as a suspending agent.
In this, polypropylene "J" was used as an olefin polymer.
Alloy 150G ”(trade name, Japan Polyolefin Co., Ltd.)
Was added and stirred and dispersed. Separately, 1.5 g of benzoyl peroxide as a radical polymerization initiator,
9 g of t-butylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate as a radical polymerizable organic peroxide is dissolved in 300 g of styrene as a vinyl aromatic monomer,
This solution was charged and stirred into the autoclave.
Then, the autoclave was heated to 60 to 65 ° C. and stirred for 2 hours to impregnate the polypropylene with a vinyl monomer containing a radical polymerization initiator and a radically polymerizable organic peroxide. Next, the temperature was raised to 80 to 85 ° C., and maintained at that temperature for 7 hours to complete the polymerization. After filtration, washing and drying were performed to obtain a grafted precursor (a).

【0135】次いで、このグラフト化前駆体(a)をラ
ボプラストミル一軸押出機((株)東洋精機製作所製)
で200℃にて押し出し、グラフト化反応させることに
よりグラフト共重合体(A)を得た。
Next, the grafting precursor (a) was used as a Labo Plastomill single screw extruder (manufactured by Toyo Seiki Seisaku-sho, Ltd.).
At 200 ° C. to cause a grafting reaction to obtain a graft copolymer (A).

【0136】このグラフト共重合体(A)を熱分解ガス
クロマトグラフィーによって分析したところ、ポリプロ
ピレン(PP):スチレン(St)の重量割合は70:
30であった。
When the graft copolymer (A) was analyzed by pyrolysis gas chromatography, the weight ratio of polypropylene (PP): styrene (St) was 70:
30.

【0137】なお、このとき、スチレン重合体セグメン
トのグラフト効率は50.1重量%であった。グラフト
効率は、ソツクスレー抽出器で酢酸エチルにより、グラ
フト化していないスチレン重合体を抽出し、この割合を
求めることによって算出した。
At this time, the graft efficiency of the styrene polymer segment was 50.1% by weight. The grafting efficiency was calculated by extracting an ungrafted styrene polymer with ethyl acetate using a Soxhlet extractor and determining the ratio.

【0138】分子量は、高温GPC(ウオーターズ
(株)製)を用いて重量平均絶対分子量を測定した。こ
の樹脂の炭素と水素の含有量は元素分析法で定量した。
その結果、炭素原子と水素原子の数の和の割合は、99
%以上であった。なお、PPの分子量は300000で
あった。
For the molecular weight, the weight average absolute molecular weight was measured using high temperature GPC (manufactured by Waters Inc.). The contents of carbon and hydrogen in this resin were determined by elemental analysis.
As a result, the ratio of the sum of the numbers of carbon atoms and hydrogen atoms is 99%
% Or more. The molecular weight of PP was 300,000.

【0139】この樹脂粒子をを熱プレス成型機(上島機
械(株)製)により220℃で熱プレス成形して10cm
×10cm×0.1cmの電気絶縁材料試験片を作製した。
また、アイゾット衝撃試験片、および半田耐熱性試験片
として射出成型機で、13mm×65mm×6mmの試験片を
作成した。得られた試験片を用いて以下の測定を行い、
体積抵抗率、絶縁破壊強さ、比誘電率、誘電正接、アイ
ゾット衝撃強度および金属との接着性の評価を行った。
また、得られた樹脂ペレットを用いて吸水率の測定を行
った。また、熱プレスで成形し、熱架橋させた樹脂を粉
砕し、キシレン中で加熱し、その溶解性から架橋度を確
認した。試験法を以下に示す。
The resin particles were subjected to hot press molding at 220 ° C. using a hot press molding machine (manufactured by Kamishima Kikai Co., Ltd.) to form a 10 cm
× 10 cm × 0.1 cm specimens of an electrically insulating material were prepared.
In addition, 13 mm × 65 mm × 6 mm test pieces were prepared by an injection molding machine as Izod impact test pieces and solder heat resistance test pieces. Perform the following measurements using the obtained test piece,
The volume resistivity, dielectric strength, dielectric constant, dielectric loss tangent, Izod impact strength, and adhesion to metal were evaluated.
The water absorption was measured using the obtained resin pellets. Further, the resin molded and thermally cross-linked by a hot press was pulverized and heated in xylene, and the degree of cross-linking was confirmed from its solubility. The test method is shown below.

【0140】絶縁抵抗試験(体積抵抗率);JIS K 6911
(試験電圧 500V) 絶縁破壊試験(絶縁破壊強さ);JIS C 2110 誘電率試験;JIS L 1094 B法に準拠 誘電正接;ASTM D150に準拠
Insulation resistance test (volume resistivity); JIS K 6911
(Test voltage 500V) Dielectric breakdown test (dielectric strength); JIS C 2110 dielectric constant test; compliant with JIS L 1094 B method Dielectric loss tangent; compliant with ASTM D150

【0141】アイゾット衝撃強度(ノッチ付き)(表
中、アイゾットと記した。また単位はkg・cm/cm
2である。);JIS K7110 金属との接着性;試験片にアルミを真空蒸着した後、布
で軽くこすった際の薄膜の接着性を調べた。
Izod impact strength (notched) (Izod in the table. The unit is kg · cm / cm.
2 ); JIS K7110 Adhesion to metal; Aluminum was vacuum-deposited on a test piece, and the adhesiveness of the thin film when rubbed lightly with a cloth was examined.

【0142】吸水率;ASTM D570 に準拠 架橋度;粉砕した樹脂1gをキシレン70ml中に入
れ、環流しながら120℃に加熱し、10分間攪拌し
た。その後、樹脂の溶解性を観察した。
Water absorption: according to ASTM D570 Degree of crosslinking: 1 g of the crushed resin was placed in 70 ml of xylene, heated to 120 ° C. while refluxing, and stirred for 10 minutes. Thereafter, the solubility of the resin was observed.

【0143】成形性;射出成形機にてアイゾット衝撃試
験片を作成したときの成形性と、プレス機での成形性、
および押出成形でフィルムをを作成したときの成形性に
ついて評価した。
Moldability: The moldability when preparing an Izod impact test specimen with an injection molding machine, the moldability with a press machine,
And the moldability when the film was formed by extrusion molding was evaluated.

【0144】各試験の結果、体積抵抗率:3.1×10
16(Ω・cm)、絶縁破壊強さ:22(kV/mm)、誘電
率:1GHzで2.27、2GHzで2.30、5GHzで
2.30、10GHzで2.26、誘電正接:1GHzで
0.84×10-3、2GHzで0.52×10-3、5GHz
で0.49×10-3、10GHzで0.48×10-3、ア
イゾット衝撃値:9(Kg・cm/cm2)、金属との接着性:
良好、吸水率:0.03%以下、成形性:良好、架橋度
(溶解性):膨潤であった。
As a result of each test, volume resistivity: 3.1 × 10
16 (Ωcm), dielectric breakdown strength: 22 (kV / mm), dielectric constant: 2.27 at 2 GHz, 2.30 at 2 GHz, 2.30 at 5 GHz, 2.26 at 10 GHz, dielectric loss tangent: 1 GHz 0.84 × 10 -3 at 2 GHz, 0.52 × 10 -3 at 5 GHz
0.49 × 10 −3 at 10 GHz, 0.48 × 10 −3 at 10 GHz, Izod impact value: 9 (Kg · cm / cm 2 ), adhesion to metal:
Good, water absorption: 0.03% or less, moldability: good, degree of crosslinking (solubility): swelling.

【0145】上記グラフト共重合体(A)とセラミック
ス誘電体材料を定量フィーダーを用いて、シリンダー温
度230℃に設定されたスクリュー径30mmの同軸方向
二軸押出機(池貝鉄鋼(株)製、PCM30二軸押出
機)に供給して溶融混練し、複合誘電体材料組成物を得
た。この複合誘電体材料組成物を灰化法によって分析し
たところ、樹脂とセラミックスの重量割合は15/85
であった(仕込み量とでき上がり分析量同じ)。
The graft copolymer (A) and the ceramic dielectric material were quantitatively fed to a coaxial twin-screw extruder having a screw diameter of 30 mm and a screw diameter of 30 mm (PCM30, manufactured by Ikegai Iron & Steel Co., Ltd.) at a cylinder temperature of 230 ° C. (A twin screw extruder) and melt-kneaded to obtain a composite dielectric material composition. When this composite dielectric material composition was analyzed by the ashing method, the weight ratio of the resin and the ceramic was 15/85.
(The same as the preparation amount and the finished analysis amount).

【0146】セラミックス誘電体材料としてはチタン−
バリウム−ネオジウム系のセラミックス(平均粒子径1
20μm :焼成温度1350℃)を用いた。
As the ceramic dielectric material, titanium-
Barium-neodymium ceramics (average particle size 1
20 μm: firing temperature 1350 ° C.).

【0147】この複合誘電体材料組成物を熱プレス成型
機(上島機械(株)製)により220℃、300Kg/cm2
で熱プレス成形した後切削加工して、1mm×1mm×10
0mmのサンプルを得た。このサンプルに対し、摂動法に
より、1GHz、2GHz、5GHzでの比誘電率εと
誘電正接(tanδ)とを測定し、Q値を求めた。また、
半田耐熱性を以下のようにして調べた。
This composite dielectric material composition was heated at 220 ° C. and 300 kg / cm 2 using a hot press molding machine (manufactured by Kamishima Kikai Co., Ltd.).
After hot press forming with 1mm x 1mm x 10
A 0 mm sample was obtained. The relative permittivity ε and the dielectric loss tangent (tan δ) at 1 GHz, 2 GHz, and 5 GHz of the sample were measured by a perturbation method, and the Q value was determined. Also,
Solder heat resistance was examined as follows.

【0148】半田耐熱性;200℃、230℃に加熱し
た半田中に2分間試験片を浸漬し、変形の度合いを観察
した。
Solder heat resistance: The test piece was immersed in solder heated to 200 ° C. and 230 ° C. for 2 minutes, and the degree of deformation was observed.

【0149】その結果、誘電率:1GHzで10.4、2
GHzで10.6、5GHzで11.4、誘電正接:1GHz
で2.10×10-3、2GHzで2.07×10-3、5G
Hzで2.03×10-3、ハンダ耐熱性:200℃:変形
なし、230℃:変形なし、であった。
As a result, the dielectric constant was 10.4 and 2 at 1 GHz.
10.6 at GHz, 11.4 at 5 GHz, dielectric loss tangent: 1 GHz
2.10 × 10 -3 at 2.0 GHz and 2.07 × 10 -3 at 5 GHz
Hz: 2.03 × 10 −3 , solder heat resistance: 200 ° C .: no deformation, 230 ° C .: no deformation.

【0150】<実施例>複合誘電体材料組成物を、大き
さ、縦:150mm、横:100mm、厚さ:0.5mmのシ
ート状フィルムに加工した。この複合誘電体材料組成物
を用い、これを導電体層として厚さ18μm の銅フィル
ムを貼り付けた後、所定の形状にパターニングし、積層
し、切断して図1に示すようなフィルタを形成した。さ
らに得られたフィルタの外形は、縦:3.2〜2.5m
m、横:3.2〜4.5mm、高さ:1.5〜2mmであっ
た。このフィルタ素体に図2に示すような電極を無電解
Cuメッキ法により下地形成し、さらに電解Cuメッキ
法にて電極を形成し、フィルタ素子とした。
<Example> The composite dielectric material composition was processed into a sheet-like film having a size of 150 mm in length, 100 mm in width and 100 mm in thickness. Using this composite dielectric material composition, a copper film having a thickness of 18 μm is attached as a conductor layer, patterned into a predetermined shape, laminated, and cut to form a filter as shown in FIG. did. Further, the outer shape of the obtained filter is 3.2 to 2.5 m in length.
m, width: 3.2 to 4.5 mm, height: 1.5 to 2 mm. An electrode as shown in FIG. 2 was formed on this filter body by an electroless Cu plating method, and an electrode was further formed by an electrolytic Cu plating method to obtain a filter element.

【0151】得られたフィルタ素子の1〜3GHzにおけ
る通過特性、および反射特性を測定した。結果を図4に
示す。なお、通過特性における各測定点の値は次の通り
である。1:周波数=1.894GHz、通過特性=−
0.7847dB、2:周波数=1.92GHz、通過特性
=−0.81747dB、3:周波数=1.68GHz、通
過特性=−9.2876dB、4:周波数=1.415G
Hz、通過特性=−43.354dB、5:周波数=2.1
4GHz、通過特性=−19.316dB。図4から明らか
なように、本発明のフィルタ素子は、従来のセラミック
を用いたフィルタ素子とほぼ同等の性能が得られている
ことがわかる。
The pass characteristics and the reflection characteristics at 1 to 3 GHz of the obtained filter element were measured. FIG. 4 shows the results. In addition, the value of each measurement point in the passage characteristic is as follows. 1: frequency = 1.894 GHz, pass characteristic = −
0.7847 dB, 2: frequency = 1.92 GHz, pass characteristic = −0.81747 dB, 3: frequency = 1.68 GHz, pass characteristic = −9.2876 dB, 4: frequency = 1.415 G
Hz, pass characteristic = -43.354 dB, 5: frequency = 2.1
4 GHz, pass characteristic = -19.316 dB. As is clear from FIG. 4, the filter element of the present invention has almost the same performance as a filter element using a conventional ceramic.

【0152】上記実施例において、使用した複合誘電体
材料組成物の樹脂を上記合成例の樹脂に代えて、上記の
他の樹脂を用いたところほぼ同様の結果が得られた。な
お、フマレート系の樹脂よりも、グラフト重合体系の樹
脂を用いることでより良好な結果が得られた。また、高
周波セラミックス誘電体材料を、同様にして上記他の例
示セラミックスの代えても同様であった。
In the above Examples, when the above-mentioned other resin was used in place of the resin of the above-mentioned Synthesis Example in place of the resin of the composite dielectric material composition used, almost the same results were obtained. In addition, better results were obtained by using a graft polymer-based resin than a fumarate-based resin. Further, the same was true even when the high frequency ceramic dielectric material was similarly replaced with the above-mentioned other example ceramics.

【0153】[0153]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、積層時に
層間のズレを生じることなく、印刷回数も少なくて済
み、焼成時等の縮みを生じることなく、基板内部のパタ
ーンの形状、厚み、間隔、分割後の個品の内部パターン
の位置等に歪みを生じるのを防止でき、バリ等を生じる
こともなく、製造時の分割効率がよく、製品の歩留ま
り、コストに優れ、性能がセラミックスなみの高周波多
層積層部品を実現することができる。
As described above, according to the present invention, no misalignment occurs between layers at the time of lamination, the number of times of printing is reduced, and the shape and thickness of the pattern inside the substrate are prevented without shrinkage during firing or the like. , Spacing, the position of the internal pattern of the individual product after division, etc. can be prevented from occurring, without burr, etc., the division efficiency at the time of manufacture is good, the product yield, cost is excellent, and the performance is ceramic. A normal high-frequency multilayer laminated component can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の高周波多層積層部品の具体例を示した
フィルタの分解斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view of a filter showing a specific example of a high-frequency multilayer component of the present invention.

【図2】図1の組立図である。FIG. 2 is an assembly view of FIG.

【図3】図1および図2のフィルタの等価回路図であ
る。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the filters of FIGS. 1 and 2;

【図4】実施例で作製した、図1および図2の構造を有
するフィルタの1〜3GHzにおける通過特性と反射特性
を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing pass characteristics and reflection characteristics at 1 to 3 GHz of filters having the structures shown in FIGS. 1 and 2 manufactured in the example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フィルタ 11 入力端子 12 アース端子 101〜118 誘電体層 201〜218 導電体層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Filter 11 Input terminal 12 Earth terminal 101-118 Dielectric layer 201-218 Conductive layer

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 大面積の積層体からチップ化されて得ら
れ、 誘電体層と、導電体層とを有する多層構造の高周波多層
積層部品であって、 前記誘電体層は、重量平均絶対分子量1000以上の樹
脂の1種または2種以上で構成される樹脂組成物であっ
て、その組成物の炭素原子と水素原子の原子数の和が9
9%以上であり、かつ樹脂分子間の一部またはすべてが
相互に化学的結合を有する耐熱性低誘電性高分子材料
と、セラミックス誘電体材料とを含有する複合誘電体材
料組成物により形成されている高周波多層積層部品。
1. A high-frequency multilayer laminated component having a multilayer structure, which is obtained by forming a chip from a large-area laminate and has a dielectric layer and a conductive layer, wherein the dielectric layer has a weight average absolute molecular weight. A resin composition comprising one or more of 1,000 or more resins, wherein the total number of carbon atoms and hydrogen atoms in the composition is 9
A composite dielectric material composition comprising a heat-resistant low-dielectric polymer material having 9% or more and having some or all of the resin molecules chemically bonded to each other, and a ceramic dielectric material; Have high frequency multilayer parts.
【請求項2】 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、その
化学的結合が架橋、ブロック重合およびグラフト重合か
ら選ばれる1種以上である請求項1の高周波多層積層部
品。
2. The high-frequency multilayer component according to claim 1, wherein the heat-resistant low-dielectric polymer material has at least one chemical bond selected from cross-linking, block polymerization and graft polymerization.
【請求項3】 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、非極
性α−オレフィン系重合体セグメントおよび/または非
極性共役ジエン系重合体セグメントとビニル芳香族系重
合体セグメントとが化学的結合をした共重合体であっ
て、一方のセグメントにより形成された分散相が他方の
セグメントより形成された連続相中に微細に分散してい
る多相構造を示す熱可塑性樹脂である請求項1または2
の高周波多層積層部品。
3. The heat-resistant low-dielectric polymer material according to claim 1, wherein the non-polar α-olefin polymer segment and / or the non-polar conjugated diene polymer segment and the vinyl aromatic polymer segment form a chemical bond. 3. A thermoplastic resin having a multi-phase structure in which a dispersed phase formed by one segment is finely dispersed in a continuous phase formed by the other segment.
High frequency multilayer parts.
【請求項4】 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、非極
性α−オレフィン系重合体セグメントとビニル芳香族系
重合体セグメントとが化学的結合をした共重合体である
請求項3の高周波多層積層部品。
4. The high-frequency high frequency material according to claim 3, wherein the heat-resistant low-dielectric polymer material is a copolymer in which a nonpolar α-olefin polymer segment and a vinyl aromatic polymer segment are chemically bonded. Multi-layer laminated parts.
【請求項5】 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、ビニ
ル芳香族系重合体セグメントがジビニルベンゼンの単量
体を含むビニル芳香族系共重合体セグメントである請求
項3または4の高周波多層積層部品。
5. The high-frequency multilayer according to claim 3, wherein the heat-resistant low-dielectric polymer material has a vinyl aromatic polymer segment that is a vinyl aromatic copolymer segment containing a divinylbenzene monomer. Laminated parts.
【請求項6】 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、非極
性α−オレフィン系重合体セグメントおよび/または非
極性共役ジエン系重合体セグメントとビニル芳香族系重
合体セグメントとが化学的結合をした共重合体が、グラ
フト重合により化学的に結合した共重合体である請求項
4または5の高周波多層積層部品。
6. The heat-resistant low-dielectric polymer material is characterized in that a non-polar α-olefin polymer segment and / or a non-polar conjugated diene polymer segment and a vinyl aromatic polymer segment form a chemical bond. The high-frequency multilayer laminate component according to claim 4 or 5, wherein the copolymer obtained is a copolymer chemically bonded by graft polymerization.
【請求項7】 前記耐熱性低誘電性高分子材料は、さら
に4−メチルペンテン−1の単量体を含む非極性α−オ
レフィン系重合体を含有する請求項1〜6のいずれかの
高周波多層積層部品。
7. The high-frequency wave according to claim 1, wherein the heat-resistant low-dielectric polymer material further contains a non-polar α-olefin polymer containing a monomer of 4-methylpentene-1. Multi-layer laminated parts.
【請求項8】 大面積の積層体からチップ化されて得ら
れ、 誘電体層と、導電体層とを有する多層構造の高周波多層
積層部品であって、前記誘電体層は、単量体として少な
くともフマル酸ジエステルを含む単量体組成物を重合し
て得られた誘電性高分子材料と、セラミックス誘電体材
料とを含有する複合誘電体材料組成物により形成されて
いる高周波多層積層部品。
8. A high-frequency multilayer laminate component having a multilayer structure, which is obtained by forming a chip from a large-area laminate and has a dielectric layer and a conductor layer, wherein the dielectric layer is a monomer. A high-frequency multilayer component formed by a composite dielectric material composition containing a dielectric polymer material obtained by polymerizing a monomer composition containing at least a fumaric acid diester and a ceramic dielectric material.
【請求項9】 前記フマル酸ジエステルは、下記式
(I)で表される請求項1〜8のいずれかの高周波多層
積層部品。 【化1】 [式(I)において、R1 はアルキル基またはシクロア
ルキル基を表し、R2 はアルキル基、シクロアルキル基
またはアリール基を表し、R1 およびR2 は同一でも異
なるものであってもよい。]
9. The high-frequency multilayer component according to claim 1, wherein the fumaric acid diester is represented by the following formula (I). Embedded image [In the formula (I), R 1 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and R 1 and R 2 may be the same or different. ]
【請求項10】 前記単量体組成物は、さらに下記式
(II)で表されるビニル系単量体を含む請求項1〜9の
いずれかの高周波多層積層部品。 【化2】 [式(II)において、Xは水素原子またはメチル基を表
し、Yはフッ素原子、塩素原子、アルキル基、アルケニ
ル基、アリール基、エーテル基、アシル基またはエステ
ル基を表す。]
10. The multilayer high-frequency component according to claim 1, wherein the monomer composition further contains a vinyl monomer represented by the following formula (II). Embedded image [In the formula (II), X represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y represents a fluorine atom, a chlorine atom, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an ether group, an acyl group, or an ester group. ]
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