JP2000091413A - Cassette and substrate drying method - Google Patents

Cassette and substrate drying method

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JP2000091413A
JP2000091413A JP10261707A JP26170798A JP2000091413A JP 2000091413 A JP2000091413 A JP 2000091413A JP 10261707 A JP10261707 A JP 10261707A JP 26170798 A JP26170798 A JP 26170798A JP 2000091413 A JP2000091413 A JP 2000091413A
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JP
Japan
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substrate
cassette
interval
drying
side plate
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JP10261707A
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Japanese (ja)
Inventor
Keiko Horinouchi
恵子 堀之内
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Nippon Electric Kagoshima Ltd
NEC Kagoshima Ltd
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Nippon Electric Kagoshima Ltd
NEC Kagoshima Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the formation of stains on the element-forming surfaces of substrates. SOLUTION: A cassette has a plurality of columns, which are provided in parallel with each other in a direction intersecting substrates along the peripheral edges of the substrates as supporting beams. A cassette 20 also has side plates 26A and 26B which are provided perpendicular to columns 22 at both ends of the columns 22. The columns 22 have grooves formed at alternately repeating first intervals and second intervals, which are closer than the first intervals as substrate holding sections. As a result, when the substrates are dried, the formation of stains on the element-forming surfaces of the substrates is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、カセット及び基板
乾燥方法に関し、更に詳しくは、基板の素子形成面にシ
ミが形成されることを防止したカセット及び基板乾燥方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cassette and a method for drying a substrate, and more particularly, to a cassette and a method for drying a substrate which prevent formation of a stain on an element formation surface of a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置の製造などでは、基板を洗
浄する際、基板をカセットに収納し、順次、薬液槽、純
水槽(温水)、純水槽(常温)に浸漬してバッチ処理式
で洗浄した後、イソプロピルアルコール(Isopropyl Al
cohol、以下、IPAと記載)等の有機溶剤ガス雰囲気
内にカセットを入れて基板を乾燥させるベーパー乾燥工
程を行っている。以下、図面を参照し、例を挙げて、従
来のカセット及び基板乾燥方法を説明する。
2. Description of the Related Art In the manufacture of a liquid crystal display device, when cleaning a substrate, the substrate is housed in a cassette and sequentially immersed in a chemical solution tank, a pure water tank (hot water), and a pure water tank (normal temperature) in a batch process. After washing, Isopropyl Al
A vapor drying step of placing a cassette in an organic solvent gas atmosphere such as cohol (hereinafter referred to as IPA) and drying the substrate is performed. Hereinafter, a conventional cassette and substrate drying method will be described with reference to the drawings by way of examples.

【0003】図4(a)及び(b)は、それぞれ、従来
のカセットの側面図であって、図4(a)は基板に平行
方向の側面図、図4(b)は基板に直交する方向の側面
図である。従来のカセット10は、基板S1〜Snを周
縁で保持する複数の基板保持部を有し、基板周縁に沿っ
て基板に交差する方向に設けられた互いに平行な複数本
の支持梁として支柱12を備えている。また、カセット
10は、支柱12の両端に、それぞれ支柱に直交して設
けられた側板14A及び14Bを備えている。側板14
A及び14Bには、開口が形成されている(図4
(b))。
FIGS. 4 (a) and 4 (b) are side views of a conventional cassette, respectively. FIG. 4 (a) is a side view in a direction parallel to the substrate, and FIG. 4 (b) is orthogonal to the substrate. It is a side view of a direction. The conventional cassette 10 has a plurality of substrate holding portions that hold the substrates S1 to Sn at the periphery, and the support columns 12 as a plurality of parallel support beams provided in a direction crossing the substrate along the periphery of the substrate. Have. Further, the cassette 10 includes side plates 14A and 14B provided at both ends of the column 12 so as to be orthogonal to the column. Side plate 14
Openings are formed in A and 14B (FIG. 4).
(B)).

【0004】以下、カセット10を用いた従来の基板乾
燥方法を説明する。図5は、従来の基板洗浄工程を示す
フロー図である。先ず、基板の素子形成面(以下、表面
という)を揃えてカセットに収納し、順次、薬液槽、純
水槽(温水)、純水槽(常温)に浸漬して洗浄する。更
に、IPAガス雰囲気が形成されているIPAベーパー
槽等の乾燥室内にカセット10を搬入し、ベーパー乾燥
工程を行う。IPAベーパー槽に搬入する際、基板は洗
浄水で濡れている状態であり、基板温度は常温程度であ
る。IPA蒸気の温度は約82度であるので、基板の表
面及び裏面(以下、単に基板面という)でIPA蒸気が
凝縮し液滴となって重力で下方へ落ちる。その際、基板
に付着した水分が、IPAの液滴に溶解し、これが繰り
返されて、基板面の水分がIPA液に置換され、その
後、基板面上のIPA液が蒸発し、基板が乾燥する。こ
のようにして基板を乾燥する工程は、通常、IPAの凝
縮熱により基板がIPA蒸気の温度にまで上昇した段階
で、終了する。
Hereinafter, a conventional substrate drying method using the cassette 10 will be described. FIG. 5 is a flowchart showing a conventional substrate cleaning process. First, the substrates are arranged in a cassette with their element forming surfaces (hereinafter referred to as surfaces) aligned, and sequentially immersed in a chemical bath, a pure water bath (hot water), and a pure water bath (normal temperature) for cleaning. Further, the cassette 10 is carried into a drying chamber such as an IPA vapor tank in which an IPA gas atmosphere is formed, and a vapor drying step is performed. When the substrate is carried into the IPA vapor tank, the substrate is in a state of being wet with the cleaning water, and the substrate temperature is about room temperature. Since the temperature of the IPA vapor is about 82 degrees, the IPA vapor condenses on the front and back surfaces of the substrate (hereinafter, simply referred to as the substrate surface) to form droplets and fall downward by gravity. At that time, the water adhering to the substrate dissolves in the IPA droplets, and this is repeated to replace the water on the substrate surface with the IPA liquid, and thereafter the IPA liquid on the substrate surface evaporates and the substrate is dried. . The step of drying the substrate in this manner is usually completed when the temperature of the substrate reaches the temperature of the IPA vapor due to the heat of condensation of the IPA.

【0005】ここで、常温のカセットが槽内に入る際、
カセットがIPA蒸気の熱を奪うため、槽内の温度が一
時的に低下し、ベーパーライン(IPA蒸気と空気との
境界)が低下する。槽の下部に溜まったIPA溶液は、
ヒータの加熱により気化し、低下したベーパーラインが
回復する。この過程では、基板が収納されたカセット内
側(基板間)のゾーンと、カセット外側のゾーンとで
は、ベーパーラインの回復速度が異なる。カセット外側
のゾーンは、カセット内側のゾーンに比べてゾーン幅が
広いため、ベーパーラインの回復は比較的速い。
Here, when the normal temperature cassette enters the bath,
Since the cassette takes away the heat of the IPA vapor, the temperature in the bath temporarily drops, and the vapor line (the boundary between the IPA vapor and air) drops. The IPA solution collected at the bottom of the tank
The vaporized by heating of the heater recovers the lowered vapor line. In this process, the recovery speed of the vapor line is different between the zone inside the cassette in which the substrates are stored (between the substrates) and the zone outside the cassette. Since the zone outside the cassette has a wider zone width than the zone inside the cassette, the recovery of the vapor line is relatively quick.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、ベー
パー乾燥工程では、基板に付着した水が完全に除去され
る前に、IPAベーパー槽の壁面からの輻射熱等により
基板が加熱されて、基板に付着した水が乾燥する。この
ため、基板の素子形成面のうちIPA液滴の流れた跡
に、染み(以下、シミと記載)が形成されるという問題
があった。以上のような事情に照らして、本発明の目的
は、基板の素子形成面にシミが形成されることを防止し
たカセット及び基板乾燥方法を提供することである。
By the way, conventionally, in the vapor drying step, before the water adhering to the substrate is completely removed, the substrate is heated by radiant heat from the wall surface of the IPA vapor tank, and the substrate is heated. The attached water dries. For this reason, there is a problem that a stain (hereinafter referred to as a stain) is formed on the trace of the flow of the IPA droplet on the element formation surface of the substrate. In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a cassette and a method for drying a substrate, which prevent the formation of spots on the element formation surface of the substrate.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者は、シミの形成
される基板について観察したところ、このシミは、カセ
ット内の基板の位置により程度が異なる事がわかった。
表1に、ベーパー乾燥工程後の水シミの程度と基板位置
との関係を調べた結果を示す。
The inventors of the present invention have observed the substrate on which the stain is formed, and found that the degree of the stain varies depending on the position of the substrate in the cassette.
Table 1 shows the results of examining the relationship between the degree of water stain after the vapor drying step and the substrate position.

【表1】 図5の基板S2及びSnは、表面に付着した水が、完全
にIPA置換される前すなわち除去される前に、熱によ
って乾燥されるため、水シミが残る。
[Table 1] The substrates S2 and Sn in FIG. 5 are dried by heat before the water adhering to the surface is completely replaced with IPA, that is, before the water is removed, so that water stains remain.

【0008】本発明者は、この原因について鋭意検討
し、以下のことを突き止めた。従来例で説明したように
側板が開口を有する場合、基板S1は、IPAベーパー
槽の壁面からの輻射熱の影響は大きいが、基板の表面へ
のIPA蒸気の凝縮量が多い。このため、シミは残らな
い(表1)。基板S2は、IPAベーパー槽壁面からの
輻射熱の影響に加え、基板S1が先に乾燥したことによ
る基板S1からの輻射熱の影響も受ける。また、基板S
2は、基板の表面への凝縮量が基板S1に比べて少ない
ため、基板面に付着した水がIPAに置換される前に乾
燥し水シミが残る。基板S3及びそれよりもカセット内
側の基板には、輻射熱の影響が少なく、水からIPAの
置換は、時間はかかるが充分に置換される。このため、
シミは残らない。図5の基板Snは、基板の裏面が側板
14Bに向いているため、裏面へのベーパーの凝縮量は
多いが表面への凝縮量は少なく、かつ、乾燥室壁面から
の輻射熱を裏面側から受ける。このため、基板の表面に
付着した水がIPAに置換される前に乾燥し、水シミが
残る。そこで、本発明者は、鋭意検討の結果、基板の素
子形成面側のゾーン幅を従来に比べて広くすることを見
い出し、本発明を完成するに至った。
The inventor of the present invention has intensively studied the cause and found out the following. When the side plate has an opening as described in the conventional example, the substrate S1 is largely influenced by the radiant heat from the wall surface of the IPA vapor tank, but the amount of IPA vapor condensed on the surface of the substrate is large. For this reason, no stain remains (Table 1). The substrate S2 is affected not only by the radiation heat from the wall surface of the IPA vapor tank, but also by the radiation heat from the substrate S1 due to the first drying of the substrate S1. Also, the substrate S
In No. 2, since the amount of condensation on the surface of the substrate is smaller than that of the substrate S1, the water adhering to the substrate surface is dried before the IPA is replaced with water to leave water stains. The substrate S3 and the substrate on the inner side of the cassette are less affected by the radiant heat, and the replacement of IPA from water takes a long time but is sufficiently replaced. For this reason,
No stains remain. The substrate Sn in FIG. 5 has a large amount of vapor condensation on the back surface but a small amount of condensation on the front surface because the back surface of the substrate faces the side plate 14B, and receives radiant heat from the drying chamber wall surface from the back surface side. . For this reason, the water adhering to the surface of the substrate is dried before being replaced by IPA, and water stains remain. Then, as a result of diligent studies, the present inventor has found that the zone width on the element forming surface side of the substrate is made wider than before, and has completed the present invention.

【0009】上記目的を達成するために、本発明に係る
カセットは、基板を周縁で保持する複数の基板保持部を
有し、基板周縁に沿って基板に交差する方向に設けられ
た互いに平行な複数本の支持梁と、支持梁の両端に、そ
れぞれ支持梁に直交して設けられた側板とを備えている
カセットにおいて、支持梁は、交互に繰り返す、第1の
間隔、及び、第1の間隔よりも短い第2の間隔で、基板
保持部を有することを特徴としている。
In order to achieve the above object, a cassette according to the present invention has a plurality of substrate holding portions for holding a substrate at a peripheral edge thereof, and is provided in parallel to each other and provided in a direction intersecting the substrate along the peripheral edge of the substrate. In a cassette provided with a plurality of support beams and side plates provided at both ends of the support beams at right angles to the support beams, the support beams are alternately repeated at a first interval and a first interval. It is characterized by having a substrate holding portion at a second interval shorter than the interval.

【0010】基板保持部は、例えば溝から構成される。
好適には、第1の間隔が12mm以上20mm以下の範
囲内、第2の間隔が3mm以上5mm以下の範囲内であ
る。また好適には、側板は、支持梁に直交する方向の側
板の寸法が基板の最大平面寸法より大きい、孔なし平板
から構成される。この場合、側板は、ある程度大きい比
熱を有する物質、例えばガラスよりも大きい比熱を有す
る物質からなることが好ましい。この場合、側板は、通
常、熱容量が所定値より大きいように、寸法及び材質が
決められている。
[0010] The substrate holding portion is formed of, for example, a groove.
Preferably, the first interval is in a range of 12 mm or more and 20 mm or less, and the second interval is in a range of 3 mm or more and 5 mm or less. Also preferably, the side plate is formed of a flat plate without holes, in which the size of the side plate in the direction orthogonal to the support beam is larger than the maximum plane size of the substrate. In this case, it is preferable that the side plate is made of a material having a specific heat higher to some extent, for example, a material having a higher specific heat than glass. In this case, the size and material of the side plate are usually determined so that the heat capacity is larger than a predetermined value.

【0011】本発明に係る基板乾燥方法は、本発明に係
るカセットを用いた基板乾燥方法であって、基板の素子
形成面同士を第1の間隔で、及び、素子形成面と反対側
の面同士を第2の間隔でそれぞれ対向させて基板を保持
し、乾燥することを特徴としている。この場合、通常、
カセットに収納された基板を乾燥する際、イソプロピル
アルコールガス雰囲気にした乾燥室にカセットを搬入し
て乾燥する。
[0011] A substrate drying method according to the present invention is a substrate drying method using the cassette according to the present invention, wherein the element forming surfaces of the substrate are arranged at a first interval and a surface opposite to the element forming surface is provided. The substrate is held opposite to each other at a second interval and dried. In this case,
When drying the substrate stored in the cassette, the cassette is carried into a drying chamber in an isopropyl alcohol gas atmosphere and dried.

【0012】これにより、バッチ処理式のガラス基板洗
浄後、IPAガス雰囲気で乾燥させる際、基板表面に効
率よくIPA蒸気を凝縮させ水分を除去できるため、水
シミが生じることなく乾燥できる。
Thus, when drying in an IPA gas atmosphere after cleaning a batch-processed glass substrate, the substrate surface can be efficiently condensed with IPA vapor and water can be removed, so that drying can be performed without causing water spots.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより
詳細に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係るカセット及び基板乾燥方
法の一実施形態例である。図1は、本実施形態例のカセ
ットの斜視図である。図2(a)及び(b)は、それぞ
れ、本実施形態例のカセットの側面図であって、図2
(a)は基板に平行方向の側面図、図2(b)は基板に
直交する方向の側面図である。本実施形態例のカセット
20は、基板周縁に沿って基板に交差する方向に設けら
れた互いに平行な複数本の支持梁として支柱22を有す
る。基板は、例えば、一方の面に素子形成面を有するガ
ラス基板である。また、カセット20は、支柱22の両
端に、それぞれ、支柱22に直交して設けられた側板2
6A及び26Bを備えている。尚、図1では、基板を収
納する状態であって、支柱22を上下方向に向けた状態
で描いている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment the present embodiment is an embodiment of a cassette and a substrate drying method according to the present invention. FIG. 1 is a perspective view of the cassette according to the embodiment. FIGS. 2A and 2B are side views of the cassette of the present embodiment, respectively.
2A is a side view in a direction parallel to the substrate, and FIG. 2B is a side view in a direction perpendicular to the substrate. The cassette 20 of this embodiment has a plurality of support columns 22 as a plurality of parallel support beams provided in a direction intersecting the substrate along the peripheral edge of the substrate. The substrate is, for example, a glass substrate having an element formation surface on one surface. In addition, the cassette 20 includes side plates 2 provided at both ends of the column 22 at right angles to the column 22, respectively.
6A and 26B. Note that FIG. 1 illustrates a state in which the substrate is stored, and the support columns 22 are oriented vertically.

【0014】図3は、図1に示した支柱の部分拡大側面
図である。支柱22は、交互に繰り返す、第1の間隔、
及び、第1の間隔よりも短い第2の間隔で、基板保持部
として溝28を有する。溝28は、第1の間隔を形成す
る溝の端部間距離aが12mm、第2の間隔を形成する
溝の端部間距離bが3mm、溝幅cが3.5mmであ
る。支柱の長さは284mmである。側板26A、B
は、支柱に直交する方向の側板の寸法が基板の最大平面
寸法より大きい、孔なし平板から構成される。側板26
A、Bは、ガラスより大きい比熱を有する物質からな
り、熱容量が充分に大きいように、以下のように寸法及
び材質が決められている。すなわち、側板26A、B
は、何れも、寸法が483×414×12ミリ、材質が
PPS(ポリセリネンサルファイド)であり、側板1枚
あたりの熱容量は1140kcal/℃である。
FIG. 3 is a partially enlarged side view of the column shown in FIG. The struts 22 are alternately repeated, a first interval,
And, at a second interval shorter than the first interval, a groove 28 is provided as a substrate holding portion. In the groove 28, the distance a between the ends of the groove forming the first space is 12 mm, the distance b between the ends of the groove forming the second space is 3 mm, and the groove width c is 3.5 mm. The length of the strut is 284 mm. Side plates 26A, B
Is composed of a flat plate without holes in which the size of the side plate in the direction perpendicular to the support is larger than the maximum plane size of the substrate. Side plate 26
A and B are made of a substance having a specific heat higher than that of glass, and the dimensions and materials are determined as follows so that the heat capacity is sufficiently large. That is, the side plates 26A, B
All have dimensions of 483 x 414 x 12 mm, are made of PPS (polyselinen sulfide), and have a heat capacity of 1140 kcal / ° C per side plate.

【0015】以下、カセット20を用いて基板乾燥する
方法を説明する。先ず、カセット20に基板を収納す
る。その際、基板の素子形成面同士(表面同士)を距離
a以上離して互いに対向させ、素子形成面と反対側の面
同士(裏面同士)を距離b以上離して互いに対向させ
て、基板を保持する。次いで、順次、薬液槽、純水槽
(温水)、純水槽(常温)に浸漬して洗浄する。更に、
IPAガス雰囲気が形成されているIPAベーパー槽内
にカセット20を搬入し、ベーパー乾燥工程を行う。
Hereinafter, a method of drying a substrate using the cassette 20 will be described. First, the substrates are stored in the cassette 20. At this time, the element holding surfaces of the substrates (surfaces) are opposed to each other with a distance of at least a distance therebetween, and the surfaces opposite to the element formation surfaces (back surfaces) are opposed to each other with a distance of at least b distance, and the substrate is held. I do. Next, the substrate is sequentially immersed in a chemical bath, a pure water bath (warm water), and a pure water bath (normal temperature) for cleaning. Furthermore,
The cassette 20 is carried into the IPA vapor tank in which the IPA gas atmosphere is formed, and a vapor drying step is performed.

【0016】本実施形態例では、カセット20の両端に
設けられた側板26A、Bが、支柱に直交する方向の側
板の寸法が基板の最大平面寸法より大きい、孔なし平板
から構成され、しかも、側板26A、Bの熱容量は、充
分に大きい。よって、側板26A、Bの近くの基板は、
輻射熱の影響を受けることはない。従って、各基板表面
へのIPA蒸気量の凝縮量を均等にすることができる。
また、側板26A、Bの熱容量は、ガラス基板よりも大
きいため、IPAベーパー槽壁面から基板(カセット内
の最外側の基板だけでなく、それよりも内側の基板も含
めて意味する)への輻射熱を完全に吸収して遮断するこ
とができる。更に、従来のように基板S1の表面、Sn
の裏面にIPA蒸気が多量に凝縮することはない。更
に、基板を表裏交互に配列し、裏面によって挟まれる空
間をできる限り狭く(3ミリ)、表面(膜面)によって
挟まれる空間をできる限り広く(12ミリ)としてい
る。これにより、膜面側の空間が4倍広いので、それだ
けベーパーラインの回復が速く、また、表面側に存在す
るIPA蒸気量を裏面側に比べて4倍程度多くすること
ができる。従って、裏面への凝縮量よりも表面への凝縮
量を遙かに多くすることができ、基板表面の水が、ほぼ
完全に除去され、表面に水シミが形成されることが充分
に防止される。尚、実験の結果、水シミ発生率は、従来
15%であったものが、ほぼ0%に低減した。
In the present embodiment, the side plates 26A and 26B provided at both ends of the cassette 20 are formed of flat plates without holes in which the size of the side plate in the direction orthogonal to the support is larger than the maximum plane size of the substrate. The heat capacity of the side plates 26A and 26B is sufficiently large. Therefore, the substrate near the side plates 26A and 26B
It is not affected by radiant heat. Therefore, the amount of IPA vapor condensed on the surface of each substrate can be equalized.
Further, since the heat capacity of the side plates 26A and 26B is larger than that of the glass substrate, the radiant heat from the wall surface of the IPA vapor tank to the substrate (meaning not only the outermost substrate in the cassette but also the substrate inside the cassette). Can be completely absorbed and blocked. Further, the surface of the substrate S1 and the Sn
A large amount of IPA vapor does not condense on the back surface of the substrate. Further, the substrates are alternately arranged on the front and back sides, and the space sandwiched by the back surfaces is made as narrow as possible (3 mm), and the space sandwiched by the front surfaces (film surfaces) is made as wide as possible (12 mm). As a result, the space on the film surface side is four times wider, so that the recovery of the vapor line is faster, and the amount of IPA vapor present on the front surface side can be increased by about four times as compared with the back surface side. Therefore, the amount of condensation on the front surface can be made much larger than the amount of condensation on the back surface, and the water on the substrate surface is almost completely removed, and the formation of water spots on the surface is sufficiently prevented. You. As a result of the experiment, the occurrence rate of water stain was reduced from 15% in the past to almost 0%.

【0017】[0017]

【発明の効果】本発明に係るカセットによれば、支持梁
は、交互に繰り返す、第1の間隔、及び、第1の間隔よ
りも短い第2の間隔で、基板保持部を有する。また、本
発明に係る基板乾燥方法によれば、基板の素子形成面同
士を第1の間隔で、及び、素子形成面と反対側の面同士
を第2の間隔でそれぞれ対向させて基板を保持し、乾燥
する。これにより、基板を乾燥する際、基板の素子形成
面にシミが形成されることは防止される。
According to the cassette according to the present invention, the support beam has the substrate holding portion at the first interval and the second interval shorter than the first interval. Further, according to the substrate drying method of the present invention, the substrate is held with the element formation surfaces of the substrate facing each other at the first interval and the surfaces opposite to the element formation surface at the second interval. And dry. This prevents the formation of stains on the element forming surface of the substrate when the substrate is dried.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態例1のカセットの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a cassette according to a first embodiment.

【図2】図2(a)及び(b)は、それぞれ、本実施形
態例のカセットの側面図であって、図2(a)は基板に
平行方向の側面図、図2(b)は基板に直交する方向の
側面図である。
FIGS. 2 (a) and 2 (b) are side views of the cassette of the present embodiment, respectively. FIG. 2 (a) is a side view in a direction parallel to the substrate, and FIG. It is a side view of the direction orthogonal to a board | substrate.

【図3】図1に示した支柱の部分拡大側面図である。FIG. 3 is a partially enlarged side view of the column shown in FIG. 1;

【図4】図4(a)及び(b)は、それぞれ、従来のカ
セットの側面図であって、図4(a)は基板に平行方向
の側面図、図4(b)は基板に直交する方向の側面図で
ある。
4 (a) and 4 (b) are side views of a conventional cassette, respectively. FIG. 4 (a) is a side view in a direction parallel to the substrate, and FIG. 4 (b) is orthogonal to the substrate. FIG.

【図5】従来の基板洗浄工程を示すフロー図である。FIG. 5 is a flowchart showing a conventional substrate cleaning process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 カセット 12 支柱 14A、B 側板 20 カセット 22 支柱 26A、B 側板 28 溝 Reference Signs List 10 cassette 12 support 14A, B side plate 20 cassette 22 support 26A, B side plate 28 groove

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【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年8月23日(1999.8.2
3)
[Submission date] August 23, 1999 (1999.8.2
3)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を周縁で保持する複数の基板保持部
を有し、基板周縁に沿って基板に交差する方向に設けら
れた互いに平行な複数本の支持梁と、支持梁の両端に、
それぞれ支持梁に直交して設けられた側板とを備えてい
るカセットにおいて、 支持梁は、交互に繰り返す、第1の間隔、及び、第1の
間隔よりも短い第2の間隔で、基板保持部を有すること
を特徴とするカセット。
A plurality of parallel support beams provided in a direction intersecting the substrate along the peripheral edge of the substrate, and a plurality of parallel support beams provided at both ends of the support beam.
A cassette provided with side plates provided orthogonally to the support beams, wherein the support beams are alternately repeated at a first interval and at a second interval shorter than the first interval. A cassette comprising:
【請求項2】 基板保持部が、溝から構成されることを
特徴とする請求項1に記載のカセット。
2. The cassette according to claim 1, wherein the substrate holding portion is formed of a groove.
【請求項3】 第1の間隔が12mm以上20mm以下
の範囲内、第2の間隔が3mm以上5mm以下の範囲内
であることを特徴とする請求項1又は2に記載のカセッ
ト。
3. The cassette according to claim 1, wherein the first interval is in a range from 12 mm to 20 mm, and the second interval is in a range from 3 mm to 5 mm.
【請求項4】 側板は、支持梁に直交する方向の側板の
寸法が基板の最大平面寸法より大きい、孔なし平板から
構成されることを特徴とする請求項1から3のうち何れ
か1項に記載のカセット。
4. The side plate according to claim 1, wherein a size of the side plate in a direction orthogonal to the support beam is larger than a maximum plane size of the substrate. The cassette according to 1.
【請求項5】 側板は、ガラスより大きい比熱を有する
物質からなることを特徴とする請求項4に記載のカセッ
ト。
5. The cassette according to claim 4, wherein the side plate is made of a material having a specific heat higher than that of glass.
【請求項6】 側板は、熱容量が所定値より大きいよう
に、寸法及び材質が決められていることを特徴とする請
求項5に記載のカセット。
6. The cassette according to claim 5, wherein the size and material of the side plate are determined so that the heat capacity is larger than a predetermined value.
【請求項7】 請求項1から6のうち何れか1項に記載
のカセットを用いた基板乾燥方法であって、 基板の素子形成面同士を第1の間隔で、及び、素子形成
面と反対側の面同士を第2の間隔でそれぞれ対向させて
基板を保持し、乾燥することを特徴とする基板乾燥方
法。
7. A substrate drying method using the cassette according to claim 1, wherein the element forming surfaces of the substrate are arranged at a first interval and opposite to the element forming surface. A substrate drying method, wherein the substrate is held and dried with the side surfaces facing each other at a second interval.
【請求項8】 カセットに収納された基板を乾燥する
際、イソプロピルアルコールガス雰囲気にした乾燥室に
カセットを搬入して乾燥することを特徴とする請求項7
に記載の基板乾燥方法。
8. The method according to claim 7, wherein when drying the substrate stored in the cassette, the cassette is carried into a drying chamber in an isopropyl alcohol gas atmosphere and dried.
3. The method for drying a substrate according to item 1.
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