JP2000100811A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2000100811A5 JP2000100811A5 JP1998263853A JP26385398A JP2000100811A5 JP 2000100811 A5 JP2000100811 A5 JP 2000100811A5 JP 1998263853 A JP1998263853 A JP 1998263853A JP 26385398 A JP26385398 A JP 26385398A JP 2000100811 A5 JP2000100811 A5 JP 2000100811A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- semiconductor device
- vapor phase
- phase growth
- growth method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 10
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 6
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
Claims (4)
- プラズマを利用した気相成長法によりシリコン窒化物を含む絶縁膜を形成する、半導体装置の製造方法であって、
形成された絶縁膜の屈折率が実質的に１．９５以下となるよう、当該気相成長法に用いる各原料ガスの流量比を調整したこと、
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - プラズマを利用した気相成長法によりシリコン窒化物を含む絶縁膜を形成する、半導体装置の製造方法であって、
形成された絶縁膜に含まれるシリコン・水素結合を構成する水素濃度が実質的に５×１０２１個／ｃｍ３以下となるよう、当該気相成長法に用いる各原料ガスの流量比を調整したこと、
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に、プラズマを利用した気相成長法によりシリコン窒化物を含む絶縁膜が形成された半導体装置であって、
上記絶縁膜は、屈折率が実質的に１．９５以下であることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上に、プラズマを利用した気相成長法によりシリコン窒化物を含む絶縁膜が形成された半導体装置であって、
上記絶縁膜は、当該絶縁膜に含まれるシリコン・水素結合を構成する水素の濃度が実質的に５×１０２１個／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10263853A JP2000100811A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10263853A JP2000100811A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100811A JP2000100811A (ja) | 2000-04-07 |
| JP2000100811A5 true JP2000100811A5 (ja) | 2005-08-25 |
Family
ID=17395148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10263853A Pending JP2000100811A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000100811A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443908B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2004-08-09 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 화학기상증착장치 및 이를 이용한나이트라이드막 형성방법 |
| JP2003221257A (ja) | 2002-01-31 | 2003-08-05 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明薄膜の成形方法およびそれを備える透明基体 |
| TWI288443B (en) * | 2002-05-17 | 2007-10-11 | Semiconductor Energy Lab | SiN film, semiconductor device, and the manufacturing method thereof |
| US7297641B2 (en) | 2002-07-19 | 2007-11-20 | Asm America, Inc. | Method to form ultra high quality silicon-containing compound layers |
| US7253084B2 (en) | 2004-09-03 | 2007-08-07 | Asm America, Inc. | Deposition from liquid sources |
| US7718518B2 (en) | 2005-12-16 | 2010-05-18 | Asm International N.V. | Low temperature doped silicon layer formation |
| US7691757B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
| JP2008166518A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP5446161B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2014-03-19 | 住友電気工業株式会社 | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
| JP5445899B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2014-03-19 | 住友電気工業株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
| US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
| KR101832361B1 (ko) * | 2011-01-19 | 2018-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP6613196B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-11-27 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネル |
-
1998
- 1998-09-18 JP JP10263853A patent/JP2000100811A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000100811A5 (ja) | ||
| CN102007597B (zh) | 低温薄膜晶体管工艺、装置特性和装置稳定性改进 | |
| JP2020145461A (ja) | 低温でのＳｉＮの蒸着用Ｓｉ前駆体 | |
| WO2004032196A3 (en) | Method of fabricating semiconductor by nitrogen doping of silicon film | |
| TW201740539A (zh) | 形成及沈積碳氧化矽薄膜的方法 | |
| TW202115275A (zh) | 在反應空間中的基板的表面上形成氮化矽薄膜之方法 | |
| TW200834675A (en) | Formation of epitaxial layers containing silicon and carbon | |
| WO2008073926A3 (en) | Formation of epitaxial layers containing silicon | |
| TW200606169A (en) | Composition and method for low temperature chemical vapor deposition of silicon-containing films including silicon carbonitride and silicon oxycarbonitride films | |
| EP1347506A4 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | |
| JP2002343793A (ja) | ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法 | |
| CN101401202A (zh) | 选择性沉积 | |
| WO2007078802A3 (en) | Epitaxial deposition of doped semiconductor materials | |
| KR20080027859A (ko) | 광여기 증착 프로세스 동안 실리콘-함유 재료들을 형성하는방법 | |
| TW200704819A (en) | Method for silicon based dielectric chemical vapor deposition | |
| TW200612204A (en) | Silicon rich dielectric antireflective coating | |
| EP1596428A4 (en) | ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR | |
| TW543115B (en) | Method and apparatus for forming an interlayer insulating film, and semiconductor device | |
| TW200518221A (en) | Method for forming film, method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and substrate treatment system | |
| TW200514130A (en) | Substrate processing apparatus and method for producing the semiconductor device | |
| TW201222669A (en) | Methods for depositing germanium-containing layers | |
| WO2004081986A3 (en) | Method to planarize and reduce defect density of silicon germanium | |
| EP1229574A3 (en) | Silicon-based film, formation method therefor and photovoltaic element | |
| Cao et al. | Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Si1− x Ge x Films on SiO2: Characterization and Modeling | |
| TW200508805A (en) | Arc layer for semiconductor device |