JP2000080163A - Fluorinated polyimide and precursor thereof - Google Patents
Fluorinated polyimide and precursor thereofInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フッ素化ポリイミ
ドおよびその前駆体に関し、特に比誘電率が低く、屈折
率も小さいフッ素化ポリイミドに関する。The present invention relates to a fluorinated polyimide and a precursor thereof, and more particularly to a fluorinated polyimide having a low relative dielectric constant and a small refractive index.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体素子の層間絶縁膜とし
ては、回転塗布法により形成されるＳＯＧ(Spin on Gla
ss) 膜やＣＶＤ法（化学蒸着法：Chemical Vapor Depos
ition)により形成されるＳＩＯ2 膜が主に用いられてき
た。かかる層間絶縁膜の比誘電率は約４であった。ＬＳ
Ｉの高集積化のためには層間絶縁膜の比誘電率は低いこ
とが望ましく、比誘電率が４より小さい層間絶縁膜が要
求されている。かかる要求を満足するため、プラズマＣ
ＶＤ法によって形成されたＳｉＯ2 膜にフッ素を添加し
たＳｉＯＦ膜やアモルファスフッ素化カーボン膜が提案
された。これらの膜の層間絶縁膜は、比誘電率が前者で
３．７〜３．２程度、後者で２．７〜２．３程度であ
り、比誘電率を４未満に抑えることができた。2. Description of the Related Art Conventionally, as an interlayer insulating film of a semiconductor element, a spin on glass (SOG) formed by a spin coating method has been used.
ss) Film or CVD (Chemical Vapor Depos)
The SIO 2 film formed by the above-mentioned method has been mainly used. The relative dielectric constant of such an interlayer insulating film was about 4. LS
For high integration of I, it is desirable that the relative dielectric constant of the interlayer insulating film is low, and an interlayer insulating film having a relative dielectric constant of less than 4 is required. In order to satisfy such requirements, the plasma C
An SiOF film in which fluorine is added to an SiO 2 film formed by the VD method and an amorphous fluorinated carbon film have been proposed. The relative dielectric constant of the interlayer insulating films of these films was about 3.7 to 3.2 for the former and about 2.7 to 2.3 for the latter, and the relative dielectric constant could be suppressed to less than 4.
【０００３】ところが、プラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ
Ｆ膜は低比誘電率を達成することはできるが、膜の形成
方法や成膜条件によって膜特性が大きく異なったり、膜
中のフッ素の脱離や吸湿性が大きいなど、膜の不安定性
が生ずる。かかる膜の不安定性により比誘電率が悪化す
るので、比誘電率の低い材料としての応用は難しい。[0003] However, SiO 2 formed by plasma CVD is used.
Although the F film can achieve a low dielectric constant, the film characteristics vary greatly depending on the film formation method and film formation conditions, and the instability of the film is high, such as the desorption of fluorine in the film and large hygroscopicity. Occurs. Since the relative dielectric constant deteriorates due to the instability of the film, it is difficult to apply the material as a material having a low relative dielectric constant.
【０００４】アモルファスフッ素化カーボン膜も膜の形
成方法や成膜条件によって膜特性が大きく異なるので、
比誘電率を低くするためには耐熱性を犠牲にしなければ
ならない。そのため層間絶縁膜を約４００℃で加熱する
と膜分解によるガスが発生しやすく、層間絶縁膜の上に
膜を形成すると、これらの膜の間でガスが発生し半導体
素子を破壊する要因になる。Since the film characteristics of an amorphous fluorinated carbon film also vary greatly depending on the film formation method and film formation conditions,
In order to lower the relative permittivity, heat resistance must be sacrificed. Therefore, when the interlayer insulating film is heated at about 400 ° C., a gas is easily generated due to the decomposition of the film, and when a film is formed on the interlayer insulating film, a gas is generated between these films to cause a destruction of the semiconductor element.
【０００５】かかる問題点を解決するため本発明者らは
新たな層間絶縁膜用材料として低比誘電率で耐熱性に優
れたフッ素化ポリイミドについて検討し、「macromolec
ules」第２４巻、１８号、５００１〜５００５頁（１９
９１年）に比誘電率が２．８でガラス転移温度が３３５
℃のフッ素化ポリイミドを発表した。かかるフッ素化ポ
リイミドは透明性に優れているという特徴も併せもって
おり、耐熱性に優れた低光損失の高分子光導波路が得ら
れる。このことは、特開平４−９８０７号、同４−２３
５５０５号、同４−２３５５０６号に開示されている。In order to solve such a problem, the present inventors have studied a fluorinated polyimide having a low dielectric constant and excellent heat resistance as a new material for an interlayer insulating film.
ules ", Vol. 24, No. 18, pages 5001-5005 (19
(1991) with a relative dielectric constant of 2.8 and a glass transition temperature of 335
Announced fluorinated polyimide at ℃. Such a fluorinated polyimide also has the feature of being excellent in transparency, and a low optical loss polymer optical waveguide excellent in heat resistance can be obtained. This is described in JP-A-4-9807 and JP-A-4-23.
Nos. 5505 and 4-235506.
【０００６】しかしながら、ＬＳＩの高集積化の進展に
伴い、比誘電率２．８より低いフッ素化ポリイミドが望
まれるようになった。また、光導波路は通常光ファイバ
などと結合して使用するため、光導波路材料の屈折率は
できるだけ光ファイバの屈折率に近いほうが好ましい。
現在用いられている光ファイバはほとんどが石英系であ
り、その屈折率は波長１．３μｍで１．４５程度であ
る。現在存在するフッ素化ポリイミドを用いた光導波路
の屈折率は１．５２程度であり、光ファイバとの屈折率
差がかなり大きくなってしまう。したがって、屈折率差
がもっと小さいポリイミドが光応用の面では切望されて
いた。However, with the progress of high integration of LSI, fluorinated polyimide having a relative dielectric constant lower than 2.8 has been desired. Further, since the optical waveguide is usually used in combination with an optical fiber or the like, it is preferable that the refractive index of the material of the optical waveguide be as close to the refractive index of the optical fiber as possible.
Most of the optical fibers currently used are of a quartz type, and have a refractive index of about 1.45 at a wavelength of 1.3 μm. The refractive index of the existing optical waveguide using fluorinated polyimide is about 1.52, and the difference in the refractive index from the optical fiber becomes considerably large. Therefore, polyimides having a smaller refractive index difference have been desired in optical applications.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決すべくなされたものであり、本発明の目的は電子材
料としては比誘電率が低く、屈折率の小さいフッ素化ポ
リイミドを提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a fluorinated polyimide having a low relative dielectric constant and a small refractive index as an electronic material. It is in.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、フッ素化
ポリイミド中のフッ素含有量を一定値以上にすることに
より効果的に低比誘電率、低屈折率を達成することがで
き、またそれを実現するためには特定構造のフッ素化ポ
リイミドが有効であることを見いだした。Means for Solving the Problems The present inventors can achieve a low dielectric constant and a low refractive index effectively by setting the fluorine content in a fluorinated polyimide to a certain value or more. In order to realize this, it has been found that a fluorinated polyimide having a specific structure is effective.
【０００９】すなわち、本発明のフッ素化ポリイミド
は、そのフッ素含有量が４０重量％以上であることを特
徴とする。That is, the fluorinated polyimide of the present invention is characterized in that its fluorine content is 40% by weight or more.
【００１０】ここで、フッ素化ポリイミドは、下記一般
式（１）：Here, the fluorinated polyimide is represented by the following general formula (1):
【００１１】[0011]
【化３】 Embedded image
【００１２】（式中、Ａｒ1 およびＡｒ2 は芳香環を含
有する基を表し、ＯＲf は−ＯＣk Ｆ2k-1（ｋは６〜１
２の整数）で示され、二重結合を１個含み、分岐してい
てもよい基を表し、ｍおよびｎはＡｒ1 またはＡｒ2 に
結合しているＯＲf 置換基の数を示し、ｍ＋ｎ≧１を満
たす整数である）で表される繰り返し単位を有すること
ができる。[0012] (wherein, Ar 1 and Ar 2 represents a group containing an aromatic ring, OR f is -OC k F 2k-1 (k 6~1
An integer of 2), containing one double bond and representing a group which may be branched, and m and n represent the number of ORf substituents bonded to Ar 1 or Ar 2 , and m + n Is an integer that satisfies ≧ 1).
【００１３】本発明のフッ素化ポリイミド前駆体は、脱
水反応によってフッ素化ポリイミドを形成するためのフ
ッ素化ポリイミド前駆体であって、フッ素化ポリイミド
のフッ素含有量が４０重量％以上であることを特徴とす
る。The fluorinated polyimide precursor of the present invention is a fluorinated polyimide precursor for forming a fluorinated polyimide by a dehydration reaction, wherein the fluorinated polyimide has a fluorine content of 40% by weight or more. And
【００１４】ここで、フッ素化ポリイミド前駆体は、下
記一般式（２）：Here, the fluorinated polyimide precursor has the following general formula (2):
【００１５】[0015]
【化４】 Embedded image
【００１６】（式中、Ａｒ1 およびＡｒ2 は芳香環を含
有する基を表し、ＯＲf は−ＯＣk Ｆ2k-1（ｋは６〜１
２の整数）で示され、二重結合を１個含み、分岐してい
てもよい基を表し、ｍおよびｎはＡｒ1 またはＡｒ2 に
結合しているＯＲf 置換基の数を示し、ｍ＋ｎ≧１であ
る）で表される繰り返し単位を有することができる。[0016] (wherein, Ar 1 and Ar 2 represents a group containing an aromatic ring, OR f is -OC k F 2k-1 (k 6~1
An integer of 2), containing one double bond and representing a group which may be branched, and m and n represent the number of ORf substituents bonded to Ar 1 or Ar 2 , and m + n ≧ 1).
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】本発明のフッ素化ポリイミドは、
フッ素含有量が４０重量％以上である。フッ素含有量が
４０重量％以上であれば、比誘電率が２．７以下を達成
することができる。このことは図１のグラフから明らか
である。図１を用いて以下に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The fluorinated polyimide of the present invention comprises:
The fluorine content is 40% by weight or more. When the fluorine content is 40% by weight or more, a relative dielectric constant of 2.7 or less can be achieved. This is clear from the graph of FIG. This will be described below with reference to FIG.
【００１８】図１は、ポリイミドのフッ素含有量と比誘
電率との関係を表したグラフであり、フッ素含有量の数
値は、ポリイミドの繰り返し単位の分子量と繰り返し単
位中のフッ素原子量から求めた計算値である。また比誘
電率は周波数１ＭＨｚでの値である。一般に、ポリイミ
ドは酸二無水物とジアミンとから誘導される重縮合体で
ある。グラフ中、ＰＭＤＡ／ＯＤＡは酸二無水物として
ＰＭＤＡを、ジアミンとしてＯＤＡを用いたポリイミド
を表し、ＰＭＤＡ／ＴＦＤＢ、Ｐ２ＦＤＡ／ＴＦＤＢ、
６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ、１０ＦＥＤＡ／４ＦＭＰＤについ
ても同様に、記号「／」の左側の成分はポリイミドを形
成する酸二無水物を表し、記号「／」の右側の成分はジ
アミンを表す。ここで、ＰＭＤＡはピロメリット酸二無
水物、ＯＤＡはオキシジアニリン、ＴＦＤＢは２，２′
−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビ
フェニル、６ＦＤＡは２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン酸二無水物、Ｐ
２ＦＤＡは１，４−ジフルオロ−２，３，５，６−ベン
ゼンテトラカルボン酸二無水物、１０ＦＥＤＡは４，４
−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェノキ
シ）テトラフルオロベンゼン二無水物、４ＦＭＰＤはテ
トラフルオロ−ｍ−フェニレンジアミンを表す。FIG. 1 is a graph showing the relationship between the fluorine content of polyimide and the relative dielectric constant. The numerical value of the fluorine content was calculated from the molecular weight of the polyimide repeating unit and the fluorine atom content in the repeating unit. Value. The relative permittivity is a value at a frequency of 1 MHz. Generally, polyimide is a polycondensate derived from an acid dianhydride and a diamine. In the graph, PMDA / ODA represents a polyimide using PMDA as an acid dianhydride and ODA as a diamine, and PMDA / TFDB, P2FDA / TFDB,
Similarly, for 6FDA / TFDB and 10FEDA / 4FMPD, the component to the left of the symbol “/” represents an acid dianhydride that forms a polyimide, and the component to the right of the symbol “/” represents a diamine. Here, PMDA is pyromellitic dianhydride, ODA is oxydianiline, and TFDB is 2,2 '.
-Bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 6FDA is 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropanoic acid dianhydride,
2FDA is 1,4-difluoro-2,3,5,6-benzenetetracarboxylic dianhydride and 10FEDA is 4,4
-Bis (3,4-dicarboxytrifluorophenoxy) tetrafluorobenzene dianhydride, 4FMPD represents tetrafluoro-m-phenylenediamine.
【００１９】図１のグラフはフッ素含有量の異なるフッ
素化ポリイミドについて比誘電率を求め、これをプロッ
トしたものである。図１のグラフに示したフッ素化ポリ
イミドはいずれも比誘電率が２．８以上である。このグ
ラフから比誘電率を２．７以下にするためにはフッ素含
有量を４０重量％以上にする必要があることが分かる。The graph of FIG. 1 shows the relative dielectric constants of fluorinated polyimides having different fluorine contents, which are plotted. Each of the fluorinated polyimides shown in the graph of FIG. 1 has a relative dielectric constant of 2.8 or more. From this graph, it can be seen that the fluorine content needs to be 40% by weight or more in order to make the relative dielectric constant 2.7 or less.
【００２０】図２は、ポリイミドのフッ素含有量と屈折
率との関係を示したグラフである。ただし、屈折率は波
長６３３ｎｍでの値である。記号の示す意味は上述の図
１の場合と同様である。図２のグラフは、フッ素含有量
の異なるフッ素化ポリイミドについて屈折率を求め、こ
れをプロットしたものである。図２のグラフに示したフ
ッ素化ポリイミドは、いずれも屈折率が１．５０以上で
ある。このグラフから屈折率を１．５０以下にするため
にはフッ素含有量を４０重量％以上にする必要があるこ
とが分かる。FIG. 2 is a graph showing the relationship between the fluorine content of polyimide and the refractive index. However, the refractive index is a value at a wavelength of 633 nm. The meanings of the symbols are the same as those in FIG. 1 described above. The graph of FIG. 2 is obtained by determining the refractive indexes of fluorinated polyimides having different fluorine contents and plotting the obtained refractive indexes. Each of the fluorinated polyimides shown in the graph of FIG. 2 has a refractive index of 1.50 or more. From this graph, it is understood that the fluorine content needs to be 40% by weight or more in order to reduce the refractive index to 1.50 or less.
【００２１】電子材料における比誘電率は２．５以下で
あることが更に好ましいので、ポリイミドのフッ素含有
量が５０重量％以下であることがより好ましい。また光
学材料における屈折率は１．４６以下であることが更に
好ましいので、ポリイミドのフッ素含有量が５０重量％
以下であることがより好ましい。したがって、フッ素化
ポリイミドを電子材料および光学材料に適用するために
はポリイミドのフッ素含有量が５０重量％以下であるこ
とがより好ましい。Since the relative dielectric constant of the electronic material is more preferably 2.5 or less, the fluorine content of the polyimide is more preferably 50% by weight or less. Since the refractive index of the optical material is more preferably 1.46 or less, the fluorine content of the polyimide is 50% by weight.
It is more preferred that: Therefore, in order to apply the fluorinated polyimide to an electronic material and an optical material, the fluorine content of the polyimide is more preferably 50% by weight or less.
【００２２】本発明においては、上記フッ素化ポリイミ
ドが芳香族ポリイミドであり、置換基としてＯＲf を１
以上持つフッ素化ポリイミドであることが好ましく、か
かる構造であれば低比誘電率と耐熱性を兼備する。置換
基のＯＲf は、一般式 −ＯＣk Ｆ2k-1で表される。こ
こで、ｋは６〜１２の整数を示す。Ｃk Ｆ2k-1は、二重
結合を１個含み、分岐していてもしていなくてもよい。
例えば好ましいフッ素化ポリイミドの例として下記の化
学構造式で表されるフッ素化ポリイミドが挙げられる。In the present invention, the fluorinated polyimide is an aromatic polyimide, and ORf is 1 as a substituent.
The fluorinated polyimide having the above-mentioned structure is preferable, and such a structure has both low dielectric constant and heat resistance. OR f substituents, represented by formula -OC k F 2k-1. Here, k represents an integer of 6 to 12. C k F 2k-1 contains one double bond and may be branched or unbranched.
For example, a preferred fluorinated polyimide is, for example, a fluorinated polyimide represented by the following chemical structural formula.
【００２３】[0023]
【化５】 Embedded image
【００２４】このフッ素化ポリイミドは、フッ素含有量
が４６重量％で熱分解温度が４７１℃である。したがっ
て本発明のフッ素含有量が４０重量％以上で耐熱性に優
れたフッ素化ポリイミドである。このフッ素化ポリイミ
ドの１ＭＨｚでの比誘電率は２．５であり、また波長６
３３ｎｍでの屈折率は１．４７６である。This fluorinated polyimide has a fluorine content of 46% by weight and a thermal decomposition temperature of 471 ° C. Accordingly, the present invention is a fluorinated polyimide having a fluorine content of 40% by weight or more and excellent heat resistance. The relative permittivity of this fluorinated polyimide at 1 MHz is 2.5, and the wavelength 6
The refractive index at 33 nm is 1.476.
【００２５】ＯＲf が２個置換したフッ素化ポリイミド
として下記の化学構造式で表されるフッ素化ポリイミド
が考えられる。[0025] Fluorinated polyimide OR f is represented as two substituted fluorinated polyimide chemical structural formula is considered.
【００２６】[0026]
【化６】 Embedded image
【００２７】このフッ素化ポリイミドのフッ素含有量は
５１重量％である。このフッ素化ポリイミドの比誘電率
を図１から外挿すると２．４程度になる。また図２から
屈折率を求めると１．４４程度となる。ＯＲf の置換基
が二つ結合したフッ素化ポリイミドでは、さらに低い比
誘電率およびさらに低い屈折率のものが得られるので、
ＯＲf の置換基が２つ結合したポリイミドの方のが、Ｏ
Ｒf の置換基が１つ結合したポリイミドより好ましい。The fluorinated polyimide has a fluorine content of 51% by weight. Extrapolating the relative dielectric constant of this fluorinated polyimide from FIG. 1 results in about 2.4. Further, the refractive index obtained from FIG. 2 is about 1.44. Since the substituents OR f is a fluorinated polyimide which is two bonds, it is obtained as the lower dielectric constant and lower refractive index,
Substituents OR f is that towards the two bonded polyimide, O
It is more preferable than a polyimide in which one substituent of R f is bonded.
【００２８】[0028]
【実施例】以下実施例により本発明のフッ素化ポリイミ
ドおよびその前駆体について詳細に説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The fluorinated polyimide of the present invention and its precursor will be described in detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００２９】ただし実施例中、ポリイミドの構造の確認
は赤外吸収スペクトルにおけるカルボニル基の対称およ
び非対称伸縮振動による特性吸収から行った。また、高
分子量化は前駆体溶液の粘度を測定することにより確認
した。フッ素化ポリイミドの熱分解温度は、窒素気流下
１０℃／分の昇温速度で加熱して、１０重量％減少した
ときの温度である。比誘電率は周波数１ＭＨｚにおける
測定値である。屈折率はプリズムカプラを用い、波長６
３３ｎｍ、ＴＥモード（ポリイミドフィルム面と平行方
向の光の偏波モード）で測定した。However, in the examples, the structure of the polyimide was confirmed from the characteristic absorption by symmetric and asymmetric stretching vibration of the carbonyl group in the infrared absorption spectrum. The increase in the molecular weight was confirmed by measuring the viscosity of the precursor solution. The thermal decomposition temperature of the fluorinated polyimide is a temperature at which the fluorinated polyimide is heated at a rate of 10 ° C./min in a nitrogen stream and reduced by 10% by weight. The relative permittivity is a measured value at a frequency of 1 MHz. The refractive index is determined by using a prism
The measurement was performed in a TE mode (polarization mode of light parallel to the polyimide film surface) at 33 nm.
【００３０】（実施例１）三角フラスコに以下の構造式
を持つ５−（パーフルオロノネニルオキシ）−１，３−
ジアミノベンゼン(Example 1) In a Erlenmeyer flask, 5- (perfluorononenyloxy) -1,3- having the following structural formula was prepared.
Diaminobenzene
【００３１】[0031]
【化７】 Embedded image
【００３２】１１．０８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、以下
の構造式で示される２，２−ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン酸二無水物11.08 g (20.0 mmol) of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropanoic dianhydride represented by the following structural formula
【００３３】[0033]
【化８】 Embedded image
【００３４】８．８８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、および
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（以下、「ＤＭＡｃ」と
もいう）８０ｇを入れた。この混合物を窒素雰囲気下、
室温で３日間攪拌し、ポリイミドの前駆体溶液を得た。
得られた溶液の粘度を測定したところ約５０ポアズであ
った。8.88 g (20.0 mmol) and 80 g of N, N-dimethylacetamide (hereinafter also referred to as “DMAc”) were charged. This mixture is placed under a nitrogen atmosphere.
The mixture was stirred at room temperature for 3 days to obtain a polyimide precursor solution.
When the viscosity of the obtained solution was measured, it was about 50 poise.
【００３５】次にこの前駆体溶液をアルミニウム基板上
にスピンコーティングし、窒素雰囲気下、７０℃で２時
間、１６０℃で１時間、２５０℃で３０分、さらに３５
０℃で１時間、加熱キュアした。このアルミニウム板を
１０％ＨＣｌ水溶液に浸して、アルミニウム板を溶解
し、ポリイミドを製造した。Next, this precursor solution is spin-coated on an aluminum substrate, and is heated at 70 ° C. for 2 hours, 160 ° C. for 1 hour, 250 ° C. for 30 minutes, and 35 ° C. under a nitrogen atmosphere.
It was heated and cured at 0 ° C. for 1 hour. This aluminum plate was immersed in a 10% HCl aqueous solution to dissolve the aluminum plate, thereby producing a polyimide.
【００３６】得られたフッ素化ポリイミドについて赤外
吸収スペクトルを測定したところ、イミド基に特有の吸
収が１７３５ｃｍ-1および１７８０ｃｍ-1に現れ、イミ
ド化が完全に進行したことを確認することができた。フ
ッ素含有量の計算値は４６重量％であり、熱分解温度は
４７１℃、比誘電率は２．５、屈折率は１．４７６であ
った。[0036] The infrared absorption spectrum of the obtained fluorinated polyimide was measured, appeared the absorption characteristic is to 1735 cm -1 and 1780 cm -1 imide group, can imidization confirms that completely proceeded Was. The calculated value of the fluorine content was 46% by weight, the thermal decomposition temperature was 471 ° C., the relative dielectric constant was 2.5, and the refractive index was 1.476.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明はフ
ッ素含有量が４０重量％以上のフッ素化ポリイミドであ
るので、耐熱性に優れ、比誘電率が低く、屈折率の小さ
いフッ素化ポリイミドが得られた。かかるフッ素化ポリ
イミドは、電子材料や光学材料として有用性が高く、半
導体の層間絶縁膜や光導波路への適用が期待される。As explained in detail above, since the present invention is a fluorinated polyimide having a fluorine content of 40% by weight or more, a fluorinated polyimide having excellent heat resistance, a low relative dielectric constant and a small refractive index can be obtained. Obtained. Such a fluorinated polyimide has high utility as an electronic material or an optical material, and is expected to be applied to an interlayer insulating film of a semiconductor or an optical waveguide.
【図１】フッ素化ポリイミドのフッ素含有量と比誘電率
との関係を示したグラフである。FIG. 1 is a graph showing the relationship between the fluorine content of a fluorinated polyimide and the relative dielectric constant.
【図２】フッ素化ポリイミドのフッ素含有量と屈折率と
の関係を示したグラフである。FIG. 2 is a graph showing the relationship between the fluorine content of a fluorinated polyimide and the refractive index.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松浦 徹 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 小林 尚吾 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 山本 二三男 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 Ｆターム(参考） 4J043 PA02 PA19 PC125 PC126 PC145 PC146 QB15 QB26 QB31 RA06 RA35 SA06 SA43 SA54 SA55 SA56 SA73 SB01 TA22 TB01 UA121 UA122 UA131 UA132 UA142 UA662 UA672 UB062 UB121 UB132 UB401 VA021 VA022 VA032 VA041 VA051 VA061 VA062 VA081 YA06 ZA43 ZA51 ZB50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Toru Matsuura 1-3-1 Gotenyama, Musashino City, Tokyo NTT Advanced Technology Corporation (72) Inventor Shogo Kobayashi Gotenyama, Musashino City, Tokyo 1-3-1 NTT Advanced Technology Co., Ltd. (72) Inventor Fumio Yamamoto 1-3-1 Gotenyama Musashino City, Tokyo NTT Advanced Technology Co., Ltd. F-term (reference) 4J043 PA02 PA19 PC125 PC126 PC145 PC146 QB15 QB26 QB31 RA06 RA35 SA06 SA43 SA54 SA55 SA56 SA73 SB01 TA22 TB01 UA121 UA122 UA131 UA132 UA142 UA662 UA672 UB062 UB121 UB132 UB401 VA021 VA051 ZA042
Claims (4)
素含有量が４０重量％以上であることを特徴とするフッ
素化ポリイミド。1. A fluorinated polyimide having a fluorine content of 40% by weight or more.
（１）： 【化１】 （式中、Ａｒ1 およびＡｒ2 は芳香環を含有する基を表
し、ＯＲf は−ＯＣk Ｆ2k-1（ｋは６〜１２の整数）で
示され、二重結合を１個含み、分岐していてもよい基を
表し、ｍおよびｎはＡｒ1 またはＡｒ2 に結合している
ＯＲf 置換基の数を示し、ｍ＋ｎ≧１を満たす整数であ
る）で表される繰り返し単位を有することを特徴とする
請求項１に記載のフッ素化ポリイミド。2. The fluorinated polyimide has the following general formula (1): (Wherein, Ar 1 and Ar 2 represent a group containing an aromatic ring, OR f is represented by —OC k F 2k-1 (k is an integer of 6 to 12), and contains one double bond; Represents a group which may be branched, and m and n represent the number of ORf substituents bonded to Ar 1 or Ar 2 and are integers satisfying m + n ≧ 1). The fluorinated polyimide according to claim 1, wherein:
形成するためのフッ素化ポリイミド前駆体であって、フ
ッ素化ポリイミドのフッ素含有量が４０重量％以上であ
ることを特徴とするフッ素化ポリイミド前駆体。3. A fluorinated polyimide precursor for forming a fluorinated polyimide by a dehydration reaction, wherein the fluorinated polyimide has a fluorine content of 40% by weight or more.
一般式（２）： 【化２】 （式中、Ａｒ1 およびＡｒ2 は芳香環を含有する基を表
し、ＯＲf は−ＯＣk Ｆ2k-1（ｋは６〜１２の整数）で
示され、二重結合を１個含み、分岐していてもよい基を
表し、ｍおよびｎはＡｒ1 またはＡｒ2 に結合している
ＯＲf 置換基の数を示し、ｍ＋ｎ≧１である）で表され
る繰り返し単位を有することを特徴とする請求項３に記
載のフッ素化ポリイミド前駆体。4. The fluorinated polyimide precursor has the following general formula (2): (Wherein, Ar 1 and Ar 2 represent a group containing an aromatic ring, OR f is represented by —OC k F 2k-1 (k is an integer of 6 to 12), and contains one double bond; Represents a group which may be branched, m and n each represent the number of ORf substituents bonded to Ar 1 or Ar 2 , and m + n ≧ 1. The fluorinated polyimide precursor according to claim 3, wherein
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-
1998
- 1998-09-04 JP JP10251584A patent/JP2000080163A/en active Pending
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