JP2000100357A - 気体放出の少ないマイクロチップ陰極 - Google Patents
気体放出の少ないマイクロチップ陰極Info
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- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
- H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 陰極グリッドを絶縁する層によって汚染物質
の脱着を最小限に抑える、新しいマイクロチップ陰極を
提供すること。 【解決手段】 基板とグリッドの絶縁層との間に陰極導
体を含み、また少なくともグリッドの線の間に形成され
た、ボンディング係数の小さな層を含むタイプの、フラ
ット・ディスプレイ・スクリーン用のマイクロチップ陰
極である。
の脱着を最小限に抑える、新しいマイクロチップ陰極を
提供すること。 【解決手段】 基板とグリッドの絶縁層との間に陰極導
体を含み、また少なくともグリッドの線の間に形成され
た、ボンディング係数の小さな層を含むタイプの、フラ
ット・ディスプレイ・スクリーン用のマイクロチップ陰
極である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラット・マイク
ロチップ・ディスプレイ・スクリーンに関する。さらに
詳細には、本発明は、陰極ルミネセンス陽極と連動する
ように意図された、このようなスクリーンを構成する電
子放出陰極の形成に関する。
ロチップ・ディスプレイ・スクリーンに関する。さらに
詳細には、本発明は、陰極ルミネセンス陽極と連動する
ように意図された、このようなスクリーンを構成する電
子放出陰極の形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１および図２は、本発明が適用される
タイプのフラット・マイクロチップ・スクリーンの構造
をそれぞれ断面図および等角投影図で示す部分図であ
る。
タイプのフラット・マイクロチップ・スクリーンの構造
をそれぞれ断面図および等角投影図で示す部分図であ
る。
【０００３】このようなマイクロチップ・スクリーン
は、基本的に、マイクロチップ１０を備えた陰極１１、
およびマイクロチップの位置に穴を備えたグリッド５か
ら形成される。陰極１１は、そのガラス基板２がスクリ
ーン表面となる陰極ルミネセンス陽極１２に対向して配
置される。
は、基本的に、マイクロチップ１０を備えた陰極１１、
およびマイクロチップの位置に穴を備えたグリッド５か
ら形成される。陰極１１は、そのガラス基板２がスクリ
ーン表面となる陰極ルミネセンス陽極１２に対向して配
置される。
【０００４】このようなマイクロチップ・スクリーンの
構造の動作原理および詳細は、Ｃｏｍｍｉｓｓａｒｉａ
ｔ ａ ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅに譲渡
された米国特許第４９４０９１６号に記載されている。
構造の動作原理および詳細は、Ｃｏｍｍｉｓｓａｒｉａ
ｔ ａ ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅに譲渡
された米国特許第４９４０９１６号に記載されている。
【０００５】陰極１１は列に構成され、例えばガラスで
作成される基板１上で、導電層でメッシュ状に構成され
た陰極導体３から形成される。マイクロチップ１０は、
陰極導体の上（または下）に配置された、電子の放出を
均質化するための抵抗層（図示せず）上に作成される。
マイクロチップは一般に、陰極導体によって画定された
メッシュの内側に配列される。陰極１１は、絶縁層４
（一般に酸化ケイ素ＳｉＯ２で作成される）をはさんで
グリッド５と関連づけられ、陰極導体３をグリッド５か
ら絶縁する。マイクロチップ１０を受けるために、グリ
ッド層５および絶縁層４にはそれぞれ穴が開けられる。
グリッド５は行または線１３に構成され、一般にグリッ
ド行と陰極列の交差部分がピクセルを画定する。分かり
やすくするために、図２では、行１３と列３の交差部分
に数個のマイクロチップ１０しか示していない。実際に
は、マイクロチップはスクリーンのピクセルあたり数千
個となる。同様に、分かりやすくするために陰極導体３
のメッシュ化も示していない。列３および線１３が、ほ
とんどの場合には、それぞれ線または列との交差部分に
対応する広いセクションと、狭い接続セクションの連続
を、個々にまた全体で形成することに留意しさえすれば
よい。
作成される基板１上で、導電層でメッシュ状に構成され
た陰極導体３から形成される。マイクロチップ１０は、
陰極導体の上（または下）に配置された、電子の放出を
均質化するための抵抗層（図示せず）上に作成される。
マイクロチップは一般に、陰極導体によって画定された
メッシュの内側に配列される。陰極１１は、絶縁層４
（一般に酸化ケイ素ＳｉＯ２で作成される）をはさんで
グリッド５と関連づけられ、陰極導体３をグリッド５か
ら絶縁する。マイクロチップ１０を受けるために、グリ
ッド層５および絶縁層４にはそれぞれ穴が開けられる。
グリッド５は行または線１３に構成され、一般にグリッ
ド行と陰極列の交差部分がピクセルを画定する。分かり
やすくするために、図２では、行１３と列３の交差部分
に数個のマイクロチップ１０しか示していない。実際に
は、マイクロチップはスクリーンのピクセルあたり数千
個となる。同様に、分かりやすくするために陰極導体３
のメッシュ化も示していない。列３および線１３が、ほ
とんどの場合には、それぞれ線または列との交差部分に
対応する広いセクションと、狭い接続セクションの連続
を、個々にまた全体で形成することに留意しさえすれば
よい。
【０００６】この装置は、陰極１１とグリッド５の間で
発生した電界を使用して、マイクロチップ１０から陽極
１２の蛍光エレメント８に向かって、空の空間６を横断
させることによって電子を抽出する。
発生した電界を使用して、マイクロチップ１０から陽極
１２の蛍光エレメント８に向かって、空の空間６を横断
させることによって電子を抽出する。
【０００７】フラット・マイクロチップ・スクリーンで
生じる問題は、特に陰極／グリッドから構成される層
が、スクリーン動作中に気体放出する傾向があることで
ある。
生じる問題は、特に陰極／グリッドから構成される層
が、スクリーン動作中に気体放出する傾向があることで
ある。
【０００８】一般に、この欠点を制限するために、スク
リーンを組み立てる前に、スクリーンの陰極／グリッド
板にバーンインおよび脱ガスの処理を数回施す。しか
し、スクリーンを閉じた後で時間が経つにつれて気体放
出することになるエレメントは常に残る。これが、どの
ようなスクリーンにも脱ガス生成物を吸収するためのゲ
ッタを設ける理由である。
リーンを組み立てる前に、スクリーンの陰極／グリッド
板にバーンインおよび脱ガスの処理を数回施す。しか
し、スクリーンを閉じた後で時間が経つにつれて気体放
出することになるエレメントは常に残る。これが、どの
ようなスクリーンにも脱ガス生成物を吸収するためのゲ
ッタを設ける理由である。
【０００９】しかし、ゲッタが存在する場合でも、気体
放出は従来のスクリーンの寿命に悪影響を及ぼす。
放出は従来のスクリーンの寿命に悪影響を及ぼす。
【００１０】具体的に言うと、陰極グリッドを絶縁する
酸化ケイ素層は、電子がこのＳｉＯ ２層上、特にグリッ
ド線１３の間に当たったときに、汚染物質、特に水を脱
着する。
酸化ケイ素層は、電子がこのＳｉＯ ２層上、特にグリッ
ド線１３の間に当たったときに、汚染物質、特に水を脱
着する。
【００１１】それほど重要ではないが、グリッド線を構
成する材料（一般にニオブ）も、電子がグリッド上に当
たったときに気体放出する傾向がある。
成する材料（一般にニオブ）も、電子がグリッド上に当
たったときに気体放出する傾向がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、新しい、脱
ガスの少ないマイクロチップ陰極を提供することを目的
とする。
ガスの少ないマイクロチップ陰極を提供することを目的
とする。
【００１３】さらに詳細には、本発明は、陰極グリッド
を絶縁する層によって汚染物質の脱着を最小限に抑える
新しい陰極を提供することを目的とする。
を絶縁する層によって汚染物質の脱着を最小限に抑える
新しい陰極を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、脱ガス
する可能性が最も高い陰極領域を、電子が当たったとき
に脱ガスが少ないという特徴から選択した材料でマスク
することである。特に、本発明によれば、陰極の目に見
える酸化ケイ素領域（ＳｉＯ２）は、その「ボンディン
グ係数（ｂｏｎｄｉｎｇ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）」
が小さいことから選択した材料で可能な限り広く覆われ
る。
する可能性が最も高い陰極領域を、電子が当たったとき
に脱ガスが少ないという特徴から選択した材料でマスク
することである。特に、本発明によれば、陰極の目に見
える酸化ケイ素領域（ＳｉＯ２）は、その「ボンディン
グ係数（ｂｏｎｄｉｎｇ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）」
が小さいことから選択した材料で可能な限り広く覆われ
る。
【００１５】さらに詳細には、本発明は、基板とグリッ
ドの絶縁層との間に陰極導体を含み、また少なくともグ
リッドの線の間に形成された、ボンディング係数の小さ
な層を含むタイプの、フラット・ディスプレイ・スクリ
ーン用のマイクロチップ陰極を提供する。
ドの絶縁層との間に陰極導体を含み、また少なくともグ
リッドの線の間に形成された、ボンディング係数の小さ
な層を含むタイプの、フラット・ディスプレイ・スクリ
ーン用のマイクロチップ陰極を提供する。
【００１６】本発明の実施形態によれば、グリッドおよ
び絶縁層は、グリッド線のパターン規定に従って基板に
到達するまでエッチングされ、このボンディング係数の
小さな層は、好ましくは陰極導体を形成する前に基板上
に直接堆積される。
び絶縁層は、グリッド線のパターン規定に従って基板に
到達するまでエッチングされ、このボンディング係数の
小さな層は、好ましくは陰極導体を形成する前に基板上
に直接堆積される。
【００１７】本発明の実施形態によれば、ボンディング
係数の小さな層は絶縁層全体を覆う。
係数の小さな層は絶縁層全体を覆う。
【００１８】本発明の実施形態によれば、ボンディング
係数の小さな層を構成する材料は、アルミナ、酸化亜
鉛、酸化クロム、無定形炭素、および窒化ケイ素の中か
ら選択される。
係数の小さな層を構成する材料は、アルミナ、酸化亜
鉛、酸化クロム、無定形炭素、および窒化ケイ素の中か
ら選択される。
【００１９】本発明の実施形態によれば、ボンディング
係数の小さな層を構成する材料、および／またはその厚
さは、隣接する２本のグリッド線の間の絶縁を維持する
ように選択される。
係数の小さな層を構成する材料、および／またはその厚
さは、隣接する２本のグリッド線の間の絶縁を維持する
ように選択される。
【００２０】本発明の前述の目的、特徴、および利点に
ついて、添付の図面に関連して、以下の特定の実施形態
の非限定的な説明で詳細に論じる。
ついて、添付の図面に関連して、以下の特定の実施形態
の非限定的な説明で詳細に論じる。
【００２１】
【発明の実施の形態】異なる図面でも、同じ要素は同じ
参照符で参照する。分かりやすくするために、図面の表
現は一定の割合で示しておらず、本発明を理解するため
に必要な要素のみを図面に示し、以下で説明する。
参照符で参照する。分かりやすくするために、図面の表
現は一定の割合で示しておらず、本発明を理解するため
に必要な要素のみを図面に示し、以下で説明する。
【００２２】図３は、本発明の第１の実施形態を示して
いる。この図は、本発明によるマイクロチップの陰極／
グリッドを示す、部分切欠斜視図である。
いる。この図は、本発明によるマイクロチップの陰極／
グリッドを示す、部分切欠斜視図である。
【００２３】以前と同様に、陰極１１は、例えばガラス
で作成される基板１上に、抵抗層（図示せず）と関連づ
けられた、陰極列を画定するメッシュ導体３から形成さ
れる。マイクロチップ１０は、陰極導体で形成されたメ
ッシュの内側の抵抗層上に堆積させる。
で作成される基板１上に、抵抗層（図示せず）と関連づ
けられた、陰極列を画定するメッシュ導体３から形成さ
れる。マイクロチップ１０は、陰極導体で形成されたメ
ッシュの内側の抵抗層上に堆積させる。
【００２４】一般に酸化ケイ素で作成される絶縁層４を
陰極導体上に付加し、導電性グリッド５をこの絶縁層４
の上に形成する。グリッドは、以前と同様に、陰極１１
の列３と直交する導電線１３から形成される。一般に、
グリッドの線１３と陰極の列３の交差部分がスクリーン
のピクセルを画定する。マイクロチップ１０は、少なく
とも線１３および絶縁層４中に形成された穴１４中に堆
積させる。
陰極導体上に付加し、導電性グリッド５をこの絶縁層４
の上に形成する。グリッドは、以前と同様に、陰極１１
の列３と直交する導電線１３から形成される。一般に、
グリッドの線１３と陰極の列３の交差部分がスクリーン
のピクセルを画定する。マイクロチップ１０は、少なく
とも線１３および絶縁層４中に形成された穴１４中に堆
積させる。
【００２５】陰極列およびグリッド線の既知の好ましい
実施形態によれば、前記列および線は直線状ではなく、
ピクセルまたは活性領域を画定する広いセクションそれ
ぞれ３’および１３’と、列または線の方向にピクセル
を電気的に接続する狭い接続セクションそれぞれ３”お
よび１３”とが交互になっている。このような実施形態
では、陰極／グリッド側の不透明な表面が最小限に抑え
られ、したがって陰極板１がディスプレイ表面となるス
クリーンを形成することが可能となる。
実施形態によれば、前記列および線は直線状ではなく、
ピクセルまたは活性領域を画定する広いセクションそれ
ぞれ３’および１３’と、列または線の方向にピクセル
を電気的に接続する狭い接続セクションそれぞれ３”お
よび１３”とが交互になっている。このような実施形態
では、陰極／グリッド側の不透明な表面が最小限に抑え
られ、したがって陰極板１がディスプレイ表面となるス
クリーンを形成することが可能となる。
【００２６】本発明によれば、気体放出防止層２０を、
好ましくは少なくともグリッド線１３の間に設ける。層
２０は、電子の衝撃によって強く気体放出する陰極／グ
リッド中の材料の表面を可能な限り広くマスクするため
のものである。具体的に言うと、その材料の１つは絶縁
層４を形成する酸化ケイ素である。
好ましくは少なくともグリッド線１３の間に設ける。層
２０は、電子の衝撃によって強く気体放出する陰極／グ
リッド中の材料の表面を可能な限り広くマスクするため
のものである。具体的に言うと、その材料の１つは絶縁
層４を形成する酸化ケイ素である。
【００２７】図３に示す第１の実施形態によれば、層２
０はグリッド層５上に形成され、グリッド５の線１３と
平行な線２１のパターンに従ってエッチングされる。層
２０の線２１のパターンは、２本のグリッド線を分離す
る酸化ケイ素のスペースは少なくとも完全に覆うように
選択される。層２０の材料は、それが線２１の両側で２
本のグリッド線１３と接触するので、グリッド５の隣接
する線１３の間の絶縁を維持するように選択される。
０はグリッド層５上に形成され、グリッド５の線１３と
平行な線２１のパターンに従ってエッチングされる。層
２０の線２１のパターンは、２本のグリッド線を分離す
る酸化ケイ素のスペースは少なくとも完全に覆うように
選択される。層２０の材料は、それが線２１の両側で２
本のグリッド線１３と接触するので、グリッド５の隣接
する線１３の間の絶縁を維持するように選択される。
【００２８】保護層２０を形成する気体放出防止材料が
十分な抵抗率を有さない場合、例えば選択した材料が酸
化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）である場合には、グリッド線１
３の大体の方向に対して垂直な断面図である図４に示す
ものなど、代替形態を実施することが好ましい。
十分な抵抗率を有さない場合、例えば選択した材料が酸
化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）である場合には、グリッド線１
３の大体の方向に対して垂直な断面図である図４に示す
ものなど、代替形態を実施することが好ましい。
【００２９】この代替形態によれば、グリッド線１３と
気体放出防止層２０の線２１との間に間隔２２を設け、
酸化クロムの導電率が低いことにより、隣接する２本の
グリッド線の間の電気的不連続性を維持する。目に見え
る酸化ケイ素の区間を維持するか否かは、酸化クロムを
堆積させる厚さによって決まり、これにより抵抗率およ
び２本の線の間の漏れ電流が決定される。
気体放出防止層２０の線２１との間に間隔２２を設け、
酸化クロムの導電率が低いことにより、隣接する２本の
グリッド線の間の電気的不連続性を維持する。目に見え
る酸化ケイ素の区間を維持するか否かは、酸化クロムを
堆積させる厚さによって決まり、これにより抵抗率およ
び２本の線の間の漏れ電流が決定される。
【００３０】図５は、本発明の第２の実施形態の部分断
面図である。
面図である。
【００３１】この実施形態によれば、層２０として選択
される材料は、絶縁材料、例えばアルミナ（Ａｌ
２Ｏ３）である。この実施形態によれば、保護層２０を
酸化ケイ素絶縁層４全体の上に堆積させ、その後グリッ
ド５を形成する。次いで層２０を、グリッド層５および
絶縁層４と同時に穴１４のパターンに従ってエッチング
し、その後マイクロチップ１０を形成する。
される材料は、絶縁材料、例えばアルミナ（Ａｌ
２Ｏ３）である。この実施形態によれば、保護層２０を
酸化ケイ素絶縁層４全体の上に堆積させ、その後グリッ
ド５を形成する。次いで層２０を、グリッド層５および
絶縁層４と同時に穴１４のパターンに従ってエッチング
し、その後マイクロチップ１０を形成する。
【００３２】先にアルミナを堆積させることの利点は、
これにより製造方法がかなり簡単になる点である。実際
にアルミナは、酸化ケイ素と同じ技法、すなわち化学気
相成長法で堆積させることができる。この場合には、ケ
イ素堆積ステップの最後に前駆体を変え、このケイ素層
上にアルミナを堆積させれば十分である。このようにし
て、絶縁層４と同じ機器を用いてアルミナ層２０を堆積
させることができる。
これにより製造方法がかなり簡単になる点である。実際
にアルミナは、酸化ケイ素と同じ技法、すなわち化学気
相成長法で堆積させることができる。この場合には、ケ
イ素堆積ステップの最後に前駆体を変え、このケイ素層
上にアルミナを堆積させれば十分である。このようにし
て、絶縁層４と同じ機器を用いてアルミナ層２０を堆積
させることができる。
【００３３】図６は、気体放出防止保護層２０を、既に
線１３がその上に形成されているグリッド層全体の上に
堆積させた、本発明の第３の実施形態を示す部分断面図
である。この実施形態によれば、層２０として選択され
る材料はもちろん絶縁材料である。この実施形態を実施
するには、グリッドを形成する層を、線１３のパターン
に従ってエッチングする。次いで層２０を堆積させる。
次いで、層２０、５、および４を、穴１４のパターンに
従ってエッチングする。最後に、こうして形成されたウ
ェルの底部にマイクロチップ１０を堆積させる。
線１３がその上に形成されているグリッド層全体の上に
堆積させた、本発明の第３の実施形態を示す部分断面図
である。この実施形態によれば、層２０として選択され
る材料はもちろん絶縁材料である。この実施形態を実施
するには、グリッドを形成する層を、線１３のパターン
に従ってエッチングする。次いで層２０を堆積させる。
次いで、層２０、５、および４を、穴１４のパターンに
従ってエッチングする。最後に、こうして形成されたウ
ェルの底部にマイクロチップ１０を堆積させる。
【００３４】このような実施形態には、気体放出防止機
能が最適化されるという利点がある。ただし、グリッド
層を形成するニオブの気体放出は絶縁層を形成する酸化
ケイ素よりはるかに少ないので、この改良は不可欠とい
うわけではない。
能が最適化されるという利点がある。ただし、グリッド
層を形成するニオブの気体放出は絶縁層を形成する酸化
ケイ素よりはるかに少ないので、この改良は不可欠とい
うわけではない。
【００３５】図７は、本発明の第４の実施形態を示す部
分断面図である。この実施形態は、陰極列３およびグリ
ッド線１３ならびに絶縁層４が、基板１を形成するガラ
スに到達するまでエッチングされた陰極／グリッドを意
図したものである。マイクロチップを備えたこのような
陰極は、例えば本出願人に譲渡されたヨーロッパ特許出
願第０６６８６０４号に記載されている。
分断面図である。この実施形態は、陰極列３およびグリ
ッド線１３ならびに絶縁層４が、基板１を形成するガラ
スに到達するまでエッチングされた陰極／グリッドを意
図したものである。マイクロチップを備えたこのような
陰極は、例えば本出願人に譲渡されたヨーロッパ特許出
願第０６６８６０４号に記載されている。
【００３６】この実施形態によれば、気体放出防止層
は、陰極列３を形成する前にガラス基板１上に直接堆積
させる。
は、陰極列３を形成する前にガラス基板１上に直接堆積
させる。
【００３７】この実施形態の代替形態によれば、絶縁層
４の目に見える側自体は、その後、追加保護層（図示せ
ず）で覆うことができる。
４の目に見える側自体は、その後、追加保護層（図示せ
ず）で覆うことができる。
【００３８】本発明の利点は、スクリーン動作時の気体
放出をかなり減少させることができる点である。実際
に、最も好ましくないボンディング係数を有する陰極／
グリッドの層（酸化ケイ素）はこれで封入され、したが
ってグリッドに当たる電子を受ける可能性がなくなる。
放出をかなり減少させることができる点である。実際
に、最も好ましくないボンディング係数を有する陰極／
グリッドの層（酸化ケイ素）はこれで封入され、したが
ってグリッドに当たる電子を受ける可能性がなくなる。
【００３９】層２０を形成する材料は、そのボンディン
グ係数が小さいというだけでなく、隣接するグリッド線
の間の絶縁を維持するように選択されることが好まし
い。
グ係数が小さいというだけでなく、隣接するグリッド線
の間の絶縁を維持するように選択されることが好まし
い。
【００４０】本発明の好ましい実施形態によれば、層２
０を形成するために選択される材料は、酸化クロム（Ｃ
ｒ２Ｏ３）に優るいくつかの利点を有するアルミナ（Ａ
ｌ２Ｏ３）となる。
０を形成するために選択される材料は、酸化クロム（Ｃ
ｒ２Ｏ３）に優るいくつかの利点を有するアルミナ（Ａ
ｌ２Ｏ３）となる。
【００４１】第１の利点は、アルミナが良好な誘電体で
あり、したがって、目に見える酸化ケイ素を残すことな
く堆積させることができ、これにより気体放出防止機能
が改善される点である。
あり、したがって、目に見える酸化ケイ素を残すことな
く堆積させることができ、これにより気体放出防止機能
が改善される点である。
【００４２】別の利点は、アルミナが透明材料であり、
したがって陰極／グリッドを支承する板１がスクリーン
表面を形成しなければならない場合に特に良く適合する
点である。
したがって陰極／グリッドを支承する板１がスクリーン
表面を形成しなければならない場合に特に良く適合する
点である。
【００４３】ただし、以下の特徴を有するものであれ
ば、上述した以外の材料を選択して層２０を形成するこ
ともできる。
ば、上述した以外の材料を選択して層２０を形成するこ
ともできる。
【００４４】第１に、この材料は、そのボンディング係
数が適していることから、すなわち電子の衝突によって
酸化ケイ素より大幅に少なく、好ましくはニオブより少
なく気体放出するように選択しなければならない。
数が適していることから、すなわち電子の衝突によって
酸化ケイ素より大幅に少なく、好ましくはニオブより少
なく気体放出するように選択しなければならない。
【００４５】また、この材料は、ガラスと同じ膨張係数
を有するように選択しなければならない。これにより、
スクリーンを製造するためのその後の熱処理によって層
２０が破損することを防止する。
を有するように選択しなければならない。これにより、
スクリーンを製造するためのその後の熱処理によって層
２０が破損することを防止する。
【００４６】特定の例として、もう１つの材料として、
無定形炭素または酸化亜鉛を選択することもできる。酸
化亜鉛はアルミナと同じ透明性の利点を有する。ただ
し、抵抗性がわずかに劣る。したがって、線の間の絶縁
は、堆積の厚さによって制御しなければならない。
無定形炭素または酸化亜鉛を選択することもできる。酸
化亜鉛はアルミナと同じ透明性の利点を有する。ただ
し、抵抗性がわずかに劣る。したがって、線の間の絶縁
は、堆積の厚さによって制御しなければならない。
【００４７】もちろん、本発明は、当業者なら容易に思
いつくであろう様々な改変、修正、および改良を受ける
可能性が高い。特に、当業者なら上記に与えた機能指示
および材料の選択に関連する特定の制約に基づいて、従
来の陰極を製造する方法を、本発明を実施するように適
合させることができる。さらに、上述の機能的特徴を有
していれば、上記で例として指示した以外の材料を選択
することもできる。
いつくであろう様々な改変、修正、および改良を受ける
可能性が高い。特に、当業者なら上記に与えた機能指示
および材料の選択に関連する特定の制約に基づいて、従
来の陰極を製造する方法を、本発明を実施するように適
合させることができる。さらに、上述の機能的特徴を有
していれば、上記で例として指示した以外の材料を選択
することもできる。
【００４８】別の実施形態によれば、ボンディング係数
の小さな材料は窒化化合物、例えば窒化ケイ素である。
の小さな材料は窒化化合物、例えば窒化ケイ素である。
【００４９】このような改変、修正、および改良は本開
示の一部となるものとし、また本発明の趣旨および範囲
内であるものとする。したがって、前述の説明は例示の
みを目的とするものであり、本発明を限定するためのも
のではない。本発明は、頭記の特許請求の範囲およびそ
の均等物に規定するようにのみ限定される。
示の一部となるものとし、また本発明の趣旨および範囲
内であるものとする。したがって、前述の説明は例示の
みを目的とするものであり、本発明を限定するためのも
のではない。本発明は、頭記の特許請求の範囲およびそ
の均等物に規定するようにのみ限定される。
【図１】前述の現況技術および解決すべき問題を示す図
である。
である。
【図２】前述の現況技術および解決すべき問題を示す図
である。
である。
【図３】本発明によるマイクロチップを備えた陰極／グ
リッドの第１の実施形態を示す図である。
リッドの第１の実施形態を示す図である。
【図４】図３の実施形態の代替形態を示す部分断面図で
ある。
ある。
【図５】本発明によるマイクロチップの陰極／グリッド
の第２の実施形態を示す部分断面図である。
の第２の実施形態を示す部分断面図である。
【図６】本発明によるマイクロチップの陰極／グリッド
の第３の実施形態を示す部分断面図である。
の第３の実施形態を示す部分断面図である。
【図７】本発明によるマイクロチップの陰極／グリッド
の第４の実施形態を示す部分断面図である。
の第４の実施形態を示す部分断面図である。
【符号の説明】 １ 基板 ３ 陰極導体 ４ 絶縁層 ５ グリッド １０ マイクロチップ １１ 陰極 １３ グリッド線 １４ 穴 ２０ 気体放出防止保護層
Claims (5)
- 【請求項１】 基板（１）とグリッド（５）の絶縁層
（４）との間に陰極導体（３）を含み、また少なくとも
グリッドの線（１３）の間に形成された、ボンディング
係数の小さな層（２０）を含むタイプの、フラット・デ
ィスプレイ・スクリーン用のマイクロチップ陰極（１
０）。 - 【請求項２】 グリッド（５）および絶縁（４）層が、
グリッド線（１３）のパターン規定に従って基板（１）
に到達するまでエッチングされ、ボンディング係数の小
さな層（２０）が、好ましくは陰極導体（３）を形成す
る前に基板上に直接堆積される、請求項１に記載の陰
極。 - 【請求項３】 ボンディング係数の小さな層（２０）が
絶縁層（４）全体を覆う、請求項１に記載の陰極。 - 【請求項４】 ボンディング係数の小さな層（２０）を
構成する材料が、アルミナ、酸化亜鉛、酸化クロム、無
定形炭素、および窒化ケイ素の中から選択される、請求
項１に記載の陰極。 - 【請求項５】 ボンディング係数の小さな層（２０）を
構成する材料、および／またはその厚さが、隣接する２
本のグリッド線（１３）の間の絶縁を維持するように選
択される、請求項１に記載のマイクロチップ陰極。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9811823A FR2783633B1 (fr) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | Cathode a micropointes a faible degazage |
| FR9811823 | 1998-09-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100357A true JP2000100357A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=9530712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11260068A Withdrawn JP2000100357A (ja) | 1998-09-18 | 1999-09-14 | 気体放出の少ないマイクロチップ陰極 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0987729A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000100357A (ja) |
| FR (1) | FR2783633B1 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4410832A (en) * | 1980-12-15 | 1983-10-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | EBS Device with cold-cathode |
| JPS617550A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Showa Denko Kk | 真空放電管の陰極フイラメント支持具 |
| JPH03201352A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-03 | Ricoh Co Ltd | 蛍光体ドットアレイ管 |
| US5203731A (en) * | 1990-07-18 | 1993-04-20 | International Business Machines Corporation | Process and structure of an integrated vacuum microelectronic device |
| FR2716571B1 (fr) * | 1994-02-22 | 1996-05-03 | Pixel Int Sa | Procédé de fabrication de cathode d'écran fluorescent à micropointes et produit obtenu par ce procédé . |
| JPH10308166A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Pioneer Electron Corp | 電子放出素子及びこれを用いた表示装置 |
-
1998
- 1998-09-18 FR FR9811823A patent/FR2783633B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-14 JP JP11260068A patent/JP2000100357A/ja not_active Withdrawn
- 1999-09-17 EP EP99410114A patent/EP0987729A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0987729A1 (fr) | 2000-03-22 |
| FR2783633A1 (fr) | 2000-03-24 |
| FR2783633B1 (fr) | 2003-02-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061205 |