JP2000077785A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 迷光を低減することができる半導体発光素子
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 サファイアよりなる基板１１の一面に、
ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層２５ｂ，ＩｎＧ
ａＮよりなる活性層２６およびｐ型ＡｌＧａＮよりなる
ｐ型クラッド層２７ｃなどを積層した構造部２０を形成
する。ｎ側電極１２およびｐ側電極１４を構造部２０に
対して基板１１の反対側に設ける。基板１１の他面には
金属などよりなる吸収部１５を設け、活性層２６におけ
る発光波長以下の波長を有する光を吸収することができ
るようにする。パッケージに収納して用いても、吸収部
１５により迷光を吸収することができるので、迷光を低
減することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、順次積層された第
１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を
それぞれ有する構造部に対して積層方向の一方側に第１
の電極および第２の電極が設けられた半導体発光素子、
または構造部が発光波長以下の波長を有する光を吸収し
ない材料よりなる基板に積層された半導体発光素子およ
びそれらの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＡｌＧａＩｎＮ層などのＩＩＩ族
ナイトライド化合物半導体層を基板に積層して形成した
半導体レーザ（laser diode ；ＬＤ）または発光ダイオ
ード（light emitting diode；ＬＥＤ）などの半導体発
光素子は、可視領域から紫外領域までの発光を得ること
ができることから活発に研究開発が行われている。その
中でも特に光記録の分野では、光ディスクなどの記録密
度を向上させるために短波長域の光が得られる半導体レ
ーザの実用化が求められている。

【０００３】このような半導体発光素子は、通常、図１
６に示したように、パッケージ１３０の内部に収納され
て用いられる。このパッケージ１３０は、例えば、光を
外部に取り出す取り出し窓１３５ａが設けられた蓋体１
３５と、この蓋体１３５を支持する支持体１３４とを有
しており、内部には、支持体１３４に支持された半導体
発光素子１１０の載置台１３６が設けられている。但
し、このようなパッケージ１３０を用いた場合、パッケ
ージ１３０の内壁および取り出し窓１３５ａにおいて反
射光（いわゆる迷光）が発生してしまうという問題があ
る。この迷光の一部は、取り出し窓１３５ａから外部に
射出され、例えば、光記録メディアへの書き込みおよび
読み取りにおいて誤信号の原因となってしまう。

【０００４】そこで、ＡｌＧａＡｓ系の半導体発光素子
あるいはＡｌＧａＩｎＰ系の半導体発光素子などにおい
ては、図１７に示したように、パッケージ２３０の内壁
に角度を設けることにより迷光を射出させないようにし
ている。これについて、図１８に示したように、パッケ
ージ２３０に収納した半導体発光素子２１０とコリメー
タレンズ３００とから構成される単純な光学系を例に挙
げて具体的に説明する。

【０００５】この光学系では、信号として使用される光
はコリメータレンズ３００を通過する光のみである。コ
リメータレンズ３００を通過する光は、パッケージ２３
０の取り出し窓２３５ａを必ず通過するので、図１８に
おいて網かけで示したｘとｘおよびｙとｙとを結んだ各
延長線の間の領域ｚに必ず存在することになる。従っ
て、この領域ｚに迷光が存在すると実用上不都合が生じ
ることになる。そこで、ＡｌＧａＡｓ系の半導体発光素
子などでは、図１７に示したように、半導体発光素子２
１０よりも載置台２３６側に反射されてきた迷光は載置
台２３６の側面に傾斜を持たせることにより領域ｚ内に
戻らないようにし、載置台２３６よりも半導体発光素子
２１０側に反射されてきた迷光は半導体発光素子２１０
の基板２１１に向かって反射させることにより領域ｚ内
に戻らないようにしている。

【０００６】このように、半導体発光素子２１０の基板
２１１に向かって反射させることにより領域ｚ内に迷光
が戻らないようにできるのは、ＡｌＧａＡｓ系の半導体
発光素子２１０などでは、通常、基板２１１にＧａＡｓ
が用いられており、発光波長以下の波長を有する光を基
板２１１により吸収することができるからである。すな
わち、積極的に基板に迷光を反射させることにより、パ
ッケージ２３０内における迷光を減少させることができ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＩＩ
族ナイトライド化合物半導体を用いた半導体発光素子で
は、一般に、基板には発光波長以下の波長を有する光を
吸収しないサファイアが用いられており、基板により迷
光を吸収させることができない。これは、基板を構成す
る材料は、一般に基板に成長させる半導体層との格子定
数との関係および良好な半導体層を成長させることがで
きるかにより選択されるのが通常であり、発光波長以下
の波長を有する光を吸収することができるか否かという
ことからは選択されないからである。従って、従来のＩ
ＩＩ族ナイトライド化合物半導体を用いた半導体発光素
子では、図１９に示したように、半導体発光素子１１０
に反射されてきた迷光は、半導体発光素子１１０の基板
によっては吸収されずに、取り出し窓１３５ａから外部
に射出されてしまう可能性が高いという問題があった。

【０００８】なお、一般に、図２０に示したように、光
が物質Ｍにあたると、入射光Ｌ１のもつエネルギーは反
射光Ｌ２，透過光Ｌ３および吸収の３つのエネルギーに
分配される。これを式に表すと式１に示したようになる
（櫛田孝司著「光物理学」第５章，共立出版社出版を参
照）。

【式１】入射光強度＝再反射光強度＋透過光強度＋吸収 これは、物質固有の性質によるものであり、吸収がない
ということは、反射と透過の２成分にエネルギーが分配
されることになるので、吸収がある場合に比べてそれら
のエネルギーすなわち強度が増大することが定性的にも
わかる。

【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、迷光を低減することができる半導体
発光素子およびその製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
素子は、順次積層された第１導電型半導体層，活性層お
よび第２導電型半導体層をそれぞれ有すると共に、積層
方向に対して垂直な方向に位置する側面と、積層方向の
一方に位置し第１導電型半導体層よりなる第１面と、積
層方向の一方に位置し第２導電型半導体層よりなる第２
面と、積層方向の他方に位置する第３面とをそれぞれ有
し、活性層において光を発生する構造部と、この構造部
の第１面に設けられた第１の電極と、構造部の第２面に
設けられた第２の電極と、構造部の側面側および第３面
側のうちの少なくとも一部に設けられ、構造部における
発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部とを備
えたものである。

【００１１】本発明による他の半導体発光素子は、順次
積層された第１導電型半導体層，活性層および第２導電
型半導体層をそれぞれ有すると共に、積層方向に対して
垂直な方向に位置する側面を有し、活性層において光を
発生する構造部と、対向する一対の面の一面に構造部が
積層されると共に、構造部の積層方向に対して垂直な方
向に位置する側面を有し、構造部における発光波長以下
の波長を有する光を吸収しない材料よりなる基板と、基
板の一面と対向する他面，基板の側面および構造部の側
面からなるうちの少なくとも一部に設けられ、構造部に
おける発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部
とを備えたものである。

【００１２】本発明による半導体素子の製造方法は、第
１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層を
順次積層し、積層方向に対して垂直な方向に位置する側
面と、積層方向の一方に位置し第１導電型半導体層より
なる第１面と、積層方向の一方に位置し第２導電型半導
体層よりなる第２面と、積層方向の他方に位置する第３
面とをそれぞれ有し、活性層において光を発生する構造
部を形成する工程と、構造部の第１面に第１の電極を形
成する工程と、構造部の第２面に第２の電極を形成する
工程と、構造部の側面側および第３面側のうちの少なく
とも一部に、構造部における発光波長以下の波長を有す
る光を吸収する吸収部を形成する工程とを含むものであ
る。

【００１３】本発明による他の半導体発光素子の製造方
法は、対向する一対の面と、この一対の面を結ぶ側面と
をそれぞれ有し、構造部における発光波長以下の波長を
有する光を吸収しない材料よりなる基板の一対の面のう
ちの一面に、第１導電型半導体層，活性層および第２導
電型半導体層を順次積層し、積層方向に対して垂直な方
向に位置する側面を有しており活性層において発を発生
する構造部を形成する工程と、基板の一面と対向する他
面，基板の側面および構造部の側面からなるうちの少な
くとも一部に、構造部における発光波長以下の波長を有
する光を吸収する吸収部を形成する工程とを含むもので
ある。

【００１４】本発明による半導体発光素子では、第１の
電極と第２の電極との間に電圧が印加されると、第１導
電型半導体層と第２導電型半導体層との間に電圧が印加
され、活性層に電流が注入されて発光が起こる。ここで
は、構造部の側面側および第３面側のうちの少なくとも
一部に吸収部が設けられているので、例えば、この半導
体発光素子をパッケージに収納して用いても、迷光が吸
収部により吸収される。

【００１５】本発明による他の半導体発光素子では、第
１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に電圧が
印加されると、活性層に電流が注入され発光が起こる。
ここでは、基板の他面，基板の側面および構造部の側面
からなるうちの少なくとも一部に吸収部が設けられてい
るので、例えば、この半導体発光素子をパッケージに収
納して用いても、迷光が吸収部により吸収される。

【００１６】本発明による半導体素子の製造方法では、
第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半導体層
を順次積層することにより構造部が形成される。構造部
の第１面には第１の電極が形成され、構造部の第２面に
は第２の電極が形成される。また、構造部の側面側およ
び第３面側のうちの少なくとも一部には吸収部が形成さ
れる。

【００１７】本発明による他の半導体発光素子の製造方
法では、基板の一面に、第１導電型半導体層，活性層お
よび第２導電型半導体層を順次積層することにより構造
部が形成される。また、基板の他面，基板の側面および
構造部の側面からなるうちの少なくとも一部に吸収部が
形成される。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１９】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態に係る半導体発光素子である半導体レーザ
１０の構成を表すものである。この半導体レーザ１０
は、対向する一対の面を有する基板１１の一面に、複数
の半導体層を有する構造部２０が積層されている。基板
１１は、例えば、積層方向の厚さ（以下、単に厚さと言
う）が３００μｍのサファイアにより構成されており、
構造部２０は基板１１のＣ面に形成されている。基板１
１は、また、一対の面を結ぶ側面を有している。

【００２０】構造部２０は、基板１１の側から順に積層
されたバッファ層２１，下地層２２，マスク層２３，被
覆成長層２４，第１導電型半導体層２５，活性層２６お
よび第２導電型半導体層２７をそれぞれ有している。バ
ッファ層２１は、例えば、厚さが３０ｎｍであり、不純
物を添加しないundope−ＧａＮにより構成されている。
このバッファ層２１は、低温で成長させた非晶質に近い
結晶よりなり、下地層２２を成長させる際の核となるも
のである。下地層２２は、例えば、厚さが２μｍであ
り、不純物を添加しないundope−ＧａＮの結晶により構
成されている。

【００２１】マスク層２３は、例えば、厚さが０．１μ
ｍであり、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）により構成されて
いる。このマスク層２３は、また、図１において紙面に
対して垂直な方向において帯状に延長された複数の開口
部２３ａと、各開口部２３ａの間に形成され同様に帯状
に延長された複数のマスク部２３ｂとを有しており、こ
のマスク層２３の上に被覆成長層２４を横方向に成長さ
せることにより、下地層２２から貫通転位が伝わるのを
遮断するようになっている。マスク層２３における各マ
スク部２３ｂの幅（マスク幅）は例えば１０μｍであ
り、各開口部２３ａの幅（開口幅）は例えば４μｍであ
る。被覆成長層２４は、例えば、厚さが１０μｍであ
り、不純物を添加しないundope−ＧａＮにより構成され
ている。

【００２２】第１導電型半導体層２５は、被覆成長層２
４の側から順に積層されたｎ側コンタクト層２５ａ，ｎ
型クラッド層２５ｂおよび第１のガイド層２５ｃをそれ
ぞれ有している。ｎ側コンタクト層２５ａは、例えば、
厚さが３μｍであり、ケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物
を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。ｎ型クラ
ッド層２５ｂは、例えば、厚さが１μｍであり、ケイ素
などのｎ型不純物を添加したｎ型Ａｌ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ混
晶により構成されている。第１のガイド層２５ｃは、例
えば、厚さが０．１μｍであり、ケイ素などのｎ型不純
物を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。

【００２３】活性層２６は、例えば、不純物を添加しな
いundope−ＩｎＧａＮ混晶により構成されており、厚さ
が３ｎｍのＩｎ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ混晶よりなる井戸層と、
厚さが４ｎｍのＩｎ_0.02Ｇａ_0.98Ｎ混晶よりなるバリア
層との多重量子井戸構造を有している。この活性層２６
は発光層として機能するものであり、その発光波長はレ
ーザ発振において約４０５ｎｍとなっている。

【００２４】第２導電型半導体層２７は、活性層２６の
側から順に積層された劣化防止層２７ａ，第２のガイド
層２７ｂ，ｐ型クラッド層２７ｃおよびｐ側コンタクト
層２７ｄをそれぞれ有している。劣化防止層２７ａは、
例えば、厚さが２０ｎｍであり、マグネシウム（Ｍｇ）
などのｐ型不純物を添加したｐ型Ａｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎ混
晶により構成されている。第２のガイド層２７ｂは、例
えば、厚さが０．１μｍであり、マグネシウムなどのｐ
型不純物を添加したｐ型ＧａＮにより構成されている。
ｐ型クラッド層２７ｃは、例えば、厚さが０．８μｍで
あり、マグネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型Ａ
ｌ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ混晶により構成されている。ｐ側コン
タクト層２７ｄは、例えば、厚さが０．５μｍであり、
マグネシウムなどのｐ型不純物を添加したｐ型ＧａＮ混
晶により構成されている。

【００２５】このような構成を有する構造部２０は、積
層方向の一方に、第１導電型半導体層２５であるｎ側コ
ンタクト層２５ａよりなる第１面２０ａと、第２導電型
半導体層２７であるｐ側コンタクト層２７ｄよりなる第
２面２０ｂとをそれぞれ有しており、積層方向の他方
に、バッファ層２１よりなる第３面２０ｃを有してい
る。

【００２６】構造部２０の第１面２０ａには、第１の電
極としてのｎ側電極１２が設けられている。ｎ側電極１
２は、ｎ側コンタクト層２５ａの側から順にチタン（Ｔ
ｉ）層，アルミニウム（Ａｌ）層および金（Ａｕ）層を
積層して加熱処理により合金化した構造を有しており、
ｎ側コンタクト層２５ａと電気的に接続されている。構
造部２０の第２面２０ｂには、二酸化ケイ素などの絶縁
材料よりなる絶縁層１３と共に、この絶縁層１３に設け
られた開口１３ａを介して第２の電極としてのｐ側電極
１４が形成されている。ｐ側電極１４は、ｐ側コンタク
ト層２７ｄの側からニッケル（Ｎｉ）層と金（Ａｕ）層
とを順次積層して加熱処理により合金化された構造を有
しており、ｐ側コンタクト層２７ｄと電気的に接続され
ている。ｐ側電極１４は、また、電流狭窄をするように
図１では紙面に対して垂直な方向において帯状に延長さ
れており、ｐ側電極１４に対応する活性層２６の領域が
発光領域となるようになっている。

【００２７】この半導体レーザ１０は、また、基板１１
の他面側（構造部２０の第３面２０ｃ側）に吸収部１５
を備えている。この吸収部１５は、活性層２６における
発光波長以下の波長を有する光を吸収する材料により構
成されている。例えば、金，ニッケル，白金（Ｐｔ）あ
るいはアルミニウムなどの金属、またはこれらの合金、
またはアモルファスシリコンあるいはＺｎＳなどの誘電
体により構成されている。この吸収部１５は、基板１１
の他面側全面に設けられていてもよいが、図２に吸収部
１５の側から見た図を示したように、基板１１の他面の
うち周縁部を除く一部に対して設けられた方が好まし
い。これは、後述する製造方法においても説明するよう
に、このような半導体レーザ１０では、複数の半導体レ
ーザ形成領域を有する基板１１に構造部２０を積層した
のち各半導体レーザ形成領域において分割して形成する
のが一般的であり、その場合、基板１１の他面のうち周
縁部に吸収部１５が形成されない方が分割が容易となる
からである。

【００２８】また、この吸収部１５の厚さは、吸収部１
５を構成する材料の吸収係数をα（ｃｍ^-1）とし、吸収
部１５の厚さをｄ（ｃｍ）とした場合に、式２に示した
ように、その積が１以上となるように決定されることが
好ましい。

【式２】α×ｄ≧１

【００２９】これは、式３に示した透過光強度と吸収部
１５の吸収係数αおよびその厚さｄとの関係（櫛田孝司
著「量子光学」第２章，朝倉書店出版を参照）から分か
るように、吸収部１５の吸収係数αとその厚さｄとの積
が１以上でないと十分に透過光強度を小さくすることが
できないからである。なお、式３における侵入光強度と
いうのは、式４に示したように、入射光強度から再反射
光強度を引いたものである。

【００３０】

【式３】透過光強度＝侵入光強度×ｅｘｐ（−α×ｄ）

【式４】侵入光強度＝入射光強度−再反射光強度

【００３１】なお、表１に、吸収部１５を金により構成
した場合における波長λに対する吸収係数αと、吸収係
数αと厚さｄとの積が１となる場合の厚さｄとを示す。
すなわち、表１に示した厚さｄは式３におけるα×ｄが
１となる場合の値であり、吸収部１５を透過する光の透
過光強度を侵入光強度の３６％程度にまで低減すること
ができる値となる。また、表１において、κは光の吸収
量を示す物性値であり、吸収係数αとは式５に示したよ
うな関係を有している。

【式５】α＝４πκ／λ

【００３２】

【表１】

【００３３】また、同様に、吸収部１５をニッケルによ
り構成した場合を表２に、吸収部を白金により構成した
場合を表３に、吸収部１５をアルミニウムにより構成し
た場合を表４に、吸収部１５をアモルファスシリコンに
より構成した場合を表５に、吸収部１５をＺｎＳにより
構成した場合を表６にそれぞれ示す。

【００３４】

【表２】

【００３５】

【表３】

【００３６】

【表４】

【００３７】

【表５】

【００３８】

【表６】

【００３９】表１乃至表６に示したように、κおよび吸
収係数αが正の値である場合にはその波長λの光を吸収
することから、これらにより吸収部１５を構成すれば、
これらの波長を有する光を吸収部１５において吸収でき
ることが分かる。また、吸収部１５をこれらの金属また
はシリコンにより構成すれば、数ｎｍ〜十数ｎｍ程度の
厚さｄでこれらの波長を有する光を十分に吸収できるこ
とが分かる。

【００４０】この半導体レーザ１０は、更に、図１にお
いては図示しないが図２に示したように、ｐ側電極１４
の長さ方向の端部に一対の反射鏡膜１６，１７がそれぞ
れ形成されている。各反射鏡膜１６，１７は、例えば、
二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）膜と酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ）膜とを交互に積層してそれぞれ構成されており、反
射鏡膜１６の反射率は低くなるように、反射鏡膜１７の
反射率は高くなるようにそれぞれ調整されている。これ
により、活性層２６において発生した光は一対の反射鏡
膜の間を往復して増幅され、反射鏡膜１６からレーザビ
ームとして射出されるようになっている。すなわち、ｐ
側電極１４の長さ方向が共振器方向となっている。

【００４１】このような構成を有する半導体レーザ１０
は、次のようにして製造することができる。

【００４２】図３および図５はその各製造工程を表すも
のである。なお、図３および図４は図１と同一方向（ｐ
側電極１４の延長方向に対して垂直な方向）における断
面図であり、図５は吸収部１５の側から見た図である。
まず、図３（Ａ）に示したように、例えば、複数の半導
体レーザ形成領域を有するサファイアよりなる基板１１
を用意し、ＭＯＣＶＤ法により、基板１１の一面（Ｃ
面）にundope−ＧａＮよりなるバッファ層２１を形成す
る。その際、例えば、基板１１の温度は５２０℃と低く
し、非晶質に近い結晶層を成長させる。また、原料には
トリメチルガリウム（（ＣＨ₃ ）₃ Ｇａ）とアンモニア
（ＮＨ₃ ）を用いる。なお、図３および図４において
は、１つの半導体レーザ形成領域のみを代表して表して
いる。

【００４３】次いで、同じく図３（Ａ）に示したよう
に、バッファ層２１の上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法によ
り、バッファ層２１と同様にしてundope−ＧａＮよりな
る下地層２２を形成する。但し、基板１１の温度は例え
ばバッファ層２１を成長させる場合よりも高温の例えば
１０２０℃とし、結晶層を成長させる。

【００４４】続いて、図３（Ｂ）に示したように、下地
層２２の上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depos
ition ）法により、二酸化ケイ素よりなり帯状に延長さ
れた複数のマスク部２３ｂを有するマスク層２３を選択
的に形成する。そののち、同じく図３（Ｂ）に示したよ
うに、マスク層２３の上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法によ
り、下地層２２と同様にしてundope−ＧａＮよりなる被
覆成長層２４を横方向に成長させる。

【００４５】被覆成長層２４を形成したのち、図３
（Ｃ）に示したように、その上に、例えば、ＭＯＣＶＤ
法により、ｎ型ＧａＮよりなるｎ側コンタクト層２５
ａ，ｎ型Ａｌ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ混晶よりなるｎ型クラッド
層２５ｂ，ｎ型ＧａＮよりなる第１のガイド層２５ｃ，
undope−ＧａＩｎＮ混晶よりなる活性層２６，ｐ型Ａｌ
_0.2Ｇａ_0.8 Ｎ混晶よりなる劣化防止層２７ａ，ｐ型Ｇ
ａＮよりなる第２のガイド層２７ｂ，ｐ型Ａｌ_0.1 Ｇａ
_0.9 Ｎ混晶よりなるｐ型クラッド層２７ｃおよびｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ側コンタクト層２７ｄを順次成長させ
る。

【００４６】その際、例えば、基板１１の温度は８００
〜１０００℃とし、アルミニウムの原料としてはトリメ
チルアルミニウム（（ＣＨ₃ ）₃ Ａｌ）、ガリウムの原
料としてはトリメチルガリウム、インジウムの原料とし
てはトリメチルインジウム（（ＣＨ₃ ）₃ Ｉｎ）および
窒素の原料ガスとしてはアンモニアガスをそれぞれ用い
る。また、ｎ型不純物としてケイ素を添加する場合に
は、ケイ素の原料ガスとしてモノシランガス（Ｓｉ
Ｈ₄ ）を用い、ｐ型不純物としてマグネシウムを添加す
る場合には、マグネシウムの原料としてビス＝メチルシ
クロペンタジエニルマグネシウム（（ＣＨ₃ Ｃ₅ Ｈ₄ ）
₂ Ｍｇ）あるいはビス＝シクロペンタジエニルマグネシ
ウム（（Ｃ₅ Ｈ₅ ）₂ Ｍｇ）をそれぞれ用いる。

【００４７】ｎ側コンタクト層２５ａからｐ側コンタク
ト層２７ｄまでの各層を成長させたのち、図４（Ａ）に
示したように、ｐ側コンタクト層２７ｄの上に、例え
ば、ＣＶＤ法により二酸化ケイ素などの絶縁体よりなる
絶縁層１３を形成する。絶縁層１３を形成したのち、リ
ソグラフィ技術を用い、ｎ側電極１２の形成位置に対応
してｐ側コンタクト層２７ｄ，ｐ型クラッド層２７ｃ，
第２のガイド層２７ｂ，劣化防止層２７ａ，活性層２
６，第１のガイド層２５ｃおよびｎ型クラッド層２５ｂ
を順次選択的に除去し、ｎ側コンタクト層２５ａを露出
させる。すなわち、構造部２０の第１面２０ａを露出さ
せる。

【００４８】ｎ側コンタクト層２５ａを露出させたの
ち、図４（Ｂ）に示したように、全面（すなわち絶縁層
１３およびｎ側コンタクト層２５ａの上）に、図示しな
いレジスト膜を塗布形成し、フォトリソグラフィによっ
てｎ側電極１２の形成位置に対応したマスクパターンを
形成する。そののち、全面（すなわちｎ側コンタクト層
２５ａおよび図示しないレジスト膜の上）に、例えば、
真空蒸着法によりチタン層，アルミニウム層および金層
を選択的に順次蒸着し、図示しないレジスト膜をその上
に蒸着された各金属層と共に除去して（リフトオフ）、
ｎ側電極１２を形成する。

【００４９】ｎ側電極５を形成したのち、同じく図４
（Ｂ）に示したように、全面（すなわち絶縁層１３，ｎ
側コンタクト層２５ａおよびｎ側電極１２の上）に、図
示しないレジスト膜を塗布形成し、フォトリソグラフィ
によってｐ側電極１４の形成位置に対応したマスクパタ
ーンを形成する。そののち、これをマスクとしてエッチ
ングを行い、絶縁層１３を選択的に除去してｐ側電極１
４の形成位置に対応した開口１３ａを形成し、ｐ側コン
タクト層２７ｄを露出させる。すなわち、構造部２０の
第２面を露出させる。ｐ側コンタクト層２７ｄを露出さ
せたのち、全面（すなわちｐ側コンタクト層２７ｄおよ
び図示しないレジスト膜の上）に、例えば、真空蒸着法
によりニッケル層および金層を順次蒸着し、図示しない
レジスト膜をその上に蒸着された各金属層と共に除去し
て（リフトオフ）、ｐ側電極１４を形成する。そのの
ち、加熱処理を行い、ｐ側電極１４およびｎ側電極１２
を合金化させる。

【００５０】加熱処理を行ったのち、図５に示したよう
に、基板１１の他面に、図示しないレジスト膜を塗布形
成し、フォトリソグラフィによって吸収部１５の形成位
置に対応したマスクパターンを形成する。そののち、全
面（すなわち基板１１および図示しないレジスト膜の
上）に、例えば、真空蒸着法により金層，白金層，ニッ
ケル層あるいはアルミニウム層などの金属層を蒸着し、
図示しないレジスト膜をその上に蒸着された金属層と共
に除去して（リフトオフ）、吸収部１５を形成する。な
お、図５においては複数の半導体レーザ形成領域１０ａ
を表しており、破線により囲まれた領域が各半導体レー
ザ形成領域１０ａに該当している。

【００５１】なお、吸収部１５をアモルファスシリコン
あるいはＺｎＳなどの半導体により構成する場合には、
基板１１の他面に、例えば、ＣＶＤ法，分子線エピタキ
シー（Molecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法あるいはＭ
ＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition
）法により誘電体層を形成したのち、リソグラフィ技
術を用い、吸収部形成領域に対応してその誘電体層を選
択的に除去して、吸収部１５を形成する。

【００５２】吸収部１５を形成したのち、ここでは図示
しないが、基板１１を各半導体レーザ形成領域１０ａに
対応させてｐ側電極１４の長さ方向に対して垂直に所定
の幅で分割する。そののち、分割した一対の側面に、例
えばＥ−ガン蒸着法、ＣＶＤ法により一対の反射鏡膜１
６，１７をそれぞれ形成する。各反射鏡膜１６，１７を
形成したのち、基板１１を各半導体レーザ形成領域１０
ａに対応させてｐ側電極１４の長さ方向と平行に所定の
幅で分割する。なお、これら分割工程においては、図５
に示したように、吸収部１５を各半導体レーザ形成領域
１０ａの周縁部に形成しない方が、吸収部１５が妨げと
ならずに容易に分割することができるので好ましい。こ
れにより、図１に示した半導体レーザ１０が形成され
る。

【００５３】このようにして製造した半導体レーザ１０
は、次のようにパッケージに収納されて用いられる。

【００５４】図６乃至図８はパッケージ３０の構成およ
びこのパッケージ３０に収納された半導体レーザ１０の
状態を表すものである。なお、図８は図７におけるＩ−
Ｉ線に沿った断面図である。まず、この半導体レーザ１
０は、図６に示したように、配設基板３１にｎ側電極１
２およびｐ側電極１４を対向させて配設される。この配
設基板３１は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）な
どの絶縁体よりなり、半導体レーザ１０が配設される側
の面には、ｎ側電極１２を接続する配線３２と、ｐ側電
極１４を接続する配線３３とがそれぞれ設けられてい
る。各配線３２，３３は、例えば、金などの金属により
構成されている。配線３２の配設基板３１と反対側には
ｎ側電極１２と対応した位置に半田層３２ａが形成され
ており、配線３３の配設基板３１と反対側にはｐ側電極
１４と対応した位置に半田層３３ａが形成されている。
すなわち、半導体レーザ１０のｎ側電極１２は半田層３
２ａを介して配線３２と電気的に接続され、ｐ側電極１
４は半田層３３ａを介して配線３３と電気的に接続され
る。

【００５５】次いで、図７および図８に示したように、
配設基板３１に配設された半導体レーザ１０は、パッケ
ージ３０の内部に収納される。このパッケージ３０は、
例えば、円盤状の支持体３４と中空円筒状の蓋体３５と
を有している。蓋体３５は、その一端部が開放された状
態、他端部が閉鎖された状態となっており、開放端部が
支持体３４の一面に対して配設されている。蓋体３５の
内部には、載置台３６が支持体３４の一面に対して形成
されており、半導体レーザ１０はこの載置台３６に配設
基板３１を介して載置される。また、蓋体３５の閉鎖端
部には、半導体レーザ１０に対応して、半導体レーザ１
０から射出されたレーザビームをパッケージ３０の外部
に取り出すための取り出し窓３５ａが設けられている。

【００５６】載置台３６および支持体３４は、例えば、
金属などの導電体により構成されており、支持体３４に
設けられたピン３７を介して外部配線と電気的に接続さ
れるようになっている。また、支持体３４には、支持体
３４とは絶縁性が確保されたピン３８が内部から外部に
向かって貫通されており、ピン３８を介しても外部配線
と電気的に接続することができるようになっている。す
なわち、半導体レーザ１０は、配設基板３１の配線３２
とピン３８とがワイヤで接続されると共に、配線３３と
載置台３６とがワイヤで接続されることにより、外部配
線と電気的に接続される。

【００５７】このようにしてパッケージ３０に収納され
た半導体レーザ１０は、次のように作用する。

【００５８】この半導体レーザ１０では、パッケージ３
０のピン３７およびピン３８を介して、半導体レーザ１
０のｎ側電極１２とｐ側電極１４との間に所定の電圧が
印加されると、活性層２６に電流が注入され、電子−正
孔再結合により発光が起こる。この光は、一対の反射鏡
膜１６，１７の間を往復して増幅され、反射鏡膜１６か
らレーザビームとして射出される。この半導体レーザ１
０から射出されたレーザビームの一部は、パッケージ３
０の取り出し窓３５ａを介してパッケージ３０の外部に
取り出される。

【００５９】また、半導体レーザ１０から射出されたレ
ーザビームの他の一部は、図９に太実線の矢印で示した
ように、パッケージ３０の内壁または取り出し窓３５ａ
において反射し、迷光となって、その一部は半導体レー
ザ１０に戻ってくる。更に、半導体レーザ１０の反射鏡
膜１７からもわずかながらレーザビームが射出されてお
り、図９において細実線の矢印で示したように、パッケ
ージ３０の内壁において反射し、迷光となって、その一
部は半導体レーザ１０に戻ってくる。半導体レーザ１０
に戻ってきた迷光は、半導体レーザ１０の表面において
一部が再反射光となり、一部が侵入光となる。

【００６０】ここで、本実施の形態に係る半導体レーザ
１０では、基板１１の他面に吸収部１５を備えているの
で、半導体レーザ１０に侵入した迷光の一部は吸収部１
５に到達し、吸収部１５において一部が吸収され、一部
は図９において破線の矢印で示したように透過する。す
なわち、吸収部１５を透過する迷光の透過光強度は、侵
入光強度よりも吸収部１５において吸収された分だけ小
さくなる。よって、パッケージ３０内における迷光は低
減され、取り出し窓３５ａから取り出される迷光も低減
される。また、半導体レーザ１０においても活性層２６
に到達する迷光が低減され、半導体レーザ１０の動特性
は安定し、レーザノイズが低減する。

【００６１】このように本実施の形態に係る半導体レー
ザ１０によれば、基板１１の他面（構造部２０の第３面
２０ｃ側）に吸収部１５を備えるようにしたので、パッ
ケージ３０に収納して用いても、迷光を吸収部１５によ
り吸収することができる。よって、パッケージ３０内の
迷光を低減することができ、取り出し窓３５ａから取り
出される迷光も低減することができる。従って、この半
導体レーザ１０を用いた装置の誤動作を防止することが
できる。また、半導体レーザ１０においても、活性層２
６に到達する迷光を低減することができ、半導体レーザ
１０の動特性を安定させることができると共に、レーザ
ノイズを低減することができる。

【００６２】また、本実施の形態に係る半導体レーザの
製造方法によれば、基板１１の他面（構造部２０の第３
面２０ｃ側）に吸収部１５を形成するようにしたので、
本実施の形態に係る半導体レーザ１０を容易に製造する
ことができる。

【００６３】（第２の実施の形態）図１０は本発明の第
２の実施の形態に係る半導体レーザ４０を基板１１側か
ら見て表すものである。この半導体レーザ４０は、吸収
部４５の形状が異なることを除き、第１の実施の形態と
同一の構成および作用を有している。また、第１の実施
の形態と同様にして製造することができる。よって、こ
こでは、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳
細な説明を省略する。

【００６４】吸収部４５は、四角形の四隅にマーク部４
５ａとしての切欠部が形成された１２角形状となってい
る。このマーク部４５ａは、第１の実施の形態において
説明したように半導体レーザ４０を配設基板３１に配設
する際、または半導体レーザ４０をパッケージ３０の載
置台３６に載置する際に、半導体レーザ４０の位置を決
めるための印として用いられる。これは、基板１１が発
光波長以下の波長を有する光を吸収しないサファイアに
より構成されているのに対して、吸収部４５はそれらの
光を吸収する材料により構成されていることを利用した
ものであり、この半導体レーザ４０は、マーク部４５ａ
を画像処理などで識別することにより位置決めすること
ができるようになっている。

【００６５】このように本実施の形態によれば、吸収部
４５がマーク部４５ａを有するようにしたので、第１の
実施の形態において説明した効果に加えて、半導体レー
ザ４０を配設基板３１に配設する際、あるいは半導体レ
ーザ４０をパッケージ３０の載置台３６に載置する際な
どに、画像処理などを利用することにより容易にその位
置決めを行うことができる。よって、タクトを短縮する
ことができると共に、位置合わせの精度を高めることが
でき、歩留りを向上させることができる。

【００６６】なお、本実施の形態では、吸収部４５を１
２角形状とすることにより切欠部よりなるマーク部４５
ａを形成するようにしたが、図１１に示した半導体レー
ザ５０のように、吸収部５５が複数の吸収領域５５ｂを
有するように構成し、各吸収領域５５ｂの間の領域をマ
ーク部５５ａとするようにしてもよい。すなわち、ここ
においてマーク部４５ａ，５５ａとは、吸収部４５，５
５の位置を示すことができる特徴部分を言う。

【００６７】（第３の実施の形態）図１２は本発明の第
３の実施の形態に係る半導体レーザ６０を基板１１側か
ら見て表すものである。この半導体レーザ６０は、吸収
部６５の形状が異なることを除き、第１の実施の形態と
同一の構成および作用を有している。また、第１の実施
の形態と同様にして製造することができる。よって、こ
こでは、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳
細な説明を省略する。

【００６８】吸収部６５は、共振器方向Ａ（ｐ側電極１
４の延長方向）において発光波長の１／２の整数倍の長
さと同一のピッチ幅Ｂで配列された複数の吸収領域６５
ｂを有している。ピッチ幅Ｂというのは、図１２におい
ても示したように、１つの吸収領域６５ｂの幅Ｃと、そ
れに隣接する吸収領域６５ｂとの間の幅Ｄとを合わせた
幅のことである。

【００６９】このように本実施の形態によれば、吸収部
６５が、共振器方向Ａにおいて発光波長の１／２の整数
倍の長さと同一のピッチ幅Ｂで配列された複数の吸収領
域６５ｂを有するようにしたので、第１の実施の形態に
おいて説明した効果に加えて、ＤＦＢ（Distributed Fe
edback）と同様の効果を得ることができる。よって、縦
モードの選択性を高めることができる（Casey and Pani
sh ; "Heterostructure Lasers" Chap. 7 Academic Pre
ssを参照）。

【００７０】（第４の実施の形態）図１３は本発明の第
４の実施の形態に係る半導体レーザ７０を表すものであ
る。この半導体レーザ７０は、吸収部１５が除去され、
基板７１が吸収部としての機能を有することを除き、第
１の実施の形態と同一の構成および作用を有している。
また、第１の実施の形態と同様にして製造することがで
きる。よって、ここでは、同一の構成要素には同一の符
号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００７１】基板７１は、例えば、Ｆｅ，Ｃｕなどを不
純物として侵入させあるいは添加したサファイアにより
構成されており、構造部２０における発光波長以下の波
長を有する光を吸収することができるようになってい
る。よって、本実施の形態によれば、第１の実施の形態
と同一の効果を得ることができる。

【００７２】以上、各実施の形態を挙げて本発明を説明
したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるもので
はなく、種々の変形が可能である。例えば、上記第１乃
至第３の各実施の形態においては、吸収部１５，４５，
５５，６５を構成する材料について具体的な例を挙げて
説明したが、発光波長以下の波長を有する光を吸収する
ことができればどのような材料を用いてもよく、亜鉛
（Ｚｎ）あるいは鉛（Ｐｂ）などの他の金属、またはそ
れらの合金、または混晶の半導体、または酸化物あるい
は窒化物などの化合物を用いることもできる。また、上
記部第１乃至第３の各実施の形態においては、吸収部１
５，４５，５５，６５を単層により構成するようにした
が、積層された複数の層により構成するようにしてもよ
い。

【００７３】更に、上記第１乃至第３の各実施の形態に
おいては、吸収部１５，４５，５５，６５の形状につい
て具体的な例を挙げて説明したが、吸収部は他の形状を
有していてもよい。例えば、図１４に示したように、吸
収部８５を異なった形状を有する複数の吸収領域８５ｂ
により構成するようにしてもよく、図１５に示したよう
に、吸収部９５が吸収領域９５ｂを基板１１の他面全体
にわたって有するのではなく、一部においてのみ有する
ようにしてもよい。

【００７４】加えて、上記第１乃至第３の各実施の形態
においては、吸収部１５，４５，５５，６５を基板１１
の他面（構造部２０の第３面２０ｃ側）に形成する場合
について説明したが、これらに加え、構造部２０の積層
方向に対して垂直な方向に位置する側面側（すなわち構
造部２０の側面および基板１１の側面）の少なくとも一
部にも吸収部を設けるようにしてもよい。また、これら
に代えて、構造部２０の側面側の少なくとも一部にのみ
吸収部を設けるようにしてもよい。但し、側面から光が
射出されるような場合には、光が射出する領域には吸収
部を設けないようにする必要がある。また、吸収部を構
造部２０の側面側に設けた場合には、吸収部の厚さは、
構造部２０の積層方向において垂直な方向の厚さとな
る。

【００７５】更にまた、上記各実施の形態においては、
構造部２０を構成するＩＩＩ族ナイトライド化合物半導
体について具体的な例を挙げて説明したが、本発明は、
他の適宜なＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体（すなわ
ち、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素
（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれ
た少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、窒素（Ｎ）とを含
むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体）により構造部２
０を構成するようにしてもよい。

【００７６】加えてまた、上記各実施の形態において
は、構造部２０をＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体に
ついて構成する場合について説明したが、本発明は、構
造部が他の半導体により構成される場合であっても、第
１の電極および第２の電極が共に構造部２０の積層方向
の一方側に位置する半導体発光素子について広く適用す
ることができる。また、基板１１が発光波長以下の波長
を有する光を吸収しない材料により構成される半導体発
光素子についても広く適用することができる。

【００７７】更にまた、上記各実施の形態においては、
第１導電型半導体層２５をｎ型半導体層により構成し、
第２導電型半導体層２７をｐ型半導体層により構成する
場合について説明したが、本発明は、第１導電型半導体
層２５をｐ型半導体層により構成し、第２導電型半導体
層２７をｎ型半導体層により構成する場合についても広
く適用することができる。

【００７８】加えてまた、上記各実施の形態において
は、半導体レーザの構成について具体的に説明したが、
本発明は、他の構成を有するものであっても、順次積層
された第１導電型半導体層，活性層および第２導電型半
導体層を有する構造部を備えた半導体発光素子について
広く適用することができる。例えば、劣化防止層２７ａ
を備えなくてもよく、ｐ側電極１４を帯状とするのでは
なく他の方法により電流狭窄をするようにしてもよい。

【００７９】更にまた、上記各実施の形態においては、
半導体レーザについてのみ説明したが、本発明は、発光
ダイオードなどの他の半導体発光素子についても同様に
適用することができる。

【００８０】加えてまた、上記各実施の形態において
は、構造部２０ををＭＯＣＶＤ法により形成する場合に
ついて説明したが、ＭＢＥ法やハライド法などの他の気
相成長法により形成するようにしてもよい。なお、ハラ
イド気相成長法とは、ハロゲンが輸送もしくは反応に寄
与する気相成長法のことであり、ハイドライド気相成長
法とも言う。

【００８１】

【発明の効果】以上説明したように請求項１乃至９のい
ずれか１に記載の半導体発光素子によれば、構造部の側
面側および第３面のうちの少なくとも一部に設けられた
吸収部を備えるようにしたので、例えば、この半導体発
光素子をパッケージに収納して用いても、迷光を吸収部
により吸収することができる。よって、パッケージから
外部に取り出される迷光を低減することができ、半導体
発光素子を用いた装置の誤動作を防止することができる
という効果を奏する。また、半導体発光素子の活性層に
到達する迷光も低減することができ、半導体発光素子の
動特性を安定させることができると共に、ノイズを低減
することができるという効果も奏する。

【００８２】特に、請求項３記載の半導体発光素子によ
れば、吸収部がマーク部を有するようにしたので、半導
体発光素子をパッケージに収納する際などに、吸収部の
マーク部を利用することにより容易に位置決めを行うこ
とができる。よって、位置合わせの精度を高めることが
でき、歩留りを向上させることができるという効果を奏
する。

【００８３】また、請求項１０記載の半導体発光素子に
よれば、基板の他面，基板の側面および構造部の側面か
らなるうちの少なくとも一部に設けられた吸収部を備え
るようにしたので、請求項１乃至９のいずれか１に記載
の半導体発光素子と同様に効果を奏する。

【００８４】更に、請求項１１乃至１８のいずれか１に
記載の半導体発光素子の製造方法または請求項１９記載
の半導体発光素子の製造方法によれば、構造部の側面側
および第３面側の少なくとも一部、または基板の他面，
基板の側面および構造部の側面からなるうちの少なくと
も一部に吸収部を形成する工程を含むようにしたので、
本発明の半導体発光素子を容易に製造することができ、
本発明の半導体発光素子を容易に実現することができる
という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ
の構成を表す断面図である。

【図２】図１に示した半導体レーザを吸収部の側から見
た図である。

【図３】図１に示した半導体レーザの各製造工程を表す
断面図である。

【図４】図３に続く各製造工程を表す断面図である。

【図５】図４に続く製造工程を表す図である。

【図６】図１に示した半導体レーザが用いられる際の状
態を表す図である。

【図７】図１に示した半導体レーザが用いられる際の状
態を表す図である。

【図８】図７におけるＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

【図９】図１に示した半導体レーザの作用を説明するた
めの図７におけるＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レー
ザを表す図である。

【図１１】図１０に示した半導体レーザの変形例を表す
図である。

【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体レー
ザを表す図である。

【図１３】本発明の第４の実施の形態に係る半導体レー
ザの構成を表す断面図である。

【図１４】本発明に係る半導体発光素子の変形例を表す
図である。

【図１５】本発明に係る半導体発光素子の他の変形例を
表す図である。

【図１６】従来の半導体発光素子の用いられる際の状態
を表す断面図である。

【図１７】従来の他の半導体発光素子の用いられる際の
状態を表す断面図である。

【図１８】半導体発光素子とコリメータレンズとからな
る光学系を表す図である。

【図１９】従来の半導体発光素子の問題点を説明するた
めの断面図である。

【図２０】物質に光が入射した場合における反射と透過
と吸収との関係を説明するための図である。

【符号の説明】

１０，４０，５０，６０，７０…半導体レーザ（半導体
発光素子）、１０ａ…半導体レーザ形成領域、１１，７
１，２１１…基板、１２…ｎ側電極、１３…絶縁層、１
３ａ…開口、１４…ｐ側電極、１５，４５，５５，６
５，８５，９５…吸収部、２０…構造部、２０ａ…第１
面、２０ｂ…第２面、２０ｃ…第３面、２１…バッファ
層、２２…下地層、２３…マスク層、２４…被覆成長
層、２５…第１導電型半導体層、２５ａ…ｎ側コンタク
ト層、２５ｂ…ｎ型クラッド層、２５ｃ…第１のガイド
層、２６…活性層、２７…第２導電型半導体層、２７ａ
…劣化防止層、２７ｂ…第２のガイド層、２７ｃ…ｐ型
クラッド層、２７ｄ…ｐ側コンタクト層、３０，１３
０，２３０…パッケージ、３１…配設基板、３２，３３
…配線、３２ａ，３３ａ…半田層、３４，１３４…支持
体、３５，１３５…蓋体、３５ａ，１３５ａ，２３５ａ
…取り出し窓、３６，１３６，２３６…載置台、３７，
３８…ピン、３９…ワイヤ、１１０，２１０…半導体発
光素子、３００…コリメータレンズ、Ａ…共振器方向、
Ｍ…物質、Ｌ１…入射光、Ｌ２…反射光、Ｌ３…透過光

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 順次積層された第１導電型半導体層，活
   性層および第２導電型半導体層をそれぞれ有すると共
   に、積層方向に対して垂直な方向に位置する側面と、積
   層方向の一方に位置し第１導電型半導体層よりなる第１
   面と、積層方向の一方に位置し第２導電型半導体層より
   なる第２面と、積層方向の他方に位置する第３面とをそ
   れぞれ有し、活性層において光を発生する構造部と、 この構造部の第１面に設けられた第１の電極と、 前記構造部の第２面に設けられた第２の電極と、 前記構造部の側面側および第３面側のうちの少なくとも
   一部に設けられ、前記構造部における発光波長以下の波
   長を有する光を吸収する吸収部とを備えたことを特徴と
   する半導体発光素子。
2. 【請求項２】 前記吸収部を構成する材料の吸収係数
   （単位はｃｍ^-1）と、前記吸収部の厚さ（単位はｃｍ）
   との積は、１よりも大きいことを特徴とする請求項１記
   載の半導体発光素子。
3. 【請求項３】 前記吸収部は、位置決め用のマーク部を
   有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光素
   子。
4. 【請求項４】 前記吸収部は、凸４角形以上の多角形状
   よりなる吸収領域を少なくとも１つ有することを特徴と
   する請求項１記載の半導体発光素子。
5. 【請求項５】 前記吸収部は、発光波長の１／２の整数
   倍の長さと同一のピッチ幅で配列された複数の吸収領域
   を有することを特徴とする請求項１記載の半導体発光素
   子。
6. 【請求項６】 前記吸収部は、前記構造部の第３面側の
   少なくとも一部に設けられたことを特徴とする請求項１
   記載の半導体発光素子。
7. 【請求項７】 前記吸収部は、前記構造部の第３面側に
   位置し、前記構造部が積層された基板であることを特徴
   とする請求項１記載の半導体発光素子。
8. 【請求項８】 前記構造部の第１導電型半導体層，活性
   層および第２導電型半導体層は、ガリウム（Ｇａ），ア
   ルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム
   （Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族
   元素と窒素（Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド化合物
   半導体よりそれぞれなることを特徴とする請求項１記載
   の半導体発光素子。
9. 【請求項９】 更に、前記構造部の第３面側に位置する
   と共に、前記構造部が積層されたサファイアよりなる基
   板を備えたことを特徴とする請求項８記載の半導体発光
   素子。
10. 【請求項１０】 順次積層された第１導電型半導体層，
    活性層および第２導電型半導体層をそれぞれ有すると共
    に、積層方向に対して垂直な方向に位置する側面を有
    し、活性層において光を発生する構造部と、 対向する一対の面の一面に前記構造部が積層されると共
    に、前記構造部の積層方向に対して垂直な方向に位置す
    る側面を有し、前記構造部における発光波長以下の波長
    を有する光を吸収しない材料よりなる基板と、 前記基板の一面と対向する他面，前記基板の側面および
    前記構造部の側面からなるうちの少なくとも一部に設け
    られ、前記構造部における発光波長以下の波長を有する
    光を吸収する吸収部とを備えたことを特徴とする半導体
    発光素子。
11. 【請求項１１】 第１導電型半導体層，活性層および第
    ２導電型半導体層を順次積層し、積層方向に対して垂直
    な方向に位置する側面と、積層方向の一方に位置し第１
    導電型半導体層よりなる第１面と、積層方向の一方に位
    置し第２導電型半導体層よりなる第２面と、積層方向の
    他方に位置する第３面とをそれぞれ有し、活性層におい
    て光を発生する構造部を形成する工程と、 構造部の第１面に第１の電極を形成する工程と、 構造部の第２面に第２の電極を形成する工程と、 構造部の側面側および第３面側のうちの少なくとも一部
    に、構造部における発光波長以下の波長を有する光を吸
    収する吸収部を形成する工程とを含むことを特徴とする
    半導体発光素子の製造方法。
12. 【請求項１２】 吸収部を構成する材料の吸収係数（単
    位はｃｍ^-1）と、吸収部の厚さ（単位はｃｍ）との積が
    １よりも大きくなるように、吸収部の構成する材料と厚
    さとを決定することを特徴とする請求項１１記載の半導
    体発光素子の製造方法。
13. 【請求項１３】 吸収部に位置決め用のマーク部を形成
    することを特徴とする請求項１１記載の半導体発光素子
    の製造方法。
14. 【請求項１４】 吸収部に凸４角形以上の多角形状を有
    する吸収領域を少なくとも１つ形成することを特徴とす
    る請求項１１記載の半導体発光素子の製造方法。
15. 【請求項１５】 吸収部に発光波長の１／２の整数倍の
    長さと同一のピッチ幅で配列させた複数の吸収領域を形
    成することを特徴とする請求項１１記載の半導体発光素
    子の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記吸収部を基板により構成すると共
    に、この基板に構造部を積層することを特徴とする請求
    項１１記載の半導体発光素子の製造方法。
17. 【請求項１７】 構造部の第１導電型半導体層，活性層
    および第２導電型半導体層を、ガリウム（Ｇａ），アル
    ミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉ
    ｎ）からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素
    と窒素（Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導
    体によりそれぞれ形成することを特徴とする請求項１１
    記載の半導体発光素子の製造方法。
18. 【請求項１８】 構造部をサファイアよりなる基板に積
    層することを特徴とする請求項１７記載の半導体発光素
    子の製造方法。
19. 【請求項１９】 対向する一対の面と、この一対の面を
    結ぶ側面とをそれぞれ有し、構造部における発光波長以
    下の波長を有する光を吸収しない材料よりなる基板の一
    対の面のうちの一面に、第１導電型半導体層，活性層お
    よび第２導電型半導体層を順次積層し、積層方向に対し
    て垂直な方向に位置する側面を有しており活性層におい
    て発を発生する構造部を形成する工程と、 基板の一面と対向する他面，基板の側面および構造部の
    側面からなるうちの少なくとも一部に、構造部における
    発光波長以下の波長を有する光を吸収する吸収部を形成
    する工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製
    造方法。