JP2000091399A - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

Semiconductor manufacturing equipment

Info

Publication number
JP2000091399A
JP2000091399A JP25244698A JP25244698A JP2000091399A JP 2000091399 A JP2000091399 A JP 2000091399A JP 25244698 A JP25244698 A JP 25244698A JP 25244698 A JP25244698 A JP 25244698A JP 2000091399 A JP2000091399 A JP 2000091399A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
housing
cassette
semiconductor manufacturing
clean
manufacturing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25244698A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Yamamoto
哲夫 山本
Takeshi Ito
伊藤  剛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP25244698A priority Critical patent/JP2000091399A/en
Publication of JP2000091399A publication Critical patent/JP2000091399A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the quality of a product by preventing the infiltration of dust into a semiconductor manufacturing equipment. SOLUTION: A case 7 is provided with an intake port 51, for taking in gas into the inside of the case 7 and exhaust ports 52, 53 for exhausting gas outside the case. The intake port and the exhaust ports are connected by means of ducts 54, 55, 56. In the middle of the ducts, an air blower 57 and a filter 58 for eliminating dust in the air are installed. An independent clean gas circulation path 59 is formed by the air blower, the filter, the duct, and the case to circulate the gas, and the inside of the case is kept at a specified degree of cleanness.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
特に半導体製造装置の筐体内を清浄に維持する清浄気体
の流れが形成された半導体製造装置に関するものであ
る。
The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus,
In particular, the present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus in which a flow of a clean gas for keeping the inside of a housing of the semiconductor manufacturing apparatus clean is formed.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体の製造工程雰囲気の清浄度は製品
の品質、歩留りの向上に大きな影響を及ぼす。その為、
半導体製造装置はクリーンルーム内に設置されると共に
半導体製造装置内にはクリーンユニットが設けられ、半
導体製造装置内部に清浄気体の定常流れが形成される様
になっている。
2. Description of the Related Art The cleanliness of an atmosphere in a semiconductor manufacturing process has a great effect on the improvement of product quality and yield. For that reason,
The semiconductor manufacturing apparatus is installed in a clean room and a clean unit is provided in the semiconductor manufacturing apparatus so that a steady flow of clean gas is formed inside the semiconductor manufacturing apparatus.

【0003】図3〜図7に於いて、従来の半導体製造装
置を説明する。
A conventional semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to FIGS.

【0004】床スラブ1に床パネル2が水平に支持さ
れ、前記床スラブ1と前記床パネル2との間には所要高
さの下部気体流通路3が形成されている。前記床パネル
2上に複数台(図示では8台)の半導体製造装置4が横
に連結された状態で設置されている。該半導体製造装置
4の前方の前記床パネル2に所要数の床吸込口5が設け
られていると共に前記半導体製造装置4の後方の前記床
パネル2に所要数の床吹出口6が設けられている。前記
各半導体製造装置4の筐体7の後部上面に吸込口8が設
けられ、又、前記筐体7の前面下部に前面排出口9が設
けられていると共に後面に後面排出口10が設けられて
いる。
A floor panel 2 is horizontally supported by a floor slab 1, and a lower gas flow passage 3 having a required height is formed between the floor slab 1 and the floor panel 2. A plurality (eight in the figure) of semiconductor manufacturing apparatuses 4 are installed on the floor panel 2 in a state of being connected sideways. A required number of floor inlets 5 are provided on the floor panel 2 in front of the semiconductor manufacturing apparatus 4 and a required number of floor outlets 6 are provided on the floor panel 2 behind the semiconductor manufacturing apparatus 4. I have. An inlet 8 is provided on the upper surface of the rear part of the housing 7 of each of the semiconductor manufacturing apparatuses 4, a front outlet 9 is provided on the lower front part of the housing 7, and a rear outlet 10 is provided on the rear surface. ing.

【0005】前記半導体製造装置4の上方には天井パネ
ル11が天井スラブ12から吊設され、前記天井パネル
11と天井スラブ12の間には上部気体流通路13が形
成され、該上部気体流通路13内に上流側から送風機1
4、フィルタ15がそれぞれ設けられている。
A ceiling panel 11 is suspended from a ceiling slab 12 above the semiconductor manufacturing apparatus 4, and an upper gas flow passage 13 is formed between the ceiling panel 11 and the ceiling slab 12. 13 and the blower 1 from the upstream side
4, a filter 15 is provided.

【0006】前記天井パネル11と前記床パネル2との
間は間仕切16により第1クリーンルーム17と第2ク
リーンルーム18とに仕切られ、前記半導体製造装置4
の前面部分は前記間仕切16を気密に貫通し前記第2ク
リーンルーム18に面する様になっている。前記第1ク
リーンルーム17の前記天井パネル11には、前記吸込
口8に対応する位置に第1クリーンルーム側天井吹出口
19が設けられると共に前記半導体製造装置4の後方位
置に天井吸込口20が設けられている。又、前記第2ク
リーンルーム18の前記天井パネル11には第2クリー
ンルーム側天井吹出口21が設けられている。
[0006] The ceiling panel 11 and the floor panel 2 are partitioned by a partition 16 into a first clean room 17 and a second clean room 18.
The front portion of the air-conditioner penetrates the partition 16 airtightly and faces the second clean room 18. The ceiling panel 11 of the first clean room 17 is provided with a first clean room side ceiling outlet 19 at a position corresponding to the inlet 8 and a ceiling inlet 20 at a position rearward of the semiconductor manufacturing apparatus 4. ing. The ceiling panel 11 of the second clean room 18 is provided with a second clean room side ceiling outlet 21.

【0007】次に、前記半導体製造装置4を説明する。Next, the semiconductor manufacturing apparatus 4 will be described.

【0008】前記筐体7内には後部上方に反応炉22が
設けられ、該反応炉22には下方から図示しないボート
エレベータによりボート23が装脱可能となっている。
前記ボートエレベータ(図示せず)の側方にはウェーハ
移載機24が昇降可能且つ回転可能に設けられ、更に該
ウェーハ移載機24の側方に第3クリーンユニット25
が設けられている。前記ウェーハ移載機24の前方には
上下2段で上カセット棚26、下カセット棚27が設け
られ、前記上カセット棚26の後方に上下2段で第1ク
リーンユニット28、第2クリーンユニット29が設け
られている。前記上カセット棚26と下カセット棚27
の前方にはカセット搬送機30が設けられ、該カセット
搬送機30は昇降可能且つ伸縮自在なカセットハンド3
1を具備している。
[0008] A reaction furnace 22 is provided in an upper rear portion of the housing 7, and a boat 23 is detachably mounted on the reaction furnace 22 from below by a boat elevator (not shown).
A wafer transfer device 24 is provided to be movable up and down and rotatable beside the boat elevator (not shown), and a third clean unit 25 is provided beside the wafer transfer device 24.
Is provided. An upper cassette shelf 26 and a lower cassette shelf 27 are provided in front of the wafer transfer machine 24 in two upper and lower stages, and a first clean unit 28 and a second clean unit 29 in the upper and lower two stages behind the upper cassette shelf 26. Is provided. The upper cassette shelf 26 and the lower cassette shelf 27
Is provided in front of the cassette transfer device 30. The cassette transfer device 30 is a vertically movable and retractable cassette hand 3.
1 is provided.

【0009】前記カセット搬送機30の前方で前記筐体
7の前部下方にはカセットステージ36が設けられ、該
カセットステージ36は上部に載置台37を有し、該載
置台37は昇降可能に設けられている。前記カセットス
テージ36の上方には前記筐体7の前面に面してウェー
ハカセット授受室38が画成されている。該ウェーハカ
セット授受室38の前面には図示しないシャッタにより
気密に閉塞可能な搬送口39が設けられ、該搬送口39
を通って外部から密閉容器、例えばSMIF(Standard
Mechanical Interface )ポッド40が前記ウェーハカ
セット授受室38へ搬入可能となっている。
A cassette stage 36 is provided in front of the cassette transporter 30 and below a front portion of the housing 7, and the cassette stage 36 has a mounting table 37 at an upper portion, and the mounting table 37 can be moved up and down. Is provided. Above the cassette stage 36, a wafer cassette transfer chamber 38 is defined facing the front surface of the housing 7. A transfer port 39 that can be hermetically closed by a shutter (not shown) is provided on the front surface of the wafer cassette transfer chamber 38.
Through a closed container such as SMIF (Standard
A mechanical interface (pod) 40 can be carried into the wafer cassette transfer chamber 38.

【0010】前記SMIFポッド40は底面側に密閉可
能な蓋41を有し、ウェーハ42を水平姿勢で装填した
前記ウェーハカセット35が前記蓋41上に載置された
状態で前記SMIFポッド40内部に収納される様にな
っている。
The SMIF pod 40 has a lid 41 that can be sealed on the bottom side, and the wafer cassette 35 in which the wafer 42 is loaded in a horizontal posture is placed inside the SMIF pod 40 while the wafer cassette 35 is placed on the lid 41. It is to be stored.

【0011】前記ウェーハカセット授受室38の底面4
3には開口部44が設けられ、該開口部44は前記蓋4
1が通過可能であると共に前記底面43に載置された前
記SMIFポッド40により密閉可能な大きさとなって
いる。又、前記ウェーハカセット授受室38と前記カセ
ット搬送機30との間には第4クリーンユニット45が
設けられ、前記筐体7の内側面には前記カセット搬送機
30より前方で前記底面43より僅か下方にグリッパ4
6が進退可能に設けられている。
The bottom surface 4 of the wafer cassette transfer chamber 38
3 is provided with an opening 44, and the opening 44 is
1 is sized to be able to pass through and to be sealed by the SMIF pod 40 placed on the bottom surface 43. Further, a fourth clean unit 45 is provided between the wafer cassette transfer chamber 38 and the cassette transfer device 30, and an inner side surface of the housing 7 is located forward of the cassette transfer device 30 and slightly smaller than the bottom surface 43. Gripper 4 downward
6 is provided so as to be able to advance and retreat.

【0012】前記半導体製造装置4に於いて半導体を製
造する場合、前記搬送口39のシャッタ(図示せず)を
開放し、前記筐体7の外部から前記ウェーハ42を装填
した前記ウェーハカセット35を収納した前記SMIF
ポッド40を前記搬送口39を通して前記ウェーハカセ
ット授受室38に搬入する。前記SMIFポッド40を
前記底面43に載置し、前記開口部44を気密に閉塞
し、前記シャッタにより前記搬送口39を密閉する。前
記載置台37を上昇させ、該載置台37上に前記ウェー
ハカセット35を載置した前記蓋41を移載した後、前
記載置台37を下降させ前記ウェーハカセット35を前
記SMIFポッド40から引出す。
When a semiconductor is manufactured in the semiconductor manufacturing apparatus 4, a shutter (not shown) of the transfer port 39 is opened, and the wafer cassette 35 loaded with the wafer 42 from outside the housing 7 is removed. The stored SMIF
The pod 40 is carried into the wafer cassette transfer chamber 38 through the transfer port 39. The SMIF pod 40 is placed on the bottom surface 43, the opening 44 is airtightly closed, and the transfer port 39 is sealed by the shutter. After the mounting table 37 is lifted and the lid 41 on which the wafer cassette 35 is mounted is transferred onto the mounting table 37, the mounting table 37 is lowered and the wafer cassette 35 is pulled out from the SMIF pod 40.

【0013】前記グリッパ46が前記ウェーハカセット
35の上端部を把持し、前記載置台37は前記蓋41だ
けを載置した状態で更に下降する。前記グリッパ46は
後退し、前端部を下方に傾け、前記ウェーハカセット3
5内の前記ウェーハ42を揃えた後、再び水平姿勢に戻
る。前記カセットハンド31は前記ウェーハカセット3
5の下方に移動し、前記グリッパ46は前記ウェーハカ
セット35を離し該ウェーハカセット35を前記カセッ
トハンド31上に移載する。
The gripper 46 grips the upper end of the wafer cassette 35, and the mounting table 37 is further lowered while only the lid 41 is mounted. The gripper 46 is retracted, the front end is inclined downward, and the wafer cassette 3
After aligning the wafers 42 in 5, the wafer returns to the horizontal position again. The cassette hand 31 is connected to the wafer cassette 3
5, the gripper 46 releases the wafer cassette 35 and transfers the wafer cassette 35 onto the cassette hand 31.

【0014】該カセットハンド31は前記ウェーハカセ
ット35を前記上カセット棚26、下カセット棚27の
所要位置に搬送し、前記ウェーハ移載機24は前記ウェ
ーハカセット35内の前記ウェーハ42を前記ボート2
3へ移載する。前記ボートエレベータ(図示せず)は前
記ウェーハ42を装填した前記ボート23を上昇させ前
記反応炉22内に装入し、該反応炉22内で前記ウェー
ハ42に所要の処理が行われる。
The cassette hand 31 transports the wafer cassette 35 to required positions on the upper cassette shelf 26 and the lower cassette shelf 27, and the wafer transfer device 24 transfers the wafer 42 in the wafer cassette 35 to the boat 2
Transfer to 3. The boat elevator (not shown) raises the boat 23 loaded with the wafers 42 and charges the boats 23 into the reaction furnace 22, where necessary processing is performed on the wafers 42.

【0015】以降、処理済みの該ウェーハ42は上記手
順と逆の手順で外部へ搬出される。
Thereafter, the processed wafer 42 is carried out to the outside in a procedure reverse to the above procedure.

【0016】上記半導体製造工程中、製品の品質等の向
上の為には前記筐体7内部を所定の清浄度に維持する必
要があるので、製造工程雰囲気には以下の様に清浄気体
を循環させ定常流れを形成させている。
During the semiconductor manufacturing process, the interior of the housing 7 must be maintained at a predetermined cleanliness in order to improve product quality and the like. And a steady flow is formed.

【0017】前記送風機14の作動により気体、例えば
空気が流動し、該空気は前記フィルタ15により塵埃が
除去され、所要の清浄度の清浄空気となる。該清浄空気
は前記上部気体流通路13を流通し、前記第1クリーン
ルーム側天井吹出口19を通って前記第1クリーンルー
ム17へ吹出されると共に前記第2クリーンルーム側天
井吹出口21を通って前記第2クリーンルーム18へ吹
出される。
The operation of the blower 14 causes a gas, for example, air to flow, and the air from which dust is removed by the filter 15 becomes clean air of a required cleanliness. The clean air flows through the upper gas flow passage 13, is blown out to the first clean room 17 through the first clean room side ceiling outlet 19, and passes through the second clean room side ceiling outlet 21. 2 The air is blown out to the clean room 18.

【0018】前記第1クリーンルーム17へ吹出された
清浄空気は前記吸入口8を通って前記筐体7内に導入さ
れた後、2系統に分流する。1系統の清浄空気は前記第
3クリーンユニット25を通過し塵埃が除去された後、
前記ウェーハ移載機24、ボート23、ボートエレベー
タ(図示せず)を経て前記後面排出口10から前記第1
クリーンルーム17へ排出される。他の1系統の清浄空
気は前記第1クリーンユニット28、第2クリーンユニ
ット29を通過し塵埃が除去された後、前記上カセット
棚26を通過し降下し、更に前記第4クリーンユニット
45、カセット搬送機30、カセットステージ36を経
て、前記前面排出口9から前記第2クリーンルーム18
へ排出される。
The clean air blown out to the first clean room 17 is introduced into the housing 7 through the suction port 8 and then split into two systems. After one system of clean air passes through the third clean unit 25 and dust is removed,
Through the wafer transfer machine 24, the boat 23, and the boat elevator (not shown), the first
It is discharged to the clean room 17. The other one system of clean air passes through the first clean unit 28 and the second clean unit 29 and after dust is removed, passes through the upper cassette shelf 26 and descends. After passing through the transfer device 30 and the cassette stage 36, the second clean room 18
Is discharged to

【0019】又、前記第2クリーンルーム側吹出口21
より前記第2クリーンルーム18へ吹出された清浄空気
は降下し前記前面排出口9から排出された空気と合流し
た後、前記床吸込口5を通って前記下部気体流通路3に
至り、更に該下部気体流通路3を後方へ流通し、前記床
吹出口6から前記第1クリーンルーム17へ吹出され
る。該第1クリーンルーム17へ吹出された空気は前記
後面排出口10から排出された空気と合流した後上昇
し、前記天井吸込口20を通って前記上部気体流通路1
3に至り、再び前記送風機14に戻る。
The second clean room side outlet 21
The clean air blown out to the second clean room 18 descends and merges with the air discharged from the front discharge port 9, then reaches the lower gas flow passage 3 through the floor suction port 5, and further flows into the lower gas flow path 3. The air flows through the gas flow passage 3 backward, and is blown out from the floor outlet 6 to the first clean room 17. The air blown into the first clean room 17 merges with the air discharged from the rear outlet 10 and then rises, passes through the ceiling suction port 20, and rises.
3 and returns to the blower 14 again.

【0020】以降、前記清浄空気の循環が繰返され、前
記半導体製造装置4の筐体7内及び前記第1クリーンル
ーム17、第2クリーンルーム18はそれぞれ所定の清
浄度に保持される。
Thereafter, the circulation of the clean air is repeated, and the inside of the housing 7 of the semiconductor manufacturing apparatus 4 and the first clean room 17 and the second clean room 18 are each maintained at a predetermined cleanliness.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】半導体の製造工程に於
いては、前記半導体製造装置4のメンテナンス時或は増
設作業時等でも対象となる前記半導体製造装置4以外は
稼働させ、生産性の向上を図っている。
In the semiconductor manufacturing process, other than the target semiconductor manufacturing apparatus 4 is operated even during maintenance or expansion work of the semiconductor manufacturing apparatus 4 to improve productivity. Is being planned.

【0022】ところが、上記した従来例では、連結され
ている全ての前記半導体製造装置4の前記吸入口8、前
面排出口9、後面排出口10が前記第1クリーンルーム
17、第2クリーンルーム18を介してそれぞれ連通さ
れているので、前記半導体製造装置4のメンテナンス時
或は増設作業時等に一部の前記半導体製造装置4から塵
埃が発生し、前記第1クリーンルーム17或は第2クリ
ーンルーム18内に拡散した場合、該塵埃が他の稼働中
の半導体製造装置4の筐体7内に侵入する虞れがあっ
た。
However, in the above-described conventional example, the suction port 8, the front discharge port 9, and the rear discharge port 10 of all the connected semiconductor manufacturing apparatuses 4 are connected via the first clean room 17 and the second clean room 18. Therefore, dust is generated from some of the semiconductor manufacturing apparatuses 4 during maintenance or expansion work of the semiconductor manufacturing apparatus 4 and the like, and the dust is generated in the first clean room 17 or the second clean room 18. If diffused, the dust may enter the housing 7 of another active semiconductor manufacturing apparatus 4.

【0023】本発明は斯かる実情に鑑み、塵埃が半導体
製造装置の筐体内に侵入するのを防止し、製品の品質の
向上を図るものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and aims to prevent dust from entering a housing of a semiconductor manufacturing apparatus and improve the quality of products.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】本発明は、筐体内部に気
体を吸入する吸入口と前記筐体外部に前記気体を排出す
る排出口とを前記筐体に設け、前記吸入口と排出口をダ
クトで接続し、該ダクトの途中に送風機を設けると共に
前記気体中の塵埃を除去するフィルタを設け、前記送風
機とフィルタとダクトと筐体とにより独立した清浄気体
循環路を形成させた半導体製造装置に係り、又、前記吸
入口を前記筐体の上部位置に設け、前記排出口を前記筐
体の下部位置に設け、該筐体内部に上部位置から下部位
置に向って清浄気体流れを形成し、前記筐体内部に設け
られている可動機構を前記清浄気体の下流側に配置した
半導体製造装置に係り、更に、前記筐体内の前部下方に
外部との間で被処理基板を保持するカセットを収納した
容器の授受を行うカセットステージが設けられ、該カセ
ットステージの後方に該カセットステージとカセット棚
間での前記カセットの搬送を行うカセット搬送機が設け
られ、前記筐体内の後部上方に反応炉が設けられ、前記
筐体内の後部下方に前記被処理基板を装填したボートを
下方から前記反応炉内に装脱させるボートエレベータが
設けられ、該ボートエレベータの側方に下降状態の前記
ボートと前記カセット棚間での前記被処理基板の搬送を
行う基板移載機が設けられ、前記吸入口は前記筐体の上
部位置に設けられ、前記排出口は前記ボートエレベータ
の近傍及び前記カセット搬送機、前記カセットステージ
の近傍に設けられた半導体製造装置に係り、更に又、前
記清浄気体循環路が密閉構造であり、前記容器が密閉容
器であり、前記被処理基板を前記筐体の外部空間と隔絶
した状態で前記カセットステージに授受可能とした半導
体製造装置に係り、前記清浄気体循環路を清浄気体が循
環し、他の系統の半導体製造装置の影響を受けることな
く、前記筐体内を所定の清浄度に維持する。
According to the present invention, a suction port for sucking a gas into a housing and a discharge port for discharging the gas to the outside of the housing are provided in the housing, and the suction port and the discharge port are provided. And a filter for removing dust in the gas is provided in the middle of the duct, and a filter for removing dust in the gas is provided, and the independent clean gas circulation path is formed by the blower, the filter, the duct, and the housing. According to the apparatus, the inlet is provided at an upper position of the housing, and the outlet is provided at a lower position of the housing, and a clean gas flow is formed inside the housing from an upper position to a lower position. Further, the present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus in which a movable mechanism provided inside the housing is arranged on the downstream side of the clean gas, and further holds a substrate to be processed between the outside and a front lower part in the housing. Transfer of containers containing cassettes A set stage is provided, a cassette transporter for transporting the cassette between the cassette stage and a cassette shelf is provided behind the cassette stage, a reaction furnace is provided above a rear part in the housing, and a reaction furnace is provided in the housing. A boat elevator for loading and unloading the boat loaded with the substrate to be processed into and from the reaction furnace from below is provided below the rear part of the boat, and the boat elevator between the boat and the cassette shelf in a lowered state is provided beside the boat elevator. A substrate transfer device for transferring a processing substrate is provided, the suction port is provided at an upper position of the housing, and the discharge port is provided near the boat elevator and near the cassette transfer device and the cassette stage. Further, in the semiconductor manufacturing apparatus, the clean gas circulation path may have a closed structure, the container may be a closed container, and the substrate to be processed may be the case. A clean gas circulating through the clean gas circulation path without being affected by another system of the semiconductor manufacturing device. Maintain the cleanliness inside the body.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、図1及び図2を参照しつつ
本発明の実施の形態を説明する。尚、図1及び図2中、
図3〜図7中と同等のものには同符号を付し、説明は省
略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In FIGS. 1 and 2,
The same components as those in FIGS. 3 to 7 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0026】床パネル2上に複数台(図示では8台)の
半導体製造装置4が横に連結された状態で設置されてい
る。該各半導体製造装置4の筐体7の後部上面に吸入口
51が設けられ、前記筐体7の前部下面に下面排出口5
2が設けられていると共に後面下部に後面排出口53が
設けられている。而して、前記下面排出口52は可動機
構であるカセット搬送機30、カセットステージ36の
近傍に位置し、前記後面排出口53は可動機構である前
記ボートエレベータ(図示せず)の近傍に位置してい
る。
A plurality (eight in the figure) of semiconductor manufacturing apparatuses 4 are installed on the floor panel 2 so as to be connected to each other. A suction port 51 is provided on the rear upper surface of the housing 7 of each semiconductor manufacturing apparatus 4, and a lower surface outlet 5 is provided on the front lower surface of the housing 7.
2 and a rear outlet 53 at a lower portion of the rear surface. Thus, the lower surface discharge port 52 is located near the cassette transporter 30 and the cassette stage 36 which are movable mechanisms, and the rear surface discharge port 53 is located near the boat elevator (not shown) which is a movable mechanism. are doing.

【0027】前記吸入口51には上方から給気ダクト5
4が接続され、該給気ダクト54は後方に屈曲してい
る。又、前記下面排出口52には第1排気ダクト55が
下方に接続されていると共に前記後面排出口53には第
2排気ダクト56が後方へ水平に接続されている。
The intake port 51 is provided with an air supply duct 5 from above.
4 is connected, and the air supply duct 54 is bent rearward. A first exhaust duct 55 is connected to the lower outlet 52 downward, and a second exhaust duct 56 is connected horizontally to the rear outlet 53 rearward.

【0028】前記第1排気ダクト55は前記下部気体流
通路3内で後方に屈曲し、更に前記半導体製造装置4の
後方で上方に屈曲し前記床パネル2を貫通している。前
記第1排気ダクト55には前記第1クリーンルーム17
内で前記第2排気ダクト56が接続され、前記第1排気
ダクト55と前記第2排気ダクト56の接続箇所より上
方部分の前記第1排気ダクト55は太径化し、前記天井
パネル11近傍迄立ち上がった後、前方に屈曲し、個別
送風機57、個別フィルタ58を介して前記給気ダクト
54に接続されている。
The first exhaust duct 55 is bent backward in the lower gas flow passage 3, further bent upward behind the semiconductor manufacturing apparatus 4, and penetrates through the floor panel 2. The first exhaust duct 55 includes the first clean room 17.
The second exhaust duct 56 is connected inside the first exhaust duct 55, and the first exhaust duct 55 in a portion above the connection point between the first exhaust duct 55 and the second exhaust duct 56 has a large diameter and rises up to near the ceiling panel 11. Then, it is bent forward and connected to the air supply duct 54 via an individual blower 57 and an individual filter 58.

【0029】而して、前記個別送風機57、個別フィル
タ58、給気ダクト54、筐体7、第1排気ダクト5
5、第2排気ダクト56により前記各半導体製造装置4
毎に密閉された清浄気体循環路59がそれぞれ独立して
形成される様になっている。
The individual blower 57, the individual filter 58, the air supply duct 54, the housing 7, the first exhaust duct 5
5. Each of the semiconductor manufacturing apparatuses 4 by the second exhaust duct 56
The closed clean gas circulation paths 59 are formed independently of each other.

【0030】以下、作用を説明する。The operation will be described below.

【0031】前記個別送風機57の作用により気体、例
えば空気が流動し、該空気は前記個別フィルタ58によ
り塵埃を除去され、所定の清浄度の清浄空気となる。該
清浄空気は前記給気ダクト54、吸入口51を経て前記
筐体7内に流入し、従来の該筐体7内での流れと同様に
2系統に分流した後、1系統の清浄空気は前記後面排出
口53から前記第2排気ダクト56を介して排出され、
他の1系統の清浄空気は前記下面排出口52から前記第
1排気ダクト55を介して排出される。この時、前記カ
セット搬送機30、カセットステージ36及び前記ボー
トエレベータ(図示せず)等の可動機構は前記各系統の
清浄空気の下流側に位置しているで、該可動機構から発
生した塵埃が前記ウェーハ42に付着する虞れがない。
A gas, for example, air flows by the action of the individual blower 57, and the air is cleaned of dust by the individual filter 58 to become clean air of a predetermined cleanliness. The clean air flows into the housing 7 through the air supply duct 54 and the suction port 51 and is divided into two systems in the same manner as the conventional flow in the housing 7. It is discharged from the rear outlet 53 through the second exhaust duct 56,
Another type of clean air is discharged from the lower surface outlet 52 through the first exhaust duct 55. At this time, since movable mechanisms such as the cassette transporter 30, the cassette stage 36, and the boat elevator (not shown) are located downstream of the clean air of each system, dust generated from the movable mechanisms may be removed. There is no fear of adhering to the wafer 42.

【0032】前記第1排気ダクト55内を流通する空気
と前記第2排気ダクト56内を流通する空気は前記第1
排気ダクト55と前記第2排気ダクト56との接続箇所
で合流した後、前記第1排気ダクト55内を上昇し、再
び前記個別送風機57に戻る。
The air flowing in the first exhaust duct 55 and the air flowing in the second exhaust duct 56 are
After merging at the connection point between the exhaust duct 55 and the second exhaust duct 56, the air duct rises in the first exhaust duct 55 and returns to the individual blower 57 again.

【0033】以降、前記清浄気体循環路59内で上記し
たのと同様に清浄空気の循環が繰返され前記筐体7内は
所定の清浄度に維持される。
Thereafter, the circulation of the clean air is repeated in the clean gas circulation path 59 in the same manner as described above, and the inside of the housing 7 is maintained at a predetermined cleanliness.

【0034】又、前記筐体7の外部空間の前記第1クリ
ーンルーム17、第2クリーンルーム18は清浄空気が
前記送風機14、フィルタ15、上部気体流通路13、
第2クリーンルーム側天井吹出口21、第2クリーンル
ーム18、床吸込口5、下部気体流通路3、床吹出口
6、第1クリーンルーム17、天井吸込口20を経て繰
返し循環することにより所定の清浄度に維持される。
Further, the first clean room 17 and the second clean room 18 in the outer space of the housing 7 supply clean air to the blower 14, the filter 15, the upper gas flow passage 13,
The predetermined cleanliness is obtained by repeatedly circulating through the second clean room side ceiling outlet 21, the second clean room 18, the floor suction port 5, the lower gas flow passage 3, the floor blow outlet 6, the first clean room 17, and the ceiling suction port 20. Is maintained.

【0035】尚、上記実施の形態に於いては、前記半導
体製造装置4毎にそれぞれ独立した前記清浄気体循環路
59が形成されているが、同種類の膜を生成する装置毎
等に系統分けし、各系統毎に独立した清浄気体循環路を
形成させてもよい。
In the above embodiment, the independent clean gas circulation paths 59 are formed for each of the semiconductor manufacturing apparatuses 4. However, the clean gas circulation paths 59 are formed separately for each apparatus for producing the same type of film. Alternatively, an independent clean gas circulation path may be formed for each system.

【0036】又、SMIFポッド40等密閉容器に収納
され前記筐体7の外部空間と隔絶された状態でウェーハ
の授受を行う前記半導体製造装置4に限らず、ウェーハ
をウェーハカセットに装填した状態でウェーハの授受を
行う半導体製造装置にも実施可能である。
Further, the present invention is not limited to the semiconductor manufacturing apparatus 4 which is housed in a sealed container such as the SMIF pod 40 and exchanges wafers in a state of being isolated from the external space of the housing 7, but also in a state where wafers are loaded in a wafer cassette. The present invention can also be applied to a semiconductor manufacturing apparatus that exchanges wafers.

【0037】更に、前記吸入口51、下面排出口52、
後面排出口53、給気ダクト54、第1排気ダクト5
5、第2排気ダクト56、個別送風機57、個別フィル
タ58の設置位置は上記した位置に限るものではなく、
更に又、前記清浄気体循環路59内を循環する気体は空
気に限らず、窒素等他の気体であってもよい。
Further, the inlet 51, the lower outlet 52,
Rear outlet 53, air supply duct 54, first exhaust duct 5
5. The installation positions of the second exhaust duct 56, the individual blower 57, and the individual filter 58 are not limited to the positions described above.
Further, the gas circulating in the clean gas circulation path 59 is not limited to air, but may be another gas such as nitrogen.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、筐体の
外部空間の清浄気体の流れとは別に各清浄気体循環路毎
に独立して清浄気体の流れが形成されるので、半導体製
造装置のメンテナンス時或は増設作業時等に塵埃が発生
し前記筐体の外部空間中に拡散しても、稼働中の他の半
導体製造装置の筐体内に前記塵埃が侵入することがな
い。
As described above, according to the present invention, the flow of the clean gas is formed independently for each clean gas circulation path separately from the flow of the clean gas in the outer space of the housing. Even if dust is generated during the maintenance of the apparatus or at the time of expansion work and diffuses into the external space of the housing, the dust does not enter the housing of another operating semiconductor manufacturing apparatus.

【0039】従って、前記筐体内を所定の清浄度に維持
することが容易となり、製品の品質の向上を図ることが
可能となる。
Therefore, it is easy to maintain the inside of the casing at a predetermined cleanliness, and it is possible to improve the quality of the product.

【0040】又、各清浄気体循環路毎に独立して清浄空
気を循環させるので、該各清浄気体循環路毎の清浄度を
容易に把握でき、前記筐体内の清浄度が悪化する等の異
常事態の早期発見が可能となり、製造工程雰囲気の管理
がし易くなる。
Further, since the clean air is circulated independently for each of the clean gas circulation paths, the cleanliness of each of the clean gas circulation paths can be easily grasped, and abnormalities such as deterioration of the cleanliness in the housing can be obtained. The situation can be detected early, and the atmosphere of the manufacturing process can be easily managed.

【0041】更に、前記清浄気体循環路が密閉構造であ
り、容器が密閉容器であり、前記被処理基板を前記筐体
の外部空間と隔絶した状態でカセットステージに授受可
能とした場合には、被処理基板の前記筐体外部での搬送
時、該カセットステージへの授受時、前記筐体内での搬
送時及び処理時のいずれの場合に於いても、前記被処理
基板は前記筐体の外部空間と隔絶されていると共に該筐
体内部と該筐体の外部空間との間の気体の流通は完全に
遮断されているので、上記した効果をより一層得ること
ができる。
Further, when the clean gas circulation path has a closed structure, the container is a closed container, and the substrate to be processed can be transferred to and from the cassette stage in a state of being isolated from the external space of the housing. Regardless of whether the substrate to be processed is transported outside the housing, transferred to or from the cassette stage, or transported or processed inside the housing, the substrate to be processed is located outside the housing. Since the gas is isolated from the space and the flow of gas between the inside of the housing and the space outside the housing is completely shut off, the above-mentioned effect can be further obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.

【図2】該実施の形態を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the embodiment.

【図3】従来例を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a conventional example.

【図4】従来例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional example.

【図5】半導体製造装置の背面側を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing the back side of the semiconductor manufacturing apparatus.

【図6】半導体製造装置の構成を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus.

【図7】半導体製造装置内部の清浄空気の流れを示す斜
視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a flow of clean air inside the semiconductor manufacturing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4 半導体製造装置 7 筐体 17 第1クリーンルーム 18 第2クリーンルーム 51 吸入口 52 下面排出口 53 後面排出口 54 給気ダクト 55 第1排気ダクト 56 第2排気ダクト 57 個別送風機 58 個別フィルタ 59 清浄気体循環路 Reference Signs List 4 semiconductor manufacturing apparatus 7 case 17 first clean room 18 second clean room 51 suction port 52 bottom discharge port 53 rear discharge port 54 air supply duct 55 first exhaust duct 56 second exhaust duct 57 individual blower 58 individual filter 59 clean gas circulation Road

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 筐体内部に気体を吸入する吸入口と前記
筐体外部に前記気体を排出する排出口とを前記筐体に設
け、前記吸入口と排出口をダクトで接続し、該ダクトの
途中に送風機を設けると共に前記気体中の塵埃を除去す
るフィルタを設け、前記送風機とフィルタとダクトと筐
体とにより独立した清浄気体循環路を形成させたことを
特徴とする半導体製造装置。
An inlet for sucking gas into the housing and an outlet for discharging the gas to the outside of the housing are provided in the housing, and the inlet and the outlet are connected by a duct; And a filter for removing dust in the gas is provided in the middle of the process, and an independent clean gas circulation path is formed by the blower, the filter, the duct, and the housing.
【請求項2】 前記吸入口を前記筐体の上部位置に設
け、前記排出口を前記筐体の下部位置に設け、該筐体内
部に上部位置から下部位置に向って清浄気体流れを形成
し、前記筐体内部に設けられている可動機構を前記清浄
気体の下流側に配置した請求項1の半導体製造装置。
2. The method according to claim 1, wherein the inlet is provided at an upper position of the housing, and the outlet is provided at a lower position of the housing, and a clean gas flow is formed inside the housing from the upper position to the lower position. 2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a movable mechanism provided inside said housing is disposed downstream of said clean gas.
【請求項3】 前記筐体内の前部下方に外部との間で被
処理基板を保持するカセットをを収納した容器の授受を
行うカセットステージが設けられ、該カセットステージ
の後方に該カセットステージとカセット棚間での前記カ
セットの搬送を行うカセット搬送機が設けられ、前記筐
体内の後部上方に反応炉が設けられ、前記筐体内の後部
下方に前記被処理基板を装填したボートを下方から前記
反応炉内に装脱させるボートエレベータが設けられ、該
ボートエレベータの側方に下降状態の前記ボートと前記
カセット棚間での前記被処理基板の搬送を行う基板移載
機が設けられ、前記吸入口は前記筐体の上部位置に設け
られ、前記排出口は前記ボートエレベータの近傍及び前
記カセット搬送機、前記カセットステージの近傍に設け
られた請求項1又は請求項2の半導体製造装置。
3. A cassette stage for exchanging a container accommodating a cassette holding a substrate to be processed with the outside is provided below a front portion inside the housing, and the cassette stage is provided behind the cassette stage. A cassette transporter for transporting the cassette between cassette shelves is provided, a reaction furnace is provided above a rear portion in the housing, and a boat loaded with the substrate to be processed is mounted on the lower portion of the rear portion of the housing from below. A boat elevator for loading and unloading in the reaction furnace is provided, and a substrate transfer machine for transferring the substrate to be processed between the boat in a lowered state and the cassette shelf is provided on a side of the boat elevator. 2. The port is provided at an upper position of the housing, and the discharge port is provided near the boat elevator and near the cassette transporter and the cassette stage. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2.
【請求項4】 前記清浄気体循環路が密閉構造であり、
前記容器が密閉容器であり、前記被処理基板を前記筐体
の外部空間と隔絶した状態で前記カセットステージに授
受可能とした請求項1〜3の半導体製造装置。
4. The clean gas circulation path has a closed structure,
4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said container is a closed container, and said substrate to be processed can be transferred to and from said cassette stage in a state of being isolated from an external space of said housing.
JP25244698A 1998-09-07 1998-09-07 Semiconductor manufacturing equipment Pending JP2000091399A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25244698A JP2000091399A (en) 1998-09-07 1998-09-07 Semiconductor manufacturing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25244698A JP2000091399A (en) 1998-09-07 1998-09-07 Semiconductor manufacturing equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000091399A true JP2000091399A (en) 2000-03-31

Family

ID=17237499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25244698A Pending JP2000091399A (en) 1998-09-07 1998-09-07 Semiconductor manufacturing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000091399A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008193072A (en) * 2004-09-09 2008-08-21 Hokkaido Univ Method of manufacturing functional element and method of manufacturing functional material
JP2016207746A (en) * 2015-04-17 2016-12-08 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus
CN114762950A (en) * 2021-01-14 2022-07-19 爱思开矽得荣株式会社 Air circulation system and fine polishing apparatus including the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008193072A (en) * 2004-09-09 2008-08-21 Hokkaido Univ Method of manufacturing functional element and method of manufacturing functional material
JP2016207746A (en) * 2015-04-17 2016-12-08 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor manufacturing apparatus
CN114762950A (en) * 2021-01-14 2022-07-19 爱思开矽得荣株式会社 Air circulation system and fine polishing apparatus including the same
KR20220102802A (en) * 2021-01-14 2022-07-21 에스케이실트론 주식회사 Air circulation apparatus and final polishing apparatus including the same
KR102513857B1 (en) * 2021-01-14 2023-03-27 에스케이실트론 주식회사 Air circulation apparatus and final polishing apparatus including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10930536B2 (en) Workpiece stocker with circular configuration
US5219464A (en) Clean air apparatus
KR19990023508A (en) Treatment device and control method of gas in the processing device
US7935185B2 (en) Film forming system and film forming method
JPWO2020111013A1 (en) Wafer stocker
JP5144207B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2007095879A (en) Substrate processing equipment
JP2002175999A (en) Substrate processor
JP2002093878A (en) Semiconductor manufacturing apparatus
JPH04269825A (en) Vertical type heat-treating device
JP2018152592A (en) Efem
JPH06340304A (en) Storage rack, conveying method, and washing device for box body
JP4790326B2 (en) Processing system and processing method
JPH07161656A (en) Heat-treating device
JPH07283288A (en) Processing device
JP2000091399A (en) Semiconductor manufacturing equipment
KR100719519B1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus for use of hot process
JP3856726B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JP3098547B2 (en) Carrier stocker
JP2873761B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JP4383636B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2008172080A (en) Treatment apparatus and method of discharging cleaning gas in the device
JP2005347667A (en) Semiconductor fabrication device
JP2876250B2 (en) Vertical heat treatment equipment
KR20010021000A (en) Substrate transporting apparatus, processing apparatus, processing system for substrate, transporting method, receiving apparatus and accomodating box

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050329

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071218

A02 Decision of refusal

Effective date: 20080408

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02