JP2000061363A - Treatment solution-spraying nozzle of substrate treatment apparatus - Google Patents

Treatment solution-spraying nozzle of substrate treatment apparatus

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JP2000061363A
JP2000061363A JP24920398A JP24920398A JP2000061363A JP 2000061363 A JP2000061363 A JP 2000061363A JP 24920398 A JP24920398 A JP 24920398A JP 24920398 A JP24920398 A JP 24920398A JP 2000061363 A JP2000061363 A JP 2000061363A
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JP
Japan
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processing liquid
liquid discharge
substrate
nozzle
discharge nozzle
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JP24920398A
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Japanese (ja)
Inventor
Yusuke Muraoka
祐介 村岡
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treatment solution-spraying nozzle of a substrate treatment apparatus capable of supplying a treatment solution to the whole surface area of a substrate in a short time and treating the substrate with the treatment solution. SOLUTION: This treatment solution-spraying nozzle 1 is provided with a nozzle main body 43 comprising a treatment solution storing part 42 and a treatment solution discharging outlet 47, an ultrasonic oscillator 41 for providing ultrasonic wave vibration to the treatment solution in the treatment solution storing part 42, a restriction part 48 having a smaller orifice than the treatment solution discharging outlet 47, and a foam discharging hole 44 formed in the ultrasonic oscillator 41 for discharging foams existing in the treatment solution storing part 42 to the outside of the treatment solution storing part 42. The restriction part 48 and the treatment solution discharging outlet 47 are connected with each other by an inner wall 45 having a shape with gradually expanded cross-section toward the treatment solution discharging outlet 47 from the restriction part 48. The inner wall 45 has a de Laval nozzle-like shape smoothly changing along the stream line of the treatment solution passing the inside.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板に対して処理液を供給するための基
板処理装置の処理液吐出ノズルに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing liquid discharge nozzle of a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display panel or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】このような基板処理装置の一種として、
例えば、スピンチャックに保持されて回転する基板の表
面に、数百キロヘルツ〜数メガヘルツ程度の超音波振動
が付与された処理液を供給することにより、この基板を
超音波振動を利用して洗浄処理する構成を有するものが
知られている。
2. Description of the Related Art As a kind of such substrate processing apparatus,
For example, by supplying a processing liquid in which ultrasonic vibration of about several hundred kilohertz to several megahertz is applied to the surface of a substrate held by a spin chuck and rotating, the substrate is subjected to a cleaning treatment by using ultrasonic vibration. There is known one having a configuration.

【0003】そして、このような基板処理装置に使用さ
れる処理液吐出ノズルは、処理液を一時的に貯留する処
理液貯留部とこの処理液貯留部の下方に形成された処理
液吐出口とを有するノズル本体と、処理液貯留部内の処
理液に対して超音波振動を付与する超音波発振子とを備
え、処理液吐出口から基板に対して超音波振動が付与さ
れた処理液を供給するようにしている。
A processing liquid discharge nozzle used in such a substrate processing apparatus has a processing liquid storage portion for temporarily storing the processing liquid and a processing liquid discharge port formed below the processing liquid storage portion. A nozzle main body having an ultrasonic wave and an ultrasonic oscillator that applies ultrasonic vibration to the processing liquid in the processing liquid storage unit, and supplies the processing liquid to which ultrasonic vibration is applied to the substrate from the processing liquid discharge port. I am trying to do it.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような基板処理装
置においては、処理液は、処理液吐出ノズルの処理液吐
出口から基板に向けて、直線状に、かつ、基板表面の一
点に集中する状態で吐出される。このため、基板表面の
広い範囲に処理液を供給することは不可能であり、基板
表面の全域にわたって均一な処理を行うためには、処理
液吐出ノズルを基板の表面に対して移動させながら、長
い時間をかけて基板全域に処理液を供給して基板を洗浄
処理する必要が生ずる。
In such a substrate processing apparatus, the processing liquid concentrates linearly from the processing liquid discharge port of the processing liquid discharge nozzle toward the substrate and at one point on the surface of the substrate. It is discharged in the state. Therefore, it is impossible to supply the processing liquid to a wide area of the substrate surface, and in order to perform uniform processing over the entire area of the substrate surface, while moving the processing liquid discharge nozzle with respect to the surface of the substrate, It is necessary to supply the processing liquid to the entire area of the substrate for a long time to clean the substrate.

【0005】また、基板に供給する処理液の流量を増加
させることにより、基板の洗浄処理に要する時間を短縮
しようとする場合においても、従来の基板処理装置にお
いては、処理液は、処理液吐出ノズルの処理液吐出口か
ら基板に向けて、直線状に、かつ、基板表面の一点に集
中する状態で吐出される構成であることから、基板の表
面で処理液が飛び散ってしまい、処理液の流量を増加し
たにもかかわらず基板の表面に有効に供給される処理液
が増加せず、洗浄処理に要する時間を短縮することはで
きないという問題がある。
Further, even when it is attempted to shorten the time required for the cleaning processing of the substrate by increasing the flow rate of the processing liquid supplied to the substrate, the processing liquid is discharged in the conventional substrate processing apparatus. Since the treatment liquid is discharged from the treatment liquid discharge port of the nozzle toward the substrate in a straight line and concentrated at one point on the substrate surface, the treatment liquid is scattered on the surface of the substrate, Although the flow rate is increased, the processing liquid effectively supplied to the surface of the substrate does not increase, and the time required for the cleaning process cannot be shortened.

【0006】このような問題は、基板に対して超音波振
動が付与された処理液を供給して基板を洗浄処理するた
めの処理液吐出ノズルのみならず、基板に対して処理液
を供給するための処理液吐出ノズル全般に生ずる問題で
ある。
Such a problem is caused not only by supplying the processing liquid to which ultrasonic vibration is applied to the substrate to clean the substrate but also by supplying the processing liquid to the substrate. This is a problem that occurs in all processing liquid discharge nozzles.

【0007】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、短時間で基板の表面全域に処理液を供
給して基板を処理することが可能な基板処理装置の処理
液吐出ノズルを提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and provides a processing liquid discharge nozzle of a substrate processing apparatus capable of processing a substrate by supplying the processing liquid over the entire surface of the substrate in a short time. The purpose is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板に対して処理液を供給するため基板処理装置の
処理液吐出ノズルであって、ノズル本体と、前記ノズル
本体内における処理液の流路中に形成された絞り部と、
前記ノズル本体の下方に形成された処理液吐出口とを備
え、前記ノズル本体の内壁は、前記絞り部と前記処理液
吐出口とを、前記絞り部から前記処理液吐出口に向けて
順次その断面積が拡大する状態で接続することを特徴と
する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing liquid discharge nozzle of a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a substrate, the nozzle main body and a processing in the nozzle main body. A throttle portion formed in the liquid flow path,
A processing liquid discharge port formed below the nozzle body, and the inner wall of the nozzle body has the narrowed portion and the processing liquid discharge port sequentially from the narrowed portion toward the processing liquid discharge port. The feature is that they are connected in a state where the cross-sectional area is enlarged.

【0009】請求項2に記載の発明は、基板に対して超
音波振動が付与された処理液を供給するための基板処理
装置の処理液吐出ノズルであって、処理液を一時的に貯
留する処理液貯留部と、この処理液貯留部の下方に形成
された処理液吐出口とを有するノズル本体と、前記処理
液貯留部内の処理液に対して超音波振動を付与する超音
波発振子と、前記処理液貯留部と前記処理液吐出口との
間に配設された前記処理液吐出口よりも小さいオリフィ
スを有する絞り部とを備え、前記ノズル本体の内壁は、
前記絞り部と前記処理液吐出口とを、前記絞り部から前
記処理液吐出口に向けて順次その断面積が拡大する状態
で接続することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a processing liquid discharge nozzle of a substrate processing apparatus for supplying the processing liquid to which ultrasonic vibration is applied to the substrate, which temporarily stores the processing liquid. A nozzle body having a treatment liquid storage portion, a treatment liquid discharge port formed below the treatment liquid storage portion, and an ultrasonic oscillator for imparting ultrasonic vibration to the treatment liquid in the treatment liquid storage portion. An inner wall of the nozzle body, comprising: a narrowed portion having an orifice smaller than the processing liquid discharge port, which is disposed between the processing liquid storage part and the processing liquid discharge port.
It is characterized in that the narrowed portion and the processing liquid discharge port are connected in a state in which the cross-sectional area of the narrowed portion sequentially increases toward the processing liquid discharge port.

【0010】請求項3に記載の発明は、請求項2に記載
の発明において、処理液吐出ノズルを、前記処理液吐出
口と前記基板との距離が10mm以下となるように配置
している。
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the invention, the processing liquid discharge nozzle is arranged such that the distance between the processing liquid discharge port and the substrate is 10 mm or less.

【0011】請求項4に記載の発明は、請求項2に記載
の発明において、処理液吐出ノズルより吐出する処理液
の量を毎分10リットル以上としている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the second aspect of the invention, the amount of the processing liquid ejected from the processing liquid ejection nozzle is 10 liters per minute or more.

【0012】請求項5に記載の発明は、請求項2乃至請
求項4いずれかに記載の発明において、前記絞り部と前
記処理液吐出口との間の位置における前記ノズル本体の
内壁は、ド・ラバル管状の形状を有している。
According to a fifth aspect of the invention, in the invention according to any one of the second to fourth aspects, the inner wall of the nozzle body at a position between the throttle portion and the processing liquid discharge port is -Has a Laval tubular shape.

【0013】請求項6に記載の発明は、請求項2乃至請
求項5いずれかに記載の発明において、前記処理液貯留
部内に存在する気泡を前記処理液貯留部から外部に排出
するための気泡排出孔をさらに備えている。
According to a sixth aspect of the invention, in the invention according to any one of the second to fifth aspects, bubbles for discharging bubbles existing in the treatment liquid storage portion to the outside from the treatment liquid storage portion. The discharge hole is further provided.

【0014】請求項7に記載の発明は、請求項6に記載
の発明において、前記超音波発振子は前記処理液貯留部
の上方に配設されており、前記気泡排出孔は前記超音波
発振子に形成されている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the invention according to the sixth aspect, the ultrasonic oscillator is disposed above the processing liquid reservoir, and the bubble discharge hole is the ultrasonic oscillator. Is formed in the child.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1はこの発明に係る処理液吐
出ノズル1を使用した基板処理装置の概要図であり、図
2はその要部を示す斜視図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus using a processing liquid discharge nozzle 1 according to the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing a main part thereof.

【0016】この基板処理装置は、図1および図2に示
すように、水平面内を回転する基板Wに対して処理液吐
出ノズル1から処理液としての純水および薬液を吐出す
ることにより基板Wを洗浄処理するためのものであり、
基板Wの端縁をそこに立設した4本の支持ピン12によ
り支持するスピンチャック11と、このスピンチャック
11を鉛直方向を向く軸13を中心として回転させるモ
ータ14と、基板Wの回転に伴って基板Wの端縁から飛
散する処理液を捕獲するための飛散防止用カップ15
と、スピンチャック11に支持された基板Wの表面と近
接配置されたこの発明に係る処理液吐出ノズル1と、こ
の処理液吐出ノズル1とアーム35を介して接続される
ことにより、処理液吐出ノズル1を、基板Wの回転中心
と対向する位置と基板Wの端縁と対向する位置との間で
往復移動させるノズル移動機構36とを備える。
As shown in FIGS. 1 and 2, this substrate processing apparatus discharges pure water and a chemical liquid as a processing liquid from a processing liquid discharge nozzle 1 to a substrate W rotating in a horizontal plane, and thereby the substrate W is processed. For cleaning the
A spin chuck 11 that supports the edge of the substrate W by four support pins 12 provided upright thereon, a motor 14 that rotates the spin chuck 11 around a shaft 13 that is oriented in the vertical direction, and a substrate W that rotates. A scattering prevention cup 15 for capturing the processing liquid scattered from the edge of the substrate W.
And the processing liquid discharge nozzle 1 according to the present invention arranged close to the surface of the substrate W supported by the spin chuck 11, and the processing liquid discharge nozzle 1 is connected via the arm 35 to discharge the processing liquid. A nozzle moving mechanism 36 that reciprocates the nozzle 1 between a position facing the rotation center of the substrate W and a position facing the edge of the substrate W is provided.

【0017】処理液吐出ノズル1は、薬液タンク22
と、循環ポンプ17と、ヒータ18と、フィルタ19
と、開閉弁20とを有する薬液循環路21と、開閉弁2
5を介して接続されている。また、処理液吐出ノズル1
は、純水の供給源と、開閉弁26を介して接続されてい
る。
The processing liquid discharge nozzle 1 is provided with a chemical liquid tank 22.
, Circulation pump 17, heater 18, and filter 19
And a liquid circulation path 21 having an on-off valve 20, and an on-off valve 2
It is connected via 5. In addition, the processing liquid discharge nozzle 1
Is connected to a pure water supply source through an on-off valve 26.

【0018】また、処理液吐出ノズル1から気泡を排出
するための気泡排出路34は、開閉弁27および絞り弁
30を介して、上記薬液循環路21に連通する気泡排出
路31と接続されている。同様に、気泡排出路34は、
開閉弁28および絞り弁29を介して図示しないドレイ
ンに連通する気泡排出路32と接続されている。さら
に、処理液吐出ノズル1は、後述する超音波発振子41
の電源33と接続されている。
The bubble discharge passage 34 for discharging bubbles from the treatment liquid discharge nozzle 1 is connected to the bubble discharge passage 31 communicating with the chemical liquid circulation passage 21 through the opening / closing valve 27 and the throttle valve 30. There is. Similarly, the bubble discharge path 34 is
It is connected via an opening / closing valve 28 and a throttle valve 29 to a bubble discharge passage 32 communicating with a drain (not shown). Further, the treatment liquid discharge nozzle 1 has an ultrasonic oscillator 41, which will be described later.
Is connected to the power source 33.

【0019】図3は、上述した処理液吐出ノズル1の縦
断面図である。
FIG. 3 is a vertical sectional view of the processing liquid discharge nozzle 1 described above.

【0020】この処理液吐出ノズル1は、処理液を一時
的に貯留する処理液貯留部42とこの処理液貯留部42
の下方に形成された処理液吐出口47とを有するノズル
本体43と、処理液貯留部42内の処理液に対して数百
キロヘルツ〜数メガヘルツ程度の超音波振動を付与する
ための超音波発振子41と、処理液吐出口47よりも小
さいオリフィスを有する絞り部48と、処理液貯留部4
2内に存在する気泡を処理液貯留部42から外部に排出
するための超音波発振子41に形成された気泡排出孔4
4とを備える。
The processing liquid discharge nozzle 1 includes a processing liquid storage section 42 for temporarily storing the processing liquid and the processing liquid storage section 42.
Ultrasonic oscillation for imparting ultrasonic vibration of about several hundred kilohertz to several megahertz to the processing liquid in the processing liquid storage section 42 and a nozzle body 43 having a processing liquid discharge port 47 formed below The child 41, the throttle portion 48 having an orifice smaller than the treatment liquid discharge port 47, and the treatment liquid storage portion 4
2 is a bubble discharge hole 4 formed in the ultrasonic oscillator 41 for discharging bubbles existing in the treatment liquid storage portion 42 to the outside.
4 and.

【0021】この気泡排出孔44は、上述した気泡排出
路34と接続されている。また、超音波発振子41は、
上述した電源33と接続されている。
The bubble discharge hole 44 is connected to the bubble discharge passage 34 described above. In addition, the ultrasonic oscillator 41 is
It is connected to the power supply 33 described above.

【0022】また、上記絞り部48と処理液吐出口47
とは、絞り部48から処理液吐出口47に向けて順次そ
の断面が拡大する形状を有する内壁45により接続され
ている。そして、この内壁45は、その内部を通過する
処理液の流線に沿ってなめらかに変化する、ド・ラバル
管(de Laval nozzle)状の形状を有す
る。
Further, the narrowed portion 48 and the processing liquid discharge port 47.
Are connected to each other by an inner wall 45 having a shape in which the cross section thereof sequentially expands from the narrowed portion 48 toward the processing liquid discharge port 47. The inner wall 45 has a de Laval nozzle-like shape that smoothly changes along the streamline of the processing liquid passing through the inside.

【0023】次に、この基板処理装置による基板Wの処
理動作について説明する。なお、以下の説明において
は、この基板処理装置により、基板Wに薬液を供給して
基板Wを薬液により洗浄処理した後、この基板Wを純水
でさらに洗浄処理する場合について説明する。
Next, the processing operation of the substrate W by this substrate processing apparatus will be described. In the following description, a case will be described in which the substrate processing apparatus supplies a chemical solution to the substrate W to clean the substrate W with the chemical solution and then further cleans the substrate W with pure water.

【0024】基板Wに薬液を供給するに先立ち、薬液循
環路21内に薬液を循環させておく。この薬液の循環時
においては、ポンプ17の作用により薬液タンク22か
ら汲み上げられた薬液は、ヒータ18により加熱され、
フィルター19により濾過された後、開閉弁20を介し
て薬液タンク22に戻る循環動作中に、所定の温度まで
加熱される。例えば、この薬液がSC1と呼称される洗
浄処理に使用するアンモニアと過酸化水素と純水との混
合液である場合には、この薬液は約80℃まで加熱され
る。
Prior to supplying the chemical liquid to the substrate W, the chemical liquid is circulated in the chemical liquid circulation passage 21. During the circulation of the chemical liquid, the chemical liquid pumped up from the chemical liquid tank 22 by the action of the pump 17 is heated by the heater 18,
After being filtered by the filter 19, it is heated to a predetermined temperature during the circulation operation of returning to the chemical liquid tank 22 via the opening / closing valve 20. For example, when this chemical solution is a mixed solution of ammonia, hydrogen peroxide and pure water used for the cleaning process called SC1, this chemical solution is heated to about 80 ° C.

【0025】この状態において、モータ14の駆動によ
りスピンチャック11に保持された基板Wを回転させる
と共に、開閉弁25を開放することにより薬液循環路2
1から処理液吐出ノズル1に薬液を供給する。このと
き、開閉弁27を開放する。そして、処理液吐出ノズル
1の処理液吐出口47から薬液を吐出した状態で超音波
発振子41の電源33を作動させ、処理液吐出ノズル1
を、ノズル移動機構36の駆動により、基板Wの回転中
心と対向する位置と基板Wの端縁と対向する位置との間
を往復移動させる。これにより、基板Wの全面に超音波
振動が付与された薬液が供給され、基板Wが薬液により
洗浄処理される。
In this state, the substrate 14 held on the spin chuck 11 is rotated by driving the motor 14 and the on-off valve 25 is opened to open the chemical liquid circulation path 2.
A chemical liquid is supplied from 1 to the processing liquid discharge nozzle 1. At this time, the open / close valve 27 is opened. Then, the power source 33 of the ultrasonic oscillator 41 is operated in a state in which the chemical liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle 47 of the processing liquid discharge nozzle 1, and the processing liquid discharge nozzle 1
The nozzle moving mechanism 36 is driven to reciprocate between a position facing the rotation center of the substrate W and a position facing the edge of the substrate W. Thereby, the chemical liquid to which the ultrasonic vibration is applied is supplied to the entire surface of the substrate W, and the substrate W is cleaned by the chemical liquid.

【0026】このとき、上述したように、処理液吐出ノ
ズル1における絞り部48と処理液吐出口47とは、絞
り部48から処理液吐出口47に向けて順次その断面が
拡大する形状を有する内壁45により接続されており、
この内壁45はその内部を通過する薬液の流線に沿って
なめらかに変化するド・ラバル管(de Lavaln
ozzle)状の形状を有する。
At this time, as described above, the narrowed portion 48 and the processing liquid discharge port 47 in the processing liquid discharge nozzle 1 have such a shape that their cross sections are sequentially enlarged from the narrowed portion 48 toward the processing liquid discharge port 47. Connected by the inner wall 45,
The inner wall 45 is a de Lavaln tube that smoothly changes along the flow line of the liquid medicine passing through the inner wall 45.
It has an ozzle-like shape.

【0027】このため、絞り部48を通過した後、処理
液吐出口47に到達した薬液は拡大しようとする運動量
をもつことになる。従って、処理液吐出ノズル1の処理
液吐出口47から吐出された薬液は、スピンチャック1
1に支持されて回転する基板Wの表面における広い領域
に拡げられる。このため、基板Wの表面全域を短時間で
洗浄処理することが可能となる。
Therefore, the chemical liquid that has reached the treatment liquid discharge port 47 after passing through the throttle portion 48 has a momentum to expand. Therefore, the chemical liquid ejected from the treatment liquid ejection port 47 of the treatment liquid ejection nozzle 1 is the spin chuck 1
It is spread over a wide area on the surface of the substrate W which is supported and rotated by 1. Therefore, the entire surface of the substrate W can be cleaned in a short time.

【0028】また、同様に、絞り部48を通過した後、
処理液吐出口47に到達した薬液は拡大しようとする運
動量をもつことになることから、処理液吐出ノズル1か
ら吐出する薬液の流量を増加させた場合においても、基
板Wの表面で薬液が飛び散る現象を生ずることはない。
従って、処理液吐出ノズル1から基板Wに供給する薬液
の流量を増加させることにより、基板Wの洗浄処理に要
する時間を短縮することが可能となる。
Similarly, after passing through the diaphragm 48,
Since the chemical liquid that has reached the processing liquid discharge port 47 has a momentum to expand, the chemical liquid is scattered on the surface of the substrate W even when the flow rate of the chemical liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 1 is increased. No phenomenon occurs.
Therefore, by increasing the flow rate of the chemical liquid supplied from the processing liquid discharge nozzle 1 to the substrate W, the time required for the cleaning process of the substrate W can be shortened.

【0029】なお、処理液吐出ノズル1の処理液吐出口
47から吐出された薬液の基板Wの表面における拡張機
能を効果的に作用せしめるためには、処理液吐出口47
とスピンチャック11に支持されて回転する基板Wの表
面との距離を10mm以下とすることが好ましく、5m
m以下とすることがより好ましい。
In order to effectively act the expansion function of the chemical liquid discharged from the processing liquid discharge port 47 of the processing liquid discharge nozzle 1 on the surface of the substrate W, the processing liquid discharge port 47.
The distance between the substrate W and the surface of the substrate W which is supported by the spin chuck 11 and rotates is preferably 10 mm or less, and 5 m.
More preferably, it is m or less.

【0030】また、処理液吐出ノズル1の処理液吐出口
47から吐出された薬液の基板Wの表面における拡張機
能を効果的に作用せしめた上で、基板Wを迅速に洗浄処
理するためには、処理液吐出ノズル1より吐出する薬液
の量を毎分10リットル以上とすることが好ましい。
Further, in order to perform the cleaning process on the substrate W promptly after the chemical liquid ejected from the treatment liquid ejection nozzle 1 of the treatment liquid ejecting nozzle 1 has an effective expanding function on the surface of the substrate W, It is preferable that the amount of the chemical liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 1 is 10 liters per minute or more.

【0031】基板Wの表面に供給され、基板Wの回転に
伴ってその端縁より飛散した薬液は、飛散防止用カップ
15により捕獲される。そして、この状態においては、
飛散防止用カップ15の下面に形成された排出口16
は、薬液タンク22と連通する薬液回収路23の一端と
対向する位置に移動している。このため、この薬液は、
薬液回収路23を介して薬液タンク22に回収される。
The chemical solution supplied to the surface of the substrate W and scattered from the edge of the substrate W as it rotates is captured by the splash prevention cup 15. And in this state,
A discharge port 16 formed on the lower surface of the scattering prevention cup 15
Has moved to a position facing one end of a chemical liquid recovery path 23 communicating with the chemical liquid tank 22. Therefore, this drug solution
It is collected in the chemical liquid tank 22 via the chemical liquid recovery passage 23.

【0032】このような薬液供給動作中においては、加
熱状態にある薬液から気泡が発生する。そして、この気
泡は、処理液吐出ノズル1の処理液貯留部42に一時的
に蓄積される。処理液吐出ノズル1の処理液貯留部42
にこのような気泡が蓄積された場合には、超音波発振子
41から薬液に対して超音波エネルギーを十分に付与す
ることができないばかりでなく、超音波発振子41が空
発振状態となって破損するという問題が生ずる。
During such a chemical solution supply operation, bubbles are generated from the heated chemical solution. Then, the bubbles are temporarily accumulated in the treatment liquid storage section 42 of the treatment liquid discharge nozzle 1. Treatment liquid reservoir 42 of treatment liquid discharge nozzle 1
When such bubbles are accumulated in the ultrasonic wave, not only the ultrasonic wave energy cannot be sufficiently applied from the ultrasonic wave oscillator 41 to the chemical liquid, but also the ultrasonic wave oscillator 41 is in the empty oscillation state. The problem of breakage arises.

【0033】しかしながら、この処理液吐出ノズル1に
おいては、処理液貯留部42と処理液吐出口47との間
に、処理液吐出口47よりも小さいオリフィスとしての
絞り部48が形成されていることから、処理液貯留部4
2内の薬液はこの絞り部48の作用で圧力を付与される
ことになる。このため、処理液貯留部42内の薬液が加
圧され、この圧力に起因して処理液貯留部42内に一時
的に蓄積された気泡は、少量の薬液と共に、超音波発振
子41に形成された気泡排出孔44から気泡排出路34
に排出される。
However, in the processing liquid discharge nozzle 1, a narrowed portion 48 as an orifice smaller than the processing liquid discharge port 47 is formed between the processing liquid storage part 42 and the processing liquid discharge port 47. From the treatment liquid storage unit 4
The chemical liquid in 2 is given a pressure by the action of the throttle portion 48. Therefore, the chemical liquid in the treatment liquid storage unit 42 is pressurized, and the bubbles temporarily accumulated in the treatment liquid storage unit 42 due to this pressure are formed in the ultrasonic oscillator 41 together with a small amount of the chemical liquid. From the bubble discharge hole 44 formed to the bubble discharge path 34.
Is discharged to.

【0034】特に、この実施の形態においては、超音波
発振子41は処理液貯留部42の上方に配設されてお
り、また、気泡排出孔44は超音波発振子41に形成さ
れている。このため、処理液貯留部42内で気泡が停滞
することを防止することができ、処理液貯留部42内に
存在する全ての気泡を速やかに気泡排出孔44から排出
することが可能となる。
In particular, in this embodiment, the ultrasonic oscillator 41 is arranged above the processing liquid reservoir 42, and the bubble discharge hole 44 is formed in the ultrasonic oscillator 41. Therefore, it is possible to prevent the bubbles from stagnating in the treatment liquid storage unit 42, and it is possible to quickly discharge all the bubbles existing in the treatment liquid storage unit 42 from the bubble discharge holes 44.

【0035】気泡排出孔44から気泡排出路34に少量
の薬液と共に排出された気泡は、開放状態の開閉弁27
および絞り弁30を介して気泡排出路31および薬液循
環路21に案内され、薬液タンク22に回収される。
The bubbles discharged from the bubble discharging hole 44 to the bubble discharging passage 34 together with a small amount of the chemical liquid are opened / closed by the open / close valve 27.
Further, it is guided to the bubble discharge passage 31 and the chemical liquid circulation passage 21 via the throttle valve 30 and collected in the chemical liquid tank 22.

【0036】このとき、処理液吐出ノズル1から気泡を
排出するための気泡排出路34は、開閉弁27および絞
り弁30を介して、上記薬液循環路21に連通する気泡
排出路31と接続されている。このため、絞り弁30の
開放状態を調整することにより、処理液吐出ノズル1の
処理液貯留部42から気泡と共に排出される薬液の量を
所望の値に制御することができる。従って、処理液吐出
ノズル1の気泡排出孔44から多量の薬液が排出される
ことにより処理液貯留部42内の薬液の圧力が低下し、
薬液吐出口47からの薬液の吐出量が低下するという問
題を生ずることはない。
At this time, the bubble discharge passage 34 for discharging bubbles from the treatment liquid discharge nozzle 1 is connected to the bubble discharge passage 31 communicating with the chemical liquid circulation passage 21 through the opening / closing valve 27 and the throttle valve 30. ing. Therefore, by adjusting the open state of the throttle valve 30, it is possible to control the amount of the chemical liquid discharged together with the bubbles from the processing liquid storage section 42 of the processing liquid discharge nozzle 1 to a desired value. Therefore, a large amount of the chemical liquid is discharged from the bubble discharge hole 44 of the treatment liquid discharge nozzle 1, so that the pressure of the chemical liquid in the treatment liquid storage section 42 is lowered,
The problem that the discharge amount of the chemical liquid from the chemical liquid discharge port 47 decreases does not occur.

【0037】基板Wに対する薬液処理が終了すれば、開
閉弁25および27を閉止して、処理液吐出ノズル1へ
の薬液の供給を停止する。そして、開閉弁26および2
8を開放する。
When the chemical liquid processing on the substrate W is completed, the on-off valves 25 and 27 are closed to stop the supply of the chemical liquid to the processing liquid discharge nozzle 1. And the on-off valves 26 and 2
Open 8.

【0038】これにより、処理液吐出ノズル1の処理液
吐出口47から純水が吐出される。この状態において、
処理液吐出ノズル1を、ノズル移動機構36の駆動によ
り、基板Wの回転中心と対向する位置と基板Wの端縁と
対向する位置との間で往復移動させる。これにより、基
板Wの全面に超音波振動が付与された純水が供給され、
基板Wが純水により洗浄処理される。
As a result, pure water is discharged from the processing liquid discharge port 47 of the processing liquid discharge nozzle 1. In this state,
By driving the nozzle moving mechanism 36, the processing liquid discharge nozzle 1 is reciprocated between a position facing the rotation center of the substrate W and a position facing the edge of the substrate W. As a result, pure water to which ultrasonic vibration has been applied is supplied to the entire surface of the substrate W,
The substrate W is washed with pure water.

【0039】このとき、上述した薬液の場合と同様、絞
り部48を通過した後、処理液吐出口47に到達した純
水は拡大しようとする運動量をもつことになる。従っ
て、処理液吐出ノズル1の処理液吐出口47から吐出さ
れた純水は、スピンチャック11に支持されて回転する
基板Wの表面における広い領域に拡げられる。このた
め、基板Wの表面全域を短時間で洗浄処理することが可
能となる。
At this time, as in the case of the above-described chemical liquid, the pure water that has passed through the throttle portion 48 and then reached the processing liquid discharge port 47 has a momentum to expand. Therefore, the pure water discharged from the processing liquid discharge port 47 of the processing liquid discharge nozzle 1 is spread over a wide area on the surface of the substrate W which is supported by the spin chuck 11 and rotates. Therefore, the entire surface of the substrate W can be cleaned in a short time.

【0040】また、同様に、絞り部48を通過した後、
処理液吐出口47に到達した純水は拡大しようとする運
動量をもつことになることから、処理液吐出ノズル1か
ら吐出する純水の流量を増加させた場合においても、基
板Wの表面で純水が飛び散る現象を生ずることはない。
従って、処理液吐出ノズル1から基板Wに供給する純水
の流量を増加させることにより、基板Wの洗浄処理に要
する時間を短縮することが可能となる。
Similarly, after passing through the diaphragm 48,
Since the pure water that has reached the processing liquid discharge port 47 has a momentum that tends to expand, even when the flow rate of the pure water discharged from the processing liquid discharge nozzle 1 is increased, the pure water on the surface of the substrate W does not change. The phenomenon of water splashing does not occur.
Therefore, by increasing the flow rate of pure water supplied from the processing liquid discharge nozzle 1 to the substrate W, the time required for the cleaning process of the substrate W can be shortened.

【0041】なお、処理液吐出ノズル1の処理液吐出口
47から吐出された純水の基板Wの表面における拡張機
能を効果的に作用せしめるためには、上述した薬液の場
合と同様、処理液吐出口47とスピンチャック11に支
持されて回転する基板Wの表面との距離を10mm以下
とすることが好ましく、5mm以下とすることがより好
ましい。
In order to make the expansion function of the pure water discharged from the processing liquid discharge port 47 of the processing liquid discharge nozzle 1 on the surface of the substrate W effective, the processing liquid is the same as in the case of the above-mentioned chemical liquid. The distance between the ejection port 47 and the surface of the substrate W which is supported by the spin chuck 11 and rotates is preferably 10 mm or less, and more preferably 5 mm or less.

【0042】また、処理液吐出ノズル1の処理液吐出口
47から吐出された純水の基板Wの表面における拡張機
能を効果的に作用せしめた上で、基板Wを迅速に洗浄処
理するためには、上述した薬液の場合と同様、処理液吐
出ノズル1より吐出する純水の量を毎分10リットル以
上とすることが好ましい。
In addition, the pure water discharged from the processing liquid discharge nozzle 47 of the processing liquid discharge nozzle 1 is effectively caused to have an expanding function on the surface of the substrate W, and then the substrate W is rapidly cleaned. It is preferable that the amount of pure water discharged from the treatment liquid discharge nozzle 1 be 10 liters per minute or more, as in the case of the above-mentioned chemical liquid.

【0043】基板Wの表面に供給され、基板Wの回転に
伴ってその端縁より飛散した純水は、飛散防止用カップ
15により捕獲される。そして、この状態においては、
飛散防止用カップ15の下面に形成された排出口16
は、図示しないドレインと連通する純水回収路24の一
端と対向する位置に移動している。このため、この純水
は、純水回収路24を介してドレインに排出される。
The pure water supplied to the surface of the substrate W and scattered from the edge of the substrate W as it rotates is captured by the splash preventing cup 15. And in this state,
A discharge port 16 formed on the lower surface of the scattering prevention cup 15
Has moved to a position facing one end of a pure water recovery passage 24 communicating with a drain (not shown). Therefore, this pure water is discharged to the drain through the pure water recovery passage 24.

【0044】このような純水供給動作中においては、超
音波振動子41により超音波振動を付与された純水から
気泡が発生する。そして、この気泡は、薬液の場合と同
様、処理液吐出ノズル1の処理液貯留部42に一時的に
蓄積される。
During such pure water supply operation, bubbles are generated from the pure water to which ultrasonic vibration is applied by the ultrasonic vibrator 41. Then, the bubbles are temporarily accumulated in the treatment liquid storage section 42 of the treatment liquid discharge nozzle 1 as in the case of the chemical liquid.

【0045】この場合においても、処理液貯留部42と
処理液吐出口47との間に、処理液吐出口47よりも小
さいオリフィスとしての絞り部48が形成されているこ
とから、処理液貯留部42内の純水が加圧され、この圧
力に起因して処理液貯留部42内に一時的に蓄積された
気泡は、少量の純水と共に、超音波発振子41に形成さ
れた気泡排出孔44から気泡排出路34に排出される。
In this case as well, since the throttle portion 48 as an orifice smaller than the processing liquid discharge port 47 is formed between the processing liquid storage part 42 and the processing liquid discharge port 47, the processing liquid storage part is formed. The pure water in 42 is pressurized, and the bubbles temporarily accumulated in the processing liquid storage part 42 due to this pressure, together with a small amount of pure water, are bubble discharge holes formed in the ultrasonic oscillator 41. The bubbles are discharged from 44 to the bubble discharge path 34.

【0046】上述したように、特に、この実施の形態に
おいては、超音波発振子41は処理液貯留部42の上方
に配設されており、また、気泡排出孔44は超音波発振
子41に形成されている。このため、処理液貯留部42
内に存在する全ての気泡を、速やかに気泡排出孔44か
ら排出することが可能となる。
As described above, in particular, in this embodiment, the ultrasonic oscillator 41 is arranged above the treatment liquid storage section 42, and the bubble discharge hole 44 is provided in the ultrasonic oscillator 41. Has been formed. Therefore, the processing liquid storage unit 42
All bubbles existing inside can be promptly discharged from the bubble discharging hole 44.

【0047】気泡排出孔44から気泡排出路34に少量
の純水と共に排出された気泡は、開放状態の開閉弁28
および絞り弁29を介して気泡排出路32に案内され、
図示しないドレインに排出される。
The bubbles discharged from the bubble discharge hole 44 to the bubble discharge passage 34 together with a small amount of pure water are the open / close valve 28 in the open state.
And is guided to the bubble discharge passage 32 via the throttle valve 29,
It is discharged to a drain not shown.

【0048】このとき、上述した薬液の場合と同様、処
理液吐出ノズル1から気泡を排出するための気泡排出路
34は、開閉弁28および絞り弁29を介して気泡排出
路32と接続されている。このため、絞り弁29の開放
状態を調整することにより、処理液吐出ノズル1の処理
液貯留部42から気泡と共に排出される純水の量を所望
の値に制御することができる。従って、処理液吐出ノズ
ル1の気泡排出孔44から多量の純水が排出されること
により処理液貯留部42内の純水の圧力が低下し、純水
吐出口47からの純水の吐出量が低下するという問題を
生ずることはない。
At this time, as in the case of the above-mentioned chemical liquid, the bubble discharge passage 34 for discharging bubbles from the treatment liquid discharge nozzle 1 is connected to the bubble discharge passage 32 through the opening / closing valve 28 and the throttle valve 29. There is. Therefore, by adjusting the open state of the throttle valve 29, it is possible to control the amount of pure water discharged from the processing liquid reservoir 42 of the processing liquid discharge nozzle 1 together with the bubbles to a desired value. Therefore, a large amount of pure water is discharged from the bubble discharge holes 44 of the processing liquid discharge nozzle 1, so that the pressure of the pure water in the processing liquid storage section 42 is lowered, and the amount of pure water discharged from the pure water discharge port 47 is discharged. Does not cause the problem that

【0049】以上の処理工程が終了すれば、開閉弁26
および28を閉止して処理を終了する。
When the above processing steps are completed, the on-off valve 26
And 28 are closed, and the process ends.

【0050】なお、上述した実施の形態においては、処
理液吐出ノズル1からスピンチャック11に支持されて
回転する基板Wに向けて処理液を吐出した状態で、処理
液吐出ノズル1を基板Wの回転中心と対向する位置と基
板Wの端縁と対向する位置との間で往復移動させること
により、基板Wの表面全域に超音波振動が付与された処
理液を供給する場合について説明したが、処理液吐出ノ
ズル1から基板Wの表面に供給される処理液を、基板W
の表面における特に広い領域に拡張しうる場合において
は、処理液吐出ノズル1を静止させた状態で、処理液を
処理液吐出ノズル1からスピンチャック11に支持され
て回転する基板Wの中心付近に供給する構成とすること
も可能である。
In the above-described embodiment, the processing liquid discharge nozzle 1 is set to the substrate W while the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle 1 toward the substrate W which is supported by the spin chuck 11 and rotates. The case has been described in which the processing liquid supplied with ultrasonic vibration is supplied to the entire surface of the substrate W by reciprocating between the position facing the center of rotation and the position facing the edge of the substrate W. The processing liquid supplied from the processing liquid discharge nozzle 1 to the surface of the substrate W is transferred to the substrate W.
In the case where the treatment liquid discharge nozzle 1 is stationary, the treatment liquid is discharged from the treatment liquid discharge nozzle 1 to the vicinity of the center of the substrate W which is supported by the spin chuck 11 and is rotated. It is also possible to adopt a configuration in which it is supplied.

【0051】また、上述した実施の形態においては、処
理液吐出ノズル1における内壁45が、その内部を通過
する処理液の流線に沿ってなめらかに変化する、ド・ラ
バル管(de Laval nozzle)状の形状を
有する場合について説明したが、この内壁45として
は、絞り部48と処理液吐出口47とを、絞り部48か
ら処理液吐出口47に向けて順次その断面積が拡大する
状態で接続しうる形状であれば、ド・ラバル管(de
Laval nozzle)状の形状以外の形状のもの
を採用することも可能である。
Further, in the above-described embodiment, the inner wall 45 of the processing liquid discharge nozzle 1 smoothly changes along the flow line of the processing liquid passing through the inside thereof, a de Laval nozzle. Although the inner wall 45 has the narrowed portion 48 and the processing liquid discharge port 47, the cross-sectional area of the narrowed portion 48 and the processing liquid discharge port 47 sequentially increases from the narrowed portion 48 toward the processing liquid discharge port 47. De Laval tube (de
It is also possible to adopt a shape other than the Laval nozzle) shape.

【0052】また、上述した実施の形態においては、こ
の発明を、基板Wに対して超音波振動が付与された処理
液を供給することにより基板Wを洗浄処理するための処
理液吐出ノズル1に適用した場合について説明したが、
この発明は、基板Wに対して処理液を供給するための各
種の処理液吐出ノズル全般に適用することが可能であ
る。
Further, in the above-described embodiments, the present invention is applied to the processing liquid discharge nozzle 1 for cleaning the substrate W by supplying the processing liquid to which the ultrasonic vibration is applied to the substrate W. I explained about the case where it is applied,
The present invention can be applied to all kinds of processing liquid discharge nozzles for supplying the processing liquid to the substrate W.

【0053】[0053]

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、ノズル
本体の内壁が、ノズル本体内における処理液の流路中に
形成された絞り部と処理液吐出口とを、絞り部から処理
液吐出口に向けて順次その断面積が拡大する状態で接続
することから、処理液を基板Wの表面における広い領域
に拡げることができ、短時間で基板の表面全域に処理液
を供給して基板を処理することが可能となる。
According to the invention as set forth in claim 1, the inner wall of the nozzle body processes the throttle portion and the treatment liquid discharge port formed in the flow passage of the treatment liquid in the nozzle body from the throttle portion. Since the connection is made in such a manner that the cross-sectional area gradually increases toward the liquid discharge port, the processing liquid can be spread over a wide area on the surface of the substrate W, and the processing liquid can be supplied to the entire surface of the substrate in a short time. The substrate can be processed.

【0054】請求項2に記載の発明によれば、処理液を
一時的に貯留する処理液貯留部と、この処理液貯留部の
下方に形成された処理液吐出口とを有するノズル本体
と、処理液貯留部内の処理液に対して超音波振動を付与
する超音波発振子と、処理液貯留部と処理液吐出口との
間に配設された処理液吐出口よりも小さいオリフィスを
有する絞り部とを備え、ノズル本体の内壁は、絞り部と
処理液吐出口とを、絞り部から処理液吐出口に向けて順
次その断面積が拡大する状態で接続することから、超音
波振動が付与された処理液を基板Wの表面における広い
領域に拡げることができ、短時間で基板の表面全域に超
音波振動が付与された処理液を供給して基板を処理する
ことが可能となる。
According to the second aspect of the present invention, a nozzle body having a processing liquid storage part for temporarily storing the processing liquid and a processing liquid discharge port formed below the processing liquid storage part, An ultrasonic oscillator that applies ultrasonic vibration to the processing liquid in the processing liquid storage section, and a diaphragm having an orifice smaller than the processing liquid discharge port, which is arranged between the processing liquid storage section and the processing liquid discharge port. Since the inner wall of the nozzle body is connected to the narrowed portion and the processing liquid discharge port in such a state that the cross-sectional area of the narrowed portion sequentially increases from the narrowed portion to the processing liquid discharge port, ultrasonic vibration is imparted. The treated liquid thus treated can be spread over a wide area on the surface of the substrate W, and the substrate can be treated by supplying the treated liquid to which ultrasonic vibration is applied to the entire surface of the substrate in a short time.

【0055】請求項3に記載の発明によれば、処理液吐
出ノズルを、処理液吐出口と基板との距離が10mm以
下となるように配置したことから、超音波振動が付与さ
れた処理液を基板Wの表面におけるより広い領域に効果
的に拡げることが可能となる。
According to the third aspect of the present invention, since the treatment liquid discharge nozzle is arranged such that the distance between the treatment liquid discharge port and the substrate is 10 mm or less, the treatment liquid to which ultrasonic vibration is applied is provided. Can be effectively spread over a wider area on the surface of the substrate W.

【0056】請求項4に記載の発明によれば、処理液吐
出ノズルより吐出する処理液の量を毎分10リットル以
上としたことから、基板の表面で薬液が飛び散る現象を
生ずることなく、基板を迅速に処理することができる。
According to the invention described in claim 4, since the amount of the processing liquid ejected from the processing liquid ejection nozzle is 10 liters per minute or more, the phenomenon that the chemical liquid is scattered on the surface of the substrate does not occur, Can be processed quickly.

【0057】請求項5に記載の発明によれば、絞り部と
処理液吐出口との間の位置におけるノズル本体の内壁が
ド・ラバル管状の形状を有することから、超音波振動が
付与された処理液を基板Wの表面におけるより広い領域
に特に効果的に拡げることが可能となる。
According to the fifth aspect of the invention, since the inner wall of the nozzle body at the position between the throttle portion and the processing liquid discharge port has a de Laval tubular shape, ultrasonic vibration is applied. The treatment liquid can be spread particularly effectively over a wider area on the surface of the substrate W.

【0058】請求項6に記載の発明によれば、処理液貯
留部内に存在する気泡を処理液貯留部から外部に排出す
るための気泡排出孔をさらに備えることから、処理液吐
出ノズル内における気泡の蓄積を防止することができ
る。このため、処理液に十分な超音波振動を付与するこ
とが可能となり、また、超音波発振子の損傷を防止する
ことが可能となる。
According to the sixth aspect of the present invention, since the bubble discharging hole for discharging the bubbles existing in the processing liquid storage portion to the outside from the processing liquid storage portion is further provided, the bubbles in the processing liquid discharge nozzle are provided. Can be prevented from accumulating. Therefore, it is possible to apply sufficient ultrasonic vibration to the treatment liquid, and it is possible to prevent damage to the ultrasonic oscillator.

【0059】請求項7に記載の発明によれば、超音波発
振子は処理液貯留部の上方に配設されており、気泡排出
孔は超音波発振子に形成されていることから、処理液貯
留部内に存在する全ての気泡を、速やかに気泡排出孔か
ら排出することが可能となる。
According to the seventh aspect of the invention, the ultrasonic wave oscillator is disposed above the processing liquid reservoir, and the bubble discharge hole is formed in the ultrasonic wave oscillator. It is possible to quickly discharge all the bubbles existing in the storage section from the bubble discharging hole.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明に係る処理液吐出ノズル1を使用した
基板処理装置の概要図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus using a processing liquid discharge nozzle 1 according to the present invention.

【図2】この発明に係る処理液吐出ノズル1を使用した
基板処理装置の要部を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a main part of a substrate processing apparatus using the processing liquid discharge nozzle 1 according to the present invention.

【図3】処理液吐出ノズル1の縦断面図である。FIG. 3 is a vertical cross-sectional view of a processing liquid discharge nozzle 1.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 処理液吐出ノズル 41 超音波発振子 42 処理液貯留部 44 気泡排出孔 45 内壁 47 処理液吐出口 48 絞り部 W 基板 1 Processing liquid discharge nozzle 41 Ultrasonic oscillator 42 Processing Liquid Reservoir 44 Bubble discharge hole 45 Inner wall 47 Processing liquid discharge port 48 throttle W board

フロントページの続き Fターム(参考) 2H096 AA25 CA14 GA31 LA30 3B201 AA03 AB02 AB34 AB47 BB44 BB53 BB82 BB85 BB92 BB93 CB12 CC01 CC13 CD22 4F033 AA04 AA14 BA03 CA01 DA01 EA01 4F042 AA07 CA01 CA07 CB03 CB10 DA01 DB39 Continued front page    F-term (reference) 2H096 AA25 CA14 GA31 LA30                 3B201 AA03 AB02 AB34 AB47 BB44                       BB53 BB82 BB85 BB92 BB93                       CB12 CC01 CC13 CD22                 4F033 AA04 AA14 BA03 CA01 DA01                       EA01                 4F042 AA07 CA01 CA07 CB03 CB10                       DA01 DB39

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に対して処理液を供給するため基板
処理装置の処理液吐出ノズルであって、 ノズル本体と、 前記ノズル本体内における処理液の流路中に形成された
絞り部と、 前記ノズル本体の下方に形成された処理液吐出口とを備
え、 前記ノズル本体の内壁は、前記絞り部と前記処理液吐出
口とを、前記絞り部から前記処理液吐出口に向けて順次
その断面積が拡大する状態で接続することを特徴とする
基板処理装置の処理液吐出ノズル。
1. A processing liquid discharge nozzle of a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a substrate, the nozzle main body, and a narrowed portion formed in a flow path of the processing liquid in the nozzle main body. And a processing liquid discharge port formed below the nozzle body, wherein the inner wall of the nozzle body has the narrowed portion and the processing liquid discharge port sequentially from the narrowed portion toward the processing liquid discharge port. A processing liquid discharge nozzle for a substrate processing apparatus, which is connected in a state where a cross-sectional area is enlarged.
【請求項2】 基板に対して超音波振動が付与された処
理液を供給するための基板処理装置の処理液吐出ノズル
であって、 処理液を一時的に貯留する処理液貯留部と、この処理液
貯留部の下方に形成された処理液吐出口とを有するノズ
ル本体と、 前記処理液貯留部内の処理液に対して超音波振動を付与
する超音波発振子と、 前記処理液貯留部と前記処理液吐出口との間に配設され
た前記処理液吐出口よりも小さいオリフィスを有する絞
り部とを備え、 前記ノズル本体の内壁は、前記絞り部と前記処理液吐出
口とを、前記絞り部から前記処理液吐出口に向けて順次
その断面積が拡大する状態で接続することを特徴とする
基板処理装置の処理液吐出ノズル。
2. A processing liquid discharge nozzle of a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to which ultrasonic vibration is applied to a substrate, the processing liquid storing section temporarily storing the processing liquid; A nozzle body having a treatment liquid discharge port formed below the treatment liquid storage portion, an ultrasonic oscillator that applies ultrasonic vibration to the treatment liquid in the treatment liquid storage portion, and the treatment liquid storage portion A narrowed portion having an orifice smaller than the processing liquid discharge port, which is disposed between the processing liquid discharge port, and an inner wall of the nozzle body, wherein the narrowed portion and the processing liquid discharge port are A processing liquid discharge nozzle of a substrate processing apparatus, wherein the processing liquid discharge nozzles are connected in such a manner that a cross-sectional area of the narrowed portion is increased toward the processing liquid discharge port.
【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置の処理液
吐出ノズルにおいて、 当該処理液吐出ノズルを、前記処理液吐出口と前記基板
との距離が10mm以下となるように配置した基板処理
装置の処理液吐出ノズル。
3. The processing liquid discharge nozzle of the substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the processing liquid discharge nozzle is arranged such that a distance between the processing liquid discharge port and the substrate is 10 mm or less. The processing liquid discharge nozzle of the device.
【請求項4】 請求項2に記載の基板処理装置の処理液
吐出ノズルにおいて、 当該処理液吐出ノズルより吐出する処理液の量を毎分1
0リットル以上とした基板処理装置の処理液吐出ノズ
ル。
4. The processing liquid discharge nozzle of the substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the amount of the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle is 1 per minute.
A processing liquid discharge nozzle of a substrate processing apparatus having a volume of 0 liter or more.
【請求項5】 請求項2乃至請求項4いずれかに記載の
基板処理装置の処理液吐出ノズルにおいて、 前記絞り部と前記処理液吐出口との間の位置における前
記ノズル本体の内壁は、ド・ラバル管状の形状を有する
基板処理装置の処理液吐出ノズル。
5. The processing liquid discharge nozzle of the substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the inner wall of the nozzle body at a position between the narrowed portion and the processing liquid discharge port is a nozzle. A processing liquid discharge nozzle of a substrate processing apparatus having a Laval tubular shape.
【請求項6】 請求項2乃至請求項5いずれかに記載の
基板処理装置の処理液吐出ノズルにおいて、 前記処理液貯留部内に存在する気泡を前記処理液貯留部
から外部に排出するための気泡排出孔をさらに備えた基
板処理装置の処理液吐出ノズル。
6. The processing liquid discharge nozzle of the substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the bubbles existing in the processing liquid storage unit are discharged to the outside from the processing liquid storage unit. A processing liquid discharge nozzle of a substrate processing apparatus further provided with a discharge hole.
【請求項7】 請求項6に記載の基板処理装置の処理液
吐出ノズルにおいて、 前記超音波発振子は前記処理液貯留部の上方に配設され
ており、前記気泡排出孔は前記超音波発振子に形成され
ている基板処理装置の処理液吐出ノズル。
7. The processing liquid discharge nozzle of the substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the ultrasonic oscillator is disposed above the processing liquid storage portion, and the bubble discharge hole is the ultrasonic oscillation. A processing liquid discharge nozzle of the substrate processing apparatus formed on the child.
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