JP2000091623A - 光変調素子 - Google Patents
光変調素子Info
- Publication number
- JP2000091623A JP2000091623A JP25695498A JP25695498A JP2000091623A JP 2000091623 A JP2000091623 A JP 2000091623A JP 25695498 A JP25695498 A JP 25695498A JP 25695498 A JP25695498 A JP 25695498A JP 2000091623 A JP2000091623 A JP 2000091623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrode
- metal
- modulation element
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229930192419 itoside Natural products 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 102100033040 Carbonic anhydrase 12 Human genes 0.000 description 1
- 102100033007 Carbonic anhydrase 14 Human genes 0.000 description 1
- 101000867855 Homo sapiens Carbonic anhydrase 12 Proteins 0.000 description 1
- 101000867862 Homo sapiens Carbonic anhydrase 14 Proteins 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】発光出力に対するノイズ等の問題がなく、出力
光のパターンを変えられる光変調素子を提供する。 【解決手段】透光性の基板２の上に、任意の固定パター
ンで透明性の第２電極３を形成する。その上に発光部４
を積層形成する。本例の発光部４は、ｍ−ＭＴＤＡＴ
Ａ、α−ＮＰＤ、Ａｌｑ3 からなる。発光部４のＡｌｑ
3 の上に、遮光性導電層としての遮光金属膜５（Ａｌ−
Ｌｉ層）を形成する。その上に、受光部としての光導電
性膜６（ＮＴＣＤＡ）を形成する。その上に透光性の第
１電極７を形成する。第１電極７をマイナスに印加し、
第１電極７の側から丸形状で波長４００ｎｍの単色光
（１６μＷ）を入力させた。第２電極３の側から、Ａｌ
ｑ3 の発光によって、十字形状で波長５２０ｎｍの光が
出力された。入力光は遮蔽金属膜に遮蔽されて出力光に
交じり合わず、発光部４からの光のみを出力光として出
力できる。また、パターン変換が可能になった。
光のパターンを変えられる光変調素子を提供する。 【解決手段】透光性の基板２の上に、任意の固定パター
ンで透明性の第２電極３を形成する。その上に発光部４
を積層形成する。本例の発光部４は、ｍ−ＭＴＤＡＴ
Ａ、α−ＮＰＤ、Ａｌｑ3 からなる。発光部４のＡｌｑ
3 の上に、遮光性導電層としての遮光金属膜５（Ａｌ−
Ｌｉ層）を形成する。その上に、受光部としての光導電
性膜６（ＮＴＣＤＡ）を形成する。その上に透光性の第
１電極７を形成する。第１電極７をマイナスに印加し、
第１電極７の側から丸形状で波長４００ｎｍの単色光
（１６μＷ）を入力させた。第２電極３の側から、Ａｌ
ｑ3 の発光によって、十字形状で波長５２０ｎｍの光が
出力された。入力光は遮蔽金属膜に遮蔽されて出力光に
交じり合わず、発光部４からの光のみを出力光として出
力できる。また、パターン変換が可能になった。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、入射光を電気に変
換する受光部と、電気を光に変換する発光部を組み合わ
せた基本構造を有し、入射光に波長変換等の変調を与え
て出力光を得る光変調（光−光変換）素子に関する。
換する受光部と、電気を光に変換する発光部を組み合わ
せた基本構造を有し、入射光に波長変換等の変調を与え
て出力光を得る光変調（光−光変換）素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来の光一光変換素子の一例を示
す。この光一光変換素子は、ガラス等の透明な基板１０
０上に透明電極１０１を有し、この透明電極１０１上に
発光部１０２（正孔輸送層、有機電界発光層、電子輸送
層）と、受光部１０３（光導電層）と、透明電極１０４
を順に積層した構造となっている。透明電極１０４から
受光部１０３へ入射した光は電気に変換され、この電気
によって発光部１０２にて有機ＥＬ発光が得られる。そ
してこの発光部１０２における発光は透明電極１０１と
基板１００を介して取り出される。
す。この光一光変換素子は、ガラス等の透明な基板１０
０上に透明電極１０１を有し、この透明電極１０１上に
発光部１０２（正孔輸送層、有機電界発光層、電子輸送
層）と、受光部１０３（光導電層）と、透明電極１０４
を順に積層した構造となっている。透明電極１０４から
受光部１０３へ入射した光は電気に変換され、この電気
によって発光部１０２にて有機ＥＬ発光が得られる。そ
してこの発光部１０２における発光は透明電極１０１と
基板１００を介して取り出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の光変調
素子（光−光変換素子）には、次のような問題があっ
た。 受光した光が発光部１０２を透過して発光部１０２側
の透明電極１０１から外に出力されると、波長変換した
発光出力に対してノイズとなることがある。 出力光の波長が入力光の感度波長域に重なると、入力
信号としての光強度に影響を与える。 従来の素子は波長（強度）変換のみの単機能素子であ
って、２次元の光パターンを同パターンのまま変調（波
長・強度等）して出力するものであって、光の像・パタ
ーン形状を変化させたり、光を分岐することができな
い。
素子（光−光変換素子）には、次のような問題があっ
た。 受光した光が発光部１０２を透過して発光部１０２側
の透明電極１０１から外に出力されると、波長変換した
発光出力に対してノイズとなることがある。 出力光の波長が入力光の感度波長域に重なると、入力
信号としての光強度に影響を与える。 従来の素子は波長（強度）変換のみの単機能素子であ
って、２次元の光パターンを同パターンのまま変調（波
長・強度等）して出力するものであって、光の像・パタ
ーン形状を変化させたり、光を分岐することができな
い。
【０００４】本発明者等は、前記の問題の発生原因
を、受光部と発光部の間に具体的な光遮断膜がないこと
にあると考えた。従来、発光部の感度の波長帯域と、発
光部の出力波長帯域とを分離したり、また受光部でのフ
ォトクロミックな反応を利用して受けた光が発光部まで
届かないようにしたり、さらに受光部を色素膜で構成し
て受けた光が発光部まで届かないように構成した素子は
従来知られていた。しかしながら、このような構成によ
る遮光の効果はそれぞれ限定的なものにすぎず、問題の
根本的な解決にはならなかった。
を、受光部と発光部の間に具体的な光遮断膜がないこと
にあると考えた。従来、発光部の感度の波長帯域と、発
光部の出力波長帯域とを分離したり、また受光部でのフ
ォトクロミックな反応を利用して受けた光が発光部まで
届かないようにしたり、さらに受光部を色素膜で構成し
て受けた光が発光部まで届かないように構成した素子は
従来知られていた。しかしながら、このような構成によ
る遮光の効果はそれぞれ限定的なものにすぎず、問題の
根本的な解決にはならなかった。
【０００５】本発明は、受光部と発光部の間を電気的に
導通させながら光は確実に遮断することにより、発光出
力に対するノイズや入力光に対する影響の問題がなく、
かつ出力する光の像やパターンを変化させたり、光を分
岐させることができる光変調素子を提供することを目的
としている。
導通させながら光は確実に遮断することにより、発光出
力に対するノイズや入力光に対する影響の問題がなく、
かつ出力する光の像やパターンを変化させたり、光を分
岐させることができる光変調素子を提供することを目的
としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された光
変調素子は、対象物からの光が入射する透光性の第１電
極と、前記第１電極に入射した前記光を電気に変換する
受光層と、前記受光層において変換された電気が流入す
る発光層と、前記発光層の前記受光層と反対側に設けら
れた透光性の第２電極とが、順次積層されてなる光変調
素子において、前記受光層と前記発光層の間に、遮光性
導電層を設けたことを特徴としている。
変調素子は、対象物からの光が入射する透光性の第１電
極と、前記第１電極に入射した前記光を電気に変換する
受光層と、前記受光層において変換された電気が流入す
る発光層と、前記発光層の前記受光層と反対側に設けら
れた透光性の第２電極とが、順次積層されてなる光変調
素子において、前記受光層と前記発光層の間に、遮光性
導電層を設けたことを特徴としている。
【０００７】請求項２に記載された光変調素子は、請求
項１記載の光変調素子において、前記第１電極に入射す
る光のパターンに係わりなく前記第２電極から所望の光
出力パターンが得られるように、前記第２電極を所望の
光出力パターンに形成したことを特徴としている。
項１記載の光変調素子において、前記第１電極に入射す
る光のパターンに係わりなく前記第２電極から所望の光
出力パターンが得られるように、前記第２電極を所望の
光出力パターンに形成したことを特徴としている。
【０００８】請求項３に記載された光変調素子は、請求
項１記載の光変調素子において、前記第１電極がマイナ
スであり、前記第２電極がプラスであり、前記発光層に
電子が注入されるような仕事関数の金属と前記金属の合
金化合物と前記金属の金属化合物からなる群から選択さ
れた物質を前記遮光性導電層が含んでいることを特徴と
している。
項１記載の光変調素子において、前記第１電極がマイナ
スであり、前記第２電極がプラスであり、前記発光層に
電子が注入されるような仕事関数の金属と前記金属の合
金化合物と前記金属の金属化合物からなる群から選択さ
れた物質を前記遮光性導電層が含んでいることを特徴と
している。
【０００９】請求項４に記載された光変調素子は、請求
項３記載の光変調素子において、前記金属が、Ａｇ、Ｓ
ｎ、Ｌｉ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌからなる群か
ら選択されたことを特徴としている。
項３記載の光変調素子において、前記金属が、Ａｇ、Ｓ
ｎ、Ｌｉ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌからなる群か
ら選択されたことを特徴としている。
【００１０】請求項５に記載された光変調素子は、請求
項１記載の光変調素子において、前記第１電極がプラス
であり、前記第２電極がマイナスであり、前記発光層に
正孔が注入されるような仕事関数の金属と前記金属の合
金化合物と前記金属の金属化合物からなる群から選択さ
れた物質を前記遮光性導電層が含んでいることを特徴と
している。
項１記載の光変調素子において、前記第１電極がプラス
であり、前記第２電極がマイナスであり、前記発光層に
正孔が注入されるような仕事関数の金属と前記金属の合
金化合物と前記金属の金属化合物からなる群から選択さ
れた物質を前記遮光性導電層が含んでいることを特徴と
している。
【００１１】請求項６に記載された光変調素子は、請求
項５記載の光変調素子において、前記金属が、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｇ
ｅ、Ｗからなる群から選択されたことを特徴としてい
る。
項５記載の光変調素子において、前記金属が、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｇ
ｅ、Ｗからなる群から選択されたことを特徴としてい
る。
【００１２】請求項７に記載された光変調素子は、請求
項１記載の光変調素子を複数個所定のパターンに配置し
て構成した表示面を有することを特徴としている。
項１記載の光変調素子を複数個所定のパターンに配置し
て構成した表示面を有することを特徴としている。
【００１３】請求項８に記載された光変調素子は、請求
項７記載の光変調素子において、前記所定のパターンが
マトリクスであることを特徴としている。
項７記載の光変調素子において、前記所定のパターンが
マトリクスであることを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の光変調素子
１の構造を、図１を参照しながら製造工程に従って説明
する。ガラス等の透光性の基板２の上に、任意の固定パ
ターンで透明性の第２電極３を形成する。本例では、一
例としてＩＴＯ(Indium Tin Oxide)からなる第２電極３
を、エッチング法によって十字形状に形成した。
１の構造を、図１を参照しながら製造工程に従って説明
する。ガラス等の透光性の基板２の上に、任意の固定パ
ターンで透明性の第２電極３を形成する。本例では、一
例としてＩＴＯ(Indium Tin Oxide)からなる第２電極３
を、エッチング法によって十字形状に形成した。
【００１５】以後の工程は大気にさらすことなく真空蒸
着装置内で行う。まず、第２電極３の上に、発光部４を
積層形成する。本例の発光部４は、有機ＥＬを構成する
複数の有機層からなる。第２電極３の上に化学式（化
１）に示すｍ−ＭＴＤＡＴＡを４００オングストローム
の厚さに形成する。その上に、化学式（化２）に示すα
−ＮＰＤを１００オングストロームの厚さに形成する。
その上に、化学式（化３）に示すＡｌｑ3 を５００オン
グストロームの厚さに形成する。
着装置内で行う。まず、第２電極３の上に、発光部４を
積層形成する。本例の発光部４は、有機ＥＬを構成する
複数の有機層からなる。第２電極３の上に化学式（化
１）に示すｍ−ＭＴＤＡＴＡを４００オングストローム
の厚さに形成する。その上に、化学式（化２）に示すα
−ＮＰＤを１００オングストロームの厚さに形成する。
その上に、化学式（化３）に示すＡｌｑ3 を５００オン
グストロームの厚さに形成する。
【００１６】
【化１】
【００１７】
【化２】
【００１８】
【化３】
【００１９】次に、前記発光部４のＡｌｑ3 の上に、遮
光性導電層としての遮光金属膜５を形成する。本例の遮
光金属膜５は、１５００オングストロームの厚さに積層
形成したＡｌ−Ｌｉ層である。
光性導電層としての遮光金属膜５を形成する。本例の遮
光金属膜５は、１５００オングストロームの厚さに積層
形成したＡｌ−Ｌｉ層である。
【００２０】次に、遮光金属膜５（Ａｌ−Ｌｉ層）の上
に、受光部としての光導電性膜６を形成する。本例の光
導電性膜６は、厚さ５０００オングストロームの化学式
（化４）に示すＮＴＣＤＡからなる。
に、受光部としての光導電性膜６を形成する。本例の光
導電性膜６は、厚さ５０００オングストロームの化学式
（化４）に示すＮＴＣＤＡからなる。
【００２１】
【化４】
【００２２】次に、この光導電性膜６の上に、透光性の
第１電極７を形成する。本例の第１電極７は、厚さ２０
０オングストロームのＡｕ薄膜である。
第１電極７を形成する。本例の第１電極７は、厚さ２０
０オングストロームのＡｕ薄膜である。
【００２３】上記の構成における遮光金属膜５の材質に
ついて説明する。上記素子において、電流の方向が発光
部４から受光部（光導電性膜６）に向かう場合、発光部
４に電子を注入しやすい仕事関数の小さな金属、例えば
Ａｇ、Ｓｎ、Ｌｉ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、又
はこれらの金属の合金化合物、又はこれらの金属の金属
化合物等が好ましい。膜厚は遮光性を示す２００オング
ストローム以上が好ましい。なお、上記本例の遮光金属
膜５はＡｌ−Ｌｉ層であり、電流の方向が発光部４から
受光部（光導電性膜６）に向かう場合である。即ち、第
２電極３がプラスで、第１電極７がマイナスの場合であ
る。
ついて説明する。上記素子において、電流の方向が発光
部４から受光部（光導電性膜６）に向かう場合、発光部
４に電子を注入しやすい仕事関数の小さな金属、例えば
Ａｇ、Ｓｎ、Ｌｉ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、又
はこれらの金属の合金化合物、又はこれらの金属の金属
化合物等が好ましい。膜厚は遮光性を示す２００オング
ストローム以上が好ましい。なお、上記本例の遮光金属
膜５はＡｌ−Ｌｉ層であり、電流の方向が発光部４から
受光部（光導電性膜６）に向かう場合である。即ち、第
２電極３がプラスで、第１電極７がマイナスの場合であ
る。
【００２４】上記素子において、電流の方向が受光部
（光導電性膜６）から発光部４に向かう場合、発光部４
に正孔を注入しやすい仕事関数の大きな金属、例えばＰ
ｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｉ
ｒ、Ｇｅ、Ｗ、又はこれらの金属の合金化合物、又はこ
れらの金属の金属化合物等が好ましい。膜厚は遮光性を
示す２００オングストローム以上が好ましい。
（光導電性膜６）から発光部４に向かう場合、発光部４
に正孔を注入しやすい仕事関数の大きな金属、例えばＰ
ｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｉ
ｒ、Ｇｅ、Ｗ、又はこれらの金属の合金化合物、又はこ
れらの金属の金属化合物等が好ましい。膜厚は遮光性を
示す２００オングストローム以上が好ましい。
【００２５】以上の構成になる本例の光変調素子におい
て、第１電極７をマイナスに印加し、第１電極７の側か
ら丸形状で波長４００ｎｍの単色光（１６μＷ）を入力
させた。第２電極３の側から、Ａｌｑ3 の発光によっ
て、十字形状で波長５２０ｎｍの光が出力された。
て、第１電極７をマイナスに印加し、第１電極７の側か
ら丸形状で波長４００ｎｍの単色光（１６μＷ）を入力
させた。第２電極３の側から、Ａｌｑ3 の発光によっ
て、十字形状で波長５２０ｎｍの光が出力された。
【００２６】即ち、本例によれば、入力光は遮蔽金属膜
に遮蔽されて出力光に交じり合わず、発光部４からの光
のみを出力光として出力できる。また、丸形で入力した
光を十字型で出力でき、パターン変換が可能になった。
に遮蔽されて出力光に交じり合わず、発光部４からの光
のみを出力光として出力できる。また、丸形で入力した
光を十字型で出力でき、パターン変換が可能になった。
【００２７】本例の素子と比較するため、既存の素子と
して特開平４−６３３２９号に記載の空間光変調素子を
用いる。この素子は、透明電極であるＩＴＯと、光導電
性半導体層であるａ−ＳｉＣ層と、有機電界発光層であ
るＡｌｑ3 と、正孔輸送層としてのＰＤＡ層と、光反射
電極としてのＡｕとを、順次積層した構造の素子であ
る。この素子では、ＩＴＯの側から光を入力させれば、
有機電界発光層での発光と入力光が光反射電極で反射さ
れてＩＴＯの側から出力される。
して特開平４−６３３２９号に記載の空間光変調素子を
用いる。この素子は、透明電極であるＩＴＯと、光導電
性半導体層であるａ−ＳｉＣ層と、有機電界発光層であ
るＡｌｑ3 と、正孔輸送層としてのＰＤＡ層と、光反射
電極としてのＡｕとを、順次積層した構造の素子であ
る。この素子では、ＩＴＯの側から光を入力させれば、
有機電界発光層での発光と入力光が光反射電極で反射さ
れてＩＴＯの側から出力される。
【００２８】特開平４−６３３２９号に記載の既存の空
間光変調素子において、ＩＴＯの側にＬ字形状で波長４
８８ｎｍの光を入力させた。その結果、出力光は、Ａｌ
ｑ3における波長５３０ｎｍの光と、入力光である波長
４８８ｎｍの光の合成となった。発光形状は入力と同一
のＬ字形状である。
間光変調素子において、ＩＴＯの側にＬ字形状で波長４
８８ｎｍの光を入力させた。その結果、出力光は、Ａｌ
ｑ3における波長５３０ｎｍの光と、入力光である波長
４８８ｎｍの光の合成となった。発光形状は入力と同一
のＬ字形状である。
【００２９】上述した例における発光部４の積層構造は
あくまで一例であり、本発明における発光部４の構造と
しては、公知の有機ＥＬの各種積層構造・各種有機ＥＬ
材料を採用できる。さらに、有機に限らず、受光部に無
機半導体（例えばヘテロ接合フォトトランジスタ）を用
いることもできるし、発光部４に発光ダイオードを用い
ることもできる。
あくまで一例であり、本発明における発光部４の構造と
しては、公知の有機ＥＬの各種積層構造・各種有機ＥＬ
材料を採用できる。さらに、有機に限らず、受光部に無
機半導体（例えばヘテロ接合フォトトランジスタ）を用
いることもできるし、発光部４に発光ダイオードを用い
ることもできる。
【００３０】以上説明した光変調素子１を一構成単位と
し、より大型の光変調素子を構成してもよい。多数個の
前記光変調素子１を集積し、各光変調素子１の基板２を
同一面内に集めて表示面とする。反対側の第１電極７の
側から光を当てれば、第２電極３の側に各素子ごとに波
長及びパターンの異なる発光が出力される。従って、第
１電極７の側を光ビームで走査すれば第２電極３の側で
グラフィック表示を行わせることもできる。
し、より大型の光変調素子を構成してもよい。多数個の
前記光変調素子１を集積し、各光変調素子１の基板２を
同一面内に集めて表示面とする。反対側の第１電極７の
側から光を当てれば、第２電極３の側に各素子ごとに波
長及びパターンの異なる発光が出力される。従って、第
１電極７の側を光ビームで走査すれば第２電極３の側で
グラフィック表示を行わせることもできる。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、発光部と受光部の間に遮光性
導電層を設け、電気の流れは許容するが、光の流れを遮
断し、また発光部で発光の生じる範囲をパターン電極に
よって限定したものである。この構成により次のような
効果が得られる。１．入力光が出力光に交じり合わず、
純粋な出力光のみの光信号が取り出せる。２．出力光が
入力部に入りこむことがなくなり、入力光に応じた光が
出力部より発光される。３．入力部側透明電極と出力側
の特定パターン電極を電圧印加しておくと、光入力によ
って特定パターンの形で出力部が発光する。４．複数の
光入力部電極と光出力部電極パターンを使用することに
より、出力表示パターンの切替えも可能となる。
導電層を設け、電気の流れは許容するが、光の流れを遮
断し、また発光部で発光の生じる範囲をパターン電極に
よって限定したものである。この構成により次のような
効果が得られる。１．入力光が出力光に交じり合わず、
純粋な出力光のみの光信号が取り出せる。２．出力光が
入力部に入りこむことがなくなり、入力光に応じた光が
出力部より発光される。３．入力部側透明電極と出力側
の特定パターン電極を電圧印加しておくと、光入力によ
って特定パターンの形で出力部が発光する。４．複数の
光入力部電極と光出力部電極パターンを使用することに
より、出力表示パターンの切替えも可能となる。
【図１】本発明の実施の形態の一例である光変調素子の
構造図である。
構造図である。
【図２】従来の光変調素子の構造図である。
１ 光変調素子 ２ 基板 ３ 第２電極 ４ 発光部 ５ 遮光性導電膜としての遮蔽金属膜 ６ 受光部としての光導電性膜 ７ 第１電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/22 (72)発明者 田中 哲 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 福田 辰男 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 BA06 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 5K002 BA01 BA02 BA11 CA02 CA12 CA14
Claims (8)
- 【請求項１】 対象物からの光が入射する透光性の第１
電極と、前記第１電極に入射した前記光を電気に変換す
る受光層と、前記受光層において変換された電気が流入
する発光層と、前記発光層の前記受光層と反対側に設け
られた透光性の第２電極とが、順次積層されてなる光変
調素子において、 前記受光層と前記発光層の間に、遮光性導電層を設けた
ことを特徴とする光変調素子。 - 【請求項２】 前記第１電極に入射する光のパターンに
係わりなく前記第２電極から所望の光出力パターンが得
られるように、前記第２電極を所望の光出力パターンに
形成した請求項１記載の光変調素子。 - 【請求項３】 前記第１電極がマイナスであり、前記第
２電極がプラスであり、前記発光層に電子が注入される
ような仕事関数の金属と前記金属の合金化合物と前記金
属の金属化合物からなる群から選択された物質を前記遮
光性導電層が含んでいる請求項１記載の光変調素子。 - 【請求項４】 前記金属が、Ａｇ、Ｓｎ、Ｌｉ、Ｐｂ、
Ｃａ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌからなる群から選択された請求
項３記載の光変調素子。 - 【請求項５】 前記第１電極がプラスであり、前記第２
電極がマイナスであり、前記発光層に正孔が注入される
ような仕事関数の金属と前記金属の合金化合物と前記金
属の金属化合物からなる群から選択された物質を前記遮
光性導電層が含んでいる請求項１記載の光変調素子。 - 【請求項６】 前記金属が、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、
Ｐｄ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｇｅ、Ｗからなる群か
ら選択された請求項５記載の光変調素子。 - 【請求項７】 複数個の請求項１記載の光変調素子を所
定のパターンに配置して構成した表示面を有する光変調
素子。 - 【請求項８】 前記所定のパターンがマトリクスである
請求項７記載の光変調素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25695498A JP2000091623A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25695498A JP2000091623A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 光変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091623A true JP2000091623A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17299681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25695498A Pending JP2000091623A (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091623A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007142287A1 (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 光－光変換デバイス |
-
1998
- 1998-09-10 JP JP25695498A patent/JP2000091623A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007142287A1 (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 光－光変換デバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5949188A (en) | Electroluminescent display device with continuous base electrode | |
| US8129738B2 (en) | Optoelectronic device with periodic grating microstructure | |
| US11568673B2 (en) | Array substrate and method for manufacturing the same, method and assembly for detecting light, and display device | |
| TW379514B (en) | Light emitting articles with light reflecting structures | |
| KR101126968B1 (ko) | 유기 전기 발광 표시장치 | |
| TWI301038B (en) | Electrolumenscent organic light emitting device and production method thereof | |
| JP5322084B2 (ja) | 有機発光ダイオードおよび有機発光ダイオードの製造方法 | |
| US20090256140A1 (en) | Light-detecting device structure | |
| KR20120119091A (ko) | 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법 | |
| US20240224573A1 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same, light-emitting substrate and method of manufacturing the same, and light-emitting apparatus | |
| KR20220110683A (ko) | 플렉시블 전계발광 표시장치 | |
| JP5717373B2 (ja) | 有機発光装置 | |
| JP2000315582A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2008192613A (ja) | 有機ｅｌ半導体素子のパターニング方法、有機ｅｌ半導体素子、および、有機層のパターニング装置 | |
| CN110164946B (zh) | 显示基板及制造方法、显示装置 | |
| KR20070037093A (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그의 제조방법 | |
| JP2000091623A (ja) | 光変調素子 | |
| CN111162108A (zh) | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| JP2007533091A (ja) | 基板に機能材料をパターン形成する方法 | |
| TW444235B (en) | Method of fabricating and patterning oleds | |
| CN113889587B (zh) | 发光基板及其制备方法和发光装置 | |
| CN108230930A (zh) | 一种显示面板、其驱动方法及显示装置 | |
| KR100590254B1 (ko) | 전면발광구조를 갖는 유기발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR100552971B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
| KR100635041B1 (ko) | 전면발광구조를 갖는 유기전계발광표시장치의 제조방법 및이에 따른 유기전계발광표시장치 |