JP2000100702A - 現像処理装置 - Google Patents
現像処理装置Info
- Publication number
- JP2000100702A JP2000100702A JP26929298A JP26929298A JP2000100702A JP 2000100702 A JP2000100702 A JP 2000100702A JP 26929298 A JP26929298 A JP 26929298A JP 26929298 A JP26929298 A JP 26929298A JP 2000100702 A JP2000100702 A JP 2000100702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cup
- mounting table
- developing
- pressure spray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高圧スプレー吐出口を有する現像処理装置で
は、ウエハ上に滞留する霧が装置内に拡散して装置不良
の要因になると共にウエハの汚染源になる。 【解決手段】 ウエハＷを略水平に保持した状態で回転
させるウエハ載置台１１と、ウエハ載置台１１の側周か
ら下方に掛けてを覆う現像カップ１２と、ウエハ載置台
１１上に保持されたウエハＷ表面に霧状の純水を吹き付
ける高圧スプレー吐出口１６とを有する現像処理装置２
であり、高圧スプレー吐出口１６より高い位置における
ウエハ載置台１１の側周上方からウエハ載置台１１の下
方に掛けてを覆うカップ３１が、現像カップ１２の外側
に設けられている。カップ３１の側壁には、ウエハＷ上
の霧ｍを排気するための排気口３２が設けられている。
は、ウエハ上に滞留する霧が装置内に拡散して装置不良
の要因になると共にウエハの汚染源になる。 【解決手段】 ウエハＷを略水平に保持した状態で回転
させるウエハ載置台１１と、ウエハ載置台１１の側周か
ら下方に掛けてを覆う現像カップ１２と、ウエハ載置台
１１上に保持されたウエハＷ表面に霧状の純水を吹き付
ける高圧スプレー吐出口１６とを有する現像処理装置２
であり、高圧スプレー吐出口１６より高い位置における
ウエハ載置台１１の側周上方からウエハ載置台１１の下
方に掛けてを覆うカップ３１が、現像カップ１２の外側
に設けられている。カップ３１の側壁には、ウエハＷ上
の霧ｍを排気するための排気口３２が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、現像処理装置に関
し、特には半導体装置の製造におけるリソグラフィー工
程で用いられる現像処理装置に関する。
し、特には半導体装置の製造におけるリソグラフィー工
程で用いられる現像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２には、半導体装置を製造する際のリ
ソグラフィー工程で用いられる現像処理装置の一例とし
て、スピン方式の現像処理装置の概略構成図を示す。こ
の図に示す現像処理装置１には、ウエハを略水平に保持
した状態で回転させるウエハ載置台（いわゆるスピンチ
ャック）１１が備えられており、このウエハ載置台１１
は現像カップ１２内に収納されている。この現像カップ
１２は、ウエハ載置台１１の側周から下方に掛けてを覆
うものであり、底面には排水ドレイン１３が接続されて
いる。また、ウエハ載置台１１に保持されたウエハＷ上
には、現像液吐出口１４と純水吐出口１５と、さらに純
水吹出用の高圧スプレー吐出口１６が設けられている。
上記各構成要素は、装置本体１７の上方に立設させた複
数の仕切り１８の中に配置されている。また、装置本体
１７の内部には、ウエハ載置台１１の駆動系（いわゆる
スピンモータ）２１、現像液吐出口１４や純水吐出口１
５の駆動系２２、及び高圧スプレー吐出口１６の駆動系
２３等が設置されている。
ソグラフィー工程で用いられる現像処理装置の一例とし
て、スピン方式の現像処理装置の概略構成図を示す。こ
の図に示す現像処理装置１には、ウエハを略水平に保持
した状態で回転させるウエハ載置台（いわゆるスピンチ
ャック）１１が備えられており、このウエハ載置台１１
は現像カップ１２内に収納されている。この現像カップ
１２は、ウエハ載置台１１の側周から下方に掛けてを覆
うものであり、底面には排水ドレイン１３が接続されて
いる。また、ウエハ載置台１１に保持されたウエハＷ上
には、現像液吐出口１４と純水吐出口１５と、さらに純
水吹出用の高圧スプレー吐出口１６が設けられている。
上記各構成要素は、装置本体１７の上方に立設させた複
数の仕切り１８の中に配置されている。また、装置本体
１７の内部には、ウエハ載置台１１の駆動系（いわゆる
スピンモータ）２１、現像液吐出口１４や純水吐出口１
５の駆動系２２、及び高圧スプレー吐出口１６の駆動系
２３等が設置されている。
【０００３】上記構成の現像処理装置１を用いて現像処
理を行う場合には、先ず、フォトレジストを塗布して露
光工程を経たウエハＷを、ウエハ載置台１１に保持させ
る。そして、現像液吐出口１４からウエハＷの中心に現
像液（例えば、ＴＭＡＨ：tetramethylammoniuu hydrox
ide ２．３％希釈液）を滴下し、ウエハ載置台１１によ
ってウエハＷを回転させて上記現像液をウエハＷ上に塗
布する。次に、ウエハＷの回転を止めて静置して所定時
間が経過した後、ウエハＷの表面に対して高圧スプレー
吐出口１６から霧状の純水を吹き付けて現像液を除去す
る。次に、高圧スプレー吐出口１６からの純水の供給を
停止し、ウエハＷを空回転させて乾燥させる。以上のよ
うにして現像処理を行った後、ウエハＷを現像カップ１
２から搬出する。
理を行う場合には、先ず、フォトレジストを塗布して露
光工程を経たウエハＷを、ウエハ載置台１１に保持させ
る。そして、現像液吐出口１４からウエハＷの中心に現
像液（例えば、ＴＭＡＨ：tetramethylammoniuu hydrox
ide ２．３％希釈液）を滴下し、ウエハ載置台１１によ
ってウエハＷを回転させて上記現像液をウエハＷ上に塗
布する。次に、ウエハＷの回転を止めて静置して所定時
間が経過した後、ウエハＷの表面に対して高圧スプレー
吐出口１６から霧状の純水を吹き付けて現像液を除去す
る。次に、高圧スプレー吐出口１６からの純水の供給を
停止し、ウエハＷを空回転させて乾燥させる。以上のよ
うにして現像処理を行った後、ウエハＷを現像カップ１
２から搬出する。
【０００４】上記現像処理装置を用いた現像処理におい
ては、低感度のフォトレジストや、低溶解性のフォトレ
ジスト、または顔料や染料を分散させたフォトレジスト
（すなわちカラーレジスト）等、残渣がウエハ上に残り
易いとされているレジストが、高圧スプレー吐出口１６
から霧状の純水を吹き付けることによって除去される。
このため、レジスト残渣によるパターン不良や混色等の
不具合の発生を防止することができる。
ては、低感度のフォトレジストや、低溶解性のフォトレ
ジスト、または顔料や染料を分散させたフォトレジスト
（すなわちカラーレジスト）等、残渣がウエハ上に残り
易いとされているレジストが、高圧スプレー吐出口１６
から霧状の純水を吹き付けることによって除去される。
このため、レジスト残渣によるパターン不良や混色等の
不具合の発生を防止することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図２を用い
て説明した上記構成の現像処理装置１においては、高圧
スプレー吐出口１６から吹き付けられた霧状の純水、す
なわち霧ｍがウエハＷの上方に滞留する。この霧ｍは、
その後の乾燥工程にてウエハＷ上に落下したり、また現
像カップ１２からウエハＷを搬出する際にウエハＷ上に
付着する。このように、ウエハＷ上に霧ｍ（すなわち純
水）が再付着した場合には、ウエハ表面にウォータマー
クが形成される等、ウエハＷを汚染する要因になる。
て説明した上記構成の現像処理装置１においては、高圧
スプレー吐出口１６から吹き付けられた霧状の純水、す
なわち霧ｍがウエハＷの上方に滞留する。この霧ｍは、
その後の乾燥工程にてウエハＷ上に落下したり、また現
像カップ１２からウエハＷを搬出する際にウエハＷ上に
付着する。このように、ウエハＷ上に霧ｍ（すなわち純
水）が再付着した場合には、ウエハ表面にウォータマー
クが形成される等、ウエハＷを汚染する要因になる。
【０００６】また、高圧スプレー吐出口１６から吹き付
けられた霧状の純水は、高圧スプレー吐出口１６から四
方に吹き出したり、ウエハＷ上で跳ね返るため、現像カ
ップ１２の外にまで及ぶ広範囲に飛び散る。ところが、
現像カップ１２が内設されている仕切り１８の内側は、
装置本体１７の内部に対して必ずしも水密な状態になっ
てはいない。このため、上記のように現像カップ１２の
外に飛び出した霧ｍは、現像カップ１２と仕切り１８と
の間を通って装置本体１７内にも拡散され、装置本体１
７の内部の湿度を上昇させる要因になる。これは、装置
本体１７に内設されたウエハ載置台１１や各吐出口の駆
動系２１，２２，２３等の電気系統をショートさせた
り、これらの駆動系２１，２２，２３等を構成する部材
を腐食させる等、装置不良を引き起こす要因になる。
けられた霧状の純水は、高圧スプレー吐出口１６から四
方に吹き出したり、ウエハＷ上で跳ね返るため、現像カ
ップ１２の外にまで及ぶ広範囲に飛び散る。ところが、
現像カップ１２が内設されている仕切り１８の内側は、
装置本体１７の内部に対して必ずしも水密な状態になっ
てはいない。このため、上記のように現像カップ１２の
外に飛び出した霧ｍは、現像カップ１２と仕切り１８と
の間を通って装置本体１７内にも拡散され、装置本体１
７の内部の湿度を上昇させる要因になる。これは、装置
本体１７に内設されたウエハ載置台１１や各吐出口の駆
動系２１，２２，２３等の電気系統をショートさせた
り、これらの駆動系２１，２２，２３等を構成する部材
を腐食させる等、装置不良を引き起こす要因になる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、ウエハを略水平に保持するウエハ載置台
と、当該ウエハ載置台上に保持されたウエハの表面に霧
状の流体を吹き付ける高圧スプレー吐出口とを有する現
像処理装置に関するものである。そして、特に請求項１
に係る発明は、少なくとも前記高圧スプレー吐出口より
高い位置における前記ウエハ載置台の側周上方から当該
ウエハ載置台の下方に掛けてを覆うカップを備えたこと
を特徴としている。
の本発明は、ウエハを略水平に保持するウエハ載置台
と、当該ウエハ載置台上に保持されたウエハの表面に霧
状の流体を吹き付ける高圧スプレー吐出口とを有する現
像処理装置に関するものである。そして、特に請求項１
に係る発明は、少なくとも前記高圧スプレー吐出口より
高い位置における前記ウエハ載置台の側周上方から当該
ウエハ載置台の下方に掛けてを覆うカップを備えたこと
を特徴としている。
【０００８】上記請求項１に係る現像処理装置では、ウ
エハ載置台の上方に設けられた高圧スプレー吐出口から
当該ウエハ載置台の下方に掛けてカップで覆われている
ことから、上記高圧スプレー吐出口から吹き出された霧
状の流体（霧）は、カップ内に滞留することになる。こ
のため、この霧がカップの外に漏れ出すことはない。
エハ載置台の上方に設けられた高圧スプレー吐出口から
当該ウエハ載置台の下方に掛けてカップで覆われている
ことから、上記高圧スプレー吐出口から吹き出された霧
状の流体（霧）は、カップ内に滞留することになる。こ
のため、この霧がカップの外に漏れ出すことはない。
【０００９】また、請求項４に係る発明は、前記ウエハ
載置台に保持されたウエハの側周上に、当該ウエハ上の
霧を排気するための排気口を備えたことを特徴としてい
る。
載置台に保持されたウエハの側周上に、当該ウエハ上の
霧を排気するための排気口を備えたことを特徴としてい
る。
【００１０】上記請求項４に係る現像処理装置では、ウ
エハ載置台に保持されたウエハの側周上に霧の排気口が
備えられていることから、上記高圧スプレー吐出口から
吹き出された霧状の流体（霧）は、ウエハ上に滞留する
ことなく上記排気口から排気される。
エハ載置台に保持されたウエハの側周上に霧の排気口が
備えられていることから、上記高圧スプレー吐出口から
吹き出された霧状の流体（霧）は、ウエハ上に滞留する
ことなく上記排気口から排気される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の現像処理装置をス
ピン方式の現像処理装置に適用した実施の形態を、図面
に基づいて説明する。尚、従来の技術で図２を用いて説
明した現像処理装置と同様の構成要素には同一の符号を
付し、重複する説明は省略する。
ピン方式の現像処理装置に適用した実施の形態を、図面
に基づいて説明する。尚、従来の技術で図２を用いて説
明した現像処理装置と同様の構成要素には同一の符号を
付し、重複する説明は省略する。
【００１２】図１に示すように、この現像処理装置２に
は、本発明に特徴的なカップ３１と、排気口３２とが設
けられている。
は、本発明に特徴的なカップ３１と、排気口３２とが設
けられている。
【００１３】上記カップ３１は、現像カップ１２を内設
させた状態で設けられており、例えばステンレスやアク
リル等で構成されている。このカップ３１は、高圧スプ
レー吐出口１６より高い位置におけるウエハ載置台１１
の上方側周から当該ウエハ載置台１１の下方に掛けてを
連続的に覆う形状のものであり、底部付近に現像カップ
１２を内設している。すなわち、この現像処理装置２
は、現像カップ１２をカップ３１で覆った２重カップ構
造を成しているのである。
させた状態で設けられており、例えばステンレスやアク
リル等で構成されている。このカップ３１は、高圧スプ
レー吐出口１６より高い位置におけるウエハ載置台１１
の上方側周から当該ウエハ載置台１１の下方に掛けてを
連続的に覆う形状のものであり、底部付近に現像カップ
１２を内設している。すなわち、この現像処理装置２
は、現像カップ１２をカップ３１で覆った２重カップ構
造を成しているのである。
【００１４】このカップ３１の底面には、排水ドレイン
３３が接続されている。また、カップ３１に内設された
現像カップ１２の排水ドレイン１３は、例えばカップ３
１の底面を水密に貫通させた状態で配設されている。こ
れらの排水ドレイン１３，３３は、例えばここでは図示
を省略した排水タンクに接続されている。そして、この
カップ３１の内壁に、現像液吐出口１４、純水吐出口１
５及び高圧スプレー吐出口１６が突設された状態になっ
ている。尚、カップ３１に内設された現像カップ１２
は、ウエハＷの回転による流体の飛び散りと、飛び散っ
た流体が当該ウエハＷに跳ね返ることを防止するための
ものである。
３３が接続されている。また、カップ３１に内設された
現像カップ１２の排水ドレイン１３は、例えばカップ３
１の底面を水密に貫通させた状態で配設されている。こ
れらの排水ドレイン１３，３３は、例えばここでは図示
を省略した排水タンクに接続されている。そして、この
カップ３１の内壁に、現像液吐出口１４、純水吐出口１
５及び高圧スプレー吐出口１６が突設された状態になっ
ている。尚、カップ３１に内設された現像カップ１２
は、ウエハＷの回転による流体の飛び散りと、飛び散っ
た流体が当該ウエハＷに跳ね返ることを防止するための
ものである。
【００１５】また、上記排気口３２は、現像カップ１２
の上方におけるカップ３１の側壁に設けられている。す
なわち、排気口３２は、ウエハ載置台１１に保持された
ウエハＷの側周上に設けられていることになるのであ
る。
の上方におけるカップ３１の側壁に設けられている。す
なわち、排気口３２は、ウエハ載置台１１に保持された
ウエハＷの側周上に設けられていることになるのであ
る。
【００１６】そして、従来の技術では説明を省略した
が、高圧スプレー吐出口１６には、圧力ポンプ２４が接
続されており、この圧力ポンプ２４には、純水供給ライ
ン２５と気体供給ライン２６とが接続されている。そし
て、高圧スプレー吐出口１６からウエハ載置台１１に保
持されたウエハＷの表面に向かって、任意の圧力に加圧
された純水と気体とを混合させて霧状に吹き付けるよう
に構成されている。上記気体としては、乾燥空気や窒素
ガス等が用いられることとする。また、高圧スプレー吐
出口１６の先端部分は、所定の角度で霧状の純水が吐出
されるように扇形のノズル１６ａに成形されている。
尚、この高圧スプレー吐出口１６は、上記純水と気体と
の２流体を吐出する構成の他に、純水のみ（１流体）を
噴射する構成であってもよい。
が、高圧スプレー吐出口１６には、圧力ポンプ２４が接
続されており、この圧力ポンプ２４には、純水供給ライ
ン２５と気体供給ライン２６とが接続されている。そし
て、高圧スプレー吐出口１６からウエハ載置台１１に保
持されたウエハＷの表面に向かって、任意の圧力に加圧
された純水と気体とを混合させて霧状に吹き付けるよう
に構成されている。上記気体としては、乾燥空気や窒素
ガス等が用いられることとする。また、高圧スプレー吐
出口１６の先端部分は、所定の角度で霧状の純水が吐出
されるように扇形のノズル１６ａに成形されている。
尚、この高圧スプレー吐出口１６は、上記純水と気体と
の２流体を吐出する構成の他に、純水のみ（１流体）を
噴射する構成であってもよい。
【００１７】上記構成の現像処理装置２を用いた現像処
理は以下のように行う。先ず、フォトレジストを塗布し
て露光工程を経たウエハＷを、ウエハ載置台１１に保持
させる。そして、現像液吐出口１４からウエハＷの中心
に現像液（例えば、ＴＭＡＨ：tetramethylammoniuu hy
droxide ２．３％希釈液）を滴下し、ウエハ載置台１１
によってウエハＷを回転させて上記現像液をウエハＷ上
に塗布する。次いで、ウエハＷの回転を止めて静置して
所定時間が経過した後、回転させたウエハＷの表面に対
して高圧スプレー吐出口１６から霧状の純水を吹き付け
て現像液を除去する。この際、ウエハ載置台１１によっ
て、ウエハＷを約１０〜２０００ｒｐｍ程度の回転数で
回転させても良い。次に、必要に応じて、回転させたウ
エハＷの表面に純水吐出口１５から純水を滴下させて通
常の純水リンスを行う。その後、ウエハＷ表面への純水
の供給を停止し、ウエハＷを空回転させることで当該ウ
エハＷを乾燥させる。以上のようにして現像処理を行っ
た後、ウエハＷを現像カップ１２から搬出する。
理は以下のように行う。先ず、フォトレジストを塗布し
て露光工程を経たウエハＷを、ウエハ載置台１１に保持
させる。そして、現像液吐出口１４からウエハＷの中心
に現像液（例えば、ＴＭＡＨ：tetramethylammoniuu hy
droxide ２．３％希釈液）を滴下し、ウエハ載置台１１
によってウエハＷを回転させて上記現像液をウエハＷ上
に塗布する。次いで、ウエハＷの回転を止めて静置して
所定時間が経過した後、回転させたウエハＷの表面に対
して高圧スプレー吐出口１６から霧状の純水を吹き付け
て現像液を除去する。この際、ウエハ載置台１１によっ
て、ウエハＷを約１０〜２０００ｒｐｍ程度の回転数で
回転させても良い。次に、必要に応じて、回転させたウ
エハＷの表面に純水吐出口１５から純水を滴下させて通
常の純水リンスを行う。その後、ウエハＷ表面への純水
の供給を停止し、ウエハＷを空回転させることで当該ウ
エハＷを乾燥させる。以上のようにして現像処理を行っ
た後、ウエハＷを現像カップ１２から搬出する。
【００１８】上記構成の現像処理装置２においては、ウ
エハ載置台１１の上方に設けられた高圧スプレー吐出口
１６から当該ウエハ載置台１１の下方に掛けてカップ３
１で覆われていることから、上記高圧スプレー吐出口１
６から吹き出された霧状の純水（霧ｍ）は、カップ３１
内に滞留することになる。そして、ウエハＷよりも下方
に拡散された霧ｍは、カップ３１の底面に水滴として溜
まって排水ドレイン３３から排出される。このため、こ
の霧ｍがカップの外に漏れ出して装置本体１７の内部に
侵入することはない。したがって、霧ｍの侵入による装
置本体１７の内部の湿度の上昇が抑えられ、装置本体１
７の内部に配置された駆動系２１，２２，２３のショー
トやこれらを構成する材料の腐食を防止することが可能
になる。
エハ載置台１１の上方に設けられた高圧スプレー吐出口
１６から当該ウエハ載置台１１の下方に掛けてカップ３
１で覆われていることから、上記高圧スプレー吐出口１
６から吹き出された霧状の純水（霧ｍ）は、カップ３１
内に滞留することになる。そして、ウエハＷよりも下方
に拡散された霧ｍは、カップ３１の底面に水滴として溜
まって排水ドレイン３３から排出される。このため、こ
の霧ｍがカップの外に漏れ出して装置本体１７の内部に
侵入することはない。したがって、霧ｍの侵入による装
置本体１７の内部の湿度の上昇が抑えられ、装置本体１
７の内部に配置された駆動系２１，２２，２３のショー
トやこれらを構成する材料の腐食を防止することが可能
になる。
【００１９】また、ウエハ載置台１１に保持されたウエ
ハＷの側周上に霧ｍの排気口３２が備えられていること
から、上記高圧スプレー吐出口１６からウエハＷ表面に
吹き付けられた霧状の純水（霧ｍ）は、その後、ウエハ
Ｗ上に滞留することなくこの排気口３２から排気され
る。このため、ウエハＷに霧（純水）ｍを再付着させる
ことなく、処理後のウエハＷをウエハ載置台１１上から
取り出すことができる。また、処理後のウエハＷ上に霧
ｍが落下することを防止できる。したがって、霧ｍの再
付着によるウエハＷ表面の汚染を防止できる。
ハＷの側周上に霧ｍの排気口３２が備えられていること
から、上記高圧スプレー吐出口１６からウエハＷ表面に
吹き付けられた霧状の純水（霧ｍ）は、その後、ウエハ
Ｗ上に滞留することなくこの排気口３２から排気され
る。このため、ウエハＷに霧（純水）ｍを再付着させる
ことなく、処理後のウエハＷをウエハ載置台１１上から
取り出すことができる。また、処理後のウエハＷ上に霧
ｍが落下することを防止できる。したがって、霧ｍの再
付着によるウエハＷ表面の汚染を防止できる。
【００２０】尚、上記構成の現像処理装置２は、装置本
体１７の上方に１つのカップ３１が設けられている場合
を図示して説明した。しかし、本発明は、装置本体１７
の上方に複数のカップが設けられた現像処理装置にも適
用可能である。この場合、各カップの内部にそれぞれ現
像カップ、ウエハ載置台、高圧スプレー吐出口等が設け
られることとする。
体１７の上方に１つのカップ３１が設けられている場合
を図示して説明した。しかし、本発明は、装置本体１７
の上方に複数のカップが設けられた現像処理装置にも適
用可能である。この場合、各カップの内部にそれぞれ現
像カップ、ウエハ載置台、高圧スプレー吐出口等が設け
られることとする。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
に係る現像処理装置によれば、高圧スプレー吐出口の上
方からウエハ載置台の下方に掛けてをカップで覆った構
成にしたことで、高圧スプレー吐出口から吹き出された
霧がカップの外に漏れ出して当該カップの外の湿度を上
昇させることを防止できる。この結果、例えば、カップ
の外に配置された現像処理装置の駆動系等の電気系統が
ショートする不具合を防止できると共に、この駆動系等
を構成する材料が腐食することを防止できる。
に係る現像処理装置によれば、高圧スプレー吐出口の上
方からウエハ載置台の下方に掛けてをカップで覆った構
成にしたことで、高圧スプレー吐出口から吹き出された
霧がカップの外に漏れ出して当該カップの外の湿度を上
昇させることを防止できる。この結果、例えば、カップ
の外に配置された現像処理装置の駆動系等の電気系統が
ショートする不具合を防止できると共に、この駆動系等
を構成する材料が腐食することを防止できる。
【００２２】また、本発明の請求項４に係る現像処理装
置によれば、ウエハ載置台に保持されたウエハの側周上
に排気口を備えた構成にしたことで、高圧スプレー吐出
口から吹き付けられウエハ上に滞留する霧を、上記排気
口から排気することが可能になる。このため、ウエハ表
面への霧の落下及び再付着を防止でき、ウエハ表面の清
浄度を確保することが可能になる。
置によれば、ウエハ載置台に保持されたウエハの側周上
に排気口を備えた構成にしたことで、高圧スプレー吐出
口から吹き付けられウエハ上に滞留する霧を、上記排気
口から排気することが可能になる。このため、ウエハ表
面への霧の落下及び再付着を防止でき、ウエハ表面の清
浄度を確保することが可能になる。
【図１】本発明を適用したスピン方式の現像処理装置の
一例を示す要部概略構成図である。
一例を示す要部概略構成図である。
【図２】従来の現像処理装置の一例を示す要部概略構成
図である。
図である。
２…現像処理装置、１１…ウエハ載置台、１２…現像カ
ップ、１６…高圧スプレー吐出口、３１…カップ、３２
…排気口、Ｗ…ウエハ、ｍ…霧
ップ、１６…高圧スプレー吐出口、３１…カップ、３２
…排気口、Ｗ…ウエハ、ｍ…霧
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハを略水平に保持するウエハ載置台
と、当該ウエハ載置台上に保持されたウエハの表面に霧
状の流体を吹き付ける高圧スプレー吐出口とを有する現
像処理装置において、 少なくとも前記高圧スプレー吐出口より高い位置におけ
る前記ウエハ載置台の側周上方から当該ウエハ載置台の
下方に掛けてを覆うカップを設けたことを特徴とする現
像処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の現像処理装置において、 前記ウエハ載置台に保持されたウエハ上方における前記
カップの側壁に、当該ウエハ上の霧を排気するための排
気口を備えたことを特徴とする現像処理装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の現像処理装置において、 前記ウエハ載置台は、ウエハを略水平に保持した状態で
回転させるものであり、 前記カップ内には、ウエハ載置台の側周から下方に掛け
てを覆う現像カップが備えられていることを特徴とする
現像処理装置。 - 【請求項４】 ウエハを略水平に保持するウエハ載置台
と、当該ウエハ載置台上に保持されたウエハの表面に霧
状の流体を吹き付ける高圧スプレー吐出口とを有する現
像処理装置において、 前記ウエハ載置台に保持されたウエハの側周上に、当該
ウエハ上の霧を排気するための排気口を設けたことを特
徴とする現像処理装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の現像処理装置において、 前記ウエハ載置台は、ウエハを略水平に保持した状態で
回転させるものであり、 前記カップ内には、ウエハ載置台の側周から下方に掛け
てを覆う現像カップが備えられていることを特徴とする
現像処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26929298A JP2000100702A (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 現像処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26929298A JP2000100702A (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 現像処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100702A true JP2000100702A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17470325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26929298A Pending JP2000100702A (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 現像処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000100702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016006850A (ja) * | 2014-05-30 | 2016-01-14 | 東京化工機株式会社 | 基板材の現像装置 |
-
1998
- 1998-09-24 JP JP26929298A patent/JP2000100702A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016006850A (ja) * | 2014-05-30 | 2016-01-14 | 東京化工機株式会社 | 基板材の現像装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8303723B2 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium | |
| CN100501921C (zh) | 基板处理方法以及基板处理装置 | |
| JP2008034779A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR970011644B1 (ko) | 도포 처리 장치 | |
| US7326299B2 (en) | Process liquid supply nozzle, process liquid supply device and nozzle cleaning method | |
| JPH0573245B2 (ja) | ||
| KR20090126181A (ko) | 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 | |
| JPH0878368A (ja) | ワークの処理方法および装置 | |
| US6494220B1 (en) | Apparatus for cleaning a substrate such as a semiconductor wafer | |
| JP2006245381A (ja) | 基板洗浄乾燥装置および方法 | |
| JP2000100702A (ja) | 現像処理装置 | |
| KR20070105162A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP2004319990A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP4940119B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
| US6090534A (en) | Device and method of decreasing circular defects and charge buildup integrated circuit fabrication | |
| JP2000114219A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2646611B2 (ja) | ウェハキャリア洗浄装置 | |
| JPH06333899A (ja) | 薬液処理方法およびその処理装置 | |
| JPH10172880A (ja) | フォトレジスト現像装置 | |
| JP4369022B2 (ja) | スピン処理装置 | |
| KR100672928B1 (ko) | 포토레지스터 코팅 설비 | |
| JP7201756B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2022025560A (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 | |
| JP2007095960A (ja) | 基板洗浄方法、半導体装置の製造方法、表示装置、基板洗浄装置および基板現像処理装置 | |
| JP4347765B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050623 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071002 |