JP2000082728A - データ解析装置とその方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウェハーロットごとのデータと組み立てロット
ごとのデータが対応付かず、評価データの相関解析がで
きない。 【解決手段】検査データ管理・解析システム１０におい
ては、ウェハー工程、組み立て工程の各種測定データを
第１のデータ入力部１１および第３のデータ入力部１３
より、ロットの分割情報を第２のデータ入力部１２よ
り、各々検査データ管理・解析システム１０に取り込
み、データ記録装置１４に記録しておく。ウェハー工程
における評価値と、組み立て工程における評価値との相
関を調べる時には、各評価値とともにロットの分割情報
をデータ記録装置１４より読み出し、各評価値の各ロッ
トとの対応を検出し、対応するロットが同じグループご
とに、その対応が明示されるように、たとえばチャート
などにプロットして出力装置１６より出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば、半導体
装置の製造ラインに適用した場合にウェハー工程の各種
測定データと組み立て工程の最終検査データの相関を解
析することが可能な、データ解析装置およびデータ解析
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般的な、半導体装置（以降、ＩＣとい
う場合もある。）の製造工程の概要を図６に示す。製造
工程は、大きくウェハー工程と組み立て工程の２つに分
けることができる。ウェハー工程では、ＩＣのもととな
るシリコンのミラーウェハー３１に対して、配線パター
ンを転写し膜を形成したり、不純物を注入したりして、
そのＩＣの機能を実現する回路を形成していく。その結
果、パターンが形成されたウェハー３２が出来上がる。
また、この段階で、ウェハー工程での製品テストである
パレット・チェック（ＰＣ：Pallet Check）が行われ
る。

【０００３】組み立て工程に入ると、１つのＩＣの元と
なるウェハー３２上のチップ３３が単体にカットされ、
配線パッケージングが行われて加工され、１つのＩＣ３
４として完成される。組み立て工程の最終段階において
は、製品として最終的に動作するか否かを検査する最終
検査（ファイナル・チェック（ＦＣ：Final Check)）が
行われる。

【０００４】このような、通常のＩＣ製造工程におけ
る、製品や検査結果などのデータの管理形態の概要につ
いて図７に示す。先ほど述べたウェハー３１，３２は、
通常の生産においては２５枚程度で１つのロットを構成
しており、これが製造単位として管理される。このウェ
ハーロットは、キャリアと呼ばれる収納ＢＯＸで管理さ
れ、ウェハー工程において種々の加工処理を行っても、
この２５枚の形態が崩れることなくウェハーの最終工程
まで到達する。

【０００５】したがって、パレット・チェックもウェハ
ーロットごとに行われ、測定された各種のデータ（膜
厚、線幅、電気特性、たとえばあるチップ内のトランジ
スタの電圧値や電流値、抵抗値などのロットの平均値や
集計値など）は、このウェハーロットに対応付けられ
て、コンピュータ上に記録し管理される。その結果、各
ウェハーロットに係わる特性値の相関などを、たとえば
チャートに描くなどして解析することが容易に行える。

【０００６】組み立て工程においては、ウェハー工程で
構成されていたロットの形態を分割して組み立てロット
を構成し、その組み立てロットごとに加工することが多
い。たとえば図７に示す例では、１つのウェハーロット
を３つの組み立てロットＡ，Ｂ，Ｃ、に分割して組み立
て工程に投入し、加工を行っている。もちろんこの分割
を行わないで、１ウェハーロットで１組み立てロットを
構成する場合もあるが、１ウェハーロット＝１組み立て
ロットとした場合には、最終的に出来上がる製品の数が
膨大になり、製造のリードタイムが長くなるだけでな
く、顧客が要求する以上の数を作ってしまうことも多々
ある。そのため、極力小ロットを短納期で組み立て工程
に流し、顧客の要求にタイムリーに答えられるようにし
ている場合が多い。

【０００７】組み立てロットで加工が行われたＩＣは、
そのファイナル・チェックで製品として動作するかの各
種テスト（機能テストや電気特性テスト）が行われ、そ
の測定データは組み立てロット単位でコンピュータ上に
記録される。したがって、各組み立てロットに係わる特
性値の相関などを、たとえばチャートに描くなどして解
析することは容易に行える。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たようなこれまでのＩＣ製造工程におけるデータの管理
形態においては、ウェハー工程や組み立て工程の特性デ
ータ、検査データを、それぞれ単独でウェハーロットま
たは組み立てロットと対応付けて解析することはできる
が、お互いを統合して解析することはできない。ウェハ
ーから単体のＩＣを作る過程においては、前述したよう
に、２５枚１ロットの構成が分割されいくつかの組み立
てロットが構成され、それが組み立て工程を流れてい
き、組み立てロット単位でＩＣの最終検査が行われる。
そのため、ウェハーロット単位のデータと組み立てロッ
ト単位のデータが対応付かなくなり、お互いの相関解析
ができなくなるのである。しかし、ＩＣの歩留りを上げ
るためには、ウェハー工程での各種測定データとＩＣの
最終検査における測定データの相関を取って解析するこ
とが重要であり、そのような相関解析ができるようなシ
ステムが望まれている。

【０００９】したがって本発明の目的は、ウェハー工程
での各種特性データと組み立て工程での最終検査データ
との相関解析を可能にし、これによりＩＣ歩留り向上の
ための特性要因解析が行えるような、データ解析装置と
その方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のデータ解析装置は、所定数の製造物により
構成されるロットを製造単位とし、当該ロットの構成の
組み替えおよび製造物の評価を順次行いながら、所望の
製品を製造する製造工程における、前記評価結果を解析
するデータ解析装置であって、前記ロットの構成の組み
替えごとに、当該組み替え前後のロットの対応を記録す
るロット対応データ記録手段と、前記評価ごとに、当該
評価の結果のデータを、当該評価時のロットの構成に基
づいて、当該ロットごとに記録する評価データ記録手段
と、前記記録されている前記評価の結果のデータの中
の、選択された任意の複数の評価の結果のデータの対応
を、前記記録されているロットの対応を参照して検出す
る対応検出手段と、前記対応が検出された複数の評価の
結果のデータを、当該対応が明示されるように出力する
出力手段とを有する。

【００１１】好適には、前記組み替えられた各ロットと
の対応が同一である製造物からなるグループについて、
前記各評価ごとに、当該評価の結果のデータの代表値を
検出する代表値検出手段をさらに有し、前記出力手段
は、前記グループごとの前記各評価の代表値を明示する
データを出力する。

【００１２】特定的には、本発明は、所定数のウェハー
により構成されるロットを製造単位とする半導体集積回
路の製造工程におけるデータ解析装置であって、前記ロ
ット対応データ記録手段は、ウェハー工程のウェハーロ
ットと組み立て工程の組み立てロットとの対応を記録
し、前記評価データ記録手段は、前記ウェハー工程にお
ける評価結果をウェハーロットに対応付けて、前記組み
立て工程における評価結果を組み立てロットに対応付け
て各々記録し、前記対応検出手段は、前記ウェハー工程
における評価結果の任意のデータと、前記組み立て工程
における評価結果の任意のデータとの対応を、前記記録
されているウェハー工程のウェハーロットと組み立て工
程の組み立てロットとの対応を参照して検出する対応検
出手段と、前記出力手段は、前記ウェハー工程における
評価結果の任意のデータと前記組み立て工程における評
価結果の任意のデータとの対応が明示されるように、当
該評価結果を出力する。

【００１３】好適には、ウェハーロットおよび組み立て
ロットとの対応が同一である半導体集積回路のグループ
について、前記各評価ごとに、当該評価の結果のデータ
の代表値を検出する代表値検出手段をさらに有し、前記
出力手段は、前記ウェハー工程における評価および前記
組み立て工程における評価を異なる軸にとった２次元座
標系に、前記各評価ごとの代表値に基づいて前記グルー
プの評価結果をプロットしたチャートを出力する。特定
的には、前記評価は、前記半導体集積回路の任意の電気
的特性および任意の加工特性を含む任意の特性測定値、
機能検査結果、歩留りを含む評価の中の任意の評価であ
る。

【００１４】また、本発明のデータ解析方法は、所定数
の製造物により構成されるロットを製造単位とし、当該
ロットの構成の組み替えおよび製造物の評価を順次行い
ながら、所望の製品を製造する製造工程における、前記
評価結果を解析するデータ解析方法であって、前記ロッ
トの構成の組み替えごとに、当該組み替え前後のロット
の対応を記録し、前記評価ごとに、当該評価の結果のデ
ータを、当該評価時のロットの構成に基づいて、当該ロ
ットごとに記録し、前記記録されている前記評価の結果
のデータの中の、解析対象の任意の複数のデータの対応
を、前記記録されているロットの対応を参照して検出
し、前記対応が検出された複数のデータを当該対応が明
示されるように出力する。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について、
図１〜図５を参照して説明する。本実施の形態において
は、ＩＣ製造ラインにおける、検査データ管理・解析シ
ステムを例示して本発明を説明する。図１は、その検査
データ管理・解析システムを説明するための図であり、
（Ａ）はＩＣの製造工程を説明する図であり、（Ｂ）は
その検査データ管理・解析システムの構成を示すブロッ
ク図である。

【００１６】まず、本実施の形態の検査データ管理・解
析システムを適用するＩＣ製造ライン・製造工程につい
て、図１（Ａ）を参照して簡単に説明する。前述したよ
うに、ＩＣ製造工程はウェハー工程と組み立て工程の２
つに大きく分けられる。ウェハー工程においては、シリ
コンのミラーウェハーを２５枚まとめて１ロットの製造
単位とし、これに配線パターンを転写し膜を形成した
り、不純物を注入したりして、回路パターンを形成して
いく。回路パターンが形成されたウェハーについては、
この時点で、膜厚、線幅、種々の電気的特性などのウェ
ハー加工時の特性が測定されるパレット・チェックが行
われる。

【００１７】組み立て工程においては、ウェハー工程で
構成されていたロットの形態を分割して組み立て加工す
る。具体的には、１つのウェハーロットは、３つの組み
立てロットＡ，Ｂ，Ｃ、に分割される。そして組み立て
工程に入ると、ウェハー上のチップが単体にカットさ
れ、配線パッケージングを行って加工され、１つのＩＣ
として完成される。組み立て工程の最終段階において
は、製品として最終的に動作するかの最終検査であるフ
ァイナル・チェックが行われる。

【００１８】次に、本実施の形態の検査データ管理・解
析システムについて説明する。まず、検査データ管理・
解析システムの構成について説明する。検査データ管理
・解析システム１０は、第１のデータ入力部１１、第２
のデータ入力部１２、第３のデータ入力部１３、データ
記録装置１４、操作端末１５、出力装置１６および演算
処理装置１７を有する。

【００１９】第１のデータ入力部１１は、パレット・チ
ェックの結果を検査データ管理・解析システム１０に入
力する手段である。前述したように、ウェハー工程によ
り回路パターンが形成されたウェハーについては、その
時点で種々のウェハー加工時の特性が測定されるが、そ
の測定結果が、第１のデータ入力部１１を介して検査デ
ータ管理・解析システム１０に入力される。第１のデー
タ入力部１１は、具体的には、作業者が操作を行ってデ
ータを入力する端末装置や、特性を測定する測定装置、
検査装置に対して各々設置され、測定結果、検査結果の
データを直接取り込むインターフェイス装置などから構
成される。また、第１のデータ入力部１１を介して入力
されるデータは、具体的には、ウェハーロットを特定す
るためのＩＤ、膜厚、線幅、および、たとえばあるチッ
プ内のトランジスタの電圧値や電流値、抵抗値などのロ
ットの平均値や集計値などの電気的特性などである。

【００２０】第２のデータ入力部１１は、ウェハーロッ
トと組み立てロットとの対応関係を検査データ管理・解
析システム１０に入力する手段である。前述したよう
に、組み立て工程の製造単位である組み立てロットは、
１つのウェハーロットを分割して複数生成される。この
時のウェハーロットと組み立てロットの関係が第２のデ
ータ入力部１２を介して入力される。具体的には、第２
のデータ入力部１２は、作業者が操作を行ってデータを
入力する端末装置や、たとえばロットを管理するバーコ
ードなどを読み取ることのできるバーコードリーダなど
により構成される。

【００２１】第３のデータ入力部１３は、ファイナル・
チェックの結果を検査データ管理・解析システム１０に
入力する手段である。前述したように、組み立て工程の
最終段階においては、製品として最終的に動作するか否
かを検査する最終検査が行われるが、この時に検出され
た種々のデータおよび検査結果などが、第３のデータ入
力部１３を介して検査データ管理・解析システム１０に
入力される。第３のデータ入力部１３の具体的な構成
は、第１のデータ入力部１１と同様に、作業者が操作を
行う端末装置や測定装置、検査装置に対して直接設置さ
れるインターフェイス装置などである。また、第３のデ
ータ入力部１３を介して入力される具体的なデータは、
組み立てロットを特定するためのＩＤ、種々の電気的特
性、機能テストの結果、良品／不良品の判断結果などで
ある。

【００２２】データ記録装置１４は、第１のデータ入力
部１１〜第３のデータ入力部１３より検査データ管理・
解析システム１０に入力された種々のデータを記録する
装置であり、具体的には、ハードディスク装置により構
成される。データ記録装置１４は、第１のデータ入力部
１１〜第３のデータ入力部１３より入力されるウェハー
ロットごとのデータ、ウェハーロット−組み立てロット
の対応を示すデータ、および、組み立てロットごとのデ
ータを、各々、テーブル形式で記録する。

【００２３】具体的に図２に示す。図２は、データ記録
装置１４に記録されるデータを説明するための図であ
り、（Ａ）は、第１のデータ入力部１１より入力される
ウェハー工程の検査結果を示すウェハーロット測定デー
タテーブルを示す図であり、（Ｂ）は、第２のデータ入
力部１２より入力されたウェハーロットと組み立てロッ
トのロット対応テーブルを示す図であり、（Ｃ）は、第
３のデータ入力部１３より入力される組み立て工程の検
査結果を示す組み立てロット測定データテーブルを示す
図である。図示のごとく、ウェハーロット測定データテ
ーブルは、ウェハーロットに対応付けられて各データが
記録されており、組み立てロット測定データテーブル
は、組み立てロットに対応付けられて各データが記録さ
れている。そして、それらウェハーロットと組み立てロ
ットの対応付けが、ロット対応テーブルに記録されてい
る。

【００２４】操作端末１５は、作業者が、検査データ管
理・解析システム１０を操作するための端末装置であ
る。作業者は、この操作端末１５を介して、測定結果や
検査結果を用いた解析処理や、解析結果の出力装置１６
への出力などの、検査データ管理・解析システム１０に
対する操作を行う。

【００２５】出力装置１６は、たとえば検査データ管理
・解析システム１０で行われた解析結果や、データ記録
装置１４に記録さている種々の測定結果、検査結果を出
力する装置であり、具体的には、プリンタ装置やプロッ
タ装置などで構成される。

【００２６】演算処理装置１７は、演算を行うプロセッ
サ、プログラムなどが予め記憶されたＲＯＭ、演算処理
中のデータや処理結果のデータを記憶するＲＡＭなどを
有し、検査データ管理・解析システム１０が適切に動作
するように、検査データ管理・解析システム１０の各構
成部を制御する。具体的には、演算処理装置１７は、ま
ず、第１のデータ入力部１１〜第３のデータ入力部１３
からのデータの読み込みや、データ記録装置１４へのそ
れらのデータの記録などの処理が適切に行われるように
する。また、操作端末１５からの操作、あるいは、予め
設定されている処理プログラムに基づいて、データ記録
装置１４に記録されている種々のデータより任意のデー
タを読み出し、統計処理を行ったり、新たな指標・デー
タを生成する処理を行ったり、複数のデータの相関など
を検出する処理を行ったりする。また、そのような相関
を示すチャートを作成し、出力装置１６を介して出力す
る処理なども行う。

【００２７】このような、たとえばデータの相関を利用
する処理を行う場合で、用いられる複数のデータの全て
がデータ記録装置１４に記録されているウェハーロット
測定データテーブルまたはウェハーロットと組み立てロ
ットのロット対応テーブルのいずれか一方に記録されて
いるデータである時には、演算処理装置１７は、そのテ
ーブルのみを参照し、そのテーブルにおける対応付けを
そのまま用いて、所望のデータの相関を求める。一方、
用いられる複数のデータが、ウェハーロット測定データ
テーブルおよび組み立てロット測定データテーブルに分
散して記録されている時には、演算処理装置１７は、さ
らにロット対応テーブルを参照して、ウェハーロットと
組み立てロットの対応を求め、各データの対応を検出し
て、所望のデータの相関を求める。

【００２８】次に、このような構成の検査データ管理・
解析システム１０の動作について説明する。まず、シリ
コンのミラーウェハー２５枚ごとが１つのウェハーロッ
トとして、ウェハー工程に投入されて回路パターンが形
成されると、パレット・チェックが行われ、特性のデー
タおよび検査結果のデータが第１のデータ入力部１１よ
り検査データ管理・解析システム１０に入力される。検
査データ管理・解析システム１０の演算処理装置１７
は、第１のデータ入力部１１より入力されるパレット・
チェック結果のデータを、たとえば図２（Ａ）に示すよ
うな、ウェハーロット測定データテーブルとして、デー
タ記録装置１４に記録する。

【００２９】各ウェハーに回路パタンが形成されたウェ
ハーロットは、３つの組み立てロットＡ，Ｂ，Ｃ、に分
割されて組み立て工程に投入される。この時に、元のウ
ェハーロットと、生成された組み立てロットとの対応関
係が、第２のデータ入力部１２より検査データ管理・解
析システム１０に入力される。検査データ管理・解析シ
ステム１０の演算処理装置１７は、第２のデータ入力部
１２より入力されるパレット・チェック結果のデータ
を、たとえば図２（Ｂ）に示すような、ウェハーロット
と組み立てロットのロット対応テーブルとして、データ
記録装置１４に記録する。

【００３０】そして、組み立て工程においては、各チッ
プが単体にカットされ、配線パッケージングを行って加
工され、ＩＣとして完成される。そして、組み立てが終
了したＩＣについては、製品として適切に動作するかの
検査であるファイナル・チェックが行われ、特性のデー
タおよび検査結果のデータが第３のデータ入力部１３よ
り検査データ管理・解析システム１０に入力される。検
査データ管理・解析システム１０の演算処理装置１７
は、第３のデータ入力部１３より入力されるファイナル
・チェック結果のデータを、たとえば図２（Ｃ）に示す
ような、組み立てロット測定データテーブルとして、デ
ータ記録装置１４に記録する。

【００３１】このように、ＩＣの製造工程に合わせて各
データが入力されたら、作業者の操作端末１５を介した
指示に従って、または、予め定めたプログラムに従っ
て、検査データ管理・解析システム１０においては、そ
れら記録された特性のデータおよび検査結果のデータの
解析処理が行われる。すなわち、演算処理装置１７は、
データ記録装置１４に記録されているウェハーロット測
定データテーブルおよび組み立てロット測定データテー
ブルより所望のデータを読み出して、たとえば所定の演
算処理を施して製造工程あるいは製造物の特性を示す指
標などを検出し、出力装置１６より出力する。

【００３２】そして特に、演算処理装置１７は、データ
記録装置１４に記録されているそれらのデータより、所
望の複数のデータを読み出して、それらの相関を検出
し、その相関が一瞥して把握できるようにチャートを生
成し、これを出力装置１６から出力する処理を行う。こ
の時に、用いる複数のデータがウェハーロット測定デー
タテーブルまたはウェハーロットと組み立てロットのロ
ット対応テーブルのいずれか一方に記録されている場合
には、演算処理装置１７は、そのテーブルのみを参照
し、そのテーブルにおける対応付けをそのまま用いて、
所望のデータの相関を求める。用いられる複数のデータ
が、ウェハーロット測定データテーブルおよび組み立て
ロット測定データテーブルに分散して記録されている時
には、演算処理装置１７は、データ記録装置１４よりさ
らにロット対応テーブルを読み出し、ウェハーロットと
組み立てロットの対応を求め、各データの対応を検出し
て、所望のデータの相関を求める。

【００３３】最後に、このような処理により求められた
データ解析結果であり、ウェハーロットと組み立てロッ
トとの対応を参照して作成されたチャート、換言すれば
パレット・チェック結果とファイナル・チェック結果と
に基づいて作成されたチャートの例を、図３〜図５に例
示する。

【００３４】図３は、パレット・チェックの結果である
ＮチャンネルＭＯＳの電圧しきい値Ｖｔｈと、ファイナ
ル・チェックの結果である特性ｘｘｘの不良の発生率Ｂ
ＩＮ率との相関を示す図であり、ｘ軸にウェハー工程に
おける特性値、ｙ軸に組み立て工程における特性値をと
り、組み立てロット毎の平均値をプロットしたチャート
である。１つの点は、１つの組み立てロットを示してお
り、また４つの点がｙ軸方向に並んでいるのは、１つの
ウェハーロットが４つの組み立てロットに分割されたこ
とを表している。なお、ＢＩＮは、機能テストのどこで
不合格となったかを知るために予め製品ごとに定義され
た番号、すなわち、機能テスト結果を番号化したもので
ある。

【００３５】図４は、パレット・チェックの結果である
特性ｙｙｙの不良発生率ＢＩＮ率と、ファイナル・チェ
ックの結果である特性ｘｘｘの不良の発生率ＢＩＮ率と
の相関を示す図であり、ｘ軸にウェハー工程におけるＢ
ＩＮ率、ｙ軸に組み立て工程におけるＢＩＮ率をとり、
組み立てロット毎の平均値をプロットしたチャートであ
る。同様に、図５は、パレット・チェックの結果である
ＮチャンネルＭＯＳの電圧しきい値Ｖｔｈと、ファイナ
ル・チェックの結果得られる歩留りの平均値との相関を
示す図であり、ｘ軸にウェハー工程における特性値、ｙ
軸に歩留りをとり、組み立てロット毎の平均値をプロッ
トしたチャートである。図４および図５においても、図
３と同様に、１つの点は、１つの組み立てロットを示し
ており、ｙ軸方向に並んでいる４つの点が、１つのウェ
ハーロットが４つの組み立てロットに分割されたことを
表している。

【００３６】そして、このようなチャートを見ることに
より、ファイナル・チェックの結果と各ロット、特に、
ウェハーロットとの相関が明らかになり、そのような観
点からのＩＣ製造工程の解析が行える。

【００３７】このように、本実施の形態の検査データ管
理・解析システム１０においては、ウェハー工程、組み
立て工程の各種測定データおよびロットの分割情報をデ
ータ管理システムに取り込み、コンピュータ上でお互い
のリンケージを管理している。したがって、それらウェ
ハーロット単位で加工、測定された特性データと、組み
立て工程の最終検査で、単体のＩＣに分かれて測定され
た組み立てロット単位の最終検査データとの相関解析を
可能とし、ＩＣ歩留り向上のための特性要因解析が有効
に行える。その結果、ＩＣ製造ラインの歩留りを向上さ
せることができる。

【００３８】なお、本発明は前述した実施の形態に限ら
れるものではなく、任意好適な種々の改変が可能であ
る。たとえば、検査データ管理・解析システム１０の構
成も、図１に示した例に限られるものではない。たとえ
ば、データ入力部を１つのみ有し、そこからウェハーロ
ット測定データ、ロット対応テーブルおよび組み立てロ
ット測定データの全てを入力するようにしてもよいし、
データ記録装置１４はハードディスク装置以外の任意の
記録装置でよい。また、出力装置１６の出力形態は、プ
リンタやプロッタに出力される以外に、表示装置などに
出力してもよいし、さらに上位の管理装置や制御装置な
どに解析データを電子的に送信出力するような形態でも
よい。あそして、演算処理装置１７の構成なども任意で
ある。

【００３９】また、ウェハーロットの構成や、ウェハー
ロット、組み立てロットの各構成ウェハー枚数、分割方
法なども任意でよいし、データ記録装置１４に記録され
る各テーブルの形態、さらには、各データの記録形態も
任意でよい。また、測定する特性値、検査項目なども任
意に決定してよい。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェハー工程での各種特性データと組み立て工程での最
終検査データとの相関解析を可能にし、これによりＩＣ
歩留り向上のための特性要因解析が行えるような、デー
タ解析装置とその方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の一実施の形態の検査データ管
理・解析システムを説明するための図であり、（Ａ）は
ＩＣの製造工程を説明する図であり、（Ｂ）はその検査
データ管理・解析システムの構成を示すブロック図であ
る。

【図２】図２は、図１に示した検査データ管理・解析シ
ステムのデータ記録装置１４に記録されるデータを説明
するための図であり、（Ａ）はウェハーロット測定デー
タテーブルを示す図であり、（Ｂ）はウェハーロットと
組み立てロットのロット対応テーブルを示す図であり、
（Ｃ）は組み立てロット測定データテーブルを示す図で
ある。

【図３】図３は、図１に示した検査データ管理・解析シ
ステムより出力される解析結果を示すチャートの第１の
例である。

【図４】図４は、図１に示した検査データ管理・解析シ
ステムより出力される解析結果を示すチャートの第２の
例である。

【図５】図５は、図１に示した検査データ管理・解析シ
ステムより出力される解析結果を示すチャートの第３の
例である。

【図６】図６は、一般的な半導体装置の製造工程の概要
を示す図である。

【図７】図７は、一般的な半導体装置の製造工程におけ
る、従来の製品や検査結果などのデータの管理形態の概
要を示す図である。

【符号の説明】

１０…検査データ管理・解析システム、１１…第１のデ
ータ入力部、１２…第２のデータ入力部、１３…第３の
データ入力部、１４…データ記録装置、１５…操作端
末、１６…出力装置、１７…演算処理装置、３１…ミラ
ーウェハー、３２…パターンが形成されたウェハー、３
３…チップ、３４…ＩＣ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C042 RH01 RJ20 RL11 4M106 AA04 BA20 CA70 DH60 DJ21 DJ38 5B049 BB07 CC21 CC23 DD05 EE01 EE31 FF02 FF03 FF04 FF09 5H215 AA06 AA20 BB20 CC07 CC09 CX01 CX05 GG02 GG05 GG09 HH03 JJ16

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】所定数の製造物により構成されるロットを
   製造単位とし、当該ロットの構成の組み替えおよび製造
   物の評価を順次行いながら、所望の製品を製造する製造
   工程における、前記評価結果を解析するデータ解析装置
   であって、 前記ロットの構成の組み替えごとに、当該組み替え前後
   のロットの対応を記録するロット対応データ記録手段
   と、 前記評価ごとに、当該評価の結果のデータを、当該評価
   時のロットの構成に基づいて、当該ロットごとに記録す
   る評価データ記録手段と、 前記記録されている前記評価の結果のデータの中の、選
   択された任意の複数の評価の結果のデータの対応を、前
   記記録されているロットの対応を参照して検出する対応
   検出手段と、 前記対応が検出された複数の評価の結果のデータを、当
   該対応が明示されるように出力する出力手段とを有する
   データ解析装置。
2. 【請求項２】前記組み替えられた各ロットとの対応が同
   一である製造物からなるグループについて、前記各評価
   ごとに、当該評価の結果のデータの代表値を検出する代
   表値検出手段をさらに有し、 前記出力手段は、前記グループごとの前記各評価の代表
   値を明示するデータを出力する請求項１に記載のデータ
   解析装置。
3. 【請求項３】所定数のウェハーにより構成されるロット
   を製造単位とする半導体集積回路の製造工程におけるデ
   ータ解析装置であって、 前記ロット対応データ記録手段は、ウェハー工程のウェ
   ハーロットと組み立て工程の組み立てロットとの対応を
   記録し、 前記評価データ記録手段は、前記ウェハー工程における
   評価結果をウェハーロットに対応付けて、前記組み立て
   工程における評価結果を組み立てロットに対応付けて各
   々記録し、 前記対応検出手段は、前記ウェハー工程における評価結
   果の任意のデータと、前記組み立て工程における評価結
   果の任意のデータとの対応を、前記記録されているウェ
   ハー工程のウェハーロットと組み立て工程の組み立てロ
   ットとの対応を参照して検出する対応検出手段と、 前記出力手段は、前記ウェハー工程における評価結果の
   任意のデータと前記組み立て工程における評価結果の任
   意のデータとの対応が明示されるように、当該評価結果
   を出力する請求項１に記載のデータ解析装置。
4. 【請求項４】ウェハーロットおよび組み立てロットとの
   対応が同一である半導体集積回路のグループについて、
   前記各評価ごとに、当該評価の結果のデータの代表値を
   検出する代表値検出手段をさらに有し、 前記出力手段は、前記ウェハー工程における評価および
   前記組み立て工程における評価を異なる軸にとった２次
   元座標系に、前記各評価ごとの代表値に基づいて前記グ
   ループの評価結果をプロットしたチャートを出力する請
   求項３に記載のデータ解析装置。
5. 【請求項５】前記評価は、前記半導体集積回路の任意の
   電気的特性および任意の加工特性を含む任意の特性測定
   値、機能検査結果、歩留りを含む評価の中の任意の評価
   である請求項４に記載のデータ解析装置。
6. 【請求項６】所定数の製造物により構成されるロットを
   製造単位とし、当該ロットの構成の組み替えおよび製造
   物の評価を順次行いながら、所望の製品を製造する製造
   工程における、前記評価結果を解析するデータ解析方法
   であって、 前記ロットの構成の組み替えごとに、当該組み替え前後
   のロットの対応を記録し、 前記評価ごとに、当該評価の結果のデータを、当該評価
   時のロットの構成に基づいて、当該ロットごとに記録
   し、 前記記録されている前記評価の結果のデータの中の、解
   析対象の任意の複数のデータの対応を、前記記録されて
   いるロットの対応を参照して検出し、 前記対応が検出された複数のデータを当該対応が明示さ
   れるように出力するデータ解析方法。