JPH11122033A - Antenna system - Google Patents

Antenna system

Info

Publication number
JPH11122033A
JPH11122033A JP9277852A JP27785297A JPH11122033A JP H11122033 A JPH11122033 A JP H11122033A JP 9277852 A JP9277852 A JP 9277852A JP 27785297 A JP27785297 A JP 27785297A JP H11122033 A JPH11122033 A JP H11122033A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antenna device
antenna
dielectric substrate
antenna element
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9277852A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiko Hayashi
克彦 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP9277852A priority Critical patent/JPH11122033A/en
Publication of JPH11122033A publication Critical patent/JPH11122033A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Details Of Aerials (AREA)
  • Support Of Aerials (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To incorporate an antenna system in a portable telephone set housing and to adapt it to plural communication systems by providing antenna element patterns which radiate and receive electromagnetic waves of plural frequency bands on the main surface of a dielectric substrate made of only a low-dielectric constant material. SOLUTION: On the main surface of the dielectric substrate 101, the plural antenna element patterns 110 and 120 are formed which radiate and receive electromagnetic waves of plural frequency bands. A ground conductor 130 is provided almost on substantially the all entire surface opposite from the surface where the antenna element patterns are formed and a shield function for an internal circuit is provided to make the device small-sized. The plural antenna elements 110 and 120 have independent feed parts 111 and 121 and execute input and output signals, so that a high frequency circuit part of each system can be connected by a method similar to a single communication system. The feed parts 111 and 121 can be provided with dedicated filters as patterns and signal removing performance for bands other than the required bands can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の携帯
無線機器の高周波回路部において利用可能なアンテナ装
置に関し、例えば、携帯電話機筐体内に内蔵可能で且つ
複数通信システムに対応可能なアンテナ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antenna device that can be used in a high-frequency circuit section of a portable wireless device such as a portable telephone, and for example, an antenna device that can be built in a portable telephone housing and can support a plurality of communication systems. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年複数の通信システムを使用可能な携
帯電話が多数開発されている。その構成は例えば900
/800MHz帯の通信システムと1.5GHz帯の通
信システムを一体の携帯電話機で通話可能としたシステ
ム(デュアルシステム)である。
2. Description of the Related Art In recent years, a large number of portable telephones which can use a plurality of communication systems have been developed. Its configuration is, for example, 900
This is a system (dual system) in which a / 800 MHz band communication system and a 1.5 GHz band communication system can communicate with an integrated mobile phone.

【0003】デュアルシステムは、単なる周波数の異な
るシステム同士の組み合わせに止まらずアナログシステ
ムとデジタルシステム、デジタルシステムとデジタルシ
ステム、大電力システムと小電力システム(いずれもそ
れぞれ使用する周波数帯域も異なっている。)と言った
様々な通信システムの組み合わせの検討がなされてい
る。
[0003] The dual system is not limited to a combination of systems having different frequencies, but analog systems and digital systems, digital systems and digital systems, large power systems and small power systems (each uses a different frequency band. ) Are being studied.

【0004】従来の上記のような携帯電話機では複数の
通信システムに対応させるために、例えば図10に示す
ような分波フィルタを使用する方法や、図11に示すよ
うにスイッチを使用する方法が用いられていた。
[0004] In order to cope with a plurality of communication systems in the above-mentioned conventional mobile telephone, for example, a method using a demultiplexing filter as shown in FIG. 10 and a method using a switch as shown in FIG. Was used.

【0005】分波フィルタを使用する方法では、図10
に示すように、例えば2つの通信システム61、62が
使用される場合、一方のシステム61の送信周波数帯域
f1、受信周波数帯域f2及び、システム62の送信周
波数帯域f3、受信周波数帯域f4の周波数帯を使用す
ることになるが、分波フィルタ10によりアンテナ1で
の共用を可能としていた。
In the method using a demultiplexing filter, FIG.
For example, when two communication systems 61 and 62 are used, the transmission frequency band f1 and the reception frequency band f2 of one system 61 and the frequency band of the transmission frequency band f3 and the reception frequency band f4 of the system 62 are used. However, the demultiplexing filter 10 enables the antenna 1 to be shared.

【0006】但し、システム61及び、システム62内
にはそれぞれ共用器(送受信信号を分離する装置、例え
ばデュプレクサ)11、12を有している。その状況を
図10により説明すると、システム61では送信部1
3、受信部14は共用器11にそれぞれノード17、1
8で接続しそれぞれの周波数帯域f1、f2の信号が矢
印の方法に流れる。前記共用器11は次に分波フィルタ
10にノード23により接続し、前記周波数帯域f1の
信号を出力し、周波数帯域f2の信号を入力させる。シ
ステム62でも同様に送信部15、受信部16は共用器
12にそれぞれノード19、20で接続しそれぞれの周
波数帯域f3、f4の信号が矢印の方法に流れる。前記
共用器12は次に分配器10にノード24により接続
し、前記周波数帯域f3の信号を出力し、周波数帯域f
4の信号を入力させる。前記システム61及びシステム
62の入出力が接続する分波フィルタ10はアンテナ1
とノード25で接続し、アンテナ1に送信周波数帯域f
1、f3の信号を出力し、受信周波数帯域f2、f4の
信号を入力をする。以上により、アンテナ1により2つ
の通信システムを共用させることが可能である。
However, the system 61 and the system 62 have duplexers (devices for separating transmission and reception signals, for example, duplexers) 11 and 12 respectively. The situation will be described with reference to FIG.
3. The receiving unit 14 has nodes 17 and 1
8 and the signals of the respective frequency bands f1 and f2 flow in the manner indicated by the arrows. Next, the duplexer 11 is connected to the demultiplexing filter 10 by the node 23, outputs the signal of the frequency band f1, and inputs the signal of the frequency band f2. Similarly, in the system 62, the transmitting unit 15 and the receiving unit 16 are connected to the duplexer 12 at the nodes 19 and 20, respectively, and the signals of the respective frequency bands f3 and f4 flow in the manner indicated by the arrows. The duplexer 12 is then connected to the distributor 10 by a node 24 and outputs a signal of the frequency band f3,
4 is input. The demultiplexing filter 10 connected to the input and output of the system 61 and the system 62 is an antenna 1
And the node 25, and the transmission frequency band f
1 and f3 are output, and signals in the reception frequency bands f2 and f4 are input. As described above, two communication systems can be shared by the antenna 1.

【0007】尚、前記分波フィルタ10は通常ハイパス
フィルタとローパスフィルタの組み合わせにより構成さ
れており、システム61及び、システム62が接続する
ポート間には相互の信号の漏洩等を防止するためのアイ
ソレーション特性を持たせている。
[0007] The demultiplexing filter 10 is usually constituted by a combination of a high-pass filter and a low-pass filter, and an isolator for preventing mutual signal leakage or the like is provided between ports connected to the system 61 and the system 62. It has the characteristic of ration.

【0008】一方、図11は、前述した分波フィルタ1
0があった部分をスイッチ5に置き換えたものであり、
回路構成は分波フィルタ10を用いた場合と同一であ
る。但し、スイッチを使用した場合は、分波フィルタを
使った場合に比べ、システム61とシステム62の動作
は間欠動作となる。そのため、スイッチ5を使用した場
合は、間欠動作を行うデジタルシステムに限られた方式
となる。
On the other hand, FIG. 11 shows the demultiplexing filter 1 described above.
The part where 0 is present is replaced with switch 5.
The circuit configuration is the same as when the demultiplexing filter 10 is used. However, when the switch is used, the operation of the system 61 and the system 62 is an intermittent operation as compared with the case where the demultiplexing filter is used. Therefore, when the switch 5 is used, the system is limited to a digital system that performs an intermittent operation.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記の様な従来のもの
には次の様な課題があった。上記従来例の方式はいずれ
もアンテナ装置を1個にしてそれを共用して複数のシス
テムの周波数帯で使用しているが、1個のアンテナ1が
前記した複数の帯域をカバーする程の広帯域に対して放
射効率を最適化(高効率化)させることは困難であっ
た。
The above-mentioned prior art has the following problems. In each of the above-mentioned conventional examples, one antenna device is used and shared and used in the frequency bands of a plurality of systems. However, a wide band enough for one antenna 1 to cover the above-mentioned plurality of bands. It was difficult to optimize the radiation efficiency (increase the efficiency).

【0010】また、上記した構成で使用されるアンテナ
装置は棒状のロッドアンテナが一般的に使用されるが、
例えば特開平9−93016号に示される携帯電話機の
筐体内に内蔵可能なセラミック誘電体を使用したチップ
アンテナ等は対応する帯域が狭いため使用することは不
可能である。特にチップアンテナの場合小型化すればす
るほどアンテナ装置の放射効率が最適な帯域は狭くなっ
ていく傾向があるからである。
[0010] In addition, a rod-shaped rod antenna is generally used as the antenna device used in the above configuration.
For example, it is impossible to use a chip antenna or the like using a ceramic dielectric that can be built in the housing of a mobile phone disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-93016 because the corresponding band is narrow. In particular, in the case of a chip antenna, the smaller the size is, the smaller the band in which the radiation efficiency of the antenna device is optimal tends to be.

【0011】従って、複数の通信システムを使用する携
帯電話機でアンテナを携帯電話機の筐体内に内蔵するこ
とは困難であった。
Therefore, it has been difficult to incorporate an antenna into the housing of a mobile phone using a plurality of communication systems.

【0012】本発明は、これらの不都合に鑑みて創案さ
れたものであり、携帯電話機筐体内に内蔵可能で且つ複
数通信システムに対応可能なアンテナ装置を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in view of these disadvantages, and it is an object of the present invention to provide an antenna device that can be built in a housing of a mobile phone and can support a plurality of communication systems.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、次の様に構成したものである。
Means for Solving the Problems The present invention has the following configuration to achieve the above object.

【0014】請求項1のアンテナ装置は、誘電体基板の
主表面に、複数の周波数帯の電磁波の放射乃至は受信す
る複数のアンテナ素子パターンを設けたものである。
In the antenna device according to the first aspect, a plurality of antenna element patterns for radiating or receiving electromagnetic waves in a plurality of frequency bands are provided on a main surface of a dielectric substrate.

【0015】請求項2のアンテナ装置は、前記アンテナ
装置の誘電体基板のアンテナ素子パターンが形成された
面とは反対側の面の略全面に接地導体を設けたものであ
る。
According to a second aspect of the present invention, the ground conductor is provided on substantially the entire surface of the dielectric substrate of the antenna device opposite to the surface on which the antenna element pattern is formed.

【0016】請求項3のアンテナ装置は、前記複数のア
ンテナ素子パターンがそれぞれ独立した給電部を有し、
前記複数の給電部より信号の入出力を行うものである。
According to a third aspect of the present invention, in the antenna device, the plurality of antenna element patterns have independent feed portions, respectively.
Signals are input and output from the plurality of power supply units.

【0017】請求項4のアンテナ装置は、前記複数のア
ンテナ素子パターンの各給電部に各周波数帯を通過させ
るためのフィルタを前記アンテナ装置を構成する誘電体
基板上に設けて前記フィルタを介して信号の入出力を行
うものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an antenna device, wherein a filter for passing each frequency band to each feeder of the plurality of antenna element patterns is provided on a dielectric substrate constituting the antenna device, and the filter is provided through the filter. It is used to input and output signals.

【0018】請求項5のアンテナ装置は、前記フィルタ
が前記アンテナ装置を構成する誘電体基板上にパターン
として形成されているものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the antenna device, the filter is formed as a pattern on a dielectric substrate constituting the antenna device.

【0019】請求項6のアンテナ装置は、前記複数のア
ンテナ素子パターンのそれぞれの給電部に各周波数帯域
の信号を通過させるためのインピーダンス調整部を前記
アンテナ装置を構成する誘電体基板上に設けて、前記イ
ンピーダンス調整部を介して1個の信号入出力部に接続
するものである。
According to a sixth aspect of the present invention, in the antenna device, an impedance adjuster for passing signals in each frequency band is provided on a feeder of each of the plurality of antenna element patterns on a dielectric substrate constituting the antenna. And one signal input / output unit via the impedance adjustment unit.

【0020】請求項7のアンテナ装置は、前記インピー
ダンス調整部が前記アンテナ装置を構成する誘電体基板
上にパターンとして形成されているものである。
According to a seventh aspect of the present invention, in the antenna device, the impedance adjusting section is formed as a pattern on a dielectric substrate constituting the antenna device.

【0021】請求項8のアンテナ装置は、前記複数の電
磁波放射パターンの内低周波側の放射用電極パターンの
巾を高周波側の放射用電極パターンに比べ巾広にしたも
のである。
According to an eighth aspect of the present invention, the width of the radiation electrode pattern on the low frequency side of the plurality of electromagnetic wave radiation patterns is wider than that of the radiation electrode pattern on the high frequency side.

【0022】請求項9のアンテナ装置は、前記アンテナ
装置が無線装置等の高周波回路部に設けられるシールド
筐体の天板部の一部または全体を構成するものである。
According to a ninth aspect of the present invention, the antenna device forms a part or the whole of a top plate portion of a shield housing provided in a high-frequency circuit unit such as a wireless device.

【0023】請求項10のアンテナ装置は、前記アンテ
ナ装置を構成する誘電体基板の比誘電率を5以下とした
ものである。
According to a tenth aspect of the present invention, the dielectric substrate constituting the antenna device has a relative permittivity of 5 or less.

【0024】請求項11のアンテナ装置は、前記誘電体
基板の基板材料を、樹脂材料のみからなる低誘電率材料
により構成したものである。
According to an eleventh aspect of the present invention, the substrate material of the dielectric substrate is made of a low dielectric constant material made of only a resin material.

【0025】(1)本発明において、前記請求項1〜3
の誘電体基板の基板材料は重量平均絶対分子量1000
以上、1000万以下の樹脂の1種または2種以上から
なる樹脂組成物であって、その組成物の炭素原子と水素
原子の原子数の和が99%以上であり、かつ樹脂分子間
の一部またはすべてが相互に化学的結合を有する耐熱性
低誘電性高分子材料を使用することが、前記低い誘電率
の誘電体基板を得る意味において好ましい。
(1) In the present invention, the above-mentioned claims 1 to 3
The substrate material of the dielectric substrate is weight average absolute molecular weight 1000
A resin composition comprising one or more resins of 10,000,000 or less, wherein the sum of the number of carbon atoms and hydrogen atoms of the composition is 99% or more, and one It is preferable to use a heat-resistant low-dielectric polymer material in which parts or all have a chemical bond with each other, from the viewpoint of obtaining the dielectric substrate having a low dielectric constant.

【0026】(2)また、前記(1)の該誘電体材料
が、前記分子量等を持つ上、耐熱性低誘電性高分子材料
であって、化学的結合が、架橋、ブロック重合およびグ
ラフト重合から選ばれる1種以上である耐熱性低誘電性
高分子材料を使用することが、高い強度を得、かつ天板
の取付けを半田付けにより行う場合において、熱による
軟化を避ける意味において好ましい。
(2) The dielectric material according to (1), which has the above-mentioned molecular weight and the like, and is a heat-resistant low-dielectric polymer material, wherein the chemical bond is cross-linked, block-polymerized, or graft-polymerized. It is preferable to use a heat-resistant low-dielectric polymer material that is at least one member selected from the group consisting of obtaining high strength and avoiding softening due to heat when mounting the top plate by soldering.

【0027】(3)また、前記(1)、(2)の誘電体
材料が、前記分子量等と架橋構造等を有する上、樹脂組
成物が、非極性α−オレフィン系重合体セグメントおよ
び/または非極性共役ジエン系重合体セグメントとビニ
ル芳香族系重合体セグメントとが化学的結合をした共重
合体であって、一方のセグメントにより形成された分散
相が他方のセグメントより形成された連続相中に微細に
分散している多相構造を示す熱可塑性樹脂である耐熱性
低誘電性高分子材料からなることが、強度、耐熱性の面
において好ましい。
(3) The dielectric material of (1) or (2) has the molecular weight and the cross-linked structure, and the resin composition has a non-polar α-olefin polymer segment and / or A non-polar conjugated diene-based polymer segment and a vinyl aromatic-based polymer segment are chemically bonded copolymers, and a dispersed phase formed by one segment is a continuous phase formed by the other segment. It is preferable from the viewpoints of strength and heat resistance that it is made of a heat-resistant low-dielectric polymer material that is a thermoplastic resin exhibiting a multiphase structure that is finely dispersed.

【0028】(4)また、前記(3)の誘電体材料が、
非極性α−オレフィン系重合体セグメントとビニル芳香
族系重合体セグメントとが化学的結合をした共重合体で
ある耐熱性低誘電性高分子材料からなることが好まし
い。
(4) The dielectric material of (3) is:
It is preferable that the non-polar α-olefin polymer segment and the vinyl aromatic polymer segment are made of a heat-resistant low-dielectric polymer material which is a copolymer in which a chemical bond is formed.

【0029】(5)また、前記(3)、(4)の誘電体
材料が、ビニル芳香族系重合体セグメントがジビニルベ
ンゼンの単量体を含むビニル芳香族系共重合体セグメン
トである耐熱性低誘電性高分子材料からなることが好ま
しい。
(5) The heat-resistant material according to (3) or (4), wherein the vinyl aromatic polymer segment is a vinyl aromatic copolymer segment containing a divinylbenzene monomer. It is preferable to be made of a low dielectric polymer material.

【0030】(6)また、前記(4)、(5)の誘電体
材料が、グラフト重合により化学的に結合した共重合体
である耐熱性低誘電性高分子材料からなることが好まし
い。
(6) Preferably, the dielectric material of (4) or (5) is made of a heat-resistant low-dielectric polymer material which is a copolymer chemically bonded by graft polymerization.

【0031】(7)また、前記(1)〜(6)の誘電体
材料が、樹脂組成物に4−メチルペンテン−1の単量体
を含む非極性α−オレフィン系重合体を加えた耐熱性低
誘電性高分子材料からなることが好ましい。
(7) The above-mentioned dielectric materials (1) to (6) are obtained by adding a non-polar α-olefin polymer containing a monomer of 4-methylpentene-1 to a resin composition. It is preferred to be made of a conductive low dielectric polymer material.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】図6(A)、(B)はそれぞれ携
帯電話機のマザーボード41の高周波回路部45を覆う
シールド筐体42の天板部をアンテナ装置100として
用いた本発明の実施例を示す斜視図と断面図である。
6 (A) and 6 (B) show an embodiment of the present invention in which a top plate portion of a shield case 42 which covers a high frequency circuit portion 45 of a motherboard 41 of a portable telephone is used as an antenna device 100. It is a perspective view and a sectional view showing

【0033】本発明に係るアンテナ装置100は、誘電
体基板101上の一方の面に複数の通信システムが使用
する各周波数帯に対応する複数のアンテナ素子パターン
110、120を形成し、前記誘電体基板101の他方
の面は略全面に接地導体130を形成して一体の平面型
のアンテナ装置100とし、その前記アンテナ装置10
0を携帯電話機の筐体内に内蔵させるために、前記アン
テナ装置の接地導体130が構成された面で携帯電話機
を構成する高周波回路部45に形成されるシールド筐体
42の天板部の全体乃至一部として構成している。
In the antenna device 100 according to the present invention, a plurality of antenna element patterns 110 and 120 corresponding to respective frequency bands used by a plurality of communication systems are formed on one surface of a dielectric substrate 101. A ground conductor 130 is formed on substantially the entire other surface of the substrate 101 to form an integrated planar antenna device 100.
In order for the antenna device to be built in the housing of the mobile phone, the entire top plate of the shield housing 42 formed on the high-frequency circuit 45 forming the mobile phone on the surface where the ground conductor 130 of the antenna device is formed It is configured as a part.

【0034】上記構成により、携帯電話機筐体内へのア
ンテナ装置100の内蔵を可能とし、且つ複数通信シス
テムにも対応することを可能としている。
With the above configuration, it is possible to incorporate the antenna device 100 into the housing of the portable telephone and to cope with a plurality of communication systems.

【0035】本発明に係るアンテナ装置100の誘電体
基板101上に形成された複数のアンテナ素子パターン
110、120は、それぞれのアンテナ素子パターン1
10、120は個々の通信システムの送信或いは受信す
る周波数帯に対し放射効率を最適化するように調整する
ことができるため、従来例に示したように1本のアンテ
ナを複数のシステムの帯域で使用する場合に比べ信号
(電波)のエネルギーのロスを少なくして効率的な送受
信可能が可能となる。
The plurality of antenna element patterns 110 and 120 formed on the dielectric substrate 101 of the antenna device 100 according to the present invention
Since the antennas 10 and 120 can be adjusted so as to optimize the radiation efficiency with respect to the transmission or reception frequency band of each communication system, one antenna can be used in a plurality of system bands as shown in the conventional example. As compared with the case of using, the loss of the energy of the signal (radio wave) can be reduced and the transmission and reception can be performed efficiently.

【0036】また、通常のアンテナ装置は放射する電波
の周波数帯により放射パターン(放射する電波の指向
性)は変化する。これは放射される電波の波長と前記ア
ンテナ装置のもつアンテナ素子の寸法及び形状に大きく
依存するからである。従って、周波数が2倍程度異なる
複数の通信システムを一緒にした携帯電話機では扱う周
波数の波長も2倍程度異なるため、同一のアンテナを使
用する場合はその放射パターンも変わってしまう。
In a normal antenna device, the radiation pattern (directivity of the radiated radio wave) changes depending on the frequency band of the radiated radio wave. This is because it largely depends on the wavelength of the radiated radio wave and the size and shape of the antenna element of the antenna device. Therefore, in a mobile phone in which a plurality of communication systems having frequencies different from each other by about two times are combined, the wavelength of the frequency handled is also about two times different, so that when the same antenna is used, its radiation pattern also changes.

【0037】しかし、本発明に係るアンテナ装置100
はそれぞれの周波数帯にアンテナ装置100のアンテナ
素子パターン110、120が調整できるので、放射パ
ターンについても異なる周波数帯域で同一に近い放射パ
ターンを形成することができる。その上、例えば前記し
たチップアンテナ等の小型化されたアンテナに比べ渡来
する電波を受ける面積を大きくできるため、渡来電波に
対するアンテナの受信効率を上げることができる。これ
により、渡来電波に対する携帯電話機の機器の受信感度
を向上させることができる。
However, the antenna device 100 according to the present invention
Since the antenna element patterns 110 and 120 of the antenna device 100 can be adjusted in each frequency band, it is possible to form almost the same radiation pattern in different frequency bands. In addition, since the area for receiving an incoming radio wave can be made larger than that of a miniaturized antenna such as the above-described chip antenna, the reception efficiency of the antenna with respect to the incoming radio wave can be increased. Thereby, it is possible to improve the receiving sensitivity of the portable telephone device to the incoming radio wave.

【0038】一方、複数の周波数帯に対応するアンテナ
素子パターン110、120を誘電体基板101上に導
体パターンで形成した場合、それぞれの通信システムの
周波数帯の信号をそれぞれ対応したアンテナ素子パター
ン110、120に供給する部分となる入出力部が必要
となる。
On the other hand, when the antenna element patterns 110 and 120 corresponding to a plurality of frequency bands are formed as conductor patterns on the dielectric substrate 101, signals in the frequency bands of the respective communication systems are respectively associated with the corresponding antenna element patterns 110 and 120. An input / output unit, which is a part for supplying to the H.120, is required.

【0039】そこで、本発明に係るアンテナ装置では、
第1の実施の態様として図1(図中前記と同じ記号は同
一のものを示す。)に示す構成とした。即ち、アンテナ
装置30は誘電体基板35上に2つの通信システム用に
アンテナ素子パターン31、33をそれぞれ設け、アン
テナ素子パターン31、33のそれぞれの給電部32、
34をそれぞれ独立した入出力端として、各通信システ
ム(システム61及びシステム62)の共用器11、1
2の入出力信号が流れるノード21、22が接続する構
成としている。
Therefore, in the antenna device according to the present invention,
As the first embodiment, the configuration shown in FIG. 1 (the same symbols as those described above in the drawings indicate the same components) is adopted. That is, the antenna device 30 is provided with the antenna element patterns 31 and 33 for two communication systems on the dielectric substrate 35, respectively, and the feeding portions 32 of the antenna element patterns 31 and 33, respectively.
34 are independent input / output terminals, and the duplexers 11, 1 of each communication system (system 61 and system 62) are used.
The configuration is such that nodes 21 and 22 through which two input / output signals flow are connected.

【0040】この方式によれば、本発明のアンテナ装置
の一方の通信システムのアンテナ素子より放射された送
信電波が、他方の通信システムのアンテナ素子により受
信されても、先ず他方のアンテナ素子が有する一方のア
ンテナより放出された信号の周波数帯におけるアンテナ
利得により先ず減衰させられ、次に他方のシステム内に
おける共用器の帯域外減衰特性により更に減衰させられ
るためそれぞれの通信システム外の周波数帯の信号の侵
入を回避させることができる。即ち、相互の通信システ
ム間の信号にアイソレーション特性を持たせることがで
きる。
According to this method, even if the transmission radio wave radiated from the antenna element of one communication system of the antenna device of the present invention is received by the antenna element of the other communication system, the other antenna element first has The signal in the frequency band outside each communication system is first attenuated by the antenna gain in the frequency band of the signal emitted from one antenna and then further attenuated by the out-of-band attenuation characteristic of the duplexer in the other system. Can be avoided. That is, the signal between the mutual communication systems can have isolation characteristics.

【0041】次に、第2の実施の態様では、図2(図中
前記と同じ記号は同一のものを示す。)に示す構成とし
た。即ち、アンテナ装置50は誘電体基板55上に2つ
の通信システム用にアンテナ素子パターン51、53を
それぞれ設け、アンテナ素子パターン51、53のそれ
ぞれの給電部52、54に信号を各アンテナ素子に入出
力するための回路(インピーダンス調整用の回路乃至回
路素子)56、57のそれぞれの一方を接続させ、前記
回路56、57のそれぞれの他方を互いに接続させて1
個の入出力端58としている。
Next, in the second embodiment, the configuration shown in FIG. 2 (the same symbols as those shown in the figures represent the same components) is adopted. That is, in the antenna device 50, the antenna element patterns 51 and 53 are provided on the dielectric substrate 55 for two communication systems, respectively, and a signal is input to each of the feed sections 52 and 54 of the antenna element patterns 51 and 53 to each antenna element. One of the circuits for output (circuits or circuit elements for impedance adjustment) 56 and 57 is connected, and the other of each of the circuits 56 and 57 is connected to one another.
The input / output terminals 58 are provided.

【0042】前記入出力端は分波フィルタ10にノード
25で接続して従来例で示したようにシステム61及び
システム62にそれぞれの送信・受信の信号を供給す
る。
The input / output terminal is connected to the demultiplexing filter 10 at the node 25, and supplies respective transmission / reception signals to the system 61 and the system 62 as shown in the conventional example.

【0043】前述したように本発明に係るアンテナ装置
50を構成する誘電体基板55は、面積がとれる平板で
形成されるため、前記回路56、57を前記誘電体基板
55上に設けることが可能である。扱う周波数にもよる
が、高い周波数帯であれば前記回路56、57を前記誘
電体基板55上にパターンで形成することも可能であ
る。
As described above, since the dielectric substrate 55 constituting the antenna device 50 according to the present invention is formed of a flat plate having a large area, the circuits 56 and 57 can be provided on the dielectric substrate 55. It is. Although depending on the frequency to be handled, the circuits 56 and 57 can be formed in a pattern on the dielectric substrate 55 in a high frequency band.

【0044】一方、一般にアンテナ装置30、50から
空間に効率的に電波を放射させるためにはアンテナ素子
パターン31、33、51、53のインピーダンスは空
間インピーダンスに近づくように設計する必要がある。
そのためある程度高インピーダンスに設計する必要があ
る。
On the other hand, in general, in order to efficiently radiate radio waves from the antenna devices 30 and 50 to the space, it is necessary to design the impedance of the antenna element patterns 31, 33, 51 and 53 so as to approach the spatial impedance.
Therefore, it is necessary to design the impedance to be high to some extent.

【0045】前述の如く本発明に係るアンテナ装置3
0、50は、一方の面を略全面にわたって接地導体が形
成され、また電波を放射するアンテナ素子パターン3
1、33、51、53は前記接地導体が形成された面と
は反対側の面に形成している。
As described above, the antenna device 3 according to the present invention
Reference numerals 0 and 50 denote an antenna element pattern 3 on which a ground conductor is formed over substantially one surface and a radio wave is radiated.
1, 33, 51 and 53 are formed on the surface opposite to the surface on which the ground conductor is formed.

【0046】しかしながら前記構成の場合、前記接地導
体とアンテナ素子パターン31、33、51、53の間
隔、即ちアンテナ装置30、50の基板35、55の厚
みをあまり薄くし過ぎるとアンテナ素子のインピーダン
スが低下してしまう。即ち、アンテナ素子の対接地導体
に対する容量(接地容量)が増大することによる高周波
帯でのインピーダンスの低下が起きる。
However, in the case of the above configuration, if the distance between the ground conductor and the antenna element patterns 31, 33, 51, 53, that is, the thickness of the substrates 35, 55 of the antenna devices 30, 50 is too small, the impedance of the antenna element becomes too small. Will drop. That is, the impedance in the high frequency band decreases due to an increase in the capacitance (ground capacitance) of the antenna element with respect to the ground conductor.

【0047】そのため、本発明に係るアンテナ装置3
0、50は接地導体とアンテナ素子パターンを保持する
基板35、55の比誘電率を5以下とすることが好まし
い。一般に前記のようなパターンのインピーダンスは基
板35、55の材料の誘電率と基板35、55の厚み、
更にアンテナ素子パターンとしての導体パターン31、
33、51、55の巾と厚みにより決まるが、導体パタ
ーン31、33、51、55の幅が50μm以下の細線
化が可能であれば、基板の比誘電率が5以下程度で基板
厚み2mm以下程度で十分電波を放出するに十分なアン
テナ素子パターンのインピーダンスが得られる。
Therefore, the antenna device 3 according to the present invention
For 0 and 50, the relative permittivity of the substrates 35 and 55 holding the ground conductor and the antenna element pattern is preferably 5 or less. In general, the impedance of the pattern as described above depends on the dielectric constant of the material of the substrates 35 and 55, the thickness of the substrates 35 and 55,
Further, a conductor pattern 31 as an antenna element pattern,
The width and thickness of the conductor patterns 33, 51, 55 are determined by the width and thickness of the conductor patterns. A sufficient impedance of the antenna element pattern to emit radio waves can be obtained.

【0048】よって本発明に係るアンテナ装置30、5
0は、アンテナ素子パターン31、33、51、53の
インピーダンスの低化を防ぎ、且つ前記基板35、55
の厚みを薄型化して、前述した携帯電話機の高周波回路
部のシールド筐体の天板全体乃至はその一部として装着
することが可能となる。
Therefore, the antenna devices 30, 5 according to the present invention
0 prevents lowering of the impedance of the antenna element patterns 31, 33, 51, 53, and the substrate 35, 55
Can be mounted as the whole or a part of the top plate of the shield housing of the high-frequency circuit section of the mobile phone described above.

【0049】また、本発明のアンテナ装置30、50の
接地導体面は前記シールド筐体42の天板部として機能
することができ、且つ図5に示す携帯電話機等の筐体4
0全体を大きくさせることもない。
Further, the ground conductor surfaces of the antenna devices 30 and 50 of the present invention can function as a top plate of the shield housing 42, and the housing 4 of a mobile phone or the like shown in FIG.
There is no increase in the overall value of 0.

【0050】更に、上記した本発明に係るアンテナ装置
30、50の基板35、55については比誘電率5以下
とすることが好ましいが、基板材料としては樹脂材料が
適している。何故ならば樹脂を使った基板は金属銅箔を
導体パターンとして使用するため、セラミック基板上に
形成される焼結導体による導体パターン等に比べ、高周
波帯における導体材料による実抵抗損失が小さく高周波
用のアンテナ装置に適しているからである。
Further, the substrates 35 and 55 of the above-described antenna devices 30 and 50 according to the present invention preferably have a relative dielectric constant of 5 or less, but a resin material is suitable as a substrate material. Because the substrate made of resin uses metal copper foil as the conductor pattern, the actual resistance loss due to the conductor material in the high frequency band is smaller than that of the conductor pattern made of sintered conductor formed on the ceramic substrate. This is because it is suitable for the antenna device.

【0051】一方、本発明に係るアンテナ装置30、5
0の基板35、55の材料は比誘電率を5以下とするこ
とが好ましいが、上記の構成のアンテナ装置とするため
に基板材料の比誘電率は更に小さくした方がよりアンテ
ナ素子パターンのインピーダンスを大きく出きると共
に、基板の更なる薄型化も可能となる。
On the other hand, the antenna devices 30, 5 according to the present invention
It is preferable that the material of the substrates 35 and 55 of 0 has a relative dielectric constant of 5 or less. However, in order to obtain the antenna device having the above configuration, it is more preferable to further reduce the relative dielectric constant of the substrate material. And the thickness of the substrate can be further reduced.

【0052】そこで、本発明に係るアンテナ装置30、
50の基板35、55は、一般の樹脂基板で要求される
強度及び、熱膨張係数を低下させるために基板内部に含
まれるガラスクロスを基板内に含まない構成とし、前記
アンテナ装置に使用する基板の誘電率を低下させてい
る。
Therefore, the antenna device 30 according to the present invention,
The substrates 35 and 55 have a structure in which the glass cloth included in the substrate is not included in the substrate in order to reduce the strength required for a general resin substrate and the thermal expansion coefficient, and the substrate used in the antenna device is used. Has a reduced dielectric constant.

【0053】これは、前記ガラスクロスは一般的に比誘
電率が5以上であり、樹脂材料を比誘電率を5以下にし
ても、ガラスクロスとの混合により基板全体として誘電
率が上昇してしまうためである。
This is because the glass cloth generally has a relative dielectric constant of 5 or more, and even if the resin material has a relative dielectric constant of 5 or less, the dielectric constant of the entire substrate increases due to the mixture with the glass cloth. This is because

【0054】そこで本発明に係るアンテナ装置30、5
0では、誘電率が低く且つ十分な強度を有し、更に基板
35、55の表面に形成される導体パターン31、3
3、51、53に対して十分な接着強度を有し、更にま
た半田耐熱性をも有する樹脂材料として下記に説明する
樹脂材料を用いている。
Therefore, the antenna devices 30 and 5 according to the present invention
In the case of 0, the dielectric constant is low and the strength is sufficient, and the conductive patterns 31 and 3 formed on the surfaces of the substrates 35 and 55 are further reduced.
The resin material described below is used as a resin material having sufficient adhesive strength to 3, 51 and 53 and also having solder heat resistance.

【0055】本発明の耐熱性低誘電性高分子材料は、重
量平均絶対分子量が1000以上の1種または2種以上
の樹脂で構成される樹脂組成物であって、炭素原子と水
素原子の原子数の和が99%以上からなり、かつ樹脂分
子間の一部またはすべてが相互に化学的結合しているも
のである。
The heat-resistant low-dielectric polymer material of the present invention is a resin composition comprising one or more resins having a weight-average absolute molecular weight of 1,000 or more, and comprises carbon atoms and hydrogen atoms. The sum of the numbers is 99% or more, and some or all of the resin molecules are chemically bonded to each other.

【0056】このような重量平均絶対分子量の樹脂組成
物とすることによって、耐熱性低誘電性高分子材料とし
て用いるときの強度、金属との密着性、耐熱性が十分に
なる。これに対し、重量平均絶対分子量が1000より
小さいと、機械的物性、耐熱性等が不足になり不適であ
る。特に好ましくは3000以上、最も好ましくは50
00以上である。このときの重量平均絶対分子量の上限
に特に制限はないが、通常1000万程度である。
By using such a resin composition having a weight-average absolute molecular weight, the strength, adhesion to metal, and heat resistance when used as a heat-resistant low-dielectric polymer material are sufficient. On the other hand, if the weight average absolute molecular weight is less than 1,000, mechanical properties, heat resistance, etc. become insufficient, which is not suitable. Particularly preferably 3000 or more, most preferably 50 or more.
00 or more. The upper limit of the weight average absolute molecular weight at this time is not particularly limited, but is usually about 10,000,000.

【0057】また、本発明の樹脂組成物において炭素原
子と水素原子の原子数の和を99%以上とするのは、存
在する化学的結合を非極性結合とするためであり、これ
により耐熱性低誘電性高分子材料として用いるときの誘
電損失特性を十分小さくすることができる。
The reason why the sum of the number of carbon atoms and the number of hydrogen atoms in the resin composition of the present invention is set to 99% or more is to make the existing chemical bond a non-polar bond, thereby providing heat resistance. Dielectric loss characteristics when used as a low dielectric polymer material can be sufficiently reduced.

【0058】これに対し、炭素原子と水素原子の原子数
の和が99%より少ない場合、特に酸素原子や、窒素原
子などの有極性分子を形成する原子数が1%より多く含
まれる場合、電気的特性、特に誘電正接が高くなるため
不適である。
On the other hand, when the sum of the number of carbon atoms and hydrogen atoms is less than 99%, particularly when the number of atoms forming polar molecules such as oxygen atoms and nitrogen atoms is more than 1%, It is not suitable because the electrical characteristics, especially the dielectric loss tangent, are high.

【0059】上記高分子材料を構成する樹脂の具体例と
しては、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、
超超低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、低分子
量ポリエチレン、超高分子量ポリエチレン、エチレン−
プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリブテン、ポ
リ4−メチルペンテン等の非極性α−オレフィンの単独
ないし共重合体[以下、(共)重合体ともいう]、ブタ
ジエン、イソプレン、ペンタジエン、ヘキサジエン、ヘ
プタジエン、オクタジエン、フェニルブタジエン、ジフ
ェニルブタジエン等の共役ジエンの各単量体の(共)重
合体、スチレン、核置換スチレン、例えばメチルスチレ
ン、ジメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピル
スチレン、クロルスチレン、α−置換スチレン、例えば
α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、ジビニルベ
ンゼン、ビニルシクロヘキサン等の炭素環含有ビニルの
各単量体の(共)重合体等が挙げられる。
Specific examples of the resin constituting the polymer material include low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene,
Ultra low density polyethylene, high density polyethylene, low molecular weight polyethylene, ultra high molecular weight polyethylene, ethylene
Non-polar α-olefin homo- or copolymers (hereinafter also referred to as (co) polymers) such as propylene copolymer, polypropylene, polybutene, and poly-4-methylpentene, butadiene, isoprene, pentadiene, hexadiene, heptadiene, octadiene Phenylbutadiene, (co) polymers of each monomer of conjugated diene such as diphenylbutadiene, styrene, nucleus-substituted styrene, for example, methylstyrene, dimethylstyrene, ethylstyrene, isopropylstyrene, chlorostyrene, α-substituted styrene, for example (co) polymers of each monomer of carbon ring-containing vinyl such as α-methylstyrene, α-ethylstyrene, divinylbenzene, vinylcyclohexane and the like.

【0060】上記では、非極性α−オレフィンの単量体
同士、共役ジエンの単量体同士、炭素環含有ビニルの単
量体同士の重合体を主に例示したが、例えば非極性α−
オレフィンの単量体と共役ジエンの単量体、非極性α−
オレフィンの単量体と炭素環含有ビニルの単量体のよう
に、異なる化合物種の単量体から得られた共重合体であ
ってもよい。
In the above description, polymers of non-polar α-olefin monomers, conjugated diene monomers, and carbon ring-containing vinyl monomers are mainly exemplified.
Olefin monomer and conjugated diene monomer, non-polar α-
Copolymers obtained from monomers of different compound types, such as an olefin monomer and a carbon ring-containing vinyl monomer, may be used.

【0061】このように、これらの重合体、すなわち樹
脂の1種または2種以上により樹脂組成物が構成される
が、これらの樹脂分子間の一部またはすべてが相互に化
学的結合をしていなければならない。したがって、一部
は混合状態であってもよい。
As described above, a resin composition is composed of one or more of these polymers, that is, resins, and some or all of these resin molecules are chemically bonded to each other. There must be. Therefore, some may be in a mixed state.

【0062】このように少なくとも一部に化学的結合を
有することによって耐熱性低誘電性高分子材料として用
いるときの強度、金属との密着性、耐熱性が十分にな
る。これに対し、単なる混合で、化学的結合を有しない
ときは、耐熱性、機械的物性の観点から不十分である。
By having a chemical bond in at least a part of the material, the strength, adhesion to metal, and heat resistance when used as a heat-resistant low-dielectric polymer material are sufficient. On the other hand, when it is a mere mixture and has no chemical bond, it is insufficient from the viewpoint of heat resistance and mechanical properties.

【0063】本発明における化学的結合の形態は特に限
定はないが、架橋構造、ブロック構造、グラフト構造な
どが挙げられる。このような化学的結合を生じさせるに
は公知の方法によればよく、グラフト構造、ブロック構
造の好ましい態様については後述する。架橋構造を生じ
させる具体的方法としては、熱による架橋が好ましく、
このときの温度は50〜300℃程度が好ましい。この
ほか電子線照射による架橋等も挙げられる。本発明によ
る化学的結合の有無は架橋度、グラフト構造においては
グラフト効率等を求めることによって確認することがで
きる。また、透過型電子顕微鏡(TEM)写真や走査型
電子顕微鏡(SEM)写真によっても確認することがで
きる。これに対し、単なる混合物(ブレンドポリマー)
では、グラフト共重合体のような両ポリマー同士の相溶
性はみられず、分散粒子の粒径は大きいものとなる。
The form of the chemical bond in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a crosslinked structure, a block structure, and a graft structure. A known method may be used to generate such a chemical bond. Preferred embodiments of the graft structure and the block structure will be described later. As a specific method for generating a crosslinked structure, thermal crosslinking is preferable,
The temperature at this time is preferably about 50 to 300 ° C. Other examples include cross-linking by electron beam irradiation. The presence or absence of a chemical bond according to the present invention can be confirmed by determining the degree of crosslinking and, in the case of a graft structure, the graft efficiency and the like. It can also be confirmed by a transmission electron microscope (TEM) photograph or a scanning electron microscope (SEM) photograph. In contrast, a simple mixture (blend polymer)
Does not show compatibility between the two polymers such as the graft copolymer, and the dispersed particles have a large particle size.

【0064】本発明における樹脂組成物としては、ま
ず、非極性α−オレフィン系重合体セグメントとビニル
芳香族系共重合体セグメントとが化学的に結合した共重
合体であって、一方のセグメントにより形成された分散
相が他方のセグメントより形成された連続相中に微細に
分散している多相構造を示す熱可塑性樹脂が好ましいも
のとして挙げられる。
The resin composition in the present invention is a copolymer in which a non-polar α-olefin polymer segment and a vinyl aromatic copolymer segment are chemically bonded. A preferred example is a thermoplastic resin having a multiphase structure in which the formed dispersed phase is finely dispersed in the continuous phase formed from the other segment.

【0065】上記のような特定の多相構造を示す熱可塑
性樹脂中のセグメントの一つである非極性α−オレフィ
ン系重合体とは、高圧ラジカル重合、中低圧イオン重合
等で得られる非極性α−オレフィン単量体の単独重合体
または2種類以上の非極性α−オレフィン単量体の共重
合体でなければならない。極性ビニル単量体との共重合
体は誘電正接が高くなるため不適である。
The non-polar α-olefin polymer which is one of the segments in the thermoplastic resin having the specific multiphase structure as described above refers to a non-polar α-olefin polymer obtained by high-pressure radical polymerization, medium-low pressure ionic polymerization or the like. It must be a homopolymer of an α-olefin monomer or a copolymer of two or more non-polar α-olefin monomers. Copolymers with polar vinyl monomers are unsuitable because of their high dielectric loss tangent.

【0066】上記重合体の非極性α−オレフィン単量体
としてはエチレン、プロピレン、ブテン−1、ヘキセン
−1、オクテン−1、4−メチルペンテン−1類が挙げ
られ、なかでもエチレン、プロピレン、ブテン−1、4
−メチルペンテン−1が、得られる非極性α−オレフィ
ン系重合体の誘電率が低いため好ましい。
Examples of the non-polar α-olefin monomer of the above polymer include ethylene, propylene, butene-1, hexene-1, octene-1, and 4-methylpentene-1. Butene-1, 4
-Methylpentene-1 is preferred because the resulting nonpolar α-olefin polymer has a low dielectric constant.

【0067】上記非極性α−オレフィン(共)重合体の
具体例としては、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエ
チレン、超超低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレ
ン、低分子量ポリエチレン、超高分子量ポリエチレン、
エチレン−プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリ
ブテン、ポリ4−メチルペンテン等が挙げられる。ま
た、これらの非極性α−オレフィン(共)重合体は、単
独で使用することも、2種以上併用することもできる。
Specific examples of the non-polar α-olefin (co) polymer include low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, high-density polyethylene, low-molecular-weight polyethylene, ultra-high-molecular-weight polyethylene,
Ethylene-propylene copolymer, polypropylene, polybutene, poly-4-methylpentene and the like can be mentioned. These non-polar α-olefin (co) polymers can be used alone or in combination of two or more.

【0068】このような非極性α−オレフィン(共)重
合体の好ましい分子量は重量平均絶対分子量で1000
以上である。この上限には特に制限はないが、1000
万程度である。
The preferred molecular weight of such a nonpolar α-olefin (co) polymer is 1000 in terms of weight average absolute molecular weight.
That is all. There is no particular upper limit, but 1000
It is about ten thousand.

【0069】一方、特定の多相構造を示す熱可塑性樹脂
中のセグメントの一つであるであるビニル芳香族系重合
体とは、非極性のものであり、具体的には、スチレン、
核置換スチレン、例えばメチルスチレン、ジメチルスチ
レン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、クロル
スチレン、α−置換スチレン、例えばα−メチルスチレ
ン、α−エチルスチレン、o−,m−,p−ジビニルベ
ンゼン(好ましくはm−,p−ジビニルベンゼン、特に
好ましくはp−ジビニルベンゼン)等の各単量体の
(共)重合体である。このように非極性のものとするの
は、極性官能基を持った単量体を共重合で導入すると、
誘電正接が高くなるため不適であるからである。
On the other hand, the vinyl aromatic polymer which is one of the segments in the thermoplastic resin having a specific multiphase structure is a non-polar polymer, and specifically, styrene,
Nuclear-substituted styrene such as methylstyrene, dimethylstyrene, ethylstyrene, isopropylstyrene, chlorostyrene, α-substituted styrene such as α-methylstyrene, α-ethylstyrene, o-, m-, p-divinylbenzene (preferably m-styrene) -, P-divinylbenzene, particularly preferably p-divinylbenzene). Such non-polarity is achieved by introducing a monomer having a polar functional group by copolymerization.
This is because the dielectric loss tangent becomes high and is not suitable.

【0070】ビニル芳香族系重合体は単独で使用するこ
とも、2種以上併用することもできる。なかでもビニル
芳香族系共重合体は、ジビニルベンゼンの単量体を含む
ビニル芳香族共重合体が耐熱性を向上させる上で好まし
い。
The vinyl aromatic polymers can be used alone or in combination of two or more. Among them, the vinyl aromatic copolymer is preferably a vinyl aromatic copolymer containing a divinylbenzene monomer from the viewpoint of improving heat resistance.

【0071】ジビニルベンゼンを含むビニル芳香族共重
合体とは、具体的には、スチレン、核置換スチレン、例
えばメチルスチレン、ジメチルスチレン、エチルスチレ
ン、イソプロピルスチレン、クロルスチレン、α−置換
スチレン、例えばα−メチルスチレン、α−エチルスチ
レン等の各単量体とジビニルベンゼンの単量体の共重合
体である。
Specific examples of the vinyl aromatic copolymer containing divinylbenzene include styrene, nucleus-substituted styrene such as methyl styrene, dimethyl styrene, ethyl styrene, isopropyl styrene, chlorostyrene, and α-substituted styrene such as α-substituted styrene. -A copolymer of monomers such as methylstyrene and α-ethylstyrene and a monomer of divinylbenzene.

【0072】ジビニルベンゼンの単量体と、これ以外の
上記のようなビニル芳香族の単量体との割合は特に限定
はないが、半田耐熱性を満足するために、ジビニルベン
ゼンの単量体の割合が1重量%以上含まれていることが
好ましい。ジビニルベンゼンの単量体は100重量%で
もかまわないが、合成上の問題から上限は90重量%が
好ましい。
The ratio between the divinylbenzene monomer and the other vinyl aromatic monomer as described above is not particularly limited. However, in order to satisfy the solder heat resistance, the divinylbenzene monomer is used. Is preferably 1% by weight or more. The divinylbenzene monomer may be 100% by weight, but the upper limit is preferably 90% by weight in view of synthesis.

【0073】このような一方のセグメントであるビニル
芳香族系重合体の分子量は、重量平均絶対分子量で10
00以上であることが好ましい。この上限には特に制限
はないが、1000万程度である。
The molecular weight of the vinyl aromatic polymer as one of the segments is 10% in terms of weight average absolute molecular weight.
It is preferably at least 00. The upper limit is not particularly limited, but is about 10 million.

【0074】本発明の特定の多相構造を示す熱可塑性樹
脂は、オレフィン系重合体セグメントが5〜95重量
%、好ましくは40〜90重量%、最も好ましくは50
〜80重量%からなるものである。したがって、ビニル
系重合体セグメントは95〜5重量%、好ましくは60
〜10重量%、最も好ましくは50〜20重量%であ
る。オレフィン系重合体セグメントが少なくなると、成
形物が脆くなるため好ましくない。また、オレフィン系
重合体セグメントが多くなると、金属との密着性が低く
好ましくない。
The thermoplastic resin having a specific multiphase structure of the present invention has an olefin polymer segment of 5 to 95% by weight, preferably 40 to 90% by weight, most preferably 50% by weight.
~ 80% by weight. Accordingly, the content of the vinyl polymer segment is 95 to 5% by weight, preferably 60 to 50% by weight.
10 to 10% by weight, most preferably 50 to 20% by weight. When the number of the olefin-based polymer segments is small, the molded product becomes brittle, which is not preferable. Further, when the number of the olefin-based polymer segments increases, the adhesion to the metal is low, which is not preferable.

【0075】このような熱可塑性樹脂の重量平均絶対分
子量は1000以上である。この上限には特に制限はな
いが、成形性の点から1000万程度である。
The weight average absolute molecular weight of such a thermoplastic resin is 1,000 or more. The upper limit is not particularly limited, but is about 10,000,000 from the viewpoint of moldability.

【0076】オレフィン系重合体セグメントとビニル系
重合体セグメントとが化学的に結合した構造の共重合体
としては具体的にはブロック共重合体やグラフト共重合
体を例示することができる。なかでも製造の容易さから
グラフト共重合体が特に好ましい。なお、これらの共重
合体にはブロック共重合体、グラフト共重合体等の特徴
を逸脱しない範囲で、オレフィン系重合体やビニル系重
合体が含まれていてもかまわない。
Specific examples of the copolymer having a structure in which the olefin polymer segment and the vinyl polymer segment are chemically bonded include a block copolymer and a graft copolymer. Above all, a graft copolymer is particularly preferred because of ease of production. These copolymers may include an olefin-based polymer or a vinyl-based polymer without departing from the characteristics of the block copolymer, the graft copolymer, and the like.

【0077】本発明の特定の多相構造を示す熱可塑性樹
脂を製造する方法は、グラフト化法として一般によく知
られている連鎖移動法、電離性放射線照射法等いずれの
方法によってもよいが、最も好ましいのは、下記に示す
方法によるものである。なぜならグラフト効率が高く熱
による二次的凝集が起こらないため、性能の発現がより
効果的であり、また製造方法が簡便であるためである。
The method for producing the thermoplastic resin having a specific multiphase structure of the present invention may be any of chain transfer method and ionizing radiation irradiation method which are well known as a grafting method. Most preferred is the method described below. This is because the grafting efficiency is high and secondary aggregation due to heat does not occur, so that the expression of performance is more effective and the production method is simple.

【0078】以下、本発明の特定の多相構造を示す熱可
塑性樹脂であるグラフト共重合体の製造方法を具体的に
詳述する。
Hereinafter, the method for producing a graft copolymer which is a thermoplastic resin having a specific multiphase structure of the present invention will be described in detail.

【0079】すなわち、オレフィン系重合体100重量
部を水に懸濁させて、別にビニル芳香族系単量体5〜4
00重量部に、下記化1または化2で表されるラジカル
重合性有機過酸化物の1種または2種以上の混合物を上
記ビニル単量体100重量部に対して0.1〜10重量
部と、10時間の半減期を得るための分解温度が40〜
90℃であるラジカル重合開始剤をビニル単量体とラジ
カル重合性有機過酸化物との合計100重量部に対して
0.01〜5重量部とを溶解させた溶液を加え、ラジカ
ル重合開始剤の分解が実質的に起こらない条件で加熱
し、ビニル単量体、ラジカル重合性有機過酸化物および
ラジカル重合開始剤をオレフィン系重合体に含浸させ
て、この水性懸濁液の温度を上昇させ、ビニル単量体と
ラジカル重合性有機過酸化物とをオレフィン共重合体中
で共重合させて、グラフト化前駆体を得る。
That is, 100 parts by weight of an olefin polymer are suspended in water, and the vinyl aromatic monomers 5 to 4 are separately added.
To 100 parts by weight, 0.1 to 10 parts by weight of one or more kinds of radically polymerizable organic peroxides represented by the following chemical formulas 1 or 2 is added to 100 parts by weight of the vinyl monomer. And a decomposition temperature for obtaining a half-life of 10 hours of 40 to
A solution prepared by dissolving a radical polymerization initiator at 90 ° C. in an amount of 0.01 to 5 parts by weight with respect to a total of 100 parts by weight of a vinyl monomer and a radically polymerizable organic peroxide is added. Is heated under conditions under which decomposition of the olefin-based polymer does not substantially occur, and the vinyl monomer, the radically polymerizable organic peroxide and the radical polymerization initiator are impregnated into the olefin-based polymer, and the temperature of the aqueous suspension is increased. Then, a vinyl monomer and a radical polymerizable organic peroxide are copolymerized in an olefin copolymer to obtain a graft precursor.

【0080】ついでグラフト化前駆体を100〜300
℃の溶融下、混練することにより、本発明のグラフト共
重合体を得ることができる。このとき、グラフト化前駆
体に、別にオレフィン系重合体またはビニル系重合体を
混合し、溶融下に混練してもグラフト共重合体を得るこ
とができる。最も好ましいのはグラフト化前駆体を混練
して得られたグラフト共重合体である。
Next, the grafting precursor was added in an amount of 100 to 300.
The graft copolymer of the present invention can be obtained by kneading while melting at a temperature of ° C. At this time, the graft copolymer can be obtained by separately mixing an olefin polymer or a vinyl polymer with the grafting precursor and kneading the mixture under melting. Most preferred is a graft copolymer obtained by kneading a grafting precursor.

【0081】[0081]

【化1】 化1中、R1は水素原子または炭素数1〜2のアルキル
基を示し、R2は水素原子またはメチル基を示し、R3
よびR4はそれぞれ炭素数1〜4のアルキル基を示し、
5は炭素数1〜12のアルキル基、フェニル基、アル
キル置換フェニル基または炭素数3〜12のシクロアル
キル基を示す。m1は1または2である。
Embedded image In Chemical Formula 1, R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 3 and R 4 each represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
R 5 represents an alkyl group, a phenyl group, an alkyl-substituted phenyl group or a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms having 1 to 12 carbon atoms. m1 is 1 or 2.

【0082】[0082]

【化2】 化2中、R6は水素原子または炭素数1〜4のアルキル
基を示し、R7は水素原子またはメチル基を示し、R8
よびR9はそれぞれ炭素数1〜4のアルキル基を示し、
10は炭素数1〜12のアルキル基、フェニル基、アル
キル置換フェニル基または炭素数3〜12のシクロアル
キル基を示す。m2は0、1または2である。
Embedded image In Chemical Formula 2, R 6 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 7 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 8 and R 9 each represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
R 10 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a phenyl group, an alkyl-substituted phenyl group, or a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms. m2 is 0, 1 or 2.

【0083】化1で表されるラジカル重合性有機過酸化
物として、具体的には、t−ブチルペルオキシアクリロ
イロキシエチルカ−ボネ−ト;t−アミルペルオキシア
クリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;t−ヘキシルペル
オキシアクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;1,1,
3,3−テトラメチルブチルペルオキシアクリロイロキ
シエチルカ−ボネ−ト;クミルペルオキシアクリロイロ
キシエチルカ−ボネ−ト;p−イソプロピルクミルペル
オキシアクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;t−ブチ
ルペルオキシメタクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;
t−アミルペルオキシメタクリロイロキシエチルカ−ボ
ネ−ト;t−ヘキシルペルオキシメタクリロイロキシエ
チルカ−ボネ−ト;1,1,3,3−テトラメチルブチ
ルペルオキシメタクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;
クミルペルオキシメタクリロイロキシエチルカ−ボネ−
ト;p−イソプロピルクミルペルオキシメタクリロイロ
キシエチルカ−ボネ−ト;t−ブチルペルオキシメタク
リロイロキシエチルカ−ボネ−ボネ−ト;t−アミルペ
ルオキシアクリロイロキシエトキシエチルカ−ボネ−
ト;t−ヘキシルペルオキシアクリロイロキシエトキシ
エチルカ−ボネ−ト;1,1,3,3−テトラメチルブ
チルペルオキシアクリロイロキシエトキシエチルカ−ボ
ネ−ト;クミルペルオキシアクリロイロキシエトキシエ
チルカ−ボネ−ト;p−イソプロピルクミルペルオキシ
アクリロイロキシエトキシエチルカ−ボネ−ト;t−ブ
チルペルオキシメタクリロイロキシエトキシエチルカ−
ボネ−ト;t−アミルペルオキシメタクリロイロキシエ
トキシエチルカ−ボネ−ト;t−ヘキシルペルオキシメ
タクリロイロキシエトキシエチルカ−ボネ−ト;1,
1,3,3−テトラメチルブチルペルオキシメタクリロ
イロキシエトキシエチルカ−ボネ−ト;クミルペルオキ
シメタクリロイロキシエトキシエチルカ−ボネ−ト;p
−イソプロピルクミルペルオキシメタクリロイロキシエ
トキシエチルカ−ボネ−ト;t−ブチルペルオキシアク
リロイロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;t−アミルペ
ルオキシアクリロイロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;
t−ヘキシルペルオキシアクリロイロキシイソプロピル
カ−ボネ−ト;1,1,3,3−テトラメチルブチルペ
ルオキシアクリロイロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;
クミルペルオキシアクリロイロキシイソプロピルカ−ボ
ネ−ト;p−イソプロピルクミルペルオキシアクリロイ
ロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;t−ブチルペルオキ
シメタクリロイロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;t−
アミルペルオキシメタクリロイロキシイソプロピルカ−
ボネ−ト;t−ヘキシルペルオキシメタクリロイロキシ
イソプロピルカ−ボネ−ト;1,1,3,3−テトラメ
チルブチルペルオキシメタクリロイロキシイソプロピル
カ−ボネ−ト;クミルペルオキシメタクリロイロキシイ
ソプロピルカ−ボネ−ト;p−イソプロピルクミルペル
オキシメタクリロイロキシイソプロピルカ−ボネ−ト等
を例示することができる。
Specific examples of the radical polymerizable organic peroxide represented by Chemical formula 1 include t-butylperoxyacryloyloxyethyl carbonate; t-amylperoxyacryloyloxyethyl carbonate. T-hexylperoxyacryloyloxyethyl carbonate; 1,1,
3,3-tetramethylbutyl peroxyacryloyloxyethyl carbonate; cumyl peroxyacryloyloxyethyl carbonate; p-isopropylcumylperoxyacryloyloxyethyl carbonate; t-butyl Peroxymethacryloyloxyethyl carbonate;
t-amyl peroxymethacryloyloxyethyl carbonate; t-hexylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate; 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate;
Cumyl peroxymethacryloyloxyethyl carbonate
P-isopropylcumylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate; t-butylperoxymethacryloyloxyethylcarbonate-carbonate; t-amylperoxyacryloyloxyethoxyethylcarbonate
G; t-hexylperoxyacryloyloxyethoxyethyl carbonate; 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyacryloyloxyethoxyethyl carbonate; cumylperoxyacryloyloxyethoxyethyl ethyl carbonate Carbonate; p-isopropylcumylperoxyacryloyloxyethoxyethyl ether carbonate; t-butylperoxymethacryloyloxyethoxyethyl ether
T-amylperoxymethacryloyloxyethoxyethyl carbonate; t-hexylperoxymethacryloyloxyethoxyethyl carbonate;
1,3,3-tetramethylbutyl peroxymethacryloyloxyethoxyethyl carbonate; cumyl peroxymethacryloyloxyethoxyethyl carbonate; p
-Isopropylcumylperoxymethacryloyloxyethoxyethyl carbonate; t-butylperoxyacryloyloxyisopropylcarbonate; t-amylperoxyacryloyloxyisopropylcarbonate;
t-hexyl peroxyacryloyloxyisopropyl carbonate; 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyacryloyloxyisopropyl carbonate;
Cumyl peroxyacryloyloxyisopropyl carbonate; p-isopropylcumylperoxyacryloyloxyisopropyl carbonate; t-butylperoxymethacryloyloxyisopropyl carbonate; t-
Amyl peroxymethacryloyloxy isopropyl car
Bonnet; t-hexyl peroxymethacryloyloxyisopropyl carbonate; 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxymethacryloyloxyisopropyl carbonate; cumyl peroxymethacryloyloxyisopropyl carbonate And p-isopropylcumylperoxymethacryloyloxyisopropylcarbonate.

【0084】さらに、化2で表される化合物としては、
t−ブチルペルオキシアリルカ−ボネ−ト;t−アミル
ペルオキシアリルカ−ボネ−ト;t−ヘキシルペルオキ
シアリルカ−ボネ−ト;1,1,3,3−テトラメチル
ブチルペルオキシアリルカ−ボネ−ト;p−メンタンペ
ルオキシアリルカ−ボネ−ト;クミルペルオキシアリル
カ−ボネ−ト;t−ブチルペルオキシメタリルカ−ボネ
−ト;t−アミルペルオキシメタリルカ−ボネ−ト;t
−ヘキシルペルオキシメタリルカ−ボネ−ト;1,1,
3,3−テトラメチルブチルペルオキシメタリルカ−ボ
ネ−ト;p−メンタンペルオキシメタリルカ−ボネ−
ト;クミルペルオキシメタリルカ−ボネ−ト;t−ブチ
ルペルオキシアリロキシエチルカ−ボネ−ト;t−アミ
ルペルオキシアリロキシエチルカ−ボネ−ト;t−ヘキ
シルペルオキシアリロキシエチルカ−ボネ−ト;t−ブ
チルペルオキシメタリロキシエチルカ−ボネ−ト;t−
アミルペルキシメタリロキシエチルカ−ボネ−ト;t−
ヘキシルペルオキシメタリロキシエチルカ−ボネ−ト;
t−ブチルペルオキシアリロキシイソプロピルカ−ボネ
−ト;t−アミルペルオキシアリロキシイソプロピルカ
−ボネ−ト;t−ヘキシルペルオキシアリロキシイソプ
ロピルカ−ボネ−ト;t−ブチルペルオキシメタリロキ
シイソプロピルカ−ボネ−ト;t−アミルペルオキシメ
タリロキシイソプロピルカ−ボネ−ト;t−ヘキシルペ
ルオキシメタリロキシイソプロピルカ−ボネ−ト等を例
示することができる。
Further, as the compound represented by the formula 2,
t-butylperoxyallylcarbonate; t-amylperoxyallylcarbonate; t-hexylperoxyallylcarbonate; 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyallylcarbonate P-menthaneperoxyallylcarbonate; cumylperoxyallylcarbonate; t-butylperoxymethallylcarbonate; t-amylperoxymethallylcarbonate; t
Hexyl peroxymethallyl carbonate; 1,1,
3,3-tetramethylbutyl peroxymethallyl carbonate; p-menthane peroxymethallyl carbonate
G; cumyl peroxymethallyl carbonate; t-butyl peroxyallyloxyethyl carbonate; t-amyl peroxyallyloxyethyl carbonate; t-hexyl peroxyallyloxyethyl carbonate T-butylperoxymetalaryloxyethyl carbonate; t-
Amyl peroxymetalaryloxyethyl carbonate; t-
Hexyl peroxymetalaryloxyethyl carbonate;
t-butyl peroxyallyloxyisopropyl carbonate; t-amylperoxyallyloxyisopropyl carbonate; t-hexylperoxyallyloxyisopropyl carbonate; t-butylperoxymetalloxyisopropyl carbonate G; t-amyl peroxy metalaryloxy isopropyl carbonate; t-hexyl peroxy metalaryloxy isopropyl carbonate;

【0085】中でも好ましくは、t−ブチルペルオキシ
アクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;t−ブチルペル
オキシメタクリロイロキシエチルカ−ボネ−ト;t−ブ
チルペルオキシアリルカ−ボネ−ト;t−ブチルペルオ
キシメタリルカ−ボネ−トである。このようにして得ら
れるグラフト共重合体のグラフト効率は20〜100重
量%である。グラフト効率はグラフト化していない重合
体の溶媒抽出を行い、その割合から求めることができ
る。
Among them, t-butylperoxyacryloyloxyethyl carbonate; t-butylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate; t-butylperoxyallylcarbonate; t-butylperoxy Methallyl carbonate. The graft efficiency of the thus obtained graft copolymer is 20 to 100% by weight. The grafting efficiency can be determined by extracting the ungrafted polymer with a solvent and determining the ratio.

【0086】本発明の特定の多相構造を示す熱可塑性樹
脂としては、上記の非極性α−オレフィン系重合体セグ
メントとビニル芳香族系重合体セグメントとのグラフト
共重合体が好ましいが、このようなグラフト共重合体に
おいて、非極性α−オレフィン系重合体セグメントのか
わりに、あるいはこれに加えて非極性共役ジエン系重合
体セグメントを用いたものであってもよい。非極性共役
ジエン系重合体としては、前述のものを用いることがで
き、単独で使用しても2種以上を併用してもよい。
The thermoplastic resin having a specific multiphase structure of the present invention is preferably a graft copolymer of the above-mentioned non-polar α-olefin polymer segment and vinyl aromatic polymer segment. In such a graft copolymer, a non-polar conjugated diene-based polymer segment may be used instead of or in addition to the non-polar α-olefin-based polymer segment. As the nonpolar conjugated diene-based polymer, those described above can be used, and they may be used alone or in combination of two or more.

【0087】なお、以上のグラフト共重合体における非
極性α−オレフィン系重合体には共役ジエン単量体が含
まれていてもよく、非極性共役ジエン系重合体にはα−
オレフィンの単量体が含まれていてもよい。また、本発
明では、得られたグラフト共重合体にさらにジビニルベ
ンゼン等を用いて架橋することもできる。特に、ジビニ
ルベンゼンの単量体を含まないグラフト共重合体におい
て、耐熱性向上の観点から好ましい。
The non-polar α-olefin-based polymer in the above graft copolymer may contain a conjugated diene monomer, and the non-polar conjugated diene-based polymer may contain α-olefin.
An olefin monomer may be contained. In the present invention, the obtained graft copolymer can be further crosslinked using divinylbenzene or the like. Particularly, a graft copolymer containing no divinylbenzene monomer is preferable from the viewpoint of improving heat resistance.

【0088】一方、本発明の特定の多相構造を示す熱可
塑性樹脂としては、ブロック共重合体であってもよく、
ブロック共重合体としては、少なくとも1つのビニル芳
香族単量体の重合体と、少なくとも1つの共役ジエンの
重合体とを含むブロック共重合体を挙げることができ、
直鎖型であっても、ラジアル型、すなわちハードセグメ
ントとソフトセグメントが放射線状に結合したものであ
ってもよい。
On the other hand, the thermoplastic resin having a specific multiphase structure of the present invention may be a block copolymer,
Examples of the block copolymer include a block copolymer containing at least one polymer of a vinyl aromatic monomer and at least one polymer of a conjugated diene.
It may be a linear type or a radial type, that is, a type in which a hard segment and a soft segment are radially bonded.

【0089】また、共役ジエンを含む重合体が少量のビ
ニル芳香族の単量体とのランダム共重合体であってもよ
く、いわゆるテーパー型ブロック共重合体、すなわち1
つのブロック内でビニル芳香族の単量体が漸増するもの
であってもよい。
The polymer containing a conjugated diene may be a random copolymer with a small amount of a vinyl aromatic monomer.
The vinyl aromatic monomer may be gradually increased in one block.

【0090】ブロック共重合体の構造については特に制
限はなく、(A−B)n型、(A−B)n−A型または
(A、B)n−C型のいずれであってもよい。式中、A
はビニル芳香族の単量体の重合体、Bは共役ジエンの重
合体、Cはカップリング剤残基、nは1以上の整数を示
す。
The structure of the block copolymer is not particularly limited, and may be any of (AB) n type, (AB) n -A type or (A, B) n -C type. . Where A
Represents a polymer of a vinyl aromatic monomer, B represents a polymer of a conjugated diene, C represents a residue of a coupling agent, and n represents an integer of 1 or more.

【0091】なお、このブロック共重合体において、共
役ジエン部分が水素添加されたブロック共重合体を使用
することも可能である。このようなブロック共重合体に
おいて、上記の非極性共役ジエン系共重体のかわりに、
あるいはこれに加えて、前述の非極性α−オレフィン系
重合体を用いてもよく、非極性共役ジエン系重合体はα
−オレフィン単量体を含んでいるものであってもよく、
非極性α−オレフィン系重合体は、共役ジエンの単量体
を含んでいるものであってもよい。ブロック共重合体に
おける各セグメントの量比や好ましい態様についてはグ
ラフト共重合体に準じる。
In this block copolymer, it is also possible to use a block copolymer in which the conjugated diene moiety has been hydrogenated. In such a block copolymer, instead of the above nonpolar conjugated diene-based copolymer,
Alternatively, in addition to the above, the above-mentioned non-polar α-olefin-based polymer may be used.
It may contain olefin monomers,
The non-polar α-olefin-based polymer may contain a conjugated diene monomer. The ratio of each segment in the block copolymer and the preferred embodiment are the same as those of the graft copolymer.

【0092】本発明の樹脂組成物、好ましくは特定の多
相構造を示す熱可塑性樹脂(特に好ましくはグラフト共
重合体)には、耐熱性を向上させるために、4−メチル
ペンテン−1の単量体を含む非極性α−オレフィン系重
合体を加えることが好ましい。
The resin composition of the present invention, preferably a thermoplastic resin having a specific multiphase structure (particularly preferably a graft copolymer), is added with 4-methylpentene-1 in order to improve heat resistance. It is preferable to add a nonpolar α-olefin-based polymer containing a monomer.

【0093】なお、本発明では、4−メチルペンテン−
1の単量体を含む非極性α−オレフィン系重合体が化学
的結合をすることなく樹脂組成物に含有されている場合
もありうるが、このような場合には必ずしもその添加は
必要とはされない。ただし、所定の特性を得るためにさ
らに添加してもよい。
In the present invention, 4-methylpentene-
The non-polar α-olefin polymer containing one monomer may be contained in the resin composition without forming a chemical bond, but in such a case, the addition is not necessarily required. Not done. However, it may be further added to obtain predetermined characteristics.

【0094】このような4−メチルペンテン−1の単量
体を含む非極性α−オレフィン系共重合体における4−
メチルペンテン−1の単量体の割合は50重量%以上で
あることが好ましい。なお、このような非極性α−オレ
フィン系共重体は、共役ジエンの単量体を含むものであ
ってもよい。
In such a nonpolar α-olefin copolymer containing a monomer of 4-methylpentene-1, 4-
The proportion of the monomer of methylpentene-1 is preferably at least 50% by weight. The non-polar α-olefin copolymer may include a conjugated diene monomer.

【0095】特に、4−メチルペンテン−1の単量体を
含む非極性α−オレフィン系共重合体としては、4−メ
チルペンテン−1の単量体の単独重合体であるポリ4−
メチルペンテン−1であることが好ましい。ポリ4−メ
チルペンテン−1は、結晶性のポリ4−メチルペンテン
−1であって、プロピレンの2量体である4−メチルペ
ンテン−1をチーグラー・ナッタ系触媒等を用いて重合
されるアイソタクチック・ポリ4−メチルペンテン−1
が好ましい。
In particular, the non-polar α-olefin-based copolymer containing a monomer of 4-methylpentene-1 includes poly (4-methylpentene-1), which is a homopolymer of 4-methylpentene-1.
Methylpentene-1 is preferred. Poly 4-methyl pentene-1 is crystalline poly 4-methyl pentene-1, and is obtained by polymerizing propylene dimer 4-methyl pentene-1 by using a Ziegler-Natta catalyst or the like. Tactic poly-4-methylpentene-1
Is preferred.

【0096】ポリ4−メチルペンテン−1と特定の多相
構造を示す熱可塑性樹脂の割合は、特に限定はないが、
耐熱性および金属との接着性を満足するために、ポリ4
−メチルペンテン−1の割合が10〜90重量%である
ことが好ましい。ポリ4−メチルペンテン−1の割合が
少ないと半田耐熱性が不足する傾向がある。またポリ4
−メチルペンテン−1の割合が多くなると金属との密着
性が不足する傾向がある。ポリ4−メチルペンテン−1
にかえて、共重合体を使用するときの添加量は、これに
準じるものとすればよい。
The ratio of poly-4-methylpentene-1 to a thermoplastic resin having a specific multiphase structure is not particularly limited.
In order to satisfy heat resistance and adhesion to metal, poly 4
The proportion of -methylpentene-1 is preferably from 10 to 90% by weight. When the proportion of poly-4-methylpentene-1 is small, the solder heat resistance tends to be insufficient. Also poly 4
When the ratio of -methylpentene-1 increases, the adhesion to metal tends to be insufficient. Poly 4-methylpentene-1
Instead, the amount of addition when the copolymer is used may be in accordance with this.

【0097】本発明の樹脂組成物(4−メチルペンテン
−1の単量体を含む非極性α−オレフィン系重合体を加
えたものを含む)の軟化点は200〜260℃であり、
適宜選択して用いることにより、十分な半田耐熱性を得
ることができる。
The softening point of the resin composition of the present invention (including those to which a non-polar α-olefin polymer containing a monomer of 4-methylpentene-1 is added) is from 200 to 260 ° C.
Sufficient solder heat resistance can be obtained by appropriately selecting and using.

【0098】本発明の耐熱性低誘電性高分子材料は、前
記樹脂組成物から構成される樹脂材料を熱プレス等によ
り例えば薄膜(フィルム)等の所望形状に成形する方法
等により得ることができるほか、せん断力のある、例え
ばロ−ルミキサ−、バンバリ−ミキサ−、ニ−ダ−、単
軸あるいは二軸の押出成型機等で、他の熱可塑性樹脂と
溶融混合し、所望形状に成形する方法等によっても得る
ことができる。本発明の基板に用いる樹脂材料は、フィ
ルムとして、あるいはバルク状や所定形状の成形体で、
そしてフィルム状のラミネーションとして、など種々の
形態で用いることができる。
The heat-resistant low-dielectric polymer material of the present invention can be obtained by, for example, a method of molding a resin material composed of the above resin composition into a desired shape such as a thin film (film) by hot pressing or the like. In addition, it is melted and mixed with another thermoplastic resin by a shearing force, for example, a roll mixer, a Banbury mixer, a kneader, a single-screw or twin-screw extruder, and molded into a desired shape. It can also be obtained by a method or the like. The resin material used for the substrate of the present invention is, as a film, or a bulk or a molded article having a predetermined shape,
And it can be used in various forms such as as a film lamination.

【0099】従って、本発明のアンテナ装置、即ち携帯
電話の高周波部のシールド筐体の天板部分の1部及び全
部として成形することが可能である。
Accordingly, it is possible to form the antenna device of the present invention, that is, a part and all of the top plate portion of the shield housing of the high frequency part of the mobile phone.

【0100】例えば、フィルム間および/または最外層
に銅等の金属導体フィルムである金属導体層を積層し、
熱融着することで多層基板を得ることができる。この場
合も金属導体フィルムとの密着性が良好なものが得られ
る。この場合のフィルムは成形等によって50μm以上
の厚さのものが得られ、このような目的では100〜1
000μmの厚さとされる。すなわち、いわゆる基板と
いえる厚さのものまで含む。また、アンテナ素子パター
ンや接地導体して用いる金属導体フィルムとして好まし
く使用される銅箔の厚さは18〜35μmである。そし
て、基板全体の厚さは、積層タイプのものも含め、通
常、0.1〜1.6mmである。但し、場合によっては
これ以上の厚さとされることもあり、10.0mm程度
の厚さで用いられることもある。
For example, a metal conductor layer which is a metal conductor film such as copper is laminated between the films and / or the outermost layer,
A multilayer substrate can be obtained by heat fusion. Also in this case, a film having good adhesion to the metal conductor film can be obtained. In this case, a film having a thickness of 50 μm or more can be obtained by molding or the like.
000 μm. That is, the thickness includes a so-called substrate. The thickness of the copper foil preferably used as the antenna element pattern or the metal conductor film used as the ground conductor is 18 to 35 μm. And the thickness of the whole board | substrate is 0.1-1.6 mm normally including the thing of a lamination type. However, depending on the case, the thickness may be larger than that, and the thickness may be about 10.0 mm.

【0101】なお、金属導体層をパターン状に形成する
ときは、金属導体フィルムを所定の形状にパターン化し
てから密着してもよい。ただし、積層によって金属導体
フィルムと電気絶縁フィルムとを密着する場合、最外層
となる金属導体層はパターン化してから密着しても、密
着してからエッチングによる除去を行ってパターン化し
てもよい。また、金属導体層は真空蒸着法等によって形
成してもよい。
When the metal conductor layer is formed in a pattern, the metal conductor film may be patterned into a predetermined shape and then adhered. However, when the metal conductor film and the electrical insulating film are brought into close contact with each other by lamination, the outermost metal conductor layer may be patterned and then adhered, or may be removed by etching and then patterned. Further, the metal conductor layer may be formed by a vacuum evaporation method or the like.

【0102】基板35、55に用いる補強用充填剤含有
フィルム中の樹脂材料の含有量は10〜70重量%が適
当である。これにより強度が十分で、低誘電性を有し、
耐熱性のあるフィルムないし基板となる。このような含
有量は、フィルムを積層する際、あるいは基板を積層す
る際に樹脂のりとして樹脂材料、すなわち樹脂材料自体
が熱融着できる量(10重量%以上)を維持することに
よって実現されるものであってもよい。
The content of the resin material in the reinforcing filler-containing film used for the substrates 35 and 55 is suitably from 10 to 70% by weight. This has sufficient strength, low dielectric properties,
It becomes a heat-resistant film or substrate. Such a content is realized by maintaining an amount (10% by weight or more) at which a resin material, that is, the resin material itself can be heat-sealed as a resin paste when laminating a film or a substrate. It may be something.

【0103】本発明の樹脂材料を所定形状にする成形方
法としては、すでに述べたものもあるが、モールディン
グ法、コンプレッション法、押し出し法などが挙げら
れ、公知の方法に準じ、本発明の樹脂材料の使用目的に
応じ安価に成形できる方法を選択すればよい。
As the molding method for forming the resin material of the present invention into a predetermined shape, there have already been mentioned the molding method, the compression method, the extrusion method, and the like. A method that can be molded at low cost may be selected according to the purpose of use.

【0104】本発明の耐熱性低誘電性高分子材料の電気
的性能においては、特に周波数帯域が60MHz以上、
特に60MHz〜10GHzの高周波数帯域において、
誘電率(ε)が1以上、特に2.0〜3.0を示し、か
つ誘電損失正接(tanδ)が、0.01以下、通常
0.001〜0.01を有する低誘電性電気絶縁材料を
得ることができ、また電気素子となる補強用充填剤含有
電気絶縁基板にすることによって、基板強度を改善し、
低誘電性電気絶縁基板そのものよりも膨張係数を小さく
し、熱伝導性を向上させることができる。
In the electrical performance of the heat-resistant low-dielectric polymer material of the present invention, particularly, the frequency band is 60 MHz or more,
Especially in a high frequency band of 60 MHz to 10 GHz,
Low-dielectric electric insulating material having a dielectric constant (ε) of 1 or more, particularly 2.0 to 3.0, and a dielectric loss tangent (tan δ) of 0.01 or less, usually 0.001 to 0.01. Can be obtained, and by using a reinforcing filler-containing electric insulating substrate to be an electric element, the substrate strength is improved,
The coefficient of expansion can be made smaller than that of the low dielectric electric insulating substrate itself, and the thermal conductivity can be improved.

【0105】なお、本発明の高分子材料の絶縁抵抗率は
常態における体積抵抗率で2〜5×1014Ωcm以上で
ある。また、絶縁破壊強度も強く、15KV/mm以
上、特に18〜30KV/mmとすぐれた特性を示す。
また、本発明の高分子材料は、耐熱性に優れ、半田付け
の際の加熱温度に耐え得る。したがって、基板や電子部
品のみならず、このような処理が必要なハウジングやケ
ーシングに使用することが好ましい。
The insulating resistivity of the polymer material of the present invention is 2 to 5 × 10 14 Ωcm or more in normal volume resistivity. In addition, the dielectric breakdown strength is strong, and shows excellent characteristics of 15 KV / mm or more, particularly 18 to 30 KV / mm.
Further, the polymer material of the present invention has excellent heat resistance and can withstand the heating temperature at the time of soldering. Therefore, it is preferable to use it not only for a board or an electronic component but also for a housing or a casing that requires such processing.

【0106】以上のように構成された本発明に係るアン
テナ装置については他の効用もある。現在、携帯電話の
電波による生体への影響が議論されているが、従来のチ
ップアンテナを使用した携帯電話機では筐体内にアンテ
ナがあり、またアンテナの指向性も無指向性にするため
に、携帯電話機を使う人の頭部に電話機から放射される
電波が高いエネルギーの状態で放射されてしまう危険性
がある。その点携帯電話の筐体外にアンテナが設けられ
ている場合、前記問題についてはある程度の回避が可能
である。
The antenna device according to the present invention configured as described above has other effects. At present, the effects of radio waves from mobile phones on living organisms are being discussed.However, conventional mobile phones using chip antennas have an antenna inside the housing and the directivity of the antenna is omnidirectional. There is a risk that radio waves radiated from the telephone may be radiated with high energy to the head of the person who uses the telephone. On the other hand, when the antenna is provided outside the housing of the mobile phone, the above problem can be avoided to some extent.

【0107】それに対し、本発明に係るアンテナ装置は
接地導体のある側のアンテナの指向性(利得)が低く、
アンテナ素子パターンがある側に指向性(利得)が集中
する性質があるため、携帯電話機を使う人の頭部の側に
本発明に係るアンテナ装置の接地導体のある側がくるよ
うにすれば、携帯電話機の筐体外部にアンテナを設けた
場合よりも携帯電話機を使う人の頭部を電話機より放射
される電波から保護することができるという利点があ
る。
On the other hand, in the antenna device according to the present invention, the directivity (gain) of the antenna having the ground conductor is low, and
Since the directivity (gain) tends to concentrate on the side where the antenna element pattern is located, if the side with the ground conductor of the antenna device according to the present invention comes to the side of the head of the person using the mobile phone, There is an advantage that the head of the person who uses the mobile phone can be protected from radio waves radiated from the phone, as compared with a case where an antenna is provided outside the housing of the phone.

【0108】[0108]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 (第1実施例)図3は上記した本発明に係るアンテナ装
置の第1の実施例を示した斜視図であり、図4はその構
造を示した分解斜視図である。本実施例のアンテナ装置
100は2つの通信システムに対応したアンテナ装置で
あり、誘電体基板101の一方の面上にアンテナ素子パ
ターン110、120が形成され、他方の面には略全面
を覆う接地導体130が形成されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 3 is a perspective view showing a first embodiment of the above-described antenna device according to the present invention, and FIG. 4 is an exploded perspective view showing its structure. The antenna device 100 according to the present embodiment is an antenna device corresponding to two communication systems, in which antenna element patterns 110 and 120 are formed on one surface of a dielectric substrate 101 and a ground covering almost the entire surface is provided on the other surface. A conductor 130 is formed.

【0109】前記アンテナ素子パターン110、120
は一般に言われるところの逆F型アンテナを形成してお
り、給電部111、121と接地部112、122をそ
れぞれ有している。前記給電部111、121はそれぞ
れ誘電体基板101に形成された表裏面を電気的に導通
するスルーホール電極113、123により各システム
が信号を入出力する端子となる電極115、125に接
続している。これらの電極115、125は接地導体1
30と隔離している。尚、前記電極115、125には
携帯電話機の高周波回路部と接続されるための端子11
6、126が設けられている。また、前記接地部11
2、122はそれぞれ誘電体基板101に形成されたス
ルーホール電極114、124によりそれぞれ前記接地
導体130に接続している。
The antenna element patterns 110 and 120
Forms an inverted F-type antenna that is generally called, and has feed portions 111 and 121 and ground portions 112 and 122, respectively. The power supply units 111 and 121 are connected to electrodes 115 and 125 serving as terminals for input and output of signals by respective systems by through-hole electrodes 113 and 123 formed on the dielectric substrate 101 and electrically connecting the front and back surfaces, respectively. I have. These electrodes 115 and 125 are connected to the ground conductor 1.
30 and isolated. The electrodes 115 and 125 have terminals 11 for connection to a high-frequency circuit section of a mobile phone.
6, 126 are provided. Further, the grounding portion 11
Reference numerals 2 and 122 are respectively connected to the ground conductor 130 by through-hole electrodes 114 and 124 formed in the dielectric substrate 101.

【0110】次に本発明に係る上記構成のアンテナ装置
100の携帯電話機への装着構造について説明する。図
5は図3、図4で示したアンテナ装置100を携帯電話
機に装着した際の状態を示している。
Next, a structure for mounting the antenna device 100 having the above-described configuration according to the present invention on a portable telephone will be described. FIG. 5 shows a state where the antenna device 100 shown in FIGS. 3 and 4 is mounted on a mobile phone.

【0111】図5において、40は携帯電話機の筐体を
示しており、筐体40の内部に携帯電話機を動作させる
部品が搭載されたマザーボード41が装着されている状
況を示している。通常前記マザーボード41上には図6
に示す高周波回路部45が構成された部分があり、その
部分は金属板あるいは樹脂に金属メッキを行ったキャッ
プ、すなわちシールド筐体42、43で前記高周波回路
部45を覆って電磁界的にシールド構造をとっている。
In FIG. 5, reference numeral 40 denotes a housing of the mobile phone, and shows a situation in which a motherboard 41 on which components for operating the mobile phone are mounted is mounted inside the housing 40. Usually, on the motherboard 41, FIG.
The high-frequency circuit section 45 shown in FIG. 2 is formed, and the portion is covered with a metal plate or a resin-plated metal cap, that is, the shield casings 42 and 43 cover the high-frequency circuit section 45 and are electromagnetically shielded. It has a structure.

【0112】図6(A)、(B)に示すように、マザー
ボード41には高周波回路部45が設けられるが、その
部分は金属(或いは樹脂に金属メッキを行った)シール
ド筐体42、及び43を使って高周波回路部45の両面
側からカバーし、シールドする構成をとっている。
As shown in FIGS. 6A and 6B, a high-frequency circuit section 45 is provided on the motherboard 41, and the high-frequency circuit section 45 is formed of a metal (or resin-plated metal) shield case 42, 43 is used to cover and shield from both sides of the high-frequency circuit section 45.

【0113】しかし、一方の金属シールド筐体43は天
板部を有した構成であるが、他方の金属シールド筐体4
2は天板部分を有しておらず、周囲を覆う壁面部のみの
構成としている。この状態のシールド筐体42に図6に
示すように本発明の実施例であるアンテナ装置100の
表面に形成したアンテナ素子パターン110、120が
外側となるように上側から装着する。
However, one of the metal shield casings 43 has a top plate portion, while the other metal shield casing 4
Reference numeral 2 does not have a top plate portion, and has only a wall portion covering the periphery. As shown in FIG. 6, the antenna element patterns 110 and 120 formed on the surface of the antenna device 100 according to the embodiment of the present invention are mounted on the shield housing 42 in this state from above such that the antenna element patterns 110 and 120 face outward.

【0114】その際、アンテナ装置100の裏面に形成
された接地導体130がシールド筐体42に電気的に接
続するようにする必要がある。その方法としては、アン
テナ装置100の接地導体130とシールド筐体42と
が、半田付け、或いはネジの締め付けによる圧着、或い
は勘合構造による圧着等のいずれの方法であってもよ
い。
At this time, it is necessary that the ground conductor 130 formed on the back surface of the antenna device 100 be electrically connected to the shield housing 42. As a method therefor, the ground conductor 130 of the antenna device 100 and the shield case 42 may be soldered, crimped by tightening screws, crimped by a fitting structure, or the like.

【0115】また、アンテナ装置100の給電部に設け
た接続端子116、126は高周波回路部45のそれぞ
れの通信システムの送受信入出力端子に接続させる。上
記の構成にすることにより、アンテナ装置100の接地
導体130は高周波回路部45のシールド構成の1部と
して機能することができる。
The connection terminals 116 and 126 provided at the power supply unit of the antenna device 100 are connected to the transmission / reception input / output terminals of the respective communication systems of the high-frequency circuit unit 45. With the above configuration, the ground conductor 130 of the antenna device 100 can function as a part of the shield configuration of the high-frequency circuit unit 45.

【0116】一方、本実施例のアンテナ装置100の誘
電体基板101の材料については次のように作製した。
容積5リットルのステンレス製オ−トクレ−ブに、純水
2000gを入れ、さらに懸濁剤としてポリビニルアル
コ−ル2.5gを溶解させた。
On the other hand, the material of the dielectric substrate 101 of the antenna device 100 of this embodiment was manufactured as follows.
In a 5-liter stainless steel autoclave, 2000 g of pure water was added, and 2.5 g of polyvinyl alcohol was dissolved as a suspending agent.

【0117】この中にスチレンモノマー990gとジビ
ニルベンゼン10g、重合開始剤としてのベンゾイルペ
ルオキシド5gを投入・撹拌した。次いでオ−トクレ−
ブを80〜85℃に上げ、その温度で7時間維持して重
合を完結させ、濾過後、水洗および乾燥してスチレン−
ジビニルベンゼン共重合体を得た。この樹脂を熱プレス
成型機により220℃で熱プレス成形してアンテナ装置
100の基板101を作製した。この際基板101の両
面に10〜35μm程度の銅箔を同時にプレスを行って
基板表面に銅箔を接着させる。
990 g of a styrene monomer, 10 g of divinylbenzene, and 5 g of benzoyl peroxide as a polymerization initiator were charged and stirred therein. Then autocle
The temperature was raised to 80-85 ° C. and maintained at that temperature for 7 hours to complete the polymerization.
A divinylbenzene copolymer was obtained. This resin was hot-pressed at 220 ° C. using a hot-press forming machine to produce the substrate 101 of the antenna device 100. At this time, a copper foil of about 10 to 35 μm is simultaneously pressed on both surfaces of the substrate 101 to adhere the copper foil to the substrate surface.

【0118】上記により得られた両面に銅箔が接着され
た基板101に対し、必要箇所にスルーホール電極11
3、114、123、124を形成するためのドリル等
で穴を形成し、その穴に対して銅メッキを行う。尚、穴
開けについて本基板はガラスクロスを含有していないた
め、パンチングにより穴を形成することも可能である。
The substrate 101 having the copper foil adhered to both sides obtained as described above is placed on a required portion through-hole electrode 11.
Holes are formed with a drill or the like for forming 3, 114, 123, and 124, and the holes are plated with copper. Note that since the present substrate does not contain glass cloth, holes can be formed by punching.

【0119】その後前記基板101全体に対してスプレ
ー等でエッチングレジストの塗布を行う。次にフォトリ
ソグラフィ技術により板状上に形成するアンテナ素子パ
ターン110、120、接地導体130パターン、給電
部111、121パターン等の露光、エッチングを行
う。尚、必要に応じて、前記導体パターンに対して樹脂
等の保護膜を形成する。但し、電気的接続が必要な箇所
に対しては前記保護膜を除去し、導体パターンが露出す
るようにする。以上により本実施例のアンテナ装置は完
成する。尚、この時の基板の比誘電率は1GHz帯にお
いて2.59であり、誘電損失(誘電正接tanδ)は
4.5x10-4であった。また基板101の炭素原子と
水素原子数の和の割合99%以上になっている。
Thereafter, an etching resist is applied to the entire substrate 101 by spraying or the like. Next, exposure and etching are performed on the antenna element patterns 110 and 120, the ground conductor 130 pattern, the power supply sections 111 and 121 pattern, and the like formed on the plate by photolithography. If necessary, a protective film such as a resin is formed on the conductor pattern. However, the protective film is removed at locations where electrical connection is required so that the conductor pattern is exposed. Thus, the antenna device of the present embodiment is completed. At this time, the relative dielectric constant of the substrate was 2.59 in the 1 GHz band, and the dielectric loss (dielectric loss tangent tan δ) was 4.5 × 10 −4 . The ratio of the sum of the number of carbon atoms and the number of hydrogen atoms of the substrate 101 is 99% or more.

【0120】また、基板101の強度としてはアイゾッ
ト衝撃値で1Kg・cm/cm2が得られており、26
0℃の半田耐熱性においても問題ない状況である。
The substrate 101 had an Izod impact value of 1 kg · cm / cm 2 ,
There is no problem with the solder heat resistance of 0 ° C.

【0121】またアンテナ装置を構成する基板への加工
性についても問題はなく、且つ基板表面に形成する導体
パターン(銅箔)の接着強度も十分強度を有している。
There is no problem in the processability of the substrate constituting the antenna device, and the bonding strength of the conductor pattern (copper foil) formed on the substrate surface is sufficiently strong.

【0122】また、本実施例ではアンテナ装置100の
基板101に使用した上記樹脂材料は低誘電率化のため
にガラスクロスの等を内蔵させておらず、そのため基板
101の比誘電率を2.59程度となっている。これに
より、基板101の薄型化が可能となった。
In the present embodiment, the resin material used for the substrate 101 of the antenna device 100 does not include glass cloth or the like for lowering the dielectric constant. It is about 59. Thereby, the thickness of the substrate 101 can be reduced.

【0123】しかしながら通常配線基板101で使用さ
れるガラスクロスを含んだ基板に比べ強度は問題ないレ
ベルであり、基板の熱膨張についても、アンテナ装置の
放射効率及び周波数特性に大きな影響を与えるこはなか
った。(第2実施例)図7は上記した本発明に係るアン
テナ装置の第2の実施例を示した斜視図であり、図8は
その構造を示した分解斜視図である。図7、図8に示す
アンテナ装置200は2つの通信システムに対応したア
ンテナ装置であり、誘電体基板201の一方の面上にア
ンテナ素子パターン210、220が形成され、他方の
面には略全面を覆う接地導体230が形成されている。
However, the strength is not a problem as compared with a substrate including a glass cloth used for the wiring substrate 101, and the thermal expansion of the substrate does not greatly affect the radiation efficiency and frequency characteristics of the antenna device. Did not. (Second Embodiment) FIG. 7 is a perspective view showing a second embodiment of the above-described antenna device according to the present invention, and FIG. 8 is an exploded perspective view showing its structure. The antenna device 200 shown in FIGS. 7 and 8 is an antenna device corresponding to two communication systems, in which antenna element patterns 210 and 220 are formed on one surface of a dielectric substrate 201 and substantially the entire surface is provided on the other surface. Is formed.

【0124】前記アンテナ素子パターン210、220
は一般に言われるところの逆F型アンテナを形成してお
り、給電部211、221と接地部212、222をそ
れぞれ有している。前記給電部211、221はそれぞ
れ通過する信号のインピーダンスを調整するための回路
として回路素子であるコイル213、コンデンサ223
が誘電体基板201上に形成され、誘電体基板201の
表裏面を電気的に導通するスルーホール電極215、2
25のランド電極214、224に接続している。
The antenna element patterns 210 and 220
Forms an inverted-F type antenna generally called, and has feed portions 211 and 221 and ground portions 212 and 222, respectively. The power supply units 211 and 221 are circuit elements for adjusting the impedance of a signal passing therethrough, such as a coil 213 and a capacitor 223 which are circuit elements.
Are formed on the dielectric substrate 201, and the through-hole electrodes 215, 2 electrically connect the front and back surfaces of the dielectric substrate 201 to each other.
25 land electrodes 214, 224.

【0125】前記ランド電極214、224はスルーホ
ール電極215、225により誘電体基板201の裏面
の電極217、227に接続し、前記電極217、22
7は誘電体基板201の裏面の接続用電極218により
接続し、該電極227は入出力端子となる電極228に
接続している。該入出力端子となる電極228は携帯電
話機の高周波回路部と接続される。
The land electrodes 214 and 224 are connected to the electrodes 217 and 227 on the back surface of the dielectric substrate 201 by through-hole electrodes 215 and 225.
7 is connected by a connection electrode 218 on the back surface of the dielectric substrate 201, and the electrode 227 is connected to an electrode 228 serving as an input / output terminal. The electrode 228 serving as the input / output terminal is connected to a high-frequency circuit section of the mobile phone.

【0126】また、接地部212、222はそれぞれ誘
電体基板201に形成されたスルーホール電極216、
226によりそれぞれ前記接地導体230に接続してい
る。尚、上記した本発明に係る第2の方法のアンテナ装
置200の携帯電話機への装着方法は前記第1実施例に
おける方法と同一であり、その説明については省略す
る。
The grounding portions 212 and 222 are respectively provided with through-hole electrodes 216 and 216 formed on the dielectric substrate 201.
226 are connected to the ground conductor 230 respectively. The method of mounting the antenna device 200 on the mobile phone according to the second method according to the present invention is the same as the method according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0127】また、誘電体基板201の材料及びその製
造方法についても同様に第1実施例における方法と同一
であるので説明は省略する。 (他の実施例)以上実施例について説明したが、本発明
は次のようにしても実施が可能である。 (1)上記第1、第2実施例ではアンテナ装置がシール
ド筐体の天板部全てを覆う形で装着されていたが、一部
分を覆う形態での装着であってもよい。即ち、アンテナ
装置がシールド筐体の天板部よりも小さい場合等であっ
て、アンテナ装置がかからない部分はシールド筐体自身
の材料で天板部を構成させることになる。 (2)上記第1、第2実施例ではアンテナ装置のアンテ
ナの構成について逆F型アンテナで示したが、本発明に
係るアンテナ装置は前記構成に限定されるものではな
く、平板上に形成可能な構成のアンテナ装置であればよ
い。 (3)上記第1の実施例ではアンテナ装置100の各給
電部111、121の信号を直接を携帯電話機の高周波
回路部に接続していたが、図9に示すように、通過帯域
を調整するためのフィルタ140、141をアンテナ装
置100を構成する基板101上に設けて、各給電部1
11、121に前記フィルタ140、141の一方のポ
ートをそれぞれ接続させ、前記フィルタの他方のポート
を共通の入出力端子である電極128により前記携帯電
話機の高周波回路部に接続させてもよい。
The material of the dielectric substrate 201 and the method of manufacturing the same are also the same as those in the first embodiment, so that the description will be omitted. (Other Embodiments) Although the embodiments have been described above, the present invention can be implemented as follows. (1) In the first and second embodiments, the antenna device is mounted so as to cover the entire top plate portion of the shield case. However, the antenna device may be mounted so as to cover a part thereof. That is, for example, when the antenna device is smaller than the top plate of the shield housing, the portion not covered by the antenna device has the top plate made of the material of the shield housing itself. (2) In the first and second embodiments, the configuration of the antenna of the antenna device is described as an inverted-F antenna. However, the antenna device according to the present invention is not limited to the above configuration, and can be formed on a flat plate. An antenna device having a simple configuration may be used. (3) In the first embodiment, the signals of the power supply units 111 and 121 of the antenna device 100 are directly connected to the high-frequency circuit unit of the mobile phone, but the passband is adjusted as shown in FIG. 140 and 141 are provided on the substrate 101 constituting the antenna device 100 and
One of the ports of the filters 140 and 141 may be connected to the ports 11 and 121, respectively, and the other port of the filter may be connected to the high-frequency circuit section of the mobile phone through an electrode 128 serving as a common input / output terminal.

【0128】尚、前記フィルタは接地導体130が形成
される側に設けることが好ましい。図9において、14
2、143はそれぞれ基板101の裏面に設けたフィル
タ140、141の搭載部、144、145、146は
それぞれ基板101の裏面に接地導体130と隔離して
設けた電極であり、それぞれ給電部111、121、電
極128に接続する電極である。なお、扱う周波数によ
って前記フィルタは基板101上に電極パターンで形成
してもよく、電極パターンによって形成すれば薄型化が
可能であり、機器への装着が可能である。 (4)上記第1、第2実施例において扱う複数の通信シ
ステム用に設けるアンテナ素子パターンのパターン巾に
ついて詳細な規定をしなかったが、低周波側となるアン
テナ素子パターンのパターン巾を高周波側となるアンテ
ナ素子パターンのパターン巾に比べ巾広にして、高周波
側のアンテナ素子パターンの低インピーダンス化を回避
することも可能である。 (5)アンテナ装置の基板材料の他の組成の組み合わせ
として次の構成も可能である。
The filter is preferably provided on the side where the ground conductor 130 is formed. In FIG. 9, 14
Reference numerals 2 and 143 denote mounting portions of filters 140 and 141 provided on the back surface of the substrate 101, and electrodes 144, 145 and 146 denote electrodes provided on the back surface of the substrate 101 separately from the ground conductor 130, respectively. 121 and an electrode connected to the electrode 128. The filter may be formed in an electrode pattern on the substrate 101 depending on the frequency to be handled. If the filter is formed in the electrode pattern, the filter can be made thinner and can be mounted on a device. (4) Although the pattern width of the antenna element pattern provided for a plurality of communication systems handled in the first and second embodiments was not specified in detail, the pattern width of the antenna element pattern on the low frequency side was changed to the high frequency side. It is also possible to make the antenna element pattern wider than the pattern width of the antenna element pattern to avoid lowering the impedance of the antenna element pattern on the high frequency side. (5) The following configuration is also possible as a combination of other compositions of the substrate material of the antenna device.

【0129】容積5リットルのステンレス製オ−トクレ
−ブに、純水2500gを入れ、さらに懸濁剤としてポ
リビニルアルコ−ル2.5gを溶解させる。この中にオ
レフィン系重合体としてポリプロピレン「Jアロイ15
0G」(商品名、日本ポリオレフィン(株)製)700
gを入れ、撹拌・分散する。別にラジカル重合開始剤と
してのベンゾイルペルオキシド1.5g、ラジカル重合
性有機過酸化物としてt−ブチルペルオキシメタクリロ
イロキシエチルカ−ボネ−ト9gを、ビニル芳香族単量
体としてスチレン300g中に溶解させ、この溶液を前
記オ−トクレ−ブ中に投入・撹拌する。
In a stainless steel autoclave having a volume of 5 liters, 2500 g of pure water is added, and 2.5 g of polyvinyl alcohol is dissolved as a suspending agent. In this, polypropylene "J Alloy 15" was used as an olefin polymer.
0G "(trade name, manufactured by Nippon Polyolefin Co., Ltd.) 700
g, stir and disperse. Separately, 1.5 g of benzoyl peroxide as a radical polymerization initiator, 9 g of t-butylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate as a radical polymerizable organic peroxide, and 300 g of styrene as a vinyl aromatic monomer were dissolved. This solution is poured and stirred into the autoclave.

【0130】次いでオ−トクレ−ブを60〜65℃に昇
温し、2時間撹拌することによりラジカル重合開始剤お
よびラジカル重合性有機過酸化物を含むビニル単量体を
ポリプロピレン中に含浸させる。次いで、温度を80〜
85℃に上げ、その温度で7時間維持して重合を完結さ
せ、濾過後、水洗および乾燥してグラフト化前駆体を得
る。次いで、このグラフト化前駆体をラボプラストミル
一軸押出機((株)東洋精機製作所製)で200℃にて
押し出し、グラフト化反応させることによりグラフト共
重合体を得る。これを熱プレスして基板を形成する。 (6)更にアンテナ装置の基板材料の他の組成の組み合
わせとして次の構成も可能である。
Then, the autoclave is heated to 60 to 65 ° C. and stirred for 2 hours to impregnate the polypropylene with a vinyl monomer containing a radical polymerization initiator and a radically polymerizable organic peroxide. Then, when the temperature is 80-
The temperature is raised to 85 ° C. and maintained at that temperature for 7 hours to complete the polymerization. After filtration, washing and drying are performed to obtain a grafted precursor. Next, the grafting precursor is extruded at 200 ° C. with a Labo Plastomill single-screw extruder (manufactured by Toyo Seiki Seisaku-sho, Ltd.), and a grafting reaction is performed to obtain a graft copolymer. This is hot pressed to form a substrate. (6) The following configuration is also possible as a combination of other compositions of the substrate material of the antenna device.

【0131】容積5リットルのステンレス製オ−トクレ
−ブに、純水2500gを入れ、さらに懸濁剤としてポ
リビニルアルコ−ル2.5gを溶解させる。この中にオ
レフィン系重合体としてポリプロピレン「Jアロイ15
0G」(商品名、日本ポリオレフィン(株)製)800
gを入れ、撹拌・分散した。別にラジカル重合開始剤と
してのベンゾイルペルオキシド1.5g、ラジカル重合
性有機過酸化物としてt−ブチルペルオキシメタクリロ
イロキシエチルカ−ボネ−ト6gを、ジビニルベンゼン
100g、ビニル芳香族単量体としてスチレン100g
の混合液に溶解させ、この溶液を前記オ−トクレ−ブ中
に投入・撹拌した。次いでオ−トクレ−ブを60〜65
℃に昇温し、2時間撹拌することによりラジカル重合開
始剤およびラジカル重合性有機過酸化物を含むビニル単
量体をポリプロピレン中に含浸させる。
In a stainless steel autoclave having a volume of 5 liters, 2500 g of pure water is added, and 2.5 g of polyvinyl alcohol is dissolved as a suspending agent. In this, polypropylene "J Alloy 15" was used as an olefin polymer.
0G "(trade name, manufactured by Nippon Polyolefin Co., Ltd.) 800
g was stirred and dispersed. Separately, 1.5 g of benzoyl peroxide as a radical polymerization initiator, 6 g of t-butylperoxymethacryloyloxyethyl carbonate as a radical polymerizable organic peroxide, 100 g of divinylbenzene, and 100 g of styrene as a vinyl aromatic monomer
Was dissolved in the above mixture, and this solution was charged into the autoclave and stirred. Next, the autoclave is set at 60-65.
C. and stirred for 2 hours to impregnate the polypropylene with a vinyl monomer containing a radical polymerization initiator and a radically polymerizable organic peroxide.

【0132】次いで、温度を80〜85℃に上げ、その
温度で7時間維持して重合を完結させ、水洗および乾燥
してグラフト化前駆体を得る。次いで、このグラフト化
前駆体をラボプラストミル一軸押出機((株)東洋精機
製作所製)で200℃にて押し出し、グラフト化反応さ
せることによりグラフト共重合体を得る。これ熱プレス
して基板を形成する。 (7)その上更にアンテナ装置の基板材料の他の組成の
組み合わせとして次の構成も可能である。
Next, the temperature is raised to 80 to 85 ° C., and the temperature is maintained for 7 hours to complete the polymerization, followed by washing and drying to obtain a graft precursor. Next, the grafting precursor is extruded at 200 ° C. with a Labo Plastomill single-screw extruder (manufactured by Toyo Seiki Seisaku-sho, Ltd.), and a grafting reaction is performed to obtain a graft copolymer. This is hot pressed to form a substrate. (7) In addition, the following configuration is also possible as a combination of other compositions of the substrate material of the antenna device.

【0133】ポリエチレン「G401」1000g(商
品名、日本ポリオレフィン(株)製)にパークミルD
(商品名、日本油脂(株)製)を10gブレンドし後、
シリンダ−温度140℃に設定されたスクリュ−径30
mmの同軸方向二軸押出機に供給し、押出後造粒し、熱
架橋性ポリエチレン樹脂を得る。これにポリ4−メチル
ペンテン−1「TPX RT18」(商品名、三井石油
化学工業(株)製)2700gと前記熱架橋性ポリエチ
レン樹脂300gを溶融混合する。溶融混合の方法は、
各樹脂をドライブレンドした後、シリンダ−温度260
℃に設定されたスクリュ−径30mmの同軸方向二軸押
出機に供給し、押出後造粒し、樹脂を得る。これ熱プレ
スして基板を形成する。
Park Mill D was added to 1000 g of polyethylene “G401” (trade name, manufactured by Nippon Polyolefin Co., Ltd.).
After blending 10 g (trade name, manufactured by NOF Corporation),
Cylinder-screw diameter 30 set to 140 ° C
mm coaxial twin-screw extruder, and after extrusion, granulate to obtain a thermo-crosslinkable polyethylene resin. 2700 g of poly 4-methylpentene-1 "TPX RT18" (trade name, manufactured by Mitsui Petrochemical Industry Co., Ltd.) and 300 g of the heat-crosslinkable polyethylene resin are melt-mixed. The method of melt mixing is
After dry blending each resin, cylinder-temperature 260
The mixture is supplied to a coaxial twin-screw extruder having a screw diameter of 30 mm set at a temperature of ° C., followed by extrusion and granulation to obtain a resin. This is hot pressed to form a substrate.

【0134】[0134]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。
As described above, the present invention has the following effects.

【0135】請求項1によれば、誘電体基板の主表面
に、複数の周波数帯の電磁波の放射乃至は受信する複数
のアンテナ素子パターンを設けたので、アンテナ装置は
その構造が平板で得られ、且つ複数の通信システムに対
応可能で、各周波数帯域について、従来のチップアンテ
ナに比べ放射効率(受信感度)の高いアンテナが得られ
る。また、平板にアンテナ装置を実現したので、効率が
高く、かつ携帯電話機筐体内に内蔵可能なアンテナ装置
が得られる。請求項2〜11によれば、さらに下記の効
果を得ることができる。
According to the first aspect, since a plurality of antenna element patterns for radiating or receiving electromagnetic waves in a plurality of frequency bands are provided on the main surface of the dielectric substrate, the antenna device has a flat structure. In addition, it is possible to obtain an antenna which can cope with a plurality of communication systems and has higher radiation efficiency (reception sensitivity) than a conventional chip antenna in each frequency band. Further, since the antenna device is realized as a flat plate, an antenna device having high efficiency and capable of being built in the mobile phone housing can be obtained. According to claims 2 to 11, the following effects can be further obtained.

【0136】請求項2によれば、前記アンテナ装置の誘
電体基板のアンテナ素子パターンが形成された面とは反
対側の面の略全面に接地導体を設けたので、シールド機
能を持つアンテナ装置が得られる。
According to the second aspect, the ground conductor is provided on substantially the entire surface of the dielectric substrate of the antenna device opposite to the surface on which the antenna element pattern is formed. can get.

【0137】請求項3によれば、前記複数のアンテナ素
子パターンがそれぞれ独立した給電部を有し、前記複数
の給電部より信号の入出力を行うため、前記給電部に接
続する各システムの高周波回路部は単一の通信システム
の場合と同様な方法で接続させることが可能である。
According to claim 3, each of the plurality of antenna element patterns has an independent power supply unit, and inputs and outputs signals from the plurality of power supply units. The circuit units can be connected in the same manner as in a single communication system.

【0138】請求項4によれば、前記複数のアンテナ素
子パターンの各給電部に各周波数帯を通過させるための
フィルタを前記アンテナ装置を構成する誘電体基板上に
設けて前記フィルタを介して信号の入出力を行うもので
あるため、必要帯域外の信号の除去性能を向上させると
共に、高周波回路内での不要帯域の信号対策が容易とな
る。
According to the fourth aspect, a filter for passing each frequency band to each feeding section of the plurality of antenna element patterns is provided on a dielectric substrate constituting the antenna device, and a signal is transmitted through the filter. Since the input and output are performed, the removal performance of the signal outside the necessary band is improved, and the signal countermeasure of the unnecessary band in the high frequency circuit becomes easy.

【0139】請求項5によれば、前記フィルタが前記ア
ンテナ装置を構成する誘電体基板上にパターンとして形
成されているため、請求項4のアンテナ装置が薄型に形
成でき、機器への装着が容易となる。
According to the fifth aspect, since the filter is formed as a pattern on the dielectric substrate constituting the antenna device, the antenna device of the fourth aspect can be formed thin, and can be easily mounted on a device. Becomes

【0140】請求項6によれば、前記複数のアンテナ素
子パターンのそれぞれの給電部に各周波数帯域の信号を
通過させるためのインピーダンス調整部を前記アンテナ
装置を構成する誘電体基板上に設けて、前記インピーダ
ンス調整部を介して1個の信号入出力部に接続するた
め、接続が1箇所ですみ、組付けが簡単となる。
According to the sixth aspect, an impedance adjusting section for passing a signal in each frequency band is provided on each of the feed sections of the plurality of antenna element patterns on a dielectric substrate constituting the antenna apparatus. Since the signal is connected to one signal input / output unit via the impedance adjustment unit, only one connection is required, and assembly is simplified.

【0141】請求項7によれば、前記インピーダンス調
整部が前記アンテナ装置を構成する誘電体基板上にパタ
ーンとして形成されているため、請求項6のアンテナ装
置において、アンテナ装置が薄型に形成でき、機器への
装着が容易となる。
According to the seventh aspect, since the impedance adjusting section is formed as a pattern on the dielectric substrate constituting the antenna device, the antenna device according to the sixth aspect can be formed thin. Mounting to equipment becomes easy.

【0142】請求項8によれば、前記複数の電磁波放射
パターンの内低周波側の放射用電極パターンの巾を高周
波側の放射用電極パターンに比べ巾広にしたので、各周
波数帯域に適応したインピーダンスが得られ、効率が向
上する。
According to the eighth aspect, since the width of the radiation electrode pattern on the low frequency side of the plurality of electromagnetic wave radiation patterns is wider than that of the radiation electrode pattern on the high frequency side, the width is adapted to each frequency band. Impedance is obtained and efficiency is improved.

【0143】請求項9によれば、前記アンテナ装置が無
線装置等の高周波回路部に設けられるシールド筐体の天
板部の一部または全体を構成するものであるため、アン
テナ装置が携帯電話機等の部品として組み込むことがで
き、携帯電話機等形状を大型化させずにすむ。
According to the ninth aspect, the antenna device constitutes a part or the whole of a top plate portion of a shield housing provided in a high-frequency circuit unit such as a wireless device. It can be incorporated as a part of a mobile phone, and the size of a mobile phone or the like does not need to be increased.

【0144】請求項10のアンテナ装置は、前記アンテ
ナ装置を構成する誘電体基板の比誘電率を5以下とした
ので、前記アンテナ装置を構成する基板について薄型化
が可能となり、これにより前記アンテナ装置が装着され
るため携帯電話機等の形状を大型化させずにすむ。
In the antenna device according to the tenth aspect, since the relative permittivity of the dielectric substrate constituting the antenna device is set to 5 or less, the thickness of the substrate constituting the antenna device can be reduced. Since the device is mounted, it is not necessary to increase the size of the mobile phone or the like.

【0145】請求項11のアンテナ装置は、前記誘電体
基板の基板材料を、樹脂材料のみからなる低誘電率材料
により構成したので、請求項10と同様の効果が得られ
ると共に、基板として前述した架橋、グラフト重合、ブ
ロック重合構造等の樹脂材料を使用すれば、ガラスクロ
スを含有さなくても十分な強度がえられ且つ低誘電率化
ができ、前記基板の薄型化が可能となる。
In the antenna device according to the eleventh aspect, since the substrate material of the dielectric substrate is made of a low dielectric constant material made of only a resin material, the same effect as that of the tenth aspect is obtained, and the above-described substrate is used as the substrate. If a resin material such as a cross-linked, graft-polymerized, or block-polymerized structure is used, sufficient strength can be obtained and the dielectric constant can be reduced without containing glass cloth, and the substrate can be made thinner.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る第1の実施態様のアンテナ装置の
構造及びその使用方法を説明した図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a structure of an antenna device according to a first embodiment of the present invention and a method of using the same.

【図2】本発明に係る第2の実施態様のアンテナ装置の
構造及びその使用方法を説明した図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a structure of an antenna device according to a second embodiment of the present invention and a method of using the same.

【図3】本発明に係るアンテナ装置の第1の実施例の斜
視図である。
FIG. 3 is a perspective view of a first embodiment of the antenna device according to the present invention.

【図4】本発明に係るアンテナ装置の第1の実施例の構
造を説明した分解斜視図である。
FIG. 4 is an exploded perspective view illustrating the structure of the first embodiment of the antenna device according to the present invention.

【図5】本発明に係る図3、図4のアンテナ装置の携帯
電話機内での装着状況を説明した斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view illustrating a mounting state of the antenna device of FIGS. 3 and 4 in a mobile phone according to the present invention.

【図6】(A)は本発明に係るアンテナ装置を携帯電話
機を構成する高周波回路部に装着した状況を説明した斜
視図、(B)はその断面図である。
FIG. 6A is a perspective view illustrating a state in which the antenna device according to the present invention is mounted on a high-frequency circuit unit included in a mobile phone, and FIG. 6B is a cross-sectional view thereof.

【図7】本発明に係るアンテナ装置の第2の実施例の斜
視図である。
FIG. 7 is a perspective view of a second embodiment of the antenna device according to the present invention.

【図8】本発明に係るアンテナ装置の第2の実施例を示
す分解斜視図である。
FIG. 8 is an exploded perspective view showing a second embodiment of the antenna device according to the present invention.

【図9】本発明に係るアンテナ装置の他の実施例を示す
分解斜視図である。
FIG. 9 is an exploded perspective view showing another embodiment of the antenna device according to the present invention.

【図10】従来の複数の通信システムに対応した携帯電
話機の回路ブロック図であって分波フィルタを使用した
場合を説明した図である。
FIG. 10 is a circuit block diagram of a mobile phone compatible with a plurality of communication systems in the related art, illustrating a case where a demultiplexing filter is used.

【図11】従来の複数の通信システムに対応した携帯電
話機の回路ブロック図であってスイッチを使用した場合
を説明した図である。
FIG. 11 is a circuit block diagram of a conventional mobile phone compatible with a plurality of communication systems, illustrating a case where a switch is used.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:分配フィルタ、11、12:共用器(デュプレク
サ)、13、15:送信部、14、16:受信部、17
〜22:ノード、23、24:接続部、30、50、1
00、200:アンテナ装置、31、33、51、5
3、110、120、210、220:アンテナ素子パ
ターン、32、34、52、54、111、121、2
11、221:給電部、35、55、101、201:
誘電体基板、40:携帯電話機の筐体、41:マザーボ
ード、56、57:入出力回路、58:入出力端、6
1:システム1、62:システム2、130、230:
接地導体、140、141:フィルタ、213:コイ
ル、223:コンデンサ
10: distribution filter, 11, 12: duplexer (duplexer), 13, 15: transmission unit, 14, 16: reception unit, 17
-22: node, 23, 24: connection part, 30, 50, 1
00, 200: antenna device, 31, 33, 51, 5
3, 110, 120, 210, 220: antenna element pattern, 32, 34, 52, 54, 111, 121, 2,
11, 221: feeding unit, 35, 55, 101, 201:
Dielectric substrate, 40: mobile phone housing, 41: motherboard, 56, 57: input / output circuit, 58: input / output terminal, 6
1: System 1, 62: System 2, 130, 230:
Ground conductor, 140, 141: filter, 213: coil, 223: capacitor

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】誘電体基板の主表面に、複数の周波数帯の
電磁波の放射乃至は受信する複数のアンテナ素子パター
ンを設けたことを特徴とするアンテナ装置。
1. An antenna device comprising: a plurality of antenna element patterns for radiating or receiving electromagnetic waves in a plurality of frequency bands provided on a main surface of a dielectric substrate.
【請求項2】請求項1記載のアンテナ装置であって、前
記アンテナ装置の誘電体基板のアンテナ素子パターンが
形成された面とは反対側の面の略全面に接地導体を設け
たことを特徴とするアンテナ装置。
2. The antenna device according to claim 1, wherein a ground conductor is provided on substantially the entire surface of the dielectric substrate of the antenna device opposite to the surface on which the antenna element pattern is formed. Antenna device.
【請求項3】請求項1または2記載のアンテナ装置であ
って、前記複数のアンテナ素子パターンはそれぞれ独立
した給電部を有し、前記複数の給電部より信号の入出力
を行うことを特徴とするアンテナ装置。
3. The antenna device according to claim 1, wherein each of the plurality of antenna element patterns has an independent feeder, and inputs and outputs signals from the plurality of feeders. Antenna device.
【請求項4】請求項1から3までのいずれかに記載のア
ンテナ装置であって、前記複数のアンテナ素子パターン
の各給電部には各周波数帯を通過させるためのフィルタ
を前記アンテナ装置を構成する誘電体基板上に設けて前
記フィルタを介して信号の入出力を行うことを特徴とす
るアンテナ装置。
4. The antenna device according to claim 1, wherein each of the feeding portions of the plurality of antenna element patterns includes a filter for passing each frequency band. An antenna device provided on a dielectric substrate for inputting and outputting signals via the filter.
【請求項5】請求項4記載のアンテナ装置であって、前
記フィルタは前記アンテナ装置を構成する誘電体基板上
にパターンとして形成されていることを特徴とするアン
テナ装置。
5. The antenna device according to claim 4, wherein the filter is formed as a pattern on a dielectric substrate constituting the antenna device.
【請求項6】請求項1から3までのいずれかに記載のア
ンテナ装置であって、前記複数のアンテナ素子パターン
はそれぞれの給電部に各周波数帯域の信号を通過させる
ためのインピーダンス調整部を前記アンテナ装置を構成
する誘電体基板上に設けて、前記インピーダンス調整部
を介して1個の信号入出力部に接続することを特徴とす
るアンテナ装置。
6. The antenna device according to claim 1, wherein the plurality of antenna element patterns include an impedance adjustment unit for passing a signal of each frequency band to each feed unit. An antenna device provided on a dielectric substrate constituting the antenna device and connected to one signal input / output unit via the impedance adjustment unit.
【請求項7】請求項6記載のアンテナ装置であって、前
記インピーダンス調整部は前記アンテナ装置を構成する
誘電体基板上にパターンとして形成されていることを特
徴とするアンテナ装置。
7. The antenna device according to claim 6, wherein said impedance adjusting section is formed as a pattern on a dielectric substrate constituting said antenna device.
【請求項8】請求項1から7までのいずれかに記載のア
ンテナ装置であって、前記複数の電磁波放射パターンの
内低周波側の放射用電極パターンの巾は高周波側の放射
用電極パターンに比べ巾広にしたことを特徴とするアン
テナ装置。
8. The antenna device according to claim 1, wherein the width of the radiation electrode pattern on the low frequency side of the plurality of electromagnetic wave radiation patterns is equal to the width of the radiation electrode pattern on the high frequency side. An antenna device characterized by having a wider width.
【請求項9】請求項1から8までのいずれかに記載のア
ンテナ装置であって、前記アンテナ装置が無線装置等の
高周波回路部に設けられるシールド筐体の天板部の一部
または全体を構成することを特徴とするアンテナ装置。
9. The antenna device according to claim 1, wherein said antenna device partially or entirely covers a top plate of a shield housing provided in a high-frequency circuit unit such as a wireless device. An antenna device comprising:
【請求項10】請求項1から9までのいずれかに記載の
アンテナ装置であって、前記アンテナ装置を構成する誘
電体基板の比誘電率を5以下としたことを特徴とするア
ンテナ装置。
10. The antenna device according to claim 1, wherein a relative permittivity of a dielectric substrate constituting said antenna device is 5 or less.
【請求項11】請求項1から10までのいずれかに記載
のアンテナ装置であって、前記誘電体基板の基板材料
を、樹脂材料のみからなる低誘電率材料により構成した
ことを特徴とするアンテナ装置。
11. The antenna device according to claim 1, wherein the substrate material of said dielectric substrate is made of a low dielectric constant material made of only a resin material. apparatus.
JP9277852A 1997-10-09 1997-10-09 Antenna system Withdrawn JPH11122033A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9277852A JPH11122033A (en) 1997-10-09 1997-10-09 Antenna system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9277852A JPH11122033A (en) 1997-10-09 1997-10-09 Antenna system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11122033A true JPH11122033A (en) 1999-04-30

Family

ID=17589182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9277852A Withdrawn JPH11122033A (en) 1997-10-09 1997-10-09 Antenna system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11122033A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124729A (en) * 2001-09-25 2003-04-25 Samsung Electro Mech Co Ltd Dual feeding chip antenna with diversity function
JPWO2002067379A1 (en) * 2001-02-23 2004-07-02 株式会社ヨコオ Antenna with built-in filter
JP2005244553A (en) * 2004-02-26 2005-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Radio device for mounting antenna
WO2005117291A1 (en) * 2004-05-31 2005-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Portable wireless device
US6980156B2 (en) 2002-02-25 2005-12-27 Nec Corporation Antenna installation structure and information terminal having an antenna
EP1841006A1 (en) * 2005-01-21 2007-10-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Mobile wireless unit
JP2008156849A (en) * 2006-12-21 2008-07-10 Tokai Rika Co Ltd Portable unit for vehicle
JP2008252950A (en) * 2008-07-11 2008-10-16 Ngk Insulators Ltd Antenna system
JP2011231615A (en) * 2011-08-05 2011-11-17 Tokai Rika Co Ltd Vehicular portable machine
JP2016504875A (en) * 2012-12-21 2016-02-12 ノキア コーポレイション Wireless communication device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7180473B2 (en) 2001-02-23 2007-02-20 Yokowo Co., Ltd. Antenna with built-in filter
JPWO2002067379A1 (en) * 2001-02-23 2004-07-02 株式会社ヨコオ Antenna with built-in filter
JP2003124729A (en) * 2001-09-25 2003-04-25 Samsung Electro Mech Co Ltd Dual feeding chip antenna with diversity function
US6980156B2 (en) 2002-02-25 2005-12-27 Nec Corporation Antenna installation structure and information terminal having an antenna
JP2005244553A (en) * 2004-02-26 2005-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Radio device for mounting antenna
US7453405B2 (en) 2004-05-31 2008-11-18 Panasonic Corporation Portable wireless device
WO2005117291A1 (en) * 2004-05-31 2005-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Portable wireless device
EP1841006A1 (en) * 2005-01-21 2007-10-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Mobile wireless unit
EP1841006A4 (en) * 2005-01-21 2008-11-26 Panasonic Corp Mobile wireless unit
JP2008156849A (en) * 2006-12-21 2008-07-10 Tokai Rika Co Ltd Portable unit for vehicle
JP2008252950A (en) * 2008-07-11 2008-10-16 Ngk Insulators Ltd Antenna system
JP2011231615A (en) * 2011-08-05 2011-11-17 Tokai Rika Co Ltd Vehicular portable machine
JP2016504875A (en) * 2012-12-21 2016-02-12 ノキア コーポレイション Wireless communication device
CN110854509A (en) * 2012-12-21 2020-02-28 诺基亚技术有限公司 Apparatus for wireless communication

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6420476B1 (en) Composite dielectric material composition, and film, substrate, electronic part and molded article produced therefrom
JPH11274843A (en) Antenna system
KR100330207B1 (en) Heat-resistant, lowly dielectric high-molecular material, and films, substrates, electric components and heat-resistant resin moldings produced therefrom
US6908960B2 (en) Composite dielectric material, composite dielectric substrate, prepreg, coated metal foil, molded sheet, composite magnetic substrate, substrate, double side metal foil-clad substrate, flame retardant substrate, polyvinylbenzyl ether resin composition, thermosettin
CN100474695C (en) Dual band patch bowtie slot antenna structure
CN1201433C (en) Folded dual frequency band antennas for wireless communicators
US20020190818A1 (en) High frequency band pass filter
TW201640735A (en) Radio frequency connection arrangement
US7678853B2 (en) Highly dielectric elastomer composition and dielectric antenna
CN107078396A (en) Array apparatus, circuit material and the component with the material
JPH11122033A (en) Antenna system
DK168805B1 (en) Antenna for a radio transmitter and receiver
JP3139975B2 (en) Antenna device
KR20010052132A (en) Retractable radiotelephone antennas with extended feeds
CN109075440A (en) Flexible printed circuit board structure body and indoor separation wall
JP2000091717A (en) Milliwave system
JPH11112217A (en) Antenna device
CN212412206U (en) Feed network, antenna system and base station
KR20110081145A (en) Magnetic composite body for antenna and antenna element using same
JP2003060359A (en) Multilayer circuit board
US11949171B2 (en) Wireless communication systems having patch-type antenna arrays therein that support wide bandwidth operation
JP2003060116A (en) High-frequency circuit board
JP2005255917A (en) Resin composition and laminate for high-frequency circuit using the same
CN113773615B (en) Plastic for antenna element
US20230253702A1 (en) Periodic Mode-Selective Structure for Surface Wave Scattering Mitigation in Millimeter Wave Antenna Arrays

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050104