JP2000096260A - 保護皮膜の形成方法および保護皮膜 - Google Patents
保護皮膜の形成方法および保護皮膜Info
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- JP2000096260A JP2000096260A JP10282052A JP28205298A JP2000096260A JP 2000096260 A JP2000096260 A JP 2000096260A JP 10282052 A JP10282052 A JP 10282052A JP 28205298 A JP28205298 A JP 28205298A JP 2000096260 A JP2000096260 A JP 2000096260A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザー加工時のアブレーションを防止可能
で、かつ、加工後容易に短時間で除去可能な保護皮膜の
形成方法および保護皮膜を提供する。 【解決手段】 ダイヤモンド面上にメタライズ層、また
はメタライズ層とその上層にろう付け層を設け、さらに
その上層にアルゴン以外の気体を含むアルゴン中でＢＮ
をターゲットとしてＲＦスパッタ法を用いて成膜する。
で、かつ、加工後容易に短時間で除去可能な保護皮膜の
形成方法および保護皮膜を提供する。 【解決手段】 ダイヤモンド面上にメタライズ層、また
はメタライズ層とその上層にろう付け層を設け、さらに
その上層にアルゴン以外の気体を含むアルゴン中でＢＮ
をターゲットとしてＲＦスパッタ法を用いて成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はダイヤモンドを用い
るヒートシンク、またはセンサ、ＩＣなどに形成される
メタライズ層の保護皮膜を形成させる方法、および保護
皮膜に関する。より詳細には、レーザー加工時にメタラ
イズ層がアブレーションで損傷することを防止すること
が可能で、かつレーザー加工後に容易に除去することが
可能な保護皮膜の形成方法およびその形成方法を用いて
形成する保護皮膜に関する。
るヒートシンク、またはセンサ、ＩＣなどに形成される
メタライズ層の保護皮膜を形成させる方法、および保護
皮膜に関する。より詳細には、レーザー加工時にメタラ
イズ層がアブレーションで損傷することを防止すること
が可能で、かつレーザー加工後に容易に除去することが
可能な保護皮膜の形成方法およびその形成方法を用いて
形成する保護皮膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドを所定の形状に加工する切
断などの手段としては、レーザーなどの熱的加工手段が
用いられることが多い。しかし、例えば半導体レーザー
用のヒートシンクとしてダイヤモンドが用いられる場
合、ダイヤモンドの表面にはメタライズ層が設けらてお
り、レーザーを照射されるとアブレーションにより、メ
タライズ層が損傷する。これを防止するため、ダイヤモ
ンドの表面にメタライズ層を設け、さらにその上層に保
護皮膜を形成させることにより、レーザーによるアブレ
ーションを防止することが行われている。
断などの手段としては、レーザーなどの熱的加工手段が
用いられることが多い。しかし、例えば半導体レーザー
用のヒートシンクとしてダイヤモンドが用いられる場
合、ダイヤモンドの表面にはメタライズ層が設けらてお
り、レーザーを照射されるとアブレーションにより、メ
タライズ層が損傷する。これを防止するため、ダイヤモ
ンドの表面にメタライズ層を設け、さらにその上層に保
護皮膜を形成させることにより、レーザーによるアブレ
ーションを防止することが行われている。
【０００３】この保護皮膜は ＺｎＯ、Ｔａ2Ｏ5、Ｓｉ
Ｏ2、ＢＮ、Ｃ（炭素）、ＩＴＯ（インジウム錫酸化
物）のいずれかであることが好ましく、レーザー加工後
は水、酸またはアルカリ水溶液、もしくは有機溶媒の中
に浸漬することにより、容易に除去することができる。
特に、保護皮膜がＢＮの場合は、水中に浸漬するだけで
比較的短時間で除去することができる。ＢＮ皮膜は、メ
タライズ層が形成されたダイヤモンド上にＲＦスパッタ
法を用いて形成されるが、成膜条件によっては除去不能
であったり、除去に長大な時間を要する皮膜となること
が判明した。
Ｏ2、ＢＮ、Ｃ（炭素）、ＩＴＯ（インジウム錫酸化
物）のいずれかであることが好ましく、レーザー加工後
は水、酸またはアルカリ水溶液、もしくは有機溶媒の中
に浸漬することにより、容易に除去することができる。
特に、保護皮膜がＢＮの場合は、水中に浸漬するだけで
比較的短時間で除去することができる。ＢＮ皮膜は、メ
タライズ層が形成されたダイヤモンド上にＲＦスパッタ
法を用いて形成されるが、成膜条件によっては除去不能
であったり、除去に長大な時間を要する皮膜となること
が判明した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する技術課題は、レーザー加工時のアブレーションが防
止可能で、かつ、加工後容易に短時間で除去可能な保護
皮膜の形成方法および保護皮膜を提供することにある。
する技術課題は、レーザー加工時のアブレーションが防
止可能で、かつ、加工後容易に短時間で除去可能な保護
皮膜の形成方法および保護皮膜を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ダイヤモンド
面上にメタライズ層を設け、さらにその上層にアルゴン
以外の気体を含むアルゴン中でＢＮをターゲットとして
ＲＦスパッタ法を用いて成膜することを特徴とする保護
皮膜の形成方法、またはダイヤモンド面上にメタライズ
層を設け、その上層にろう付け層を設け、さらにその上
層にアルゴン以外の気体を含むアルゴン中でＢＮをター
ゲットとしてＲＦスパッタ法を用いて成膜することを特
徴とする保護皮膜の形成方法であり、アルゴン中に含ま
れるアルゴン以外の気体の量が、０.１〜０.５体積％で
あり、アルゴン以外の気体が酸素または水素であること
を特徴とする。さらに本発明は、ダイヤモンド面上に設
けられたメタライズ層、またはメタライズ層の上層に設
けられたろう付け層のさらに上層に、上記の保護皮膜の
形成方法を用いて成膜してなるＢＮを主体とする保護皮
膜である。
面上にメタライズ層を設け、さらにその上層にアルゴン
以外の気体を含むアルゴン中でＢＮをターゲットとして
ＲＦスパッタ法を用いて成膜することを特徴とする保護
皮膜の形成方法、またはダイヤモンド面上にメタライズ
層を設け、その上層にろう付け層を設け、さらにその上
層にアルゴン以外の気体を含むアルゴン中でＢＮをター
ゲットとしてＲＦスパッタ法を用いて成膜することを特
徴とする保護皮膜の形成方法であり、アルゴン中に含ま
れるアルゴン以外の気体の量が、０.１〜０.５体積％で
あり、アルゴン以外の気体が酸素または水素であること
を特徴とする。さらに本発明は、ダイヤモンド面上に設
けられたメタライズ層、またはメタライズ層の上層に設
けられたろう付け層のさらに上層に、上記の保護皮膜の
形成方法を用いて成膜してなるＢＮを主体とする保護皮
膜である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明者らは、ダイヤモンドにメ
タライズ層を形成させた後、その上層に酸素や水素な
ど、アルゴン以外の気体を含有するアルゴン中でＢＮを
ターゲットとしてスパッタすることにより、レーザー加
工時のアブレーションを防止することが可能で、かつ、
加工後に水中に浸漬するだけで容易に短時間で除去する
ことが可能な保護皮膜が得られることを見出した。
タライズ層を形成させた後、その上層に酸素や水素な
ど、アルゴン以外の気体を含有するアルゴン中でＢＮを
ターゲットとしてスパッタすることにより、レーザー加
工時のアブレーションを防止することが可能で、かつ、
加工後に水中に浸漬するだけで容易に短時間で除去する
ことが可能な保護皮膜が得られることを見出した。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。まず、本
発明の保護膜を被覆するダイヤモンドについて説明す
る。本発明においては、ダイヤモンド素材は合成ダイヤ
モンド、高圧合成ダイヤモンド、あるいは天然ダイヤモ
ンドのいずれでも差し支えなく、また単結晶体あるいは
多結晶体のいずれの構造を有していても差し支えない。
しかし、生産性の観点から、マイクロ波プラズマＣＶＤ
法などの気相合成法を用いて製造されたダイヤモンドを
用いることが好ましい。
発明の保護膜を被覆するダイヤモンドについて説明す
る。本発明においては、ダイヤモンド素材は合成ダイヤ
モンド、高圧合成ダイヤモンド、あるいは天然ダイヤモ
ンドのいずれでも差し支えなく、また単結晶体あるいは
多結晶体のいずれの構造を有していても差し支えない。
しかし、生産性の観点から、マイクロ波プラズマＣＶＤ
法などの気相合成法を用いて製造されたダイヤモンドを
用いることが好ましい。
【０００８】これらのダイヤモンドの上下面を研磨し、
次いで水素プラズマクリーニング、または酸素プラズマ
クリーニングを施した後、ＤＣマグネトロンスパッタ
法、またはＲＦマグネトロンスパッタ法を用いてメタラ
イズ層を形成させる。Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕの１種以上で１層以上の単
体膜、合金膜、または複合膜であることが好ましく、ダ
イヤモンドと化学的に反応して接着力を向上させ、耐熱
性を有し、かつ、ろう付けが可能であることが必要であ
る。
次いで水素プラズマクリーニング、または酸素プラズマ
クリーニングを施した後、ＤＣマグネトロンスパッタ
法、またはＲＦマグネトロンスパッタ法を用いてメタラ
イズ層を形成させる。Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕの１種以上で１層以上の単
体膜、合金膜、または複合膜であることが好ましく、ダ
イヤモンドと化学的に反応して接着力を向上させ、耐熱
性を有し、かつ、ろう付けが可能であることが必要であ
る。
【０００９】上記のメタライズ層は、それ自体で、か
つ、ろう付けが可能であることが好ましいが、高温では
破壊するような半導体レーザーチップ、またはセンサ、
ＩＣなどを低温でろう付けを可能とするために、上記の
メタライズ層を形成させた上下面のどちらかの１面に、
比較的低温でろう付けが可能な接着層を設けることが好
ましい。このようなろう付け層としては、例えばＲＦマ
グネトロンスパッタ法やＤＣマグネトロンスパッタ法を
用いて形成されるＡｕ−Ｓｎ合金層、あるいは湿式めっ
き法、またはＲＦスパッタ法もしくはＤＣスパッタ法の
いずれかによる半田層であることが好ましい。
つ、ろう付けが可能であることが好ましいが、高温では
破壊するような半導体レーザーチップ、またはセンサ、
ＩＣなどを低温でろう付けを可能とするために、上記の
メタライズ層を形成させた上下面のどちらかの１面に、
比較的低温でろう付けが可能な接着層を設けることが好
ましい。このようなろう付け層としては、例えばＲＦマ
グネトロンスパッタ法やＤＣマグネトロンスパッタ法を
用いて形成されるＡｕ−Ｓｎ合金層、あるいは湿式めっ
き法、またはＲＦスパッタ法もしくはＤＣスパッタ法の
いずれかによる半田層であることが好ましい。
【００１０】上記のようにしてダイヤモンド上にメタラ
イズ層およびろう付け層を形成させた後、保護皮膜を形
成させる。保護皮膜はＹＡＧレーザー、ガスレーザー、
エキシマレーザーなどのレーザーで切断される際の加熱
に耐える十分な耐熱性を有し、かつ切断後に上記のメタ
ライズ層やろう付け層を劣化させることなく容易に剥離
可能な物質からなるものでなくてはならない。これらの
要求を満足させる物質としては、炭素、炭化物、酸化
物、窒化物などがあるが、中でも ＺｎＯ、Ｔａ2Ｏ5、
ＳｉＯ2、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＢＮ、炭素
が好ましい。これらの保護皮膜はアルゴン雰囲気中にお
けるＲＦマグネトロンスパッタ法により、前記のメタラ
イズ層、またはろう付け層の上に形成される。その中で
もＢＮによる保護皮膜は、水中に浸漬するだけで比較的
短時間で除去することが可能であり特に好ましい。
イズ層およびろう付け層を形成させた後、保護皮膜を形
成させる。保護皮膜はＹＡＧレーザー、ガスレーザー、
エキシマレーザーなどのレーザーで切断される際の加熱
に耐える十分な耐熱性を有し、かつ切断後に上記のメタ
ライズ層やろう付け層を劣化させることなく容易に剥離
可能な物質からなるものでなくてはならない。これらの
要求を満足させる物質としては、炭素、炭化物、酸化
物、窒化物などがあるが、中でも ＺｎＯ、Ｔａ2Ｏ5、
ＳｉＯ2、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＢＮ、炭素
が好ましい。これらの保護皮膜はアルゴン雰囲気中にお
けるＲＦマグネトロンスパッタ法により、前記のメタラ
イズ層、またはろう付け層の上に形成される。その中で
もＢＮによる保護皮膜は、水中に浸漬するだけで比較的
短時間で除去することが可能であり特に好ましい。
【００１１】しかし、本発明の発明者らは、このＢＮに
よる保護皮膜は、水中浸漬による除去に要する時間が成
膜条件によって異なることに気付いた。すなわち、ＲＦ
マグネトロンスパッタ時のアルゴン雰囲気中に含まれる
アルゴン以外の気体の含有量が多いほど、得られた保護
皮膜を水中に浸漬した際に除去される時間が短い。この
原因は良くは分からないが、ＢＮをターゲットとしてＲ
Ｆマグネトロンスパッタする際に、アルゴン雰囲気中に
アルゴン以外の気体が存在していると、気体原子の殆ど
がＢＮからなる保護皮膜中に取り込まれる。このとき、
アルゴン雰囲気中のアルゴン以外の気体の量が多いほど
保護皮膜中に取り込まれる気体原子の量も多くなり、保
護皮膜中に空孔が増加して皮膜の連続性が減少するため
に、水に浸漬した際に水が空孔に浸透し、さらに保護皮
膜とメタライズ層の界面、または保護皮膜とろう付け層
の界面に水が浸透するようになり、保護皮膜が分解剥離
しやすくなるためと考えられる。
よる保護皮膜は、水中浸漬による除去に要する時間が成
膜条件によって異なることに気付いた。すなわち、ＲＦ
マグネトロンスパッタ時のアルゴン雰囲気中に含まれる
アルゴン以外の気体の含有量が多いほど、得られた保護
皮膜を水中に浸漬した際に除去される時間が短い。この
原因は良くは分からないが、ＢＮをターゲットとしてＲ
Ｆマグネトロンスパッタする際に、アルゴン雰囲気中に
アルゴン以外の気体が存在していると、気体原子の殆ど
がＢＮからなる保護皮膜中に取り込まれる。このとき、
アルゴン雰囲気中のアルゴン以外の気体の量が多いほど
保護皮膜中に取り込まれる気体原子の量も多くなり、保
護皮膜中に空孔が増加して皮膜の連続性が減少するため
に、水に浸漬した際に水が空孔に浸透し、さらに保護皮
膜とメタライズ層の界面、または保護皮膜とろう付け層
の界面に水が浸透するようになり、保護皮膜が分解剥離
しやすくなるためと考えられる。
【００１２】アルゴン中に含まれるアルゴン以外の気体
としては、酸素、水素、窒素、二酸化炭素、酸化窒素、
塩素などの不活性気体以外の気体のいずれでもよいが、
取扱の容易さから、酸素、水素、窒素であることが好ま
しく、また、アルゴン中に含まれる量は、０.１〜０.５
体積％であることが好ましい。アルゴン以外の気体の量
が ０.１体積％未満の場合は得られるＢＮ保護皮膜は水
中に浸漬しても容易に除去できない。一方アルゴン以外
の気体の量が ０.５体積％を越える場合は得られるＢＮ
保護皮膜の強度が低下し、レーザーで切断する際にメタ
ライズ層から剥離するようになる。また保護皮膜の厚さ
は０.８〜１.５μｍであることが好ましい。 ０.８μｍ
未満の場合はレーザーによるアブレーションを完全に防
止することができない。一方 １.５μｍを越える場合は
皮膜のメタライズ層やろう付け層に対する接着強度が低
下し、皮膜形成後またはレーザーで切断する際に剥離す
るようになる。
としては、酸素、水素、窒素、二酸化炭素、酸化窒素、
塩素などの不活性気体以外の気体のいずれでもよいが、
取扱の容易さから、酸素、水素、窒素であることが好ま
しく、また、アルゴン中に含まれる量は、０.１〜０.５
体積％であることが好ましい。アルゴン以外の気体の量
が ０.１体積％未満の場合は得られるＢＮ保護皮膜は水
中に浸漬しても容易に除去できない。一方アルゴン以外
の気体の量が ０.５体積％を越える場合は得られるＢＮ
保護皮膜の強度が低下し、レーザーで切断する際にメタ
ライズ層から剥離するようになる。また保護皮膜の厚さ
は０.８〜１.５μｍであることが好ましい。 ０.８μｍ
未満の場合はレーザーによるアブレーションを完全に防
止することができない。一方 １.５μｍを越える場合は
皮膜のメタライズ層やろう付け層に対する接着強度が低
下し、皮膜形成後またはレーザーで切断する際に剥離す
るようになる。
【００１３】上記のようにしてメタライズ層、またはメ
タライズ層とろう付け層、およびＢＮを主体とする保護
皮膜が形成されたダイヤモンドを、レーザーを用いて所
定の寸法に切断する。次いで水中に浸漬して保護皮膜を
除去する。
タライズ層とろう付け層、およびＢＮを主体とする保護
皮膜が形成されたダイヤモンドを、レーザーを用いて所
定の寸法に切断する。次いで水中に浸漬して保護皮膜を
除去する。
【００１４】以下、本発明について、実施例によりさら
に具体的に説明する。 [ダイヤモンドの作成]マイクロ波ＣＶＤ法を用いて、厚
さ ０.３５ｍｍ、縦２５ｍｍ、横２５ｍｍのダイヤモン
ドを作成した。このダイヤモンドの上下面を研磨し、
０.２５ｍｍの厚さとした。
に具体的に説明する。 [ダイヤモンドの作成]マイクロ波ＣＶＤ法を用いて、厚
さ ０.３５ｍｍ、縦２５ｍｍ、横２５ｍｍのダイヤモン
ドを作成した。このダイヤモンドの上下面を研磨し、
０.２５ｍｍの厚さとした。
【００１５】[メタライズ層の形成]研磨されたダイヤモ
ンドを水素プラズマでクリーニングした後、この上下面
にＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、Ｔｉ、Ｐｔ、
Ａｕの順に各層を形成させた。各層の厚さはＴｉ：１０
０ｎｍ、Ｐｔ：１００ｎｍ、Ａｕ：５００ｎｍとした。
ンドを水素プラズマでクリーニングした後、この上下面
にＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、Ｔｉ、Ｐｔ、
Ａｕの順に各層を形成させた。各層の厚さはＴｉ：１０
０ｎｍ、Ｐｔ：１００ｎｍ、Ａｕ：５００ｎｍとした。
【００１６】[ろう付け層の形成]上記のようにメタライ
ズ層が形成されたダイヤモンドの一部には、メタライズ
層のさらに上層にろう付け層を形成させた。すなわち、
メタライズ層が形成されたダイヤモンドの片面に、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法を用いてＡｕ−Ｓｎ合金層（Ａ
ｕ／Ｓｎ＝８０重量％／２０重量％）を ２.８μｍの厚
さで形成させた。
ズ層が形成されたダイヤモンドの一部には、メタライズ
層のさらに上層にろう付け層を形成させた。すなわち、
メタライズ層が形成されたダイヤモンドの片面に、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法を用いてＡｕ−Ｓｎ合金層（Ａ
ｕ／Ｓｎ＝８０重量％／２０重量％）を ２.８μｍの厚
さで形成させた。
【００１７】[保護皮膜の形成]上記のようにしてメタラ
イズ層、およびメタライズ層とろう付け層が形成された
ダイヤモンドの両面に、ＲＦマグネトロンスパッタ法を
用いて表１に示す条件でＢＮを主体とする保護皮膜を形
成させた。得られた保護皮膜の状態を表１に示す。
イズ層、およびメタライズ層とろう付け層が形成された
ダイヤモンドの両面に、ＲＦマグネトロンスパッタ法を
用いて表１に示す条件でＢＮを主体とする保護皮膜を形
成させた。得られた保護皮膜の状態を表１に示す。
【００１８】[分割切断]上記のようにして各種の皮膜が
形成されたダイヤモンドを、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーを用
い、下記の条件で分割切断した。 平均出力 ： １０Ｗ Ｑスイッチ周波数： ５ｋＨｚ 加工速度 ： １５ｍｍ／ｓｅｃ スキャン回数 ： ２０回 切断後の保護皮膜の状態を表１に示す。
形成されたダイヤモンドを、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーを用
い、下記の条件で分割切断した。 平均出力 ： １０Ｗ Ｑスイッチ周波数： ５ｋＨｚ 加工速度 ： １５ｍｍ／ｓｅｃ スキャン回数 ： ２０回 切断後の保護皮膜の状態を表１に示す。
【００１９】[保護皮膜の除去]上記のようにして分割切
断されたダイヤモンドを水中に浸漬し、ダイヤモンド上
に残存している保護皮膜を除去した。保護皮膜の除去に
要した時間を表１に示す。
断されたダイヤモンドを水中に浸漬し、ダイヤモンド上
に残存している保護皮膜を除去した。保護皮膜の除去に
要した時間を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】本発明は、ダイヤモンド面上にメタライ
ズ層、またはメタライズ層とその上層にろう付け層を設
け、さらにその上層にアルゴン以外の気体を含むアルゴ
ン中でＢＮをターゲットとしてＲＦスパッタ法を用いて
成膜する保護皮膜の形成方法、およびその形成方法を用
いて得られた保護皮膜であり、本発明の方法を用いるこ
とにより、レーザー加工時のアブレーションを防止する
ことが可能で、かつ、加工後に水中に浸漬するだけで容
易に短時間で除去することが可能な保護皮膜が得られ
る。
ズ層、またはメタライズ層とその上層にろう付け層を設
け、さらにその上層にアルゴン以外の気体を含むアルゴ
ン中でＢＮをターゲットとしてＲＦスパッタ法を用いて
成膜する保護皮膜の形成方法、およびその形成方法を用
いて得られた保護皮膜であり、本発明の方法を用いるこ
とにより、レーザー加工時のアブレーションを防止する
ことが可能で、かつ、加工後に水中に浸漬するだけで容
易に短時間で除去することが可能な保護皮膜が得られ
る。
フロントページの続き (72)発明者 宮崎 孝彦 山口県下松市東豊井1296番地の１ 東洋鋼 鈑株式会社技術研究所内 Ｆターム(参考） 4K029 AA04 AA22 BA02 BA13 BA17 BA59 BB02 CA05 DC05 DC34 DC35 DC39 EA05 4K030 BA28 BB02 BB03 FA02 LA15 4K044 AA13 BA02 BA06 BA08 BA18 BB02 BC11 CA13 CA18
Claims (6)
- 【請求項１】 ダイヤモンド面上にメタライズ層を設
け、さらにその上層にアルゴン以外の気体を含むアルゴ
ン中でＢＮをターゲットとしてＲＦスパッタ法を用いて
成膜することを特徴とする保護皮膜の形成方法。 - 【請求項２】 ダイヤモンド面上にメタライズ層を設
け、その上層にろう付け層を設け、さらにその上層にア
ルゴン以外の気体を含むアルゴン中でＢＮをターゲット
としてＲＦスパッタ法を用いて成膜することを特徴とす
る保護皮膜の形成方法。 - 【請求項３】 アルゴン中に含まれるアルゴン以外の
気体の量が、０.１〜０.５体積％であることを特徴とす
る請求項１または２に記載の保護皮膜の形成方法。 - 【請求項４】 前記アルゴン以外の気体が酸素である
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の保
護皮膜の形成方法。 - 【請求項５】 前記アルゴン以外の気体が水素である
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の保
護皮膜の形成方法。 - 【請求項６】 ダイヤモンド面上に設けられたメタラ
イズ層、またはメタライズ層の上層に設けられたろう付
け層のさらに上層に、請求項１〜３のいずれかに記載の
保護皮膜の形成方法を用いて成膜してなるＢＮを主体と
する保護皮膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28205298A JP3900708B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 保護皮膜の形成方法および保護皮膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28205298A JP3900708B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 保護皮膜の形成方法および保護皮膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000096260A true JP2000096260A (ja) | 2000-04-04 |
| JP3900708B2 JP3900708B2 (ja) | 2007-04-04 |
Family
ID=17647545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28205298A Expired - Fee Related JP3900708B2 (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | 保護皮膜の形成方法および保護皮膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3900708B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108315711A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-07-24 | 南京航空航天大学 | 一种提高掺硼金刚石电极膜基结合性能的纳秒激光基体预处理方法 |
-
1998
- 1998-09-18 JP JP28205298A patent/JP3900708B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108315711A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-07-24 | 南京航空航天大学 | 一种提高掺硼金刚石电极膜基结合性能的纳秒激光基体预处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3900708B2 (ja) | 2007-04-04 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041012 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041019 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050412 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050613 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060830 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061030 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061220 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061225 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |