JP2000100628A - Inductor - Google Patents

Inductor

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JP2000100628A
JP2000100628A JP10281990A JP28199098A JP2000100628A JP 2000100628 A JP2000100628 A JP 2000100628A JP 10281990 A JP10281990 A JP 10281990A JP 28199098 A JP28199098 A JP 28199098A JP 2000100628 A JP2000100628 A JP 2000100628A
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JP
Japan
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group
fumarate
dielectric
inductor
vinyl
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Withdrawn
Application number
JP10281990A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Endo
謙二 遠藤
Toshiaki Yamada
俊昭 山田
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Publication of JP2000100628A publication Critical patent/JP2000100628A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inductor having a high Q-value, high self-resonance frequency, low resistance and low cost by using a dielectric resin and a conductive wire formed like a coil in the dielectric resin made of a dielectric polymer material having a specified specific dielectric constant and decomposition temperature. SOLUTION: The inductor has a dielectric resin and a conductive wire formed like a coil in the dielectric resin which is a dielectric polymer material having a specific dielectric constant of 3.0 or less and a decomposition temperature of 290 deg.C or more. The dielectric resin is obtained by polymerizing a monomer composition, preferably containing a diester fumarate as a monomer. The diester fumarate is shown by the formula (R1 is alkyl group or cycloalkyl group, R2 is alkyl group, cycloalkyl group or aryl group, and R1 and R2 may be same or different).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話機等の移動
体通信機器に使用される表面実装型チップインダクタに
関し、より詳しくは、新規な低誘電性高分子材料を用い
たチップインダクタに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface mount type chip inductor used for a mobile communication device such as a portable telephone, and more particularly, to a chip inductor using a novel low dielectric polymer material. .

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、通信情報量の急増に伴い、通信機
の小型化、軽量化、高速化が強く望まれており、これに
対応できる電子機器が要求されている。特に自動車電
話、デジタル携帯電話機等の携帯移動体通信、衛星通信
に使用される電波の周波数帯域はメガからギガ帯の高周
波帯域のものが使用されている。これら通信手段として
使用される通信機器の急速な発展の中で、筐体および基
板、電子素子の小型高密度実装化等が図られている。こ
のメガヘルツからギガヘルツ帯のような高周波領域に対
応した通信機の小型化、軽量化のためには、高いQと高
い自己共振周波数(SRF)とを合わせもつインダクタ
の開発が必要である。
2. Description of the Related Art In recent years, with the rapid increase in the amount of communication information, there has been a strong demand for smaller, lighter, and faster communication devices, and electronic devices capable of responding to such demands. In particular, the frequency band of radio waves used for portable mobile communications such as automobile telephones and digital portable telephones, and satellite communications has a high frequency band of mega to giga band. With the rapid development of communication devices used as these communication means, small-sized, high-density mounting of housings, substrates, and electronic elements has been attempted. In order to reduce the size and weight of a communication device compatible with a high frequency range such as the megahertz to gigahertz band, it is necessary to develop an inductor having both a high Q and a high self-resonant frequency (SRF).

【0003】従来のチップインダクタの構成例を図7に
示す。図示例のインダクタ21は、誘電体セラミックス
22中に、コイル状に形成された導電体23を有し、そ
の両端部には前記導電体23と接続された端子24を有
している。なお、このインダクタは、低温焼結セラミッ
クシートと、導体ペーストを、交互に積層、印刷して得
ることができる。このような積層インダクタの比誘電率
は4〜5程度である。積層インダクタは非常に小型で、
インダクタンスも比較的大きな値が得られ、量産性にも
優れていることから広く用いられている。
FIG. 7 shows a configuration example of a conventional chip inductor. The inductor 21 in the illustrated example has a conductor 23 formed in a coil shape in a dielectric ceramic 22, and has terminals 24 connected to the conductor 23 at both ends. This inductor can be obtained by alternately laminating and printing low-temperature sintered ceramic sheets and conductor paste. The relative dielectric constant of such a multilayer inductor is about 4 to 5. Multilayer inductors are very small,
It is widely used because it has a relatively large inductance value and is excellent in mass productivity.

【0004】しかし、Q値が低く、自己共振周波数も低
いので、携帯電話機のように使用周波数の高い無線機器
内のインダクタとしては不適当であった。これは、導体
を焼結法で形成するため、バルクの金属よりも導電率が
低くなっていること、および導体を支持する誘電体の誘
電率が大きく、また帯状の導体が広い面積で向かい合っ
ているため、巻線間の浮遊容量が大きくなってしまうこ
とに起因している。
However, since the Q value is low and the self-resonance frequency is low, it is not suitable as an inductor in a wireless device having a high operating frequency such as a portable telephone. This is because the conductor is formed by a sintering method, the conductivity is lower than that of bulk metal, the dielectric constant of the dielectric supporting the conductor is large, and the strip-shaped conductors face each other over a wide area. This causes the stray capacitance between the windings to increase.

【0005】本発明者らは、特願平8−345241号
において、エッジワイズ型に構成した金属導体のコイル
を樹脂製誘電体中に形成して良好な特性を得ることがで
きた。しかし、1608型(縦:1.6mm,横:0.8m
m)、1005型(縦:1.0mm,横:0.5mm)、さらには
0603型(縦:0.6mm,横:0.3mm)といった小
型のコイルでは、コイルの巻径を十分に確保することが
困難である。また、エッジワイズ型のコイルを成形する
ための金型は、設定の変更により形状を変更することが
困難であり、多品種生産には不向きである。
In the Japanese Patent Application No. 8-345241, the present inventors were able to obtain good characteristics by forming a coil of an edgewise metal conductor in a resin dielectric. However, 1608 type (length: 1.6mm, width: 0.8m
m), 1005 type (vertical: 1.0 mm, horizontal: 0.5 mm), and even small type coils such as 0603 type (vertical: 0.6 mm, horizontal: 0.3 mm), have a sufficient coil diameter. Is difficult to do. Further, it is difficult to change the shape of the die for forming the edgewise type coil by changing the setting, which is not suitable for multi-product production.

【0006】また、例えば、特公昭62−8924号公
報に記載されているように、円筒状の絶縁体の外周に導
体層を設け、この導体層を螺旋状に切削してインダクタ
ンス素子を形成する手法も検討されている。しかしなが
ら、この公報に記載のインダクタンス素子の導体はメッ
キで形成されているため、巻線に比べると導体抵抗が高
く、損失が増大してしまう。また、製造工程に切削加工
を必要とするため量産性に劣るとともに、製品1個当た
りのコストが高くなってしまう。
Further, as described in Japanese Patent Publication No. 62-8924, for example, a conductor layer is provided on the outer periphery of a cylindrical insulator, and this conductor layer is spirally cut to form an inductance element. Methods are also being considered. However, since the conductor of the inductance element described in this publication is formed by plating, the conductor resistance is higher than that of the winding and the loss increases. Further, since a cutting process is required in the manufacturing process, mass productivity is poor, and the cost per product increases.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低誘
電性特性を活かして、Qが高く、自己共振周波数も高
く、低抵抗で、高温のリフロー炉にも耐えうる耐熱性が
あり、しかも低コストなインダクタを実現することであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to make use of low dielectric properties, to have a high Q, a high self-resonant frequency, a low resistance, and a heat resistance that can withstand a high temperature reflow furnace. Moreover, it is to realize a low-cost inductor.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】従来より、ガラスエポキ
シ系樹脂を初めとして、多くの樹脂が高周波部品の注型
用樹脂として開発されてきた。しかし、これらの樹脂は
高周波における誘電正接(tanδ)が0.03〜0.0
5と大きく、セラミックの0.001以下には及ばなか
った。
Conventionally, many resins, including glass epoxy resins, have been developed as casting resins for high-frequency components. However, these resins have a dielectric loss tangent (tan δ) at a high frequency of 0.03 to 0.0
5, which was below 0.001 of ceramics.

【0009】ところが、近年、本出願人の特願平8−4
2073号において示されているフマレート系樹脂が開
発され、これを注型樹脂として用いる試みが本発明者ら
により行われ、本発明に想到した。
However, in recent years, the present applicant has filed Japanese Patent Application No. 8-4.
No. 2073, a fumarate-based resin has been developed, and an attempt has been made by the present inventors to use the resin as a casting resin, and have reached the present invention.

【0010】すなわち、前記フマレート樹脂の比誘電率
(εr)は2〜3、誘電正接(tanδ)は0.002以下
であり、しかも注型性にも優れ、常温で注型できるので
内部導体に通常の金属を用いることができる。このた
め、セラミック焼結体のインダクタで使用している金属
ペーストと比較して導体抵抗が低く、Qの高いインダク
タを得ることができる。さらに、形成されたコイルを含
浸するフマレート樹脂の誘電率が低く、しかも隣接する
線材との間隔をとることができるので自己共振周波数を
従来のものよりも高くすることができる。
That is, the fumarate resin has a relative dielectric constant (εr) of 2 to 3 and a dielectric loss tangent (tan δ) of 0.002 or less, and is excellent in castability and can be cast at room temperature. Normal metals can be used. Therefore, an inductor having a low conductor resistance and a high Q can be obtained as compared with the metal paste used for the ceramic sintered body inductor. Further, the dielectric constant of the fumarate resin impregnating the formed coil is low, and the interval between adjacent wires can be increased, so that the self-resonant frequency can be made higher than that of the conventional one.

【0011】また、フマレート樹脂は耐熱性も分解温度
290℃以上と良好なため、温度の高いハンダリフロー
炉にも対応できる。特に、今後ハンダ材料から鉛を排除
する方向に向かうため、溶融温度の高い鉛レスのハンダ
リフローにも対応できるメリットは大きい。さらに、リ
フロー炉の温度は金属銅の焼鈍温度以上であるため、成
形時の機械加工によるストレスで硬銅化した銅が、リフ
ロー炉による加熱で軟銅化し(軟銅化温度:210
℃)、導体抵抗が低下して一層Q値が上昇する効果も期
待できる。これは、導体にバルクの金属を用いたときの
特徴で、このような効果は、焼結銅によるチップインダ
クタでは期待できない。
Further, since the fumarate resin has a good heat resistance and a decomposition temperature of 290 ° C. or higher, it can be used in a high temperature solder reflow furnace. In particular, since lead will be removed from the solder material in the future, there is a great merit that it can cope with lead-free solder reflow having a high melting temperature. Furthermore, since the temperature of the reflow furnace is equal to or higher than the annealing temperature of metallic copper, copper hardened by stress caused by machining during forming is softened by heating in the reflow furnace (softening temperature: 210).
° C), the effect of lowering the conductor resistance and further increasing the Q value can also be expected. This is a characteristic when a bulk metal is used for the conductor, and such an effect cannot be expected in a chip inductor made of sintered copper.

【0012】また、樹脂モールド成形によれば、セラミ
ック焼結素子等においてよく見られる素体の歪みや剥が
れ等の現象が殆ど発生しない。
In addition, according to the resin molding, almost no phenomena such as distortion or peeling of the element body, which are often observed in ceramic sintered elements or the like, occur.

【0013】すなわち、上記課題は以下の構成により達
成される。 (1) 誘電体樹脂と、この誘電体樹脂中にコイル状に
形成されている導電体線材を有し、前記誘電体樹脂は、
比誘電率3.0以下、分解温度290℃以上の誘電性高
分子材料であるインダクタ。 (2) 前記誘電性高分子材料は、単量体として少なく
ともフマル酸ジエステルを含む単量体組成物を重合して
得られたものである上記(1)のインダクタ。 (3) 前記フマル酸ジエステルは、下記式(I)で表
される上記(1)または(2)のインダクタ。
That is, the above-mentioned object is achieved by the following constitutions. (1) It has a dielectric resin and a conductor wire formed in a coil shape in the dielectric resin, wherein the dielectric resin comprises:
An inductor which is a dielectric polymer material having a relative dielectric constant of 3.0 or less and a decomposition temperature of 290 ° C. or more. (2) The inductor according to the above (1), wherein the dielectric polymer material is obtained by polymerizing a monomer composition containing at least a fumaric acid diester as a monomer. (3) The inductor according to the above (1) or (2), wherein the fumaric diester is represented by the following formula (I).

【0014】[0014]

【化3】 Embedded image

【0015】[式(I)において、R1 はアルキル基ま
たはシクロアルキル基を表し、R2 はアルキル基、シク
ロアルキル基またはアリール基を表し、R1 およびR2
は同一でも異なるものであってもよい。] (4) 前記単量体組成物は、さらに下記式(II)で表
されるビニル系単量体を含む上記(1)〜(3)のいず
れかのインダクタ。
[In the formula (I), R 1 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and R 1 and R 2
May be the same or different. (4) The inductor according to any one of (1) to (3), wherein the monomer composition further contains a vinyl-based monomer represented by the following formula (II).

【0016】[0016]

【化4】 Embedded image

【0017】[式(II)において、Xは水素原子または
メチル基を表し、Yはフッ素原子、塩素原子、アルキル
基、アルケニル基、アリール基、エーテル基、アシル基
またはエステル基を表す。] (5) 前記導電体線材は、銅を主成分とし、かつ直径
0.03〜0.2mmの金属導電材料により形成されてい
る上記(1)〜(4)のいずれかのインダクタ。 (6) 前記導電体線材を部分的に加工することにより
形成された端子を有する上記(1)〜(5)のいずれか
のインダクタ。
[In the formula (II), X represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y represents a fluorine atom, a chlorine atom, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an ether group, an acyl group or an ester group. (5) The inductor according to any one of the above (1) to (4), wherein the conductor wire is mainly composed of copper and is formed of a metal conductive material having a diameter of 0.03 to 0.2 mm. (6) The inductor according to any one of (1) to (5), further including a terminal formed by partially processing the conductor wire.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】本発明のインダクタは、誘電体樹
脂と、この誘電体樹脂中にコイル状に形成されている導
電体線材を有し、前記誘電体樹脂は、比誘電率3.0以
下、分解温度290℃以上の誘電性高分子材料である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An inductor according to the present invention has a dielectric resin and a conductor wire formed in a coil shape in the dielectric resin, and the dielectric resin has a relative permittivity of 3.0. Hereinafter, it is a dielectric polymer material having a decomposition temperature of 290 ° C. or higher.

【0019】誘電体樹脂中にコイル状に形成された導電
体材料を配置させることにより、インダクタ全体として
規制されている所定の形状内で、最大限の大きさにコイ
ルを形成することができる。また、インダクタを構成す
る部品点数が減少し、軽量になる。
By disposing the coil-shaped conductive material in the dielectric resin, the coil can be formed to the maximum size within a predetermined shape regulated as the whole inductor. Further, the number of parts constituting the inductor is reduced, and the weight is reduced.

【0020】誘電体樹脂は、比誘電率3.0以下、好ま
しくは2.0〜3.0の範囲である。比誘電率が大きく
なると、インダクタの自己共振周波数(SRF)が低下
する。また、分解温度は290℃以上が好ましく、実用
的には280℃以上である。その上限としては特に規制
されるものではないが、通常310℃程度である。
The dielectric resin has a relative dielectric constant of 3.0 or less, preferably in the range of 2.0 to 3.0. As the relative dielectric constant increases, the self-resonant frequency (SRF) of the inductor decreases. The decomposition temperature is preferably 290 ° C or higher, and practically 280 ° C or higher. The upper limit is not particularly limited, but is usually about 310 ° C.

【0021】本発明の誘電体樹脂は、好ましくは単量体
としてフマル酸ジエステルを含む単量体組成物を重合し
て得られたものであり、フマル酸ジエステルから誘導さ
れる繰り返し単位を有するフマレート系重合体である。
The dielectric resin of the present invention is preferably obtained by polymerizing a monomer composition containing a fumaric acid diester as a monomer, and comprises a fumarate having a repeating unit derived from the fumaric acid diester. It is a system polymer.

【0022】本発明におけるフマル酸ジエステル単量体
としては高分子材料としたとき、高分子材料に低誘電性
や耐熱性を付与するものであれば特に限定されるもので
はないが、式(I)[上記化3に掲載]で表される化合
物が好ましい。
In the present invention, the fumaric acid diester monomer is not particularly limited as long as it imparts low dielectric property and heat resistance to the polymer material when the polymer material is used. ) A compound represented by the above formula 3 is preferred.

【0023】式(I)について記すと、式(I)中、R
1 はアルキル基またはシクロアルキル基を表し、R2
アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表
し、R1 およびR2 は同一でも異なるものであってもよ
い。
As for the formula (I), in the formula (I), R
1 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and R 1 and R 2 may be the same or different.

【0024】R1 、R2 で表されるアルキル基として
は、総炭素数2〜12のものが好ましく、直鎖状であっ
ても分岐を有するものであってもよく、さらには置換基
を有していてもよい。置換基を有する場合の置換基とし
ては、ハロゲン原子(F、Cl)、アルコキシ基(メト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、
アリール基(フェニル基等)などが挙げられる。
The alkyl group represented by R 1 and R 2 is preferably one having a total of 2 to 12 carbon atoms, which may be linear or branched, and further having a substituent. You may have. When the compound has a substituent, examples of the substituent include a halogen atom (F, Cl), an alkoxy group (such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group);
And an aryl group (eg, a phenyl group).

【0025】R1 、R2 で表されるアルキル基の具体例
としては、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチ
ル基、n−ペンチル基(n−アミル基)、sec−アミ
ル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペ
ンチル基、n−ヘキシル基、4−メチル−2−ペンチル
基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウ
ンデシル基、ドデシル基、トリフルオロエチル基、ヘキ
サフルオロイソプロピル基、パーフルオロイソプロピル
基、パーフルオロブチルエチル基、パーフルオロオクチ
ルエチル基、2−クロロエチル基、1−ブトキシ−2−
プロピル基、メトキシエチル基、ベンジル基などが挙げ
られる。
Specific examples of the alkyl group represented by R 1 and R 2 include an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group and an n-pentyl group. (N-amyl group), sec-amyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, n-hexyl group, 4-methyl-2-pentyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl Group, dodecyl group, trifluoroethyl group, hexafluoroisopropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutylethyl group, perfluorooctylethyl group, 2-chloroethyl group, 1-butoxy-2-
Examples include a propyl group, a methoxyethyl group, and a benzyl group.

【0026】R1 、R2 で表されるシクロアルキル基と
しては、総炭素数3〜14のものが好ましく、単環であ
っても橋かけ環を有するものであってもよく、さらには
置換基を有していてもよい。この場合の置換基としては
上記のアルキル基のところで例示したものと同様のもの
であってよく、このほかアルキル基(メチル基等の炭素
数1〜14の直鎖あるいは分岐のもの)などを挙げるこ
とができる。
The cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 preferably has 3 to 14 carbon atoms, and may be a single ring or a bridged ring. It may have a group. In this case, the substituent may be the same as those exemplified above for the alkyl group, and examples thereof include an alkyl group (a linear or branched one having 1 to 14 carbon atoms such as a methyl group). be able to.

【0027】R1 、R2 で表されるシクロアルキル基の
具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、アダマンチル基、ジメチルアダマンチル基などが挙
げられる。
Specific examples of the cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group and a dimethyladamantyl group.

【0028】R2 で表されるアリール基としては、総炭
素数6〜18のものが好ましく、単環が好ましいが多環
(縮合環ないし環集合)であってもよく、置換基を有し
ていてもよい。この場合の置換基は、アルキル基、シク
ロアルキル基のところで例示したものと同様のものが挙
げられる。
The aryl group represented by R 2 is preferably one having a total of 6 to 18 carbon atoms, and is preferably a monocyclic ring, but may be a polycyclic ring (condensed ring or ring assembly) and has a substituent. May be. In this case, the substituents are the same as those exemplified for the alkyl group and the cycloalkyl group.

【0029】R2 で表されるアリール基の具体例として
は、フェニル基等が挙げられる。
Specific examples of the aryl group represented by R 2 include a phenyl group.

【0030】R1 、R2 としては、アルキル基、シクロ
アルキル基が好ましい。アルキル基としては、分岐を有
するアルキル基が好ましく、イソプロピル基、sec−
ブチル基、tert−ブチル基などが好ましい。また、
シクロアルキル基としてはシクロヘキシル基などが好ま
しい。
As R 1 and R 2 , an alkyl group and a cycloalkyl group are preferable. As the alkyl group, an alkyl group having a branch is preferable, and an isopropyl group, sec-
A butyl group and a tert-butyl group are preferred. Also,
As the cycloalkyl group, a cyclohexyl group or the like is preferable.

【0031】式(I)で表されるフマル酸ジエステル単
量体の好適例として、具体的にはジエチルフマレート、
ジ−n−プロピルフマレート、ジ−n−ヘキシルフマレ
ート、イソプロピル−n−ヘキシルフマレート、ジイソ
プロピルフマレート、ジ−n−ブチルフマレート、ジ−
sec−ブチルフマレート、ジ−tert−ブチルフマ
レート、ジ−sec−アミルフマレート、n−ブチル−
イソプロピルフマレート、イソプロピル−sec−ブチ
ルフマレート、tert−ブチル−4−メチル−2−ペ
ンチルフマレート、イソプロピル−tert−ブチルフ
マレート、イソプロピル−sec−アミルフマレート、
ジ−4−メチル−2−ペンチルフマレート、ジ−イソア
ミルフマレート、ジ−4−メチル−2−ヘキシルフマレ
ート、tert−ブチル−イソアミルフマレート等のジ
アルキルフマレート類;ジシクロペンチルフマレート、
ジシクロヘキシルフマレート、ジシクロヘプチルフマレ
ート、シクロペンチル−シクロヘキシルフマレート、ビ
ス(ジメチルアダマンチル)フマレート、ビス(アダマ
ンチル)フマレート等のジシクロアルキルフマレート
類;イソプロピル−シクロヘキシルフマレート、イソプ
ロピル−ジメチルアダマンチルフマレート、イソプロピ
ル−アダマンチルフマレート、tert−ブチル−シク
ロヘキシルフマレート等のアルキルシクロアルキルフマ
レート類;イソプロピル−フェニルフマレート等のアル
キルアリールフマレート類;tert−ブチルベンジル
フマレート、イソプロピル−ベンジルフマレート等のア
ルキルアラルキルフマレート類;ジトリフルオロエチル
フマレート、ジヘキサフルオロイソプロピルフマレー
ト、ジパーフルオロイソプロピルフマレート、ジビス
(パーフルオロブチルエチル)フマレート等のジ−フル
オロアルキルフマレート類; イソプロピル−パーフル
オロオクチルエチルフマレート、イソプロピル−ヘキサ
フルオロイソプロピルフマレート等のアルキルフルオロ
アルキルフマレート類;1−ブトキシ−2−プロピル−
tert−ブチルフマレート、メトキシエチル−イソプ
ロピルフマレート、2−クロロエチル−イソプロピルフ
マレート等のその他の置換アルキルアルキルフマレート
類などが挙げられる。
As preferred examples of the fumaric acid diester monomer represented by the formula (I), specifically, diethyl fumarate,
Di-n-propyl fumarate, di-n-hexyl fumarate, isopropyl-n-hexyl fumarate, diisopropyl fumarate, di-n-butyl fumarate, di-
sec-butyl fumarate, di-tert-butyl fumarate, di-sec-amyl fumarate, n-butyl-
Isopropyl fumarate, isopropyl-sec-butyl fumarate, tert-butyl-4-methyl-2-pentyl fumarate, isopropyl-tert-butyl fumarate, isopropyl-sec-amyl fumarate,
Dialkyl fumarate such as di-4-methyl-2-pentyl fumarate, di-isoamyl fumarate, di-4-methyl-2-hexyl fumarate, tert-butyl-isoamyl fumarate; dicyclopentyl fumarate;
Dicycloalkyl fumarate such as dicyclohexyl fumarate, dicycloheptyl fumarate, cyclopentyl-cyclohexyl fumarate, bis (dimethyladamantyl) fumarate, bis (adamantyl) fumarate; isopropyl-cyclohexyl fumarate, isopropyl-dimethyl adamantyl fumarate; Alkylcycloalkyl fumarate such as isopropyl-adamantyl fumarate and tert-butyl-cyclohexyl fumarate; alkylaryl fumarate such as isopropyl-phenyl fumarate; alkyl such as tert-butylbenzyl fumarate and isopropyl-benzyl fumarate Aralkyl fumarate; ditrifluoroethyl fumarate, dihexafluoroisopropyl fumarate, diperfluoroi Di-fluoroalkyl fumarate such as propyl fumarate and dibis (perfluorobutylethyl) fumarate; alkyl fluoroalkyl fumarate such as isopropyl-perfluorooctylethyl fumarate and isopropyl-hexafluoroisopropyl fumarate; 1-butoxy -2-propyl-
Other substituted alkylalkyl fumarate such as tert-butyl fumarate, methoxyethyl-isopropyl fumarate, 2-chloroethyl-isopropyl fumarate and the like can be mentioned.

【0032】なかでも、ジイソプロピルフマレート、ジ
シクロヘキシルフマレート、ジ−sec−ブチルフマレ
ート、ジ−tert−ブチルフマレート、イソプロピル
−tert−ブチルフマレート、n−ブチル−イソプロ
ピルフマレート、n−ヘキシル−イソプロピルフマレー
トなどが特に好ましい。
Among them, diisopropyl fumarate, dicyclohexyl fumarate, di-sec-butyl fumarate, di-tert-butyl fumarate, isopropyl-tert-butyl fumarate, n-butyl-isopropyl fumarate, n-hexyl-fumarate Isopropyl fumarate and the like are particularly preferred.

【0033】これらのジエステル類は通常のエステル化
技術および異性化技術を組み合わせることにより、合成
することができる。
These diesters can be synthesized by combining ordinary esterification techniques and isomerization techniques.

【0034】本発明の高分子材料であるフマレート系重
合体を得るに際し、上記のフマル酸ジエステル(フマレ
ート系化合物)は1種のみを用いてもよく、2種以上を
併用してもよい。したがって本発明のフマレート系重合
体は上記のフマル酸ジエステルを1種のみ重合した単独
重合体であってもよく、2種以上を重合した共重合体で
あってもよい。共重合体はランダム共重合体、交互共重
合体、ブロック共重合体等のいずれであってもよい。
In obtaining the fumarate-based polymer which is the polymer material of the present invention, the above fumaric acid diester (fumarate-based compound) may be used alone or in combination of two or more. Therefore, the fumarate-based polymer of the present invention may be a homopolymer obtained by polymerizing only one type of the above fumaric acid diester, or a copolymer obtained by polymerizing two or more types. The copolymer may be any of a random copolymer, an alternating copolymer, a block copolymer and the like.

【0035】本発明のフマレート系重合体は、このよう
に、フマル酸ジエステルのみを単量体成分に用いたもの
であってもよいが、フマル酸ジエステルのほかに他の単
量体を用いることができ、他の単量体成分との共重合体
とすることができる。このような他の単量体成分として
はビニル系単量体(モノマー)を用いればよく、コモノ
マーとされるビニル系単量体としては、成形加工性、フ
ィルム成膜性、機械的強度を付与することができ、前記
フマレート系化合物と共重合しうるものであれば特に限
定されるものではないが、好ましくは式(II)[前記化
4]で表される化合物を挙げることができる。
As described above, the fumarate-based polymer of the present invention may be one using only fumaric acid diester as a monomer component. However, other monomers besides fumaric acid diester may be used. And a copolymer with another monomer component. As such another monomer component, a vinyl monomer (monomer) may be used, and the vinyl monomer which is a comonomer imparts moldability, film forming property, and mechanical strength. The compound is not particularly limited as long as it can be copolymerized with the fumarate-based compound, but preferably includes a compound represented by the formula (II) [Formula 4].

【0036】式(II)について説明すると、Xは水素原
子またはメチル基を表し、Yはフッ素原子、塩素原子、
アルキル基、アルケニル基、アリール基、エーテル基、
アシル基またはエステル基を表す。
Referring to the formula (II), X represents a hydrogen atom or a methyl group, Y represents a fluorine atom, a chlorine atom,
Alkyl group, alkenyl group, aryl group, ether group,
Represents an acyl group or an ester group.

【0037】Yで表されるアルキル基としては、総炭素
数1〜14のものが好ましく、直鎖状であっても分岐を
有するものであってもよい。
The alkyl group represented by Y is preferably one having a total carbon number of 1 to 14, and may be linear or branched.

【0038】Yで表されるアルケニル基としては、総炭
素数2〜14のものが好ましく、直鎖状であっても分岐
を有するものであってもよく、さらには置換基を有して
いてもよく、例えばビニル基、アリル基、プロペニル
基、ブテニル基等が挙げられる。
The alkenyl group represented by Y is preferably one having a total of 2 to 14 carbon atoms, which may be linear or branched, and further having a substituent. Examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a propenyl group, and a butenyl group.

【0039】Yで表されるアリール基としては、総炭素
数6〜18のものが好ましく、単環であっても縮合環等
の多環であってもよく、さらにはハロゲン原子(F、C
l)、アルキル基(メチル基等)の置換基を有していて
もよい。具体的には、フェニル基、α−ナフチル基、β
−ナフチル基、(o−、m−、p−)トリル基、(o
−、m−、p−)クロロフェニル基等が挙げられる。
The aryl group represented by Y is preferably an aryl group having a total of 6 to 18 carbon atoms, and may be a monocyclic ring or a polycyclic ring such as a condensed ring.
l) may have a substituent of an alkyl group (eg, a methyl group). Specifically, phenyl group, α-naphthyl group, β
-Naphthyl group, (o-, m-, p-) tolyl group, (o
-, M-, p-) chlorophenyl group and the like.

【0040】Yで表されるエーテル基は、−OR3 で示
され、この場合のR3 としてはアルキル基、アリール基
等が挙げられる。R3 で表されるアルキル基としては総
炭素数が1〜8であるものが好ましく、直鎖状であって
も分岐を有するものであってもよく、さらには置換基
(ハロゲン原子等)を有していてもよい。R3 で表され
るアリール基としては総炭素数6〜18のものが好まし
く、単環が好ましいが縮合環等の多環であってもよい。
The ether group represented by Y is represented by —OR 3 , wherein R 3 is an alkyl group, an aryl group, or the like. The alkyl group represented by R 3 preferably has 1 to 8 carbon atoms in total, and may be linear or branched, and further has a substituent (eg, a halogen atom). You may have. The aryl group represented by R 3 preferably has 6 to 18 carbon atoms in total, and is preferably a single ring, but may be a polycyclic ring such as a condensed ring.

【0041】Yで表されるエーテル基としては、メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソブ
トキシ基、フェノキシ基等が挙げられる。
Examples of the ether group represented by Y include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, an isobutoxy group and a phenoxy group.

【0042】Yで表されるアシル基は−COR4 で示さ
れ、この場合のR4 としてはアルキル基、アリール基等
が挙げられる。R4 で表されるアルキル基としては総炭
素数1〜8であるものが好ましく、直鎖状であっても分
岐を有するものであってもよく、さらには置換基(ハロ
ゲン原子等)を有していてもよい。R4 で表されるアリ
ール基としては総炭素数6〜18のものが好ましく、単
環が好ましいが縮合環等の多環であってもよい。
The acyl group represented by Y is represented by —COR 4 , wherein R 4 is an alkyl group, an aryl group, or the like. The alkyl group represented by R 4 preferably has 1 to 8 carbon atoms in total, and may be linear or branched, and further has a substituent (eg, a halogen atom). It may be. The aryl group represented by R 4 preferably has 6 to 18 carbon atoms, and is preferably a single ring, but may be a polycyclic ring such as a condensed ring.

【0043】Yで表されるアシル基としては、アセチル
基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ベ
ンゾイル基等が挙げられる。
Examples of the acyl group represented by Y include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group and a benzoyl group.

【0044】Yで表されるエステル基は、−OCOR5
または−COOR5 で示され、この場合のR5 としては
アルキル基、アリール基等が挙げられる。R5 で表され
るアルキル基としては総炭素数が1〜20であるものが
好ましく、直鎖状であっても分岐を有するものであって
もよく、さらには置換基(ハロゲン原子等)を有してい
てもよい。R5 で表されるアリール基としては総炭素数
6〜18のものが好ましく、単環が好ましいが縮合環等
の多環であってもよい。
The ester group represented by Y is —OCOR 5
Or represented by -COOR 5, the alkyl group as R 5 in this case, and an aryl group. The alkyl group represented by R 5 preferably has 1 to 20 carbon atoms in total, and may be linear or branched, and further has a substituent (eg, a halogen atom). You may have. The aryl group represented by R 5 preferably has 6 to 18 carbon atoms in total, and is preferably a single ring, but may be a polycyclic ring such as a condensed ring.

【0045】Yで表されるエステル基としては、アセト
キシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イ
ソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、イソバレリル
オキシ基、−OCOC49 (−sec)、−OCOC
49 (−tert)、−OCOC(CH32 CH2
CH3 、−OCOC(CH32 CH2 CH2 CH3
ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、tert
−ブチルベンゾイルオキシ基、メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、2−エ
チルヘキシルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニ
ル基等が挙げられる。
Examples of the ester group represented by Y include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, an isobutyryloxy group, a valeryloxy group, an isovaleryloxy group, -OCOC 4 H 9 (-sec), -OCOC
4 H 9 (-tert), - OCOC (CH 3) 2 CH 2
CH 3 , —OCOC (CH 3 ) 2 CH 2 CH 2 CH 3 ,
Stearoyloxy group, benzoyloxy group, tert
-Butylbenzoyloxy group, methoxycarbonyl group,
Examples include an ethoxycarbonyl group, a butoxycarbonyl group, a 2-ethylhexyloxycarbonyl group, and a phenoxycarbonyl group.

【0046】本発明に用いる共重合成分とはオレフィン
系炭化水素を主体とするビニル系コモノマーであり、式
(II)で表されるビニル系モノマーとしては、例えば酢
酸ビニル、ピバリン酸ビニル、2,2−ジメチルブタン
酸ビニル、2,2−ジメチルペンタン酸ビニル、2−メ
チル−2−ブタン酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ステ
アリン酸ビニル、2−エチル−2−メチルブタン酸ビニ
ル等のカルボン酸ビニル類;p−tert−ブチル安息
香酸ビニル、N,N−ジメチルアミノ安息香酸ビニル、
安息香酸ビニル等の芳香族ビニル系単量体類;スチレ
ン、o−,m−,p−クロロメチルスチレン、α−メチ
ルスチレンおよびその核置換体などのα−置換スチレン
誘導体類;o−、m−、p−メチルスチレン等のアルキ
ル核置換スチレン類;塩化ビニル、フッ化ビニル等のα
−オレフィン類;p−クロロスチレン等のo−、m−、
p−ハロゲン化スチレン等のハロゲン核置換スチレン;
エチルビニルエーテル、ビニルブチルエーテル、イソブ
チルビニルエーテル等のビニルエーテル類;α−、β−
ビニルナフタレン等のナフタレン誘導体;メチルビニル
ケトン、イソブチルビニルケトン等のアルキルビニルケ
トン類;ブタジエン、イソプレン等のジエン類;メチル
(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、
ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メ
タ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート等の
(メタ)アクリル酸エステル類等の公知のラジカル重合
成モノマー等を好ましく挙げることができる。
The copolymer component used in the present invention is a vinyl comonomer mainly composed of an olefinic hydrocarbon. Examples of the vinyl monomer represented by the formula (II) include vinyl acetate, vinyl pivalate, Vinyl carboxylate such as vinyl 2-dimethylbutanoate, vinyl 2,2-dimethylpentanoate, vinyl 2-methyl-2-butanoate, vinyl propionate, vinyl stearate, vinyl 2-ethyl-2-methylbutanoate; p-tert-butyl vinyl benzoate, N, N-dimethylamino vinyl benzoate,
Aromatic vinyl monomers such as vinyl benzoate; α-substituted styrene derivatives such as styrene, o-, m-, p-chloromethylstyrene, α-methylstyrene and its core-substituted products; o-, m -, Alkyl nucleus-substituted styrenes such as p-methylstyrene; α such as vinyl chloride and vinyl fluoride
-Olefins; o-, m-, such as p-chlorostyrene;
halogen nucleus-substituted styrene such as p-halogenated styrene;
Vinyl ethers such as ethyl vinyl ether, vinyl butyl ether and isobutyl vinyl ether; α-, β-
Naphthalene derivatives such as vinyl naphthalene; alkyl vinyl ketones such as methyl vinyl ketone and isobutyl vinyl ketone; dienes such as butadiene and isoprene; methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate;
Known radical polysynthetic monomers such as (meth) acrylates such as butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate and phenyl (meth) acrylate can be preferably exemplified.

【0047】このようなビニル系モノマーを製造するに
は、例えば酢酸ビニルと相当する有機酸とのエステル交
換反応を酢酸水銀または硫酸等の存在下で行うか、他の
触媒、例えば白金、ロジウム等の金属錯体、触媒の存在
下反応を行うことにより容易に合成することができる。
In order to produce such a vinyl monomer, for example, the transesterification reaction between vinyl acetate and the corresponding organic acid is carried out in the presence of mercury acetate or sulfuric acid, or another catalyst such as platinum or rhodium. Can be easily synthesized by performing the reaction in the presence of a metal complex and a catalyst.

【0048】このようなビニル系モノマーはコモノマー
として1種のみを用いても2種以上を併用してもよい。
One of these vinyl monomers may be used alone or two or more of them may be used in combination.

【0049】また、このようなビニル系モノマーから誘
導される繰り返し単位を有する本発明のフマレート系重
合体は共重合体であるが、ランダム共重合体、交互共重
合体、ブロック共重合体等のいずれであってもよい。
The fumarate-based polymer of the present invention having a repeating unit derived from such a vinyl-based monomer is a copolymer, such as a random copolymer, an alternating copolymer, or a block copolymer. Any of them may be used.

【0050】本発明のフマル酸ジエステルから誘導され
る繰り返し単位を有する高分子材料は低誘電性であり、
成膜性、膜密着性、さらには機械的物性等の点で優れ
る。このような高分子材料は、前述のように、同一のフ
マル酸ジエステルのみを用いた単独重合体、フマル酸ジ
エステル同士の共重合体、フマル酸ジエステルとこれと
共重合可能な他のビニル系単量体との共重合体のいずれ
であってもよい。
The polymer material having a repeating unit derived from the fumaric acid diester of the present invention has low dielectric properties,
It is excellent in film formability, film adhesion, and mechanical properties. As described above, such a polymer material is, as described above, a homopolymer using only the same fumaric diester, a copolymer of fumaric diesters, and a fumaric diester and another vinyl monomer copolymerizable therewith. Any of a copolymer with a monomer may be used.

【0051】またフマレート系重合体の分子量は特に限
定はされないが、例えば電気絶縁フィルムおよびそれを
積層して得られる電気絶縁基板を形成するには、電子部
品の製造中に生ずるかなりの応力に、電気絶縁基板が耐
えられるだけの機械的強度が必要とされるため、その用
途等を考慮すると、高分子量体のものが望ましく、数平
均分子量で、10000〜1500000であることが
好ましい。分子量が小さくなると機械的強度および化学
安定性に劣りやすくなり、耐熱性も悪くなる。特に成膜
性、基板に対する膜密着性、膜欠陥をなくすために、な
るべく分子量が高い方が望ましい。しかし、分子量が大
きくなりすぎると均一でかつ平滑な膜の成膜が困難にな
るなど作業性に劣り、また加工性も悪くなる。
Although the molecular weight of the fumarate-based polymer is not particularly limited, for example, to form an electric insulating film and an electric insulating substrate obtained by laminating the same, a considerable stress generated during the production of electronic parts is required. Since mechanical strength enough to withstand the electrically insulating substrate is required, a high molecular weight material is desirable in view of its use and the like, and the number average molecular weight is preferably 10,000 to 1500,000. When the molecular weight is small, mechanical strength and chemical stability are likely to be inferior, and heat resistance is also poor. In particular, it is desirable that the molecular weight be as high as possible in order to eliminate film defects, film adhesion to a substrate, and film defects. However, if the molecular weight is too large, workability is poor, such as difficulty in forming a uniform and smooth film, and workability is also poor.

【0052】本発明の高分子材料は、単量体成分として
前記のようなフマル酸ジエステルのみを実質的に含有す
る単量体組成物を重合するか、あるいはさらに単量体成
分として前記のようなビニル系単量体を含有させた単量
体組成物を重合するかして得られたものである。
The polymer material of the present invention can be obtained by polymerizing a monomer composition substantially containing only the above-mentioned fumaric acid diester as a monomer component, or by further polymerizing a monomer composition as described above as a monomer component. It is obtained by polymerizing a monomer composition containing various vinyl monomers.

【0053】この場合、前記のフマル酸ジエステルは原
料となる単量体(原料モノマー)全体の50重量%以
上、さらには60重量%以上、特に80重量%以上であ
ることが好ましい。フマル酸ジエステル量が少なくなる
と、電気特性(誘電率および低誘電損失正接)、ならび
に耐熱性等が不十分となり好ましくない。
In this case, the content of the fumaric acid diester is preferably at least 50% by weight, more preferably at least 60% by weight, and particularly preferably at least 80% by weight, based on the total amount of the raw material monomer (raw material monomer). When the amount of fumaric acid diester is small, electric characteristics (dielectric constant and low dielectric loss tangent), heat resistance and the like become insufficient, which is not preferable.

【0054】一方、前記のビニル系単量体の原料モノマ
ー全体に対する割合は、低誘電性(低誘電率、低誘電正
接)、成形加工性、溶液粘度、膜密着性、さらには機械
的物性等の点から0〜50重量%が好ましく、さらに好
ましくは0〜40重量%、特に好ましくは0〜20重量
%である。
On the other hand, the ratio of the above-mentioned vinyl monomer to the total amount of the raw material monomers is as follows: low dielectric properties (low dielectric constant, low dielectric loss tangent), moldability, solution viscosity, film adhesion, mechanical properties and the like. In view of the above, it is preferably 0 to 50% by weight, more preferably 0 to 40% by weight, and particularly preferably 0 to 20% by weight.

【0055】このようなフマレート系重合体中のフマル
酸ジエステルに由来する構成成分は好ましくは50重量
%以上、さらに好ましくは60重量%以上、特に好まし
くは80重量%以上である。
The component derived from the fumaric acid diester in such a fumarate-based polymer is preferably at least 50% by weight, more preferably at least 60% by weight, particularly preferably at least 80% by weight.

【0056】また、本発明で用いられるフマレート系重
合体の軟化温度は200℃以上であり、通常230〜2
90℃の範囲にある。このように軟化温度が高いのでデ
バイス化工程に必須の半田付工程での耐熱性は十分であ
る。このように高軟化温度を有するのは、主鎖構造とな
る部分にメチレン基を有さず主鎖の炭素上に置換基が結
合し、主鎖の分子鎖熱運動性が抑制されるためと考えら
れる。
The softening temperature of the fumarate-based polymer used in the present invention is 200 ° C. or higher, and is usually from 230 to 2
It is in the range of 90 ° C. Since the softening temperature is high as described above, the heat resistance in the soldering step essential for the device forming step is sufficient. The reason for having such a high softening temperature is that the main chain structure does not have a methylene group and the substituent is bonded on the carbon of the main chain, thereby suppressing the thermal kinetic of the main chain. Conceivable.

【0057】このように本発明で用いられるフマレート
系重合体はロッド状の構造を有し、剛直なポリマーであ
る。したがって側鎖の結合に対する攻撃も受けにくく、
耐熱性、耐酸・耐アルカリ性(耐エッチング性)に優れ
た重合体を得ることができる。
As described above, the fumarate-based polymer used in the present invention has a rod-like structure and is a rigid polymer. Therefore, they are not easily attacked by the side chain bond,
A polymer having excellent heat resistance, acid resistance and alkali resistance (etching resistance) can be obtained.

【0058】以下に、本発明で好ましく用いられるフマ
レート系重合体を例示する。重合体は原料モノマーで示
すものとする。
The fumarate-based polymers preferably used in the present invention are described below. The polymer is represented by a raw material monomer.

【0059】I)ジ−アルキルフマレート系 I−1 ジ−イソプロピルフマレート I−2 ジ−シクロヘキシルフマレート I−3 ジ−sec−ブチルフマレート I−4 ジ−tert−ブチルフマレート I−5 tert−ブチル−イソプロピルフマレート I−6 ジ−イソプロピルフマレート/ジ−sec−ブ
チルフマレート I−7 tert−ブチル−イソプロピルフマレート/
ジ−イソプロピルフマレート I−8 ジ−イソプロピルフマレート/ジ−シクロヘキ
シルフマレート I−9 ジ−イソプロピルフマレート/n−ブチル−イ
ソプロピルフマレート I−10 ジ−イソプロピルフマレート/n−ヘキシル−
イソプロピルフマレート I−11 ジ−シクロヘキシルフマレート/n−ブチル−
イソプロピルフマレート I−12 ジ−シクロヘキシルフマレート/ジ−sec−
ブチルフマレート
I) Di-alkyl fumarate type I-1 di-isopropyl fumarate I-2 di-cyclohexyl fumarate I-3 di-sec-butyl fumarate I-4 di-tert-butyl fumarate I-5 tert-butyl-isopropyl fumarate I-6 di-isopropyl fumarate / di-sec-butyl fumarate I-7 tert-butyl-isopropyl fumarate /
Di-isopropyl fumarate I-8 Di-isopropyl fumarate / di-cyclohexyl fumarate I-9 Di-isopropyl fumarate / n-butyl-isopropyl fumarate I-10 Di-isopropyl fumarate / n-hexyl-
Isopropyl fumarate I-11 di-cyclohexyl fumarate / n-butyl-
Isopropyl fumarate I-12 di-cyclohexyl fumarate / di-sec-
Butyl fumarate

【0060】II)ジ−アルキルフマレート/ビニル系 II−1 ジ−イソプロピルフマレート/スチレン II−2 ジ−sec−ブチルフマレート/tert−ブ
チル安息香酸ビニル II−3 ジ−シクロヘキシルフマレート/2−エチル−
2−メチルブタン酸ビニル II−4 ジ−イソプロピルフマレート/tert−ブチ
ル安息香酸ビニル II−5 ジ−イソプロピルフマレート/p−N,N−ジ
メチルアミノ安息香酸ビニル II−6 ジ−シクロヘキシルフマレート/tert−ブ
チル安息香酸ビニル II−7 シクロヘキシル−イソプロピルフマレート/酢
酸ビニル II−8 ジ−tert−ブチルフマレート/ジ−シクロ
ヘキシルフマレート−tert−ブチル安息香酸ビニル II−9 ジ−イソプロピルフマレート/ジ−シクロヘキ
シルフマレート/2−エチル−2−メチルブタン酸ビニ
ル II−10 ジ−イソプロピルフマレート/ジ−sec−ブ
チルフマレート/N,N−ジメチルアミノ安息香酸ビニ
ル II−11 ジ−sec−ブチルフマレート/ジ−シクロヘ
キシルフマレート/tert−ブチル安息香酸ビニル II−12 ジ−シクロヘキシルフマレート/ジ−イソプロ
ピルフマレート/スチレン
II) Di-alkyl fumarate / vinyl type II-1 di-isopropyl fumarate / styrene II-2 di-sec-butyl fumarate / vinyl tert-butyl benzoate II-3 di-cyclohexyl fumarate / 2 -Ethyl-
Vinyl 2-methylbutanoate II-4 Di-isopropyl fumarate / vinyl tert-butyl benzoate II-5 Di-isopropyl fumarate / vinyl p-N, N-dimethylaminobenzoate II-6 Di-cyclohexyl fumarate / tert -Butyl vinyl benzoate II-7 cyclohexyl-isopropyl fumarate / vinyl acetate II-8 di-tert-butyl fumarate / di-cyclohexyl fumarate-tert-vinyl vinyl benzoate II-9 di-isopropyl fumarate / di- Cyclohexyl fumarate / vinyl 2-ethyl-2-methylbutanoate II-10 di-isopropyl fumarate / di-sec-butyl fumarate / vinyl N, N-dimethylaminobenzoate II-11 di-sec-butyl fumarate / Di-cyclohexyl fumarate / tert-butyl Vinyl benzoate II-12 di - cyclohexyl fumarate / di - isopropyl fumarate / styrene

【0061】本発明において、前記のフマレート系重合
体を製造するには、通常のラジカル重合法を好ましく用
いることができる。重合に際し用いられる重合開始剤と
しては、分子量を上げるため10時間半減期温度が80
℃以下の有機過酸化物およびアゾ化合物の1種または2
種以上を好ましく用いることができる。このような重合
開始剤として、例えば過酸化ベンゾイル、ジイソプロピ
ルペルオキシジカーボネート、tert−ブチルペルオ
キシジ−2−エチルヘキサノエート、tert−ブチル
ペルオキシジイソブチレート、クメンパーオキサイド、
tert−ブチルヒドルパーオキシド、tert−ブチ
ルペルオキシピバレート、過酸化ラウロイルジアシルパ
ーオキシド等の有機過酸化物、2,2’−アゾビスブチ
ロニトリル、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニ
トリル)、アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリ
ル)、1,1’−アゾビス(シクロヘキサン−1−カル
ボニトリル)、2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチ
ル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニト
リル)、tert−ブチルペルオキシイソプロピルカー
ボネート等のアゾ系化合物が挙げられる。重合開始剤の
使用量としては原料モノマー100重量部に対して10
重量部以下が好ましく、さらに好ましくは5重量部以下
である。
In the present invention, in order to produce the fumarate-based polymer, a usual radical polymerization method can be preferably used. The polymerization initiator used for the polymerization has a 10-hour half-life temperature of 80 to increase the molecular weight.
One or more of an organic peroxide and an azo compound having a temperature of not higher than
More than one species can be preferably used. Examples of such a polymerization initiator include benzoyl peroxide, diisopropyl peroxydicarbonate, tert-butyl peroxydi-2-ethylhexanoate, tert-butyl peroxydiisobutyrate, cumene peroxide,
Organic peroxides such as tert-butyl hydroperoxide, tert-butyl peroxypivalate, lauroyldiacyl peroxide, 2,2′-azobisbutyronitrile, 2,2′-azobis (2-methylbutyro Nitrile), azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 1,1′-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile), 2,2′-azobis (isobutyric acid) dimethyl, 2,2′-azobis (2 Azo compounds such as 4-dimethylvaleronitrile) and tert-butylperoxyisopropyl carbonate. The amount of the polymerization initiator to be used is 10 to 100 parts by weight of the raw material monomer.
It is preferably at most 5 parts by weight, more preferably at most 5 parts by weight.

【0062】またこのような調製法において各モノマー
を重合ないし共重合させる際の条件としては、適時重合
系を不活性ガス、例えば窒素、二酸化炭素、ヘリウム、
アルゴン等で置換ないしは雰囲気下、あるいは脱気条件
下で重合させることが好ましい。重合ないし共重合させ
る際の温度としては使用する重合開始剤の種類により異
なるが、30℃〜120℃の範囲が好ましい。また重合
に要する全時間は、10時間〜72時間程度であること
が望ましい。また原料モノマーに色素等の着色あるいは
紫外線吸収剤等の添加物を加えて重合させることも可能
である。
The conditions for polymerizing or copolymerizing each monomer in such a preparation method are as follows: a polymerization system is appropriately set with an inert gas such as nitrogen, carbon dioxide, helium,
It is preferable to carry out the polymerization under a substitution or atmosphere with argon or the like, or under degassing conditions. The temperature at the time of polymerization or copolymerization varies depending on the type of polymerization initiator used, but is preferably in the range of 30 ° C to 120 ° C. The total time required for the polymerization is desirably about 10 to 72 hours. It is also possible to polymerize the starting monomer by adding a coloring agent such as a dye or an additive such as an ultraviolet absorber.

【0063】また前記ラジカル重合法としては、溶液重
合、塊状重合、乳化重合、懸濁重合、放射線重合等の汎
用のビニル系モノマーのラジカル重合に用いられる数多
くの重合法により行うことができる。本発明では高周波
帯域用の用途において、低誘電性電気絶縁基板の電気特
性として、低誘電損失正接を極めて低くすることが重要
なポイントとなる。高分子材料中の低分子量体の存在が
外部可塑化を引き起こし誘電損失正接を大きくし、高周
波帯域における誘電特性を悪化する要因となるため、フ
マレート系重合体および共重合体の分子量が極めて高く
なるような重合方法をとることが重要であり、仕込みモ
ノマーの濃度を高くすることができる、例えば共重合さ
せる際の仕込みモノマーであるフマル酸ジエステルと、
ビニル系モノマーとの両モノマーの濃度を十分高くする
ことができる塊状重合法あるいは懸濁重合法が最も望ま
しい。また重合温度は高くなるにつれて重合体ないし共
重合体の分子量が小さくなるので、例えば0℃から60
℃の低温にてラジカル重合ないし共重合させるのが好ま
しい。
The radical polymerization can be carried out by any of a number of polymerization methods used for radical polymerization of general-purpose vinyl monomers such as solution polymerization, bulk polymerization, emulsion polymerization, suspension polymerization and radiation polymerization. In the present invention, in the application for a high frequency band, it is important to make the low dielectric loss tangent extremely low as an electrical characteristic of the low dielectric electric insulating substrate. The presence of low-molecular-weight polymers in the polymer material causes external plasticization, which increases the dielectric loss tangent, and deteriorates the dielectric properties in the high-frequency band, so that the molecular weight of the fumarate-based polymer and copolymer becomes extremely high. It is important to take such a polymerization method, it is possible to increase the concentration of the charged monomer, for example, fumaric acid diester which is a charged monomer at the time of copolymerization,
A bulk polymerization method or a suspension polymerization method that can sufficiently increase the concentration of both monomers with a vinyl monomer is most desirable. Further, as the polymerization temperature becomes higher, the molecular weight of the polymer or copolymer becomes smaller.
It is preferable to carry out radical polymerization or copolymerization at a low temperature of ° C.

【0064】本発明のフマレート系重合体は、核磁気共
鳴スペクトル(NMR)、赤外吸収スペクトル(IR)
等によって同定することができる。
The fumarate polymer of the present invention has a nuclear magnetic resonance spectrum (NMR) and an infrared absorption spectrum (IR).
And the like.

【0065】また、末端基として目的に応じ種々のもの
を導入することができる。
Various terminal groups can be introduced according to the purpose.

【0066】誘電体樹脂中に配置されるコイルとして
は、その形状等は特に限定されるものではなく、必要と
される性能、インダクタ全体の形状により適宜必要な形
状、や大きさに形成すればよい。
The shape of the coil disposed in the dielectric resin is not particularly limited. The coil may be formed in a required shape or size depending on the required performance and the overall shape of the inductor. Good.

【0067】コイルを構成する導電体線材は、低抵抗で
形成が容易な金属単体、あるいはその合金が好ましい。
そのような金属線材としては、例えば、Cu,Ag,A
u,Al,Cr,Co,Ni,Fe等を用いることがで
きるが、なかでもCu、およびCu合金が好ましい。導
電体線材の線径は、好ましくは直径0.03〜0.2mm
である。
The conductor wire constituting the coil is preferably a simple metal or an alloy thereof which is low in resistance and easy to form.
As such a metal wire, for example, Cu, Ag, A
u, Al, Cr, Co, Ni, Fe and the like can be used, and among them, Cu and Cu alloy are preferable. The wire diameter of the conductor wire is preferably 0.03-0.2 mm.
It is.

【0068】導電体線材をコイル状に成形する方法とし
ては、特に限定されるものではないが、フォーミングが
好ましい。フォーミング形成する際に、導電体線材を所
定の間隔に距離を設けて形成し、スペース巻きとするこ
とが好ましい。また、このときに、巻線の巻径を調整す
ることにより、インダクタンスの微調を行うことが可能
であり、製品間のバラツキを抑える上で有効である。
The method for forming the conductor wire into a coil shape is not particularly limited, but forming is preferred. In forming, it is preferable that the conductor wire is formed at a predetermined interval with a distance, and is wound in a space. At this time, by adjusting the winding diameter of the winding, it is possible to finely adjust the inductance, which is effective in suppressing variations among products.

【0069】本発明のインダクタの端子は、従来より用
いられている種々の端子用材料(端子板等)を用いるこ
とも可能であるが、前記導電体線材を部分的に加工する
ことにより形成された端子を有することが好ましい。導
電体線材を部分的に加工することにより形成された端子
を有することで、部品点数が減少すると共に、フォーミ
ング工程において、端子部とインダクタンス部とをほぼ
同時に形成することもでき、工程数も減少する。端子部
は線材を潰して板状の端子の一部として形成すればよ
い。
The terminals of the inductor according to the present invention can be formed of various terminal materials (terminal plates and the like) conventionally used, but are formed by partially processing the conductor wire. It is preferable to have a terminal. By having the terminals formed by partially processing the conductor wire, the number of parts is reduced, and in the forming process, the terminal portion and the inductance portion can be formed almost simultaneously, thereby reducing the number of processes. I do. The terminal portion may be formed as a part of a plate-like terminal by crushing a wire.

【0070】誘電体樹脂中にコイルを配置する方法とし
ては、形成されたコイルを、所定の大きさの型等の中に
配置し、硬化前の誘電体樹脂中に浸漬させてこれを硬化
させればよい。
As a method of arranging the coil in the dielectric resin, the formed coil is arranged in a mold having a predetermined size, immersed in the dielectric resin before curing, and cured. Just do it.

【0071】硬化後、型から取り出し、端子部位以外の
部分に必要によりメッキの付着を防止するための塗料を
塗布し、端子部が露出するように所定の大きさに切断す
る。切断後、必要により端子部に、Cu,Ni,Cr,
Co等、特にCuおよびNiメッキを施し、インダクタ
素子を得る。
After curing, the mold is taken out of the mold, and if necessary, a coating material for preventing adhesion of plating is applied to portions other than the terminal portions, and cut into predetermined sizes so that the terminal portions are exposed. After cutting, if necessary, Cu, Ni, Cr,
An inductor element is obtained by plating with Co or the like, particularly Cu and Ni.

【0072】本発明のインダクタ素子は、マイクロ波、
ミリ波等の高周波回路に好適に用いることができる。特
に、携帯電話機等の移動体通信機器に使用される表面実
装型チップインダクタとして用いることが好ましい。
The inductor element of the present invention has a microwave,
It can be suitably used for high frequency circuits such as millimeter waves. In particular, it is preferably used as a surface mount type chip inductor used for mobile communication devices such as mobile phones.

【0073】本発明のインダクタは、同一形状の従来の
タイプのインダクタより大きなインダクタンスを得るこ
とができ、同じインダクタンスを有するものであれば、
より大きな自己共振周波数を得ることができる。
The inductor of the present invention can obtain a larger inductance than a conventional type inductor having the same shape.
A larger self-resonant frequency can be obtained.

【0074】[0074]

【実施例】次に、実施例を示し本発明をより具体的に説
明する。
Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

【0075】<実施例1>先ず、図1に示すように、線
径0.08mmの線材(銅線)1を用い、フォーミング工
程により端子部1bとコイル部1aをほぼ同時に成形し
た。インダクタンス部は所定の形状(この例では1.6
×0.8mm)内に挿入できる最大限の大きさで5.5回
巻きの空心コイルを形成し、且つ線間は等間隔に距離
(0.02mm)を開けた。端子部については線材1を潰
して板状の端子部1bを形成した。また、このとき1組
のコイル部1aおよび端子部1bと他のコイル部1aお
よび端子部1bとの間は接続部1cにより接続されてい
て、連続的に形成されると共に、次の成形工程を一括し
て行えるようになっている。
Example 1 First, as shown in FIG. 1, using a wire (copper wire) 1 having a wire diameter of 0.08 mm, a terminal 1b and a coil 1a were formed almost simultaneously by a forming process. The inductance portion has a predetermined shape (1.6 in this example).
An air-core coil of 5.5 turns was formed with the maximum size that can be inserted into the wire (× 0.8 mm), and the distance between the wires was equal (0.02 mm). For the terminal portion, the wire 1 was crushed to form a plate-like terminal portion 1b. At this time, one set of the coil portion 1a and the terminal portion 1b and the other coil portion 1a and the terminal portion 1b are connected by the connection portion 1c, and are continuously formed, and the next molding step is performed. You can do it all at once.

【0076】次いで、図2に示すように、上記フォーミ
ングされたコイル部1aおよび端子部1bの連続体を金
型2に仕込み、液状のフマレート樹脂3により注型を行
なった。フマレート樹脂としては、シクロヘキシルフマ
レート樹脂(または、セカンダリーブチルフマレート樹
脂)を用い、これを溶媒(トルエン)中に溶解させた
後、前記金型中に注入した。60〜80℃、12時間の
条件で脱溶媒し、硬化、乾燥させた。さらに、図3に示
すように、硬化した樹脂3aを型2より取りだして、メ
ッキ付着防止用の樹脂4を塗布した後、端子部分が露出
する所定の位置6で切断し、各インダクタ素体とした。
これに、図4に示すように必要に応じて端子部にメッキ
7を施し、インダクタ素子を得た。
Then, as shown in FIG. 2, a continuous body of the formed coil portion 1a and terminal portion 1b was charged into a mold 2, and cast with a liquid fumarate resin 3. As the fumarate resin, a cyclohexyl fumarate resin (or a secondary butyl fumarate resin) was used, dissolved in a solvent (toluene), and then injected into the mold. The solvent was removed at 60 to 80 ° C. for 12 hours, cured, and dried. Further, as shown in FIG. 3, the cured resin 3a is taken out from the mold 2, a resin 4 for preventing adhesion of plating is applied, and then cut at a predetermined position 6 where a terminal portion is exposed. did.
Then, as shown in FIG. 4, plating 7 was applied to the terminal portions as necessary to obtain an inductor element.

【0077】この様にして製造された略直方体(縦:
1.6mm、横:0.8mm、高さ:0.6mm)のインダク
タ素子(サンプル1)のインビーダンス−周波数特性を
図5に示す。また、同形状の巻線タイプの従来素子(比
較サンプル1)、およびこれより大型の従来素子(サン
プル2)のインビーダンス−周波数特性を合わせて示
す。
The substantially rectangular parallelepiped (vertical:
FIG. 5 shows the impedance-frequency characteristics of an inductor element (sample 1) of 1.6 mm, width: 0.8 mm, and height: 0.6 mm. In addition, the impedance-frequency characteristics of the conventional element of the winding type having the same shape (Comparative Sample 1) and the conventional element of a larger size (Sample 2) are also shown.

【0078】定数測定の結果、インダクタンスは25.
53nH、100MHzにおけるQ値は32であった。この
Q値は、同じインダクタンスを有する同型状の比較サン
プル1より70%高いQ値であった。この発明サンプル
の自己共振周波数は、3GHz以上であり、同形状のスペ
ース巻きのできない従来製品の自己共振周波数より十分
に高い値を示している。また、一回り大型の従来製品
(比較サンプル2)と略同等のインビーダンス−周波数
特性を有していることもわかる。
As a result of the constant measurement, the inductance was 25.
The Q value at 53 nH and 100 MHz was 32. This Q value was 70% higher than that of Comparative Sample 1 of the same shape having the same inductance. The self-resonant frequency of the sample of the present invention is 3 GHz or more, which is sufficiently higher than the self-resonant frequency of the conventional product of the same shape which cannot be space-wound. Also, it can be seen that the impedance-frequency characteristics are substantially the same as those of a conventional product (comparative sample 2) which is slightly larger.

【0079】<実施例2>実施例1において、巻き数の
み半分程度の2.5回巻さとした他は、実施例1と同様
にしてインダクタを作製した。
<Example 2> An inductor was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the number of windings was changed to about half, that is, 2.5 turns.

【0080】得られたインダクタ素子(サンプル2)の
インビーダンス周波数特性を図6に示す。また、同形状
の従来素子(比較サンプル3)、およびこれより大型の
従来素子(サンプル4)のインビーダンス−周波数特性
を合わせて示す。素子定数測定の結果、インダクタンス
は11.3nH、100MHzにおけるQ値は33であっ
た。このQ値は、同じインダクタンスを有する同形状の
比較サンプル3より70%以上高いQ値となった。この
チップインダクタ素子の自己共振周波数は、6.7GHz
以上であり、同形状の比較サンプル3の自己共振周波数
3.2GHzの2倍以上と遥かに高い値を示していた。ま
た、一回り大型の従来製品(比較サンプル4)と略同等
のインビーダンス−周波数特性を有していることもわか
る。
FIG. 6 shows the impedance frequency characteristics of the obtained inductor element (sample 2). In addition, the impedance-frequency characteristics of a conventional element (Comparative Sample 3) having the same shape and a conventional element larger than this (Sample 4) are also shown. As a result of element constant measurement, the inductance was 11.3 nH, and the Q value at 100 MHz was 33. This Q value was 70% or more higher than that of Comparative Sample 3 having the same inductance and the same shape. The self-resonant frequency of this chip inductor element is 6.7 GHz.
That is, the self-resonant frequency of the comparative sample 3 of the same shape was 3.2 times or more, which is a much higher value than twice. In addition, it can be seen that the impedance-frequency characteristics are substantially the same as those of a slightly larger conventional product (Comparative Sample 4).

【0081】これは従来のチップインダクタでは層間や
線間の間隔が構造的に決まっており、同構造のインダク
タで求められる定数が小さい場合でも層間や線間の間隔
は同じで巻き数のみが少なくなっている場合が多いが本
実施例に給いては同じ形状で巻き数が少ない場合層間の
間隔を容易に広げることができるため単位巻き数当たり
の線間容量を小さくすることが可能で、自己共振周波数
を飛躍的に高くすることができたためである。
In conventional chip inductors, the distance between layers and lines is structurally determined. Even when the constant required for an inductor having the same structure is small, the distance between layers and lines is the same and only the number of turns is small. In many cases, the distance between the layers can be easily increased when the number of turns is small and the same shape is applied to the present embodiment, so that the line capacitance per unit number of turns can be reduced. This is because the resonance frequency could be dramatically increased.

【0082】また、上記実施例1および2において使用
したフマレート樹脂に替えて、上記の他の例示樹脂を用
いても略同様の結果が得られた。
In addition, substantially the same results were obtained by using the other exemplified resins in place of the fumarate resin used in Examples 1 and 2.

【0083】なお、本実施例ではコイルの中心軸が実装
基板を貫通する構造になっているが、コイルの中心軸と
実装基板が平行になるような構造も可能である。
In the present embodiment, the structure is such that the center axis of the coil passes through the mounting board, but a structure in which the center axis of the coil is parallel to the mounting board is also possible.

【0084】また線径が0.2mm近く太い物であれば線
材を変形するのみで端子部を構成することも可能とな
る。
If the wire diameter is as large as about 0.2 mm, the terminal portion can be formed only by deforming the wire material.

【0085】更に本実施例のようにフオーミングにより
空心コイルを形成せずにフマレート樹脂の棒、またはボ
ビンにコイルを巻きインダクタンス部分及び端子部分を
も含めて成形し、金型に入れてフマレート樹脂により成
型する製造方法も可能である。
Further, as in the present embodiment, the coil is wound around a rod or bobbin of a fumarate resin without forming an air-core coil by forming, including an inductance portion and a terminal portion, and the resultant is put into a mold, and the fumarate resin is used. A manufacturing method of molding is also possible.

【0086】本発明によるチップインダクタでは、フオ
ーミングにより所定の形状に挿入される最大限の巻き径
を得られるため単位容積当たりのインダクタンスが大き
くなり、バルクの銅線を巻き更に端子部も含めて線材が
連続しているので抵抗値が低くQ値が高い。コイルを保
持する物質の比誘電率が低くまた巻き線がスペース巻き
に出来るので自己共振周波数が高い。樹脂の分解温度が
高いのでリフロー炉処理に対応できる。
In the chip inductor according to the present invention, since the maximum winding diameter that can be inserted into a predetermined shape by forming can be obtained, the inductance per unit volume increases, and the wire including the bulk copper wire and the terminal portion is wound. Are continuous, the resistance value is low and the Q value is high. The self-resonance frequency is high because the relative permittivity of the material holding the coil is low and the winding can be wound in space. Since the decomposition temperature of the resin is high, it can be used for reflow furnace treatment.

【0087】[0087]

【発明の効果】、以上のように本発明によれば、低誘電
性特性を活かして、Qが高く、自己共振周波数も高く、
低抵抗で、高温のリフロー炉にも耐えうる耐熱性があ
り、しかも低コストなインダクタを実現することができ
る。
As described above, according to the present invention, a high Q and a high self-resonant frequency are obtained by utilizing the low dielectric property.
An inductor having low resistance, heat resistance enough to withstand a high-temperature reflow furnace, and low cost can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のインダクタ素子の実施例である製造工
程を示した図で、線材をフォーミングした様子を示す外
観斜視図である。
FIG. 1 is a diagram showing a manufacturing process as an example of an inductor element of the present invention, and is an external perspective view showing a state in which a wire is formed.

【図2】本発明のインダクタ素子の実施例である製造工
程を示した図で、フォーミング後の線材を型に仕込み、
樹脂による成形を行っている様子を示した外観斜視図で
ある。
FIG. 2 is a view showing a manufacturing process which is an embodiment of the inductor element of the present invention.
FIG. 2 is an external perspective view showing a state in which molding with resin is performed.

【図3】本発明のインダクタ素子の実施例である製造工
程を示した図で、成形後に型から取り出し、メッキが付
かないように塗装を施した様子を示した外観斜視図であ
る。
FIG. 3 is a view showing a manufacturing process as an embodiment of the inductor element of the present invention, and is an external perspective view showing a state in which the inductor element is removed from a mold after molding and painted so as not to be plated.

【図4】本発明のインダクタ素子の実施例である製造工
程を示した図で、成形後に所定の位置で切断し、メッキ
を施した状態を示す外観斜視図である。
FIG. 4 is a view showing a manufacturing process which is an embodiment of the inductor element of the present invention, and is an external perspective view showing a state where the inductor element is cut at a predetermined position after plating and plated.

【図5】本発明の第1実施例の各サンプルのインビーダ
ンス−周波数特性を示したグラフである。
FIG. 5 is a graph showing impedance-frequency characteristics of each sample of the first example of the present invention.

【図6】本発明の第2実施例の各サンプルのインビーダ
ンス−周波数特性を示したグラフである。
FIG. 6 is a graph showing impedance-frequency characteristics of each sample according to the second example of the present invention.

【図7】従来の積層タイプのチップインダクタの構造を
示す、一部裁断外観斜視図である。
FIG. 7 is a partially cut external perspective view showing the structure of a conventional multilayer chip inductor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 線材 1a コイル部 1b 端子部 1c 接続部 2 型 3 樹脂 4 塗装 7 メッキ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wire rod 1a Coil part 1b Terminal part 1c Connection part 2 Type 3 Resin 4 Painting 7 Plating

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体樹脂と、この誘電体樹脂中にコイ
ル状に形成されている導電体線材を有し、 前記誘電体樹脂は、比誘電率3.0以下、分解温度29
0℃以上の誘電性高分子材料であるインダクタ。
1. A dielectric resin, and a conductor wire formed in a coil shape in the dielectric resin, wherein the dielectric resin has a relative dielectric constant of 3.0 or less and a decomposition temperature of 29 or less.
An inductor made of a dielectric polymer material at 0 ° C. or higher.
【請求項2】 前記誘電性高分子材料は、単量体として
少なくともフマル酸ジエステルを含む単量体組成物を重
合して得られたものである請求項1のインダクタ。
2. The inductor according to claim 1, wherein the dielectric polymer material is obtained by polymerizing a monomer composition containing at least a fumaric acid diester as a monomer.
【請求項3】 前記フマル酸ジエステルは、下記式
(I)で表される請求項1または2のインダクタ。 【化1】 [式(I)において、R1 はアルキル基またはシクロア
ルキル基を表し、R2 はアルキル基、シクロアルキル基
またはアリール基を表し、R1 およびR2 は同一でも異
なるものであってもよい。]
3. The inductor according to claim 1, wherein the fumaric diester is represented by the following formula (I). Embedded image [In the formula (I), R 1 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and R 1 and R 2 may be the same or different. ]
【請求項4】 前記単量体組成物は、さらに下記式(I
I)で表されるビニル系単量体を含む請求項1〜3のい
ずれかのインダクタ。 【化2】 [式(II)において、Xは水素原子またはメチル基を表
し、Yはフッ素原子、塩素原子、アルキル基、アルケニ
ル基、アリール基、エーテル基、アシル基またはエステ
ル基を表す。]
4. The composition of claim 1, wherein the monomer composition further comprises
The inductor according to any one of claims 1 to 3, further comprising a vinyl monomer represented by I). Embedded image [In the formula (II), X represents a hydrogen atom or a methyl group, and Y represents a fluorine atom, a chlorine atom, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an ether group, an acyl group, or an ester group. ]
【請求項5】 前記導電体線材は、銅を主成分とし、か
つ直径0.03〜0.2mmの金属導電材料により形成さ
れている請求項1〜4のいずれかのインダクタ。
5. The inductor according to claim 1, wherein said conductor wire is made of a metal conductive material having copper as a main component and a diameter of 0.03 to 0.2 mm.
【請求項6】 前記導電体線材を部分的に加工すること
により形成された端子を有する請求項1〜5のいずれか
のインダクタ。
6. The inductor according to claim 1, further comprising a terminal formed by partially processing said conductor wire.
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