JP4919644B2

JP4919644B2 - Liquid crystal display

Info

Publication number: JP4919644B2
Application number: JP2005290856A
Authority: JP
Inventors: 康悦伊藤
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2005-10-04
Filing date: 2005-10-04
Publication date: 2012-04-18
Anticipated expiration: 2025-10-04
Also published as: JP2007101843A

Description

本発明は、液晶表示装置に係る発明であって、特に、反射型液晶表示装置または半透過型液晶表示装置の反射領域における反射電極の構造に関するものである。 The present invention relates to a liquid crystal display device, and particularly relates to a structure of a reflective electrode in a reflective region of a reflective liquid crystal display device or a transflective liquid crystal display device.

液晶表示装置には、透過型、反射型、半透過型などがあり、どの型もほぼ以下に説明するような構造を有している。 Liquid crystal display devices include a transmission type, a reflection type, and a semi-transmission type, and all types have a structure as described below.

２枚の透明絶縁基板が一定の間隔を保持して周囲でシール材などにより貼着され、その間隙に液晶材料が注入されることにより該液晶材料が２枚の透明絶縁基板により挟持された構造となり、その両側に例えば偏光板が設けられ、さらにはバックライトや駆動回路などが設けられることにより形成される。 A structure in which two transparent insulating substrates are held by a sealant or the like around the transparent holding substrate at a constant interval, and the liquid crystal material is sandwiched between the two transparent insulating substrates by being injected into the gap. For example, polarizing plates are provided on both sides thereof, and further, a backlight, a driving circuit, and the like are provided.

一方の透明絶縁基板は、ＴＦＴアレイ基板と称され、透明絶縁基板上にゲート配線とそれに直交するソース配線がそれぞれ複数本形成され、ゲート配線とソース配線とにより形成されるマトリックスの一つ一つが画素を構成する。ゲート配線とソース配線との交点には各画素に対応するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）が配置され、このＴＦＴのソース電極はソース配線に同ゲート電極はゲート配線に、同ドレイン電極は画素電極にそれぞれ接続されている。この画素電極は透過領域では例えばＩＴＯ、ＩＴＺＯ、酸化スズ、酸化インジウムなどの透明電極性の材料からなり、反射領域では単一のまたは合金などの金属材料から形成される。積層された導電膜で画素電極が形成される場合もある。半透過型の液晶表示装置の場合には、透過領域の画素電極と反射領域の画素電極とは電気的に接続されて、一つの画素電極を形成している。その他配向膜や必要に応じて画素の電荷保持のための付加容量などが設けられている。 One transparent insulating substrate is referred to as a TFT array substrate. A plurality of gate wirings and a plurality of source wirings orthogonal to the gate wiring are formed on the transparent insulating substrate, and each of the matrices formed by the gate wirings and the source wirings is formed. Configure the pixel. A TFT (Thin Film Transistor) which is an active element corresponding to each pixel is arranged at the intersection of the gate wiring and the source wiring. The source electrode of this TFT is the source wiring, the gate electrode is the gate wiring, and the drain electrode is the Each is connected to a pixel electrode. The pixel electrode is made of a transparent electrode material such as ITO, ITZO, tin oxide, or indium oxide in the transmissive region, and is formed of a single or metal material such as an alloy in the reflective region. In some cases, the pixel electrode is formed using a stacked conductive film. In the case of a transflective liquid crystal display device, the pixel electrode in the transmissive region and the pixel electrode in the reflective region are electrically connected to form one pixel electrode. In addition, an alignment film and, if necessary, an additional capacitor for holding the charge of the pixel are provided.

また、他方の透明絶縁基板は対向電極基板と称され、ＴＦＴアレイ基板の各画素電極に対応する透明電極で形成された対向電極基板で、例えば透明絶縁基板と同様のガラス基板などを用い、また透明電極は、特に限定はないが、ＴＦＴアレイ基板と同様に、例えばＩＴＯ、ＩＴＺＯ、酸化スズ、酸化インジウムなどを用い、スパッタリングとパターニングなどにより設けられる。 The other transparent insulating substrate is called a counter electrode substrate, which is a counter electrode substrate formed of transparent electrodes corresponding to the respective pixel electrodes of the TFT array substrate. For example, a glass substrate similar to the transparent insulating substrate is used. The transparent electrode is not particularly limited, but is provided by sputtering, patterning, or the like using, for example, ITO, ITZO, tin oxide, indium oxide, or the like, like the TFT array substrate.

対向電極基板には、透明電極の他に、例えば通常の配向膜や、画素間を遮光するためのブラックマスクが設けられていることもある。またカラー液晶表示装置の場合にはカラーフィルターなどが設けられる。かかるカラーフィルターには、特に限定がなく、通常は赤、緑、青の３原色のカラーフィルタを用いることで、様々な画像信号を表現することができる。 In addition to the transparent electrode, the counter electrode substrate may be provided with, for example, a normal alignment film or a black mask for shielding light between pixels. In the case of a color liquid crystal display device, a color filter or the like is provided. The color filter is not particularly limited, and various image signals can be expressed by using color filters of three primary colors of red, green, and blue.

近年、液晶表示装置は、より低消費電力である反射型や半透過型の開発が進められている。ＴＦＴアレイ基板における画素電極の構造において、特に反射領域となる部分で、視認性を向上するために各画素の画素電極と電気的に接続された反射電極の液晶側の表面が凹凸形状となる構造や製造方法が用いられている。例えば反射電極下に形成される有機平坦化膜の表面に凹凸を形成し、その上に反射電極を形成することで反射電極表面の凹凸を形作ることができる。 In recent years, a liquid crystal display device has been developed in a reflective type or a transflective type, which consumes less power. In the structure of the pixel electrode on the TFT array substrate, the surface on the liquid crystal side of the reflective electrode that is electrically connected to the pixel electrode of each pixel has a concave-convex shape in order to improve the visibility, particularly in the portion that becomes the reflective region And manufacturing methods are used. For example, the unevenness on the surface of the reflective electrode can be formed by forming the unevenness on the surface of the organic planarizing film formed under the reflective electrode and forming the reflective electrode thereon.

具体的には、特許文献１に記載されている。特許文献１では、アクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）のチャネル部上に有機平坦化膜を形成し、反射領域のＴＦＴ以外の領域に形成される有機平坦化膜の表面に凹凸を形成している。 Specifically, it is described in Patent Document 1. In Patent Document 1, an organic flattening film is formed on the channel portion of a TFT (Thin Film Transistor) which is an active element, and irregularities are formed on the surface of the organic flattening film formed in a region other than the TFT in the reflective region. ing.

特開２０００−３４７２１９号公報JP 2000-347219 A

しかし、特許文献１のように、有機平坦化膜を設ける場合、単に有機平坦化膜を形成する工程が増えるだけでなく、有機平坦化膜上に設ける反射電極とその下層の配線とを繋ぐ工程等が増えるため製造コストが大幅に増加する問題があった。 However, as in Patent Document 1, when an organic planarizing film is provided, not only the number of steps for forming the organic planarizing film is increased, but also a process of connecting the reflective electrode provided on the organic planarizing film and the underlying wiring. As a result, the manufacturing cost has increased significantly.

そこで、本発明は、製造コストの増加を抑制しつつ、視認性の高い反射領域を有する液晶表示装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a highly visible reflective region while suppressing an increase in manufacturing cost.

本発明に係る液晶表示装置は、反射領域を有する液晶表示装置であって、透明の絶縁基板と、絶縁基板上に、ゲート電極と同一レイヤで形成され、複数の開口部を有する付加容量電極と、付加容量電極上に形成される絶縁膜と、付加容量電極上に絶縁膜を介して形成される反射電極とを備え、反射電極の表面は、開口部により形成された凹凸を有し、付加容量電極の開口部以外の位置で、且つ絶縁膜と反射電極との間に形成される第１半導体層と、付加容量電極の開口部の位置で、且つ絶縁膜と反射電極との間に形成される第２半導体層と、付加容量電極の開口部に位置する絶縁基板を掘り下げて形成される掘り下げ部とをさらに備え、第１半導体層及び第２半導体層、掘り下げ部の有無をランダムに組み合わせて形成し、前記開口部は、当該内部に前記付加容量電極の一部を囲い、前記付加容量電極の前記一部と他の部分とが電気的に接続されている。 A liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device having a reflective region, a transparent insulating substrate, an additional capacitor electrode formed on the insulating substrate in the same layer as the gate electrode, and having a plurality of openings. And an insulating film formed on the additional capacitor electrode and a reflective electrode formed on the additional capacitor electrode via the insulating film, and the surface of the reflective electrode has irregularities formed by the openings, and is added The first semiconductor layer formed at a position other than the opening of the capacitor electrode and between the insulating film and the reflective electrode, and the position of the opening of the additional capacitor electrode and between the insulating film and the reflective electrode A second semiconductor layer, and a dug-down portion formed by dug-in the insulating substrate located in the opening of the additional capacitance electrode, and the first semiconductor layer, the second semiconductor layer, and the presence / absence of the dug-down portion are randomly combined forming Te, the opening, those Inside the enclosure part of the additional capacitor electrode, and the part with another part of the additional capacitor electrode that is electrically connected.

本発明に記載の液晶表示装置は、反射電極の表面が、開口部により形成された凹凸を有するので、有機平坦化膜が不要で製造コストを抑制でき、かつ視認性にも優れた液晶表示装置を作製できる。 In the liquid crystal display device according to the present invention, since the surface of the reflective electrode has irregularities formed by the openings, the organic flattening film is unnecessary, the manufacturing cost can be suppressed, and the visibility is excellent. Can be produced.

以下で説明する実施の形態では、反射領域を有する液晶表示装置のうち、逆スタガ型ＴＦＴを用いた半透過型の液晶表示装置を例として説明する。なお、「付加容量電極」と「反射電極」については、次に説明する内容を意味する用語として使用する。 In the embodiment described below, a transflective liquid crystal display device using an inverted staggered TFT among liquid crystal display devices having a reflective region will be described as an example. Note that “additional capacitance electrode” and “reflection electrode” are used as terms meaning the contents described below.

液晶表示装置の個々の画素には、電荷保持のための付加容量が設けられている。逆スタガ型ＴＦＴを用いた液晶表示装置の場合には付加容量の一方の電極はゲート電極と同じレイヤの配線材料を、付加容量の他方の電極はソース電極と同じレイヤの配線材料をそれぞれ用いるのが一般的である。そのうち、一方は各画素に対して共通の電位を与え、他方は画素毎の電荷を保持するとともに、反射電極として作用するものである。本明細書においては、特に指定しない限り、一方のゲート電極と同じレイヤから成り、各画素に対して共通の電位を与える電極を「付加容量電極」とし、他方のソース電極と同じレイヤから成り、画素毎の電荷を保持するとともに、反射電極として作用する電極を「反射電極」とする。 Each pixel of the liquid crystal display device is provided with an additional capacitor for holding charges. In the case of a liquid crystal display device using an inverted staggered TFT, one electrode of the additional capacitor uses a wiring material in the same layer as the gate electrode, and the other electrode of the additional capacitor uses a wiring material in the same layer as the source electrode. Is common. Among them, one applies a common potential to each pixel, and the other holds a charge for each pixel and functions as a reflective electrode. In this specification, unless otherwise specified, it is composed of the same layer as one of the gate electrodes, an electrode for applying a common potential to each pixel is referred to as an “additional capacitance electrode”, and is composed of the same layer as the other source electrode, An electrode that holds the charge for each pixel and acts as a reflective electrode is referred to as a “reflective electrode”.

トップゲート型ＴＦＴを用いた液晶表示装置の場合には付加容量の一方の電極は、逆スタガ型ＴＦＴを用いた液晶表示装置と同様にゲート電極と同じレイヤの配線材料を用い、他方には高濃度に不純物を注入した半導体層を用いるのが一般的である。トップゲート型ＴＦＴを用いた液晶表示装置の場合にも、本明細書において特に指定しない限り、「付加容量電極」はゲート電極と同じレイヤから成る容量電極を示すものとする。他方の高濃度に不純物を注入した半導体層から成る画素毎の電荷保持のための電極は「電荷保持電極」とする。 In the case of a liquid crystal display device using a top gate type TFT, one electrode of the additional capacitor is made of a wiring material in the same layer as the gate electrode as in the case of a liquid crystal display device using an inverted stagger type TFT, and the other is a high electrode. In general, a semiconductor layer in which impurities are implanted at a concentration is used. Also in the case of a liquid crystal display device using a top gate TFT, unless otherwise specified in this specification, the “additional capacitor electrode” indicates a capacitor electrode made of the same layer as the gate electrode. The other electrode for holding charges for each pixel, which is made of a semiconductor layer implanted with impurities at a high concentration, is referred to as a “charge holding electrode”.

（実施の形態１）
図１に、本実施の形態に係る液晶表示装置の一つの画素の平面図を示す。半透過型の場合における平面構造の一例であり、反射領域と透過領域とが存在する。図１中、反射領域における付加容量電極１には開口部２が設けられており、この段差を利用して反射電極の凹凸が形成される。配線３を介して隣接する画素の付加容量電極１と接続されて、さらに共通電位を与える信号線（図示せず）に接続されている。なお、この開口部２の大きさ、配置は、この図に限定されるものではなく、所望の光学特性が得られるように、自由に設定することができる。 (Embodiment 1)
FIG. 1 is a plan view of one pixel of the liquid crystal display device according to this embodiment. It is an example of a planar structure in the case of a transflective type, and there are a reflective region and a transmissive region. In FIG. 1, the additional capacitor electrode 1 in the reflection region is provided with an opening 2, and the unevenness of the reflection electrode is formed using this step. It is connected to the additional capacitor electrode 1 of the adjacent pixel via the wiring 3 and further connected to a signal line (not shown) for applying a common potential. The size and arrangement of the opening 2 are not limited to this figure, and can be freely set so that desired optical characteristics can be obtained.

図２には、図１中のＡ−Ｂに対応する断面図を示す。図２では、まず、透明の絶縁基板であるガラス基板１０上に、ゲート電極１１及び付加容量電極１が形成されている。具体的には、ガラス基板１０上に、ゲート電極材料をスパッタ法で成膜し、写真製版技術を用いてゲート電極１１及び付加容量電極１をパターニングして形成する。なお、付加容量電極１に形成される開口部２は、設計段階でゲート電極形成用のマスク上にパターンをあらかじめ配置しておくことで、新たなマスクおよびエッチングなどの工程を追加することなく形成できる。 FIG. 2 is a cross-sectional view corresponding to AB in FIG. In FIG. 2, first, the gate electrode 11 and the additional capacitance electrode 1 are formed on the glass substrate 10 which is a transparent insulating substrate. Specifically, a gate electrode material is formed on the glass substrate 10 by sputtering, and the gate electrode 11 and the additional capacitance electrode 1 are formed by patterning using a photoengraving technique. The opening 2 formed in the additional capacitance electrode 1 is formed without adding a new mask and a process such as etching by arranging a pattern in advance on the gate electrode forming mask at the design stage. it can.

次に、ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２を形成する。付加容量電極１上の絶縁膜４はレイヤとしてゲート絶縁膜１２と同じであるので、ゲート絶縁膜１２の形成と同時に絶縁膜４も形成される。具体的には、ゲート電極１１及び付加容量電極１を含む全面に、ＣＶＤ法でゲート絶縁膜１２及び絶縁膜４を成膜する。そして、ゲート絶縁膜１２上に半導体層１３を形成する際に、絶縁膜４上にも半導体層５を形成する。但し、半導体層１３は主にゲート電極１上に、半導体層５は主に付加容量電極１上に形成する必要があるため、写真製版技術を用いてパターニングする。 Next, the gate insulating film 12 on the gate electrode 11 is formed. Since the insulating film 4 on the additional capacitor electrode 1 is the same as the gate insulating film 12 as a layer, the insulating film 4 is formed simultaneously with the formation of the gate insulating film 12. Specifically, the gate insulating film 12 and the insulating film 4 are formed on the entire surface including the gate electrode 11 and the additional capacitor electrode 1 by the CVD method. Then, when the semiconductor layer 13 is formed on the gate insulating film 12, the semiconductor layer 5 is also formed on the insulating film 4. However, since it is necessary to form the semiconductor layer 13 mainly on the gate electrode 1 and the semiconductor layer 5 mainly on the additional capacitor electrode 1, the semiconductor layer 13 is patterned using a photoengraving technique.

さらに、半導体層１３上にソース電極１４及びドレイン電極１５を形成する際に、半導体層５上に反射電極６を形成する。具体的には、半導体層１３及び半導体層５を含む全面に、ソース電極材料をスパッタ法で成膜し、写真製版技術を用いてソース電極１４及びドレイン電極１５、反射電極６をパターニングする。 Further, the reflective electrode 6 is formed on the semiconductor layer 5 when the source electrode 14 and the drain electrode 15 are formed on the semiconductor layer 13. Specifically, a source electrode material is formed on the entire surface including the semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 5 by a sputtering method, and the source electrode 14, the drain electrode 15, and the reflective electrode 6 are patterned using a photoengraving technique.

図２に示す反射領域では、付加容量電極１及び半導体層５を段差として利用することで、付加容量電極１上に形成される反射電極６と、開口部２上に形成される反射電極６とで凹凸を形成することができる。この凹凸は、ＴＦＴ領域を構成する材料のみで形成でき、反射特性を向上させることができる。つまり、従来のように、有機平坦化膜を別途設ける必要がなくなる。 In the reflective region shown in FIG. 2, the reflective electrode 6 formed on the additional capacitive electrode 1 and the reflective electrode 6 formed on the opening 2 are formed by using the additional capacitive electrode 1 and the semiconductor layer 5 as steps. Unevenness can be formed. The unevenness can be formed only from the material constituting the TFT region, and the reflection characteristics can be improved. That is, it is not necessary to separately provide an organic planarizing film as in the conventional case.

付加容量電極１の膜厚が例えば３００ｎｍ程度で、半導体層５の膜厚が例えば２００ｎｍ程度とすれば、少なくとも５００ｎｍ程度の凹凸を反射電極６の表面に形成することができる。さらに、図２に示す反射領域では、付加容量電極１及び半導体層５をテーパー形状となるようにエッチングすることで、反射電極６の凹凸に傾斜部分を形成することができ、反射特性をより良好にすることが可能となる。 If the additional capacitor electrode 1 has a film thickness of, for example, about 300 nm and the semiconductor layer 5 has a film thickness of, for example, about 200 nm, irregularities of at least about 500 nm can be formed on the surface of the reflective electrode 6. Further, in the reflective region shown in FIG. 2, the additional capacitor electrode 1 and the semiconductor layer 5 are etched so as to have a tapered shape, whereby an inclined portion can be formed on the unevenness of the reflective electrode 6 and the reflection characteristics are improved. It becomes possible to.

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、付加容量電極１を部分的に抜き取った複数の開口部２を設けることで、反射電極６の表面に凹凸を形成するので、有機平坦化膜等の製造コストの増加を抑制しつつ、視認性の高い反射領域を有する液晶表示装置を提供することができる。 As described above, in the liquid crystal display device according to the present embodiment, by providing the plurality of openings 2 in which the additional capacitor electrode 1 is partially extracted, irregularities are formed on the surface of the reflective electrode 6. It is possible to provide a liquid crystal display device having a highly visible reflective region while suppressing an increase in manufacturing cost of a chemical film or the like.

また、本実施の形態に係る液晶表示装置では、付加容量電極１の開口部２以外の位置で、且つ絶縁膜４と反射電極６との間に形成される半導体層５をさらに備え、半導体層５はＴＦＴを構成する層（半導体層１３）と同一レイヤであるので、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をより大きくすることができる。 In addition, the liquid crystal display device according to the present embodiment further includes a semiconductor layer 5 formed at a position other than the opening 2 of the additional capacitor electrode 1 and between the insulating film 4 and the reflective electrode 6. Since 5 is the same layer as the layer (semiconductor layer 13) constituting the TFT, it is possible to further increase the level difference of the unevenness formed on the surface of the reflective electrode 6.

なお、図２では、付加容量電極１の絶縁膜４上に半導体層５をパターニングして残す構成を示している。この場合は、付加容量電極１の膜厚と半導体層５の膜厚との合計分の段差を有する凹凸を反射電極６の表面に形成することができる。しかし、本発明はこれには限られず、図３の変形例に示すように付加容量電極１のみで、半導体層５を残さない構成であっても良い。この場合、付加容量電極１の膜厚分の段差のみで、反射電極６の表面の凹凸が形成されることになる。反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をあまり必要としない場合は、図３に示すような構成であっても、本実施の形態に係る液晶表示装置と同等の効果を奏することができる。 FIG. 2 shows a configuration in which the semiconductor layer 5 is left by patterning on the insulating film 4 of the additional capacitance electrode 1. In this case, it is possible to form unevenness on the surface of the reflective electrode 6 having a level difference corresponding to the total thickness of the additional capacitor electrode 1 and the semiconductor layer 5. However, the present invention is not limited to this, and a configuration in which the semiconductor layer 5 is not left only by the additional capacitance electrode 1 as shown in the modification of FIG. In this case, the unevenness on the surface of the reflective electrode 6 is formed only by the step corresponding to the thickness of the additional capacitor electrode 1. If the unevenness formed on the surface of the reflective electrode 6 does not require a significant difference in height, the configuration as shown in FIG. 3 can provide the same effect as the liquid crystal display device according to the present embodiment. it can.

（実施の形態２）
図４に、本実施の形態に係る液晶表示装置の反射領域の断面図を示す。図４に示す反射領域の断面図において、図２と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、図４でも、レイヤの構成を分かりやすくするためにＴＦＴ領域の断面図も示している。 (Embodiment 2)
FIG. 4 shows a cross-sectional view of the reflection region of the liquid crystal display device according to the present embodiment. In the cross-sectional view of the reflective region shown in FIG. 4, the same elements as those in FIG. FIG. 4 also shows a cross-sectional view of the TFT region for easy understanding of the layer configuration.

図４に示す反射領域では、図２の場合と異なり、付加容量電極１上の全てに半導体層５を設けず、一部の付加容量電極１上には、絶縁膜４を介して直接反射電極６が設けられる構成である。 In the reflective region shown in FIG. 4, unlike the case of FIG. 2, the semiconductor layer 5 is not provided on the entire additional capacitor electrode 1, and the reflective electrode is directly formed on a part of the additional capacitor electrode 1 via the insulating film 4. 6 is provided.

図２に示す反射領域では、開口部２の大きさを変えることで、反射電極６の表面に形成される凹凸の大きさを変化させることができたが、凹凸の高低差を変化させることができなかった。しかし、図４に示す反射領域では、付加容量電極１上の半導体層５の有無によって、凹凸の高低差を変化させることができる。 In the reflection region shown in FIG. 2, the size of the unevenness formed on the surface of the reflective electrode 6 can be changed by changing the size of the opening 2, but the height difference of the unevenness can be changed. could not. However, in the reflection region shown in FIG. 4, the height difference of the unevenness can be changed depending on the presence or absence of the semiconductor layer 5 on the additional capacitor electrode 1.

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、付加容量電極１上の一部に半導体層５を設けないので、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差を多様化することができる。 As described above, in the liquid crystal display device according to the present embodiment, since the semiconductor layer 5 is not provided on a part of the additional capacitor electrode 1, the height difference of the unevenness formed on the surface of the reflective electrode 6 is diversified. be able to.

（実施の形態３）
図５に、本実施の形態に係る液晶表示装置の反射領域の断面図を示す。図５に示す反射領域の断面図において、図２と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、図５でも、レイヤの構成を分かりやすくするためにＴＦＴ領域の断面図も示している。 (Embodiment 3)
FIG. 5 shows a cross-sectional view of the reflective region of the liquid crystal display device according to the present embodiment. In the sectional view of the reflective region shown in FIG. 5, the same elements as those in FIG. FIG. 5 also shows a cross-sectional view of the TFT region for easy understanding of the layer configuration.

図５に示す反射領域では、図２の場合と異なり、開口部２のガラス基板１０を掘り下げて、ゲート電極１１や付加容量電極１の真下のガラス基板１０の表面より低くしている。これにより、開口部２上の反射電極６の高さは、図２の場合に比べて低くなり、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をより大きくすることができる。なお、ガラス基板１０を掘り下げる方法としては、例えばフッ酸を用いてエッチングする方法や、ゲート電極１１のエッチング時のオーバーエッチする方法、ゲート電極１１をマスクとしてドライエッチする方法がある。つまり、断面形状が順テーパー状となり、極端な段差や庇状の形状にならず段差を確保することができれば、エッチングの方法はいずれの方法であっても良い。 In the reflection region shown in FIG. 5, unlike the case of FIG. 2, the glass substrate 10 in the opening 2 is dug down to be lower than the surface of the glass substrate 10 directly below the gate electrode 11 and the additional capacitance electrode 1. Thereby, the height of the reflective electrode 6 on the opening 2 becomes lower than that in the case of FIG. 2, and the height difference of the unevenness formed on the surface of the reflective electrode 6 can be made larger. As a method for digging up the glass substrate 10, there are, for example, a method of etching using hydrofluoric acid, a method of over-etching when the gate electrode 11 is etched, and a method of dry-etching using the gate electrode 11 as a mask. In other words, any etching method may be used as long as the cross-sectional shape becomes a forward taper shape and a step can be secured without forming an extreme step or a bowl shape.

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、開口部２に位置するガラス基板１０を掘り下げることで、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をより多様化することができる。 As described above, in the liquid crystal display device according to the present embodiment, the level difference of the unevenness formed on the surface of the reflective electrode 6 can be further diversified by dug down the glass substrate 10 located in the opening 2. it can.

（実施の形態４）
図６に、本実施の形態に係る液晶表示装置の反射領域の断面図を示す。図６に示す反射領域の断面図において、図４と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、図６でも、レイヤの構成を分かりやすくするためにＴＦＴ領域の断面図も示している。 (Embodiment 4)
FIG. 6 is a cross-sectional view of the reflection region of the liquid crystal display device according to this embodiment. In the cross-sectional view of the reflection region shown in FIG. 6, the same elements as those in FIG. FIG. 6 also shows a cross-sectional view of the TFT region for easy understanding of the layer configuration.

図６に示す反射領域では、図４の場合と異なり、一部の開口部２上に半導体層５を設ける構成である。図４に示す反射領域では、付加容量電極１上の半導体層５の有無によってのみ、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差を変化させていたが、図６に示す反射領域では、開口部２上の半導体層５の有無によっても、凹凸の高低差を変化させることができる。 In the reflective region shown in FIG. 6, unlike the case of FIG. 4, the semiconductor layer 5 is provided on a part of the openings 2. In the reflective region shown in FIG. 4, the height difference of the unevenness formed on the surface of the reflective electrode 6 is changed only by the presence or absence of the semiconductor layer 5 on the additional capacitor electrode 1, but in the reflective region shown in FIG. Depending on the presence or absence of the semiconductor layer 5 on the opening 2, the height difference of the unevenness can be changed.

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、一部の開口部２上にも、半導体層５を設けることで、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をより多様化することができる。 As described above, in the liquid crystal display device according to the present embodiment, by providing the semiconductor layer 5 also on a part of the openings 2, the level difference of the unevenness formed on the surface of the reflective electrode 6 can be more various. Can be

なお、本発明では、付加容量電極１上の半導体層５の有無、及び開口部２上の半導体層５の有無、開口部２のガラス基板１０を掘り下げて形成される掘り下げ部の有無をそれぞれランダムに組み合わせることで、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をより多様化することができる。また、これに開口部２の大きさや形成位置を組み合わせることで、従来とは異なり、高低差、大きさ等のさまざまなパターンの凹凸を反射電極６の表面に形成することができるメリットがある。 In the present invention, the presence / absence of the semiconductor layer 5 on the additional capacitor electrode 1, the presence / absence of the semiconductor layer 5 on the opening 2, and the presence / absence of the digging portion formed by digging the glass substrate 10 in the opening 2 are randomly selected. By combining with the above, it is possible to further diversify the level difference of the unevenness formed on the surface of the reflective electrode 6. Further, by combining the size and forming position of the opening 2 with this, there is an advantage that unevenness of various patterns such as height difference and size can be formed on the surface of the reflective electrode 6 unlike the conventional case.

（実施の形態５）
実施の形態１乃至実施の形態４では、開口部２の平面形状が全て丸として説明したが、本発明はこれに限られず、図７に示すように開口部２の平面形状が多角形であっても良い。なお、図７に示す付加容量電極１の平面図において、図１と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 (Embodiment 5)
In Embodiments 1 to 4, the planar shape of the opening 2 has been described as all round, but the present invention is not limited to this, and the planar shape of the opening 2 is polygonal as shown in FIG. May be. In the plan view of the additional capacitor electrode 1 shown in FIG. 7, the same elements as those in FIG.

図８に示すように、本発明では、丸や多角形を含む、平面形状がランダムな開口部２を付加容量電極１に形成しても良い。この場合、反射電極６の表面に形成される凹凸の形状をより多様化することができる。 As shown in FIG. 8, in the present invention, the opening 2 having a random planar shape including a circle or a polygon may be formed in the additional capacitance electrode 1. In this case, the uneven shape formed on the surface of the reflective electrode 6 can be further diversified.

また、反射電極６の表面に凹凸を形成させる付加容量電極１の形状は、開口部２にのみ限られず、図９の変形例に示すように、欠けパターンや突起状のパターン７を同一平面内に設けても良い。この突起状のパターン７の有無により、反射電極６の表面に形成される凹凸を形成することができ、凹凸の形状をより多様化することができる。なお、図９に示す付加容量電極１の平面図において、図１と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 Further, the shape of the additional capacitor electrode 1 for forming the unevenness on the surface of the reflective electrode 6 is not limited to the opening 2, and as shown in the modified example of FIG. May be provided. The unevenness formed on the surface of the reflective electrode 6 can be formed depending on the presence or absence of the protruding pattern 7, and the uneven shape can be further diversified. In the plan view of the additional capacitor electrode 1 shown in FIG. 9, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

また、本発明では、開口部２の大きさ及び付加容量電極１上での位置をランダムにすることで、反射特性をより良好にし、視認性の高い液晶表示装置を提供することができる。 Further, in the present invention, by making the size of the opening 2 and the position on the additional capacitor electrode 1 random, it is possible to provide a liquid crystal display device with better reflection characteristics and high visibility.

（実施の形態６）
図１０に、本実施の形態に係る液晶表示装置の付加容量電極１の平面図を示す。図１０に示す付加容量電極１の平面図において、図１及び図９と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 (Embodiment 6)
FIG. 10 is a plan view of the additional capacitance electrode 1 of the liquid crystal display device according to the present embodiment. In the plan view of the additional capacitance electrode 1 shown in FIG. 10, the same elements as those in FIGS. 1 and 9 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図１０に示す付加容量電極１では、開口部２の内部に付加容量電極１の一部（島状部８）を残す。この島状部８は、他の付加容量電極１の部分と電気的に接続させておくことで付加容量にもなり、付加容量の容量確保にも寄与する。但し、付加容量について、個々の画素当たりの必要容量が確保できていれば、島状部８が他の付加容量電極１と電気的に切り離されていても良い。また、付加容量電極１に設けた突起状のパターン７も、付加容量の容量確保に寄与する。 In the additional capacitance electrode 1 shown in FIG. 10, a part of the additional capacitance electrode 1 (island portion 8) is left inside the opening 2. The island-like portion 8 becomes an additional capacity by being electrically connected to the other additional capacity electrode 1 and contributes to securing the capacity of the additional capacity. However, the island-like portion 8 may be electrically separated from the other additional capacitance electrode 1 as long as the required capacitance per individual pixel can be secured for the additional capacitance. Further, the protruding pattern 7 provided on the additional capacitor electrode 1 also contributes to securing the capacity of the additional capacitor.

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、開口部２が、当該内部に付加容量電極１の一部を残すので、反射電極６の表面に形成される凹凸の形状をより多様化することができるとともに、付加容量の容量確保の自由度を増すことができる。 As described above, in the liquid crystal display device according to the present embodiment, since the opening 2 leaves a part of the additional capacitor electrode 1 in the inside, the shape of the unevenness formed on the surface of the reflective electrode 6 is more diverse. And the degree of freedom for securing the additional capacity can be increased.

（実施の形態７）
図１１に、本実施の形態に係る液晶表示装置の付加容量電極１の平面図を示す。図１１に示す付加容量電極１の平面図において、図１と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 (Embodiment 7)
FIG. 11 is a plan view of the additional capacitance electrode 1 of the liquid crystal display device according to the present embodiment. In the plan view of the additional capacitance electrode 1 shown in FIG. 11, the same elements as those in FIG.

また、図１２に、本実施の形態に係る液晶表示装置の画素領域の断面図を示す。図１２に示す画素領域の断面図において、図４と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、図１２でも、レイヤの構成を分かりやすくするためにＴＦＴ領域の断面図も示している。 FIG. 12 is a cross-sectional view of the pixel region of the liquid crystal display device according to this embodiment. In the cross-sectional view of the pixel region shown in FIG. 12, the same elements as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted. Note that FIG. 12 also shows a cross-sectional view of the TFT region for easy understanding of the layer configuration.

図１２に示す画素領域では、図４の場合と異なり、一部の開口部２上の反射電極６に開口部９を設けている。図１１では、付加容量電極１の開口部２の内側に、反射電極６の開口部９が破線で示されている。 In the pixel region shown in FIG. 12, unlike the case of FIG. 4, the opening 9 is provided in the reflective electrode 6 on a part of the openings 2. In FIG. 11, the opening 9 of the reflective electrode 6 is indicated by a broken line inside the opening 2 of the additional capacitance electrode 1.

さらに、図１２に示すように、反射電極６上には、パッシベーション膜２０と透明電極２１とが積層されている。透明電極２１は、パッシべーション膜２０に形成したコンタクトホールを介して反射電極６と電気的に接続されている。そのため、開口部９は、透過領域として機能することになる。図１２の右端にコンタクトホールを介して反射電極６と透明電極２１とが接続されている様子が示されている。また、図１２の断面図に対応した平面図を図１３に示す。図１３では、１つのコンタクトホールを介して反射電極６と透明電極２１とが接続されている様子が示されているが、本発明はこれに限られず、コンタクトホールは複数あっても良い。また、コンタクトホールの位置は、図１３に示す位置に限られない。つまり、画素領域の全域において、反射領域と透過領域とを均一に配置することができる。これにより、反射領域の凹凸に起因するムラも分散され、視認性が改善される効果も得られる。なお、図１３のＣ−Ｄ面の断面が図１２の断面図に対応している。 Further, as shown in FIG. 12, a passivation film 20 and a transparent electrode 21 are laminated on the reflective electrode 6. The transparent electrode 21 is electrically connected to the reflective electrode 6 through a contact hole formed in the passivation film 20. Therefore, the opening 9 functions as a transmissive region. The state where the reflective electrode 6 and the transparent electrode 21 are connected to each other through the contact hole is shown at the right end of FIG. A plan view corresponding to the cross-sectional view of FIG. 12 is shown in FIG. Although FIG. 13 shows a state where the reflective electrode 6 and the transparent electrode 21 are connected through one contact hole, the present invention is not limited to this, and a plurality of contact holes may be provided. Further, the position of the contact hole is not limited to the position shown in FIG. That is, the reflection region and the transmission region can be arranged uniformly over the entire pixel region. Thereby, the nonuniformity resulting from the unevenness | corrugation of a reflective area | region is also disperse | distributed, and the effect that visibility is improved is also acquired. 13 corresponds to the cross-sectional view of FIG. 12.

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、開口部２上の反射電極６を一部取り除き開口部９を形成し、当該部分にパッシベーション膜２０を介して透明電極２１を形成するので、反射領域と透過領域とを均一に配置することができ、視認性を改善することができる。 As described above, in the liquid crystal display device according to the present embodiment, a part of the reflective electrode 6 on the opening 2 is partially removed to form the opening 9, and the transparent electrode 21 is formed on the portion via the passivation film 20. Therefore, the reflective region and the transmissive region can be arranged uniformly, and visibility can be improved.

（実施の形態８）
図１４に、本実施の形態に係る液晶表示装置の画素領域の断面図を示す。図１４に示す画素領域の断面図において、図４と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、図１４でも、レイヤの構成を分かりやすくするためにＴＦＴ領域の断面図も示している。 (Embodiment 8)
FIG. 14 is a cross-sectional view of the pixel region of the liquid crystal display device according to this embodiment. In the cross-sectional view of the pixel region shown in FIG. 14, the same elements as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. FIG. 14 also shows a cross-sectional view of the TFT region for easy understanding of the layer configuration.

図１４に示す画素領域は、実施の形態７の変形例であり、透明電極２１を形成してからパッシベーション膜２０を形成する。そして、透明電極２１は、図１４に示すように反射電極６の領域（画素領域）全てを覆うように形成されている。図１５に本実施の形態に係る液晶表示装置の平面図を示す。図１５のＥ−Ｆ面の断面が図１４の断面図である。 The pixel region shown in FIG. 14 is a modification of the seventh embodiment, and the passivation film 20 is formed after the transparent electrode 21 is formed. The transparent electrode 21 is formed so as to cover the entire region (pixel region) of the reflective electrode 6 as shown in FIG. FIG. 15 is a plan view of the liquid crystal display device according to the present embodiment. 15 is a cross-sectional view of FIG. 14.

また、本実施の形態の変形例として、図１６を示す、図１６に示す液晶表示装置でも、図１４と同じく透明電極２１を形成してからパッシベーション膜２０を形成する。しかし、図１６に示す液晶表示装置は、図１４と異なり、透明電極２１が反射電極６を取り除いた開口部９にのみ形成される。図１７に本変形例に係る液晶表示装置の平面図を示す。図１７のＧ−Ｈ面の断面が図１６の断面図である。 As a modification of the present embodiment, also in the liquid crystal display device shown in FIG. 16 shown in FIG. 16, the passivation film 20 is formed after forming the transparent electrode 21 as in FIG. However, unlike the liquid crystal display device shown in FIG. 16, the transparent electrode 21 is formed only in the opening 9 from which the reflective electrode 6 is removed. FIG. 17 is a plan view of a liquid crystal display device according to this modification. 17 is a cross-sectional view of FIG. 16.

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置でも、実施の形態７と同様の効果を得ることができる。 As described above, also in the liquid crystal display device according to the present embodiment, the same effect as in the seventh embodiment can be obtained.

（実施の形態９）
上述の実施の形態では、ボトムゲート型（逆スタガ型）のＴＦＴを有する液晶表示装置の場合について説明したが、本発明はこれに限られず、トップゲート型（スタガ型）のＴＦＴを有する液晶表示装置に上述の実施の形態で説明した構成を適用しても良い。本実施の形態では、上述の実施の形態１〜８までとは異なりトップゲート型のＴＦＴを有するため、付加容量としての各画素共通電極となる付加容量電極はゲート電極からなるが、画素毎の電極は半導体層により形成される場合が一般的である。反射電極はソース電極と同じレイヤの材料から形成され、上記の画素毎の付加容量を形成する電極となる半導体層とは電気的に接続されている。 (Embodiment 9)
In the above embodiment, the case of a liquid crystal display device having a bottom gate type (reverse stagger type) TFT has been described. However, the present invention is not limited to this, and a liquid crystal display having a top gate type (stagger type) TFT is described. The configuration described in the above embodiment may be applied to the apparatus. Unlike the first to eighth embodiments described above, the present embodiment has a top gate type TFT. Therefore, the additional capacitor electrode serving as a common electrode for each pixel as an additional capacitor is composed of a gate electrode. The electrode is generally formed of a semiconductor layer. The reflective electrode is formed of the same layer material as the source electrode, and is electrically connected to the semiconductor layer serving as the electrode for forming the additional capacitance for each pixel.

図１８に、トップゲート型のＴＦＴを有する液晶表示装置のＴＦＴ領域と反射領域の断面図を示す。図１８では、ソース配線から半導体層１３１、ゲート配線およびゲート電極１１への電気的接続を得るための、層間膜４１あるいは層間膜４１とゲート絶縁膜１２１に形成するコンタクト９１を開口するのと同時に、反射領域内において付加容量電極３１の存在しない部分に開口領域９２を設けることで必要な凹凸段差を形成することができる。ここでは、付加容量電極３１と反射電極６とが接続しないようにすれば、付加容量電極３１と電荷保持電極１３２とは元々同電位であるので、接続する部分と接続しない部分があってもかまわない。むしろ、電荷保持電極１３２の有無によって凹凸の高さを変化させることができる効果がある。 FIG. 18 is a cross-sectional view of a TFT region and a reflection region of a liquid crystal display device having a top gate type TFT. In FIG. 18, the interlayer film 41 or the contact film 91 formed in the interlayer film 41 and the gate insulating film 121 for obtaining an electrical connection from the source wiring to the semiconductor layer 131, the gate wiring, and the gate electrode 11 is opened at the same time. By providing the opening region 92 in a portion where the additional capacitor electrode 31 does not exist in the reflection region, a necessary uneven step can be formed. Here, if the additional capacitor electrode 31 and the reflective electrode 6 are not connected, the additional capacitor electrode 31 and the charge holding electrode 132 are originally at the same potential, so there may be a portion that is not connected to a portion that is connected. Absent. Rather, there is an effect that the height of the unevenness can be changed depending on the presence or absence of the charge holding electrode 132.

本実施の形態においても、有機平坦化膜を使うことなく、反射領域における必要な凹凸を形成することができ、製造コストの増加を抑制しつつ、視認性の高い反射領域を有する液晶表示装置を提供することができる。 Also in this embodiment, a liquid crystal display device having a reflective region with high visibility can be formed without using an organic flattening film, and necessary unevenness in the reflective region can be formed while suppressing an increase in manufacturing cost. Can be provided.

但し、実施の形態１乃至８と本実施の形態との主な相違点は、ＴＦＴがトップゲート型であるに起因して、段差を形成するためのレイヤの順番が異なること、段差形成のためのエッチングがコンタクト開口と同時に行われることである。しかし、上述したように本実施の形態で得られる効果は、実施の形態１乃至８で得られる効果と同等である。 However, the main differences between the first to eighth embodiments and the present embodiment are that the order of layers for forming a step is different due to the fact that the TFT is a top gate type, and that the step is formed. This etching is performed simultaneously with the contact opening. However, as described above, the effect obtained in the present embodiment is equivalent to the effect obtained in the first to eighth embodiments.

図１９に、本実施の形態に係る液晶表示装置の平面図を示す。図１９のＩ−Ｊ面の断面が図１８の断面図である。なお、図１９はトップゲート型ＴＦＴを有する液晶表示装置の一画素分の平面図を示したものである。図１などの平面図との違いは、ＴＦＴ領域が逆スタガ型からトップゲートに置き換えられた点で異なるのみで、基本的な平面配置は殆ど変更の必要は無い。 FIG. 19 is a plan view of the liquid crystal display device according to this embodiment. 19 is a cross-sectional view of FIG. FIG. 19 is a plan view of one pixel of a liquid crystal display device having a top gate type TFT. The difference from the plan view of FIG. 1 and the like is only that the TFT region is replaced by the inverted stagger type from the top gate, and the basic plane arrangement hardly needs to be changed.

本実施の形態の変形例として、図２０乃至図２３を示す。図２０及び図２１には、パッシベーション膜形成後に透明電極を形成する場合が示されている。また、図２２及び図２３には、パッシベーション膜形成前に透明電極を形成する場合が示されている。 20 to 23 are shown as modified examples of the present embodiment. 20 and 21 show a case where the transparent electrode is formed after the passivation film is formed. 22 and 23 show a case where a transparent electrode is formed before forming a passivation film.

トップゲート型のＴＦＴを用いた場合には、ガラス基板とＴＦＴとの間に酸化膜、窒化膜などの保護膜を形成する場合もある。 When a top-gate TFT is used, a protective film such as an oxide film or a nitride film may be formed between the glass substrate and the TFT.

本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の平面図である。1 is a plan view of a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の反射領域の断面図である。It is sectional drawing of the reflective area | region of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の変形例の反射領域の断面図である。It is sectional drawing of the reflective area | region of the modification of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の反射領域の断面図である。It is sectional drawing of the reflective area | region of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の反射領域の断面図である。It is sectional drawing of the reflective area | region of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置の反射領域の断面図である。It is sectional drawing of the reflective area | region of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置の付加容量電極の平面図である。It is a top view of the additional capacity electrode of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置の変形例の付加容量電極の平面図である。It is a top view of the additional capacity electrode of the modification of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置の変形例の付加容量電極の平面図である。It is a top view of the additional capacity electrode of the modification of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態６に係る液晶表示装置の付加容量電極の平面図である。It is a top view of the additional capacity electrode of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 6 of this invention. 本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置の付加容量電極の平面図である。It is a top view of the additional capacity electrode of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置の画素領域の断面図である。It is sectional drawing of the pixel area | region of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置の平面図である。It is a top view of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 7 of this invention. 本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置の画素領域の断面図である。It is sectional drawing of the pixel area | region of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 8 of this invention. 本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置の平面図である。It is a top view of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 8 of this invention. 本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置の変形例の画素領域の断面図である。It is sectional drawing of the pixel area | region of the modification of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 8 of this invention. 本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置の変形例の画素領域の断面図である。It is sectional drawing of the pixel area | region of the modification of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 8 of this invention. 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 9 of this invention. 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の平面図である。It is a top view of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 9 of this invention. 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の変形例の断面図である。It is sectional drawing of the modification of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 9 of this invention. 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の変形例の断面図である。It is sectional drawing of the modification of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 9 of this invention. 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の変形例の断面図である。It is sectional drawing of the modification of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 9 of this invention. 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の変形例の断面図である。It is sectional drawing of the modification of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 9 of this invention.

Explanation of symbols

１付加容量電極、２，９開口部、３配線、４絶縁膜、５半導体層、６反射電極、７突起状のパターン、８島状部、１０ガラス基板、１１ゲート電極、１２ゲート絶縁膜、１３半導体層、１４ソース電極、１５ドレイン電極、２０パッシベーション膜、２１透明電極。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Additional capacity electrode, 2, 9 Opening part, 3 Wiring, 4 Insulating film, 5 Semiconductor layer, 6 Reflective electrode, 7 Protruding pattern, 8 Island-like part, 10 Glass substrate, 11 Gate electrode, 12 Gate insulating film, 13 semiconductor layer, 14 source electrode, 15 drain electrode, 20 passivation film, 21 transparent electrode.

Claims

A liquid crystal display device having a reflective region,
A transparent insulating substrate;
On the insulating substrate, an additional capacitor electrode formed in the same layer as the gate electrode and having a plurality of openings,
An insulating film formed on the additional capacitance electrode;
A reflective electrode formed on the additional capacitance electrode via the insulating film,
The surface of the reflective electrode has irregularities formed by the opening,
A first semiconductor layer formed at a position other than the opening of the additional capacitance electrode and between the insulating film and the reflective electrode;
A second semiconductor layer formed at a position of the opening of the additional capacitance electrode and between the insulating film and the reflective electrode;
A digging portion formed by digging down the insulating substrate located in the opening of the additional capacitance electrode,
The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are formed by randomly combining the presence or absence of the digging portion ,
The opening, a liquid crystal display device which surrounds the portion of the additional capacitance electrode to the inside, and the portion with other portions of the additional capacitance electrode is characterized that you have been electrically connected.

The liquid crystal display device according to claim 1 ,
The liquid crystal display device, wherein the first semiconductor layer and the second semiconductor layer are the same layer as a layer constituting an active element .

The liquid crystal display device according to claim 1 or 2,
The liquid crystal display device , wherein the opening has a random size and a position on the additional capacitor electrode .

A liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 3,
The opening, a liquid crystal display device in which the planar shape, characterized in random der Rukoto.

A liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4,
The additional capacitor electrode, in order to form irregularities on the surface of the reflective electrode, a liquid crystal display device comprising Rukoto provided protruding pattern in the same plane.

A liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4 ,
Removing a portion of the reflective electrode on the opening, a liquid crystal display device comprising that you forming a transparent electrode on the portion through a passivation film.

A liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4 ,
Removing a portion of the reflective electrode on the opening, a liquid crystal display device comprising that you form the reflective electrode and the transparent electrode for electrically connecting cover that portion.