JP2000090428A - 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ロード時にヘッドによる衝撃を受けても傷つ
き難く、かつ高密度化、大容量化し得る磁気記録媒体を
得る。 【解決手段】 少なくともロード時にヘッドの浮上高が
最も低くなる位置を含む領域の保護層の厚さがそれ以外
の領域よりも厚く形成された媒体を用い、記録再生時に
その領域の記録密度をそれ以外の領域の記録密度より低
くするか、あるいは媒体の磁気層として、さらに、記録
再生したときの孤立波の半値幅がそれ以外の領域よりも
大きい磁気層を設けた媒体を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等に使われる磁気記録媒体および磁気記録再生装置に係
り、特に、ランプロード方式の磁気ディスク装置に使わ
れる磁気記録媒体およびランプロード方式の磁気記録再
生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】パーソナルコンピュータ等の電子機器に
おいては、大容量のメモリ装置として磁気ディスク装置
が広く用いられている。また、近年、携帯可能な小型の
パーソナルコンピュータが普及しつつあり、この種のパ
ーソナルコンピュータに搭載される磁気ディスク装置
は、携帯時における衝撃等に対する信頼性の向上が求め
られている。

【０００３】そこで、磁気ディスク装置の非作動時に磁
気ヘッドを保持する機構として、ランプロード機構を備
えたものが提供されている。例えば特開平５−１２０８
２２号公報には、スピンドルモータにより回転される少
なくとも一枚の磁気ディスク媒体と、この磁気ディスク
媒体の表面に近接してデータの読み出し、書き込み（リ
ード／ライト）を行う磁気ヘッドと、この磁気ヘッドを
所望のシリンダ位置へ移動させるアクチュエータ機構
と、このアクチュエータ機構を駆動する位置制御回路
と、ランプロードを使用したロードアンロード機構とを
備えた磁気ディスク装置が開示されている。

【０００４】ランプロードを使用したロードアンロード
機構は、磁気ディスクの外側に設けられたランプを備
え、磁気ディスク装置の非作動時、キャリッジアッセン
ブリは磁気ディスクの外周に回動され、サスペンション
がランプに乗り上げる。それにより、磁気ヘッドは、磁
気ディスク表面から離間した位置に保持され、非作動時
に衝撃を受けても、磁気ディスクとの衝突が防止され
る。

【０００５】しかしながら、このような従来の磁気ディ
スク装置では、ロード速度の浮上方向速度成分の制御が
されていなかったため、動作時、特にヘッド（スライ
ダ）がランプを脱出する際に、磁気ディスク媒体面に接
触し、磁気ディスクが傷つくことがあった。このため、
ロード速度の浮上方向速度成分を制御する機構を設ける
ことにより、磁気ディスク媒体を保護する試みがなされ
ていたが、十分ではなかった。

【０００６】また、磁気ディスク装置に用いられる磁気
記録媒体の保護層は、記録、再生を行う際、磁気スペー
シングとなることから、磁気ディスク装置の高密度化、
大容量化のためには、磁気記録媒体の保護層を薄くする
傾向にあるが、保護層を薄くすると傷がつきやすくなる
という問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来
は、ランプロード機構を有する磁気ディスク装置におい
て、ランプを脱出する際に磁気ヘッドが磁気記録媒体に
接触し、磁気記録媒体が傷つくという問題があった。ま
た、このことは、磁気記録装置の高密度化、大容量化を
図るべく磁気記録媒体の保護層を薄く設定する上で問題
となっていた。

【０００８】本発明は、上記事情を鑑みてなされたもの
で、ロード時にヘッドによる衝撃を受けても傷つき難
く、エラーの少ない良好な磁気記録再生を行なうことが
可能であり、かつ高密度化、大容量化し得る磁気記録媒
体を得ることを目的とする。

【０００９】本発明はまた、その磁気記録媒体が、ロー
ド時にヘッドによる衝撃を受けても傷つき難く、エラー
の少ない良好な磁気記録再生を行なうことが可能であ
り、かつ高密度化、大容量化し得る磁気記録再生装置を
得ることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板と、該基
板の少なくとも一方の面に形成された磁気記録層と、該
磁気記録層上に形成され、少なくともロード時にヘッド
の浮上高が最も低くなる位置を含む第１の領域の厚さ
が、それ以外の第２の領域よりも厚く形成された保護層
とを具備する磁気記録媒体であって、磁気ヘッドを用い
て前記第１の領域を記録再生したときの孤立波の半値幅
は、前記第２の領域を記録再生したときの孤立波の半値
幅よりも大きいことを特徴とする磁気記録媒体を提供す
る。

【００１１】本発明はまた、基板、該基板の少なくとも
一方の面に形成された磁気記録層、及び該磁気記録層上
に形成され、少なくともロード時にヘッドの浮上高が最
も低くなる位置を含む第１の領域の厚さが、それ以外の
第２の領域よりも厚く形成された保護層を含む磁気記録
媒体と、該磁気記録媒体を支持および回転駆動する駆動
手段と、該磁気記録媒体に対して情報の記録再生を行う
磁気ヘッドと、該磁気ヘッドに接続され、該第１の領域
と該第２の領域の書き込み周波数を変更する手段と、該
磁気記録媒体に対して該磁気ヘッドを移動自在に支持し
たキャリッジアッセンブリと、該キャリッジアッセンブ
リが非作動位置に移動した際、該キャリッジアッセンブ
リと係合して磁気ヘッドを該磁気記録媒体から離間した
位置に支持するランプロード機構とを具備することを特
徴とする磁気記録再生装置を提供する。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、基板
と、基板の少なくとも一方の面に形成された磁気記録層
と、磁気記録層上に形成された保護層とを有し、この媒
体は、保護層の厚さの厚い第１の領域と、保護層の厚さ
の薄い第２の領域とを有し、第１の領域には、ヘッドを
ロードする時にヘッドの浮上高が最も低くなる位置が含
まれており、かつ第１の領域を記録再生したときの孤立
波の半値幅は、第２の領域を記録再生したときの孤立波
の半値幅よりも大きくなっている。

【００１３】また、本発明の磁気記録再生装置は、上記
磁気記録媒体と、磁気記録媒体を支持および回転駆動す
る駆動手段と、磁気記録媒体に対して情報の記録再生を
行う磁気ヘッドと、この磁気ヘッドに接続されて、第１
の領域と第２の領域の書き込み周波数を変更する手段
と、磁気記録媒体に対して磁気ヘッドを移動自在に支持
したキャリッジアッセンブリと、キャリッジアッセンブ
リが非作動位置に移動した際、該キャリッジアッセンブ
リと係合して磁気ヘッドを磁気記録媒体から離間した位
置に支持するランプロード機構とを具備する。

【００１４】ランプロード磁気記録再生装置に使用され
る磁気記録媒体は、ロード時、ヘッドの浮上高が最も低
くなるところで、ヘッドが磁気記録媒体に最も接触しや
すく、傷がつきやすい。このため、本発明では、少なく
ともヘッドの浮上高が最も低くなる位置では、その保護
層の厚さが厚く形成されている。これにより、磁気記録
媒体が傷つくことを防止することができる。

【００１５】一方、ヘッドの浮上高が最も低くなる位置
以外の領域は、その保護層をできるだけ薄く形成するこ
とが可能である。このように保護層を薄く形成すること
により、磁気記録媒体の高密度、大容量化を実現するこ
とが可能となる。

【００１６】本発明によれば、このような保護層を用い
ることにより、エラーのない良好な磁気記録再生を行な
うことができる。なお、保護層が厚い領域の記録は、保
護層が薄い領域の記録よりも再生時のエラーレートが高
くなる傾向がある。

【００１７】本発明者らは、保護膜の厚さとエラーレー
トについて調べたところ、書込み時の記録密度が低いと
エラーレートを低く抑えることができることがわかっ
た。本発明の磁気記録媒体では、保護層が厚い領域を記
録再生したときの孤立波の半値幅が保護層が薄い領域よ
りも大きくなっているために、書込み時の記録密度が低
くなり、エラーレートを低く抑えることが可能となる。

【００１８】また、本発明の磁気記録再生装置では、保
護層が厚い第１の領域と保護層が薄い第２の領域とで、
書き込み周波数を変更する手段が備えられている。保護
層が厚い領域では周波数を低くし、書込み時の記録密度
を低下させることにより、エラーレートを低く抑えるこ
とが可能となる。

【００１９】本発明の磁気記録媒体に使用される磁気記
録層材料としては、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒ
Ｔａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＮｉ，ＣｏＮｉＣｒ、Ｃ
ｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒＴａＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ
ＴａＮｂ、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ、ＣｏＰｔ、及びＣｏＰ
ｔ−１Ｓｉｏ₂ 等があげられる。

【００２０】保護層材料としては、カーボン、窒化カー
ボン、水素化カーボン、水素化窒化カーボン、及びＳｉ
Ｏ₂ 等を使用することができる。また、例えば基板が
０．５８４〜０．６３５ｍｍ、磁気記録層が５〜５０ｎ
ｍの厚さを有する場合、保護層は、薄い領域の厚さは、
２〜１２ｎｍ、厚い領域の厚さは４〜２０ｎｍであるこ
とが好ましい。また、保護層の薄い領域の厚さと厚い領
域の厚さの差は、２〜８ｎｍであることが好ましい。

【００２１】保護層の薄い領域の厚さは、２ｎｍ未満で
あると、コロージョン特性が悪化し、すなわち高温高湿
環境下でＣｏの表面への析出が表れる傾向があり、１２
ｎｍを越えると、電磁変換特性を損なう傾向がある。

【００２２】また、保護層の厚い領域の厚さは、４ｎｍ
未満であると、ヘッドロード時にメディアが傷つく可能
性があり、２０ｎｍを越えると、付着力が弱くなる傾向
がある。

【００２３】さらに、保護層の薄い領域の厚さと厚い領
域の厚さの差は、２ｎｍ未満であると、ランプロード時
のメディアの傷つき性改善と電磁変換特性確保の両立が
困難であり、８ｎｍを越えると、段差のために、シーク
時に異常動作を示す傾向がある。

【００２４】

【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
する。図１に、本発明の磁気記録媒体の一例の構成を表
す該略図を示す。図示するように、この磁気記録媒体
は、約６５ｍｍ径、厚さ約０．６３５ｍｍの円形基板１
０１と、その両面に設けられ、周縁に厚さ２５ｎｍの領
域、その内側に厚さ約２０ｎｍの領域を有する磁性膜２
０２と、磁性膜２０２上に各々設けられ、その周縁に厚
さ約１２ｎｍの領域、その周縁領域よりも内側にそれよ
りも薄い厚さ約８ｎｍの領域を有する保護層２０３とか
ら基本的になる。この磁気記録媒体は、図示するよう
に、その機能に応じて、記録が行なわれるデータ領域１
０４、ヘッドがロードされるロード領域１０５とに分け
られており、厚さの厚い領域は、ロード領域１０５に、
厚さの薄い領域は、ロード領域１０４に対応して設けら
れている。データ領域１０４は、半径１４ｍｍ〜３０ｍ
ｍであり、ロード領域は、半径３０ｍｍ〜３１．５ｍｍ
である。

【００２５】この磁気記録媒体では、磁性膜２０２の内
側領域よりも周縁領域の厚さを厚くすることにより、周
縁領域を記録再生したときの孤立波の半値幅を、その内
側領域を記録再生したときの孤立波の半値幅よりも大き
く設定することができる。

【００２６】また、図２に、本発明の磁気記録媒体の他
の一例の構成を表す該略図を示す。図示するように、こ
の磁気記録媒体は、円形基板１０１の両面に設けられ、
磁性膜２０２の代わりに、円形基板１０１の周辺領域上
に形成された第１の材料からなる磁性膜２１２と、その
内側領域上に形成され、記録再生したときの孤立波の半
値幅が第１の材料よりも小さい第２の材料からなる磁性
膜２２２とから構成される磁性膜２３２が設けられ、そ
の上にその周縁に厚さ約１２ｎｍの領域、その周縁領域
よりも内側にそれよりも薄い厚さ約８ｎｍの領域を有す
る保護層１０３が形成されいる以外は、図１に示す情報
記録媒体と同様の構成を有する。

【００２７】この磁気記録媒体では、磁性膜２０２の内
側領域と周縁領域との材質を変更することにより、周縁
領域を記録再生したときの孤立波の半値幅を、その内側
領域を記録再生したときの孤立波の半値幅よりも大きく
設定することができる。

【００２８】図３に、本発明にかかる磁気記録再生装置
の一例を表す分解斜視図を示す。また、図４は、図３に
示すキャリッジアッセンブリの斜視図である。図４は、
磁気ヘッドが磁気記録再生装置の最外周に移動した状態
を表す磁気記録再生装置平面図を示す。

【００２９】図３に示すように、ＨＤＤは、上面の開口
した矩形箱状のケース１２と、複数のねじ１１によりケ
ースにねじ止めされてケースの上端開口を閉塞するトッ
プカバー１４とを有している。

【００３０】ケース１２内には、磁気記録媒体としての
磁気ディスク１６、この磁気ディスクを支持および回転
させる駆動手段としてのスピンドルモータ１８、磁気デ
ィスクに対して情報の書き込み、読み出しを行なう複数
の磁気ヘッド４０、これらの磁気ヘッドを磁気ディスク
１６に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブ
リ２２、キャリッジアッセンブリを回動および位置決め
するボイスコイルモータ（以下ＶＣＭと称する）２４、
非作動時に磁気ヘッドが磁気ディスクの最外周に移動し
た際、磁気ヘッドを磁気ディスクから離間した位置に保
持するランプロード機構２５、および磁気ディスクの書
き込み周波数を変更する手段を含むヘッドＩＣ等を有す
る基板ユニット２１が収納されている。

【００３１】また、ケース１２の底壁外面には、基板ユ
ニット２１を介してスピンドルモータ１８、ＶＣＭ２
４、および磁気ヘッドの動作を制御する図示しないプリ
ント回路基板がねじ止めされている。

【００３２】磁気ディスク１６は、例えば直径６５ｍｍ
（２．５インチ）に形成され、例えば図３に示す構成を
有し、上面および下面に磁気記録層、及び各磁気記録層
上に少なくともロード時にヘッドの浮上高が最も低くな
る位置を含む領域が厚く、それ以外の領域が薄く形成さ
れた保護膜を有している。磁気ディスク１６は、スピン
ドルモータ１８の図示しないハブに同軸的に嵌合されて
いるとともにクランプばね１７により保持されている。
そして、スピンドルモータ１８を駆動することにより、
磁気ディスク１６は所定の速度で回転駆動される。

【００３３】図３ないし図５に示すように、キャリッジ
アッセンブリ２２は、ケース１２の底壁上に固定された
軸受組立体２６を備えている。軸受組立体２６は、ケー
ス１２の底壁に対して垂直に立設された枢軸２７と、枢
軸に一対の軸受を介して回転自在に支持された図示しな
い円筒形状のハブとを有している。また、キャリッジア
ッセンブリ２２は、軸受組立体のハブに取り付けられた
２本のアーム３２ａ、３２ｂと、各アームに支持された
２つの磁気ヘッド組立体３６とを備えている。

【００３４】各磁気ヘッド組立体３６は、弾性変形可能
な細長い板状のサスペンション３８と、サスペンション
の先端に固定された磁気ヘッド４０とを備えている。サ
スペンション３８は、板ばねにより構成され、その基端
がスポット溶接あるいは接着によりアーム３２ａ、３２
ｂの先端に固定され、アームから延出している。

【００３５】各磁気ヘッド４０は、ほぼ矩形状のスライ
ダとこのスライダに形成された記録再生用のＭＲ（磁気
抵抗）ヘッド、もしくはＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果形）
ヘッドを有し、磁気ディスク１６に対して情報の書き込
み、読み出しを行う。

【００３６】磁気ヘッド組立体３６が固定されたアーム
３２ａおよび３２ｂは、軸受組立体２６に取り付けら
れ、互いに平行に延出している。また、積層された状態
でハブの外周に嵌合されている。アーム３２ａ、３２ｂ
に取り付けられた磁気ヘッド組立体３６の磁気ヘッド４
０は互いに向かい合って位置し、アームと一体的に回動
可能となっている。

【００３７】各サスペンション３８は、その先端部から
延出したタブ５０を一体に備えている。タブ５０は、後
述するランプロード機構２５の一部を構成するもので、
サスペンション３８の長手軸Ａとほぼ直交する方向に延
出しているとともに、磁気ディスク１６に対して外周方
向に向かって延出している。

【００３８】また、キャリッジアッセンブリ２２は、軸
受組立体２６から、アーム３２ａ、３２ｂと反対方向へ
延出した二股状の支持フレーム４３を有し、これらの支
持フレームにはＶＣＭ１６の一部を構成するボイスコイ
ル４４が固定されている。支持フレーム４３の一方の延
出端には、後述するラッチ機構と係合可能な係合凹所４
５が形成されている。

【００３９】図３からよくわかるように、上記のように
構成されたキャリッジアッセンブリ２２をケース１２に
組み込んだ状態において、磁気ディスク１６はアーム３
２ａ、３２ｂ間に位置している。そして、アーム３２
ａ、３２ｂから延びるサスペンション３８に取り付けら
れた磁気ヘッド４０は、磁気ディスク１６の上面および
下面にそれぞれ対向し、磁気ディスク１６を両面側から
挟持している。各磁気ヘッド４０は、サスペンション３
８のばね力により所定のヘッド荷重が印加され、磁気デ
ィスク表面側に付勢されている。

【００４０】一方、図３および図５に示すように、キャ
リッジアッセンブリ２２をケース１２に組み込んだ状態
において、支持フレーム４３に固定されたボイスコイル
４４は、ケース１２上に固定された一対のヨーク４８間
に位置し、これらのヨークおよび一方のヨークに固定さ
れた図示しない磁石とともにＶＣＭ２４を構成してい
る。そして、ボイスコイル４４に通電することにより、
キャリッジアッセンブリ２２が回動し、磁気ヘッド４０
は磁気ディスク１６の所望のトラック上に移動および位
置決めされる。

【００４１】基板ユニット２１は、ケース１２の底壁上
に固定された矩形状の基板本体５１を有し、この基板本
体上には、書き込み周波数を変更する手段を含む複数の
電子部品およびコネクタ等が実装されている。また、基
板ユニット２１は、基板本体５１から延出した帯状のメ
インフレキシブルプリント回路基板（以下メインＦＰＣ
と称する）５４を一体に有している。メインＦＰＣ５４
の延出端部５４ａは、キャリッジアッセンブリ２２に固
定されている。このメインＦＰＣ５４は、磁気ヘッド４
０と基板ユニット２１とを接続するための信号線や、Ｖ
ＣＭ２４のボイスコイル４４を駆動するためのケーブル
等の配線パターンから構成されている。

【００４２】図３ないし図５に示すように、ランプロー
ド機構２５は、ケース１２の底壁に設けられているとと
もに磁気ディスク１６の外側に位置した一対のランプ５
２ａ、５２ｂを備えている。これらのランプ５２ａ、５
２ｂは、ケース１２の底壁に立設された支軸５５に固定
され、それぞれ磁気ディスク１６表面とほぼ平行に延び
ている。

【００４３】一対のランプ５２ａ、５２ｂは、磁気ディ
スク１６の半径方向に沿って、磁気ディスクの外周縁近
傍まで延びているとともに、サスペンション３８に設け
られたタブ５０の移動経路上に配置されている。また、
ランプ５２ａは、磁気ディスク１６の上面とほぼ面一に
設けられ、ランプ５２ｂは、磁気ディスク１６の下面と
ほぼ面一に設けられている。更に、各ランプの延出端に
は、磁気ディスクから離間する方向に傾斜したスロープ
５３が形成されている。

【００４４】図６には、磁気記録再生装置の動作状態と
非動作状態における磁気ヘッド及びサスペンションとラ
ンプとの配置関係を概略的に表す側面図を示す。図３お
よび図６（ａ）に示すように、ＨＤＤの通常の動作状態
において、ＶＣＭ２４によりキャリッジアッセンブリ２
２を回動すると、磁気ヘッド４０は磁気ディスク１６の
所望のトラック上に移動され、磁気ディスクに対して情
報の記録あるいは再生を行う。

【００４５】また、ＨＤＤの非動作時、図５および図６
（ｂ）に示すように、ＶＣＭ２４によってキャリッジア
ッセンブリ２２は非作動位置まで回動され、磁気ヘッド
４０は磁気ディスク１６の最外周の停止位置まで移動さ
れる。すると、サスペンション３８から延出したタブ５
０が磁気ディスク１６の外周縁から外方へ突出し、それ
ぞれスロープ５３を介して対応するランプ５２ａ、５２
ｂ上に乗り上げる。これにより、各サスペンション３８
はその長手軸Ａに沿って弾性変形し、一対の磁気ヘッド
４０は、それぞれ磁気ディスク１６の上面および下面か
ら所定距離離間した状態に保持される。

【００４６】ＨＤＤを再び作動した場合、磁気ディスク
１６が回転した状態でキャリッジアッセンブリ２２が磁
気ディスクの内周側に回動される。すると、各サスペン
ション３８のタブ５０はスロープ５３上を通って対応す
るランプ５２ａ、５２ｂから離間する。これにより、磁
気ヘッド４０は磁気ディスク１６の表面に対して、情報
の記録、再生が可能な位置まで接近し、この状態で、キ
ャリッジアッセンブリ２２により所望のトラック上に移
動される。

【００４７】次に、上述の磁気記録再生装置に適用され
る磁気記録媒体について説明する。実施例１〜４本発明
の磁気記録再生装置に適用される磁気記録媒体は、以下
のようにして形成した。

【００４８】基板材料としてとして２．５インチガラス
基板、磁性薄膜材料として、ＣｏＣｒＴａＰｔターゲッ
ト、保護層材料として炭素ターゲットをそれぞれ用意し
た。これらの材料を用いて、ＤＣマグネトロン・スパッ
タ装置によって、種々の厚さの保護層を有するハードデ
ィスクタイプの磁気記録媒体を作製した。

【００４９】ただし、保護層は、通常の成膜方法と異な
り、保護層スパッタを２度行うことで形成した。はじめ
に、通常の方法で磁気記録層全面をスパッタした。その
後、厚さを薄くすべき領域を覆うシャッタでマスクして
同様にスパッタを行なった。このことにより厚さを薄く
すべき領域以外の領域の保護層の厚さを厚くさせた。ま
た、保護層の厚さの制御は、スパッタ時間を変化させる
ことで行なった。

【００５０】磁性膜の下地（図示せず）には、Ｃｒ合金
膜を用いた。得られた磁気記録媒体について、その磁気
特性を、振動試料型磁力計ＶＳＭを用いて測定した。磁
性膜の保磁力は、２５００Ｏｅであった。

【００５１】同様に、各領域の保護層の厚さを種々変化
させ、サンプルＡ〜Ｉを得た。図７に、図３に示す磁気
記録再生装置に適用し得る磁気記録媒体の第１の構成例
を表す概略断面図を示す。図示するように、この磁気記
録媒体は、例えば、約６５ｍｍ径、厚さ約０．６３５ｍ
ｍの円形基板１０１と、その両面に設けられた厚さ約２
０ｎｍの磁性膜１０２と、磁性膜１０２上に各々設けら
れ、ヘッドがロードされるその周縁領域（第１の領域）
１０５に、例えばサンプルＡの場合は厚さ約１２ｎｍ、
その周縁領域よりも内側領域（第２の領域）１０４にそ
れよりも薄い厚さ約８ｎｍの領域を有する保護層１０３
とから基本的になる。第２の領域１０４は、例えば半径
１４ｍｍ〜３０ｍｍであり、第１の領域は、例えば半径
３０ｍｍ〜３１．５ｍｍである。

【００５２】得られた磁気記録媒体サンプルについて、
電磁変換特性を調べるため、厚さの厚い領域及び厚さの
薄い領域の両方を面記録密度５Ｇｂｐｓｉで記録再生し
た場合と、厚さの厚い領域を面記録密度３Ｇｂｐｓｉ
で、厚さの薄い領域を面記録密度５Ｇｂｐｓｉで記録再
生した場合とで、各々記録トラック幅１．２μｍ、再生
トラック幅０．８μｍのトラック幅をもつＧＭＲヘッド
を用いて、４２００ｒｐｍ、浮上量２５ｎｍでエラーレ
ートを測定し、比較を行った。

【００５３】なお、記録密度を保護層の厚さに応じて変
化するためには以下の方法を用いた。図８に、保護層の
厚さに応じて記録密度を変化する様子を説明するための
ブロック図を示す。

【００５４】図示するように、磁気記録媒体１６に記録
された情報は、再生アンプ６０を通じて、再生信号処理
部でデータとエリア情報に分別される。データはデータ
変換部を通じて再生データとして送られる。エリア情報
は、エリア情報判定部に送られる。エリア情報判定部で
は、厚さの薄い領域か、厚さの厚い領域かの判定が行わ
れる。厚さの薄い領域の場合、記録周波数制御部でｆ１
の周波数が記録周波数として選択される。例えばｆ１の
記録周波数は５Ｇｂｓｉの面記録密度に相当する周波数
である。また、例えばｆ２の記録周波数は３Ｇｂｓｉの
面記録密度に相当する周波数である。このようにして選
択された記録周波数（ｆ１またはｆ２）を示す記録周波
数指定信号が記録アンプ７０に送られる。記録アンプ７
０に入力された記録データは、この記録周波数指定信号
で指定された記録周波数に従って電流に変換され、磁気
ヘッド４０に供給される。これにより、厚さの薄い領域
には５Ｇｂｓｉの面記録密度の情報が記録され、厚さの
厚い領域には、３Ｇｂｓｉ面記録密度の情報が記録され
る。

【００５５】また、エリア情報は、上述の方法のみなら
ず、あらかじめホストシステムに登録された情報を用い
ることも可能である。この場合、エリア情報がホストシ
ステムからエリア情報判定部に送られ、エリア情報判定
部では、厚さの薄い領域か、厚さの厚い領域かの判定が
行われる以外は、上述の方法と同様にして記録が行われ
る。

【００５６】上述のようにして得られたサンプルＡ〜Ｉ
のエラーレートの測定結果を、下記表１に示す。ここ
で、サンプルＡ〜Ｅは、第１の領域と第２の領域の保護
膜の厚さが同等な比較例、サンプルＩは第１の領域の保
護膜の厚さが第２の領域の保護膜の厚さよりも薄い比較
例、サンプルＦ〜Ｈのうち、第１の領域と第２の領域を
同じ面記録密度で記録再生したものは比較例、サンプル
Ｆ〜Ｈの第１の領域の保護膜の厚さが第２の領域の保護
膜の厚さよりも厚く、かつ第１の領域を３Ｇｂｐｓｉ
で、第２の領域を５Ｇｂｐｓｉで記録再生したものが実
施例１〜３である。

【００５７】エラーレートの表示でたとえば９は１０の
９乗を意味し、８は１０の８乗を意味する。なお、装置
のエラーレートは最低でも７乗が必要である。また、ロ
ード領域で、磁気ヘッドのロードアンロード試験を５万
回行った。試験後の、磁気ディスクの状態を表面を顕微
鏡で観察し、その傷つき性を調べた。このとき、まった
く傷がみられない場合を○、肉眼ではみられないが、１
００倍の倍率の顕微鏡でかすかに傷がみられる場合を
△、肉眼で傷が見られる場合を×として評価した。その
結果を下記表１に示す。

【００５８】

【表１】

【００５９】エラーレートは、磁気ディスク装置を成立
させるためには、１０^-7以下であることが必要である。
ここでは、エラーレート５乗以下を×、６乗を△、７乗
以上を○とした。

【００６０】表１の結果より、サンプルＦ，Ｇ，Ｈ，及
びＪのように、第２の領域の保護膜厚さに比べて、第１
の領域の保護膜の厚さが厚い場合、第２の領域のエラー
レートと傷つき性のどちらも良好となる。また、サンプ
ルＦ，Ｇ，Ｈ，及びＪにおいて、第１の領域に書き込む
記録密度を、第２の領域の記録密度と同等の５Ｇｂｐｓ
ｉにした場合には、傷つき性、第１の領域のエラーレー
ト、第２の領域のエラーレートの全てを満足することは
難しかったのに対し、保護膜の厚い第１の領域に書き込
む記録密度を、第２の領域に書き込む記録密度よりも低
くして３Ｇｂｐｓｉとした場合（実施例１〜３）には、
第１の領域及び第２の領域のエラーレートと傷付き性の
すべてが良好となった。

【００６１】実施例４，５ 図３に示す磁気記録再生装置に適用される磁気記録媒体
の他の例を以下のようにして形成した。

【００６２】基板材料として、２．５インチガラス基
板、磁性薄膜材料として、ＣｏＣｒＴａＰｔターゲッ
ト、保護層材料としてとして炭素ターゲットをそれぞれ
用意した。

【００６３】これらの材料を用いて、保護層の形成工程
以外は実施例１ないし３と同様にして厚さの異なる保護
層を有する磁気記録媒体としてサンプルＫ，Ｊを作製し
た。保護層の形成は、通常の成膜方法と同等の方法によ
り行った。ただし、この場合、スパッタの膜厚分布を利
用した。例えばスパッタ装置におけるカーボン保護層タ
ーゲット裏面の磁石を位置を制御することにより、基板
上の膜厚分布を変化させ、データ領域に対してロード領
域のカーボン保護層の厚さを厚くすることができる。こ
のようにして、この例では、データ領域の内外周の膜厚
分布を１０％以内に制御した。また、保護層の厚さは、
スパッタ時間を変化させることで行った。

【００６４】得られた磁気記録媒体の構成を図９に示
す。図９は、本発明の磁気記録媒体の第２の構成例を表
す概略断面図である。図示するように、この磁気記録媒
体は、その保護膜１１３の膜厚が磁気記録媒体のデータ
領域からロード領域にかけて、図７と比較してなだらか
に増加している以外は、図７と同様の構造を有する。

【００６５】なお、磁性膜の下地（図示せず）には、Ｃ
ｒ合金膜を用いた。また、磁性膜は２０ｎｍの厚さと
し、保磁力は、２５００Ｏｅであった。得られた磁気記
録媒体について、実施例１〜３と同様にして電磁変換特
性の測定を行なった。また、磁気ヘッドのロードアンロ
ード試験を同様にして行ない、傷つき性を測定、評価し
た。得られた結果を表２に示す。

【００６６】

【表２】

【００６７】なお、サンプルＫ，Ｊのうち第１の領域と
第２の領域を同じ面記録密度で記録再生したものは比較
例、サンプルＦ〜Ｈの第１の領域の保護膜の厚さが第２
の領域の保護膜の厚さよりも厚く、かつ第１の領域を３
Ｇｂｐｓｉで、第２の領域を５Ｇｂｐｓｉで記録再生し
たものが、各々実施例４，５である。

【００６８】この表の結果より、サンプルＫ，Ｊにおい
て、第２の領域の保護層厚さに比べて、第１の領域の保
護層の厚さが厚い場合、第２の領域のエラーレートと傷
つき性のどちらも良好となることがわかる。また、サン
プルＫ，Ｊにおいて、保護膜の厚い第１の領域に書き込
む記録密度を、第２の領域に書き込む記録密度よりも低
くして３Ｇｂｐｓｉとした場合（実施例５，６）第１の
領域及び第２の領域のエラーレートと傷付き性のすべて
が良好となった。

【００６９】以上図７及び図９を用いて、ディスクの周
縁に保護膜の厚い領域その内側に保護膜の薄い領域を有
する磁気記録媒体について説明したが、本発明は、これ
に限るものではない。

【００７０】以下、上述の磁気記録媒体の変形例につい
て説明する。 その他の変形例 図１０は、本発明の磁気記録媒体の第３の構成例を表す
概略断面図である。

【００７１】この磁気記録媒体は、ロードされる領域が
媒体の中心部付近にあり、その周辺にそれ以外の領域が
あり、これに相応して、媒体の中心部付近の膜厚が厚
く、その周辺の膜厚がそれより薄い保護膜１２３が設け
られる以外は、実施例１と同様にして得られる。

【００７２】図１１は、本発明の磁気記録媒体の第４の
構成例を表す概略断面図である。この磁気記録媒体は、
媒体の中心部付近の膜厚が厚く、図１０に比べてその周
辺の膜厚がそれよりなだらかに薄くなった保護膜１３３
が設けられる以外は、実施例４と同様にして得られる。

【００７３】図１２は、本発明の記録媒体の第５の構成
例を表す該略断面図を示す。この磁気記録媒体は、媒体
の中心部と周縁部とのほぼ中間付近の同心円上の膜厚が
厚く、その周辺の膜厚がそれより薄くなった保護膜１４
３が設けられる以外は、実施例１と同様にして得られ
る。

【００７４】図１３は、本発明の記録媒体の第６の構成
例を表す該略断面図を示す。この磁気記録媒体は、媒体
の中心部と周縁部とのほぼ中間付近の同心円上の膜厚が
厚く、その周辺の膜厚がそれより薄く形成されている以
外は、実施例４と同様にして得られる。この媒体は、膜
厚が厚い領域と薄い領域との差が、図１２に比べてなだ
らかである。

【００７５】図１４は、本発明の記録媒体の第７の構成
例を表す概略断面図である。この磁気記録媒体は、媒体
の中心部と周縁部とのほぼ中間付近のごく一部分の膜厚
が他の領域の膜厚よりも厚く形成され、同心円方向に均
一の高さを持たない保護膜１６３を設ける以外は、実施
例４と同様にして得られる。

【００７６】この磁気記録媒体の場合は、ロード領域が
同心円方向全体ではなく、そのごく一部に形成されてい
るため、そのため、ヘッドロードする場合、以下のよう
に制御することが必要である。

【００７７】すなわち、ヘッドロード時にヘッドがロー
ドされる領域を、保護層の厚い領域にすることが必要で
ある。このため、回転一周に対し、保護層の厚い領域に
対応してパルス１回を発生させる（インデックスパル
ス）。そして、このインデックスパルスに同期した形
で、保護層の厚い領域にヘッドがロードされるようヘッ
ドロードの制御を行なう。

【００７８】また、保護膜が薄い領域は、データを記録
再生することが可能である。この場合、１周の間で保護
層が厚い領域と薄い領域とが存在するため、特に膜厚の
制御をきびしくする必要がある。図１４に示す構成を有
する磁気記録媒体を用いると、その保護膜を最大限に薄
く設計することができる。

【００７９】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体を用いると、ロー
ド時にヘッドによる衝撃を受けても傷つき難く、エラー
の少ない良好な磁気記録再生を行なうことができる。本
発明の磁気記録媒体はまた、ヘッドによる衝撃を受けな
い領域の保護膜を薄く形成することが可能であり、ロー
ド時にヘッドによる衝撃を受ける領域にもエラーの少な
い良好な磁気記録再生を行なうことができるので、その
高密度化、大容量化が可能となる。

【００８０】本発明の磁気記録再生装置を用いると、ロ
ード時にヘッドによる衝撃を受けても傷つき難く、エラ
ーの少ない良好な磁気記録再生を行なうことができる。
また、本発明の磁気記録再生装置は、ヘッドによる衝撃
を受けない領域の保護膜を薄く形成することが可能であ
り、ロード時にヘッドによる衝撃を受ける領域にもエラ
ーの少ない良好な磁気記録再生を行なうことができるの
で、高密度で大容量の記録が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気記録媒体の一例の構成を表す該
略図

【図２】 本発明の磁気記録媒体の他の一例の構成を表
す該略図

【図３】 本発明の磁気記録再生装置の一例を表す分解
斜視図

【図４】 図３に示すキャリッジアッセンブリの斜視図

【図５】 磁気ヘッドが磁気記録再生装置の再外周に移
動した状態を表す磁気記録再生装置平面図

【図６】 磁気記録再生装置の動作状態と非動作状態に
おける磁気ヘッド及びサスペンションとランプとの配置
関係を概略的に表す側面図

【図７】 本発明の磁気記録再生装置に適用可能な磁気
記録媒体の第１の構成例を表す概略断面図

【図８】 保護層の厚さに応じて記録密度を変化する様
子を説明するためのブロック図

【図９】 本発明の磁気記録再生装置に適用可能な磁気
記録媒体の第２の構成例を表す概略断面図

【図１０】 本発明の磁気記録再生装置に適用可能な磁
気記録媒体の第３の構成例を表す概略断面図

【図１１】 本発明の磁気記録再生装置に適用可能な磁
気記録媒体の第４の構成例を表す概略断面図

【図１２】 本発明の磁気記録再生装置に適用可能な磁
気記録媒体の第５の構成例を表す概略断面図

【図１３】 本発明の磁気記録再生装置に適用可能な磁
気記録媒体の第６の構成例を表す概略断面図

【図１４】 本発明の磁気記録再生装置に適用可能な磁
気記録媒体の第７の構成例を表す概略断面図

【符号の説明】

１２…ケース １６…磁気ディスク ２１…基板ユニット ２２…キャリッジアッセンブリ ２４…ボイスコイルモータ ２５…ランプロード機構 ２６…軸受組立体 ３８…サスペンション ４０…磁気ヘッド １０１…基板 １０２，２０２，２３２…磁気記録層 １０３，１１３，１２３，１３３，１４３，１５３，１
６３，２０３…保護層 １０４…第２の領域 １０５…第１の領域

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、該基板の少なくとも一方の面に
   形成された磁気記録層と、該磁気記録層上に形成され、
   少なくともロード時にヘッドの浮上高が最も低くなる位
   置を含む第１の領域の厚さが、それ以外の第２の領域よ
   りも厚く形成された保護層とを具備する磁気記録媒体で
   あって、磁気ヘッドを用いて前記第１の領域を記録再生
   したときの孤立波の半値幅が、前記第２の領域を記録再
   生したときの孤立波の半値幅よりも大きいことを特徴と
   する磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 基板、該基板の少なくとも一方の面に形
   成された磁気記録層、及び該磁気記録層上に形成され、
   少なくともロード時にヘッドの浮上高が最も低くなる位
   置を含む第１の領域の厚さが、それ以外の第２の領域よ
   りも厚く形成された保護層を含む磁気記録媒体と、 該磁気記録媒体を支持および回転駆動する駆動手段と、 該磁気記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッ
   ドと、 該磁気ヘッドに接続され、該第１の領域と該第２の領域
   の書き込み周波数を変更する手段と、 該磁気記録媒体に対して該磁気ヘッドを移動自在に支持
   したキャリッジアッセンブリと、 該キャリッジアッセンブリが非作動位置に移動した際、
   該キャリッジアッセンブリと係合して磁気ヘッドを該磁
   気記録媒体から離間した位置に支持するランプロード機
   構とを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。