JP2000098367A - Liquid crystal display device and its manufacture - Google Patents

Liquid crystal display device and its manufacture

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JP2000098367A
JP2000098367A JP26911698A JP26911698A JP2000098367A JP 2000098367 A JP2000098367 A JP 2000098367A JP 26911698 A JP26911698 A JP 26911698A JP 26911698 A JP26911698 A JP 26911698A JP 2000098367 A JP2000098367 A JP 2000098367A
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interlayer insulating
forming
liquid crystal
color filter
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宗人 熊谷
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high quality and high aperture ratio liquid crystal display device in a high yield without paying attention to position-shifting in the case where two substrates constituting the liquid crystal display device are stuck together. SOLUTION: A projecting part 11a is formed at the boundary of adjacent pixels by recessedly etching a pixel part of an interlayer insulating film 11 which is formed on a TFT and electrode wiring of a TFT array substrate and flattens its surface. Succeedingly a pixel electrode 13 and a color filter 14 are formed in a region separated by the projecting parts 11a.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜トランジス
タ(以下、TFTと称する)を搭載した液晶表示装置お
よびその製造方法に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a liquid crystal display device equipped with a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT) and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置は、CRTに代わるフラッ
トパネルディスプレイの一つとして活発に研究開発が進
められており、特に低消費電力および薄型であるという
特徴を生かして、電池駆動の小型TV、ノートブック型
コンピュータ、カーナビゲーション等に実用化されてい
る。液晶表示装置の駆動方法としては、高品質表示の観
点からTFTをスイッチング素子として用いたアクティ
ブマトリクス型のTFTアレイが主として用いられてい
る。従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、
透明絶縁性基板上にマトリクス状に配列形成された走査
電極、信号電極、半導体層等からなるTFTと透明導電
膜からなる画素電極、および画素電極の周りに形成され
た電極配線を有する第一の基板(TFTアレイ基板)
と、他の透明絶縁性基板上にカラーフィルタ、ブラック
マトリクス(以下、BMと称する)、対向電極を有する
第二の基板(対向基板)を対向させ接着すると共に、第
一の基板と第二の基板の間に液晶材料を注入することに
より構成されている。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices are being actively researched and developed as one of flat panel displays replacing CRTs. In particular, they are characterized by low power consumption and thinness. It has been put to practical use in notebook computers, car navigation systems and the like. As a driving method of a liquid crystal display device, an active matrix type TFT array using TFTs as switching elements is mainly used from the viewpoint of high quality display. Conventional active matrix type liquid crystal display devices
A first electrode having a scanning electrode, a signal electrode, a pixel electrode made of a transparent conductive film and a TFT made of a semiconductor layer, and a scanning electrode, a signal electrode, a pixel electrode made of a transparent conductive film, and an electrode wiring formed around the pixel electrode on a transparent insulating substrate Substrate (TFT array substrate)
And a second substrate (opposite substrate) having a color filter, a black matrix (hereinafter, referred to as BM) and an opposing electrode on another transparent insulating substrate, and adhering the first substrate and the second substrate. It is constituted by injecting a liquid crystal material between substrates.

【0003】液晶表示装置の低消費電力化のためには、
液晶表示パネルの画素部の有効表示面積を大きくするこ
と、すなわち画素の開口率を向上させることが有効であ
るが、従来の液晶表示装置では、画素電極を有する第一
の基板とカラーフィルタを有する第二の基板との貼り合
わせ時の位置ずれを考慮して、画素電極の周辺部を覆う
ように形成されるBMの形成領域を広くすることが必要
であり、また位置合わせ精度にも限界があり、画素の高
開口率化を難しくしている。第一の基板と第二の基板の
貼り合わせ時の位置ずれを考慮せずに液晶表示装置を形
成する方法として、TFT、画素電極等を形成後、電着
法を用いてカラーフィルタをTFTアレイ基板側に形成
するカラーフィルタ オン アレイ構造が特開平5−5
874号公報に開示されている。
In order to reduce the power consumption of a liquid crystal display device,
It is effective to increase the effective display area of the pixel portion of the liquid crystal display panel, that is, to improve the aperture ratio of the pixel. However, a conventional liquid crystal display device has a first substrate having pixel electrodes and a color filter. It is necessary to increase the area where the BM is formed so as to cover the peripheral portion of the pixel electrode in consideration of the displacement at the time of bonding with the second substrate. This makes it difficult to increase the aperture ratio of the pixel. As a method of forming a liquid crystal display device without considering a positional shift at the time of bonding the first substrate and the second substrate, a TFT, a pixel electrode, and the like are formed, and a color filter is formed by using an electrodeposition method. A color filter on array structure formed on the substrate side is disclosed in
874.

【0004】また、特開平9−127553号公報に
は、透明絶縁性基板上にTFTおよび電極配線を形成し
た後に、これらを覆うように透明樹脂からなる層間絶縁
膜を形成することにより平坦化し、層間絶縁膜の下層に
ある走査電極等とオーバーラップさせて層間絶縁膜上に
広い面積を有する画素電極を形成し、層間絶縁膜上に形
成された画素電極とTFTのドレイン電極との電気的接
続は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し
て行う開口率の向上とラビング不良による液晶分子の配
向不良の抑制を目的としたTFTアレイ構造が開示され
ている。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-127553 discloses that after forming a TFT and an electrode wiring on a transparent insulating substrate, an interlayer insulating film made of a transparent resin is formed so as to cover the TFT and the electrode wiring. A pixel electrode having a large area is formed on the interlayer insulating film so as to overlap with a scanning electrode and the like below the interlayer insulating film, and an electrical connection between the pixel electrode formed on the interlayer insulating film and a drain electrode of the TFT is formed. Discloses a TFT array structure for the purpose of improving the aperture ratio through a contact hole formed in an interlayer insulating film and suppressing alignment defects of liquid crystal molecules due to rubbing defects.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】以上のように、高開口
率TFTアレイを実現するために、第一の基板(TFT
アレイ基板)と第二の基板(対向基板)の貼り合わせ時
の位置ずれを考慮せずに液晶表示装置を形成する方法と
して、カラーフィルタを電着法を用いてTFTアレイ基
板側に形成する構造が提案されているが、電着法により
形成されたカラーフィルタ膜は、厚み方向と同等もしく
はそれ以上に横方向にも膜成長するため、隣接する画素
電極と接触して画素間に短絡を生じさせるという問題が
あった。また、画素電極の周りに形成される電極配線に
よる段差を仕切として利用した場合においても、電極配
線による段差はカラーフィルタ膜の厚みより薄いため容
易に乗り越えて短絡を生じさせる。
As described above, in order to realize a high aperture ratio TFT array, a first substrate (TFT) is required.
As a method of forming a liquid crystal display device without considering a positional shift at the time of laminating an array substrate) and a second substrate (a counter substrate), a structure in which a color filter is formed on a TFT array substrate side by using an electrodeposition method. However, since the color filter film formed by the electrodeposition method grows in the lateral direction to be equal to or more than the thickness direction, a short circuit occurs between the pixels by contacting adjacent pixel electrodes. There was a problem of letting it. In addition, even when a step formed by the electrode wiring formed around the pixel electrode is used as a partition, the step formed by the electrode wiring is thinner than the thickness of the color filter film and easily gets over, thereby causing a short circuit.

【0006】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、液晶表示装置を構成する二枚
の基板の貼り合わせ時の位置ずれを考慮することなく、
高品質かつ高開口率の液晶表示装置を高歩留りで得るこ
とを目的とする。さらにこの装置に適した製造方法を提
供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and has been made without taking into account a positional shift at the time of bonding two substrates constituting a liquid crystal display device.
It is an object of the present invention to obtain a liquid crystal display device having a high quality and a high aperture ratio at a high yield. It is another object of the present invention to provide a manufacturing method suitable for this device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明に係わる液晶表
示装置は、透明絶縁性基板と、透明絶縁性基板上で行方
向に形成された複数本の走査線と、走査線と交差する列
方向に形成された複数本の信号線と、平行する各々二本
の走査線と信号線で区画された画素領域に形成されたス
イッチング素子と、走査線、信号線およびスイッチング
素子より上層に形成され、走査線、信号線およびスイッ
チング素子の段差を吸収する層間絶縁膜と、層間絶縁膜
上の各画素領域に形成され、層間絶縁膜に設けられたコ
ンタクトホールを介してスイッチング素子と電気的に接
続された画素電極と、画素電極上に形成されたカラーフ
ィルタを有する第一の基板、第一の基板と共に液晶材料
を挟持する第二の基板を備え、層間絶縁膜は画素領域が
凹形状にエッチングされ、隣接する画素間は層間絶縁膜
の突部により隔離された構造を有し、画素電極およびカ
ラーフィルタは層間絶縁膜の突部で隔離された凹形状部
内に形成されているものである。
A liquid crystal display device according to the present invention comprises a transparent insulating substrate, a plurality of scanning lines formed in a row direction on the transparent insulating substrate, and a column direction intersecting the scanning lines. A plurality of signal lines formed in, a switching element formed in a pixel region partitioned by two parallel scanning lines and signal lines, respectively, a scanning line, formed in a layer above the signal line and the switching element, An interlayer insulating film that absorbs steps of scanning lines, signal lines, and switching elements, and is formed in each pixel region on the interlayer insulating film, and is electrically connected to the switching elements via contact holes provided in the interlayer insulating film. A pixel electrode, a first substrate having a color filter formed on the pixel electrode, a second substrate holding a liquid crystal material together with the first substrate, and the interlayer insulating film has a pixel region having a concave shape. It is, between adjacent pixels has a structure which is isolated by protrusions of the interlayer insulating film, the pixel electrode and the color filter are those formed in the concave shape portion which are separated by protrusions of the interlayer insulating film.

【0008】また、透明絶縁性基板と、透明絶縁性基板
上で行方向に形成された複数本の走査線と、走査線と交
差する列方向に形成された複数本の信号線と、平行する
各々二本の走査線と信号線で区画された画素領域に形成
されたスイッチング素子と、走査線、信号線およびスイ
ッチング素子より上層に形成され、走査線、信号線およ
びスイッチング素子の段差を吸収する層間絶縁膜と、層
間絶縁膜上で各画素領域に整合して形成されたカラーフ
ィルタと、カラーフィルタ上に形成され、層間絶縁膜お
よびカラーフィルタに設けられたコンタクトホールを介
してスイッチング素子と電気的に接続された画素電極を
有する第一の基板、第一の基板と共に液晶材料を挟持す
る第二の基板を備え、層間絶縁膜は画素領域が凹形状に
エッチングされ、隣接する画素間は層間絶縁膜の突部に
より隔離された構造を有し、カラーフィルタおよび画素
電極は層間絶縁膜の突部で隔離された凹形状部内に形成
されているものである。
A transparent insulating substrate, a plurality of scanning lines formed in a row direction on the transparent insulating substrate, and a plurality of signal lines formed in a column direction intersecting the scanning lines are parallel to each other. A switching element formed in a pixel region partitioned by two scanning lines and a signal line; and a switching element formed in a layer above the scanning line, the signal line and the switching element to absorb a step between the scanning line, the signal line and the switching element. An interlayer insulating film, a color filter formed on the interlayer insulating film so as to match each pixel region, and a switching element electrically connected to the switching element through a contact hole formed on the color filter and provided in the interlayer insulating film and the color filter. A first substrate having a pixel electrode connected to the first substrate, a second substrate sandwiching a liquid crystal material together with the first substrate, the interlayer insulating film is etched in a concave pixel area, Between adjacent pixels has a structure which is isolated by protrusions of the interlayer insulating film, a color filter and the pixel electrode is being formed in a concave shape portion which are separated by protrusions of the interlayer insulating film.

【0009】また、透明絶縁性基板と、透明絶縁性基板
上で行方向に形成された複数本の走査線と、走査線と交
差する列方向に形成された複数本の信号線と、平行する
各々二本の走査線と信号線で区画された画素領域に形成
されたスイッチング素子と、走査線、信号線およびスイ
ッチング素子より上層に形成され、走査線、信号線およ
びスイッチング素子の段差を吸収する層間絶縁膜と、層
間絶縁膜上で各画素領域に整合して形成され、層間絶縁
膜に設けられたコンタクトホールを介してスイッチング
素子と電気的に接続された導電性を有するカラーフィル
タを有する第一の基板、第一の基板と共に液晶材料を挟
持する第二の基板を備え、層間絶縁膜は画素領域が凹形
状にエッチングされ、隣接する画素間は層間絶縁膜の突
部により隔離された構造を有し、カラーフィルタは層間
絶縁膜の突部で隔離された凹形状部内に形成されている
ものである。
A transparent insulating substrate, a plurality of scanning lines formed in a row direction on the transparent insulating substrate, and a plurality of signal lines formed in a column direction intersecting the scanning lines are parallel to each other. A switching element formed in a pixel region partitioned by two scanning lines and a signal line; and a switching element formed in a layer above the scanning line, the signal line and the switching element to absorb a step between the scanning line, the signal line and the switching element. A second color filter having an interlayer insulating film and a conductive color filter formed on the interlayer insulating film in alignment with each pixel region and electrically connected to the switching element through a contact hole provided in the interlayer insulating film; One substrate, a second substrate sandwiching a liquid crystal material together with the first substrate, the pixel region of the interlayer insulating film is etched into a concave shape, and adjacent pixels are separated by protrusions of the interlayer insulating film. Has the structure, color filters are those formed in the concave shape portion which are separated by protrusions of the interlayer insulating film.

【0010】さらに、導電性を有するカラーフィルタ
は、画素電極として機能できるよう低抵抗材料により構
成されるものである。また、層間絶縁膜の凹形状部の深
さは、凹形状部内に形成される画素電極とカラーフィル
タの厚みを合わせた厚み、もしくは導電性を有するカラ
ーフィルタの厚みの±200nm以内である。
Further, the color filter having conductivity is formed of a low-resistance material so as to function as a pixel electrode. Further, the depth of the concave portion of the interlayer insulating film is within ± 200 nm of the total thickness of the pixel electrode and the color filter formed in the concave portion, or the thickness of the conductive color filter.

【0011】また、透明絶縁性基板と、透明絶縁性基板
上で行方向に形成された複数本の走査線と、走査線と交
差する列方向に形成された複数本の信号線と、平行する
各々二本の走査線と信号線で区画された画素領域に形成
されたスイッチング素子と、走査線、信号線およびスイ
ッチング素子より上層に形成され、走査線、信号線およ
びスイッチング素子の段差を吸収すると共に、表面には
画素領域を凹形状にエッチングすることにより隣接画素
間に形成された突部を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜
の突部上に形成された不透明膜と、層間絶縁膜の凹形状
の底部に形成され、層間絶縁膜に設けられたコンタクト
ホールを介してスイッチング素子と電気的に接続された
画素電極と、画素電極上に形成されたカラーフィルタを
有する第一の基板、第一の基板と共に液晶材料を挟持す
る第二の基板を備え、カラーフィルタは層間絶縁膜の突
部上に形成された不透明膜にオーバーハングして形成さ
れているものである。
In addition, a transparent insulating substrate, a plurality of scanning lines formed in a row direction on the transparent insulating substrate, and a plurality of signal lines formed in a column direction intersecting the scanning lines are parallel. A switching element formed in a pixel region partitioned by two scanning lines and a signal line; and a switching element formed in a layer above the scanning line, the signal line and the switching element to absorb a step between the scanning line, the signal line and the switching element. At the same time, an interlayer insulating film having a protrusion formed between adjacent pixels by etching the pixel region into a concave shape on the surface, an opaque film formed on the protrusion of the interlayer insulating film, and an interlayer insulating film. A first substrate having a pixel electrode formed at the bottom of the concave shape and electrically connected to the switching element via a contact hole provided in the interlayer insulating film, and a color filter formed on the pixel electrode Comprising a second substrate which sandwich a liquid crystal material with the first substrate, the color filter is one which is formed by overhanging the opaque film formed on the projecting portion of the interlayer insulating film.

【0012】さらに、不透明膜は金属膜であり、カラー
フィルタは絶縁性樹脂により構成されているものであ
る。また、不透明膜は絶縁膜であり、カラーフィルタは
導電性樹脂により構成されているものである。また、層
間絶縁膜の突部の幅は、走査線および信号線の幅より小
さく形成され、層間絶縁膜の凹形状部内に形成される画
素電極およびカラーフィルタは走査線および信号線にオ
ーバーラップして形成されるものである。また、カラー
フィルタは、表示領域の外周部においてカラーフィルタ
を構成する複数色が積層されるものである。
Further, the opaque film is a metal film, and the color filter is made of an insulating resin. The opaque film is an insulating film, and the color filter is made of a conductive resin. Further, the width of the protrusion of the interlayer insulating film is formed smaller than the width of the scanning line and the signal line, and the pixel electrode and the color filter formed in the concave portion of the interlayer insulating film overlap the scanning line and the signal line. It is formed by Further, the color filter is formed by laminating a plurality of colors constituting the color filter in the outer peripheral portion of the display area.

【0013】さらにこの発明の製造方法は、少なくとも
いずれか一方には電極が形成されている二枚の透明絶縁
性基板を対向させて接着すると共に、二枚の透明絶縁性
基板の間には液晶材料が挟持されている液晶表示装置の
製造方法において、二枚の透明絶縁性基板の一方に行方
向に複数本の走査線と、走査線と交差する列方向に複数
本の信号線と、平行する各々二本の走査線と信号線で区
画された画素領域にスイッチング素子を形成する工程
と、走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
感光性を有する透明樹脂を塗布し、露光、現像により所
定の位置にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成
する工程と、レジストパターンを形成し、層間絶縁膜の
画素領域を凹形状にエッチングして隣接する画素間に層
間絶縁膜の突部を形成する工程と、層間絶縁膜上および
コンタクトホール内に透明導電膜を成膜し、層間絶縁膜
の突部上の透明導電膜をエッチングしてスイッチング素
子とコンタクトホールを介して電気的に接続された画素
電極を層間絶縁膜の凹形状の底部に形成する工程と、有
色樹脂を用いて層間絶縁膜の突部により隔離された凹形
状部内の画素電極上にカラーフィルタを形成する工程を
含むものである。
Further, according to the manufacturing method of the present invention, two transparent insulating substrates having electrodes formed on at least one of them are opposed to each other and bonded, and a liquid crystal is provided between the two transparent insulating substrates. In the method for manufacturing a liquid crystal display device in which a material is sandwiched, a plurality of scanning lines in a row direction on one of two transparent insulating substrates, a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines, and Forming a switching element in a pixel region partitioned by two scanning lines and signal lines, applying a transparent resin having photosensitivity to a layer above the scanning lines, signal lines and switching elements, exposing, developing Forming an interlayer insulating film having a contact hole at a predetermined position; forming a resist pattern; etching a pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape to form a protrusion of the interlayer insulating film between adjacent pixels; A transparent conductive film is formed on the interlayer insulating film and in the contact hole, and the transparent conductive film on the protrusion of the interlayer insulating film is etched to be electrically connected to the switching element via the contact hole. The method includes a step of forming a pixel electrode on the concave bottom of the interlayer insulating film, and a step of forming a color filter on the pixel electrode in the concave portion separated by the protrusion of the interlayer insulating film using a colored resin.

【0014】また、少なくともいずれか一方には電極が
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている液晶表示装置の製造方法において、二枚
の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線と、
走査線と交差する列方向に複数本の信号線と、平行する
各々二本の走査線と信号線で区画された画素領域にスイ
ッチング素子を形成する工程と、走査線、信号線および
スイッチング素子より上層に感光性を有する透明樹脂を
塗布し、露光、現像により所定の位置にコンタクトホー
ルを有する層間絶縁膜を形成する工程と、レジストパタ
ーンを形成し、層間絶縁膜の画素領域を凹形状にエッチ
ングして隣接する画素間に層間絶縁膜の突部を形成する
工程と、層間絶縁膜の突部を形成するために用いたレジ
ストを残存させた状態で層間絶縁膜上およびコンタクト
ホール内に透明導電膜を成膜する工程と、レジストを除
去することにより、層間絶縁膜の突部上の透明導電膜を
リフトオフ法により除去し、スイッチング素子とコンタ
クトホールを介して電気的に接続された画素電極を層間
絶縁膜の凹形状の底部に形成する工程と、有色樹脂を用
いて層間絶縁膜の突部により隔離された凹形状部内の画
素電極上にカラーフィルタを形成する工程を含むもので
ある。
[0014] At least one of the two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is opposed to and bonded to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. In the method of manufacturing a liquid crystal display device, a plurality of scanning lines in the row direction on one of the two transparent insulating substrates,
Forming a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines, forming a switching element in a pixel region divided by two scanning lines and the signal lines in parallel, and scanning lines, signal lines, and switching elements. A step of applying a transparent resin having photosensitivity to the upper layer, forming an interlayer insulating film having a contact hole at a predetermined position by exposure and development, forming a resist pattern, and etching a pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape. Forming a protruding portion of the interlayer insulating film between adjacent pixels, and forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film and in the contact hole with the resist used for forming the protruding portion of the interlayer insulating film remaining. By forming the film and removing the resist, the transparent conductive film on the protruding portion of the interlayer insulating film is removed by a lift-off method, and the film is removed through the switching element and the contact hole. Forming a pixel electrode electrically connected to the concave bottom of the interlayer insulating film, and forming a color filter on the pixel electrode in the concave portion separated by the protrusion of the interlayer insulating film using a colored resin This includes the step of performing

【0015】また、画素電極上の層間絶縁膜の突部によ
り隔離された凹形状部内にカラーフィルタを形成後、突
部上にオーバーハングしたカラーフィルタをエッチバッ
ク処理により除去する工程を含むものである。
Further, the method includes a step of forming a color filter in a concave portion separated by a protrusion of the interlayer insulating film on the pixel electrode, and removing the color filter overhanging on the protrusion by an etch-back process.

【0016】また、少なくともいずれか一方には電極が
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている液晶表示装置の製造方法において、二枚
の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線と、
走査線と交差する列方向に複数本の信号線と、平行する
各々二本の走査線と信号線で区画された画素領域にスイ
ッチング素子を形成する工程と、走査線、信号線および
スイッチング素子より上層に感光性を有する透明樹脂を
塗布し、露光、現像により所定の位置にコンタクトホー
ルを有する層間絶縁膜を形成する工程と、レジストパタ
ーンを形成し、層間絶縁膜の画素領域を凹形状にエッチ
ングして隣接する画素間に層間絶縁膜の突部を形成する
工程と、層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に透明
導電膜を成膜する工程と、層間絶縁膜の突部により隔離
された凹形状部内に有色樹脂を塗布し、凹形状部内の透
明導電膜上にカラーフィルタを形成する工程と、カラー
フィルタをマスクとして透明導電膜をエッチングし、ス
イッチング素子とコンタクトホールを介して電気的に接
続された画素電極を層間絶縁膜の凹形状部内に形成する
工程を含むものである。
Further, at least one of the two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is adhered to and opposed to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. In the method of manufacturing a liquid crystal display device, a plurality of scanning lines in the row direction on one of the two transparent insulating substrates,
Forming a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines, forming a switching element in a pixel region divided by two scanning lines and the signal lines in parallel, and scanning lines, signal lines, and switching elements. A step of applying a transparent resin having photosensitivity to the upper layer, forming an interlayer insulating film having a contact hole at a predetermined position by exposure and development, forming a resist pattern, and etching a pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape. Forming a protrusion of the interlayer insulating film between adjacent pixels, forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film and in the contact hole, and forming a concave shape isolated by the protrusion of the interlayer insulating film. Applying a colored resin in the portion, forming a color filter on the transparent conductive film in the concave portion, etching the transparent conductive film using the color filter as a mask, The pixel electrode which is electrically connected via a contact hole is intended to include the step of forming the concave portion of the interlayer insulating film.

【0017】また、少なくともいずれか一方には電極が
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている液晶表示装置の製造方法において、二枚
の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線と、
走査線と交差する列方向に複数本の信号線と、平行する
各々二本の走査線と信号線で区画された画素領域にスイ
ッチング素子を形成する工程と、走査線、信号線および
スイッチング素子より上層に感光性を有する透明樹脂を
塗布し、露光、現像により所定の位置にコンタクトホー
ルを有する層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜上
に不透明な金属膜を成膜する工程と、レジストを形成
し、層間絶縁膜の画素領域を凹形状にエッチングして隣
接する画素間に表面に金属膜を有する層間絶縁膜の突部
を形成する工程と、層間絶縁膜上およびコンタクトホー
ル内に透明導電膜を成膜し、層間絶縁膜の突部上の透明
導電膜をエッチングしてスイッチング素子とコンタクト
ホールを介して電気的に接続された画素電極を層間絶縁
膜の凹形状の底部に形成する工程と、絶縁性有色樹脂を
用いて層間絶縁膜の突部により隔離された凹形状部内の
画素電極上にカラーフィルタを、層間絶縁膜の突部上に
形成された金属膜にオーバーハングして形成する工程を
含むものである。
Further, at least one of the two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is adhered to and opposed to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. In the method of manufacturing a liquid crystal display device, a plurality of scanning lines in the row direction on one of the two transparent insulating substrates,
Forming a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines, forming a switching element in a pixel region divided by two scanning lines and the signal lines in parallel, and scanning lines, signal lines, and switching elements. A step of applying a transparent resin having photosensitivity to the upper layer, forming an interlayer insulating film having a contact hole at a predetermined position by exposure and development, a step of forming an opaque metal film on the interlayer insulating film, and a resist Forming a protrusion of the interlayer insulating film having a metal film on the surface between adjacent pixels by etching the pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape; and forming a transparent portion on the interlayer insulating film and in the contact hole. A conductive film is formed, the transparent conductive film on the protrusion of the interlayer insulating film is etched, and the pixel electrode electrically connected to the switching element via the contact hole is formed on the concave bottom of the interlayer insulating film. And forming a color filter on the pixel electrode in the concave portion separated by the protrusion of the interlayer insulating film using an insulating colored resin, and overhanging the metal film formed on the protrusion of the interlayer insulating film. The process includes a step of forming the substrate.

【0018】また、少なくともいずれか一方には電極が
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている液晶表示装置の製造方法において、二枚
の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線と、
走査線と交差する列方向に複数本の信号線と、平行する
各々二本の走査線と信号線で区画された画素領域にスイ
ッチング素子を形成する工程と、走査線、信号線および
スイッチング素子より上層に感光性を有する透明樹脂を
塗布し、露光、現像により所定の位置にコンタクトホー
ルを有する層間絶縁膜を形成する工程と、レジストパタ
ーンを形成し、層間絶縁膜の画素領域を凹形状にエッチ
ングして隣接する画素間に層間絶縁膜の突部を形成する
工程と、層間絶縁膜上に感光性を有する有色樹脂を塗布
し、露光、現像により層間絶縁膜のコンタクトホールと
同位置に開口部を有するカラーフィルタを形成する工程
と、カラーフィルタが形成された層間絶縁膜上およびコ
ンタクトホール内と開口部内に透明導電膜を成膜し、エ
ッチングによりスイッチング素子とコンタクトホールお
よび開口部を介して電気的に接続された画素電極をカラ
ーフィルタ上に形成する工程を含むものである。
Further, at least one of the two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is adhered to and opposed to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. In the method of manufacturing a liquid crystal display device, a plurality of scanning lines in the row direction on one of the two transparent insulating substrates,
Forming a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines, forming a switching element in a pixel region divided by two scanning lines and the signal lines in parallel, and scanning lines, signal lines, and switching elements. A step of applying a transparent resin having photosensitivity to the upper layer, forming an interlayer insulating film having a contact hole at a predetermined position by exposure and development, forming a resist pattern, and etching a pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape. Forming a protruding portion of the interlayer insulating film between adjacent pixels and applying a colored resin having photosensitivity on the interlayer insulating film, and exposing and developing the opening at the same position as the contact hole of the interlayer insulating film. Forming a color filter having a color filter, forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film on which the color filter is formed, in the contact holes and in the openings, and etching the transparent conductive film. The pixel electrode which is electrically connected via the switching element and the contact hole and the opening portion is intended to include a step of forming on the color filter.

【0019】また、少なくともいずれか一方には電極が
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている液晶表示装置の製造方法において、二枚
の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線と、
走査線と交差する列方向に複数本の信号線と、平行する
各々二本の走査線と信号線で区画された画素領域にスイ
ッチング素子を形成する工程と、走査線、信号線および
スイッチング素子より上層に感光性を有しない透明樹脂
を塗布し層間絶縁膜を形成する工程と、レジストパター
ンを形成し、層間絶縁膜の画素領域を凹形状にエッチン
グして隣接する画素間に層間絶縁膜の突部を形成する工
程と、層間絶縁膜の凹形状部内に感光性を有する有色樹
脂を塗布し、露光、現像により所定の位置に開口部を有
するカラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ
をマスクとして層間絶縁膜をエッチングし、カラーフィ
ルタの開口部と同位置にコンタクトホールを形成する工
程と、カラーフィルタが形成された層間絶縁膜上および
コンタクトホール内と開口部内に透明導電膜を成膜し、
エッチングによりスイッチング素子とコンタクトホール
および開口部を介して電気的に接続された画素電極をカ
ラーフィルタ上に形成する工程を含むものである。ま
た、カラーフィルタは感光性を有しない有色樹脂により
構成され、レジストパターンを形成後エッチングにより
開口部を形成するものである。
At least one of the two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is adhered to and opposed to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. In the method of manufacturing a liquid crystal display device, a plurality of scanning lines in the row direction on one of the two transparent insulating substrates,
Forming a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines, forming a switching element in a pixel region divided by two scanning lines and the signal lines in parallel, and scanning lines, signal lines, and switching elements. A step of applying a transparent resin having no photosensitivity to the upper layer to form an interlayer insulating film, forming a resist pattern, etching a pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape, and projecting the interlayer insulating film between adjacent pixels. Forming a portion, applying a colored resin having photosensitivity in the concave portion of the interlayer insulating film, exposing, developing to form a color filter having an opening at a predetermined position, using the color filter as a mask Forming a contact hole at the same position as the opening of the color filter by etching the interlayer insulating film; and forming a contact hole on the interlayer insulating film on which the color filter is formed and the contact hole. A transparent conductive film in the opening and,
Forming a pixel electrode electrically connected to the switching element via the contact hole and the opening by etching on the color filter. The color filter is made of a colored resin having no photosensitivity, and forms an opening by etching after forming a resist pattern.

【0020】また、少なくともいずれか一方には電極が
形成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着
すると共に、二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料が
挟持されている液晶表示装置の製造方法において、二枚
の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走査線と、
走査線と交差する列方向に複数本の信号線と、平行する
各々二本の走査線と信号線で区画された画素領域にスイ
ッチング素子を形成する工程と、走査線、信号線および
スイッチング素子より上層に感光性を有する透明樹脂を
塗布し、露光、現像により所定の位置にコンタクトホー
ルを有する層間絶縁膜を形成する工程と、レジストパタ
ーンを形成し、層間絶縁膜の画素領域を凹形状にエッチ
ングして隣接する画素間に層間絶縁膜の突部を形成する
工程と、層間絶縁膜の凹形状部内に導電性を有する有色
樹脂を形成し、層間絶縁膜のコンタクトホールを介して
スイッチング素子と電気的に接続されたカラーフィルタ
を形成する工程を含み、カラーフィルタは、画素電極と
して機能できるよう低抵抗材料により構成されるもので
ある。
Further, at least one of the two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is adhered to and opposed to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. In the method of manufacturing a liquid crystal display device, a plurality of scanning lines in the row direction on one of the two transparent insulating substrates,
Forming a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines, forming a switching element in a pixel region divided by two scanning lines and the signal lines in parallel, and scanning lines, signal lines, and switching elements. A step of applying a transparent resin having photosensitivity to the upper layer, forming an interlayer insulating film having a contact hole at a predetermined position by exposure and development, forming a resist pattern, and etching a pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape. Forming a protruding portion of the interlayer insulating film between adjacent pixels, forming a colored resin having conductivity in the concave portion of the interlayer insulating film, and electrically connecting the switching element through the contact hole of the interlayer insulating film. Forming a color filter, which is electrically connected, wherein the color filter is made of a low-resistance material so as to function as a pixel electrode.

【0021】また、有色樹脂は導電性を有し、画素電極
を電極として電着法により塗布されるものである。ま
た、有色樹脂はインクジェット法、顔料分散法、ラミネ
ート法等により塗布されるものである。
The colored resin has conductivity and is applied by an electrodeposition method using a pixel electrode as an electrode. The colored resin is applied by an ink jet method, a pigment dispersion method, a laminating method, or the like.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、この発明の
一実施の形態である液晶表示装置およびその製造方法を
図について説明する。図1は本発明の実施の形態1によ
るスイッチング素子としてTFTを搭載した液晶表示装
置のTFTアレイ基板を示す断面図、図2は図1のTF
Tアレイ基板の製造工程の一部を示す断面図である。図
において、1はガラス基板等の透明絶縁性基板、2は透
明絶縁性基板1上に走査線(ゲート電極配線)から延長
して形成されたゲート電極、3は透明絶縁性基板1上に
形成された共通配線、4はゲート電極2および共通配線
3上に形成されたゲート絶縁膜、5はゲート絶縁膜4を
介してゲート電極2上に形成された半導体層、6は半導
体層5上に形成されたオーミックコンタクト層、7はオ
ーミックコンタクト層6上に信号線(ソース電極配線)
から延長して形成されたソース電極、8はオーミックコ
ンタクト層6上に形成されたソース電極7と対を成すド
レイン電極、9はチャネル部、10はTFTを保護する
ためのパッシベーション膜、11はパッシベーション膜
10上に形成された層間絶縁膜、11aは層間絶縁膜1
1の突部、12はパッシベーション膜10および層間絶
縁膜11に形成されたコンタクトホール、13は層間絶
縁膜11上に形成された画素電極で、コンタクトホール
12を介してドレイン電極8と電気的に接続される。1
4はカラーフィルタで、14aは赤、14bは緑、14
cは青のカラーフィルタを示している。15は遮光膜パ
ターンを有するマスク、16はレジストをそれぞれ示し
ている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Hereinafter, a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a TFT array substrate of a liquid crystal display device having a TFT mounted thereon as a switching element according to a first embodiment of the present invention, and FIG.
It is sectional drawing which shows a part of manufacturing process of a T array substrate. In the figure, 1 is a transparent insulating substrate such as a glass substrate, 2 is a gate electrode formed on the transparent insulating substrate 1 by extending from a scanning line (gate electrode wiring), 3 is formed on the transparent insulating substrate 1 4 is a gate insulating film formed on the gate electrode 2 and the common wiring 3, 5 is a semiconductor layer formed on the gate electrode 2 via the gate insulating film 4, and 6 is a semiconductor layer 5 on the semiconductor layer 5. The formed ohmic contact layer 7 is a signal line (source electrode wiring) on the ohmic contact layer 6.
, A drain electrode forming a pair with the source electrode 7 formed on the ohmic contact layer 6, 9 a channel portion, 10 a passivation film for protecting the TFT, and 11 a passivation film. An interlayer insulating film formed on the film 10;
Reference numeral 1 denotes a protrusion, 12 denotes a contact hole formed in the passivation film 10 and the interlayer insulating film 11, and 13 denotes a pixel electrode formed on the interlayer insulating film 11, which is electrically connected to the drain electrode 8 through the contact hole 12. Connected. 1
4 is a color filter, 14a is red, 14b is green, 14
c indicates a blue color filter. Reference numeral 15 denotes a mask having a light-shielding film pattern, and reference numeral 16 denotes a resist.

【0023】次に、本実施の形態による液晶表示装置の
TFTアレイ基板の製造工程について説明する。まず、
透明絶縁性基板1の表面にスパッタ法等を用いてCrを
成膜し、フォトリソグラフィ法により形成したレジスト
パターンを用いてエッチングし、ゲート電極2、ゲート
電極配線(図示せず)および共通配線3を形成する。次
に、プラズマCVD法等を用いてゲート絶縁膜4となる
シリコン窒化膜、アモルファスシリコン膜、不純物がド
ープされた低抵抗アモルファスシリコン膜を順次成膜し
た後、フォトリソグラフィ法により形成したレジストパ
ターンを用いてエッチングし、半導体層5およびオーミ
ックコンタクト層6を形成する。次に、スパッタ法によ
る成膜およびフォトリソグラフィ法によるパターニング
を行い、オーミックコンタクト層6上にソース電極7、
ソース電極配線(図示せず)およびドレイン電極8を形
成すると共に、ソース電極7とドレイン電極8に覆われ
ていない部分の低抵抗アモルファスシリコン膜(オーミ
ックコンタクト層6)をエッチングしてチャネル部9を
形成し、TFTを形成する。なお、ドレイン電極8の一
端は、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜4を挟み低抵抗
金属からなる共通配線3と対向し、画素電極13の形成
領域内で容量(コンデンサ)を形成している。
Next, the steps of manufacturing the TFT array substrate of the liquid crystal display according to the present embodiment will be described. First,
A Cr film is formed on the surface of the transparent insulating substrate 1 by a sputtering method or the like, and is etched by using a resist pattern formed by a photolithography method. The gate electrode 2, the gate electrode wiring (not shown), and the common wiring 3 are formed. To form Next, a silicon nitride film, an amorphous silicon film, and a low-resistance amorphous silicon film doped with impurities are sequentially formed by a plasma CVD method or the like, and then a resist pattern formed by a photolithography method is formed. To form a semiconductor layer 5 and an ohmic contact layer 6. Next, film formation by a sputtering method and patterning by a photolithography method are performed to form a source electrode 7 on the ohmic contact layer 6.
A source electrode wiring (not shown) and a drain electrode 8 are formed, and a portion of the low-resistance amorphous silicon film (an ohmic contact layer 6) not covered with the source electrode 7 and the drain electrode 8 is etched to form a channel portion 9. Then, a TFT is formed. Note that one end of the drain electrode 8 faces the common wiring 3 made of a low-resistance metal with the gate insulating film 4 made of an inorganic insulating film interposed therebetween, and forms a capacitance (capacitor) in the formation region of the pixel electrode 13.

【0024】次に、TFTを保護するためのパッシベー
ション膜10をCVD法等により成膜する。次に、感光
性を有するアクリル系透明樹脂をTFTおよび電極配線
による段差を吸収して表面が平坦化されるように塗布
し、所定の部分に遮光膜パターンを有するマスク15を
介して露光処理を施し(図2(a))、ドレイン電極8
がゲート絶縁膜4を介して共通配線3と対向し保持容量
を形成している部分上にコンタクトホールおよび端子コ
ンタクト用の開口部(図示せず)を形成する。その後、
焼成を行い層間絶縁膜11を形成する。次に、図2
(b)に示すように、隣接する画素の境界部分にレジス
ト16を形成し、画素部(画素電極13が形成される領
域)の層間絶縁膜11を凹形状にエッチング(図2
(b)の点線形状)し、隣接する画素の境界部分に層間
絶縁膜11の突部11aを形成する。続けて、層間絶縁
膜11をマスクとして層間絶縁膜11に設けられたコン
タクトホールにより露出したパッシベーション膜10を
エッチングし、コンタクトホール12を形成してドレイ
ン電極8を露出させる。同時に端子コンタクト部のパッ
シベーション膜10も除去する。
Next, a passivation film 10 for protecting the TFT is formed by a CVD method or the like. Next, an acrylic transparent resin having photosensitivity is applied so as to absorb a step caused by the TFT and the electrode wiring so that the surface is flattened, and exposed to light through a mask 15 having a light-shielding film pattern on a predetermined portion. (FIG. 2A), drain electrode 8
A contact hole and an opening (not shown) for a terminal contact are formed on a portion facing the common wiring 3 via the gate insulating film 4 and forming a storage capacitor. afterwards,
Baking is performed to form the interlayer insulating film 11. Next, FIG.
As shown in FIG. 2B, a resist 16 is formed at the boundary between adjacent pixels, and the interlayer insulating film 11 in the pixel portion (the region where the pixel electrode 13 is formed) is etched into a concave shape (FIG. 2).
(Dotted line shape in (b)), and a protrusion 11a of the interlayer insulating film 11 is formed at a boundary between adjacent pixels. Subsequently, using the interlayer insulating film 11 as a mask, the passivation film 10 exposed by the contact hole provided in the interlayer insulating film 11 is etched to form a contact hole 12 to expose the drain electrode 8. At the same time, the passivation film 10 in the terminal contact portion is also removed.

【0025】次に、図2(c)に示すように、層間絶縁
膜11上にITO等の透明導電膜を成膜した後、フォト
リソグラフィ法により形成したレジストパターンを用い
てエッチングし、層間絶縁膜11の凹形状の底部に画素
電極13を形成する。このとき、画素電極13はコンタ
クトホール12を介してドレイン電極8と電気的に接続
される。次に、図2(d)に示すように、導電性有色樹
脂からなるカラーフィルタ14(赤(R)14a、緑
(G)14b、青(B)14c)を画素電極13を電極
として層間絶縁膜11の凹形状部内に順次選択的に電着
させる。このとき、各カラーフィルタ14は層間絶縁膜
11の突部11aにより隔離され、隣接画素間における
接触を防止することができる。また、カラーフィルタ1
4は表示領域の外周部において赤(R)14a、緑
(G)14b、青(B)14cの三色が積層されること
により、周辺BMの機能を有する。
Next, as shown in FIG. 2C, after a transparent conductive film such as ITO is formed on the interlayer insulating film 11, etching is performed using a resist pattern formed by a photolithography method. The pixel electrode 13 is formed on the concave bottom of the film 11. At this time, the pixel electrode 13 is electrically connected to the drain electrode 8 via the contact hole 12. Next, as shown in FIG. 2D, a color filter 14 (red (R) 14a, green (G) 14b, blue (B) 14c) made of a conductive colored resin is interlayer-insulated using the pixel electrode 13 as an electrode. Electrodeposition is sequentially and selectively performed in the concave portion of the film 11. At this time, each color filter 14 is isolated by the protruding portion 11a of the interlayer insulating film 11, so that contact between adjacent pixels can be prevented. Also, color filter 1
Reference numeral 4 has a peripheral BM function by stacking three colors of red (R) 14a, green (G) 14b, and blue (B) 14c at the outer periphery of the display area.

【0026】以上の工程により形成されたTFTアレイ
基板(第一の基板)と、他の透明絶縁性基板上に対向電
極が形成された対向基板(第二の基板)の表面に配向膜
を形成後対向させ、この間に液晶材料を注入することに
より液晶表示素子を構成する。
An alignment film is formed on the surface of the TFT array substrate (first substrate) formed by the above steps and on the surface of a counter substrate (second substrate) having a counter electrode formed on another transparent insulating substrate. A liquid crystal display element is formed by injecting a liquid crystal material during the rear facing.

【0027】なお、層間絶縁膜11に形成される凹形状
部の深さ、すなわち層間絶縁膜11の突部11aの高さ
hは、凹形状内に形成される画素電極13とカラーフィ
ルタ14の厚みを合わせた厚みの±200nm以内とす
る。また、図1に示すように、層間絶縁膜11の突部1
1aの幅wを、突部11aの下方にあるゲート電極配線
あるいはソース電極配線の幅w1 より小さい構造とする
ことにより、画素電極13およびカラーフィルタ14は
ゲート電極配線およびソース電極配線とオーバーラップ
して形成されている。
The depth of the concave portion formed in the interlayer insulating film 11, that is, the height h of the protrusion 11a of the interlayer insulating film 11 is determined by the height of the pixel electrode 13 and the color filter 14 formed in the concave shape. The thickness is within ± 200 nm of the combined thickness. In addition, as shown in FIG.
By making the width w of 1a smaller than the width w1 of the gate electrode wiring or the source electrode wiring below the protrusion 11a, the pixel electrode 13 and the color filter 14 overlap the gate electrode wiring and the source electrode wiring. It is formed.

【0028】また、画素電極13としては、酸化インジ
ウム膜、酸化スズ等の他の透明導電膜を用いて形成して
もよい。また、カラーフィルタ14を構成する有色樹脂
はインクジェット法、顔料分散法、ラミネート法等を用
いて形成してもよい。また、カラーフィルタ14として
絶縁性樹脂を用いて形成してもよい。また、本実施の形
態ではパッシベーション膜10を設けたが、パッシベー
ション膜10を有しない構造の液晶表示装置においても
同様の効果が得られる。
The pixel electrode 13 may be formed using another transparent conductive film such as an indium oxide film or tin oxide. Further, the colored resin forming the color filter 14 may be formed by using an inkjet method, a pigment dispersion method, a lamination method, or the like. Further, the color filter 14 may be formed using an insulating resin. Further, although the passivation film 10 is provided in the present embodiment, a similar effect can be obtained in a liquid crystal display device having no passivation film 10.

【0029】この発明によれば、カラーフィルタ14を
TFTアレイ基板側の隣接する画素の境界部分に形成さ
れた層間絶縁膜11の突部11aにより隔離された領域
内に形成するため、導電性有色樹脂をカラーフィルタに
用いても隣接画素との接触を防ぎ、歩留り向上が図れる
と共に、カラーフィルタ14を各画素部に整合させて形
成することで、TFTアレイ基板と対向基板との貼り合
わせ時の位置ずれを考慮する必要がなくなり、画素の開
口率を向上できる。また、カラーフィルタ14は、表示
領域の外周部において、赤(R)14a、緑(G)14
b、青(B)14cの三色が積層されて周辺BMの機能
を有するため、表示領域の周辺部における光漏れを防止
することができる。また、TFTや電極配線による段差
を層間絶縁膜11により平坦化すると共に、層間絶縁膜
11に形成する凹形状部の深さhを、凹形状部内の形成
される画素電極13およびカラーフィルタ14を合わせ
た厚みと同等にすることによりTFTアレイ基板の表面
を平坦化できるため、ラビング不良を防止して液晶分子
の配向異常による表示不良が防止できる。さらに、画素
電極13を層間絶縁膜11上に形成することにより、画
素電極13およびカラーフィルタ14はゲート電極配線
やソース電極配線とオーバーラップして形成できるた
め、画素の開口率を向上できる。
According to the present invention, since the color filter 14 is formed in a region isolated by the protrusion 11a of the interlayer insulating film 11 formed at the boundary between adjacent pixels on the TFT array substrate side, conductive color is provided. Even if resin is used for the color filter, contact with adjacent pixels can be prevented, the yield can be improved, and the color filter 14 is formed so as to be aligned with each pixel portion. It is not necessary to consider the displacement, and the aperture ratio of the pixel can be improved. The color filter 14 has a red (R) 14a and a green (G) 14 at the outer peripheral portion of the display area.
Since the three colors of b and blue (B) 14c are stacked and have the function of the peripheral BM, light leakage in the peripheral portion of the display area can be prevented. In addition, the step due to the TFT and the electrode wiring is flattened by the interlayer insulating film 11, and the depth h of the concave portion formed in the interlayer insulating film 11 is reduced by the pixel electrode 13 and the color filter 14 formed in the concave portion. Since the surface of the TFT array substrate can be flattened by making the thickness equal to the combined thickness, rubbing defects can be prevented and display defects due to abnormal alignment of liquid crystal molecules can be prevented. Further, by forming the pixel electrode 13 on the interlayer insulating film 11, the pixel electrode 13 and the color filter 14 can be formed so as to overlap the gate electrode wiring and the source electrode wiring, so that the aperture ratio of the pixel can be improved.

【0030】実施の形態2.図3はこの発明の実施の形
態2による液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造工程
の一部を示す断面図である。図中の符号は図2に示すも
のと同一であるので説明を省略する。
Embodiment 2 FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the TFT array substrate of the liquid crystal display according to Embodiment 2 of the present invention. The reference numerals in the figure are the same as those shown in FIG.

【0031】次に、本実施の形態による液晶表示装置の
TFTアレイ基板の製造方法について説明する。実施の
形態1と同様の方法により透明絶縁性基板1上にゲート
電極2、共通配線(図示せず)、ゲート絶縁膜4、半導
体層5、オーミックコンタクト層6、ソース電極7、ド
レイン電極8、チャネル部9、パッシベーション膜10
および画素部が凹形状にエッチングされ隣接する画素の
境界部分に突部11aを有する層間絶縁膜11を順次形
成する。なお、パッシベーション膜10および層間絶縁
膜11には、ドレイン電極がゲート絶縁膜を介して共通
配線と対向し保持容量を形成している部分(図示せず)
上にコンタクトホールおよび端子コンタクト用の開口部
が形成され、コンタクトホールおよび開口部を介してド
レイン電極が露出している。
Next, a method of manufacturing the TFT array substrate of the liquid crystal display according to the present embodiment will be described. In the same manner as in the first embodiment, a gate electrode 2, a common wiring (not shown), a gate insulating film 4, a semiconductor layer 5, an ohmic contact layer 6, a source electrode 7, a drain electrode 8, Channel part 9, passivation film 10
Then, the pixel portion is etched into a concave shape, and an interlayer insulating film 11 having a protrusion 11a at a boundary portion between adjacent pixels is sequentially formed. In the passivation film 10 and the interlayer insulating film 11, a portion (not shown) in which the drain electrode faces the common wiring via the gate insulating film and forms a storage capacitor.
A contact hole and an opening for terminal contact are formed thereon, and the drain electrode is exposed through the contact hole and the opening.

【0032】次に、層間絶縁膜11上に画素電極13を
構成する透明導電膜を成膜した後、カラーフィルタ14
(赤(R)14a、緑(G)14b、青(B)14c)
をインクジェット法、顔料分散法、ラミネート法等によ
り層間絶縁膜11の凹形状部内に順次形成する(図3
(a))。次に、カラーフィルタ14をマスクとして透
明導電膜をパターニングし、画素電極13を形成する
(図3(b))。以上の工程により形成されたTFTア
レイ基板を用い、実施の形態1と同様の方法により液晶
表示素子を構成する。
Next, after forming a transparent conductive film constituting the pixel electrode 13 on the interlayer insulating film 11, the color filter 14 is formed.
(Red (R) 14a, green (G) 14b, blue (B) 14c)
Are sequentially formed in the concave portion of the interlayer insulating film 11 by an ink-jet method, a pigment dispersion method, a laminating method or the like (FIG. 3).
(A)). Next, the transparent conductive film is patterned using the color filter 14 as a mask to form the pixel electrode 13 (FIG. 3B). Using the TFT array substrate formed by the above steps, a liquid crystal display element is formed by the same method as in the first embodiment.

【0033】本実施の形態によれば、カラーフィルタ1
4をインクジェット法、顔料分散法、ラミネート法を用
いて形成した場合においても、実施の形態1と同様の効
果が得られ、さらに、画素電極13を形成するための写
真製版工程を省略できる。
According to the present embodiment, the color filter 1
In the case where 4 is formed by an ink-jet method, a pigment dispersion method, or a laminating method, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and further, a photoengraving process for forming the pixel electrode 13 can be omitted.

【0034】実施の形態3.図4はこの発明の実施の形
態3による液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造工程
の一部を示す断面図である。図中の符号は図2に示すも
のと同一であるので説明を省略する。
Embodiment 3 FIG. 4 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the TFT array substrate of the liquid crystal display according to Embodiment 3 of the present invention. The reference numerals in the figure are the same as those shown in FIG.

【0035】次に、本実施の形態による液晶表示装置の
TFTアレイ基板の製造方法について説明する。実施の
形態1と同様の方法により透明絶縁性基板1上にゲート
電極2、共通配線(図示せず)、ゲート絶縁膜4、半導
体層5、オーミックコンタクト層6、ソース電極7、ド
レイン電極8、チャネル部9、パッシベーション膜10
および画素部が凹形状にエッチングされ隣接する画素の
境界部分に突部11aを有する層間絶縁膜11を順次形
成する。なお、パッシベーション膜10および層間絶縁
膜11には、ドレイン電極がゲート絶縁膜を介して共通
配線と対向し保持容量を形成している部分(図示せず)
上にコンタクトホールおよび端子コンタクト用の開口部
が形成され、コンタクトホールおよび開口部を介してド
レイン電極が露出している。
Next, a method of manufacturing the TFT array substrate of the liquid crystal display according to the present embodiment will be described. In the same manner as in the first embodiment, a gate electrode 2, a common wiring (not shown), a gate insulating film 4, a semiconductor layer 5, an ohmic contact layer 6, a source electrode 7, a drain electrode 8, Channel part 9, passivation film 10
Then, the pixel portion is etched into a concave shape, and an interlayer insulating film 11 having a protrusion 11a at a boundary portion between adjacent pixels is sequentially formed. In the passivation film 10 and the interlayer insulating film 11, a portion (not shown) in which the drain electrode faces the common wiring via the gate insulating film and forms a storage capacitor.
A contact hole and an opening for terminal contact are formed thereon, and the drain electrode is exposed through the contact hole and the opening.

【0036】次に、層間絶縁膜11を凹形状にエッチン
グする際に用いたレジスト16を残した状態で画素電極
13を構成する透明導電膜を成膜する(図4(a))。
続いてレジスト16を除去し、リフトオフ法により画素
電極13を形成する(図4(b))。その後、実施の形
態1と同様の方法によりカラーフィルタ14(赤(R)
14a、緑(G)14b、青(B)14c)を形成して
TFTアレイ基板を形成し、液晶表示素子を構成する。
Next, a transparent conductive film forming the pixel electrode 13 is formed with the resist 16 used when the interlayer insulating film 11 is etched into a concave shape (FIG. 4A).
Subsequently, the resist 16 is removed, and the pixel electrode 13 is formed by a lift-off method (FIG. 4B). Thereafter, the color filter 14 (red (R)) is formed in the same manner as in the first embodiment.
14a, green (G) 14b and blue (B) 14c) to form a TFT array substrate to form a liquid crystal display element.

【0037】本実施の形態によれば、実施の形態1と同
様の効果が得られると共に、画素電極13を形成するた
めの写真製版工程を省略できる。
According to the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the photoengraving step for forming the pixel electrode 13 can be omitted.

【0038】実施の形態4.図5はこの発明の実施の形
態4による液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造工程
の一部を示す断面図である。図中の符号は図2に示すも
のと同一であるので説明を省略する。
Embodiment 4 FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the TFT array substrate of the liquid crystal display according to Embodiment 4 of the present invention. The reference numerals in the figure are the same as those shown in FIG.

【0039】次に、本実施の形態による液晶表示装置の
TFTアレイ基板の製造方法について説明する。実施の
形態1と同様の方法により透明絶縁性基板1上にゲート
電極2、共通配線(図示せず)、ゲート絶縁膜4、半導
体層5、オーミックコンタクト層6、ソース電極7、ド
レイン電極8、チャネル部9、パッシベーション膜1
0、画素部が凹形状にエッチングされ隣接画素の境界部
分に突部11aを有する層間絶縁膜11および画素電極
13を順次形成する。なお、パッシベーション膜10お
よび層間絶縁膜11には、ドレイン電極がゲート絶縁膜
を介して共通配線と対向し保持容量を形成している部分
(図示せず)上にコンタクトホールおよび端子コンタク
ト用の開口部が形成され、コンタクトホールを介して画
素電極13はドレイン電極8と電気的に接続されてい
る。
Next, a method of manufacturing the TFT array substrate of the liquid crystal display according to the present embodiment will be described. In the same manner as in the first embodiment, a gate electrode 2, a common wiring (not shown), a gate insulating film 4, a semiconductor layer 5, an ohmic contact layer 6, a source electrode 7, a drain electrode 8, Channel part 9, passivation film 1
0, the pixel portion is etched into a concave shape, and an interlayer insulating film 11 having a protrusion 11a at a boundary portion between adjacent pixels and a pixel electrode 13 are sequentially formed. In the passivation film 10 and the interlayer insulating film 11, a contact hole and a terminal contact opening are formed on a portion (not shown) in which the drain electrode faces the common wiring via the gate insulating film and forms a storage capacitor. The pixel electrode 13 is electrically connected to the drain electrode 8 via a contact hole.

【0040】次に、導電性有色樹脂からなるカラーフィ
ルタ14(赤(R)14a、緑(G)、青(B)14
c)を層間絶縁膜11の凹形状部内に電着法、インクジ
ェット法あるいは感光性を有する導電性カラーレジスト
をフォトリソグラフィ法等により形成する(図5
(a))。次に、エッチバック処理を施し、隣接画素の
境界部分に設けられた層間絶縁膜11の突部11a上に
はみ出したカラーフィルタ14を除去する(図5
(b))。以上の工程により形成されたTFTアレイ基
板を用い、実施の形態1と同様の方法により液晶表示素
子を構成する。
Next, color filters 14 (red (R) 14a, green (G), blue (B) 14) made of conductive colored resin are used.
(c) is formed in the concave portion of the interlayer insulating film 11 by an electrodeposition method, an inkjet method, or a photosensitive color resist having photosensitivity by a photolithography method or the like (FIG. 5).
(A)). Next, an etch-back process is performed to remove the color filter 14 protruding from the protrusion 11a of the interlayer insulating film 11 provided at the boundary between adjacent pixels (FIG. 5).
(B)). Using the TFT array substrate formed by the above steps, a liquid crystal display element is formed by the same method as in the first embodiment.

【0041】本実施の形態によれば、導電性を有するカ
ラーフィルタに起因する隣接画素間の短絡防止に一層の
効果が得られる。
According to the present embodiment, a further effect can be obtained in preventing a short circuit between adjacent pixels due to the conductive color filter.

【0042】実施の形態5.図6はこの発明の実施の形
態5による液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造工程
の一部を示す断面図である。図において、17は層間絶
縁膜11上に形成された反射率の小さい金属膜(不透明
膜)である。なお、図2と同一部分には同符号を付し説
明を省略する。
Embodiment 5 FIG. FIG. 6 is a sectional view showing a part of the manufacturing process of the TFT array substrate of the liquid crystal display according to the fifth embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 17 denotes a metal film (opaque film) having a low reflectance formed on the interlayer insulating film 11. The same parts as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0043】次に、本実施の形態による液晶表示装置の
TFTアレイ基板の製造方法について説明する。実施の
形態1と同様の方法により透明絶縁性基板1上にゲート
電極2、共通配線3、ゲート絶縁膜4、半導体層5、オ
ーミックコンタクト層6、ソース電極7、ドレイン電極
8、チャネル部9、パッシベーション膜10およびコン
タクトホールを有する層間絶縁膜11を順次形成する。
次に、層間絶縁膜11上に金属膜17を成膜した後、隣
接する画素の境界部分にレジスト16を形成し(図6
(a))、これを用いて金属膜17をエッチングする。
続けて、レジスト16を用いて画素部の層間絶縁膜11
を凹形状にエッチングし、隣接する画素の境界部分に層
間絶縁膜11の突部11aを形成する。続けて、層間絶
縁膜11をマスクとして層間絶縁膜11に設けられたコ
ンタクトホールにより露出したパッシベーション膜10
をエッチングしてコンタクトホール12を形成後、レジ
スト16を除去する(図6(b))。
Next, a method of manufacturing the TFT array substrate of the liquid crystal display according to the present embodiment will be described. The gate electrode 2, the common wiring 3, the gate insulating film 4, the semiconductor layer 5, the ohmic contact layer 6, the source electrode 7, the drain electrode 8, the channel 9, A passivation film 10 and an interlayer insulating film 11 having a contact hole are sequentially formed.
Next, after a metal film 17 is formed on the interlayer insulating film 11, a resist 16 is formed at a boundary between adjacent pixels.
(A)), the metal film 17 is etched using this.
Subsequently, the interlayer insulating film 11 in the pixel portion is formed using the resist 16.
Is etched into a concave shape, and a protrusion 11a of the interlayer insulating film 11 is formed at the boundary between adjacent pixels. Subsequently, the passivation film 10 exposed through the contact holes provided in the interlayer insulating film 11 using the interlayer insulating film 11 as a mask.
Is etched to form a contact hole 12, and then the resist 16 is removed (FIG. 6B).

【0044】次に、層間絶縁膜11上にITO等の透明
導電膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法により形成
したレジストパターンを用いてエッチングし、層間絶縁
膜11の凹形状の底部に画素電極13を形成する。この
とき、画素電極13はコンタクトホール12を介してド
レイン電極8と電気的に接続される。次に、絶縁性樹脂
からなるカラーフィルタ14(赤(R)14a、緑
(G)、青(B)14c)をインクジェット法、顔料分
散法、ラミネート法等により層間絶縁膜11の突部11
a上の金属膜17にオーバーハングさせて層間絶縁膜1
1の凹形状部内に順次形成する。以上の工程により形成
されたTFTアレイ基板を用い、実施の形態1と同様の
方法により液晶表示素子を構成する。なお、金属膜17
の代わりにセラミック等の絶縁性不透明膜を用いてもよ
く、絶縁性不透明膜を用いた場合には導電性を有するカ
ラーフィルタを用いることができる。
Next, after a transparent conductive film such as ITO is formed on the interlayer insulating film 11, etching is performed using a resist pattern formed by photolithography, and a pixel electrode is formed on the concave bottom of the interlayer insulating film 11. 13 is formed. At this time, the pixel electrode 13 is electrically connected to the drain electrode 8 via the contact hole 12. Next, the color filters 14 (red (R) 14a, green (G), blue (B) 14c) made of an insulating resin are applied to the protrusions 11 of the interlayer insulating film 11 by an ink jet method, a pigment dispersion method, a laminating method or the like.
overhanging the metal film 17 on the interlayer insulating film 1
1 are sequentially formed in the concave portion. Using the TFT array substrate formed by the above steps, a liquid crystal display element is formed by the same method as in the first embodiment. The metal film 17
Instead, an insulating opaque film such as a ceramic may be used. When an insulating opaque film is used, a color filter having conductivity can be used.

【0045】本実施の形態によれば、実施の形態1と同
様の効果が得られると共に、隣接する画素の境界部分に
設けられた層間絶縁膜11の突部11a上に形成された
不透明膜(金属膜17)および不透明膜上にオーバーハ
ングして形成されたカラーフィルタ14は、BMの機能
を有して隣接画素間のコントラスト比を向上でき、ま
た、TFT部の光漏れを防止できる。
According to the present embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained, and the opaque film (not shown) formed on the protrusion 11a of the interlayer insulating film 11 provided at the boundary between adjacent pixels. The color filter 14 formed by overhanging on the metal film 17) and the opaque film has the function of BM, can improve the contrast ratio between adjacent pixels, and can prevent light leakage in the TFT portion.

【0046】実施の形態6.図7はこの発明の実施の形
態6による液晶表示装置のTFTアレイ基板を示す断面
図、図8は図7のTFTアレイ基板の製造工程の一部を
示す断面図である。図において、12aはパッシベーシ
ョン膜10および層間絶縁膜11に形成されるコンタク
トホール12に連通するカラーフィルタ14に形成され
た開口部である。なお、図1および図2と同一部分には
同符号を付し説明を省略する。
Embodiment 6 FIG. FIG. 7 is a sectional view showing a TFT array substrate of a liquid crystal display according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a sectional view showing a part of a manufacturing process of the TFT array substrate of FIG. In the figure, reference numeral 12a denotes an opening formed in the color filter 14 communicating with the contact hole 12 formed in the passivation film 10 and the interlayer insulating film 11. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0047】次に、本実施の形態による液晶表示装置の
TFTアレイ基板の製造方法について説明する。実施の
形態1と同様の方法により透明絶縁性基板1上にゲート
電極2、共通配線3、ゲート絶縁膜4、半導体層5、オ
ーミックコンタクト層6、ソース電極7、ドレイン電極
8、チャネル部9およびパッシベーション膜10を順次
形成する。次に、感光性を有するアクリル系透明樹脂を
TFTおよび電極配線による段差を吸収して表面が平坦
化されるように塗布し、所定の部分に遮光膜パターンを
有するマスク15を介して露光処理を施し(図8
(a))、ドレイン電極8がゲート絶縁膜4を介して共
通配線3と対向し保持容量を形成している部分上にコン
タクトホールおよび端子コンタクト用の開口部(図示せ
ず)を形成する。その後、焼成を行い層間絶縁膜11を
形成する。次に、図8(b)に示すように、隣接する画
素の境界部分にレジスト16を形成し、画素部の層間絶
縁膜11を凹形状にエッチング(図8(b)の点線形
状)し、隣接する画素の境界部分に層間絶縁膜11の突
部11aを形成する。続けて、層間絶縁膜11をマスク
とし、層間絶縁膜11に設けられたコンタクトホールに
より露出したパッシベーション膜10をエッチングして
コンタクトホール12を形成し、ドレイン電極8を露出
させる。同時に端子コンタクト部のパッシベーション膜
10も除去する。
Next, a method of manufacturing the TFT array substrate of the liquid crystal display according to the present embodiment will be described. The gate electrode 2, the common wiring 3, the gate insulating film 4, the semiconductor layer 5, the ohmic contact layer 6, the source electrode 7, the drain electrode 8, the channel portion 9, and the like are formed on the transparent insulating substrate 1 in the same manner as in the first embodiment. A passivation film 10 is sequentially formed. Next, an acrylic transparent resin having photosensitivity is applied so as to absorb a step caused by the TFT and the electrode wiring so that the surface is flattened, and exposed to light through a mask 15 having a light-shielding film pattern on a predetermined portion. Alms (Fig. 8
(A)) A contact hole and an opening (not shown) for a terminal contact are formed on a portion where the drain electrode 8 faces the common wiring 3 via the gate insulating film 4 and forms a storage capacitor. Thereafter, baking is performed to form the interlayer insulating film 11. Next, as shown in FIG. 8B, a resist 16 is formed at the boundary between adjacent pixels, and the interlayer insulating film 11 in the pixel portion is etched into a concave shape (dotted line shape in FIG. 8B). A protrusion 11a of the interlayer insulating film 11 is formed at a boundary between adjacent pixels. Subsequently, using the interlayer insulating film 11 as a mask, the passivation film 10 exposed by the contact hole provided in the interlayer insulating film 11 is etched to form a contact hole 12, and the drain electrode 8 is exposed. At the same time, the passivation film 10 in the terminal contact portion is also removed.

【0048】次に、カラーフィルタ14(赤(R)14
a、緑(G)14b、青(B)14c)を構成する感光
性カラーレジストを層間絶縁膜11上に形成した後、露
光、現像処理によりコンタクトホール12に対応した開
口部12aを有し、凹形状部内に各画素に整合したカラ
ーフィルタ14を形成する。なお、カラーフィルタ14
は表示領域の外周部において赤(R)14a、緑(G)
14b、青(B)14cの三色が積層されることによ
り、周辺BMの機能を有する。次に、ITO等の透明導
電膜を成膜した後(図8(c))、フォトリソグラフィ
法により形成したレジストパターンを用いてエッチング
し、層間絶縁膜11の凹形状部内のカラーフィルタ14
上に画素電極13を形成する(図8(d))。このと
き、画素電極13はカラーフィルタ14に設けられた開
口部12aおよびコンタクトホール12を介してドレイ
ン電極8と電気的に接続される。以上の工程により形成
されたTFTアレイ基板を用い、実施の形態1と同様の
方法により液晶表示素子を構成する。
Next, the color filter 14 (red (R) 14
a, green (G) 14b, and blue (B) 14c) are formed on the interlayer insulating film 11, and then have openings 12a corresponding to the contact holes 12 by exposure and development. A color filter 14 matching each pixel is formed in the concave portion. The color filter 14
Are red (R) 14a and green (G) at the outer periphery of the display area.
The three colors of 14b and blue (B) 14c are stacked to have a peripheral BM function. Next, after forming a transparent conductive film such as ITO (FIG. 8C), etching is performed using a resist pattern formed by a photolithography method, and the color filter 14 in the concave portion of the interlayer insulating film 11 is formed.
The pixel electrode 13 is formed thereon (FIG. 8D). At this time, the pixel electrode 13 is electrically connected to the drain electrode 8 via the opening 12 a provided in the color filter 14 and the contact hole 12. Using the TFT array substrate formed by the above steps, a liquid crystal display element is formed by the same method as in the first embodiment.

【0049】なお、画素電極13としては、酸化インジ
ウム膜、酸化スズ等の他の透明導電膜を用いて形成して
もよい。また、カラーフィルタ14は感光性のカラーレ
ジストを用いて形成したが、非感光性の有色樹脂を形成
しレジストを用いたフォトリソグラフィ法により形成し
てもよい。また、カラーレジストの塗布方法は上述した
方法等に限定しない。また、カラーフィルタ14を構成
する有色樹脂は導電性、絶縁性どちらでもよい。本実施
の形態によっても、実施の形態1と同様の効果が得られ
る。
The pixel electrode 13 may be formed using another transparent conductive film such as an indium oxide film or tin oxide. The color filter 14 is formed using a photosensitive color resist, but may be formed by forming a non-photosensitive colored resin and using a photolithography method using the resist. Further, the method of applying the color resist is not limited to the above-described method and the like. The colored resin constituting the color filter 14 may be either conductive or insulating. According to the present embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0050】実施の形態7.図9はこの発明の実施の形
態7による液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造工程
の一部を示す断面図である。図中の符号は図8に示すも
のと同一であるので説明を省略する。
Embodiment 7 FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the TFT array substrate of the liquid crystal display according to Embodiment 7 of the present invention. The reference numerals in the figure are the same as those shown in FIG.

【0051】次に、本実施の形態による液晶表示装置の
TFTアレイ基板の製造方法について説明する。実施の
形態1と同様の方法により透明絶縁性基板1上にゲート
電極2、共通配線3、ゲート絶縁膜4、半導体層5、オ
ーミックコンタクト層6、ソース電極7、ドレイン電極
8、チャネル部9およびパッシベーション膜10を順次
形成する。次に、感光性を有しない絶縁性透明樹脂をT
FTおよび電極配線による段差を吸収して表面が平坦化
されるように塗布し、焼成を行い層間絶縁膜11を形成
する。次に、フォトリソグラフィ法により形成したレジ
ストパターンを用いてエッチングし、画素部の層間絶縁
膜11を凹形状に形成し、隣接する画素の境界部分に層
間絶縁膜11の突部11aを形成する。
Next, a method of manufacturing the TFT array substrate of the liquid crystal display according to the present embodiment will be described. The gate electrode 2, the common wiring 3, the gate insulating film 4, the semiconductor layer 5, the ohmic contact layer 6, the source electrode 7, the drain electrode 8, the channel portion 9, and the like are formed on the transparent insulating substrate 1 in the same manner as in the first embodiment. A passivation film 10 is sequentially formed. Next, the non-photosensitive insulating transparent resin is
The interlayer insulating film 11 is formed by applying the film so that the surface is flattened by absorbing a step due to the FT and the electrode wiring, and baking is performed. Next, etching is performed using a resist pattern formed by a photolithography method, the interlayer insulating film 11 in the pixel portion is formed in a concave shape, and a protrusion 11a of the interlayer insulating film 11 is formed at a boundary portion between adjacent pixels.

【0052】次に、カラーフィルタ14(赤(R)14
a、緑(G)14b、青(B)14c)を構成する感光
性カラーレジストを層間絶縁膜11に形成し、フォトリ
ソグラフィ法によって凹形状部内に各画素に整合させて
形成する。なお、カラーフィルタ14はドレイン電極8
がゲート絶縁膜4を介して共通配線3と対向し保持容量
を形成している部分上に開口部12aおよび端子コンタ
クト用の開口部(図示せず)が形成されている(図9
(a))。次に、カラーフィルタ14をマスクとして開
口部12aにより露出した層間絶縁膜11およびパッシ
ベーション膜10をエッチングし、コンタクトホール1
2を形成してドレイン電極8を露出させる。同時に端子
コンタクト部の層間絶縁膜11およびパッシベーション
膜10も除去する。次に、ITO等の透明導電膜を成膜
した後、フォトリソグラフィ法により形成したレジスト
パターンを用いてエッチングし、層間絶縁膜11の凹形
状部内のカラーフィルタ14上に画素電極13を形成す
る(図9(b))。このとき、画素電極13はカラーフ
ィルタ14に形成された開口部12aおよびコンタクト
ホール12を介してドレイン電極8と電気的に接続され
る。以上の工程により形成されたTFTアレイ基板を用
い、実施の形態1と同様の方法により液晶表示素子を構
成する。
Next, the color filter 14 (red (R) 14
a, green (G) 14b and blue (B) 14c) are formed on the interlayer insulating film 11, and are formed in the concave portion by photolithography so as to be aligned with each pixel. The color filter 14 is connected to the drain electrode 8
The opening 12a and an opening (not shown) for a terminal contact are formed on a portion facing the common wiring 3 via the gate insulating film 4 and forming a storage capacitor (FIG. 9).
(A)). Next, using the color filter 14 as a mask, the interlayer insulating film 11 and the passivation film 10 exposed through the opening 12a are etched to form the contact hole 1
2 is formed to expose the drain electrode 8. At the same time, the interlayer insulating film 11 and the passivation film 10 in the terminal contact portion are also removed. Next, after forming a transparent conductive film such as ITO, the pixel electrode 13 is formed on the color filter 14 in the concave portion of the interlayer insulating film 11 by etching using a resist pattern formed by a photolithography method ( FIG. 9 (b). At this time, the pixel electrode 13 is electrically connected to the drain electrode 8 via the opening 12 a formed in the color filter 14 and the contact hole 12. Using the TFT array substrate formed by the above steps, a liquid crystal display element is formed by the same method as in the first embodiment.

【0053】本実施の形態によれば、実施の形態6と比
して、層間絶縁膜11を構成する透明樹脂として安価な
非感光性樹脂を用いることができると共に、コンタクト
ホール12とカラーフィルタ14に形成される開口部1
2aの位置合わせを必要としない。
According to the present embodiment, as compared with the sixth embodiment, an inexpensive non-photosensitive resin can be used as the transparent resin forming the interlayer insulating film 11, and the contact holes 12 and the color filters 14 can be used. Opening 1 formed in
No alignment of 2a is required.

【0054】実施の形態8.図10はこの発明の実施の
形態8による液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造工
程の一部を示す断面図である。図中の符号は図2に示す
ものと同一であるので説明を省略する。
Embodiment 8 FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the TFT array substrate of the liquid crystal display according to Embodiment 8 of the present invention. The reference numerals in the figure are the same as those shown in FIG.

【0055】次に、本実施の形態による液晶表示装置の
TFTアレイ基板の製造方法について説明する。実施の
形態1と同様の方法により透明絶縁性基板1上にゲート
電極2、共通配線3、ゲート絶縁膜4、半導体層5、オ
ーミックコンタクト層6、ソース電極7、ドレイン電極
8、チャネル部9、パッシベーション膜10および画素
部が凹形状にエッチングされ隣接する画素の境界部分に
突部11aを有する層間絶縁膜11を順次形成する(図
10(a))。なお、パッシベーション膜10および層
間絶縁膜11には、ドレイン電極8がゲート絶縁膜4を
介して共通配線3と対向し保持容量を形成している部分
上にコンタクトホール12および端子コンタクト用の開
口部(図示せず)が形成され、コンタクトホール12お
よび開口部を介してドレイン電極8が露出している。
Next, a method of manufacturing the TFT array substrate of the liquid crystal display according to the present embodiment will be described. The gate electrode 2, the common wiring 3, the gate insulating film 4, the semiconductor layer 5, the ohmic contact layer 6, the source electrode 7, the drain electrode 8, the channel 9, The passivation film 10 and the pixel portion are etched into a concave shape, and an interlayer insulating film 11 having a protrusion 11a at a boundary portion between adjacent pixels is sequentially formed (FIG. 10A). In the passivation film 10 and the interlayer insulating film 11, a contact hole 12 and an opening for terminal contact are formed on a portion where the drain electrode 8 faces the common wiring 3 via the gate insulating film 4 and forms a storage capacitor. (Not shown) are formed, and the drain electrode 8 is exposed through the contact hole 12 and the opening.

【0056】次に、バインダーに顔料および導電性粉末
(ITO)等を分散させた樹脂からなるカラーフィルタ
14(赤(R)14a、緑(G)14b、青(B)14
c)を、層間絶縁膜11の凹形状部内に各画素に整合さ
せ、かつ凹形状部の深さと同じ厚みなるようインクジェ
ット法、顔料分散法、ラミネート法等により順次形成す
る(図10(b))。このとき、導電性を有するカラー
フィルタ14はコンタクトホール12を介してドレイン
電極8と電気的に接続することにより画素電極としての
機能を有する。以上の工程により形成されたTFTアレ
イ基板を用い、実施の形態1と同様の方法により液晶表
示素子を構成する。
Next, a color filter 14 (red (R) 14a, green (G) 14b, blue (B) 14) made of a resin in which a pigment, conductive powder (ITO) or the like is dispersed in a binder.
c) is sequentially formed by an inkjet method, a pigment dispersion method, a laminating method, or the like so as to match each pixel in the concave portion of the interlayer insulating film 11 and to have the same thickness as the depth of the concave portion (FIG. 10B). ). At this time, the color filter 14 having conductivity has a function as a pixel electrode by being electrically connected to the drain electrode 8 through the contact hole 12. Using the TFT array substrate formed by the above steps, a liquid crystal display element is formed by the same method as in the first embodiment.

【0057】本実施の形態によれば、実施の形態1と同
様の効果が得られると共に、カラーフィルタ14を導電
性が良好な樹脂を用いて構成することにより画素電極と
して機能させることができ、画素電極の製造工程を省略
できる。
According to the present embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and the color filter 14 can be made to function as a pixel electrode by using a resin having good conductivity. The manufacturing process of the pixel electrode can be omitted.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、TF
Tアレイ基板のTFTや電極配線上に形成され表面を平
坦化する層間絶縁膜の画素部(画素電極の形成領域)を
凹形状にエッチングすることにより隣接する画素の境界
部分に突部を形成し、この突部により隔離された領域内
にカラーフィルタを形成するため、導電性有色樹脂をカ
ラーフィルタに用いても、隣接画素との接触を防ぐこと
ができ、画素間のショートによる不良を防げるので、歩
留り向上が図れる。さらに、カラーフィルタを各画素部
に整合させて形成することができるため、TFTアレイ
基板と対向基板との張り合わせ時の位置ずれを考慮する
必要がなくなり、高品質かつ高開口率の液晶表示装置を
得ることができる。また、TFTや電極配線による段差
を層間絶縁膜により平坦化すると共に、層間絶縁膜に形
成する凹形状部の深さを、凹形状部内の形成される画素
電極およびカラーフィルタを合わせた厚みと同等にする
ことによりTFTアレイ基板の表面を平坦化できるた
め、ラビング不良を防止して液晶分子の配向異常による
表示不良が防止できる。さらに、画素電極を層間絶縁膜
上に形成することにより、画素電極およびカラーフィル
タをゲート電極配線やソース電極配線とオーバーラップ
して形成できるため、画素の開口率を向上できる。
As described above, according to the present invention, TF
The pixel portion (pixel electrode formation region) of the interlayer insulating film formed on the TFT and the electrode wiring of the T-array substrate and flattening the surface is etched into a concave shape to form a protrusion at a boundary portion between adjacent pixels. Since a color filter is formed in a region isolated by the projection, even if a conductive colored resin is used for the color filter, contact with adjacent pixels can be prevented, and defects due to short circuit between pixels can be prevented. The yield can be improved. Further, since the color filters can be formed so as to be aligned with the respective pixel portions, there is no need to consider a positional shift at the time of bonding the TFT array substrate and the counter substrate, and a high quality and high aperture ratio liquid crystal display device can be provided. Obtainable. In addition, the step due to the TFT and the electrode wiring is flattened by the interlayer insulating film, and the depth of the concave portion formed in the interlayer insulating film is equal to the combined thickness of the pixel electrode and the color filter formed in the concave portion. By doing so, the surface of the TFT array substrate can be flattened, so that rubbing defects can be prevented and display defects due to abnormal alignment of liquid crystal molecules can be prevented. Further, by forming the pixel electrode on the interlayer insulating film, the pixel electrode and the color filter can be formed so as to overlap with the gate electrode wiring and the source electrode wiring, so that the aperture ratio of the pixel can be improved.

【0059】また、カラーフィルタをマスクとして、あ
るいは層間絶縁膜に凹形状部を設ける際に形成したレジ
ストを用いて、画素電極をパターニングすることによ
り、画素電極形成のためのフォトリソグラフィ法を省略
して、生産性を向上できる。また、カラーフィルタを低
抵抗材料を用いて構成することにより画素電極を省略で
き、製造工程を簡易化して生産性の向上およびコストの
低減を図れる。
Further, by patterning the pixel electrode using a color filter as a mask or a resist formed when a concave portion is provided in the interlayer insulating film, the photolithography method for forming the pixel electrode can be omitted. Thus, productivity can be improved. Further, by forming the color filter using a low-resistance material, the pixel electrode can be omitted, the manufacturing process can be simplified, and the productivity can be improved and the cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1による液晶表示装置
のTFTアレイ基板を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a TFT array substrate of a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明の実施の形態1による液晶表示装置
のTFTアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a step of manufacturing the TFT array substrate of the liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention.

【図3】 この発明の実施の形態2による液晶表示装置
のTFTアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a step of manufacturing a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention.

【図4】 この発明の実施の形態3による液晶表示装置
のTFTアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step of manufacturing a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention.

【図5】 この発明の実施の形態4による液晶表示装置
のTFTアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a step of manufacturing a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to Embodiment 4 of the present invention.

【図6】 この発明の実施の形態5による液晶表示装置
のTFTアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view illustrating a manufacturing process of a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】 この発明の実施の形態6による液晶表示装置
のTFTアレイ基板を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing a TFT array substrate of a liquid crystal display according to a sixth embodiment of the present invention.

【図8】 この発明の実施の形態6による液晶表示装置
のTFTアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view illustrating a manufacturing process of a TFT array substrate of a liquid crystal display according to a sixth embodiment of the present invention.

【図9】 この発明の実施の形態7による液晶表示装置
のTFTアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a step of manufacturing a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to Embodiment 7 of the present invention.

【図10】 この発明の実施の形態8による液晶表示装
置のTFTアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view illustrating a manufacturing process of a TFT array substrate of a liquid crystal display device according to an eighth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明絶縁性基板、2 ゲート電極、3 共通配線、
4 ゲート絶縁膜、5 半導体層、6 オーミックコン
タクト層、7 ソース電極、8 ドレイン電極、9 チ
ャネル部、10 パッシベーション膜、11 層間絶縁
膜、11a 突部、12 コンタクトホール、13 画
素電極、14 カラーフィルタ、14a 赤、14b
緑、14c 青、15 マスク、16 レジスト、17
金属膜。
1 transparent insulating substrate, 2 gate electrode, 3 common wiring,
4 gate insulating film, 5 semiconductor layer, 6 ohmic contact layer, 7 source electrode, 8 drain electrode, 9 channel portion, 10 passivation film, 11 interlayer insulating film, 11a protrusion, 12 contact hole, 13 pixel electrode, 14 color filter , 14a red, 14b
Green, 14c blue, 15 mask, 16 resist, 17
Metal film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H048 BA45 BA62 BA64 BB02 BB14 BB24 BB28 BB42 2H091 FA02Y FC05 FC06 FC12 FC26 FD06 GA07 GA13 LA12 LA16 2H092 JA24 JA46 JB52 JB57 JB58 KA05 KA12 KA18 KB04 KB22 MA05 MA08 MA13 MA17 MA27 MA37 NA04 NA07 NA16 NA19 NA29 PA08 PA09  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (Reference) 2H048 BA45 BA62 BA64 BB02 BB14 BB24 BB28 BB42 2H091 FA02Y FC05 FC06 FC12 FC26 FD06 GA07 GA13 LA12 LA16 2H092 JA24 JA46 JB52 JB57 JB58 KA05 KA12 KA18 KB04 MA22 MA05 MA08 MA08 NA07 NA16 NA19 NA29 PA08 PA09

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明絶縁性基板と、 上記透明絶縁性基板上で行方向に形成された複数本の走
査線と、 この走査線と交差する列方向に形成された複数本の信号
線と、 平行する各々二本の上記走査線と信号線で区画された画
素領域に形成されたスイッチング素子と、 上記走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
形成され、上記走査線、信号線およびスイッチング素子
の段差を吸収する層間絶縁膜と、 上記層間絶縁膜上の上記各画素領域に形成され、上記層
間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して上記ス
イッチング素子と電気的に接続された画素電極と、 上記画素電極上に形成されたカラーフィルタを有する第
一の基板、 上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を
備え、 上記層間絶縁膜は上記画素領域が凹形状にエッチングさ
れ、隣接する画素間は上記層間絶縁膜の突部により隔離
された構造を有し、上記画素電極およびカラーフィルタ
は上記層間絶縁膜の突部で隔離された凹形状部内に形成
されていることを特徴とする液晶表示装置。
A transparent insulating substrate; a plurality of scanning lines formed in a row direction on the transparent insulating substrate; a plurality of signal lines formed in a column direction intersecting the scanning lines; A switching element formed in a pixel region defined by each of the two parallel scanning lines and signal lines; and a switching element formed in a layer above the scanning line, the signal line, and the switching element, and the scanning line, the signal line, and the switching element. An interlayer insulating film that absorbs a step of a pixel electrode formed in each of the pixel regions on the interlayer insulating film and electrically connected to the switching element via a contact hole provided in the interlayer insulating film; A first substrate having a color filter formed on the pixel electrode, a second substrate sandwiching a liquid crystal material together with the first substrate, wherein the interlayer insulating film has a concave pixel region. It is etched and has a structure in which adjacent pixels are separated by a protrusion of the interlayer insulating film, and the pixel electrode and the color filter are formed in a concave portion separated by the protrusion of the interlayer insulating film. A liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
【請求項2】 透明絶縁性基板と、 上記透明絶縁性基板上で行方向に形成された複数本の走
査線と、 この走査線と交差する列方向に形成された複数本の信号
線と、 平行する各々二本の上記走査線と信号線で区画された画
素領域に形成されたスイッチング素子と、 上記走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
形成され、上記走査線、信号線およびスイッチング素子
の段差を吸収する層間絶縁膜と、 上記層間絶縁膜上で上記各画素領域に整合して形成され
たカラーフィルタと、 上記カラーフィルタ上に形成され、上記層間絶縁膜およ
びカラーフィルタに設けられたコンタクトホールを介し
て上記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極
を有する第一の基板、 上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を
備え、 上記層間絶縁膜は上記画素領域が凹形状にエッチングさ
れ、隣接する画素間は上記層間絶縁膜の突部により隔離
された構造を有し、上記カラーフィルタおよび画素電極
は上記層間絶縁膜の突部で隔離された凹形状部内に形成
されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. A transparent insulating substrate; a plurality of scanning lines formed in a row direction on the transparent insulating substrate; a plurality of signal lines formed in a column direction intersecting the scanning lines; A switching element formed in a pixel region defined by each of the two parallel scanning lines and signal lines; and a switching element formed in a layer above the scanning line, the signal line, and the switching element, and the scanning line, the signal line, and the switching element. An interlayer insulating film that absorbs a step of; a color filter formed on the interlayer insulating film so as to match the pixel regions; formed on the color filter and provided on the interlayer insulating film and the color filter. A first substrate having a pixel electrode electrically connected to the switching element via a contact hole; and a second substrate sandwiching a liquid crystal material with the first substrate. The interlayer insulating film has a structure in which the pixel region is etched into a concave shape, adjacent pixels are separated by a protrusion of the interlayer insulating film, and the color filter and the pixel electrode are formed by protrusions of the interlayer insulating film. A liquid crystal display device formed in an isolated concave portion.
【請求項3】 透明絶縁性基板と、 上記透明絶縁性基板上で行方向に形成された複数本の走
査線と、 この走査線と交差する列方向に形成された複数本の信号
線と、 平行する各々二本の上記走査線と信号線で区画された画
素領域に形成されたスイッチング素子と、 上記走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
形成され、上記走査線、信号線およびスイッチング素子
の段差を吸収する層間絶縁膜と、 上記層間絶縁膜上で上記各画素領域に整合して形成さ
れ、上記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介
して上記スイッチング素子と電気的に接続された導電性
を有するカラーフィルタを有する第一の基板、 上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を
備え、 上記層間絶縁膜は上記画素領域が凹形状にエッチングさ
れ、隣接する画素間は上記層間絶縁膜の突部により隔離
された構造を有し、上記カラーフィルタは上記層間絶縁
膜の突部で隔離された凹形状部内に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
3. A transparent insulating substrate; a plurality of scanning lines formed in a row direction on the transparent insulating substrate; a plurality of signal lines formed in a column direction intersecting the scanning lines; A switching element formed in a pixel region defined by each of the two parallel scanning lines and signal lines; and a switching element formed in a layer above the scanning line, the signal line, and the switching element, and the scanning line, the signal line, and the switching element. And an interlayer insulating film that absorbs a step of, formed on the interlayer insulating film in alignment with each of the pixel regions, and electrically connected to the switching element through a contact hole provided in the interlayer insulating film. A first substrate having a color filter having conductivity, a second substrate sandwiching a liquid crystal material together with the first substrate, wherein the interlayer region is etched in such a manner that the pixel region is concave. Liquid crystal characterized in that adjacent pixels have a structure separated by a protrusion of the interlayer insulating film, and the color filter is formed in a concave portion separated by the protrusion of the interlayer insulating film. Display device.
【請求項4】 導電性を有するカラーフィルタは、画素
電極として機能できるよう低抵抗材料により構成される
ことを特徴とする請求項3記載の液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the conductive color filter is made of a low-resistance material so as to function as a pixel electrode.
【請求項5】 層間絶縁膜の凹形状部の深さは、上記凹
形状部内に形成される画素電極とカラーフィルタの厚み
を合わせた厚み、もしくは導電性を有するカラーフィル
タの厚みの±200nm以内であることを特徴とする請
求項1〜4のいずれか一項記載の液晶表示装置。
5. The depth of the concave portion of the interlayer insulating film is within ± 200 nm of the total thickness of the pixel electrode and the color filter formed in the concave portion or the thickness of the conductive color filter. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
【請求項6】 透明絶縁性基板と、 上記透明絶縁性基板上で行方向に形成された複数本の走
査線と、 この走査線と交差する列方向に形成された複数本の信号
線と、 平行する各々二本の上記走査線と信号線で区画された画
素領域に形成されたスイッチング素子と、 上記走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
形成され、上記走査線、信号線およびスイッチング素子
の段差を吸収すると共に、表面には上記画素領域を凹形
状にエッチングすることにより隣接画素間に形成された
突部を有する層間絶縁膜と、 上記層間絶縁膜の突部上に形成された不透明膜と、 上記層間絶縁膜の凹形状の底部に形成され、上記層間絶
縁膜に設けられたコンタクトホールを介して上記スイッ
チング素子と電気的に接続された画素電極と、 上記画素電極上に形成されたカラーフィルタを有する第
一の基板、 上記第一の基板と共に液晶材料を挟持する第二の基板を
備え、 上記カラーフィルタは上記層間絶縁膜の突部上に形成さ
れた上記不透明膜にオーバーハングして形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
6. A transparent insulating substrate, a plurality of scanning lines formed in a row direction on the transparent insulating substrate, a plurality of signal lines formed in a column direction intersecting the scanning lines, A switching element formed in a pixel region defined by each of the two parallel scanning lines and signal lines; and a switching element formed in a layer above the scanning line, the signal line, and the switching element, and the scanning line, the signal line, and the switching element. And an interlayer insulating film having a protrusion formed between adjacent pixels by etching the pixel region into a concave shape on the surface, and an opaque film formed on the protrusion of the interlayer insulating film. A film, a pixel electrode formed on the concave bottom of the interlayer insulating film, and electrically connected to the switching element via a contact hole provided in the interlayer insulating film; and A first substrate having a color filter formed thereon, comprising a second substrate sandwiching a liquid crystal material together with the first substrate, wherein the color filter is formed on the opaque film formed on a protrusion of the interlayer insulating film. A liquid crystal display device characterized by being formed overhanging.
【請求項7】 不透明膜は金属膜であり、カラーフィル
タは絶縁性樹脂により構成されていることを特徴とする
請求項6記載の液晶表示装置。
7. The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the opaque film is a metal film, and the color filter is made of an insulating resin.
【請求項8】 不透明膜は絶縁膜であり、カラーフィル
タは導電性樹脂により構成されていることを特徴とする
請求項6記載の液晶表示装置。
8. The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the opaque film is an insulating film, and the color filter is made of a conductive resin.
【請求項9】 層間絶縁膜の突部の幅は、走査線および
信号線の幅より小さく形成され、上記層間絶縁膜の凹形
状部内に形成される画素電極およびカラーフィルタは上
記走査線および信号線にオーバーラップして形成される
ことを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項記載の液
晶表示装置。
9. The width of the projection of the interlayer insulating film is formed smaller than the width of the scanning line and the signal line, and the pixel electrode and the color filter formed in the concave portion of the interlayer insulating film are formed of the scanning line and the signal line. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is formed so as to overlap a line.
【請求項10】 カラーフィルタは、表示領域の外周部
において上記カラーフィルタを構成する複数色が積層さ
れることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項記載
の液晶表示装置。
10. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a plurality of colors constituting the color filter are laminated on an outer peripheral portion of the display area.
【請求項11】 少なくともいずれか一方には電極が形
成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着す
ると共に、上記二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料
が挟持されている液晶表示装置の製造方法において、 上記二枚の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走
査線と、この走査線と交差する列方向に複数本の信号線
と、平行する各々二本の上記走査線と信号線で区画され
た画素領域にスイッチング素子を形成する工程と、 上記走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
感光性を有する透明樹脂を塗布し、露光、現像により所
定の位置にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成
する工程と、 レジストパターンを形成し、上記層間絶縁膜の上記画素
領域を凹形状にエッチングして隣接する画素間に上記層
間絶縁膜の突部を形成する工程と、 上記層間絶縁膜上および上記コンタクトホール内に透明
導電膜を成膜し、上記層間絶縁膜の突部上の上記透明導
電膜をエッチングして上記スイッチング素子と上記コン
タクトホールを介して電気的に接続された画素電極を上
記層間絶縁膜の凹形状の底部に形成する工程と、 有色樹脂を用いて上記層間絶縁膜の突部により隔離され
た凹形状部内の上記画素電極上にカラーフィルタを形成
する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
11. At least one of two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is opposed to and bonded to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a plurality of scanning lines in a row direction on one of the two transparent insulating substrates; a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines; Forming a switching element in a pixel area defined by the scanning line and the signal line; applying a transparent resin having photosensitivity to a layer above the scanning line, the signal line and the switching element; and exposing and developing the resin. Forming an interlayer insulating film having a contact hole at a position, forming a resist pattern, etching the pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape, and forming the interlayer insulating film between adjacent pixels. Forming a projecting portion, forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film and in the contact hole, etching the transparent conductive film on the projecting portion of the interlayer insulating film, and contacting the switching element with the switching element. Forming a pixel electrode electrically connected through a hole on the concave bottom of the interlayer insulating film; and forming the pixel in the concave portion separated by a protrusion of the interlayer insulating film using a colored resin. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising a step of forming a color filter on an electrode.
【請求項12】 少なくともいずれか一方には電極が形
成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着す
ると共に、上記二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料
が挟持されている液晶表示装置の製造方法において、 上記二枚の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走
査線と、この走査線と交差する列方向に複数本の信号線
と、平行する各々二本の上記走査線と信号線で区画され
た画素領域にスイッチング素子を形成する工程と、 上記走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
感光性を有する透明樹脂を塗布し、露光、現像により所
定の位置にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成
する工程と、 レジストパターンを形成し、上記層間絶縁膜の上記画素
領域を凹形状にエッチングして隣接する画素間に上記層
間絶縁膜の突部を形成する工程と、 上記層間絶縁膜の突部を形成するために用いた上記レジ
ストを残存させた状態で上記層間絶縁膜上および上記コ
ンタクトホール内に透明導電膜を成膜する工程と、 上記レジストを除去することにより、上記層間絶縁膜の
突部上の上記透明導電膜をリフトオフ法により除去し、
上記スイッチング素子と上記コンタクトホールを介して
電気的に接続された画素電極を上記層間絶縁膜の凹形状
の底部に形成する工程と、 有色樹脂を用いて上記層間絶縁膜の突部により隔離され
た凹形状部内の上記画素電極上にカラーフィルタを形成
する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
12. At least one of two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is opposed to and bonded to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a plurality of scanning lines in a row direction on one of the two transparent insulating substrates; a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines; Forming a switching element in a pixel area defined by the scanning line and the signal line; applying a transparent resin having photosensitivity to a layer above the scanning line, the signal line and the switching element; and exposing and developing the resin. Forming an interlayer insulating film having a contact hole at a position, forming a resist pattern, etching the pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape, and forming the interlayer insulating film between adjacent pixels. Forming a protrusion; and forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film and in the contact hole with the resist used for forming the protrusion of the interlayer insulating film remaining. By removing the resist, the transparent conductive film on the protrusion of the interlayer insulating film is removed by a lift-off method,
Forming a pixel electrode electrically connected to the switching element via the contact hole at the concave bottom of the interlayer insulating film; and isolating the pixel electrode by a protrusion of the interlayer insulating film using a colored resin. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising a step of forming a color filter on the pixel electrode in the concave portion.
【請求項13】 画素電極上の層間絶縁膜の突部により
隔離された凹形状部内にカラーフィルタを形成後、上記
突部上にオーバーハングした上記カラーフィルタをエッ
チバック処理により除去する工程を含むことを特徴とす
る請求項11または請求項12記載の液晶表示装置の製
造方法。
13. A step of forming a color filter in a concave portion separated by a protrusion of an interlayer insulating film on a pixel electrode, and removing the color filter overhanging on the protrusion by an etch-back process. 13. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11, wherein:
【請求項14】 少なくともいずれか一方には電極が形
成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着す
ると共に、上記二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料
が挟持されている液晶表示装置の製造方法において、 上記二枚の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走
査線と、この走査線と交差する列方向に複数本の信号線
と、平行する各々二本の上記走査線と信号線で区画され
た画素領域にスイッチング素子を形成する工程と、 上記走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
感光性を有する透明樹脂を塗布し、露光、現像により所
定の位置にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成
する工程と、 レジストパターンを形成し、上記層間絶縁膜の上記画素
領域を凹形状にエッチングして隣接する画素間に上記層
間絶縁膜の突部を形成する工程と、 上記層間絶縁膜上および上記コンタクトホール内に透明
導電膜を成膜する工程と、 上記層間絶縁膜の突部により隔離された凹形状部内に有
色樹脂を塗布し、上記凹形状部内の上記透明導電膜上に
カラーフィルタを形成する工程と、 上記カラーフィルタをマスクとして上記透明導電膜をエ
ッチングし、上記スイッチング素子と上記コンタクトホ
ールを介して電気的に接続された画素電極を上記層間絶
縁膜の凹形状部内に形成する工程を含むことを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。
14. At least one of two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is opposed to and bonded to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a plurality of scanning lines in a row direction on one of the two transparent insulating substrates; a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines; Forming a switching element in a pixel area defined by the scanning line and the signal line; applying a transparent resin having photosensitivity to a layer above the scanning line, the signal line and the switching element; and exposing and developing the resin. Forming an interlayer insulating film having a contact hole at a position, forming a resist pattern, etching the pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape, and forming the interlayer insulating film between adjacent pixels. A step of forming a protrusion, a step of forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film and in the contact hole, and applying a colored resin in a concave portion separated by the protrusion of the interlayer insulating film; Forming a color filter on the transparent conductive film in the concave portion, and etching the transparent conductive film using the color filter as a mask, and electrically connecting the switching element to the switching element via the contact hole. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising a step of forming an electrode in a concave portion of the interlayer insulating film.
【請求項15】 少なくともいずれか一方には電極が形
成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着す
ると共に、上記二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料
が挟持されている液晶表示装置の製造方法において、 上記二枚の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走
査線と、この走査線と交差する列方向に複数本の信号線
と、平行する各々二本の上記走査線と信号線で区画され
た画素領域にスイッチング素子を形成する工程と、 上記走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
感光性を有する透明樹脂を塗布し、露光、現像により所
定の位置にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成
する工程と、 上記層間絶縁膜上に不透明な金属膜を成膜する工程と、 レジストパターンを形成し、上記層間絶縁膜の上記画素
領域を凹形状にエッチングして隣接する画素間に表面に
上記金属膜を有する上記層間絶縁膜の突部を形成する工
程と、 上記層間絶縁膜上および上記コンタクトホール内に透明
導電膜を成膜し、上記層間絶縁膜の突部上の上記透明導
電膜をエッチングして上記スイッチング素子と上記コン
タクトホールを介して電気的に接続された画素電極を上
記層間絶縁膜の凹形状の底部に形成する工程と、 絶縁性有色樹脂を用いて上記層間絶縁膜の突部により隔
離された凹形状部内の上記画素電極上にカラーフィルタ
を上記層間絶縁膜の突部上に形成された上記金属膜にオ
ーバーハングして形成する工程を含むことを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。
15. At least one of two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is opposed to and bonded to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a plurality of scanning lines in a row direction on one of the two transparent insulating substrates; a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines; Forming a switching element in a pixel area defined by the scanning line and the signal line; applying a transparent resin having photosensitivity to a layer above the scanning line, the signal line and the switching element; and exposing and developing the resin. Forming an opaque metal film on the interlayer insulating film, forming a resist pattern, and recessing the pixel region of the interlayer insulating film. Forming a protruding portion of the interlayer insulating film having the metal film on the surface between adjacent pixels by forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film and in the contact hole; Forming a pixel electrode electrically connected to the switching element and the contact hole via the contact hole by etching the transparent conductive film on the protrusion of the interlayer insulating film, at a concave bottom of the interlayer insulating film; Using a colored insulating resin, a color filter overhangs the metal film formed on the projection of the interlayer insulating film on the pixel electrode in the concave portion separated by the projection of the interlayer insulating film. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising a step of forming.
【請求項16】 少なくともいずれか一方には電極が形
成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着す
ると共に、上記二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料
が挟持されている液晶表示装置の製造方法において、 上記二枚の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走
査線と、この走査線と交差する列方向に複数本の信号線
と、平行する各々二本の上記走査線と信号線で区画され
た画素領域にスイッチング素子を形成する工程と、 上記走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
感光性を有する透明樹脂を塗布し、露光、現像により所
定の位置にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成
する工程と、 レジストパターンを形成し、上記層間絶縁膜の上記画素
領域を凹形状にエッチングして隣接する画素間に上記層
間絶縁膜の突部を形成する工程と、 上記層間絶縁膜上に感光性を有する有色樹脂を塗布し、
露光、現像により上記層間絶縁膜のコンタクトホールと
同位置に開口部を有するカラーフィルタを形成する工程
と、 上記カラーフィルタが形成された上記層間絶縁膜上およ
び上記コンタクトホール内と開口部内に透明導電膜を成
膜し、エッチングにより上記スイッチング素子と上記コ
ンタクトホールおよび開口部を介して電気的に接続され
た画素電極を上記カラーフィルタ上に形成する工程を含
むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
16. At least one of two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is opposed to and bonded to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a plurality of scanning lines in a row direction on one of the two transparent insulating substrates; a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines; Forming a switching element in a pixel area defined by the scanning line and the signal line; applying a transparent resin having photosensitivity to a layer above the scanning line, the signal line and the switching element; and exposing and developing the resin. Forming an interlayer insulating film having a contact hole at a position, forming a resist pattern, etching the pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape, and forming the interlayer insulating film between adjacent pixels. Forming a protrusion, applying a colored resin having photosensitivity on the interlayer insulating film,
Forming a color filter having an opening at the same position as the contact hole of the interlayer insulating film by exposure and development; and forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film on which the color filter is formed and in the contact hole and the opening. Manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming a film on the color filter, and forming a pixel electrode electrically connected to the switching element via the contact hole and the opening by etching. Method.
【請求項17】 少なくともいずれか一方には電極が形
成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着す
ると共に、上記二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料
が挟持されている液晶表示装置の製造方法において、 上記二枚の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走
査線と、この走査線と交差する列方向に複数本の信号線
と、平行する各々二本の上記走査線と信号線で区画され
た画素領域にスイッチング素子を形成する工程と、 上記走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
感光性を有しない透明樹脂を塗布し層間絶縁膜を形成す
る工程と、 レジストパターンを形成し、上記層間絶縁膜の上記画素
領域を凹形状にエッチングして隣接する画素間に上記層
間絶縁膜の突部を形成する工程と、 上記層間絶縁膜の凹形状部内に感光性を有する有色樹脂
を塗布し、露光、現像により所定の位置に開口部を有す
るカラーフィルタを形成する工程と、 上記カラーフィルタをマスクとして上記層間絶縁膜をエ
ッチングし、上記カラーフィルタの開口部と同位置にコ
ンタクトホールを形成する工程と、 上記カラーフィルタが形成された上記層間絶縁膜上およ
び上記コンタクトホール内と開口部内に透明導電膜を成
膜し、エッチングにより上記スイッチング素子と上記コ
ンタクトホールおよび開口部を介して電気的に接続され
た画素電極を上記カラーフィルタ上に形成する工程を含
むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
17. A method in which at least one of two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is opposed to and bonded to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a plurality of scanning lines in a row direction on one of the two transparent insulating substrates; a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines; Forming a switching element in a pixel area defined by the scanning line and the signal line; and applying a transparent resin having no photosensitivity to a layer above the scanning line, the signal line and the switching element to form an interlayer insulating film. Forming a resist pattern, etching the pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape to form a protrusion of the interlayer insulating film between adjacent pixels, and forming a concave shape of the interlayer insulating film. Inside the department A step of applying a colored resin having optical properties, forming a color filter having an opening at a predetermined position by exposure and development, and etching the interlayer insulating film using the color filter as a mask, and opening the color filter. Forming a contact hole at the same position as above; and forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film on which the color filter is formed and in the contact hole and the opening, and etching the switching element and the contact hole by etching. And forming a pixel electrode electrically connected through the opening on the color filter.
【請求項18】 カラーフィルタは感光性を有しない有
色樹脂により構成され、レジストパターンを形成後エッ
チングにより開口部を形成することを特徴とする請求項
16または請求項17記載の液晶表示装置の製造方法。
18. The liquid crystal display device according to claim 16, wherein the color filter is made of a colored resin having no photosensitivity, and an opening is formed by etching after forming a resist pattern. Method.
【請求項19】 少なくともいずれか一方には電極が形
成されている二枚の透明絶縁性基板を対向させて接着す
ると共に、上記二枚の透明絶縁性基板の間には液晶材料
が挟持されている液晶表示装置の製造方法において、 上記二枚の透明絶縁性基板の一方に行方向に複数本の走
査線と、この走査線と交差する列方向に複数本の信号線
と、平行する各々二本の上記走査線と信号線で区画され
た画素領域にスイッチング素子を形成する工程と、 上記走査線、信号線およびスイッチング素子より上層に
感光性を有する透明樹脂を塗布し、露光、現像により所
定の位置にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成
する工程と、 レジストパターンを形成し、上記層間絶縁膜の上記画素
領域を凹形状にエッチングして隣接する画素間に上記層
間絶縁膜の突部を形成する工程と、 上記層間絶縁膜の凹形状部内に導電性を有する有色樹脂
を形成し、上記層間絶縁膜のコンタクトホールを介して
上記スイッチング素子と電気的に接続されたカラーフィ
ルタを形成する工程を含み、 上記カラーフィルタは、画素電極として機能できるよう
低抵抗材料により構成されることを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。
19. At least one of two transparent insulating substrates having electrodes formed thereon is opposed to and bonded to each other, and a liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a plurality of scanning lines in a row direction on one of the two transparent insulating substrates; a plurality of signal lines in a column direction intersecting the scanning lines; Forming a switching element in a pixel area defined by the scanning line and the signal line; applying a transparent resin having photosensitivity to a layer above the scanning line, the signal line and the switching element; and exposing and developing the resin. Forming an interlayer insulating film having a contact hole at a position, forming a resist pattern, etching the pixel region of the interlayer insulating film into a concave shape, and forming the interlayer insulating film between adjacent pixels. Forming a protrusion, forming a colored resin having conductivity in the concave portion of the interlayer insulating film, and forming a color filter electrically connected to the switching element through a contact hole of the interlayer insulating film. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising a step of forming, wherein the color filter is made of a low-resistance material so as to function as a pixel electrode.
【請求項20】 有色樹脂は導電性を有し、画素電極を
電極として電着法により塗布されることを特徴とする請
求項11〜13のいずれか一項記載の液晶表示装置の製
造方法。
20. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 11, wherein the colored resin has conductivity and is applied by an electrodeposition method using a pixel electrode as an electrode.
【請求項21】 有色樹脂はインクジェット法、顔料分
散法、ラミネート法等により塗布されることを特徴とす
る請求項11〜19のいずれか一項記載の液晶表示装置
の製造方法。
21. The method according to claim 11, wherein the colored resin is applied by an ink-jet method, a pigment dispersion method, a lamination method, or the like.
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