JP2000077905A

JP2000077905A - 高周波回路素子

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Publication number: JP2000077905A
Application number: JP11169703A
Authority: JP
Inventors: Akira Enohara; 晃榎原; Kentaro Setsune; 謙太郎瀬恒
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-06-17
Filing date: 1999-06-16
Publication date: 2000-03-14
Anticipated expiration: 2019-06-16
Also published as: JP4125842B2

Abstract

(57)【要約】【課題】低損失で、耐電力性に優れ、かつ、急峻なス
カート特性をも実現することのできる高性能な高周波回
路素子を提供する。【解決手段】誘電体単結晶などからなる基板１の表面
上に、複数の例えば円板形状あるいは楕円形状の第１、
第２及び第３のストリップ導体２ａ、２ｂ及び２ｃを形
成する。そして、これらの第１、第２及び第３のストリ
ップ導体２ａ、２ｂ及び２ｃを、間隙部５ａ、５ｂを介
して互いに結合させる。また、基板１の裏面上の全面
に、グランドプレーンを形成する。第１の平面回路共振
器４ａに、第１の平面回路共振器４ａが有する２つの直
交方向に分極した共振モード７ａ、７ｂをそれぞれ励振
するような方向から第１及び第２の結合端子６ａ、６ｂ
を結合させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、通信システムなど
の高周波信号処理装置に用いられるフィルタ、分波器な
どをはじめとする共振器を基本に構成される高周波回路
素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】高周波通信システムにおいては、フィル
タ、分波器などをはじめとする共振器を基本に構成され
る高周波回路素子は不可欠の要素である。特に、移動体
通信システムなどにおいては、周波数帯域の有効利用の
ために、狭帯域なフィルタが要求される。また、移動体
通信の基地局や通信衛星などにおいては、低損失でかつ
小型で、大きな電力に耐えることのできるフィルタが強
く要望されている。

【０００３】現在用いられている共振器フィルタなどの
高周波回路素子としては、誘電体共振器を用いたもの、
伝送線路構造を用いたもの、表面弾性波素子を用いたも
のなどが主流となっている。このうち、伝送線路構造を
用いたものは、小型で、マイクロ波、ミリ波領域の高周
波まで適用することができ、さらに、基板上に形成する
２次元的な構造であり、他の回路や素子との組み合わせ
が容易であるため、広く利用されている。従来、このタ
イプの共振器としては、伝送線路による１／２波長共振
器が最も一般的に利用されており、さらに、この１／２
波長共振器を複数個結合させることにより、フィルタな
どの高周波回路素子が構成されている。

【０００４】また、他の従来例として、平面回路構造を
用いたものがある。その代表例としては、円板共振器を
複数個並べたもの、あるいは、円板型共振器の外周の一
部に突起部を設けてダイポールモードを結合させること
により、フィルタ特性を発揮させるものなどがある
（『Low Loss Multiplexers with Planar Dual Mode HT
SResonators』 IEEE Trans actions on Microwave Theo
ry and Techniques, Vol.44, No.7, pp.1248-1257,
『電子情報通信学会技術研究報告, 1993, Vol.93, No.3
63(SCE93 47-56)永井靖浩他』, 電子通信学会論文誌，7
2/8 Vol.55-B No.8『マイクロ波平面回路の解析的取扱
い(Analysis of Microwave Planar Circuit)』三好旦
六、大越孝敬）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、１／２波長共
振器等の伝送線路構造の共振器では、導体中における高
周波電流が部分的に集中するために、導体の抵抗による
損失が比較的大きく、共振器ではＱ値の劣化、フィルタ
を構成した場合には損失の増加を招いてしまう。また、
通常よく利用されるマイクロストリップ線路構造の１／
２波長共振器を用いた場合には、回路から空間への放射
による損失の影響も問題となる。

【０００６】これらの影響は、構造を小型化したり、動
作周波数を高くすると、さらに顕著になる。損失が比較
的小さく、耐電力性に優れた共振器としては、誘電体共
振器が利用されている。しかし、誘電体共振器は立体構
造を有しており、かつ、サイズが大きいために、高周波
回路素子の小型化にとっては問題である。

【０００７】また、超伝導体を利用することにより、こ
れら高周波回路素子の低損失化を図ることも可能であ
る。しかし、上記した従来の構造のものでは、電流の過
度の集中によって超伝導性が失われるために、大きな電
力の信号を利用することは困難である。実際の測定例で
も、最大入力電力は数十ｍＷ程度であり、実用的なレベ
ルには達していない。

【０００８】また、円板共振器に代表される平面回路共
振器を用いたフィルタは、電流分布が広い面積にわたっ
て均一となるため、優れた耐電力性能を有すると言われ
ている。しかし、円板共振器を複数個並べたものは、素
子面積が非常に大きくなり、急峻なスカート特性を実現
するために多段構成とする場合に特に深刻な問題とな
る。また、外周の一部に突起部を設けたタイプの平面回
路構造の共振器フィルタの場合には、３段以上の多段構
成とするための簡易な方法がなかった。

【０００９】以上のようなことから、マイクロ波、ミリ
波領域の高周波領域において他の回路や素子との整合性
が良く、かつ、高性能な小型の共振器フィルタ等の高周
波回路素子を２次元的な構造で実現するためには、伝送
線路構造や平面回路構造の共振器が有するこのような問
題を解決することが極めて重要である。

【００１０】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するためになされたものであり、低損失で、耐電力性
に優れ、かつ、急峻なスカート特性をも実現することの
できる高性能な高周波回路素子を提供することを目的と
する。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る高周波回路素子の構成は、それぞれ２
つの直交した共振モードを有し、順番に結合したｎ個
（ｎは２以上の整数）の平面回路共振器と、２つの結合
端子とを備えた高周波回路素子であって、前記２つの結
合端子が第１番目の前記平面回路共振器が有する２つの
共振モードとそれぞれ結合していることを特徴とする。
この高周波回路素子の構成によれば、複数個の平面回路
共振器のそれぞれの直交した２つの共振モードが１つの
共振器として共振器結合型フィルタとしての動作を行わ
せることができるため、多段構成の共振器フィルタを構
成する際に、共振器の数を半分で構成できる。また、平
面回路共振器は、通常の伝送線路共振器に比べて、電流
分布が均一なために導体損失が小さいという特徴があ
る。そのため、小型で、低損失な多段共振器フィルタが
構成できる。

【００１２】また、前記本発明の高周波回路素子の構成
においては、第ｎ番目の平面回路共振器が有する２つの
共振モード間に結合を生じさせる手段が備わっているの
が好ましい。

【００１３】また、前記本発明の高周波回路素子の構成
においては、平面回路共振器が、基板と、前記基板の表
面上に形成されたストリップ導体と、前記基板の裏面上
に形成されたグランドプレーンとからなるのが好まし
い。この好ましい例によれば、基板の一方の面上に形成
される導体パターンによって回路形状を決定することが
できるので、設計プロセス及び作製プロセスの簡略化が
可能となる。また、この場合には、ストリップ導体の形
状が円板形状あるいは楕円形状であるのが好ましい。こ
の好ましい例によれば、ストリップ導体パターンの輪郭
部における電流集中を効果的に減少させて、損失をより
一層低減することが可能となる。

【００１４】また、前記本発明の高周波回路素子の構成
においては、平面回路共振器が、２枚の基板と、前記２
枚の基板に挟まれたストリップ導体と、前記２枚の基板
の前記ストリップ導体と接していない方の面上にそれぞ
れ形成されたグランドプレーンとからなるのが好まし
い。この好ましい例によれば、電磁界の放射の影響をほ
とんど受けることがなく、非常に安定で損失の少ない高
周波回路素子を実現することができる。また、この場合
には、ストリップ導体の形状が円板形状あるいは楕円形
状であるのが好ましい。

【００１５】また、前記本発明の高周波回路素子の構成
においては、各平面回路共振器がストリップ導体を備
え、ｎ個の前記ストリップ導体が間隙部を介して直線状
に配置され、ｎ個の前記ストリップ導体のうちの一端部
に位置する第１番目のストリップ導体の輪郭上におい
て、前記第１番目のストリップ導体の中心から見て、前
記第１番目のストリップ導体に隣接する第２番目のスト
リップ導体と反対側の位置に第１の結合端子が結合さ
れ、前記第１の結合端子の結合位置とほぼ９０゜ずれた
位置に第２の結合端子が結合されているのが好ましい。
この好ましい例によれば、共振モ−ド間の結合をより正
確に制御することができ、より優れた特性の多段の共振
器結合型フィルタを実現することができる。また、この
場合には、ストリップ導体の形状が円板形状あるいは楕
円形状であるのが好ましい。

【００１６】また、前記本発明の高周波回路素子の構成
においては、素子の周囲が導体壁によって包囲されてい
るのが好ましい。この好ましい例によれば、平面回路共
振器からの放射損失を防止することができるため、損失
をより一層低減することができる。しかも、導体壁によ
って囲まれた空間の形状を変えることによってモード結
合量をより大きな自由度で調節することが可能となる。

【００１７】また、前記本発明の高周波回路素子の構成
においては、平面回路共振器の導体材料として超伝導材
料を用いるのが好ましい。この好ましい例によれば、平
面回路共振器における挿入損失が劇的に低減され、ま
た、平面回路共振器中で電流分布が均一であることか
ら、耐電力性能の優れた高周波回路素子を実現すること
ができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明
をさらに具体的に説明する。

【００１９】〈第１の実施の形態〉図１は本発明の第１
の実施の形態における高周波回路素子を示す平面図、図
２はその断面図である。

【００２０】図１、図２に示すように、誘電体単結晶な
どからなる基板１の表面上には、真空蒸着、エッチング
などの適当な方法によって複数の例えば円板形状あるい
は楕円形状の第１、第２及び第３のストリップ導体２
ａ、２ｂ及び２ｃが形成されている。そして、これらの
第１、第２及び第３のストリップ導体２ａ、２ｂ及び２
ｃは、間隙部５ａ、５ｂを介して直線状に配置されてい
る。また、基板１の裏面上には、その全面にグランドプ
レーン３が形成されている。この構成において、第１、
第２及び第３のストリップ導体２ａ、２ｂ及び２ｃは、
それぞれ別個の第１、第２及び第３の平面回路共振器４
ａ、４ｂ及び４ｃとして動作する。また、第１のストリ
ップ導体２ａに対しては、第１及び第２の結合端子６
ａ、６ｂが設けられている。

【００２１】第１及び第２の結合端子６ａ、６ｂは、第
１の平面回路共振器４ａが有する２つの直交方向に分極
した共振モード７ａ、７ｂをそれぞれ励振するような方
向から第１の平面回路共振器４ａに誘導結合されてい
る。但し、図１中の共振モードを示す矢印は共振モード
の電流方向、すなわち、電気的な分極方向を示している
ものとする。

【００２２】典型的な例としては、円板共振器における
TM11モードがこのような電気的特性を有する共振モード
となる。また、第２の平面回路共振器４ｂも２つの直交
方向に分極した共振モード８ａ、８ｂを有し、第３の平
面回路共振器４ｃも２つの直交方向に分極した共振モー
ド９ａ、９ｂを有している。共振モード７ａ、８ａ、９
ａは互いに分極の方向が同じとなるようにすることがで
き、また、共振モード７ｂ、８ｂ、９ｂも互いに分極の
方向が同じとなるようにすることができる。

【００２３】以下、上記のように構成された回路の動作
について説明する。

【００２４】第１の結合端子６ａに入力した信号は第１
の平面回路共振器４ａの共振モード７ａを励振する。共
振モード７ａは第２の平面回路共振器４ｂの共振モード
８ａと結合する。この場合、共振モード７ａは共振モー
ド７ｂ、８ｂとは分極の方向がほぼ直交しているので、
これらの共振モード７ｂ、８ｂとの結合量は無視できる
程度に非常に小さい。

【００２５】次に、第２の平面回路共振器４ｂの共振モ
ード８ａは第３の平面回路共振器４ｃの共振モード９ａ
と結合する。

【００２６】次に、平面回路共振器４ｃにおいて、適当
な方法により、共振モード９ａと共振モード９ｂとの間
に結合を生じさせる。共振モード９ａと共振モード９ｂ
との間に結合を生じさせる方法としては、例えば、図３
（ａ）に示すように、第３のストリップ導体２ｃの形状
を、共振モード９ａと共振モード９ｂの分極方向に対し
て４５゜の方向に長軸を有する楕円形状にしたり、図３
（ｂ）、（ｃ）に示すように、その方向の輪郭部に突起
部１０や切り掻き部１１などを形成する方法がある。

【００２７】同様にして、第３の平面回路共振器４ｃの
共振モード９ｂは、第２の平面回路共振器４ｂの共振モ
ード８ｂ及び第１の平面回路共振器４ａの共振モード７
ｂと順次結合し、最終的に第２の結合端子６ｂから出力
される。

【００２８】以上の過程で、第１の結合端子６ａに入力
した信号は６つの共振モード７ａ、８ａ、９ａ、９ｂ、
８ｂ、７ｂを介していることから、この回路は６段の共
振器結合型帯域通過フィルタとして動作する。

【００２９】〈第２の実施の形態〉図４は本発明の第２
の実施の形態における高周波回路素子を示す平面図、図
５はその高周波回路素子を導体壁によって囲まれた空洞
内に固定した状態を示す断面図である。

【００３０】図４、図５に示すように、ランタンアルミ
ナ（ＬａＡｌＯ₃）単結晶などの比誘電率２４の基板１
２の表面上には、真空蒸着、エッチングなどの適当な方
法によって複数の楕円形状の第１及び第２のストリップ
導体１３ａ、１３ｂが形成されている。そして、これら
の第１及び第２のストリップ導体１３ａ、１３ｂは、間
隙部１６を介してそれぞれの長軸が一直線上にくるよう
に配置されている。また、基板１２の裏面上には、その
全面に導体膜からなるグランドプレーン１４が形成され
ている。この構成において、第１及び第２のストリップ
導体１３ａ、１３ｂは、それぞれ別個の第１及び第２の
平面回路共振器１５ａ、１５ｂとして動作する。また、
第１のストリップ導体１３ａに対して、第１及び第２の
結合端子１７ａ、１７ｂが設けられている。

【００３１】第１の結合端子１７ａは、第１のストリッ
プ導体１３ａの輪郭上の、第２のストリップ導体１３ｂ
と反対側の位置で第１のストリップ導体１３ａに容量結
合されている。また、第２の結合端子１７ｂは、同じく
第１のストリップ導体１３ａの円周上の、第１の結合端
子１７ａの結合位置と９０゜ずれた位置で第１のストリ
ップ導体１３ａに容量結合されている。ここで、第１及
び第２の結合端子１７ａ、１７ｂは、その先端部（第１
のストリップ導体１３ａとの結合部分）の線路幅が拡げ
られている。これにより、第１及び第２の結合端子１７
ａ、１７ｂと第１のストリップ導体１３ａとの間の結合
容量を増加させて、入出力結合度を大きくすることがで
きる。

【００３２】第１及び第２の結合端子１７ａ、１７ｂ
は、伝送線路によって基板１２の縁部まで延長されてお
り、この部分で外部導入ケーブル等と結合されている。

【００３３】そして、図５に示すように、基板１２を導
体壁２０によって囲まれた空間内に固定して、特性の検
討を行った。このように基板１２を導体壁２０によって
囲まれた空間内に配置すれば、第１及び第２の平面回路
共振器１５ａ、１５ｂからの放射損失を防止することが
できるため、損失をより一層低減することができる。し
かも、導体壁２０によって囲まれた空間の形状を変える
ことによってモード結合量をより大きな自由度で調節す
ることが可能となる。

【００３４】本高周波回路素子の具体的寸法を挙げれ
ば、次のとおりである。基板１２は、その大きさ（面
積）が５０．８ｍｍ×２５．４ｍｍ、厚みが１ｍｍであ
る。第１及び第２のストリップ導体１３ａ、１３ｂは、
半径７ｍｍの円形を基に、所望の特性を得るために僅か
に歪ませた形状となっている。特に第２のストリップ導
体１３ｂは、第２の平面回路共振器１５ｂの２つの直交
方向に分極した共振モード１９ａと共振モード１９ｂと
を結合させるために、図３（ａ）に示したような楕円形
状となっている。また、図５に示すように、導体壁２０
によって囲まれた空洞の高さは、基板１２の表面から測
って１０ｍｍとなっている。

【００３５】図６に、図４の配置における、共振モード
１８ａと共振モード１９ａとの間の結合係数ｋ_hと間隙
部１６の距離ｄとの関係、及び、共振モード１８ｂと共
振モード１９ｂとの間の結合係数ｋ_pと間隙部１６の距
離ｄとの関係を示す。図６から分かるように、間隙部１
６の距離ｄの増加に対し、共振モード１８ａと共振モー
ド１９ａとの間の結合係数ｋ_hは減少傾向にあり、共振
モード１８ｂと共振モード１９ｂとの間の結合係数ｋ_p
は増加傾向にある。いずれにしても、結合係数ｋ_h、ｋ_p
は、間隙部１６の距離ｄの値によって制御できることが
分かる。

【００３６】図７に、第２のストリップ導体１３ｂの形
状を、共振モード１９ａと共振モード１９ｂの分極方向
に対して４５゜の方向に長軸を有する楕円形状に歪ませ
た場合の、両モード間の結合係数を示す。図７から分か
るように、楕円率に対し、結合係数がほぼ比例して増加
している。

【００３７】以上のことから、各共振モード間の結合係
数は、間隙部１６の距離ｄと第２のストリップ導体１３
ｂの楕円率とを変化させることにより、調節できること
が分かる。この結果を基に、本実施の形態においては、
比帯域１％、帯域内リップル０．０１ｄＢの４段チェビ
シェフ型フィルタ特性を得るために、間隙部１６の距離
ｄを３ｍｍ、第２のストリップ導体１３ｂの楕円率を
０．９％に設定した。図８に、HPeesof社製の電磁界シ
ミュレータである『Momentum』を用いて計算した周波数
特性を示す。図８から分かるように、４段の帯域通過フ
ィルタ特性が得られることが実証された。

【００３８】さらに、第１のストリップ導体１３ａを楕
円形状とすることにより、共振モード１８ａと共振モー
ド１８ｂとの間の直接結合を生じさせることができる。
これにより、楕円関数型のフィルタ特性を得ることがで
きる。図９に、HPeesof社製の電磁界シミュレータであ
る『Momentum』によって実際に求めた周波数特性の一例
を示す。図９に示すように、通過帯域のすぐ両側にノッ
チが入り、急峻なスカート特性が得られていることが分
かる。この場合、第１のストリップ導体１３ａの楕円の
長軸を、第１及び第２の結合端子１７ａ、１７ｂのそれ
ぞれの結合箇所の間を通り、共振モード１８ａと共振モ
ード１８ｂの分極方向に対して４５゜の方向に設定すれ
ば、ノッチを効果的に挿入することができる。

【００３９】本発明の高周波回路素子の構成によれば、
平面回路共振器の２つの直交方向に分極した共振モード
を効果的に利用することにより、構成部材である平面回
路共振器の個数の２倍の段数のフィルタを実現すること
ができるので、フィルタ形状の小型化を図ることができ
る。また、本構成によれば、従来、直交モードを利用し
た平面回路共振器フィルタでは明確な構成方法がなかっ
た３段以上の多段フィルタを簡易な方法によって実現す
ることができる。

【００４０】尚、上記第１及び第２の実施の形態におい
ては、平面回路共振器を３個あるいは２個並べた場合を
例に挙げて説明したが、本発明は必ずしもこの構成に限
定されるものではなく、平面回路共振器を４個以上並べ
た場合であっても同様に共振器結合型多段フィルタを実
現することができる。この場合にも、構成部材である平
面回路共振器の個数の２倍の段数のフィルタを実現する
ことができるので、より多くの平面回路共振器を並べた
場合、より段数を増やすことができ、非常に有効であ
る。

【００４１】また、上記第１及び第２の実施の形態にお
いては、平面回路共振器が、基板上に形成された円板形
状あるいは楕円形状のストリップ導体によって構成され
ている場合を例に挙げて説明したが、本発明は必ずしも
この構成に限定されるものではなく、他の形状のストリ
ップ導体であっても平面回路共振器を構成する形状であ
れば同様にフィルタ特性を実現することができる。但
し、この場合の平面回路共振器とは、２次元的に電磁界
が分布し、それによって狭い周波数範囲内に２つの直交
方向に分極した共振モードが存在し得る構造の共振器を
意味している。特に、上記第１及び第２の実施の形態の
ように円板形状あるいは楕円形状のストリップ導体を用
いれば、ストリップ導体パターンの輪郭部における電流
集中を効果的に減少させて、損失をより一層低減するこ
とが可能となる。

【００４２】また、上記第１及び第２の実施の形態にお
いては、平面回路共振器が、基板の表面上に形成された
ストリップ導体と、基板の裏面上に形成されたグランド
プレーンとにより構成される場合を例に挙げて説明した
が、本発明は必ずしもこの構造の平面回路共振器に限定
されるものではない。例えば、図１０に示すような、ス
トリップ導体２３が２枚の基板２１、２２に挟まれ、そ
れぞれの基板２１、２２の外側の面上にそれぞれグラン
ドプレーン２４、２５が形成された構成のトリプレート
型構造や、ストリップ導体とグランドプレーンとが基板
の同一表面上に形成された構成のコプレナー導波路型構
造であっても、平面回路共振器を構成する形状であれば
同様にフィルタ特性を実現することができる。

【００４３】このうちトリプレート型構造を採用すれ
ば、電磁界の放射の影響がほとんどなく、非常に安定で
損失の少ない高周波回路素子を実現することができる。
また、コプレナー導波路型構造を採用すれば、基板の片
面での加工だけで素子を形成することができるので、作
製プロセスの簡略化を図ることができる。

【００４４】また、本発明の高周波回路素子における平
面回路共振器のストリップ導体等に用いられる導体材料
は特に限定されるものではなく、金属材料や超伝導材料
等を用いることができる。金属材料としては、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ及びＡｌ等を挙げることができ、
これらの材料から選ばれる少なくとも２つの金属を積層
して用いれば、良好な電気伝導性が得られ、高周波への
応用に有利である。また、超伝導材料としては、金属系
材料（例えば、Ｐｂ、ＰｂＩｎ、等のＰｂ系材料、Ｎ
ｂ、ＮｂＮ、Ｎｂ₃Ｇｅ等のＮｂ系材料）でもよいが、
実用的には、温度条件の比較的緩やかな高温酸化物超伝
導体（例えば、Ｂａ₂ＹＣｕ₃Ｏ₇）を用いるのが望まし
い。特に、導体材料として超伝導材料を用いれば、挿入
損失が劇的に低減され、また、平面回路共振器中で電流
分布が均一であることから、耐電力性能の優れた高周波
回路素子を実現することができる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る高周
波回路素子によれば、平面回路共振器を基本として構成
されていることにより、高周波電流の導体膜中への集中
を緩和することができるので、損失が小さく、かつ、大
きな電力の高周波信号を扱うことが可能となる。特に、
従来、平面回路共振器を用いたモード結合型フィルタで
は設計が困難であった３段以上の多段共振器結合型フィ
ルタを容易に実現することができるので、低損失で、耐
電力性が優れ、かつ、急峻なスカート特性を有するフィ
ルタを容易に実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における高周波回路
素子を示す平面図

【図２】本発明の第１の実施の形態における高周波回路
素子を示す断面図

【図３】本発明の第１の実施の形態における高周波回路
素子の第３のストリップ導体の形状の例を示す平面図

【図４】本発明の第２の実施の形態における高周波回路
素子を示す平面図

【図５】本発明の第２の実施の形態における高周波回路
素子を導体壁によって囲まれた空洞内に固定した状態を
示す断面図

【図６】本発明の第２の実施の形態における高周波回路
素子のモード結合係数と間隙部の距離との関係を示す図

【図７】本発明の第２の実施の形態における高周波回路
素子のストリップ導体の楕円率とモード結合係数との関
係を示す図

【図８】本発明の第２の実施の形態における高周波回路
素子の周波数特性を表す図

【図９】本発明の第２の実施の形態における高周波回路
素子の他の周波数特性を表す図

【図１０】本発明に係る高周波回路素子の他の例を示す
断面図

【符号の説明】

１、１２、２１、２２基板２ａ、１３ａ第１のストリップ導体２ｂ、１３ｂ第２のストリップ導体２ｃ第３のストリップ導体３、１４、２４、２５グランドプレーン４ａ、１５ａ第１の平面回路共振器４ｂ、１５ｂ第２の平面回路共振器４ｃ第３の平面回路共振器５ａ、５ｂ、１６間隙部６ａ、１７ａ第１の結合端子６ｂ、１７ｂ第２の結合端子７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂ、１８ａ、１８
ｂ、１９ａ、１９ｂ共振モード１０突起部１１切り欠き部２０導体壁２３ストリップ導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】それぞれ２つの直交した共振モードを有
し、順番に結合したｎ個（ｎは２以上の整数）の平面回
路共振器と、２つの結合端子とを備えた高周波回路素子
であって、前記２つの結合端子が第１番目の前記平面回
路共振器が有する２つの共振モードとそれぞれ結合して
いることを特徴とする高周波回路素子。
【請求項２】第ｎ番目の平面回路共振器が有する２つ
の共振モード間に結合を生じさせる手段が備わった請求
項１に記載の高周波回路素子。
【請求項３】平面回路共振器が、基板と、前記基板の
表面上に形成されたストリップ導体と、前記基板の裏面
上に形成されたグランドプレーンとからなる請求項１に
記載の高周波回路素子。
【請求項４】ストリップ導体の形状が円板形状あるい
は楕円形状である請求項３に記載の高周波回路素子。
【請求項５】平面回路共振器が、２枚の基板と、前記
２枚の基板に挟まれたストリップ導体と、前記２枚の基
板の前記ストリップ導体と接していない方の面上にそれ
ぞれ形成されたグランドプレーンとからなる請求項１に
記載の高周波回路素子。
【請求項６】ストリップ導体の形状が円板形状あるい
は楕円形状である請求項５に記載の高周波回路素子。
【請求項７】各平面回路共振器がストリップ導体を備
え、ｎ個の前記ストリップ導体が間隙部を介して直線状
に配置され、ｎ個の前記ストリップ導体のうちの一端部
に位置する第１番目のストリップ導体の輪郭上におい
て、前記第１番目のストリップ導体の中心から見て、前
記第１番目のストリップ導体に隣接する第２番目のスト
リップ導体と反対側の位置に第１の結合端子が結合さ
れ、前記第１の結合端子の結合位置とほぼ９０゜ずれた
位置に第２の結合端子が結合された請求項１に記載の高
周波回路素子。
【請求項８】ストリップ導体の形状が円板形状あるい
は楕円形状である請求項７に記載の高周波回路素子。
【請求項９】素子の周囲が導体壁によって包囲された
請求項１〜８のいずれかに記載の高周波回路素子。
【請求項１０】平面回路共振器の導体材料として超伝
導材料を用いる請求項１〜９のいずれかに記載の高周波
回路素子。