JP2000097837A - 波長可変光源 - Google Patents
波長可変光源Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J63/00—Cathode-ray or electron-stream lamps
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光の波長域を容易かつ柔軟に変化させること
が可能な波長可変光源を提供する。 【解決手段】 基材１の表面１ａと針状部材２との間に
所定電圧を印加すると、針状部材２の先端から基材１の
表面１ａに形成された原子スケールの構造物にトンネル
電流が流れ、基材１の表面１ａのうち原子スケールの構
造物が形成された局所的な領域または針状部材２から所
定波長の光Ｌが放出される。ここで、可変電源３により
基材１の表面１ａと針状部材２との間に印加される電圧
を変化させると、基材１の表面１ａに形成された原子ス
ケールの構造物から放出される光Ｌの波長域が変化す
る。
が可能な波長可変光源を提供する。 【解決手段】 基材１の表面１ａと針状部材２との間に
所定電圧を印加すると、針状部材２の先端から基材１の
表面１ａに形成された原子スケールの構造物にトンネル
電流が流れ、基材１の表面１ａのうち原子スケールの構
造物が形成された局所的な領域または針状部材２から所
定波長の光Ｌが放出される。ここで、可変電源３により
基材１の表面１ａと針状部材２との間に印加される電圧
を変化させると、基材１の表面１ａに形成された原子ス
ケールの構造物から放出される光Ｌの波長域が変化す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は波長可変光源に係
り、とりわけ光の波長域を容易かつ柔軟に変化させるこ
とが可能な波長可変光源に関する。
り、とりわけ光の波長域を容易かつ柔軟に変化させるこ
とが可能な波長可変光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光源としては例えば、半導体レー
ザや発光ダイオード、固体レーザ等が知られている。こ
れらの光源は一般に、基材の材料等に応じて特定の波長
域の光を放出させる波長固定光源であるが、例えば固体
レーザ等においては材料の結晶構造（フォノン終準位
等）を利用して光の波長を所定の範囲（波長可変域）に
わたって変化させることが可能な波長可変光源も提案さ
れている。
ザや発光ダイオード、固体レーザ等が知られている。こ
れらの光源は一般に、基材の材料等に応じて特定の波長
域の光を放出させる波長固定光源であるが、例えば固体
レーザ等においては材料の結晶構造（フォノン終準位
等）を利用して光の波長を所定の範囲（波長可変域）に
わたって変化させることが可能な波長可変光源も提案さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の光源（波長可変光源）では、基材として複雑
な結晶構造の材料を用いる必要があり、また可視光域に
おいて十分な広さの波長可変域を確保することが難し
い。
うな従来の光源（波長可変光源）では、基材として複雑
な結晶構造の材料を用いる必要があり、また可視光域に
おいて十分な広さの波長可変域を確保することが難し
い。
【０００４】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、光の波長域を容易かつ柔軟に変化させるこ
とが可能な波長可変光源を提供することを目的とする。
ものであり、光の波長域を容易かつ柔軟に変化させるこ
とが可能な波長可変光源を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面に原子ス
ケールの構造物が形成された基材と、前記基材の表面に
真空または透明な絶縁体を介して局所的に電圧を印加し
て前記原子スケールの構造物にトンネル電流を流すため
の針状部材と、前記基材の表面と前記針状部材との間に
可変電圧を印加するための可変電源とを備え、前記可変
電源により前記基材の表面と前記針状部材との間に印加
される電圧を変化させることにより、前記基材の表面の
前記原子スケールの構造物または前記針状部材から放出
される光の波長域を変化させることを特徴とする波長可
変光源を提供する。
ケールの構造物が形成された基材と、前記基材の表面に
真空または透明な絶縁体を介して局所的に電圧を印加し
て前記原子スケールの構造物にトンネル電流を流すため
の針状部材と、前記基材の表面と前記針状部材との間に
可変電圧を印加するための可変電源とを備え、前記可変
電源により前記基材の表面と前記針状部材との間に印加
される電圧を変化させることにより、前記基材の表面の
前記原子スケールの構造物または前記針状部材から放出
される光の波長域を変化させることを特徴とする波長可
変光源を提供する。
【０００６】本発明によれば、基材の表面と針状部材と
の間に印加される電圧を変化させることにより、基材の
表面から放出される光の波長域を変化させることができ
るので、光の波長域を容易かつ柔軟に変化させることが
可能な波長可変光源を提供することが可能となる。ま
た、基材の表面のうち原子スケールの構造物が形成され
た局所的な領域から光を放出させることができるので、
原子スケールレベルの微小な波長可変光源を提供するこ
とが可能となる。
の間に印加される電圧を変化させることにより、基材の
表面から放出される光の波長域を変化させることができ
るので、光の波長域を容易かつ柔軟に変化させることが
可能な波長可変光源を提供することが可能となる。ま
た、基材の表面のうち原子スケールの構造物が形成され
た局所的な領域から光を放出させることができるので、
原子スケールレベルの微小な波長可変光源を提供するこ
とが可能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１（ａ）（ｂ）および図
２は本発明による波長可変光源の第１および第２の実施
の形態を説明するための図である。
施の形態について説明する。図１（ａ）（ｂ）および図
２は本発明による波長可変光源の第１および第２の実施
の形態を説明するための図である。
【０００８】第１の実施の形態 まず、図１（ａ）（ｂ）により、本発明による波長可変
光源の第１の実施の形態について説明する。図１（ａ）
に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る波長可
変光源は、表面１ａに原子スケールの構造物（図示せ
ず）が形成された基材１と、基材１の表面１ａに局所的
に電圧を印加して原子スケールの構造物にトンネル電流
を流すための先端の尖った針状部材２と、基材１の表面
１ａと針状部材２との間に可変電圧を印加するための可
変電源３とを備えている。ここで、基材１の表面１ａと
針状部材２との間は真空状態に保たれている。また、基
材１の表面１ａに形成される原子スケールの構造物とし
ては、基材１の表面１ａに形成されたシリコンダングリ
ングボンドや、基材１の表面１ａに形成された金属原
子、有機分子、半金属原子または無機分子等が用いられ
る。なお、本明細書でいう「原子スケール」とは、トン
ネル電流により光が放出される程度の構造物の大きさを
意味し、オングストロームスケールから数１００ｎｍま
でをも含む広い概念である。
光源の第１の実施の形態について説明する。図１（ａ）
に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る波長可
変光源は、表面１ａに原子スケールの構造物（図示せ
ず）が形成された基材１と、基材１の表面１ａに局所的
に電圧を印加して原子スケールの構造物にトンネル電流
を流すための先端の尖った針状部材２と、基材１の表面
１ａと針状部材２との間に可変電圧を印加するための可
変電源３とを備えている。ここで、基材１の表面１ａと
針状部材２との間は真空状態に保たれている。また、基
材１の表面１ａに形成される原子スケールの構造物とし
ては、基材１の表面１ａに形成されたシリコンダングリ
ングボンドや、基材１の表面１ａに形成された金属原
子、有機分子、半金属原子または無機分子等が用いられ
る。なお、本明細書でいう「原子スケール」とは、トン
ネル電流により光が放出される程度の構造物の大きさを
意味し、オングストロームスケールから数１００ｎｍま
でをも含む広い概念である。
【０００９】図１（ａ）において、基材１の表面１ａと
針状部材２との間に所定電圧を印加すると、針状部材２
の先端から基材１の表面１ａに形成された原子スケール
の構造物にトンネル電流が流れ、基材１の表面１ａのう
ち原子スケールの構造物が形成された局所的な領域また
は針状部材２から所定波長の光Ｌが放出される。ここ
で、可変電源３により基材１の表面１ａと針状部材２と
の間に印加される電圧を±０〜±３０Ｖの範囲で変化さ
せると、基材１の表面１ａに形成された原子スケールの
構造物から放出される光Ｌの波長域が２００〜１５００
ｎｍの範囲で変化する。
針状部材２との間に所定電圧を印加すると、針状部材２
の先端から基材１の表面１ａに形成された原子スケール
の構造物にトンネル電流が流れ、基材１の表面１ａのう
ち原子スケールの構造物が形成された局所的な領域また
は針状部材２から所定波長の光Ｌが放出される。ここ
で、可変電源３により基材１の表面１ａと針状部材２と
の間に印加される電圧を±０〜±３０Ｖの範囲で変化さ
せると、基材１の表面１ａに形成された原子スケールの
構造物から放出される光Ｌの波長域が２００〜１５００
ｎｍの範囲で変化する。
【００１０】このように本発明の第１の実施の形態によ
れば、基材１の表面１ａと針状部材２との間に印加され
る電圧を変化させることにより、基材１の表面１ａから
放出される光Ｌの波長域を変化させることができるの
で、光Ｌの波長域を容易かつ柔軟に変化させることが可
能な波長可変光源を提供することが可能となる。また、
基材１の表面１ａのうち原子スケールの構造物が形成さ
れた局所的な領域から光Ｌを放出させることができるの
で、原子スケールレベルの微小な波長可変光源を提供す
ることが可能となる。
れば、基材１の表面１ａと針状部材２との間に印加され
る電圧を変化させることにより、基材１の表面１ａから
放出される光Ｌの波長域を変化させることができるの
で、光Ｌの波長域を容易かつ柔軟に変化させることが可
能な波長可変光源を提供することが可能となる。また、
基材１の表面１ａのうち原子スケールの構造物が形成さ
れた局所的な領域から光Ｌを放出させることができるの
で、原子スケールレベルの微小な波長可変光源を提供す
ることが可能となる。
【００１１】なお、上述した第１の実施の形態において
は、基材１の表面１ａと針状部材２との間は真空状態に
保たれるようにしているが、これに限らず、例えば図１
（ｂ）に示すように、基材１の表面１ａのうち少なくと
も原子スケールの構造物を覆うよう透明な絶縁体シート
４を配置するようにしてもよい。
は、基材１の表面１ａと針状部材２との間は真空状態に
保たれるようにしているが、これに限らず、例えば図１
（ｂ）に示すように、基材１の表面１ａのうち少なくと
も原子スケールの構造物を覆うよう透明な絶縁体シート
４を配置するようにしてもよい。
【００１２】第２の実施の形態 次に、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）により、本発明による波
長可変光源の第２の実施の形態について説明する。本発
明の第２の実施の形態は、基材および針状部材が絶縁性
基台の表面にパターンとして形成される点を除いて、他
は図１に示す第１の実施の形態と略同一である。本発明
の第２の実施の形態において、図１に示す第１の実施の
形態と同一の機能を果たす部分には同一の符号を付して
詳細な説明は省略する。
長可変光源の第２の実施の形態について説明する。本発
明の第２の実施の形態は、基材および針状部材が絶縁性
基台の表面にパターンとして形成される点を除いて、他
は図１に示す第１の実施の形態と略同一である。本発明
の第２の実施の形態において、図１に示す第１の実施の
形態と同一の機能を果たす部分には同一の符号を付して
詳細な説明は省略する。
【００１３】図２（ａ）に示すように、基材１および針
状部材２は、絶縁性基台５の表面にパターンとして形成
されている。ここで、基材１の表面のうち針状部材２の
先端（先が尖った領域）に対向する表面１ａには原子ス
ケールの構造物（図示せず）が形成されている。なお、
基材１の表面１ａと針状部材２との間は真空状態に保た
れている。
状部材２は、絶縁性基台５の表面にパターンとして形成
されている。ここで、基材１の表面のうち針状部材２の
先端（先が尖った領域）に対向する表面１ａには原子ス
ケールの構造物（図示せず）が形成されている。なお、
基材１の表面１ａと針状部材２との間は真空状態に保た
れている。
【００１４】図２（ａ）において、基材１の表面１ａと
針状部材２との間に所定電圧を印加すると、針状部材２
の先端から基材１の表面１ａに形成された原子スケール
の構造物にトンネル電流が流れ、基材１の表面１ａのう
ち原子スケールの構造物が形成された局所的な領域から
所定波長の光Ｌが放出される。ここで、可変電源３によ
り基材１の表面１ａと針状部材２との間に印加される電
圧を±０Ｖ〜±３０Ｖの範囲で変化させると、基材１の
表面１ａに形成された原子スケールの構造物から放出さ
れる光Ｌの波長域は２００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲で
変化する。
針状部材２との間に所定電圧を印加すると、針状部材２
の先端から基材１の表面１ａに形成された原子スケール
の構造物にトンネル電流が流れ、基材１の表面１ａのう
ち原子スケールの構造物が形成された局所的な領域から
所定波長の光Ｌが放出される。ここで、可変電源３によ
り基材１の表面１ａと針状部材２との間に印加される電
圧を±０Ｖ〜±３０Ｖの範囲で変化させると、基材１の
表面１ａに形成された原子スケールの構造物から放出さ
れる光Ｌの波長域は２００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲で
変化する。
【００１５】このように本発明の第２の実施の形態にお
いても、基材１の表面１ａと針状部材２との間に印加さ
れる電圧を変化させることにより、基材１の表面１ａの
原子スケールの構造物から放出される光Ｌの波長域を変
化させることができるので、上述した第１の実施の形態
と同一の作用効果を奏することができる。
いても、基材１の表面１ａと針状部材２との間に印加さ
れる電圧を変化させることにより、基材１の表面１ａの
原子スケールの構造物から放出される光Ｌの波長域を変
化させることができるので、上述した第１の実施の形態
と同一の作用効果を奏することができる。
【００１６】なお、上述した第２の実施の形態におい
て、絶縁性基台５の表面に形成される基材１および針状
部材２のパターンは任意に選択することができ、例えば
図２（ｂ）に示すようなパターンとすることも可能であ
る。
て、絶縁性基台５の表面に形成される基材１および針状
部材２のパターンは任意に選択することができ、例えば
図２（ｂ）に示すようなパターンとすることも可能であ
る。
【００１７】また、上述した第２の実施の形態において
は、基材１の表面１ａと針状部材２との間の空間は真空
状態に保たれるようにしているが、これに限らず、図２
（ｃ）に示すように、基材１の表面１ａのうち少なくと
も原子スケールの構造物を覆うように透明な絶縁体シー
ト４を配置するようにしてもよい。
は、基材１の表面１ａと針状部材２との間の空間は真空
状態に保たれるようにしているが、これに限らず、図２
（ｃ）に示すように、基材１の表面１ａのうち少なくと
も原子スケールの構造物を覆うように透明な絶縁体シー
ト４を配置するようにしてもよい。
【００１８】
【実施例】次に、図１に示す波長可変光源の具体的実施
例について述べる。実施例１ まず、図３および図４により、図１に示す波長可変光源
の第１の実施例について述べる。ここで、図３は図１に
示す波長可変光源の特性を調べるための実験装置を示す
図、図４は基材（Ｓｉ(００１)-(２×１)-Ｄ）の表面に
形成されたダングリングボンドから放出された光の波長
域と電圧との関係を示す図である。
例について述べる。実施例１ まず、図３および図４により、図１に示す波長可変光源
の第１の実施例について述べる。ここで、図３は図１に
示す波長可変光源の特性を調べるための実験装置を示す
図、図４は基材（Ｓｉ(００１)-(２×１)-Ｄ）の表面に
形成されたダングリングボンドから放出された光の波長
域と電圧との関係を示す図である。
【００１９】図３に示すように、本実施例では、図１に
示す基材１として、重水素原子（Ｄ）で終端されたシリ
コン結晶（Ｓｉ(００１)-(２×１)-Ｄ）の表面から局所
的に重水素原子（Ｄ）を引き抜いて所定領域（１４×１
４ｎｍ2の矩形領域）を占めるダングリングボンド領域
を形成した試料１１を用いた。また、図１に示す針状部
材２として、走査型トンネル顕微鏡１０の探針１２を用
いた。
示す基材１として、重水素原子（Ｄ）で終端されたシリ
コン結晶（Ｓｉ(００１)-(２×１)-Ｄ）の表面から局所
的に重水素原子（Ｄ）を引き抜いて所定領域（１４×１
４ｎｍ2の矩形領域）を占めるダングリングボンド領域
を形成した試料１１を用いた。また、図１に示す針状部
材２として、走査型トンネル顕微鏡１０の探針１２を用
いた。
【００２０】ここで、走査型トンネル顕微鏡１０は、試
料１１を収容する真空チャンバ１４と、試料１１の表面
１１ａに局所的に電圧を印加してダングリングボンド領
域にトンネル電流を流すための探針１２と、試料１１の
表面１１ａと探針１２との間に可変電圧を印加するため
の可変電源１３とを有している。また、探針１２の近傍
には、その一端で試料１１の表面１１ａに形成されたダ
ングリングボンド領域から放出された光を捕集するガラ
スファイバ１５と、ガラスファイバ１５の他端に設けら
れガラスファイバ１５の一端で捕集された光を外部に放
出するための出射部１６とが設けられ、出射部１６から
放出された光は集光レンズ１７を介して光検出器１８の
検出面１８ａに集光され、光検出器１８により光のエネ
ルギー分布が計測されるようになっている。
料１１を収容する真空チャンバ１４と、試料１１の表面
１１ａに局所的に電圧を印加してダングリングボンド領
域にトンネル電流を流すための探針１２と、試料１１の
表面１１ａと探針１２との間に可変電圧を印加するため
の可変電源１３とを有している。また、探針１２の近傍
には、その一端で試料１１の表面１１ａに形成されたダ
ングリングボンド領域から放出された光を捕集するガラ
スファイバ１５と、ガラスファイバ１５の他端に設けら
れガラスファイバ１５の一端で捕集された光を外部に放
出するための出射部１６とが設けられ、出射部１６から
放出された光は集光レンズ１７を介して光検出器１８の
検出面１８ａに集光され、光検出器１８により光のエネ
ルギー分布が計測されるようになっている。
【００２１】本実施例においては、走査型トンネル顕微
鏡１０の探針１２が試料１１のダングリングボンド領域
の上方に配置された状態で、可変電源１３により試料１
１の表面１１ａと探針１２との間に印加される電圧（試
料バイアス）Ｖs を−２．５Ｖ，−３．０Ｖ，−３．５
Ｖ，−４．０Ｖと変化させ、光検出器１８により光のエ
ネルギー分布を計測した。なおここでは、試料１１の表
面１１ａおよび探針１２に流れるトンネル電流Ｉt を５
ｎＡとし、光の強度を検出するための積算時間（ダング
リングボンド領域での探針１２の滞在時間）Ｔを３００
ｓとした。
鏡１０の探針１２が試料１１のダングリングボンド領域
の上方に配置された状態で、可変電源１３により試料１
１の表面１１ａと探針１２との間に印加される電圧（試
料バイアス）Ｖs を−２．５Ｖ，−３．０Ｖ，−３．５
Ｖ，−４．０Ｖと変化させ、光検出器１８により光のエ
ネルギー分布を計測した。なおここでは、試料１１の表
面１１ａおよび探針１２に流れるトンネル電流Ｉt を５
ｎＡとし、光の強度を検出するための積算時間（ダング
リングボンド領域での探針１２の滞在時間）Ｔを３００
ｓとした。
【００２２】その結果、図４に示すように、試料バイア
スＶs を負の方向に大きくするにつれて波長の長さがよ
り短くなるよう光の波長域が変化することが確かめられ
た。
スＶs を負の方向に大きくするにつれて波長の長さがよ
り短くなるよう光の波長域が変化することが確かめられ
た。
【００２３】実施例２ 次に、図３および図５により、図１に示す波長可変光源
の第２の実施例について述べる。ここで、図５は基材
（Ｓｉ(００１)-(２×１)）の表面に形成された銀クラ
スタから放出された光の波長域と電圧との関係を示す図
である。なお、本実施例においても、図３に示す実験装
置を用いて実験を行った。
の第２の実施例について述べる。ここで、図５は基材
（Ｓｉ(００１)-(２×１)）の表面に形成された銀クラ
スタから放出された光の波長域と電圧との関係を示す図
である。なお、本実施例においても、図３に示す実験装
置を用いて実験を行った。
【００２４】本実施例では、図１に示す基材１として、
シリコン結晶（Ｓｉ(００１)-(２×１)）の表面に形成
されたダングリングボンドに銀原子（Ａｇ）を吸着させ
て所定領域（直径２．５ｎｍの円形領域）を占める銀ク
ラスタを形成した試料１１を用いた。
シリコン結晶（Ｓｉ(００１)-(２×１)）の表面に形成
されたダングリングボンドに銀原子（Ａｇ）を吸着させ
て所定領域（直径２．５ｎｍの円形領域）を占める銀ク
ラスタを形成した試料１１を用いた。
【００２５】そして、本実施例においては、走査型トン
ネル顕微鏡１０の探針１２が試料１１の銀クラスタの上
方に配置された状態で、可変電源１３により試料１１の
表面１１ａと探針１２との間に印加される電圧（試料バ
イアス）Ｖs を＋２．２Ｖ，＋２．５Ｖ，＋２．７Ｖ，
＋３．０Ｖ，＋３．２Ｖ，＋３．５Ｖと変化させ、光検
出器１８により光のエネルギー分布を計測した。なおこ
こでは、試料１１の表面１１ａおよび探針１２に流れる
トンネル電流Ｉt を３ｎＡとし、光の強度を検出するた
めの積算時間（銀クラスタでの探針１２の滞在時間）Ｔ
を１００ｓとした。
ネル顕微鏡１０の探針１２が試料１１の銀クラスタの上
方に配置された状態で、可変電源１３により試料１１の
表面１１ａと探針１２との間に印加される電圧（試料バ
イアス）Ｖs を＋２．２Ｖ，＋２．５Ｖ，＋２．７Ｖ，
＋３．０Ｖ，＋３．２Ｖ，＋３．５Ｖと変化させ、光検
出器１８により光のエネルギー分布を計測した。なおこ
こでは、試料１１の表面１１ａおよび探針１２に流れる
トンネル電流Ｉt を３ｎＡとし、光の強度を検出するた
めの積算時間（銀クラスタでの探針１２の滞在時間）Ｔ
を１００ｓとした。
【００２６】その結果、図５に示すように、試料バイア
スＶs を正の方向に大きくするにつれて波長の長さが短
くなるよう光の波長域が変化することが確かめられた。
スＶs を正の方向に大きくするにつれて波長の長さが短
くなるよう光の波長域が変化することが確かめられた。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
材の表面と針状部材との間に印加される電圧を変化させ
ることにより、基材の表面から放出される光の波長域を
変化させることができるので、光の波長域を容易かつ柔
軟に変化させることが可能な波長可変光源を提供するこ
とが可能となる。また、基材の表面のうち原子スケール
の構造物が形成された局所的な領域から光を放出させる
ことができるので、原子スケールレベルの微小な波長可
変光源を提供することが可能となる。
材の表面と針状部材との間に印加される電圧を変化させ
ることにより、基材の表面から放出される光の波長域を
変化させることができるので、光の波長域を容易かつ柔
軟に変化させることが可能な波長可変光源を提供するこ
とが可能となる。また、基材の表面のうち原子スケール
の構造物が形成された局所的な領域から光を放出させる
ことができるので、原子スケールレベルの微小な波長可
変光源を提供することが可能となる。
【図１】本発明による波長可変光源の第１の実施の形態
を示す図。
を示す図。
【図２】本発明による波長可変光源の第２の実施の形態
を示す図。
を示す図。
【図３】図１に示す波長可変光源の特性を調べるための
実験装置を示す図。
実験装置を示す図。
【図４】基材（Ｓｉ(００１)-(２×１)-Ｄ）の表面に形
成されたダングリングボンドから放出された光の波長域
と電圧との関係を示す図。
成されたダングリングボンドから放出された光の波長域
と電圧との関係を示す図。
【図５】基材（Ｓｉ(００１)-(２×１)）の表面に形成
された銀クラスタから放出された光の波長域と電圧との
関係を示す図。
された銀クラスタから放出された光の波長域と電圧との
関係を示す図。
１ 基材 ２ 針状部材 ３ 可変電源 ４ 絶縁体シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青 野 正 和 東京都港区高輪４−10−31−310
Claims (3)
- 【請求項１】表面に原子スケールの構造物が形成された
基材と、 前記基材の表面に真空または透明な絶縁体を介して、局
所的に電圧を印加して前記原子スケールの構造物にトン
ネル電流を流すための針状部材と、 前記基材の表面と前記針状部材との間に可変電圧を印加
するための可変電源とを備え、 前記可変電源により前記基材の表面と前記針状部材との
間に印加される電圧を変化させることにより、前記基材
の表面の前記原子スケールの構造物または前記針状部材
から放出される光の波長域を変化させることを特徴とす
る波長可変光源。 - 【請求項２】前記原子スケールの構造物は前記基材の表
面に形成されたシリコンダングリングボンドからなるこ
とを特徴とする請求項１記載の波長可変光源。 - 【請求項３】前記原子スケールの構造物は前記基材の表
面に形成された金属原子、有機分子、半金属原子または
無機分子からなることを特徴とする請求項１記載の波長
可変光源。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10271993A JP2000097837A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 波長可変光源 |
| EP99118902A EP1014456A3 (en) | 1998-09-25 | 1999-09-24 | Wavelength-tunable light emitting device |
| US10/119,309 US6707070B2 (en) | 1998-09-25 | 2002-04-10 | Wavelength-tunable light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10271993A JP2000097837A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 波長可変光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000097837A true JP2000097837A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17507664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10271993A Withdrawn JP2000097837A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 波長可変光源 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1014456A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000097837A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2895515B1 (fr) | 2005-12-28 | 2008-07-04 | Commissariat Energie Atomique | Microscopie a effet tunnel par emission de photons, perfectionnee |
| CN114136775B (zh) * | 2021-11-18 | 2023-12-12 | 安徽科技学院 | 一种低维光电材料的性能测试装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LU84136A1 (fr) * | 1982-05-07 | 1984-03-07 | Amand A Lucas | Procede et dispositif de production de photons dans la gamme des longueurs d'ondes ultraviolettes |
| US6400070B1 (en) * | 1997-08-08 | 2002-06-04 | Pioneer Electronic Corporation | Electron emission device and display device using the same |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP10271993A patent/JP2000097837A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-09-24 EP EP99118902A patent/EP1014456A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1014456A3 (en) | 2004-05-12 |
| EP1014456A2 (en) | 2000-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |