JP2000079554A - シリコン球の研磨装置および方法 - Google Patents
シリコン球の研磨装置および方法Info
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- JP2000079554A JP2000079554A JP25051398A JP25051398A JP2000079554A JP 2000079554 A JP2000079554 A JP 2000079554A JP 25051398 A JP25051398 A JP 25051398A JP 25051398 A JP25051398 A JP 25051398A JP 2000079554 A JP2000079554 A JP 2000079554A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面粗さ、および真球度に優れ、かつ相互差
の少ない研磨が行えるシリコン球の研磨装置および方法
を提供する。 【解決手段】 複数条の同心円状の研磨溝３を有する上
下２枚のラップ定盤１，２を相対回転可能に設置する。
上側ラップ定盤１の研磨溝３の途中にポケット５を設け
る。このポケット５の先端に、シリコン球を下側ラップ
定盤２から掬い上げる掬い治具４を設ける。
の少ない研磨が行えるシリコン球の研磨装置および方法
を提供する。 【解決手段】 複数条の同心円状の研磨溝３を有する上
下２枚のラップ定盤１，２を相対回転可能に設置する。
上側ラップ定盤１の研磨溝３の途中にポケット５を設け
る。このポケット５の先端に、シリコン球を下側ラップ
定盤２から掬い上げる掬い治具４を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体回路の球
状基盤や、太陽電池として用いられるシリコン球の研磨
方法および装置に関する。
状基盤や、太陽電池として用いられるシリコン球の研磨
方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】近年、次
世代の半導体技術として、球状シリコン半導体が脚光を
集めている。従来の平面シリコンウェハーを球状化する
利点は、膨大な設備投資の抑制による製造コストの削減
や、比表面積の大きい球面を使用することによるシリコ
ン素材の有効利用が挙げられる。球状シリコンを半導体
として使用するには、シリコンウェハーと同レベルの表
面粗さと高い形状精度とが要求される。そのため、シリ
コン球の精度の良い研磨が必要となる。しかし、シリコ
ン球は、硬くて脆い材質であるため、従来の一般的な研
磨装置では良好に研磨することができない。
世代の半導体技術として、球状シリコン半導体が脚光を
集めている。従来の平面シリコンウェハーを球状化する
利点は、膨大な設備投資の抑制による製造コストの削減
や、比表面積の大きい球面を使用することによるシリコ
ン素材の有効利用が挙げられる。球状シリコンを半導体
として使用するには、シリコンウェハーと同レベルの表
面粗さと高い形状精度とが要求される。そのため、シリ
コン球の精度の良い研磨が必要となる。しかし、シリコ
ン球は、硬くて脆い材質であるため、従来の一般的な研
磨装置では良好に研磨することができない。
【０００３】そこで、シリコン球の研磨装置として、図
３に示すように、複数状の同心円状の研磨溝５３を有す
る２枚のラップ定盤５１，５２間でラップ加工を行うも
のを試みた。同図の研磨装置によると、表面粗さおよび
真球度とも、優れた研磨が行える。しかし、図３に示す
装置では、同心円状に配置された内周部の研磨溝と外周
部の研磨溝とで周速が異なることから、研磨の進行に違
いが生じ、内周部の研磨溝で加工されるシリコン球と、
外周部の研磨溝で加工されるシリコン球とで、直径寸法
のばらつき（相互差）が生じるという課題があった。
３に示すように、複数状の同心円状の研磨溝５３を有す
る２枚のラップ定盤５１，５２間でラップ加工を行うも
のを試みた。同図の研磨装置によると、表面粗さおよび
真球度とも、優れた研磨が行える。しかし、図３に示す
装置では、同心円状に配置された内周部の研磨溝と外周
部の研磨溝とで周速が異なることから、研磨の進行に違
いが生じ、内周部の研磨溝で加工されるシリコン球と、
外周部の研磨溝で加工されるシリコン球とで、直径寸法
のばらつき（相互差）が生じるという課題があった。
【０００４】この発明の目的は、表面粗さ、および真球
度に優れ、かつ相互差の少ない研磨が行えるシリコン球
の研磨装置および研磨方法を提供することである。この
発明の他の目的は、相互差を少なくする手段が簡単な構
成で済むようにすることである。
度に優れ、かつ相互差の少ない研磨が行えるシリコン球
の研磨装置および研磨方法を提供することである。この
発明の他の目的は、相互差を少なくする手段が簡単な構
成で済むようにすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明のシリコン球の
研磨装置は、各々シリコン球が嵌まる複数条の同心円状
の研磨溝を有する２枚のラップ定盤を、前記研磨溝を対
面させて同心で相対回転可能に設置し、前記各研磨溝内
のシリコン球を、異なる研磨溝に入れ替える溝間入替え
手段を設けたものである。このように、溝間入替え手段
を設けて各研磨溝のシリコン球を異なる研磨溝に入れ替
えるようにしたため、各研磨溝の周速の違いによる加工
速度差の影響が緩和され、各シリコン球の相互差、つま
り直径寸法のばらつきが無くなる。また、２枚のラップ
定盤間でラップ加工により研磨するため、表面粗さおよ
び真球度とも優れた研磨が行える。
研磨装置は、各々シリコン球が嵌まる複数条の同心円状
の研磨溝を有する２枚のラップ定盤を、前記研磨溝を対
面させて同心で相対回転可能に設置し、前記各研磨溝内
のシリコン球を、異なる研磨溝に入れ替える溝間入替え
手段を設けたものである。このように、溝間入替え手段
を設けて各研磨溝のシリコン球を異なる研磨溝に入れ替
えるようにしたため、各研磨溝の周速の違いによる加工
速度差の影響が緩和され、各シリコン球の相互差、つま
り直径寸法のばらつきが無くなる。また、２枚のラップ
定盤間でラップ加工により研磨するため、表面粗さおよ
び真球度とも優れた研磨が行える。
【０００６】この発明装置において、前記２枚のラップ
定盤を上下に配置し、前記溝間入替え手段を、両ラップ
定盤の間に配置され、これらラップ定盤の相対回転に伴
って前記複数の研磨溝のシリコン球を掬い上げて任意の
研磨溝に戻す掬い治具としてもよい。この構成の場合、
各研磨溝内のシリコン球は、ラップ定盤の相対回転に伴
って掬い治具により掬い上げられ、任意の研磨溝に戻さ
れる。このため、各シリコン球は、異なる研磨溝に入れ
替えられながら、ラップ加工されることになる。また、
掬い治具は、ラップ定盤の回転に伴ってシリコン球を掬
い上げるものであるため、掬い上げに専用の駆動手段が
不要であり、相互差を無くす手段を設けながら、研磨装
置が簡単な構成のものになる。
定盤を上下に配置し、前記溝間入替え手段を、両ラップ
定盤の間に配置され、これらラップ定盤の相対回転に伴
って前記複数の研磨溝のシリコン球を掬い上げて任意の
研磨溝に戻す掬い治具としてもよい。この構成の場合、
各研磨溝内のシリコン球は、ラップ定盤の相対回転に伴
って掬い治具により掬い上げられ、任意の研磨溝に戻さ
れる。このため、各シリコン球は、異なる研磨溝に入れ
替えられながら、ラップ加工されることになる。また、
掬い治具は、ラップ定盤の回転に伴ってシリコン球を掬
い上げるものであるため、掬い上げに専用の駆動手段が
不要であり、相互差を無くす手段を設けながら、研磨装
置が簡単な構成のものになる。
【０００７】この発明において、前記２枚のラップ定盤
のうち、下側のラップ定盤が回転駆動源に連結されて回
転するものとした場合に、前記掬い治具は、ラップ定盤
と平行な板状の部材であって、前記複数状の研磨溝の並
び幅にわたる幅を有し、かつこの掬い治具における下側
ラップ定盤の回転方向上手側の縁部に、各研磨溝内に先
端が入る傾斜した複数の掬い爪を有するものとしても良
い。また、上側のラップ定盤は、前記掬い治具の上方
に、この掬い治具に乗り上がったシリコン球の移動を許
すポケットを有するものとしても良い。この構成の場
合、下側ラップ定盤の各研磨溝内のシリコン球は、掬い
治具の配置された周方向位置を通過するときに、下側ラ
ップ定盤の回転に伴って掬い治具上に順次乗り上がる。
この乗り上がったシリコン球は、後続のシリコン球で押
されてポケット内でランダムに攪拌され、円周方向に移
動すると同時に溝幅方向にも自由に移動することにな
る。この攪拌のため、掬い治具上のシリコン球は、再び
研磨溝に送り込まれるときに、その時々のシリコン球の
並び状態によって、いずれの研磨溝に落ちるかが定まら
ず、乗り上がり前の研磨溝と異なる研磨溝に入れ替えら
れることが生じる。このように、シリコン球は異なる研
磨溝に入替えられながら、ラップ加工されることにな
る。
のうち、下側のラップ定盤が回転駆動源に連結されて回
転するものとした場合に、前記掬い治具は、ラップ定盤
と平行な板状の部材であって、前記複数状の研磨溝の並
び幅にわたる幅を有し、かつこの掬い治具における下側
ラップ定盤の回転方向上手側の縁部に、各研磨溝内に先
端が入る傾斜した複数の掬い爪を有するものとしても良
い。また、上側のラップ定盤は、前記掬い治具の上方
に、この掬い治具に乗り上がったシリコン球の移動を許
すポケットを有するものとしても良い。この構成の場
合、下側ラップ定盤の各研磨溝内のシリコン球は、掬い
治具の配置された周方向位置を通過するときに、下側ラ
ップ定盤の回転に伴って掬い治具上に順次乗り上がる。
この乗り上がったシリコン球は、後続のシリコン球で押
されてポケット内でランダムに攪拌され、円周方向に移
動すると同時に溝幅方向にも自由に移動することにな
る。この攪拌のため、掬い治具上のシリコン球は、再び
研磨溝に送り込まれるときに、その時々のシリコン球の
並び状態によって、いずれの研磨溝に落ちるかが定まら
ず、乗り上がり前の研磨溝と異なる研磨溝に入れ替えら
れることが生じる。このように、シリコン球は異なる研
磨溝に入替えられながら、ラップ加工されることにな
る。
【０００８】この発明のシリコン球の研磨方法は、各々
シリコン球が嵌まる複数条の同心円状の研磨溝を有する
上下２枚のラップ定盤を、前記研磨溝を対面させて同心
で相対回転させ、シリコン球を研磨する研磨方法であっ
て、これらラップ定盤の相対回転に伴って前記複数の研
磨溝のシリコン球を掬い治具により掬い上げ、この掬い
治具上でシリコン球をラップ定盤の半径方向に自由に移
動させることにより、シリコン球を異なる研磨溝に入れ
替えながら研磨を行う方法である。このように、各シリ
コン球を、異なる研磨溝に入れ替えられながら、ラップ
加工するため、各研磨溝の周速の違いによる加工速度差
の影響が緩和され、各シリコン球の直径寸法のばらつき
が無くなる。
シリコン球が嵌まる複数条の同心円状の研磨溝を有する
上下２枚のラップ定盤を、前記研磨溝を対面させて同心
で相対回転させ、シリコン球を研磨する研磨方法であっ
て、これらラップ定盤の相対回転に伴って前記複数の研
磨溝のシリコン球を掬い治具により掬い上げ、この掬い
治具上でシリコン球をラップ定盤の半径方向に自由に移
動させることにより、シリコン球を異なる研磨溝に入れ
替えながら研磨を行う方法である。このように、各シリ
コン球を、異なる研磨溝に入れ替えられながら、ラップ
加工するため、各研磨溝の周速の違いによる加工速度差
の影響が緩和され、各シリコン球の直径寸法のばらつき
が無くなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明の一実施形態を図１およ
び図２と共に説明する。このシリコン球の研磨装置は、
上下２枚のラップ定盤１，２に設けられた複数条の研磨
溝３間にシリコン球Ｗを挟んでラップ加工するものにお
いて、シリコン球Ｗの溝間入替え手段となる掬い治具４
を設けると共に、ポケット５を設けたものである。上下
のラップ定盤１，２は、同軸心に配置された円板状のも
のであり、各々複数状の研磨溝３が同心円状に設けられ
ている。研磨溝３の断面形状は、半円形やＶ字状など、
各種の形状のものが用いられる。
び図２と共に説明する。このシリコン球の研磨装置は、
上下２枚のラップ定盤１，２に設けられた複数条の研磨
溝３間にシリコン球Ｗを挟んでラップ加工するものにお
いて、シリコン球Ｗの溝間入替え手段となる掬い治具４
を設けると共に、ポケット５を設けたものである。上下
のラップ定盤１，２は、同軸心に配置された円板状のも
のであり、各々複数状の研磨溝３が同心円状に設けられ
ている。研磨溝３の断面形状は、半円形やＶ字状など、
各種の形状のものが用いられる。
【００１０】下側のラップ定盤２は、回転盤となるもの
であり、回転駆動源６に伝達機構（図示せず）を介して
接続されている。上側のラップ定盤１は固定盤となるも
のであり、ロッド７の下端に取付られている。ロッド７
は、流体圧シリンダ等の加圧装置（図示せず）に接続さ
れており、上側のラップ定盤１は、ロッド７から与えら
れる加圧力により、上下のラップ定盤１，２間に挟まれ
たシリコン球Ｗを加圧する。また、上側のラップ定盤１
は、シリコン球Ｗの出し入れのため、ロッド７の昇降に
より、下側のラップ定盤２に対して上方へ開き可能であ
る。
であり、回転駆動源６に伝達機構（図示せず）を介して
接続されている。上側のラップ定盤１は固定盤となるも
のであり、ロッド７の下端に取付られている。ロッド７
は、流体圧シリンダ等の加圧装置（図示せず）に接続さ
れており、上側のラップ定盤１は、ロッド７から与えら
れる加圧力により、上下のラップ定盤１，２間に挟まれ
たシリコン球Ｗを加圧する。また、上側のラップ定盤１
は、シリコン球Ｗの出し入れのため、ロッド７の昇降に
より、下側のラップ定盤２に対して上方へ開き可能であ
る。
【００１１】上記ポケット５は、上側のラップ定盤１に
上下に貫通して設けられ、複数の研磨溝３の並び幅に対
応する幅の円弧状凹部に形成されている。ポケット５の
円周方向の長さは、掬い治具４よりも若干長く形成され
ている。ポケット５は、必ずしも上下に貫通したもので
なくても良く、下面のみに開口した凹部であっても良
い。掬い治具４は、板状の部材であって、上側のラップ
定盤１にポケット５の下端で取付けられている。掬い治
具４は、図２に示すように、複数状の研磨溝３の溝幅に
わたる幅を有し、かつ下側ラップ定盤２の回転方向上手
側の縁部に、各研磨溝３内に先端が入る傾斜した複数の
掬い爪４ａを有している。掬い治具４は、この実施形態
では平板状としてあるが、シリコン球Ｗの攪拌が良好に
行えるように適宜の曲面状とし、あるいは凹凸部を設け
ても良い。
上下に貫通して設けられ、複数の研磨溝３の並び幅に対
応する幅の円弧状凹部に形成されている。ポケット５の
円周方向の長さは、掬い治具４よりも若干長く形成され
ている。ポケット５は、必ずしも上下に貫通したもので
なくても良く、下面のみに開口した凹部であっても良
い。掬い治具４は、板状の部材であって、上側のラップ
定盤１にポケット５の下端で取付けられている。掬い治
具４は、図２に示すように、複数状の研磨溝３の溝幅に
わたる幅を有し、かつ下側ラップ定盤２の回転方向上手
側の縁部に、各研磨溝３内に先端が入る傾斜した複数の
掬い爪４ａを有している。掬い治具４は、この実施形態
では平板状としてあるが、シリコン球Ｗの攪拌が良好に
行えるように適宜の曲面状とし、あるいは凹凸部を設け
ても良い。
【００１２】なお、ラップ定盤１，２は、金属製のもの
を用いたが、両方またはいずれか片方のラップ定盤１，
２を樹脂製のものとしてもよい。また、研磨に際して、
アルカリ溶液を研磨液として用いても良い。
を用いたが、両方またはいずれか片方のラップ定盤１，
２を樹脂製のものとしてもよい。また、研磨に際して、
アルカリ溶液を研磨液として用いても良い。
【００１３】上記構成の動作を説明する。上下のラップ
定盤１，２の各研磨溝３間に挟まれたシリコン球Ｗは、
下側ラップ定盤２の回転により、上下の研磨溝３で研磨
される。このとき、図２に示すように、下側ラップ定盤
２の各研磨溝３内のシリコン球Ｗは、掬い治具４の配置
された周方向位置を通過するときに、下側ラップ定盤２
の回転に伴って掬い治具４上に順次乗り上がる。この乗
り上がったシリコン球Ｗは、後続のシリコン球Ｗで押さ
れてポケット５内でランダムに攪拌され、円周方向に移
動すると同時に溝幅方向にも自由に移動することにな
る。図２では、掬い治具４上には一部のシリコン球Ｗの
みを示したが、掬い治具４上にはシリコン球Ｗが密に並
び、これらが後から乗り上がったシリコン球Ｗで押され
て攪拌されることになる。この攪拌のため、掬い治具４
上のシリコン球は、他端から再び研磨溝３に送り込まれ
るときに、その時々のシリコン球Ｗの並び状態によっ
て、いずれの研磨溝３に落ちるかが定まらず、乗り上が
り前の研磨溝３と異なる研磨溝３に入れ替えられたり、
同じ研磨溝３に再度入ったりする。このように、シリコ
ン球Ｗは、異なる研磨溝３に入れ替えられながら、ラッ
プ加工されることになる。そのため、各研磨溝３の周速
の違いによる加工速度差の影響が緩和され、各シリコン
球Ｗの相互差、つまり直径寸法のばらつきが無くなる。
また、２枚のラップ定盤１，２の研磨溝３間でラップ加
工するため、表面粗さおよび真球度とも優れた研磨が行
える。この発明のシリコン球の研磨装置および方法は、
このように精度の良い研磨が行えるため、半導体回路の
球状基盤または太陽電池の球状基盤の加工装置および加
工方法に適用できる。
定盤１，２の各研磨溝３間に挟まれたシリコン球Ｗは、
下側ラップ定盤２の回転により、上下の研磨溝３で研磨
される。このとき、図２に示すように、下側ラップ定盤
２の各研磨溝３内のシリコン球Ｗは、掬い治具４の配置
された周方向位置を通過するときに、下側ラップ定盤２
の回転に伴って掬い治具４上に順次乗り上がる。この乗
り上がったシリコン球Ｗは、後続のシリコン球Ｗで押さ
れてポケット５内でランダムに攪拌され、円周方向に移
動すると同時に溝幅方向にも自由に移動することにな
る。図２では、掬い治具４上には一部のシリコン球Ｗの
みを示したが、掬い治具４上にはシリコン球Ｗが密に並
び、これらが後から乗り上がったシリコン球Ｗで押され
て攪拌されることになる。この攪拌のため、掬い治具４
上のシリコン球は、他端から再び研磨溝３に送り込まれ
るときに、その時々のシリコン球Ｗの並び状態によっ
て、いずれの研磨溝３に落ちるかが定まらず、乗り上が
り前の研磨溝３と異なる研磨溝３に入れ替えられたり、
同じ研磨溝３に再度入ったりする。このように、シリコ
ン球Ｗは、異なる研磨溝３に入れ替えられながら、ラッ
プ加工されることになる。そのため、各研磨溝３の周速
の違いによる加工速度差の影響が緩和され、各シリコン
球Ｗの相互差、つまり直径寸法のばらつきが無くなる。
また、２枚のラップ定盤１，２の研磨溝３間でラップ加
工するため、表面粗さおよび真球度とも優れた研磨が行
える。この発明のシリコン球の研磨装置および方法は、
このように精度の良い研磨が行えるため、半導体回路の
球状基盤または太陽電池の球状基盤の加工装置および加
工方法に適用できる。
【００１４】つぎに、実験例を説明する。上記実施形態
のシリコン球の研磨装置と、この研磨装置から掬い治具
４およびポケット５を無くした構成の比較例装置とを用
い、真球度０．６μｍ、相互差０．８μｍのシリコン球
Ｗを、各４００個ずつ５時間加工し、両装置の加工完了
品の相互差を比較した。この実験結果を表１に示す。な
お、相互差は、４００個のうち、無作為に選び出した１
０個のシリコン球Ｗの平均直径の最大値および最小値の
差としている。この表１から、実施形態装置の方が比較
例装置よりも、真球度および相互差共に優れていること
が分かる。
のシリコン球の研磨装置と、この研磨装置から掬い治具
４およびポケット５を無くした構成の比較例装置とを用
い、真球度０．６μｍ、相互差０．８μｍのシリコン球
Ｗを、各４００個ずつ５時間加工し、両装置の加工完了
品の相互差を比較した。この実験結果を表１に示す。な
お、相互差は、４００個のうち、無作為に選び出した１
０個のシリコン球Ｗの平均直径の最大値および最小値の
差としている。この表１から、実施形態装置の方が比較
例装置よりも、真球度および相互差共に優れていること
が分かる。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】この発明のシリコン球の研磨装置および
方法は、各シリコン球を、溝間入替え手段により異なる
研磨溝に入れ替えながらラップ加工するため、各研磨溝
の周速の違いによる加工速度差の影響が緩和され、各シ
リコン球の直径寸法のばらつきが無くなる。また、シリ
コン球は硬くて脆い材質であるが、２枚のラップ定盤の
研磨溝間に入れてラップ加工するため、表面粗さおよび
真球度とも、優れた研磨が行える。溝間入替え手段を掬
い治具とした場合は、相互差を少なくする手段を備えな
がら、研磨装置が簡単な構成のもので済む。特に、掬い
治具を、掬い爪を有する板状のものとし、これに対応し
てラップ定盤にシリコン球の移動を許すポケットを設け
た場合は、簡単な構成で円滑なシリコン球の溝間入替え
が行える。
方法は、各シリコン球を、溝間入替え手段により異なる
研磨溝に入れ替えながらラップ加工するため、各研磨溝
の周速の違いによる加工速度差の影響が緩和され、各シ
リコン球の直径寸法のばらつきが無くなる。また、シリ
コン球は硬くて脆い材質であるが、２枚のラップ定盤の
研磨溝間に入れてラップ加工するため、表面粗さおよび
真球度とも、優れた研磨が行える。溝間入替え手段を掬
い治具とした場合は、相互差を少なくする手段を備えな
がら、研磨装置が簡単な構成のもので済む。特に、掬い
治具を、掬い爪を有する板状のものとし、これに対応し
てラップ定盤にシリコン球の移動を許すポケットを設け
た場合は、簡単な構成で円滑なシリコン球の溝間入替え
が行える。
【図１】この発明の一実施形態にかかる研磨装置の切欠
斜視図である。
斜視図である。
【図２】同装置の掬い治具の近傍を示す作用説明図であ
る。
る。
【図３】比較提案例となる研磨装置の切欠斜視図であ
る。
る。
１…上側のラップ定盤 ２…下側のラップ定盤 ３…研磨溝 ４…掬い治具（溝間入替え手段） ４ａ…掬い爪 ５…ポケット Ｗ…シリコン球
Claims (4)
- 【請求項１】 各々シリコン球が嵌まる複数条の同心円
状の研磨溝を有する２枚のラップ定盤を、前記研磨溝を
対面させて同心で相対回転可能に設置し、前記各研磨溝
内のシリコン球を、異なる研磨溝に入れ替える溝間入替
え手段を設けたシリコン球の研磨装置。 - 【請求項２】 前記２枚のラップ定盤を上下に配置し、
前記溝間入替え手段を、両ラップ定盤の間に配置され、
これらラップ定盤の相対回転に伴って前記複数の研磨溝
のシリコン球を掬い上げて任意の研磨溝に戻す掬い治具
とした請求項１記載のシリコン球の研磨装置。 - 【請求項３】 前記２枚のラップ定盤のうち、下側のラ
ップ定盤が回転駆動源に連結されて回転するものであ
り、前記掬い治具は、ラップ定盤と平行な板状の部材で
あって、前記複数状の研磨溝の並び幅にわたる幅を有
し、かつこの掬い治具における下側ラップ定盤の回転方
向上手側の縁部に、各研磨溝内に先端が入る傾斜した複
数の掬い爪を有し、上側のラップ定盤は、前記掬い治具
の上方に、この掬い治具に乗り上がったシリコン球の移
動を許すポケットを有するものとした請求項２記載のシ
リコン球の研磨装置。 - 【請求項４】 各々シリコン球が嵌まる複数条の同心円
状の研磨溝を有する上下２枚のラップ定盤を、前記研磨
溝を対面させて同心で相対回転させ、前記シリコン球を
研磨する研磨方法であって、これらラップ定盤の相対回
転に伴って前記複数の研磨溝のシリコン球を掬い治具に
より掬い上げ、この掬い治具上でシリコン球をラップ定
盤の半径方向に自由に移動させることにより、シリコン
球を異なる研磨溝に入れ替えながら研磨を行うシリコン
球の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25051398A JP2000079554A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | シリコン球の研磨装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25051398A JP2000079554A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | シリコン球の研磨装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000079554A true JP2000079554A (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=17209018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25051398A Pending JP2000079554A (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | シリコン球の研磨装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000079554A (ja) |
Cited By (3)
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| CN107309714A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-03 | 浙江工业大学 | 一种用于同心圆v形槽球体研磨机上的变轨研磨方法及变轨装置 |
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1998
- 1998-09-04 JP JP25051398A patent/JP2000079554A/ja active Pending
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