JPH1068956A - Liquid crystal display element and its production - Google Patents

Liquid crystal display element and its production

Info

Publication number
JPH1068956A
JPH1068956A JP8228560A JP22856096A JPH1068956A JP H1068956 A JPH1068956 A JP H1068956A JP 8228560 A JP8228560 A JP 8228560A JP 22856096 A JP22856096 A JP 22856096A JP H1068956 A JPH1068956 A JP H1068956A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
forming
pixel electrode
columnar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8228560A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minako Kurosaki
美奈子 黒崎
Daisuke Miyazaki
大輔 宮崎
Hideo Hirayama
秀雄 平山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP8228560A priority Critical patent/JPH1068956A/en
Publication of JPH1068956A publication Critical patent/JPH1068956A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a liquid crystal display element which is enhanced in yield and has good display characteristics by consisting of the element of pixel electrodes and a liquid crystal layer arranged in the spacing between an array substrate having columnar projections and a counter substrate and forming the layers consisting of the same material as the material of the pixel electrodes material in a part on the counter substrate side of these columnar projections. SOLUTION: The pixel electrodes 10 are connected to TFT drain electrodes via through-holes formed in colored layer parts. An oriented film 12 is formed over the entire surface including the columnar projections 9. Light shielding layers 7 are formed in order to prevent the incidence of light to the TFT parts in the positions corresponding to the TFTs. The layers 11 consisting of the same material as the pixel electrode material are formed over the entire surface on the counter substrate side of the columnar projections 9. These layers 11 are arranged spatially from the pixel electrodes 10, i.e., are patterned in a non-connected state. As a result, the damage at the apexes of the columnar projections 9 by etching is prevented and the columnar projections having always the specified height are obtd. The yield is N thus enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係わ
り、特に2枚の基板間距離を保持する柱状スペーサに関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly to a columnar spacer for maintaining a distance between two substrates.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子は、特開平7−84267
に示されるように、2枚の基板間の距離を一定に保つた
めのスペーサとして有機樹脂などからなる柱状突起を用
いることが考えられている。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device is disclosed in JP-A-7-84267.
As shown in FIG. 1, it has been considered to use a columnar projection made of an organic resin or the like as a spacer for keeping the distance between two substrates constant.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アレイ
基板側に柱状突起を形成する場合、画素電極を形成する
前にこの柱状突起を形成すると、画素電極をパターニン
グ形成する際のエッチング溶液で柱状突起を損傷させて
しまい、所定の高さの柱状突起を有する液晶表示素子を
常に一定に得ることが困難であり、表示性能を悪くする
可能性が高くなる。本発明は上記事情に鑑みなされたも
ので、歩留まりを高くし、かつ表示特性が良い液晶表示
素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
However, in the case of forming columnar projections on the array substrate side, if the columnar projections are formed before forming the pixel electrodes, the columnar projections can be formed with an etching solution for patterning and forming the pixel electrodes. It is difficult to always obtain a liquid crystal display element having columnar projections having a predetermined height, which is likely to be damaged, and the possibility of deteriorating display performance increases. The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display element having a high yield and good display characteristics, and a method for manufacturing the same.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子及
びその製造方法によれば、柱状突起の対向基板側にも画
素電極材料と同じ材料の層を形成するため、この画素電
極材料と同じ材料の層部分の厚み分も2枚の基板間距離
を保持するスペーサとして機能し、アレイ基板側に形成
される柱状突起を、所望のスペーサ高さよりも画素電極
材料と同じ材料の層の厚み分低くできる。これは、特に
着色層と同一工程でスペーサ層を形成してこのスペーサ
層を積層して柱状突起を形成する場合に有効である。な
ぜなら、着色層は所望の色及び着色層自体の光透過率や
分光特性などにより膜厚設計の自由度が小さいためであ
る。所望の色と透過率を出す場合、一般に1〜2μmの
厚さの着色層が必要であり、あまり厚すぎると透過率が
落ちる等のデメリットが生じる。例えば3色の着色層を
形成する場合、それぞれの着色層形成工程時に3色のス
ペーサ層を形成し、これを積層して柱状突起を形成する
と、この柱状突起の高さは着色層の膜厚に依存すること
になる。この場合、柱状突起は3層積層されて形成され
ていたとしても、1層目は実質着色層部分であるため液
晶層の厚みを規定するスペーサ層は2層となり、液晶層
の厚みとしては2〜4μmとなる。一般には液晶層厚み
は4〜5μm程度に設計されており、着色層の透過率を
考慮すると柱状突起の高さは、所望の液晶層厚みよりも
小さくなりやすい傾向にあるため、その足りない分を画
素電極材料と同じ材料の層で補うことができる。
According to the liquid crystal display device and the method of manufacturing the same of the present invention, a layer of the same material as the pixel electrode material is formed also on the opposing substrate side of the columnar projection. The thickness of the layer portion of the material also functions as a spacer for maintaining the distance between the two substrates, and the columnar protrusion formed on the array substrate side is made to have a thickness equal to the thickness of the layer of the same material as the pixel electrode material than the desired spacer height. Can be lowered. This is particularly effective when a spacer layer is formed in the same step as the coloring layer, and this spacer layer is laminated to form columnar projections. This is because the degree of freedom in designing the thickness of the colored layer is small due to the desired color and the light transmittance and spectral characteristics of the colored layer itself. In order to obtain a desired color and transmittance, a colored layer having a thickness of 1 to 2 μm is generally required. If the thickness is too large, disadvantages such as a decrease in transmittance occur. For example, in the case of forming colored layers of three colors, a spacer layer of three colors is formed in each colored layer forming step, and these are laminated to form columnar projections. Will depend on In this case, even if the columnar projections are formed by laminating three layers, the first layer is substantially a colored layer portion, so that the spacer layer that defines the thickness of the liquid crystal layer is two, and the thickness of the liquid crystal layer is two. 44 μm. Generally, the thickness of the liquid crystal layer is designed to be about 4 to 5 μm. In consideration of the transmittance of the colored layer, the height of the columnar projections tends to be smaller than the desired thickness of the liquid crystal layer. Can be supplemented by a layer of the same material as the pixel electrode material.

【0005】また、アレイ基板側に柱状突起を形成する
場合、画素電極を形成する前に柱状突起を形成し、画素
電極をパターニング形成する際に、柱状突起の頂部に画
素電極材料と同じ材料の層が残るようにパターニングす
ることにより、エッチング溶液で柱状突起を損傷させる
ことがない。また、エッチング溶液を用いるウエットエ
ッチングではなく、ドライエッチングによって透明電極
をパターニングしても、同様の効果を得ることができ
る。
In the case where columnar projections are formed on the array substrate side, the columnar projections are formed before forming the pixel electrodes, and when the pixel electrodes are patterned, the same material as the pixel electrode material is formed on the tops of the columnar projections. By patterning so that the layer remains, the columnar projection is not damaged by the etching solution. The same effect can be obtained by patterning the transparent electrode by dry etching instead of wet etching using an etching solution.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】以下本発明の第1の実施形態につ
いて図1を用いて説明する。図1は液晶表示素子の断面
図を表す。図1に示すように、本実施形態の液晶表示素
子30は、アレイ基板31と対向基板32との間隙に液
晶層24を狭持し、アレイ基板30と対向基板31の基
板外周部に形成されたシール材(図示せず)により両基
板ははりあわされており、アレイ基板30と対向基板3
1との基板間距離は柱状突起9により保持されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view of a liquid crystal display device. As shown in FIG. 1, the liquid crystal display element 30 of the present embodiment has a liquid crystal layer 24 interposed between an array substrate 31 and a counter substrate 32, and is formed on the outer periphery of the array substrate 30 and the counter substrate 31. The two substrates are adhered to each other by a sealing material (not shown).
The distance between the substrate 1 and the substrate 1 is held by the columnar projection 9.

【0007】アレイ基板31には、基板1の一主面上に
複数の信号線(図示せず)と複数のゲート線2が交差す
るように形成され、これら信号線とゲート線3の交差部
毎にスイッチング素子22としてのTFT(薄膜トラン
ジスタ)とこれに電気的接続している画素電極10が形
成されている。スイッチング素子22は、信号線と接続
して形成されたソース電極5と、信号線と同一層で形成
されたドレイン電極6とを半導体層4を介して形成され
る。ゲート線、信号線及びスイッチング素子を含む基板
全面にはR(赤)、G(緑)、B(青)の3色の有機樹
脂膜からなる着色層が形成され、TFTに対応する位置
には柱状突起が形成されてており、この柱状突起は着色
層と同一工程で形成したスペーサ層を積層して形成され
てなる。隣り合う異なる色の着色層は互いに重なり合っ
て形成されており、この重なり合った着色層部分がそれ
ぞれの着色層のスペーサ層に相当し、これ以外の色の着
色層と同一工程で形成したスペーサ層はこの重なり合っ
た領域に形成され、これら3層のスペーサ層により柱状
突起が形成されている。画素電極10は、TFTのドレ
イン電極と着色層部に形成されたスルーホールを介して
接続されている。そして、柱状突起を含む基板全面には
配向膜12が形成されている。TFTに対応した位置に
はTFT部への光の入射を防止するために遮光層7が形
成されている。柱状突起9の対向基板側の全面には、画
素電極材料と同じ材料の層11が形成されており、この
画素電極材料と同じ材料の層は画素電極10と離間して
配置、すなわち非接続状態でパターニングされている。
In the array substrate 31, a plurality of signal lines (not shown) and a plurality of gate lines 2 are formed on one main surface of the substrate 1 so as to intersect with each other. Each time, a TFT (thin film transistor) as a switching element 22 and a pixel electrode 10 electrically connected thereto are formed. The switching element 22 includes a source electrode 5 formed to be connected to a signal line, and a drain electrode 6 formed in the same layer as the signal line, via the semiconductor layer 4. On the entire surface of the substrate including the gate lines, the signal lines, and the switching elements, a colored layer composed of organic resin films of three colors of R (red), G (green), and B (blue) is formed. Columnar projections are formed, and the columnar projections are formed by laminating a spacer layer formed in the same step as the coloring layer. The adjacent colored layers of different colors are formed so as to overlap each other, and the overlapped colored layer portions correspond to the spacer layers of the respective colored layers, and the spacer layers formed in the same process as the colored layers of other colors are Columnar projections are formed in these overlapping regions, and the three spacer layers form columnar projections. The pixel electrode 10 is connected to the drain electrode of the TFT via a through hole formed in the colored layer portion. Then, an alignment film 12 is formed on the entire surface of the substrate including the columnar protrusions. A light shielding layer 7 is formed at a position corresponding to the TFT in order to prevent light from entering the TFT portion. A layer 11 of the same material as the pixel electrode material is formed on the entire surface of the columnar projection 9 on the counter substrate side. The layer of the same material as the pixel electrode material is disposed separately from the pixel electrode 10, that is, in a non-connected state. Is patterned.

【0008】一方、対向基板32は、基板21上の全面
に対向電極25、配向膜12が順次形成されてなる。次
に本実施形態の製造工程を説明する。
On the other hand, the counter substrate 32 is formed by sequentially forming the counter electrode 25 and the alignment film 12 on the entire surface of the substrate 21. Next, the manufacturing process of this embodiment will be described.

【0009】まず、対向基板32の製造工程を説明す
る。基板21上に、ITO膜を1500Å厚にスパッタ
法にて成膜し、対向電極25を形成した。次に、配向膜
材料としてポリイミド(日本合成ゴム(株)製商品名A
L−1051)を全面に500オングストローム塗布
し、ラビング処理を行って配向膜12を形成して対向基
板32を形成した。
First, the manufacturing process of the counter substrate 32 will be described. A counter electrode 25 was formed on the substrate 21 by sputtering an ITO film to a thickness of 1500 °. Next, polyimide (trade name A manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) was used as an alignment film material.
L-1051) was applied to the entire surface by 500 angstroms, and rubbing treatment was performed to form an alignment film 12 to form a counter substrate 32.

【0010】次に、アレイ基板31の製造工程を説明す
る。基板1上にMoTa(モリブデン・タングステン)
またはMoTa(モリブデン・タンタル)等をスパッタ
リングにより成膜し、これをフォトリソ法にパターニン
グして、ゲート電極及びゲート線2、図示しない補助容
量線とを形成した。次に、これらゲート線、ゲート電
極、補助容量線を含む基板全面に酸化ケイ素または窒化
ケイ素をプラズマCVD法により4000オングストロ
ームの厚さに堆積し、ゲート絶縁膜3を形成した。
Next, a manufacturing process of the array substrate 31 will be described. MoTa (molybdenum / tungsten) on the substrate 1
Alternatively, a film of MoTa (molybdenum / tantalum) or the like was formed by sputtering, and this was patterned by a photolithography method to form a gate electrode and a gate line 2, and an auxiliary capacitance line (not shown). Next, silicon oxide or silicon nitride was deposited to a thickness of 4000 angstroms on the entire surface of the substrate including these gate lines, gate electrodes, and auxiliary capacitance lines by a plasma CVD method to form a gate insulating film 3.

【0011】その上に、a−Si(アモルファスシリコ
ン)からなる半導体層4をプラズマCVD法により形成
して所定の形状にパターニングした。更に、オーミック
コンタクト層を介して、Mo/Al/Moからなる電極
を形成し、所定の形状にパターニングする事によってソ
ース電極5、ドレイン電極6、信号線を形成した。更
に、TFT上には外光によるTFTの誤動作を防止する
ために、黒色樹脂膜7を被覆した。
A semiconductor layer 4 made of a-Si (amorphous silicon) was formed thereon by a plasma CVD method and patterned into a predetermined shape. Further, an electrode made of Mo / Al / Mo was formed via an ohmic contact layer, and was patterned into a predetermined shape to form a source electrode 5, a drain electrode 6, and a signal line. Further, a black resin film 7 was coated on the TFT in order to prevent the TFT from malfunctioning due to external light.

【0012】次に赤色の顔料を分散させた紫外線硬化型
アクリル樹脂レジストCR−2000(富士ハントテク
ノロジー(株)製)をスピンナーにて全面塗布し、スペ
ーサの形成を所望する場所を含め赤を着色したい部分の
に光が照射されるようなフォトマスクを介し365nm
の波長で100mJ/cm2照射し、KOHの1%水溶
液で10秒間現像し、赤の着色層8R及び柱状突起を構
成する赤のスペーサ層9Rを形成した。同様に緑、青の
着色層8G、8B、緑、青のスペーサ層9G、9Bを形
成した。ここでは緑の着色材料は、CG−2000(富
士ハントテクノロジー(株)製)、青の着色層はCB−
2000(富士ハントテクノロジ(株)製)を用いた。
柱状突起は、3色のスペーサ層を積層するようにして形
成し、TFTに対応した位置に黒色樹脂膜7を介して配
置した。
Next, a UV-curable acrylic resin resist CR-2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.) in which a red pigment is dispersed is applied over the entire surface by a spinner, and red is colored including a portion where spacer formation is desired. 365 nm through a photomask that irradiates the desired part with light
At a wavelength of 100 mJ / cm 2 and developed with a 1% aqueous solution of KOH for 10 seconds to form a red colored layer 8R and a red spacer layer 9R constituting columnar projections. Similarly, green and blue colored layers 8G and 8B and green and blue spacer layers 9G and 9B were formed. Here, the green coloring material is CG-2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.), and the blue coloring layer is CB-2000.
2000 (manufactured by Fuji Hunt Technology Co., Ltd.).
The columnar protrusions were formed by laminating spacer layers of three colors, and were arranged at positions corresponding to the TFTs via the black resin film 7.

【0013】次に、着色層8にスルーホール9を形成
し、柱状突起を有する基板全面にITOからなる透明電
極を形成した。透明電極上全面にレジストを塗布し、画
素電極部及び柱状突起の対向基板側に形成される画素電
極材料と同じ材料の層部に対応した位置以外のレジスト
を除去し、レジスト除去部分の透明電極をドライエッチ
ングによって除去して、電極パターニング後にレジスト
を全て除去して、画素電極及び画素電極材料と同じ材料
の層を得た。この際、透明電極はドレイン電極6に接触
させるようにパターニングして画素電極10を形成し
た。
Next, a through hole 9 was formed in the colored layer 8, and a transparent electrode made of ITO was formed on the entire surface of the substrate having columnar projections. A resist is applied to the entire surface of the transparent electrode, and the resist is removed from portions other than the positions corresponding to the layer portions of the same material as the pixel electrode material and the pixel electrode material formed on the counter substrate side of the columnar protrusions. Was removed by dry etching, and after the electrode patterning, all the resist was removed to obtain a layer of the same material as the pixel electrode and the pixel electrode material. At this time, the transparent electrode was patterned so as to be in contact with the drain electrode 6 to form the pixel electrode 10.

【0014】最後に、配向膜材料としてポリイミド(日
本合成ゴム(株)製商品名AL−1051)を全面に5
00オングストローム塗布し、ラビング処理を行って配
向膜12を形成してアレイ基板31を形成した。
Finally, polyimide (trade name: AL-1051, manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) is used as an alignment film material on the entire surface.
The alignment substrate 12 was formed by applying 00 angstrom and performing a rubbing treatment to form an array substrate 31.

【0015】この後、対向基板32の外周部に2枚の基
板を接着するためのシール剤を注入口(図示せず)を除
いて印刷し、アレイ基板31から対向電極25に電圧を
印加するための電極転移材をシール材塗布領域周辺の電
極転移電極上に形成した。次に2枚の基板を、配向膜1
2が対向し、それぞれの配向膜のラビング方向が90度
となるよう基板31、32を配置し、加熱してシール剤
を硬化させ2枚の基板を貼り合わせた。
Thereafter, a sealant for bonding the two substrates is printed on the outer peripheral portion of the opposing substrate 32 except for an injection port (not shown), and a voltage is applied from the array substrate 31 to the opposing electrode 25. Transfer material was formed on the electrode transfer electrode around the sealing material application region. Next, the two substrates are aligned with the alignment film 1.
The substrates 31 and 32 were arranged such that the rubbing direction of each alignment film was 90 degrees, and the two substrates were bonded by heating to cure the sealant.

【0016】次に通常の方法により注入口より液晶組成
物20として、ZLI−1565(E.メルク社製)に
S811を0.1wt%添加したものを注入し、この後
注入口を紫外線硬化樹脂で封止して液晶表示素子30を
形成した。
Next, as a liquid crystal composition 20, a material obtained by adding 0.1 wt% of S811 to ZLI-1565 (manufactured by E. Merck) is injected from the injection port by an ordinary method. Then, the liquid crystal display element 30 was formed.

【0017】このように、画素電極形成時に、柱状突起
の対向基板側にも画素電極材料と同じ材料の層を残すよ
うに設計されているため、柱状突起の対向基板側に形成
されるレジストがドライエッチングによる影響を遮断す
ることになり、柱状突起の対向基板側がエッチングによ
り削られるなどの損傷がない。従って、画素電極パター
ン形成時のエッチング工程による柱状突起の損傷による
高さの変化を考慮する必要がないため、基板間距離を保
持する柱状突起の高さを常に一定の高さで形成すること
が容易となる。
As described above, when the pixel electrode is formed, it is designed so that the layer of the same material as the pixel electrode material is also left on the opposing substrate side of the columnar projection, so that the resist formed on the opposing substrate side of the columnar projection is formed. The influence of the dry etching is cut off, and there is no damage such as the opposing substrate side of the columnar projection being scraped off by etching. Therefore, since it is not necessary to consider a change in height due to damage to the columnar projection due to the etching process when forming the pixel electrode pattern, the columnar projection that maintains the distance between the substrates can always be formed at a constant height. It will be easier.

【0018】次に第2の実施形態について図2を用いて
説明する。本実施の形態は、上記実施形態の半導体層が
a−Siであるのに対し、p−Siを用いた液晶表示素
子を例にあげている。
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. This embodiment exemplifies a liquid crystal display element using p-Si while the semiconductor layer of the above embodiment is a-Si.

【0019】図2は液晶表示素子の断面図を表す。図2
に示すように、本実施形態の液晶表示素子30は、アレ
イ基板31と対向基板32との間隙に液晶層24を狭持
し、アレイ基板30と対向基板31の基板外周部に形成
されたシール材(図示せず)により両基板ははりあわさ
れており、アレイ基板30と対向基板31との基板間距
離は柱状突起9により保持されている。
FIG. 2 is a sectional view of a liquid crystal display device. FIG.
As shown in FIG. 5, the liquid crystal display element 30 of the present embodiment has a liquid crystal layer 24 interposed between the array substrate 31 and the opposing substrate 32, and a seal formed on the outer peripheral portions of the array substrate 30 and the opposing substrate 31. Both substrates are bonded together by a material (not shown), and the distance between the array substrate 30 and the opposing substrate 31 is held by the columnar projections 9.

【0020】アレイ基板31に、基板1の一主面上に複
数の信号線(図示せず)と複数のゲート線2が交差する
ように形成され、これら信号線とゲート線3の交差部毎
にスイッチング素子22としてのTFT(薄膜トランジ
スタ)とこれに電気的接続している画素電極10が形成
されている。詳細には、基板1上にp−Siからなる半
導体層4が形成され、この半導体層4を覆ってゲート絶
縁膜23が形成されている。ゲート絶縁膜23上におけ
る半導体層に52に対応する箇所にはゲート2が形成さ
れ、ゲート絶縁膜23及びゲート2を覆ってシリコン酸
化膜29、シリコン窒化膜26が形成されている。シリ
コン窒化膜26、シリコン酸化膜29、ゲート絶縁膜2
3にはスルーホールが形成されており、ドレイン電極6
及びソース5電極が半導体層4に電気的に接続されてい
る。これら各構造物を覆って、アクリル樹脂などの有機
絶縁膜27が形成されており、この絶縁膜27のドレイ
ン6上にはスルーホール部28が開設され、このスルー
ホール部28を介してドレイン6と画素電極10が接続
されている。そしてこれら全面に配向膜12が形成され
ている。
On an array substrate 31, a plurality of signal lines (not shown) and a plurality of gate lines 2 are formed on one main surface of the substrate 1 so as to intersect with each other. A TFT (thin film transistor) as a switching element 22 and a pixel electrode 10 electrically connected thereto are formed. Specifically, a semiconductor layer 4 made of p-Si is formed on the substrate 1, and a gate insulating film 23 is formed so as to cover the semiconductor layer 4. The gate 2 is formed at a position corresponding to the semiconductor layer 52 on the gate insulating film 23, and a silicon oxide film 29 and a silicon nitride film 26 are formed to cover the gate insulating film 23 and the gate 2. Silicon nitride film 26, silicon oxide film 29, gate insulating film 2
3, a through hole is formed, and a drain electrode 6 is formed.
And a source 5 electrode is electrically connected to the semiconductor layer 4. An organic insulating film 27 made of acrylic resin or the like is formed so as to cover these structures. A through hole 28 is formed on the drain 6 of the insulating film 27, and the drain 6 is formed through the through hole 28. And the pixel electrode 10 are connected. An alignment film 12 is formed on the entire surface.

【0021】一方、対向基板32は、基板21上の全面
に対向電極25、配向膜12が順次形成されてなる。本
実施例では、有機絶縁膜27と柱状突起9とは別工程で
形成した。そして、画素電極のパターニングにおいては
ウエットエッチングを用いている。以下に、パターニン
グ工程の詳細についてのみ説明する。有機絶縁膜27を
基板全面に形成した後、TFTに対応した位置に有機絶
縁膜27と同一の材料でフォトリソグラフィ法により柱
状突起を形成した。有機絶縁膜27にスルーホール28
を形成した後、柱状突起を有する基板全面にITOから
なる透明電極を形成した。
On the other hand, the counter substrate 32 is formed by sequentially forming the counter electrode 25 and the alignment film 12 on the entire surface of the substrate 21. In this embodiment, the organic insulating film 27 and the columnar protrusion 9 are formed in different steps. In the patterning of the pixel electrode, wet etching is used. Hereinafter, only the details of the patterning step will be described. After the organic insulating film 27 was formed on the entire surface of the substrate, columnar projections were formed at positions corresponding to the TFTs using the same material as the organic insulating film 27 by photolithography. Through hole 28 in organic insulating film 27
Was formed, a transparent electrode made of ITO was formed on the entire surface of the substrate having the columnar protrusions.

【0022】透明電極上全面にレジストを塗布し、画素
電極部に対応した位置、及び柱状突起のアレイ基板から
最も遠い部分、すなわち液晶表示素子としたときの対向
基板側に形成される画素電極材料と同じ材料の層に対応
した位置以外のレジストを除去し、レジスト除去部分の
透明電極を王水でエッチングして除去し、電極パターニ
ング後にレジストを全て除去して、画素電極10及び画
素電極材料と同じ材料の層11を得た。この際、スルー
ホール28を介して画素電極10とドレイン電極6とを
電気的に接続するように形成した。
A resist is applied to the entire surface of the transparent electrode, and a portion corresponding to the pixel electrode portion and a portion of the columnar projection farthest from the array substrate, that is, a pixel electrode material formed on the counter substrate side when a liquid crystal display element is formed. The resist other than the position corresponding to the layer of the same material as the above is removed, the transparent electrode in the portion where the resist is removed is removed by etching with aqua regia, and after the electrode patterning, all the resist is removed, and the pixel electrode 10 and the pixel electrode material are removed. A layer 11 of the same material was obtained. At this time, the pixel electrode 10 and the drain electrode 6 were formed so as to be electrically connected through the through hole 28.

【0023】このように、画素画素電極材料と同じ材料
の層形成時に、柱状突起の対向基板側にも画素電極材料
と同じ材料の層を残すように設計されているため、柱状
突起の頂部に形成されるレジストがウエットエッチング
による影響を遮断することになり、柱状突起の頂部がエ
ッチングにより削られるなどの損傷がない。従って、画
素電極形成時のエッチング工程による柱状突起の損傷に
よる高さの変化を考慮する必要がないため、基板間距離
を保持する柱状突起の高さを常に一定の高さで形成する
ことが容易となる。
As described above, when a layer of the same material as the pixel electrode material is formed, it is designed so that the layer of the same material as the pixel electrode material is also left on the opposing substrate side of the columnar protrusion. The formed resist blocks the influence of the wet etching, so that there is no damage such as the top of the columnar projection being etched away. Therefore, since it is not necessary to consider a change in height due to damage to the columnar projection due to the etching process at the time of forming the pixel electrode, it is easy to always form the columnar projection that maintains the distance between the substrates at a constant height. Becomes

【0024】上記第1の実施形態では、画素電極及び画
素電極材料と同じ材料の層の形成時にドライエッチング
を使用し、第2の実施形態では、王水によってエッチン
グを行うウエットエッチングを使用したが、どちらでも
同様の効果を得ることができる。すなわち、電極パター
ン時の柱状突起の対向基板側に形成されるレジストがエ
ッチングによる影響を遮断することになり、柱状突起の
対向基板側がエッチングにより削られるなどの損傷がな
い。
In the first embodiment, dry etching is used when forming a pixel electrode and a layer made of the same material as the pixel electrode material. In the second embodiment, wet etching in which aqua regia is used is used. In either case, the same effect can be obtained. That is, the resist formed on the opposing substrate side of the columnar projections at the time of the electrode pattern blocks the influence of the etching, and there is no damage such as the opposing substrate side of the columnar projections being etched away.

【0025】また、上記第1の実施形態では、柱状突起
の対向基板側全面に画素電極材料と同じ材料の層を形成
し、第2の実施形態では、柱状突起の対向基板側の一部
に画素電極材料と同じ材料の層を形成したが、どちらで
も同様の効果を得ることができ、常に一定の高さの柱状
突起を得ることができる。しかしながら、高さに加えて
常に一定の太さの柱状突起を得るためには、柱状突起の
対向基板側全面に画素電極材料と同じ材料の層を形成し
た方が好ましく、この場合には常に一定の高さで一定の
太さの柱状突起を得ることができる。
In the first embodiment, a layer made of the same material as the pixel electrode material is formed on the entire surface of the columnar protrusion on the side of the opposing substrate. In the second embodiment, a part of the columnar protrusion is formed on the side of the opposing substrate. Although a layer made of the same material as the pixel electrode material is formed, the same effect can be obtained in either case, and a columnar projection having a constant height can always be obtained. However, in order to always obtain a columnar protrusion having a constant thickness in addition to the height, it is preferable to form a layer of the same material as the pixel electrode material on the entire surface of the columnar protrusion on the counter substrate side. Columnar projections having a constant thickness can be obtained.

【0026】また、上記第1の実施形態では、画素電極
材料と同じ材料の層と画素電極とを非接続状態にし、第
2の実施形態では、画素電極と画素電極材料と同じ材料
の層が接続状態にしているが、どちらでも同様の効果を
得ることができ、常に一定の太さの柱状突起を得ること
ができる。しかし、画素電極と画素電極材料と同じ材料
の層が接続されている場合、画素電極と対向基板上の対
向電極との短絡の発生が生じ、表示不良となる可能性が
高いため、画素電極材料と同じ材料の層と画素電極とは
非接続状態であることが好ましい。このように画素電極
材料と同じ材料の層と画素電極とを非接続状態にする場
合、アレイ基板と概略平行な柱状突起の断面領域を、ア
レイ基板側から対向基板側へ向かって部分的に増加する
ようにして柱状突起を形成すれば、柱状突起を含む基板
全面に透明電極を形成する際に、柱状突起の側面に透明
電極が形成されにくくなり、更に短絡を防止することが
可能となる。
In the first embodiment, the layer of the same material as the pixel electrode material and the pixel electrode are not connected. In the second embodiment, the pixel electrode and the layer of the same material as the pixel electrode material are separated. Although the connection state is established, a similar effect can be obtained in either case, and a columnar projection having a constant thickness can be always obtained. However, when the pixel electrode and a layer of the same material as the pixel electrode material are connected, a short circuit occurs between the pixel electrode and the counter electrode on the counter substrate, and the possibility of display failure is high. It is preferable that the layer of the same material as described above and the pixel electrode are in a non-connected state. In the case where the layer of the same material as the pixel electrode material and the pixel electrode are not connected in this manner, the cross-sectional area of the columnar protrusion substantially parallel to the array substrate is partially increased from the array substrate side to the counter substrate side. By forming the columnar projections in such a manner, when forming a transparent electrode on the entire surface of the substrate including the columnar projections, it is difficult to form the transparent electrode on the side surfaces of the columnar projections, and it is possible to further prevent a short circuit.

【0027】また、上記2つの実施形態では、ゲート
線、信号線及びスイッチング素子を含む基板全面に着色
層あるいは有機絶縁膜が形成され、これら着色層または
有機絶縁膜を介して柱状突起を形成しているが、これら
着色層あるいは有機絶縁膜が形成されていなくとも、同
様の効果を得ることができる。上記実施形態のように着
色層や有機絶縁膜が形成されている場合、画素電極を、
絶縁膜を介して信号線またはゲート線と重なり合って形
成することが可能となるため、開口率をあげることが可
能となる。また、アレイ基板側に着色層を形成する場
合、対向基板側に着色層を形成する場合と比較して、画
素電極と着色層との位置合わせずれなどを考慮する必要
がないため、開口率をあげることが可能となる。また、
第1の実施形態では、着色層形成工程と同一工程で、柱
状突起を形成することができるため、柱状突起形成を着
色層形成工程と別に行うよりも工程数が削減できる。
In the above two embodiments, a colored layer or an organic insulating film is formed on the entire surface of the substrate including the gate lines, signal lines, and switching elements, and columnar projections are formed via these colored layers or the organic insulating film. However, similar effects can be obtained even if these colored layers or organic insulating films are not formed. When a colored layer or an organic insulating film is formed as in the above embodiment, the pixel electrode is
Since the gate electrode can be formed so as to overlap with a signal line or a gate line with an insulating film interposed therebetween, an aperture ratio can be increased. In addition, when the colored layer is formed on the array substrate side, compared with the case where the colored layer is formed on the counter substrate side, it is not necessary to consider a misalignment between the pixel electrode and the colored layer. It is possible to give. Also,
In the first embodiment, since the columnar projections can be formed in the same step as the colored layer forming step, the number of steps can be reduced as compared with the case where the columnar projections are formed separately from the colored layer forming step.

【0028】また、上記2つの実施形態では、柱状突起
をTFT上に形成したが、他に信号線やゲート線のよう
な非画素領域に形成することが可能である。また、上記
第1の実施形態では、隣り合う着色層が重なり合ってい
るため、その重なり合っている部分の光透過率は低くな
るため、配線層上にこの着色層の重なり合う領域が配置
される場合、重なり合わない場合とくらべて、配線層部
の光ぬけを防止することができる。
Further, in the above two embodiments, the columnar protrusions are formed on the TFT, but may be formed in a non-pixel region such as a signal line or a gate line. Further, in the first embodiment, since the adjacent colored layers overlap, the light transmittance of the overlapping portion is low. Therefore, when the overlapping region of the colored layers is arranged on the wiring layer, Light leakage of the wiring layer portion can be prevented as compared with the case where they do not overlap.

【0029】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものではない。以上、本発明では、柱状突起の対向基板
側にも画素電極材料と同じ材料の層を形成するため、こ
の画素電極材料と同じ材料の層部分の厚み分も2枚の基
板間距離を保持するスペーサとして機能し、アレイ基板
側に形成される柱状突起を、所望のスペーサ高さよりも
画素電極材料と同じ材料の層の厚み分低くできる。ま
た、本発明では、柱状突起を有する基板上に複数の画素
電極を形成する場合、柱状突起の対向基板側の一部に画
素電極材料と同じ材料の層が形成されるように製造する
ことにより、画素電極形成時のエッチングによる柱状突
起の頂部の損傷を防止し、常に一定の高さの柱状突起を
得ることができる。
The present invention is not limited to the above embodiment. As described above, in the present invention, since a layer made of the same material as the pixel electrode material is also formed on the opposite substrate side of the columnar protrusion, the distance between the two substrates is maintained by the thickness of the layer portion made of the same material as the pixel electrode material. The columnar projections that function as spacers and are formed on the array substrate side can be made lower than the desired spacer height by the thickness of the layer of the same material as the pixel electrode material. Further, in the present invention, when forming a plurality of pixel electrodes on a substrate having columnar projections, by manufacturing such that a layer of the same material as the pixel electrode material is formed on a part of the columnar projections on the side of the opposing substrate. In addition, it is possible to prevent damage to the tops of the columnar projections due to etching during the formation of the pixel electrodes, and to obtain columnar projections having a constant height.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明によれば、柱状突起を有するアレ
イ基板上に複数の画素電極を形成する場合、アレイ基板
と対向する対向基板側の柱状突起の一部に画素電極材料
と同じ材料の層が形成されるように電極をパターニング
することにより、画素電極形成時のエッチングによる柱
状突起の頂部の損傷を防止し、常に一定の高さの柱状突
起を得ることができる。
According to the present invention, when a plurality of pixel electrodes are formed on an array substrate having columnar projections, part of the columnar projections on the counter substrate facing the array substrate is made of the same material as the pixel electrode material. By patterning the electrodes so that a layer is formed, damage to the tops of the columnar projections due to etching at the time of forming the pixel electrode can be prevented, and columnar projections having a constant height can always be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態を示す液晶表示素子の断面
図。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display element according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施形態を示す液晶表示素子の断
面図。
FIG. 2 is a sectional view of a liquid crystal display device showing another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板 2…ゲート線 8…着色層 9…柱状突起 10…画素電極 11…画素電極材料と同じ材料の層 21…基板 22…スイッチング素子 24…液晶層 25…対向電極 30…液晶表示素子 31…アレイ基板 32…対向基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Gate line 8 ... Coloring layer 9 ... Columnar protrusion 10 ... Pixel electrode 11 ... Layer of the same material as pixel electrode material 21 ... Substrate 22 ... Switching element 24 ... Liquid crystal layer 25 ... Counter electrode 30 ... Liquid crystal display element 31 … Array substrate 32… counter substrate

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向電極を有する対向基板と、 複数のゲート線と、前記ゲート線と交差するように複数
の信号線と、前記ゲート線と前記信号線との交差部近傍
にスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続す
る画素電極と、前記ゲート線上、前記信号線上、前記ス
イッチング素子上のいづれか1つに対応した位置に配置
された柱状突起とを有するアレイ基板と前記対向基板と
前記アレイ基板との間隙に配置された液晶層とからなる
液晶表示素子において、前記柱状突起は、対向基板側の
1部に前記画素電極材料と同じ材料の層が形成されてい
ることを特徴とする液晶表示素子。
A counter substrate having a counter electrode; a plurality of gate lines; a plurality of signal lines intersecting with the gate lines; a switching element near an intersection of the gate lines and the signal lines; An array substrate having a pixel electrode connected to the switching element, and a columnar protrusion disposed at a position corresponding to any one of the gate line, the signal line, and the switching element, the counter substrate, and the array substrate; A liquid crystal display element comprising a liquid crystal layer disposed in a gap between the columnar projections, wherein the columnar projections are formed on a part of the counter substrate side with a layer made of the same material as the pixel electrode material. .
【請求項2】 対向電極を有する対向基板と、 複数のゲート線と、前記ゲート線と交差するように複数
の信号線と、前記ゲート線と前記信号線との交差部近傍
にスイッチング素子とを有し、前記ゲート線、前記信号
線及びスイッチング素子を含む基板全面に形成された有
機絶縁膜と、前記ゲート線上、前記信号線上、前記スイ
ッチング素子上のいづれか1つに対応した位置の前記有
機絶縁膜上に配置された柱状突起と、前記柱状突起を含
む前記有機絶縁膜上に形成された透明電極とを有するア
レイ基板と、 前記対向基板と前記アレイ基板との間隙に形成された液
晶層とからなる液晶表示素子において、前記柱状突起
は、対向基板側の1部に前記画素電極材料と同じ材料の
層が形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
2. A counter substrate having a counter electrode, a plurality of gate lines, a plurality of signal lines intersecting with the gate lines, and a switching element near an intersection between the gate lines and the signal lines. An organic insulating film formed on the entire surface of the substrate including the gate line, the signal line, and the switching element; and the organic insulating film at a position corresponding to any one of the gate line, the signal line, and the switching element. An array substrate having columnar projections disposed on a film, and a transparent electrode formed on the organic insulating film including the columnar projections; and a liquid crystal layer formed in a gap between the counter substrate and the array substrate. In the liquid crystal display device, the column-shaped projection is formed on a part of the opposing substrate side with a layer made of the same material as the pixel electrode material.
【請求項3】 前記有機絶縁膜は複数色の着色層からな
り、前記柱状突起は前記着色層と同一工程で形成したス
ペーサ層を複数層積層して形成していることを特徴とす
る請求項2記載の液晶表示素子。
3. The organic insulating film comprises a plurality of colored layers, and the columnar protrusions are formed by laminating a plurality of spacer layers formed in the same step as the colored layer. 2. The liquid crystal display device according to 2.
【請求項4】 隣り合う前記着色層は重なり合ってお
り、この重なり合った部分は、前記柱状突起の一部を構
成していることを特徴とする請求項3記載の液晶表示素
子。
4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the adjacent colored layers overlap each other, and the overlapped portion forms a part of the columnar projection.
【請求項5】 前記画素電極材料と同じ材料の層と前記
画素電極とは、同一工程で形成されることを特徴とする
請求項1乃至4いづれか1つ記載の液晶表示素子。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the layer of the same material as the pixel electrode material and the pixel electrode are formed in the same step.
【請求項6】 前記画素電極材料と同じ材料の層は、前
記柱状突起の対向基板側全面に形成されていることを特
徴とする請求項1乃至4いづれか1つ記載の液晶表示素
子。
6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a layer made of the same material as the pixel electrode material is formed on the entire surface of the columnar protrusion on the side of the counter substrate.
【請求項7】 前記画素電極と前記画素電極材料と同じ
材料の層は離間されて配置されていることを特徴とする
請求項1乃至4いづれか1つ記載の液晶表示素子。
7. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrode and a layer made of the same material as the material of the pixel electrode are separated from each other.
【請求項8】 前記アレイ基板と概略平行な前記柱状突
起の断面領域は、前記アレイ基板側から前記対向基板側
へ向かって、部分的に増加していることを特徴とする請
求項1乃至3いづれか1つ記載の液晶表示素子。
8. The cross-sectional area of the columnar projection substantially parallel to the array substrate is partially increased from the array substrate side to the counter substrate side. A liquid crystal display device according to any one of the above.
【請求項9】対向電極を形成して対向基板を形成する工
程と、 基板上に、複数のゲート線と、前記ゲート線と交差する
ように複数の信号線と、前記ゲート線と前記信号線との
交差部近傍にスイッチング素子とを形成する工程と、前
記ゲート線上、前記信号線上、前記スイッチング素子上
の少なくともいづれか1つに対応した位置に柱状突起を
形成する工程と、前記柱状突起を含む基板全面に透明電
極を形成する工程と、前記透明電極をパターニングし
て、前記スイッチング素子に接続する画素電極と、前記
柱状突起の前記アレイ基板から最も遠い部分の1部に前
記画素電極材料と同じ材料の層を形成してアレイ基板を
形成する工程と、前記対向基板と前記アレイ基板とを対
向配置し、前記柱状突起によって基板間距離を保持した
状態で、前記対向基板及び前記アレイ基板の基板外周部
にシール材を配置して、前記対向基板と前記アレイ基板
とをはりあわす工程と、前記対向基板及び前記アレイ基
板との基板間隙に液晶層を形成する工程と、を有する液
晶表示素子の製造方法。
9. A step of forming a counter electrode by forming a counter electrode; forming a plurality of gate lines on the substrate; a plurality of signal lines intersecting the gate lines; Forming a switching element in the vicinity of the intersection with the above, forming a columnar projection at a position corresponding to at least one of the gate line, the signal line, and the switching element; and the columnar projection. Forming a transparent electrode on the entire surface of the substrate; patterning the transparent electrode to form a pixel electrode connected to the switching element; and forming a portion of the columnar projection farthest from the array substrate with the same material as the pixel electrode material. Forming a layer of material to form an array substrate, and disposing the counter substrate and the array substrate to face each other, and maintaining the distance between the substrates by the columnar protrusions, A step of disposing a sealant on the outer periphery of the counter substrate and the array substrate to bond the counter substrate and the array substrate, and a step of forming a liquid crystal layer in a substrate gap between the counter substrate and the array substrate And a method for manufacturing a liquid crystal display element having the following.
【請求項10】 対向電極を形成して対向基板を形成す
る工程と、 基板上に、複数のゲート線と、前記ゲート線と交差する
ように複数の信号線と、前記ゲート線と前記信号線との
交差部近傍にスイッチング素子とを形成する工程と、前
記ゲート線、前記信号線及びスイッチング素子を含む基
板全面に有機絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート線
上、前記信号線上、前記スイッチング素子上の少なくと
もいづれか1つ対応した位置に前記有機絶縁膜上に柱状
突起を形成する工程と、前記柱状突起を含む前記有機絶
縁膜上に透明電極を形成する工程と、前記透明電極をパ
ターニングして、前記スイッチング素子に接続する画素
電極と、前記柱状突起の前記アレイ基板から最も遠い部
分の1部に前記画素電極材料と同じ材料の層を形成して
アレイ基板を形成する工程と、前記対向基板と前記アレ
イ基板とを対向配置し、前記柱状突起によって基板間距
離を保持した状態で、前記対向基板及び前記アレイ基板
の基板外周部にシール材を配置して、前記対向基板と前
記アレイ基板とをはりあわす工程と、前記対向基板及び
前記アレイ基板との基板間隙に液晶層を形成する工程
と、を有する液晶表示素子の製造方法。
10. A step of forming a counter electrode by forming a counter electrode, forming a plurality of gate lines on the substrate, a plurality of signal lines intersecting the gate lines, and the gate lines and the signal lines. Forming a switching element in the vicinity of the intersection with the substrate, forming an organic insulating film on the entire surface of the substrate including the gate line, the signal line, and the switching element; and forming the organic insulating film on the gate line, the signal line, and the switching element. Forming a columnar protrusion on the organic insulating film at a position corresponding to at least one of the above, forming a transparent electrode on the organic insulating film including the columnar protrusion, and patterning the transparent electrode. Forming a layer of the same material as the pixel electrode material on a portion of the pixel electrode connected to the switching element and a part of the columnar protrusion farthest from the array substrate; And forming the counter substrate and the array substrate to face each other, and maintaining a distance between the substrates by the columnar projections, disposing a sealing material on the outer peripheral portions of the substrate of the counter substrate and the array substrate. A method of manufacturing a liquid crystal display element, comprising: a step of bonding the opposite substrate and the array substrate; and a step of forming a liquid crystal layer in a substrate gap between the opposite substrate and the array substrate.
【請求項11】 前記有機絶縁膜は複数色の着色層から
なり、前記柱状突起は前記着色層と同一工程で形成した
スペーサ層を複数層積層して形成していることを特徴と
する請求項9記載の液晶表示素子の製造方法。
11. The organic insulating film comprises a plurality of colored layers, and the columnar protrusions are formed by laminating a plurality of spacer layers formed in the same step as the colored layer. 10. The method for manufacturing a liquid crystal display element according to item 9.
【請求項12】 前記画素電極材料と同じ材料からなる
層は前記柱状突起の前記対向基板側全面に形成されてい
ることを特徴とする請求項8乃至10いづれか1つ記載
の液晶表示素子の製造方法。
12. The liquid crystal display element according to claim 8, wherein a layer made of the same material as the pixel electrode material is formed on the entire surface of the columnar protrusion on the side of the counter substrate. Method.
【請求項13】 前記画素電極と前記画素電極材料と同
じ材料からなる層は、離間されてパターニングされてい
ることを特徴とする請求項8乃至10いづれか1つ記載
の液晶表示素子の製造方法。
13. The method according to claim 8, wherein the pixel electrode and a layer made of the same material as the pixel electrode material are separated and patterned.
【請求項14】 前記アレイ基板と概略平行な前記柱状
突起の断面領域は、前記アレイ基板側から前記対向基板
側へ向かって、部分的に増加していることを特徴とする
請求項8乃至10いづれか1つ記載の液晶表示素子の製
造方法。
14. The cross-sectional area of the columnar projection substantially parallel to the array substrate is partially increased from the array substrate side to the counter substrate side. A method for manufacturing a liquid crystal display device according to any one of the above.
JP8228560A 1996-08-29 1996-08-29 Liquid crystal display element and its production Pending JPH1068956A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8228560A JPH1068956A (en) 1996-08-29 1996-08-29 Liquid crystal display element and its production

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8228560A JPH1068956A (en) 1996-08-29 1996-08-29 Liquid crystal display element and its production

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1068956A true JPH1068956A (en) 1998-03-10

Family

ID=16878293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8228560A Pending JPH1068956A (en) 1996-08-29 1996-08-29 Liquid crystal display element and its production

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1068956A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH112810A (en) * 1997-06-12 1999-01-06 Toshiba Electron Eng Corp Liquid crystal display device and its manufacture
KR20020077047A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 우 옵트로닉스 코포레이션 Flat panel display and method for forming the same
US6577374B1 (en) 1999-09-29 2003-06-10 Nec Lcd Technologies, Ltd. Active matrix substrate having column spacers integral with protective layer and process for fabrication thereof
KR100458994B1 (en) * 2000-09-11 2004-12-03 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. Liquid crystal display and method of manufacturing same
JP2006267524A (en) * 2005-03-24 2006-10-05 Sharp Corp Liquid crystal panel, liquid crystal display device, and manufacturing method for liquid crystal panel
JP2006343747A (en) * 2005-06-08 2006-12-21 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display panel and method of manufacturing same
US7633595B2 (en) * 2003-12-30 2009-12-15 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel having dummy color filter and fabricating method thereof
JP2011017878A (en) * 2009-07-09 2011-01-27 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display device
JP2011107473A (en) * 2009-11-18 2011-06-02 Toppan Printing Co Ltd Color filter substrate and liquid crystal display device
JP2013050737A (en) * 1999-07-06 2013-03-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and electronic apparatus

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH112810A (en) * 1997-06-12 1999-01-06 Toshiba Electron Eng Corp Liquid crystal display device and its manufacture
US9069215B2 (en) 1999-07-06 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9052551B2 (en) 1999-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US9395584B2 (en) 1999-07-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2013050737A (en) * 1999-07-06 2013-03-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and electronic apparatus
JP2019133180A (en) * 1999-07-06 2019-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal display device
US6577374B1 (en) 1999-09-29 2003-06-10 Nec Lcd Technologies, Ltd. Active matrix substrate having column spacers integral with protective layer and process for fabrication thereof
US7026100B2 (en) 1999-09-29 2006-04-11 Nec Lcd Tecnologies, Ltd. Active matrix substrate having column spacers integral with protective layer and process for fabrication thereof
KR100458994B1 (en) * 2000-09-11 2004-12-03 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. Liquid crystal display and method of manufacturing same
KR20020077047A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 우 옵트로닉스 코포레이션 Flat panel display and method for forming the same
US7633595B2 (en) * 2003-12-30 2009-12-15 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel having dummy color filter and fabricating method thereof
JP2006267524A (en) * 2005-03-24 2006-10-05 Sharp Corp Liquid crystal panel, liquid crystal display device, and manufacturing method for liquid crystal panel
JP2006343747A (en) * 2005-06-08 2006-12-21 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display panel and method of manufacturing same
JP2011017878A (en) * 2009-07-09 2011-01-27 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display device
US8836907B2 (en) 2009-07-09 2014-09-16 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US8421984B2 (en) 2009-07-09 2013-04-16 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
JP2011107473A (en) * 2009-11-18 2011-06-02 Toppan Printing Co Ltd Color filter substrate and liquid crystal display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101125254B1 (en) Thin Film Transistor Substrate of Fringe Field Switching Type And Fabricating Method Thereof, Liquid Crystal Display Panel Using The Same And Fabricating Method Thereof
JP4363723B2 (en) Liquid crystal display
KR101620526B1 (en) Method of making liquid crystal display and liquid crystal display thereof
JP5120828B2 (en) Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof, and liquid crystal display panel having the same and manufacturing method
KR20030078037A (en) Printed circuit board for display device and manufacturing method thereof
JP2007133412A (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP2009042255A (en) Liquid crystal display device
KR101250316B1 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
JPH1068956A (en) Liquid crystal display element and its production
JP4217308B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101956814B1 (en) Liquid crystal display and method for fabricating the same
KR20050115742A (en) Thin film transistor mother substrate for display device and method for fabricating the same
JPH08136951A (en) Substrate for liquid crystal panel and its production
KR100626347B1 (en) Method of manufacturing a TFT LCD pannel
JP4090594B2 (en) Reflective liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JPH09325342A (en) Liquid crystal display element and its production
JP3987522B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
KR20070121414A (en) Liquid crystal display panel and method of fabricating the same
JP2000187223A (en) Liquid crystal display device
WO2010079540A1 (en) Liquid-crystal display panel
JP3949945B2 (en) Liquid crystal display
JP4156722B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device
KR101496215B1 (en) Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same
JPH10333135A (en) Liquid crystal display element
JPH1195202A (en) Active matrix type liquid crystal display device